TW201624106A - 光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可對藉由一次之成膜而形成之光學膜正確地實施所需量之減膜之光罩之製造方法及使用該光罩之顯示裝置之製造方法。
本發明之光罩之製造方法包括：準備於透明基板上塗佈有光學膜及第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；形成第1抗蝕劑圖案之步驟；蝕刻去除光學膜之第1圖案化步驟；將第1抗蝕劑圖案剝離且塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；形成第2抗蝕劑圖案之步驟；對光學膜進行蝕刻減膜之第2圖案化步驟；及將第2抗蝕劑圖案剝離之步驟；且以第2抗蝕劑圖案中之透明基板之露出部分成為較第1抗蝕劑圖案中之透明基板之露出部分小特定量之尺寸之方式對第2描繪圖案實施減尺寸。
Description
本發明係關於一種光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法。
已知有具有遮光部、透光部、及光透過率分別不同之第1半透光部及第2半透光部之多階之光罩。
於專利文獻1中，記載有4階光罩之製造方法，該方法係準備於透光性基板上依序成膜有包含對於彼此之蝕刻具有耐性之材料之第1半透光膜及遮光膜之光罩基底，對該遮光膜及第1半透光膜進行蝕刻之後，成膜第2半透光膜，進而進行蝕刻而形成透光部、遮光部、第1半透光部及第2半透光部。
又，於專利文獻2中，記載有如下發明：於製造4階之光罩之方法中，對半透光膜之一部分區域實施與其他區域不同之表面處理，藉此，分別形成光透過率不同之第1、第2半透光部。
[專利文獻1]日本專利特開2007-249198號公報
[專利文獻2]日本專利特開2009-230126號公報
為了形成4階以上之多階光罩，於專利文獻1所記載之方法中，準備複數個分別具有預先決定之光透過率之半透光膜，並依序進行蝕刻。該方法必須根據所需之光透過率之組合設定複數個半透光膜之組成或膜厚，且實施複雜之成膜步驟，不僅如此，且存在如下制約：僅能形成於成膜前預先設定之光透過率者。
又，所形成之積層之光透過率實質上由構成其之各個單膜決定，因此，無法進行光透過率之微調整。又，由於產生由積層之半透光膜彼此之界面引起之光之作用，故而作為結果而獲得之光透過率之計算預先進行預備實驗等，而產生驗證負擔。
於專利文獻2之製造方法中，藉由半透光膜之減膜以成為所需之光透過率之方式進行膜厚調整，藉此，欲相對於光透過率差較小之第1、第2半透光部形成所需之光透過率差。但是，於減膜步驟中，僅可進行提高透過率之方向之調整，不可將暫時高於所需值之光透過率向較低側修正，因此，根據如何決定減膜步驟之終點，不易使之與目標之光透過率一致。
亦即，於該半透光部之光透過率調整中，認為較理想為，於減膜步驟中亦進行準確之光透過率測定，且可正確地掌握光透過率達到目標值之前之減膜時間。
然而，於液晶顯示裝置或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置所代表之顯示裝置中，對於亮度、動作之速度、節省電力、解像性等，要求具有更高之品質。
於該等顯示裝置之製造中，例如，為了形成使用有機絕緣膜等感光性樹脂之接觸孔等立體構造，有用地應用使用光罩之微影法。尤其是，具有局部高度不同之部分之絕緣膜、或彼此高度不同之複數個感光性間隔件等所欲形成之立體構造變得複雜，並且為了有效率地生產該立體構造，產生多階之光罩之需求。為了精密地形成此種目的之
光罩之立體構造，所使用之光罩之光透過率之管理較為重要。
尤其是，推斷可有利地利用4階以上之光罩(即，除具備透光部、遮光部以外，亦具備曝光之光透過率彼此不同之第1、第2半透光部之多階光罩)。為了分別精密地形成該等複數個具有彼此不同之透過率之半透光部，光透過率控制較關鍵。即，若第1半透光部及第2半透光部之各自之光透過率未正確地如設計值般形成，則於顯示裝置等最終之器件中，無法發揮滿足之功能。
本發明之構成1係一種光罩之製造方法，其係包括藉由使於透明基板上形成有光學膜之光罩基板之上述光學膜圖案化而形成轉印用圖案者，其特徵在於包括：準備於上述透明基板上形成有光學膜，且於該光學膜上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係於上述第1抗蝕劑膜上描繪第1描繪圖案而進行顯影；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述光學膜，從而使上述透明基板之表面之一部分露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離，並重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係於上述第2抗蝕劑膜中描繪第2描繪圖案並進行顯影，且使上述透明基板之表面之一部分及上述光學膜之表面之一部分分別露出；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩對上述光學膜進行蝕刻減膜；及將上述第2抗蝕劑圖案剝離之步驟；且以上述第2抗蝕劑圖案中之上述透明基板之露出部分成為較上述第1抗蝕劑圖案中之上述透明基板之露出部分小特定量之尺寸之方
式，對上述第2描繪圖案實施減尺寸。
本發明之構成2係一種光罩之製造方法，該光罩係於透明基板上具備包含透光部及具有所需之曝光之光透過率之半透光部之轉印用圖案者，且該製造方法之特徵在於包括：準備於上述透明基板上形成有光學膜且於該光學膜上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第1抗蝕劑膜上描繪第1描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部對應之部分之第1抗蝕劑膜；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述光學膜，從而使上述透明基板之表面露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離，且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案並進行顯影，而去除分別與上述透光部及上述半透光部對應之部分之第2抗蝕劑膜；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩，且對上述光學膜進行蝕刻減膜，從而形成具有所需之曝光之光透過率之半透光部；及將上述第2抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第2描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。
本發明之構成3係如構成2之光罩之製造方法，其特徵在於：對上述光學膜進行蝕刻減膜時之蝕刻速度以曝光之光之透過率變化量計為0.3~5.0%/min。
本發明之構成4係如構成2或3之光罩之製造方法，其特徵在於：進行上述蝕刻減膜之上述光學膜之膜厚為50~2000Å。
