TW201621460A - 抗焊劑組成物及被覆印刷線路板 - Google Patents
抗焊劑組成物及被覆印刷線路板 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201621460A TW201621460A TW103146120A TW103146120A TW201621460A TW 201621460 A TW201621460 A TW 201621460A TW 103146120 A TW103146120 A TW 103146120A TW 103146120 A TW103146120 A TW 103146120A TW 201621460 A TW201621460 A TW 201621460A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- solder resist
- acrylate
- compound
- meth
- resist composition
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/105—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0076—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2081—Compound repelling a metal, e.g. solder
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
本發明是一種抗焊劑組成物,其含有:含羧基樹脂;光聚合性化合物;光聚合起始劑,其含有雙醯基氧化膦系光聚合起始劑和α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑;螢光染料。前述雙醯基氧化膦系光聚合起始劑含有雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦。前述α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑含有2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮。前述雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦與前述2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮之質量比為2:1~1:10。
Description
本發明是有關一種抗焊劑組成物及被覆印刷線路板,詳細而言,本發明是有關一種抗焊劑組成物及被覆印刷線路板,該抗焊劑組成物具有光硬化性且能夠以鹼性溶液進行顯影,該被覆印刷線路板具備由該抗焊劑組成物所形成之抗焊劑層。
近年來,作為民生用及產業用的印刷線路板的抗焊劑層的形成方法,為了對應於印刷線路板的線路高密度化,使用解析度及尺寸精度等優異之可顯影的抗焊劑組成物之方法,逐漸取代網版印刷法佔有很重要的地位。
又,近年來,將發光二極體等光學元件直接安裝於被覆形成有抗焊劑層之印刷線路板上的情形逐漸增加,該光學元件是用於:行動終端、個人電腦、電視等液晶顯示器的背光源、照明器具的光源等。進而,亦正在進行:使安裝有光學元件之印刷線路板的抗焊劑層含有二氧化鈦,而使抗焊劑層白色化,藉此,以抗焊劑層有效率地使由發光元件所發出的光反射(參照日本專利公報第5513965號)。
然而,若使抗焊劑組成物含有二氧化鈦,在使此抗焊劑組成物曝光而硬化時,有時會由於二氧化鈦將光反射或吸收,而使抗焊劑組成物難以硬化。尤其,若抗焊劑組成物含有大量二氧化鈦,會較難使由抗焊劑組成物所形成之抗焊劑層直到深部為止皆硬化。若抗焊劑層的深部未充分硬化,容易造成下述不良情形:顯影時的解析度惡化;抗焊劑層的深部與表層之間的硬化收縮不同,導致抗焊劑層產生起皺;或者,抗焊劑層經加熱時因深部與表層之熱膨脹係數不同,導致應力集中在一部分而產生龜裂。又,亦對抗焊劑組成物要求保存穩定性佳。
本發明是有鑑於上述事由而完成,其目的在於提供一種抗焊劑組成物及被覆印刷線路板,該抗焊劑組成物的保存穩定性較佳,且在進行曝光時能夠使塗膜自表層以至深部皆充分硬化,該被覆印刷線路板具備由此抗焊劑組成物所形成之抗焊劑層。
本發明的抗焊劑組成物,其特徵在於含有:(A)含羧基樹脂;(B)光聚合性化合物,其選自具有光聚合性之單體和預聚物;(C)光聚合起始劑,其含有雙醯基氧化膦系光聚合起始劑和α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑;及,(D)螢光染料;其中,前述雙醯基氧化膦系光聚合起始劑為雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦;前述α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑為2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮;並且,前述雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦與前述2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮之質
量比為2:1~1:10。
本發明的被覆印刷線路板,其特徵在於:該被覆印刷線路板具備印刷線路板與抗焊劑層,該抗焊劑層被覆前述印刷線路板,並且,前述抗焊劑層是由前述抗焊劑組成物所形成。
說明用來實施本發明之形態。再者,本說明書中,將丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基表示為(甲基)丙烯醯基。又,將丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯表示為(甲基)丙烯酸酯。又,將丙烯酸及/或甲基丙烯酸表示為(甲基)丙烯酸。
本實施形態中,含有(A)成分亦即含羧基樹脂。含羧基樹脂可對由抗焊劑組成物所形成之塗膜,賦予藉由鹼性溶液來進行顯影之顯影性,亦即鹼顯影性。
含羧基樹脂可含有:具有羧基且不具有光聚合性之化合物(以下稱為(A1)成分)。
(A1)成分含有例如乙烯性不飽和單體的聚合物,該乙烯性不飽和單體包含具有羧基之乙烯性不飽和化合物。該乙烯性不飽和單體亦可進而包含不具有羧基之乙烯性不飽和化合物。
具有羧基之乙烯性不飽和化合物可含有適當的聚合物及預聚物,例如可含有僅具有1個乙烯性不飽和基之化合物。更具體而言,該具有羧基之乙烯性不飽和化合物,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:丙烯酸、甲基丙烯酸、ω-羧基-聚己內酯(n≒2)單丙烯酸酯、巴豆酸、桂皮酸、琥珀酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、琥珀酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧丙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧丙基)酯、馬來酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、馬來酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、丙烯酸β-羧基乙酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、六氫鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、及六氫鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯。具有羧基之乙烯性不飽和化合物,亦可含有具有複數個乙烯性不飽和基之化合物。更具體而言,具有羧基之乙烯性不飽和化合物,可含有例如使具有羥基之多官能(甲基)丙烯酸酯與二元酸酐進行反應而獲得之化合物,該多官能(甲基)丙烯酸酯是選自由下述所構成的群組:季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、及二季戊四醇五甲基丙烯酸酯。此等化合物可單獨使用一種,或將複數種合併使用。
不具有羧基之乙烯性不飽和化合物,只要是可與具有羧基之乙烯性不飽和化合物進行共聚反應之化合物即可。不具
有羧基之乙烯性不飽和化合物,亦可含有具有芳香環之化合物和不具有芳香環之化合物之中的任一者。
具有芳香環之化合物可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯基氧乙基-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、新戊二醇苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、對異丙苯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、EO改質甲酚(甲基)丙烯酸酯、乙氧化(甲基)丙烯酸苯酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯(n=2~17)、ECH改質苯氧基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、PO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、EO改質雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、ECH改質鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、EO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、EO-PO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、N-苯基馬來醯亞胺、N-苯甲基馬來醯亞胺、N-乙烯基咔唑、苯乙烯、乙烯基萘、及4-乙烯基聯苯。
