KR20110108917A - 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프 - Google Patents

웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR20110108917A
KR20110108917A KR1020100028403A KR20100028403A KR20110108917A KR 20110108917 A KR20110108917 A KR 20110108917A KR 1020100028403 A KR1020100028403 A KR 1020100028403A KR 20100028403 A KR20100028403 A KR 20100028403A KR 20110108917 A KR20110108917 A KR 20110108917A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acrylic
meth
acrylate
sensitive adhesive
weight
Prior art date
Application number
KR1020100028403A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101140790B1 (ko
Inventor
이종집
임용관
박주천
윤성하
Original Assignee
공주대학교 산학협력단
(주)거명
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 공주대학교 산학협력단, (주)거명 filed Critical 공주대학교 산학협력단
Priority to KR1020100028403A priority Critical patent/KR101140790B1/ko
Publication of KR20110108917A publication Critical patent/KR20110108917A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101140790B1 publication Critical patent/KR101140790B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프에 관한 것으로, 보다 상세하게는 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제, 경화제, 및 광개시제를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물로서, 상기 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 자외선 조사 전ㆍ후의 점착력을 조절함으로써 다이싱 공정 중에 발생 할 수 있는 전사 문제 및 치핑현상 등의 문제점을 근본적으로 해결하여 반도체 칩의 흔들림 등을 고정하기 위한 웨이퍼 다이싱 고정용 점착 테이프로서 유용하게 사용할 수 있는 장점이 있다.

