TW201627522A - 用於積體電路製造的方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種用於沈積氮氧化鋁（AlON）的製程。所述製程包括使基板作為對象以時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物以在所述基板上形成含鋁及含氮化合物。所述含鋁及含氮化合物隨後暴露至氧前驅物以形成AlON。在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物，以及後續暴露於氧前驅物一起構成AlON沈積循環。可執行多個AlON沈積循環以沈積具有所要厚度的AlON薄膜。所述沈積可在批次處理腔室中執行，所述批次處理腔室可容納25或多於25個基板的批次。所述沈積可在不暴露至電漿的情況下執行。

Description

循環氮氧化鋁沈積

本發明是關於半導體裝置的製造，且更明確而言是關於氮氧化鋁的沈積。

氮化鋁（Aluminum nitride；AlN）薄膜在半導體裝置的製造中具有多種用途。舉例而言，AlN薄膜可用作用於圖案化下方材料的硬式遮罩，且亦可用作最終積體電路結構中的構成部分。然而，AlN薄膜的各種物理及電性質可限制其在一些應用中的有用性。舉例而言，AlN薄膜可具有高位準的薄膜應力，所述高位準的薄膜應力可限制AlN薄膜與「軟」的下方材料的相容性。此外，AlN薄膜可具有高洩漏電流，此情形可限制其在一些電子結構中作為介電材料的用途。因此，沈積具有改良的物理及電性質的AlN系薄膜的製程是持續需要的。

根據一個態樣，提供一種積體電路製造方法。所述方法包括在基板上形成AlON薄膜。所述AlON薄膜藉由以下操作形成：執行多個鋁及氮沈積循環以形成含鋁及含氮化合物，及將所述含鋁及含氮化合物暴露至氧前驅物。每一鋁及氮沈積循環包括將所述基板暴露至鋁前驅物以及隨後將所述基板暴露至氮前驅物。

根據另一態樣，一種積體電路製造方法包括使基板作為對象以在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物以在所述基板上形成含鋁及含氮化合物。隨後將所述含鋁及含氮化合物暴露至氧前驅物。重複使所述基板作為對象及隨後暴露以形成AlON。

在一些實施例中，AlON形成於批次處理腔室中，較佳地於熱壁批次處理腔室中。可在不將基板暴露至電漿的情況下實現AlON的形成。在一些實施例中，基板暴露於氧前驅物與暴露於氮前驅物的比例為約1:6或低於1:6，包含約1:10或低於1:10。在一些實施例中，暴露於氧前驅物可包括使基板作為對象以在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氧前驅物。

AlON薄膜可沈積於「軟材料」上，包含諸如光阻的旋塗材料上。在一些實施例中，AlON薄膜可被用作用於圖案化製程的硬式遮罩。有利的是，AlON可具有低洩漏電流密度，且可被用作最終積體電路結構的部分。

已發現，氧併入至AlN層可有利地形成具有相對於僅AlN薄膜的優越性質的AlON薄膜。如本文中所使用，「AlON」薄膜由元素鋁、氧及氮形成。如本文中所揭露，可改變此等元素的相對比例以調整AlON薄膜的物理及電性質。AlON薄膜亦可被稱作氮氧化鋁薄膜。

在一些實施例中，使基板作為對象以時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物以在所述基板上形成含鋁及含氮化合物（例如，AlN）。所述含鋁及含氮化合物隨後暴露至氧前驅物以形成AlON。在一些實施例中，暴露於氧前驅物可包含在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氧前驅物。在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物以及後續暴露於氧前驅物一起構成AlON沈積循環。可執行多個AlON沈積循環以沈積具有所要厚度的AlON薄膜。

所述AlON沈積可在批次處理腔室中執行，所述批次處理腔室可容納25或多於25個基板的批次。較佳地，沈積是在沈積期間不將基板暴露至電漿的情況下執行的非電漿沈積。

應瞭解，基板在暴露至氧前驅物之前暴露於鋁及氮前驅物有效地允許形成AlN薄膜，所述AlN薄膜接著暴露至氧前驅物以形成AlON。在不受理論限制的情況下，咸信，相反次序（在暴露至氮前驅物之前暴露至氧前驅物）將首先形成AlO，由於Al-O鍵相對於Al-N鍵的較高強度，將使氮難以併入。咸信，在氧前驅物暴露之前的氮前驅物暴露將促進在AlON薄膜中形成有利地相對較高量的氮。在一些實施例中，在暴露至氧前驅物之前，執行在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物的多個循環。可藉由改變氧前驅物的暴露與在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物的循環的比例來調整AlON薄膜中的氧的量。

