TW201623675A - 原料氣體供應裝置 - Google Patents

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Abstract

在於在對於成膜處理部供應含將是固體或液體之原料作氣化後的氣體之原料氣體時，正確調節含於原料氣體之原料的氣化流量。 將載流氣體供應至收容了原料之原料容器(3)，將含有氣化之原料的原料氣體與稀釋氣體一起斷續供應至原料的成膜處理部(2)。在質流計(7)就原料氣體的流量(M1)作測定，從將此流量測定值以原料氣體的供應期間作積分之積分值，扣除將流通於質流計(7)之載流氣體的流量測定值(C1)以前述供應期間作積分之積分值而求出原料的氣化量(A)。求出所取得之氣化量(A)、原料的氣化量(A)之設定值的偏差程度，為了將原料的氣化量(A)維持於設定值，而將前述偏差程度加算於載流氣體的流量設定值(C1)作為修正值。另外為了達成載流氣體與稀釋氣體的總流量之一定化而將前述偏差程度從稀釋氣體的流量設定值(C2)扣除。

Description

原料氣體供應裝置
本發明，係關於就在載流氣體中將原料予以氣化而供應至成膜處理部之原料氣體中的原料之氣化流量作調節的技術。
在對於半導體晶圓(以下稱作「晶圓」)等之基板進行成膜的手法中之一者方面，已知ALD(Atomic Layer Deposition)法。此手法，係在晶圓的表面將原料氣體的原子層、分子層等予以吸附後，供應將此原料氣體作氧化、還原之反應氣體而生成反應生成物，予以堆積此反應生成物之層者。此處理，係將晶圓收容於形成真空環境之處理容器，就閥作開閉控制而將原料氣體與反應氣體交互斷續供應至處理容器從而進行。
在原料方面係採用固體、液體等者，就收容此原料之原料容器作加熱，將原料予以氣化而獲得原料的氣體。然後對於前述原料容器內供應載流氣體，而藉此載流氣體對於處理容器供應原料。如此般原料氣體，係混合載流氣體與氣體的原料者，在就成膜於晶圓之膜的厚度、 膜質等作控制時，係需要正確調節原料的氣化量(含於原料氣體中之原料的流量)。
然而在原料容器內之原料的氣化量，係依原料的充填量而變化，在原料為固體之情況下亦依原料容器內之原料的不均、粒徑的變化等而變化。另外原料為固體之情況下，雖在原料昇華(本案說明書係當作「氣化」)時會被奪熱使得原料容器內的溫度降低，惟固體原料下在原料容器內係不會發生對流，故容易在原料容器內發生溫度分布的不均。為此原料的氣化量容易呈不穩定。
於專利文獻1，係記載針對是氣化之原料與載流氣體之混合物的混合氣體(專利文獻1中，係將氣化之原料稱作「原料氣體」)中的原料濃度藉濃度計作測定，使原料氣體、載流氣體、稀釋氣體(載流氣體與稀釋氣體係同一成分)的合計流量一定化之技術。另外於專利文獻2，係記載將載流氣體對於液體原料蒸發部作送入，同時對於系統內導入緩衝氣體時，就前述系統內之非蒸發氣體的全質量流量作檢測，而以前述全質量流量成為一定值之方式作控制的技術。
然而以ALD法係斷續供應含氣化之原料的氣體，該供應時間極短，故以如專利文獻1的濃度計係無法正確檢測原料濃度。另外含原料之氣體的供應之時機係藉供應路徑的閥之開閉而控制，惟如專利文獻2就質量流量作測定之情況下，係氣體的供應時間為短時間，故流量值呈不穩定。為此結果難以將原料的氣化量控制成設定值。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本發明專利公開2006-222133號公報：段落0036
[專利文獻2]日本發明專利公開平5-305228號公報：段落0015~段落0018
本發明係鑑於如此之事情而創作者，其目的係在於提供在對於成膜處理部供應含將是固體或液體之原料作氣化後的氣體之原料氣體時，可正確調節含於原料氣體之原料的氣化流量之技術。
為此本發明的原料氣體供應裝置，係經由載流氣體供應路徑而將是惰性氣體的載流氣體供應至收容了是固體或液體之原料的原料容器，將包含氣化之原料的原料氣體交互重複供應期間、休止期間而斷續供應至原料的成膜處理部，具備：設於前述載流氣體供應路徑，根據載流氣體流量設定值而就載流氣體的流量作調節之載流氣體用的質流控制器； 設於前述原料容器的出口側之原料氣體供應路徑，就原料氣體的流量作測定之流量測定部；為了將是惰性氣體之稀釋氣體混合於前述原料氣體而連接於比前述原料容器的出口側靠下游測，設有根據稀釋氣體流量設定值而就稀釋氣體的流量作調節之稀釋氣體用的質流控制器之稀釋氣體供應路徑；以及求出從將前述流量測定部之流量測定值以原料氣體的供應期間作積分之積分值，扣除將流通於前述流量測定部之惰性氣體的流量測定值以前述供應期間作積分之積分值而求出之原料的氣化量、原料之氣化量的設定值的偏差程度，為了將原料的氣化量維持於設定值而將前述偏差程度加算於前述載流氣體流量設定值作為修正值，同時為了達成載流氣體與稀釋氣體的總流量之一定化而將前述偏差程度從前述稀釋氣體流量設定值扣除的運算處理部。
