TW201605037A - 顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板 - Google Patents

顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板 Download PDF

Info

Publication number
TW201605037A
TW201605037A TW103124949A TW103124949A TW201605037A TW 201605037 A TW201605037 A TW 201605037A TW 103124949 A TW103124949 A TW 103124949A TW 103124949 A TW103124949 A TW 103124949A TW 201605037 A TW201605037 A TW 201605037A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
electrode layer
light blocking
display panel
layer
Prior art date
Application number
TW103124949A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI556425B (zh
Inventor
張健承
吳宗典
劉康弘
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW103124949A priority Critical patent/TWI556425B/zh
Priority to CN201410406444.5A priority patent/CN104157646B/zh
Priority to US14/715,677 priority patent/US9196873B1/en
Publication of TW201605037A publication Critical patent/TW201605037A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI556425B publication Critical patent/TWI556425B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明之顯示面板包含複數顯示面板畫素單元。顯示面板畫素單元包含第一電極層、發光元件及光阻隔層。發光元件設置於第一電極層上，並與第一電極層電連接。發光元件具有發光面，發光面係位於發光元件相背於第一電極層之一端。光阻隔層係形成於第一電極層的上方，並與第一電極層夾成容置空間，以容納至少部分的發光元件。光阻隔層具有光阻隔區及非光阻隔區；光阻隔區對應於第一電極層未設有發光元件而曝露的部分，而非光阻隔區則對應於發光面。

Description

顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板
本發明係關於一種顯示面板畫素單元的架構及包含此種顯示面板畫素單元的顯示面板；具體而言，本發明係關於一種具有較高對比度的顯示面板畫素單元的架構及包含此種顯示面板畫素單元的顯示面板。
近年來，平面顯示裝置已被廣泛使用於各種領域中，可單獨作為顯示器，亦可嵌入電子裝置中作為資訊顯示之用。平面顯示裝置種類繁多，例如有機發光二極體顯示器、液晶顯示器、電泳顯示器等。以有機發光二極體顯示器而言，隨著技術的進步以及消費者對於畫質的要求增加，顯示器之光學表現需要不斷提升。光學表現通常包含多個層面，例如色彩飽和度、對比度、亮度等，均需滿足使用者不斷提高的使用標準。
平面顯示裝置的另一發展趨勢為使用領域的多元化，特別是隨著手持裝置及可穿戴裝置的普及化，平面顯示裝置經常被使用在戶外環境之下。然在戶外環境中使用時，經常需考慮環境外在光線對顯示影像對比度的影響。如圖1所示為傳統有機發光二極體顯示器的一個畫素單元。如圖1所示，畫素單元包含下基板1、下電極層2、發光層3、上電極層4及上基 板5。下電極層2係設置於下基板1上，發光層3、上電極層4及上基板5則堆疊其上。下電極層2係接受驅動訊號，以與上電極層4共同驅動發光層3發出光線。光線穿過上電極層4及上基板5向外發出，以形成顯示影像。然而，當在環境明亮的地方使用時，環境外在光線X會穿過上基板5而進入畫素單元內。由於下電極層2通常為金屬而具有反射性，進入畫素單元的外在光線X將會被下電極層2反射而向外射出。此時，反射後的外在光線X將與發光層3發出的光線同時被使用者觀察到，因而影響顯示影像的色彩表現及對比度。
本發明之目的在於提供一種顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板，可在減少對外在環境光線的反射。
