JP2002023345A - プレートパターン形成方法及びその検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】プレートパターン検査において、擬似欠陥の検
出量を減らして、検査の工数を減らす。 【解決手段】複数のパターンを有する露光データパター
ンを使用した露光、現像により形成されるプレートパタ
ーン検査方法において、露光データパターン１８に含ま
れる複数のパターンに対して、重なった複数のパターン
を単一のパターンにする論理和処理と、その後パターン
の辺を第１の幅だけ細らせるマイナスサイジング処理
と、その後前記パターンの辺を第１の幅だけ太らせるプ
ラスサイジング処理とを有する微細パターン除去処理工
程を行って、基準データパターン２６を形成する。この
微細パターン除去処理を行うことにより、露光データパ
ターンに含まれている擬似欠陥の原因となる微細パター
ンＭＰが除去される。その後のパターン検査工程Ｓ２８
にて、プレートパターン２４と基準データパターン２６
とを比較して、両パターンの不一致を欠陥パターンとし
て検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス、
フラットディスプレイ、磁気デバイスなどのレチクルパ
ターン及びマスクパターンやデバイスパターン（総称し
てプレートパターン）を形成する場合の、プレートパタ
ーン形成方法及びその検査方法に関する。特に、本発明
は、パターン検査工程での擬似欠陥の検出頻度を下げて
検査工程の工数を少なくすることができるプレートパタ
ーン形成方法及びその検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス、ＰＤＰやＬＣＤなどの
フラットディスプレイ、磁気デバイスなどは、マスクパ
ターンをマスク基板上に形成し、そのマスクを利用して
ウエハやディスプレイ基板上に実際のデバイスパターン
を形成する。これらのマスクパターンやデバイスパター
ンの形成方法は、その微細度に応じて種々の組合せが存
在する。

【０００３】一例として、超ＬＳＩデバイスの場合で説
明すると、回路設計が終了した設計データを基にして、
レイアウトパターンがＣＡＤを利用して設計され、その
ＣＡＤデータが露光データに変換され、露光データに従
ってマスクパターンが形成される。このマスクパターン
の形成工程は、例えば露光データに従う電子ビーム露光
工程、現像工程及びその後のエッチング工程からなる。
その結果、レチクルと呼ばれる露光用マスクが形成され
る。この露光マスクを利用して、ステップ・アンド・リ
ピート方法により半導体ウエハ上にデバイスパターンが
形成される。将来、更に微細化が進むと、露光データに
従う電子ビーム露光により、直接半導体ウエハ上にデバ
イスパターンを描画することも提案されている。また、
従来の汎用デバイスでは、レチクルからステップ・アン
ド・リピート方法によりマスク基板が形成され、そのマ
スク基板を半導体ウエハに密着して露光することも行わ
れていた。

【０００４】このように、露光データからマスクパター
ンやデバイスパターン（総称してプレートパターン）が
形成される場合、形成されたプレートパターンが露光デ
ータの予定していたパターンと一致するか否かのパター
ン検査が必要である。露光、現像、及びエッチング工程
により形成されたプレートパターンと、最初に設計した
露光データのパターンとが不一致である場合は、欠陥と
して検出される。

【０００５】尚、一般的には、プレートパターンの検査
は、露光、現像して得られたレジストパターンを利用し
て下地層をエッチングすることにより形成されたパター
ンに対して行われる。但し、レジストを露光、現像した
段階で、レジストパターンに対してもパターン検査を行
うことも可能である。従って、露光、現像、エッチング
により形成されたプレートパターンも、露光、現像によ
り形成されたレジストのプレートパターンも、本明細書
のプレートパターン検査の対象となる。但し、以下の説
明では、露光、現像、エッチング後のプレートパターン
に対する検査方法を例にして説明する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のパターン検査工
程において、露光データによるパターンに、プレートパ
ターン形成上の解像限界を超えた抜きパターン（スリッ
ト）や残しパターン（微細パターン）が発生した場合、
露光、現像、エッチング工程を経たプレートパターンと
露光データによるパターンとの間に不一致が発生する。
つまり、解像限界を超えた抜きパターン（スリット）や
残しパターン（微細パターン）は、プレートパターンか
ら消失してしまい、パターン検査工程において欠陥とし
て検出される。このような解像限界を超えた抜きパター
ンや残しパターンは、本来積極的に形成することを予定
していないので、パターン検査工程でそのような不一致
が発生しても実際の欠陥とみなす必要はない。しかしな
がら、プレートパターンと露光データのパターンとを単
純に比較すると欠陥として検出される。そこで、このよ
うな現実には欠陥とみなす必要がない欠陥を擬似欠陥と
称している。

【０００７】従来のＬＳＩ製造工程でも、上記のような
デバイスの機能、特性上問題とならない擬似欠陥が検出
されていた。その場合、検出された欠陥パターンが擬似
欠陥か否かの確認作業を行うか、或いはパターン検査工
程での欠陥検出感度を、本来検出すべき欠陥パターンの
検出基準の許容範囲内で落とすことで擬似欠陥の数を減
らすことが行われている。

【０００８】しかしながら、近年において、超ＬＳＩや
大型のフラットディスプレイは、プレートパターンのパ
ターン量が膨大な数になり、パターン検査工程において
検出された欠陥パターンに対して、上記の擬似欠陥か否
かの確認を行うことは、膨大な作業工程を招いている。
また、デバイスの微細化が進んでくるに伴い、解像限界
に限りなく近い微細パターン（抜きパターンや残しパタ
ーン）が含まれるようになり、擬似欠陥に対応する解像
限界を超えた微細パターンとの差が少なくなっている。
その結果、欠陥検出感度を落としてしまうと、本来検出
すべき欠陥パターンまで検出できなくなり、従来の擬似
欠陥の数を減らすことは困難になっている。

【０００９】擬似欠陥として検出される微細パターン
は、種々の理由で生成される。例えば、レイアウト設計
において偶然形成され、設計者が露光、現像工程で消失
することを予想して、そのまま残している場合がある。
更に、抜きパターンである微細なスリットを除去するパ
ターン処理を行った結果、所定のパターンではかえって
微細パターンが新たに形成される場合もある。或いは、
近年の微細化に伴い、露光工程での近接露光効果を考慮
して、レイアウトパターンに光学パターン補正（Optica
l Pattern Correction)用の補正パターンを追加する場
合、この追加された補正パターンが擬似欠陥の原因とな
る場合がある。

【００１０】そこで、本発明の目的は、露光データによ
るパターンと、それに基づく露光、現像後のプレートパ
ターンとの間に発生するパターン不一致のうち、擬似欠
陥の数を減らすことができるプレートパターン形成方法
及びその検査方法を提供することにある。