不具有芳香環之化合物可含有例如選自由下述所構成之群組中的一種以上的化合物:直鏈或支鏈之脂肪族、或脂環族(其中,環中可具有一部份不飽和鍵)的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸羥烷酯、(甲基)丙烯酸烷氧基烷酯等;及,N-環己基馬來醯亞胺等N-取代馬來醯亞胺類。不具有芳香環之化合物,可進而含有聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲
基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等一分子中具有2個以上乙烯性不飽和基之化合物。此等化合物可單獨使用一種,或將複數種合併使用。此等化合物較容易調節抗焊劑層的硬度及油性,因此較佳。
用來獲得(A1)成分之化合物的種類、比例等,是以使(A1)成分的酸價成為適當值的方式,來適當選擇。(A1)成分的酸價較佳是在20~180mgKOH/g的範圍內,進而更佳是在35~165mgKOH/g的範圍內。
含羧基樹脂可含有:具有羧基及光聚合性官能基之光聚合性含羧基樹脂(以下稱為(A2)成分)。光聚合性官能基,例如是乙烯性不飽和基。
(A2)成分可含有例如具有特定結構之樹脂(以下稱第一樹脂(a)),該結構是一分子中具有2個以上環氧基之環氧化合物(a1)中的前述環氧基之中的至少1個,與具有羧基之乙烯性不飽和化合物(a2)進行反應,進而加成選自由多元羧酸及其酸酐之中的至少一種化合物(a3)而成。
環氧化合物(a1)可含有例如選自由下述所構成的群組中的至少一種化合物:甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚A-酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、異氰脲酸三縮水甘油酯(triglycidyl isocyanurate)、及脂環式環氧樹脂。
環氧化合物(a1)可含有乙烯性不飽和化合物(p)的聚合
物,該乙烯性不飽和化合物(p)包含具備環氧基之化合物(p1)。提供用來合成此聚合物之乙烯性不飽和化合物(p),可僅含有具備環氧基之化合物(p1),亦可含有具備環氧基之化合物(p1)和不具備環氧基之化合物(p2)。
具備環氧基之化合物(p1)可含有選自適當的聚合物及預聚物之化合物。具體而言,具備環氧基之化合物(p1)可含有選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:丙烯酸的環氧基環己基衍生物類、甲基丙烯酸的環氧基環己基衍生物類、丙烯酸酯的脂環環氧基衍生物、甲基丙烯酸酯的脂環環氧基衍生物、丙烯酸β-甲基縮水甘油酯、及甲基丙烯酸β-甲基縮水甘油酯。尤其,具備環氧基之化合物(p1)較佳是:含有被廣泛使用且容易取得之(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。
不具備環氧基之化合物(p2),只要是可與具備環氧基之化合物(p1)進行共聚反應之化合物即可。不具備環氧基之化合物(p2)可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯基氧乙酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯基氧乙基-2-羥乙酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯基氧丙酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、新戊二醇苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、對異丙苯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、EO改質甲酚(甲基)丙烯酸酯、乙氧化(甲基)丙烯酸苯酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯(聚合度n=2~17)、ECH改質苯氧基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質(甲
基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、PO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、EO改質雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、ECH改質鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、EO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、EO-PO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、乙烯基咔唑、苯乙烯、N-苯基馬來醯亞胺、N-苯甲基馬來醯亞胺、3-馬來醯亞胺苯甲酸N-琥珀醯亞胺酯、直鏈狀或具有支鏈之脂肪族或脂環族(其中,環中可具有一部份不飽和鍵)的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸羥烷酯、(甲基)丙烯酸烷氧基烷酯、及N-取代馬來醯亞胺類(例如N-環己基馬來醯亞胺)。
不具備環氧基之化合物(p2),可進而含有一分子中具備2個以上乙烯性不飽和基之化合物。藉由使用此化合物並調整其調配量,能夠容易調整抗焊劑層的硬度及油性。一分子中具備2個以上乙烯性不飽和基之化合物,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、及季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯。
乙烯性不飽和化合物(p)可藉由下述方式來獲得聚合物,例如藉由溶液聚合法、乳化聚合法等公知的聚合法來使其進行聚合反應。作為溶液聚合法的具體例,可列舉:將乙烯性不飽和化合物(p),於適當的有機溶劑中,在聚合起始劑存在下、氮氣氣氛下進行加熱攪拌之方法;及,共沸聚合法。
用來進行乙烯性不飽和化合物(p)的聚合反應之有機溶
劑,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:甲乙酮、環己酮等酮類;甲苯、二甲苯等芳香族烴類;乙酸乙酯、乙酸丁酯、賽璐蘇乙酸酯(cellosolve acetate)、丁基賽璐蘇乙酸酯、卡必醇乙酸酯(carbitol acetate)、丁基卡必醇乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等乙酸酯類;及,二烷二醇醚類。
用來進行乙烯性不飽和化合物(p)的聚合反應之聚合起始劑,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:二異丙基苯氫過氧化物等氫過氧化物類;過氧化二異丙苯基、2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧基)-己烷等過氧化二烷類;過氧化異丁醯基等過氧化二醯類;過氧化甲乙酮等過氧化酮類;過氧三甲基乙酸三級丁酯等過氧酸烷酯類;過氧二碳酸二異丙酯等過氧二碳酸酯類;偶氮雙異丁腈(azobisisobutyronitrile)等偶氮化合物;以及,氧化還原系起始劑。
乙烯性不飽和化合物(a2)可含有選自由適當的聚合物及預聚物所構成的群組之化合物。乙烯性不飽和化合物(a2)可含有僅具有1個乙烯性不飽和基之化合物。僅具有1個乙烯性不飽和基之化合物可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、桂皮酸、琥珀酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、琥珀酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、丙烯酸β-羧基乙酯、鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧丙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基
氧丙基)酯、馬來酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、馬來酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、六氫鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、及六氫鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯。乙烯性不飽和化合物(a2),可進而含有具備複數個乙烯性不飽和基之化合物。具備複數個乙烯性不飽和基之化合物,可含有例如選自由使具備羥基之多官能丙烯酸酯及多官能甲基丙烯酸酯與二元酸酐進行反應而獲得之化合物所構成的群組中的一種以上的化合物,該多官能丙烯酸酯及多官能甲基丙烯酸酯為季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、及二季戊四醇五甲基丙烯酸酯等。
尤其,乙烯性不飽和化合物(a2)較佳是含有丙烯酸及甲基丙烯酸之中的至少一者。此時,因為來自丙烯酸及甲基丙烯酸之乙烯性不飽和基的光反應性特別優異,所以會使第一樹脂(a)的光反應性較高。
乙烯性不飽和化合物(a2)的使用量,較佳是乙烯性不飽和化合物(a2)的羧基相對於環氧化合物(a1)的環氧基1莫耳在0.4~1.2莫耳的範圍內的量,特佳是乙烯性不飽和化合物(a2)的羧基相對於環氧化合物(a1)的環氧基1莫耳在0.5~1.1莫耳的範圍內的量。
選自由多元羧酸及其酸酐所構成的群組之化合物(a3),可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:
鄰苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸、甲基四氫鄰苯二甲酸、甲基納迪克酸(methyl nadic acid)、六氫鄰苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸、琥珀酸、甲基琥珀酸、馬來酸、檸康酸、戊二酸、伊康酸等二羧酸;環己烷-1,2,4-三甲酸、偏苯三甲酸、均苯四甲酸、二苯甲酮四甲酸、甲基環己烯四甲酸等三元酸以上之多元羧酸;以及,此等多元羧酸的酸酐。