本發明之另一目的在於提供一種顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板，可以在維持顯示影像的對比度條件下提高光強度。
顯示面板包含複數顯示面板畫素單元。顯示面板畫素單元包含第一基板、第一電極層、發光元件及光阻隔層。第一電極層係形成於第一基板上，並與第一基板上之控制電路連接，以接收控制訊號。發光元件設置於第一電極層上，並與第一電極層電連接。在單一顯示面板畫素單元中，可以設置一或多個發光元件。由於第一電極層之表面積較大，因此發光元件設置於第一電極層上時，僅遮蔽第一電極層之部分表面，其他部分表面則未為發光元件所遮蔽。發光元件具有發光面，發光面係位於發光元件相背於第一電極層之一端。
光阻隔層係形成於第一電極層的上方，並與第一電極層夾成 容置空間，以容納至少部分的發光元件。光阻隔層具有光阻隔區及非光阻隔區；光阻隔區對應於第一電極層未設有發光元件而曝露的部分，因此由第一電極層反射的光線將大部分抵達光阻隔層，再經光阻隔層選擇性地阻擋。而非光阻隔區則對應於發光面，因此發光面直接產生的光線將可經由非光阻隔區向外射出，而不會被光阻隔層所阻擋。藉由此一設計，可減低第一電極層對於外在環境光線的反射，以增加顯示影像的對比度及色彩表現。
100‧‧‧顯示面板畫素單元
200‧‧‧第一基板
210‧‧‧第一電極層
211‧‧‧基底層
212‧‧‧接觸層
215‧‧‧底部
217‧‧‧杯壁
220‧‧‧第二電極層
300‧‧‧發光元件
310‧‧‧發光面
400‧‧‧容置空間
500‧‧‧光阻隔層
501‧‧‧線偏光層
503‧‧‧1/4波長波片
510‧‧‧光阻隔區
530‧‧‧非光阻隔區
550‧‧‧膜片本體
570‧‧‧光學結構
600‧‧‧第二基板
800‧‧‧間隔帶
810‧‧‧金屬層
830‧‧‧保護層
910‧‧‧反射式偏光增亮膜
911‧‧‧穿透區
920‧‧‧增亮膜
圖1為傳統有機發光二極體顯示器的一個畫素單元之示意圖；圖2為本發明顯示面板畫素單元之實施例元件爆炸示意圖；圖3為本發明顯示面板畫素單元之實施例剖視示意圖；圖4為外在光線進入畫素單元之光路示意圖(為清楚說明，部分元件採分解方式繪製)；圖5為本發明顯示面板畫素單元之另一實施例剖視示意圖；圖6A為本發明顯示面板畫素單元之另一實施例剖視示意圖；圖6B為圖6A所示實施例之變化示意圖；圖7為本發明顯示面板畫素單元之另一實施例剖視示意圖；圖8為發光元件之發射光譜及光阻隔區之穿透光譜實施例示意圖；圖9為本發明顯示面板之實施例示意圖；圖10為圖9所示實施例之局部剖視示意圖； 圖11為本發明顯示面板畫素單元增加反射式偏光增亮膜之實施例示意圖；圖12為本發明顯示面板畫素單元增加反射式偏光增亮膜及增亮膜之實施例示意圖。
本發明係提供一種顯示面板畫素單元的架構及包含此種顯示面板畫素單元的顯示面板。在較佳實施例中，顯示裝置係為自發光型的顯示面板，且較佳可包含以發光二極體作為發光源的自發光型顯示面板。
在圖2所示的實施例中，顯示面板畫素單元100包含第一基板200、第一電極層210、發光元件300及光阻隔層500。第一基板200上較佳形成有控制電路(未繪示)，例如薄膜電晶體電路，以提供控制訊號。第一電極層210較佳係由金屬形成，例如銀、鉬鋁鉬合金等；然而第一電極層210亦可包含如銦錫氧化物(ITO)等具導電性之化合物。第一電極層210係形成於第一基板200上，並與第一基板200上之控制電路連接，以接收控制訊號。如圖3所示，在本實施例中，第一電極層210係由基底層211及接觸層212共同形成。基底層211較佳係由如銀、鉬鋁鉬合金等金屬所形成，直接與第一基板200上之控制電路連接，並較佳形成為碗杯狀。接觸層212較佳由如銦錫氧化物(ITO)等具導電性之化合物形成，其係覆蓋於基底層211上，以提供基底層211保護。
發光元件300較佳為發光二極體元件，其係設置於第一電極層210上，並與第一電極層210電連接。在單一顯示面板畫素單元中，可以 設置一或多個發光元件300。如圖3所示，由於第一電極層210之表面積較大，因此發光元件300設置於第一電極層210上時，較佳僅遮蔽第一電極層210之部分表面，其他部分表面則未為發光元件300所遮蔽。另，在本實施例中，第一電極層210形成為碗杯狀，包含有底部215及杯壁217，發光元件300係設置於底部215上而為杯壁217所圍繞，以容納於此碗杯狀的結構中。發光元件300具有發光面310，發光面310係位於發光元件300相背於第一電極層210之一端。以較佳實施例而言，發光面310係為發光元件300之主要產生光線向外射出之一面，其法線方向則為發光元件300發光的正向；然而除了發光面310外，發光元件300之其他表面亦可產生光線，而並非僅有發光面310產生光線。