如本文中所論述，有利的是，AlON薄膜的性質可藉由改變AlON薄膜中氧的量來調節。應瞭解，使AlON薄膜中的氧含量增加可減小薄膜應力、折射率及洩漏電流密度，且抑制結晶性以便形成非晶形薄膜。舉例而言，在一些實施例中，AlON薄膜可具有約800 MPa或小於800 MPa、約200 MPa至700 MPa或約200 MPa至500 MPa的薄膜應力。AlON薄膜亦可具有低洩漏電流密度，例如，在約2 mV/cm的所施加電場的情況下小於約1×10^-7 A/cm² 的洩漏電流密度，或約5 mV/cm的所施加電場的情況下小於約1×10^-7 A/cm² 的洩漏電流密度。有利的是，上述物理及電性質存在於沈積成的AlON薄膜中；例如，不需要退火來達成此等性質。

在一些實施例中，低薄膜應力允許AlON薄膜直接沈積於諸如光阻的「軟」的下方材料上。在一些實施例中，AlON薄膜可被用作硬式遮罩。在此方面，AlON薄膜提供相對於易於用氟基化學成份進行蝕刻的材料的優異的蝕刻選擇性，其中薄膜中的高比例氮允許AlON薄膜對氟基蝕刻化學成分的高抗性。在一些實施例中，AlON可經圖案化並保持為最終積體電路裝置的構成部分。

現將參考諸圖，其中全文中相似編號指相似特徵。

圖1為根據一些實施例概括說明用於形成AlON薄膜的製程100的流程圖。製程100較佳在批次反應器的處理腔室中執行，所述處理腔室可容納多個基板，例如25或多於25個基板或25至150個基板。在一些實施例中，批次處理腔室為熱壁腔室，在所述熱壁腔室中，腔室的壁經主動加熱至（例如）製程溫度。如本文中所提到，此熱壁處理腔室可提供用於達成均勻製程的結果的優點。在批次處理腔室中處理的基板可為將AlN沈積於上面的任何工件，包含諸如半導體晶圓的由半導體形成的工件。替代地，製程可在熱壁單一晶圓反應器中執行，具有類似結果但具有相對較低的產能。

在暴露至沈積前驅物之前，多個基板經裝載至批次處理腔室中。基板可經加熱至約400℃或低於400℃、約150℃至約375℃、約240℃至約375℃或約300℃至約375℃的沈積溫度。此外，沈積壓力可建立於批次處理腔室中，沈積壓力為約50毫托至約900毫托、約100毫托至約700毫托或約150毫托至約550毫托。

在區塊110處，基板可（例如）在鋁前驅物脈衝中暴露至鋁前驅物。在一些實施例中，始於脈衝開始時且止於脈衝結束時，鋁前驅物流動至處理腔室中。在一些實施例中，脈衝持續時間可為約1秒或大於1秒、約1秒至約20秒、約2秒至約20秒、約3秒至約16秒或約5秒至約10秒。在不受理論限制的情況下，咸信，大約數秒（包含2或3秒或更多秒數）的持續時間可理想地達成高位準的鋁前驅物對基板表面的自限性覆蓋（self-limiting coverage）。然而，過長持續時間可導致個別鋁前驅物分子與其他鋁前驅物分子反應，從而引起非所要的非自限性沈積。鋁前驅物脈衝持續時間可小於約20秒，或小於約16秒，或在一些實施例中為約7秒。

鋁前驅物的實例包含有機鋁前驅物，諸如烷基鋁化合物及經烷基取代氯化鋁化合物，及經烷基取代的氫化鋁（aluminum hydride）化合物。有機鋁前驅物可具有式AlR₃ ，其中R自經取代、分支、直鏈或環狀C1至C10的烴基中選出。在一些實施例中，R基中的0至3個R基為甲基，且剩餘部分為乙基。在一些實施例中，有機鋁前驅物可為三甲基鋁（trimethylaluminum；TMA）。在一些實施例中，鋁前驅物具有鹵素配位體及有機配位體，例如AlR_x X_3-x ，其中x為1至2，且R為有機配位體，諸如烷基或烯基，且X為鹵化物，諸如氯化物。此種類的鋁前驅物的實例可為（例如）二甲基氯化鋁(CH₃ )₂ AlCl。在一些其他實施例中，鋁前驅物為Al鹵化物，諸如AlCl₃ 或AlI_{3 。}