使用化合物(a3)的主要目的在於,藉由對第一樹脂(a)賦予酸價,來對抗焊劑組成物賦予藉由稀鹼水溶液進行之再分散、再溶解性。化合物(a3)的使用量,較佳是以第一樹脂(a)的酸價成為30mgKOH/g以上的方式來進行調整,特佳是以第一樹脂(a)的酸價成為60mgKOH/g以上的方式來進行調整。又,化合物(a3)的使用量,較佳是以第一樹脂(a)的酸價成為160mgKOH/g以下的方式來進行調整,特佳是以第一樹脂(a)的酸價成為130mgKOH/g以下的方式來進行調整。
合成第一樹脂(a)時,在進行環氧化合物(a1)與乙烯性不飽和化合物(a2)之加成反應、以及由此加成反應所產生之生成物(加成反應生成物)與化合物(a3)之加成反應時,可採用公知的方法。例如在環氧化合物(a1)與乙烯性不飽和化合物(a2)之加成反應時,可藉由將乙烯性不飽和化合物(a2)添加至環氧化合物(a1)的溶劑溶液中,進而視需要而添加熱聚合抑制劑及觸媒並攪拌混合,來獲得反應性溶液。可藉由以常規方法,更佳是在60~150℃的反應溫度時使此反應性溶液進行反應,特佳是在80~120℃的反應溫度時進行反應,來獲得加成反應生成物。作為熱聚合抑制劑,可列舉:氫醌、或氫醌單甲醚等。
作為觸媒,可列舉:苯甲基二甲基胺、三乙基胺等三級胺類;三甲基苯甲基氯化銨、甲基三乙基氯化銨等四級銨鹽類;三苯基膦、三苯基(triphenyl stibine)等。
在進行加成反應生成物與化合物(a3)之加成反應時,可藉由將化合物(a3)添加至加成反應生成物的溶劑溶液中,進而視需要而添加熱聚合抑制劑及觸媒並攪拌混合,來獲得反應性溶液。可藉由以常規方法使此反應性溶液進行反應,來獲得第一樹脂(a)。反應條件,可為與環氧化合物(a1)與乙烯性不飽和化合物(a2)之加成反應時相同的條件。作為熱聚合抑制劑及觸媒,可直接使用在環氧化合物(a1)與具有羧基之乙烯性不飽和化合物(a2)之加成反應時所使用的化合物。
(A2)成分可含有含羧基之(甲基)丙烯酸系共聚物樹脂(稱為第二樹脂(b)),該樹脂是藉由下述方式來獲得:使乙烯性不飽和單體的聚合物中的一部分羧基,與具有環氧基之乙烯性不飽和化合物進行反應,該乙烯性不飽和單體包含具有羧基之乙烯性不飽和化合物。乙烯性不飽和單體亦可視需要而包含不具有羧基之乙烯性不飽和化合物。
用來獲得第二樹脂(b)的具有羧基之乙烯性不飽和化合物,可含有適當的聚合物及預聚物。具有羧基之乙烯性不飽和化合物,可含有例如僅具有1個乙烯性不飽和基之化合物。更具體而言,具有羧基之乙烯性不飽和化合物,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:丙烯酸、甲基丙烯酸、ω-羧基-聚己內酯(n≒2)單丙烯酸酯、巴豆酸、桂皮酸、琥珀酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、琥珀酸單(2-甲基丙
烯醯基氧乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、丙烯酸β-羧乙酯、鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧丙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧丙基)酯、馬來酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、馬來酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯、六氫鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯基氧乙基)酯、及六氫鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯基氧乙基)酯。具有羧基之乙烯性不飽和化合物,亦可含有具有複數個乙烯性不飽和基之化合物。更具體而言,具有羧基之乙烯性不飽和化合物,可含有例如使具有羥基之多官能(甲基)丙烯酸酯與二元酸酐進行反應而獲得之化合物,該多官能(甲基)丙烯酸酯係選自由下述所構成的群組:季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、及二季戊四醇五甲基丙烯酸酯。此等化合物可單獨使用一種,或將複數種合併使用。
用來獲得第二樹脂(b)的不具有羧基之乙烯性不飽和化合物,只要是可與具有羧基之乙烯性不飽和化合物進行共聚反應之化合物即可。不具有羧基之乙烯性不飽和化合物,可含有具有芳香環之化合物和不具有芳香環之化合物之中的任一者。
具有芳香環之化合物,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯基氧乙基-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、新戊二醇苯甲酸酯(甲
基)丙烯酸酯、對異丙苯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、EO改質甲酚(甲基)丙烯酸酯、乙氧化(甲基)丙烯酸苯酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯(n=2~17)、ECH改質苯氧基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、PO改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、EO改質雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、ECH改質鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷苯甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、EO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、EO-PO改質鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、N-苯基馬來醯亞胺、N-苯甲基馬來醯亞胺、N-乙烯基咔唑、苯乙烯、乙烯基萘、及4-乙烯基聯苯。
不具有芳香環之化合物,可含有例如選自由下述所構成之群組中的一種以上的化合物:直鏈或支鏈之脂肪族、或脂環族(其中,環中可具有一部份不飽和鍵)的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸羥烷酯、(甲基)丙烯酸烷氧基烷酯等;及,N-環己基馬來醯亞胺等N-取代馬來醯亞胺類。不具有芳香環之化合物,可進而含有聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等一分子中具有2個以上乙烯性不飽和基之化合物。此等化合物可單獨使用一種,或將複數種合併使用。此等化合物較容易調節抗焊劑層的硬度及油性,因此較佳。
作為用來獲得第二樹脂(b)的具有環氧基之乙烯性不飽和
化合物,可列舉適當的聚合物或預聚物。作為此具有環氧基之乙烯性不飽和化合物的具體例,可列舉:丙烯酸或甲基丙烯酸的環氧基環己基衍生物類;丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的脂環環氧基衍生物;丙烯酸β-甲基縮水甘油酯、甲基丙烯酸β-甲基縮水甘油酯等。此等化合物可單獨使用一種,亦可將複數種合併使用。尤其,較佳是使用廣泛使用且取得容易之(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。
(A2)成分可含有:在乙烯性不飽和單體的聚合物中的一部分或全部羥基加成具有乙烯性不飽和基及異氰酸基之化合物而獲得之樹脂(以下稱為第三樹脂(c)),該乙烯性不飽和單體包含具有羧基之乙烯性不飽和化合物、及具有羥基之乙烯性不飽和化合物。乙烯性不飽和單體亦可視需要而包含不具有羧基及羥基之乙烯性不飽和化合物。
用來獲得第三樹脂(c)的具有羧基之乙烯性不飽和化合物,例如,可與用來獲得上述第二樹脂(b)的具有羧基之乙烯性不飽和化合物相同。
作為用來獲得第三樹脂(c)的具有羧基之乙烯性不飽和化合物的具體例,可列舉:(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯基氧乙基-2-羥乙酯、己內酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸羥烷酯;羥丁基乙烯基醚;羥乙基乙烯基醚;及,N-羥
乙基(甲基)丙烯醯胺。
作為用來獲得第三樹脂(c)的具有乙烯性不飽和基及異氰酸基之化合物的具體例,可列舉:異氰酸2-丙烯醯基氧乙酯(作為具體例,昭和電工股份有限公司製造,商品型號「Karenz AOI」)、異氰酸2-甲基丙烯醯基氧乙酯(作為具體例,昭和電工股份有限公司製造,商品型號「Karenz MOI」)、異氰酸甲基丙烯醯氧基乙氧基乙酯(作為具體例,昭和電工股份有限公司製造,商品型號「Karenz MOI-EG」)、Karenz MOI的異氰酸酯封閉物(作為具體例,昭和電工股份有限公司製造,商品型號「Karenz MOI-BM」)、Karenz MOI的異氰酸酯封閉物(作為具體例,昭和電工股份有限公司製造,商品型號「Karenz MOI-BP」)、及異氰酸1,1-(雙丙烯醯基氧甲基)乙酯(作為具體例,昭和電工股份有限公司製造,商品型號「Karenz BEI」)。
(A2)成分整體的重量平均分子量,較佳是在800~100000的範圍內。在此範圍內,能夠對抗焊劑組成物賦予特別優異之感光性和解析度。
(A2)成分整體的酸價較佳是30mgKOH/g以上,此時,能夠對抗焊劑組成物賦予良好之顯影性。該酸價為60mgKOH/g以上則進而更佳。又,(A2)成分整體的酸價較佳是160mgKOH/g以下,此時,能夠減少由抗焊劑組成物所形成的塗膜中的羧基的殘留量,而維持塗膜的良好電特性、抗電蝕性及抗水性等。該酸價為130mgKOH/g以下則進而更佳。
本實施形態中,作為(B)成分亦即光聚合性化合物,含有
選自具有光聚合性之單體和預聚物之光聚合性化合物。光聚合性化合物,是用來對抗焊劑組成物賦予光硬化性。光聚合性化合物,含有選自由光聚合性單體和光聚合性預聚物所構成的群組中的一種以上的化合物。
光聚合性單體,具有例如乙烯性不飽和基。光聚合性單體可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:(甲基)丙烯酸2-羥乙酯等單官能(甲基)丙烯酸酯;以及,二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、ε-己內酯改質季戊四醇六丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯。