本發明之構成5係一種光罩之製造方法，該光罩係於透明基板上具備包含遮光部、透光部、及具有所需之曝光之光透過率之半透光部之轉印用圖案者，且該製造方法之特徵在於包括：準備於上述透明基板上積層有半透光膜、蝕刻終止膜、及遮光膜且於該積層上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第1抗蝕劑膜描繪第1描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部對應之部分之第1抗蝕劑膜；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩，蝕刻去除上述遮光膜、上述蝕刻終止膜及上述半透光膜而使上述透明基板之表面露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部及上述半透光部分別對應之部分之第2抗蝕劑膜；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述遮光膜及上述蝕刻終止膜，進而對上述半透光膜進行蝕刻減膜而形成具有上述所需之曝光之光透過率之第1半透光部；及將上述第2抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第2描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。
本發明之構成6係如構成5之光罩之製造方法，其特徵在於：上述轉印用圖案進而具有第2半透光部，該第2半透光部具有與上述第1半透光部不同之曝光之光透過率，且該方法包括：將上述第2抗蝕劑圖案剝離之後，重新塗佈第3抗蝕劑膜之步驟；
第3抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第3抗蝕劑膜描繪第3描繪圖案並進行顯影，而去除與不同於上述1半透光部之第2半透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜；第3圖案化步驟，其係將上述第3抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述遮光膜及蝕刻終止膜，從而形成第2半透光部；及將上述第3抗蝕劑圖案剝離之步驟。
本發明之構成7係如構成5之光罩之製造方法，其特徵在於：上述轉印用圖案進而具有第2半透光部，該第2半透光部具有與上述第1半透光部不同之曝光之光透過率，且該方法包括：將上述第2抗蝕劑圖案剝離之後，重新塗佈第3抗蝕劑膜之步驟；第3抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第3抗蝕劑膜描繪第3描繪圖案並進行顯影，而去除與第2半透光部、及上述透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜；第3圖案化步驟，其係將上述第3抗蝕劑圖案作為遮罩，蝕刻去除上述遮光膜及蝕刻終止膜，進而，對上述半透光膜進行蝕刻減膜而形成上述第2半透光部；及將上述第3抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第3描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。
本發明之構成8係一種光罩之製造方法，該光罩係於透明基板上具備包含透光部及具有所需之曝光之光透過率之半透光部之轉印用圖案者，且該製造方法之特徵在於包括：準備於上述透明基板上積層有半透光膜、蝕刻終止膜、及遮光膜且於該積層上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第1抗蝕劑膜描繪第1
描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部及上述半透光部對應之部分之第1抗蝕劑膜；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述遮光膜及上述蝕刻終止膜，從而使上述半透光膜之表面露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離，且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部對應之部分之第2抗蝕劑膜；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述半透光膜，從而形成上述透光部；將上述第2抗蝕劑圖案剝離，且重新塗佈第3抗蝕劑膜之步驟；第3抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第3抗蝕劑膜描繪第3描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部及上述半透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜；第3圖案化步驟，其係將上述第3抗蝕劑圖案作為遮罩而對上述半透光膜進行蝕刻減膜，從而形成具有所需之曝光之光透過率之第1半透光部；及將上述第3抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第2描繪圖案包含對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸增大特定量尺寸之加尺寸者，上述第3描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者，並且係對與上述第1半透光部對應之部分實施相對於上述第1半透光部之設計尺寸增大特定量尺寸之加尺寸者。
本發明之構成9係一種光罩之製造方法，該光罩係於透明基板上具備包含透光部、具有所需之曝光之光透過率之第1半透光部及具有
與該第1半透光部不同之所需之曝光之光透過率之第2半透光部之轉印用圖案者，且該製造方法之特徵在於包括：準備於上述透明基板上積層有半透光膜、蝕刻終止膜、及遮光膜且於該積層上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第1抗蝕劑膜描繪第1描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部、上述第1半透光部及上述第2半透光部對應之部分之第1抗蝕劑膜；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除與上述透光部、上述第1半透光部及上述第2半透光部對應之部分之上述遮光膜及上述蝕刻終止膜，從而使上述半透光膜之表面露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部對應之部分之第2抗蝕劑膜；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述半透光膜，從而形成上述透光部；將上述第2抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第3抗蝕劑膜之步驟；第3抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第3抗蝕劑膜描繪第3描繪圖案並進行顯影，而去除與上述透光部及上述第1半透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜；第3圖案化步驟，其係將上述第3抗蝕劑圖案作為遮罩而對與上述第1半透光部對應之部分之上述半透光膜進行蝕刻減膜，從而形成上述第1半透光部；及將上述第3抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第2描繪圖案包含對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸增大特定量尺寸之加尺寸者，
上述第3描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者，並且係對與上述第1半透光部對應之部分實施相對於上述第1半透光部之設計尺寸增大特定量尺寸之加尺寸者。
