TW201621995A - 切割片 - Google Patents

Abstract

本發明之切割片1係於基材膜11上具備黏著劑層12而成，且將黏著劑層12設為藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數為500MPa以上且未達1200MPa者，將基材膜11設為其彈性模數為160MPa以上且未達500MPa，與黏著劑層12之接觸面(表面11a)之潤濕指數為4.5×10-4N以上者。

Description

切割片

本發明係關於一種於基材膜上具備黏著劑層而成之切割片。

本申請係根據2014年9月5日在日本申請之日本專利特願2014-181016號並主張優先權，且將其內容引用於本文。

切割片係於基材膜上具備黏著劑層而構成，用於藉由前述黏著劑層而貼附於半導體晶圓，且於該狀態下進行半導體晶圓之切割。於半導體晶圓之切割後，利用藉由照射紫外線等能量線而進行之硬化會使前述黏著劑層之黏著力下降，藉此可容易地拾取半導體晶片。作為切割片，至今為止根據其目的而提出有各種構成者，例如專利文獻1中揭示有可減少切割時產生之切割屑量的切割片。

另一方面，近年來，隨著電子設備之多功能化、高積體化之進展，半導體晶片(半導體晶圓)係進行薄層化。而且，藉由使用作為廉價通用品之刀式切片機進行切割， 而求提供廉價之半導體晶片。然而，於使用此種薄的半導體晶圓之情況下，進行切割時容易產生所謂崩缺(chipping)，即在晶片外緣部產生缺口。另外，於切割後，有難以在不產生裂紋之狀況下拾取半導體晶片之情況。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2011/122428號

對此，專利文獻1中未揭示用於使基材膜及黏著劑層之密接性適當，抑制如上所述之半導體晶片之崩缺，並且使拾取容易的基材膜及黏著劑層之合適構成。

本發明係鑒於上述情況而成，其課題在於提供一種切割片，係無損基材膜及黏著劑層之密接性，於切割時抑制半導體晶片產生崩缺，且可容易地拾取半導體晶片。

為了解決上述課題，本發明提供一種切割片，係於基材膜上具備黏著劑層而成，前述黏著劑層之藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數為500MPa以上且未達1200MPa，前述基材膜之彈性模數為160MPa以上且未達500 MPa，前述基材膜之與前述黏著劑層之接觸面之潤濕指數為4.5×10^-4N以上。

本發明之切割片較佳為前述基材膜係於與前述黏著劑層之接觸面含有具有羧基之聚合物及具有環氧基之聚合物。

根據本發明可提供如下切割片：無損基材膜及黏著劑層之密接性，於切割時抑制半導體晶片產生崩缺，且可容易地拾取半導體晶片。

1、2‧‧‧切割片

11、21‧‧‧基材膜

211‧‧‧第1基材膜

212‧‧‧第2基材膜

11a‧‧‧基材膜之表面

211a‧‧‧第1基材膜之表面

12‧‧‧黏著劑層

圖1係示意性地表示本發明之切割片之一實施形態之剖面圖。

圖2係示意性地表示本發明之切割片之另一實施形態之剖面圖。

<<切割片>>

本發明之切割片係於基材膜上具備黏著劑層而成，前述黏著劑層之藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數為500MPa以上且未達1200MPa，前述基材膜之彈性模數為160MPa以上且未達500MPa，前述基材膜之與前述黏著劑層之接觸面之潤濕指數為4.5×10^-4N以上。

前述切割片在經由前述黏著劑層而貼附於半導體晶圓之後，利用藉由照射能量線而進行硬化(聚合反應)會使黏著劑層之黏著性下降，於半導體晶片之製造步驟中，前述切割片係用於自半導體晶圓之切割至半導體晶片之拾取為止之步驟。

前述切割片中，黏著劑層之藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數為500MPa以上，係表示黏著劑層之藉由能量線照射之硬化性高(藉由照射能量線而引起之黏著性下降較大)。即，前述黏著劑層藉由在硬化前具有充分高之黏著性，而於切割時牢固地保持半導體晶圓來防止晶片脫落，另一方面，於硬化後黏著性會充分下降，藉此可於不產生裂紋之狀況下容易地拾取半導體晶片。

另外，前述切割片中，黏著劑層之藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數未達1200MPa，且基材膜之與黏著劑層之接觸面之潤濕指數為4.5×10^-4N以上，藉此，基材膜及黏著劑層之密接性高。

本發明之一形態係於基材膜上具備黏著劑層之切割片，且前述黏著劑層具有如下特性：於依照後述方法照射能量線使其硬化後測定彈性模數時，彈性模數為500MPa以上且未達1200MPa。該「特性」係指前述黏著劑層之物理或化學性質。

作為本發明之另一形態，前述基劑膜上所具備之黏著劑層為未硬化之黏著劑層，且具有藉由能量線之硬化性。

另外，前述切割片中，基材膜之彈性模數為160MPa以上，藉此可抑制切割時之崩缺。

而且，前述切割片中，基材膜之彈性模數未達500MPa，藉此可容易地拾取半導體晶片。

前述切割片藉由將基材膜之彈性模數及黏著劑層之硬化後之彈性模數設為特定範圍，而抑制切割時之崩缺，並且使半導體晶片之拾取容易。而且，前述切割片於上述情況下基材膜及黏著劑層之密接性易於下降，藉由將基材膜之與黏著劑層之接觸面之潤濕指數設為特定值以上，且使黏著劑層之硬化後之彈性模數低於特定值，而抑制該密接性下降。

圖1係示意性地表示本發明之切割片之一實施形態之剖面圖。

圖1所示之切割片1係於基材膜11上具備黏著劑層12而成，黏著劑層12積層於基材膜11之表面11a上。

但，本發明之切割片並不限定於圖1所示者。

<基材膜>

基材膜既可由1層(單層)形成，亦可包含2層以上之複數層。而且，於基材膜包含複數層時，各層之材質既可全部相同，亦可全部不同，或者亦可僅一部分相同。

圖2係示意性地表示本發明之切割片之另一實施形態之剖面圖。再者，圖2所示之構成要素中，與圖1所示的相同者係標註與圖1之情況相同之符號，並省略其詳細說明。

圖1所示之切割片1中基材膜(基材膜11)由單層形成，相對於此，圖2所示之切割片2中基材膜(基材膜21)包含2層。即，切割片2係於基材膜21上具備黏著劑層12而成。而且，基材膜21係積層第1基材膜211及第2基材膜212而成之雙層結構，且於第1基材膜211之表面211a上積層黏著劑層12。

切割片2除上述方面以外與切割片1相同。

前述基材膜之彈性模數為160MPa以上且未達500MPa。藉由使基材膜之彈性模數為160MPa以上，於半導體晶片之切割時可抑制產生崩缺。而且，藉由使基材膜之彈性模數未達500MPa，可抑制基材膜之剛性變得過大，藉此易於拾取半導體晶片。基材膜之彈性模數可藉由後述方法進行測定。

再者，就進一步提高上述效果之方面而言，基材膜之彈性模數較佳為165MPa以上，更佳為170MPa以上，尤佳為175MPa以上。而且，就進一步提高上述效果之方面而言，基材膜之彈性模數較佳為430MPa以下，更佳為300MPa以下，尤佳為250MPa以下。即，基材膜之彈性模數較佳為165MPa以上且430MPa以下之範 圍，更佳為170MPa以上且300MPa以下之範圍，尤佳為175MPa以上且250MPa以下之範圍。

再者，於基材膜包含複數層時，以包含複數層之基材膜整體成為上述範圍之彈性模數之方式構成即可。

另外，於前述基材膜包含複數層時，針對各層之彈性模數，以基材膜整體滿足上述條件之方式考慮層數等進行適當調節即可。例如，於基材膜包含2層以上時，基材膜之具有與黏著劑層之接觸面之最上層以外的層整體之彈性模數與基材膜之前述最上層之彈性模數的比(彈性模數比)([基材膜之具有與黏著劑層之接觸面之最上層以外的層整體之彈性模數]/[基材膜之前述最上層之彈性模數])較佳為0.4~0.9，更佳為0.5~0.8。

藉由使前述比為此種範圍，而將基材膜之彈性模數維持在上述範圍內，並且切割後所進行之切割片之延伸變得容易。

前述基材膜之與黏著劑層之接觸面(圖1中為基材膜11之表面11a，圖2中為第1基材膜211之表面211a)之潤濕指數為4.5×10^-4N(45dyn)以上，較佳為4.7×10^-4N(47dyn)以上。藉由使基材膜之前述潤濕指數為前述下限值以上，前述接觸面之潤濕性會變高，基材膜與黏著劑層之密接性會提高，藉此抑制基材膜與黏著劑層之間的剝離。

另外，前述基材膜之與黏著劑層之接觸面之潤濕指數較佳為7.0×10^-4N(70dyn)以下。雖然藉由使前述潤濕指數較高，切割片並不會特別產生不良情況，但上述潤濕指數之基材膜易於獲取及製造，有可廉價地製造切割片之優勢。

