TW201607003A - 藍寶石基板、藍寶石基板之製造方法 - Google Patents

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Ryota Yamaki
Hiroshi Matsumoto
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Sumitomo Metal Mining Co
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Abstract

提供一種藍寶石基板，其具有主表面、與該主表面相對之背面、以及端面，在該主表面與該端面之間、以及該背面與該端面之間設有倒角部，實施熱處理以使該端面及該倒角部的表面之至少一部分熔融。

Description

藍寶石基板、藍寶石基板之製造方法
本發明關於一種藍寶石基板、及藍寶石基板之製造方法。
藍寶石基板由於其優良的機械特性、熱特性、化學穩定性等而被關注，近些年，其被用作用於藍色、白色發光二極管之使GaN等之GaN系薄膜元件生長的基板。
藍寶石基板具有圓盤形狀，並具有磊晶生長GaN等GaN系薄膜元件之主表面、與該主表面相對之背面、以及位於主表面與背面之間的端面，並且較多使用對主表面實施了鏡面研磨之藍寶石基板。
另外，以往，由於與矽基板相比藍寶石基板的硬度較高，因此使用對端面部分未實施邊緣加工(倒角加工)且具有與主表面大致為直角之端面的藍寶石基板。
然而，當在未實施邊緣加工的藍寶石基板上利用MOCVD法等氣相生長法來生長GaN系半導體層時，在邊緣附近原料氣體的流動會產生混亂。因此，在該部分發生異常生長，其結果是，存在於邊緣附近之GaN系半導體層上形成比中央的平坦部更高之凸部的問題。因此，例如在專利文獻1中公開了一種藍寶石基板，其在晶體生長面的邊緣上實施了倒角加工。最近主要使用在主表面及背面、與端面之間實施了倒角加工的藍寶石基板。
<先前技術文獻> <專利文獻>
專利文獻1：日本特開2000-331940號公報
如上所述從鑄錠切割成圓盤形狀、對主表面實施了鏡面研磨處理或對端面實施了倒角加工等之藍寶石基板，被提供至用於在其主表面上形成GaN系薄膜元件等各種處理。
然而，在形成GaN系薄膜元件等的各種處理步驟中當在藍寶石基板內產生較大溫度梯度時，有時藍寶石基板會破裂。當藍寶石如此一般破裂時，實施了該處理的藍寶石基板無法在產品中使用、且需要廢棄，因此存在產品的成品率降低的問題。
因此，鑑於上述先前技術的問題，本發明之目的在於提供一種藍寶石基板，其可抑制由於藍寶石基板內的溫度梯度而引起之破裂的發生。
為了解決上述問題，本發明提供一種藍寶石基板，其具有主表面、與該主表面相對之背面、以及端面，在該主表面與該端面之間、以及該背面與該端面之間設有倒角部，實施熱處理以使該端面及該倒角部的表面之至少一部分熔融。
依據本發明，可提供一種藍寶石基板，其可抑制由於藍寶石 基板內的溫度梯度而引起之破裂的發生。
10、43‧‧‧藍寶石基板
11‧‧‧主表面
12‧‧‧背面
13‧‧‧端面
14A、14B‧‧‧倒角部
圖1是本發明之實施方式之藍寶石基板的剖面圖。
圖2是本發明之實施方式之藍寶石基板之製造方法的流程圖。
圖3A是本發明之實施例1中之熱處理前之端面的實體顯微鏡照片。
圖3B是本發明之實施例1中之熱處理後的端面的實體顯微鏡照片。
