JP6888168B2 - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンスによる発光を用いる表示装置に関する。

近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ（Electro Luminescence）および無機ＥＬ（無機ＬＥＤ（Light Emitting Diode））等の自己発光型の発光素子を用いる表示装置の開発が進んでいる。

画像表示装置は、特に明環境では外光を反射してしまい、コントラストを悪化させてしまう。
そのため、有機ＥＬ表示装置および無機ＥＬ表示装置など、発光素子を用いる自己発光型の表示装置は、表面に、偏光子とλ／４板とからなる円偏光板を、反射防止フィルムとして設けている。

例えば、特許文献１には、反射電極、有機ＥＬ発光層および透明電極からなる有機ＥＬ素子部と、位相差板および偏光板からなる円偏光板と、を備え、円偏光板の表面が反射する光の色の補色波長領域の反射率が高い反射防止層を、円偏光板より観察者側に設けられている部材の空気界面に設けた、有機ＥＬ表示装置が記載されている。
また、特許文献２には、偏光子と、λ／４板として機能する位相差層と、バリア層と、バリア機能を有する粘着剤層と、をこの順に備え、バリア層が、厚さ５〜１００μｍの薄ガラスである、有機ＥＬ表示装置用円偏光板、および、この円偏光板を備える有機ＥＬ表示装置が記載されている。

特開２００９−２５９７２１号公報 特開２０１７−０２２０１６号公報

このような、無機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置等の自己発光型の表示装置は、偏光子とλ／４板とからなる反射防止フィルム（円偏光板）を有することにより、外光の反射を防止して、高いコントラストでの画像表示を可能にしている。
しかしながら、その反面、偏光子とλ／４板からなる反射防止フィルムは、発光素子が発光した光も、吸収してしまう。そのため、従来の自己発光型の表示装置は、光の利用効率が低く、ＬＥＤ等の発光素子の性能を十分に発揮できていない。

本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決することにあり、無機ＥＬ素子および有機ＥＬ素子等を用いる自己発光型の表示装置において、外光の反射防止効果と、発光素子が発光した光の利用効率の向上とを両立できる、表示装置を提供することにある。

この課題を解決するために、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、以下の構成を有する。
［１］ エレクトロルミネッセンスによる発光素子を、複数、有するエレクトロルミネッセンス基板と、λ／４波長板と、パターン偏光層を含む偏光板とを、この順で有し、
パターン偏光層は、偏光度が８０％未満の領域Ａと、偏光度が８０％以上の領域Ｂとを有し、さらに、パターン偏光層の領域Ａの位置と、エレクトロルミネッセンス基板の発光素子の位置とが、対応していることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
［２］ パターン偏光層の領域Ａが、偏光度が１０％以下の領域を有する、［１］に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［３］ パターン偏光層の領域Ａの単体透過率が５０％以上である、［１］または［２］に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［４］ パターン偏光層における領域Ａの面積率をＳＡ、エレクトロルミネッセンス基板における発光素子の面積率をＳＰとした際に、０．５≦ＳＡ／ＳＰ、かつ、ＳＡ＜５０％、を満たす、［１］〜［３］のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［５］ エレクトロルミネッセンス基板における発光素子の面積率が３０％以下である、［１］〜［４］のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［６］ パターン偏光層が、液晶性化合物を用いて形成される、［１］〜［５］のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［７］ パターン偏光層とエレクトロルミネッセンス基板の発光素子との距離が、エレクトロルミネッセンス基板における発光素子のピッチよりも小さい、［１］〜［６］のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［８］ パターン偏光層は、領域Ｂ側に、領域Ｂから離間する領域よりも偏光度が高い領域を有する、領域Ａ、および、領域Ａ側に、領域Ａから離間する領域よりも偏光度が低い領域を有する、領域Ｂの、少なくとも一方を有する、［１］〜［７］のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［９］ パターン偏光層は、領域Ｂ側に、領域Ｂに向かって、漸次、偏光度が高くなる領域を有する、領域Ａ、および、領域Ａ側に、領域Ａに向かって、漸次、偏光度が低くなる領域を有する、領域Ｂの、少なくとも一方を有する、［８］に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［１０］ 偏光板とλ／４波長板との厚さの合計が２０μｍ以下である、［１］〜［９］のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
［１１］ 発光素子がＬＥＤである、［１］〜［１０］のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。

本発明によれば、無機ＥＬ素子および有機ＥＬ素子等を用いる自己発光型の表示装置において、外光の反射防止効果と、発光素子が発光した光の利用効率の向上とを、両立できる。

図１は、本発明の表示装置の一例の概念図である。 図２は、本発明の表示装置に用いるＥＬ基板の一例を概念的に示す図である。 図３は、本発明の表示装置に用いるＥＬ基板の別の例を概念的に示す図である。 図４は、本発明の表示装置に用いるＥＬ基板の別の例を概念的に示す図である。 図５は、図１に示す表示装置の構成を説明するための概念図である。 図６は、本発明の表示装置の別の例の構成を説明するための概念図である。 図７は、パターン偏光層の形成方法の一例を説明するための概念図である。 図８は、パターン偏光層の形成方法の別の例を説明するための概念図である。 図９は、パターン偏光層の形成方法の別の例を説明するための概念図である。

以下、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置について、添付の図面に示される好適実施例を基に詳細に説明する。

以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされるが、本発明は、以下の実施態様に制限されるものではない。
なお、本明細書において、『〜』を用いて表される数値範囲は、『〜』の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、『（メタ）アクリレート』とは、アクリレートとメタクリレートとの少なくとも一方、または、いずれかの意味で用いるものとする。『（メタ）アクリロイル』等も同様である。

本発明において、可視光は、電磁波のうち、ヒトの目で見える波長の光であり、３８０〜７８０ｎｍの波長域の光を示す。非可視光は、３８０ｎｍ未満の波長域および７８０ｎｍを超える波長域の光である。
また、これに限定されるものではないが、可視光のうち、４２０〜４９０ｎｍの波長域の光は青色光であり、４９５〜５７０ｎｍの波長域の光は緑色光であり、６２０〜７５０ｎｍの波長域の光は赤色光である。

本発明において、偏光板の各領域の偏光度は、３８０〜７８０ｎｍの波長域において、偏光板のＭＤ透過率とＴＤ透過率とを求め、下記の式（１）によって各波長における偏光度（％）を算出し、さらに、ＪＩＳ Ｚ ８７０１の２度視野（Ｃ光源）により視感度補正を行うことで、求めればよい。なお、偏光板の各領域の偏光度は、視感度補正偏光度ともいう。
偏光度（％）＝［（ＭＤ−ＴＤ）／（ＭＤ＋ＴＤ）］^1/2×１００ ・・・式（１）
また、偏光板の各領域の単体透過率は、３８０〜７８０ｎｍの波長域において、偏光板のＭＤ透過率とＴＤ透過率とを求め、下記の式（２）によって各波長における単体透過率を算出し、さらにＪＩＳ Ｚ ８７０１の２度視野（Ｃ光源）により視感度補正を行うことで、求めればよい。なお、偏光板の各領域の単体透過率は、視感度補正単体透過率ともいう。
単体透過率（％）＝（ＭＤ＋ＴＤ）／２ ・・・式（２）
なお、「ＭＤ透過率」とは、偏光板サンプルへの入射偏光の向きと、偏光板サンプルの透過軸を平行にしたときの透過率であり、式（１）および式（２）では、「ＭＤ」で示してる。また、「ＴＤ透過率」とは、偏光板サンプルへの入射偏光の向きと偏光板サンプルの透過軸を直交にしたときの透過率であり、式（１）および式（２）では、「ＴＤ」で示している。

本発明のＥＬ（Electro Luminescence）表示装置は、無機ＥＬ発光素子および有機ＥＬ発光素子等を利用する自己発光型が表示装置であって、複数のＥＬ発光素子を有するＥＬ基板と、λ／４波長板と、偏光板とを、この順で有する。
また、偏光板は、偏光度が９８０％未満の領域Ａと、偏光度が８０％以上である領域Ｂとを有する、面内（面方向）に偏光度の分布を有するパターン偏光層を有する。また、本発明のＥＬ表示装置においては、パターン偏光層の領域Ａの位置と、ＥＬ基板のＥＬ発光素子の位置とが、対応している。
このような本発明のＥＬ表示装置によれば、自己発光型の表示装置等において、外光の反射防止と、発光素子による光の利用効率の向上とを、両立できる。

図１に本発明のＥＬ表示装置の一例の概念図を示す。なお、以下の説明では、本発明のＥＬ表示装置を、単に表示装置ともいう。
図１に示す表示装置１０は、前述のように無機ＥＬ発光素子等を利用する自己発光型が表示装置であって、ＥＬ基板１２と、λ／４波長板１４と、偏光板２０とを有する。
偏光板２０は、支持体１６と、パターン偏光層１８とを有する。パターン偏光層１８は、偏光度が８０％未満の領域１８Ａと、偏光度が８０％以上の領域１８Ｂとを有する。すなわち、パターン偏光層１８においては、領域１８Ａが本発明における領域Ａであり、領域１８Ｂが本発明における領域Ｂである。

＜ＥＬ基板＞
ＥＬ基板１２は、無機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置等に用いられる、ＥＬ発光素子を有する公知のＥＬ基板である。
図示例の表示装置１０は、フルカラー画像の表示に対応するものであり、ＥＬ基板１２は、赤色光を発光するＲ発光素子１２Ｒ、緑色光を発光するＧ発光素子１２Ｇ、および、青色光を発光するＢ発光素子１２Ｂを有する。以下の説明では、Ｒ発光素子１２Ｒ、Ｇ発光素子１２ＧおよびＢ発光素子１２Ｂを区別する必要がない場合には、Ｒ発光素子１２Ｒ、Ｇ発光素子１２ＧおよびＢ発光素子１２Ｂをまとめて『発光素子』ともいう。
ＥＬ基板１２は、公知のＥＬ基板と同様に、このようなＲ発光素子１２Ｒ、Ｇ発光素子１２ＧおよびＢ発光素子１２Ｂが、二次元的に、多数、配列されている。

本発明において、ＥＬ基板１２は、無機ＥＬ発光素子および有機ＥＬ発光素子等を用いる自己発光型の表示装置に用いられる公知のＥＬ基板が、各種、利用可能である。
従って、ＥＬ基板１２は、図２に概念的に示すＥＬ基板１２ａのような、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode））によるＲ発光素子１２Ｒ、Ｇ発光素子１２ＧおよびＢ発光素子１２Ｂを配列したものでもよい。
また、ＥＬ基板１２は、図３に概念的に示すＥＬ基板１２ｂのような、無機ＥＬによるＲ発光素子１２Ｒ、Ｇ発光素子１２ＧおよびＢ発光素子１２Ｂを配列したものでもよい。無機ＥＬは、いわゆるＬＥＤ（Light Emitting Diodeである。
さらに、ＥＬ基板１２は、図４に概念的に示すＥＬ基板１２ｃのように、微細な無機ＥＬ発光素子であるＲ発光素子１２Ｒ、Ｇ発光素子１２ＧおよびＢ発光素子１２Ｂを有する発光部２４を、二次元的に配列してなるＥＬ基板であってもよい。

本発明の表示装置１０において、ＥＬ基板１２における発光素子の面積率には、制限はない。ＥＬ基板１２における発光素子の面積率は、３０％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、３％以下がさらに好ましく、１％以下がよりさらに好ましい。
後述するが、本発明の表示装置１０においては、パターン偏光層１８は、偏光度が８０％未満の領域１８Ａと偏光度が８０％以上の領域１８Ｂとを有し、パターン偏光層１８における偏光度が８０％未満の領域１８Ａの位置とＥＬ基板１２の発光素子の位置とを対応させる。そのため、ＥＬ基板１２における発光素子の面積率を３０％以下とすることにより、外光の反射防止に寄与する領域Ｂの面積を広くして、より好適に、発光素子が出射する光の利用効率を十分に確保して、外光の反射防止効果を向上できる。

本発明の表示装置１０における外光反射は、表示装置に応じた一般的な視認距離から視認する場合においては、画面内の各位置における外光反射率およびその面積率で決まる。すなわち、外光の反射抑止に対しては、表示装置１０の画面解像度は寄与しない。一方で、表示装置１０の画面解像度は、表示品位の優れた表示装置を提供する観点で、高いほうが好ましい。

表示装置１０において発光素子の面積率を低減させるためには、十分な輝度を稼ぐために発光素子の出力を高める必要がある。この点において、ＥＬ基板１２における発光素子は、無機ＥＬ発光素子（いわゆるＬＥＤ）であるのが好ましい。無機ＥＬ発光素子を用いることで、発光素子の面積率を好ましい範囲である３０％以下、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは３％以下、よりさらに好ましくは１％以下としても、十分な輝度を得ることができる。

発光素子の面積率の低減した上で、高解像度でかつ十分な輝度を実現した表示装置１０を得るためには、微細な無機ＥＬ発光素子を用いるのが好ましい。微細な無機ＥＬ発光素子としては、無機ＥＬ発光素子を内接する円の直径が３６０μｍ以下である無機ＥＬ発光素子が好ましく、２００μｍ以下である無機ＥＬ発光素子がより好ましく、１００μｍ以下である無機ＥＬ発光素子がさらに好ましく、５０μｍ以下である無機ＥＬ発光素子がよりさらに好ましい。

ある一態様では、ＥＬ基板１２は、透明基板でもよい。また、好ましくは、透明基板上に無機ＥＬ発光素子を配列したものでもよい。透明基板を用いることで、表示装置の背景が透けて見え、かつ基板表面における外光の反射を抑制した、意匠性の高い表示装置が実現できる。

