TW201620130A - 有機發光二極體顯示器、包含該有機發光二極體顯示器之電子裝置、及製造該有機發光二極體顯示器之方法 - Google Patents

有機發光二極體顯示器、包含該有機發光二極體顯示器之電子裝置、及製造該有機發光二極體顯示器之方法 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種有機發光二極體顯示器、包含該有機發光二極體顯示器其之電子裝置、及製造該有機發光二極體顯示器之方法。在一態樣中，有機發光二極體顯示器包含第一塑膠層、形成於第一塑膠層之上之第一障壁層、及形成於第一障壁層之上之第一中間層。有機發光二極體顯示器亦包含形成於第一中間層之上之第二塑膠層、形成於第二塑膠層之上之第二中間層、及形成於第二中間層之上之第二障壁層。有機發光二極體顯示器更包含形成於第二障壁層之上之有機發光二極體層、及封裝有機發光二極體層之薄膜封裝層。

Description

有機發光二極體顯示器、包含該有機發光二極體顯示器之電子裝置、及製造該有機發光二極體顯示器之方法 【優先權聲明】
本申請案主張於2014年11月17日在韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)提出申請之第10-2014-0160168號韓國專利申請案之權利，該韓國專利申請案之揭露內容以引用方式全文併入本文中。
所述技術大體而言係關於一種有機發光二極體(organic light-emitting diode；OLED)顯示器、一種包含該有機發光二極體顯示器之電子裝置、及一種製造該有機發光二極體顯示器之方法。
有機發光二極體顯示器係為自發光式且包含各自具有一電洞注入電極、一電子注入電極及一有機發射層之若干有機發光二極體，該有機發射層係插置於該電洞注入電極與該電子注入電極之間。當自電洞注入電極注入之電洞與自電子注入電極注入之電子在有機發射層中彼此重組(recombine)及毀滅(annihilate)時，便自有機發光二極體發射光。有機 發光二極體顯示器已由於其優越特性(諸如低功率消耗、高亮度及高響應速率)而作為下一代顯示器備受關注。
一發明態樣係為一種包含具有一低水氣穿透率(water vapor transmission rate；WVTR)及一高黏著力之一撓性基板之有機發光二極體顯示器、一種包含該有機發光二極體顯示器之電子裝置、及一種製造該有機發光二極體顯示器之方法。
其他態樣部分地將在以下說明中予以陳述，且部分地將根據該說明顯而易見或可藉由實踐所提供實施例而獲知。
另一態樣係為一種有機發光二極體顯示器，包含：一第一塑膠層；一第一障壁層，形成於該第一塑膠層上；一第一中間層，形成於該第一障壁層上；一第二塑膠層，形成於該第一中間層上；一第二中間層，形成於該第二塑膠層上；一第二障壁層，形成於該第二中間層上；一有機發光二極體層，形成於該第二障壁層上；以及一薄膜封裝層，封裝該有機發光二極體層。
該第一中間層可包含非晶矽(amorphous silicon；a-silicon)。
該第二中間層可包含非晶矽。
該第一中間層可包含一金屬薄膜。
該第二中間層可包含一金屬薄膜。
該第一中間層之紫外光(ultraviolet；UV)透射率可等於或大於10%。
各該第一塑膠層與該第二塑膠層可包含以下材料至少其中之一：聚醯亞胺(polyimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚芳酯(polyarylate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醚碸(polyethersulfone)、及聚醚醯亞胺(polyetherimide；PEI)。
該第二塑膠層之厚度可大於該第一塑膠層之一厚度。
該第二塑膠層之黏度可小於該第一塑膠層之一黏度。
該第一障壁層可包含一第一氮化矽(silicon nitride)層，且該第二障壁層可包含一第二氮化矽層，且該第二障壁層之密度可大於該第一氮化矽層之一密度。
該第一障壁層可更包含一金屬氧化物膜(metal oxide film)或一矽氧化物膜(silicon oxide film)。
該第二障壁層可更包含一金屬氧化物膜或一矽氧化物膜。
該第一氮化矽層之該密度可等於或大於約2.2克/立方公分且等於或小於約2.4克/立方公分。
該薄膜封裝層可包含以下材料至少其中之一：一無機層與一有機層。
另一態樣係為一種包含該有機發光二極體顯示器之電子裝置。
另一態樣係為一種製造一有機發光二極體顯示器之方法，包含：製備一載體基板；形成一母撓性基板於該載體基板上，該母撓性基板 包含依序堆疊之一第一塑膠層、一第一障壁層、一第一中間層、一第二塑膠層、一第二中間層、及一第二障壁層；形成複數有機發光二極體層於該母撓性基板上；形成一薄膜封裝層，該薄膜封裝層封裝該等有機發光二極體層；將該母撓性基板自該載體基板分離；以及將形成於該母撓性基板上之該等有機發光二極體層劃分成複數顯示單元。
該將該母撓性基板自該載體基板分離之步驟可包含：藉由朝與上面形成有該母撓性基板之該載體基板之一表面相對的該載體基板之一表面發射一雷射光束而將該母撓性基板自該載體基板分離。
該發射該雷射光束之步驟可包含發射紫外(ultraviolet；UV)光。
該載體基板可係為一玻璃基板。
該第一障壁層可包含至少一第一氮化矽層，該第二障壁層可包含一第二氮化矽層，且該第二氮化矽層之一密度可大於該第一氮化矽層之一密度。
另一態樣係為一種有機發光二極體顯示器，包含：一第一塑膠層；一第一障壁層，形成於該第一塑膠層之上；一第一中間層，形成於該第一障壁層之上；一第二塑膠層，形成於該第一中間層之上；一第二中間層，形成於該第二塑膠層之上；一第二障壁層，形成於該第二中間層之上；一有機發光二極體層，形成於該第二障壁層之上；以及一薄膜封裝層，封裝該有機發光二極體層。
在實例性實施例中，該第一中間層包含非晶矽。該第二中間層可包含非晶矽。該第一中間層可包含一金屬薄膜。該第二中間層可包含 一金屬薄膜。該第一中間層之紫外光(ultraviolet；UV)透射率可大於或等於約10%。各該第一塑膠層與該第二塑膠層可包含以下材料至少其中之一：聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚碸、及聚醚醯亞胺(polyetherimide；PEI)。
