JP6783573B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。

有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。尚、カソードは各画素毎に設けられてもよく、この場合は必ずしもすべての画素で共通の電位にしなくてもよい。

しかしながら、有機ＥＬ表示装置の発光層は、水分が侵入すると容易に劣化し、ダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生してしまうという課題がある。このような課題を解決するため、多くの有機ＥＬ表示装置には、水分の侵入を防止するための封止層が設けられている。

例えば特許文献１には、基板と、基板上に形成されたディスプレイ部と、ディスプレイ部と前記ディスプレイ部周辺の非発光領域とを覆い、中央部からエッジ部に行くほど密度及び厚さが増大する封止膜と、を備える有機発光ディスプレイ装置が開示されている。これにより、側面方向の水分や酸素の浸透を防止して有機発光ディスプレイ装置の寿命を延長させうる。

特開２０１０−０２７５６１号公報

近年、表示領域が折り曲げ可能なフレキシブル表示装置が盛んに開発されている。フレキシブル表示装置に設けられた封止層は、高密度にするとバリア性が高まる反面、折り曲げた際にクラックが生じ易くなるという課題がある。封止層に生じたクラックは水分の侵入経路となり得ることから、表示装置の信頼性が低下してしまう。

本発明は、表示装置の折り曲げ時に、封止層にクラックが生じにくく、高い信頼性を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示領域に複数の画素が配列されたアレイ基板と、前記複数の画素を覆う封止層とを備え、前記封止層は、疎密パターンを有する絶縁層を含み、前記疎密パターンは、低密度領域及び高密度領域を含むパターンであり、前記低密度領域は、前記絶縁層の前記表示領域内の平均密度よりも前記絶縁層の密度が低い領域であり、前記高密度領域は、前記絶縁層の前記表示領域内の平均密度よりも前記絶縁層の密度が高い領域であることを特徴とする。

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、表示領域に複数の画素が配列されたアレイ基板を準備し、所定のパターンを有する温度勾配を有する基板保持体に前記アレイ基板を設置し、前記複数の画素上に、前記所定のパターンに対応した疎密パターンを有する無機絶縁層を成膜することを含み、前記疎密パターンは、低密度領域及び高密度領域が繰り返し配置されるパターンであり、前記低密度領域は、前記無機絶縁層の前記表示領域の平均密度よりも前記無機絶縁層の密度が低い領域であり、前記高密度領域は、前記無機絶縁層の前記表示領域の平均密度よりも前記無機絶縁層の密度が高い領域であることを特徴とする。

本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成を説明する斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図及び断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の折り曲げ状態を説明する平面図及び断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する拡大断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の方法において用いる成膜装置の構成を説明する概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の方法の変形例において用いる成膜装置の構成を説明する概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図及び断面図である。

以下、図面を参照して、本発明のいくつかの実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。なお、本発明の表示装置は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。全ての実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。

＜第１実施形態＞
［外観の構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の外観の構成を説明する斜視図である。図１を用いて、本実施形態に係る表示装置１００の外観の構成について説明する。

本実施形態に係る表示装置１００は、アレイ基板１０２と、対向基板１０６と、複数の接続端子１０９とを有している。

アレイ基板１０２は、少なくとも第１基板１０４及び複数の画素１１０を有している。

第１基板１０４は、可撓性を有している。可撓性を有する基板の材料としては、具体的な材料は後述するが、樹脂材料が用いられる。第１基板１０４上には、表示領域１０４ａ及び端子領域１０４ｂが設けられている。

複数の画素１１０は、第１基板１０４の表示領域１０４ａ内に配列されている。本実施形態においては、複数の画素１１０は、行列状に配列されている。複数の画素１１０の各々は、図１には示されていないが、少なくとも選択トランジスタ、駆動トランジスタ及び発光素子を有する画素回路から構成される。

対向基板１０６は、少なくとも第２基板１０８を有している。

第２基板１０８は、可撓性を有している。可撓性を有する基板としては、第１基板１０４と同様の基板を用いることができる。第２基板１０８は、表示領域１０４ａの上面に、第１基板１０４と対向するように設けられている。第２基板１０８は表示領域１０４ａを囲むシール材１３０によって、第１基板１０４に固定されている。第１基板１０４に配置された表示領域１０４ａは、第２基板１０８とシール材１３０とによって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により、複数の画素１１０の各々が有する発光素子の劣化を抑制している。