如圖2及圖3所示，光阻隔層500係形成於第一電極層210的上方，並與第一電極層210夾成容置空間400，且發光元件300的至少部分係位於容置空間400內。換言之，在此實施例中，光阻隔層500係隔著容置空間400而位於第一電極層210上方，故兩者並未有實質接觸。光阻隔層500較佳係與第一基板200平行，且由圓偏光片所形成；然而在不同實施例中，光阻隔層500亦可由抗反射膜所形成。在此實施例中，第一電極層210係形成為碗杯狀而具有杯壁217，杯壁217及底部215於光阻隔層500所在平面的投影，係完全落於光阻隔層500之範圍內。如圖3所示，光阻隔層500具有光阻隔區510及非光阻隔區530。光阻隔區510係對應於第一電極層210未設有發光元件300而曝露之部分；在較佳實施例中，光阻隔區510係覆蓋於第一電極層210未設有發光元件300而曝露的部分之上，因此由第一電極層210反射的光線將大部分抵達光阻隔區510，再經光阻隔區510選擇性地阻擋。而非 光阻隔區530則對應於發光面310，因此發光面310直接產生的光線將可經由非光阻隔區530向外射出，而不會被光阻隔層500所阻擋。如圖3所示，光阻隔區510在第一電極層210上的投影範圍不會與發光元件300在第一電極層210上的設置位置重疊；而非光阻隔區530在第一電極層210上的投影範圍則會與發光元件300在第一電極層210上的設置位置重疊。
在圖3所示之實施例中，顯示面板畫素單元另包含有第二基板600及第二電極層220。第二基板600係設置與第一基板200對向，並將第一電極層210、發光元件300及光阻隔層500夾在其間。第二電極層220較佳係設置或貼合於第二基板600之內面，亦即朝向第一基板200之一面，且第二電極層220係設置或貼合於發光面310。第二電極層220較佳係為透明而可為光線穿透，可由如銦錫氧化物(ITO)等具導電性之化合物形成。在本實施例中，藉由第一電極層210作為陽極而第二電極層220作為陰極以提供電源，發光元件300得以產生光線，且穿過第二電極層220向外發出。然而在不同實施例中，亦可將提供電源的電路完全設置於第一基板200上，此時即可不需設置第二電極層220。
如圖3所示，光阻隔層500亦設置或貼合於第二基板600之內面，亦即朝向第一基板200之一面。在此實施例中，非光阻隔區530係以開孔的方式形成。換言之，非光阻隔區530形成為由光阻隔區510所圍繞成之開孔。發光元件300之頂端係伸入作為非光阻隔區530之開孔內；亦即發光面310亦容納於此開孔之內。由於非光阻隔區530並未有實質對光線的阻擋，因此發光面310產生的光線自可順利向外射出。此外，在此實施例中，第二電極層220因與光阻隔層500同樣都貼合於第二基板600上且實質容納 於非光阻隔區530內，因此第二電極層220與光阻隔層500朝向第二基板600之表面係齊平。
另如前所述，在圖3所示之實施例中，光阻隔層500係由圓偏光片所形成；圓偏光片較佳由線偏光片501及1/4波長波片503所組成。如圖3所示，線偏光片501及1/4波長波片503均僅分佈於光阻隔區510。線偏光片501及1/4波長波片503相互疊合，其中1/4波長波片503位在線偏光片501朝向第一電極層210之一側。如圖4所示之光路，對於自外在環境入射顯示面板畫素單元的外在光線A而言，線偏光片501係允許同一偏極性之外在光線A進入，而阻擋其他部分的外在光線。而通過線偏光片501後的外在光線A經1/4波長波片503調變1/4波長後進入到容置空間400內，再經第一電極層210或其他部分反射後回到1/4波長波片503。反射後的光線穿過1/4波長波片503時進行第二次1/4波長的調變，再次抵達線偏光片501。加上進入時的調變，這些外在光線A相對於通過線偏光片501進入時，前後總共調變了1/2波長，因此當再回到線偏光片501而欲向外射出時，將全部為線偏光片501所阻擋而無法通過。藉由此一設計，可使經第一電極層210反射的外在光線強度相對減弱，而不會影響發光元件300由發光面310所發出的光線，因此可增加對比度。此外，發光元件300亦可能由其他非發光面310之表面產生光線B，光線B經第一電極層210反射後亦可穿過光阻隔區510而向外射出。雖然線偏光片501可能阻擋光線B中之一部分，但仍會允許光線B中具有適當偏極性之部分通過。
在圖5所示之實施例中，形成為非光阻隔區530之開孔係形成為斗形或錐形，其係隨著遠離第一電極層210而逐漸擴張。換言之，開孔在 平行於發光面310方向上之剖面開口面積在沿遠離第一電極層210之方向Y上逐漸增加。藉由此一設計，非光阻隔區530可允許更多自發光元件300產生的光線經由非光阻隔區530向外射出，以提高對比度。此外，在圖5所示之實施例中，杯壁217係朝光阻隔層500延伸至較接近光阻隔層500的位置；例如杯壁217之壁面高度大於容置空間400高度的一半以上。藉由此一設計，可使得杯壁217的反射面積增加，以提升發光元件300側向發光的回收利用率。