本發明之構成10係如構成1至9中任一項之光罩之製造方法，其特徵在於：上述轉印用圖案包含由上述遮光部包圍之上述透光部。
本發明之構成11係如構成2至10中任一項之光罩之製造方法，其特徵在於：上述轉印用圖案包含由上述半透光部包圍之上述透光部。
本發明之構成12係如構成2至11中任一項之光罩之製造方法，其特徵在於：上述轉印用圖案之半透光部包含第1半透光部、及曝光之光透過率高於上述第1半透光部之第2半透光部，且上述轉印用圖案包含由上述1半透光部包圍之上述第2半透光部。
本發明之構成13係一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：準備藉由如構成1至12中任一項之構成而製造之光罩；及使用上述準備之光罩及曝光裝置，於被轉印體上轉印上述轉印用圖案。
根據本發明，可對藉由一次成膜而形成之光學膜正確地實施所需量之減膜。
1‧‧‧光罩基板
10‧‧‧透明基板
20‧‧‧半透光膜
30‧‧‧蝕刻終止膜
40‧‧‧遮光膜
50‧‧‧抗蝕劑膜
50'‧‧‧抗蝕劑膜
50"‧‧‧抗蝕劑膜
60‧‧‧光學膜
E‧‧‧邊緣
S‧‧‧位置偏移
W1‧‧‧透明基板之露出部分
W1a‧‧‧透明基板10之露出部分之設計尺寸
W2‧‧‧透明基板10之露出部分
W2a‧‧‧透明基板10之露出部分之尺寸
W3‧‧‧透明基板10之露出部分
W3a‧‧‧透明基板10之露出部分之尺寸
X1‧‧‧邊緣
X2‧‧‧邊緣
圖1(a)~(g)係用以說明關於用以獲得特定之曝光之光透過率之光罩之製造方法之第1參考例之說明圖。
圖2(a)~(g)係用以說明關於用以獲得特定之曝光之光透過率之光罩之製造方法之第2參考例之說明圖。
圖3(a)~(h)係用以說明本發明之光罩之製造方法之第1實施形態之說明圖。
圖4(a)~(n)係用以說明本發明之光罩之製造方法之第2實施形態之說明圖。
圖5(a)~(o)係用以說明本發明之光罩之製造方法之第3實施形態之說明圖。
圖6(a)~(n)係用以說明本發明之光罩之製造方法之第4實施形態之說明圖。
圖7(a)~(o)係用以說明本發明之光罩之製造方法之第5實施形態之說明圖。
圖8(a)~(k)係用以說明本發明之光罩之製造方法之第6實施形態之說明圖。
圖9(a)~(m)係用以說明本發明之光罩之製造方法之第7實施形態之說明圖。
圖10(a)~(c)係用以對藉由本發明之光罩之製造方法製作之轉印用圖案之構成進行說明之說明圖。
參照圖1及圖2所示之參考例說明對光罩之光學膜進行減膜而獲得所需之曝光之光透過率(相對於曝光之光之光透過率)之方法。
再者，於本申請案中，所謂減膜係使成為對象之膜於厚度方向消失一部分，而減小其膜厚。而且，藉由僅對成為對象之膜之特定之區域進行減膜，可調整該部分之光透過率。
圖1係用以說明形成具備透光部、遮光部、半透光部之多階光罩之轉印用圖案之步驟之第1參考例之說明圖。
首先，準備於透明基板10上依序積層有半透光膜20、蝕刻終止膜30、及遮光膜40且於表面塗佈形成有抗蝕劑膜50之光罩基板1(圖
1(a))。
本申請案中所謂抗蝕劑係指包含光阻劑、或電子束抗蝕劑之微影法用抗蝕劑。於以下之說明中，作為抗蝕劑，係以正型之光阻劑為例進行說明。
此處，圖1(a)所示之光罩基板1係光罩基底。但是，於本申請案中，作為光罩基板，除光罩基底以外，亦可為已經完成特定之圖案化且用以經由實施進一步之成膜、及/或圖案化而製成光罩之光罩中間物。
其次，使用描繪裝置描繪用以形成半透光部之特定之描繪圖案。作為描繪裝置，可列舉EB(Electron Beam，電子束)描繪裝置、雷射描繪裝置，但對於顯示裝置製造用光罩，較佳的是使用雷射描繪裝置。藉由顯影而形成抗蝕劑圖案之後，將該抗蝕劑圖案用作蝕刻遮罩，而去除露出之遮光膜40、蝕刻終止膜30(圖1(b))。此處，作為遮光膜40例示含有Cr之膜，作為蝕刻終止膜30例示含有Si之膜。又，於進行蝕刻之步驟中，均使用濕式蝕刻劑(蝕刻液)。
進而，對露出之半透光膜20實施減膜處理使膜厚減少而獲得所需之膜厚(圖1(c))。該所需之膜厚係預先基於欲獲得之所需之曝光之光透過率、及源自該半透光膜之素材或膜質之光透過特性而計算者。即，預先求出取決於該光透過特性、及特定之蝕刻劑(蝕刻劑)之蝕刻速率，藉此，可預先掌握必需之蝕刻時間。
於圖1(c)所示之減膜處理後將抗蝕劑圖案(抗蝕劑膜50)剝離(圖1(d))。
進而於表面塗佈第2抗蝕劑膜50'，於此描繪用以形成透光部之第2描繪圖案且進行顯影，藉此形成第2抗蝕劑圖案(圖1(e))。
然後，將第2抗蝕劑圖案用作蝕刻遮罩，依序蝕刻去除遮光膜40、蝕刻終止膜30、半透光膜20(圖1(f))。藉此，透明基板10之表面
露出，而形成透光部。
最後，若將第2抗蝕劑圖案(第2抗蝕劑膜50')剝離，則多階光罩完成(圖1(g))。
此處，若調整實施圖1(c)所示之蝕刻減膜之時間，則可自同一光罩基底製造具有各種曝光之光透過率之多階光罩。因此，具有無需準備多種光罩基底而可根據光罩使用者之希望選擇使所欲獲得之多階光罩具有之曝光之光透過率之自由度。
然而，用以獲得所需之曝光之光透過率之蝕刻終點僅根據預先掌握之蝕刻速率設定，無確認蝕刻終點之機構。即，無法使因蝕刻液之略微之濃度變動或溫度導致之蝕刻速率之變動反映於準確之蝕刻終點之設定。因此，於蝕刻減膜之中途，若可測定半透光膜20之光透過率且求出至蝕刻終點為止之所需時間，則較有用。
為了掌握光罩之半透光部具有之曝光之光透過率，可利用光學式之透過率測定器進行。該測定器於以透明基板之光透過率為基準(透過率100%)時，可表示作為測定對象之半透光部所具有之光透過率值。因此，於測定光罩之半透光部之光透過率時，對於同一樣品(光罩基板)之透光部亦測定光透過率，且將其作為參考值使用較合理。於測定時使用之檢查光係與實際之曝光中使用之曝光之光所用者實質上相同之波長(或波長區域)之光，或者可使用該曝光之光所包含之代表波長之光。根據光透過率之測定結果可掌握實際之曝光之光透過率。
然而，於第1參考例中，於蝕刻減膜之步驟中無法參照透明基板10之光透過率。
因此，如第2參考例般，一面參照圖2一面對於蝕刻減膜之步驟中可參照透明基板之光透過率之步驟進行研究。
於第2參考例中，準備與圖1(a)同樣之光罩基板1(光罩基底)之
後，使用用以形成透光部之描繪圖案描繪於抗蝕劑膜50(圖2(a))。對該抗蝕劑膜50進行顯影而形成抗蝕劑圖案之後將該抗蝕劑圖案作為蝕刻遮罩而依序蝕刻去除露出之遮光膜40、蝕刻終止膜30、半透光膜20。
繼而，將抗蝕劑圖案(抗蝕劑膜50)剝離(圖2(b))，而塗佈第2抗蝕劑膜50'(圖2(c))。
然後，使用用以形成半透光部並且使與透光部對應之部分之透明基板10露出之描繪圖案進行描繪，且進行顯影而形成第2抗蝕劑圖案(圖2(d))。
將該第2抗蝕劑圖案作為遮罩蝕刻去除遮光膜40及蝕刻終止膜30(圖2(e))。進而，對半透光膜20進行所需量之蝕刻減膜(圖2(f))。此時，由於透光部之一部分露出，故而可一面測定且參照透明基板10之光透過率，一面調整並確認用以形成半透光部之蝕刻減膜量。
但是，於第2參考例中，難以確實地使上述進行之2次描繪步驟之相互之位置偏移S(參照圖2(d))為零。因此，自第2抗蝕劑圖案露出之透光部之位置與自第1抗蝕劑圖案露出之透光部之位置產生位置偏移，而會損傷與透光部鄰接之遮光膜之邊緣，因此，產生如下風險，即，作為使較對透光部設定之光量更大之光量透過之部分發揮功能(產生如透光部變得大於設計尺寸之結果)。
本發明者對抑制此種問題之產生並且正確地控制光學膜之減膜進行銳意研究。
以下，使用圖3~圖10對本發明之光罩之製造方法之各實施形態進行說明。
[第1實施形態]
圖3係用以說明本發明之光罩之製造方法之第1實施形態之說明圖。
步驟1：如圖3(a)所示，準備於透明基板10上形成有光學膜60，且進而於表面形成有第1抗蝕劑膜50之光罩基板1。此處，光罩基板1係光罩基底，但作為光罩基板，亦可為已經進行一部分圖案化者。