依本發明，在對於由載流氣體與氣體的原料所成之原料氣體予以混合稀釋氣體而供應至成膜處理部時，根據從原料氣體的流量扣除載流氣體的流量而求得之原料的氣化量，而控制載流氣體的流量。原料的氣化量，係從將流量測定部之流量測定值以原料氣體的供應期間作積分之積分值，扣除將流過流量測定部之載流氣體的流量之流量測定值以前述供應期間作積分的積分值而求得，故能以高精度取得原料的氣化量。另外為了根據取得之原料 的氣化量，而將原料的氣化量維持於設定值，就載流氣體的流量作控制，同時為了達成載流氣體與稀釋氣體的總流量之一定化而就稀釋氣體的流量作控制。為此，原料的氣化量會穩定，同時可抑制惰性氣體的總流量之變動，可正確調節含於原料氣體之原料的氣化流量。
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧成膜處理部
21‧‧‧處理容器(腔室)
3‧‧‧原料容器
41‧‧‧載流氣體供應路徑
42‧‧‧原料氣體供應路徑
44‧‧‧稀釋氣體供應路徑
61、62‧‧‧質流控制器
611、621‧‧‧流量測定部
7‧‧‧質流計(流量測定部)
W‧‧‧半導體晶圓
[圖1]就應用本發明的原料氣體供應裝置之成膜裝置的第1實施形態作繪示之全體構成圖。
[圖2]設於成膜裝置之控制部的構成圖。
[圖3]就閥的開閉、原料氣體的流量、載流氣體的流量及修正值的時間變化作繪示之時序圖。
[圖4]供於就原料氣體、載流氣體及稀釋氣體的流量控制作說明用的示意圖。
[圖5]就應用本發明的原料氣體供應裝置之成膜裝置的其他例作繪示之全體構成圖。
[圖6]就應用本發明的原料氣體供應裝置之成膜裝置的第2實施形態作繪示之全體構成圖。
[圖7]設於成膜裝置之控制部的構成圖。
[圖8]供於就原料氣體、載流氣體及稀釋氣體的流量控制作說明用的示意圖。
以下，邊參照圖1，邊說明關於將本發明的原料氣體供應裝置應用於成膜裝置之構成例。此實施形態下的成膜裝置1，係具備供於對於是基板的晶圓W進行採ALD法之成膜處理用的成膜處理部2、供於對於此成膜處理部2供應原料氣體用的原料供應部。
成膜處理部2，係例如在形成真空容器之腔室(處理容器)21內，水平保持晶圓W，同時具有具備不圖示的加熱器之載置台22、將原料氣體等導入腔室21內之氣體導入部23。腔室21內係構成為利用由真空泵浦等所成之真空排氣部24而真空排氣，對於此內部從原料供應部導入原料氣體，從而在被加熱之晶圓W的表面進行成膜。
舉將W(鎢)膜作成膜之情況下的一例時，在原料方面係採用常溫下固體之WCl6，在與原料反應之反應氣體(還原氣體)方面係採用氫(H2)氣體。為此於氣體導入部23係連接著氣體供應路徑25，於此氣體供應路徑25，係後述之供應含WCL6的原料氣體之原料氣體供應路徑42、供應與原料氣體反應之反應氣體的反應氣體供應路徑26及供應置換氣體之置換氣體供應路徑27經由各閥V1、V26、V27而合流。反應氣體供應路徑26的另一端側，係連接於反應氣體的供應源261，同時經由氣體供應路徑262而連接於惰性氣體例如氮(N2)氣體的供應源263，置換氣體供應路徑27的另一端側係連接於置換氣體例如N2氣體的供應源271。
本例的原料供應部，係具備收容著原料的 WCl6之原料容器3、對於此原料容器3供應載流氣體之載流氣體供應源31。原料容器3，係收容著常溫下固體的WCl6之容器，被具備電阻加熱體之外套狀的加熱部32覆蓋。此原料容器3，係構成為根據以不圖示之溫度檢測部而檢測出的原料容器3內之氣相部的溫度，就從不圖示之供電部所供應的供電量作增減，使得可調節原料容器3內的溫度。加熱部32的設定溫度，係設定於固體原料300昇華，且WCl6不分解之範圍的溫度例如150℃。
於原料容器3內之固體原料的上方側之氣相部，係插入相當於載流氣體供應路徑41的下游端部之載流氣體噴嘴51、相當於原料氣體供應路徑42的上游端部之抽出噴嘴52。於載流氣體供應路徑41，係載流氣體用的質流控制器(MFC)61、閥V3、閥V2依此順序從上游側設於之間，同時於上游側係設有在此例中係N2供氣源的載流氣體供應源31。質流控制器61，係如例示於圖2，構成為具備流量測定部611、PID演算部612、流量調節閥613，根據相當於設定值與測定值的差分之訊號，而就流量調節閥613作調節以使流量被控制成設定值。
另一方面，於原料氣體供應路徑42，係從上游側設有閥V4、閥V5、是流量測定部之質流計(MFM)7、壓力計10及閥V6。從質流計7與閥V6之間，係分歧出閥V43被設於之間的分歧路徑43，分歧路徑43的下游端係連接於已述的真空排氣部24。載流氣體供應路徑41的閥V2與閥V3之間、原料氣體供應路徑42的閥V4與 閥V5之間，係以具備閥V40之旁通流路40作連接。如後述，從載流氣體供應路徑41對於原料容器3內供應載流氣體，使得固體原料氣化(昇華)，經由原料氣體供應路徑42而供應至成膜處理部2。質流計7，係供於就氣化之原料與載流氣體的混合氣體之原料氣體的流量作測定者。
另外於原料氣體供應路徑42的閥V6之下游測，係供應與原料氣體混合之稀釋氣體的稀釋氣體供應路徑44作合流。於稀釋氣體供應路徑44係閥V7、稀釋氣體用的質流控制器(MFC)62設於之間，於其上游側，係設有供於供應是稀釋氣體的N2氣體用之稀釋氣體的供應源。稀釋氣體係與載流氣體相同，故在此例方面，稀釋氣體與載流氣體係從共通的供應源31作供應。質流控制器62，係如示於圖2，具備流量測定部621、PID演算部622、流量調節閥623。在載流氣體及稀釋氣體方面係採用是惰性氣體的N2氣體，惟在本案說明書中，係當作只要為不會與原料發生反應，而對於成膜處理不造成影響之氣體則屬「惰性氣體」。