【００１１】更に、本発明は、露光データのパターンか
ら不要な微細パターンを除去することができるプレート
パターン形成方法及びその検査方法を提供することにあ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の一つの側面は、複数のパターンを有する
露光データパターンを使用した露光、現像により形成さ
れるプレートパターン検査方法において、露光データパ
ターンに含まれる複数のパターンに対して、重なった複
数のパターンを単一のパターンにする論理和処理と、そ
の後パターンの辺を第１の幅だけ細らせるマイナスサイ
ジング処理と、その後前記パターンの辺を第１の幅だけ
太らせるプラスサイジング処理とを有する微細パターン
除去処理工程を行って、基準データパターンを形成す
る。この微細パターン除去処理を行うことにより、露光
データパターンに含まれている擬似欠陥の原因となる微
細パターンが除去される。そして、その後のパターン検
査工程にて、プレートパターンと基準データパターンと
を比較して、両パターンの不一致を欠陥パターンとして
検出する。露光データパターンから擬似欠陥の原因とな
る微細パターンが除去されているので、パターン検査工
程では、プレートパターンと基準データパターンとの間
の不一致は、本来の欠陥パターンに限定され、パターン
検査工程の工数を大幅に減らすことができる。

【００１３】本発明の第２の側面では、複数のパターン
を有する露光データパターンを使用した露光、現像によ
り形成されるプレートパターン形成方法において、最初
の露光データパターンに含まれる複数のパターンに対し
て、パターンの辺を第１の幅だけ太らせるプラスサイジ
ング処理と、重なった複数のパターンを単一のパターン
にするの論理和処理と、論理和処理したパターンの辺を
第１の幅だけ細らせるマイナスサイジング処理とを行っ
て第２の露光データパターンを生成する微細スリット除
去処理工程を実行する。更に、第２の露光データパター
ンに含まれる複数のパターンに対して、パターンの辺を
第２の幅だけ細らせるマイナスサイジング処理と、その
後前記パターンの辺を第２の幅だけ太らせるプラスサイ
ジング処理とを行って第３の露光データパターンを生成
する微細パターン除去処理工程を実行する。そして、上
記の第２または第３の露光データパターンに従って、プ
レートパターンが形成される。プレートパターンの検査
は、第３の露光データパターンを基準パターンに利用し
て、プレートパターンと比較することで行われる。

【００１４】プレートパターン形成のために行われる最
初の微細スリット除去処理工程において微細パターンが
発生する場合があるが、その微細パターンは次の微細パ
ターン除去処理工程により除去される。従って、基準パ
ターンには擬似欠陥の原因となる微細パターンが除かれ
る。その結果、パターン検査工程では、プレートパター
ンと基準データパターンとの間の不一致は、本来の欠陥
パターンに限定され、パターン検査工程の工数を大幅に
減らすことができる。尚、プレートパターンの形成は、
第２または第３の露光データパターンのいずれを利用し
ても良い。

【００１５】本発明の第３の側面では、複数のパターン
を有する露光データパターンを使用した露光、現像によ
り形成されるプレートパターン形成方法において、露
光、現像工程でのパターン変形に対応する補正パターン
を加えた最初の露光データパターンが生成される露光デ
ータ生成工程が実行される。この補正パターンを加えた
露光データパターンに従って、露光、現像によりプレー
トパターンが形成される。更に、この露光データパター
ンに含まれる複数のパターンに対して、重なった複数の
パターンを単一のパターンにする論理和処理と、その後
パターンの辺を第１の幅だけ細らせるマイナスサイジン
グ処理と、その後前記パターンの辺を第１の幅だけ太ら
せるプラスサイジング処理とを実行して基準パターンを
生成する微細パターン除去処理工程が実行される。この
基準パターンを利用して、プレートパターンの検査が行
われる。

【００１６】露光時の近接効果などに起因するパターン
変形を予想して微細な補正パターンが加えられても、そ
の微細パターンは次の微細パターン除去処理工程により
除去される。従って、基準パターンから擬似欠陥の原因
となる微細パターンが除かれる。その結果、パターン検
査工程での擬似欠陥の数を減らすことができる。

【００１７】本発明の第４の側面では、複数のパターン
を有する露光データパターンを使用した露光、現像によ
り形成されるプレートパターン形成方法において、露
光、現像工程でのパターン変形に対応する補正パターン
を加えた最初の露光データパターンが生成される露光デ
ータ生成工程が実行される。この補正パターンを加えた
露光データパターンに従って、露光、現像によりプレー
トパターンが形成される。更に、この露光データパター
ンに含まれる複数のパターンに対して、前記追加された
補正パターンのサイズを縮小する補正パターン縮小処理
工程を実行して、基準パターンを生成する。この基準パ
ターンを利用して、プレートパターンの検査が行われ
る。

【００１８】プレートパターンにおいて補正パターンが
縮小した状態で残っていても、検査で利用される基準パ
ターンにも同様に補正パターンが縮小しているので、両
者の比較により補正パターンによる擬似欠陥が検出され
ることは少ない。

【００１９】本発明の第５の側面では、複数のパターン
を有する露光データパターンを使用した露光、現像によ
り形成されるプレートパターン形成方法において、最初
の露光データパターンに含まれる複数のパターンに対し
て、露光、現像工程でのパターン変形に対応して補正を
加える補正パターン処理工程を実行する。この補正パタ
ーン処理工程により生成された第２の露光データパター
ンに従って、プレートパターンが形成される。この第２
の露光データを基準パターンに利用して、プレートパタ
ーンの検査が行われる。一方、上記最初の露光データパ
ターンと第２の露光データパターンとの差分を抽出する
差分抽出処理工程が行われる。そして、上記プレートパ
ターン検査工程により検出された欠陥データから、上記
差分抽出処理工程で抽出された差分パターンの位置と一
致するデータが擬似欠陥データとして除去される。

【００２０】補正パターン処理により生じた擬似欠陥の
原因となる微細パターンは、最初の露光データパターン
と第２の露光データパターン（又は基準パターン）との
差分パターンの位置に存在する場合が多いので、検査工
程で検出された欠陥データから差分パターン位置のデー
タを除去することで、多くの擬似欠陥を取り除くことが
できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態例を説明する。しかしながら、かかる実施の形
態例が、本発明の技術的範囲を限定するものではない。

【００２２】図１は、擬似欠陥を説明する図である。図
１Ａ、Ｂは、２つのパターンＥ１，Ｅ２が解像限界より
大きいギャップｄ１を介して対抗する場合である。破線
が露光データによるパターンを、実線がその露光データ
により露光、現像、エッチングされたプレートパターン
をそれぞれ示す。ギャップｄ１が解像限界より大きいの
で、このギャップｄ１はレイアウト設計者が意図して設
けたものであり、露光、現像、エッチング後のプレート
パターン（実線）もギャップを維持することが要求され
る。

【００２３】その場合、図１Ａでは、実線のプレートパ
ターンは、ギャップｄ１の位置にギャップが存在するの
で、検査工程で良品として判断される。しかし、図１Ｂ
では、実線のプレートパターンは、ギャップがなくなっ
てしまっているので、検査工程では欠陥として判断され
る。