光聚合性單體,亦較佳是含有含磷之化合物(含磷之光聚合性化合物)。此時,會提升抗焊劑組成物的硬化物的難燃性。含磷之光聚合性化合物,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:磷酸2-甲基丙烯醯基氧乙酯(作為具體例,共榮社化學股份有限公司製造的商品型號LIGHT ESTER P-1M、和LIGHT ESTER P-2M)、磷酸2-丙烯醯基氧乙酯(作為具體例,共榮社化學股份有限公司製造的商品型號LIGHT ACRYLATE P-1A)、磷酸二苯基-2-甲基丙烯醯基氧乙酯(作為具體例,大八工業股份有限公司製造的商品型號MR-260)、以及昭和高分子股份有限公司製造的HFA系列(作為具體例,二季戊四醇六丙烯酸酯與HCA之加成反應物亦即商品型號HFA-6003和HFA-6007、己內酯改質二季戊四醇六
丙烯酸酯與HCA之加成反應物亦即商品型號HFA-3003和HFA-6127等)。
作為光聚合性預聚物,可列舉:在使光聚合性單體進行聚合反應所得之預聚物,加成乙烯性不飽和基而成之預聚物;及,環氧基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺酯(甲基)丙烯酸酯、醇酸樹脂(甲基)丙烯酸酯、矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯、螺烷烴樹脂(spirane resin)(甲基)丙烯酸酯等低聚(甲基)丙烯酸酯預聚物類等。
本實施形態中,作為(C)成分亦即光聚合起始劑,含有雙醯基氧化膦系光聚合起始劑和α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑。因此,本實施形態中,可高靈敏度化,亦即可使抗焊劑層自表層以至深部皆充分硬化,該抗焊劑層是以紫外線使由抗焊劑組成物所形成的塗膜硬化而獲得。其理由推測如以下所述。
雙醯基氧化膦系光聚合起始劑,是以紫外線所含的較長波長分量(wavelength component)進行反應。此種較長波長分量,較容易到達由抗焊劑組成物所形成之塗膜的深部。因此,雙醯基氧化膦系光聚合起始劑可使在塗膜的深部的光硬化反應效率提升。
另一方面,α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑,是以紫外線所含的較短波長分量進行反應。此種較短波長分量不易到達塗膜的深部。然而,因為α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑不易受到氧妨礙,所以光反應性較高。因此,α-羥烷基苯酮系光
聚合起始劑可使在塗膜的表層的光硬化反應效率提升。
又,若抗焊劑層自表層以至深部皆充分硬化,會使抗焊劑層的硬化程度不易產生不均,因此,使抗焊劑層不易產生因硬化收縮所造成的起皺。藉此,會提高抗焊劑層的平滑性。
又,若抗焊劑層自表層以至深部皆充分硬化,會提高抗焊劑層的均質性。因此,即使在焊接步驟、迴焊步驟等中抗焊劑層受熱變形而產生應力,在抗焊劑層內應力也會變得容易分散,因此使抗焊劑層不易產生龜裂。
又,α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑,因為在光硬化反應時不會生成苯甲基自由基(benzyl radical),所以不易使抗焊劑層發生著色。進而,雖然雙醯基氧化膦系光聚合起始劑原本就已著色,但是在光硬化反應時會分解而發生脫色,而不易使抗焊劑層發生著色。因此,可抑制抗焊劑層的黃變,而提升抗焊劑層的白度(whiteness),因而維持抗焊劑層的良好之光反射性。
又,雙醯基氧化膦系光聚合起始劑原本就容易結晶化,若在抗焊劑組成物中有雙醯基氧化膦系光聚合起始劑的結晶析出,會使抗焊劑組成物難以均勻地進行紫外線硬化。然而,本實施形態的抗焊劑組成物,藉由含有α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑,即使將抗焊劑組成物長期保存,仍能夠抑制雙醯基氧化膦系光聚合起始劑的結晶析出。藉此,提高抗焊劑組成物的保存穩定性。
本實施形態中,為了高靈敏度化和提升保存穩定性,作為雙醯基氧化膦系光聚合起始劑,是使用雙(2,4,6-三甲基苯甲
醯基)-苯基氧化膦(以下有時稱為(C1)成分),作為α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑,是使用2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮(別名:2-羥基-2-甲基苯丙酮)(以下有時稱為(C2)成分)。
本實施形態中,為了高靈敏度化和提升保存穩定性、以及抑制抗焊劑層著色,雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦與2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮之質量比((C1)成分與(C2)成分之質量比)是在(C1)成分:(C2)成分=2:1~1:10的範圍內。相對於(C1)成分的質量2,(C2)成分的質量成為1以上,這樣的質量比能夠特別抑制抗焊劑組成物中的(C1)成分結晶化,因而特別提升抗焊劑組成物的保存穩定性。又,相對於(C1)成分的質量1,(C2)成分的質量成為10以下,這樣的質量比能夠提升抗焊劑層的深部的硬化性。(C1)成分與(C2)成分之質量比在1:1~1:5的範圍內,則進而更佳。
本實施形態中,作為雙醯基氧化膦系光聚合起始劑,較佳是僅含有(C1)成分,但是在不超出本發明的主旨的範圍內,亦可含有(C1)成分以外的雙醯基氧化膦系光聚合起始劑。作為(C1)成分以外的雙醯基氧化膦系光聚合起始劑,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上之成分:雙(2,6-二氯苯甲醯基)苯基氧化膦、雙(2,6-二氯苯甲醯基)-2,5-二甲基苯基氧化膦、雙(2,6-二氯苯甲醯基)-4-丙基苯基氧化膦、雙(2,6-二氯苯甲醯基)-1-萘基氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)苯基氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,5-二甲基苯基氧化膦、及(2,5,6-三甲基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦。
本實施形態中,作為α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑,較佳是僅含有(C2)成分,但是在不超出本發明的主旨的範圍內,亦可含有(C2)成分以外的α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑。作為(C2)成分以外的α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑,可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上之成分:苯基乙醛酸甲酯、1-羥基環己基苯基酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙-1-酮、及2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]苯基}-2-甲基-丙-1-酮。
本實施形態中,光聚合起始劑較佳是僅含有雙醯基氧化膦系光聚合起始劑和α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑。然而,在不超出本發明的主旨的範圍內,光聚合起始劑亦可含有前述2種成分以外的成分。光聚合起始劑,除了前述二種成分之外,還可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上之成分:安息香和其烷基醚類;苯乙酮、苯甲基二甲基縮酮等苯乙酮類;2-甲基蒽醌等蒽醌類;2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、4-異丙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮(thioxanthone)類;二苯基酮、4-苯甲醯基-4’-甲基二苯基硫醚等二苯基酮類;2,4-二異丙基呫噸酮等呫噸酮類(xanthone);2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(N-嗎啉基)-1-丙酮等含氮原子之化合物;2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦(商品名稱:DAROCUR TPO)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-乙基-苯基-氧化膦(商品名稱:SPEEDCURE TPO-L)等單醯基氧化膦系光聚合起始劑;以及,1,2-辛二酮,1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)](IRGACURE OXE 01)、乙酮,1-[9-乙基
-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)(IRGACURE OXE 02)。
本實施形態中,含有(D)成分亦即螢光染料。因此,本實施形態中,可高靈敏度化,亦即可使抗焊劑層自表層以至深部皆充分硬化,該抗焊劑層是以紫外線使由抗焊劑組成物所形成的塗膜硬化而獲得。亦即,若含有螢光染料、和雙醯基氧化膦系光聚合起始劑,且該雙醯基氧化膦系光聚合起始劑在比400nm更長的波長區域具有吸收,則螢光染料會作為光聚合起始劑的敏化劑來產生作用。本實施形態的抗焊劑組成物含有白色顏料時,在曝光時白色顏料會將光反射,因此螢光染料作為敏化劑的功效較大。又,因為螢光染料會吸收紫外線波長區域的光,並發出藍色波長區域的光,所以若抗焊劑組成物含有螢光染料,會提升抗焊劑層的藍色波長區域的反射率。
螢光染料較佳是能夠吸收波長200~400nm的光且放出波長400~500nm的光之螢光染料。作為此種螢光染料,可列舉:具有萘作為取代基之苯并唑(benzoxazole)衍生物、具有噻吩作為取代基之苯并唑衍生物、具有二苯乙烯作為取代基之苯并唑衍生物、香豆素衍生物、苯乙烯聯苯衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、雙(三基胺基)二苯乙烯二磺酸衍生物等。