圖4A是實施例、比較例中之評價方法的說明圖。
圖4B是沿圖4A中箭頭A觀察評價裝置時的俯視圖。
以下，參照圖式對本發明的實施方式進行說明，本發明不限定於以下實施方式，在不脫離本發明之範圍的情況下，可對以下實施方式施加各種變形及置換。
(藍寶石基板)
對於本實施方式之藍寶石基板的一個構成例進行說明。
本實施方式的藍寶石基板可具有主表面、與主表面相對之背面、以及端面，在主表面與端面之間、以及背面與端面之間設有倒角部。並且，可實施熱處理以使端面及倒角部的表面之至少一部分熔融。
在如此形成GaN系薄膜元件等各種處理步驟中，存在例如由於藍寶石基板的一部分被加熱、被加熱之藍寶石基板與溫度較低的治具接觸，而在基板內產生較大之溫度梯度而藍寶石基板有時會破裂的問題。本發明之發明人對在藍寶石基板內產生較大溫度梯度時破裂的原因進行了 研究，發現主要是以藍寶石基板的倒角部或端面部分的瑕疵為起點、產生破裂。因此，在本實施方式之藍寶石基板中，透過針對藍寶石基板的端面及倒角部實施熱處理以使其表面的至少一部分熔融，從而降低、除去了瑕疵。因此，能夠提供一種抑制了由於藍寶石基板內的溫度梯度而引起的破裂發生的藍寶石基板。
在此首先利用圖1對本實施方式的藍寶石基板進行說明。圖1是藍寶石基板10之在通過中心軸之與主表面垂直的面上的剖面圖。
如圖1所示，本實施方式的藍寶石基板10具有主表面11、以及與主表面相對之背面12。並且，具有端面13，在主表面11與端面13之間設有倒角部14A。另外，在背面12與端面13之間設有倒角部14B。
主表面11例如是用於磊晶生長GaN等GaN系薄膜元件的面，以預先實施鏡面研磨為較佳。對於主表面11之表面粗度(算數平均粗度)Ra並未特別限定，可根據用途等來任意地選擇，但以主表面11的表面粗度Ra例如為0.30nm以下為較佳，為0.15nm以下為更佳。再者，表面粗度Ra由JIS B 0601規定，例如可利用針觸法或光學方法等來進行評價。
背面12如圖1所示是與主表面11相對的面，例如可將其加工成斑點狀，從而可與主表面11進行區別。例如可利用噴砂法、或使用了研磨粒的單面研磨來將背面12加工成斑點狀。再者，可以不將背面12設為斑點狀，而與主表面11同樣地對背面12亦實施鏡面研磨。
端面13相當於配置在主表面11及背面12之間之藍寶石基板10的外周端面(側面)，可設為與主表面11及背面12大致垂直的面。
倒角部14A及倒角部14B配置在主表面11及背面12、與端 面13之間。
在圖1中倒角部14A、14B的剖面為直線形狀。換言之，倒角部14A、14B藉由楔形加工而形成，為傾斜面。然而，倒角部14A、14B並不限定於該形態。對於倒角部14A、14B，例如可藉由R倒角加工而形成，設為帶有圓形的曲面形狀。此時，倒角部14A、14B的剖面為曲線形狀。
並且，在本實施方式之藍寶石基板10中，可對端面13及倒角部14A、14B實施熱處理以使其表面之至少一部分熔融。
藉由實施熱處理以使端面13及倒角部14A、14B的表面之至少一部分熔融，從而能夠降低、除去端面13及倒角部14A、14B的瑕疵。
如此一來，在本實施方式之藍寶石基板10中，由降低、除去了端面13及倒角部14A、14B的瑕疵，因此即使在藍寶石基板10內產生了溫度梯度，亦能夠抑制在藍寶石基板10中產生破裂。
