TW201611257A - 微組合複合式顯示裝置及發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明大體上係關於複合式顯示裝置，其具有包含無機發光二極體(ILED)及有機發光二極體(OLED)兩者之像素。本發明提供一種複合式顯示裝置，其將ILED及OLED之一混合物用於各像素中。在某些實施例中，該複合式顯示裝置中之各像素包含一紅色ILED、一藍色ILED及一綠色OLED。在此例項中，OLED程序將無需一高解析度遮蔽罩，藉此增強較大規格顯示裝置之OLED的可製造性。另外，在此實例中，OLED程序將無需任何精細微影。OLED子像素(例如綠色子像素)可較大，且ILED可係小的(例如微紅色ILED及微藍色ILED)。小ILED之使用允許將其他功能(諸如微感測器及微積體電路)添加至像素。

Description

微組合複合式顯示裝置及發光元件 [優先權申請]
本申請案主張名稱為「Micro Assembled Hybrid ILED-OLED Displays and Lighting Elements」之2014年8月26日申請之美國臨時專利申請案第62/042,093號之優先權及權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
本發明係關於包含有機光發射器及無機光發射器兩者之顯示裝置。
不同類型之光發射器具有不同效能特性，其等或多或少用於不同情形中或用於依不同方式使用時。各種發光技術具有不同特性、優點及缺點。例如，液晶易於控制及具有一高精尖技術基礎結構。有機發光二極體(有機LED)係區域發射器，可更高效及更具可撓性，且展現一非常薄之外型尺寸。無機發光二極體非常高效且在一環境穩健型結構中提供相對較飽和光。雷射亦較高效，提供一實質上呈單色之光，但具有一有限視角。然而，此等技術均無法滿足所有情形下之一顯示裝置觀看者之所有需求。
不同種類之無機LED之相對益處可根據所發射光之色彩、LED之使用、及周圍條件而變動。例如，LED效率、壽命及成本根據LED亮 度、大小及色彩而變動。此外，人類視覺系統對一些色彩(例如綠色)較敏感，且對其他色彩(例如藍色)較不敏感。
ILED及OLED之相對益處亦基於由發光裝置發射之光之色彩而變動。微轉印無機LED較明亮(例如，具有自300W/cm2至500W/cm2之強度)且實現低電力功耗。然而，例如，綠色ILED遭受「綠色間隙」即，其中綠色LED之效率大幅下跌的光譜之一部分。
OLED較薄，較輕，具可撓性，且消耗比LCD顯示裝置少之電力。另外，OLED比用於LCD顯示裝置中之液晶更易生產。然而，藍色OLED具有比紅色OLED及綠色OLED短之壽命且比紅色OLED及綠色OLED低效。類似地，紅色OLED具有相對比綠色OLED長之壽命但比綠色OLED低效。再者，密集陣列之OLED之製程相對較難且較昂貴。此外，在OLED製程期間使用金屬篩(精細金屬遮罩)來將沈積為層之發射材料圖案化至顯示基板上。此等金屬篩(亦稱為遮蔽罩)包含用於材料沈積之矩形開口(或孔隙)。一顯示裝置(例如一1024×768顯示裝置)可包含將近800000個像素。因此，必須非常精確地產生遮罩中之開口。此使OLED製程之成本大幅增加。
因此，需要具有改良特性及製程之顯示結構。
本發明提供一種複合式顯示裝置，其具有安置於一顯示基板上之異質彩色像素。各異質彩色像素包含：一第一子像素，其發射來自一第一光發射器之一第一色彩之光；及一第二子像素，其發射來自一第二光發射器之一第二色彩之光，該第二色彩之光不同於該第一色彩之光。該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之一大小。此外，該第一光發射器及該第二光發射器可屬於不同類型。在一實施例中，該第一光發射器及該第二光發射器兩者均係無機的，例如無機發光二極體。在另一實施例中，該第一光發射器係無機的且該第二光發射器 係有機的。在某些實施例中，可微組合該等光發射器。
發射不同色彩之光的光發射器在不同照度位準處具有不同效率。因此，在一實施例中，(例如)對於一相對較暗應用(諸如一室內應用)，可有益地提供在低照度位準處更有效率之一相對較小光發射器，而非提供在此一低照度位準處更低效率之一相對較大光發射器。在另一實施例中，有益地提供在高照度位準處更有效率之一相對較小光發射器，而非提供在此一高照度位準處更低效率之一相對較大光發射器。在又一實施例中，有益地提供具有與人類視覺系統之對應色彩敏感度匹配之大小的彩色光發射器。一較大敏感度可對應於一較小發射器，反之亦然。
本發明亦提供微組合複合式ILED-OLED顯示裝置及發光元件。該等顯示裝置及該等發光元件利用ILED(例如微無機LED)及OLED之一混合物。例如，一顯示裝置中之各像素包含ILED及OLED之一混合物，使得某些子像素利用ILED，而其他子像素依靠OLED。利用微轉印技術來組合ILED，因為ILED太小(例如具有10微米至50微米之一寬度或直徑的微ILED)，太多，或難以藉由習知方法而組合。將小ILED用於各像素中使各像素中之額外空間留給其他裝置(其包含較大OLED)。
複合式顯示裝置提供一替代方法，其利用ILED及OLED之一混合物來使色彩品質、效率及易製造性最佳化。在某些實施例中，紅色微ILED及藍色微ILED形成紅色子像素及藍色子像素，而一綠色OLED形成綠色子像素。形成該綠色OLED之程序無需一高解析度遮蔽罩，其顯著地增強在大顯示規格中利用OLED之可製造性。
可在一原生基板上製備微ILED且將其印刷至一目的地顯示基板(例如：塑膠、金屬、玻璃或其他材料之一基板；透明、剛性或可撓性材料之一基板)，藉此避免在目的地基板上製造微ILED。此允許將 其他功能新增至像素。另外，OLED子像素可大於紅色子像素及藍色子像素。
在某些實施例中，除ILED及OLED之外，亦可將其他微裝置放置於各像素內。例如，可將微感測器及微積體電路(例如微顯示驅動器)放置於一像素內。另外，可將冗餘微ILED放置於一像素中。冗餘可藉由允許由備用ILED替換及/或補充缺陷ILED而提高顯示裝置之製造良率。在某些實施例中，一旦(例如在顯示裝置之製造期間或在顯示裝置之分佈之前)判定一原ILED出故障，則將冗餘ILED電連接至顯示裝置。
顯示裝置可利用一透明(例如塑膠或玻璃)基板，且可被製成較輕且具可撓性。因為ILED佔據顯示區域之一小比例，且因為ILED佈線可較精細及/或透明的，所以顯示裝置本身可為透明的。顯示裝置可自前側、背側或兩側發射光。顯示裝置甚至可在一側上具有一黏著層以產生一印花狀顯示。稀疏整合之ILED允許包含微感測器、電力採集、手勢感測(接觸及非接觸兩者)、影像捕獲及其類似者之新功能。顯示裝置亦可包含微轉印μIC(微積體電路)，其提供CMOS效能及嵌入式記憶體(例如非揮發性記憶體)。