なお、図示例の表示装置１０において、ＥＬ基板１２は、Ｒ発光素子１２Ｒ、Ｇ発光素子１２ＧおよびＢ発光素子１２Ｂを有する、フルカラー画像の表示等に対応するものであるが、本発明は、これに制限はされない。
例えば、有機ＥＬ基板は、Ｒ発光素子１２Ｒのみを有する、または、Ｇ発光素子１２Ｇのみを有する、または、Ｂ発光素子１２Ｂのみを有する、モノクロ画像（単色画像）の表示等に対応するものでもよい。あるいは、有機ＥＬ基板は、Ｒ発光素子１２ＲとＧ発光素子１２Ｇとを有する、または、Ｒ発光素子１２ＲとＢ発光素子１２Ｂとを有する、または、Ｇ発光素子１２ＧとＢ発光素子１２Ｂとを有する、２色画像の表示等に対応するものでもよい。

なお、本発明の表示装置においては、偏光板（偏光子）とλ／４波長板とを有する円偏光板を反射防止層として有さないものであれば、無機ＥＬ発光素子および有機ＥＬ発光素子等を用いる市販の自己発光型の表示装置（ディスプレイ）を、ＥＬ基板１２として用いてもよい。また、市販の表示装置は、タッチパネル等を有するものでもよい。

＜λ／４波長板＞
「λ／４板波長」とは、λ／４機能を有する板であり、具体的には、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に、または、円偏光を直線偏光に、変換する機能を有する板である。
λ／４波長板１４には制限はなく、公知のλ／４機能を有する板が、各種、利用可能である。λ／４波長板１４の具体例としては、例えば米国特許出願公開２０１５／０２７７００６号に記載のものなどが挙げられる。
例えば、λ／４波長板１４が単層構造である態様としては、具体的には、延伸ポリマーフィルム、および、支持体上にλ／４機能を有する光学異方性層を設けた位相差フィルム等が挙げられる。また、λ／４波長板が複層構造である態様としては、具体的には、λ／４波長板とλ／２波長板とを積層してなる広帯域λ／４板が挙げられる。

λ／４波長板１４の厚さは特に制限はないが、薄い方が好ましい。
λ／４波長板１４を薄くすることにより、ＥＬ基板１２と偏光板２０（パターン偏光層１８）とを近接することが可能になり、発光素子からパターン偏光層１８の領域１８Ａへの見込み角度が増えて、発光素子が出射した光の利用効率を向上できる。
λ／４波長板１４の厚さは、１〜５μｍが好ましく、１〜４μｍがより好ましく、１〜３μｍがさらに好ましい。

＜偏光板＞
図示例の表示装置１０において、偏光板２０は、支持体１６とパターン偏光層１８とを有する。
上述のように、パターン偏光層１８は、偏光度が８０％未満である領域１８Ａと、偏光度が８０％以上である領域１８Ｂとを有する。領域１８Ａは、本発明における領域Ａであり、領域１８Ｂは、本発明における領域Ｂである。

図５に、表示装置１０を表示面側（観察面側）、すなわち、図１の図中上方から見た図（平面図）を概念的に示す。すなわち、図５は、表示装置１０を表示面の正面から見た図であり、言い換えれば、表示装置１０を表示面の法線方向から見た図である。表示面の法線方向とは、表示面と直交する方向である。
図５に示すように、表示装置１０は、パターン偏光層１８の領域１８Ａの位置と、ＥＬ基板１２の発光素子の位置とが、対応している。
本発明は、このような構成を有することにより、外光の反射防止効果と、発光素子が発光した光の利用効率の向上とを両立できる、表示装置を実現している。

前述のように、無機ＥＬ発光素子および有機ＥＬ発光素子等を用いる自己発光型の表示装置では、外光の反射に起因する明室環境下でのコントラストの低下を防止するために、偏光板とλ／４波長板とを積層した円偏光板を反射防止膜として用いている。
すなわち、図１に示すように、偏光板に外光Ｅが入射すると、偏光板の透過軸の方向に応じて、透過軸と同方向の直線偏光の成分は透過するものの、透過軸に直交する直線偏光の成分は偏光子に吸収される。偏光子を透過した直線偏光は、λ／４波長板によって円偏光に変換され、次いで、ＥＬ基板によって反射されて、円偏光の旋回方向が逆転する。ＥＬ基板によって反射された円偏光は、再度、λ／４波長板に入射して直線偏光に変換される。ここで、λ／４波長板に再入射した円偏光は、先に変換された円偏光とは、旋回方向が逆である。従って、λ／４波長板に再入射して変換される直線偏光は、偏光板の透過軸とは直交する方向の直線偏光となる。
しかしながら、無機ＥＬ発光素子等の発光素子が出射した光は、一般的に非偏光であるため、偏光板とλ／４波長板とを積層した円偏光板は、そのほぼ半分にあたるエネルギーを吸収してしまう。そのため、従来の自己発光型の表示装置は、発光素子による光の利用効率が低いという問題点がある。

これに対して、本発明の表示装置１０は、偏光板２０とλ／４波長板１４とからなる円偏光板を有する。前述のように、偏光板２０は、偏光度が異なる領域を有するパターン偏光層１８を有し、パターン偏光層１８は、偏光度が８０％未満の領域Ａと、偏光度が８０％以上の領域Ｂとを有する。
さらに本発明の表示装置１０は、その上で、領域Ａの位置が、ＥＬ基板１２の発光素子の位置と対応している。
そのため、本発明の表示装置１０によれば、領域Ｂに入射した外光Ｅは、円偏光板によって上述したように反射を防止されるために、外光の反射に起因するコントラストの低減を抑制できる。他方、発光素子が出射した光は、偏光度すなわち直線偏光の吸収率が低い領域Ａに入射するため、多くの光成分が透過できる。

そのため、本発明の表示装置１０によれば、外光の反射防止効果と、ＥＬ基板１２の発光素子が発光した光の利用効率の向上とを両立できる。

なお、本発明において、パターン偏光層１８の領域１８Ａの位置と、ＥＬ基板１２の発光素子の位置とが、対応しているとは、表示装置１０を表示面の法線方向から見た際に、パターン偏光層１８の領域１８ＡとＥＬ基板１２の発光素子との少なくとも一部が重複していることを示し、好ましくは、パターン偏光層１８の領域１８ＡがＥＬ基板１２の発光素子を包含していることを示す。
また、パターン偏光層１８の領域１８Ａと、ＥＬ基板１２の発光素子とは、表示装置１０を表示面の法線方向から見た際に、中心（発光素子は光軸）が一致しているのが好ましい。さらに、パターン偏光層１８の領域１８Ａの中心とＥＬ基板１２の発光素子の中心とが一致し、かつ、パターン偏光層１８の領域１８ＡがＥＬ基板１２の発光素子を包含しているのが特に好ましい。
なお、図４に示すＥＬ基板１２ｃのように、Ｒ発光素子１２Ｒ、Ｇ発光素子１２ＧおよびＢ発光素子１２Ｂを有する発光部２４を配列してなるＥＬ基板の場合には、発光素子の中心とは、発光部２４を構成する３つの発光素子（複数の発光素子）を内接する円の中心を示す。この点に関しては、例えば、発光素子のピッチに関して等、以下の説明でも同様である。

偏光板２０において、パターン偏光層１８の領域１８Ａ（領域Ａ）の偏光度は８０％未満である。
領域１８Ａの偏光度が８０％を超えると、発光素子が出射した光を十分に活用できない。
領域１８Ａの偏光度は、少なくとも一部、好ましくは全域が、３０％以下であるのがより好ましく、１０％以下であるのがさらに好ましく、３％以下であるのがよりさらに好ましい。

本発明の表示装置１０において、パターン偏光層１８の領域１８Ｂ（領域Ｂ）の偏光度は８０％以上である。
領域１８Ｂの偏光度が８０％未満では、十分な外光の反射防止効果を得られない。
領域１８Ｂの偏光度は９０％以上が好ましく、９５％以上がより好ましい。

偏光板２０において、偏光度が低い領域１８Ａの単体透過率は、５０％以上であるのが好ましい。なお、本発明において、単体透過率とは、パターン偏光層１８における領域１８Ａのみの透過率であり、測定方法は、上述したとおりである。
パターン偏光層１８における領域１８Ａの単体透過率を５０％以上とすることにより、発光素子が出射した光の利用効率を向上できる。
領域１８Ａの単体透過率は、８０％以上がより好ましく、９０％以上がさらに好ましい。

本発明の表示装置１０においてはパターン偏光層１８の領域１８Ａおよび／または領域１８Ｂは、面内に偏光度が異なる領域を有してもよい。言い換えれば、パターン偏光層１８の領域１８Ａおよび／または領域１８Ｂは、面内で偏光度が変化してもよい。
具体的には、領域１８Ａにおいて、領域１８Ｂに近い領域に、領域１８Ｂから離間する領域よりも、偏光度が高い領域を有してもよい。また、領域１８Ｂにおいて、領域１８Ａに近い領域に、領域１８Ａから離間する領域よりも、偏光度が低い領域を有してもよい。
言い換えれば、領域１８Ａが、面内に偏光度が低く均一な領域と端部近傍の偏光度が高い領域とを有する構成、および／または、領域１８Ｂが、面内に偏光度が高く均一な領域と端部近傍の偏光度が低い領域とを有する構成とする。その上で、領域１８Ａの偏光度が高い領域と領域１８Ｂとが面内で連続するように、および／または、領域１８Ｂの偏光度が低い領域と領域１８Ａとが面内で連続するように、パターン偏光層１８を形成してもよい。
このような構成を有することにより、ＥＬ基板１２と偏光板２０との位置合わせを容易に行うことが可能になる。すなわち、ＥＬ基板１２と偏光板２０との位置合わせのロバスト性を高くできる。

ここで、領域１８Ａ内および／または領域１８Ｂ内における偏光度の変化（偏光度の分布）は、段階的であっても、連続的であってもよいが、連続的であるのが好ましい。
すなわち、領域１８Ａが、端部近傍に、領域１８Ｂに向かって、漸次、偏光度が向上する領域を有する、および／または、領域１８Ｂが、端部近傍に、領域１８Ａに向かって、漸次、偏光度が低下する領域を有するのが好ましい。
これにより、ＥＬ基板１２と偏光板２０との位置合わせを、より容易にできる。さらに、表示装置を正面から観察した際に対する、表示装置を斜めから観察した際における明るさの変化も小さくできる。すなわち、視野角特性を良好にできる。
なお、領域１８Ａおよび／または領域１８Ｂにおける偏光度の変化が、段階的である場合には、偏光度の変化は１段階でも複数段階でもよい。

図５に示す偏光板２０は、パターン偏光層１８の領域１８Ａが正方形であるが、本発明は、これに制限はされない。すなわち、表示装置１０の平面視における領域１８Ａの形状は、発光素子の出射特性、発光素子の配列等に応じた、各種の形状が利用可能である。発光素子の出射特性とは、例えば、出射光の広がり角等である。
例えば、図６に平面図を概念的に示すように、パターン偏光層１８の領域１８Ａが円形であってもよい。あるいは、領域１８Ａは、楕円でもよく、三角形または五角形以上の多角形でもよい。
なお、いずれの形状においても、領域Ａの中心は、領域Ａを内接する円の中心とすればよい。

前述のように、図示例の表示装置１０において、偏光板２０は、支持体１６とパターン偏光層１８とを有する。

偏光板２０の支持体１６としては、十分な光透過性を有する透明なシート状物（フィルム、板状物）が、各種、利用可能である。
支持体１６を形成する材料としては、例えば、ポリカーボネート系ポリマー；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー；ポリメチルメタクリレート等のアクリル系ポリマー；ポリスチレン、アクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）等のスチレン系ポリマー；ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体等のポリオレフィン系ポリマー；塩化ビニル系ポリマー；ナイロン、芳香族ポリアミド等のアミド系ポリマー；イミド系ポリマー；スルホン系ポリマー；ポリエーテルスルホン系ポリマー；ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー；ポリフェニレンスルフィド系ポリマー；塩化ビニリデン系ポリマー；ビニルアルコール系ポリマー；ビニルブチラール系ポリマー；アリレート系ポリマー；ポリオキシメチレン系ポリマー；エポキシ系ポリマー；などが挙げられる。

支持体１６を形成する材料としては、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を好ましく用いることができる。このような熱可塑性ノルボルネン系樹脂としては、日本ゼオン社製のゼオネックス、ゼオノア、ＪＳＲ社製のアートン等が挙げられる。
また、支持体１６を形成する材料としては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）に代表される、セルロース系ポリマーも好ましく用いることができる。

本発明の表示装置において、偏光板２０の支持体１６の厚さに制限はなく、支持体１６の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。
支持体１６の厚さは、１００μｍ以下が好ましく、８０μｍ以下がより好ましく、１０〜８０μｍがさらに好ましい。

パターン偏光層１８は、偏光子に用いられる公知の各種の材料で形成できる。
ここで、本発明の表示装置１０において、パターン偏光層１８は、後述するパターン形成の観点から、延伸処理を含まずに、塗布により偏光性能を発現する材料であるのが好ましい。より具体的には、パターン偏光層１８は、液晶性化合物と色素とを含むのが好ましい。また、色素としては、二色性色素化合物が好適に例示される。

＜二色性色素化合物＞
本発明の表示装置１０において、パターン偏光層１８が用いる二色性色素化合物は、公知の各種の化合物が利用可能であるが、下記式（１）で表される二色性色素化合物（以下、「特定二色性色素化合物」ともいう）が好適に例示される。

