TWI661548B - 有機發光二極體顯示裝置 - Google Patents
有機發光二極體顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI661548B TWI661548B TW106114132A TW106114132A TWI661548B TW I661548 B TWI661548 B TW I661548B TW 106114132 A TW106114132 A TW 106114132A TW 106114132 A TW106114132 A TW 106114132A TW I661548 B TWI661548 B TW I661548B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- organic light
- emitting diode
- layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 299
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- QCSXNSFTJPBQOI-UHFFFAOYSA-N [Zn+2].[O-2].[Zn+2].[In+3] Chemical compound [Zn+2].[O-2].[Zn+2].[In+3] QCSXNSFTJPBQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- LFKMKZZIPDISEK-UHFFFAOYSA-L magnesium;4-carboxy-2,6-dihydroxyphenolate Chemical compound [Mg+2].OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O.OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O LFKMKZZIPDISEK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXTDPVFMRQAEFP-UHFFFAOYSA-N [W+4].[O-2].[Cs+] Chemical compound [W+4].[O-2].[Cs+] LXTDPVFMRQAEFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一種有機發光二極體顯示裝置，包含基板、主動元件陣列、有機發光二極體、光吸收層或光學散射層及封裝板。基板具有相對的上表面及下表面。主動元件陣列配置在基板之上表面的一側。有機發光二極體配置主動陣列基板上方，有機發光二極體包含第一電極、第二電極以及有機發光層。第一電極配置於鄰近主動元件陣列之一側，第二電極與第一電極相對設置，第一電極及第二電極在可見光波長範圍內具高穿透率及低反射率。有機發光層夾設於第一電極與第二電極之間。光吸收層或光學散射層配置在有機發光二極體與基板之間。封裝板配置於第二電極上方。
Description
本發明是有關於一種有機發光二極體顯示裝置。
有機發光二極體顯示面板被視為下一世代的主流技術。在一般的有機發光二極體顯示面板中，當使用者在高亮度的環境光源下使用有機發光二極體顯示器時，從外界經由面板反射的光線會嚴重影響原本顯示器的顯示畫面，導致使用者無法看清楚原本的顯示畫面。
在傳統的有機發光二極體顯示器中，為了提高出光效率，採用具有高反射率之材料作為有機發光二極體的驅動電極，使得向底部發射的光線能夠被下方的驅動電極反射，從而得到較高的出光效率。另外，也有人提出微型光學共振腔的有機發光二極體顯示器，以提高有機發光二極體顯示器的亮度。在此種技術中，除了有機發光二極體的下驅動電極必須使用高反射率的材料之外，上驅動電極也必須具備一定的反射率。微型光學共振的有機發光二極體顯示器能夠提供較佳的色彩飽和度、較高的正視角亮度，但是也存在某 些缺點。例如，雖然在正視方向上提高了顯示器的亮度及色彩飽和度，但是卻造成大視角的影像之色彩失真，而且亮度隨視角增加而大幅的下降。
在上述的技術中，雖然得到高的出光效率，但是也造成一些問題。例如，高反射率的電極會反射從外界入射的光線，因此當使用者處在高亮度的環境光源下(例如，室外的太陽光)，從外界經由面板反射的光線將嚴重影響到原本顯示器的顯示畫面，導致使用者無法清楚看見原本顯示器的顯示畫面。此外，在微型光學共振腔的技術中，此種技術雖然能夠提供較佳的色彩飽和度以及較高的正視角亮度，但是因為必須使用高光學反射的電極，所以也面臨同樣的問題。
為了解決上述的問題，在習知技術中，是在有機發光二極體顯示器的顯示面上方外加一組抗反射的光學模組，以降低有機發光二極體面板對外界光線的反射現象。這種抗反射的光學模組的結構是由偏光片(polarizer)與1/4波板(1/4 λ wave plate)所構成。這種結構的抗反射光學膜組雖然解決外界光的反射問題，但卻反而導致有機發光二極體面板的亮度損失達60%，此係因一片偏光片的穿透率僅約40-50%。所以，習知技術在出光效率及高亮度光源環境下使用的方面存在著兩難的技術缺點。此外，習知技術的疊層結構造成整體裝置的厚度及重量的增加。因此，有必要提出一種新的有機發光二極體顯示面板，以改善此一存在的技術問題。
本發明以下揭露的一或多的實施方式能夠解決上述環境光的反射問題，並且相較於外掛式的抗反射模組，本發明的實施方式除了能夠提高有機發光二極體顯示裝置或有機發光二極體觸控裝置整體的發光效率，並且還能夠兼具在高亮度光源環境下使用。
根據本發明某些實施方式，係揭露一種有機發光二極體顯示裝置。在此揭露的有機發光二極體觸控裝置包含一基板、一主動元件陣列、至少一有機發光二極體、一光吸收層以及一封裝板。基板具有相對的一上表面及一下表面。主動元件陣列配置在基板之上表面的一側。有機發光二極體配置在基板上，有機發光二極體包含一第一電極、一第二電極以及一有機發光層。第一電極配置於鄰近主動元件陣列之一側，第二電極與第一電極相對設置，有機發光層夾設於第一電極與第二電極之間。光吸收層配置於有機發光二極體與基板之上表面之間，或配置於基板之下表面。封裝板配置於第二電極上方。
根據本發明某些實施方式，係揭露一種有機發光二極體顯示裝置。此有機發光二極體顯示裝置包含一基板、一主動元件陣列、至少一有機發光二極體、一光學散射層、以及一封裝板。基板具有相對的一上表面及一下表面。主動元件陣列配置在基板之上表面的一側。有機發光二極體配置在主動元件陣列上，有機發光二極體包含一第一電極、 一第二電極、以及一有機發光層。第一電極配置於鄰近主動元件陣列之一側，第二電極與第一電極相對設置。有機發光層夾設於第一電極與第二電極之間。光學散射層配置在有機發光二極體與基板之上表面之間，或配置在基板之下表面。封裝板配置於第二電極上方。
根據本發明某些實施方式，係揭露一種有機發光二極體顯示裝置。此有機發光二極體顯示裝置包含一基板、一主動元件陣列、至少一有機發光二極體以及一封裝板。基板具有相對的一上表面及一下表面。主動元件陣列配置在基板之上表面的一側。有機發光二極體配置主動陣列基板上方，有機發光二極體包含一第一電極、一第二電極以及一有機發光層。第一電極配置於鄰近主動元件陣列之一側，且第一電極包含多個奈米導電線，用以對一入射光進行散射。第二電極與第一電極相對設置。有機發光層夾設於第一電極與第二電極之間。封裝板配置於第二電極上方。
100、100a、100b、100c‧‧‧有機發光二極體觸控裝置
110‧‧‧主動陣列基板
112‧‧‧主動元件陣列
112a‧‧‧主動元件
116‧‧‧訊號線
120‧‧‧有機發光二極體
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第二電極
124‧‧‧有機發光層
130‧‧‧光吸收層
132‧‧‧通孔
140‧‧‧封裝板
140a‧‧‧內側面
140b‧‧‧外側面
142‧‧‧折射率匹配層
144‧‧‧玻璃板
146‧‧‧封裝基材
148‧‧‧黏著層
150‧‧‧觸控電路層
151‧‧‧第一感測電極
151a‧‧‧第一感測墊
151b‧‧‧第一橋接線
152‧‧‧第二感測電極
152a‧‧‧第二感測墊
152b‧‧‧第二橋接線
153‧‧‧介電層
153a‧‧‧通孔
154‧‧‧絕緣層
155‧‧‧發送電極
156‧‧‧接收電極
157‧‧‧訊號線
160‧‧‧保護層
170‧‧‧密封層
180‧‧‧電性連接元件
200、200a、200b‧‧‧有機發光二極體觸控裝置
210‧‧‧第一電極
220‧‧‧雙功能電極
221‧‧‧感測驅動電極
222‧‧‧透明電極
230‧‧‧雙功能感測層
250‧‧‧觸控電路結構
251‧‧‧第一感測層
251a‧‧‧第一感測電極
252‧‧‧第二感測層
252a‧‧‧第二感測電極
253、254‧‧‧條狀導線
255‧‧‧連接線
256‧‧‧主體電極
257‧‧‧輔助電極
260‧‧‧絕緣層
270‧‧‧感測電極
270a‧‧‧偵測電極
280‧‧‧第一雙功能電極
290‧‧‧第二雙功能電極
300、300a、300b‧‧‧有機發光二極體觸控裝置
310‧‧‧封裝感測板
310a‧‧‧內側
310b‧‧‧外側
320‧‧‧保護板
330‧‧‧封裝感測板
331‧‧‧第一基板
336‧‧‧第二基板
400、400a‧‧‧有機發光二極體顯示裝置
410‧‧‧基板
410a‧‧‧上表面
410b‧‧‧下表面
420‧‧‧主動元件陣列
422‧‧‧主動元件
430‧‧‧有機發光二極體
430B‧‧‧藍色有機發光二極體
430G‧‧‧綠色有機發光二極體
430R‧‧‧紅色有機發光二極體
431‧‧‧第一電極
432‧‧‧第二電極
434‧‧‧有機發光層
440‧‧‧光學散射層