本實施形態中,較佳是含有(E)成分亦即抗氧化劑。藉此,
本實施形態的抗焊劑組成物,在曝光時,氧自由基產生會被抑制,因而可高解析度化,而該氧自由基會成為抑制UV硬化的原因。又,在形成有抗焊劑層之印刷線路板(後述被覆印刷線路板)進行熱處理時,抗氧化劑具有將氧去除之作用,因而可減輕抗焊劑層的熱黃變,而該氧會成為促進抗焊劑層變色的原因。
作為抗氧化劑,可含有例如:選自由酚系抗氧化劑所構成的群組中的一種以上之成分。
本實施形態中,較佳是含有(F)成分亦即著色顏料。藉此,可使由本實施形態的抗焊劑組成物所形成的抗焊劑層的光反射性和遮蔽性提升。作為可形成具有光反射性的白色抗焊劑層之著色顏料,可使用白色顏料。作為可形成具有遮蔽性的黑色抗焊劑層之著色顏料,可使用黑色顏料。
作為白色顏料,可列舉例如:二氧化鈦、氧化鋅等;且可使用此等之中的一種以上。此等之中,較佳是二氧化鈦,藉此可形成光反射性高之白色抗焊劑層。作為二氧化鈦,可含有例如金紅石(rutile)型二氧化鈦和銳鈦礦(anatase)型二氧化鈦之中的一者或兩者。尤其,二氧化鈦較佳是含有金紅石型二氧化鈦。金紅石型二氧化鈦在工業上是以氯化法或硫酸法來製造。本實施形態中,金紅石型二氧化鈦可含有以氯化法製造之金紅石型二氧化鈦和以硫酸法製造之金紅石型二氧化鈦之中的一者或兩者。再者,作為二氧化鈦,亦可為直錳礦(ramsdellite)型結構。直錳礦型二氧化鈦,可藉由下述方式
獲得:對直錳礦型Li0.5TiO2利用化學氧化(chemical oxidation)來實施鋰脫去處理。二氧化鈦可僅含有上述的其中1種,亦可含有2種以上。
作為黑色顏料,可列舉例如:碳黑、苝黑(perylene black)、鈦黑、花青黑(cyanine black)、苯胺黑(aniline black)、將2種以上顏料混合而使其近似黑色之混色有機顏料等;且可使用此等之中的一種以上。此等之中,尤其,較佳是碳黑、苝黑、鈦黑,藉此可形成遮蔽性高之黑色抗焊劑層。
而且,本實施形態中,因為是在(C1)成分:(C2)成分=2:1~1:10的範圍內,且含有螢光染料,所以即使含有白色顏料或黑色顏料,亦能夠使抗焊劑層自表層以至深部皆充分硬化。
抗焊劑組成物可含有熱硬化性成分。熱硬化性成分可對抗焊劑組成物賦予熱硬化性。
熱硬化性成分較佳是含有具有環狀醚骨架之化合物。尤其,具有環狀醚骨架之化合物較佳是含有環氧化合物。
環氧化合物較佳是一分子中具有至少2個環氧基。環氧化合物可為難溶於溶劑之環氧化合物,亦可為廣泛使用的可溶於溶劑之環氧化合物。環氧化合物的種類並未特別限定,尤其,環氧化合物較佳是含有選自由下述所構成的群組中的一種以上之成分:苯酚酚醛清漆型環氧樹脂(作為具體例,DIC股份有限公司製造的商品型號EPICLON N-775)、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(作為具體例,DIC股份有限公司製造的商品型
號EPICLONN-695)、雙酚A型環氧樹脂(作為具體例,三菱化學股份有限公司製造的商品型號jER1001)、雙酚A-酚醛清漆型環氧樹脂(作為具體例,DIC股份有限公司製造的商品型號EPICLON N-865)、雙酚F型環氧樹脂(作為具體例,三菱化學股份有限公司製造的商品型號jER4004P)、雙酚S型環氧樹脂(作為具體例,DIC股份有限公司製造的商品型號EPICLON EXA-1514)、雙酚AD型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂(作為具體例,三菱化學股份有限公司製造的商品型號YX4000)、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂(作為具體例,日本化藥股份有限公司製造的商品型號NC-3000)、氫化雙酚A型環氧樹脂(作為具體例,新日鐵住金化學股份有限公司製造的商品型號ST-4000D)、萘型環氧樹脂(作為具體例,DIC股份有限公司製造的商品型號EPICLON HP-4032、EPICLON HP-4700、EPICLON HP-4770)、氫醌型環氧樹脂(作為具體例,新日鐵住金化學股份有限公司製造的商品型號YDC-1312)、三級丁基鄰苯二酚型環氧樹脂(作為具體例,DIC股份有限公司製造的商品型號EPICLON HP-820)、雙環戊二烯型環氧樹脂(作為具體例,DIC股份有限公司製造的商品型號EPICLON HP-7200)、金剛烷型環氧樹脂(作為具體例,出光興產股份有限公司製造的商品型號ADAMANTATE X-E-201)、二苯基醚型環氧樹脂(作為具體例,新日鐵住金化學股份有限公司製造的商品型號YSLV-80DE)、特殊二官能型環氧樹脂(作為具體例,三菱化學股份有限公司製造的商品型號YL7175-500、及YL7175-1000;DIC股份有限公司製造的商品型號EPICLON
TSR-960、EPICLON TER-601、EPICLON TSR-250-80BX、EPICLON 1650-75MPX、EPICLON EXA-4850、EPICLON EXA-4816、EPICLON EXA-4822、及EPICLON EXA-9726;新日鐵住金化學股份有限公司製造的商品型號YSLV-120TE)、及前述以外的雙酚系環氧樹脂。
環氧化合物亦較佳是含有異氰脲酸三縮水甘油酯。尤其,作為異氰脲酸三縮水甘油酯,較佳是β體,該β體具有3個環氧基鍵結在相對於s-三環骨架面為同一方向上而成的結構;或者,較佳是該β體與α體之混合物,該α體具有1個環氧基鍵結在相對於s-三環骨架面為與其他2個環氧基不同的方向上而成的結構。
環氧化合物亦較佳是含有含磷之環氧樹脂。此時,會提升抗焊劑組成物的硬化物的難燃性。作為含磷之環氧樹脂,可列舉:磷酸改質雙酚F型環氧樹脂(作為具體例,DIC股份有限公司製造的商品型號EPICRON EXA-9726、及EPICRON EXA-9710)、新日鐵住金化學股份有限公司製造的商品型號EPOTORT FX-305等。
抗焊劑組成物可含有有機溶劑。有機溶劑是基於下述目的而使用:抗焊劑組成物的液狀化或清漆化、黏度的調整、塗佈性的調整、成膜性的調整等。
有機溶劑可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上的化合物:乙醇、丙醇、異丙醇、己醇、乙二醇等直鏈、支鏈、2級或多元醇類;甲乙酮、環己酮等酮類;甲苯、二甲苯等芳香族烴類;Swasol系列(丸善石油化學公司製造)、
Solvesso系列(埃克森美孚化學公司(ExxonMobil Chemical Company)製造)等石油系芳香族系混合溶劑;賽璐蘇、丁基賽璐蘇等賽璐蘇(cellosolve)類;卡必醇、丁基卡必醇等卡必醇類;丙二醇甲醚等丙二醇烷基醚類;二丙二醇甲醚等聚丙二醇烷基醚類;乙酸乙酯、乙酸丁酯、賽璐蘇乙酸酯、卡必醇乙酸酯等乙酸酯類;以及,二烷二醇醚類。
抗焊劑組成物中的有機溶劑的比例,較佳是:以在使由抗焊劑組成物所形成的塗膜乾燥時有機溶劑能夠快速揮發的方式,亦即以有機溶劑不會殘留於乾燥塗膜中的方式,來進行調整。尤其,相對於抗焊劑組成物整體,有機溶劑較佳是在5~99.5質量%的範圍內,在15~80質量%的範圍內則進而更佳。再者,有機溶劑的適當比例,因為會隨著塗佈方法而不同,因此較佳是視塗佈方法來適當進行調節比例。
只要在不超出本發明的主旨的範圍內,抗焊劑組成物可進而含有上述成分以外之成分。
抗焊劑組成物可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上之樹脂:經以己內醯胺、肟、丙二酸酯等封閉之二異氰酸甲苯酯系、嗎啉二異氰酸酯系、異佛酮二異氰酸酯系及六亞甲基二異氰酸酯系封閉異氰酸酯;三聚氰胺樹脂、正丁基化三聚氰胺樹脂、異丁基化三聚氰胺樹脂、丁基化尿素樹脂、丁基化三聚氰胺尿素共縮合樹脂、苯胍胺(benzoguanamine)系共縮合樹脂等胺基樹脂;前述以外的各種熱硬化性樹脂;紫外線硬化性環氧基(甲基)丙烯酸酯;將(甲基)丙烯酸加成在雙酚A型、苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆
型、脂環型等環氧樹脂而獲得之樹脂;以及,鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、苯氧樹脂、胺酯樹脂、氟樹脂等高分子化合物。
抗焊劑組成物含有環氧化合物時,抗焊劑組成物可進而含有用來使環氧化合物硬化之硬化劑。硬化劑可含有例如選自由下述所構成的群組中的一種以上之成分:咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、4-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-(2-氰乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑等咪唑衍生物;雙氰胺、苯甲基二甲基胺、4-(二甲胺基)-N,N-二甲胺基苯甲基胺、4-甲氧基-N,N-二甲基苯甲基胺、4-甲基-N,N-二甲基苯甲基胺等胺化合物;己二醯肼、癸二醯肼等醯肼化合物;三苯基膦等磷化合物;酸酐;酚;硫醇;路易斯酸胺錯合物;及,鎓鹽。作為此等成分的市售品之例,可列舉:四國化成股份有限公司製造的2MZ-A、2MZ-OK、2PHZ、2P4BHZ、2P4MHZ(皆為咪唑系化合物的商品名稱);San-Apro股份有限公司製造的U-CAT3503N、U-CAT3502T(皆為二甲基胺的封閉異氰酸酯化合物的商品名稱);DBU、DBN、U-CATSA102、U-CAT5002(皆為二環式脒化合物及其鹽)。
抗焊劑組成物可含有密著性賦予劑。作為密著性賦予劑,可列舉例如:胍胺、乙醯胍胺、苯胍胺、三聚氰胺;以及,2,4-二胺基-6-甲基丙烯醯基氧乙基-s-三、2-乙烯基-4,6-二胺基-s-三、2-乙烯基-4,6-二胺基-s-三/異氰脲酸加成物、2,4-二胺基-6-甲基丙烯醯基氧乙基-s-三/異氰脲酸加成物等s-三衍生物。
抗焊劑組成物可含有選自由下述所構成的群組中的一種
以上之成分:硬化促進劑;白色以外的著色劑;聚矽氧、丙烯酸酯等的共聚物;塗平劑(leveling agent);矽烷耦合劑等密著性賦予劑;搖變劑(thixotropic agent);聚合抑制劑;防光暈劑;難燃劑;消泡劑;抗氧化劑;界面活性劑;高分子分散劑;以及,硫酸鋇、結晶型二氧化矽、奈米二氧化矽、奈米碳管、滑石、膨土(bentonite)、氫氧化鋁、氫氧化鎂、氧化鎂、碳酸鈣等無機填料。
抗焊劑組成物,可進而含有公知的光聚合促進劑、敏化劑(sensitizer)等。抗焊劑組成物可含有例如:對二甲基苯甲酸乙酯、對二甲基胺基苯甲酸異戊酯、苯甲酸2-二甲基胺基乙酯等。