如後所述，在成膜處理部2進行之W膜的成膜中，係含WCl6之原料氣體、是反應氣體的H2氣體交互重複供應，同時在此等原料氣體及反應氣體的供應之期間，係為了將腔室21內的空氣作置換而供應置換氣體。如此般原料氣體，係對於成膜處理部2交互重複供應期間、休止期間而斷續供應，此原料氣體的供應控制係就閥 V1作導通、關斷控制從而執行。此閥V1，係構成為藉後述之控制部8的導通、關斷指令輸出部83而開閉控制，「導通」係將閥V1打開之狀態，「關斷」係將閥V1關閉之狀態。另外同樣，反應氣體的供應控制係就閥V26作導通、關斷控制從而執行，置換氣體的供應控制係就閥V27作導通、關斷控制從而執行。
接著就含於成膜裝置1之控制部，邊參照圖2邊作說明。控制部8係例如由不圖示之具備CPU與記憶部的電腦所成，於記憶部係記憶編有關於成膜裝置1的作用相關之控制的步驟(命令)群之程式。前述成膜裝置的作用，係在載置台22上載置晶圓W，將腔室21內真空排氣後，交互供應原料氣體與反應氣體而以ALD法進行成膜，然後將晶圓W搬出為止的動作。此程式，係儲存於例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等的記憶媒體，從該等而安裝於電腦。於圖2中以點線包圍之控制部8，係實際上包含例如控制器與對於控制器傳送訊號之上位電腦，惟在圖2係未圖示關於上位電腦，主要記載控制器的一部分之電路塊。
控制部8，係具備：求出設於載流氣體供應路徑41之質流控制器61的流量設定值，而送至質流控制器61的PID演算部612之正輸入端的電路部；以及求出設於稀釋氣體供應路徑44之質流控制器62的流量設定值，而送至質流控制器62的PID演算部622之正輸入端的電路部。另外在以下的說明中係方便上，採取有時將流通於 載流氣體供應路徑41之載流氣體的流量稱作C1，將流通於稀釋氣體供應路徑44之稀釋氣體的流量稱作C2。此等電路部係由將修正值加算於各載流氣體之流量C1的設定值之加算部81、將修正值從稀釋氣體之流量C2的設定值扣除的(使修正值為負值而加算)加算部82所成。流量C1的設定值及流量C2的設定值，係例如從上位電腦讀出寫入於處理配方之值而送至各加算部81、82。
接著說明關於算出(修正)載流氣體之流量C1的設定值及稀釋氣體之流量C2的設定值之電路部。本發明之實施形態的成膜裝置1係用於進行ALD者，故係將閥V1斷續(間歇)導通而將原料氣體供應至腔室21者。為此上位電腦依處理配方，而輸出是原料氣體之供應開始的時機之閥V1的導通訊號、是原料氣體之供應結束的時機之閥V1的關斷訊號。在圖2，係在輸出此導通訊號、關斷訊號之部分方面方便上記載為導通、關斷指令輸出部83。
如已述般ALD，係執行複數次將原料氣體、置換氣體、反應氣體、置換氣體依此順序作供應之循環者，故依規定此循環之配方，而決定上述的導通訊號、關斷訊號的時機。例如從導通訊號至關斷訊號的時間亦即原料氣體的供應時間係1秒，原料氣體的休止期間係10秒。前級側的PID演算部84，係擔當在原料氣體的供應時間中，求出將載流氣體的流量C1從原料氣體(載流氣體與氣化之原料的混合氣體)的流量M1扣除之量，亦即 求出原料的氣化量A之角色。
原料的氣化量A，係藉從質流計7的流量測定值，扣除從質流控制器61(詳細而言係流量測定部611)所輸出之流量測定值而定。然而原料氣體的供應時間短，故在流量測定值立升而穩定前會立降，為此有成為不穩定之虞。因此就質流計7及質流控制器61的各流量測定輸出藉各積分電路部85、86在供應時間期間作積分，將該積分值處置為供應期間的流量值，而以PID演算部84作演算。積分電路部85、86係構成為依來自導通、關斷指令輸出部83的導通訊號而開始積分，依關斷訊號而結束積分。在具體例方面，例如積分電路部85、86係由時間常數電路而構成，以依導通訊號開始充電，依關斷訊號作放電之方式組合開關等而構成。
在前級側的PID演算部84之後級，係設有後級側的PID演算部87，在此PID演算部87，係算出以PID演算部84所求出之原料氣體的氣化量A相對於設定值偏差了多少。後級側的PID演算部87，係於正輸入端及負輸入端分別輸入前級側的PID演算部84之輸出(原料的氣化量A之測定值)與原料的氣化量A之設定值，取出相當於該等之差分的偏差量。
在後級側的PID演算部87之後級，係設有將訊號保持一定期間的保持電路(保持電路)88。此保持電路88，係構成為原料氣體的供應期間之結束時點，亦即至輸出閥V1的關斷訊號為止，保持之前所輸入之電壓 值，依該關斷訊號的輸入，而使所保持之電壓值被重置而成為零。作為保持電路88的一例，係可構成為採用類比/數位轉換部、暫存器、數位/類比轉換部，將來自PID演算部87的類比訊號轉換成數位訊號而予以保持於暫存器，依關斷訊號使暫存器被重置。此情況下，如後所述，變成第n次的供應期間中之從原料氣體的設定值之偏差程度被作為第(n+1)次的供應期間中之C1及C2的設定值之修正值而從保持電路部88輸出至已述的加算部81、82。此實施形態中，係由加算部81、82、積分電路部85、86、前級側的PID演算部84及後級側的PID演算部87，而構成運算處理部。