【００２４】一方、図１Ｃ，Ｄは、パターンＥ３が解像
限界より小さいスリットＳＬを有する場合である。この
パターンＥ３は、例えば図中一点鎖線で示したような配
線パスに一定の幅を与えて形成された配線パターンであ
る。レイアウト設計において、配線パスに一定の幅を与
えて配線パターンＥ３が形成されたとき、デバイスの機
能上存在してもしなくてもよいスリットＳＬが生成され
る場合がある。かかるスリットＳＬは、解像限界より小
さく、露光、現像、エッチング後に必ずしも残る必要が
ない。つまり、スリットＳＬは、実線のプレートパター
ンに残っても残らなくても良いのである。

【００２５】その場合、図１Ｃに示されるように、実線
のプレートパターンがスリットＳＬを有する場合は、破
線の露光データパターンと比較する検査工程で良品と判
断される。一方、図１Ｄに示されるように、実線のプレ
ートパターンからスリットが消失している場合は、検査
工程で破線の露光データパターンと不一致があるので、
欠陥として検出される。しかし、上記の通り、デバイス
の機能上はスリットＳＬが消失しても良いので、この欠
陥は、現実には問題とならない擬似欠陥である。従来の
プレートパターン検査工程では、この擬似欠陥を現実の
欠陥と区別する必要があり、その作業工程が膨大になっ
ている。

【００２６】擬似欠陥の原因となる微細パターンは、微
細なスリットに加えて、微細なライン状パターンも含ま
れる。例えば、後述する図７に示される微細なライン状
パターンＭＰ２，ＭＰ３も、露光、現像、エッチングの
結果消失するので、露光データパターンとの比較による
パターン検査では、擬似欠陥を発生する場合がある。

【００２７】図２は、第１の実施の形態例におけるプレ
ートパターンの形成方法と検査方法を示すフローチャー
ト図である。ここでは、プレートパターンがレチクルの
パターンの例について説明する。ＬＳＩデバイスの論理
設計が完了すると、コンピュータを利用してレイアウト
設計が行われる。レイアウト設計の結果、例えばＧＤＳ
IIフォーマット形式のＣＡＤデータ１０が形成される。
このCADデータ１０は、一種のベクトルデータであり、
マスクパターン変換処理Ｓ１２により、露光データ１４
に変換される。露光データ１４は、例えばMEBES用の露
光データであり（MEBESは露光装置名）、パターンの原
点座標と幅及び高さとを有し、パターン形状を特定でき
るデータであり、露光装置に適合したデータフォーマッ
トである。

【００２８】このレイアウト設計により形成された露光
データ１４には、図１に示したようなスリットを有する
パターンが含まれる場合がある。このような解像限度よ
り小さいスリットは、擬似欠陥の原因になる。そこで、
図２に示される通り、露光データ１４に対してスリット
除去処理Ｓ１６が行われ、第２の露光データ１８が形成
される。

【００２９】図３は、スリット除去処理を説明する図で
ある。図３Ａに示される通り、２つのパターンＥ１０，
Ｅ１２がスリットＳＬを隔てて配置されているとする。
この例は、図１Ｃ、Ｄに類似し、但し露光データが２つ
のパターンで構成されているところが相違する。このス
リットＳＬは、デバイス機能上必ずしも必要ではなく、
解像限界より小さい。

【００３０】図３のスリット処理では、最初に各パター
ンを太らせるプラスサイジング処理Ｓ１６１が行われ、
図３Ｂに示す通り、破線のパターンが互いに重なり合っ
た実線のパターンＥ１０、Ｅ１２になる。その結果、も
とのパターンＥ１２，Ｅ１２の間に存在していたスリッ
トＳＬが埋められる。つまり、プラスサイジング処理Ｓ
１６１では、解像限界より小さくスリットＳＬの１／２
幅以上の幅だけ、パターンＥ１０，Ｅ１２を太らせる処
理が行われる。そこで、重なり合ったパターンに対し
て、重なりをなくし、単一のパターンＥ１４にするＯＲ
論理処理Ｓ１６２が行われる。その結果、露光データ
は、２つのパターンＥ１０，Ｅ１２からなるデータか
ら、図３Ｃの１つのパターンＥ１４からなるデータにな
る。

【００３１】一般に、露光データは、数十から数百の頂
点からなる多角形を１つのパターンと定義することがで
きる。従って、その頂点数の範囲内であれば、プラスサ
イジングにより重なり合った複数のパターンを単一のパ
ターンに変更することは可能である。

【００３２】そして、図３ＣのパターンＥ１４に対し
て、パターンを細らせるダウンサイジング処理Ｓ１６３
が行われると、パターンＥ１４の各辺が後退して、図３
Ａの２つのパターンE10,E12の間のスリットＳＬを除去
したパターンＥ１４が得られる。このダウンサイジング
処理の幅は、上記プラスサイジング処理の幅と同じであ
ることが好ましい。そうすることで、パターンＥ１４
は、元のパターンＥ１０，Ｅ１２と同じパターンであっ
て、スリットが埋められたパターンになる。

【００３３】上記のプラスサイジング処理とダウンサイ
ジング処理では、露光、現像、エッチングの解像限界よ
り小さい所定の幅だけパターンを太らせたり、細らせた
りする。それにより、擬似欠陥の原因となる不必要なス
リットＳＬを除去し、且つ、解像限界より大きく除去す
ることが許されないスリットはそのまま残すことができ
る。

【００３４】図２に戻り、図３で示したスリット除去処
理Ｓ１６が行われた結果、第２の露光データ１８が形成
される。しかしながら、この第２の露光データ１８に
は、上記のスリット除去処理の結果、別のところに擬似
欠陥の原因となる微細パターンが形成される場合があ
る。そこで、図２では、第２の露光データ１８に対し
て、微細パターン除去処理Ｓ２０が行われ、第３の露光
データ２０が形成される。

【００３５】図４は、スリット除去処理の問題点を示す
図である。図４の例は、図４Ａに示す通り、２つの矩形
パターンＥ２０，Ｅ２２が、スリットＳＬを隔てて且つ
上下方向にずれて配置されている。このようなパターン
が存在する場合、図３で示したスリット除去処理を行う
と、スリットは埋められるが、逆に擬似欠陥の原因とな
る微細パターンが形成されるという副作用を伴う。

【００３６】図４Ａの状態で、スリットＳＬの幅分のプ
ラスサイジング処理Ｓ１６１を行うと、図４Ｂに示され
る通り、両パターンＥ２０，Ｅ２２が共に太り、間のス
リットＳＬの部分で重なり合う。そこで、ＯＲ論理処理
Ｓ１６２を行うと、重なり合った２つのパターンＥ２
０，Ｅ２２が一つのパターンＥ２４に変換される。つま
り、重なりが除かれ、単一のパターンＥ２４として定義
される。そこで、スリットＳＬの幅分のダウンサイジン
グ処理Ｓ１６３を行うことで、パターンＥ２４の辺が後
退して細くなる。その結果、図４Ｄに示される通り、新
たに微細パターンＭＰが形成される。

【００３７】この微細パターンＭＰは、その線幅が解像
限界よりも小さい場合は、露光、現像によって形成され
るプレートパターンには存在しない場合がある。その結
果、スリット除去処理が行われた第２の露光データ１８
を利用して、露光、現像、エッチングによりレチクルパ
ターンを形成すると、プレートパターン検査工程でこの
微細パターンＭＰの部分が擬似欠陥として検出される。
つまり、擬似欠陥の原因となるスリットを除去する処理
Ｓ１６を行った結果、今度は、図２中の１９に示される
ように、擬似欠陥の原因となる別の微細パターンＭＰが
形成されたのである。