在實例性實施例中，該第二塑膠層具有較該第一塑膠層大之一厚度。該第二塑膠層可具有較該第一塑膠層小之一黏度。該第一障壁層可包含一第一氮化矽層，該第二障壁層可包含一第二氮化矽層，且該第二障壁層之氮化矽密度可大於該第一氮化矽層之氮化矽密度。該第一障壁層可更包含一金屬氧化物膜或一矽氧化物膜。
在實例性實施例中，該第二障壁層更包含一金屬氧化物膜或一矽氧化物膜。該第一氮化矽層之該氮化矽密度可大於或等於約2.2克位方公分且可小於或等於約2.4克位方公分。該薄膜封裝層可包含一無機層與一有機層至少其中之一。
另一態樣係為一種包含一有機發光二極體(organic light-emitting diode；OLED)顯示器之電子裝置，包含：一第一塑膠層；一第一障壁層，形成於該第一塑膠層之上；一第一中間層，形成於該第一障壁層之上；一第二塑膠層，形成於該第一中間層之上；一第二中間層，形成於該第二塑膠層之上；一第二障壁層，形成於該第二中間層之上；一有機發光二極體層，形成於該第二障壁層之上；以及一薄膜封裝層，封裝該有機發光二極體層。
另一態樣係為一種製造一有機發光二極體顯示器之方法，包含：製備一載體基板；形成一母撓性基板於該載體基板上，其中該母撓性 基板包含依序堆疊之一第一塑膠層、一第一障壁層、一第一中間層、一第二塑膠層、一第二中間層、及一第二障壁層；形成複數有機發光二極體層於該母撓性基板上；形成一薄膜封裝層，以封裝該等有機發光二極體層；將該母撓性基板自該載體基板分離；以及將形成於該母撓性基板上之該等有機發光二極體層劃分成複數顯示單元。
在實例性實施例中，該將該母撓性基板自該載體基板分離之步驟包含：朝與上面形成有該母撓性基板之該載體基板之一表面相對的該載體基板之一表面發射雷射光。該雷射光可係為紫外(ultraviolet；UV)光。該載體基板可係為一玻璃基板。該第一障壁層可包含至少一第一氮化矽層，該第二障壁層可包含一第二氮化矽層，且該第二氮化矽層之氮化矽密度可大於該第一氮化矽層之氮化矽密度。
100‧‧‧有機發光二極體顯示器
101‧‧‧有機發光二極體顯示器
102‧‧‧有機發光二極體顯示器
110‧‧‧薄膜電晶體層
111‧‧‧半導體層
112‧‧‧閘極絕緣膜
113‧‧‧閘電極
114‧‧‧層間絕緣膜
115‧‧‧源電極
116‧‧‧汲電極
117‧‧‧鈍化層
120‧‧‧有機發光二極體層
121‧‧‧畫素電極
122‧‧‧畫素界定層
123‧‧‧包含有機發射層之層
124‧‧‧相對電極/共同電極
130‧‧‧薄膜封裝層
140‧‧‧第一保護膜
150‧‧‧第二保護膜
1BL‧‧‧第一障壁層
1IL‧‧‧第一中間層
1PL‧‧‧第一塑膠層
1SN‧‧‧氮化矽層
2BL‧‧‧第二障壁層
2IL‧‧‧第二中間層
2PL‧‧‧第二塑膠層
2SN‧‧‧氮化矽層
CL‧‧‧切割線
FS‧‧‧撓性基板
FS-1‧‧‧撓性基板
FS-2‧‧‧撓性基板
GS‧‧‧玻璃基板
II‧‧‧部分
MFS‧‧‧母撓性基板
VIB-VIB‧‧‧線
VB-VB‧‧‧線
結合附圖閱讀下文對實例性實施例之說明，此等及/或其他態樣將變得顯而易見且更加容易瞭解，在附圖中：第1圖係為例示根據一實例性實施例之一有機發光二極體顯示器之一剖視圖；第2圖係為第1圖所示部分II之一放大圖，其例示有機發光二極體顯示器之一薄膜電晶體(thin-film transistor；TFT)層及一有機發光二極體層；第3圖係為例示根據一第一比較性實例之一有機發光二極體顯示器之一剖視圖；第4圖係為例示根據一第二比較性實例之一有機發光二極體顯示器之 一剖視圖；第5A圖係為用於解釋形成一母撓性基板於一玻璃基板上之一操作之一平面圖；第5B圖係為沿著第5A圖所示線VB-VB截取之一剖視圖；第6A圖係為用於解釋形成複數有機發光二極體顯示器於母撓性基板上之一過程之一平面圖；第6B圖係為沿著第6A圖所示線VIB-VIB截取之一剖視圖；第7圖係為用於解釋形成一薄膜封裝層於母撓性基板上之一過程之一剖視圖，該薄膜封裝層封裝複數有機發光二極體層；第8圖及第9圖係為用於解釋將母撓性基板自玻璃基板分離之一過程之剖視圖；第10圖係為用於解釋將形成於母撓性基板上之有機發光二極體層劃分成該等有機發光二極體顯示器之一過程之一剖視圖；第11圖係為例示根據另一實例性實施例第1圖所示有機發光二極體顯示器之一撓性基板之一視圖；第12圖係為例示一有機發光二極體之一閘極電壓與一汲極電流間之一關係之一曲線圖；以及第13圖係為例示一初始氮化矽密度與氫(H)含量間之一關係之一曲線圖。
所述技術可包含各種實施例及潤飾，且將在圖式中例示並在本文中詳細闡述該技術之實例性實施例。結合附圖閱讀下文對實施例之說明，所述技術及其隨附方法之效果及特徵將變得顯而易見。然而，所述技術並不限於下文所述之實施例，而是可以各種模式來實施。
現在將參照其中顯示實例性實施例之附圖來更全面地闡述所述技術。在圖式中，相同或對應元件由相同參考編號表示，且因此將不再對該等相同或對應元件給出重複解釋。
將理解，雖然本文中可使用用語「第一」、「第二」等來闡述各種元件，但此等元件不應受此等用語限制。此等用語僅用於將一個元件與另一元件區分開。
除非上下文另有清晰指示，否則本文中所使用之單數形式「一(a、an)」及「該(the)」皆旨在亦包含複數形式。
更應理解，本文中所使用之用語「包含(comprise及/或comprising)」係指明所陳述特徵或組件之存在，但並不排除一或多個其他特徵或組件之存在或添加。
將理解，當將一層、區、或組件稱作「形成於」另一層、區、或組件「上」時，該層、區、或組件可係直接或間接形成於該另一層、區、或組件上。亦即，舉例而言，可存在中間層、區、或組件。
為清晰起見，可擴大圖式中組件之大小。換言之，由於圖式中組件之大小及厚度可被擴大，因此以下實施例並不限於該等大小及厚度。
本文中所使用之用語「及/或(and/or)」包含相關列出項其 中之一或多者之任意及所有組合。當位於一元件列表之前時，諸如「至少其中之一(at least one of)」等表達語修飾整個元件列表且不修飾該列表之個別元件。
第1圖係為例示根據一實例性實施例之一有機發光二極體顯示器100之一剖視圖。