在終止鋁前驅物脈衝之後，在區塊120處，基板可在氮前驅物脈衝中暴露至氮前驅物。氮前驅物的實例包含氨、肼及肼衍生物。在一些實施例中，始於脈衝開始時且完全終止於脈衝結束時，氮前驅物流動至處理腔室中。在一些實施例中，脈衝持續時間可為約1秒或多於1秒，或約10秒或多於10秒。在一些實施例中，脈衝持續時間可為約1秒至約90秒、約10秒至約90秒，或約20秒至約60秒。在不受理論限制的情況下，咸信，約10秒或多於10秒的持續時間理想地允許氮前驅物與基板表面上的鋁前驅物充分反應。更長持續時間可增加所沈積薄膜厚度。

繼續參看圖1，區塊110及區塊120構成沈積循環140。沈積循環可重複多次以形成具有所要厚度的氮化鋁（AlN）薄膜。應瞭解，視（例如）鋁前驅物與基板表面上的不同區的反應性，薄膜可完全覆蓋基板，或位於基板上分離的位置。

應瞭解，循環140可包含一或多個前驅物移除步驟（未說明）。舉例而言，在區塊110與區塊120之間，可藉由（例如）在不使前驅物物質流動的情況下使惰性氣體流動至處理腔室中及/或藉由將處理腔室抽真空以自腔室移除鋁前驅物而自基板附近移除或淨化（purge）鋁前驅物。

類似地，在區塊120之後且在再次使基板暴露至鋁前驅物之前，可自基板附近移除氮前驅物。此情形亦可藉由（例如）在不使前驅物物質流動的情況下使惰性氣體流動至處理腔室中及/或藉由將處理腔室抽真空以自腔室移除氮前驅物來實現。因此，在一些實施例中，AlN沈積循環140可包含： •     將基板暴露至鋁前驅物脈衝； •     自處理腔室移除鋁前驅物； •     將基板暴露至氮前驅物脈衝；以及 •     自處理腔室移除氮前驅物。

鋁前驅物及氮前驅物的前驅物移除時間可相同或不同。在一些實施例中，鋁前驅物淨化時間為約1秒至約7秒，且氮前驅物淨化時間為約7秒至約30秒，或約7秒至約15秒。已發現，鋁前驅物淨化的持續時間並不強烈地影響薄膜均勻性，但氮前驅物淨化的持續時間確實更強烈地影響薄膜均勻性。在一些實施例中，氮前驅物淨化的持續時間為鋁前驅物淨化的持續時間的至少約1.5倍、約2倍或約3倍。

如本文中所提到，沈積循環可經重複以形成具有所要厚度的AlN薄膜。在一些實施例中，所有循環可在相同條件下，例如相同沈積溫度及/或壓力下執行。在一些其他實施例中，用於在第一時段期間執行一或多個沈積循環的第一集合的條件可不同於用於在第二時段期間執行一或多個沈積循環的第二集合的條件。

在一些實施例中，AlN沈積循環的第一集合的沈積溫度高於沈積循環的第二集合的沈積溫度。在不受理論限制的情況下，咸信，AlN薄膜的沈積速率強烈地取決於薄膜沈積於其上的表面。已發現，AlN薄膜沈積速率在執行沈積循環的初始集合之後增加，且咸信，此較低初始速率是歸因於阻滯時段的存在，一旦閉合AlN薄膜形成於基板表面上所述阻滯時段便消失。在此阻滯時段期間增加沈積溫度可增加沈積速率，同時維持高薄膜均勻性。在一些實施例中，在執行沈積循環的第一時段期間的沈積溫度比執行沈積循環的後續時段期間的沈積溫度高出至少約25℃、至少約25℃至約75℃或至少約25℃至約50℃。在一些實施例中，在第一時段期間的沈積溫度為約350℃±約25℃或約350℃±約10℃，且第二時段期間的沈積溫度為約300℃±約25℃或約300℃±約10℃。在一些實施例中，第一時段期間可包含約10或多於10個沈積循環、約10至約50個沈積循環，或約20至約40個沈積循環。

亦已發現，AlN沈積速率在經過阻滯時段之後變得較少受氮前驅物的脈衝持續時間影響。在一些實施例中，氮前驅物脈衝持續時間可隨時間減少。舉例而言，執行沈積循環的第一時段期間中的氮前驅物脈衝持續時間可高於第二時段期間（例如經過阻滯時段之後的時段）中的氮前驅物脈衝持續時間。舉例而言，在第一時段期間的氮前驅物脈衝時間可為約10秒或多於10秒，而在第二時段中下降至約3秒至約10秒或約3秒至約5秒。