抗焊劑組成物中的成分的量,是以使抗焊劑組成物具有光硬化性且能夠以鹼性溶液進行顯影的方式,來適當調整。
(A)含羧基樹脂,相對於抗焊劑組成物的固形成分量,在5~85質量%的範圍內則較佳,在10~80質量%的範圍內則更佳,在15~50質量%的範圍內則進而更佳。
(B)光聚合性化合物,相對於抗焊劑組成物的固形成分量,在1~45質量%的範圍內則較佳,在2~40質量%的範圍內則更佳,在10~30質量%的範圍內則進而更佳。
又,抗焊劑組成物含有熱硬化性成分時,熱硬化成分,相對於抗焊劑組成物的固形成分量,較佳是在1.5~65質量%的範圍內,在2.0~60質量%的範圍內則更佳,在3.0~35質量%的範圍內則進而更佳。
(C)光聚合起始劑,相對於抗焊劑組成物的固形成分量,較佳是在0.1~30質量%的範圍內,在4~20質量%的範圍內則進而更佳。
(D)螢光染料,相對於抗焊劑組成物中的光聚合起始劑的量,較佳是在0.0001~80質量%的範圍內。該螢光染料的量,尤其,相對於光聚合起始劑的量,較佳是在1~30質量%的範圍內,並且相對於抗焊劑組成物總量,較佳是在0.04~2質量%的範圍內。
(E)抗氧化劑,相對於含羧基樹脂量,較佳是在0.1~20質量%的範圍內,在0.3~10質量%的範圍內則進而更佳。
(F)著色顏料,相對於抗焊劑組成物的固形成分量,較佳是在0.05~80質量%的範圍內,在0.2~60質量%的範圍內則進而更佳。又,二氧化鈦,相對於抗焊劑組成物的固形成分量,較佳是在3~80質量%的範圍內,在25~60質量%的範圍內則進而更佳。若在此範圍內,能夠使抗焊劑層發揮較高的遮蔽性或光反射性,並且以較高水準維持耐熱性、鉛筆硬度等抗焊劑所需要的物性。
再者,固形成分量,是指從抗焊劑組成物將在形成抗焊劑層的過程中會揮發之溶劑等成分去除後餘留的所有成分的合計量。又,樹脂成分量,是指抗焊劑組成物中的含羧基樹脂、光聚合性化合物及熱硬化性成分的合計量。
可藉由下述方式來調製抗焊劑組成物:調配如上所述之作為抗焊劑組成物的成分之原料,並以使用例如三輥研磨機(three-roll mill)、球磨機(ball mill)、砂磨機(sand mill)等之公
知的揉合方法來進行揉合。
考慮到保存穩定性等,可藉由將抗焊劑組成物的一部分原料混合來調製第一劑,並藉由將其餘原料混合來調製第二劑。亦即,抗焊劑組成物可具備第一劑和第二劑。例如,可藉由將原料中的光聚合性化合物、一部分有機溶劑及熱硬化性成分預先混合並分散來調製第一劑,並藉由將原料中的其餘成分混合並分散來調製第二劑。此時,可適時將需要量之第一劑與第二劑混合來調製混合液,並由該混合液形成抗焊劑層。
本實施形態的抗焊劑組成物,可應用於例如在印刷線路板上形成抗焊劑層。藉此製造被覆印刷線路板。
以下表示使用本實施形態的抗焊劑組成物,來在印刷線路板上形成抗焊劑層之方法的一例。在本例中,是由兼具光硬化性和熱硬化性之抗焊劑組成物來形成抗焊劑層。
首先,準備印刷線路板,並由抗焊劑組成物在此印刷線路板上形成塗膜。例如在印刷線路板的表面上,塗佈抗焊劑組成物而形成濕潤狀態的塗膜(濕潤塗膜)。抗焊劑組成物的塗佈方法,可選自公知的方法,例如可選自由下述方法所構成的群組:浸漬法、噴霧法、旋轉塗佈法、輥塗佈法、簾幕式塗佈法(curtain coating)、及網版印刷法。繼而,為了視需要來使抗焊劑組成物中的有機溶劑揮發,例如在60~120℃的範圍內的溫度下,使濕潤塗膜乾燥,來獲得乾燥後的塗膜(乾燥塗膜)。本實施形態中,如上所述,光聚合起始劑含有特定的
3種成分,藉此能夠抑制乾燥塗膜的附著性。
再者,在印刷線路板上形成塗膜時,可藉由下述方式來將乾燥塗膜設置於印刷線路板上:藉由預先將抗焊劑組成物塗佈於適當的支撐體上後,再進行乾燥,來形成乾燥塗膜,並將此乾燥塗膜疊合於印刷線路板上後,再對乾燥塗膜和印刷線路板施加壓力(乾膜法)。
繼而,將負型光罩直接或間接地緊貼於印刷線路板上的乾燥塗膜上後,再朝著負型光罩照射活性能量線,藉此隔著負型光罩而將塗膜進行曝光。負型光罩具備使活性能量線穿透之曝光部、及遮蔽活性能量線之非曝光部,且該曝光部具有與抗焊劑層的圖案形狀相同之形狀。可使用例如遮罩膜(mask film)或乾板(dry plate)等曝光用具(photo tool)作為負型光罩。活性能量線,可因應抗焊劑組成物的組成來選擇,而本實施形態中為紫外線。紫外線的光源,可選自由例如下述所構成的群組:化學燈(chemical lamp)、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣燈、及金屬鹵素燈。
再者,可採用使用負型光罩之方法以外的方法作為曝光方法。可採用例如藉由雷射曝光等之直接描繪法。
本實施形態中,若以此方式來以紫外線將乾燥塗膜曝光,如上所述,自乾燥塗膜的表層以至深部皆能夠有效率地進行光硬化反應。
乾燥塗膜曝光後,自印刷線路板將負型光罩取下,再對乾燥塗膜實施顯影處理,藉此將乾燥塗膜中的未曝光的部分去除。如此一來,乾燥塗膜的已曝光部分,則作為抗焊劑層
而殘留於印刷線路板的第一表面及第二表面上。
顯影處理中,可因應抗焊劑組成物的組成來使用適當的顯影液。作為顯影液的具體例,可列舉:碳酸鈉水溶液、碳酸鉀水溶液、碳酸銨水溶液、碳酸氫鈉水溶液、碳酸氫鉀水溶液、碳酸氫銨水溶液、氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、氫氧化銨水溶液、氫氧化四甲基銨水溶液、氫氧化鋰水溶液等鹼性溶液。亦可使用單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺等有機胺作為顯影液。此等顯影液之中,可僅使用一種,亦可將複數種合併使用。顯影液為鹼性溶液時,其溶劑可僅為水,亦可為水與低級醇類等親水性有機溶劑之混合物。
抗焊劑組成物含有熱硬化性成分時,可視需要而藉由對抗焊劑層實施加熱處理,來使抗焊劑層進行熱硬化。加熱處理的條件,例如是在加熱溫度120~180℃的範圍內、加熱時間30~90分鐘的範圍內。藉此,提升抗焊劑層的強度、硬度、耐化學藥品性等性能。
又,可視需要而在對抗焊劑層實施加熱處理後,進而對抗焊劑層照射紫外線。此時,可使抗焊劑層的光硬化反應進一步進行。藉此,更加提升抗焊劑層的抗遷移性(migration resistance)。
根據以上所述,可獲得一種被覆印刷線路板,其具備印刷線路板和抗焊劑層,該抗焊劑層被覆該印刷線路板的一部分。本實施形態中,抗焊劑層自表層以至深部皆充分硬化。
以上所說明之本實施形態具有以下特徵。
本實施形態的抗焊劑組成物,含有:(A)含羧基樹脂;(B)光聚合性化合物,其選自具有光聚合性之單體和預聚物;(C)光聚合起始劑,其含有雙醯基氧化膦系光聚合起始劑和α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑;及,(D)螢光染料。前述雙醯基氧化膦系光聚合起始劑為雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦。前述α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑為2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮。前述雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦與前述2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮之質量比為2:1~1:10。
藉此,本實施形態的抗焊劑組成物中,雙醯基氧化膦系光聚合起始劑的結晶不易析出,因此抗焊劑組成物的保存穩定性良好。又,若將此塗膜以紫外線進行曝光,自塗膜的表層以至深部會有效率地進行光硬化反應。
本實施形態較佳是:除了上述構成之外,進而還含有(E)抗氧化劑。
藉此,本實施形態的抗焊劑組成物,在曝光時,氧自由基產生會被抑制,因而可高解析度化,而該氧自由基會成為抑制UV硬化的原因。又,在形成有抗焊劑層之印刷線路板(後述被覆印刷線路板)進行熱處理時,抗氧化劑具有將氧去除之作用,因而可減輕抗焊劑層的熱黃變,而該氧會成為促進抗焊劑層變色的原因。
本實施形態較佳是:除了上述構成之外,而且前述(A)含羧基樹脂是(A2)具有光聚合性官能基之含羧基樹脂。
藉此,(A)含羧基樹脂能夠以光聚合和熱聚合兩者來進行聚合反應,而謀求高靈敏度化。
本實施形態較佳是:除了上述構成之外,進而還含有(F)著色顏料。
藉此,可使抗焊劑層的光反射性和遮蔽性提升。
本實施形態較佳是:除了上述構成之外,而且前述(F)著色顏料為白色顏料或黑色顏料。
藉此,可使抗焊劑層的光反射性和遮蔽性更加提升。
本實施形態的被覆印刷線路板具備印刷線路板與抗焊劑層,該抗焊劑層被覆前述印刷線路板。該被覆印刷線路板的特徵在於:前述抗焊劑層是由如上述任一種抗焊劑組成物所形成。
藉此,本實施形態的被覆印刷線路板中,抗焊劑層自表層以至深部皆已充分硬化。
以下說明本發明的實施例。然而,本發明並不僅限於下述實施例。
(合成例1)
在安裝有回流冷卻器、溫度計、氮氣取代用玻璃管及攪拌機之四頸燒瓶中,添加甲基丙烯酸48質量份、ω-羧基-聚己內酯(n≒2)單丙烯酸酯(東亞合成股份有限公司製造的ARONIX M-5300)50質量份、甲基丙烯酸甲酯92質量份、苯乙烯10質量份、二丙二醇單甲醚430質量份、及偶氮雙異丁腈3.5質量份。將此四頸燒瓶內的液體,在氮氣氣流下以75
℃加熱5小時,來進行聚合反應,藉此獲得濃度32%的共聚溶液。
在此共聚溶液中,添加氫醌0.1質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯64質量份、及二甲基苯甲基胺0.8質量份,並以80℃加熱24小時,藉此進行加成反應。藉此,獲得具有羧基及乙烯性不飽和基之化合物的38%溶液(含羧基樹脂溶液A)。
(合成例2)
在安裝有回流冷卻器、溫度計、氮氣取代用玻璃管及攪拌機之四頸燒瓶中,添加甲基丙烯酸60質量份、N-苯基馬來醯亞胺20質量份、甲基丙烯酸甲酯80質量份、甲基丙烯酸三級丁酯20質量份、苯乙烯20質量份、二丙二醇單甲醚300質量份、及偶氮雙異丁腈3.5質量份。將此四頸燒瓶內的液體,在氮氣氣流下以75℃加熱5小時,來進行聚合反應。藉此,獲得具有羧基之化合物的40%溶液(含羧基樹脂溶液B)。
將調配後述之表所示的成分而獲得之混合物,以三輥研磨機進行揉合,藉此獲得抗焊劑組成物。再者,表中所示的成分的詳細內容如下所述。
‧環氧化合物:異氰脲酸三縮水甘油酯(日產化學工業股份有限公司製造,商品型號TEPIC-HP)。