在某些實施例中，將電子主動組件自一原生基板(例如無機半導體材料、單晶矽晶圓、絕緣體上矽晶圓、多晶矽晶圓及GaAs晶圓、Si(1 1 1)、InP、InAlP、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP)轉移至一目的地基板(例如用於(例如)形成一陣列之主動組件的一非原生基板)。該目的地基板可包括(例如)玻璃、塑膠、藍寶石、金屬或另一半導體。可使用一彈性體壓印機來而執行該轉移。主動組件之釋放係受控的且可預測，藉此能夠使用微轉印技術來生產本文中所描述之ILED顯示裝置。關於微轉印，參閱(例如)2011年7月19日發佈之美國專利第7,982,296號，該案 之全文以引用的方式併入本文中。
100‧‧‧像素
104a‧‧‧紅色子像素
104b‧‧‧綠色子像素
104c‧‧‧藍色子像素
200‧‧‧像素/顯示裝置
202a‧‧‧微無機發光二極體(ILED)/光發射器
202b‧‧‧微無機發光二極體(ILED)/光發射器
202c‧‧‧微無機發光二極體(ILED)/光發射器
202d‧‧‧微無機發光二極體(ILED)/光發射器
204‧‧‧有機發光二極體(OLED)
206‧‧‧微積體電路/驅動器
208‧‧‧微感測器
210‧‧‧顯示平面
300‧‧‧像素
302a‧‧‧紅色微無機發光二極體(ILED)
302b‧‧‧藍色微無機發光二極體(ILED)
304‧‧‧綠色有機發光二極體(OLED)
306‧‧‧陽極
308‧‧‧毯覆式陰極金屬
310‧‧‧顯示基板
312‧‧‧堤岸層
314‧‧‧金屬佈線
將藉由參考結合附圖之下列描述而更加明白且更佳地理解本發明之上述及其他目的、態樣、特徵及優點，其中：圖1係用於一LCD顯示裝置中之一典型先前技術像素之一圖解說明；圖2係根據本發明之一實施例而建構之一實例性像素之一圖解說明；及圖3係根據本發明之一實施例之一複合式顯示裝置之一像素之一實例性橫截面圖之一圖解說明。
將自下文結合圖式而闡述之詳細描述更加明白本發明之特徵及優點，其中相同元件符號識別所有圖式中之對應元件。在圖式中，相同元件符號一般指示相同、功能類似及/或結構類似之元件。
如本文中所使用，表述「半導體元件」及「半導體結構」被同義使用且廣義地係指一半導體材料、結構、裝置、或一裝置之組件。半導體元件包含高品質單晶半導體及多晶半導體、經由高溫處理而製造之半導體材料、摻雜半導體材料、有機半導體及無機半導體、及具有一或多個額外半導體組件及/或非半導體組件(諸如介電層或材料及/或導電層或材料)之複合半導體材料及結構。半導體元件包含半導體裝置及裝置組件，其等包含(但不限於)電晶體、光伏打電池(其包含太陽能電池)、二極體、發光二極體、雷射、p-n接面、光二極體、積體電路及感測器。另外，半導體元件可係指形成一功能性半導體裝置或產品之一部件或部分。
「半導體」係指任何材料，其為在一非常低溫度處係一絕緣體，但在高於約300開之溫度處具有一相當大導電率之一材料。一半 導體之電特性可藉由添加雜質或摻雜劑來修改，且可藉由使用電場而受控。術語「半導體」在本發明中之使用意欲與此術語在微電子裝置及電子裝置之技術中之使用一致。用於本發明中之半導體可包含：元素半導體，諸如矽、鍺及金剛石；及化合物半導體，例如IV族化合物半導體(諸如SiC及SiGe)、III-V族半導體(諸如AlSb、AlAs、Aln、AlP、BN、GaSb、GaAs、GaN、GaP、InSb、InAs、InN及InP)、III-V族三元半導體合金(諸如AlxGa1-xAs)、II-VI族半導體(諸如CsSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS及ZnTe)、I-VII族半導體CuCl、IV-VI族半導體(諸如PbS、PbTe及SnS)、層半導體(諸如PbI2、MoS2及GaSe)、氧化物半導體(諸如CuO及Cu2O)。術語「半導體」包含本質半導體及外質半導體，該等外質半導體摻雜有一或多個選定材料(其包含具有p型摻雜材料及n型摻雜材料之半導體)，以提供用於一給定應用或裝置之有益電子性質。術語「半導體」包含複合材料，其包括半導體及/或摻雜劑之一混合物。用於本發明之一些應用中之特定半導體材料包含(但不限於)Si、Ge、SiC、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、GaSb、InP、InAs、InSb、ZnO、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、PbS、PbSe、PbTe、AlGaAs、AlInAs、AlInP、GaAsP、GaInAs、GaInP、AlGaAsSb、AlGaInP及GaInAsP。多孔矽半導體材料對本發明在感測器及發光材料(諸如發光二極體(LED)及固態雷射)的應用領域是有用的。半導體材料之雜質係除該(等)半導體材料本身之外的原子、元素、離子或分子，或為經設置於該半導體材料中之任何摻雜劑。雜質係存在於半導體材料中之非所要材料(其會負面影響半導體材料之電子性質)，且包含(但不限於)氧、碳及金屬(其包含重金屬)。重金屬雜質包含(但不限於)元素週期表上之銅與鉛之間的元素群組、鈣、鈉及其等之所有離子、化合物及/或複合物。
「基板」係指其上或其中進行(或已進行)一程序(諸如半導體元件之圖案化、組合或整合)之一結構或材料。基板包含(但不限於)：(i)一結構(亦指稱一原生基板)，其上或其中製造半導體元件；(ii)一裝置基板，例如一電子裝置基板；(iii)一供體基板(諸如一半導體晶圓)，其具有用於後續轉移、組合或整合之元件，諸如半導體元件；及(iv)一目標或目的地非原生基板，用於接收可印刷結構，諸如半導體元件。一供體基板可為(但未必)一原生基板。
如本文中所用，「顯示基板」係指用於接收可印刷結構(諸如半導體元件)之目標基板(例如非原生目的地基板)。顯示基板材料之實例包含聚合物、塑膠、樹脂、聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、金屬、金屬箔、玻璃、可撓性玻璃、半導體及藍寶石。
如本文中所使用，術語「微」及「微裝置」係指根據本發明之實施例之某些裝置或結構的描述性大小。如本文中所使用，術語「微」及「微裝置」意謂指稱在0.5微米至250微米之尺度上的結構或裝置。然而，應瞭解，本發明之實施例未必限於此，且該等實施例之某些態樣可適用於更大或更小尺度。