因此，基材膜之與黏著劑層之接觸面之潤濕指數較佳為4.5×10^-4N以上且7.0×10^-4N以下，更佳為4.7×10^-4N以上且7.0×10^-4N以下。上述基材膜之與黏著劑層之接觸面之潤濕指數可藉由後述方法進行測定。

為了將前述基材膜之與黏著劑層之接觸面之潤濕指數設為如上所述，較佳為例如使形成基材膜之前述接觸面之材料具有親水性基。

即，基材膜較佳為於與黏著劑層之接觸面具有親水性基，基材膜之與黏著劑層之接觸面更佳為使用調配有具有羧基之聚合物之樹脂組成物而形成。

其中，基材膜之與黏著劑層之接觸面更佳為使用調配有具有羧基之聚合物及具有環氧基之聚合物的樹脂組成物而形成。於此情形時，前述羧基及環氧基既可由相同聚合物所具有，亦可由不同聚合物分別具有。作為具有羧基之聚合物，例如可列舉選自後述之乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物及乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物所組成之群中之1種或2種以上之乙烯系共聚物(A)，作 為具有環氧基之聚合物，例如可列舉後述之三元共聚物(B)。於基材膜之與黏著劑層之接觸面為此種組成時，藉由利用羧基與環氧基之反應所引起之交聯，而容易將基材膜之彈性模數維持在上述範圍內。另外，於如上所述般藉由利用羧基與環氧基之反應所引起之交聯而提高基材膜之彈性模數的情況下，相較於對成為基底之柔軟聚合物而混合顯示高彈性模數之聚合物而提高彈性模數的情況，基材膜成分之均勻性優異。進而，顯示高彈性模數之聚合物多數情況係使用結晶性高之聚烯烴，而於藉由上述交聯提高彈性模數之情況下，可減少此種聚合物之使用量，因此可避免該聚合物之調配量多時之前述潤濕指數之下降。

基材膜之與黏著劑層之接觸面亦可使用未調配具有環氧基之聚合物且調配有具有羧基之聚合物的樹脂組成物而形成。於此情形時，作為具有羧基之聚合物，可使用上述乙烯系共聚物(A)。

前述基材膜之厚度可根據目的而適當選擇，較佳為50μm~300μm，更佳為60μm~100μm。於基材膜包含複數層時，使各層之合計厚度成為上述之較佳範圍之基材膜之厚度即可。

上述之「基材膜之厚度」係於任意之5個部位利用接觸式厚度計測定出厚度並以平均表示之值。

於前述基材膜包含複數層時，關於各層之厚度係考慮層數等進行適當調節即可。例如，包含2層以上之基材膜中，具有與黏著劑層之接觸面之最上層之厚度較佳為基材膜整體之厚度之30%~90%，更佳為40%~80%，尤佳為50%~70%。換言之，包含2層以上之基材膜中，具有與黏著劑層之接觸面之最上層以外的層之合計厚度較佳為基材膜整體之厚度之10%~70%，更佳為20%~60%，尤佳為30%~50%。

前述基材膜之材質只要滿足上述彈性模數及潤濕指數之條件，則並無特別限定。

作為此種基材膜可使用市售品，亦可例如藉由使各種熱塑性樹脂組成物加熱成形而製造後予以使用。

於藉由使熱塑性樹脂組成物加熱成形而製造前述基材膜時，作為前述熱塑性樹脂組成物，較佳為調配有選自乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物及乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物所組成之群中之1種或2種以上之乙烯系共聚物(A)。

其中，作為較佳之前述熱塑性樹脂組成物，可例示調配如下而成者(以下簡記為「熱塑性樹脂組成物(I)」：選自乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物及乙烯/α,β-不飽和羧酸 /α,β-不飽和羧酸酯共聚物所組成之群中之1種或2種以上之乙烯系共聚物(A)；具有自α-烯烴衍生之結構單元、自(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或縮水甘油不飽和醚衍生之結構單元、及自乙烯酯或不飽和羧酸酯衍生之結構單元的1種或2種以上之三元共聚物(B)；以及1種或2種以上之聚烯烴(C)。

另外，作為較佳之前述熱塑性樹脂組成物，亦可例示調配1種或2種以上之前述乙烯系共聚物(A)及1種或2種以上之前述聚烯烴(C)且未調配前述三元共聚物(B)而成者(以下簡記為「熱塑性樹脂組成物(II)」)。

再者，本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸酯」設為包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者之概念。

於前述基材膜包含複數層時，較佳為將具有與黏著劑層之接觸面之最上層設為使熱塑性樹脂組成物(I)或(II)加熱成形而獲得者，於此情形時，前述最上層以外之層既可設為使熱塑性樹脂組成物(I)或(II)加熱成形而獲得者，亦可設為由其他材質形成者，能夠適當調節。例如，前述最上層以外之層能以切割時之延伸(延展)性成為最佳之方式進行調節。

但，包含複數層之基材膜較佳為前述最上層與前述最上層以外之層使用具有共同調配成分之熱塑性樹脂組成物而形成，更佳為前述最上層與前述最上層以外之層均使用調配有乙烯系共聚物(A)之熱塑性樹脂組成物而形成。

使熱塑性樹脂組成物(I)或(II)加熱成形而獲得者以外之基材膜之材質可為各種樹脂，具體而言可例示：聚乙烯(低密度聚乙烯(Low-Density Polyethylene，LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(Linear Low-Density Polyethylene，LLDPE)、高密度聚乙烯(High-Density Polyethylene，HDPE)等)、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯、聚醯亞胺、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、該等中之任一樹脂之氫化物、改質物、交聯物或共聚物等。

再者，本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」設為包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者之概念。

另外，本說明書中之低密度聚乙烯係密度為910kg/m³以上且未達930kg/m³之聚乙烯，高密度聚乙烯係密度為942kg/m³以上之聚乙烯。

[熱塑性樹脂組成物(I)]

熱塑性樹脂組成物(I)係前述基材膜之製造原料，且係調配前述乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)及聚烯烴(C)而成者。

以下，對各成分進行說明。

(乙烯系共聚物(A))

乙烯系共聚物(A)係選自乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物及乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物所組成之群中之1種或2種以上。

乙烯系共聚物(A)中之乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物，係至少使乙烯及α,β-不飽和羧酸作為單體進行共聚合而獲得者。

乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物亦可於無損本發明之效果之範圍內，除乙烯及α,β-不飽和羧酸以外，亦使α,β-不飽和羧酸酯以外之1種或2種以上之其他單體進行共聚合而獲得。

其中，乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物中自乙烯衍生之結構單元之含有比率(質量比)與自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之含有比率(質量比)的合計值(合計含有比率)相對於前述共聚物之總質量，較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，尤佳為98質量%以上。而且，上述合計含有比率可為100質量%。

乙烯系共聚物(A)中之乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物，係至少使乙烯、α,β-不飽和羧酸及α,β-不飽和羧酸酯作為單體進行共聚合而獲得者。

乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物亦可為於無損本發明之效果之範圍內，除乙烯、α,β-不飽和羧酸及α,β-不飽和羧酸酯以外，亦使1種或2種以上之其他單體進行共聚合而獲得。

其中，乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物中，自乙烯衍生之結構單元之含有比率(質量比)、自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之含有比率(質量比)、及自α,β-不飽和羧酸酯衍生之結構單元之含有比率(質量比)的合計值(合計含有比率)相對於前述共聚物之總質量，較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，尤佳為98質量%以上。而且，上述合計含有比率可為100質量%。

乙烯系共聚物(A)可為嵌段共聚物、無規共聚物及接枝共聚物中之任一種。例如，就與(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或縮水甘油不飽和醚之反應性、工業上能夠容易獲取之方面而言，乙烯系共聚物(A)較佳為二元無規共聚物或三元無規共聚物。

作為構成乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物及乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物之α,β-不飽和羧酸或其衍生物，可例示：丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、伊康酸、伊康酸酐、反丁烯二酸、巴豆酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等碳數為3~8之不飽和羧酸；前述碳數為3~8之不飽和羧酸之鹽；順丁烯二酸單酯(順丁烯二酸 單甲酯、順丁烯二酸單乙酯等)等前述碳數為3~8之不飽和羧酸之酯等。

該等中，前述α,β-不飽和羧酸或其衍生物較佳為丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐或順丁烯二酸單酯，尤佳為丙烯酸或甲基丙烯酸。

再者，本說明書中所謂「衍生物」，只要無特別事先說明，則表示原本之化合物之1個以上氫原子被氫原子以外之基(取代基)取代而成者。

構成乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物或乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物之α,β-不飽和羧酸或其衍生物既可僅為1種，亦可為2種以上。

作為構成乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物之α,β-不飽和羧酸酯，可例示：丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、乙基丙烯酸烷酯、巴豆酸烷酯、反丁烯二酸烷酯、順丁烯二酸烷酯、伊康酸烷酯等碳數為3~8之不飽和羧酸之烷酯。