圖6A所示為顯示面板畫素單元的另一實施例。在此實施例中，光阻隔層500係包含膜片本體550及複數光學結構570。在前述的圓偏光片實施例中之線偏光片及1/4波長波片即可如圖6A所示之膜片本體550及複數光學結構570的組合來達成，例如將複數設有光學結構570之膜片本體550疊合。如圖6A所示，光阻隔區510及非光阻隔區530均分佈於膜片本體550上。膜片本體550具有透光性，而光學結構570則設置形成於膜片本體550上，以形成光阻隔區510。膜片本體550在非光阻隔區530範圍中並無設置光學結構570，因此不具光阻隔性而允許光線進出。另在本實施例中，顯示面板畫素單元包含有第二基板600及第二電極層220。第二基板600係設置與第一基板200對向，並將第一電極層210、發光元件300及光阻隔層500夾在其間。第二電極層220較佳係設置或貼合於膜片本體550之內面，亦即朝向第一基板200之一面，且第二電極層220係設置或貼合於發光面310。第二電極層220較佳為透明而可為光線穿透，可由如銦錫氧化物(ITO)等具導電性之化合物形成。在本實施例中，藉由第一電極層210作為陽極而第二電極層220作為陰極以提供電源，發光元件300得以產生光線，且穿過第二電極層220 向外發出。
在圖6A所示之實施例中，因不需如同之前所述之實施例以孔洞方式來形成非光阻隔區530，而是以在膜片本體550上的未佈設結構區來形成非光阻隔區530，因此與發光面310相對的非光阻隔區530中仍有膜片本體550的存在。如圖6A所示，發光面310及第二電極層220係可以塗膠或其他方式與膜片本體550的底面連接。相對而言，雖然在發光面310的外側多了膜片本體550的設置，但因發光面310不會自膜片本體550上的孔洞穿出，因此膜片本體550的外側面即不需考慮因形成孔洞而可能造成的平坦性問題，在組裝及製程上較易達成整體外側表面的平坦化。
在圖6B所示之實施例中，包含在膜片本體550內的非光阻隔區530係形成為斗形或錐形，其係隨著遠離第一電極層210而逐漸擴張。換言之，非光阻隔區530在平行於發光面310方向上之剖面面積在沿遠離第一電極層210之方向Y上逐漸增加。藉由此一設計，非光阻隔區530可允許更多自發光元件300產生的光線經由非光阻隔區530向外射出，以提高對比度。
在圖7所示之實施例中，光阻隔層500係以抗反射膜的形式設置。如圖7所示，光學結構570係可以顆粒或氣泡的形式設置於膜片本體550之上或之內，以達到抗反射的效果。當外在光線A欲穿過光阻隔層500，則會被光學結構570所折射或反射，以減少外在光線A直接進入顯示面板畫素單元內。當內部的光線C經反射而向外射出時，也會被光學結構570所折射或反射到偏離顯示面法線較大的角度，以減少對對比度的影響。
在另一實施例中，亦可對光阻隔層500中光阻隔區510之穿透光譜進行調整，以產生光阻隔的效果。假設在畫素單元中的發光元件300為 紅色，則其產生色光的發射光譜波段E較佳將落在620nm-760nm之間，如圖8所示。此時可將光阻隔區510之穿透光譜波段D設定在類似的區間範圍，以與發射光譜波段E至少部分重疊。當外在光線欲穿透光阻隔區510時，則將僅有符合穿透光譜波段D之部分光線可穿透，其他光線將會被阻擋在外而不會被第一電極層反射，以減少對影像對比度及色彩表現的影響。此外，自發光元件300非發光面310的表面產生的光線，亦可在內部反射後穿過光阻隔區510向外射出，以增加光利用效率。
圖9所示為本發明顯示面板的實施例。如圖9所示，顯示面板包含複數個顯示面板畫素單元100。相鄰的顯示面板畫素單元100中較佳設置不同顏色的發光單元300，以形成顯示影像。在相鄰的顯示面板畫素單元10之間較佳具有間隔帶800，以區分不同的顯示面板畫素單元100。如圖10所示，間隔帶800的結構較佳包含金屬層810及保護層830。金屬層810較佳係供作形成控制電路結構及訊號傳導線路，保護層830則覆蓋於金屬層810上。在本實施例中，光阻隔層500之光阻隔區510係延伸至覆蓋於間隔帶800上方，減少外在光線穿過保護層830而在金屬層810上產生的反射，以進一步提高對比度。
在圖11所示之實施例中，係在光阻隔層500及下方加設一層反射式偏光增亮膜(Dual Brightness Enhancement Film,DBEF)910。反射式偏光增亮膜910較佳係與第一電極層910間具有一間隔，且具有一例如孔洞的穿透區911對應於發光面310，因此發光面310的光線可在不受反射式偏光增亮膜910的影響下向外射出。本實施例除原有減少環境光影響的效果外，另可增加發光元件300的光利用率。如圖11所示，發光元件300之側向光經第 一電極層210或其他反射元件反射後，即抵達反射式偏光增亮膜910。在本實施例中，反射式偏光增亮膜910係允許P波的光穿透，而將S波的光反射回來。同樣地，光阻隔層500亦允許P波的光穿透。經反射式偏光增亮膜910反射後的S波光線經第一電極層210或其他反射元件回收反射後成為具有P波及S波的光線，因此其中P波的部分即可再穿透反射式偏光增亮膜910及光阻隔層500而向外射出。換言之，相較於無反射式偏光增亮膜910設置之實施例僅單純將S波光線阻擋及吸收，本實施例係可將S波光線回收再利用，因此對於發光元件300的光利用效率有所提升。