ここで、式（１）中、Ａ¹、Ａ²およびＡ³は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
また、式（１）中、Ｌ¹およびＬ²は、それぞれ独立に、置換基を表す。
また、式（１）中、ｍは、１〜４の整数を表し、ｍが２〜４の整数の場合、複数のＡ²は互いに同一でも異なっていてもよい。なお、ｍは、１または２であることが好ましい。

式（１）中、Ａ¹、Ａ²およびＡ³が表す「置換基を有していてもよい２価の芳香族基」について説明する。
置換基としては、例えば、特開２０１１−２３７５１３号公報の［０２３７］〜［０２４０］段落に記載された置換基群Ｇが挙げられ、中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、および、アリールオキシカルボニル基等が好適に挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、および、エトキシカルボニルなどが例示される。アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェノキシカルボニル、４−メチルフェノキシカルボニル、および、４−メトキシフェニルカルボニルなどが例示される。中でも、アルキル基がより好適に挙げられ、炭素数１〜５のアルキル基がさらに好適に挙げられる。
一方、２価の芳香族基としては、例えば、２価の芳香族炭化水素基および２価の芳香族複素環基が挙げられる。
２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、炭素数６〜１２のアリーレン基が挙げられ、具体的には、フェニレン基、クメニレン基、メシチレン基、トリレン基、キシリレン基等が挙げられる。中でもフェニレン基が好ましい。
また、上述した２価の芳香族複素環基としては、単環または２環性の複素環由来の基が好ましい。芳香族複素環基を構成する炭素以外の原子としては、窒素原子、硫黄原子および酸素原子が挙げられる。芳香族複素環基が炭素以外の環を構成する原子を複数有する場合、これらは同一であっても異なっていてもよい。芳香族複素環基としては、具体的には、ピリジレン基（ピリジン−ジイル基）、キノリレン基（キノリン−ジイル基）、イソキノリレン基（イソキノリン−ジイル基）、ベンゾチアジアゾール−ジイル基、フタルイミド−ジイル基、チエノチアゾール−ジイル基（以下、「チエノチアゾール基」と略す。）等が挙げられる。
これらの２価の芳香族基の中でも、２価の芳香族炭化水素基が好ましい。

ここで、Ａ¹、Ａ²およびＡ³のうちいずれか１つが、置換基を有していてもよい２価のチエノチアゾール基であることが好ましい。なお、２価のチエノチアゾール基の置換基の具体例は、上述した「置換基を有していてもよい２価の芳香族基」における置換基と同じであり、好ましい態様も同じである。
また、Ａ¹、Ａ²およびＡ³のうち、Ａ²が２価のチエノチアゾール基であることがより好ましい。この場合には、Ａ¹およびＡ²は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
Ａ²が２価のチエノチアゾール基である場合には、Ａ¹およびＡ²の少なくとも一方が置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基であることが好ましく、Ａ¹およびＡ²の両方が置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基が好ましい。

式（１）中、Ｌ¹およびＬ²が表す「置換基」について説明する。
上述した置換基としては、溶解性やネマティック液晶性を高めるために導入される基、色素としての色調を調節するために導入される電子供与性や電子吸引性を有する基、または、配向を固定化するために導入される架橋性基（重合性基）を有する基が好ましい。
例えば、置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、オキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、アゾ基、ヘテロ環基、および、シリル基が含まれる。
アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、および、シクロヘキシル基などが挙げられる。
アルケニル基は、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリール基、２−ブテニル基、および、３−ペンテニル基などが挙げられる。
アルキニル基は、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、および、３−ペンチニル基などが挙げられる。
アリール基は、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、例えば、フェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、３，５−ジトリフルオロメチルフェニル基、スチリル基、ナフチル基、および、ビフェニル基などが挙げられる。
置換もしくは無置換のアミノ基は、好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、および、アニリノ基などが挙げられる。
アルコキシ基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１５のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、および、ブトキシ基などが挙げられる。
オキシカルボニル基は、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１５、特に好ましくは２〜１０のオキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、および、フェノキシカルボニル基などが挙げられる。
アシルオキシ基は、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１０、特に好ましくは２〜６のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基、アクリロイル基、および、メタクリロイル基などが挙げられる。
アシルアミノ基は、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１０、特に好ましくは炭素数２〜６のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、および、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。
アルコキシカルボニルアミノ基は、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１０、特に好ましくは炭素数２〜６のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。
アリールオキシカルボニルアミノ基は、好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。
スルホニルアミノ基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜６のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、および、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。
スルファモイル基は、好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、および、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。
カルバモイル基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜６のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、および、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。
アルキルチオ基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜６のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、および、エチルチオ基などが挙げられる。
アリールチオ基は、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる。
スルホニル基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜６のでスルホニル基あり、例えば、メシル基、および、トシル基などが挙げられる。
スルフィニル基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜６のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、および、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。
ウレイド基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜６のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、および、フェニルウレイド基などが挙げられる。
リン酸アミド基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０、特に好ましくは炭素数１〜６のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、および、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子が挙げられる。
ヘテロ環基は、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、エポキシ基、オキセタニル基、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、および、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。
さらに、シリル基は、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、および、トリフェニルシリル基などが挙げられる。
これらの置換基は、さらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基を２つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｌ¹およびＬ²が表す置換基として好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアシルアミノ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニルアミノ基、置換基を有していてもよいスルホニルアミノ基、置換基を有していてもよいスルファモイル基、置換基を有していてもよいカルバモイル基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいスルホニル基、置換基を有していてもよいウレイド基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、イミノ基、アゾ基、ハロゲン原子、および、ヘテロ環基である。より好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、ニトロ基、イミノ基、および、アゾ基である。

Ｌ¹およびＬ²の少なくとも一方は、架橋性基（重合性基）を含むことが好ましく、Ｌ¹およびＬ²の両方に架橋性基を含むことがより好ましい。
架橋性基としては、具体的には、特開２０１０−２４４０３８号公報の［００４０］〜［００５０］段落に記載された重合性基が挙げられ、反応性および合成適性の観点から、アクリロイル基、メタクリロイル基、エポキシ基、オキセタニル基、および、スチリル基が好ましく、アクリロイル基およびメタクリロイル基が好ましい。

Ｌ¹およびＬ²の好適な態様としては、上述した架橋性基で置換されたアルキル基、上述した架橋性基で置換されたジアルキルアミノ基、および、上述した架橋性基で置換されたアルコキシ基が挙げられる。

本発明においては、パターン偏光層１８に含まれる特定二色性色素化合物の配向度がより向上する理由から、特定二色性色素化合物が、下記式（２）で表される構造を有しているのが好ましい。

ここで、式（２）中、Ａ⁴は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
また、式（２）中、Ｌ³およびＬ⁴は、それぞれ独立に、置換基を表す。
また、式（２）中、Ｅは、窒素原子、酸素原子および硫黄原子のいずれかの原子を表す。
また、式（２）中、Ｒ¹は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基および置換基を有していてもよいアルコキシ基のいずれかの基または原子を表す。
また、式（２）中、Ｒ²は、水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
また、式（２）中、Ｒ³は、水素原子または置換基を表す。
また、式（２）中、ｎは、０または１を表す。ただし、Ｅが窒素原子である場合には、ｎは１であり、Ｅが酸素原子または硫黄原子である場合には、ｎは０である。

式（２）中、Ａ⁴が表す「置換基を有していてもよい２価の芳香族基」の具体例および好適態様は、上述した式（１）中のＡ¹〜Ａ³が表す「置換基を有していてもよい２価の芳香族基」と同様である。
Ａ⁴の特に好ましい態様としては、フェニレン基である。

式（２）中、Ｌ³およびＬ⁴が表す「置換基」の具体例および好適態様は、上述した式（１）中のＬ¹およびＬ²が表す「置換基」と同様である。
Ｌ³およびＬ⁴のより好適な態様としては、Ｌ³およびＬ⁴の少なくとも一方が架橋性基を含むことであり、さらに好適な態様としては、Ｌ³およびＬ⁴の両方が架橋性基を含むことである。これにより、パターン偏光層１８に含まれる特定二色性色素化合物の配向度がより向上し、積層体の高温耐久性および湿熱耐久性がより良好となる。
また、Ｌ³およびＬ⁴の架橋性基のより好適な態様としては、アクリロイル基またはメタクリロイル基である。

式（２）中、Ｅは、窒素原子、酸素原子および硫黄原子のいずれかの原子を表し、合成適性の観点から、窒素原子であることが好ましい。
また、特定二色性色素化合物を短波長側に吸収を持つものにすることが容易になるという観点からは、上述した式（１）におけるＥは、酸素原子であることが好ましい。短波長側に吸収を持つ特定二色性色素化合物とは、例えば、５００〜５３０ｎｍ付近に極大吸収波長を持つ特定二色性色素化合物である。
一方、特定二色性色素化合物を長波長側に吸収を持つものにすることが容易になるという観点からは、上述した式（１）におけるＥは、窒素原子であることが好ましい。長波長側に吸収を持つ特定二色性色素化合物とは、例えば、６００ｎｍ付近に極大吸収波長を持つ特定二色性色素化合物である。

式（２）中、Ｒ¹は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基および置換基を有していてもよいアルコキシ基のいずれかの基または原子を表し、水素原子または置換基を有してもよいアルキル基が好ましい。
次に、Ｒ^１が表す「置換基を有していてもよいアルキル基」および「置換基を有していてもよいアルコキシ基」について説明する。
置換基としては、例えば、ハロゲン原子等が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１〜８の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基が挙げられる。中でも、炭素数１〜６の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基またはエチル基がさらに好ましい。
アルコキシ基としては、炭素数１〜８のアルコキシ基が挙げられる。中でも、炭素数１〜６のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜３のアルコキシ基であることがより好ましく、メトキシ基またはエトキシ基であることがさらに好ましい。

式（２）中、Ｒ²は、水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表し、置換基を有していてもよいアルキル基であることが好ましい。
Ｒ²が表す「置換基を有していてもよいアルキル基」の具体例および好適態様は、上述した式（２）のＲ¹における「置換基を有していてもよいアルキル基」と同様であるので、その説明を省略する。
なお、Ｒ²は、Ｅが窒素原子である場合に式（２）中で存在する基となる（すなわち、ｎ＝１の場合を意味する）。一方で、Ｒ²は、Ｅが酸素原子または硫黄原子である場合、式（２）中で存在しない基となる（すなわち、ｎ＝０の場合を意味する）。

式（２）中、Ｒ³は、水素原子または置換基を表す。
Ｒ³が表す「置換基」の具体例および好適態様は、上述した「置換基を有していてもよい２価の芳香族基」における置換基と同じであり、好ましい態様も同じであるので、その説明を省略する。

式（２）中、ｎは、０または１を表す。ただし、Ｅが窒素原子である場合には、ｎは１であり、Ｅが酸素原子または硫黄原子である場合には、ｎは０である。

式（１）で表される特定二色性色素化合物としては、具体的には、例えば、特開２０１０−１５２３５１号公報の［００５１］〜［００８１］段落に記載された化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
これらのうち、式（２）で表される構造を有する特定二色性色素化合物としては、特開２０１０−１５２３５１号公報の［００７４］〜［００８１］段落に記載された化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−５３）の他に、以下に示す化合物（Ｄ−５４）〜（Ｄ−５８）も好適に挙げられる。

本発明においては、二色性色素化合物の析出を抑止しながら、二色性色素化合物をより高い配向度で配向させることができる理由から、上述したように、パターン偏光層１８が、上述した二色性色素化合物とともに液晶性化合物と含有する着色組成物を用いて形成される膜であるのが好ましい。

＜液晶性化合物＞
着色組成物が含有する液晶性化合物としては、低分子液晶性化合物および高分子液晶性化合物のいずれも用いることができる。
ここで、「低分子液晶性化合物」とは、化学構造中に繰り返し単位を有さない液晶性化合物のことをいう。
また、「高分子液晶性化合物」とは、化学構造中に繰り返し単位を有する液晶性化合物のことをいう。
低分子液晶性化合物としては、例えば、特開２０１３−２２８７０６号公報に記載されているが挙げられる。
高分子液晶性化合物としては、例えば、特開２０１１−２３７５１３号公報に記載されているサーモトロピック液晶性高分子が挙げられる。また、高分子液晶性化合物は、末端に架橋性基（例えば、アクリロイル基およびメタクリロイル基）を有していてもよい。

＜界面改良剤＞
着色組成物は、界面改良剤を含むことが好ましい。界面改良剤を含むことにより、塗布表面の平滑性が向上し、配向度の向上や、ハジキおよびムラを抑制して、面内の均一性の向上が見込まれる。
界面改良剤としては、特開２０１１−２３７５１３号公報の［０２５３］〜［０２９３］段落に記載の化合物（水平配向剤）を用いることができる。
着色組成物が界面改良剤を含有する場合、界面改良剤の含有量は、着色組成物中の上記二色性色素化合物と上記液晶性化合物との合計１００質量部に対し、０．００１〜５質量部が好ましく、０．０１〜３質量部が好ましい。