442‧‧‧通孔
450‧‧‧封裝板
456‧‧‧彩色濾光層
456B‧‧‧藍色濾光層
456G‧‧‧綠色濾光層
456R‧‧‧紅色濾光層
460‧‧‧圖案化遮光層
d‧‧‧間隙
S‧‧‧封閉空間
X、Y‧‧‧方向
F1、F2、F3‧‧‧顯示畫面
D1、D2、D3‧‧‧時間區間
P1、P2、P3‧‧‧時間區間
R‧‧‧觸控信號
R1‧‧‧充電訊號
R2‧‧‧感測訊號
第1圖繪示本發明各種實施方式之有機發光二極體觸控裝置之剖面示意圖。
第2圖本發明另一實施方式之有機發光二極體觸控裝置之剖面示意圖。
第3圖繪示本發明另一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的剖面示意圖。
第4圖繪示本發明又一實施方式之有機發光二極體觸 控裝置的剖面示意圖。
第5A圖繪示本發明一實施方式之觸控電路層的上視示意圖。
第5B圖繪示第5A圖中沿5B-5B’剖面線的剖面示意圖。
第6A圖繪示本發明另一實施方式之觸控電路層的上視示意圖。
第6B圖繪示第6A圖中沿6B-6B’剖面線的剖面示意圖。
第7圖繪示本發明再一實施方式之觸控電路層的上視示意圖。
第8圖繪示本發明再一實施方式之觸控電路層的上視示意圖。
第9圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的剖面示意圖。
第10A-10C圖繪示本發明各種實施方式之第一感測層與第二感測層的上視示意圖。
第11A圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的剖面示意圖。
第11B圖及第11C圖分別繪示本發明一實施方式之雙功能電極以及感測電極的上視示意圖。
第12圖繪示習知技術之有機發光二極體顯示器之驅動方式的示意圖。
第13圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的驅動方式的示意圖。
第14圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的剖面示意圖。
第15圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的剖面示意圖。
第16圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的剖面示意圖。
第17圖繪示本發明又一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的剖面示意圖。
第18圖繪示本發明又一實施方式之有機發光二極體觸控裝置的剖面示意圖。
第19-22圖繪示本發明各種實施方式之有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖。
第23圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖。
第24-25圖繪示本發明各種實施方式之有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖。
為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本發明具體實施方式的有限形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施方式或實施例中附加其他的實施方式或實施例，而無須進一步的記載或說明。在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使本發明所屬技術領域通常知識 者，能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施方式或實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。
關於本文中所使用之「約」、「大約」或「大致」的用語一般通常係指數值之誤差或範圍約百分之二十以內，較佳地是約百分之十以內，更佳地則是約百分五之以內。文中若無明確說明，其所提及的數值皆視作為近似值，即如「約」、「大約」或「大致」所表示的誤差或範圍。本文中，當一元件被稱為「連接」或「耦接」至另一元件時，可以是一元件直接連接或耦接至另一元件；或是一元件與另一元件之間存在一或多個額外元件，亦即一元件經由一或多個額外元件而連接至另一元件。相對的，當一元件被稱為「直接連接」或「直接耦接」至另一元件時，其間沒有額外元件存在。在本文中，使用第一、第二與第三等之詞彙用於描述各種元件、組件、區域、層與/或區塊，這些元件、組件、區域、層與/或區塊不應該被這些術語所限制。這些詞彙僅只用以辨別一元件、組件、區域、層與/或區塊與另一元件、組件、區域、層與/或區塊的區別。因此，在下文中的一第一元件、組件、區域、層與/或區塊也可被稱為第二元件、組件、區域、層與/或區塊。
在本發明以下揭露的一或多的實施方式中，捨棄傳統的高反射電極的思維，採用低光學反射率及高光學穿透率的材料作為有機發光二極體的驅動電極，同時設置光學吸收層或光學散射層。在本發明以下揭露的一或多的實施方 式中，不但避免了因為高反射率驅動電極所導致的外界光反射問題，也無須使用外掛的光學抗反射模組。從而，讓整體發光效率提高約25%(相較於外掛式的抗反射模組)。
第1圖繪示本發明各種實施方式之有機發光二極體觸控裝置100的剖面示意圖。有機發光二極體觸控裝置100包含主動陣列基板110、一或多個有機發光二極體120、光吸收層130、封裝板140以及觸控電路層150。
主動陣列基板110包含多個主動元件112a，這些主動元件112a可位在主動陣列基板110的上表面，並且主動元件112a可配置為陣列形式，而形成主動元件陣列112。在某些實施方式中，主動元件112a可例如多晶矽薄膜電晶體、非晶矽薄膜電晶體或金屬氧化物薄膜電晶體。
有機發光二極體120配置在主動陣列基板110上方。有機發光二極體120包含第一電極121、第二電極122以及有機發光層124。
第一電極121配置於鄰近主動元件陣列112之一側，第二電極122與第一電極121相對設置。在某些實施方式中，第一電極121及第二電極122為低反射率、高穿透率的材料所製成。在某些實施例中，第一電極121及第二電極122在可見光波長範圍(380nm-780nm)的平均穿透率大於約0.6。第一電極121及/或第二電極122的材料可例如為氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide，ITZO)、氧化鎘錫 (cadmium tin oxide，CTO)、氧化錫(tin oxide)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide，InGaZnMgO)、氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide，InGaAlO)或氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide，InGaMgO)等，但不限於此。
有機發光層124夾設於第一電極121與第二電極122之間。在某些實施方式中，有機發光層124為多層結構。例如，有機發光層124可包含電洞注入層(Hole Injection Layer，HIL)、電洞傳遞層(Hole Transport Layer，HTL)、發光層(Emitting Layer，EML)、電洞阻礙層(Hole Blocking Layer，HBL)及電子傳遞層(Electron Transport Layer，ETL)等，但不限於此。
光吸收層130位於第一電極121與主動元件陣列112之間。光吸收層130用以吸收從環境入射到有機發光二極體觸控裝置100內的光線。如前文所述，有機發光二極體120的第一及第二電極121、122是使用高穿透率及低反射率之導電材料所製成，因此在顯示面的出光方向上，此種高穿透率電極提供較高的穿透率，不會遮蔽或吸收有機發光二極體120所發出的光。對於外界的入射光，則因低反射率，可以減少從環境入射的光線之反射現象。此外，光吸收層130設置在主動陣列基板110上，當從外界環境入射到面板的光線通過高穿透率及低反射率的第一及第二電極 121、122，並到達光吸收層130後，這些入射光會被光吸收層130所吸收。因此，可以降低及消弭原本入射光的光學反射，從而提高有機發光二極體顯示器的亮度對比。因此，本發明無須像習知技術一樣設置額外的抗反射膜層或模組，所以不會降低有機發光二極體120的光強度，而且整體有機發光二極體觸控裝置100的厚度及重量也不會明顯增加。
在某些實施方式中，光吸收層130材料可包含有機及/或無機材質，例如染料(dye)、顏料(pigment)、石墨碳，鈦黑、碳黑及/或氧化鎢銫等，其粒徑可例如為約10奈米至約2微米，但不限於此。
在一實施方式中，光吸收層130完全覆蓋主動元件陣列112，而且光吸收層130在可見光波長範圍的平均反射率小於約0.3，或吸收率大於約0.6。
封裝板140配置於第二電極122上方，並且和主動陣列基板110形成一封閉空間S，而將有機發光二極體120與外界隔絕，從而避免有機發光二極體120的劣化。詳細的說，有機發光發光二極體120中的有機發光層以及陰極通常是由容易受到水及/或氧而發生劣化的材料所製成，因此如果水或氧滲透進入有機發光二極體顯示器中，將會嚴重影響顯示器的壽命。所以，有機發光二極體120必須設置封裝板140，以避免其中的元件與外界的氧氣及/或水氣接觸。