另在圖12所示之實施例中，係於反射式偏光增亮膜910下方另加設一層增亮膜(Brightness Enhancement Film,BEF)920，增亮膜920較佳係與第一電極層210間夾有間距。增亮膜920較佳係由整排平行排列的稜鏡所形成，其係可將由第一電極層210或其他反射元件反射後的光進行朝增亮膜920之法線方向集中，以增加亮度。藉由增亮膜920的設置，可將更多發光元件300自側邊散射的光線回收利用，進一步提高發光元件300的光利用效率。
本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發明之範例。必需指出的是，已揭露之實施例並未限制本發明之範圍。相反地，包含於申請專利範圍之精神及範圍之修改及均等設置均包含於本發明之範圍內。
200‧‧‧第一基板
210‧‧‧第一電極層
211‧‧‧基底層
212‧‧‧接觸層
215‧‧‧底部
217‧‧‧杯壁
220‧‧‧第二電極層
300‧‧‧發光元件
310‧‧‧發光面
400‧‧‧容置空間
500‧‧‧光阻隔層
501‧‧‧線偏光層
503‧‧‧1/4波長波片
510‧‧‧光阻隔區
530‧‧‧非光阻隔區
600‧‧‧第二基板

Claims (16)

  1. 一種顯示面板畫素單元，包含：一第一電極層；一發光元件，設置於該第一電極層上，並具有一發光面相背於該第一電極層；以及一光阻隔層，形成於該第一電極層上方，並與該第一電極層夾成一容置空間容納至少部分該發光元件；其中，該光阻隔層具有一光阻隔區及一非光阻隔區；該光阻隔區係對應於該第一電極層未設有該發光元件而曝露之部分；該非光阻隔區則對應於與該發光面。
  2. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，其中該光阻隔區係與該第一電極層未設有該發光元件之部分至少部分投影重疊；該非光阻隔區與該發光面係至少部分投影重疊。
  3. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，其中該非光阻隔區形成為由該光阻隔區所圍繞之一開孔，該發光元件之至少部分伸入該開孔內，且該發光面產生之光線經由該開孔射出。
  4. 如請求項3所述之顯示面板畫素單元，進一步包含一第二電極層設置於該發光面，該第二電極層係與該光阻隔層之一表面齊平。
  5. 如請求項3所述之顯示面板畫素單元，其中該開孔在平行該發光面方向上之剖面開口面積在沿遠離該第一電極層之方向上逐漸增加。
  6. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，其中該光阻隔層包含：一膜片本體；其中，該光阻隔區及該非光阻隔區均分佈於該膜片本體上；以及複數光學結構，係形成於該膜片本體上以形成該光阻隔區，且避開 該非光阻隔區。
  7. 如請求項6所述之顯示面板畫素單元，進一步包含一第二電極層設置於該發光面，該膜片本體分佈於該非光阻隔區之部分係疊合於該第二電極層上。
  8. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，其中該光阻隔層包含：一線偏光層，僅分佈於該光阻隔區；以及一1/4波長波片，僅分佈於該光阻隔區且設置與該線偏光層疊合；其中，該1/4波長波片係位在該線偏光層朝向該第一電極層之一側。
  9. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，其中該光阻隔層包含一抗反射膜。
  10. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，其中該發光元件產生之色光具有一發射光譜；該發射光譜中波段與該光阻隔區之穿透光譜之波段至少部分重疊。
  11. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，其中該第一電極層係形成為碗杯狀，且包含一底部及環繞該底部之一杯壁；該發光元件係設置於該底部上且為該杯壁所圍繞；該光阻隔層係覆蓋該杯壁頂端內之區域。
  12. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，其中該發光元件遮蔽部分之該第一電極層。
  13. 如請求項1所述之顯示面板畫素單元，進一步包含一反射式偏光增亮膜設置於光阻隔層下方，並與該第一電極層之間夾有一間距；其中，該反射式偏光增亮膜具有一穿透區對應於該發光面。
  14. 如請求項13所述之顯示面板畫素單元，進一步包含一增亮膜設置於該反射式偏光增亮膜設置於光阻隔層下方，並與該第一電極層之間夾有一 間距。
  15. 一種顯示面板，包含複數個如請求項1至14中任一所述之顯示面板畫素單元。
  16. 如請求項15所述之顯示面板，其中相鄰之該些顯示面板畫素單元間具有一間隔帶，該光阻隔層之該光阻隔區係延伸至覆蓋該間隔帶。