前述烷酯之烷基較佳為碳數為1~12，作為此種烷基，更具體而言可例示：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、1-甲基丁基、正己基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、正庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、2,2-二甲基戊基、2,3-二甲基戊 基、2,4-二甲基戊基、3,3-二甲基戊基、3-乙基戊基、2,2,3-三甲基丁基、正辛基、異辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。該等中，前述烷酯較佳為烷基之碳數為1~8者。

前述α,β-不飽和羧酸酯尤佳為(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、正丁酯或異丁酯。

乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物藉由包含自前述α,β-不飽和羧酸酯衍生之結構單元，而使作為基材膜之柔軟性提高。

構成乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物之α,β-不飽和羧酸酯既可僅為1種，亦可為2種以上。

作為乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物中較佳者，可例示乙烯/丙烯酸共聚物、乙烯/甲基丙烯酸共聚物等。

另外，作為乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物，亦可使用例如Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製造之「Nucrel series(商品名)」等市售品。

乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物中，相對於自乙烯衍生之結構單元之含有比率(質量比)與自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之含有比率(質量比)的合計值，自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之含有比率(質量比)較佳為1質量%~20質量%，更佳為5質量%~20質量%。藉由使 自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之前述含有比率為前述下限值以上，抑制前述基材膜熔著之效果變高。

作為乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物中較佳者，可例示乙烯/(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸酯共聚物等，乙烯/(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸烷酯共聚物中，更佳為烷酯之烷基之碳數為1~8者，尤佳為前述碳數為1~4者。作為此種前述共聚物，可例示：乙烯/(甲基)丙烯酸/丙烯酸甲酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸/丙烯酸乙酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸/丙烯酸正丁酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸/丙烯酸異丁酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸/甲基丙烯酸乙酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸/甲基丙烯酸正丁酯共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸/甲基丙烯酸異丁酯共聚物等。

乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物中，相對於自乙烯衍生之結構單元之含有比率(質量比)、自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之含有比率(質量比)、及自α,β-不飽和羧酸酯衍生之結構單元之含有比率(質量比)的合計值，自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之含有比率(質量比)較佳為1質量%~20質量%，更佳為5質量%~20質量%。藉由使自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之 含有比率為前述下限值以上，抑制前述基材膜之熔著之效果變高。

乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚物中，相對於自乙烯衍生之結構單元之含有比率(質量比)、自α,β-不飽和羧酸衍生之結構單元之含有比率(質量比)、及自α,β-不飽和羧酸酯衍生之結構單元之含有比率(質量比)的合計值，自α,β-不飽和羧酸酯衍生之結構單元之含有比率(質量比)較佳為1質量%~20質量%，更佳為3質量%~18質量%。藉由使自α,β-不飽和羧酸酯衍生之結構單元之前述含有比率為前述上限值以下，抑制前述基材膜之黏連(blocking)之效果變高。

就抑制前述基材膜熔著之效果變得更高之方面而言，乙烯系共聚物(A)較佳為乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物。

乙烯系共聚物(A)之熔體流動速率(Melt Flow Rate，MFR)較佳為2g/10分鐘~500g/10分鐘，更佳為2g/10分鐘~150g/10分鐘，尤佳為2g/10分鐘~120g/10分鐘。藉由使乙烯系共聚物(A)之熔體流動速率在上述範圍內，熱塑性樹脂組成物(I)之成形性更優異。

再者，本說明書中之「乙烯系共聚物(A)之熔體流動速率」表示藉由依照JIS K7210-1999之方法於溫度190℃、負荷2160g之條件下測定出之值。

熱塑性樹脂組成物(I)中，相對於該組成物之總質量之乙烯系共聚物(A)之調配量較佳為50質量%~99質量%，更佳為50質量%~85質量%，尤佳為60質量%~85質量%。

(三元共聚物(B))

三元共聚物(B)係具有自α-烯烴衍生之結構單元、自(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或縮水甘油不飽和醚衍生之結構單元、及自乙烯酯或不飽和羧酸酯衍生之結構單元的1種或2種以上三元共聚物。

三元共聚物(B)亦可於無損本發明之效果之範圍內，具有自除前述α-烯烴、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、縮水甘油不飽和醚、乙烯酯及不飽和羧酸酯以外之其他單體衍生的1種或2種以上之其他結構單元。

關於作為三元共聚物(B)中之共聚合成分之α-烯烴，可例示乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-辛烯等碳數為2~10之α-烯烴，前述α-烯烴較佳為乙烯或丙烯。

構成三元共聚物(B)之α-烯烴既可僅為1種，亦可為2種以上。

作為三元共聚物(B)中之共聚合成分之縮水甘油不飽和醚，係具有縮水甘油基與不飽和烴基鍵結於同一氧原子之結構，可例示乙烯基縮水甘油醚、烯丙基縮水甘油醚、2-甲基烯丙基縮水甘油醚等。

構成三元共聚物(B)之縮水甘油不飽和醚既可僅為1種，亦可為2種以上。

作為三元共聚物(B)中之共聚合成分之乙烯酯為有機酸之乙烯酯，較佳為飽和羧酸乙烯酯，作為此種者，可例示乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等。

構成三元共聚物(B)之乙烯酯既可僅為1種，亦可為2種以上。

關於作為三元共聚物(B)中之共聚合成分之不飽和羧酸酯，可使用與前述乙烯系共聚物(A)中之α,β-不飽和羧酸酯相同者，作為前述不飽和羧酸酯，更具體而言，可例示：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸異丁酯、順丁烯二酸二甲酯等不飽和羧酸烷酯。

該等中，前述不飽和羧酸酯較佳為不飽和羧酸烷酯中烷酯之烷基碳數為1~5者，更佳為烷酯之烷基為異丁基、正丁基等碳數為4者。而且，前述不飽和羧酸酯較佳為丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸異丁酯等(甲基)丙烯酸烷酯中烷酯之烷基碳數為1~5，更佳為(甲基)丙烯酸之正丁酯、異丁酯等烷酯之烷基之碳數為4者，進而較佳為丙烯酸烷酯中烷酯之烷基碳數為4者。

構成三元共聚物(B)之不飽和羧酸酯既可僅為1種，亦可為2種以上。

三元共聚物(B)中，自α-烯烴衍生之結構單元之含有比率(質量比)相對於三元共聚物(B)之總質量，較佳為40質量%~99質量%，更佳為50質量%~98質量%。

三元共聚物(B)中，自(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或縮水甘油不飽和醚衍生之結構單元之含有比率(質量比)相對於三元共聚物(B)之總質量，較佳為0.5質量%~20質量%，更佳為1質量%~15質量%。藉由使自(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或縮水甘油不飽和醚衍生之結構單元之含有比率為前述下限值以上，前述基材膜之耐熱性之提高效果變大。而且，藉由使自(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或縮水甘油不飽和醚衍生之結構單元之含有比率為前 述上限值以下，與三元共聚物(B)之不飽和羧酸之反應性不會變得過強，於基材膜之成形時可抑制組成物(將熱塑性樹脂組成物(I)加熱而成者)之黏度急遽上升，而成形性良好，進而可抑制組成物中產生凝膠。

三元共聚物(B)中，自乙烯酯或不飽和羧酸酯衍生之結構單元之含有比率(質量比)較佳為1質量%~40質量%。藉由使自乙烯酯或不飽和羧酸酯衍生之結構單元之含有比率為前述上限值以下，前述基材膜可獲得適度之柔軟性，並且可抑制發黏，而獲得良好之耐黏連性及耐熔著性。再者，前述含有比率為1質量%以上係表示以明顯存在之方式具有自乙烯酯或不飽和羧酸酯衍生之結構單元。

三元共聚物(B)可為無規共聚物及接枝共聚物中之任一種。通常，就與乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物之反應之均勻性高之方面而言，三元共聚物(B)較佳為無規共聚物。此種無規共聚物例如藉由在高溫、高壓之條件下進行自由基共聚合而獲得。

三元共聚物(B)之熔體流動速率(MFR)較佳為0.01g/10分鐘~1000g/10分鐘，更佳為0.1g/10分鐘~200g/10分鐘。藉由使三元共聚物(B)之熔體流動速率在此種範圍內，前述基材膜之交聯度會提高，而耐熱性提高。

再者，本說明書中所謂「三元共聚物(B)之熔體流動速率」係表示藉由依照JIS K7210-1999之方法於溫度190℃、負荷2160g之條件下測定出之值。

熱塑性樹脂組成物(I)中，相對於該組成物之總質量之三元共聚物(B)之調配量較佳為0.1質量%~10質量%，更佳為1質量%~10質量%，尤佳為1質量%~8質量%。

(聚烯烴(C))

聚烯烴(C)可使用1種或2種以上。熱塑性樹脂組成物(I)係藉由使用聚烯烴(C)而其他成分之分散性會提高，且具有良好之耐熱性。

作為聚烯烴(C)，可使用採用各種觸媒並利用公知方法而獲得者，例如可例示：乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-辛烯等碳數為2~10之α-烯烴之均聚物或2種以上前述α-烯烴之共聚物等。

作為較佳之聚烯烴(C)，可例示聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯-1、聚-4-甲基-1-戊烯等。