有利的是，根據一些實施例所沈積的AlN薄膜可具有在基板各處的優異的均勻性，其促進最終形成高度均勻的AlON薄膜。在一些實施例中，在基板各處達成1σ=1%或好於1%、1σ=0.5%或好於0.5%或1σ=0.25%或好於0.25%的薄膜非均勻性。

繼續參看圖1，在區塊130處，基板可經暴露至氧前驅物。氧前驅物的實例包含水（例如，水蒸氣）、氧氣及臭氧。在一些實施例中，基板暴露至氧前驅物的脈衝。在一些實施例中，始於脈衝開始時且止於脈衝結束時，氧前驅物流動至處理腔室中。在一些實施例中，脈衝持續時間可為約1秒或多於1秒，或者約10秒或多於10秒。在一些實施例中，脈衝持續時間可為約1秒至約90秒、約3秒至約60秒，或者約3秒至約30秒。當使用臭氧時，脈衝持續時間可在1秒與30秒之間，且在實例製程中，使用5秒的脈衝持續時間。應瞭解，在區塊130之後可自處理腔室移除反應性物質。移除反應性物質可藉由腔室抽真空處理及/或使淨化氣體流動通過處理腔室而實現。

參看圖2，所提供流程圖大體說明根據一些其他實施例的用於形成AlON薄膜的製程。圖2類似於圖1，但氧暴露區塊130除外。如所說明，將基板暴露至氧前驅物可包含將基板暴露至氧前驅物，其為AlO沈積循環的部分。因此，區塊130可包含基板暴露至鋁前驅物的區塊130a及基板暴露至氧前驅物的後續區塊130b。鋁前驅物及相關脈衝細節可如上文關於圖1中的區塊110所論述。氧前驅物及相關脈衝細節可如上文關於圖1中的區塊130所論述。在一些實施例中，遍及沈積100而使用相同前驅物，包含（例如）在區塊110及區塊130a期間使用相同鋁前驅物。在一些其他實施例中，預期到，用以提供特定元素的前驅物可在沈積過程中改變。應瞭解，可在區塊130a及區塊130b之後自處理腔室移除前驅物。移除可包含腔室抽真空處理及/或使淨化氣體流過處理腔室。如所說明，在區塊130a處暴露於鋁前驅物及在區塊130b處暴露於氧前驅物構成AlO沈積循環160，其在一些實施例中可經重複。舉例而言，對於每個AlON沈積循環150可執行1次、2次、3次或4次的AlO沈積循環160。

應瞭解，AlN沈積循環140及區塊130處的後續氧暴露可經重複以沈積具有所要厚度的AlON薄膜。AlN沈積循環140及區塊130處的氧暴露可被一起稱作AlON沈積循環。在一些實施例中，可執行50或多於50次或者100或多於100次的AlON沈積循環。應瞭解，在氧暴露130包含AlO沈積循環160時，AlO沈積循環160及AlN沈積循環140形成AlN及AlO子層的疊層物，其總體上形成AlON薄膜。

如本文中所論述，區塊130的氧暴露與AlN沈積循環140的比例可被改變以調節所得AlON薄膜的性質。已發現，AlN在區塊130的氧暴露期間易於氧化，且在超出約1:6的比例下，AlN薄膜可轉換成實質上為AlO的薄膜。因此，為了形成AlON薄膜，區塊130的氧暴露與AlN沈積循環140的比例（區塊130：區塊140）較佳為約1:6或低於1:6，包含約1:10或低於1:10。應瞭解，藉由使區塊130的氧暴露與AlN沈積循環140的比例發生變化，氧暴露與氮暴露的比例可經有效地設定。應瞭解，此等比例應用於圖1及圖2兩者的實施例。舉例而言，AlO循環160與AlN循環140的比例較佳為約1:6或低於1:6或者約1:10或低於1:10。

有利的是，改變此等比例允許AlON薄膜的性質得以調整。舉例而言，可調整薄膜的折射率、相、應力及洩漏電流。圖3為根據一些實施例顯示為氧前驅物與氮前驅物的比例的函數的薄膜應力及折射率的圖表。AlON薄膜中氧的併入減少了薄膜應力及折射率兩者。如所說明，發現薄膜應力及折射率（Refractive Index；RI）隨著氧前驅物暴露與氮前驅物暴露的比例增加而減少。在一些實施例中，薄膜應力對於具有約20 nm的厚度的AlON層為約800 MPa或低於800 MPa、約700至100 MPa或約500 MPa至100 MPa。