另外，有時在藍寶石基板10中設有未示出的、表示特定之面方向的凹口或定向平面。凹口是設在藍寶石基板的端面上的切口，例如具有V字型之寬度較窄的形狀。並且，在凹口的切入表面上亦包括瑕疵，當在藍寶石基板內產生溫度梯度時亦會從凹口部產生破裂。然而，在本實施方式的藍寶石基板中，由於實施了熱處理以使端面13及倒角部14A、14B的表面的至少一部分熔融，因此能夠針對凹口部也一同降低、除去瑕疵。因此，亦能夠抑制以凹口部所包含的瑕疵為起點在藍寶石基板10產生破裂。
對於熱處理的條件並無特別限定，可任意選擇條件以使端面13及倒角部14A、14B之至少一部分熔融。以端面13及倒角部14A、14B之至少一部分熔融的方式進行熱處理的原因是，當利用熱處理使端面13及 倒角部14A、14B之至少一部分熔融、當熔融之表面再次固化時瑕疵的表層如瘡痂一般阻塞、無法成為破裂的起點。然而，當進行熱處理時，以在可維持藍寶石基板10的形狀的條件下實施為佳。因此，以未達作為藍寶石熔點的2050℃來實施為佳。特別是，以1600℃以上且未達2050℃來加熱並實施為更佳，以1800℃以上且2000℃以下來加熱並實施為進而更佳。
根據上述說明之本實施方式的藍寶石基板，由於對端面及倒角部實施了熱處理，因此針對端面及倒角部降低、除去了瑕疵。因此，即使是在於藍寶石基板內產生溫度梯度的情況下，亦能夠抑制在基板上產生破裂。
(藍寶石基板之製造方法)
接著，對本實施方式的藍寶石基板之製造方法的一個構成例進行說明。
本實施方式的藍寶石基板的製造方法例如可具有以下步驟。
切斷步驟，其將藍寶石鑄錠(sapphire ingot)切片，使其成為具有主表面、與主表面相對之背面、以及端面的藍寶石基板。
倒角步驟，其在藍寶石基板的主表面與端面之間、以及背面與端面之間形成倒角部。
熱處理步驟，其對藍寶石基板進行熱處理，以使端面及倒角部的表面之至少一部分熔融。
再者，利用本實施方式的藍寶石基板之製造方法，能夠適當地製造上述藍寶石基板。因此，除了以下說明的各點以外，可以為與上述藍寶石基板同樣的結構。
以下對各步驟進行說明。
首先，對切斷步驟進行說明。
切斷步驟是藉由將藍寶石鑄錠切片，從而使其成為具有主表面、與主表面相對之背面、以及端面的藍寶石基板。對將藍寶石鑄錠切片的方法並無特別限定，例如可利用線鋸來進行切片。另外，對切片後所得到之藍寶石基板的厚度並無特別限定，可根據用途等而設為任意的厚度，例如以設為0.40mm以上且4.0mm以下為較佳，以設為1.0mm以上且2.0mm以下為更佳。
再者，以在用於切斷步驟之藍寶石鑄錠的側面部預先形成表示特定之面方向的凹口及/或定向平面為較佳。對於凹口、定向平面的尺寸並無特別限定，以考慮在下述倒角步驟等中的端面的研磨量等來確定其尺寸為佳。另外，對於凹口的形狀亦可設為任意的形狀。
接著，對倒角步驟進行說明。
倒角步驟是在藍寶石基板的主表面與端面之間、以及背面與端面之間形成倒角部的步驟。
對於利用倒角步驟而形成之倒角部的形狀並無特別限定，例如可以如圖1所示的倒角部14A、14B一樣，將剖面設成直線形。換言之，可利用楔形加工來形成倒角部14A、14B，將其設成傾斜面。另外，例如亦可以利用R倒角加工來形成倒角部14A、14B，將其設成帶有圓形的曲面形狀。此時，倒角部14A、14B的剖面為曲線形狀。
在倒角步驟中，例如可使用槽沿著周面形成之圓柱形狀的磨石，該槽具有與所形成之端面及倒角部的形狀對應的剖面形狀。並且，藉 由以在該磨石之槽中容納藍寶石基板之端部的方式、一邊將磨石壓靠在藍寶石基板上一邊使藍寶石基板轉動來實施倒角。如此一來，上述形成在磨石上的槽表面與藍寶石基板的端面接觸、並對藍寶石基板的端面進行研磨，從而形成與倒角部14A、14B對應的部分。