TW103124949A 2014-07-21 2014-07-21 顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板 TWI556425B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103124949A TWI556425B (zh) 2014-07-21 2014-07-21 顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板
CN201410406444.5A CN104157646B (zh) 2014-07-21 2014-08-18 显示面板像素单元及包含其的显示面板
US14/715,677 US9196873B1 (en) 2014-07-21 2015-05-19 Display panel pixel unit and display panel using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103124949A TWI556425B (zh) 2014-07-21 2014-07-21 顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201605037A true TW201605037A (zh) 2016-02-01
TWI556425B TWI556425B (zh) 2016-11-01

Family

ID=51883110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103124949A TWI556425B (zh) 2014-07-21 2014-07-21 顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9196873B1 (zh)
CN (1) CN104157646B (zh)
TW (1) TWI556425B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI784612B (zh) * 2021-07-05 2022-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102661474B1 (ko) * 2016-04-11 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6888168B2 (ja) 2018-03-16 2021-06-16 富士フイルム株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
TWI699903B (zh) * 2019-05-17 2020-07-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327195A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌパネル及びその製造方法
KR101087567B1 (ko) * 2004-03-23 2011-11-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2006073219A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP4251292B2 (ja) * 2005-01-31 2009-04-08 日本精機株式会社 表示装置
TWI261378B (en) 2005-09-19 2006-09-01 Ind Tech Res Inst Polarized light emitting device
US7402951B2 (en) * 2005-09-27 2008-07-22 Eastman Kodak Company OLED device having improved contrast
JP2007188653A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
TWM312019U (en) * 2006-11-09 2007-05-11 Yuan Lin White light emitting diode device
JP2010093068A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR101092097B1 (ko) * 2009-08-31 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8508028B2 (en) * 2010-07-16 2013-08-13 Yu-Lung Huang Chip package and method for forming the same