參照第1圖，有機發光二極體顯示器100包含一撓性基板FS、一薄膜電晶體層110、一有機發光二極體層120、及一薄膜封裝層130。
撓性基板FS包含一第一塑膠層1PL、一第一障壁層1BL、一第一中間層1IL、一第二塑膠層2PL、一第二中間層2IL、及一第二障壁層2BL。
各該第一塑膠層1PL與該第二塑膠層2PL可係由具有高耐熱性及高耐久性之一塑膠材料形成，諸如聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺(polyetherimide；PEI)、或聚醚碸。
相較於一玻璃基板，水分或氧氣可較容易穿透各自由塑膠材料形成之第一塑膠層1PL及第二塑膠層2PL。因此，當水分或氧氣穿透第一塑膠層1PL或第二塑膠層2PL時，易受水分或氧氣影響之一有機發射層可能劣化，進而減少一有機發光二極體之壽命。
為防止氧氣及水分穿透，在第一塑膠層1PL上形成第一障壁層1BL且在第二塑膠層2PL上形成第二障壁層2BL。
各該第一障壁層1BL與該第二障壁層2BL可係由一無機材料(諸如金屬氧化物、氮化矽、或氧化矽)形成。舉例而言，各該第一障壁層1BL與該第二障壁層2BL可具有由一無機材料(諸如Al2O3、SiO2或SiNx) 形成之一單層結構或一多層結構。被形成為具有一單層結構或一多層結構之各該第一障壁層1BL與該第二障壁層2BL之一水氣穿透率(water vapor transmission rate；WVTR)可小於或等於約10-5克/平方米‧天。
第一中間層1IL形成於第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL之間，以增加第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之一黏著力。
第二中間層2IL形成於第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL之間，以增加第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL間之一黏著力。
薄膜電晶體層110及有機發光二極體層120形成於撓性基板FS上。
第2圖係為第1圖所示部分II之一放大圖，其例示有機發光二極體顯示器100之薄膜電晶體層110及有機發光二極體層120。
參照第2圖，一薄膜電晶體形成於第二障壁層2BL上且包含一半導體層111、一閘電極113、一源電極115、及一汲電極116。一閘極絕緣膜(gate insulation film)112形成於半導體層111與閘電極113之間，且一層間絕緣膜(interlayer insulation film)114形成於閘電極113與源電極115及汲電極116之間。半導體層111可係由多晶矽(polycrystalline silicon；poly-silicon)、非晶矽(amorphous silicon；a-silicon)、一有機薄膜電晶體、或一導電氧化物薄膜電晶體形成。雖然在第2圖所示實施例中薄膜電晶體係為一頂部閘極型(top gate type)薄膜電晶體，但所述技術並不限於此情形。亦即，可使用包含一底部閘極型(bottom gate type)薄膜電晶體之任何適合薄膜電晶體變體。
雖然在第2圖所示實施例中薄膜電晶體係直接形成於第二障 壁層2BL上，但所述技術並不限於此情形。第二障壁層2BL與該薄膜電晶體之間可更插置有一緩衝層(未顯示)。
該緩衝層將撓性基板FS平坦化且防止雜質元素自撓性基板FS穿透至半導體層111中。該緩衝層可具有由氮化矽及/或氧化矽形成之一單層或多層結構。此外，雖然第2圖中未顯示，但至少一個電容器可連接至該薄膜電晶體。
一鈍化層117形成於該薄膜電晶體上，且一畫素界定層(pixel-defining layer)122形成於鈍化層117上。鈍化層117可保護薄膜電晶體並將該薄膜電晶體之一頂表面平坦化。
一有機發光二極體連接至薄膜電晶體之源電極115及汲電極116其中之一。該有機發光二極體包含一畫素電極121、一相對電極(counter electrode)或共同電極(common electrode)124、及一包含至少一有機發射層之層123，層123插置於畫素電極121與相對電極124之間。包含有機發射層之層123可係由一低分子量或高分子量有機材料形成。當層123係由一低分子量有機材料形成時，層123可被形成為具有其中堆疊有以下各項之一單一或複合結構：一電洞注入層(hole injection layer；HIL)、一電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)、一發射層(emission layer；EML)、一電子傳輸層(electron transport layer；ETL)、及一電子注入層(electron injection layer；EIL)。當層123係由一高分子量有機材料形成時，層123可具有包含一電洞傳輸層及一發射層之一結構。包含有機發射層之層123可形成一個單位畫素(unit pixel)，該單位畫素包含發射紅色光、綠色光及藍色光之複數子畫素。此外，可藉由垂直堆疊或組合包含發射紅色光、綠色光及藍色光之發光材料之複數層來形成包含有機發射層之層123。若要發射白色光，則可使用任 何其他色彩組合。此外，有機發光二極體顯示器100可更包含一濾色片(color filter)、或將白色光改變為一預定色彩之光之一色彩改變層。
相對電極124可係以各種方式形成，且舉例而言，可跨複數畫素共同地形成。
畫素電極121可充當一陽極，且相對電極124可充當一陰極，或反之亦然。此外，畫素電極121及相對電極124至少其中之一可係為一透明電極，自發射層發射之光透射穿過該透明電極。
在第1圖及第2圖中有機發光二極體層120形成於薄膜電晶體層110上僅係為了方便解釋起見。因此，舉例而言，薄膜電晶體層110及有機發光二極體層120之複數部分可形成於同一層上。舉例而言，薄膜電晶體之閘電極113與有機發光二極體之畫素電極121可形成於同一層上。
封裝有機發光二極體之薄膜封裝層130形成於撓性基板FS上。薄膜封裝層130可係由複數無機層、或一無機層與一有機層之一組合形成。