‧光聚合性化合物:二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥股份有限公司製造,商品型號KAYARAD DPHA)。
‧二氧化鈦A:以硫酸法製造之金紅石型二氧化鈦,堺化學工業股份有限公司製造,商品型號R-79。
‧二氧化鈦B:以氯化法製造之金紅石型二氧化鈦,石原產業股份有限公司製造,商品型號CR-90。
‧碳黑:三菱化學股份有限公司製造,商品型號MA-7。
‧硫酸鋇:堺化學工業股份有限公司製造,商品型號BARIACE B30。
‧光聚合起始劑A:雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦,巴斯夫公司製造,商品型號Irgacure819。
‧光聚合起始劑B:2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦,巴斯夫公司製造,商品型號IrgacureTPO。
‧光聚合起始劑C:2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮,巴斯夫公司製造,商品型號Irgacure1173。
‧光聚合起始劑D:1-羥基環己基苯基酮,巴斯夫股份公司製造,商品型號Irgacure184。
‧抗氧化劑:2,4,6-參(3’,5’-二-三級丁基-4’-羥基苯甲基)1,3,5-三甲苯,巴斯夫公司製造,商品型號IRGANOX1330。
‧三聚氰胺:日產化學工業股份有限公司製造,三聚氰胺微粉。
‧消泡劑:信越矽利光股份有限公司製造,商品型號KS-66。
‧螢光染料A:萘苯并唑衍生物,日本科萊恩股份有限公司(Clariant(Japan)K.K.)製造,商品型號Hostalux KCB。
‧螢光染料B:2,5-噻吩二基雙(5-三級丁基-1,3-苯并唑),巴斯夫公司製造,商品型號TINOPAL OB。
(1)製作測試片
準備具備厚度35μm銅箔之玻璃環氧覆銅積層板。在此玻璃環氧覆銅積層板上,實施蝕刻而形成導體線路,藉此獲得印刷線路板。將抗焊劑用樹脂組成物,以網版印刷塗佈在此印刷線路板的其中一整個面上,藉此形成塗膜。藉由將此塗膜以80℃加熱20分鐘,來進行乾燥。乾燥後的塗膜(乾燥塗膜)的厚度為20μm。以將負型光罩直接與此乾燥塗膜的表面上接觸之狀態,朝著負型光罩照射紫外線,藉此以曝光量400mJ/cm2的條件來選擇性地將乾燥塗膜進行曝光。繼而,自乾燥塗膜將負型光罩取下後,再使用濃度1%的碳酸鈉水溶液來對乾燥塗膜實施顯影處理60秒,藉此使乾燥塗膜中的經藉由曝光來硬化的部分,作為抗焊劑層而殘留於印刷線路板上。進而,將此抗焊劑層以150℃加熱60分鐘來進行熱硬化。藉此獲得具備抗焊劑層之測試片。
對此測試片進行以下評估測試。
(2)感光性評估(殘留階段式曝光表(step tablet)格數)
將曝光用測試光罩(日立化成工業公司製造的階段式曝光表PHOTEC21段),直接緊貼於由各實施例及比較例中的抗焊劑組成物所形成的乾燥塗膜上,並進行減壓密著。繼而,使用ORC公司製造的減壓密著型兩面曝光機(型號ORC HMW680GW),並隔著曝光用測試光罩,以照射能量密度400mJ/cm2的條件對乾燥塗膜照射紫外線。繼而使用顯影液(濃度1質量%的碳酸鈉水溶液)來將乾燥塗膜進行顯影。以此時的殘留階段式曝光表格數,來評估乾燥塗膜的感光性。
(3)深部硬化性評估(焊料堤(solder dam)殘留評估)
準備具備線寬/線間隔為0.2mm/0.3mm且厚度為40μm的銅製導體線路之印刷線路板。又,使用具有光罩圖案之負型光罩,該負型光罩是用來形成寬度50μm、75μm、90μm、及100μm的焊料堤。除了使用此等印刷線路板和負型光罩之外,其餘以與製作測試片時相同條件,在印刷線路板上形成厚度60μm的焊料堤。
藉由對此焊料堤進行玻璃紙黏著膠帶剝離測試,來調查不剝離而殘留於印刷線路板上之焊料堤的最小幅度。此最小幅度愈小,則可評估為焊料堤的深部的硬化程度愈高。
(4)耐熱黃變性評估
使用柯尼卡美能達傳感股份有限公司(Konica Minolta Sensing,Inc.)製造的分光測色儀(型號CM-600d),來測定剛製作出的測試片的抗焊劑層在L*a*b*色彩系統中的b*值。繼而,將測試片以250℃、5分鐘的條件進行熱處理後,再次測定抗焊劑層的b*值。計算熱處理後的抗焊劑層的b*值減去熱處理前的抗焊劑層的b*值而獲得的數值(△b*),並將其結果以如下所示的方式評估。
A:△b*值為1.4以下。
B:△b*值為1.5~1.9。
C:△b*值為2.0~2.4。
D:△b*值為2.5以上。
(5)保存穩定性評估
將抗焊劑組成物以4℃保存在冰箱內1週。繼而,將抗焊劑組成物以膜厚20μm塗佈於玻璃板上,且以目視觀察塗
膜,並將其結果以下述方式評估。
○:在塗膜中無法觀察到物體(微小粒子)。
×:在塗膜中能夠觀察到物體(微小粒子)。
Claims (6)
- 一種抗焊劑組成物,其特徵在於含有:(A)含羧基樹脂;(B)光聚合性化合物,其選自具有光聚合性之單體和預聚物;(C)光聚合起始劑,其含有雙醯基氧化膦系光聚合起始劑和α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑;及,(D)螢光染料;其中,前述雙醯基氧化膦系光聚合起始劑為雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦;前述α-羥烷基苯酮系光聚合起始劑為2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮;並且,前述雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦與前述2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮之質量比為2:1~1:10。
- 如請求項1所述之抗焊劑組成物,其中,進而含有(E)抗氧化劑。
- 如請求項1所述之抗焊劑組成物,其中,前述(A)含羧基樹脂為(A2)具有光聚合性官能基之含羧基樹脂。
- 如請求項1所述之抗焊劑組成物,其中,進而包含(F)著色顏料。
- 如請求項4所述之抗焊劑組成物,其中,前述(F)著色顏料為白色顏料或黑色顏料。
- 一種被覆印刷線路板,其特徵在於:該被覆印刷線路板具備印刷線路板與抗焊劑層,該抗焊劑層被覆前述印刷線路板,並且,前述抗焊劑層是由如請求項1~5中任一項所述之抗焊劑組成物所形成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/006160 WO2016092598A1 (ja) | 2014-12-10 | 2014-12-10 | ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |
??PCT/JP2014/006160 | 2014-12-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201621460A true TW201621460A (zh) | 2016-06-16 |
TWI621914B TWI621914B (zh) | 2018-04-21 |
Family
ID=56106852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103146120A TWI621914B (zh) | 2014-12-10 | 2014-12-29 | 抗焊劑組成物及被覆印刷線路板 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10317796B2 (zh) |
EP (1) | EP3232268B1 (zh) |
JP (1) | JP6368380B2 (zh) |
KR (1) | KR101975430B1 (zh) |
CN (1) | CN107003610B (zh) |
TW (1) | TWI621914B (zh) |
WO (1) | WO2016092598A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3054350B1 (en) | 2014-12-10 | 2018-04-11 | Goo Chemical Co., Ltd. | Liquid solder resist composition and coated printed wiring board |
HUE039629T2 (hu) * | 2014-12-10 | 2019-01-28 | Goo Chemical Co Ltd | Folyékony, forraszanyagnak ellenálló készítmény és bevonattal ellátott nyomtatott áramköri lap |
JP6447557B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN110611020A (zh) * | 2018-06-15 | 2019-12-24 | 中华映管股份有限公司 | 发光元件 |
CN111295621A (zh) * | 2018-08-27 | 2020-06-16 | 互应化学工业株式会社 | 感光性树脂组合物、干膜和印刷配线板 |
JP7444537B2 (ja) | 2018-12-27 | 2024-03-06 | デンカ株式会社 | 蛍光体基板の製造方法、発光基板の製造方法及び照明装置の製造方法 |
JP7165473B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-11-04 | 太陽インキ製造株式会社 | 硬化性樹脂組成物、これを用いたドライフィルムおよび硬化物、並びにこれを有する電子部品 |
KR102398123B1 (ko) * | 2020-06-10 | 2022-05-17 | 한국다이요잉크 주식회사 | 솔더 레지스트 수지 조성물, 솔더 레지스트 구조체, 드라이 필름 및 인쇄 배선판 |
JP2022071500A (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-16 | 矢崎総業株式会社 | 防食材、端子付き電線及びワイヤーハーネス |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4599259A (en) * | 1982-10-25 | 1986-07-08 | Sony Corporation | Cover film for sublimation transfer type hard copy |