US8749007B1 (en) * 2011-01-26 2014-06-10 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate and diffuser formed therein
KR20120118686A (ko) * 2011-04-19 2012-10-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 모듈
KR101913244B1 (ko) * 2011-07-29 2018-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US8907319B2 (en) * 2011-12-12 2014-12-09 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP5607673B2 (ja) * 2012-03-09 2014-10-15 日東電工株式会社 光学的表示装置
TWM467954U (zh) * 2013-08-13 2013-12-11 Superc Touch Corp 具金屬感應層之內嵌式有機發光二極體觸控顯示面板結構
JP6060530B2 (ja) * 2012-06-12 2017-01-18 ソニー株式会社 有機電界発光素子及び表示装置
TWI467528B (zh) 2013-10-30 2015-01-01 Au Optronics Corp 發光二極體顯示面板及其製作方法
CN203644785U (zh) * 2013-12-23 2014-06-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 Oled显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI784612B (zh) * 2021-07-05 2022-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104157646B (zh) 2017-03-22
CN104157646A (zh) 2014-11-19
US9196873B1 (en) 2015-11-24
TWI556425B (zh) 2016-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI451169B (zh) 背光模組及使用其之顯示裝置
KR100800932B1 (ko) 표시 장치
TWI661548B (zh) 有機發光二極體顯示裝置
KR20060060583A (ko) 조명 장치 및 그 조명 장치를 이용한 반사형 액정 표시장치
JP2009301912A (ja) バックライトユニット及び液晶表示装置
US11342540B2 (en) AMOLED display panel that includes a diffusion film, display panel production method, and display apparatus
TW201533510A (zh) 背光組件及包含該背光組件的液晶顯示器
TWI556425B (zh) 顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板
CN113764601A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
JP2007234391A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
JP2006234963A (ja) 液晶表示装置
KR20200120787A (ko) 표시 장치
CN111564570B (zh) 显示面板及显示装置
KR20190010777A (ko) 표시 장치 및 이를 제조하는 방법
JP2006323303A (ja) 表示装置
WO2017073469A1 (ja) 照明装置及び表示装置
JP4932317B2 (ja) 表示装置
JP2006154402A (ja) 反射型液晶表示装置
JP2006156751A (ja) 照明装置
JP5459728B2 (ja) 液晶表示装置
CN110518149A (zh) 显示装置及显示面板
JP2013120319A (ja) 液晶表示装置
JP2010205634A (ja) 照明装置および表示装置
JP2007052159A (ja) 表示装置
TWI437327B (zh) 背光模組