如本文中所使用，「微ILED」係指0.5微米至250微米之尺度上之一無機發光二極體。例如，微LED可具有自0.5微米至2微米、自2微米至5微米、自5微米至10微米、自10微米至20微米、自20微米至50微米、自50微米至100微米，或自100微米至250微米之一寬度、一長度及一高度中之至少一者(或兩個或所有三個尺寸)。微LED在被通電時發射光。由一LED發射之光的色彩根據微LED的結構而變動。例如，當被通電時，一紅色微LED發射紅光，一綠色微LED發射綠光，一藍色微LED發射藍光，一黃色微LED發射黃光，且一青色微LED發射青光。
「可印刷」與能夠轉移、組合、圖案化、組織或整合至基板上 或至基板中且不使基板曝露於高溫(例如，在小於或等於約攝氏400度、約攝氏200度或約攝氏150度之溫度處)的材料、結構、裝置組件或整合功能性裝置相關。在本發明之一實施例中，可印刷材料、元件、裝置組件或裝置能夠經由溶液印刷、微轉印或乾轉移接觸印刷而轉移、組合、圖案化、組織或整合至基板上或至基板中。
本發明之「可印刷半導體元件」包括可(例如)藉由使用乾轉移接觸印刷、微轉印或溶液印刷方法而組合或整合至基板表面上之半導體結構。在一實施例中，本發明之可印刷半導體元件係整體單晶、多晶或微晶無機半導體結構。在本發明之內文中，一整體結構係具有經機械地連接之特徵的一單片元件。本發明之半導體元件可未經摻雜或經摻雜，可具有摻雜劑之一選定空間分佈，且可摻雜有複數個不同摻雜劑材料(其包含p型摻雜劑及n型摻雜劑)。本發明包含：微結構化可印刷半導體元件，其具有大於或等於約1微米之至少一橫截面尺寸；及奈米結構化可印刷半導體元件，其具有小於或等於約1微米之至少一橫截面尺寸。用於諸多應用中之可印刷半導體元件包括源於高純度塊狀材料之「自上而下」處理的元件，諸如使用習知高溫處理技術來產生之高純度結晶半導體晶圓。在一實施例中，本發明之可印刷半導體元件包括複合結構，其具有操作地連接至至少一額外裝置組件或結構(諸如一導電層、介電層、電極、額外半導體結構、或此等之任何組合)之一半導體。在一實施例中，本發明之可印刷半導體元件包括可伸展半導體元件或異質半導體元件。
術語「可撓性」係指一材料、結構、裝置或裝置組件(例如)在不經受引入顯著應變(諸如以一材料、結構、裝置或裝置組件之斷裂點為特徵之應變)之一轉變之情況下可逆地變形成一彎曲形狀的能力。
「塑膠」係指任何合成或天然存在之材料或材料組合，其一般可在被加熱時經模製或經塑形，且硬化成一所要形狀。用於本發明之 裝置及方法中之例示性塑膠包含(但不限於)聚合物、樹脂及纖維素衍生物。在本發明中，術語「塑膠」意欲包含複合塑膠材料，其包括具有一或多個添加劑(諸如結構增強劑、填充劑、纖維、增塑劑、穩定劑或可提供所要化學或物理性質之添加劑)之一或多個塑膠。「介電質」及「介電材料」在本發明中被同義使用且係指高度抵抗電流之一流動且可由一施加電場極化之一物質。有用無機介電材料包含(但不限於)SiO2、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、SiN4、STO、BST、PLZT、PMN及PZT。有機介電材料可包含聚合物及樹脂，其包含具有交聯材料(例如，可回應於熱或紫外輻射而交聯)之可固化聚合物。
「聚合物」係指包括複數個重複化學基團(通常指稱單體)之一分子。聚合物通常以高分子量為特徵。可用於本發明中之聚合物可為有機聚合物或無機聚合物且可呈非晶、半非晶、結晶或部分結晶狀態。聚合物可包括具有相同化學組合物之單體或可包括複數個具有不同化學組合物之單體(諸如共聚物)。具有聯結單體鏈之交聯聚合物對本發明之一些應用特別有用。可用於本發明之方法、裝置及裝置組件中之聚合物包含(但不限於)塑膠、彈性體、熱塑性彈性體、彈性塑膠、恆溫器、熱塑性塑膠及丙烯酸酯。例示性聚合物包含(但不限於)縮醛聚合物、可生物降解聚合物、纖維素聚合物、含氟聚合物、尼龍、聚丙烯腈聚合物、聚醯胺-醯亞胺聚合物、聚醯亞胺、聚芳酯、聚苯並咪唑、聚丁烯、聚碳酸酯、聚酯、聚醚醯亞胺、聚乙烯、聚乙烯共聚物及改質型聚乙烯、聚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基戊烯、聚苯醚及聚苯硫醚、聚鄰苯二甲醯胺、聚丙烯、聚胺基甲酸酯、苯乙烯樹脂、砜基樹脂、乙烯基樹脂或此等之任何組合。
如本文中所使用，「微轉印」係指用於將微米及奈米材料、裝置及半導體元件確定性地組合至具有二維佈局及三維佈局之空間組織之功能性配置中的系統、方法及技術。通常難以拾取及放置超薄或小裝 置，然而，微轉印容許選擇及應用此等超薄、易碎或小之裝置(諸如微LED)，且不引起該等裝置本身受損。可使用微結構化壓印機(例如彈性體、靜電壓印機或複合式彈性體/靜電壓印機)來拾取微裝置，將該等微裝置轉移至一目的地基板，且將該等微裝置印刷至該目的地基板上。在一些實施例中，使用表面黏著力來控制選擇此等裝置及將此等裝置印刷至該目的地基板上。可大規模地並行執行此程序。該等壓印機可經設計以在一單一拾取及印刷操作中轉移一單一裝置或成百上千個離散結構。對於微轉印之一討論，一般參閱美國專利第7,622,367號及第8,506,867號，該等專利之各者之全文以引用的方式併入本文中。
一異質像素係包含異質或不同之第一光發射器及第二光發射器的一像素，該第一光發射器及該第二光發射器不相同或不類似，種類不同，或由不同種類、不同元件或成分之部分組成。如本文中所意欲，異質光發射器係即使當由共同控制信號驅動時亦意欲不同地操作或起不同作用之光發射器。例如，異質光發射器可不同地操作，具有不同功能，或起不同作用。經製造且意欲起相同作用之類似裝置在本文中不被視作異質裝置，即使該等類似裝置之間存在不可避免且非意欲之差異。例如，吾人已知：由於製造及材料容限，發光二極體可具有非意欲之略微不同發射光譜及效能。具有變動(其係不完美材料或程序之結果)之裝置在本文中不被視作異質的、不同的或操作上不同的，因為此等可變裝置不意欲不同地操作或起不同作用，而是期望表現相同。如本文中所使用，異質、不同或操作上不同之光發射器意欲表現不同，起不同作用，不同地執行，不同地作用，或不同地操作。替代地或另外，如本文中所使用，異質、不同或操作上不同之光發射器意欲在本發明之顯示裝置中具有不同用途、目標、運用或作用。僅發射不同色彩之光的類似裝置不被視作異質的。
根據本發明之實施例，一異質像素內之第一光發射器及第二光發射器之差異可包含下列之任何者或其等之一組合：不同第一光發射器及第二光發射器回應於一共同控制信號之亮度之差異；不同第一光發射器及第二光發射器之大小之差異；不同第一光發射器及第二光發射器之發光區域之大小之差異；不同第一光發射器及第二光發射器之效率之差異；不同第一光發射器及第二光發射器之電子性質或敏感度之差異；不同第一光發射器及第二光發射器之發射光之角分佈之差異；不同第一光發射器及第二光發射器發射光所依據之機制之差異；或不同第一光發射器及第二光發射器之實體結構之差異。