【００３８】そこで、図２に示される通り、本実施の形
態例では、第２の露光データ１８に対して微細パターン
除去処理Ｓ２０が行われる。図５は、微細パターン除去
処理を説明する図である。図５Ａには、図４Ｄのパター
ンが示されている。仮に、図５Ａに示される通り、別々
のパターンＥ２５，Ｅ２６，ＭＰで構成されている場合
は、最初に、ＯＲ論理処理Ｓ２０１を行って、一つのパ
ターンＥ２４に再設定される。但し、図４のスリット除
去処理におけるＯＲ論理処理Ｓ１６２によって、既に、
図４Ｃに示されるような単一のパターンＥ２４に再設定
されていた場合は、図５でのＯＲ論理処理Ｓ２０１は必
要ない。

【００３９】次に、図５Ｂに示される単一のパターンＥ
２４は、微細パターンＭＰの線幅分だけマイナスサイジ
ング処理Ｓ２０２が行われ、図５Ｃに示すように微細パ
ターンＭＰを消失させる。その後、同じ幅だけプラスサ
イジング処理Ｓ２０３を行うことで、図５Ｄに示される
通り、微細パターンＭＰが除かれた２つのパターンＥ２
５，Ｅ２６に戻すことができる。この図５Ｄのパターン
は、図４Ａのパターンと同じである。上記のマイナスサ
イジング処理とプラスサイジング処理の線幅は、解像限
界より小さい微細パターンＭＰの線幅以上であって、解
像限界より大きい微細パターンを除去しない程度の線幅
であることが必要である。これにより、本来必要な微細
パターンは消失せず、不必要であって擬似欠陥の原因と
なる微細パターンは消失することになる。

【００４０】図２に戻り、図４Ａに示されたようなパタ
ーンに対しては、スリット除去処理Ｓ１６でかえって擬
似欠陥の原因となる微細パターンＭＰが形成されるが、
微細パターン除去処理Ｓ２０によりその微細パターンＭ
Ｐが除去され、もとのパターンに戻される。そこで、微
細パターンが除去された第３の露光データ２０を利用し
て露光、現像、エッチングＳ２２を行うことで、レチク
ル基板上にプレートパターン２４が形成される。

【００４１】一方、パターン検査工程Ｓ２８では、実際
に形成されたプレートパターン２４と、そのプレートパ
ターン形成に使用された露光データが基準データパター
ン２６として使用される。図２の実施の形態例では、従
来擬似欠陥の原因となる解像限界以下の微細なスリット
や微細なパターンが、基準データパターンから除外され
ているので、実際に露光、現像、エッチングにより形成
されるプレートパターン２４とほぼ同じ基準データパタ
ーン２６が利用され、従来の擬似欠陥の数が大幅に減少
することになる。パターン検査工程Ｓ２８で良品と判定
されると、そのレチクルのパターンが、半導体ウエハに
ステップ・アンド・リピート法により露光される（Ｓ３
０）。

【００４２】尚、一般的には、露光データ２０は、デー
タ変換によりパターン検査用の基準データパターンに変
換される。そのような変換処理は、パターン検査装置内
にインストールされるコンピュータプログラムによって
実現される。

【００４３】図６は、第１の実施の形態における変形例
のフローチャート図である。図２のフローチャート図で
は、最初の露光データ１４にスリット除去処理Ｓ１６と
微細パターン除去処理Ｓ２０とが行われた第３の露光デ
ータ２０を利用して、プレートパターン２４が形成され
る。それに対して、図６の例は、最初の露光データ１４
にスリット除去処理Ｓ１６を行って得られた第２の露光
データ１８を使用して、露光、現像、エッチングを行い
プレートパターン２４を形成している。その理由は、微
細パターン除去処理を行わなくても、露光、現像、エッ
チングにより解像限界より小さい微細パターンＭＰは形
成されないからである。

【００４４】しかし、パターン検査で使用される基準デ
ータパターン２６は、現実のプレートパターン２４にで
きるだけ近いデータである必要がある。従って、図６の
例では、第２の露光データ１８に対して、微細パターン
除去処理Ｓ２０を行って、検査用の基準データパターン
２６を形成している。微細パターン除去処理Ｓ２０は、
図５で説明した通りである。その結果、検査用の基準デ
ータパターン２６は、解像限界より小さい微細パターン
ＭＰが除かれ、プレートパターン２４に近いパターンに
なっている。従って、パターン検査工程Ｓ２８で、微細
パターンＭＰを原因とする擬似欠陥の検出量を減らすこ
とができる。

【００４５】図７は、擬似欠陥の原因となる微細パター
ンが含まれた露光データのパターン例を示す図である。
図７Ａは、後述するＯＰＣ補正（Optical Pattern Corr
ection）により正規のパターンＥ３０に補正パターンＥ
３１，Ｅ３２が追加された例である。その場合、図６の
スリット除去処理Ｓ１６における何らかの要因で、微細
パターンＭＰ２が追加されてしまう場合がある。この微
細パターンＭＰ２は、現実のプレートパターンを形成す
る露光、現像、エッチング段階では、解像限界により形
成されず、右側のプレートパターンになる。図７Ｂは、
別の例であり、正規のパターンＥ３０にスリット除去処
理Ｓ１６などの何らかの処理により、微細パターンＭＰ
３が形成されてしまっている。この場合も、微細パター
ンＭＰ３は露光、現像されず、右側のプレートパターン
に示されるようになり、パターン検査工程で擬似欠陥と
して検出される。

【００４６】図７に示したような予期しない微細パター
ンＭＰが露光データパターンに含まれてしまうことがあ
る。その場合、図２に示した微細パターン除去工程Ｓ２
０を実行した第３の露光データ２０を利用して、露光、
現像をし、マスク検査の基準データパターンに利用すれ
ば、微細パターンＭＰに起因する擬似欠陥を減らすこと
ができる。図６に示した方法でも、同様に擬似欠陥を減
らすことができる。

【００４７】図８は、第２の実施の形態例におけるプレ
ートパターン形成方法のフローチャート図である。露光
データを利用して電子ビーム露光によりレチクル上のプ
レートパターンを形成する場合、近接露光効果などによ
り、必ずしも露光データのパターンと同じプレートパタ
ーンが形成されるとは限らない。前述した通り、解像限
界以下の微細パターンであれば、露光量が不足して現像
されない場合が多い。また、矩形パターンの角部も、現
実のプレートパターンでは丸みを帯びてしまう。それ以
外にも、近接露光効果が原因でパターン間の疎密に応じ
てパターン変形が発生する。