対向基板１０６は、カラーフィルタ、遮光層、偏光板、位相板等を更に有していてもよい。

カラーフィルタは、複数の画素１１０の各々に対向した位置に配置される。遮光層（ブラックマトリクスとも呼ばれる）は、複数の画素１１０の各々を区画する位置に配置される。

偏光板及び位相板は、複数の画素１１０を覆い、対向基板１０６側に配置される。偏光板及び位相板は、表示装置１００に入射した外光が、画素電極で反射することによる視認性の劣化を抑制するために配置される。

複数の接続端子１０９は、端子領域１０４ｂ内に設けられている。複数の端子領域１０４ｂは、第１基板１０４の一端部、且つ第２基板１０８の外側に配置されている。複数の接続端子１０９には、映像信号を出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板（図示せず）が配置される。配線基板と接続する複数の接続端子１０９との接点は、外部に露出している。

以上、本実施形態に係る表示装置１００の外観の構成について説明した。次いで、図面を参照して本実施形態に係る表示装置１００の詳細な構成について説明する。

［構成の詳細］
図２Ａは、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を説明する平面図及び断面図である。図２Ｂは、本実施形態に係る表示装置１００を折り曲げた状態を説明する斜視図である。図３は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する拡大断面図である。後述するが、表示領域は、低密度領域１２６ａ及び高密度領域１２６ｂを有している。図３において、上段には表示装置１００の低密度領域１２６ａの断面図、下段には表示装置１００の高密度領域１２６ｂの断面図を示している。

本実施形態に係る表示装置１００は、アレイ基板１０２と、封止層１２０とを備えている。

アレイ基板１０２は、第１基板１０４及び複数の画素１１０を有している。

第１基板１０４は、表示領域１４０ａ及び端子領域１４０ｂを有している。第１基板１０４は、本実施形態においては、可撓性を有する基板が用いられる。可撓性を有する基板としては、樹脂材料が用いられる。樹脂材料としては、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料を用いるのが好ましく、例えば、ポリイミドが用いられる。具体的には、第１基板１０４として、ポリイミドをシート状に成形したフィルム基板が用いられる。これによって、アレイ基板１０２は、全体として可撓性を有する。

複数の画素１１０の各々は、第１基板１０４上の表示領域１４０ａに配列されている。複数の画素１１０の各々は、少なくとも選択トランジスタ（図示せず）、駆動トランジスタ（図示せず）及び発光素子１１２を有する画素回路から構成される。

発光素子１１２としては、自発光型の発光素子１１２を用いることができ、例えば有機ＥＬ発光素子を用いることができる。有機ＥＬ発光素子は、画素電極１１４、共通電極１１６及び発光層１１８を有している。

画素電極１１４は、複数の画素１１０の各々に対して配置されている。画素電極１１４の材料としては、発光層１１８で発生した光を共通電極１１６側に反射させるために、反射率の高い金属層を含むことが好ましい。反射率の高い金属層としては、例えば銀（Ａｇ）を用いることができる。

更に、前述の反射率の高い金属層に加え、透明導電層が積層されてもよい。透明導電層としては、透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等を用いることが好ましい。また、それらの任意の組み合わせを用いてもよい。

本実施例で共通電極１１６は、複数の画素１１０に亘って配置されている。共通電極１１６の材料としては、発光層１１８で発生した光を透過させるために、透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等が好ましい。又は、共通電極１１６として、出射光が透過できる程度の膜厚を有する金属層を用いても良い。なお共通電極は各画素電極毎に個別に形成されることがあってもよい。

発光層１１８は、画素電極１１４及び共通電極１１６に挟持されて配置されている。発光層１１８の材料としては、電流が供給されると発光する有機ＥＬ材料である。有機ＥＬ材料としては、低分子系又は高分子系の有機材料を用いることができる。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１１８は発光性の有機材料に加え、発光性の有機材料を挟持するように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。

隣接する２つの画素１１０間には、バンク１２８が設けられている。バンク１２８は、画素電極１１４の周縁部を覆うように設けられている。

バンク１２８の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁材料としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化珪素、窒化珪素、又はそれらの組み合わせ等を用いることができる。有機絶縁材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、又はそれらの組み合わせ等を用いることができる。無機絶縁材料と有機絶縁材料との組み合わせを用いてもよい。