封裝板140可包含有硬質基板，例如玻璃，或可繞曲基板，例如聚碳酸脂(polycarbonate，PC)、聚對苯 二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmesacrylate，PMMA)、聚碸(Polysulfone，PES)或其他環烯共聚物(cyclic olefin copolymer)。
在某些實施例中，有機發光二極體觸控裝置100包含密封層170，配置於封裝板140與主動陣列基板110之間，而且密封層170圍繞主動元件陣列112以及有機發光二極體120。密封層170與封裝板140及主動陣列基板110形成封閉空間S，從以防止環境中的水及/或氧進入有機發光二極體觸控裝置100的內部。因此，封裝板140在封閉空間S內形成一個內側面140a。
在某些實施例中，封裝板140還包含折射率匹配層142，配置在封裝板140之內側面140a。在一實施例中，折射率匹配層142包含多層的高折射率材料層與多層的低折射率材料層，各層的高折射率材料層及低折射率材料層彼此交替堆疊而形成折射率匹配層142。高折射率材料層可例如為二氧化鈦，低折射率材料層可例如為氧化矽，但不限於此。
在某些實施例中，封裝板140還包含玻璃板144，配置在封裝板140的外側面140b，玻璃板144具有高硬度，可避免封裝板140被磨損。
觸控電路層150配置在封裝板140的內側面140a上，用以偵測封裝板140的外側面140b上的至少一個接觸點位置。觸控電路層150可例如為「架橋結構之電容式 感測電路」、「單層結構之電容式感測電路」或者其他種類的感測電路。下文中將更詳細敘述觸控電路層150的細部構造。
在某些實施方式中，主動陣列基板110更包含保護層160，保護層160覆蓋主動元件陣列112，因此讓光吸收層130夾設於保護層160與第一電極121之間。保護層160可包含無機材料，例如氮化矽(silicon nitride)、氧化矽(silicon oxide)與氮氧化矽(silicon oxynitride)、或是有機材料，例如，聚醯亞胺(polyimide)、丙烯酸類樹脂(acrylic resin)及其它適合之材料，但不以上述為限。
在某些實施方式中，有機發光二極體觸控裝置100更包含電性連接元件180，用以將觸控電路層150所偵測到關於接觸點的電訊號傳遞到微處理單元(未圖示)。
在某些實施例中，主動陣列基板110更包含訊號線116，訊號線116從主動陣列基板110的邊緣穿過密封層170延伸到主動元件陣列112與密封層170之間的位置。此外，電性連接元件180從觸控電路層150通過密封層170與主動元件陣列112之間的空間延伸到訊號線116，因此讓觸控電路層150電性連接到訊號線116。在某些實施方式中，訊號線116是在形成主動元件陣列112時一起形成，因此訊號線116的材料與主動元件112a中的金屬層相同。訊號線116的材料可例如為鋁、鉬、銅、硌、銀等導電金屬、或上述組合，但不限於此。
在另外某些實施方式中，如第2圖所示，有機發 光二極體觸控裝置100a的電性連接元件180可配置在封閉空間S之外，而非配置在封閉空間S內。換言之，電性連接元件180與有機發光二極體120分別配置在密封層170的相對兩側。電性連接元件180可例如為軟性電路版或其他適合的電性連接元件。
第3圖繪示本發明另一實施方式之有機發光二極體觸控裝置100b的剖面示意圖。有機發光二極體觸控裝置100b與上述有機發光二極體觸控裝置100的最大不同之處在於，光吸收層130直接取代第1圖繪示的保護層160。具體而言，光吸收層130為絕緣材料所製成，並且接觸主動元件陣列112。光吸收層130具有至少一通孔132，讓主動元件陣列112以及第一電極121通過通孔132中所填充的導電材料來電性連接。例如，在沉積形成第一電極121時，第一電極121的材料沉積填充在通孔132內，從而讓第一電極121與主動元件112a電性連接。有機發光二極體觸控裝置100b的其他元件，與前文關於有機發光二極體觸控裝置100所述的相同。為了簡化圖示，第3圖中的封裝板140和觸控電路層150示意性的繪示為單一器件。
第4圖繪示本發明又一實施方式之有機發光二極體觸控裝置100c的剖面示意圖。有機發光二極體觸控裝置100c包含主動陣列基板110、有機發光二極體120、封裝板140以及觸控電路層150。有機發光二極體觸控裝置100c的主動陣列基板110、封裝板140以及觸控電路層150與上述的有機發光二極體觸控裝置100的對應元件相同。為簡化 圖示，第4圖中的封裝板140和觸控電路層150示意性的繪示為單一器件。在本實施方式中，有機發光二極體觸控裝置100c與上述有機發光二極體觸控裝置100的最大不同之處在於，有機發光二極體觸控裝置100c的第一電極121就具備吸收光線的功能。換言之，將第1圖繪示的光吸收層130與有機發光二極體120的第一電極121整合成單一的層結構，因此不需額外設置光吸收層。更詳細的說，有機發光二極體120包含第一電極121、第二電極122以及有機發光層124。第一電極121配置於鄰近主動元件陣列112之一側，第一電極121包含導電材料，並具備吸收光線的功能。在一實施例中，第一電極121為高光學吸收率的材料所製成，且第一電極121在可見光波長範圍的光學吸收率大於約0.6，而反射率小於約0.3。第二電極122與第一電極121相對設置，第二電極122為光學高穿透率及低反射率的材料所製成。例如，第二電極122在可見光波長範圍的平均穿透率大於約0.6。有機發光層124夾設於第一電極121與第二電極122之間。第一電極121和第二電極122可驅動有機發光層124發光。因此，本實施方式所述的第一電極121同時兼具光吸收層和電極的功能。有機發光二極體120的第二電極122是使用高穿透率及低反射率之導電材料所製成，因此在顯示面的出光方向上，第二電極122提供較高的穿透率，不會遮蔽或吸收有機發光二極體所發出的光。對於外界的入射光，則因第二電極122具有低反射率，可以減少環境入射光直接反射的現象。從外界環境入射的光線通過高穿透率的第二電極122 後，到達具有吸收光線能力的第一電極121，這些通過第二電極122及有機發光層124的入射光會被第一電極121所吸收。因此，可以降低及消弭光學反射現象，從而提高有機發光二極體120的亮度對比。因此，本發明無須像習知技術一樣設置額外的抗反射膜層或模組，所以不會讓原本有機發光二極體120所發射出的光強度降低，而且整體有機發光二極體觸控裝置100c的厚度及重量也不會明顯增加。
本發明之觸控電路層150並無特殊限制。「架橋結構之電容式感測電路」、「單層結構之電容式感測電路」或者其他種類的感測電路都可以使用在本發明的一或多個實施方式中。第5A、5B、6A及6B圖繪示本發明各種實施方式之「架橋結構之電容式感測電路」，第7及8圖繪示本發明各種實施方式之「單層結構之電容式感測電路」，以下將更詳細說明。
第5A圖繪示本發明一實施方式之觸控電路層150的上視示意圖，第5B圖繪示第5A圖中沿5B-5B’剖面線的剖面示意圖。觸控電路層150包含多條第一感測電極151以及多條第二感測電極152，每條第一感測電極151沿Y方向延伸，且每條第二感測電極152沿X方向延伸。請同時參照第5A圖以及第5B圖，每一條第一感測電極151包含多個第一感測墊151a以及多個第一橋接線151b，其中相鄰的兩個第一感測墊151a經由第一橋接線151b而串接形成一條第一感測電極151。類似地，每一條第二感測電極152包含多個第二感測墊152a以及多個第二橋接線152b，其中相鄰的 兩個第二感測墊152a經由第二橋接線152b而串接形成一條第二感測電極152。第二橋接線152b與第二感測墊152a形成在相同平面上。在某些實施例中，觸控電路層150還包含介電層153以及折射率匹配層142。介電層153可例如為一平面層的結構設計，以覆蓋第一感測墊151a、第二感測墊152a以及第二橋接線152b。介電層153進一步具有多個通孔153a，各個通孔153a露出一個第一感測墊151a的一部分。第一橋接線151b配置在介電層153上，並且經由相鄰的兩個通孔153a而連接相鄰的兩個第一感測墊151a。第一感測電極151及第二感測電極152的材料可例如為氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide，ITZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide，CTO)、氧化錫(tin oxide)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide，InGaZnMgO)、氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide，InGaAlO)或氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide，InGaMgO)等，但不限於此。
折射率匹配層142覆蓋介電層153及第一橋接線151b。折射率匹配層142可包含多層結構，例如包含多層的高折射率層與多層的低折射率層相互交替堆疊的結構。舉例而言，由多層的二氧化鈦與多層的氧化矽相互交替堆疊而 成。折射率匹配層142用以降低人眼對於第一及第二感測電極151、152的目視可見性(visibility)。