該有機層係由一聚合物形成，且可具有由以下材料其中之任一者形成之一單層或多層結構：聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、環氧樹脂(epoxy)、聚乙烯(polyethylene)、及聚丙烯酸酯(polyacrylate)。該有機層可由聚丙烯酸酯形成，且具體而言，可包含一聚合單體複合物，該聚合單體複合物包含一基於二丙烯酸酯(diacrylate)之單體及一基於三丙烯酸酯(triacrylate)之單體。該聚合單體複合物中可更包含一基於單丙烯酸酯(monoacrylate)之單體。此外，該聚合單體複合物可包含(但不限於)一光起始劑(photoinitiator)，諸如TPO。
該無機層可具有包含金屬氧化物或金屬氮化物之一單層或多層結構。具體而言，該無機層可包含以下材料其中之任一者：SiNx、Al2O3、SiO2、及TiO2。
薄膜封裝層130的被暴露於環境之最上層可係為一無機層，以防止水氣透入至有機發光二極體中。
薄膜封裝層130可包含其中至少一個有機層插入於至少二個無機層之間的至少一個夾層結構。另一選擇為，薄膜封裝層130可包含其中至少一個無機層插入於至少二個有機層之間的至少一個夾層結構。
薄膜封裝層130可包含依序堆疊於有機發光二極體之頂部上之一第一無機層、一第一有機層、及一第二無機層。另一選擇為，薄膜封裝層130可包含依序堆疊於有機發光二極體之頂部上之一第一無機層、一第一有機層、一第二無機層、一第二有機層及一第三無機層。此外，薄膜封裝層130可包含依序堆疊於有機發光二極體之頂部上之一第一無機層、一第一有機層、一第二無機層、一第二有機層、一第三無機層、一第三有機層、及一第四無機層。
有機發光二極體與第一無機層之間可更插置有包含氟化鋰(Lithium Fluoride；LiF)之一鹵化金屬層。該鹵化金屬層可防止有機發光二極體在第一無機層係藉由使用濺鍍或電漿沉積形成時被損壞。
第一有機層之面積可小於第二無機層之面積，且第二有機層之面積可小於第三無機層之面積。此外，第一有機層可由第二無機層完全覆蓋，且第二有機層亦可由第三無機層完全覆蓋。
雖然在第1圖及第2圖所示實施例中薄膜封裝層130係直接形 成於相對電極124上，但此僅係實例性的，且相對電極124與薄膜封裝層130之間可更插置有另一元件，諸如一濾光片或一黏合劑材料。
第3圖係為例示根據一第一比較性實例之一有機發光二極體顯示器101之一剖視圖。
參照第3圖，有機發光二極體顯示器101包含一撓性基板FS-1、薄膜電晶體層110、有機發光二極體層120、及薄膜封裝層130。
撓性基板FS-1包含第一塑膠層1PL及第一障壁層1BL。亦即，撓性基板FS-1包含一個塑膠層及一個障壁層。
當如同在第一比較性實例中撓性基板FS-1係藉由僅使用一個塑膠層及一個障壁層而形成時，第一障壁層1BL之表面可因在第一塑膠層1PL及/或第一障壁層1BL上所形成之雜質或回縮缺陷而被損壞(例如，破裂)。水分或氧氣可穿透被損壞表面，進而損壞有機發光二極體。
第4圖係為例示根據一第二比較性實例之一有機發光二極體顯示器102之一剖視圖。
參照第4圖，有機發光二極體顯示器102包含一撓性基板FS-2、薄膜電晶體層110、有機發光二極體層120、及薄膜封裝層130。
撓性基板FS-2包含第一塑膠層1PL、第一障壁層1BL、第二塑膠層2PL、及第二障壁層2BL。亦即，撓性基板FS-2係藉由重複地形成包含一塑膠層及一形成於該塑膠層上之障壁層之一結構而形成。
在第二塑膠層2PL及第二障壁層2BL上以及在第一塑膠層1PL及第一障壁層1BL上可能隨機地形成雜質或回縮缺陷。然而，由於相較於在第一比較性實例之有機發光二極體顯示器101中，在第二比較性實例之 有機發光二極體顯示器102中，一缺陷點(defective point)與有機發光二極體間之平均水氣透過路徑係更長，因此甚至當第一障壁層1BL及/或第二障壁層2BL被損壞(例如，破裂)時，亦可防止有機發光二極體被損壞。
然而，雖然由於第二比較性實例之撓性基板FS-2具有一低水氣穿透率而可減少暗點缺陷(dark spot defect)，但第一障壁層1BL(其係為一無機膜)與第二塑膠層2PL(其係為一有機膜)間之黏著力係相對弱的且第二塑膠層2PL(其係為一有機膜)與第二障壁層2BL間之黏著力係相對弱的，在一製造過程期間，第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL可能會彼此脫離且第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL可能會彼此脫離。
然而，在根據至少一個實例性實施例之有機發光二極體顯示器100中，由於在第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL之間形成有第一中間層1IL以增加第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之黏著力，因此可防止第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL彼此脫離。
此外，在有機發光二極體顯示器100中，由於在第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL之間形成有第二中間層2IL以增加第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL間之黏著力，因此可防止第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL彼此脫離。
本實例性實施例之第一中間層1IL可包含一非晶材料。舉例而言，第一中間層1IL可包含非晶矽作為該非晶材料。
另一選擇為，本實例性實施例之第一中間層1IL可包含一金屬薄膜。該金屬薄膜可包含以下材料至少其中之一：氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、鋁(Al)、鈦(Ti)、及鉬(Mo)。然而，第一中間層1IL之材 料並不限於此等材料其中之任一者，且可使用任何用於增加第一障壁層lBL與第二塑膠層2PL間之黏著力之材料。
