TW201628783A - 研磨墊 - Google Patents

研磨墊 Download PDF

Info

Publication number
TW201628783A
TW201628783A TW104140336A TW104140336A TW201628783A TW 201628783 A TW201628783 A TW 201628783A TW 104140336 A TW104140336 A TW 104140336A TW 104140336 A TW104140336 A TW 104140336A TW 201628783 A TW201628783 A TW 201628783A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive layer
polishing
polishing pad
release film
layer
Prior art date
Application number
TW104140336A
Other languages
English (en)
Inventor
中村賢治
Original Assignee
羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 filed Critical 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司
Publication of TW201628783A publication Critical patent/TW201628783A/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)

Abstract

本發明的目的在於提供一種研磨墊，係在將研磨墊安裝於研磨固定台時，可容易地剝離設置於研磨墊的黏著劑層表面的剝離膜，且製造容易。本發明的研磨墊係至少具有研磨層、研磨固定台黏貼用黏著劑層、及設置於前述黏著劑層表面之剝離膜，且在前述黏著劑層與前述剝離膜之間以單邊端部外露之方式設置標記構件。

Description

研磨墊
本發明係關於一種研磨墊，係可安定且以高研磨效率進行材料的平坦化加工，前述材料係透鏡、反射鏡等光學材料、矽晶圓、鋁基板、及一般金屬研磨加工等要求高表面平坦性的材料。本發明的研磨墊特別適合用於平坦化步驟，前述平坦化步驟係將矽晶圓及於該矽晶圓上形成有氧化物層、金屬層等的元件(device)進一步積層、形成該等的氧化物層、金屬層前的平坦化步驟。
製造半導體裝置時，係在晶圓表面形成導電膜，並進行以光刻、蝕刻等形成線路層之步驟、在線路層上形成層間絕緣膜的步驟等，藉由該等步驟而在晶圓表面產生由金屬等導電體、絕緣體所構成的凹凸。近年來，以半導體積體電路的高密度化為目的係進行線路細微化、多層線路化，因此將晶圓表面的凹凸平坦化之技術係變得重要。
將晶圓表面的凹凸平坦化之方法一般採用化學機械研磨(以下稱為CMP；chemical mechanical polishing)。CMP為在將晶圓的被研磨面壓於研磨墊的研磨面之狀態 下，使用分散有研磨顆粒的漿液狀研磨劑(以下稱為漿液)進行研磨的技術。CMP一般使用的研磨裝置係例如圖1所示，具有支撐研磨墊1的研磨固定台2、支撐被研磨材(半導體晶圓)4的支撐台(研磨頭)5、用以均勻加壓晶圓的充填材、及漿液的供給機構。研磨墊1係例如藉由用雙面膠帶黏貼而裝設於研磨固定台2。研磨固定台2與支撐台5係以使各自支撐之研磨墊1與被研磨材4相面對之方式配置，且各自有具備旋轉軸6、7。又，在支撐台5側設置有加壓機構，係用以將被研磨材4壓於研磨墊1。