＜重合開始剤＞
着色組成物は、重合開始剤を含有してもよい。
重合開始剤としては特に制限はないが、感光性を有する化合物、すなわち光重合開始剤であることが好ましい。
光重合開始剤としては、各種の化合物を特に制限なく使用できる。光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物、アシロインエーテル、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ、アクリジンおよびフェナジン化合物、オキサジアゾール化合物、および、アシルフォスフィンオキシド化合物等が挙げられる。
α−カルボニル化合物としては、例えば、米国特許第２３６７６６１号、および、同２３６７６７０号の各明細書に記載のものが例示される。アシロインエーテルとしては、例えば、米国特許第２４４８８２８号明細書に記載のものが例示される。α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物としては、例えば、米国特許第２７２２５１２号明細書に記載のものが例示される。多核キノン化合物としては、例えば、米国特許第３０４６１２７号および同２９５１７５８号の各明細書に記載のものが例示される。トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせとしては、例えば、米国特許第３５４９３６７号明細書に記載のものが例示指される。アクリジンおよびフェナジン化合物としては、例えば、特開昭６０−１０５６６７号公報および米国特許第４２３９８５０号明細書に記載のものが例示される。オキサジアゾール化合物としては、例えば、米国特許第４２１２９７０号明細書に記載のものが例示される。さらに、アシルフォスフィンオキシド化合物としては、例えば、特公昭６３−４０７９９号公報、特公平５−２９２３４号公報、特開平１０−９５７８８号公報および特開平１０−２９９９７号公報に記載のものが例示される。
このような光重合開始剤としては、市販品も用いることができ、ＢＡＳＦ社製のイルガキュア１８４、イルガキュア９０７、イルガキュア３６９、イルガキュア６５１、イルガキュア８１９、および、イルガキュアＯＸＥ−０１等が挙げられる。
パターン偏光層１８を形成する着色組成物が重合開始剤を含有する場合、重合開始剤の含有量は、着色組成物中の上述した二色性色素化合物と液晶性化合物との合計１００質量部に対し、０．０１〜３０質量部が好ましく、０．１〜１５質量部が好ましい。重合開始剤の含有量が０．０１質量部以上であることで、パターン偏光層１８の硬化性が良好となり、３０質量部以下であることで、パターン偏光層１８の配向が良好となる。

＜溶媒＞
着色組成物は、作業性等の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。
溶媒としては、例えば、ケトン類、エーテル類、脂肪族炭化水素類、脂環式炭化水素類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭素類、エステル類、アルコール類、セロソルブ類、セロソルブアセテート類、スルホキシド類、アミド類、および、ヘテロ環化合物などの有機溶媒、ならびに、水が挙げられる。これの溶媒は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ケトン類としては、例えば、アセトン、２−ブタノン、メチルイソブチルケトン、シクロペタンタノン、および、シクロヘキサノンなどが例示される。エーテル類としては、例えば、ジオキサン、および、テトラヒドロフランなどが例示される。脂肪族炭化水素類としては、例えば、ヘキサンなどが例示される。脂環式炭化水素類としては、例えば、シクロヘキサンなどが例示される。芳香族炭化水素類としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、および、トリメチルベンゼンなどが例示される。ハロゲン化炭素類としては、例えば、ジクロロメタン、トリクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、および、クロロトルエンなどが例示される。エステル類としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、および、酢酸ブチルなどが例示される。アルコール類としては、例えば、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、および、シクロヘキサノールなどが例示される。セロソルブ類としては、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、および、１，２−ジメトキシエタンなどが例示される。スルホキシド類としては、例えば、ジメチルスルホキシドなどが例示される。アミド類としては、例えば、ジメチルホルムアミド、および、ジメチルアセトアミドなどが例示される。ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジンなどが例示される。
これらの溶媒のうち、有機溶媒を用いることが好ましく、ハロゲン化炭素類またはケトン類を用いることがより好ましい。
着色組成物が溶媒を含有する場合において、溶媒の含有量は、着色組成物の全質量に対して、８０〜９９質量％であることが好ましく、８３〜９７質量％であることがより好ましく、８５〜９５質量％であることがさらに好ましい。

＜他の成分＞
着色組成物は、さらに、上述した特定二色性色素化合物以外の二色性色素化合物を含有してもよいし、上述した特定二色性色素化合物を複数含有してもよい。複数の二色性色素化合物を含有する場合、着色組成物をより硬化する観点からは、上述した特定二色性色素化合物と架橋する架橋基を持つ二色性色素化合物を含有することが好ましく、上述した特定二色性色素化合物を複数含有することがさらに好ましい。

パターン偏光層１８の厚さには制限はなく、必要な偏光特性を得られる厚さを、形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。
パターン偏光層１８の厚さは、０．１〜５μｍが好ましく、０．３〜１．５μｍがより好ましい。なお、後述するように、パターン偏光層１８が段差（厚さ分布）を有する場合には、上述した厚さは、最も厚い場所における厚さである。

＜パターン偏光層の形成方法＞
上述した着色組成物を用いたパターン偏光層１８の形成方法には制限はなく、組成物を用いた公知の各種の成膜方法が利用可能である。
パターン偏光層１８の形成方法としては、一例として、上述した着色組成物を支持体１６上に塗布して塗布膜を形成する工程と、塗布膜に含まれる液晶性化合物を配向させる工程と、をこの順に含む方法が挙げられる。以下の説明では、着色組成物を支持体１６上に塗布して塗布膜を形成する工程を、「塗布膜形成工程」ともいう。塗布膜に含まれる液晶性化合物を配向させる工程を、「配向工程」ともいう。
なお、液晶性化合物とは、上述した液晶性化合物だけでなく、上述した二色性色素化合物が液晶性を有している場合には、液晶性を有する二色性色素化合物も含む成分である。

ここで、本発明の表示装置１０において、偏光板２０のパターン偏光層１８は、偏光度が８０％未満である領域１８Ａと、偏光度が８０％以上である領域１８Ｂとを有する。
上述のように、本発明の表示装置１０は、領域１８Ａの位置が、ＥＬ基板１２の発光素子の位置と対応する。従って、パターン偏光層１８は、領域１８Ａと領域１８Ｂとが、領域１８Ａの位置が発光素子の位置に対応するパターンで形成される。このパターンの形成に関しては、後に詳述する。

＜塗布膜形成工程＞
塗布膜形成工程は、着色組成物を支持体１６に塗布して塗布膜を形成する工程である。
上述した溶媒を含有する着色組成物を用いたり、着色組成物を加熱などによって溶融液などの液状物としたものを用いたりすることにより、支持体１６上に着色組成物を塗布することが容易になる。
着色組成物の塗布方法としては、具体的には、ロールコーティング法、グラビア印刷法、スピンコート法、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法、スプレー法、および、インクジェット法等の公知の方法が挙げられる。
なお、本例では、着色組成物が支持体１６上に塗布されている例を示したが、これに限定されず、例えば、支持体１６上に設けられた配向膜上に着色組成物を塗布してもよい。配向膜については後述する。
また、パターン偏光層１８は、領域１８Ａおよび領域１８Ｂという、面内で偏光度が異なる２つ以上の領域を形成するため、支持体１６の表面に凹凸構造を設けてから塗布してもよい。凹凸構造を用いて面内で膜厚の異なる塗布膜を形成することで、面内の偏光度分布を制御することができる。この点に関しても、後述する。

＜配向工程＞
配向工程は、塗布膜に含まれる液晶性化合物を配向させる工程である。
配向工程は、乾燥処理を有していてもよい。乾燥処理によって、溶媒などの成分を塗布膜から除去することができる。乾燥処理は、塗布膜を室温下において所定時間放置する方法（例えば、自然乾燥）によって行ってもよく、加熱および／または送風によって行ってもよい。
ここで、着色組成物に含まれる液晶性化合物は、上述した塗布膜形成工程または乾燥処理によって、配向する場合がある。この際には、例えば、着色組成物が溶媒を含む塗布液として調製されている態様では、塗布膜を乾燥して、塗布膜から溶媒を除去することで、偏光層が得られる。
乾燥処理が、塗布膜に含まれる液晶性化合物の液晶相への転移温度以上の温度で行われる場合には、後述する加熱処理は実施しなくてもよい。

塗布膜に含まれる液晶性化合物の液晶相への転移温度は、製造適性等の面から１０〜２５０℃が好ましく、２５〜１９０℃がより好ましい。上記転移温度が１０℃以上であると、液晶相を呈する温度範囲にまで温度を下げるための冷却処理等が必要とならず、好ましい。また、上記転移温度が２５０℃以下であると、一旦液晶相を呈する温度範囲よりもさらに高温の等方性液体状態にする場合にも高温を要さず、熱エネルギーの浪費、ならびに、基板の変形および変質等を低減できるため、好ましい。

配向工程は、加熱処理を有するのが好ましい。加熱処理を行うことにより、塗布膜に含まれる液晶性化合物を配向させることができるため、加熱処理後の塗布膜を、偏光層として好適に使用できる。
加熱処理の温度および時間には、制限はなく、塗布膜が有する液晶性化合物および二色性色素等に応じて、液晶性化合物を好適に配向できる処理温度および時間を、適宜、設定すればよい。加熱処理の温度は、製造適性等の面から１０〜２５０℃が好ましく、２５〜１９０℃がより好ましい。また、加熱時間は、１〜３００秒が好ましく、１〜６０秒がより好ましい。

配向工程は、加熱処理後に実施される冷却処理を有してもよい。冷却処理は、加熱後の塗布膜を室温程度（２０〜２５℃程度）まで冷却する処理である。これにより、塗布膜に含まれる液晶性化合物の配向を固定することができる。
冷却処理の方法には制限はなく、公知のシート状物の冷却方法が、各種、利用可能である。

以上の工程に、後述するパターンの形成方法を組み合わせることにより、面内で偏光度が異なる領域１８Ａおよび領域１８Ｂを有するパターン偏光層１８を形成できる。
なお、上述した例では、塗布膜に含まれる液晶性化合物を配向する方法として、乾燥処理および加熱処理などを挙げているが、本発明において、液晶性化合物の配向方法は、これに制限はされず、公知の配向処理によって実施できる。

＜硬化工程＞
パターン偏光層１８の形成では、上述した配向工程の後に、パターン偏光層１８を硬化させる硬化工程を有してもよい。
硬化工程は、例えば、パターン偏光層１８が架橋性基（重合性基）を有している場合には、加熱および／または光照射（露光）によって実施される。中でも、硬化工程は、光照射によって行うのが好ましい。
硬化に用いる光源は、赤外線、可視光および紫外線等、種々の光源を用いることが可能であるが、紫外線が好ましい。また、硬化時に加熱しながら紫外線を照射してもよいし、特定の波長のみを透過するフィルタを介して紫外線を照射してもよい。
加熱しながら紫外線等の照射を行う場合、加熱温度には制限はなく、パターン偏光層１８（塗布膜＝着色組成物）に含まれる液晶性化合物の液晶相への転移温度等に応じて、適宜、設定すればよい。この加熱温度は、２５〜１４０℃が好ましい。

また、硬化工程における光照射は、窒素雰囲気下で行われてもよい。ラジカル重合によってパターン偏光層１８の硬化が進行する場合において、酸素による重合の阻害が低減されるため、窒素雰囲気下で光照射を行うのが好ましい。

＜パターン形成方法＞
上述したように、本発明の表示装置１０において、パターン偏光層１８は、偏光度が８０％未満の領域１８Ａ（領域Ａ）と、偏光度が８０％以上である領域１８Ｂ（領域Ｂ）とが、パターン化して形成される。

このように面内で偏光度が異なる２つ以上の領域を有するパターン偏光層１８の形成方法には、制限はなく、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、パターン偏光層１８の厚さを面内で制御する方法、パターン偏光層１８中の二色性色素化合物を偏在させる方法、光学的に均一なパターン偏光層１８を後加工する方法などが挙げられる。
パターン偏光層１８の厚さを面内で制御する方法としては、リソグラフィを利用する方法、インプリントを利用する方法、および、凹凸構造を有する基材にパターン偏光層を形成する方法等が挙げられる。パターン偏光層１８中の二色性色素化合物を偏在させる方法としては、溶剤浸漬により二色性色素を抽出する方法が挙げられる（ブリーチング）。さらに、光学的に均一なパターン偏光層１８を後加工する方法としては、レーザー加工等によって、平坦な偏光層の一部を裁断する方法が挙げられる。
中でも、ＥＬ基板１２の発光素子の配列に合わせた、数十μｍから数ｍｍのパターンを形成するためには、パターン偏光層１８の厚さ制御する方法が好ましく、特に、リソグラフィを利用する方法、および、凹凸構造を有する基材にパターン偏光層を形成する方法は、好適に利用される。

＜＜リソグラフィによるパターン偏光層の形成＞＞
図７に、リソグラフィを利用してパターン偏光層１８を形成する方法の一例を示す。
リソグラフィを利用してパターン偏光層１８を形成する際には、まず、前述のように、塗布膜形成工程によって、支持体１６の表面に着色組成物の塗布膜Ｆを形成する。次いで、配向工程によって、塗布膜Ｆ中の液晶性組成物を配向する（図７の１図目）。
次いで、光照射によって塗布膜Ｆを硬化する硬化工程を行う。ここで、この際の光照射を、図７の２図目に示すように、遮光部２８ａおよび光透過部２８ｂのパターンを有するマスク２８を介したパターン露光によって行う。このマスク２８の遮光部２８ａおよび光透過部２８ｂは、遮光部２８ａがパターン偏光層１８の領域１８Ａに対応し、光透過部２８ｂがパターン偏光層１８の領域１８Ｂに対応するパターンで、設けられる。