接著說明關於上述實施形態的作用。首先簡單說明關於原料供應部及成膜處理部2的概要。在原料容器3側係對於加熱部32供應電力而在常溫下將固體的WCl6加熱至例如150℃而予以昇華。藉質流計7就原料氣體的流量M1作測定，故需要將蒸氣壓增加一定程度，在原料方面係採用氣化溫度時的蒸氣壓為66.5Pa(0.5Torr)以上者，WCl6的情況下150℃時的蒸氣壓係93.1Pa(0.7Torr)以上。
另一方面，於成膜處理部2係在載置台22上載置晶圓W，將腔室21內真空排氣而進行晶圓W的加熱。如此進行成膜之準備完整時，例如打開原料容器3的閥V1、V2、V3、V4、V5、V6而將載流氣體供應至原料容器3，予以產生原料氣體。另外將稀釋氣體供應路徑44 的閥V7打開，將稀釋氣體混合於原料氣體。
如此變成對於成膜處理部2，係藉氣體供應路徑25經由氣體導入部23而供應含WCl6之原料氣體(氣體原料與載流氣體的混合氣體)與稀釋氣體。並且藉ALD法將W(鎢)膜作成膜之情況下，係將閥V1打開，而例如1秒將前述原料氣體及稀釋氣體供應至腔室21後將閥V1關閉，於晶圓W表面予以吸附WCL6。接著將置換氣體(N2氣體)供應至腔室21，而就腔室21內作置換。接著將閥V26打開而將反應氣體(H2氣體)供應至腔室21後將閥V26關閉，將吸附於晶圓W之WCl6藉H2而還原後，將1原子層的W膜作成膜。之後，將置換氣體供應至腔室21，而就腔室21內作置換。如此在腔室21內，藉閥V1、V26、V27的導通、關斷控制，而複數次重複供應含WCl6之原料氣體→置換氣體→反應氣體→置換氣體之循環，從而進行既定的厚度之W膜的成膜。
接著說明關於在本實施形態中進行之原料、載流氣體及稀釋氣體的流量控制之概要。在以下之說明中，係如已述使載流氣體的流量為C1，使稀釋氣體的流量為C2，使流通於原料氣體供應路徑42之原料氣體的流量為M1。如已述對於從上位電腦所指示的載流氣體之流量C1的設定值以成為如後述作修正之設定值的方式，使質流控制器61動作而調節載流氣體的流量。另一方面，對於稀釋氣體之流量C2的設定值以成為如後述作修正之設定值的方式，使質流控制器62動作而調節稀釋氣體的 流量。
圖3(a)，係繪示進行原料氣體的供斷之閥V1的狀態，導通的時段相當於原料氣體的供應期間，關斷的時段相當於原料氣體的休止期間。著眼於第n(n係2以上的整數)次的供應期間時，在積分電路部85及積分電路部86，根據閥V1的導通指令，而分別開始對於原料氣體的流量M1、載流氣體的流量C1之積分動作，根據閥V1的關斷指令而結束該積分動作。圖3(b)、圖3(c)，係分別繪示原料氣體的流量M1、載流氣體之流量C1的流量測定值之變遷，如此原料氣體的供應期間為短，故原料氣體的流量M1、載流氣體的流量C1係成為在閥V1的導通指令後，急劇立升，立刻立降之圖案。另外圖3中之供應期間與休止期間的比率係為了方便而示者。
然後在閥V1的關斷指令後，係將載流氣體之流量C1的積分值(ʃC1dt)從原料氣體的流量M1之積分值(ʃM1dt)扣除之差分A在PID演算部84被作為PID演算結果而求出。此差分A係相當於原料氣體中的原料之氣化量(流量)，對應於此氣化量A與預先設定之A的設定值之差分的值在PID演算部87被作為PID演算結果而求出。然後接著閥V1的關斷指令後保持電路88重置迄今保持之保持值，在該時點重新保持從PID演算部87所輸出之輸出值。另外保持電路88之此動作的時機，係該供應期間之載流氣體的流量C1、原料氣體的流量M1之積分值確定後的時點，例如於閥V1的關斷指令方面延遲， 而進行保持電路88的重置處理。將在保持電路88保持了修正值之狀態與閥V1的導通之時段(供應期間)賦予關聯，而示於圖3(d)。
如此所得之原料的氣化量A與預先設定之A的設定值之差分成為下個供應期間中之載流氣體的流量C1及稀釋氣體之流量C2的各設定值之修正值，對應於該差分之值(例如於該差分乘上係數之值)加算於載流氣體的流量C1，對於稀釋氣體的流量C2係作減算。另外，第1次的供應期間中，係在修正值方面設定例如零。
於圖4，原料、示意性繪示關於載流氣體及稀釋氣體的流量控制。另外，在某供應期間中原料氣體中的原料之氣化量A成為設定值時，保持於保持電路88之修正值係零。此狀態係示於圖4(a)的左端。此處假設如同圖的中央所示例如原料容器3內的固體原料變少，使得原料的氣化量A相對於設定值而減少。另外，在其因素方面，係舉載流氣體噴嘴51的流出口與固體原料的表面之距離變大，使得觸及固體原料的表面之載流氣體的流速減小，另外固體原料的粒徑變小使得表面積變小等。亦即，例如第n次的供應期間中所求出之氣化量A變比設定值少時，對應於該差分之值在第(n+1)次的供應期間中從保持電路88輸出。為此載流氣體之流量C1的設定值依氣化量A減少之程度而增加，流量C1會增加。預先掌握例如原料的氣化量A之減少量、供於使氣化量A增加該減少量用之流量C1的增加量之關係，對於氣化量A的減少量 乘上從此關係所求出之係數，該乘法值成為載流氣體之流量C1的設定值之修正值。