JPH0756336A (ja) * | 1993-06-07 | 1995-03-03 | Ajinomoto Co Inc | 樹脂組成物 |
US20020102077A1 (en) * | 1995-08-01 | 2002-08-01 | Szum David M. | Protective materials for optical fibers which do not substantially discolor |
US6238840B1 (en) * | 1997-11-12 | 2001-05-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition |
KR20010098809A (ko) * | 2000-04-25 | 2001-11-08 | 마쯔모또 에이찌 | El 표시 소자의 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물,격벽 및 el 표시 소자 |
TW583510B (en) * | 2000-09-14 | 2004-04-11 | Goo Chemical Co Ltd | Ultraviolet-curing resin composition and photo solder resist ink containing the same |
EP1253155A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-30 | Ucb S.A. | Photo-initiator compositions |
US20030170423A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-09-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of producing pattern member, apparatus of producing pattern member, and pattern member |
EP1668148B1 (en) * | 2003-09-04 | 2008-12-31 | Human Genetic Signatures PTY Ltd. | Nucleic acid detection assay |
WO2006126567A1 (ja) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体及びその利用 |
JP2007178459A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Fujifilm Corp | パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法 |
JP2008107511A (ja) | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Kaneka Corp | 硬化性組成物 |
JP4994923B2 (ja) | 2007-04-06 | 2012-08-08 | 太陽ホールディングス株式会社 | 黒色ソルダーレジスト組成物およびその硬化物 |
JP2009014936A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
WO2010060702A1 (en) * | 2008-11-03 | 2010-06-03 | Basf Se | Photoinitiator mixtures |
JP5513965B2 (ja) * | 2010-04-21 | 2014-06-04 | 互応化学工業株式会社 | ソルダーレジスト組成物及びプリント配線板 |
CN103109234A (zh) * | 2010-09-16 | 2013-05-15 | 株式会社Lg化学 | 光敏树脂组合物、干膜阻焊膜以及电路板 |
JP5830323B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2015-12-09 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 半導体上からホットメルトエッチングレジストを剥離する改良された方法 |
EP2619128A4 (en) * | 2010-09-24 | 2014-08-06 | Manitowoc Foodservice Co Inc | SYSTEM AND METHOD FOR ENERGY SAVING ON A REMOTE BEVERAGE DISTRIBUTION SYSTEM |
JP5666868B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-02-12 | 互応化学工業株式会社 | ソルダーレジスト用樹脂組成物及びプリント配線板 |
JP5785810B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-09-30 | 住友化学株式会社 | 着色硬化性樹脂組成物 |
JP5814691B2 (ja) * | 2011-08-11 | 2015-11-17 | 互応化学工業株式会社 | レジスト用樹脂組成物 |
JP5875821B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-03-02 | 太陽インキ製造株式会社 | 感光性樹脂組成物、その硬化皮膜およびプリント配線板 |
JP6181907B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2017-08-16 | 互応化学工業株式会社 | カルボキシル基含有樹脂及びソルダーレジスト用樹脂組成物 |
US8703385B2 (en) * | 2012-02-10 | 2014-04-22 | 3M Innovative Properties Company | Photoresist composition |
US9583669B2 (en) * | 2012-08-16 | 2017-02-28 | Sun Chemical Corporation | Inkjet printable etch resist |
US10655034B2 (en) * | 2014-07-29 | 2020-05-19 | Ofs Fitel, Llc | UV-curable silsesquioxane-containing write-through optical fiber coatings for fabrication of optical fiber Bragg gratings, and fibers made therefrom |
EP3054350B1 (en) * | 2014-12-10 | 2018-04-11 | Goo Chemical Co., Ltd. | Liquid solder resist composition and coated printed wiring board |
-
2014
- 2014-12-10 CN CN201480083930.6A patent/CN107003610B/zh active Active
- 2014-12-10 JP JP2016563293A patent/JP6368380B2/ja active Active
- 2014-12-10 WO PCT/JP2014/006160 patent/WO2016092598A1/ja active Application Filing
- 2014-12-10 US US15/531,461 patent/US10317796B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-12-10 EP EP14907967.5A patent/EP3232268B1/en not_active Not-in-force
- 2014-12-10 KR KR1020177015863A patent/KR101975430B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-29 TW TW103146120A patent/TWI621914B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3232268B1 (en) | 2019-05-08 |
TWI621914B (zh) | 2018-04-21 |
JP6368380B2 (ja) | 2018-08-01 |
EP3232268A1 (en) | 2017-10-18 |
EP3232268A4 (en) | 2018-01-03 |
CN107003610B (zh) | 2020-05-19 |
WO2016092598A1 (ja) | 2016-06-16 |
JPWO2016092598A1 (ja) | 2017-04-27 |
KR20170083112A (ko) | 2017-07-17 |
US10317796B2 (en) | 2019-06-11 |
US20170269477A1 (en) | 2017-09-21 |
CN107003610A (zh) | 2017-08-01 |
KR101975430B1 (ko) | 2019-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI599625B (zh) | 液狀抗焊劑組成物及被覆印刷線路板(一) | |
TWI621914B (zh) | 抗焊劑組成物及被覆印刷線路板 | |
TWI598692B (zh) | 液狀抗焊劑組成物及被覆印刷線路板(三) | |
TWI656163B (zh) | 液狀抗焊劑組成物及被覆印刷線路板(二) | |
KR101597344B1 (ko) | 액상 솔더 레지스트 조성물 및 피복 프린트 배선판 | |
JP5883530B1 (ja) | 液状ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 | |
JP6592835B2 (ja) | ソルダーレジスト組成物及び被覆プリント配線板 |