Description

웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프{Acrylic pressure sensitive adhesive compositions and tape for wafer dicing}
본 발명은 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프에 관한 것으로, 보다 상세하게는 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제, 경화제, 및 광개시제를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물에 관한 것이다.
반도체 제조시 웨이퍼상에 포토리소그래피(photolithograph) 공정과 메탈라이징 작업이 끝난 후 반도체를 절단하는 공정에서 반도체 칩이 튀어나가거나 흔들림을 방지하기 위해서, 일반적으로 웨이퍼 뒷면에 일정한 점착력을 갖는 다이싱 테이프를 사용하여 반도체칩을 고정시키거나 지지하게 한다. 또한, 웨이퍼를 각각의 칩으로 절단한 후 다음공정으로 이송하기 위해 분리시킬 때는 반도체칩을 고정하는 목적으로 사용되었던 다이싱 테이프를 제거하여야 한다. 그런데, 상기 테이프를 제거시 반도체칩을 고정하기 위해 필요했던 점착력이 그대로 남아 있으면 쉽게 웨이퍼상에서 떨어지지 않는다.
따라서, 남아 있는 점착력을 제거하기 위해서는 고정용 점착 테이프에 자외선을 조사시켜 점착력을 감소시킨 다음 반도체칩에서 다이싱 테이프가 쉽게 제거되도록 하여 다음공정으로 이송시킨다.
따라서, 다이싱 테이프는 자외선 조사 전에는 일정한 점착력을 가져야 하며, 자외선 조사 후에는 점착력이 감소하여 칩을 박리시키면서 칩상에 점착제를 남기지 말아야 한다. 따라서 다이싱 테이프에 사용되는 점착 조성물의 경우, 상기와 같은 요건들을 갖추어야 하는 것이 중요하다.
다이싱 테이프는 크게 감압 점착형과 자외선 조사형 두 가지가 있다. 반도체 공정 중에 사용하는 웨이퍼의 두께가 점점 얇아지고 큰 크기의 칩을 픽업하기 위해서는 자외선 조사형의 경우가 일반적으로 사용된다. 자외선 조사형 다이싱 테이프인 경우에는 다이싱이 완료되면 후면에서 자외선를 조사하여 점착층을 경화시킴으로써 웨이퍼와의 계면 박리력을 떨어뜨려 개별화된 칩 웨이퍼의 픽업공정을 쉽게 한다. 다이싱 후 개별화된 칩에 전기적 신호가 연결되도록 패키지화하기 위해서는 칩을 PCB기판이나 리드프레임 기판과 같은 지지부재에 접착시켜주는 공정이 필요하고 이때 액상 에폭시 수지를 지지부재 위에 도입시키고 그 후에 개별화된 칩을 도입된 에폭시 위에 접착시켜 칩을 지지부재에 접착시킨다.
다이싱 테이프에 사용되는 자외선 반응형 아크릴계 점착제에 대한 종래 기술로는 대한민국특허 특 2002-0001270 및 2002-0001271호에 따르면 부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 2-히드록시메타아크릴레이트를 사용하여 3원공중합체를 제조한 후, 이소시아네이트계의 경화제를 넣고 올리고머로써 우레탄 아크릴레이트나 에폭시아크릴레이트를 넣어서 자외선을 조사한 후 피착제 위에 점착제를 남기지 않고 점착력을 감소시키는 방법을 이용하고 있다.
그러나 상기 방법들에서 사용된 아크릴계 점착제의 경우 자외선 조사시 광중합이 효과적으로 진행되지 않거나, 테이프 기재와 점착층 사이의 중간층이 필수적으로 구성되어 제조공정이 번잡하다는 지적이 있어 제조공정도 간단하고 효과적인 광중합을 할 수 있는 점착조성물이 요구되고 있다.
일본공개공보 제1985-19656호 및 제1985-223139호는 고분자형 점착 조성물을 주제로 하여 이중결합을 다수 함유하는 단분자 올리고머 또는 아크릴레이트를 물리적으로 혼합하는 방법의 점착조성물이 소개되고 있으며, 이들은 점착조성물에 광경화성 물질을 첨가하여 점착조성물에 의한 점착력을 유지하면서, 이후 광조사에 의한 광경화성 물질의 3차원구조를 형성시켜 기 형성된 점착조성물의 유동성을 약화시켜 궁극적으로 점착력을 급격히 낮추는 것이다.
그러나 기존의 아크릴계 점착제 및 자외선 경화형 아크릴계 점착제의 혼합물의 경우 점착제 중에서 자외선 경화가 이루어지기 전에 미가교된 물질들이 계면에 많이 위치하기 때문에 점착력의 감소 정도를 적절히 조절하기 어려운 문제점이 있었다. 또한 방사선 경화형 아크릴계 점착제를 단독으로 사용한 경우에는 두 가지 물질을 적절히 섞어 사용하는 경우보다 상대적으로 높은 분자량 때문에 사슬의 유동성이 저하되어 충분한 방사선 경화가 이루어지지 않는 단점이 있다.
이에 본 발명자들은 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제를 제조하는 방법을 개발하고, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제를 블렌딩하여 자외선 조사 전에는 1000 gf/inch 이상의 높은 점착력을 갖고, 자외선 조사 후에는 50 gf/inch 이하의 낮은 점착력을 갖는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명은 기재 상에 상기 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물의 경화물을 포함하는 접착층을 갖는 접착필름을 제공하고자 한다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 제조방법을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이며 과장되어 도시될 수 있다.