通常，研磨墊係設有用以黏貼於研磨固定台之黏著劑層，並在該黏著劑層表面設有剝離膜。接著，在將研磨墊安裝於研磨固定台時，係將黏著劑層表面的剝離膜剝離，並將黏著劑層貼合於研磨固定台。
但是，因為剝離膜很薄而密貼在黏著劑層的表面，故有難以從黏著劑層表面剝離的問題。
為了解決該問題，專利文獻1中提出一種化學機械研磨墊，係至少依次積層研磨層、雙面膠帶層及剝離層，且剝離層具有耳部。
但是，專利文獻1的發明中需特別製作具有耳部的剝離層，故使研磨墊的製造變得繁雜，且有成本變高的問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本實用新型登錄第3124046號公報。
本發明的目的為提供一種研磨墊，係在將研磨墊安裝於研磨固定台時，可容易地剝離設置於研磨墊的黏著劑層表面的剝離膜，且製造容易。
本發明者們為解決前述課題反覆致力研究，結果發現藉由以下所示研磨墊可達成前述目的，從而完成本發明。
亦即，本發明係關於一種研磨墊，係至少具有研磨層、研磨固定台黏貼用黏著劑層、及設置於前述黏著劑層表面之剝離膜，且在前述黏著劑層與前述剝離膜之間以單邊端部外露之方式設置標記構件。
本發明的研磨墊係在黏著劑層與剝離膜之間以單邊端部外露之方式設置標記構件。因此，在將該研磨墊安裝於研磨固定台時，藉由抓住標記構件露出的單邊端部並從 黏著劑層剝除標記構件，而可使黏著劑層與剝離膜之間產生間隙，並可容易地將剝離膜從黏著劑層剝離。
前述標記構件較佳為單面黏著帶。藉由使用單面黏著帶作為標記構件，在黏著劑層與剝離膜之間設置標記構件時，可將單面黏著帶的黏著層黏貼在剝離膜之內表面。藉此，將單面黏著帶從黏著劑層剝除時，單面黏著帶的黏著層所黏著的剝離膜也可同時從黏著劑層剝除，可更容易地將剝離膜從黏著劑層剝離。
前述單面黏著帶外露的單邊端部較佳為彎折並黏貼於剝離膜的外表面。藉此，可以將單面黏著帶的黏著層貼在剝離膜的兩面，故在將單面黏著帶從黏著劑層剝除時，可確實防止單面黏著帶從剝離膜剝離。又，有單面黏著帶的黏著層不會接觸到手或其他東西的優點。
前述標記構件之與黏著劑層接觸的表面較佳為實施剝離處理。藉此，標記構件容易從黏著劑層剝除。
本發明的研磨墊係在黏著劑層跟剝離膜之間以單邊端部外露之方式設置標記構件，故將該研磨墊安裝於研磨固定台時，藉由剝除標記構件而可容易地將剝離膜從黏著劑層剝離。特別是在進行CMP的無塵室中，因為必須在 戴著無塵手套之狀態下去除剝離膜，故以往剝離膜的去除作業非常繁雜。但藉由使用本發明的研磨墊，即使在戴著無塵手套之狀態下也可容易地將剝離膜從黏著劑層剝離，可大幅提升在無塵室內將研磨墊安裝於研磨固定台的作業效率。又，本發明的研磨墊在製造時不需特別製作之構件或是特別的道具，而製造非常容易。
1‧‧‧研磨墊
2‧‧‧研磨固定台
3‧‧‧研磨劑(漿液)
4‧‧‧被研磨材(半導體晶圓)
5‧‧‧支撐台(研磨頭)
6、7‧‧‧旋轉軸
8‧‧‧研磨層
9‧‧‧研磨固定台黏貼用黏著劑層(黏著劑層9)
10‧‧‧剝離膜
11‧‧‧標記構件
12‧‧‧單面黏著帶
12a‧‧‧基材
12b‧‧‧黏著層
圖1係表示CMP研磨所使用的研磨裝置之一例的概略構成圖。
圖2係表示本發明的研磨墊之一例的概略剖面圖。
圖3係表示本發明的研磨墊之另一例的概略剖面圖。
以下一邊參照圖2及圖3一邊說明本發明的研磨墊的具體構成。
圖2為表示本發明的研磨墊之一例的概略剖面圖。詳細而言，研磨墊1具有積層有研磨層8、研磨固定台黏貼用黏著劑層9(以下簡稱為「黏著劑層9」)、及設置於前述黏著劑層表面的剝離膜10的構造。接著，在黏著劑層9跟剝離膜10之間以單邊端部外露之方式設置標記構件11。
