TW201546680A

TW201546680A - 觸控面板

Info

Publication number: TW201546680A
Application number: TW104114633A
Authority: TW
Inventors: Gi-Hwan Ahn; Sung-Ho Baek; Jung-Ku Lim
Original assignee: Dongwoo Fine Chem Co Ltd
Priority date: 2014-05-15
Filing date: 2015-05-07
Publication date: 2015-12-16
Also published as: WO2015174686A1; KR20150131610A

Abstract

所揭露者為設置於顯示面板可見側的觸控面板，該面板包括：於基板的一可見側表面形成之感測圖型；於一表面與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域上設置，並且配置以連接感測圖型與墊部（pad part）的軌跡；於軌跡上形成的金屬輔助圖型；以及於金屬輔助圖型上形成的遮光層，從而具有改善的觸控靈敏度與優異的穿透率，以及最小化可見度問題是可能的。

Description

觸控面板

本發明係相關於觸控面板以及製造此面板的方法。

通常，觸控面板為配置特別輸入裝置的螢幕面板，以接收經由以使用者手指觸碰螢幕的位置輸入。此類觸控面板不使用鍵盤但具有多層層板的構造，其中當使用者的手指或物體觸碰螢幕上顯示的特定字母或位置時，觸控螢幕辨識位置並且直接接收來自螢幕上的資料而實際地以儲存於其中的軟體處理特定位置的資訊。為了辨認觸碰的位置而不降級顯示於螢幕的可見度，有需要使用一般上以預定圖型形成的感應圖型之透明感測電極（transparent sensing electrode）。作為觸控面板中使用的透明感測電極，相關領域已公知各種結構。舉例來說，可在觸控面板中使用玻璃-ITO膜-ITO膜（GFF）、玻璃-ITO 膜（G1F），或僅玻璃（G2）結構。舉例來說，作為傳統的透明感測電極，有如第1圖所示的結構。透明感測電極可由第一感測圖型10與第二感測圖型20形成。此第一與第二感測圖型10與20係設置於彼此不同的方向，以提供觸碰點的X與Y座標資訊。特別地，當使用者手指或物體觸碰透明基板時，依接觸位置而定的電容改變被偵測並且經由第一與第二感測圖型10與20以及位置偵測線傳輸至驅動電路。接著，將電容改變經由X與Y輸入處理電路（圖式未顯示）轉變為電子訊號，以辨認接觸位置。在這方面，第一與第二感測圖型10與20必須在透明基板的相同層形成，且個別圖型必須彼此電子連接，以偵測觸碰的位置。然而，第二感測圖型20係相互連接，而第一感測圖型10係以島的形式（island form）與彼此分離，因此，需要額外的連接電極（橋電極）50，以將第一感測圖型10彼此電子連接。然而，此連接電極50不應與第二感測圖型20電子連接，且因此，應當與第二感測圖型20於不同層形成。為了顯示此結構，第2圖示意了第1圖以A-A’ 線截取的橫截面中連接電極50形成所在之位置的放大圖。參照第2圖，形成於基板1的第一與第二感測圖型10與20 以於其上形成的絕緣膜30而與彼此電絕緣。此外，如上所述地，由於第一感測圖型10 必須與彼此電連接，這些圖型係經由使用連接電極50而與彼此電連接。為了經由連接電極50連接以島形式分離的第一感測圖型10彼此而與第二感測圖型20電絕緣（electrically isolated），需要形成接觸孔40（contact hole）。更特別地，在接觸孔40於絕緣膜30形成之後，需要進行形成連接電極50的額外步驟。如上所述地，在額外包括此類連接電極50的透明感測電極中形成接觸孔40與連接電極50的額外製程是必要的，由此在製造製程期間可能發生諸如第一感測圖型10與第二感測圖型20間的電短路之缺陷，且感測電極圖型的導電性可能由於連接電極與感測圖型間的接觸電阻而降低。為了解決上述的問題，韓國專利公開號2010-84263 揭露了首先於透明基板上形成連接電極、絕緣膜與接觸孔，最後是第一感測圖型與第二感測圖型於其上的技術，從而改善與遮罩數目與製程複雜度相關的問題。然而，揭露於韓國專利公開號2010-84263 的技術可能無法根本上解決上述問題，因為它應伴隨額外的連接電極而提供。