作為在倒角步驟中所使用之磨石，例如可舉出金屬鍵結磨石等，對於包含在磨石中之研磨粒並無特別限定，例如以金剛石研磨粒或SiC研磨粒為較佳。作為磨石，以使用其號碼為#200以上且#800以下的磨石為較佳，以使用#400以上且#600以下的磨石為更佳。
接著，對熱處理步驟進行說明。
熱處理步驟是對藍寶石基板進行熱處理，以使端面13及倒角部14A、14B的表面之至少一部分熔融的步驟。藉由進行熱處理以使端面13及倒角部14A、14B的表面之至少一部分熔融，從而能夠降低、除去端面13及倒角部14A、14B的瑕疵，有時還能降低、除去凹口部表面的瑕疵。
在熱處理步驟中，對於加熱藍寶石基板的溫度並無特別限定，較佳為以原樣維持藍寶石基板的形狀、使藍寶石基板10的端面13及倒角部14A、14B的表面之至少一部分熔融來進行。由於藍寶石的熔點為2050℃，因此在熱處理步驟中以未達2050℃來加熱藍寶石基板為較佳，以1600℃以上且未達2050℃來加熱為更佳，以1800℃以上且2000℃以下來加熱為最佳。
對於在熱處理步驟中進行熱處理之時間並無特別限定，例如以達到預定的熱處理溫度後保持1小時以上為較佳，以保持2小時以上為更佳。然而，如果長時間高溫地保持，則有時有可能藍寶石基板會變形、 或生產性會降低，因此熱處理步驟的熱處理時間以5小時以下為較佳。
對於熱處理步驟的氣氛並無特別限定，例如可以為空氣氣氛、氧氣氛或非活性氣體氣氛。
再者，在本實施方式的藍寶石基板之製造方法中，對於熱處理步驟之後，以對端面13及倒角部14A、14B不進行研磨、磨削為較佳。因此，對於利用本實施方式的藍寶石基板的製造方法得到的藍寶石基板，其端面13及倒角部14A、14B具有與熱處理步驟後相同的特性為較佳。
如上所述藉由實施熱處理步驟，能夠降低、除去端面13及倒角部14A、14B的瑕疵。另外，藉由實施熱處理步驟亦能夠降低、除去在凹口部中形成的瑕疵。因此，利用本實施方式的藍寶石基板的製造方法得到的藍寶石基板能夠抑制由於藍寶石基板內之溫度梯度而引起的破裂發生。
可在本實施方式的藍寶石基板的製造方法中添加任意的步驟。例如，可按照圖2所示的流程圖來實施。
對圖2所示的流程圖進行說明。
首先，可實施切斷步驟(S21)。由於切斷步驟如上所述，因此在此省略其說明。
接著可實施拋光步驟(S22)。在拋光步驟(S22)中藉由對藍寶石基板的主表面11及背面進行研磨而使其成為大致平坦的面，並且可降低主表面11及背面12的表面粗度Ra。拋光步驟(S22)例如可使用兩面研磨裝置來實施。
接著，可實施倒角步驟(S23)。由於倒角步驟(S23)如上 所述因此省略其說明。
接著，可實施熱處理步驟(S24)。由於熱處理步驟(S24)如上所述因此省略其說明。需要說明的是，如上所述在本實施方式的藍寶石基板之製造方法中，以在熱處理步驟(S24)之後對端面13及倒角部14A、14B不進行研磨、磨削為佳。
接著可實施背面研磨步驟(S25)。背面研磨步驟(S25)可在將藍寶石基板的背面12設為與主表面11不同的表面粗度Ra時來實施。例如在背面研磨步驟(S25)中，可將背面設為斑點狀。
在背面研磨步驟(S25)中，例如可對藍寶石基板10的背面12實施例如噴砂處理、或利用研磨粒之研磨。對於背面研磨步驟中的研磨條件並無特別限定，以使其成為產品所要求之任意之表面粗度Ra的方式來進行背面12的研磨為較佳。