第6A圖繪示本發明另一實施方式之觸控電路層150的上視示意圖，第6B圖繪示第6A圖中沿6B-6B’剖面線的剖面示意圖。觸控電路層150包含多條第一感測電極151以及多條第二感測電極152。每條第一感測電極151沿Y方向延伸，且每條第二感測電極152沿X方向延伸。請同時參照第6A圖以及第6B圖，每一條第一感測電極151包含多個第一感測墊151a以及多個第一橋接線151b，其中相鄰的兩個第一感測墊151a經由第一橋接線151b而串接形成一條第一感測電極151。此外，每一條第二感測電極152包含多個第二感測墊152a以及多條第二橋接線152b，其中相鄰的兩個第二感測墊152a經由第二橋接線152b而串接形成一條第二感測電極152。第二橋接線152b與第二感測墊152a形成在相同平面上。在本實施方式中，觸控電路層150更包含折射率匹配層142以及多個絕緣層154。這些絕緣層154位於第一感測電極151與第二感測電極152的交錯處，而且每個絕緣層154覆蓋相鄰兩個第一感測墊151a的邊緣部分，並覆蓋位於對應位置的第二橋接線152b。第一橋接線151b從其中一個第一感測墊151a的邊緣跨越絕緣層154而連接到另一個第一感測墊151a。折射率匹配層142夾置在封裝板140與感測墊151a、152a之間。
第7圖繪示本發明再一實施方式之觸控電路層150的上視示意圖。在本實施方式中，觸控電路層150為單 一層的結構。電路層150包含多條第一感測電極151以及多條第二感測電極152，第一及第二感測電極151、152為契形圖案(或梯形圖案)的外觀，並且第一及第二感測電極151、152彼此交替排列。契形的感測電極151、152在同一平面上延伸，而且彼此不互相重疊。
第8圖繪示本發明再一實施方式之觸控電路層150的上視示意圖。在本實施方式中，觸控電路層150為單一層的結構。觸控電路層150包含多條發送電極155以及多個接收電極156。發送電極155用以發送及傳遞偵測接觸點位置的電子訊號，而接收電極156用以感測及接收接觸點所產生的電子訊號。發送電極155以及接收電極156在同一平面上延伸，而且發送電極155以及接收電極156不互相重疊。每條發送電極155沿Y方向延伸，並且每條發送電極155與相鄰的另一條發送電極155間隔一間距。接收電極156配置在相鄰的兩條發送電極155之間。再者，觸控電路層150還包含多條訊號線157，每一條訊號線157連接一個接收電極156，接收電極156所感測到電子訊號經由訊號線157傳遞至一或多個微處理單元(未圖示)，以計算接觸點的位置。
第9圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置200的剖面示意圖，其中一特徵在於，觸控電路結構為雙層的結構設計，其中一層的感測層配置在封裝板之內側面，而另一層的感測層配置在承載有機發光二極體120的基板。詳細的說，有機發光二極體觸控裝置200包含主動陣列基板110、有機發光二極體120、光吸收層130、封裝 板140以及觸控電路結構250。主動陣列基板110包含主動元件陣列112。有機發光二極體120配置在主動陣列基板110上方，而且有機發光二極體120包含有機發光層124。光吸收層130可配置在有機發光層124與主動元件陣列112之間的任何層別，例如前文關於第1圖、第3圖、第4圖所述的實施方式或實施例。因此，本文中所述「光吸收層位於有機發光層與主動元件陣列之間」的意義包含前文關於第4圖所述將光吸收層130與第一電極121整合成單一的層結構的實施方式。換言之，光吸收層130可以是第一電極121的一部分或全部。封裝板140配置在於有機發光二極體120上方，封裝板140具有內側面140a面向主動陣列基板110。在某些實施例中，封裝板140包含折射率匹配層142、玻璃板144、封裝基材146以及黏著層148，如第9圖所示。在某些實施方式中，有機發光二極體觸控裝置200包含前文所述的訊號線116、保護層160、密封層170及或電性連接元件180。
觸控電路結構250包含第一感測層251以及第二感測層252，第一感測層251形成在封裝板140之內側面140a，而且第二感測層252位於有機發光二極體120上方。在一實施例中，有機發光二極體觸控裝置200更包含絕緣層260夾設在第二感測層252與有機發光二極體120的第二電極122之間，並且第二感測層252配置在絕緣層260上。在另一實施例中，第一感測層251與第二感測層252之間存在一間隙d。在其他實施例中，在第一感測層251與第二感測層252之間可設置一額外的介電層(未繪示)。觸控電路結構 250可包含前文關於觸控電路層150所述的任何實施方式或實施例，或者觸控電路結構250也可以是其他種類的結構。第10A-10C圖繪示本發明各種實施方式之第一感測層251與第二感測層252的上視示意圖。在第10A圖中，第一感測層251包含多個沿Y方向延伸的第一感測電極251a，第二感測層252包含多個沿X方向延伸的第二感測電極252a。第一感測電極251a與第二感測電極252a彼此交錯。在第10B圖中，第一感測層251包含多個U形的第一感測電極251a，每一個U形的第一感測電極251a包含條狀導線253、254以及連接線255，條狀導線253、254沿Y方向延伸，連接線255連結條狀導線253、254的端點而形成U形的第一感測電極251a。此外，第二感測層252包含多個沿X方向延伸的第二感測電極252a。條狀導線253、254各自的寬度小於第二感測電極252a的寬度。在第10C圖中，第一感測層251包含多個脊形的第一感測電極251a，每一個脊形的第一感測電極251a包含主體電極256以及多個輔助電極257，主體電極256沿Y方向延伸，輔助電極257從主體電極256延伸出。第二感測層252包含多個沿X方向延伸的第二感測電極252a，相鄰的兩個第二感測電極252a間隔一間距。在一實施例中，每一個輔助電極257對準相鄰的兩個第二感測電極252a之間的間距，並且輔助電極257以主體電極256為軸線而對稱排列，如第10C圖所示。
第11A圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置200a的剖面示意圖，其中一特徵在於，雙功 能電極220提供兩種不同的功能。詳細的說，有機發光二極體觸控裝置200a包含主動陣列基板110、至少一有機發光二極體120、光吸收層130、封裝板140以及感測電極270。主動陣列基板110包含主動元件陣列112。有機發光二極體120配置主動陣列基板110上方，有機發光二極體120包含第一電極210、雙功能電極220以及有機發光層124。第一電極210配置在有機發光層124與主動元件陣列112之間。雙功能電極220與第一電極210相對設置，而且第一電極210及雙功能電極220分別位於有機發光層124之相對兩側。光吸收層130位於有機發光層124與主動元件陣列112之間的任何層別，例如前文關於第1圖、第3圖、第4圖所述的實施方式或實施例。因此，本文中「光吸收層位於有機發光層與主動元件陣列之間」的意義包含前文關於第4圖所述將光吸收層130與第一電極210整合成單一的層結構的實施方式。換言之，光吸收層130可以是第一電極210的一部分或全部。封裝板140配置於有機發光二極體120上方，封裝板140具有內側面140a面對主動陣列基板110。感測電極270形成在封裝板140之內側面140a。雙功能電極220及第一電極210構成有機發光二極體120之陽極與陰極，而且雙功能電極220與感測電極270共同作用以偵測接觸點的位置。換言之，雙功能電極220提供兩種不同的功能，雙功能電極220與感測電極270構成觸控電路結構，同時雙功能電極220也作為有機發光二極體120的驅動電極。
在某些實施方式中，有機發光二極體觸控裝置 200a包含前文所述的訊號線116、保護層160、密封層170及或電性連接元件180。此外，封裝板140可以包含前文關於第9圖所述的各種層結構。
第11B圖及第11C圖分別繪示本發明一實施方式之雙功能電極220以及感測電極270的上視示意圖。請參見第11B圖，在一實施例中，雙功能電極220包含多個沿Y方向延伸的感測驅動電極221，這些感測驅動電極221彼此分隔開。在另一實施例中，雙功能電極220還包含透明電極222，透明電極222的面積涵蓋這些感測驅動電極221。透明電極222與感測驅動電極221的重疊之處設置適當的絕緣層(未繪示)，以避免感測驅動電極221與透明電極222發生電性短路。接著，請參見第11C圖，感測電極270包含多個沿X方向延伸的偵測電極270a，這些偵測電極270a彼此分隔開。再者，偵測電極270a與感測驅動電極221在上視平面圖中是互相交錯。
在第11A圖繪示的實施方式中，因為雙功能電極220是有機發光二極體120的其中一個驅動電極，同時也是觸控電路結構的一部分，所以必須以新的驅動方法讓有機發光二極體120與觸控電路結構能夠協調的作用。第12圖繪示傳統有機發光二極體顯示器的驅動方式之示意圖。在傳統的驅動方式中，在單一次顯示畫面F1(frame)中，有機發光二極體顯示器的各畫素是維持在一固定的發光狀態，直到下一次顯示畫面F2(next frame)時，才變換驅動訊號讓有機發光二極體顯示器的各畫素更新到另一個發光狀態。也就是 說，有機發光二極體顯示器的各畫素，在每一個顯示畫面F1、F2、F3的時間內，除了零灰階的狀態之外，有機發光二極體顯示器的畫素基本上是維持相同的發光狀態，如第12圖所示。
第13圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置200a的驅動方式的示意圖。因為有機發光二極體觸控裝置200a的雙功能電極220必須提供兩種不同的功能，所以本發明提出一種「分時多工驅動方式」。詳言之，將原本各個單一次顯示畫面F1、F2、F3的時間至少劃分為第一時間區間以及第二時間區間。第一時間區間用以驅動有機發光二極體發光，第二時間區間用以偵測接觸點位置。舉例而言，將顯示畫面F1的時間劃分第一時間區間D1及第二時間區間P1，將顯示畫面F2的時間劃分為第一時間區間D2及第二時間區間P2，將顯示畫面F3的時間劃分為第一時間區間D3及第二時間區間P3。時間區間D1、D2及D3依序用以驅動有機發光二極體在顯示畫面F1、F2、F3中發光，以提供有機發光二極體面板顯示畫面的功能。時間區間P1、P2及P3則用以偵測接觸點的座標。因此，在時間區間D1、D2及D3中，雙功能電極220與第一電極210共同作用以驅動有機發光二極體發光，在時間區間P1、P2及P3中，雙功能電極220與感測電極270共同作用而提供偵測接觸點位置的功能。在時間區間P1、P2及P3中，可加入單組或多組的觸控信號R。每一組的觸控信號R包含充電訊號R1與感測訊號R2。充電訊號R1是對觸控電容器充電，感測訊號R2是偵 測電容器的電容值，以此判斷接觸點位置。在此揭露的驅動方法，能夠適用在有機發光二極體觸控裝置200a中，使單一結構的雙功能電極220提供兩種不同的功能。另一方面，畫面顯示由原本「維持顯示模式」(hold type display)變為類似「脈衝顯示模式」(pulse type display)，有助於提升有機發光二極體顯示器動態畫面之品質以及使用壽命。