作成如此時載流氣體的流量C1增加使得流量C1、原料的氣化量A、稀釋氣體之流量C2的總流量變得比氣化量A為設定值時的總流量多。為此將稀釋氣體之流量C2的設定值減少上述的修正值程度，藉此使稀釋氣體的流量C2減少相當於載流氣體之流量C1的增加程度之量。藉進行如此之控制，使得載流氣體的流量C1、原料的氣化量A、稀釋氣體之流量C2的總流量幾乎不變動。上述的圖4(a)之右端係示出此情況。原料的氣化量A係比起於載流氣體的流量C1較為少，故即使作為一例，而採用將稀釋氣體之流量C2的設定值修正相稱於載流氣體之流量C1的變動量之程度如此的設計仍可達成總流量幾乎不變動。
另外假設如圖4(b)的中央所示，因原料容器3內的溫度分布等之因素使得原料的氣化量A相對於設定值而增加。亦即例如第n次的供應期間中所求出之氣化量A變比設定值多時，載流氣體之流量C1的設定值依氣化量A增加之程度而減少，流量C1會減少。然後載流氣體的流量C1減少使得流量C1、原料的氣化量A、稀釋氣體之流量C2的總流量變得比氣化量A為設定值時的總流量少。為此，控制成稀釋氣體之流量C2的設定值增加上述的修正值程度。藉此稀釋氣體的流量C2增加相當於載流氣體之流量C1的減少程度之量，故此情況下上述的總 流量亦幾乎不會變動。另外，圖4係示意性就原料的氣化量A之變動量、載流氣體的流量C1及稀釋氣體之流量C2的變動量作繪示下的影像圖。
依上述實施形態，在對於由載流氣體與氣體的原料所成之原料氣體予以混合稀釋氣體而供應至成膜處理部2時，根據從原料氣體的流量扣除載流氣體的流量而求得之原料的氣化量，而控制載流氣體的流量。原料的氣化量A，係從將質流計7之流量測定值M1以原料氣體的供應期間作積分之積分值，扣除將流通於質流計7之載流氣體的流量之流量測定值(質流控制器61的流量測定值C1)以前述供應期間作積分的積分值而求出。因此，原料氣體交互重複供應期間與休止期間而斷續供應至成膜處理部2的情況下，即使原料氣體的供應期間之原料氣體的流量不穩定，仍能以高精度取得原料的氣化量。
依如此取得之原料的氣化量A之變動程度而修正載流氣體的流量C1，同時將稀釋氣體的流量C2控制成補償載流氣體之流量C1的變動。為此，可高精度進行原料的氣化量A之調節，可將原料的氣化量A穩定之原料氣體供應至成膜處理部2，同時可抑制加總原料的氣化量A、載流氣體的流量C1及稀釋氣體的流量C2之總流量的變動。藉此以成膜處理部2而實施之成膜處理會穩定，成膜於晶圓之膜的厚度、膜質等之控制變容易。如記載於先前技術之欄，原料為固體時，係氣化狀態由於原料容器3內之原料的不均、粒徑等的變化等而變動，另外原料容 器3內容易發生溫度分布的不均，故原料氣體中的原料之濃度(流量)容易變不穩定。因此依本發明的手法使原料的氣化量穩定為有效。
在以上，此實施形態中，係亦可作成代替如示於圖1將是2個構件的質流控制器(MFC61、MFC62)分別設於載流氣體供應路徑41、稀釋氣體供應路徑44，而如示於圖5，採用2個質流控制器成為一體之構件的分離器63。在此例方面，係將分離器63設置於載流氣體供應路徑41及稀釋氣體供應路徑44的合流部，在此分離器63中，將N2氣體分配成予以流通於載流氣體供應路徑41側之流量C1、予以流通於稀釋氣體供應路徑44側之流量C2。此情況下在配管路徑圖方面，亦係成為如同第1實施形態，獲得同樣的效果。另外圖5中，質流控制器64，係非扮演就載流氣體的流量C1、稀釋氣體的流量C2等作調節之角色者。
接著就本發明的第2實施形態之成膜裝置，參照圖6~圖8作說明。此例與上述的圖1之成膜裝置不同的點，係在於稀釋氣體供應路徑44的下游測連接於原料氣體供應路徑41上之質流計7的上游側。例如稀釋氣體供應路徑44的下游測，係連接於原料氣體供應路徑42上之閥V5與質流計7之間。另外於圖7繪示關於此例的控制部80，與示於上述的圖2之控制部8不同的點，係在於在積分電路部86的前級側，設置將以質流控制器61所測定的載流氣體之流量C1的測定值、以質流控制器62 所測定的稀釋氣體之流量C2的測定值作加算的加算部89。
藉此在積分電路部86，係求出載流氣體的流量測定值與稀釋氣體的流量測定值之合計流量的積分值(ʃ(C1+C2)dt)。因此在此例方面，原料氣體中的原料之氣化量A，係在PID演算部84，從以質流計7所測定之原料氣體的流量測定值之積分值(ʃM1dt)，將載流氣體的流量測定值及稀釋氣體的流量測定值之合計流量的積分值(ʃ(C1+C2)dt)扣除而求出。關於除此以外的構成，係如同圖1的成膜裝置，就相同構材係加上相同符號，省略說明。
在此例方面，關於以ALD法進行成膜處理時的閥之開閉控制，係亦如同上述的圖1之成膜裝置。另外就原料、載流氣體及稀釋氣體的流量控制之概要，參照圖8的示意圖而說明時，圖8(a)的左端，係示出在某供應期間中原料氣體中的原料之氣化量A為設定值，在保持電路88所保持之修正值為零的狀態。此處如同圖的中央所示，例如第n次的供應期間中所求出之氣化量A變比設定值少時，對應於該差分之值在第(n+1)次的供應期間中從保持電路88輸出。為此控制成載流氣體之流量C1的設定值依氣化量A減少之程度而增加，流量C1增加。