如本文中所使用，大小或發光區域之一差異意謂：第一光發射器具有不同於第二光發射器之一實體大小或發光區域。
如本文中所使用，亮度之一差異意謂：第一光發射器發射比第二光發射器多或少之光子。亮度之該差異可為可達成亮度之一絕對極限或限制亮度之能力之一絕對極限(例如黑色位準之一下限)。亮度之該差異亦可為回應於一共同控制信號而發射之光子之一差異。
如本文中所使用，效率之一差異意謂：第一光發射器回應於一共同控制信號或電力而發射比第二光發射器多或少之光子。
如本文中所使用，發射光之角分佈之一差異意謂：第一光發射器發射具有比第二光發射器寬或窄之一角範圍的光。例如，第一光發射器可發射具有一朗伯(Lambertian)分佈之光且第二光發射器無法發射具有朗伯分佈之光。
如本文中所使用，電子性質或敏感度之一差異意謂：第一光發 射器在一電子電路中起不同於第二光發射器之作用。例如，第一光發射器可具有不同於第二光發射器之一電阻、電容或崩潰電壓。第一光發射器可為二極體且第二光發射器可不為二極體。第一光發射器及第二光發射器兩者可為二極體但具有不同接通電壓，或可為不同類型之二極體。
如本文中所使用，用於發射光之物理機制之一差異意謂：第一光發射器使用不同於第二光發射器之用於發射光之一物理性質。例如，第一光發射器可為一發光二極體，而第二光發射器可使用光泵激磷光體，或歸因於加熱之輻射。
如本文中所使用，實體結構之一差異意謂：第一光發射器使用不同於第二光發射器之用於發射光之材料或材料配置。例如，第一光發射器可為一無機光發射器，而第二光發射器可使用一有機光發射器。替代地，第一光發射器可為一點光發射器，而第二光發射器可為一維(線)或二維(面)發射，例如二極體、燈絲、圓柱體或平面段(例如矩形)。
因此，在本發明之一實施例中，一複合式顯示裝置包含經安置於一顯示基板上之複數個異質像素。各像素包括：一第一子像素，其發射一第一色彩之光；及一第二子像素，其發射不同於該第一色彩之光之一第二色彩之光。來自該第一子像素之光係由一第一光發射器發射，且來自該第二子像素之光係由具有不同於該第一光發射器之一大小之一第二光發射器發射。在一實施例中，該第一光發射器係一無機光發射器，而該第二光發射器係一有機光發射器。替代地，該第一光發射器係一無機光發射器，且該第二光發射器亦係一無機光發射器。
在本發明之一進一步實施例中，該複合式顯示裝置包含一第三光發射器。該第三光發射器可具有不同於該第一光發射器之一大小、不同於該第二光發射器之一大小，或不同於該第一光發射器及該第二 光發射器之一大小。該第一光發射器可為發射紅光之一紅光發射器，該第二光發射器可為發射綠光之一綠光發射器，且該第三光發射器可為發射藍光之一藍光發射器。
根據各種情形、周圍條件(特定言之，周圍照明)或運用，該第一光發射器、該第二光發射器及該第三光發射器可具有不同大小。例如，綠光發射器小於紅光發射器或藍光發射器。在一實施例中，此係有用的，因為相較於其他色彩而言，人類視覺系統對綠色更敏感，因此，一較小發射器可提供足夠綠光照度。再者，在一些技術中，綠光發射更高效，例如OLED裝置。
在另一實例中，綠光發射器大於紅光發射器或藍光發射器。在一些實施例中，綠光發射器較低效，或在較高照度位準處變得較低效，例如，一些形式之微LED遭受此等問題，諸如下降。一較大發射器可補償一較小光輸出。
在另一實例中，紅光發射器大於綠光發射器或藍光發射器。在一些實施例中，紅光發射器無法容易地發射大量光，尤其是小微LED。因此，一些應用需要一較大紅光發射器。
在又一實例中，藍光發射器大於綠光發射器或紅光發射器。人類視覺系統對藍色具有一相對較低敏感度，且在一些應用中，一較明亮藍光可係較佳的。一較大藍光發射器可補償一較小光輸出。
在另一實例中，紅光發射器小於綠光發射器或藍光發射器。在一些實施例中，紅光發射器在低電流密度處具有寄生周邊電流及低效率。較小紅光發射器具有比較大紅光發射器小之周邊電流且依一給定驅動電流之較高電流密度操作。因此，在一些實施例中，較小紅光發射器依比較大紅光發射器高之效率操作。此外，較小紅光發射器需要比較大紅光發射器高之電壓來依一給定驅動電流操作，藉此使其操作電壓更趨同於藍色LED及綠色LED。
在本發明之實施例中，該第一光發射器回應於一共同控制信號而發射不同於該第二光發射器之光之一色彩之一色相、色調或色度，該第一光發射器回應於一共同控制信號而發射不同於該第二光發射器之一亮度，該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之一效率，該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之發射光之一角分佈，該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之一電子性質或敏感度，該第一光發射器使用不同於該第二光發射器之一物理機制來發射光，或該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之一實體結構。
在一些實施例中，該第一光發射器或該第二光發射器係一無機光發射器、一有機光發射器、一無機發光二極體、一有機發光二極體、一雷射、一垂直腔表面發射雷射、或一光泵激或電控磷光體、奈米晶體或量子點。
本發明之該複合式顯示裝置可進一步包含用於控制該第一光發射器及該第二光發射器之一像素控制器。該像素控制器可具有依不同於該第二光發射器之方式控制該第一光發射器之一控制電路。
無機光發射器之各者之基板可為其上或其中形成無機光發射器之一原生半導體基板，例如選自由下列各者組成之群組的一構件：一無機半導體材料、單晶矽晶圓、絕緣體上矽晶圓、多晶矽晶圓及GaAs晶圓、Si(1 1 1)、InP、InAlP、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP。無機光發射器可具有自2微米至5微米、自5微米至10微米、自10微米至20微米、或自20微米至50微米之一寬度、一長度及一高度之至少一者。
光發射器可安置於一顯示基板上。在一實施例中，由無機光發射器覆蓋之該顯示基板之面積不大於顯示裝置之50%、40%、30%、20%、10%、5%或3%。
本發明亦係關於複合式顯示裝置，其具有包含無機發光二極體 (ILED)及有機發光二極體(OLED)兩者之像素。OLED通常製造昂貴且通常難以形成具有OLED之一小RGB像素。然而，某些OLED比ILED更高效。例如，綠色OLED目前比其ILED對應物更高效。本發明提供一種複合式顯示裝置，其將ILED及OLED之一混合物用於各像素中。例如，在某些實施例中，該複合式顯示裝置中之各像素包含一紅色ILED、一藍色ILED及一綠色OLED。在此例項中，OLED程序將無需一高解析度遮蔽罩，藉此增強用於較大規格之OLED之可製造性。另外，在此實例中，OLED程序將無需習知方法通常所需之任何精細微影。OLED子像素(例如綠色子像素)可較大且ILED可較小(例如微紅色ILED及微藍色ILED)。小ILED之使用允許將其他功能(諸如微感測器及微積體電路)新增至像素。