第14圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置200b的剖面示意圖，其中一特徵在於，雙功能感測層230同時具備驅動有機發光層124發光以及偵測觸點位置等兩種功能。詳細的說，有機發光二極體觸控裝置200b包含主動陣列基板110、第一電極210、光吸收層130、有機發光層124以及雙功能感測層230。主動陣列基板110包含主動元件陣列112。第一電極210配置在主動元件陣列112上方。有機發光層124配置在第一電極210上方。雙功能感測層230位於有機發光層124上，用以偵測一接觸點之位置以及驅動有機發光層124發光。在第一時間區間中，雙功能感測層230與第一電極210驅動有機發光層124發光，在第二時間區間中，雙功能感測層230偵測一觸點之位置，其詳細的驅動方法如前文關於第13圖所述的「分時多工驅動方式」。光吸收層130位於有機發光層124與主動元件陣列112之間的任何層別，例如前文關於第1圖、第3圖、第4圖所述的實施方式或實施例。因此，本文中「光吸收層位於有機發光層與主動元件陣列之間」的意義包含前文關於第4圖所述將光吸收層130與第一電極210整合成單一的層結構 的實施方式。換言之，光吸收層130可以是第一電極210的一部分或全部。在某些實施例中，雙功能感測層230包含如前文關於第5A、5B、6A及6B圖所述的「架橋結構之電容式感測電路」。在另外某些實施例中，雙功能感測層230包含如前文關於第7及8圖所述的「單層結構之電容式感測電路」。例如，雙功能感測層230包含第7圖所示的契形感測電極，這些契形感測電極在同一平面上延伸，而且彼此不互相重疊。在另外某些實施例中，雙功能感測層230包含如前文關於第8圖所述的多個發送電極以及多個接收電極，發送電極以及接收電極在同一平面上延伸，而且發送電極以及接收電極不互相重疊。在其他實施方式中，有機發光二極體觸控裝置200b包含前文所述的訊號線116、封裝板140、折射率匹配層142、保護層160、密封層170及或電性連接元件180。
第15圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置200c的剖面示意圖，其中一特徵在於驅動有機發光層發光的兩電極就是偵測接觸點位置的兩電極。詳細的說，有機發光二極體觸控裝置200c包含主動陣列基板110、第一雙功能電極280、有機發光層124、光吸收層130以及第二雙功能電極290。主動陣列基板110包含主動元件陣列112。第一雙功能電極280配置在主動元件陣列112上方，有機發光層124配置在第一雙功能電極280上方，第二雙功能電極290位於有機發光層124上。第一雙功能電極280以及第二雙功能電極290用以偵測一觸點之位置以及驅 動有機發光層124發光。在第一時間區間中，第一雙功能電極280及第二雙功能電極290驅動有機發光層124發光；在第二時間區間中，第一雙功能電極280及第二雙功能電極290偵測一接觸點之位置。詳細的驅動方法如前文關於第13圖所述的「分時多工驅動方式」。第一雙功能電極280以及第二雙功能電極290的上視圖案可例如前文關於第10A-10C圖的第一感測層251及第二感測層252，或者例如前文關於第11B-11C圖所述的雙功能電極220及感測電極270。光吸收層130位於有機發光層124與主動元件陣列112之間的任何層別，例如前文關於第1圖、第3圖、第4圖所述的實施方式或實施例。因此，本文中「光吸收層位於有機發光層與主動元件陣列之間」的意義包含前文關於第4圖所述將光吸收層130與第一電極121整合成單一的層結構的實施方式。換言之，光吸收層130可以是第一電極121的一部分或全部。在某些實施方式中，有機發光二極體觸控裝置200c包含前文所述的訊號線116、封裝板140、折射率匹配層142、保護層160、密封層170及或電性連接元件180。
第16圖繪示本發明一實施方式之有機發光二極體觸控裝置300的剖面示意圖，其中一特徵是第一感測電極151位於封裝感測板310之內側，第二感測電極152位於封裝感測板310之外側。詳細的說，有機發光二極體觸控裝置300包含主動陣列基板110、至少一有機發光二極體120以及封裝感測板310。主動陣列基板110包含主動元件陣列112。有機發光二極體120配置主動陣列基板110上方，有 機發光二極體120包含第一電極121、第二電極122以及有機發光層124。第一電極121配置於鄰近主動元件陣列112之一側，第二電極122第一電極121相對設置，第一電極121及第二電極122在可見光波長範圍的平均穿透率大於約0.6。有機發光層124夾設於第一電極121與第二電極122之間。封裝感測板310配置於第二電極122上方，封裝感測板310具有相對的一內側310a以及一外側310b，內側310a位於鄰近第二電極122之一側。封裝感測板310包含第一感測電極151以及第二感測電極152。第一感測電極151位於封裝感測板310之內側310a，而第二感測電極152位於封裝感測板310之外側310b。第一感測電極151以及第二感測電極152的上視圖案可例如前文關於第10A-10C圖所述的第一感測層251及第二感測層252，或者例如前文關於第11B-11C圖所述的雙功能電極220及感測電極270。在某些實施方式中，有機發光二極體觸控裝置300包含保護板320覆蓋第二感測電極152，具體來說，保護板320可通過黏著層148來貼合及覆蓋於封裝感測板310的第二感測電極152。在另外某些實施方式中，有機發光二極體觸控裝置300包含前文所述的訊號線116、光吸收層130、折射率匹配層142、保護層160、密封層170及或電性連接元件180。在某些實施例中，光吸收層130位於有機發光層124與主動元件陣列112之間的任何層別，例如前文關於第1圖、第3圖、第4圖所述的實施方式或實施例。因此，本文中「光吸收層位於有機發光層與主動元件陣列之間」的意義包含前文關於第 4圖所述將光吸收層130與第一電極121整合成單一的層結構的實施方式。換言之，光吸收層130可以是第一電極121的一部分或全部。
第17圖繪示本發明又一實施方式之有機發光二極體觸控裝置300a的剖面示意圖，有機發光二極體觸控裝置300a與第16圖繪示之有機發光二極體觸控裝置300具有相似的結構，不同之處在於，兩者的封裝感測板的結構略有不同。封裝感測板330包含第一基板331、第二基板336以及黏著層148。第一基板331包含第一感測電極151以及封裝基材146。第二基板336包含第二感測電極152以及保護板320。詳細的說，先第一感測電極151形成在封裝基材146上，另外將第二感測電極152形成在保護板320上，可選擇性地在第二感測電極152與保護板320之間形成折射率匹配層142。之後，藉由黏著層148將第一基板331和第二基板336黏結而形成一個封裝感測板330。隨後，再將形成有機發光二極體120的主動陣列基板110與封裝感測板330封合，而得到有機發光二極體觸控裝置300a。值得注意的是，第一基板331與第二基板336分別製造，而且將第一感測電極151與第二感測電極152設置在封裝基材146的相對兩側，因此無須在第一感測電極151與第二感測電極152之間形成介電層或絕緣層。第一感測電極151與第二感測電極152的上視圖案及其他結構特徵可例如前文關於第10A-10C圖所述的第一感測層251及第二感測層252，或者例如前文第11B-11C圖繪示的雙功能電極220與感測電極 270的圖案。有機發光二極體觸控裝置300a的主動陣列基板110以及有機發光二極體120可與前文所述的任一實施方式或實施例相同。
第18圖繪示本發明又一實施方式之有機發光二極體觸控裝置300b的剖面示意圖。有機發光二極體觸控裝置300b與第17圖繪示之有機發光二極體觸控裝置300a具有相似的結構，不同之處在於，兩者的封裝感測板330的構造不同。具體而言，封裝感測板330配置於有機發光二極體120的第二電極122上方，而且封裝感測板330包含封裝基材146以及觸控電路結構250。在某些實施方式中，封裝感測板330還包含折射率匹配層142覆蓋觸控電路結構250。在其他實施例中，有機發光二極體觸控裝置300b還包含保護板320以及黏著層148，保護板320覆蓋觸控電路結構250。光吸收層130可配置在有機發光層124與主動元件陣列112之間的任何層別，例如前文關於第1圖、第3圖、第4圖所述的實施方式或實施例。因此，本文中所述「光吸收層位於有機發光層與主動元件陣列之間」的意義包含前文關於第4圖所述將光吸收層130與第一電極121整合成單一的層結構的實施方式。換言之，光吸收層130可以是第一電極121的一部分或全部。在一實施例中，觸控電路結構250包含前文關於第5A、5B、6A及6B圖所述的「架橋結構之電容式感測電路」。在另一實施例中，觸控電路結構250包含前文關於第7及8圖所述的「單層結構之電容式感測電路」。在又一實施例中，觸控電路結構250包含前文關於第 10A-10C圖所述的第一感測層251及第二感測層252。有機發光二極體觸控裝置300b的主動陣列基板110以及有機發光二極體120可與前文所述的任一實施方式或實施例相同。