이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.
본 발명은 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제, 경화제, 및 광개시제를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물을 제공한다.
본 발명은 기재 상에 상기 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물의 경화물을 포함하는 접착층을 갖는 접착필름을 제공한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은
저분자량의 아크릴 올리고머에 이중결합과 에폭시기, 카르복실기, 또는 그의 조합인 관능기를 가지는 단량체 5 내지 100 중량%로 구성된 글리시딜 (메타)아크릴레이트 또는 라우릴 글리시딜 에스테르를 중합시켜 얻어지는 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제; 경화제; 및 광개시제;를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물을 제공한다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 점착력이 자외선 조사 전에 100 내지 2000 gf/inch 이고, 자외선 조사 후에 4 내지 50 gf/inch 범위로 감소되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 광경화성 아크릴 올리고머는 저분자량의 아크릴 올리고머에 이중결합과 에폭시기, 카르복실기, 또는 그의 조합인 관능기를 가지는 단량체 5 내지 100 중량%로 구성된 글리시딜 (메타)아크릴레이트 또는 라우릴 글리시딜 에스테르를 중합시켜 제조되는 것을 특징으로 한다.
보다 상세하게는 상기 광경화성 아크릴 올리고머는 저분자량의 아크릴 올리고머 용액에 이중결합과 에폭시기, 카르복실기, 또는 그의 조합인 관능기를 가지는 단량체 5 내지 100 중량%로 구성된 글리시딜 (메타)아크릴레이트 또는 라우릴 글리시딜 에스테르를 부가하고 약 50 내지 100℃의 온도로 8시간 이상 교반함으로서 이중결합이 도입된 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머를 제조할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 저분자량의 아크릴 올리고머는 (메타)아크릴계 모노머에 이중결합과 카르복실기의 관능기를 가진 단량체 5 내지 50중량%로 구성된 단량체를 중합시켜 제조되는 평균 분자량 5,000 내지 200,000의 올리고머를 사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 이중결합과 카르복실기의 관능기를 가진 단량체는 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 아크릴산, 메타아크릴산, 이타코닉산, 무수말레인산으로부터 선택되는 한 종 이상인 것이며, 분자 내부에 이중결합을 함유하여 라디칼 반응으로 고분자화 될 수 있으면서 카르복시기를 함유하는 것이라면 이에 한정되는 것은 아니다.
보다 상세하게는 상기 저분자량의 아크릴 올리고머의 제조방법에 있어서, (메타)아크릴계 모노머에 이중결합과 카르복실기의 관능기를 가진 단량체 5 내지 50중량%로 구성된 단량체는 용액 중합법, 벌크 중합법 또는 유화 중합법과 같은 임의의 중합 방법으로 진행할 수 있으나 보다 바람직하게는 용액 중합법을 이용한다.
상기 용액 중합법은 저분자량의 아크릴 올리고머의 점도 및 분자량 조절이 용이하게 하며, 자외선에 의해 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴계 점착제의 제조가 가능하게 해주는 효과가 있어, 이들 중합 단계는 용액 중합법으로 진행함이 바람직하다.
저분자량의 아크릴 올리고머를 제조함에 있어서 상기 용액 중합법은 용제 및 중합 개시제의 첨가제를 포함한다. 상기 용제로는 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 톨루엔, 크실렌, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK)으로부터 선택되는 한 종 이상인 혼합 용제를 사용할 수 있으며, 상기 중합 개시제로는 AIBN을 대표로하는 니트릴계, BPO를 대표로 하는 퍼옥사이계, 아세탈계, 헤미아세탈계 등 일반적으로 용액 중합에 사용되는 라디칼 개시제로 그 사용량 및 그 종류는 특별히 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 아크릴계 점착제는 (메타)아크릴계 모노머 100 중량부에 대하여 비닐계 또는 아크릴계 가교성 단량체 0.1 내지 20 중량부를 중합시켜 제조되는 평균 분자량 100,000 내지 1,500,000인 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 아크릴계 점착제는 상기의 제조방법에 의해, 별도의 가교제를 사용하지 않고도 상기 (메타)아크릴계 모노머가 서로 다수의 가교 결합을 이루면서 공중합된 아크릴계 공중합체를 형성할 수 있게 한다. 