絶縁材料で形成されたバンク１２８が配置されることによって、画素電極１１４の端部において、共通電極１１６と画素電極１１４とが短絡することを防止することができる。更に、隣接する画素１１０間を確実に絶縁することができる。

封止層１２０は、表示領域１４０ａに亘って配置され、複数の画素１１０を覆っている。

本実施形態においては、封止層１２０は、第１絶縁層１２２、第２絶縁層１２４ｂ及び第３絶縁層１２６を含んでいる。封止層１２０を構成するこれらの層は、下層から、第１絶縁層１２２、第２絶縁層１２４、そして第３絶縁層１２６の順で積層されている。これらの層について、下層側から順に説明する。

第１絶縁層１２２は、封止層１２０において最下層に配置されている。第１絶縁層１２２の材料としては、透湿性の低い絶縁材料が好ましい。

第１絶縁層１２２の具体的な材料としては、無機絶縁層を用いることができる。無機絶縁層の具体的な材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）等の層を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの層を積層した構造を使用してもよい。本実施形態においては、第１絶縁層１２２の材料として窒化珪素を用いる。

第２絶縁層１２４は、第１絶縁層１２２の上に配置されている。第２絶縁層１２４の材料としては、下層に配置された複数の発光素子１１２やバンク１２８等に起因する凹凸を平坦化できる絶縁材料が好ましい。そのような凹凸が存在すると、第１絶縁層１２２の被覆性が十分ではなく、第１絶縁層１２２に水分の伝搬経路が発生する場合がある。

第２絶縁層１２４の具体的な材料としては、無機絶縁層又は有機絶縁層を用いることができる。無機絶縁層としては、前述の無機絶縁層を用いることができる。有機絶縁層としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。

本実施形態においては、第２絶縁層１２４の材料としてはアクリル樹脂を用いる。

第３絶縁層１２６は、第２絶縁層１２４の上に配置されている。第３絶縁層１２６の材料としては、透湿性の低い絶縁材料が好ましい。本実施形態においては第２絶縁層１２４としてアクリル樹脂を用いるが、有機絶縁層は水分の侵入経路となりやすい。そのため、第２絶縁層１２４に水分が侵入すると、第１絶縁層１２２に到達し、更に発光層１１８に侵入してしまうことが懸念される。アクリル樹脂を用いた第２絶縁層１２４は高い平坦性を有するため、第３絶縁層１２６は被覆性に優れ、そのため水分の伝搬経路が発生しにくい。

本実施形態においては、第３絶縁層１２６の材料として窒化珪素を用いる。

第３絶縁層１２６は、更に、疎密パターンを有している。ここで、疎密パターンとは、低密度領域１２６ａ及び高密度領域１２６ｂを含むパターンである。当該パターンは、周期的なパターンであってもよい。低密度領域１２６ａとは、表示領域内に亘って配置された第３絶縁層１２６の平均密度よりも第３絶縁層１２６の密度が低い領域である。高密度領域１２６ｂとは、表示領域内に亘って配置された第３絶縁層１２６の平均密度よりも第３絶縁層１２６の密度が高い領域である。ここで、密度とは、面積密度（単位はａｔｏｍｓ／ｃｍ^２）を意味してもよく、体積密度（単位はａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）を意味してもよい。さらに水素含有量が変化する場合も含む。

尚、疎密パターンは、低密度領域１２６ａ及び高密度領域１２６ｂの境界近傍において、それぞれの領域内の局所的な密度分布が、ほぼ階段状に変化する明確なコントラストを有するとは限らない。よって、疎密パターンとは、例えば密度分布が正弦波状に変化する場合も含む。

本実施形態においては、高密度領域１２６ｂ内の第３絶縁層１２６の水素含有量は５ａｔ％以上１５ａｔ％以下、低密度領域１２６ａ内の水素含有量は３０ａｔ％以上である。

本実施形態においては、疎密パターンは、縦方向に縞状である。低密度領域１２６ａ及び高密度領域１２６ｂの各々の幅は互いにほぼ等しい。

このような構成を有することによって、表示装置１００を折り曲げた際に、低密度領域１２６ａが緩衝層として機能し、高密度領域１２６ｂにかかる応力を緩和することができる。これによって、表示装置１００を折り曲げた際に封止層１２０にクラックが生じにくく、信頼性の向上した表示装置１００を提供することができる。