再者，光罩基板1中之第1抗蝕劑膜50可直接形成於光學膜60之表面，於不妨礙本發明之作用效果之範圍內，亦可於第1抗蝕劑膜50與光學膜60之間介置其他膜。作為光學膜60，可為遮光膜，可為半透光膜，亦可具有使曝光之光之相位偏移特定量(相位偏移膜)等功能。又，於光學膜60之表面部分亦可具有抑制光之反射之抗反射層。又，光學膜60亦可積層有複數層膜。例如，於圖3中，例示光學膜60為遮光膜之情形。
光學膜60之成膜可使用濺鍍法等公知之成膜方法進行。
膜素材並無特別制約。此處例示遮光膜，但作為遮光膜素材例如可列舉以Cr為主成分之遮光膜。較佳為於膜之表面部分具有Cr氧化物等抗反射層。
步驟2：使用描繪裝置描繪用以形成透光部之描繪圖案(第1描繪圖案)。於描繪後，進行第1顯影而形成第1抗蝕劑圖案(圖3(b))。此處，作為抗蝕劑使用正型之光阻劑，因此，將描繪部分之抗蝕劑去除。
步驟3：將步驟1中形成之第1抗蝕劑圖案作為蝕刻遮罩蝕刻去除光學膜60(遮光膜)(圖3(c))。此處，使用公知之蝕刻液進行濕式蝕刻。藉此，劃定透光部(第1圖案化步驟)。
步驟4：將第1抗蝕劑圖案(抗蝕劑膜50)剝離去除(圖3(d))。
步驟5：重新將第2抗蝕劑膜50'塗佈形成於表面(圖3(e))。
步驟6：再次使用描繪裝置描繪第2描繪圖案，且進行第2顯影。藉此，去除與透光部對應之部分、及與半透光部對應之部分之第2抗蝕劑膜50'，而形成透明基板10之表面之一部分及光學膜60之表面之
一部分分別露出之第2抗蝕劑圖案(圖3(f))。再者，以此處之透明基板10之露出部分W2小於第1抗蝕劑圖案中之透明基板之露出部分W1之方式將第2描繪圖案之資料確定尺寸。換言之，第2描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。藉此，即便於第1描繪圖案與第2描繪圖案之間相互產生位置偏移，於步驟2中形成之與透光部鄰接之遮光部中之光學膜60之邊緣E(參照圖3(c))亦不會自第2抗蝕劑圖案露出。
步驟7：將該第2抗蝕劑圖案作為遮罩對露出之部分之光學膜60進行蝕刻減膜(第2圖案化步驟)。藉此，形成具有所需之曝光之光透過率之半透光部(圖3(g))。對光學膜進行蝕刻減膜時之蝕刻速度以曝光之光之透過率變化量計較佳為設為0.3~5.0%/min。即，藉由設定與將光學膜之特定部分蝕刻去除之情形之速度相比足夠慢之條件，容易正確地進行所意圖之透過率之增加。再者，於第2~第7實施形態中，蝕刻減膜時之蝕刻速度亦較佳為同樣地設定。
此時，如上述般與透光部鄰接之遮光部之邊緣由第2抗蝕劑圖案被覆，因此，不會受到損傷，結果，於圖3(c)中劃定之透光部之尺寸不會產生錯誤。
又，由於與透光部對應之部分之透明基板10露出，故而於蝕刻減膜之前，或於蝕刻減膜中途，可測定藉由第1圖案化步驟而露出之透明基板10之光透過率。因此，可將透明基板10之光透過率作為參考測定蝕刻減膜前之光透過率、或蝕刻減膜中途之光透過率，而精密地預想蝕刻減膜之終點。當然，於結束特定時間之蝕刻減膜之階段，亦可確認是否獲得所需之光透過率。
步驟8：將第2抗蝕劑圖案剝離，而完成具有透光部、遮光部、半透光部之3階之光罩(圖3(h))。
再者，於第1實施形態中，作為光學膜60例示有單層之遮光膜，
但本發明並不限定於此種構成。於以下所示之實施形態中，對光學膜為積層構造之情形進行說明。
[第2實施形態]
其次，參照圖4，對本發明之第2實施形態進行說明。
圖4所示之光罩之製造方法係例示多階光罩之製造方法，該多階光罩係應用了包含半透光膜20、蝕刻終止膜30、遮光膜40之積層作為形成於透明基板10上之光學膜。
步驟1：準備於透明基板10上具備包含半透光膜20、蝕刻終止膜30、遮光膜40之積層之光學膜進而於表面上形成有第1抗蝕劑膜50之光罩基板1(圖4(a))。半透光膜20係具有使曝光之光之一部分透過之特定之曝光之光透過率之膜，於本實施形態中，例如曝光之光透過率為50~60%。
又，遮光膜40及蝕刻終止膜30包含具有蝕刻選擇性，且對於彼此之蝕刻劑(此處，應用濕式蝕刻因此為蝕刻液)彼此具有蝕刻耐性之素材。又，對於半透光膜20及蝕刻終止膜30，亦包含對於彼此之蝕刻劑彼此具有耐性之素材。遮光膜40及半透光膜20可彼此具有蝕刻選擇性，亦可不具有蝕刻選擇性。因此，此處，遮光膜40及半透光膜20之素材設為均包含Cr之蝕刻特性共通者。
步驟2：使用描繪裝置描繪用以形成透光部之描繪圖案(第1描繪圖案)。於描繪後，進行第1顯影而形成第1抗蝕劑圖案(圖4(b))。
步驟3：將於步驟2中形成之第1抗蝕劑圖案作為蝕刻遮罩而蝕刻去除遮光膜40(圖4(c))。
步驟4：變更為蝕刻終止膜30用之蝕刻劑而蝕刻去除蝕刻終止膜30(圖4(d))。
步驟5：再次變更蝕刻劑，藉由半透光膜20用之蝕刻劑而蝕刻去除半透光膜20。其後，將第1抗蝕劑圖案(第1抗蝕劑膜50)剝離(圖
4(e))。
步驟6：重新於表面形成第2抗蝕劑膜50'(圖4(f))。
步驟7：再次使用描繪裝置描繪第2描繪圖案，且進行第2顯影。藉此，去除與透光部對應之部分、及與半透光部(第1半透光部)對應之部分之第2抗蝕劑膜50'，而形成透明基板10之表面之一部分及遮光膜40之表面之一部分分別露出之第2抗蝕劑圖案(圖4(g))。
再者，以此處之透明基板10之露出部分W2小於第1抗蝕劑圖案中之透明基板10之露出部分W1之方式將第2描繪圖案之資料確定尺寸。換言之，第2描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。藉此，即便於第1描繪圖案與第2描繪圖案之間相互產生位置偏移，於步驟5中形成之與透光部鄰接之遮光部中之遮光膜40、蝕刻終止膜30及半透光膜20之邊緣E(參照圖4(e))亦不會自第2抗蝕劑圖案露出。
步驟8：將第2抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除露出之部分之遮光膜40。進而，變更蝕刻劑而蝕刻去除蝕刻終止膜30(圖4(h))。
步驟9：繼而，變更蝕刻劑，對露出之半透光膜20進行蝕刻減膜(第2圖案化步驟)。藉此，形成具有所需之曝光之光透過率之半透光部(第1半透光部)(圖4(i))。
此時，如上述般與透光部鄰接之遮光部之邊緣E(參照圖4(e))被第2抗蝕劑圖案被覆，因此，不會受到損傷，結果，於步驟5中劃定之透光部之尺寸不會產生錯誤。又，由於與透光部對應之部分之透明基板10露出，故而可進行透明基板10之光透過率之測定。因此，可將透明基板10之光透過率作為參考，測定蝕刻減膜前之光透過率、或蝕刻減膜中途之光透過率，而精密地預想蝕刻減膜之終點。當然，亦可確認於結束特定時間之蝕刻減膜之階段，獲得所需之光透過率。
步驟10：將第2抗蝕劑圖案(第2抗蝕劑膜50')剝離，而完成具有透
光部、遮光部、半透光部之3階之光罩(圖4(j))。
再者，於製造除透光部、遮光部以外還具備曝光之光透過率彼此不同之2種半透光部(第1、第2半透光部)之轉印用圖案的4階之光罩之情形時，可對圖4(j)之光罩進而實施以下步驟。
步驟11：重新於表面形成第3抗蝕劑膜50"(圖4(k))。
步驟12：使用描繪裝置，描繪用以形成追加之半透光部(第2半透光部)之描繪圖案(第3描繪圖案)，且進行第3顯影，藉此形成第3抗蝕劑圖案(圖4(l))。
步驟13：將第3抗蝕劑圖案作為遮罩，蝕刻去除遮光膜40及蝕刻終止膜30，而形成第2半透光部(圖4(m))。
步驟14：將第3抗蝕劑圖案(第3抗蝕劑膜50")剝離，而完成具備透光部、遮光部、第1半透光部及第2半透光部之4階之光罩(圖4(n))。
藉由以上步驟，可利用單一之半透光膜20形成複數個具有不同之曝光之光透過率之第1、第2半透光部。
[第3實施形態]
其次，參照圖5對本發明之第3實施形態進行說明。第3實施形態係於上述第2實施形態之第2半透光部(參照圖4(n))中，進行與成膜時不同之用以獲得更高之曝光之光透過率之透過率調整者。