再者，將背面12形成為與主表面11相同的表面粗度Ra、亦即鏡面時，亦可不實施背面研磨步驟，而在下述的主表面研磨步驟(S27)中對背面12一併進行研磨。
接著可實施低溫熱處理步驟(S26)。當如上所述實施背面研磨步驟(S25)而主表面11與背面12的表面狀態不同時，由於在藍寶石基板10內產生應力，因此有時會在藍寶石基板10中產生彎曲。因此，本步驟是藉由實施熱處理而除去在藍寶石基板10中產生之彎曲的步驟。對於具體的熱處理條件並無特別限定，可根據藍寶石基板10之彎曲的狀態、或產品所允許之彎曲的程度等來任意地選擇，例如以1200℃以上且1600℃以下來實施為佳。
再者，當藍寶石基板10之彎曲程度為產品所允許的範圍時亦可不實施低溫熱處理步驟(S26)。
接著可實施主表面研磨步驟(S27)。在主表面研磨步驟(S27)中例如可利用單面研磨裝置以使主表面11成為鏡面的方式對主表面11進行鏡面研磨。對於主表面研磨步驟中的研磨條件並無特別限定，以使其成為產品所要求之表面粗度Ra的方式來對主表面11進行研磨為佳。
根據需要為了除去附著在藍寶石基板10之表面上的研磨粒或磨削屑等，亦可實施清洗步驟等。
在以上說明的本實施方式的藍寶石基板之製造方法中，在實施了倒角步驟後，實施了熱處理以使端面及倒角部的表面之至少一部分熔融。因此，對於利用該製造方法而得到之藍寶石基板的端面及倒角部，能夠降低、除去瑕疵。因此，即使當在藍寶石基板內產生了溫度梯度時，亦能夠抑制在基板上產生破裂。
<實施例>
以下舉出具體的實施例、比較例來進行說明，本發明不限定於該些實施例。
[實施例1]
(藍寶石基板之製造)
在本實施例中，利用以下步驟對所製作的藍寶石基板進行了評價。
首先，對藍寶石基板之製造方法進行說明。
對預先在側面之中的1處與藍寶石鑄錠之中心軸平行地形 成凹口之圓柱形的藍寶石鑄錠進行切片，直徑為150mm、厚度為1.5mm，而製作162片具有主表面、與主表面相對之背面、以及端面的圓盤形之藍寶石基板(切斷步驟)。
接著，以主表面與背面成為平坦的方式利用兩面研磨裝置(濱井產業株式會社製型號：16B)對主表面和背面進行研磨(拋光步驟)。此時，對各藍寶石基板之主表面和背面分別研磨30μm。
接著，實施在藍寶石基板的主表面與端面之間、以及背面與端面之間形成倒角部的倒角步驟。在倒角步驟中，如圖1所示，以倒角部14A、14B的剖面為直線形的方式，換言之以倒角部14A、14B為傾斜面的方式利用磨石進行倒角。
在倒角步驟中，使用了包含平均粒徑為40μm之金剛石研磨粒的號碼為#400的圓柱形金屬鍵結磨石。再者，沿著該磨石的周面，預先形成了具有與要形成之端面及倒角部之形狀對應的剖面形狀的槽。並且，藉由以在上述磨石之槽內容納藍寶石基板之端部的方式，一邊向藍寶石基板壓靠磨石一邊使藍寶石基板轉動而實施了倒角步驟。
接著，對結束了倒角步驟的藍寶石基板以2000℃在氬氣氛下實施了熱處理5小時(熱處理步驟)。再者，在上述時間中還包括升溫時間，達到2000℃後保持2小時。
接著，利用噴砂法對藍寶石基板的背面進行了研磨(背面研磨步驟)。具體而言，藉由利用0.2MPa之空氣將平均粒徑49μm的GC研磨粒噴到藍寶石基板的整個背面來實施，進行加工以使藍寶石基板的背面為斑點狀(表面粗度Ra0.8μm)。
接著，為了除去藍寶石基板上產生的彎曲而在空氣氣氛下以1400℃進行了12小時的熱處理(低溫熱處理步驟)。