高密度領域１２６ｂ及び低密度領域１２６ａの各々の幅は、表示装置１００の想定される折り曲げの最小曲率半径に基づいて決定すればよい。高密度領域１２６ｂ及び低密度領域１２６ａの各々の幅が上述の曲率半径に比べて大きすぎると、折り曲げ時に第３絶縁層１２６に生じる応力が分散されず、第３絶縁層１２６の低密度領域１２６ａは、緩衝層としての役割を果たさなくなる。その結果、折り曲げ時のクラックへの耐性を向上させることができない。

尚、本実施形態においては、疎密パターンとして縞状の繰り返しパターンは一定周期である。しかし、疎密パターンはこれに限定されるものではない。他の例として、表示領域内に、折り曲げを想定しない平面領域と、折り曲げを想定する屈曲領域が規定されている場合、屈曲領域にのみ疎密パターンを設けても構わない。更に他の例として、屈曲領域及び平面領域の両方に疎密パターンを設けるが、屈曲領域の疎密パターンの周期に対し、平面領域の疎密パターンの周期は、屈曲領域との境界から離れる程大きくなるようにしてもよい。

以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の構成によれば、表示装置１００の折り曲げへの耐性が向上した表示装置１００を提供することができる。

［製造方法］
図４Ａ乃至図４Ｃは、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図である。図４Ａ乃至図４Ｃを用いて、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について詳細に説明する。本実施形態に係る表示装置１００の製造方法は、以下の工程を含む。

先ず、第１基板１０４に複数の画素１１０が配列されたアレイ基板１０２を準備する（図４Ａ）。

第１基板１０４は、ガラス基板等の支持基板上において、ポリイミド樹脂等をシート状に成形することによって形成された可撓性を有する基板である。そのため、アレイ基板１０２全体として可撓性を有する。第１基板１０４上に、複数の画素１１０を形成する。

次いで、複数の画素１１０を覆う第１絶縁層１２２及び第２絶縁層１２４を形成する（図４Ｂ）。第１絶縁層１２２の材料は窒化珪素であり、成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法を用いることができる。第２絶縁層１２４はアクリル樹脂であり、成膜方法としては、塗布法又は蒸着法等を用いることができる。

次いで、複数の画素１１０を覆い、疎密パターン１２６ａ、１２６ｂを有する第３無機絶縁層を成膜する（図４Ｃ）。第３無機絶縁層の成膜装置としては、ロールコータ５００を用いることができる。成膜方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法を用いることができる。

図５は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法において用いるロールコータ５００の構成を説明する概略図である。可撓性を有するアレイ基板１０２は、成膜室５０２内において、巻出しロール５０４から巻付きロール５０６に搬送される。アレイ基板１０２は、巻出しロール５０４と巻付きロール５０６との間の２つの成膜ロール５０８を経由する。２つの成膜ロール５０８の間にプラズマＰを発生させ、成膜を行う。これによって、アレイ基板１０２の搬送とともに、２つの成膜ロール５０８が最接近する箇所の近傍に成膜材料が堆積される。これによって、アレイ基板１０２の被成膜面に亘って成膜材料を堆積することができる。

ロールコータ５００を用いて本実施形態に係る疎密パターンを有する第３絶縁層１２６を得るためには、アレイ基板１０２の搬送速度、所定の疎密パターンが有する縞の間隔によって決定された周期により、成膜条件を動的に変更すればよい。成膜条件とは、例えば、成膜ガス流量、成膜温度、圧力等である。

つまり、アレイ基板１０２の搬送によって、低密度領域１２６ａに対応する領域が２つの成膜ロール５０８が最接近する位置の近傍を搬送されている期間と、高密度領域１２６ｂに対応する領域が２つの成膜ロール５０８が最接近する位置の近傍を搬送されている期間とで成膜条件を切り替える。これによって、成膜ロール５０８の回転軸と同方向の縞状の疎密パターンを有する第３絶縁層１２６を得ることができる。