作為較佳之聚乙烯，可例示低密度聚乙烯(LDPE)、線狀低密度聚乙烯(LLDPE)，線狀低密度聚乙烯中之尤 佳者為使用茂金屬觸媒而獲得之線狀低密度聚乙烯(mLLDPE)。

作為聚丙烯，可例示丙烯均聚物、藉由丙烯與其他單體之共聚合所得之丙烯系共聚物等。

作為前述丙烯系共聚物，可例示丙烯與乙烯及/或乙烯以外之α-烯烴(較佳為碳數4~8之α-烯烴)之無規共聚物、嵌段共聚物、及交替共聚物等。

聚丙烯較佳為丙烯均聚物或無規共聚物。

該等中，就耐熱性優異之方面而言，聚烯烴(C)較佳為丙烯系無規共聚物、均聚聚丙烯、低密度聚乙烯或線狀低密度聚乙烯。

聚烯烴(C)之熔體流動速率(MFR)較佳為0.5g/10分鐘~100g/10分鐘，更佳為1g/10分鐘~50g/10分鐘，尤佳為1g/10分鐘~20g/10分鐘。

再者，本說明書中所謂「聚烯烴(C)之熔體流動速率」係表示藉由依照JIS K7210-1999之方法於溫度230℃、負荷2160g之條件下測定出之值。

熱塑性樹脂組成物(I)中，相對於該組成物之總質量之聚烯烴(C)之調配量較佳為0.5質量%~40質量%， 更佳為10質量%~30質量%。藉由使聚烯烴(C)之調配量處於此種範圍，容易將前述潤濕指數維持為高。

熱塑性樹脂組成物(I)較佳為相對於乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)及聚烯烴(C)之總調配量(合計量)，乙烯系共聚物(A)之調配量之比率為50質量%~94.5質量%，三元共聚物(B)之調配量之比率為0.5質量%~10質量%，聚烯烴(C)之調配量之比率為5質量%~40質量%。

如上所述，乙烯系共聚物(A)之前述調配量之比率為50質量%以上表示乙烯系共聚物(A)為構成熱塑性樹脂組成物(I)之主成分。

再者，熱塑性樹脂組成物(I)中之乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)及聚烯烴(C)之合計量不超過100質量%。

另外，藉由如上所述般使三元共聚物(B)之前述調配量之比率為0.5質量%以上，基材膜之耐熱性進一步提高。而且，藉由使三元共聚物(B)之前述調配量之比率為10質量%以下，三元共聚物(B)與乙烯系共聚物(A)之反應不會過度進行，藉此維持熱塑性樹脂組成物(I)之良好黏度，抑制熱塑性樹脂組成物(I)中產生凝膠。

另外，藉由如上所述般使聚烯烴(C)之前述調配量之比率為5質量%以上，基材膜之耐熱性進一步提高，藉由使聚烯烴(C)之前述調配量之比率為40質量%以下，熱塑性樹脂組成物(I)之含有成分之分散性進一步提高。

熱塑性樹脂組成物(I)更佳為相對於乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)及聚烯烴(C)之總調配量(合計量)，乙烯系共聚物(A)之調配量之比率為55質量%~89質量%，三元共聚物(B)之調配量之比率為1質量%~10質量%，聚烯烴(C)之調配量之比率為10質量%~35質量%。

熱塑性樹脂組成物(I)亦可於無損本發明效果之範圍內，調配除乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)及聚烯烴(C)以外之其他成分。

前述其他成分既可僅為1種，亦可為2種以上。

熱塑性樹脂組成物(I)中之前述其他成分並無特別限定，作為較佳者，可例示作為熱塑性樹脂組成物(I)之調配成分所示之聚合物以外的其他聚合物、各種添加劑等。

熱塑性樹脂組成物(I)中，前述其他聚合物之調配量相對於乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)及聚烯烴(C)之總調配量(合計量)的比率較佳為20質量%以下。

作為前述添加劑，例如可列舉：抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、顏料、染料、潤滑劑、抗黏連劑、抗靜電劑、防黴劑、抗菌劑、阻燃劑、阻燃助劑、交聯劑、交聯助劑、發泡劑、發泡助劑、無機填充劑、纖維強化材料等。就抑制前述基材膜之熔著之效果變得更高之方面而言，前述添加劑之調配量可為少量。

熱塑性樹脂組成物(I)中，相對於該組成物之總質量之乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)及聚烯烴(C)之總調配量較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，進而較佳為95質量%以上，尤佳為99質量%以上。而且，上述總調配量可為100質量%。

熱塑性樹脂組成物(I)亦可為照射電子束而促進過交聯反應者。使用此種熱塑性樹脂組成物所得之前述基材膜之耐熱性提高。

熱塑性樹脂組成物(I)係藉由添加乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)、聚烯烴(C)、及視需要之前述其他成分並進行熔融混合而獲得。於熔融混合時，可使 用螺旋擠出機、輥式混合機、班布里混合機等公知之混合裝置。

於上述各成分之熔融混合時，既可將所有成分逐一依序添加，亦可將所有成分同時添加，且亦可將一部分之2種以上成分同時添加。於不將所有成分同時添加時，各成分之添加順序並無特別限定。但，本發明中，較佳為預先將三元共聚物(B)及聚烯烴(C)進行熔融混合，進而將該熔融混合物及乙烯系共聚物(A)進行熔融混合。若以此種添加順序進行熔融混合，則為在三元共聚物(B)預先被聚烯烴(C)稀釋之狀態添加乙烯系共聚物(A)。其結果，三元共聚物(B)與乙烯系共聚物(A)之反應不會局部地發生，而更均勻地進行，因此能以高品質穩定性獲得具有優異各性質之熱塑性樹脂組成物(I)。另一方面，若預先將乙烯系共聚物(A)及三元共聚物(B)進行熔融混合，進而將該熔融混合物及聚烯烴(C)進行熔融混合，則有局部地發生反應，而熱塑性樹脂組成物(I)中產生凝膠之情況。

於將乙烯系共聚物(A)、三元共聚物(B)、聚烯烴(C)、及視需要之前述其他成分全部同時添加並進行熔融混合時，較佳為使用雙軸擠出機。

關於熱塑性樹脂組成物(I)之熔體流動速率(MFR)，就抑制使其成形所得之前述基材膜之熔著之效果變得更高的方面而言，較佳為0.2g/10分鐘~3.1g/10分鐘，更 佳為0.2g/10分鐘~2.5g/10分鐘，尤佳為0.2g/10分鐘~2.0g/10分鐘。

再者，本說明書中所謂「熱塑性樹脂組成物之熔體流動速率」係表示藉由依照JIS K7210-1999之方法於溫度190℃、負荷2160g之條件下測定出之值。

[熱塑性樹脂組成物(II)]

熱塑性樹脂組成物(II)亦為前述基材膜之製造原料，且係調配1種或2種以上之前述乙烯系共聚物(A)與1種或2種以上之前述聚烯烴(C)而成者，於未調配三元共聚物(B)之方面係與熱塑性樹脂組成物(I)不同。作為熱塑性樹脂組成物(II)之調配成分，可使用與熱塑性樹脂組成物(I)之情況相同者。

熱塑性樹脂組成物(II)較佳為相對於乙烯系共聚物(A)及聚烯烴(C)之總調配量(合計量)，乙烯系共聚物(A)之調配量之比率為50質量%~94.5質量%，聚烯烴(C)之調配量之比率為5.5質量%~50質量%。

另外，熱塑性樹脂組成物(II)更佳為相對於乙烯系共聚物(A)及聚烯烴(C)之總調配量(合計量)，乙烯系共聚物(A)之調配量之比率為55質量%~89質量%，聚烯烴(C)之調配量之比率為11質量%~45質量%。

另外，熱塑性樹脂組成物(II)進而較佳為相對於乙烯系共聚物(A)及聚烯烴(C)之總調配量(合計量)，乙烯系共聚物(A)之調配量之比率為65質量%~75質量%，聚烯烴(C)之調配量之比率為25質量%~35質量%。藉由使前述調配量之比率為如上所述之範圍，易於將基材膜之彈性模數調整為適當範圍，且可抑制前述潤濕指數之過度下降。

再者，熱塑性樹脂組成物(II)中之乙烯系共聚物(A)及聚烯烴(C)之合計量不超過100質量%。

除上述方面以外，熱塑性樹脂組成物(II)與熱塑性樹脂組成物(I)相同。而且，熱塑性樹脂組成物(II)除未使用三元共聚物(B)以外，係藉由與熱塑性樹脂組成物(I)之情況相同之方法而獲得。

前述基材膜係藉由使熱塑性樹脂組成物(I)或(II)加熱成形而獲得。作為進行加熱成形之方法，可例示擠出成形、射出成形、壓縮成形、中空成形等公知之各種成形方法。

上述成形時之加熱溫度並無特別限定，較佳為150℃~250℃。

另外，包含複數層之前述基材膜亦可藉由使用例如擠出塗佈成形機，使前述熱塑性樹脂組成物於構成複數層中 任一層的一基材膜之表面進行熱接著及成形而獲得。此時之加熱溫度可與上述相同。