此外，第一中間層1IL可被形成為具有等於或大於約10%之一紫外(ultraviolet；UV)光透射率，俾使在將一母撓性基板MFS自玻璃基板GS分離之一過程(如下文將參照第11A圖及第11B圖闡述)期間可將第二塑膠層2PL平滑地自玻璃基板GS分離。為此目的，可將第一中間層1IL形成為具有等於或小於約100Å之一厚度。
本實例性實施例之第二中間層2IL可包含一非晶材料。舉例而言，第二中間層2IL可包含非晶矽作為該非晶材料。
另一選擇為，本實例性實施例之第二中間層2IL可包含一金屬薄膜。該金屬薄膜可包含以下材料至少其中之一：ITO、Al、Ti、及Mo。然而，本實例性實施例之第二中間層2IL之材料並不限於此等材料其中之任一者，且可使用任何用於增加第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL間之黏著力之材料。
表1顯示在將撓性基板FS-2劃分成複數顯示單元之前、在執行第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之脫離評估之後獲得之結果，其中撓性基板FS-2中未形成第一中間層1IL。樣本1使用一SiO2單一層、樣本2使用一SiNx單一層、樣本3使用一SiO2/SiNx/SiO2複合層、且樣本4使用一SiNx/SiO2/SiNx複合層，來作為各該第一障壁層1BL與該第二障壁層2BL。
表2顯示在將撓性基板FS-2劃分成複數顯示單元之後、在執行一顯示單元中之第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之脫離評估之後獲得之結果，其中撓性基板FS-2中未形成第一中間層1IL。樣本5使用一SiNx/SiO2複合層、且樣本6使用一SiNx/SiO2/SiNx複合層，來作為各該第一障壁層1BL與該第二障壁層2BL。
表3顯示在將撓性基板FS劃分成複數顯示單元之前、在執行第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之脫離評估之後獲得之結果，其中撓性基板FS中形成有第一中間層1IL。樣本7使用ITO、樣本8使用Ti、且樣本9使用Al，來作為第一中間層1IL。樣本10包含藉由使用非晶矽在5秒內形成第一中間層1IL，且樣本11包含藉由使用非晶矽在10秒內形成第一中間層1IL。在樣本7至11中，藉由使用一SiNx/SiO2複合層而分別將第一障壁層1BL及第二障壁層2BL形成為600Å及1500Å之厚度。
表4顯示在將撓性基板FS劃分成複數顯示單元之後、在執行一顯示單元中之第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之脫離評估之後獲得之一結果，其中撓性基板FS中形成有第一中間層1IL。樣本7至11與表3中之樣本相同。
參照表1，在將其中未形成第一中間層1IL之結構劃分成複數顯示單元之前，第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之平均黏著力介於自約60克力/英吋至約200克力/英吋之範圍內。參照表2，在將其中未形成第一中間層1IL之結構劃分成複數顯示單元之後，該等顯示單元中之第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之平均黏著力介於自約35克力/英吋至約40克力/英吋之範圍內，此係為低的。
然而，參照表3，在將其中形成有第一中間層1IL之結構劃分 成複數顯示單元之前：i)在非晶矽中，第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之平均黏著力介於自約100克力/英吋至約300克力/英吋之範圍內、及ii)在金屬薄膜中，第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL係不可脫離的。參照表4，在將其中形成有第一中間層1IL之結構劃分成複數顯示單元之後，在一顯示單元中第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL係不可脫離的，且平均黏著力無法量測。亦即，當第一中間層1IL插置於第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL之間時，第一障壁層1BL與第二塑膠層2PL間之黏著力大大地增加。
使被劃分為一顯示單元之有機發光二極體顯示器100經受將一覆晶膜(chip-on-film；COF，未顯示)黏附於該顯示單元上之一過程及黏附一偏振膜(未顯示)之一模組組裝過程。在該覆晶膜被黏附時，因彎曲而引起之應力可施加至撓性基板FS，該偏振膜可收縮，且第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL可彼此脫離。然而，在有機發光二極體顯示器100中，由於第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL之間形成有第二中間層2IL以增加第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL間之黏著力，因此可防止第二塑膠層2PL與第二障壁層2BL彼此脫離。
因此，在根據本實例性實施例之有機發光二極體顯示器100中，由於撓性基板FS係藉由交替地堆疊二個塑膠層及二個障壁層並在相鄰塑膠層與障壁層之間插置一中間層而形成，因此平均水氣穿透路徑可增加且一下障壁層與一鄰近該下障壁層之上塑膠層間之黏著力可增加，藉此防止有機發光二極體顯示器100遭受脫離缺陷。
第11圖係為例示根據另一實例性實施例第1圖所示有機發光二極體顯示器100之撓性基板FS之一視圖。
參照第11圖，撓性基板FS包含第一塑膠層1PL、第一障壁層 1BL、第一中間層1IL、第二塑膠層2PL、第二中間層2IL、及第二障壁層2BL。