이에 따라 아크릴계 점착제 내에 가교제가 잔류하여 불순물로서 작용하는 것을 억제할 수 있으므로, 자외선 조사형의 다이싱 테이프용 점착제로서 적용하기에 적합한 응집력을 가지도록 할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 아크릴계 공중합체가 평균 분자량 100,000 내지 1,500,000을 가짐에 따라 이를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제의 점도 및 분자 간 응집력이 적절한 범위로 조절되어, 상기 광경화성 아크릴계 점착제가 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착제로서 적용되기에 적합한 퍼짐성, 점착력, 초기 점착력 등의 제반 물성을 가지게 될 수 있다.
본 발명에 있어서, 사용되는 (메타)아크릴계 모노머는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 및 테트라데실(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 한 종 이상인 것을 사용한다.
본 발명에 있어서, 상기 아크릴계 점착제의 제조에 사용되는 비닐계 또는 아크릴계 가교성 단량체는 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 글리시딜 (메타)아크릴레이트 2-하이드록시프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산 이중체, 이타콘산, 말레인산, 아크릴아마이드, 디메틸아크릴아마이드, 및 모노메틸아크릴아마이드으로 구성된 그룹으로부터 선택된 한 종 이상인 것을 사용한다.
보다 상세하게는 아크릴계 점착제는 (메타)아크릴계 모노머 100 중량부에 대하여 비닐계 또는 아크릴계 가교성 단량체 0.1 내지 20 중량부, 용제 및 중합 개시제의 첨가제를 더 포함하여 중합온도 및 중합시간을 조절하여 중량 평균 분자량이 100,000 내지 1,500,000만 사이의 아크릴 점착제를 중합하였다.
상기 중합시 사용한 유기용제로는 케톤계, 에스테르계, 알콜계 및 방향족계 로부터 선택되는 한 종 이상을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 톨루엔, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 아세톤, 메틸에틸케톤, 이소프로필알콜 등의 비점이 60 내지 120℃의 유기 용제가 바람직하다.
첨가제 중 중합게시제로는 α,α-아소비스이소부틸 니트릴로 대표되는 아조계, 벤조일퍼옥사이드를 대표로하는 유기과산화물계, 아세탈계, 헤미아세탈계 등 일반적으로 용액 중합에 사용되는 라디칼 개시제로 그 사용량 및 그 종류는 특별히 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 광경화성 아크릴계 점착제는 광경화성 아크릴계 점착제에 함께 포함되는 광경화성 아크릴 올리고머의 계면 제어제로서 작용하여 피착제에 대한 아크릴계 점착제의 점착력을 향상시킬 수 있고, 더 나아가, 상기 광경화성 아크릴계 점착제의 다이싱 공정 중에서 발생할 수 있는 전사문제 및 치핑현상의 근본적인 문제를 해결할 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 있어서, 상기 광경화성 아크릴계 점착제는 저분자량의 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제가 각각의 용제를 제외한 고형분 함량 기준 중량비로 8:2 내지 2:8의 혼합비로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
만일, 상기 광경화성 아크릴계 점착제에 있어서, 저분자량의 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제가 각각의 용제를 제외한 고형분 함량 기준 중량비로 8:2 내지 2:8의 혼합비로 제조하지 않으면, 상기 광경화성 아크릴계 점착제의 제반 물성이 저하될 수 있고 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착제로서의 재현성이 떨어질 수 있다. 또한, 상기 저분자량의 광경화성 아크릴 올리고머를 적절한 함량으로 사용함에 따라 광경화성 아크릴계 점착제의 응집력 및 점착성을 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착제로 사용하기에 바람직한 범위로 조절할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 광경화성 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여 경화제 0.1 내지 20 중량부 및 광개시제 1 내지 50 중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 상기 함량을 사용함에 따라 작업 조건의 측면에서 바람직할 뿐 아니라. 분자량 및 점도를 적절히 조절해 웨이퍼 다이싱용 점착제로서 바람직한 제반 물성을 나타내는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착제를 얻기가 용이하다.