基材膜只要以其彈性模數及潤濕指數成為特定範圍之方式調節，例如調節調配於熱塑性樹脂組成物之單體之種類及量而製造即可。

作為較佳之基材膜，之前說明形成與黏著劑層之接觸面之材料具有羧基、環氧基等親水性基的基材膜，此種基材膜係藉由使用調配具有該等親水性基之單體而成者而作為熱塑性樹脂組成物(I)、(II)等熱塑性樹脂組成物，並進行加熱成形而獲得。而且，此情形時之基材膜表面之潤濕指數例如可利用具有親水性基之單體之調配量進行調節。

基材膜亦可視需要對表面實施電子束照射處理等，藉由促進交聯反應而使耐熱性提高。

另外，基材膜亦可視需要對表面實施利用噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理、或電暈處理、電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等，以使與黏著劑層之接著性提高。而且，基材膜亦可對表面實施底塗處理。

關於將乙烯系共聚物(A)之類的乙烯/α,β-不飽和羧酸共聚物或乙烯/α,β-不飽和羧酸/α,β-不飽和羧酸酯共聚 物用作基材膜之製造原料之情況，係記載於「國際公開第2011/122428號(上述專利文獻1)」、「日本專利特開2013-216870號公報」。然而，「國際公開第2011/122428號」所記載之發明係將減少切割時產生之切割屑量作為課題，該文獻中，未揭示用於在無損基材膜及黏著劑層之密接性之狀況下抑制半導體晶片之崩缺，並且使拾取容易之基材膜及黏著劑層之構成。另外，「日本專利特開2013-216870號公報」所記載之發明係將抑制樹脂成形體之黏連、熔著及高溫下之收縮作為課題，該文獻中，亦未揭示用於在無損基材膜及黏著劑層之密接性之狀況下抑制半導體晶片之崩缺，並且使拾取容易之基材膜及黏著劑層之構成，且原本關於黏著劑層便無任何揭示。

相對於此，本發明對具有特定特性之基材膜組合後述具有特定特性之黏著劑層而使用，藉此發揮如下之優異效果：無損基材膜及黏著劑層之密接性，抑制切割時之半導體晶片之崩缺，且能夠容易地拾取半導體晶片。

<黏著劑層>

前述黏著劑層具有於照射能量線時硬化之硬化性，其藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數為500MPa以上且未達1200MPa。藉由使黏著劑層之硬化後之彈性模數為500MPa以上，硬化後之黏著劑層之黏著力會充分下降，能夠容易地在不產生裂紋之狀況下拾取半導體晶片。而且，藉由使黏著劑層之硬化後之彈性模數未達1200 MPa，基材膜與黏著劑層之密接性高，可抑制基材膜與黏著劑層之間之剝離。

就上述效果進一步提高之方面而言，黏著劑層之藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數較佳為515MPa以上，更佳為530MPa以上，尤佳為545MPa以上。而且，就上述效果進一步提高之方面而言，黏著劑層之藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數較佳為1195MPa以下，更佳為1190MPa以下，尤佳為1180MPa以下。即，黏著劑層之藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數較佳為515MPa以上且1195MPa以下之範圍，更佳為530MPa以上且1190MPa以下之範圍，尤佳為545MPa以上且1180MPa以下之範圍。

作為本發明之一形態，本發明之切割片所具備之黏著劑層具有如下特性：於依照後述方法照射能量線硬化後測定彈性模數時，彈性模數為500MPa以上且未達1200MPa。

作為本發明之另一形態，本發明之切割片所具備之黏著劑層為未硬化之黏著劑層，且具有能量線硬化性。

前述黏著劑層之厚度可根據目的而適當選擇，較佳為1μm~100μm，更佳為2μm~60μm，尤佳為3μm~30μm。

上述之「黏著劑層之厚度」係於任意之5個部位利用接觸式厚度計測定出厚度並以平均表示之值。

前述黏著劑層之材質只要滿足上述條件，則無特別限定，例如可使用含有藉由照射能量線而進行聚合之能量線聚合性之丙烯酸系聚合物的各種黏著劑組成物而形成。黏著劑組成物中之非揮發性成分彼此之含量之比率係與黏著劑層中亦成為相同。

作為前述黏著劑組成物中之較佳者，可例示：含有前述丙烯酸系聚合物與能量線聚合性化合物者(以下簡記為「黏著劑組成物(i)」)；以及含有具有羥基且於側鏈具有聚合性基之丙烯酸系聚合物(例如為具有羥基且經由胺基甲酸酯鍵而於側鏈具有聚合性基者)與異氰酸酯系交聯劑者(以下簡記為「黏著劑組成物(ii)」)。

[黏著劑組成物(i)]

黏著劑組成物(i)為前述黏著劑層之製造原料，含有前述丙烯酸系聚合物與能量線聚合性化合物作為必需成分。

以下，對各成分進行說明。

(丙烯酸系聚合物)

作為黏著劑組成物(i)之前述丙烯酸系聚合物中之較佳者，可例示使(甲基)丙烯酸酯與視需要使用之非(甲 基)丙烯酸酯作為單體進行聚合而獲得的(甲基)丙烯酸酯共聚物。

作為前述(甲基)丙烯酸酯，可例示：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸異十八烷酯((甲基)丙烯酸異硬脂酯)等構成烷酯之烷基為碳數1~18之鏈狀結構的(甲基)丙烯酸烷酯；(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊基酯等(甲基)丙烯酸環烷酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯基氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯基氧基烷酯；(甲基)丙烯醯亞胺；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯等。

前述非(甲基)丙烯酸酯為(甲基)丙烯酸酯以外之單體，作為較佳者，可例示：(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯、N-羥甲基丙烯醯胺等。

構成丙烯酸系聚合物之前述(甲基)丙烯酸酯、非(甲基)丙烯酸酯等單體均既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(i)所含有之丙烯酸系聚合物既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(i)之丙烯酸系聚合物之含量相對於黏著劑組成物(i)中之溶劑以外之所有含有成分之總量，較佳為40質量%以上，更佳為50質量%以上。而且，黏著劑組成物(i)之丙烯酸系聚合物之含量相對於黏著劑組成物(i)中之溶劑以外之所有含有成分之總量，較佳為99質量%以下，更佳為91質量%以下。

(能量線聚合性化合物)

前述能量線聚合性化合物為藉由照射紫外線、電子束等能量線而進行聚合並硬化之化合物，於分子內具有能量線硬化性雙鍵。

作為前述能量線聚合性化合物，可例示具有能量線聚合性基之低分子量化合物(單官能或多官能之單體及寡聚 物)，更具體而言，可例示：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯；二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯等含環狀脂肪族骨架之丙烯酸酯；聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧基改質丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、伊康酸寡聚物等丙烯酸酯系化合物。

前述能量線聚合性化合物之分子量較佳為100~30000，更佳為300~10000。

另外，用於使黏著劑組成物(i)硬化之能量線之照射量根據能量線之種類而不同，例如於紫外線時，以光量計較佳為50mJ/cm²~1000mJ/cm²，更佳為100mJ/cm²~500mJ/cm²。另外，於電子束時，較佳為10krad~1000krad左右。

黏著劑組成物(i)所含有之能量線聚合性化合物既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(i)之能量線聚合性化合物之含量相對於前述丙烯酸系聚合物100質量份，較佳為1質量份~125質量份，更佳為10質量份~125質量份。

(光聚合起始劑)

黏著劑組成物(i)除丙烯酸系聚合物及能量線聚合性化合物以外，亦可含有光聚合起始劑。

前述光聚合起始劑可為公知者，具體而言，可例示：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基/α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮(Thiaxanthone)、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、異丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二異丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。

黏著劑組成物(i)所含有之光聚合起始劑既可僅為1種，亦可為2種以上。

於使用光聚合起始劑時，黏著劑組成物(i)之光聚合起始劑之含量相對於前述能量線聚合性化合物100質量份，較佳為0.1質量份~10質量份，更佳為1質量份~5 質量份。藉由使光聚合起始劑之前述含量為前述下限值以上，可充分獲得使用光聚合起始劑所產生之效果。而且，藉由使光聚合起始劑之前述含量為前述上限值以下，會抑制自過量光聚合起始劑產生副產物，黏著劑層之硬化更良好地進行。

(交聯劑)

黏著劑組成物(i)除丙烯酸系聚合物及能量線聚合性化合物以外，亦可含有交聯劑。

作為前述交聯劑，可例示有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物等。

作為前述有機多元異氰酸酯化合物，可例示：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物以及該等化合物之三聚物、三聚異氰酸酯體及加成物、或者使前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而獲得的末端異氰酸酯基之胺基甲酸酯預聚物等。前述加成物係指前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含活性氫之低分子化合物的反應物。

作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，可例示：2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-二甲苯二異氰酸酯；1,4-二甲苯二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；於三羥甲基丙烷等多元醇之所有羥基或一部分羥基上加成甲苯二異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯之任一者或兩者而成的化合物；離胺酸二異氰酸酯等。