リソグラフィを利用してパターン偏光層１８を形成する際には、この後、現像工程を行う。現像工程では、マスク２８の遮光部２８ａによって遮光された硬化工程によって硬化しなかった領域、すなわち、塗膜のパターン偏光層１８の領域１８Ａに対応する領域を除去する。
現像工程は通常、溶剤によって行われる。すなわち、硬化した塗布膜を溶剤に浸漬、または、硬化した塗布膜に溶剤を吹き付けることで、重合していない未硬化領域の液晶性化合物を溶剤に溶解して、現像を行う。これにより、塗布膜における、パターン偏光層１８の領域１８Ａに対応する領域を除去して、図７の３図目に示すように、領域１８Ａおよび領域１８Ｂを有するパターン偏光層１８を形成する。
本例では、領域１８Ａには、偏光層が存在しない、従って、領域１８Ａの偏光度は０％となる。これにより、偏光度が８０％未満の領域１８Ａと、偏光度が８０％以上の領域１８Ｂとを有する、パターン偏光層１８が形成できる。
なお、領域１８Ｂの厚さは、領域１８Ｂの偏光度が８０％以上の目的値となる厚さを、パターン偏光層１８の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。この点に関しては他の例も同様である。

＜＜インプリントによるパターン偏光層の形成＞＞
図８に、インプリントを利用してパターン偏光層１８を形成する方法の一例を示す。
インプリントを利用してパターン偏光層１８を形成する際にも、まず、前述のように塗布膜形成工程によって、支持体１６の表面に着色組成物の塗布膜Ｆを形成する（図８の１図目）。
次いで、図８の２図目に示すように、凹凸を有する押圧型３０によって、塗布膜Ｆを押圧する。この押圧型３０の凹凸は、凸部がパターン偏光層１８の領域１８Ａに対応し、凹部がパターン偏光層１８の領域１８Ｂに対応するパターンで、形成される。

次いで、塗布膜Ｆを押圧型３０で押圧した状態で、前述のように、配向工程および硬化工程を行って、パターン偏光層１８を作製し、最後に、図８の３図目に示すように、押圧型をはずす。
これにより、押圧型３０の凹凸に応じた凹凸パターンを有するパターン偏光層１８が形成される。ここで、パターン偏光層１８の凹部は、パターン偏光層１８が薄いので、色素の量が少なく偏光度が低い。逆に、パターン偏光層１８の凸部は、パターン偏光層１８が厚いので、色素の量が多く、偏光度が高い。
これにより、偏光度が８０％未満の領域１８Ａと、偏光度が８０％以上の領域１８Ｂとを有する、パターン偏光層１８が形成できる。なお、領域１８Ａの厚さは、領域１８Ａの偏光度が８０％未満の目的値となる厚さを、パターン偏光層１８の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。この点に関しては、他の例も同様である。

＜＜凹凸構造を有する基材を用いるパターン偏光層の形成＞＞
図９に、凹凸構造を有する基材を用いるパターン偏光層１８を形成する方法の一例を示す。
凹凸構造を有する基材を用いてパターン偏光層１８を形成する場合には、まず、図９の１図目に示すように、支持体１６の表面に、凹凸構造を有する基材３４となる材料を含有する組成物の塗布膜３４Ｆを形成する。
凹凸構造を有する基材３４としては、（メタ）アクリレート系化合物およびエポキシ系化合物等の硬化性化合物を用いて樹脂層を形成することが好ましい。なお、基材３４は、レタデーション（Ｒｅ）が低いことが好ましい。また、基材３４のレタデーションが高い場合には、λ／４波長板１４を、支持体１６の基材３４とは逆側に位置するように、表示装置１０を構成するのが好ましい。
基材３４となる材料を含有する組成物は、これらの樹脂のモノマー、重合開始剤、溶剤等を含む、塗布法によって成膜を行う公知の組成物でよい。

次いで、図９の２図目に示すように、凹凸を有する押圧型３６によって、塗布膜３４Ｆを押圧する。この押圧型３０の凹凸は、凹部がパターン偏光層１８の領域１８Ａに対応し、凸部がパターン偏光層１８の領域１８Ｂに対応するパターンで、形成される。
その後、塗布膜３４Ｆを押圧型３６で押圧した状態で、乾燥および紫外線の照射等、組成物に応じた硬化方法で塗布膜３４Ｆを硬化して、図９の３図目に示すように、凹凸構造を有する基材３４を形成する。従って、この基材の凹凸構造は、凸部がパターン偏光層１８の領域１８Ａに対応し、凹部がパターン偏光層１８の領域１８Ｂに対応する。

その後、図９の４図目に示すように、塗布膜形成工程によって、凹凸構造を有する基材３４に塗布膜Ｆを形成し、さらに、配向工程および硬化工程を行って、パターン偏光層１８を作製する。
これにより、基材３４の凹凸構造すなわち押圧型３６の凹凸に応じた凹凸パターンを有するパターン偏光層１８が形成される。ここで、パターン偏光層１８の凹部は、パターン偏光層１８が薄いので、色素の量が少なく偏光度が低い。逆に、パターン偏光層１８の凸部は、パターン偏光層１８が厚いので、色素の量が多く、偏光度が高い。
これにより、偏光度が８０％未満の領域１８Ａと、偏光度が８０％以上の領域１８Ｂとを有する、パターン偏光層１８が形成できる。また、この形成方法では、パターン偏光層１８は凹凸を有するが、偏光板２０の表面は平坦にできる。
偏光板２０の表面は、他の層との貼合のしやすさを鑑み、平坦であるのが好ましい。偏光板２０の表面を平坦にすることにより、他の層との貼合時に生じる気泡を防ぐことができる。

ここで、インプリントによるパターン偏光層１８の形成、および、凹凸構造を有する基材を用いるパターン偏光層１８の形成では、押圧型における凸部の側壁の形状等に応じて、領域１８Ａおよび／または領域１８Ｂにおいて、面内で偏光度を変化させてもよい。これにより、領域１８Ａにおいて、領域１８Ｂに近い領域に、領域１８Ｂから離間する領域よりも、偏光度が高い領域を有する、パターン偏光層１８が得られる。または、これにより、領域１８Ｂにおいて、領域１８Ａに近い領域に、領域１８Ａから離間する領域よりも、偏光度が低い領域を有する、パターン偏光層１８が得られる。または、これにより、領域１８Ａにおいて、領域１８Ｂに近い領域に、領域１８Ｂから離間する領域よりも、偏光度が高い領域を有し、かつ、領域１８Ｂにおいて、領域１８Ａに近い領域に、領域１８Ａから離間する領域よりも、偏光度が低い領域を有する、パターン偏光層１８が得られる。
さらに、押圧型における凸部の側壁の形状を、傾斜面としてもよい。これにより、領域１８Ａにおいて面内で偏光度を連続的に変化させて、領域１８Ａが、端部近傍に、領域１８Ｂに向かって、漸次、偏光度が向上する領域を有する、パターン偏光層１８を作製できる。または、これにより、領域１８Ｂにおいて面内で偏光度を連続的に変化させて、領域１８Ｂが、端部近傍に、領域１８Ａに向かって、漸次、偏光度が低下する領域を有する、パターン偏光層１８を作製できる。または、これにより、領域１８Ａおよび領域１８Ｂにおいて面内で偏光度を連続的に変化させて、領域１８Ａが、端部近傍に、領域１８Ｂに向かって、漸次、偏光度が向上する領域を有し、かつ、領域１８Ｂが、端部近傍に、領域１８Ａに向かって、漸次、偏光度が低下する領域を有する、パターン偏光層１８を作製できる。

＜配向膜＞
このように、本発明の表示装置１０において、偏光板２０は、支持体１６およびパターン偏光層１８を有するが、パターン偏光層１８中の液晶性化合物を配向するために、支持体１６とパターン偏光層１８との間に、配向膜を有してもよい。
配向膜を形成する方法としては、例えば、有機化合物（好ましくはポリマー）の膜表面へのラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、および、ラングミュアブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物の累積などの方法が挙げられる。ラングミュアブロジェット法にって累積する有機化合物としては、例えば、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、および、ステアリル酸メチルなどが例示される。さらに、電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により、配向機能が生じる配向膜も知られている。
なかでも、本発明では、配向膜のプレチルト角の制御し易さの点からは、ラビング処理により形成する配向膜が好ましく例示され、配向の均一性の点からは、光照射により形成する光配向膜が好ましく例示される。

＜＜ラビング処理配向膜＞＞
ラビング処理により形成される配向膜に用いられるポリマー材料としては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手できる。
本発明においては、ポリビニルアルコール、ポリイミド、および、その誘導体等が好ましく例示される。配向膜については国際公開第２００１／０８８５７４号の４３頁２４行〜４９頁８行の記載を参照することができる。

＜＜光配向膜＞＞
光照射により形成される配向膜に用いられる光配向化合物としては、多数の文献等に記載がある。
本発明においては、例えば、特開２００６−２８５１９７号公報、特開２００７−０７６８３９号公報、特開２００７−１３８１３８号公報、特開２００７−０９４０７１号公報、特開２００７−１２１７２１号公報、特開２００７−１４０４６５号公報、特開２００７−１５６４３９号公報、特開２００７−１３３１８４号公報、特開２００９−１０９８３１号公報、特許第３８８３８４８号および特許第４１５１７４６号に記載のアゾ化合物、特開２００２−２２９０３９号公報に記載の芳香族エステル化合物、特開２００２−２６５５４１号公報および特開２００２−３１７０１３号公報に記載の光配向性単位を有するマレイミドおよび／またはアルケニル置換ナジイミド化合物、特許第４２０５１９５号および特許第４２０５１９８号に記載の光架橋性シラン誘導体、ならびに、特表２００３−５２０８７８号公報、特表２００４−５２９２２０号公報および特許第４１６２８５０号に記載の光架橋性ポリイミド、ポリアミドもしくはエステル等が好ましい例として挙げられる。より好ましくは、アゾ化合物、光架橋性ポリイミド、ポリアミド、および、エステル等が挙げられる。

これらのうち、光配向化合物として、光の作用により二量化および異性化の少なくとも一方が生じる光反応性基を有する感光性化合物を用いるのが好ましい。
また、光反応性基が、桂皮酸誘導体、クマリン誘導体、カルコン誘導体、マレイミド誘導体、アゾベンゼン化合物、ポリイミド化合物、スチルベン化合物およびスピロピラン化合物からなる群から選択される少なくとも１種の誘導体または化合物の骨格を有することが好ましい。

上述した材料で形成した光配向膜に、直線偏光または非偏光照射を施し、光配向膜を製造する。
本明細書において、「直線偏光照射」および「非偏光照射」とは、光配向材料に光反応を生じせしめるための操作である。用いる光の波長は、用いる光配向材料により異なり、その光反応に必要な波長であれば特に限定されるものではない。光照射に用いる光のピーク波長は、２００〜７００ｎｍが好ましく、光のピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光がより好ましい。

光照射に用いる光源は、通常使われる光源、例えばタングステンランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ、水銀ランプ、水銀キセノンランプおよびカーボンアークランプ等のランプ、各種のレーザー、発光ダイオード、ならびに、陰極線管などを挙げることができる。レーザーとしては、半導体レーザー、ヘリウムネオンレーザー、アルゴンイオンレーザー、ヘリウムカドミウムレーザーおよびＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザー等が例示される。

直線偏光を得る手段としては、偏光板を用いる方法、プリズム系素子もしくはブリュースター角を利用した反射型偏光子を用いる方法、または、偏光を有するレーザー光源から出射される光を用いる方法が採用できる。偏光板としては、例えば、ヨウ素偏光板、２色色素偏光板、および、ワイヤーグリッド偏光板等が例示される。プリズム系素子としては、例えば、グラントムソンプリズムが例示される。
また、フィルタまたは波長変換素子等を用いて必要とする波長の光のみを選択的に照射してもよい。

光の照射方法としては、直線偏光の場合には、配向膜に対して上面、または、裏面から、配向膜表面に対して垂直、または、斜めから光を照射する方法が挙げられる。光の入射角度は、光配向材料によって異なるが、０〜９０°（垂直）が好ましく、４０〜９０°がより好ましい。
非偏光の場合には、配向膜に対して、斜めから非偏光を照射する。その入射角度は、１０〜８０°が好ましく、２０〜６０°がより好ましく、３０〜５０°がさらに好ましい。
照射時間は、１分〜６０分が好ましく、１分〜１０分がより好ましい。

配向膜の厚さは、０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０１〜１μｍがより好ましい。

＜透明樹脂層＞
偏光板２０は、パターン偏光層１８の表面に、透明樹脂層を有してもよい。
パターン偏光層１８の表面に透明樹脂層を有することにより、パターン偏光層１８（偏光板２０）の表面の平坦化を図ることができる、パターン偏光層１８を水分などから保護できる点で好ましい。

透明樹脂層としては、親水性基を有し、かつ、９５℃以下の温度領域にガラス転移温度（Ｔｇ）を有していないポリマー（以下、「特定ポリマー」とも略す。）を含有する層が挙げられる。
ここで、親水性基としては、１価または２価の基であって、例えば、アミド基、ヒドロキシ基、ウレタン基（ウレタン結合）、ポリオキシアルキレン基、アミノ基、カルボキシル基、カルボキシル基のアルカリ金属塩、アルコキシ基、カルバモイル基、スルホンアミド基、スルファモイル基、スルホン酸基、および、スルホン酸基のアルカリ金属塩などが挙げられる。ポリオキシアルキレン基としては、例えば、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、オキシエチレン基とオキシプロピレン基がブロックまたはランダム結合したポリオキシアルキレン基が例示される。
なお、透明樹脂層における特定ポリマーの親水性基の存在および同定は、フーリエ変換赤外分光装置を用いて、全反射赤外分光法（ＡＴＲ−ＩＲ）で測定を行い、プリズムにダイヤモンド結晶を使用し、４５°入射（一回反射）にて測定することにより、行うことができる。フーリエ変換赤外分光装置は、例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製のＮｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５ ＦＴ−ＩＲを用いればよい。