於圖5所示之第3實施形態之光罩之製造方法中，步驟1~步驟11(參照圖5(a)~(k))與第2實施形態中之步驟1~步驟11(參照圖4(a)~(k))同樣。即，準備光罩基板1(步驟1：圖5(a))，形成第1抗蝕劑圖案(步驟2：圖5(b))，蝕刻去除與透光部對應之部分之遮光膜40及蝕刻終止膜30之後(步驟3、4：圖5(c)、(d))，蝕刻去除半透光膜20(第1圖案化步驟)而將第1抗蝕劑圖案(第1抗蝕劑膜50)剝離(步驟5：圖5(e))。
然後，重新形成第2抗蝕劑膜50'(步驟6：圖5(f))，且形成第2抗蝕劑圖案(步驟7：圖5(g))，且蝕刻去除第1半透光部中之遮光膜40及蝕
刻終止膜30(步驟8：圖5(h))。進而，對半透光膜20進行蝕刻減膜之後(步驟9(第2圖案化步驟)：圖5(i))，將第2抗蝕劑圖案(第2抗蝕劑膜50')剝離(步驟10：圖5(j))，於其表面形成第3抗蝕劑膜50"(步驟11：圖5(k))。
步驟12：使用描繪裝置描繪第3描繪圖案且進行第3顯影。藉此，去除與透光部對應之部分、及與第2半透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜50"，而形成透明基板10之表面之一部分及遮光膜40之表面之一部分分別露出之第3抗蝕劑圖案(圖5(l))。
再者，此處亦以透明基板10之露出部分W3小於第1抗蝕劑圖案中之透明基板10之露出部分W1之方式將第3描繪圖案之資料確定尺寸。換言之，第3描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。藉此，即便於第1描繪圖案與第3描繪圖案之間相互產生位置偏移，於步驟5中形成之與透光部鄰接之遮光部之邊緣E(參照圖5(e))亦不會自第2抗蝕劑圖案露出。
步驟13：將第3抗蝕劑圖案作為遮罩，蝕刻去除與第2半透光部對應之露出部分之遮光膜40。進而，變更蝕刻劑而蝕刻去除蝕刻終止膜30(圖5(m))。
步驟14：繼而，變更蝕刻劑而對露出之半透光膜20進行蝕刻減膜(第3圖案化步驟)。藉此，形成具有所需之曝光之光透過率之第2半透光部(圖5(n))。
此時，圖5(e)所示之與透光部鄰接之遮光部之邊緣E亦由第3抗蝕劑圖案被覆，因此，不會受到損傷，結果，於步驟5中劃定之透光部之尺寸不會產生錯誤。又，與步驟9(參照圖5(i))同樣地，由於與透光部對應之部分之透明基板10露出，故而於半透光膜20之蝕刻減膜時，可參照透明基板10之曝光之光透過率。
步驟15：將第3抗蝕劑圖案(第3抗蝕劑膜50")剝離，而完成具有透光部、遮光部、及曝光之光透過率彼此不同之第1、第2半透光部之4階之光罩(圖5(o))。
藉由以上之步驟，可將與第2實施形態相同之光罩基板(光罩基底)作為起始材料並且製造曝光之光透過率之規格不同之4階光罩。
[第4實施形態]
其次，參照圖6對本發明之第4實施形態進行說明。
於第4實施形態中，準備與圖4(a)中說明者相同之光罩基板1(步驟1：圖6(a))，經由描繪及第1顯影而形成第1抗蝕劑圖案(步驟2：圖6(b))。繼而，蝕刻去除與透光部對應之部分之遮光膜40及蝕刻終止膜30之後(步驟3、4：圖6(c)、(d))，蝕刻去除半透光膜20且將第1抗蝕劑圖案(第1抗蝕劑膜50)剝離(步驟5：圖6(e))。
其次，重新於表面形成第2抗蝕劑膜50'(步驟6：圖6(f))，經由描繪及第2顯影而形成第2抗蝕劑圖案之後(步驟7：圖6(g))，蝕刻去除與第1半透光部對應之部分之遮光膜40及蝕刻終止膜30(步驟8：圖6(h))。
繼而，將第2抗蝕劑圖案(第2抗蝕劑膜50')剝離之後(步驟9：圖6(i))，於其表面形成第3抗蝕劑膜50"(步驟10：圖6(j))，經由描繪及第3顯影而形成第3抗蝕劑圖案(步驟11：圖6(k))。以該第3抗蝕劑圖案中之透明基板10之露出部分W3小於第1抗蝕劑圖案中之透明基板10之露出部分W1之方式將第3描繪圖案之資料確定尺寸。
繼而，蝕刻去除與第2半透光部對應之部分之遮光膜40及蝕刻終止膜30之後(步驟12：圖6(l))，對半透光膜20進行蝕刻減膜(步驟13：圖6(m))，且將第3抗蝕劑圖案(第3抗蝕劑膜50")剝離(步驟14：圖6(n))。
藉由以上步驟，完成具有透光部、遮光部、第1及第2半透光部
之4階之光罩。再者，第1半透光部具有未對半透光膜20進行蝕刻減膜之狀態之曝光之光透過率，第2半透光部具有高於第1半透光部之曝光之光透過率。
[第5實施形態]
其次，參照圖7對本發明之第5實施形態進行說明。
於第5實施形態中，準備與圖4(a)中所說明者相同之光罩基板1(步驟1：圖7(a))，經由描繪及第1顯影而形成第1抗蝕劑圖案(步驟2：圖7(b))。繼而，蝕刻去除與第1半透光部對應之部分之遮光膜40及蝕刻終止膜30(步驟3：圖7(c))。然後，將第1抗蝕劑圖案(第1抗蝕劑膜50)剝離之後(步驟4：圖7(d))，重新於表面形成第2抗蝕劑膜50'(步驟5：圖7(e))，經由描繪及第2顯影而形成第2抗蝕劑圖案(步驟6：圖7(f))。
繼而，蝕刻去除與透光部對應之部分之遮光膜40及蝕刻終止膜30之後(步驟7、8：圖6(g)、(h))，蝕刻去除半透光膜20(步驟9：圖7(i))。然後，將第2抗蝕劑圖案(第2抗蝕劑膜50')剝離之後(步驟10：圖7(j))，於其表面形成第3抗蝕劑膜50"(步驟11：圖7(k))，經由描繪及第3顯影而形成第3抗蝕劑圖案(步驟12：圖7(l))。以該第3抗蝕劑圖案中之透明基板10之露出部分W3小於第1抗蝕劑圖案中之透明基板10之露出部分W1之方式將第3描繪圖案之資料確定尺寸。
其次，蝕刻去除與第2半透光部對應之部分之遮光膜40及蝕刻終止膜30之後(步驟13：圖7(m))，對半透光膜20進行蝕刻減膜(步驟14：圖7(n))，且將第3抗蝕劑圖案(第3抗蝕劑膜50")剝離(步驟15：圖7(o))。
藉由以上步驟，完成具有透光部、遮光部、第1及第2半透光部之4階之光罩。再者，第1半透光部具有未對半透光膜20進行蝕刻減膜之狀態之曝光之光透過率，第2半透光部具有高於第1半透光部之曝光
之光透過率。
[第6實施形態]
其次，參照圖8對本發明之第6實施形態進行說明。第6實施形態係於最初之圖案化步驟中使透光部及半透光部之形成位置確定者。
步驟1：準備與第2實施形態相同之光罩基板1(光罩基底；參照圖4(a))(圖8(a))。
步驟2：使用描繪裝置描繪用以形成透光部、第1、第2半透光部之第1描繪圖案。於描繪後，進行第1顯影而形成第1抗蝕劑圖案(圖8(b))。此處，第1半透光部及第2半透光部係以曝光之光透過率彼此不同之方式形成者。
步驟3：將第1抗蝕劑圖案作為遮罩蝕刻去除遮光膜40及蝕刻終止膜30(圖8(c))。
步驟4：將第1抗蝕劑圖案(第1抗蝕劑膜50)剝離，重新塗佈形成第2抗蝕劑膜50'(圖8(d))。
步驟5：利用描繪裝置描繪第2描繪圖案且進行第2顯影。藉此，去除與透光部對應之部分之第2抗蝕劑膜50'而形成第2抗蝕劑圖案(圖8(e))。此處，以第2抗蝕劑圖案之與透光部對應之部分中之透明基板10之露出部分之尺寸W2a略大於第1抗蝕劑圖案之與透光部對應之部分中之透明基板10之露出部分之設計尺寸W1a之方式對第2描繪圖案實施加尺寸。藉此，於第1描繪圖案與第2描繪圖案之間產生位置偏移之情形時，亦不會對後續之透光部之形成造成影響。
步驟6：將第2抗蝕劑圖案作為遮罩蝕刻去除露出之半透光膜20，而形成透光部(圖8(f))。再者，於第2描繪圖案中，對與透光部對應之部分實施加尺寸，因此，成為與透光部鄰接之遮光部之區域之遮光膜40之邊緣X1略微露出。於半透光膜20與遮光膜40之蝕刻特性共通之情形時，於半透光膜20之蝕刻時，有遮光膜40之邊緣X1同時受
到損傷之情形。但是，藉由使半透光膜20之膜厚相對於遮光膜40之膜厚足夠小或使半透光膜20之蝕刻速率相對於遮光膜40之蝕刻速率足夠小等調整，實質上不會對最終之轉印用圖案之形狀造成影響。