可在將微ILED或其他功能印刷至顯示基板之前或在將微ILED或其他功能印刷至顯示基板之後於顯示基板上形成OLED。可使用微結構化壓印機來拾取微裝置，將該等微裝置轉移至目的地，且將該等微裝置印刷至一顯示基板上。使用表面黏著力來控制選擇此等裝置及將此等裝置印刷至該顯示基板上。可大規模地並行執行此程序。該等壓印機可經設計以在一單一拾取及印刷操作中轉移成百上千個離散結構。
微轉印亦使高效能半導體裝置能夠並行組合至幾乎任何基板材料(其包含玻璃、塑膠、金屬或其他半導體)上。基板可具可撓性，藉此容許生產可撓性電子裝置。可將可撓性基板整合成大量組態，其包含可不具有易碎矽基電子裝置之組態。另外，塑膠基板(例如)具機械堅固性且可用於提供不易受由機械應力引起之損壞或電子效能降級影響之電子裝置。因此，此等材料可用於藉由能夠以低成本在大基板區域上產生電子裝置之連續高速印刷技術(例如捲軸式製造)而製造電子裝置。
再者，此等微轉印技術可用於在與塑膠聚合物基板上之組合相容之溫度處印刷半導體裝置。另外，可將半導體材料印刷至大基板區域上，藉此使複雜積體電路能夠連續高速印刷於大基板區域上。再者，在撓曲或變形裝置定向上具有良好電子效能之完全可撓性電子裝置可經提供以實現一廣範圍之可撓性電子裝置。
圖1係用於(例如)一LCD顯示裝置中之一典型像素100之一圖解說明。像素100包含三個子像素104：一紅色子像素104a、一綠色子像素104b及一藍色子像素104c。在一液晶顯示裝置中，通常使用一色彩濾波器來產生各子像素104a、104b、104c之色彩，同時使用一背光來照亮濾波器。可透過變動施加至各子像素之電壓而控制各子像素之強度，使得一廣範圍之亮度位準(例如256個亮度位準)由各子像素104a、104b、104c產生(例如紅色之256個位準、綠色之256個位準、及藍色之256個位準)。在一液晶顯示裝置中，將電壓施加至基於所施加之電壓而扭曲之一液晶層，藉此變動來自背光之光量，該等光穿過液晶且因此穿過各子像素104a、104b、104c之色彩濾波器。
圖2係根據本發明而建構之一實例性像素200之一圖解說明。在此實例中，像素200具有類似於圖1中所展示之像素100之一大小，然而，圖2中所展示之像素200使用微ILED 202a至202d及OLED 204來建構。可將微ILED 202a至202d微轉印至一顯示基板(諸如一透明(其包含半透明、實質上透明及大部分透明)及/或可撓性基板)上。例如，該顯示基板可為塑膠、玻璃或藍寶石。
顯示裝置200包含展現低電力消耗同時仍投射亮光之微轉印冗餘RGB微ILED 202a至202d。在某些實施例中，各原色ILED(例如202a、202c)包含一冗餘備用ILED(例如，分別為202b、202d)。在某些實施例中，稀疏整合之微ILED 202a至202d允許將新功能性裝置(諸如微感測器208、電力採集裝置、手勢感測器及影像捕獲裝置)放置於 各像素內。微積體電路206(例如CMOS效能)可經微轉印以驅動微ILED 202及OLED 204。微積體電路206可包含嵌入式記憶體(例如非揮發性記憶體)。可使用記憶體來顯示靜態影像且無需不斷地刷新顯示裝置，其節省電力。該記憶體亦可儲存用於(例如)調整顯示裝置中之ILED 202a至202d及OLED 204之輸出的一或若干查詢表。除自顯示裝置200之前面發射光之外，ILED 202a至202d及OLED 204亦可自背側發射光。顯示裝置200可在一側上包含一黏著層以產生一印花狀顯示。用於顯示裝置中之佈線(諸如用於將微ILED 202a至202d、OLED 204及感測器208電耦合至積體電路206之佈線)可為精細導線或透明導線。
微組合之稀疏整合高效能光發射器202a至202d(微ILED)、OLED 204及驅動器206(微驅動器)製造具可撓性之明亮顯示裝置，汲取較少電力，或佔據顯示平面210之僅一小部分(相較於可比較之LCD或OLED顯示裝置)。例如，本發明可提供具有小於50%、40%或35%之一填充因數的一顯示裝置。雖然圖1之先前技術顯示裝置繪示相同大小之三個子像素，然實際上對於一OLED顯示裝置，更高效之有機綠光發射器可小於紅光發射器或藍光發射器。因此，在本發明之進一步實施例中，顯示裝置可具有小於30%、小於25%或小於20%之一填充因數(相較於其他LCD或OLED顯示裝置)。額外自由空間促進將具有更多功能之裝置(例如微感測器208)放置於顯示平面上，諸如手勢辨識、電力採集、冗餘、影像或光捕獲(例如光學感測器、光二極體)、紅外線感測器(例如，用於手勢感測、IR攝影機)、溫度感測器(例如，用於提供色彩/亮度校正之ILED溫度回饋)、或無線資料收集或傳輸裝置。顯示裝置亦可包含電力採集裝置(諸如太陽能電池(收集光))、運動能量收集(例如壓電裝置)、用於儲存能量之電容器、及/或用於採集電磁輻射之天線。可根據所要功能及應用而依不同密度(稀疏性)印刷 與顯示裝置交錯之轉印元件。例如，溫度感測器可包含於每隔一個像素中，而一影像捕獲裝置包含於各像素中。另外，由微ILED佔據之小操作區域允許建構透明顯示裝置、多模式顯示裝置、ILED及其他裝置之冗餘、及超亮顯示裝置。
圖3係根據本發明之一實施例之一複合式顯示裝置之一像素300之一實例性橫截面圖之一圖解說明。在此實例中，像素包含一紅色微ILED 302a、一藍色微ILED 302b及一綠色OLED 304；然而，其他組合係可行的。該等裝置位於顯示基板310上。顯示基板310可為玻璃、塑膠、藍寶石或其他材料。可將紅色微ILED 302a及藍色微ILED 302b微轉印至顯示基板上。此可在形成OLED 304之前或在形成OLED 304之後完成。在某些實施例中，此發生於已部分形成OLED 304之後。
在某些實施例中，將氧化銦錫(ITO)沈積或圖案化於顯示基板310上以形成一陽極306。可將微LED 302微組合至顯示基板310上。紅色微ILED 302a、藍色微ILED 302b及綠色OLED 304藉由金屬佈線314而電連接至適當驅動電路。在某些實施例中，將一堤岸層312沈積於微ILED 302及金屬佈線314上。可蒸鍍OLED層。該蒸鍍程序可透過一粗糙遮蔽罩而發生。毯覆式陰極金屬308經沈積以形成OLED 304。可透過一粗糙遮蔽罩而沈積毯覆式陰極金屬308。