【００４８】このようなパターン変形は、従来において
はパターン寸法に対して相対的に十分許容できる範囲で
あったが、近年においては、そのパターン変形量が許容
しがたい範囲になってきている。そのようなパターン変
形を改善するために、予め露光データのパターンに、パ
ターン変形に見合った補正パターンを追加したり、露光
データパターンを変形させておくことが行われるように
なってきている。例えば、図８の露光データ１４の左側
に示したパターン２３では、もとの矩形パターンＥ３０
の両角部に補正パターンＥ３１，Ｅ３２が追加され、プ
レートパターン２４の角部が丸みを帯びるのを防止して
いる。このような補正は、ＯＰＣ補正と呼ばれている。

【００４９】上記のようなＯＰＣ補正は、一般にレイア
ウト設計の段階で設計者が意図して行う場合が多い。即
ち、図８の工程Ｓ８に示される通り、論理設計データを
基に行われるレイアウト設計工程で、同時にＯＰＣ補正
パターンが追加される。その理由は、レイアウト設計に
よるマスクパターンの作成とパターン補正を同一の処理
工程で行うことにより、設計データに含まれるパターン
特性情報などを考慮してパターン生成処理を効率的に行
うことができるからである。従って、レイアウト設計に
より生成されたＣＡＤデータ１０は、既にパターン２３
に示されるように、補正パターンＥ３１、Ｅ３２が追加
されている。このＣＡＤデータ１０は、通常のマスクパ
ターン変換処理により、露光装置が露光工程で使用でき
るフォーマットに変換される。この変換された露光デー
タ１４も、パターン２３のように補正パターンＥ３１，
Ｅ３２が追加されている。

【００５０】しかしながら、露光データ１４を利用して
露光、現像、エッチング工程Ｓ２２により形成されるプ
レートパターン２４には、補正パターンは形成されず、
もともとの矩形パターンＥ３６がその角部をシャープに
した状態で形成される。従って、本実施の形態では、露
光データ１４のパターンに対して、微細パターン除去処
理Ｓ２０を行うことにより、補正パターンＥ３１，Ｅ３
２を削除して、プレートパターン２４にできるだけ近い
検査用の基準データパターン２６を形成する。

【００５１】図９は、補正パターンが追加された露光デ
ータに対する微細パターン除去処理を示す図である。図
９Ａに、図８のパターン２３の例が示される。即ち、も
との矩形パターンＥ３０の角部に、近接露光効果などの
原因で角部が丸く変形するのを防止するための補正パタ
ーンＥ３１，Ｅ３２が追加されている。

【００５２】この補正処理された露光データパターンに
対して、重なり部分をなくして単一のパターンＥ３４に
するＯＲ論理処理Ｓ２０１が実行される。その結果、図
９Ｂに示されるように、３つのパターンＥ３０，Ｅ３
１，Ｅ３２が単一のパターンＥ３４に変更される。そこ
で、所定幅のマイナスサイジング処理Ｓ２０２を行うこ
とにより、図９Ｃに示される通りパターンＥ３４の各辺
が、所定幅細くなる。その処理の過程で、補正パターン
Ｅ３１，Ｅ３２は消失する。補正パターンＥ３１，３２
を消失させるためには、補正パターンの幅より大きいマ
イナスサイジングを行えば良い。そして、このマイナス
サイジング処理では、正規のパターンが消失することが
ないように、細らせる量が所定値未満に制御される。

【００５３】そして、細くなったパターンＥ３５に対し
て、同じ幅だけプラスサイジング処理Ｓ２０３を行うこ
とで、図９Ｄに示す通り、角部に補正パターンが存在し
ないプレートパターン２４に類似するパターンＥ３６が
形成される。このパターンが、図８に示される通り、パ
ターン検査工程での基準データパターン２６として利用
される。従って、パターン検査工程Ｓ２８では、補正パ
ターンに起因する擬似欠陥が検出されることがなくな
る。

【００５４】図１０は、第３の実施の形態におけるプレ
ートパターン形成方法のフローチャート図である。図８
と同じ工程には同じ引用番号を付している。図１０の例
では、露光データ１４からレチクル上にプレートパター
ン２４を形成するときに発生するパターン変形と、レチ
クルを利用してウエハー上に形成するときに発生するパ
ターン変形の両方を考慮して、補正パターンＥ３１，Ｅ
３２が形成されている。従って、この補正パターンＥ３
１，Ｅ３２は、もとの矩形パターンＥ３０の角部に配置
されるが、そのサイズは、図８の場合よりも大きい。

【００５５】従って、補正パターンＥ３１，Ｅ３２が追
加された露光データ１４により露光、現像、エッチング
工程Ｓ２２により形成されるプレートパターン２４に
は、縮小され且つ丸みを帯びた補正パターンＥ３１Ｓ，
Ｅ３２ＳがもとのパターンＥ３０の角部に残されたまま
になる。そして、このプレートパターン２４を有するレ
チクルを利用して、ステップ・アンド・リピート方式で
ウエハー上に露光、現像、エッチングすることで、デバ
イスパターン３０は、上記補正パターンＥ３１Ｓ，Ｅ３
２Ｓが消滅して、角部がシャープなパターンＥ３０にな
る。

【００５６】上記の様に、補正パターンなどの微細なパ
ターンは、露光、現像、エッチング工程を経ると、角が
丸まって全体として縮小したパターンになりやすい。パ
ターンの角部も同様に丸まったパターンになりやすい。
それに比較して、大きなパターンの長辺は、露光量の制
御等によりほぼ露光データパターンと同じ形状のプレー
トパターンにすることができる。従って、上記の様に、
露光データパターン２３に補正パターンＥ３１，Ｅ３２
をパターンＥ３０の角部に形成して、レチクルのプレー
トパターン２４に縮小はされているが何らかの補正パタ
ーンＥ３１Ｓ，Ｅ３２Ｓを形成する。この補正パターン
の存在により、更にウエハー上への露光、現像、エッチ
ングを経ても、パターンＥ３０の角部が丸くならないシ
ャープなパターンの形成が可能になる。

【００５７】本実施の形態では、パターン検査Ｓ２８に
おいて使用される基準データパターン２６を、できるだ
けプレートパターン２４に近づけるために、露光データ
Ｓ１４に対して、補正パターン縮小処理Ｓ２５を行う。
その結果、基準データパターン２６も、もとのパターン
Ｅ３０の角部に縮小された補正パターンＥ３１Ｓ，Ｅ３
２Ｓが形成される。従って、この基準データパターン２
６を利用してパターン検査Ｓ２８を行うと、補正パター
ンに起因する擬似欠陥の量を減らすことができる。

【００５８】図１１は、補正パターン縮小処理を説明す
るための図である。図１１Ａに、図１０のパターン２３
の例が示される。即ち、もとの矩形パターンＥ３０の角
部に、近接露光効果などの原因で角部が丸く変形するの
を防止するための補正パターンＥ３１，Ｅ３２が追加さ
れている。