作為前述有機多元亞胺化合物，可例示：N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。

於使用異氰酸酯化合物作為交聯劑時，作為丙烯酸系聚合物，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑具有異氰酸酯基且丙烯酸系聚合物具有羥基時，藉由上述異氰酸酯基與羥基之反應，可於黏著劑層簡便地導入交聯結構。

黏著劑組成物(i)所含有之交聯劑既可僅為1種，亦可為2種以上。

於使用交聯劑時，黏著劑組成物(i)之交聯劑之含量相對於前述丙烯酸系聚合物100質量份，較佳為0.01質量份~20質量份，更佳為0.1質量份~16質量份。

(溶劑)

黏著劑組成物(i)較佳為除丙烯酸系聚合物及能量線聚合性化合物以外，進而含有溶劑。

前述溶劑並無特別限定，作為較佳者，可例示：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。

黏著劑組成物(i)所含有之溶劑既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(i)含有溶劑時溶劑之含量較佳為40質量%~90質量%，更佳為50質量%~80質量%。

(其他成分)

黏著劑組成物(i)除丙烯酸系聚合物及能量線聚合性化合物以外，亦可於無損本發明之效果之範圍內含有光聚合起始劑、交聯劑及溶劑以外的其他成分。

前述其他成分可為公知者，可根據目的而任意選擇，並無特別限定，作為較佳者，可例示染料、顏料、防劣化劑、抗靜電劑、阻燃劑、聚矽氧化合物、鏈轉移劑等各種添加劑。

黏著劑組成物(i)所含有之前述其他成分既可僅為1種，亦可為2種以上。

[黏著劑組成物(ii)]

黏著劑組成物(ii)亦為前述黏著劑層之製造原料，係含有具有羥基且於側鏈具有聚合性基之丙烯酸系聚合物(例如為具有羥基且經由胺基甲酸酯鍵而於側鏈具有聚合性基者)與異氰酸酯系交聯劑作為必需成分。

於使用黏著劑組成物(ii)時，藉由使丙烯酸系聚合物於側鏈具有聚合性基，相較於如黏著劑組成物(i)之情況般使用能量線聚合性化合物並藉由照射能量線而進行聚合反應之情況，因聚合反應(硬化)後黏著劑層之黏著性下降而自被黏著體之剝離性提高，藉此半導體晶片之拾取性提高。

再者，本說明書中，關於黏著劑組成物(ii)中記載為「丙烯酸系聚合物」，只要無特別預先說明，則係指「於側鏈具有聚合性基之丙烯酸系聚合物」。

(丙烯酸系聚合物)

作為上述於側鏈具有聚合性基之丙烯酸系聚合物，可例示使(甲基)丙烯酸酯與含羥基之(甲基)丙烯酸酯等含羥基之化合物作為單體進行共聚合，並使獲得之含羥基之共聚物之羥基與具有異氰酸酯基及聚合性基之化合物之異氰酸酯基反應，形成胺基甲酸酯鍵而獲得者。

作為前述(甲基)丙烯酸酯，可例示黏著劑組成物(i)之(甲基)丙烯酸酯中之除含羥基之(甲基)丙烯酸酯以外者。

另外，作為前述含羥基之化合物，可例示與黏著劑組成物(i)中之含羥基之(甲基)丙烯酸酯相同者。

構成前述丙烯酸系聚合物之(甲基)丙烯酸酯及含羥基之化合物既可僅為1種，亦可為2種以上。

作為前述具有異氰酸酯基及聚合性基之化合物，可例示異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯等含異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯等。

構成前述丙烯酸系聚合物之前述具有異氰酸酯基及聚合性基之化合物既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(ii)所含有之丙烯酸系聚合物既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(ii)之丙烯酸系聚合物之含量相對於黏著劑組成物(ii)中之溶劑以外之所有含有成分之總量，較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上。而且，黏著劑組成物(ii)之丙烯酸系聚合物之含量相對於黏著劑組成物(ii)中之溶劑以外之所有含有成分之總量，較佳為99質量%以下，更佳為97質量%以下。

(異氰酸酯系交聯劑)

作為前述異氰酸酯系交聯劑，可例示與黏著劑組成物(i)中之作為交聯劑之前述有機多元異氰酸酯化合物相同者。

黏著劑組成物(ii)所含有之異氰酸酯系交聯劑既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(ii)中之異氰酸酯系交聯劑所具有之異氰酸酯基之莫耳數相對於黏著劑組成物(ii)中之丙烯酸系聚合物所具有之羥基之莫耳數，較佳為0.2倍以上。藉由如此構成，因硬化後黏著劑層之黏著性下降而自被黏著體之剝離性提高，藉此半導體晶片之拾取性提高。

而且，黏著劑組成物(ii)中之異氰酸酯系交聯劑所具有之異氰酸酯基之莫耳數相對於黏著劑組成物(ii)中之丙烯酸系聚合物所具有之羥基之莫耳數，較佳為3倍以 下。藉由如此構成，可進一步抑制異氰酸酯系交聯劑彼此產生副產物。

黏著劑組成物(ii)之異氰酸酯系交聯劑之含量只要以異氰酸酯基之莫耳數成為如上所述之範圍之方式進行適當調節即可，於滿足此種條件之基礎上，相對於丙烯酸系聚合物100質量份，較佳為0.01質量份~20質量份，更佳為0.1質量份~15質量份，尤佳為0.3質量份~10質量份。

(光聚合起始劑)

黏著劑組成物(ii)除丙烯酸系聚合物及異氰酸酯系交聯劑以外，亦可含有光聚合起始劑。

作為前述光聚合起始劑，可例示與黏著劑組成物(i)之情況相同者。

黏著劑組成物(ii)所含有之光聚合起始劑既可僅為1種，亦可為2種以上。

於使用光聚合起始劑時，黏著劑組成物(ii)之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物100質量份，較佳為0.05質量份~20質量份。藉由使光聚合起始劑之前述含量為前述下限值以上，可充分獲得使用光聚合起始劑所產生之效果。而且，藉由使光聚合起始劑之前述含量為前 述上限值以下，會抑制自過量之光聚合起始劑產生副產物，黏著劑層之硬化更良好地進行。

(溶劑)

黏著劑組成物(ii)較佳為除丙烯酸系聚合物及異氰酸酯系交聯劑以外，進而含有溶劑。

作為前述溶劑，可例示與黏著劑組成物(i)之情況相同者。

黏著劑組成物(ii)所含有之溶劑既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(ii)含有溶劑時溶劑之含量較佳為40質量%~90質量%，更佳為50質量%~80質量%。

(其他成分)

在無損本發明之效果之範圍內，黏著劑組成物(ii)亦可於丙烯酸系聚合物及異氰酸酯系交聯劑中含有光聚合起始劑及溶劑以外之其他成分。

作為前述其他成分，可例示與黏著劑組成物(i)之情況相同者。

黏著劑組成物(ii)所含有之前述其他成分既可僅為1種，亦可為2種以上。

黏著劑組成物(i)、黏著劑組成物(ii)等前述黏著劑組成物係藉由調配丙烯酸系聚合物與前述丙烯酸系聚合物以外之成分而獲得。

各成分之調配時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。

於調配時混合各成分之方法並無特別限定，從使攪拌元件或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波而進行混合之方法等公知方法中適當選擇即可。

各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要不會使各調配成分劣化，則並無特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃~30℃。

黏著劑層係以藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數成為特定範圍內的方式，調節例如要調配成黏著劑組成物之丙烯酸系聚合物等各成分所具有之(甲基)丙烯醯基等聚合性基之個數、交聯劑之種類及量、構成丙烯酸系聚合物之單體之種類等，且針對黏著劑組成物(i)，係調節能量線聚合性化合物之分子量、能量線聚合性化合物之調配量相對於丙烯酸系聚合物之調配量的比等而形成即可。

<<切割片之製造方法>>

本發明之切割片可藉由使用前述黏著劑組成物於基材膜上形成黏著劑層而製造。

基材膜既可使用市售品，亦可使用藉由使之前說明之熱塑性樹脂組成物加熱成形之方法而製造者。

黏著劑層可藉由在基材膜之表面(圖1中為基材膜11之表面11a，圖2中為第1基材膜211之表面211a)塗佈黏著劑組成物並使其乾燥而形成。此時，亦可視需要藉由對所塗佈之黏著劑組成物加熱而進行交聯。關於此時之加熱條件，例如可於100℃~130℃進行1分鐘~5分鐘，但並不限定於此。另外，將藉由在剝離材之剝離層表面塗佈黏著劑組成物並使其乾燥而形成之黏著劑層貼合於基材膜之表面，且去除前述剝離材，藉此亦可形成黏著劑層。

於基材膜表面或剝離材之剝離層表面塗佈黏著劑組成物係利用公知方法進行即可，可例示使用氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模塗機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、線棒塗佈機、接觸式塗佈機等各種塗佈機之方法。

於使用表面經過上述各種處理(電子束照射處理、噴砂處理、溶劑處理、電暈處理、電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理、底塗處理等 表面處理)者作為基材膜時，在黏著劑層之形成前，對基材膜之表面進行該等處理即可。