載流氣體的流量C1增加使得流量C1、原料的氣化量A、稀釋氣體之流量C2的總流量變得比氣化量A為設定值時的總流量多。為此控制成稀釋氣體之流量 C2的設定值減少上述的修正值程度，藉此稀釋氣體的流量C2減少相當於載流氣體之流量C1的增加程度之量。據此載流氣體的流量C1、原料的氣化量A、稀釋氣體之流量C2的總流量幾乎不變動。上述的圖8(a)之右端係示出此情況。
另外如圖8(b)的中央所示，例如第n次的供應期間中所求出之氣化量A變比設定值多時，控制成載流氣體之流量C1的設定值依氣化量A增加之程度而減少，流量C1減少。然後載流氣體的流量C1減少使得流量C1、原料的氣化量A、稀釋氣體之流量C2的總流量變得比氣化量A為設定值時的總流量少。為此控制成稀釋氣體之流量C2的設定值增加上述的修正值程度，藉此稀釋氣體的流量C2增加相當於載流氣體之流量C1的減少程度之量。此情況下上述的總流量亦幾乎不會變動。如此一來，原料的氣化量會穩定，另外載流氣體與稀釋氣體的總流量之變動受到抑制，可正確調節含於原料氣體之原料的氣化流量。
在以上，在保持電路88，係亦可在連續的2個供應期間進行修正值的保持。亦即亦可作成在2個或3個的供應期間採用相同修正值。另外亦可作成代替載流氣體用的質流控制器61、稀釋氣體用的質流控制器62，而將流量測定部(質流計)、PID演算部、流量調節閥個別設置，將此等組合而使用。
在上述之實施形態下，係在原料氣體的供應 期間之中的一個供應期間中就原料氣體的流量M1、載流氣體的流量C1(或C1+C2)作積分，根據該積分值而求出載流氣體的流量C1、稀釋氣體之流量C2的修正值，惟亦可作成在2個連續之供應期間或3個以上的連續之供應期間中就原料氣體的流量M1、載流氣體的流量C1(或C1+C2)作積分，根據該積分值，亦即利用2個或3個以上的連續之供應期間，而算出修正值。
再者亦可作成預先求出對應於原料的氣化量A之測定值與設定值的偏差程度之載流氣體的流量C1的修正值，而儲存於控制部8、80的記憶體。然後亦可作成根據在PID演算部87所演算之原料的氣化量A之測定值與設定值的偏差程度，而從記憶體讀出對應之修正值(修正量)，加算於載流氣體的流量作為修正值，同時從稀釋氣體的流量，扣除加算於載流氣體的流量之修正值(修正量)。
另外在本發明的原料方面，係採用氣化溫度時的蒸氣壓為66.5Pa(0.5Torr)以上者，上述的WCl6以外，可採用Ni(II)、N’-二-叔丁基脒(Ni(II)(tBu-AMD)2，以下記為「Ni(AMD)2」)。在原料方面採用Ni(AMD)2之情況下，係在反應氣體(還原氣體)方面採用氨氣，而交互供應原料氣體與反應氣體，從而以ALD法在晶圓W的表面形成Ni膜。另外在原料方面採用Ni(AMD)2之情況下，係有自己分解之虞，故蒸氣壓為133Pa(1Torr)時，氣化溫度係採取120℃以下為優選。
再者收容於原料容器3內之原料係不限於固體原料，亦可將液體原料予以氣化而予以產生原料氣體。更甚者關於成膜處理部2的構成，係除了在載置台每次載置1個晶圓W而進行成膜處理之單片式的情況以外，亦可將本發明應用於往將晶圓W保持於保持多數個晶圓W之晶舟而進行成膜之批次式的成膜處理部、在旋轉之載置台上排列複數個晶圓W而進行成膜之成膜處理部等的原料供應。
再且，關於本發明的成膜處理部，係不限於實施ALD法之構成。例如，即使為實施CVD法之成膜處理部，只要為經由載流氣體供應路徑而將是惰性氣體的載流氣體供應至收容了是固體或液體之原料的原料容器，將包含氣化之原料的原料氣體交互重複供應期間、休止期間而斷續供應至原料的成膜處理部之構成，則仍可應用。例如將第1之CVD用的原料氣體供應至腔室內而將第1之CVD膜作成膜，接著利用與第1之CVD用的原料氣體係不同的第2之CVD用的原料氣體而將第2之CVD膜作成膜。另外第1之CVD用的原料氣體及第2之CVD用的原料氣體中的至少一方，係將載流氣體供應至收容了是固體或液體之原料的原料容器，作成包含氣化之原料與載流氣體之原料氣體。如此亦可應用於將兩原料氣體經由以置換氣體之空氣的置換而複數次交互供應至腔室內而將薄膜作成膜的手法。
再者，可利用本發明而供應之原料氣體，係 除了已述的WCl6以外，亦可為含例如是週期表的第3週期之元素的Al、Si等、是週期表的第4週期之元素的Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ge等、是週期表的第5週期之元素的Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag等、是週期表的第6週期之元素的Ba、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt等的元素之原料氣體。此等原料氣體，係舉採用有機金屬化合物、無機金屬化合物等之情況。予以與原料氣體發生反應之反應氣體，係可運用利用O2、O3、H2O等之氧化氣體、利用NH3、H2、HCOOH、CH3COOH、CH3OH、C2H5OH等之還原氣體、利用CH4、C2H6、C2H4、C2H2等之碳化反應氣體、利用NH3、NH2NH2、N2等之氮化反應氣體等。再者，亦可設置複數個原料供應部，對於成膜處理部間歇供應2種類以上的原料氣體而應用於合金、複合金屬氧化物等的成膜之情況。
21‧‧‧處理容器(腔室)
3‧‧‧原料容器