步驟7：將第2抗蝕劑圖案(第2抗蝕劑膜50')剝離(圖8(g))。
步驟8：重新於表面形成第3抗蝕劑膜50"(圖8(h))。
步驟9：利用描繪裝置描繪第3描繪圖案且進行第3顯影。藉此，去除與透光部對應之部分、及與第1半透光部對應之部分之抗蝕劑，而形成透明基板10之表面之一部分與半透光膜20之表面之一部分分別露出之第3抗蝕劑圖案(圖8(i))。再者，此處不去除與上述第2半透光部對應之部分之抗蝕劑。
再者，以此處之透明基板10之露出部分之尺寸W3a小於第1抗蝕劑圖案中之與透光部對應之部分中之透明基板10之露出部分之設計尺寸W1a之方式將第2描繪圖案之資料確定尺寸。換言之，第3描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。藉此，即便於第1描繪圖案與第3描繪圖案之間相互產生位置偏移，於步驟3中形成之與透光部鄰接之遮光部之邊緣E(參照圖8(c))亦不會自第3抗蝕劑圖案露出。
又，此處，以第3抗蝕劑圖案之與第1半透光部對應之部分之尺寸略大於第1半透光部之設計尺寸之方式對於第3描繪圖案實施加尺寸。藉此，即便於第1描繪圖案與第3描繪圖案之間產生位置偏移，亦不會對後續之半透光膜20之蝕刻減膜造成影響。
步驟10：將第3抗蝕劑圖案作為遮罩而對在與第1半透光部對應之部分露出之半透光膜20進行蝕刻減膜(第3圖案化步驟：圖8(j))。藉此，形成具有所需之曝光之光透過率之第1半透光部。此時，於遮光膜與半透光膜20之蝕刻特性共通之情形時，伴隨著半透光膜20之蝕刻減膜，有露出之遮光膜40之邊緣X2同時受到損傷之情形。但是，藉
由使半透光膜20之膜厚相對於遮光膜40之膜厚足夠小或使半透光膜20之蝕刻速率相對於遮光膜40之蝕刻速率足夠小等調整，與步驟6(參照圖8(f))同樣地，不會對最終之轉印用圖案之形狀造成實質影響。
又，與第1~第5實施形態同樣地，於半透光膜20之蝕刻減膜時，與透光部對應之部分之透明基板10露出，因此，可參照透明基板10之光透過率。
步驟11：將第3抗蝕劑圖案(第3抗蝕劑膜50")剝離(圖8(k))。
藉由以上步驟，完成具有透光部、遮光部、及曝光之光透過率彼此不同之第1、第2半透光部之4階之光罩。
圖8所示之第6實施形態之光罩之製造方法之優點在於：即便於複數次之描繪步驟中，產生相互之位置偏移之情形時，其亦不會使圖案化之重疊偏移產生。即，於第1圖案化步驟中，確定透光部、遮光部、及半透光部之相互之位置關係，因此，最終之轉印用圖案中之座標精度變得極高。
再者，當然，於上述實施形態6中，若省略形成第2半透光部之步驟，則可形成具有透光部、遮光部及第1半透光部之圖案之位置精度優異之光罩。
[第7實施形態]
其次，參照圖9對本發明之第7實施形態進行說明。於第7實施形態中使用之透明基板10中未形成成為減膜之對象之光學膜，而形成有其他光學膜或其他光學膜之圖案。於以下說明中，作為上述其他光學膜形成有遮光膜40。
步驟1：準備於透明基板10上形成有遮光膜40及第1抗蝕劑膜50之光罩基板1(光罩基底)(圖9(a))。
步驟2：使用描繪裝置描繪用以形成遮光部以外(透光部及半透光部)之描繪圖案，且進行第1顯影，藉此形成劃定遮光部之第1抗蝕劑
圖案(圖9(b))。
步驟3：將第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除露出之遮光膜40(圖9(c))。
步驟4：將第1抗蝕劑圖案(第1抗蝕劑膜50)剝離(圖9(d))。
步驟5：重新於透明基板10上之整個面形成半透光膜20(圖9(e))。
步驟6：於半透光膜20上之整個面形成第2抗蝕劑膜50'(圖9(f))。
以後之步驟係與第1實施形態之步驟2(圖3(b))以後同樣。即，使用描繪裝置形成用以形成透光部之第2抗蝕劑圖案(圖9(g))，且將其作為蝕刻遮罩而蝕刻去除半透光膜20(圖9(h))。繼而，將第2抗蝕劑圖案(第2抗蝕劑膜50')剝離去除(圖9(i))，且重新於表面塗佈形成第3抗蝕劑膜50"(圖9(j))。
然後，再次使用描繪裝置描繪用以形成第2半透光部之第3描繪圖案之後，進行顯影而形成第3抗蝕劑圖案(圖9(k))。於該第3描繪圖案中，以透明基板10之露出部分W3小於第2抗蝕劑圖案中之透明基板10之露出部分W2之方式將資料確定尺寸。
其次，將第3抗蝕劑圖案作為遮罩而對露出之部分之半透光膜20進行蝕刻減膜而形成具有所需之曝光之光透過率之半透光部(圖9(l))。然後，若將第3抗蝕劑圖案(第3抗蝕劑膜50")剝離，則完成具有透光部、遮光部、第1及第2半透光部之4階之光罩(圖9(m))。此處，上述第1半透光部具有未對半透光膜20進行蝕刻減膜之狀態之曝光之光透過率，第2半透光部具有高於第1半透光部之曝光之光透過率。
以上，使用圖3~圖9對本發明之複數個實施形態進行了說明，但本發明並不限定於該等實施形態，只要不損害發明之效果，則包含各種態樣。又，只要不損害本發明之作用效果，則亦可變更上述各實施形態中之步驟或附加其他步驟。
又，第1~第7實施形態之說明中之「第1」、「第2」、「第3」之名
稱係方便地表示步驟之順序者，於其等之前後或其等之中間實施其他步驟之情形時，可適當變換讀法。
於該等所有態樣中，更佳為於蝕刻時應用濕式蝕刻。尤其是，於裝置製造用光罩中，必須生產一邊為300mm以上之較大型且具有各種縱橫比或面積之多種光罩基板，因此，應用濕式蝕刻之效果較大。
又，描繪圖案之確定尺寸(加尺寸、減尺寸)之量可設為0.2~2.0μm。即，藉由相對於針對透光部、半透光部或遮光部之區域之設計尺寸，使各區域之邊界位置前進或後退0.1~1.0μm左右，而增大或減小尺寸。
又，於第1~第6實施形態中，將透明基板上形成有光學膜及抗蝕劑膜之光罩基底作為起始材料而示出，但是，當然，可如第7實施形態所例示般，將已經實施某些圖案化或其他加工之光罩中間物作為起始材料應用。
作為本發明之光罩之用途並無特別限制。
例如，亦適合於作為多階光罩有用之所謂省PEP(Photolithography Etching Process，微影蝕刻製程)(於製造顯示裝置面板時，減少使用之光罩之個數)。
進而，可作為用以形成顯示裝置中之構造材(包含感光性樹脂等)之立體形狀之光罩使用。例如，若形成液晶顯示裝置之感光性間隔件或顯示裝置之絕緣層，則可分別精密地進行複數個具有不同高度之構造材之高度控制，因此，發明之效果較顯著。其於4階以上之光罩中尤其有利。
再者，作為用以形成上述感光性間隔件及絕緣層之轉印用圖案，例如可使用圖10所示之構成者。具體而言，可使用如圖10所示之轉印用圖案之俯視圖般包含由遮光部包圍之透光部之轉印用圖案(圖
10(a))或包含由半透光部包圍之透光部之轉印用圖案(圖10(b))。進而，亦可使用如圖10(c)所示般於透光部之周圍依序鄰接配置有透過率彼此不同之複數個半透光部(此處為第1、第2半透光部)、及遮光部之轉印用圖案。於此情形時，半透光部越靠近透光部，則越提高曝光之光透過率等，而可形成有用之圖案。再者，圖10係模式性地例示遮光部、透光部、半透光部之鄰接關係者，未必表示將該等形狀之圖案供於實用。進而，亦可設為變更了圖10(c)之透光部、遮光部、半透光部之配置之轉印用圖案。例如，亦可設為於遮光部之周圍依序鄰接配置有半透光部(亦可使光透過率不同之複數個半透光部自光透過率較低者起依序鄰接)、及透光部之轉印用圖案。或者，亦可設為於遮光部之周圍依序鄰接配置有透光部、及半透光部之轉印用圖案。
又，本發明包含一種顯示裝置之製造方法，該方法包括使用藉由第1至第7實施形態中任一實施形態而製造之光罩，並利用曝光裝置將轉印用圖案轉印至被轉印體之步驟。