研磨層8的材料並無限定，可舉例如聚胺甲酸酯樹脂、聚脂樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、鹵素系樹脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯等)、聚苯乙烯、烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯等)、環氧樹脂、及感光性樹脂等。聚胺甲酸酯樹脂的耐摩耗性優異且可對原料組成進行各種變更而調整為所求物性，故作為研磨層8的材料係較佳。
研磨層8可為發泡體或無發泡體，但較佳為以聚胺甲酸酯樹脂發泡體形成。
聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造方法可舉出添加中空珠之方法、機械性發泡法、化學性發泡法等。
研磨層8的形狀及大小並無特別限定，圓形的情況通常直徑為30cm~100cm左右。
可於研磨層8設置光學終點檢測用的窗(光透過區域)。
研磨固定台黏貼用黏著劑層9可為單層或複數層，也可為在不織布或膜等基材兩面具有黏著劑層的雙面黏著帶。黏著劑層的組成並無限定，可舉例如橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑等。可將兩個黏著劑層之黏著力適宜化， 而作為雙面黏著帶之兩個黏著劑層組成相異者。此時，較佳為研磨固定台黏貼側的黏著劑層的黏著力低於另一黏著劑層的黏著力。藉此，將使用後的研磨墊從研磨固定台剝除時，可無留殘膠地剝除。
剝離膜10係在將研磨墊1黏貼於研磨固定台2為止用以保護黏著劑層9之表面而設置。剝離膜10的材料並無限定，一般使用紙或樹脂膜。
研磨層8與黏著劑層9可直接積層，也可在研磨層8與黏著劑層9之間視需要積層一層以上之例如緩衝層、剛性層、支撐膜、及接著劑層(雙面接著膠帶)等。
標記構件11的材料並無限定，可舉例如紙、樹脂膜及金屬箔等。標記構件11的形狀及大小無特別限定，但通常形狀為長條狀，大小為長度0.5cm~10cm、寬0.5cm~5cm左右。
標記構件11中與黏著劑層9接觸之表面較佳為實施剝離處理。剝離處理之方法採用公知方法即可。
標記構件11可藉由插入於黏著劑層9與剝離膜10之間而設置，也可藉由依序積層黏著劑層9、標記構件11、及剝離膜10而設置。
標記構件11較佳為使用如圖3所示的單面黏著帶12。單面黏著帶12係在不織布或膜等基材12a的一面具有黏著層12b。黏著層12b的組成並無限定，可舉例如橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑等。
將單面黏著帶12設置於黏著劑層9與剝離膜10之間時，將黏著層12b黏貼於剝離膜10的內表面。基材12a中與黏著劑層9接觸的表面較佳為實施剝離處理。剝離處理之方法採用公知方法即可。
單面黏著帶12之外露的單邊端部可如圖2的標記構件11般為未固定，但較佳為如圖3所示般彎折並黏貼於剝離膜10的外表面。
將本發明的研磨墊1安裝於研磨固定台2時，例如可用手抓住標記構件11的端部，並將標記構件11從黏著劑層9剝除。藉此可使黏著劑層9與剝離膜10之間產生間隙，之後可容易地將剝離膜10從黏著劑層9剝離。接著，將露出的黏著劑層9黏貼於研磨固定台2，藉此將研磨墊1安裝於研磨固定台2。
另一方面，使用單面黏著帶12時，將單面黏著帶12從黏著劑層9剝除時，黏著層12b所黏著的剝離膜10也 可同時從黏著劑層9剝除。因此不僅可更容易地將剝離膜10從黏著劑層9剝離，也可大幅提升作業效率。
[產業上之可利用性]
本發明之研磨墊係可安定且以高研磨效率進行材料的平坦化加工，前述材料係透鏡、反射鏡等光學材料、矽晶圓、鋁基板、及一般金屬研磨加工等要求高表面平坦性的材料。本發明的研磨墊特別可適用於平坦化步驟，前述平坦化步驟係將矽晶圓及於該矽晶圓上形成有氧化物層、金屬層等的元件進一步積層、形成該等的氧化物層和金屬層前的平坦化步驟。
1‧‧‧研磨墊
8‧‧‧研磨層
9‧‧‧研磨固定台黏貼用黏著劑層
10‧‧‧剝離膜
11‧‧‧標記構件