第19-22圖繪示本發明各種實施方式之有機發光二極體顯示裝置400的剖面示意圖，其中一特徵在於，有機發光二極體顯示裝置400具有光學散射層440。請參照第19圖，有機發光二極體顯示裝置400包含基板410、主動元件陣列420、至少一有機發光二極體430、光學散射層440以及封裝板450。基板410具有相對的上表面410a及下表面410b。主動元件陣列420配置在基板410之上表面410a的一側，主動元件陣列420包含多個主動元件422。有機發光二極體430配置在主動元件陣列420上方，有機發光二極體430包含第一電極431、第二電極432以及有機發光層434。第一電極431配置於鄰近主動元件陣列420之一側，第二電極432與第一電極431相對設置。有機發光層434夾設於第一電極431與第二電極432之間。封裝板450配置於有機發光二極體430的第二電極432上方。在一實施方式中，光學散射層440配置在主動元件陣列420與第一電極431之間，如第19圖所示。在一實施例中，光學散射層440具有一通孔442，讓主動元件陣列420與第一電極431得以通過通孔442中所填充的導電材料來電性連接。其中通孔442中所填充的導電材料可例如和主動元件陣列420或第一電極431採用相同的材料而在同一製程中形成。
在某些實施例中，光學散射層440是藉由添加 散射粒子(diffusion pigment)於一膜層基材中而形成。光學散射層440利用折射率的差異以及散射粒子的介面外型的差異，造成入射光的光學路徑發生偏折。光學散射層440將會分散入射光，其中包含「穿透散射」與「反射散射」。光學散射粒子可包括例如二氧化矽、二氧化鈦、聚苯乙烯以及其複合粒子。另外，在某些實施例中，散射粒子是使用具有顏色之散射材料所製成，以作為補償顏色或對特定光波段進行吸收或阻絕。
如前文所述，利用高穿透率及低反射率之導電材料製作有機發光二極體430的兩個驅動電極431、432，此光學特性之電極對於有機發光二極體的自發光，提供出光方向上的高穿透效率。對於外界的入射光，則因低反射率，可減少反射效應。於主動陣列基板110上方額外建構光學散射層440可將部分有機發光二極體430的自發光向出光面擴散反射，從而增加出光效率。外界入射光通過高穿透率及低反射率的電極材料，到達光學散射層440後被擴散漫射，將原本指向性強烈的外界入射光予以模糊均勻化，因此可以降低原本強烈的反射現象，而提高有機發光二極體430顯示器的亮度對比。
在一實施例中，有機發光二極體顯示裝置400可更包含圖案化遮光層460，圖案化遮光層460位在每一個主動元件422上方，用以避免有機發光二極體所發射出的光線或從環境入射的光線導致主動元件422產生漏電流。
在另一實施方式中，請參照第20圖，光學散射 層440配置在基板410的上表面410a與主動元件陣列420之間。在另一實施方式中，請參照第21圖，光學散射層440配置在基板410之下表面410b。在又一實施方式中，請參照第22圖，光學散射層440覆蓋並接觸主動元件陣列420，並且光學散射層440具有通孔442，讓主動元件陣列420與第一電極431通過通孔442中所填充的導電材料來電性連接。換言之，光學散射層440可作為主動陣列420的保護層。因此，根據本發明上述的各種實施方式，光學散射層440可配置在有機發光二極體430與基板410的上表面410a之間的任何層別，此外光學散射層440也可配置在基板410的下表面410b。
在另一實施方式中，請參照第23圖，有機發光二極體顯示裝置400的封裝板450包含至少一彩色濾光層456，彩色濾光層456包含紅色濾光層456R、綠色濾光層456G以及藍色濾光層456B。在本實施方式中，有機發光二極體顯示裝置400包含紅光有機發光二極體430R、綠光有機發光二極體430G以及藍光有機發光二極體430B。每一個有機發光二極體430R、430G、430B的有機發光層434對準紅色濾光層456R、綠色濾光層456G以及藍色濾光層456B。
在本實施方式中，光學散射層440可配置在前文關於第19-22圖所述的任何位置，並不限於第23圖繪示之光學散射層440的位置。
彩色濾光層456本身便是一種光學吸收層，例 如紅色濾光層456R會讓紅色光通過，其他波段的光將被吸收。因為有機發光二極體430R、430G、430B對準紅色濾光層456R、綠色濾光層456G以及藍色濾光層456B，所以彩色濾光層456幾乎不會耗損有機發光二極體430的自發光。相反的，彩色濾光層456可吸收從外界入射的光線，而未被彩色濾光層456吸收之部分的外界入射光，穿過第一電極431第二電極432、有機發光層434，最後到達光學散射層440而被擴散反射。如此一來，外界入射光經過吸收及散射反射，更能降低反射之強度，而提升顯示器之亮度對比。
第24-25圖繪示本發明各種實施方式之有機發光二極體顯示裝置400a的剖面示意圖，其中一特徵在於，有機發光二極體430的其中至少一個電極包含奈米導電線。請參照第24圖，有機發光二極體顯示裝置400a包含基板410、主動元件陣列420、至少一有機發光二極體430以及封裝板450。有機發光二極體430配置主動元件陣列420上方，有機發光二極體430包含第一電極431、第二電極432以及有機發光層434。第一電極431配置於鄰近主動元件陣列420之一側，第一電極431包含多個奈米導電線，用以對從環境入射的光線進行擴散反射。第二電極432與第一電極431相對設置。有機發光層434夾設於第一電極431與第二電極432之間。基板410、主動元件陣列420以及封裝板450可與前文關於第19-22圖所述的實施方式或實施例相同。
上述的奈米導電線可例如為奈米銀絲(sliver nano wire，SNW)、奈米碳管或其他奈米等級的導電線。 奈米導電線的線徑可例如為約數十奈米，導電線的長度可例如為約數十微米。舉例而言，以奈米銀線製作之導電薄膜，因奈米銀線交錯堆疊，且銀材料不透光之特性，巨觀上能夠產生光學散射之效果，光學散射效果與奈米銀線的密度有關。可藉由調整奈米銀線的密度來控制光學散射的效果。
如前文所述，利用高穿透率及低反射率之導電材料製作有機發光二極體430的第二電極(上驅動電極)432，並利用添加奈米導電線之導電材料製作有機發光二極體430的第一電極431(下驅動電極)。此光學特性之上驅動電極432對於有機發光二極體430的自發光部分，在顯示器的出光方向提供較高的發光效率。此外，對於外界的入射光，則因低反射率而減少反射效果。再者，添加奈米導電線的第一電極431(下驅動電極)，具有光學散射之效應，讓外界入射光到達下驅動電極431時，因散射效應而發生擴散之效果，從而對外界入射光產生散射效果。此外，以奈米銀線為例，銀材料具有反射能力，對於有機發光二極體所發射出的光線，提供向上擴散反射的效果，因此不但能夠提升有機發光二極體顯示器的發光效率，也可增加有機發光二極體顯示器的可視角度。
在一實施方式中，有機發光二極體顯示裝置400a更包含光學散射層440，用以再促進光線的擴散反射效果。光學散射層440可配置在前文關於第19-22圖所述的任何位置，並不限於第25圖繪示之光學散射層的位置。
在另一實施方式中，如第25圖所示，第一電極 431以及第二電極432兩者都包含多個奈米導電線，用以對入射光進行散射。在一實施例中，有機發光二極體顯示裝置400a更包含光學散射層440，用以再促進光線的擴散反射效果。
在另一實施方式中，前述第19-25圖的實施例中，光學散射層440可進一步替換為前述第1-4圖中所描述的光吸收層130，用以吸收入射光而降低或消弭原本入射光的光學反射。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。除非另有定義，本文所使用的所有詞彙(包括技術和科學術語)具有其通常的意涵，其意涵係能夠被熟悉此領域者所理解。更進一步的說，上述之詞彙在普遍常用之字典中之定義，在本說明書的內容中應被解讀為與本發明相關領域一致的意涵。除非有特別明確定義，這些詞彙將不被解釋為理想化的或過於正式的意涵。
Claims (16)
- 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板，具有相對的一上表面及一下表面；一主動元件陣列，配置在該基板之該上表面的一側；至少一有機發光二極體，配置在該基板上，該有機發光二極體包含：一第一電極，配置於鄰近該主動元件陣列之一側；一第二電極，與該第一電極相對設置；以及一有機發光層，夾設於該第一電極與該第二電極之間；一光吸收層，配置於該主動元件陣列與該第一電極之間，其中該第一電極位於該光吸收層的一側，該主動元件陣列位於相反於該第一電極的該光吸收層的另一側；以及一封裝板，配置於該第二電極上方。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電極及該第二電極在可見光波長範圍的平均穿透率大於0.6。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電極在可見光波長範圍的平均反射率小於0.3，而該第二電極在可見光波長範圍的平均穿透率大於0.6。
- 如請求項2或3所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該光吸收層完全覆蓋該主動元件陣列，且該光吸收層在可見光波長範圍的平均反射率小於0.3。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含一密封層，配置於該封裝板與該基板之間，且圍繞該主動元件陣列以及該有機發光二極體。
- 如請求項5所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含一電性連接元件，其中該基板更包含一訊號線，該電性連接元件電性連接該訊號線。