보다 상세하게는 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 적절한 가교구조를 제공하기 위하여 총 광경화성 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여 경화제 0.1 내지 20 중량부를 포함하며, 상기 경화제는 아크릴계 점착제의 관능기에 따라 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물 또는 멜라민, 킬레이트계 등의 다양한 경화제를 택하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 총 광경화성 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여 광개시제 1 내지 50 중량부를 포함하며, 상기 광개시제는 벤조페논 및 아세토페논류의 케톤류와 벤조인, 벤조인 에테르, 벤질 및 벤질 케탈로부터 선택되는 어느 한 종 이상인 것으로, 보다 상세하게는, 구체적인 예로로 히드록시시클로헥실페닐케톤(hydroxycyclohexylphenylketone; Irgacure #184), 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노-프로판-1-온(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]- 2-morpholino-propan-1-on; Irgacure #907), α,α-메톡시-α-하이드록시아세토페논(α,α-methoxy-α-hydroxyacetophenone; Irgacure #651), 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-on; Irgacure #1173) 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 점착력이 자외선 조사 전에 100 내지 2000 gf/inch 이고, 자외선 조사 후에 4 내지 50 gf/inch 범위로 감소되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 기재 상에 상기 다이싱용 아크릴계 점착 조성물의 경화물을 포함하는 점착층을 갖는 접착필름을 제공한다.
상기 기재는 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리테트라플루오루에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌 비닐 아세톤 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체 필름, 및 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체 필름으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것이다.
보다 상세하게는 기재상에 부착되어 있는 점착층은 상기 본 발명의 다이싱용 아크릴계 점착 조성물의 경화물이 도포되어 이루어진 것으로, 자외선 조사 전에는 일정한 점착력을 가지고, 자외선 조사 후에는 점착력이 감소되어 점착제의 잔재가 남지 않는 효과 뿐 아니라, 여타의 제반 물성 역시 우수하게 유지될 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 자외선 경화 특성이 우수한 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제를 이용하여 제반 물성이 우수한 광경화성 아크릴계 점착제를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 자외선 조사 전ㆍ후의 점착력을 조절함으로써 다이싱 공정 중에 발생 할 수 있는 전사 문제 및 치핑현상 등의 문제점을 근본적으로 해결하여 반도체 칩의 흔들림 등을 고정하기 위한 웨이퍼 다이싱 고정용 점착 테이프로서 유용하게 사용할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물의 제조방법을 모식화한 도면이다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
[ 제조예 1] 아크릴계 점착제(P-1)
부틸 아크릴레이트 52 중량%, 에틸 아크릴레이트 30 중량%, 비닐 아세테이트 10 중량%, 아세트산 5 중량%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 3 중량%를 포함하는 원료(monomer) 100 중량부를 제조하였다. 상기 제조된 원료 50 중량%에 초산에틸(ethyl acetate) 85 g, 아세톤 5 g 및 AIBN 0.01 g을 투입하여 내부온도가 83℃가 될 때 까지 가열한 후, 내부 온도가 85℃가 되면 외부 온도를 유지해가며 20분 동안 반응시켰다.
상기 반응이 끝난 후, 나머지 원료 50 중량%, 초산에틸 15 g, 톨루엔 15 g, 및 AIBN 0.03 g을 투입하여 교반 한 뒤, 90분 동안 Dropping을 진행하였다.
상기 도핑이 완료 되면 120분 동안 반응을 숙성 시킨 뒤, 톨루엔 15 g과 AIBN 0.1 g을 섞어 교반 한 후 20분간 더 Dropping을 진행하였다.
상기 도핑이 완료 되면 3시간 동안 숙성 후, 초산에틸(35 중량%까지 희석)로 희석하여 반응을 종결하였다.
[ 제조예 2] 아크릴계 점착제(P-2)
2-에틸헥실아크릴레이트 52 중량%, 에틸아크릴레이트 30 중량%, 비닐 아세테이트 10 중량%, 아세트산 5 중량%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 3 중량%를 포함하는 원료 100 중량부에 대하여 P-1과 동일한 방법으로 중합을 진행하였다.