在本實例性實施例中，第一障壁層1BL及第二障壁層2BL分別包含至少一個氮化矽層1SN及至少一個氮化矽層2SN。第一障壁層1BL之氮化矽層1SN之氮化矽密度小於第二障壁層2BL之氮化矽層2SN之氮化矽密度。舉例而言，第一障壁層1BL之氮化矽層1SN之氮化矽密度可等於或大於約2.2克/立方公分且可等於或小於約2.4克/立方公分。第一障壁層1BL及第二障壁層2BL至少其中之一層係由氮化矽形成，以防止水氣透過一塑膠基板，氮化矽中所包含之氫含量可影響薄膜電晶體之裝置特性。
第12圖係為一曲線圖，其例示在一撓性結構具有一結構A時及在使用具有一結構B之一撓性基板時有機發光二極體之一閘極電壓與一汲極電流間之關係，在結構A中，第一障壁層1BL中形成有氮化矽層且第二障壁層2BL中未形成氮化矽層，在結構B中，第一障壁層1BL及第二障壁層2BL二者中皆形成有具有相同密度之氮化矽層。
結構B之曲線之斜率大於結構A之曲線之斜率。然而，在使用結構B時所形成之曲線之斜率改變僅在某些有機發光二極體中出現而並非在所有有機發光二極體中出現。因此，在結構B中，需要一電流補償設計，以達成均一裝置特性。然而，當根據電流補償設計減小一驅動電壓時，可能會出現其中對於低灰階存在不充足亮度之一低灰階關斷缺陷(low grayscale off defect)。
表5顯示在使用具有結構A及結構B之撓性基板時以20燭光(candela；cd)出現之一低灰階關斷缺陷。
表5
如表5中所示，在結構B中，低灰階關斷缺陷之數目大大地增加。此乃因：由於在第二障壁層2BL之氮化矽層中隨機地產生之氫，裝置之裝置特性係不均一的。
然而，當為減小低灰階關斷缺陷之數目而選擇結構A時，作為一障壁之一重要特性之水氣穿透率會增加。
然而，當如同在本實例性實施例之撓性基板FS中第一障壁層1BL之氮化矽層1SN之氮化矽密度小於第二障壁層2BL之氮化矽層2SN之氮化矽密度時，一有機發光二極體顯示器之水氣穿透率之偏差可減小，且薄膜電晶體之特性可得以改良。
第13圖係為一曲線圖，其例示初始氮化矽密度與氫含量間之關係。
參照第13圖，隨著初始氮化矽密度降低，氫含量增加。如同在本實例性實施例中，第一障壁層1BL之氮化矽層1SN之氮化矽密度可等於或小於約2.4克/立方公分，俾使氮化矽層1SN可被形成為多孔的。然而，由於處理原因，難以將氮化矽層1SN形成為使氮化矽密度小於約2.2克/立方公分。由於氮化矽層1SN係多孔的，因此氫含量增加至等於或大於約1×1017原子/平方公分，進而增加在對氮化矽層1SN執行之熱處理期間所產生之氫量。氫之增加可糾正薄膜電晶體之一缺陷位點，藉此改良薄膜電晶體之裝置特性。此外，由於第一障壁層1BL中形成有氮化矽層1SN，因此水氣穿透率可減小。
由於第一障壁層1BL之氮化矽層1SN之氮化矽密度小於第二障壁層2BL之氮化矽層2SN之氮化矽密度，因此第一障壁層1BL之氮化矽層1SN之折射率可小於第二障壁層2BL之氮化矽層2SN之一折射率。
雖然在第13圖中係在氧化矽層上形成第一障壁層1BL之一個氮化矽層1SN，但所述技術並不限於此情形。舉例而言，可在第一障壁層1BL中僅形成一個氮化矽層。另一選擇為，可在第一障壁層1BL中形成複數氮化矽層。另一選擇為，可在第一障壁層1BL中形成複數氧化矽層及複數氮化矽層。
第5A圖至第10圖係為用於解釋根據一實例性實施例，一種製造有機發光二極體顯示器100之方法之視圖。
第5A圖係為用於解釋形成母撓性基板MFS於玻璃基板GS上之一操作之一平面圖。第5B圖係為沿著第5A圖所示線VB-VB截取之一剖視圖。
參照第5A圖及第5B圖，形成母撓性基板MFS於玻璃基板GS上。
由於由一塑膠材料形成之母撓性基板MFS可在被施加熱時彎曲或伸展，因此難以在母撓性基板MFS上精確地形成薄膜圖案(諸如各種電極或導電佈線)。因此，在黏附至玻璃基板GS之母撓性基板MFS上形成各種薄膜圖案，玻璃基板GS係為一載體基板。
首先，形成第一塑膠層1PL於玻璃基板GS上。可藉由將一塑膠聚合物溶液塗佈於玻璃基板GS上並使其硬化(curing)、或藉由將一聚合物膜層壓於玻璃基板GS上來形成第一塑膠層1PL，該塑膠聚合物溶液包含 以下材料至少其中之一：聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺、及聚醚碸。可藉由使用各種方法(諸如熱硬化、紫外光硬化或電子束硬化)其中之任一者來執行硬化。
接下來，形成第一障壁層1BL於第一塑膠層1PL上。可藉由使用化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)、電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)、或原子層沉積(atomic layer deposition；ALD)且使用一無機材料(諸如Al2O3、SiO2或SiNx)而將第一障壁層1BL形成為具有一單層或多層結構。
接下來，形成第一中間層1IL於第一障壁層1BL上。可藉由使用化學氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積、或原子層沉積且使用一非晶材料(諸如非晶矽)或一金屬薄膜(諸如ITO、Al、Ti、或Mo)而將第一中間層1IL形成為具有一單層或多層結構。
接下來，形成第二塑膠層2PL於第一中間層1IL上。可藉由使用與第一塑膠層1PL相同之方法、相同之材料來形成第二塑膠層2PL。
然而，可將第二塑膠層2PL形成為具有較第一塑膠層1PL低之一黏度。當第一塑膠層1PL及第二塑膠層2PL係藉由使用塗佈而形成時，在具有一高黏度之一塗佈溶液中會含有諸多雜質，且因此該等雜質亦可被塗佈。因此，第二塑膠層2PL可具有較第一塑膠層1PL低之一黏度，俾使在塗佈第二塑膠層2PL時已執行了過濾。在此實施例中，可因藉由使用一經過濾材料形成第二塑膠層2PL而減少雜質。由於用於形成第二塑膠層2PL之一塗佈溶液具有一低黏度，因此在第一塑膠層1PL與第一障壁層1BL之間產生之雜質可被覆蓋。
雖然在第1圖及第5A中第一塑膠層1PL與第二塑膠層2PL具有相同厚度，但所述技術並不限於此情形。相較於第一塑膠層1PL之厚度，更靠近有機發光二極體層120之第二塑膠層2PL之厚度對氧氣及水分自撓性基板FS外部穿透之穿透時間具有更大影響。因此，可藉由以下方式來防止有機發光二極體劣化：藉由將更靠近有機發光二極體層120之第二塑膠層2PL之厚度增加至大於第一塑膠層1PL之厚度而使穿透時間延遲。