Claims (4)

  1. 一種研磨墊，係至少具有研磨層、研磨固定台黏貼用黏著劑層、及設置於前述黏著劑層表面之剝離膜；在前述黏著劑層與剝離膜之間以單邊端部外露之方式設置標記構件。
  2. 如請求項1所記載之研磨墊，其中前述標記構件為單面黏著帶。
  3. 如請求項2所記載之研磨墊，其中前述單面黏著帶外露的單邊端部係彎折並黏貼於前述剝離膜的外表面。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之研磨墊，其中前述標記構件之與前述黏著劑層接觸的表面係實施剝離處理。
TW104140336A 2014-12-18 2015-12-02 研磨墊 TW201628783A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014256312A JP2016117108A (ja) 2014-12-18 2014-12-18 研磨パッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201628783A true TW201628783A (zh) 2016-08-16

Family

ID=56126400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104140336A TW201628783A (zh) 2014-12-18 2015-12-02 研磨墊

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2016117108A (zh)
TW (1) TW201628783A (zh)
WO (1) WO2016098501A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113382824A (zh) * 2019-03-20 2021-09-10 丸石产业株式会社 研磨装置用的平台及研磨装置和研磨方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020001162A (ja) * 2018-06-28 2020-01-09 株式会社荏原製作所 研磨パッド積層体、研磨パッド位置決め治具、および研磨パッドを研磨テーブルに貼り付ける方法
US20230090077A1 (en) * 2021-09-17 2023-03-23 Cmc Materials, Inc. Chemical mechanical planarization pad with a release liner comprising a pull tab

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5170595A (en) * 1990-12-19 1992-12-15 Wiand Ronald C Pull tab for velcro backed marble grinding pad and method for removal
US20010039176A1 (en) * 2000-05-03 2001-11-08 Feeley George F. Polishing pad release liner system
JP2003043934A (ja) * 2001-07-23 2003-02-14 Three M Innovative Properties Co 光学フィルタ及びタブ付き両面接着テープ
DE102012024899A1 (de) * 2012-04-16 2013-10-17 Tormaxx Gmbh Schutzfolie zum Aufbringen auf ein Display und Set zum Aufbringen einer Schutzfolie auf ein Display

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113382824A (zh) * 2019-03-20 2021-09-10 丸石产业株式会社 研磨装置用的平台及研磨装置和研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016098501A1 (ja) 2016-06-23
JP2016117108A (ja) 2016-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5421635B2 (ja) 研磨パッド
TW200523066A (en) Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing
JP2010028113A (ja) 複数層化学機械研磨パッド製造方法
EP2577720B1 (en) Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers
TW201628783A (zh) 研磨墊
JP2006265410A (ja) 複層研磨パッド用両面粘着テープ及び複層研磨パッドの製造方法
JP4943766B2 (ja) 被加工物保持材およびその製造方法
JP5102426B2 (ja) 両面粘着シート及び研磨布積層体
JP2007319980A (ja) 研磨パッド
JP6674813B2 (ja) 保持具
JP5457093B2 (ja) 化学機械研磨パッド製造用組立品
JP6268432B2 (ja) 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
TWI556910B (zh) 複合硏磨墊及其製造方法
TW201620670A (zh) 研磨墊及研磨墊的製造方法
JP2008272922A (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2008238348A (ja) 被加工物保持材
JP6214249B2 (ja) 研磨パッド
JP5478943B2 (ja) 被加工物保持材
JP2019058955A (ja) 研磨ヘッド及び研磨ヘッドの製造方法
JP2002355756A (ja) 被研磨物保持用のバッキング材
JP2004315609A (ja) 粘着テープ
TWI719009B (zh) 蓋層、具有蓋層的研磨墊、避免研磨墊形變的方法及研磨方法
JP7193221B2 (ja) 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法
JP5655584B2 (ja) 半導体装置の製造方法および研磨シート
TWM514102U (zh) 薄型工件載具