次いで、アレイ基板１０２と対向基板１０６とを貼り合わせて、図２Ａ及び図２Ｂに示した本実施形態に係る表示装置１００を得ることができる。

以上、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、ロールコータが有する成膜ロール５０８の回転軸と同方向の縞状の疎密パターンを有する第３絶縁層１２６を得ることができる。

＜変形例＞
本実施形態に係る表示装置１００の製造方法の変形例として、プラズマＣＶＤ法に替えて、スパッタリング法を用いて第３絶縁層１２６を形成することができる。

図６は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法の変形例において用いるロールコータ６００の構成を説明する概略図である。可撓性を有するアレイ基板１０２は、成膜室６０２内において、巻出しロール６０４から巻付きロール６０６に搬送される。アレイ基板１０２は、巻出しロール６０４と巻付きロール６０６との間の成膜ロール６０８を経由する。成膜ロール６０８の一方向には、スパッタリングターゲット６１０が設置されている。これによって、アレイ基板１０２の搬送とともに、スパッタリングターゲット６１０と成膜ロール６０８とが最接近する箇所の近傍に成膜材料が堆積される。これによって、アレイ基板１０２の被成膜面に亘って成膜材料を堆積することができる。

ロールコータ６００を用いて本実施形態に係る疎密パターンを有する第３絶縁層１２６を得るためには、アレイ基板１０２の搬送速度、所定の疎密パターンが有する縞の間隔によって決定された周期により、成膜条件を動的に変更すればよい。成膜条件とは、例えば、成膜ガス流量、成膜温度、圧力等である。

＜第２実施形態＞
［構成の詳細］
図７は、本実施形態に係る表示装置２００の概略構成を説明する断面図である。本実施形態に係る表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比べると、封止層１２０の特に第３絶縁層１２６の構成のみが異なっている。

封止層１２０は、第１絶縁層１２２乃至第３絶縁層１２６を有し、第３絶縁層１２６は、複数の絶縁層を含んでいる。第３絶縁層１２６においては、第１疎密パターンを有する絶縁層及び第２疎密パターンを有する絶縁層が交互に積層されている。

第２疎密パターンは、第１疎密パターンを反転したパターンである。つまり、平面構造においては、第２疎密パターンにおける高密度領域１２６ｂは、第１疎密パターンにおける低密度領域１２６ａに対応し、第２疎密パターンにおける低密度領域１２６ａは、第１疎密パターンにおける高密度領域１２６ｂに対応する。これによって、断面構造においては、隣接する２層の絶縁層において、一方の絶縁層の高密度領域１２６ｂは、他方の絶縁層の低密度領域１２６ａに隣接する。

このような構成を有することによって、アレイ基板１０２の平面上の任意の箇所の上方には、高密度領域１２６ｂが配置された絶縁層が少なくとも１層は存在する。これによって、封止層１２０に発生し得る水分の経路の内、膜厚方向の経路については、少なくとも１層の高密度領域１２６ｂが存在するために遮断される。

上記の構成に加え、封止層１２０に発生し得る水分の経路の内、面方向の経路についても遮断される構成とすれば更に好ましい。本実施形態においては、少なくとも最下層の絶縁層の高密度領域１２６ｂと、その上層に隣接する絶縁層の高密度領域１２６ｂとによって、封止層１２０の外部から複数の画素１１０への水分の経路は、膜厚方向及び面方向ともに遮断される。

これによって、封止層１２０全体としての透湿性が低下する。換言すると、封止層１２０全体としての防水性が向上する。これによって、信頼性の向上した表示装置２００を提供することができる。

尚、本実施形態においては、互いに反転の関係にある疎密パターンを積層する態様を示した。しかし、言うまでもなく、上記の作用及び効果を得るには、本実施形態のような封止層１２０の構成に限られない。

以上、本実施形態に係る表示装置２００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置２００の構成によれば、表示装置２００の折り曲げへの耐性、及び防水性が向上した表示装置２００を提供することができる。

＜第３実施形態＞
［構成の詳細］
図８は、本実施形態に係る表示装置３００の概略構成を説明する平面図である。本実施形態に係る表示装置３００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比べると、疎密パターンのみが異なっている。つまり、本実施形態に係る表示装置３００においては、複数の斑点状の高密度領域１２６ｂが、面方向に繰り返し配置されている。つまり、複数の斑点状の高密度領域１２６ｂが、面内において、格子状に配置されている。