接下來，形成第二中間層2IL於第二塑膠層2PL上。可藉由使用化學氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積、或原子層沉積且使用一非晶材料(諸如非晶矽)或一金屬薄膜(諸如ITO、Al、Ti、或Mo)而將第二中間層2IL形成為具有一單層或多層結構。
接下來，形成第二障壁層2BL於第二中間層2IL上。可藉由使用與第一障壁層1BL相同之方法、及相同之材料來形成第二障壁層2BL。
第6A圖係為用於解釋形成複數有機發光二極體顯示器單元100於母撓性基板MFS上之一過程之一平面圖。第6B圖係為沿著第6A圖所示線VIB-VIB截取之一剖視圖。
參照第6A圖及第6B圖，形成包含薄膜電晶體層110及有機發光二極體層120之該等有機發光二極體顯示器單元100於母撓性基板MFS上。
可根據薄膜電晶體層110之半導體層111(參見第2圖)而使用各種方法其中之任一者。舉例而言，當半導體層111係由多晶矽、非晶矽或導電氧化物形成時，可使用諸如電漿增強化學氣相沉積、大氣壓化學氣相沉積(atmospheric pressure chemical vapor deposition；APCVD)、低壓化 學氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition；LPCVD)等沉積方法其中之任一者。當半導體層111係由一有機薄膜電晶體形成時，可使用塗佈或印刷。當半導體層111係由多晶矽形成時，可使用諸如以下各項等各種結晶方法其中之任一者：快速熱退火(rapid thermal annealing；RTA)、固相結晶(solid phase crystallization；SPC)、準分子雷射退火(excimer laser annealing；ELA)、金屬誘導結晶(metal induced crystallization；MIC)、金屬誘導橫向結晶(metal induced lateral crystallization；MILC)、或順序橫向固化(sequential lateral solidification；SLS)。
可藉由使用化學氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積、或原子層沉積在薄膜電晶體層110上沉積閘電極113(參見第2圖)、源電極115(參見第2圖)、汲電極116(參見第2圖)、及各種佈線(未顯示)，且隨後可藉由使用光微影術(photolithography)來對該等電極及佈線進行圖案化。
可藉由使用諸如沉積、塗佈、印刷、或光熱轉印等各種方法其中之任一者來形成包含有機發光二極體層120之有機發射層的層123(參見第2圖)。
雖然第6B圖中未顯示，但可在第二障壁層2BL與薄膜電晶體層110之間更插置一緩衝層(未顯示)。
第7圖係為用於解釋形成薄膜封裝層130於母撓性基板MFS上之一過程之一剖視圖，薄膜封裝層130封裝該等有機發光二極體層120。
如上所述，薄膜封裝層130可係由複數無機層、或一無機層與一有機層之一組合形成。可藉由使用諸如化學氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積、或濺鍍等各種方法其中之任一者來形成該無機層及該有機層。
雖然在第7圖中係一個薄膜封裝層130共同地覆蓋該等有機發光二極體顯示器單元100，但所述技術並不限於此情形。亦即，薄膜封裝層130可個別地覆蓋該等有機發光二極體顯示器單元100。
第8圖及第9圖係為用於解釋將母撓性基板MFS自玻璃基板GS分離之一過程之剖視圖。
參照第8圖，為將母撓性基板MFS自玻璃基板GS分離，發射雷射光至與上面形成有母撓性基板MFS之玻璃基板GS之一表面相對的玻璃基板GS之一表面。
可藉由使用一準分子雷射器發射紫外光來作為雷射光。所發射紫外光透射穿過玻璃基板GS並由第一塑膠層1PL及第二塑膠層2PL吸收。由於所吸收能量，第一塑膠層1PL及第二塑膠層2PL與玻璃基板GS間之一黏結力減小。藉由一外部拉力，容易使第一障壁層1BL或第二障壁層2BL斷裂。因此，可藉由沿由第9圖所示箭頭標記之一方向適當地對母撓性基板MFS及玻璃基板GS施加一外部拉力而將母撓性基板MFS自玻璃基板GS分離。
在將母撓性基板MFS自玻璃基板GS分離之過程之前，可將一第一保護膜140附著至薄膜封裝層130。第一保護膜140可用作一光學構件，諸如一偏振膜。
第10圖係為用於解釋將形成於母撓性基板MFS上之有機發光二極體層120劃分成該等有機發光二極體顯示器100之一過程之一剖視圖。
在母撓性基板MFS自玻璃基板GS分離之後，可將一第二保 護膜150附著至母撓性基板MFS之一後表面，且隨後可將母撓性基板MFS劃分成該等有機發光二極體顯示器100。第二保護膜150可用作一光學構件，諸如一偏振膜。
可藉由以下方式來將形成於母撓性基板MFS上之有機發光二極體層120劃分成該等有機發光二極體顯示器100：藉由使用一切割輪或一雷射切割機沿著有機發光二極體顯示器100間之一非顯示區域之一切割線CL來切割母撓性基板MFS。
雖然在第5A圖至第10圖中交替地堆疊二個塑膠層及二個障壁層，但若必要可堆疊更多塑膠層及障壁層。在此等實施例中，若必要，可在相鄰塑膠層與障壁層之間更插置一中間層。
此外，雖然第5A圖至第10圖中未顯示，但第一中間層1IL及第二中間層2IL可被圖案化為僅形成於與其中形成有有機發光二極體層120之一區域對應的一區域中。
雖然在以上實例性實施例中已基於一有機發光二極體顯示器之結構解釋了所述技術，但所述技術可應用於各種撓性顯示器以及有機發光二極體顯示器。舉例而言，所述技術可應用於各種電子裝置，諸如行動裝置、導航系統、視訊攝影機、膝上型電腦、平板電腦、平面螢幕電視機、及視訊投影機。
如上所述，根據以上實例性實施例其中之一或多者，由於一撓性基板係藉由交替地堆疊二個塑膠層及二個障壁層並在相鄰塑膠層與障壁層之間插置一中間層而形成，因此增加了平均水氣穿過路徑，藉此防止一有機發光二極體劣化。
一下障壁層與一鄰近該下障壁層之上塑膠層間之黏著力增加，藉此防止有機發光二極體顯示器遭受脫離缺陷。
上塑膠層與一鄰近該上塑膠層之上障壁層間之黏著力增加，藉此防止有機發光二極體顯示器遭受脫離缺陷。