一方、ガラス転移温度（Ｔｇ）とは、示差走査型熱量計（ＤＳＣ）を用いて昇温速度１０℃／分で昇温したときに、その測定温度がベースラインから変化しはじめる温度と、再びベースラインに戻る温度との平均値のことをいう。
本発明においては、一例として、積層体から削り出した透明樹脂層を評価サンプルとし、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製の示差走査型熱量計（ＤＳＣ）Ｑ２０００を用いて、真空乾燥した評価サンプル約２ｍｇをアルミニウムパン上で秤量し、アルミニウムパンをＤＳＣ測定ホルダーにセットし、１０℃〜３００℃まで２℃／ｍｉｎで昇温したときの変曲点から、Ｔｇを求めればよい。

特定ポリマーの主鎖構造は、９５℃以下の温度領域にガラス転移温度を有さないポリマーとなる限り、特に限定されず、例えば、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、および、ポリウレアなどが挙げられる。

本発明においては、透明樹脂層における特定ポリマーの含有量は、透明樹脂層の全固形分の総質量に対して３０質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、５０〜９８質量％がさらに好ましい。

本発明において、特定ポリマーは、Ｃ−Ｈ結合を有する炭素数に対する親水性基の数の比が０．０５〜０．４５となるポリマーであるのが好ましい。
ここで、Ｃ−Ｈ結合を有する炭素数に対する親水性基の数の比は、特定ポリマーを重合反応から得るための親水性基を有するモノマー（後述する親水性モノマー）の分子構造が同定できている場合は、その分子構造内のＣ−Ｈ結合を有する炭素数に対する親水性基の数の比をそのまま求めることができる。一方、モノマーの分子構造が不明である場合には、フーリエ変換赤外分光装置を用いて、全反射赤外分光法により波数を横軸とする吸収スペクトルを得た後に、特定ポリマーの親水性基に由来するピーク面積、および、Ｃ−Ｈ結合に由来するピーク面積から算出することができる。

また、本発明においては、積層体の高温耐久性および湿熱耐久性がより良好となる理由から、透明樹脂層のパターン偏光層１８側とは反対側の表面の水接触角は、２５〜６０°が好ましく、２５〜５０°がより好ましく、２５〜４０°がさらに好ましい。
ここで、水接触角は、透明樹脂層を２５℃、相対湿度６０％で２時間以上調湿した後、水平に保持した測定対象の表面に、水を１．７μＬ静置し、２０秒後の表面と水滴のなす角から求める。なお、このような水接触角の測定は、例えば、協和界面科学社製の表面接触角測定装置（ＦＡＣＥ ＣＯＮＴＡＣＴ-ＡＮＧＬＥ ＭＥＴＥＲ ＣＡ−Ａ）を用いて行えばよい。

本発明においては、透明樹脂層の厚さには制限はなく、透明樹脂層の形成材料等に応じて、要求される性能を発現できる厚さを、適宜、設定すればよい。
透明樹脂層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ましく、０．５〜５μｍがより好ましい。

＜粘着層＞
上述のように、本発明の表示装置１０はλ／４波長板１４と、パターン偏光層１８を有する偏光板２０とからなる円偏光板を有することによって、外光の反射を防止している。
λ／４波長板１４と偏光板２０とは、粘着層によって貼着してもよい。

粘着層に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリビニルアルコール系粘着剤、ポリビニルピロリドン系粘着剤、ポリアクリルアミド系粘着剤、および、セルロース系粘着剤等が挙げられる。
これらのうち、透明性、耐候性、耐熱性などの観点から、アクリル系粘着剤（感圧粘着剤）であるのが好ましい。

粘着層は、例えば、粘着剤の溶液を離型シート上に塗布し、乾燥した後に後、透明樹脂層の表面に転写する方法；粘着剤の溶液を透明樹脂層の表面に直接塗布し、乾燥させる方法；等により形成できる。
粘着剤の溶液は、例えば、トルエンや酢酸エチル等の溶剤に、粘着剤を溶解または分散させた１０〜４０質量％程度の溶液として調製される。
塗布法は、リバースコーティング、グラビアコーティング等のロールコーティング法、スピンコーティング法、スクリーンコーティング法、ファウンテンコーティング法、ディッピング法、および、スプレー法等が挙げられる。

また、離型シートの構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂フィルム；ゴムシート；紙；布；不織布；ネット；発泡シート；金属箔；等の適宜な薄葉体等が挙げられる。

本発明において、粘着層の厚さには制限はなく、粘着剤の種類等に応じて、必要な貼着力が得られる厚さを、適宜、設定すればよい。
粘着層の厚さは、３〜５０μｍが好ましく、４〜４０μｍがより好ましく、５〜３０μｍがさらに好ましい。

本発明の表示装置１０において、偏光板２０の厚さには、制限はなく、偏光板の構成および偏光板の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。偏光板２０の厚さは、１〜１００μｍが好ましく、１〜３０μｍがより好ましく、１〜１０μｍがさらに好ましい。

ここで、本発明の表示装置１０においては、上述したλ／４波長板１４の厚さと、偏光板２０の厚さとの合計が、２０μｍ以下であるのが好ましい。
λ／４波長板１４と偏光板２０との厚さの合計を２０μｍ以下とすることにより、ＥＬ基板１２とパターン偏光層１８とを近接して、発光素子から領域Ａへの見込み角度を増加して発光素子が出射した光の利用効率を向上できる。

図示例の偏光板２０は、支持体１６の表面にパターン偏光層１８を形成した構成を有するが、本発明は、これに制限はされない。
一例として、偏光板２０が支持体１６を有さず、λ／４波長板１４に、直接、パターン偏光層１８等を形成した構成でもよい。すなわち、本発明の表示装置は、偏光板２０がパターン偏光層１８のみから形成される構成であってもよい。あるいは、λ／４波長板１４に、配向膜を形成し、その表面にパターン偏光層１８を形成してもよい。
このような構成を有することにより、好適に、λ／４波長板１４の厚さと、偏光板２０の厚さとの合計を、２０μｍ以下にできる。

上述したように、本発明の表示装置１０は、偏光板２０における偏光度が低い領域（８０％未満）である領域Ａの位置と、ＥＬ基板１２における発光素子の位置とが、対応している。
ここで、本発明の表示装置１０においては、パターン偏光層１８における領域１８Ａの面積率をＳＡ［％］、ＥＬ基板１２における発光素子の面積率をＳＰ［％］とした際に、
０．５≦ＳＡ／ＳＰ、かつ、ＳＡ＜５０％、
を満たすのが好ましい。
偏光板２０およびＥＬ基板１２が『０．５≦ＳＡ／ＳＰ』および『ＳＡ＜５０％』を満たすことにより、発光素子が出射した光の利用効率の向上と外光の反射防止機能とを、より好適に両立できる。

なお、本発明の表示装置１０において、０．８≦ＳＡ／ＳＰがより好ましく、１．０≦ＳＡ／ＳＰがさらに好ましい。
また、ＳＡ＜３０％がより好ましく、ＳＡ＜２０％がさらに好ましい。
すなわち、ＳＡ／ＳＰおよびＳＡが、この範囲を満たすのが、より好ましい。

本発明の表示装置１０は、ＥＬ基板１２の発光素子とパターン偏光層１８との距離Ｌが、ＥＬ基板１２における発光素子のピッチｐ（図１および図５参照）よりも小さいのが好ましい。なお、ＥＬ基板１２における発光素子のピッチｐとは、発光素子同士の中心間の距離である。
本発明の表示装置１０は、斜め視野からも好適に視認されるために、ＥＬ基板１２の発光素子が出射する出射光は、出射面の法線に対して斜めの発光を含む。従って、ＥＬ基板１２の発光素子とパターン偏光層１８との距離Ｌを、発光素子のピッチｐよりも小さくすることで、領域Ａの面積を小さくし、領域Ｂの面積を大きくしても、発光素子が出射した光を領域Ａに入射できる。その結果、ＥＬ基板１２の発光素子が出射した光の利用効率の向上と反射防止機能との両立をより好適にできる。
なお、発光素子とパターン偏光層１８との距離Ｌは、発光素子のピッチｐの８０％以下がより好ましく、５０％以下がさらに好ましく、２０％以下がよりさらに好ましい。

本発明の表示装置１０は、ＥＬ基板１２とパターン偏光層１８との間に、発光素子に対応する開口部を有する遮光層を有していてもよい。
このような遮光部を有することで、発光素子が出射した光の利用効率を損なうこと無く、外光反射防止機能を高めることができる。
遮光層としては、カーボンブラックに代表される公知の黒色材を含む樹脂層であるのが好ましい。

＜表面層＞
本発明の表示装置１０は、最表面に、目的に応じて必要な表面層を単独または複数層設けてもよい。好ましい態様としては、最表面にハードコート層を有する態様、最表面に反射防止層を有する態様、最表面にハードコート層およびさらにその表面外側に反射防止層が積層された態様、等が挙げられる。特に、後述する表面反射防止層を設けることで、より明室環境下での視認性に優れたEL表示装置を提供できる。

＜＜表面反射防止層＞＞
反射防止層は、光学干渉によって反射率が減少するように屈折率、膜厚、層の数、および、層順等を考慮して設計された，少なくとも一層以上の層からなる層である。
反射防止層は、最も単純な構成では、フィルムの最表面に低屈折率層のみを塗設した構成である。さらに反射率を低下させるには、屈折率の高い高屈折率層と、屈折率の低い低屈折率層を組み合わせて反射防止層を構成するのが好ましい。
構成例としては、下側から順に、高屈折率層／低屈折率層の２層のものや、屈折率の異なる３層を、中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層の順に積層されているもの等があり、さらに多くの反射防止層を積層するものも提案されている。中屈折率層とは、下層よりも屈折率が高く、高屈折率層よりも屈折率の低い層である。
中でも、耐久性、光学特性、コストや生産性等から、ハードコート層上に、中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層の順に有する構成が好ましく、例えば、特開平８−１２２５０４号公報、特開平８−１１０４０１号公報、特開平１０−３００９０２号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２０００−１１１７０６号公報等に記載の構成が挙げられる。
また、膜厚変動に対するロバスト性に優れる３層構成の反射防止フィルムは、特開２００８−２６２１８７号公報に記載されている。このような３層構成の反射防止フィルムは、画像表示装置の表面に設置した場合、反射率の平均値を０．５％以下とすることができ、映り込みを著しく低減することができ、立体感に優れる画像を得ることができる。
また、各層に他の機能を付与させてもよい。一例として、特開平１０−２０６６０３号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２００７−２６４１１３号公報等に記載される、防汚性の低屈折率層、帯電防止性の高屈折率層、帯電防止性のハードコート層、防眩性のハードコート層としたもの等が挙げられる。

ハードコート層および反射防止層等を有する場合の具体的な層構成の例を下記に示す。以下表記中−＊／は表面層が積層される基材を表す。具体的には、−＊／は、パターン偏光層１８を有する偏光板２０、および、その視認側に配置された任意の層を表す。
・−＊／ハードコート層
・−＊／低屈折率層
・−＊／防眩層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／防眩層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／防眩層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／防眩層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／防眩層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／防眩層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層

以上、本発明のＥＬ表示装置について詳細に説明したが、本発明は上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。

以下、実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。なお、以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

［偏光板１０１の作製］
＜支持体の作製＞
厚さ４０μｍのＴＡＣ基材（富士フイルム社製、ＴＧ４０）上に、下記の組成の配向膜塗布液を＃８のワイヤーバーで連続的に塗布した。その後、１００℃の温風で２分間乾燥することにより、ＴＡＣ基材上に厚さ０．８μｍのポリビニルアルコール（ＰＶＡ）配向膜が形成された支持体を得た。
なお、変性ポリビニルアルコールは、固形分濃度が４質量％となるように配向膜塗布液中に加えた。
――――――――――――――――――――――――――――――――
配向膜塗布液の組成
――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記の変性ポリビニルアルコール
・水 ７０質量部
・メタノール ３０質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

変性ポリビニルアルコール

＜配向膜の形成＞
下記構造の光配向材料Ｅ−１の１質量部に、ブトキシエタノール４１．６質量部、ジプロピレングリコールモノメチル４１．６質量部、および、純水１５．８質量部を加え、得られた溶液を０．４５μｍメンブレンフィルターで加圧ろ過することで光配向膜用塗布液を調製した。
次いで、得られた光配向膜用塗布液を、作製した支持体上に塗布し、６０℃で１分間乾燥した。その後、得られた塗布膜に、偏光紫外線露光装置を用いて直線偏光紫外線（照度４．５ｍＷ、照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２）を照射し、配向膜を作製した。