並且，對於藍寶石基板10的主表面11，使用包含平均粒徑100nm的膠體矽石的磨漿，利用單元研磨裝置(不二越機械工業株式會社製型號：SPM-19A)進行了研磨(主表面研磨步驟)。在主表面研磨步驟中，利用15μm研磨對主表面11進行除去。再者，主表面研磨步驟後的主表面的表面粗度Ra為0.15nm。
對所得到的藍寶石基板10進行清洗後，使其乾燥，利用下述的評價方法進行了評價。
(評價方法、結果)
(1)端面之表面粗度的測定
對所製作的藍寶石基板之端面13進行了表面粗度Ra的測定。
表面粗度Ra的測定是利用表面粗度測定器(株式會社Kosaka Laboratory製、Surfcorder SE3500)來實施，利用依照JIS B 0651 2001的方法來進行測定。
對於所製作的162片藍寶石基板，可確認其表面粗度均為0.38μm。
再者，在此對端面部分進行了表面粗度的測定，對倒角部亦進行了與端面同樣的熱處理，可以說倒角部亦為同樣的表面粗度。
另外，對於所製作的藍寶石基板，在熱處理步驟前後利用實體顯微鏡對基板端面之狀態進行了放大50倍的觀察。觀察時所拍攝的照片 如圖3A、圖3B所示。圖3A表示出熱處理步驟前之端面的樣子，圖3B表示出熱處理步驟後之端面的樣子。如圖3A、圖3B所示，可以看出在熱處理步驟前後基板端面13的表面形狀發生變化，對於熱處理步驟後的基板如圖3B所示可確認在基板端面13熔融的跡象。
(2)破裂之產生評價
在所製作的藍寶石基板之基板內形成溫度梯度，評價產生破裂的藍寶石基板的片數。
圖4A、圖4B表示出在本評價方法中使藍寶石基板之一部分冷卻，而在基板內形成溫度梯度之評價裝置的結構。圖4A示意地表示出評價裝置的剖面圖，圖4B示意地表示出沿圖4A中箭頭A觀察評價裝置時的俯視圖。
如圖4A、圖4B所示，本評價裝置在加入有水溫保持21.0(±1℃)之水41的盆40內，配置有2個長方體的鋁支撐部42，鋁支撐部42藉由與水之間進行熱交換而保持大約21℃。
並且，對於利用上述步驟製作的藍寶石基板，利用熱板將藍寶石基板整體加熱到240℃後，如圖4A、圖4B所示將藍寶石基板43放置在2個鋁支撐部42之上表面。藉由將藍寶石基板43放置在鋁支撐部42上，使得藍寶石基板43之與鋁支撐部42接觸的部分變為大約21℃。並且，由於未與鋁支撐部42接觸的其他部分為240℃，因此能夠在藍寶石基板43內形成大約220℃的溫度梯度。
接著，放置藍寶石基板43直到其溫度變為40℃，觀察藍寶石基板43上是否產生破裂。
在本實施例中，對製作的共計162片藍寶石基板實施上述評價後，只有5片產生破裂，157片藍寶石基板43即使將其放置到溫度變為40℃為止亦未發生破裂。換言之，破裂的發生概率為3.1%。
[比較例1]
除了在切斷步驟後、拋光步驟實施前進行熱處理步驟；以及在低溫熱處理步驟後、主表面研磨步驟前實施鏡面研磨步驟這兩點以外，與實施例1同樣地製作了共計165片藍寶石基板。換言之，按照切斷步驟、熱處理步驟、拋光步驟、倒角步驟、背面研磨步驟、低溫熱處理步驟、鏡面研磨步驟、主表面研磨步驟的順序實施各步驟。
對於鏡面研磨步驟，一邊使刷子壓靠藍寶石基板的端面13及倒角部14A、14B、並向端面13及倒角部14A、14B與刷子之間供給含有研磨粒的研磨漿，一邊使藍寶石基板10轉動。作為上述含有研磨粒的研磨漿，使用含有平均粒徑2μm的金剛石研磨粒的研磨漿。在鏡面研磨步驟中，對端面13及倒角部14A、14B分別除去了20μm。再者，當利用研磨而對端面13除去了20μm時，由於端面13沿著藍寶石基板的周面存在，因此藍寶石基板的直徑與研磨前相比減少了40μm。