- 如請求項6所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該電性連接元件與該有機發光層分別配置在該密封層的相對兩側。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該光吸收層為絕緣材料所製成，且配置在該主動元件陣列與該第一電極之間以覆蓋並接觸該主動元件陣列，其中該光吸收層具有至少一通孔，該主動元件陣列以及該第一電極通過該通孔中所填充的導電材料來電性連接。
- 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板，具有相對的一上表面及一下表面；一主動元件陣列，配置在該基板之該上表面的一側；至少一有機發光二極體，配置在該主動元件陣列上，該有機發光二極體包含：一第一電極，配置於鄰近該主動元件陣列之一側；一第二電極，與該第一電極相對設置；以及一有機發光層，夾設於該第一電極與該第二電極之間；一光學散射層，配置在該主動元件陣列與該第一電極之間，其中該第一電極位於該光學散射層的一側，該主動元件陣列位於相反於該第一電極的該光學散射層的另一側；以及一封裝板，配置於該第二電極上方。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該光學散射層配置在該主動元件陣列與該第一電極之間以覆蓋並接觸該主動元件陣列，且該光學散射層具有一通孔，該主動元件陣列與該第一電極通過該通孔中所填充的一導電材料來電性連接。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電極及該第二電極在可見光波長範圍的平均穿透率大於0.6。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電極在可見光波長範圍的平均反射率小於0.3，而該第二電極在可見光波長範圍的平均穿透率大於0.6。
- 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板，具有相對的一上表面及一下表面；一主動元件陣列，配置在該基板之該上表面的一側；至少一有機發光二極體，配置該基板上方，該有機發光二極體包含：一第一電極，配置於鄰近該主動元件陣列之一側，其中該第一電極包含多個奈米導電線，用以對一入射光進行散射；一第二電極，與該第一電極相對設置；以及一有機發光層，夾設於該第一電極與該第二電極之間；一光學散射層，配置在該主動元件陣列與該第一電極之間，其中該第一電極位於該光學散射層的一側，該主動元件陣列位於相反於該第一電極的該光學散射層的另一側；以及一封裝板，配置於該第二電極上方。
- 如請求項13所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第二電極包含多個奈米導電線，用以對入射光進行散射。
- 如請求項13所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電極及該第二電極在可見光波長範圍的平均穿透率大於0.6。
- 如請求項13所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電極在可見光波長範圍的平均反射率小於0.3，而該第二電極在可見光波長範圍的平均穿透率大於0.6。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ??201710168427.6 | 2017-03-21 | ||
| CN201710168427.6A CN108630727B (zh) | 2017-03-21 | 2017-03-21 | 有机发光二极管显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201836140A TW201836140A (zh) | 2018-10-01 |
| TWI661548B true TWI661548B (zh) | 2019-06-01 |
Family
ID=60187490
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106205934U TWM546601U (zh) | 2017-03-21 | 2017-04-27 | 有機發光二極體顯示裝置 |
| TW106114132A TWI661548B (zh) | 2017-03-21 | 2017-04-27 | 有機發光二極體顯示裝置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106205934U TWM546601U (zh) | 2017-03-21 | 2017-04-27 | 有機發光二極體顯示裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10854850B2 (zh) |
| KR (1) | KR20180106992A (zh) |
| CN (1) | CN108630727B (zh) |
| TW (2) | TWM546601U (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108630727B (zh) * | 2017-03-21 | 2023-04-07 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
| CN106990871A (zh) * | 2017-04-13 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控面板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| US10656825B2 (en) * | 2018-08-13 | 2020-05-19 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display device |
| US11054948B2 (en) | 2018-10-05 | 2021-07-06 | Apple Inc. | Light transmissivity-controlled touch sensor panel design |
| CN109599426B (zh) * | 2018-12-11 | 2021-03-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110335955B (zh) * | 2019-04-24 | 2022-02-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110137233B (zh) * | 2019-05-28 | 2022-01-14 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| TWI715258B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-01-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 顯示裝置 |
| KR20210108124A (ko) * | 2020-02-25 | 2021-09-02 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 이에 구비되는 디스플레이 패널 |
| KR20220009651A (ko) * | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| KR20220149875A (ko) * | 2021-04-30 | 2022-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| TWI781616B (zh) * | 2021-05-12 | 2022-10-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 顯示面板及顯示面板的製備方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515310B2 (en) * | 2000-05-06 | 2003-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric apparatus |
| JP2012009225A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US9083002B2 (en) * | 2010-11-03 | 2015-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
| TWM546601U (zh) * | 2017-03-21 | 2017-08-01 | 宸鴻光電科技股份有限公司 | 有機發光二極體顯示裝置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490536B1 (ko) | 2002-04-15 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면 발광형 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR100696200B1 (ko) * | 2005-10-14 | 2007-03-20 | 한국전자통신연구원 | 능동 구동 표시 장치 및 그 제조방법 |