また、第１実施形態に係る表示装置１００においては、疎密パターンは横方向には有限の繰返し周期を有するが、縦方向には並進対称性を有している。本実施形態に係る表示装置３００においては、横方向及び縦方向に有限の繰返し周期を有し、当該周期は両方向で等しい。

このような構成を有することによって、縦方向及び横方向のみならず、他の任意の折り曲げへの耐性が向上する。

尚、本実施形態においては、複数の斑点状の高密度領域１２６ｂが、面内において、格子状に配置されている態様について説明した。しかし、これに限られず、種々の変更が可能である。例えば斑点に限らず、他の任意の閉じた曲線であってよい。また、格子状に限らず、互いに角度を有する任意の２方向に対して繰返し周期を有するように配置されていればよい。

以上、本実施形態に係る表示装置３００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置３００の構成によれば、表示装置３００の任意の方向の折り曲げへの耐性が向上した表示装置３００を提供することができる。

［製造方法］
先ず、図４Ａと同様に、第１基板１０４に複数の画素１１０が配列されたアレイ基板１０２を準備する。

次いで、図４Ｂと同様に、第１絶縁層１２２及び第２絶縁層１２４を形成する。

次いで、アレイ基板１０２上に第３絶縁層１２６を形成する。本実施形態においては、基板保持体にアレイ基板１０２を設置する。疎密パターンを有する第３絶縁層１２６の成膜においては、基板保持体として、所定のパターンを有する温度勾配を有するものを用いる。

所定のパターンとは、疎密パターンに基づくパターンである。具体的には、基板保持体において、高密度領域１２６ｂに対応する領域の温度は、低密度領域１２６ａに対応する領域の温度よりも低くなるように温度勾配を設ける。温度勾配を設けるには、例えば、基板保持体に設置されたヒーターのレイアウトを調整すればよい。成膜方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法を用いることができる。

これによって、アレイ基板１０２の被成膜面が高温であるほど堆積速度が速くなるため、堆積される層の密度が増大し得る。

このような温度勾配を設けた状態で、複数の画素１１０上に、所定のパターンに対応した疎密パターンを有する第３絶縁層１２６を成膜することができる。

次いで、アレイ基板１０２と対向基板１０６とを貼り合わせて、本実施形態に係る表示装置３００を得ることができる。

以上、本実施形態に係る表示装置３００の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置３００の製造方法によれば、任意の疎密パターンを有する第３絶縁層１２６を得ることができる。

＜第４実施形態＞
［構成の詳細］
図９は、本実施形態に係る表示装置４００の概略構成を説明する平面図及び断面図である。本実施形態に係る表示装置４００は、第２実施形態に係る表示装置２００と比べると、疎密パターンのみが異なっている。つまり、本実施形態に係る表示装置４００においては、第１疎密パターンは、複数の高密度領域１２６ｂ及び低密度領域１２６ａが、格子状に繰り返し配置されている。

このような構成を有することによって、封止層１２０全体としての透湿性が低下する。換言すると、封止層１２０全体としての防水性が向上する。更に、縦方向及び横方向のみならず、他の任意の折り曲げへの耐性が向上する。

以上、本実施形態に係る表示装置４００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置４００の構成によれば、表示装置４００の任意の方向の折り曲げへの耐性、及び防水性が向上した表示装置４００を提供することができる。

以上、本発明の好ましい態様を説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。

表示装置・・・１００、２００、４００、４００ アレイ基板・・・１０２ 第１基板・・・１０４ 対向基板・・・１０６ 第２基板・・・１０８ 接続端子・・・１０９ 画素・・・１１０ 発光素子・・・１１２ 画素電極・・・１１４ 共通電極・・・１１６ 発光層・・・１１８ 封止層・・・１２０ 第１絶縁層・・・１２２ 第２絶縁層・・・１２４ 第３絶縁層・・・１２６ 低密度領域・・・１２６ａ 高密度領域・・・１２６ｂ バンク・・・１２８ シール材・・・１３０ ロールコータ・・・５００、６００ 成膜室・・・５０２、６０２ 巻出しロール・・・５０４、６０４ 巻付きロール・・・５０６、６０６ 成膜ロール・・・５０８、６０８ スパッタリングターゲット・・・６１０