圖4為根據一些實施例顯示為所施加電場的函數的洩漏電流密度的圖表。AlON薄膜是使用如本文中所描述的AlN及AlO沈積循環而形成。TMA為鋁前驅物，氨為氮前驅物，且臭氧為氧前驅物。對應於RI = 1.79及RI = 1.68的線分別顯示使用為2:21與2:12的AlO與AlN沈積循環的比例形成的AlON薄膜的洩漏電流。如所說明，發現，相對於AlN薄膜，將氧併入於AlON薄膜中引起洩漏電流密度的減少。此外，使如基於氧前驅物暴露與氮前驅物暴露的比例所判定的氧併入的位準增加，被發現為使洩漏電流密度減少。舉例而言，在1:10或低於1:10的比例下，達成在所施加電場為約2 mV/cm的情況下小於約1×10^-7 A/cm² 的洩漏電流密度，且在1:6或低於1:6的比例下，達成在所施加電場為約4 mV/cm的情況下約1×10^-7 A/cm² 的洩漏電流密度。

此外，AlON薄膜中的氧可抑制結晶性，藉此允許形成非晶形AlON薄膜。應瞭解，AlON薄膜結晶的分率可隨著厚度增加而增加。氧在薄膜中的併入允許形成非晶形的相對厚的AlON層。

有利的是，AlON薄膜的可調節性允許將薄膜用於各種應用中。舉例而言，AlON薄膜的低應力允許薄膜沈積於相對脆弱或軟的材料上。此等軟材料的實例包含藉由旋塗沈積的材料，諸如光阻。有利的是，低應力允許AlON薄膜在無（例如）分層化的情況下沈積於下方材料上。

由於在暴露至氟基蝕刻化學成分時的低蝕刻速率，AlON薄膜可提供優異的蝕刻選擇性。在一些實施例中，AlON薄膜在暴露至氟基蝕刻化學成分時的蝕刻速率是在氮化鋁與氧化鋁的蝕刻速率之間。有利的是，AlON薄膜可用作硬式遮罩。在一些應用中，諸如當氟基蝕刻化學成分被用以蝕刻上覆材料時，AlON薄膜可為蝕刻阻擋層。在一些應用中，AlON薄膜可經圖案化，且接著用作蝕刻遮罩以圖案化下方材料。有利的是，在一些實施例中，AlON薄膜可被保持作為最終積體電路結構的部分。舉例而言，AlON薄膜可被用作積體電路中的介電薄膜。在實施例中，可在薄膜沈積製程期間改變氧暴露與AlN沈積循環的比例。舉例而言，在相對軟的材料（例如，光阻）上的沈積製程的初始階段期間，可應用相對高比例的氧暴露（相對於在以下最終階段期間的氧暴露），從而導致具有低應力的富氧薄膜，而在薄膜沈積製程的最終階段期間，可應用相對低比例的氧暴露（相對於在以上初始階段期間的氧暴露），從而導致在暴露至氟基蝕刻化學成分時具有低蝕刻速率的貧氧薄膜。

如上文所提到，AlON沈積100（圖1及圖2）較佳為在不將基板暴露至電漿的情況下執行沈積的熱沈積。有利的是，藉由不將薄膜暴露至電漿，可避免電缺陷，諸如補陷電荷（trapped charges）。

AlON薄膜的熱沈積包含在沈積期間不使用電漿的情況下AlN的熱沈積。AlN的熱沈積已被視為有挑戰性的。AlN的熱沈積已由T.M.邁爾、J.W.羅格斯及T.A.米迦勒斯的「AlN在Si上的成核（nucleation）及原子層生長機制」（化學材料（Chem.Mater.），1991年，第3卷，第641至646頁）提議。然而，AlN薄膜的原子層沈積的嘗試尚未提供在基板各處均勻的所沈積的薄膜，即使在用於半導體製程業界中的最先進單一晶圓反應器中亦是如此。因此，此等熱沈積歸因於產生不可接受地低薄膜均勻性而被視為不成功的。

在不受理論限制的情況下，咸信，原子層沈積的上述嘗試在基板的至少一些部分上產生非自限性（non-self-limiting）且不受控的沈積，藉此引起在基板各處的薄膜厚度的大變化。因此，當具有藉由AlN單層沈積而得的大致單層的原子層生長為所期望的，沈積表現為實際上含有強烈的化學氣相沈積的成分，在其中的薄膜生長並非自限性的。因此，熱沈積的可控制性對於在基板各處的沈積已被視為不佳且不充分的，特別是與藉由電漿輔助沈積可達成的結果相比較時。