[ 제조예 3] 광경화성 아크릴 올리고머 (O-1)
부틸아크릴에이트 60 중량%, 에틸아크릴레이트 20 중량%, 아크릴산 20 중량%를 포함하는 원료(monomer) 100 중량부에 대해, 초기 아세트산뷰틸(butyl acetate) 55 g을 110℃까지 가열하여 액면 온도가 110℃가 되면, 상기 원료에 아세트산뷰틸 20 g, AIBN 0.1 g 투입하여 혼합한 후 3시간 동안 Dropping을 진행하였다.
상기 Dropping이 완료 되면 120분 동안 반응을 숙성 시킨 뒤, 아세트산뷰틸 5 g과 AIBN 0.1 g을 섞어 교반 한 후 20분간 Dropping을 하였다. 상기 Dropping이 완료되면 3시간 동안 숙성 후, 아세트산뷰틸(50 중량%까지 희석)로 희석 하여 공중합체를 제조하였다.
상기 제조된 공중합체에 추가로 공중합체 내의 아크릴산 중 30 mol%를 80℃ 이상 고온에서 글리시딜 메타아크릴레이트로 치환 반응하여 광경화성 아크릴 올리고머(O-1)를 제조하였다.
[ 제조예 4] 광경화성 아크릴 올리고머 (O-2)
부틸아크릴에이트 60 중량%, 에틸아크릴레이트 20 중량%, 아크릴산 20 중량%를 원료로하여 O-1과 동일한 방법으로 공중합체를 제조하였다. 상기 제조된 공중합체에 추가로 공중합체 내의 아크릴산 중 60 mol%를 80℃ 이상 고온에서 글리시딜 메타아크릴레이트로 치환 반응하여 광경화성 아크릴 올리고머(O-2)를 제조하였다.
[ 제조예 5] 광경화성 아크릴 올리고머 (O-3)
부틸아크릴에이트 60 중량%, 에틸아크릴레이트 20 중량%, 아크릴산 20 중량%를 원료로하여 O-1과 동일한 방법으로 공중합체를 제조하였다. 상기 제조된 공중합체에 추가로 공중합체 내의 아크릴산 중 90 mol%를 80℃ 이상 고온에서 글리시딜 메타아크릴레이트로 치환 반응하여 광경화성 아크릴 올리고머(O-3)를 제조하였다.
[ 실시예 1]
상기 제조예 1의 아크릴계 점착제(P-1) 50 중량% 및 상기 제조예 3의 광경화성 아크릴 올리고머(O-1) 50 중량%를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여, 경화제로 폴리 에폭시(일본 Tetra-DX 5% 희석) 화합물 0.5 중량부 및 광개시제로 히드록시시클로헥실페닐케톤(hydroxycyclohexylphenylketone; Igarcure 184) 3 중량부를 첨가하고 혼합하여 탈포 후, 50 ㎛ PET film에 20 ㎛ 도포하여 다이싱 테이프를 제작하였다. 제작된 테이프를 글라스에 붙여 테스트를 진행하였다.
[ 실시예 2]
상기 실시예 1에서 광경화성 아크릴 올리고머를 상기 제조예 4의 광경화성 아크릴 올리고머(O-2)사용한 것 이외에는 동일한 방법으로 점착제 및 다이싱 테이프를 제작하여 테스트를 진행하였다.
[ 실시예 3]
상기 실시예 1에서 광경화성 아크릴 올리고머를 상기 제조예 5의 광경화성 아크릴 올리고머(O-3)사용한 것 이외에는 동일한 방법으로 점착제 및 다이싱 테이프를 제작하여 테스트를 진행하였다.
[ 실시예 4]
상기 제조예 2의 아크릴계 점착제(P-2) 50 중량% 및 상기 제조예 3의 광경화성 아크릴 올리고머(O-1) 50 중량%를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여, 경화제로 폴리 에폭시(일본 Tetra-DX 5% 희석) 화합물 0.5 중량부 및 광개시제로 히드록시시클로헥실페닐케톤(hydroxycyclohexylphenylketone; Igarcure 184) 3 중량부를 첨가하고 혼합하여 탈포 후, 50㎛ PET film에 20 ㎛ 도포하여 다이싱 테이프를 제작하였다. 제작된 테이프를 글라스에 붙여 테스트를 진행하였다.
[ 실시예 5]
상기 실시예 4에서 광경화성 아크릴 올리고머를 상기 제조예 4의 광경화성 아크릴 올리고머(O-2)사용한 것 이외에는 동일한 방법으로 점착제 및 다이싱 테이프를 제작하여 테스트를 진행하였다.
[ 실시예 6]
실시예 4에서 광경화성 아크릴 올리고머를 상기 제조예 5의 광경화성 아크릴 올리고머(O-3)사용한 것 이외에는 동일한 방법으로 점착제 및 다이싱 테이프를 제작하여 테스트를 진행하였다.
[ 시험예 ]
상기 실시예 1 내지 6에서 제조한 다이싱 테이프를 글라스에 1 Kg의 롤러를 이용하여 코팅하여(lamination) 후 20분, 1 시간 경과 후 90˚ 접착강도 측정(peel test) 방법을 적용하여 접착 강도를 측정하였다.
상기 접착강도 측정(peel test)은 인장기를 이용하여 300 ㎜/min 속도로 자외선 조사 전, 후로 나누어 점착력을(gf/inch) 측정하였다.
Figure pat00001
상기 표 1의 결과에서도 확인할 수 있듯이, 본 발명의 실시예는 자외선 조사 전 초기에는 1000 gf/inch의 높은 점착력을 갖고 자외선 조사 후에는 20 gf/inch의 낮은 점착력을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 상기의 결과로부터 본 발명의 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물의 경화물을 포함하는 다이싱 테이프는 자외선 조사 전ㆍ후의 점착력을 조절함으로써 기존의 다이싱 공정 중에 발생할 수 있는 전사 문제 및 치핑현상 등의 근본적인 문제를 해결함을 확인한 결과이기도 하다.