對於鏡面研磨步驟以外之各步驟以與實施例1同樣的條件進行。並且，對於所製作的藍寶石基板，與實施例1同樣地進行了上述(1)端面之表面粗度的測定、(2)破裂之發生評價。
對(1)端面之表面粗度進行測定後，可確認對於所製作的165片藍寶石基板其端面的表面粗度Ra均為0.12μm。另外，可以說倒角部亦為與端面同樣的表面粗度Ra。
(2)破裂的發生評價的結果，可確認165片藍寶石基板之中43片藍寶石基板發生了破裂。換言之，可確認破裂的發生概率為大約26%，比實施例1高。
在比較例1中儘管實施了熱處理步驟，但在熱處理步驟之後實施了倒角步驟，在倒角步驟之後僅實施了鏡面研磨步驟。並且，在鏡面研磨步驟中，對於凹口部分及其周邊有時無法充分地進行鏡面研磨。因此可認為，由於在鏡面研磨步驟中無法充分地除去在倒角步驟中在凹口部周邊形成的瑕疵，因此與實施例1相比，其破裂的發生概率較高。
[比較例2]
除了未實施鏡面研磨步驟這點以外，與比較例1同樣地製作了共計6片的藍寶石基板。並且，對於所製作的藍寶石基板，與實施例1同樣地進行了上述(1)端面之表面粗度的測定、(2)破裂之發生評價。
進行了(1)端面之表面粗度的測定後，可確認對於所製作的6片藍寶石基板，其端面的表面粗度Ra均為0.38μm。另外，可以說倒角部亦為與端面同樣的表面粗度Ra。
(2)破裂之發生評價的結果，6片藍寶石基板全部產生了破裂。換言之，破裂之發生概率為100%。
在比較例2中，儘管與比較例1同樣地實施了熱處理步驟，但在熱處理步驟之後實施了倒角步驟。因此，在熱處理步驟中在端面實施了熱處理的部分全部在倒角步驟中被除去。進而，可認為於倒角步驟中，在端面及倒角部上形成了瑕疵。並且，由於在倒角步驟之後未實施鏡面研磨步驟或熱處理步驟，因此可認為在端面及倒角部上殘餘的多個瑕疵成為 起點而產生破裂。
根據以上的結果，可確認當對於藍寶石基板的端面及倒角部進行了熱處理時，具有特別高之破裂發生的抑制效果。
以上藉由實施方式及實施例等對藍寶石基板以及藍寶石基板之製造方法進行了說明，但本發明並不限定上述實施方式及實施例等。於申請專利範圍所記載的本發明的主旨的範圍內，可進行各種變形、變更。
本申請案係主張基於2014年5月26日申請之日本專利申請案第2014-108457號之優先權，該日本專利申請案第2014-108457號之全部內容係藉由參照而併入本文中。

Claims (3)

  1. 一種藍寶石基板，其具有主表面、與該主表面相對之背面、以及端面，在該主表面與該端面之間、以及該背面與該端面之間設有倒角部，實施熱處理以使該端面及該倒角部的表面之至少一部分熔融。
  2. 一種藍寶石基板之製造方法，其具有：切斷步驟，其將藍寶石鑄錠(sapphire ingot)切片，使其成為具有主表面、與該主表面相對之背面、以及端面的藍寶石基板；倒角步驟，其在藍寶石基板的該主表面與該端面之間、以及該背面與該端面之間形成倒角部；以及熱處理步驟，其對該藍寶石基板進行熱處理，以使該端面及該倒角部的表面之至少一部分熔融。
  3. 如申請專利範圍第2項之藍寶石基板之製造方法，其中，在該熱處理步驟中，以1600℃以上且未達2050℃的溫度對該藍寶石基板進行熱處理。
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