在不受理論限制的情況下，咸信，通常用於單一晶圓反應器中的沈積壓力可促進鋁前驅物之間的非所要的反應，藉此引起在基板上的鋁的非自限性的沈積。典型單一晶圓反應器沈積壓力可在1至10托的範圍內。根據一些實施例，沈積壓力為約50 毫托至約900毫托、約100毫托至約700毫托或約150毫托至約550毫托，其可減少AlN沈積的非自限性成分。結合為（例如）1或3秒或多於3秒的相對長的前驅物脈衝持續時間，低壓力允許基板表面被前驅物充分飽和，同時提供低位準的非自限性沈積。應瞭解，處理腔室的壁上的所吸收前驅物或壁上的未完全反應沈積物可不利地影響沈積，且可產生污染物。在不受理論限制的情況下，咸信，熱壁批次處理腔室的使用可減小腔室壁上的不佳品質沈積物的量，藉此改良沈積於基板上的薄膜的品質。

高度均勻的AlN薄膜的沈積有利地允許形成高度均勻的AlON薄膜。AlN薄膜的沈積經研究並在下文論述。 實例

在可購自ASM國際（ASM International）（荷蘭阿爾梅勒（Almere）1322 AP，維斯德科大街（Versterkerstraat）4號）的A412垂直爐中沈積AlN薄膜。爐具有無襯裏處理腔室，鋁及氮前驅物被注入至處理腔室中，每一氣體流過分開的多孔注射器。淨化氣體可經由所述多孔注射器及/或經由「轉儲（dump）」注射器而注入，「轉儲」注射器為無中間孔（intermediate hole）但在處理管頂部附近具有開放末端的注射器管。氣體在處理管的底部處被抽真空。基板容納在晶架或「晶舟」中，所述晶架或「晶舟」在沈積期間可在處理腔室內部旋轉。處理腔室為熱壁腔室。

將三甲基鋁（TMA）用作鋁前驅物及將NH₃ 用作氮前驅物。除非另外指定，在350℃下執行沈積，執行70個循環的沈積，應用晶舟旋轉，且執行以下循環： 流動速率，流動氣體           持續時間 TMA脈衝：0.4 g/分鐘，TMA                  7秒 TMA 淨化：5 slm，N₂ 7秒 NH₃ 脈衝：1 slm，NH₃ 30秒 NH₃ 淨化：5 slm，N₂ 30秒 在淨化步驟期間，經由轉儲注射器注入5 slm N₂ 。額外的小N₂ 流流過多孔注射器。腔室壓力並未受到控制，但同時施加腔室的最大抽氣及抽真空，導致在150毫托至550毫托範圍內的腔室壓力。150毫托的壓力為在前驅物暴露步驟期間的壓力，且550毫托的壓力為淨化步驟期間的壓力。

圖5為展示350 ℃的沈積溫度下的70個循環的為TMA脈衝持續時間的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。自所述圖表，可觀測到，薄膜厚度並未隨著TMA脈衝持續時間增加而飽和。反而，增加脈衝持續時間提供增加的AlN薄膜厚度。因此，咸信，AlN沈積製程並不像純ALD情況下一樣為完全自限性的。反而，AlN沈積含有自限性部分（空心菱形）及非自限性部分（空心三角形）。自限性成分在3秒或多於3秒的TMA脈衝持續時間下為明顯的。對於為16秒的TMA脈衝持續時間，非自限性成分及自限性成分對所沈積薄膜厚度的作用為大約為同樣大的。發現約7秒的TMA脈衝持續時間提供良好沈積速率及高均勻性。

圖6為根據一些實施例顯示為執行的沈積循環數目的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。值得注意地，在前30至40個循環上，有效沈積速率為相對低的，為0.31埃/循環，且接著充分產生1.25埃/循環的自限性成分，且總沈積速率增加至1.56埃/循環。咸信，低初始沈積速率是歸因於AlN的自限性成分要承受初始阻滯時段。

圖7為根據一些實施例顯示為NH₃ 脈衝持續時間（350℃下歷時70個沈積循環）的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。所沈積薄膜厚度隨著NH₃ 脈衝持續時間增加而增加可借助於圖8來理解，所述圖8顯示在不同晶圓位置處的三個晶圓的薄膜厚度，S15、S65及S115是分別在處理腔室的底部、中心及頂部區中的基板。應瞭解，圖表中的三角形及菱形實質上重疊，從而表明爐上薄膜厚度的良好均勻性。