【００５９】図１１Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各処理は、図９に
示した処理と同じである。即ち、図１１Ａの補正処理さ
れた露光データパターンに対して、重なり部分をなくし
て単一のパターンＥ３４にするＯＲ論理処理Ｓ２０１が
実行される。その結果、図１１Ｂに示されるように、３
つのパターンＥ３０，Ｅ３１，Ｅ３２が単一のパターン
Ｅ３４に変更される。そこで、所定幅のマイナスサイジ
ング処理Ｓ２０２を行うことにより、図１１Ｃに示され
る通りパターンＥ３４の各辺が、所定幅細くなる。その
処理の過程で、補正パターンＥ３１，Ｅ３２は消失す
る。補正パターンＥ３１，３２を消失させるためには、
補正パターンの幅より大きいマイナスサイジングを行え
ば良い。このマイナスサイジング処理Ｓ２０２では、正
規のパターンが消失することがないように、細らせる量
が所定値未満に制御される。そして、細くなったパター
ンＥ３５に対して、同じ幅だけプラスサイジング処理Ｓ
２０３を行うことで、図１１Ｄに示す通り、角部に補正
パターンが存在しないプレートパターン２４に類似する
パターンＥ３６が形成される。

【００６０】一方、図１１Ａの３つのパターンＥ３０，
Ｅ３１，Ｅ３２に対して、補正パターンＥ３１，Ｅ３２
が消失しない程度の幅で、マイナスサイジング処理Ｓ２
０４を行う。その結果、角部の補正パターンは、図１１
Ｅに示されるように縮小されたパターンＥ３１Ｓ，Ｅ３
２Ｓになる。また、元のパターンＥ３０もＥ３７の通り
縮小される。そこで、図１１Ｄのパターンと図１１Ｅの
パターンとをＯＲ論理処理Ｓ２０５を行うことで、図１
１Ｆに示される通り、もとのパターンＥ３０の角部に縮
小された補正パターンＥ３１Ｓ，Ｅ３２Ｓを有する基準
データパターン２６が形成される。

【００６１】この図１１Ｆの基準データパターン２６
は、図１０に示したプレートパターン２４に類似するパ
ターンであるので、図１０に示される通り、パターン検
査工程Ｓ２８でレチクル上のプレートパターン２４と比
較されても、補正パターンＥ３１Ｓ，Ｅ３２Ｓに起因す
る擬似欠陥が検出されることがなくなる。

【００６２】尚、ウエハー基板上に形成されるデバイス
パターン３０を検査する場合は、図１１Ｄのデータパタ
ーンが基準パターンとして利用することが擬似欠陥を減
らすためには好ましい。

【００６３】図１２は、第４の実施の形態例におけるプ
レートパターン検査方法を示すフローチャート図であ
る。第４の実施の形態例では、ＣＡＤデータ１０をフォ
ーマット変換して求められる第１の露光データ１４と、
それにパターン補正処理Ｓ１５を行って求められる第２
の露光データ２０との差分を抽出する差分抽出処理Ｓ３
４が行われ、それにより生成された差分パターンデータ
３６が、擬似欠陥を除去するために利用される。具体的
には、差分パターンデータ３６は、第１及び第２の露光
データ１４，２０の差分の位置データを含む。そして、
パターン検査Ｓ２８で検出された欠陥パターンデータ２
９から、差分パターンの位置と一致する欠陥パターンを
擬似欠陥と判断して、除外する処理を行う（Ｓ３８）。
そして、その除外された第２の欠陥パターンデータ４０
が、パターン検査結果として取り扱われる。

【００６４】上記のパターン補正処理Ｓ１５は、種々の
処理が考えられる。例えば、図２の第１の実施の形態に
示されたスリット除去処理Ｓ１６と微細パターン除去処
理Ｓ２０の両方の処理である。スリット除去処理Ｓ１６
により擬似欠陥の原因になる微細なスリットを除去し、
微細パターン除去処理Ｓ２０により、新たに発生し、擬
似欠陥の原因になる微細パターンが除去される。しかし
ながら、多数のパターンの組合せから、上記２つの処理
により新たに擬似欠陥の原因になる微細なパターンが生
成される可能性がある。

【００６５】そのような微細なパターンは、露光、現
像、エッチングにより形成されるプレートパターン２４
には形成されない。一方、第２の露光データ２０から変
換して求められた基準データパターン２６には、何らか
の原因で発生した微細パターンＭＰ５が残っている。従
って、そのような基準データパターン２６とプレートパ
ターン２４とを比較するパターン検査工程Ｓ２８で検出
される欠陥パターンには、微細パターンＭＰ５に起因す
る擬似欠陥が含まれる。

【００６６】そこで、パターン補正処理前の第１の露光
データ１４とパターン補正処理後の第２の露光データ２
０との差分抽出を行い、その差分パターンの位置データ
を利用して、第１の欠陥パターンデータ２９から擬似欠
陥を除外する。抽出された差分パターンは、パターン補
正処理により消失した微細スリットや微細パターンに加
えて、パターン補正処理により新たに発生した微細スリ
ットや微細パターンが含まれる。

【００６７】前者のパターンに起因する擬似欠陥は、パ
ターン検査工程Ｓ２８では検出されない。なぜなら、第
２の露光データ２０には前者のパターンが含まれていな
いので、基準データパターン２６にも含まれず、プレー
トパターン２４と一致するからである。

【００６８】一方、後者のパターンに起因する擬似欠陥
は、パターン検査工程Ｓ２８で検出される。しかし、そ
の擬似欠陥の原因となる微細パターンの位置が差分パタ
ーンデータに含まれているので、パターン検査工程で検
出された欠陥パターンデータ２９のうち、差分パターン
の位置と一致するものを擬似欠陥として取り除くことが
可能である。従って、この第２の欠陥パターンデータ４
０からは、多くの擬似欠陥が除外されており、その欠陥
パターンデータ４０の分析工数を大幅に減らすことがで
きる。

【００６９】図１２のパターン補正処理Ｓ１５は、スリ
ット除去処理Ｓ１６のみであっても良い。または、微細
パターン除去処理Ｓ２０のみであっても良い。つまり、
何らかの処理により予め判明している擬似欠陥の原因パ
ターンを除去する処理が行われた結果、副次的に予期せ
ぬ別の擬似欠陥の原因パターンが生成されても、図１２
の差分パターンデータを利用することにより、かかる擬
似欠陥を欠陥パターンデータ２９から減らすことができ
る。

【００７０】以上の実施の形態を以下の付記にまとめ
る。

【００７１】（付記１）複数のパターンを有する露光デ
ータパターンを使用した露光により形成されるプレート
パターンの検査方法において、前記露光データパターン
に含まれる複数のパターンに対して、重なり合う複数の
パターンを単一のパターンにする論理和処理と、その後
パターンの辺を第１の幅だけ細らせるマイナスサイジン
グ処理と、その後前記パターンの辺を第１の幅だけ太ら
せるプラスサイジング処理とを行って、基準データパタ
ーンを形成する微細パターン除去処理工程と、前記プレ
ートパターンと前記基準データパターンとを比較して、
両パターンの不一致を欠陥パターンとして検出するパタ
ーン検査工程とを有することを特徴とするプレートパタ
ーン検査方法。