＜パターン偏光層の形成＞
形成した配向膜上に、下記の偏光層形成用組成物を＃４のワイヤーバーで連続的に塗布し、塗布膜１を形成した。
次いで、塗布膜を１４０℃で９０秒間加熱し、塗布膜１を室温（２３℃）になるまで冷却した。
次いで、８０℃で６０秒間加熱し、再び室温になるまで冷却した。
その後、高圧水銀灯が出射する光を、マスクを介して、照度２８ｍＷ／ｃｍ²の照射条件で６０秒間照射することにより、配向膜上に、面内に液晶性化合物の硬化領域と未硬化領域とを有する偏光層を作製した（図７参照）。なお、マスクのマスクパターンは、後述するＥＬ基板１の発光素子（面積率２５％）の位置に対応する遮光部を有する、遮光部と光透過部とを有するマスクパターンとした。
作製した面内に液晶性化合物の硬化領域と未硬化領域とを有する偏光層を有するフィルムを、エタノール中に３分間浸漬して、重合していない液晶化合物を洗浄除去し、面内に偏光度の異なる領域Ａおよび領域Ｂを有するパターン偏光層０１を形成した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
偏光層形成用組成物の組成
――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記イエローアゾ色素Ｙ−１ ７．１質量部
・下記シアンアゾ色素Ｄ−５５ ９．１質量部
・下記高分子液晶化合物Ｐ−１ １０１．１質量部
・重合開始剤ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９（ＢＡＳＦ社製） １．０質量部
・下記界面改良剤Ｆ−１ ０．３質量部
・シクロペンタノン ６１７．０質量部
・テトラヒドロフラン ２６４．４質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

イエローアゾ色素Ｙ−１

シアンアゾ色素Ｄ−５５

高分子液晶化合物Ｐ−１

界面改良剤Ｆ−１

＜偏光度および透過率の測定＞
光源、試料（パターン偏光層０１を有するフィルム）、検光子（ルケオ社製、ＰＯＬＡＸ−２５Ｎ）、および、２次元分光放射計（トプコンテクノハウス社製、ＳＲ−５０００）を、この順に正対して並べ、光源の発光のうち、試料および検光子を透過した光の強度を検出できる測定系を構築した。
試料の大きさは、１００ｍｍ角とした。また、２次元分光放射計と試料の距離は、４００ｍｍとした。
測定は、回転検光子法により１５°毎の透過光強度Ｉ（θ）を測定した。測定後、検光子のＭＤ透過率およびＴＤ透過率を既知として、試料のＭＤ透過率およびＴＤ透過率を算出した。その後、上述した式（１）および式（２）によって、試料の特定の領域における偏光度および単体透過率を算出した。
測定結果から、パターン偏光層０１における領域Ａおよび領域Ｂの偏光度および単体透過率、ならびに、パターン偏光層０１における領域Ａおよび領域Ｂの面積率を算出した。偏光度、単体透過率（透過率）および面積率は、下記の表１に示す。

＜透明樹脂層の形成＞
形成したパターン偏光層０１上に、下記の硬化性組成物１を＃２のワイヤーバーで連続的に塗布し、６０℃で５分間乾燥を行った。
その後、高圧水銀灯が出射した光を、照度２８ｍＷ／ｃｍ²の照射条件で６０秒間照射し、硬化性組成物１を硬化させて、パターン偏光層０１上に透明樹脂層を形成し、透明支持体、配向膜、パターン偏光層０１および透明樹脂層の積層体である偏光板１０１を作製した。
ミクロトーム切削機を用いて、透明樹脂層の断面を切削し、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）観察にて膜厚を測定したところ、偏光板１０１の膜厚は最薄部で約１．２μｍであった。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
硬化性組成物１
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記親水性モノマーＨＭ−１ ２９質量部
・重合開始剤ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９（ＢＡＳＦ社製） １質量部
・エタノール ７０質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

親水性モノマーＨＭ−１

［偏光板１０２〜１１１および偏光板２０１の作製］
偏光層形成用組成物を塗布する際におけるワイヤーバーの番手、および、偏光層形成用組成物の塗布膜に高圧水銀灯が出射した光を照射する際におけるマスクのマスクパターンを変更した以外は、パターン偏光層０１と同様にパターン偏光層０２〜１１を作製して、偏光板１０１と同様に偏光板１０２〜１１１を作製した。
また、後述する、発光素子の光の利用効率を測定するために、マスクを介さずに高圧水銀灯が出射した光を照射し、かつ、エタノールへの浸漬工程を省略した以外は、パターン偏光層０１と同様に偏光層９０を作製して、偏光板１０１と同様に偏光板２０１を作成した。すなわち、偏光板２０１は、偏光層９０が全面的に均一でパターンを有さない。
なお、パターン偏光層０９（偏光板１０９）を作製する際におけるマスクパターンは、遮光部の位置が、後述するＥＬ基板２の発光素子（面積率１０％）の位置に対応するようにした。パターン偏光層１０（偏光板１１０）を作製する際におけるマスクパターンは、遮光部の位置が、後述するＥＬ基板３の発光素子（面積率１％）の位置に対応するようにした。
パターン偏光層１１（偏光板１１１）を作製する際におけるマスクパターンは、遮光部の位置が、後述するＥＬ基板４の発光素子（面積率１３．９％）の位置に対応するようにした。
また、形成した各パターン偏光層について、パターン偏光層０１と同様に、領域Ａおよび領域Ｂの偏光度、単体透過率（透過率）および面積率を算出した。偏光度、単体透過率（透過率）および面積率は、下記の表１に併記する。なお、パターンを有さない偏光層９０（偏光板２０１）は、偏光度は９２％、単体透過率は４５％であった。

［偏光板１１２の作製］
パターン偏光層０１の作製において、偏光層形成用組成物を塗布膜を形成した後、塗布膜に、凹凸を有する押圧型を押圧した（図８参照）。なお、押圧型は、凸部の位置が後述するＥＬ基板３の発光素子（面積率１％）の位置に対応する凹凸パターンを有するものである。
押圧型によって塗布膜を押圧した状態で、パターン偏光層０１と同様に、塗布膜の加熱および冷却を行い、さらに、マスクを用いずに高圧水銀灯からの光を照射して、パターン偏光層１２を形成した。
これ以降は、偏光板１０１と同様に、偏光板１１２を作製した。
また、形成したパターン偏光層について、パターン偏光層０１と同様に、領域Ａおよび領域Ｂの偏光度、単体透過率（透過率）および面積率を算出した。偏光度、単体透過率（透過率）および面積率は、下記の表１に併記する。
なお、偏光板１１２のパターン偏光層１２の領域Ａおよび領域Ｂは、互いとの境界近傍に、領域Ａは、領域Ｂに向かって、漸次、偏光度が増加し、領域ＡＢ、領域Ａに向かって、漸次、偏光度が減少する領域を有していた。

［偏光板１１３の作製］
＜塗布液Ａの作製＞
下記の硬化性組成物２を調製し、孔径０．２μｍのポリプロピレン製フィルタでろ過した後、３０分間減圧乾燥することで、樹脂層形成用の塗布液Ａを得た。

――――――――――――――――――――――――――――――――――
硬化性組成物２
――――――――――――――――――――――――――――――――――
・ジシクロペンタニルアクリレート（ＦＡ−５１３ＡＳ（日立化成社製））
７８．４質量部
・トリシクロデカンジメタノールジアクリレート
（Ａ−ＤＣＰ（新中村化学工業製）） ２０．０質量部
・光重合開始剤（イルガキュアＴＰＯ（ＢＡＳＦ製）） ０．２質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――

＜＜凹凸構造を有する基材の作製＞＞
支持体の表面に樹脂層形成用の塗布液Ａを塗布し押圧型の凹凸部を転写した後に光硬化させて、凹凸構造を有する基材を作製した。
なお、押圧型は、凹部の位置がＥＬ基板３の発光素子（面積率１％）の位置に対応する凹凸パターンを有するものである。従って、この基材は、凸部の位置がＥＬ基板３の発光素子の位置に対応する。
また、光硬化には、１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス社製）を用いて、紫外線を支持体側から２０００ｍＪ／ｃｍ²照射することで、樹脂層を硬化させた。
＜＜偏光板１１３の作製＞＞
この基材に偏光層形成用組成物を塗布し、かつ、高圧水銀灯が出射する光の照射時にマスクを用いない以外は、偏光板１０１と同様に、偏光板１１３を作製した。
また、形成したパターン偏光層について、パターン偏光層０１と同様に、領域Ａおよび領域Ｂの偏光度、単体透過率（透過率）および面積率を算出した。偏光度、単体透過率（透過率）および面積率は、下記の表１に併記する。
なお、偏光板１１３のパターン偏光層１３の領域Ａおよび領域Ｂは、互いとの境界近傍に、領域Ａは、領域Ｂに向かって、漸次、偏光度が増加し、領域ＡＢ、領域Ａに向かって、漸次、偏光度が減少する領域を有しており、偏光度の変化は、パターン偏光層１２よりも滑らかであった。

［λ/４位相差フィルムの作製］
＜光配向膜用組成物の調製＞
パターン偏光層０１における配向膜の形成に用いた配向膜形成用組成物と同様の組成物を調製した。

＜光学異方性層用塗布液の調製＞
下記組成の光学異方性層用塗布液を調製した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
光学異方性層用塗布液
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記液晶性化合物Ｌ−３ ４２．００質量部
・下記液晶性化合物Ｌ−４ ４２．００質量部
・下記重合性化合物Ａ−１ １６．００質量部
・下記低分子化合物Ｂ−２ ６．００質量部
・下記重合開始剤Ｓ−１（オキシム型） ０．５０質量部
・下記レベリング剤Ｇ−１ ０．２０質量部
・ハイソルブＭＴＥＭ（東邦化学工業社製） ２．００質量部
・ＮＫエステルＡ−２００（新中村化学工業社製） １．００質量部
・メチルエチルケトン ４２４．８質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――
なお、下記液晶性化合物Ｌ−３およびＬ−４のアクリロイルオキシ基に隣接する基は、プロピレン基（メチル基がエチレン基に置換した基）を表し、下記液晶性化合物Ｌ−３およびＬ−４は、メチル基の位置が異なる位置異性体の混合物を表す。

＜セルロースアシレートフィルムの作製＞
（コア層セルロースアシレートドープの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して、各成分を溶解し、コア層セルロースアシレートドープとして用いるセルロースアセテート溶液を調製した。
─────────────────────────────────
コア層セルロースアシレートドープ
─────────────────────────────────
・アセチル置換度２．８８のセルロースアセテート １００質量部
・特開２０１５−２２７９５５号公報の実施例に記載された
ポリエステル化合物Ｂ １２質量部
・下記化合物Ｆ ２質量部
・メチレンクロライド（第１溶媒） ４３０質量部
・メタノール（第２溶剤） ６４質量部
─────────────────────────────────

化合物Ｆ

（外層セルロースアシレートドープの作製）
上述のコア層セルロースアシレートドープ９０質量部に下記のマット剤溶液を１０質量部加え、外層セルロースアシレートドープとして用いるセルロースアセテート溶液を調製した。
─────────────────────────────────
マット剤溶液
─────────────────────────────────
・平均粒子サイズ２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル社製） ２質量部
・メチレンクロライド（第１溶媒） ７６質量部
・メタノール（第２溶剤） １１質量部
・上記のコア層セルロースアシレートドープ １質量部
─────────────────────────────────

（セルロースアシレートフィルム１の作製）
コア層セルロースアシレートドープと外層セルロースアシレートドープとを、平均孔径３４μｍのろ紙および平均孔径１０μｍの焼結金属フィルターでろ過した後、コア層セルロースアシレートドープとその両側に外層セルロースアシレートドープとを３層同時に流延口から２０℃のドラム上に流延した（バンド流延機）。
次いで、溶剤含有率略２０質量％の状態で剥ぎ取り、フィルムの幅方向の両端をテンタークリップで固定し、横方向に延伸倍率１．１倍で延伸しつつ乾燥した。
その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、更に乾燥し、厚さ４０μｍのセルロースアシレートフィルム１を作製した。得られたセルロースアシレートフィルム１の面内レターデーションは０ｎｍであった。

＜λ/４位相差フィルムの作製＞
作製したセルロースアシレートフィルム１の片側の面に、調製した光配向膜用組成物をバーコーターで塗布した。
塗布後、１２０℃のホットプレート上で１分間乾燥して溶剤を除去し、厚さ０．３μｍの組成物層を形成した。得られた成物層に偏光紫外線を照射（１０ｍＪ／ｃｍ²、超高圧水銀ランプ使用）することで、光配向膜を形成した。
次いで、光配向膜上に、調製した光学異方性層用塗布液をバーコーターで塗布し、組成物層を形成した。形成した組成物層をホットプレート上で、一旦、１１０℃まで加熱した後、６０℃に冷却させて配向を安定化させた。
その後、６０℃に保ち、窒素雰囲気下（酸素濃度１００ｐｐｍ）で紫外線照射（５００ｍＪ／ｃｍ²、超高圧水銀ランプ使用）によって配向を固定化し、厚さ２．３μｍの光学異方性層を形成し、λ／４位相差フィルムを作製した。得られた光学積層体の面内レターデーションは１４０ｎｍであった。

［ポジティブＣプレート膜の作製］
仮支持体として、市販されているトリアセチルセルロースフィルム「Ｚ−ＴＡＣ」（富士フイルム社製）を用いた（これをセルロースアシレートフィルム２とする）。
セルロースアシレートフィルム２を温度６０℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を４０℃に昇温した後に、フィルムの片面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量１４ｍｌ／ｍ²で塗布し、１１０℃に加熱し、ノリタケカンパニーリミテド社製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、１０秒間搬送した。
次いで、同じくバーコーターを用いて、純水を３ｍｌ／ｍ²塗布した。
次いで、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを３回繰り返した後に、７０℃の乾燥ゾーンに１０秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したセルロースアシレートフィルム２を作製した。
─────────────────────────────────
アルカリ溶液の組成（質量部）
─────────────────────────────────
・水酸化カリウム ４．７質量部
・水 １５．８質量部
・イソプロパノール ６３．７質量部
・含フッ素界面活性剤ＳＦ−１
（Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ_2O）₂₀Ｈ） １．０質量部
・プロピレングリコール １４．８質量部
─────────────────────────────────