每一障壁層皆被形成為包含氮化矽，且遠離有機發光二極體之一障壁層中之氮化矽密度小於靠近有機發光二極體之一障壁層中之氮化矽密度，藉此改良薄膜電晶體特性且減小撓性基板之一水氣穿透率之一偏差。
儘管已參照各圖闡述了一或多個實例性實施例，然而，此項技術中具有通常知識者將理解，可對本發明作出各種形式及細節改變，此並不背離由以下申請專利範圍所界定之精神及範圍。
100‧‧‧有機發光二極體顯示器
110‧‧‧薄膜電晶體層
120‧‧‧有機發光二極體層
130‧‧‧薄膜封裝層
1BL‧‧‧第一障壁層
1IL‧‧‧第一中間層
1PL‧‧‧第一塑膠層
2BL‧‧‧第二障壁層
2IL‧‧‧第二中間層
2PL‧‧‧第二塑膠層
FS‧‧‧撓性基板
II‧‧‧部分

Claims (20)

  1. 一種有機發光二極體(organic light-emitting diode；OLED)顯示器，包含：一第一塑膠層；一第一障壁層，形成於該第一塑膠層之上；一第一中間層，形成於該第一障壁層之上；一第二塑膠層，形成於該第一中間層之上；一第二中間層，形成於該第二塑膠層之上；一第二障壁層，形成於該第二中間層之上；一有機發光二極體層，形成於該第二障壁層之上；以及一薄膜封裝層，封裝該有機發光二極體層。
  2. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一中間層包含非晶矽(amorphous silicon)。
  3. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二中間層包含非晶矽(amorphous silicon)。
  4. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一中間層包含一金屬薄膜。
  5. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二中間層包含一金屬薄膜。
  6. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一中間層之紫外光 (ultraviolet；UV)透射率大於或等於10%。
  7. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中各該第一塑膠層與該第二塑膠層包含以下材料至少其中之一：聚醯亞胺(polyimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚芳酯(polyarylate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醚碸(polyethersulfone)、及聚醚醯亞胺(polyetherimide；PEI)。
  8. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二塑膠層具有較該第一塑膠層大之一厚度。
  9. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二塑膠層具有較該第一塑膠層小之一黏度。
  10. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一障壁層包含一第一氮化矽(silicon nitride)層，其中該第二障壁層包含一第二氮化矽層，且其中該第二障壁層之氮化矽密度大於該第一氮化矽層之氮化矽密度。
  11. 如請求項10所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一障壁層更包含一金屬氧化物膜(metal oxide film)或一矽氧化物膜(silicon oxide film)。
  12. 如請求項10所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二障壁層更包含一金屬氧化物膜或一矽氧化物膜。
  13. 如請求項10所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一氮化矽層之該氮化矽密度大於或等於2.2克/立方公分且小於或等於2.4克/立方公分。
  14. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該薄膜封裝層包含一無機層與一有機層至少其中之一。
  15. 一種電子裝置，包含：一有機發光二極體顯示器，包含：一第一塑膠層；一第一障壁層，形成於該第一塑膠層之上；一第一中間層，形成於該第一障壁層之上；一第二塑膠層，形成於該第一中間層之上；一第二中間層，形成於該第二塑膠層之上；一第二障壁層，形成於該第二中間層之上；一有機發光二極體層，形成於該第二障壁層之上；以及一薄膜封裝層，封裝該有機發光二極體層。
  16. 一種製造一有機發光二極體顯示器之方法，包含：製備一載體基板；形成一母撓性基板於該載體基板上，其中該母撓性基板包含依序堆疊之一第一塑膠層、一第一障壁層、一第一中間層、一第二塑膠層、一第二中間層、及一第二障壁層；形成複數有機發光二極體層於該母撓性基板上；形成一薄膜封裝層，以封裝該等有機發光二極體層；將該母撓性基板自該載體基板分離；以及將形成於該母撓性基板上之該等有機發光二極體層劃分成複數個 顯示單元。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該將該母撓性基板自該載體基板分離之步驟包含：朝與上面形成有該母撓性基板之該載體基板之一表面相對的該載體基板之一表面發射雷射光。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該雷射光係為紫外光。
  19. 如請求項16所述之方法，其中該載體基板係為一玻璃基板。
  20. 如請求項16所述之方法，其中該第一障壁層包含至少一第一氮化矽層，其中該障壁層包含一第二氮化矽層，且其中該第二氮化矽層之氮化矽密度大於該第一氮化矽層之氮化矽密度。
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