作為用於轉印之曝光裝置，係進行等倍之投影曝光之方式，且可列舉以下者。即，係作為LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)用(或FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用、液晶顯示裝置用)使用之曝光機，且其構成係光學系統之開口數(NA)為0.08~0.15(同調因子(σ)為0.4~0.9)，且具有包含i線、h線及g線之至少一種之光源、較佳為具有包含i線、h線、g線之波長區域之光源(亦稱為寬波長光源)者。作為光源，可使用超高壓水銀燈等。再者，於如開口數NA成為0.10~0.20之曝光裝置中，當然亦可應用本發明而獲得發明之效果。
進而，作為應用於本發明之光罩之曝光裝置，近接式曝光(近接曝光)方式之曝光裝置亦較佳。作為曝光之光可使用與上述同樣之寬波長光源，將被轉印體與光罩之間隔設為20~300μm左右而進行曝光。
作為用於本發明之光罩之光學膜之素材例示以下者。
此處使用之遮光膜之素材並無特別限制，較佳可使用以下者。例如，除Cr或Cr化合物(Cr之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮氧化物等)以外，可較佳地使用Ta、Mo、W及其等之化合物(例如，氧化物、氮化物、氮氧化物、或TaSi、MoSi、WSi(金屬矽化物類)或其等之氮化物、氮氧化物等)等。又，該等材料可單獨使用1種，亦可組合2種以上而使用。作為遮光部而利用之部分之膜厚較佳為設為可獲得充分之遮光性(光學濃度OD≧3、較佳為OD≧4)者。
作為半透光膜，可於與遮光膜之間具有蝕刻選擇性亦可不具有蝕刻選擇性。但是，於不具有蝕刻選擇性(即，蝕刻特性共通)之情形時，可使用共通之蝕刻劑，因此，生產上之效率較佳。
因此，作為半透光膜之素材可自上述例示之遮光膜素材選擇。又，於蝕刻減膜時，為了容易地進行達到目標光透過率之前之蝕刻時間控制，半透光膜之膜厚更佳為50~2000Å。
作為蝕刻終止膜，可使用自上述例示之遮光膜素材之中選擇之素材。但是，較理想為相對於上述遮光膜、半透光膜具有蝕刻選擇性，因此，蝕刻終止膜於遮光膜為含有Cr之膜之情形時，可設為含有Si或Ti、Ta之膜，於遮光膜為含有Si、Ta之膜之情形時，可設為含有Cr之膜。
根據本發明，可根據所欲獲得之器件之複雜之設計精密地控制光罩所具有之半透光部之光透過率。尤其是，於半透光部之形成步驟中，可進行透過率測定且正確地掌握必需之追加蝕刻時間。
又，以能進行此種微調整為前提，可限定應準備之光罩基底之種類。若於所欲獲得之複數個器件分別要求不同之階數、或不同之透過率值之狀況下，應準備之光罩基底變為多品種，則繳納期及成本均產生不妥。另一方面，若應用本發明，則可預先限定應準備之光罩基
底之種類，並且可於步驟中調整為所需之透過率，因此，能以有利之生產效率提供多品種之顯示裝置。
又，如第6實施形態(參照圖8)中所述，亦可選擇提高透光部、遮光部及各半透光部等各區域之座標精度之步驟。
1‧‧‧光罩基板
10‧‧‧透明基板
50‧‧‧抗蝕劑膜
50'‧‧‧抗蝕劑膜
60‧‧‧光學膜
Claims (13)
- 一種光罩之製造方法，其包括藉由使於透明基板上形成有光學膜之光罩基板之上述光學膜圖案化而形成轉印用圖案，其特徵在於包括：準備於上述透明基板上形成有光學膜且於該光學膜上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係於上述第1抗蝕劑膜描繪第1描繪圖案且進行顯影；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述光學膜，從而使上述透明基板之表面之一部分露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案且進行顯影，而使上述透明基板之表面之一部分及上述光學膜之表面之一部分分別露出；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩而對上述光學膜進行蝕刻減膜；及將上述第2抗蝕劑圖案剝離之步驟；且以上述第2抗蝕劑圖案中之上述透明基板之露出部分成為較上述第1抗蝕劑圖案中之上述透明基板之露出部分小特定量之尺寸之方式，對上述第2描繪圖案實施減尺寸。
- 一種光罩之製造方法，該光罩係於透明基板上具備包含透光部及具有所需之曝光之光透過率之半透光部之轉印用圖案者，且該製造方法之特徵在於包括：準備於上述透明基板上形成有光學膜且於該光學膜上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟； 第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第1抗蝕劑膜描繪第1描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部對應之部分之第1抗蝕劑膜；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述光學膜，而使上述透明基板之表面露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部及上述半透光部分別對應之部分之第2抗蝕劑膜；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩而對上述光學膜進行蝕刻減膜，從而形成具有所需之曝光之光透過率之半透光部；及將上述第2抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第2描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。
- 如請求項2之光罩之製造方法，其中對上述光學膜進行蝕刻減膜時之蝕刻速度以曝光之光之透過率變化量之形式為0.3~5.0%/min。
- 如請求項2之光罩之製造方法，其中進行上述蝕刻減膜之上述光學膜之膜厚為50~2000Å。
- 一種光罩之製造方法，該光罩係於透明基板上具備包含遮光部、透光部、及具有所需之曝光之光透過率之半透光部之轉印用圖案者，且該製造方法之特徵在於包括：準備於上述透明基板上積層有半透光膜、蝕刻終止膜、及遮光膜且於該積層上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第1抗蝕劑膜描繪 第1描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部對應之部分之第1抗蝕劑膜；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩，蝕刻去除上述遮光膜、上述蝕刻終止膜及上述半透光膜而使上述透明基板之表面露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部及上述半透光部分別對應之部分之第2抗蝕劑膜；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述遮光膜及上述蝕刻終止膜，進而對上述半透光膜進行蝕刻減膜而形成上述具有所需之曝光之光透過率之第1半透光部；及將上述第2抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第2描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。