Claims (11)

  1. 저분자량의 아크릴 올리고머에 이중결합과 에폭시기, 카르복실기, 또는 그의 조합인 관능기를 가지는 단량체 5 내지 100 중량%로 구성된 글리시딜 (메타)아크릴레이트 또는 라우릴 글리시딜 에스테르를 중합시켜 얻어지는 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제를 포함하는 광경화성 아크릴계 점착제; 경화제; 및 광개시제;를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 저분자량의 아크릴 올리고머는 (메타)아크릴계 모노머에 이중결합과 카르복실기의 관능기를 가진 단량체 5 내지 50중량%로 구성된 단량체를 중합시켜 제조되는 평균 분자량 5,000 내지 200,000의 올리고머인 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 이중결합과 카르복실기의 관능기를 가진 단량체는 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 아크릴산, 메타아크릴산 , 이타코닉산, 무수말레인산으로부터 선택되는 한 종 이상인 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    아크릴계 점착제는 (메타)아크릴계 모노머 100 중량부에 대하여 비닐계 또는 아크릴계 가교성 단량체 0.1 내지 20 중량부를 중합시켜 제조되는 평균 분자량 100,000 내지 1,500,000인 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  5. 제 2항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 (메타)아크릴계 모노머는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 및 테트라데실(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 한 종 이상인 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 비닐계 또는 아크릴계 가교성 단량체는 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 글리시딜 (메타)아크릴레이트 2-하이드록시프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산 이중체, 이타콘산, 말레인산, 아크릴아마이드, 디메틸아크릴아마이드, 및 모노메틸아크릴아마이드으로 구성된 그룹으로부터 선택된 한 종 이상인 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 광경화성 아크릴계 점착제는 저분자량의 광경화성 아크릴 올리고머 및 아크릴계 점착제가 각각의 용제를 제외한 고형분 함량 기준 중량비로 8:2 내지 2:8의 혼합비로 이루어지는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 광경화성 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여 경화제 0.1 내지 20 중량부 및 광개시제 1 내지 50 중량부를 포함하는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물은 점착력이 자외선 조사 전에 100 내지 2000 gf/inch 이고, 자외선 조사 후에 4 내지 50 gf/inch 범위로 감소되는 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물.
  10. 기재 상에 제 1항에 따른 다이싱용 아크릴계 점착 조성물의 경화물을 포함하는 점착층을 갖는 접착필름.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 기재는 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리테트라플루오루에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌 비닐 아세톤 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체 필름, 및 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체 필름으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 접착필름.
KR1020100028403A 2010-03-30 2010-03-30 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프 KR101140790B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100028403A KR101140790B1 (ko) 2010-03-30 2010-03-30 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100028403A KR101140790B1 (ko) 2010-03-30 2010-03-30 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110108917A true KR20110108917A (ko) 2011-10-06
KR101140790B1 KR101140790B1 (ko) 2012-05-03