上述のアルカリ鹸化処理されたセルロースアシレートフィルム２を用い、下記の組成の配向膜形成用塗布液を＃８のワイヤーバーで連続的に塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに１００℃の温風で１２０秒乾燥し、配向膜を形成した。
─────────────────────────────────
配向膜形成用塗布液の組成
─────────────────────────────────
・ポリビニルアルコール（クラレ製、ＰＶＡ１０３） ２．４質量部
・イソプロピルアルコール １．６質量部
・メタノール ３６質量部
・水 ６０質量部
─────────────────────────────────

作製した配向膜を有するセルロースアシレートフィルム２上に、下記塗布液Ｎを塗布し、６０℃６０秒間熟成させた後に、空気下にて７０ｍＷ／ｃｍ²の空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス社製）を用いて１０００ｍJ／ｃｍ²の紫外線を照射して、その配向状態を固定化することにより、重合性棒状液晶化合物を垂直配向させ、ポジティブＣプレート膜を作製した。作製したポジティブＣプレート膜は、波長５５０ｎｍにおけるＲｔｈが−６０ｎｍであった。

─────────────────────────────────
塗布液Ｎの組成
─────────────────────────────────
・下記液晶性化合物Ｌ−１ ８０質量部
・下記液晶性化合物Ｌ−２ ２０質量部
・下記垂直配液晶化合物向剤（Ｓ０１） １質量部
・エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学社製） ８質量部
・イルガキュアー９０７（ＢＡＳＦ製） ３質量部
・カヤキュアーＤＥＴＸ（日本化薬社製） １質量部
・下記化合物Ｂ０３ ０．４質量部
・メチルエチルケトン １７０質量部
・シクロヘキサノン ３０質量部
─────────────────────────────────

＜円偏光板の作製＞
λ/４位相差フィルムの光学異方性層側に、粘着剤を介して上記で作成したポジティブＣプレート膜を転写し、セルロースアシレートフィルム２を除去した。また、λ/４位相差フィルムのセルロースアシレートフィルム１側に、粘着剤を介して、先に作製した偏光板１０１〜１１３、および、偏光板２０１を、それぞれ、貼り合わせて、１４種の円偏光板を得た。

［実施例１］
ＥＬ基板１として、ＬＥＤディスプレイ（シリコンコアテクノロジー社製、LAVENDER、発光素子のピッチ１．２ｍｍ）を用意した。このＥＬ基板１における発光素子の面積率は２５％である。
このＥＬ基板に、偏光板１０１を有する円偏光板をポジティブＣプレート側がＥＬ基板１側となるように配置し、そのλ／４位相差フィルム側に粘着剤を介して表面フィルム（富士フイルム株式会社製、ＣＶ−ＬＣ５）を貼合することで、実施例１の（ＥＬ）表示装置１１を作製した。
配置の際には、作製した円偏光板の領域Ａ(偏光度が低い領域)と、ＥＬ基板１の発光素子とが対応するように位置を合わせた。また、パターン偏光層と発光素子との上面の距離は、１ｍｍとした。

［実施例２〜６および実施例１１、ならびに、比較例１および比較例２］
偏光板１０２〜１０８を有する円偏光板を用いた以外には、実施例１と同様に実施例２〜６および実施例１１、ならびに、比較例１の表示装置１２〜１８を作製した。
さらに、比較例２として、実施例１において、ＥＬ基板に円偏光板を配置する際に、円偏光板の領域Ａの位置と、ＥＬ基板１の発光素子の位置とが対応しないようにした、表示装置２７を作製した。

［実施例７］
プリント基板上に、３色発光ＬＥＤ（ローム株式会社製、ＰＩＣＯＬＥＤ 型番：ＳＭＬＰ３４ＲＧＢ）を、ＬＥＤ（発光素子）の面積率が１０％となるよう２次元格子状に配置した。ＬＥＤを配置していない部分には、液晶表示装置用のブラックマトリクス材料から構成された黒色層をフォトリソグラフィーを利用して形成した。これによりＥＬ基板２を作製した（図４参照）。
ＥＬ基板２に対して、パターン偏光層１０９を有する円偏光板および表面フィルムを、実施例１と同様に配置して、実施例７の表示装置１９を作製した。

［実施例８］
画素占有率が１％となるように３色発光ＬＥＤを配置した以外は、ＥＬ基板２と同様にＥＬ基板３を作製した。
ＥＬ基板３に対して、パターン偏光層１１０を有する円偏光板および表面フィルムを、実施例１と同様に配置して、実施例８の表示装置２０を作製した。
［実施例９］
パターン偏光層と発光素子との上面の距離を０．２ｍｍとした以外は、実施例８と同様に、実施例９の表示装置２１を作製した。

［実施例１０］
有機ＥＬ基板（有機ＥＬパネル）を搭載する有機ＥＬ表示装置（ＬＧ社製、Ｖ３０）を分解し、有機ＥＬ表示装置から、円偏光板付きタッチパネルを剥離し、さらに、タッチパネルから円偏光板を剥がして、有機ＥＬ基板、タッチパネルおよび円偏光板を、それぞれ単離した。
次いで、単離したタッチパネルと有機ＥＬ表示素子とを、再度、貼合して、ＥＬ基板４とした（図２参照）。
ＥＬ基板４に対して、偏光板１１１を有する円偏光板および表面フィルムを、実施例１と同様に配置して、実施例１０の表示装置２２を作製した。なお、パターン偏光層と発光素子との上面の距離は、０．２５ｍｍとした。

［発光素子の光の利用効率の測定］
分光輝度計（トプコンテクノハウス社製、ＳＲ３）を用い、作製した表示装置の表示面から７００ｍｍの距離から輝度を測定して、発光素子の光の利用効率（光利用効率）を測定した。

発光素子の光の利用効率を測定するために、実施例および比較例の円偏光板に代えて、偏光層９０のパターンが無い偏光板２０１を有する円偏光板を用いた表示装置００を作製した。
実施例および比較例の各表示装置の発光素子の光の利用効率は、表示装置００の輝度に対する、実施例および比較例の各表示装置の輝度で測定した。
表示装置００に対する輝度が、
２．１倍以上の場合をＡ、
１．８倍以上２．１倍未満の場合をＢ、
１．５倍以上１．８倍未満の場合をＢ−、
１．０倍以上１．５倍未満の場合をＣ、
１．０倍未満の場合をＤ、
と評価した。

［反射率の測定］
分光測色計（コニカミノルタ社製、ＣＭ２０２２）を用い、ＳＣＩ測定方式におけるＹの値を面内の位置を変えて１０回測定し、その平均値を反射率として用いた。
結果を下記の表２に示す。

実施例１０のＥＬ基板４（ＯＬＥＤ）において、発光素子の面積率は、Ｒ発光素子が３．３％、Ｇ発光素子が５．８％、Ｂ発光素子が４．７％である。実施例１０では、これに対応して、領域Ａの面積率は、Ｒ発光素子に対応する領域が５．３％、Ｇ発光素子に対応する領域が９．３％が、Ｂ発光素子に対応する領域が７．５％としている。

表２に示されるように、本発明の表示装置は、発光素子の光の利用効率（光利用効率）と、外光の反射防止機能とを両立して得られる。
また、実施例４および実施例５と、実施例１等とに示されるように、領域Ａの面積率ＳＡと発光素子の面積率ＳＰとの比（ＳＡ／ＳＰ）を０．５以上とし、かつ、領域Ａの縁戚率を５０％以下（ＳＡ＜５０％）とすることにより、より好適に利用効率と外光の反射防止機能とを両立できる。
さらに、実施例８〜１０に示されるように、発光素子の面積率を１０％以下とすることにより、より好適に利用効率と外光の反射防止機能とを両立できる。
これに対して、パターン偏光層の領域Ｂの偏光度が７５％である偏光板１０３を用いた比較例１は、十分な外光反射防止機能を得られていない。また、領域Ａの位置と発光素子の位置とが対応していない比較例２は、発光素子が出射した光の利用効率が低い。

［実施例１２および実施例１３］
パターン偏光層と、ＥＬ基板１の発光素子との距離を２ｍｍとした以外は、実施例１と同様に表示装置２３を作製した（実施例１２）。
また、パターン偏光層と、ＥＬ基板１の発光素子との距離を０．１ｍｍとした以外は、実施例１と同様に表示装置２４を作製した（実施例１３）。
上述のように、実施例１の表示装置で用いるＥＬ基板１の発光素子のピッチは、１．２ｍｍである。
作製した表示装置について、先と同様に発光素子の光の利用効率および反射率を測定した。結果を下記の表３に示す。なお、測定結果には、実施例１の結果も示す。

表３に示されるように、パターン偏光層とＥＬ基板の発光素子との距離を、ＥＬ基板の発光素子のピッチよりも小さくすることにより、発光素子が出射した光の利用効率を、より向上できる。

［実施例１４および実施例１５］
偏光板１１２を有する円偏光板を用いた以外は、実施例８と同様に表示装置を作製した（実施例１４）。
また、偏光板１１３を有する円偏光板を用いた以外、実施例８と同様に表示装置を作製した（実施例１５）。
上述のように、偏光板１１２および偏光板１１３のパターン偏光層は、共に、領域Ａおよび領域Ｂが、互いの境界近傍に、領域Ａは、領域Ｂに向かって、漸次、偏光度が増加し、領域Ｂは、領域Ａに向かって、漸次、偏光度が減少する領域を有しているものであり、偏光板１１３のパターン偏光層の方が、より滑らかな変化を有する。

作製した表示装置について、先と同様に発光素子の光の利用効率および反射率を測定した。
また、本例に関しては、ＥＬ基板３（発光素子の面積率１％）と、円偏光板（パターン偏光層）との位置合わせの容易性も評価した。
位置合わせの容易性（位置合わせ）は、発光素子を内接する円の直径を発光素子のサイズとして、発光素子のサイズの５０％分、位置をずらしてＥＬ基板に円偏光板を配置した際における、位置をずらさない場合に対する、光の利用効率の低下率によって評価した。
光の利用効率の低下が、
５％未満の場合をＡ、
５％以上１０％未満の場合をＢ＋、
１０％以上２０％未満の場合をＢ、
２０％以上３０％未満の場合をＣ、
３０％以上の場合をＤ、
と評価した。
結果を下記の表４に示す。なお、測定結果には、実施例８の結果も示す。

表４に示されるように、パターン偏光層の領域Ａおよび領域Ｂが、互いとの境界近傍に、領域Ａは、領域Ｂに向かって、漸次、偏光度が増加し、領域ＡＢ、領域Ａに向かって、漸次、偏光度が減少する領域を有することにより、ＥＬ基板の発光素子と領域Ａとの位置合わせを、容易に行うことが可能になる。また、この表示装置は、表示画面を斜め視野から目視観察した際の、正面との明るさの変化も小さく、良好であった。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。

各種の表示装置に、好適に利用可能である。

１０ ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置
１２ ＥＬ基板
１２Ｒ Ｒ発光素子
１２Ｇ Ｇ発光素子
１２Ｂ Ｂ発光素子
１４ λ／４波長板
１６ 支持体
１８ パターン偏光層
１８Ａ，１８Ｂ 領域
２０ 偏光板
２４ 発光部
２８ マスク
２８ａ 遮光部
２８ｂ 光透過部
３０，３６ 押圧型
３４ 基材
３４Ｆ，Ｆ 塗布膜

Claims (10)

1. エレクトロルミネッセンスによる発光素子を、複数、有するエレクトロルミネッセンス基板と、λ／４波長板と、パターン偏光層を含む偏光板とを、この順で有し、
   前記パターン偏光層は、偏光度が８０％未満の領域Ａと、偏光度が８０％以上の領域Ｂとを有し、かつ、前記パターン偏光層の領域Ａの位置と、前記エレクトロルミネッセンス基板の発光素子の位置とが、対応しており、さらに、
   前記領域Ｂ側に、前記領域Ｂから離間する領域よりも偏光度が高い領域を有する、前記領域Ａ、および、前記領域Ａ側に、前記領域Ａから離間する領域よりも偏光度が低い領域を有する、前記領域Ｂの、少なくとも一方を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 前記パターン偏光層の前記領域Ａが、偏光度が１０％以下の領域を有する、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
3. 前記パターン偏光層の前記領域Ａの単体透過率が５０％以上である、請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 前記パターン偏光層における前記領域Ａの面積率をＳＡ、前記エレクトロルミネッセンス基板における前記発光素子の面積率をＳＰとした際に、
   ０．５≦ＳＡ／ＳＰ、かつ、ＳＡ＜５０％、
   を満たす、請求項１〜３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 前記エレクトロルミネッセンス基板における前記発光素子の面積率が３０％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 前記パターン偏光層が、液晶性化合物を用いて形成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
7. 前記パターン偏光層と前記エレクトロルミネッセンス基板の前記発光素子との距離が、前記エレクトロルミネッセンス基板における前記発光素子のピッチよりも小さい、請求項１〜６のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
8. 前記パターン偏光層は、
   前記領域Ｂ側に、前記領域Ｂに向かって、漸次、偏光度が高くなる領域を有する、前記領域Ａ、および、
   前記領域Ａ側に、前記領域Ａに向かって、漸次、偏光度が低くなる領域を有する、前記領域Ｂの、少なくとも一方を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
9. 前記偏光板と前記λ／４波長板との厚さの合計が２０μｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
10. 前記発光素子がＬＥＤである、請求項１〜９のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
    

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