OLED 304可由有機金屬螯合物(例如Alq3)、螢光及磷光染料、化合物(諸如苝、紅螢烯及喹吖啶酮衍生物)或共軛樹枝狀聚合物形成。在某些實施例中，OLED 304係利用一電致發光導電聚合物之聚合物發光二極體。該聚合物可為聚(對-伸苯基伸乙烯基)或聚芴。在某些實施例中，OLED 304係一磷光OLED。
在某些實施例中，微組合顯示裝置有利地包含若干色彩之微組合ILED、若干不同類型之微組合IR或溫度感測裝置、微組合被動電組件、或微組合控制或記憶體元件之一或多者。在某些實施例中，感 測元件之數目小於顯示裝置中之ILED之數目。在某些實施例中，感測元件之數目等於或大於ILED之數目。
在描述某些實施例之後，熟悉此項技術者現將明白可使用併入本發明之概念的其他實施方案。因此，本發明不應受限於某些實施方案，而是應僅受限於下列申請專利範圍之精神及範疇。
在本發明中，當將設備及系統描述為具有、包含或包括特定組件時，或當將程序及方法描述為具有、包含或包括特定步驟時，可預期：另外存在基本上由所述組件組成或由所述組件組成之本發明之設備及系統；及存在基本上由所述處理步驟組成或由所述處理步驟組成之根據本發明之程序及方法。
應瞭解，步驟之順序或某些動作之執行順序並不重要，只要本發明仍可操作即可。再者，可同時進行兩個或兩個以上步驟或動作。
300‧‧‧像素
302a‧‧‧紅色微無機發光二極體(ILED)
302b‧‧‧藍色微無機發光二極體(ILED)
304‧‧‧綠色有機發光二極體(OLED)
306‧‧‧陽極
308‧‧‧毯覆式陰極金屬
310‧‧‧顯示基板
312‧‧‧堤岸層
314‧‧‧金屬佈線

Claims (99)

  1. 一種複合式顯示裝置，其包括：複數個像素，其等經安置於一顯示基板上，各像素包括：一第一子像素，其發射一第一色彩之光；及一第二子像素，其發射不同於光之該第一色彩之一第二色彩之光，其中來自該第一子像素之光係由一無機光發射器發射，且來自該第二子像素之光係由一有機光發射器發射。
  2. 如請求項1之複合式顯示裝置，其中該無機光發射器係具有與該顯示基板分離且不同於該顯示基板之一原生半導體基板之一無機發光二極體(iLED)。
  3. 如請求項2之複合式顯示裝置，其中該iLED之該原生半導體基板包括選自由下列各者組成之群組之一構件：一無機半導體材料、單晶矽晶圓、絕緣體上矽晶圓、多晶矽晶圓及GaAs晶圓、Si(1 1 1)、InP、InAlP、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP。
  4. 如請求項1之複合式顯示裝置，其中該有機光發射器係安置於該顯示基板上之一有機發光二極體(OLED)。
  5. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其包括一第三子像素，該第三子像素發射不同於該第一色彩且不同於該第二色彩之一第三色彩之光，其中來自該第三子像素之光係由一無機光發射器發射。
  6. 如請求項5之複合式顯示裝置，其中該第一子像素係一紅色子像素，該第二子像素係一綠色子像素，且該第三子像素係一藍色子像素。
  7. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該顯示基板對 可見光具有大於或等於50%、80%、90%或95%之一透明度。
  8. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該顯示基板係選自由下列各者組成之群組之一構件：聚合物、塑膠、樹脂、聚醯亞胺、PEN、PET、金屬、金屬箔、玻璃、一半導體及藍寶石。
  9. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該顯示基板具有自5微米至10微米、自10微米至50微米、自50微米至100微米、自100微米至200微米、自200微米至500微米、自0.5毫米至1毫米、自1毫米至5毫米、自5毫米至10毫米，或自10毫米至20毫米之一厚度。
  10. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該無機光發射器具有自2微米至5微米、自5微米至10微米、自10微米至20微米，或自20微米至50微米之一寬度、一長度及一高度中之至少一者。
  11. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該顯示裝置係一主動矩陣顯示裝置。
  12. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該顯示裝置係一被動矩陣顯示裝置。
  13. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中各像素包括發射一第四色彩之光之一第四子像素。
  14. 如請求項13之複合式顯示裝置，其中該第四子像素係一黃色子像素。
  15. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中由ILED覆蓋之該非原生基板的面積不大於該顯示裝置的50%、40%、30%、20%、10%、5%或3%。
  16. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中各像素包括一 感測器。
  17. 如請求項16之複合式顯示裝置，其中該感測器包括一紅外線感測器、一溫度感測器及一電容感測器中之至少一者。
  18. 如請求項16之複合式顯示裝置，其中該複數個像素中之感測器的數目小於該複數個像素中之ILED的數目。
  19. 如請求項16之複合式顯示裝置，其中該複數個像素中之感測器的數目等於或大於該複數個像素中之ILED的數目。
  20. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中各像素包括經電連接至一各自像素中之各子像素之一積體電路。
  21. 如請求項20之複合式顯示裝置，其中該等積體電路位於相同於該等光發射器之平面上。
  22. 如請求項21之複合式顯示裝置，其中各積體電路係用以控制不同類型之光發射器。
  23. 如請求項21之複合式顯示裝置，其中各積體電路處理來自感測元件之信號。
  24. 如請求項21之複合式顯示裝置，其中由一各自積體電路驅動之各組光發射器形成一獨立子顯示裝置。
  25. 如請求項21之複合式顯示裝置，其中各積體電路經連接至一或多個整合天線。
  26. 如請求項21之複合式顯示裝置，其中該等積體電路具有內建冗餘。
  27. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該顯示基板具可撓性。