7‧‧‧質流計(流量測定部)
8‧‧‧控制部
41‧‧‧載流氣體供應路徑
42‧‧‧原料氣體供應路徑
44‧‧‧稀釋氣體供應路徑
51‧‧‧載流氣體噴嘴
52‧‧‧抽出噴嘴
61、62‧‧‧質流控制器
611、621‧‧‧流量測定部
81、82‧‧‧加算部
83‧‧‧導通、關斷指令輸出部
84‧‧‧PID演算部
85、86‧‧‧積分電路部
87‧‧‧PID演算部
88‧‧‧保持電路
612、622‧‧‧PID演算部
613、623‧‧‧流量調節閥
A‧‧‧原料的氣化量
C1‧‧‧載流氣體的流量
C2‧‧‧稀釋氣體的流量
M1‧‧‧原料氣體的流量
V1‧‧‧閥

Claims (5)

  1. 一種原料氣體供應裝置，經由載流氣體供應路徑而將是惰性氣體的載流氣體供應至收容了是固體或液體之原料的原料容器，將包含氣化之原料的原料氣體交互重複供應期間、休止期間而斷續供應至原料的成膜處理部，特徵在於：具備：設於前述載流氣體供應路徑，根據載流氣體流量設定值而就載流氣體的流量作調節之載流氣體用的質流控制器；設於前述原料容器的出口側之原料氣體供應路徑，就原料氣體的流量作測定之流量測定部；為了將是惰性氣體之稀釋氣體混合於前述原料氣體而連接於比前述原料容器的出口側靠下游測，設有根據稀釋氣體流量設定值而就稀釋氣體的流量作調節之稀釋氣體用的質流控制器之稀釋氣體供應路徑；以及求出從將前述流量測定部之流量測定值以原料氣體的供應期間作積分之積分值，扣除將流通於前述流量測定部之惰性氣體的流量測定值以前述供應期間作積分之積分值而求出之原料的氣化量、原料之氣化量的設定值的偏差程度，為了將原料的氣化量維持於設定值而將前述偏差程度加算於前述載流氣體流量設定值作為修正值，同時為了達成載流氣體與稀釋氣體的總流量之一定化而將前述偏差程度從前述稀釋氣體流量設定值扣除的運算處理部。
  2. 如申請專利範圍第1項的原料氣體供應裝置，其中，前述稀釋氣體供應路徑，係連接於前述原料氣體供應路徑上之前述流量測定部的下游測，將流通於前述流量測定部之惰性氣體的流量測定值以前述供應期間作積分的積分值，係流通於前述載流氣體供應路徑之載流氣體的流量測定值之積分值。
  3. 如申請專利範圍第1項的原料氣體供應裝置，其中，前述稀釋氣體供應路徑，係連接於前述原料氣體供應路徑上之前述流量測定部的上游側，將流通於前述流量測定部之惰性氣體的流量測定值以前述供應期間作積分的積分值，係流通於前述載流氣體供應路徑之載流氣體的流量測定值及流通於稀釋氣體供應路徑之稀釋氣體的流量測定值之合計流量的積分值。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之原料氣體供應裝置，其中，就前述流量測定部之流量測定值作積分的積分值及流通於前述流量測定部之惰性氣體的流量測定值之積分值，係分別以原料氣體用的積分電路及惰性氣體用的積分電路而求出，此等積分電路，係構成為在原料氣體的供應期間作積分之積分值在開始後續的原料氣體之供應期間前被重置。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之原料氣體 供應裝置，其中，為了原料的氣化流量與原料之氣化流量的設定值之偏差程度被保持直到為了求出該偏差程度而積分之原料氣體的供應期間之後續的供應期間開始而設有保持電路。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10087523B2 (en) * 2016-05-20 2018-10-02 Lam Research Corporation Vapor delivery method and apparatus for solid and liquid precursors
JP6865602B2 (ja) * 2017-02-22 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP6914063B2 (ja) * 2017-03-10 2021-08-04 株式会社堀場エステック ガス制御システム、該ガス制御システムを備えた成膜装置、該ガス制御システムに用いるプログラム及びガス制御方法。
US10947621B2 (en) * 2017-10-23 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure chemical delivery
JP7027151B2 (ja) 2017-12-13 2022-03-01 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、ガス制御システム、成膜装置、濃度制御方法、及び濃度制御装置用プログラム
JP6904231B2 (ja) * 2017-12-13 2021-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、記憶媒体及び原料ガス供給装置
JP7182988B2 (ja) * 2018-10-12 2022-12-05 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、成膜装置及び原料ガス供給方法