【００７２】（付記２）付記１において、前記第１の幅
は、前記プレートパターン形成における解像限界値より
も小さいことを特徴とするプレートパターン検査方法。

【００７３】（付記３）複数のパターンを有する露光デ
ータパターンを使用した露光により形成されるプレート
パターン形成方法において、最初の露光データパターン
に含まれる複数のパターンに対して、パターンの辺を第
１の幅だけ太らせるプラスサイジング処理と、重なった
複数のパターンを単一のパターンにするの論理和処理
と、論理和処理したパターンの辺を第１の幅だけ細らせ
るマイナスサイジング処理とを行って第２の露光データ
パターンを生成する微細スリット除去処理工程と、第２
の露光データパターンに含まれる複数のパターンに対し
て、パターンの辺を第２の幅だけ細らせるマイナスサイ
ジング処理と、その後前記パターンの辺を第２の幅だけ
太らせるプラスサイジング処理とを行って第３の露光デ
ータパターンを生成する微細パターン除去処理工程と、
前記第２または第３の露光データパターンに従って前記
プレートパターンを形成するプレートパターン形成工程
と、前記プレートパターンと前記第３の露光データパタ
ーンとを比較して、両パターンの不一致を欠陥パターン
として検出するパターン検査工程とを有することを特徴
とするプレートパターン形成方法。

【００７４】（付記４）付記３において、前記第１の幅
及び第２の幅が、前記プレートパターン形成の解像限界
値より小さいことを特徴とするプレートパターン形成方
法。

【００７５】（付記５）複数のパターンを有する露光デ
ータパターンを使用した露光により形成されるプレート
パターン形成方法において、露光、現像工程でのパター
ン変形に対応する補正パターンを加えた最初の露光デー
タパターンが生成される露光データ生成工程と、当該補
正パターンを加えた露光データパターンに従って、露光
によりプレートパターンを形成するプレートパターン形
成工程と、前記最初の露光データパターンに含まれる複
数のパターンに対して、重なった複数のパターンを単一
のパターンにする論理和処理と、その後パターンの辺を
第１の幅だけ細らせるマイナスサイジング処理と、その
後前記パターンの辺を第１の幅だけ太らせるプラスサイ
ジング処理とを実行して基準パターンを生成する微細パ
ターン除去処理工程と、前記プレートパターンと前記基
準データパターンとを比較して、両パターンの不一致を
欠陥パターンとして検出するパターン検査工程とを有す
ることを特徴とするプレートパターン形成方法。

【００７６】（付記６）付記５において、前記第１の幅
が、前記プレートパターン形成の解像限界値より小さ
く、前記補正パターン幅より大きいことを特徴とするプ
レートパターン形成方法。

【００７７】（付記７）複数のパターンを有する露光デ
ータパターンを使用した露光により形成されるプレート
パターン形成方法において、露光、現像工程でのパター
ン変形に対応する補正パターンを加えた最初の露光デー
タパターンが生成される露光データ生成工程と、当該補
正パターンを加えた露光データパターンに従って、露光
によりプレートパターンを形成するプレートパターン形
成工程と、前記最初の露光データパターンに含まれる複
数のパターンに対して、前記追加された補正パターンの
サイズを縮小して、基準パターンを生成する補正パター
ン縮小処理工程と、前記プレートパターンと前記基準デ
ータパターンとを比較して、両パターンの不一致を欠陥
パターンとして検出するパターン検査工程とを有するこ
とを特徴とするプレートパターン形成方法。

【００７８】（付記８） 付記７において、前記補正パ
ターン縮小処理工程は、前記最初の露光データパターン
に含まれる複数のパターンに対して、重なった複数のパ
ターンを単一のパターンにする論理和処理と、その後パ
ターンの辺を第１の幅だけ細らせるマイナスサイジング
処理と、その後前記パターンの辺を第１の幅だけ太らせ
るプラスサイジング処理とを実行して第１の中間パター
ンを生成する第１の工程と、前記最初の露光データパタ
ーンに含まれる複数のパターンに対して、前記第１の幅
より小さい第２の幅だけ細らせるマイナスサイジング処
理と、その後前記パターンの辺を第２の幅だけ太らせる
プラスサイジング処理とを実行して第２の中間パターン
を生成する第２の工程と、前記第１の中間パターンと第
２の中間パターンとを論理和処理して、前記基準パター
ンを形成する第３の工程とを有することを特徴とするプ
レートパターン形成方法。

【００７９】（付記９）付記８において、前記第１の幅
は、前記プレートパターン形成の解像限界値より小さく
且つ前記補正パターンより大きく、前記第２の幅は、前
記補正パターンより小さいことを特徴とするプレートパ
ターン形成方法。

【００８０】（付記１０）複数のパターンを有する露光
データパターンを使用した露光により形成されるプレー
トパターン形成方法において、最初の露光データパター
ンに含まれる複数のパターンに対して、露光工程でのパ
ターン変形に対応して補正を加えて、第２の露光データ
パターンを生成する補正パターン処理工程と、前記第２
の露光データパターンに従って、プレートパターンを形
成するプレートパターン形成工程と、前記第２の露光デ
ータを基準パターンに利用して、前記プレートパターン
との比較を行い、両パターンの不一致を欠陥パターンと
して検出するプレートパターン検査工程と、前記最初の
露光データパターンと第２の露光データパターンとの差
分パターンを抽出する差分抽出処理工程と、前記プレー
トパターン検査工程により検出された欠陥データから、
上記差分抽出処理工程で抽出された差分パターンの位置
と一致するデータを擬似欠陥データとして除去する欠陥
データ修正工程とを有することを特徴とするプレートパ
ターン形成方法。

【００８１】（付記１１）付記２乃至１０において、前
記プレートパターンは、レチクル上に形成されるパター
ン、半導体ウエハー上の形成されるパターン、露光用マ
スク上に形成されるパターンのいずれかであることを特
徴とするプレートパターン形成方法。

【００８２】以上、本発明の保護範囲は、上記の実施の
形態例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記
載された発明とその均等物にまで及ぶものである。

【００８３】

【発明の効果】以上、本発明によれば、プレートパター
ン検査において、基準データパターンをできるだけ実際
のプレートパターンに近づけているので、擬似欠陥の検
出量を減らすことができる。その結果、プレートパター
ン検査の工数を減らすことができる。

【００８４】更に、本発明によれば、プレートパターン
検査工程で擬似欠陥が検出されても、擬似欠陥の原因と
なるパターンの位置データを利用して、擬似欠陥を検査
結果から除外することができる。その結果、プレートパ
ターン検査の工数を減らすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】擬似欠陥を説明する図である。

【図２】第１の実施の形態例におけるプレートパターン
の形成方法と検査方法を示すフローチャート図である。

【図３】スリット除去処理を説明する図である。

【図４】スリット除去処理の問題点を示す図である。

【図５】微細パターン除去処理を説明する図である。

【図６】第１の実施の形態における変形例のフローチャ
ート図である。

【図７】擬似欠陥の原因となる微細パターンが含まれた
露光データのパターン例を示す図である。

【図８】第２の実施の形態例におけるプレートパターン
形成方法のフローチャート図である。

【図９】補正パターンが追加された露光データに対する
微細パターン除去処理を示す図である。

【図１０】第３の実施の形態におけるプレートパターン
形成方法のフローチャート図である。

【図１１】補正パターン縮小処理を説明するための図で
ある。

【図１２】第４の実施の形態例におけるプレートパター
ン検査方法を示すフローチャート図である。

【符号の説明】

１４，１８，２０ 露光データ １９ 露光データパターン ２４ プレートパターン ２６ 基準データパターン ２９ 欠陥パターンデータ ３６ 差分パターンデータ ４０ 欠陥パターンデータ ＳＬ スリット ＭＰ 微細パターン Ｅ３１，Ｅ３２ 補正パターン