Claims (14)

1. 可撓性を有し、表示領域に複数の画素が配列されたアレイ基板と、
   前記複数の画素を覆う封止層とを備え、
   前記封止層は、
   無機絶縁層であり、凹凸を有する第１の絶縁層と、
   有機絶縁層であり、前記第１の絶縁層の上に設けられ、前記第１の絶縁層に接し、前記凹凸を平坦にした平坦面を有する第２の絶縁層と、
   無機絶縁層であり、前記第２の絶縁層の平坦面に設けられ、疎密パターンを有する第３の絶縁層と、
   を含み、
   前記疎密パターンは、低密度領域及び高密度領域を含むパターンであり、
   前記低密度領域は、前記第３の絶縁層の前記表示領域内の平均密度よりも前記第３の絶縁層の密度が低い領域であり、
   前記高密度領域は、前記第３の絶縁層の前記表示領域内の平均密度よりも前記第３の絶縁層の密度が高い領域であることを特徴とする表示装置。
2. 前記パターンは、周期的なパターンであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記高密度領域内の前記第３の絶縁層の水素含有量は５ａｔ％以上１５ａｔ％以下、前記低密度領域内の前記第３の絶縁層の水素含有量は３０ａｔ％以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第３の絶縁層は、第１疎密パターンを有する絶縁層及び第２疎密パターンを有する絶縁層が交互に積層され、
   前記第２疎密パターンは、前記第１疎密パターンを反転したパターンであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記疎密パターンは、縞状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第３の絶縁層は、窒化珪素層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 可撓性を有し、表示領域に複数の画素が配列されたアレイ基板と、
   前記複数の画素を覆う封止層とを備え、
   前記封止層は、
   無機絶縁層であり、凹凸を有する第１の絶縁層と、
   有機絶縁層であり、前記第１の絶縁層の上に設けられ、前記第１の絶縁層に接し、前記凹凸を平坦にした平坦面を有する第２の絶縁層と、
   無機絶縁層であり、前記第２の絶縁層の平坦面に設けられ、疎密パターンを有する第３の絶縁層と、
   を含む表示装置の製造方法であって、
   前記アレイ基板を準備し、
   ロールコータを用い、前記第３の絶縁層を成膜することを含み、
   前記疎密パターンは、低密度領域及び高密度領域を含むパターンであり、
   前記低密度領域は、前記第３の絶縁層の前記表示領域の平均密度よりも前記第３の絶縁層の密度が低い領域であり、
   前記高密度領域は、前記第３の絶縁層の前記表示領域の平均密度よりも前記第３の絶縁層の密度が高い領域であることを特徴とする表示装置の製造方法。
8. 前記パターンは、周期的な縞状のパターンであることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記成膜することは、プラズマＣＶＤ法を用いることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記第３の絶縁層は、窒化珪素であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
11. 可撓性を有し、表示領域に複数の画素が配列されたアレイ基板と、
    前記複数の画素を覆う封止層とを備え、
    前記封止層は、
    無機絶縁層であり、凹凸を有する第１の絶縁層と、
    有機絶縁層であり、前記第１の絶縁層の上に設けられ、前記第１の絶縁層に接し、前記凹凸を平坦にした平坦面を有する第２の絶縁層と、
    無機絶縁層であり、前記第２の絶縁層の平坦面に設けられ、疎密パターンを有する第３の絶縁層と、
    を含む表示装置の製造方法であって、
    前記アレイ基板を準備し、
    所定のパターンを有する温度勾配を有する基板保持体に前記アレイ基板を設置し、
    前記複数の画素上に、前記所定のパターンに対応した前記疎密パターンを有する第３の絶縁層を成膜することを含み、
    前記疎密パターンは、低密度領域及び高密度領域を含むパターンであり、
    前記低密度領域は、前記第３の絶縁層の前記表示領域の平均密度よりも前記第３の絶縁層の密度が低い領域であり、
    前記高密度領域は、前記第３の絶縁層の前記表示領域の平均密度よりも前記第３の絶縁層の密度が高い領域であることを特徴とする表示装置の製造方法。
12. 前記疎密パターンは、周期的なパターンであることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記成膜することは、プラズマＣＶＤ法を用いることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記第３の絶縁層は、窒化珪素であることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

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