[實施例]

以下，利用具體實施例詳細說明本發明。但，本發明並不受以下所示實施例限定。

再者，關於基材膜、黏著劑層及切割片之各項目之測定以及評價係分別利用以下之方法進行。

<基材膜之彈性模數之測定>

將基材膜切成寬度15mm(MD)、長度140mm(CD)之短條狀而製成評價用試樣(1)。

然後，將該評價用試樣(1)以其可延伸部之長度成為100mm之方式設置於拉伸試驗器(Orientec公司製造)，於試驗速度200mm/分鐘、圖表速度1000mm/分鐘之條件下進行拉伸試驗，根據所得之拉伸強度與伸長率之圖表而測定出評價用試樣(1)之彈性模數(拉伸彈性模數)。

<黏著劑層硬化後之彈性模數之測定>

在厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯製基材膜之單面使用聚矽氧系剝離劑形成剝離層而形成剝離片(Lintec公司製造之「SP-PET381031」)，在前述剝離層上，使用刀式塗佈機，以黏著劑層之厚度成為10μm之方式塗佈 用於切割片製造之黏著劑組成物，將所獲得之塗膜與前述剝離片一起於100℃之環境下經過1分鐘，藉此使前述塗膜乾燥，而獲得於剝離片上積層黏著劑層(厚度為10μm)而成之積層體。

然後，將如此獲得之2片積層體之黏著劑層彼此貼合，進而將其中一者之剝離片剝離，而製作於1片剝離片上積層2層黏著劑層而成之三層結構者，使上述2片三層結構者之最上部之黏著劑層彼此貼合，進而將其中一者之剝離片剝離後，同樣地使黏著劑層彼此貼合，重複該操作直至黏著劑層之合計厚度成為80μm為止，而獲得黏著劑層之積層體。

繼而，將該黏著劑層之積層體切成寬度15mm、長度140mm之短條狀而製成試樣，使用紫外線照射裝置(Lintec公司製造之「RAD-2000m/12」)，於氮氣環境下對前述試樣照射紫外線(UV)(照度為230mW/cm²，光量為190mJ/cm²)，而獲得評價用試樣(2)。

然後，將該評價用試樣(2)以其可延伸部之長度成為100mm之方式設置於拉伸試驗器(Orientec公司製造)，於試驗速度200mm/分鐘、圖表速度1000mm/分鐘之條件下進行拉伸試驗，根據所得之拉伸強度與伸長率之圖表而測定出評價用試樣(2)之彈性模數(拉伸彈性模數)。

<基材膜表面之潤濕性(潤濕指數)之評價>

依照JIS K6768：1999(塑膠膜及片潤濕張力試驗方法)，測定基材膜之表面(與黏著劑層之接觸面)之潤濕張力，求出潤濕指數，而評價基材膜表面之潤濕性。

<基材膜及黏著劑層之密接性之評價>

於切割片中之黏著劑層之主面之中央部，以5mm間隔沿縱橫兩個方向形成21條(網格之個數為400)之棋盤格狀之切痕，而獲得密接(keying)試驗用片。各條切痕係以將黏著劑層完全切斷且使對基材膜之切痕之深度較淺的方式形成。

然後，於該密接試驗用片中之黏著劑層之主面，將5行賽珞凡黏著帶(Nichiban公司製造之Cellotape(註冊商標)No.405)以該等黏著帶彼此局部重疊之方式貼附，而利用該賽珞凡黏著帶覆蓋上述棋盤格狀之切痕整體。

繼而，將該狀態之前述片於23℃、相對濕度50%之環境下放置20分鐘。之後，一面以一隻手壓住密接試驗用片，一面以另一隻手抓持賽珞凡黏著帶之一端，向沿著密接試驗用片主面之法線方向的方向一口氣地剝離賽珞凡黏著帶。

然後，針對上述剝離賽珞凡黏著帶後之密接試驗用片，目視觀察棋盤格狀之切痕部分，計測完全未發生剝離之網格之個數作為附著網格數，利用下述式求出不剝離率(%)。而且，將不剝離率為90%以上之情況設為「A」，將不剝離率未達90%之情況設為「B」(參照下述表2)。

不剝離率=附著網格數/400×100

<有無崩缺之評價>

於下述評價用晶圓之乾式拋光面貼附切割片之後，於下述崩缺評價用之切割條件下進行切割。

然後，對所得者於下述照射條件下照射紫外線之後，在晶片之未貼附切割片之面貼附轉印帶(Lintec公司製造之「ADWILL D-210」)，而將晶片自切割片轉印至前述轉印帶。

繼而，自晶片之貼附有切割片之面側，使用光學顯微鏡觀察晶片而評價崩缺之有無。更具體而言，將於晶片之一邊無20μm以上之崩缺(缺口)之情況設為「A」，將於晶片之一邊有20μm以上之崩缺之情況設為「B」，而針對400片晶片評價崩缺之有無(參照下述表2)。

(評價用晶圓)

使用研磨機(DISCO公司製造之「DGP8760」)，將8吋晶圓加工成厚度100μm、背面乾式拋光完工之後，將其保管1週，藉此製成評價用晶圓。

(崩缺評價用之切割條件)

切割裝置：DISCO公司製造之「DFD-651」

工件尺寸：直徑8吋，厚度100μm

切割刀：DISCO公司製造之「NBC-ZH205O27HECC」

刀轉速：30000rpm

切割速度：80mm/秒

基材膜之切痕之深度：距基材膜之與黏著劑層之接觸面為20μm之深度

切割尺寸：1mm×1mm

(紫外線照射條件)

紫外線照射裝置：Lintec公司製造之「RAD-2000m/12」

氮氣沖洗：有

紫外線照射速度：50mm/秒

紫外線照度：220mW/cm²

<拾取性之評價>

於與上述相同之評價用晶圓上貼附切割片之後，於下述拾取性評價用之切割條件下進行切割。

然後，對所得者於與上述有無崩缺之評價之情況相同之照射條件下照射紫外線之後，使用拾取裝置(Canon Machinery公司製造之「BESTEM D02)，於頂起高度700μm、頂起速度0.3mm/秒之條件下，對10個晶片嘗試拾取。然後，將能拾取所有10個晶片之情況設為「A」，將未能拾取1個以上晶片之情況設為「B」(參照下述表2)。

(拾取性評價用之切割條件)

切割裝置：DISCO公司製造之「DFD-651」

工件尺寸：直徑6吋，厚度100μm

切割刀：DISCO公司製造之「NBC-ZH205O27HECC」

刀轉速：30000rpm

切割速度：80mm/秒

基材膜之切痕之深度：距基材膜之與黏著劑層之接觸面為20μm之深度

切割尺寸：8mm×8mm

[實施例1]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

使用雙軸混練機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)，將乙烯/甲基丙烯酸共聚物(Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製造之「Nucrel N0903HC」)(76質量份)、乙烯/甲基丙烯酸縮水甘油酯/丙烯酸正丁酯共聚物(乙烯單元含量：67質量%，甲基丙烯酸縮水甘油酯單元含量：5質量%，丙烯酸正丁酯單元含量：28質量%)(4質量份)、及聚丙烯(Prime Polymer公司製造之「Prime Polypro F219DA」)(20質量份)於180℃進行熔融混練，而獲得熱塑性樹脂組成物之擠出用原材料。然後，使用小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)將該擠出用原材料擠出成形，藉此獲得厚度為80μm之單層結構之基材膜(a1)。將基材膜(a1)之組成(基材膜製造時之調配成分)示於下述表1。

(黏著劑組成物之製造)

使丙烯酸2-乙基己酯(以下簡記為「2EHA」)(40質量份)、乙酸乙烯酯(40質量份)、及丙烯酸2-羥基乙酯(以下簡記為「HEA」)(20質量份)反應而獲得聚合物(100質量份)，對前述聚合物使異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯(以下簡記為「MOI」)(30.2質量份)進行反應而獲得丙烯酸系聚合物，將該丙烯酸系聚合物(100質量份)、作為光聚合起始劑之Irgacure184(Ciba Specialty Chemicals公司製造，1-羥基環己基苯基酮)(3質量份)、及作為交聯劑之三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司製造之「Coronate L」(0.3質量份)於25℃且在溶劑中進行混合，而獲得黏著劑組成物(b1)。

(切割片之製造)

於藉由聚矽氧處理進行剝離處理後之剝離片(Lintec公司之「SP-PET381031」)之前述剝離處理面，以乾燥後之厚度成為10μm之方式塗佈黏著劑組成物(b1)，且於100℃使其乾燥1分鐘，而形成黏著劑層。另一方面，對於上述中獲得之基材膜(a1)，在輸出0.4kW、線速度7.0m/分鐘、理論處理強度95.2kW之條件下進行電暈處理。而且，於該電暈處理之後，立即於基材膜(a1)之電暈處理面貼附上述黏著劑層，並去除剝離片，藉此將黏著劑層轉印至基材膜(a1)上，而獲得切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。再者，於之前所述之基材膜表面之潤濕性(潤濕指數)的評價中，將與上述切割片之製造時同樣地進行電暈處理後之基材膜(基材膜(a1))供於評價。於以後之其他實施例及比較例中亦相同。將該等之結果示於下述表2。