  28. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其包括覆蓋各像素中之該等光發射器之至少一部分的反射結構。
  29. 如請求項28之複合式顯示裝置，其中該等反射結構覆蓋各像素 中之該等光發射器之至少一側。
  30. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該等無機光發射器及該等有機光發射器之至少一者包括對一特定波長實質上透明之至少一材料，且該非原生基板對該特定波長透明。
  31. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其包括一介電材料(例如氧化矽或氮化矽)，該介電材料覆蓋該等無機光發射器及該等有機光發射器中之至少一者之一側，該側與該顯示基板對置。
  32. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其中該等無機光發射器之各者在與該等無機光發射器與該顯示基板之間之界面對置之該等無機光發射器的一側上具有兩個或兩個以上接觸件。
  33. 如請求項1至4中任一項之複合式顯示裝置，其包括包圍該等光發射器之至少一部分之一周邊之一絕緣層。
  34. 如請求項33之複合式顯示裝置，其中該絕緣層包括：一層光可界定介電質(例如BCB、聚醯亞胺、PBO、環氧樹脂或聚矽氧)，除在該一或多個金屬接觸件上方之區域中之外，該層光可界定介電質係交聯的。
  35. 一種微組合一複合式顯示裝置之方法，該複合式顯示裝置具有複數個像素，各像素包括無機發光二極體(ILED)及有機發光二極體(OLED)，該方法包括：提供複數個ILED；及將該複數個可印刷ILED微轉印至與該等iLED之半導體基板分離且不同於該等半導體基板之一顯示基板上，其中該等ILED在印刷至該非原生基板上之後經電連接；及在該複合式顯示裝置之各像素中形成一OLED；及在一顯示基板之表面上形成用於複數個綠色OLED之複數個陽 極(例如ITO陽極)，其中在微轉印該複數個ILED之前形成該複數個陽極。
  36. 如請求項35之方法，其中形成該等OLED包括：蒸鍍OLED層。
  37. 如請求項36之方法，其中透過一粗糙遮蔽罩來蒸鍍該等OLED層。
  38. 如請求項35至37中任一項之方法，其中形成該等OLED包括：沈積一陰極金屬。
  39. 如請求項38之方法，其中透過一粗糙遮蔽罩來沈積該陰極金屬。
  40. 如請求項35至37中任一項之方法，其中該複數個ILED包括發射紅光之紅色ILED及發射藍光之藍色ILED。
  41. 如請求項35至37中任一項之方法，其中該複數個OLED包括發射綠光之綠色OLED。
  42. 如請求項35之方法，其中各像素包括一第一子像素、一第二子像素及一第三子像素，且該第一子像素包括至少兩個紅色ILED，該第二子像素包括該綠色OLED，且該第三子像素包括至少兩個藍色ILED。
  43. 如請求項42之方法，其中該第二子像素大於該第一子像素且大於該第三子像素。
  44. 如請求項35至37中任一項之方法，其中該複數個ILED之各者包括對一特定波長實質上透明之至少一材料，且該顯示基板對該特定波長透明。
  45. 如請求項35至37中任一項之方法，其中該等OLED之各者包括對一特定波長實質上透明之至少一材料，且該顯示基板對該特定波長透明。
  46. 如請求項35至37中任一項之方法，其中一介電材料(例如氧化矽 或氮化矽)覆蓋該複數個ILED及OLED中之至少一者之一側，該側與該顯示基板對置。
  47. 如請求項35至37中任一項之方法，其中該等ILED之各者在與該ILED與該顯示基板之間的界面對置之該等ILED的一側上具有兩個或兩個以上接觸件。
  48. 如請求項35至37中任一項之方法，其包括：在形成至該複數個ILED之連接之前，提供包圍該等ILED之至少一部分之一周邊之一絕緣層。
  49. 如請求項48之方法，其中提供包圍該複數個ILED之各者之該周邊之一絕緣層包括：沈積一層光可界定介電質；將該光敏介電質曝露於光；及除在該一或多個金屬接觸件上方之區域中之外，使該光可界定材料交聯。
  50. 如請求項35至37中任一項之方法，其包括：將複數個積體電路轉移至該顯示基板。
  51. 如請求項35至37中任一項之方法，其包括：將各積體電路電連接至一組ILED。
  52. 如請求項51之方法，其中使用各IC來控制不同類型之ILED。
  53. 如請求項51之方法，其中各IC處理來自感測功能元件之信號。
  54. 如請求項51之方法，其中各IC處理至功能性陣列元件之控制信號。
  55. 如請求項51之方法，其中由一各自積體電路驅動之各組ILED形成一獨立子顯示裝置。
  56. 如請求項50之方法，其中各積體電路經連接至一或多個整合天線。
  57. 如請求項50之方法，其中該複數個積體電路具有內建冗餘。
  58. 如請求項50方法，其中該複數個積體電路之各者含有嵌入式記憶體。
  59. 如請求項35至37中任一項之方法，其包括：將複數個感測裝置轉移至該顯示基板。
  60. 如請求項59之方法，其中提供微組合感測裝置包括：提供兩個或兩個以上類型之溫度感測裝置。
  61. 如請求項59之方法，其中感測元件的數目小於該顯示裝置中之ILED的數目。
  62. 如請求項59之方法，其中感測元件的數目等於或大於該顯示裝置中之ILED的數目。
  63. 如請求項35至37中任一項之方法，其包括：在將該等ILED印刷至該非原生基板之前，曝露各ILED二極體之接面周邊(例如，藉由蝕刻)；及引起一高帶隙半導體(例如InGaAlP、InGaN、GaN、AlGaN)再生長於該曝露接面周邊上，藉此減少該ILED中之非輻射重合。
  64. 如請求項35至37中任一項之方法，其中該原生基板包括選自由下列各者組成之群組之一構件：一無機半導體材料、單晶矽晶圓、絕緣體上矽晶圓、多晶矽晶圓及GaAs晶圓、Si(1 1 1)、InP、InAlP、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP。
  65. 一種無機發光二極體顯示裝置，其係藉由如請求項35至64中任一項之方法而產生。
  66. 種複合式顯示裝置，其包括：複數個異質像素，其等經安置於一顯示基板上，各像素包括：一第一子像素，其發射一第一色彩之光；及一第二子像 素，其發射不同於該第一色彩之光之一第二色彩之光，其中來自該第一子像素之光係由一第一光發射器發射，且來自該第二子像素之光係由具有不同於該第一光發射器之一大小之一第二光發射器發射。
  67. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中該第一光發射器係一無機光發射器，而該第二光發射器係一有機光發射器。