Family

ID=45026317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100028403A KR101140790B1 (ko) 2010-03-30 2010-03-30 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101140790B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101580544B1 (ko) * 2015-11-24 2015-12-28 정찬수 Uv 경화형 다이싱 필름
KR20180020956A (ko) * 2016-03-17 2018-02-28 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법
CN107815257A (zh) * 2017-11-08 2018-03-20 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种芯片切割用保护膜及其制备方法和使用方法
KR20190071153A (ko) * 2017-12-14 2019-06-24 전자부품연구원 자외선 경화 탈착형 접착 조성물
WO2020157616A1 (en) * 2019-01-28 2020-08-06 3M Innovative Properties Company Photocurable adhesive composition and photocurable adhesive tape
CN114015388A (zh) * 2021-12-20 2022-02-08 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种含羟基减粘胶组合物及其制备方法和用途

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100773634B1 (ko) 2006-10-26 2007-11-05 제일모직주식회사 아크릴 바인더 수지조성물를 포함하는 광경화형 점착조성물및 이를 이용한 점착테이프
KR100945638B1 (ko) * 2007-12-17 2010-03-04 제일모직주식회사 광경화성 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 다이본딩필름

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101580544B1 (ko) * 2015-11-24 2015-12-28 정찬수 Uv 경화형 다이싱 필름
KR20180020956A (ko) * 2016-03-17 2018-02-28 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법
CN107815257A (zh) * 2017-11-08 2018-03-20 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种芯片切割用保护膜及其制备方法和使用方法
KR20190071153A (ko) * 2017-12-14 2019-06-24 전자부품연구원 자외선 경화 탈착형 접착 조성물
WO2020157616A1 (en) * 2019-01-28 2020-08-06 3M Innovative Properties Company Photocurable adhesive composition and photocurable adhesive tape
CN114015388A (zh) * 2021-12-20 2022-02-08 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种含羟基减粘胶组合物及其制备方法和用途
CN114015388B (zh) * 2021-12-20 2023-12-01 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种含羟基减粘胶组合物及其制备方法和用途

Also Published As

Publication number Publication date
KR101140790B1 (ko) 2012-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101083140B1 (ko) 아크릴계 다이싱용 점착제 조성물
TWI447192B (zh) 觸控面板用黏結劑組合物、黏結薄膜及觸控面板
KR101140790B1 (ko) 웨이퍼 다이싱용 아크릴계 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
KR100942363B1 (ko) 플루오르를 포함하는 자외선(광)경화형 점착제 조성물 및이를 이용한 점착필름
US9236303B2 (en) Substrate film and method of manufacturing the same
KR20120104450A (ko) 웨이퍼 가공 필름용 점착제 조성물
JP2004256793A (ja) ウエハ貼着用粘着テープ
WO2004069951A1 (ja) ウエハ貼着用粘着テープ
KR20160039197A (ko) 접착제 조성물, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JPH02187478A (ja) 再剥離型粘着剤
JP2011173956A (ja) 接着剤組成物および接着フィルム
KR101771774B1 (ko) 점착 필름용 광경화성 수지 조성물 및 점착 필름
WO2008062603A1 (fr) Composition adhésive et film adhésif
JP6046073B2 (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
WO2008029569A1 (fr) Composition adhésive, film adhésif, et procédé de production de la composition
KR100671331B1 (ko) 다이싱테이프용 점착조성물 및 다이싱테이프
KR101804598B1 (ko) 광중합에 의한 용제형 점착제 조성물 제조방법
JP2011173955A (ja) 接着剤組成物、接着フィルムおよび分離方法
WO2008029581A1 (fr) Composition adhésive, film adhésif et procédé de production de la composition adhésive
JP2008063463A (ja) 接着剤組成物、接着フィルム及び当該接着剤組成物の製造方法
JP5209947B2 (ja) 接着剤の処理方法
KR102001858B1 (ko) Uv경화 후 내수성 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법
TW201932560A (zh) 背面研磨膠帶
JP2013199580A (ja) ウエハ貼着用粘着テープ
CN111433306B (zh) 背面研磨带

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150417

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170413

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190408

Year of fee payment: 8