| TWI282704B (en) * | 2005-11-22 | 2007-06-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | High-contrast organic light emitting display |
| KR20080001999A (ko) | 2006-06-30 | 2008-01-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| KR100829753B1 (ko) * | 2007-03-02 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이장치 |
| TWI372575B (en) * | 2008-03-04 | 2012-09-11 | Chimei Innolux Corp | Organic light-emitting diode display device |
| KR20100033866A (ko) | 2008-09-22 | 2010-03-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101727668B1 (ko) | 2010-10-28 | 2017-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101789586B1 (ko) | 2010-12-06 | 2017-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광 산란 기판, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20130006936A (ko) | 2011-06-27 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102113600B1 (ko) | 2012-12-07 | 2020-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101993331B1 (ko) * | 2013-01-03 | 2019-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102264269B1 (ko) | 2014-07-18 | 2021-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 |
| CN104867960B (zh) | 2015-04-21 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其封装方法、显示装置 |
| KR20170005252A (ko) | 2015-07-01 | 2017-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전극에 산란층을 포함하는 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
| JP2017174553A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| TWI596748B (zh) * | 2016-08-15 | 2017-08-21 | 財團法人工業技術研究院 | 顯示裝置 |
| CN206610811U (zh) * | 2017-03-21 | 2017-11-03 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
-
2017
- 2017-03-21 CN CN201710168427.6A patent/CN108630727B/zh active Active
- 2017-04-27 TW TW106205934U patent/TWM546601U/zh not_active IP Right Cessation
- 2017-04-27 TW TW106114132A patent/TWI661548B/zh active
-
2018
- 2018-03-20 KR KR1020180032040A patent/KR20180106992A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-03-20 US US15/927,059 patent/US10854850B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515310B2 (en) * | 2000-05-06 | 2003-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric apparatus |
| JP2012009225A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US9083002B2 (en) * | 2010-11-03 | 2015-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
| TWM546601U (zh) * | 2017-03-21 | 2017-08-01 | 宸鴻光電科技股份有限公司 | 有機發光二極體顯示裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20180277795A1 (en) | 2018-09-27 |
| CN108630727B (zh) | 2023-04-07 |
| TWM546601U (zh) | 2017-08-01 |
| US10854850B2 (en) | 2020-12-01 |
| KR20180106992A (ko) | 2018-10-01 |
| CN108630727A (zh) | 2018-10-09 |
| TW201836140A (zh) | 2018-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI661548B (zh) | 有機發光二極體顯示裝置 | |
| KR102673640B1 (ko) | 근적외선 유기 광 센서가 임베디드된 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| CN109388292B (zh) | 显示装置 | |
| US20240015999A1 (en) | Electronic Devices With Light Sensors And Displays | |
| US20230031525A1 (en) | Display device | |
| KR102589750B1 (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| US20170372113A1 (en) | Display panel and display device | |
| TWI642217B (zh) | 有機發光二極體顯示裝置 | |
| US20190305034A1 (en) | Sensing Device and Display Apparatus Including the Same | |
| US20220121301A1 (en) | Display device | |
| CN114089873A (zh) | 显示面板和电子装置 | |
| TWI556425B (zh) | 顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板 | |
| KR20220083916A (ko) | 표시 장치 | |
| KR100773935B1 (ko) | 유기 발광 소자 패널 | |
| KR20220097681A (ko) | 표시장치 | |
| KR20210024346A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법 | |
| WO2020124775A1 (zh) | Amoled柔性显示装置 | |
| KR102667252B1 (ko) | 플렉서블 표시 장치 | |
| CN219478461U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| WO2023151127A1 (zh) | Oled显示面板及其制作方法、oled显示模组 | |
| KR20240153442A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20230174356A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20240029790A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20240100504A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20240128721A (ko) | 표시 장치 |