圖8為根據一些實施例顯示在各種NH₃ 脈衝持續時間條件下為沈積循環數目的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。各種NH₃ 脈衝持續時間為10、30以及90秒。發現，自限性沈積的阻滯時段隨著增加NH₃ 脈衝持續時間而減少。對於90、30及10秒的NH₃ 脈衝持續時間，阻滯時段分別為約10、約30及約45個循環。此情形導致更長的NH₃ 脈衝持續時間具有較高有效沈積速率。然而，當經過了阻滯時段後，每循環的沈積速率對於所有NH₃ 脈衝持續時間實質上相同。此情形顯示出，即使對於10秒的NH₃ 脈衝持續時間，仍已獲得完全自限性沈積。預期到，3秒的NH₃ 脈衝持續時間足以在經過阻滯時段之後獲得充分飽和的自限性沈積。

圖9為根據一些實施例顯示在不同沈積溫度條件下為沈積循環數目的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。多數沈積在350℃下執行。在此溫度下，100個循環導致約14 nm的薄膜厚度。當沈積溫度降至300℃時，100個循環導致僅約2 nm的薄膜厚度。然而，當在350℃下執行前50個循環且接著在300℃的較低溫度下繼續沈積時，僅觀測到薄膜厚度的稍微減少，達11 nm。咸信，在較低溫度下，阻滯時段實質上為較長的，從而導致較低的最終薄膜厚度。然而，一旦形成了閉合AlN，每循環的所沈積薄膜厚度僅稍微取決於沈積溫度。因此，咸信，表面在前驅物分解及薄膜形成過程中起作用。此等結果顯示出，TMA的沈積溫度的有用範圍為約300℃至約375℃。在高於375℃的溫度下，預期到，TMA的分解速率變大，以致製程不再受到恰當控制。

圖10展示所沈積AlN薄膜的均勻性。此薄膜的沈積條件在所述實例下如上文所描述如上文所描述。AlN薄膜被發現為是非常均勻的，在基板各處具有為1σ=0.25%的薄膜非均勻性。咸信，該良好均勻性指示製程強烈地受到表面控制。此表面控制通常與自限性製程相關聯，但此處所述製程具有非自限性成分，其對所沈積薄膜厚度具有顯著影響。儘管如此，沈積製程有利地提供對沈積的良好表面控制。

亦評估淨化時間對薄膜均勻性的影響。對於TMA淨化步驟，應用範圍為1秒至7秒的時間，且未注意到對薄膜均勻性的影響。對於NH₃ 淨化步驟，應用範圍為3秒至30秒的淨化時間。對於三個最短淨化時間（3、5及7秒），觀測到相較於15及30秒的淨化時間的顯著較高的非均勻性，其中3秒淨化時間的非均勻性最高，且非均勻性對於5秒及7秒的淨化時間逐漸減少。預期到，7秒或大於7秒且更佳地15秒或大於15秒的NH₃ 淨化時間對於形成高度均勻AlN薄膜是有利的。

儘管上文提到的實例是在使用TMA的情況下執行，但預期到，其他有機鋁前驅物將提供類似有利結果。此類前驅物在上文予以揭露，且可包含（例如）具有足夠揮發性及類似於TMA的分解溫度的鋁烷基前驅物或經烷基取代的鋁氯化物或氫化物。表1提供一些前驅物的實例。

此項技術中具通常知識者應瞭解，在不脫離本發明的範疇的情況下可作出各種修改及改變。其他類似修改及改變意欲屬於如由所附申請專利範圍所界定的本發明的範疇內。

100‧‧‧製程
110‧‧‧區塊
120‧‧‧區塊
130‧‧‧區塊
130a‧‧‧區塊
130b‧‧‧區塊
140‧‧‧循環
150‧‧‧AlON沈積循環
160‧‧‧AlO沈積循環

圖1為根據一些實施例概括說明用於形成AlON薄膜的製程的流程圖。 圖2為根據一些其他實施例概括說明用於形成AlON薄膜的製程的流程圖。 圖3為根據一些實施例顯示為氧前驅物與氮前驅物的比例的函數的薄膜應力及折射率的圖表。 圖4為根據一些實施例顯示為所施加電場的函數的洩漏電流密度的圖表。 圖5為根據一些實施例顯示為TMA脈衝持續時間的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。 圖6為根據一些實施例顯示為執行的沈積循環數目的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。 圖7為根據一些實施例顯示為NH₃ 脈衝持續時間的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。 圖8為根據一些實施例顯示在各種NH₃ 脈衝持續時間條件下為沈積循環數目的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。 圖9為根據一些實施例顯示在不同沈積溫度條件下為沈積循環數目的函數的所沈積薄膜厚度的圖表。 圖10展示根據一些實施例的所沈積AlN薄膜的均勻性。