- 如請求項5之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案進而具有第2半透光部，該第2半透光部具有與上述第1半透光部不同之曝光之光透過率，且該製造方法包括：將上述第2抗蝕劑圖案剝離之後重新塗佈第3抗蝕劑膜之步驟；第3抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第3抗蝕劑膜描繪第3描繪圖案且進行顯影，而去除與不同於上述1半透光部之第2半透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜；第3圖案化步驟，其係將上述第3抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述遮光膜及蝕刻終止膜，從而形成第2半透光部；及 將上述第3抗蝕劑圖案剝離之步驟。
- 如請求項5之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案進而具有第2半透光部，該第2半透光部具有與上述第1半透光部不同之曝光之光透過率，且該製造方法包括：將上述第2抗蝕劑圖案剝離之後，重新塗佈第3抗蝕劑膜之步驟；第3抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第3抗蝕劑膜描繪第3描繪圖案且進行顯影，而去除與第2半透光部、及上述透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜；第3圖案化步驟，其係將上述第3抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述遮光膜及蝕刻終止膜，進而對上述半透光膜進行蝕刻減膜而形成上述第2半透光部；及將上述第3抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第3描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者。
- 一種光罩之製造方法，該光罩係於透明基板上具備包含透光部及具有所需之曝光之光透過率之半透光部之轉印用圖案者，且該製造方法之特徵在於包括：準備於上述透明基板上積層有半透光膜、蝕刻終止膜、及遮光膜且於該積層上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟；第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第1抗蝕劑膜描繪第1描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部及上述半透光部對應之部分之第1抗蝕劑膜；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述遮光膜及上述蝕刻終止膜，從而使上述半透光膜之表面露出； 將上述第1抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部對應之部分之第2抗蝕劑膜；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述半透光膜，從而形成上述透光部；將上述第2抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第3抗蝕劑膜之步驟；第3抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第3抗蝕劑膜描繪第3描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部及上述半透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜；第3圖案化步驟，其係將上述第3抗蝕劑圖案作為遮罩而對上述半透光膜進行蝕刻減膜，從而形成具有所需之曝光之光透過率之第1半透光部；及將上述第3抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第2描繪圖案包含對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸增大特定量尺寸之加尺寸者；且上述第3描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者，並且係對與上述第1半透光部對應之部分實施相對於上述第1半透光部之設計尺寸增大特定量尺寸之加尺寸者。
- 一種光罩之製造方法，該光罩係於透明基板上具備包含透光部、具有所需之曝光之光透過率之第1半透光部及具有與該第1半透光部不同之所需之曝光之光透過率之第2半透光部之轉印用圖案者，該製造方法之特徵在於包括：準備於上述透明基板上積層有半透光膜、蝕刻終止膜、及遮光膜且於該積層上塗佈有第1抗蝕劑膜之光罩基板之步驟； 第1抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第1抗蝕劑膜描繪第1描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部、上述第1半透光部及上述第2半透光部對應之部分之第1抗蝕劑膜；第1圖案化步驟，其係將上述第1抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除與上述透光部、上述第1半透光部及上述第2半透光部對應之部分之上述遮光膜及上述蝕刻終止膜，從而使上述半透光膜之表面露出；將上述第1抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第2抗蝕劑膜之步驟；第2抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第2抗蝕劑膜描繪第2描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部對應之部分之第2抗蝕劑膜；第2圖案化步驟，其係將上述第2抗蝕劑圖案作為遮罩而蝕刻去除上述半透光膜，從而形成上述透光部；將上述第2抗蝕劑圖案剝離且重新塗佈第3抗蝕劑膜之步驟；第3抗蝕劑圖案形成步驟，其係藉由於上述第3抗蝕劑膜描繪第3描繪圖案且進行顯影，而去除與上述透光部及上述第1半透光部對應之部分之第3抗蝕劑膜；第3圖案化步驟，其係將上述第3抗蝕劑圖案作為遮罩，對與上述第1半透光部對應之部分之上述半透光膜進行蝕刻減膜而形成上述第1半透光部；及將上述第3抗蝕劑圖案剝離之步驟；且上述第2描繪圖案包含對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸增大特定量尺寸之加尺寸者，上述第3描繪圖案係對與上述透光部對應之部分實施相對於上述透光部之設計尺寸減小特定量尺寸之減尺寸者，並且係對與上述第1半透光部對應之部分實施相對於上述第1半透光部之設 計尺寸增大特定量尺寸之加尺寸者。
- 如請求項1至9中任一項之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案包含由上述遮光部包圍之上述透光部。
- 如請求項2至9中任一項之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案包含由上述半透光部包圍之上述透光部。
- 如請求項2至9中任一項之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案之半透光部包含第1半透光部、及曝光之光透過率高於上述第1半透光部之第2半透光部，上述轉印用圖案包含由上述1半透光部包圍之上述第2半透光部。
- 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：準備利用如請求項1至9中任一項之製造方法製造之光罩；及使用上述準備之光罩及曝光裝置，於被轉印體上轉印上述轉印用圖案。
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