[實施例2]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

使用雙軸混練機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)，將聚丙烯無規共聚物(Prime Polymer公司製造之「Prime Polypro F724NP」)(35質量份)、及乙烯/甲基丙烯酸共聚物(Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製造之「Nucrel N0903HC」)(65質量份)於210℃進行熔融混練，而獲得熱塑性樹脂組成物之擠出用原材料。然後，使用小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)，將該擠出用原材料擠出成形，藉此獲得厚度為80μm之單層結構之基材膜(a2)。將基材膜(a2)之組成示於下述表1。

(黏著劑組成物~切割片之製造)

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(a2)以外，利用與實施例1相同之方法製造黏著劑組成物(b1)及切割片。

<測定及評價>

針對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[實施例3]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

利用與實施例2相同之方法製造基材膜(a2)。

(黏著劑組成物之製造)

將使丙烯酸丁酯(90質量份)及丙烯酸(10質量份)反應而獲得之丙烯酸系聚合物(100質量份)、紫外線硬化性且平均分子量為8000之3~4官能性丙烯酸胺基甲酸酯(大日精化工業公司製造)(60質量份)、紫外線硬化性之二新戊四醇六丙烯酸酯(60質量份)、作為光聚合起始劑之Irgacure184(Ciba Specialty Chemicals公司製造)(3質量份)、及作為交聯劑之三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司製造之「Coronate L」(15質量份)於25℃且在溶劑中進行混合，而獲得黏著劑組成物(b2)。

(切割片之製造)

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(a2)，代替黏著劑組成物(b1)而使用黏著劑組成物(b2)以外，利用與實施例1相同之方法製造切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[實施例4]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

利用與實施例2相同之方法製造基材膜(a2)。

(黏著劑組成物之製造)

使2EHA(42質量份)、甲基丙烯酸甲酯(以下簡記為「MMA」)(30質量份)及HEA(28質量份)反應而獲得聚合物(100質量份)，對前述聚合物使MOI(34質量份)進行反應而獲得丙烯酸系聚合物，將該丙烯酸系聚合物(100質量份)、作為光聚合起始劑之Irgacure184(Ciba Specialty Chemicals公司製造)(3質量份)、及作為交聯劑之三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司製造之「Coronate L」(0.7質量份)於25℃且在溶劑中進行混合，而獲得黏著劑組成物(b3)。

(切割片之製造)

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(a2)，代替黏著劑組成物(b1)而使用黏著劑組成物(b3)以外，利用與實施例1相同之方法製造切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[實施例5]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

使用小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)，將實施例1中獲得之擠出用原材料擠出成形而製成厚度為48μm之單層結構之基材膜，將乙烯/甲基丙烯酸共聚物(Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製造之「Nucrel N0903HC」，以單層計之彈性模數為140MPa)擠出成形而製成厚度為32μm之單層結構之基材膜，獲得積層上述2種基材膜而成且合計厚度為80μm之雙層結構之基材膜(a3)。將基材膜(a3)之組成示於下述表1。

(黏著劑組成物~切割片之製造)

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(a3)以外，利用與實施例1相同之方法製造黏著劑組成物(b1)及切割片。再者，黏著劑組成物(b1)係塗佈於基材膜(a3)中將實施例1所得之擠出用原材料擠出成形而獲得之厚度為48μm之單層結構之基材膜上。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[比較例1]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

使用雙軸混練機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)，將聚丙烯無規共聚物(Prime Polymer公司製造之「Prime Polypro F744NP」)(50質量份)、及乙烯/甲基丙烯酸共聚物(Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製造之「Nucrel N0903HC」)(50質量份)於210℃進行熔融混練，而獲得熱塑性樹脂組成物之擠出用原材料。然後，使用小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)，將該擠出用原材料擠出成 形，藉此獲得厚度為80μm之單層結構之基材膜(Ra1)。將基材膜(Ra1)之組成示於下述表1。

(黏著劑組成物~切割片之製造)

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(Ra1)以外，利用與實施例1相同之方法製造黏著劑組成物(b1)及切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[比較例2]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

使用雙軸混練機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)而僅將乙烯/甲基丙烯酸共聚物(Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製造之「Nucrel N0903HC」)於180℃進行熔融混練(擠出用原材料之調製僅使用前述乙烯/甲基丙烯酸共聚物)，除此方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得厚度為80μm之單層結構之基材膜(Ra2)。將基材膜(Ra2)之組成(基材膜製造時之調配成分)示於下述表1。

(黏著劑組成物~切割片之製造)

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(Ra2)以外，利用與實施例1相同之方法製造黏著劑組成物(b1)及切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[比較例3]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

利用與實施例1相同之方法製造基材膜(a1)。

(黏著劑組成物之製造)

將使丙烯酸丁酯(90質量份)及丙烯酸(10質量份)反應而獲得之丙烯酸系聚合物(100質量份)、紫外線硬化性且平均分子量為5300之2官能性丙烯酸胺基甲酸酯(大日精化工業公司製造)(130質量份)、作為光聚合起始劑之Irgacure184(Ciba Specialty Chemicals公司製造)(3質量份)、及作為交聯劑之三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司製造之「Coronate L」(15質量份)於25℃且在溶劑中進行混合，而獲得黏著劑組成物(Rb1)。

(切割片之製造)

除代替黏著劑組成物(b1)而使用黏著劑組成物(Rb1)以外，利用與實施例1相同之方法製造切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[比較例4]

<切割片之製造>

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(a2)，代替黏著劑組成物(b1)而使用黏著劑組成物(Rb1)以外，利用與實施例1相同之方法製造切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[比較例5]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

利用與實施例2相同之方法製造基材膜(a2)。

(黏著劑組成物之製造)

使丙烯酸丁酯(42質量份)、MMA(30質量份)及HEA(28質量份)反應而獲得聚合物(100質量份)，對於前述聚合物使MOI(34質量份)進行反應而獲得丙烯酸系聚合物，將該丙烯酸系聚合物(100質量份)、作為光聚合起始劑之Irgacure184(Ciba Specialty Chemicals公司製造)(3質量份)、及作為交聯劑之三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司製造之「Coronate L」(1.4質量份)於25℃且在溶劑中進行混合，而獲得黏著劑組成物(Rb2)。

(切割片之製造)

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(a2)，代替黏著劑組成物(b1)而使用黏著劑組成物(Rb2)以外，利用與實施例1相同之方法製造切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

[比較例6]

<切割片之製造>

(基材膜之製造)

使用雙軸混練機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)，將均聚聚丙烯(Prime Polymer公司製造之「Prime Polypro F113G」)(30質量份)、及乙烯/甲基丙烯酸共聚物(Du Pont-Mitsui Polychemicals公司製造之「Nucrel N0903HC」)(70質量份)於210℃進行熔融混練，而獲得熱塑性樹脂組成物之擠出用原材料。然後，使用小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製造之「labo plastomill」)，將該擠出用原材料擠出成形，藉此獲得厚度為80μm之單層結構之基材膜(Ra3)。將基材膜(Ra3)之組成示於下述表1。

(黏著劑組成物~切割片之製造)

除代替基材膜(a1)而使用基材膜(Ra3)以外，利用與實施例1相同之方法製造黏著劑組成物(b1)及切割片。

<測定及評價>

對上述中獲得之基材膜、黏著劑層及切割片，測定及評價之前所述之各項目。將結果示於下述表2。

根據上述結果可知，基材膜之彈性模數、基材膜表面之潤濕指數、及黏著劑層硬化後之彈性模數分別處於特定範圍之實施例1~5之切割片，係均為基材膜及黏著劑層之密接性高，切割時半導體晶片之崩缺得到抑制，可於不產生裂紋之狀況下容易地拾取半導體晶片。

相對於此，比較例1之切割片之基材膜表面之潤濕指數小，比較例5之切割片的黏著劑層硬化後之彈性模數高，兩者之基材膜及黏著劑層之密接性均低。

比較例2之切割片之基材膜之彈性模數低，無法抑制崩缺。

比較例3及4之切割片的黏著劑層硬化後之彈性模數低，比較例6之切割片之基材膜之彈性模數高，兩者之半導體晶片之拾取均困難。

[產業上之可利用性]

本發明可用於半導體晶片等之製造。

1‧‧‧切割片

11‧‧‧基材膜

11a‧‧‧基材膜之表面

12‧‧‧黏著劑層

Claims (2)

1. 一種切割片，係於基材膜上具備黏著劑層而成；前述黏著劑層之藉由照射能量線而進行硬化後之彈性模數為500MPa以上且未達1200MPa；前述基材膜之彈性模數為160MPa以上且未達500MPa；前述基材膜之與前述黏著劑層之接觸面之潤濕指數為4.5×10^-4N以上。
2. 如請求項1所記載之切割片，其中前述基材膜於與前述黏著劑層之接觸面含有具有羧基之聚合物及具有環氧基之聚合物。