JP7281285B2 (ja) * 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム
US11414755B2 (en) 2019-02-19 2022-08-16 Meidensha Corporation Atomic layer deposition method and atomic layer deposition device
WO2020170482A1 (ja) * 2019-02-19 2020-08-27 株式会社明電舎 原子層堆積方法および原子層堆積装置
JP2021001361A (ja) * 2019-06-19 2021-01-07 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び基板処理システム
JP7300913B2 (ja) * 2019-07-11 2023-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US11946136B2 (en) * 2019-09-20 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing device
US20230151486A1 (en) * 2020-03-17 2023-05-18 Tokyo Electron Limited Raw material supply system
JP7413120B2 (ja) * 2020-03-27 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 ガス供給量算出方法、及び、半導体装置の製造方法
CN114452889B (zh) * 2021-12-31 2023-07-21 武汉新烽光电股份有限公司 一种通过注射泵能够实现精准稀释的方法
FI131053B1 (en) * 2022-06-03 2024-08-20 Canatu Oy REAGENT CASSETTE AND REACTOR EQUIPMENT

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356834A (en) * 1979-11-02 1982-11-02 Lemay Dan B Vapor feed regulator
JPS61279678A (ja) * 1985-06-05 1986-12-10 Nippon Tairan Kk 流量制御装置
JPH0671551B2 (ja) * 1992-04-28 1994-09-14 創研工業株式会社 定量気化供給装置
DE4331451C1 (de) * 1993-09-16 1994-11-17 Hewlett Packard Gmbh Blutdruckmeßvorrichtung und Verfahren zum Steuern des Manschettendruckes bei einer Blutdruckmeßvorrichtung
US5865205A (en) * 1997-04-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Dynamic gas flow controller
US7063981B2 (en) * 2002-01-30 2006-06-20 Asm International N.V. Active pulse monitoring in a chemical reactor
JP3973605B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
JP2006222133A (ja) 2005-02-08 2006-08-24 Hitachi Cable Ltd 原料ガス供給方法及びその装置
US20080141937A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling a vapor delivery system
JP5103983B2 (ja) * 2007-03-28 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法、ガス供給装置、半導体製造装置及び記憶媒体
JP5824372B2 (ja) * 2012-01-25 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びプロセス状態の確認方法
JP5895712B2 (ja) * 2012-05-31 2016-03-30 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、成膜装置、原料ガスの供給方法及び記憶媒体

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