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数のパターンを有する露光データパター
   ンを使用した露光により形成されるプレートパターンの
   検査方法において、 前記露光データパターンに含まれる複数のパターンに対
   して、重なり合う複数のパターンを単一のパターンにす
   る論理和処理と、その後パターンの辺を第１の幅だけ細
   らせるマイナスサイジング処理と、その後前記パターン
   の辺を第１の幅だけ太らせるプラスサイジング処理とを
   行って、基準データパターンを形成する微細パターン除
   去処理工程と、 前記プレートパターンと前記基準データパターンとを比
   較して、両パターンの不一致を欠陥パターンとして検出
   するパターン検査工程とを有することを特徴とするプレ
   ートパターン検査方法。
2. 【請求項２】請求項１において、 前記第１の幅は、前記プレートパターン形成における解
   像限界値よりも小さいことを特徴とするプレートパター
   ン検査方法。
3. 【請求項３】複数のパターンを有する露光データパター
   ンを使用した露光により形成されるプレートパターン形
   成方法において、 最初の露光データパターンに含まれる複数のパターンに
   対して、パターンの辺を第１の幅だけ太らせるプラスサ
   イジング処理と、重なった複数のパターンを単一のパタ
   ーンにするの論理和処理と、論理和処理したパターンの
   辺を第１の幅だけ細らせるマイナスサイジング処理とを
   行って第２の露光データパターンを生成する微細スリッ
   ト除去処理工程と、 第２の露光データパターンに含まれる複数のパターンに
   対して、パターンの辺を第２の幅だけ細らせるマイナス
   サイジング処理と、その後前記パターンの辺を第２の幅
   だけ太らせるプラスサイジング処理とを行って第３の露
   光データパターンを生成する微細パターン除去処理工程
   と、 前記第２または第３の露光データパターンに従って前記
   プレートパターンを形成するプレートパターン形成工程
   と、 前記プレートパターンと前記第３の露光データパターン
   とを比較して、両パターンの不一致を欠陥パターンとし
   て検出するパターン検査工程とを有することを特徴とす
   るプレートパターン形成方法。
4. 【請求項４】請求項３において、 前記第１の幅及び第２の幅が、前記プレートパターン形
   成の解像限界値より小さいことを特徴とするプレートパ
   ターン形成方法。
5. 【請求項５】複数のパターンを有する露光データパター
   ンを使用した露光により形成されるプレートパターン形
   成方法において、 露光、現像工程でのパターン変形に対応する補正パター
   ンを加えた最初の露光データパターンが生成される露光
   データ生成工程と、 当該補正パターンを加えた露光データパターンに従っ
   て、露光によりプレートパターンを形成するプレートパ
   ターン形成工程と、 前記最初の露光データパターンに含まれる複数のパター
   ンに対して、重なった複数のパターンを単一のパターン
   にする論理和処理と、その後パターンの辺を第１の幅だ
   け細らせるマイナスサイジング処理と、その後前記パタ
   ーンの辺を第１の幅だけ太らせるプラスサイジング処理
   とを実行して基準パターンを生成する微細パターン除去
   処理工程と、 前記プレートパターンと前記基準データパターンとを比
   較して、両パターンの不一致を欠陥パターンとして検出
   するパターン検査工程とを有することを特徴とするプレ
   ートパターン形成方法。
6. 【請求項６】請求項５において、 前記第１の幅が、前記プレートパターン形成の解像限界
   値より小さく、前記補正パターン幅より大きいことを特
   徴とするプレートパターン形成方法。
7. 【請求項７】複数のパターンを有する露光データパター
   ンを使用した露光により形成されるプレートパターン形
   成方法において、 露光、現像工程でのパターン変形に対応する補正パター
   ンを加えた最初の露光データパターンが生成される露光
   データ生成工程と、 当該補正パターンを加えた露光データパターンに従っ
   て、露光によりプレートパターンを形成するプレートパ
   ターン形成工程と、 前記最初の露光データパターンに含まれる複数のパター
   ンに対して、前記追加された補正パターンのサイズを縮
   小して、基準パターンを生成する補正パターン縮小処理
   工程と、 前記プレートパターンと前記基準データパターンとを比
   較して、両パターンの不一致を欠陥パターンとして検出
   するパターン検査工程とを有することを特徴とするプレ
   ートパターン形成方法。
8. 【請求項８】請求項７において、 前記補正パターン縮小処理工程は、 前記最初の露光データパターンに含まれる複数のパター
   ンに対して、重なった複数のパターンを単一のパターン
   にする論理和処理と、その後パターンの辺を第１の幅だ
   け細らせるマイナスサイジング処理と、その後前記パタ
   ーンの辺を第１の幅だけ太らせるプラスサイジング処理
   とを実行して第１の中間パターンを生成する第１の工程
   と、 前記最初の露光データパターンに含まれる複数のパター
   ンに対して、前記第１の幅より小さい第２の幅だけ細ら
   せるマイナスサイジング処理と、その後前記パターンの
   辺を第２の幅だけ太らせるプラスサイジング処理とを実
   行して第２の中間パターンを生成する第２の工程と、 前記第１の中間パターンと第２の中間パターンとを論理
   和処理して、前記基準パターンを形成する第３の工程と
   を有することを特徴とするプレートパターン形成方法。
9. 【請求項９】請求項８において、 前記第１の幅は、前記プレートパターン形成の解像限界
   値より小さく且つ前記補正パターンより大きく、前記第
   ２の幅は、前記補正パターンより小さいことを特徴とす
   るプレートパターン形成方法。
10. 【請求項１０】複数のパターンを有する露光データパタ
    ーンを使用した露光により形成されるプレートパターン
    形成方法において、 最初の露光データパターンに含まれる複数のパターンに
    対して、露光工程でのパターン変形に対応して補正を加
    えて、第２の露光データパターンを生成する補正パター
    ン処理工程と、 前記第２の露光データパターンに従って、プレートパタ
    ーンを形成するプレートパターン形成工程と、 前記第２の露光データを基準パターンに利用して、前記
    プレートパターンとの比較を行い、両パターンの不一致
    を欠陥パターンとして検出するプレートパターン検査工
    程と、 前記最初の露光データパターンと第２の露光データパタ
    ーンとの差分パターンを抽出する差分抽出処理工程と、 前記プレートパターン検査工程により検出された欠陥デ
    ータから、上記差分抽出処理工程で抽出された差分パタ
    ーンの位置と一致するデータを擬似欠陥データとして除
    去する欠陥データ修正工程とを有することを特徴とする
    プレートパターン形成方法。