  68. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中該第一光發射器係一無機光發射器，且該第二光發射器係一無機光發射器。
  69. 如請求項68之複合式顯示裝置，其中該等無機光發射器之各者之該原生半導體基板包括選自由下列各者組成之群組之一構件：一無機半導體材料、單晶矽晶圓、絕緣體上矽晶圓、多晶矽晶圓及GaAs晶圓、Si(1 1 1)、InP、InAlP、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP。
  70. 如請求項68之複合式顯示裝置，其中該等無機光發射器具有自2微米至5微米、自5微米至10微米、自10微米至20微米，或自20微米至50微米之一寬度、一長度及一高度中之至少一者。
  71. 如請求項68之複合式顯示裝置，其包括一顯示基板，該等光發射器係安置於該顯示基板上，且其中由無機光發射器覆蓋之該顯示基板的面積不大於該顯示裝置的50%、40%、30%、20%、10%、5%或3%。
  72. 如請求項66之複合式顯示裝置，其包括一第三光發射器。
  73. 如請求項72之複合式顯示裝置，其中該第三光發射器具有不同於該第一光發射器之一大小、不同於該第二光發射器之一大小，或不同於該第一光發射器及該第二光發射器之一大小。
  74. 如請求項72之複合式顯示裝置，其中該第一光發射器係發射紅 光之一紅光發射器，該第二光發射器係發射綠光之一綠光發射器，且該第三光發射器係發射藍光之一藍光發射器。
  75. 如請求項74之複合式顯示裝置，其中該綠光發射器小於該紅光發射器及該藍光發射器中之至少一者。
  76. 如請求項74之複合式顯示裝置，其中該綠光發射器大於該紅光發射器及該藍光發射器中之至少一者。
  77. 如請求項74之複合式顯示裝置，其中該紅光發射器大於該綠光發射器及該藍光發射器中之至少一者。
  78. 如請求項74之複合式顯示裝置，其中該藍光發射器大於該綠光發射器及該紅光發射器中之至少一者。
  79. 如請求項74之複合式顯示裝置，其中該紅光發射器小於該綠光發射器及該藍光發射器中之至少一者。
  80. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中：該第一光發射器回應於一共同控制信號而發射不同於該第二光發射器之光之一色彩之一色相、色調或色度；該第一光發射器回應於一共同控制信號而發射不同於該第二光發射器之一亮度；該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之一效率；該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之發射光之一角分佈；該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之一電子性質或敏感度；該第一光發射器使用不同於該第二光發射器之一物理機制來發射光；或該第一光發射器具有不同於該第二光發射器之一實體結構。
  81. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中該第一光發射器或該第二 光發射器係一無機光發射器、一有機光發射器、一無機發光二極體、一有機發光二極體、一雷射、一垂直腔表面發射雷射、或一光泵激或電控磷光體、奈米晶體或量子點。
  82. 如請求項66之複合式顯示裝置，其包括用於控制該第一光發射器及該第二光發射器之一像素控制器，且其中該像素控制器包括依不同於該第二光發射器之方式來控制該第一光發射器之一控制電路。
  83. 如請求項66之複合式顯示裝置，其包括一顯示基板，該等光發射器係安置於該顯示基板上，且其中該顯示基板對可見光具有大於或等於50%、80%、90%或95%之一透明度。
  84. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中該顯示基板係選自由下列各者組成之群組之一構件：聚合物、塑膠、樹脂、聚醯亞胺、PEN、PET、金屬、金屬箔、玻璃、一半導體及藍寶石。
  85. 如請求項83之複合式顯示裝置，其中該顯示基板具有自5微米至10微米、自10微米至50微米、自50微米至100微米、自100微米至200微米、自200微米至500微米、自0.5毫米至1毫米、自1毫米至5毫米、自5毫米至10毫米，或自10毫米至20毫米之一厚度。
  86. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中該顯示裝置係一主動矩陣顯示裝置。
  87. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中該顯示裝置係一被動矩陣顯示裝置。
  88. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中各異質像素包括發射一第四色彩之光之一第四子像素。
  89. 如請求項88之複合式顯示裝置，其中該第四子像素係一黃色子像素。
  90. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中各像素包括一感測器。
  91. 如請求項90之複合式顯示裝置，其中該感測器包括一紅外線感測器、一溫度感測器及一電容感測器中之至少一者。
  92. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中各像素包括經電連接至一各自像素中之各子像素之一積體電路。
  93. 如請求項92之複合式顯示裝置，其中該等積體電路位於相同於該等光發射器之平面上。
  94. 如請求項93之複合式顯示裝置，其中各積體電路係用以控制不同類型之光發射器。
  95. 如請求項90至94中任一項之複合式顯示裝置，其中各積體電路處理來自感測元件之信號。
  96. 如請求項92至94中任一項之複合式顯示裝置，其中該等積體電路具有內建冗餘。
  97. 如請求項66之複合式顯示裝置，其包括覆蓋各像素中之該等光發射器之至少一部分的反射結構。
  98. 如請求項97之複合式顯示裝置，其中該等反射結構覆蓋各像素中之該等光發射器之至少一側。
  99. 如請求項66之複合式顯示裝置，其中該等無機光發射器之各者在與該等無機光發射器與該顯示基板之間的界面對置之該等無機光發射器的一側上具有兩個或兩個以上接觸件。
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