100‧‧‧製程

110‧‧‧區塊

120‧‧‧區塊

130‧‧‧區塊

140‧‧‧循環

150‧‧‧AlON沈積循環

Claims (21)

1. 一種用於積體電路製造的方法，其包括： 在基板上形成AlON薄膜，其中形成所述AlON薄膜包括： 執行多個鋁及氮沈積循環以形成含鋁及含氮化合物，每一循環包括： 將所述基板暴露至鋁前驅物；以及 隨後將所述基板暴露至氮前驅物；以及 將所述含鋁及含氮化合物暴露至氧前驅物。
2. 如申請專利範圍第1項所述的用於積體電路製造的方法，其中將所述含鋁及含氮化合物暴露至所述氧前驅物包括： 將所述基板暴露至鋁前驅物；以及 隨後將所述基板暴露至所述氧前驅物。
3. 如申請專利範圍第2項所述的用於積體電路製造的方法，其中用於所述鋁及氮沈積循環的所述鋁前驅物與用於將所述含鋁及含氮化合物暴露至所述氧前驅物的所述鋁前驅物相同。
4. 如申請專利範圍第1項所述的用於積體電路製造的方法，其更包括在將所述基板暴露至氧之後執行其他所述鋁及氮沈積循環。
5. 如申請專利範圍第1項所述的用於積體電路製造的方法，其中執行多個所述鋁及氮沈積循環且暴露所述含鋁及含氮化合物構成AlON沈積循環，所述方法更包括執行多個AlON沈積循環。
6. 如申請專利範圍第1項所述的用於積體電路製造的方法，其中在基板上形成AlON薄膜包括使所述AlON薄膜直接形成於旋塗材料上。
7. 如申請專利範圍第6項所述的用於積體電路製造的方法，其中所述旋塗材料為光阻。
8. 如申請專利範圍第1項所述的用於積體電路製造的方法，其更包括： 圖案化所述AlON薄膜；以及 經由所述圖案化的AlON薄膜而蝕刻所述基板。
9. 如申請專利範圍第1項所述的用於積體電路製造的方法，其中執行多個所述鋁及氮沈積循環且將所述基板暴露至氧是在熱壁批次處理腔室中進行。
10. 如申請專利範圍第9項所述的用於積體電路製造的方法，其中所述批次處理腔室經配置以容納25或多於25個基板。
11. 如申請專利範圍第1項所述的用於積體電路製造的方法，其中所述AlON薄膜的應力為約200 MPa至700 MPa。
12. 如申請專利範圍第1項所述的用於積體電路製造的方法，其中所述AlON薄膜為非晶形。
13. 一種用於積體電路製造的方法，其包括： 使基板作為對象以在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物，以在所述基板上形成含鋁及含氮化合物； 隨後將所述含鋁及含氮化合物暴露至氧前驅物；以及 重複使所述基板作為對象且隨後暴露以形成AlON薄膜。
14. 如申請專利範圍第13項所述的用於積體電路製造的方法，其中暴露於所述鋁前驅物及暴露於所述氮前驅物構成AlN沈積循環，其中使所述基板作為對象包括對於每一次暴露至所述氧前驅物執行六個或多於六個沈積循環。
15. 如申請專利範圍第14項所述的用於積體電路製造的方法，其中隨後暴露包括： 使所述基板作為對象以在時間上分離地暴露於鋁前驅物及所述氧前驅物。
16. 如申請專利範圍第15項所述的用於積體電路製造的方法，其中使所述基板作為對象以在時間上分離地暴露於所述鋁前驅物及所述氧前驅物包括在重複使所述基板作為對象且隨後暴露之前使所述基板單獨暴露於所述鋁前驅物及單獨暴露於所述氧前驅物。
17. 如申請專利範圍第14項所述的用於積體電路製造的方法，其中所述鋁前驅物包括TMA。
18. 如申請專利範圍第17項所述的用於積體電路製造的方法，其中用於隨後將所述基板暴露至氧的所述鋁前驅物包括TMA。
19. 如申請專利範圍第13項所述的用於積體電路製造的方法，其中在使所述基板作為對象以在時間上分離地暴露的期間或在隨後暴露所述含鋁及含氮化合物期間，所述基板並未暴露至電漿。
20. 如申請專利範圍第13項所述的用於積體電路製造的方法，其中所述氮前驅物包括氨。
21. 如申請專利範圍第13項所述的用於積體電路製造的方法，其中氧前驅物包括水、氧氣或臭氧。