因此，本發明的目標為提供具有高導電性的觸控面板，以及製造此面板的方法。此外，本發明的另一目標為提供具有改善的穿透率（transmittance）的觸控面板，以及製造此面板的方法。進一步地，本發明的另一目標為提供在不同位置視反射變化而定之可見度降低的觸控面板，以及製造此面板的方法。本發明的上述目非將由下列特徵實現： (1) 一個設置於顯示面板的可見側的觸控面板，該面板包括：於基板的一可見側表面上形成之感測圖型；於一表面與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域上設置，並且配置以連接感測圖型與墊部（pad part）的軌跡；於軌跡上形成的金屬輔助圖型；以及於金屬輔助圖型上形成的遮光層。 (2) 根據上述(1)中所述之觸控面板，其中該顯示面板包括定義其像素間的邊界之第一黑色矩陣層。 (3) 根據上述(1)中所述之觸控面板，其中該感測圖型包括以一間隔排列的多個單元感測圖型，以及由每個單元感測圖型延伸至與之最接近的邊框部分（bezel part）的軌跡，以便連接感測圖型與邊框部分上的墊部。 (4) 根據上述(1)中所述之觸控面板，該面板係進一步地包括相鄰於感測圖型以及在與一表面的像素間之邊界相對應的區域上之軌跡而排列的第二黑色矩陣層。 (5) 根據上述(1)中所述之觸控面板，其中該感測圖型與該軌跡係每個獨立地由選自由銦錫氧化物（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦鋅錫（IZTO）以及氧化鎘錫（CTO）所組成之群組的至少一材料形成。 (6) 根據上述(1)中所述之觸控面板，其中該感測圖型與其軌跡每個係獨立地具有10至150 nm的厚度。 (7) 根據上述(1)中所述之觸控面板，其中該金屬輔助圖型係由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦或其合金材料形成。 (8) 根據上述(1)中所述之觸控面板，其中該遮光層為第三黑色矩陣層或金屬氧化物層。 (9) 根據上述(8)中所述之觸控面板，其中該金屬氧化物為選自由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦與鈮所組成之群組的至少一金屬的氧化物。 (10) 根據上述(8)中所述之觸控面板，其中該金屬氧化物層具有1.0至3.1的折射率。 (11) 根據上述(8)中所述之觸控面板，其中該金屬氧化物層具有15至100 nm的厚度。 (12) 根據上述(8)中所述之觸控面板，其中該第三黑色矩陣層具有20至5,000 nm的厚度。 (13) 一種製造觸控面板的方法，該方法包括：於基板的一可見側表面上形成感測圖型；於一表面形成軌跡以連接感測圖型與墊部；於軌跡上形成金屬輔助圖型；並且於金屬輔助圖型上形成遮光層，其中軌跡被設置，以被置於與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域上。 (14) 一種製造觸控面板的方法，該方法包括：於顯示面板的一可見側表面上形成感測圖型；於一表面上與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域上形成軌跡，其中設置該軌跡以連接感測圖型與墊部；於軌跡上形成金屬輔助圖型；並且於金屬輔助圖型上形成遮光層。 (15) 根據上述(13)或(14)所述之方法，其中形成該感測圖型以包含以一間隔排列的多個單元感測圖型，並且形成軌跡以自每個單元感測圖型延伸至與之最接近的邊框部分，以便連接該感測圖型與邊框部上的墊部。 (16) 根據上述(13)或(14) 所述之方法，其中該感測圖型與軌跡係各別地由選自由銦錫氧化物（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦鋅錫（IZTO）以及氧化鎘錫（CTO）所組成之群組的至少一材料形成。 (17) 根據上述(13)或(14) 所述之方法，其中該感測圖型與軌跡每個係獨立地具有10至150 nm的厚度。 (18) 根據上述(13)或(14) 所述之方法，其中該感測圖型與軌跡係同時地於單一製程中形成。 (19) 根據上述(13)或(14) 所述之方法，其中該金屬輔助圖型係由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦或其合金材料形成。 (20) 根據上述(13)或(14) 所述之方法，該方法進一步地包括：形成第二黑色矩陣層，將其相鄰於感測圖型以及一表面上與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域上之軌跡而排列。 (21) 根據上述(20) 所述之方法，其中該遮光層為第三黑色矩陣層，其經由將形成黑色矩陣層的組成物應用於金屬輔助圖型以及於一表面與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域頂部而被形成且其中該第二黑色矩陣層與該第三黑色矩陣層係於相同製程中形成。 (22) 根據上述(13)或(14) 所述之方法，其中該遮光層係經由在金屬輔助圖型上沉積選自由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦與鈮所組成之群組的至少一金屬之氧化物而形成。 (23) 根據上述(22) 所述之方法，其中該金屬氧化物具有1至3.1的折射率。 (24) 根據上述(13)或(14) 所述之方法，其中該遮光層係由氧化金屬輔助圖型的可見側表面而形成。本發明之觸控面板可具有金屬輔助圖型，以增加感測圖型的導電性，從而實現觸控靈敏度的改良。此外，本發明之觸控面板具有對齊於像素部中黑色矩陣之上的金屬輔助圖型，從而具有顯著改良的穿透率。進一步地，本發明之觸控面板由於不同位置的反射變化而可將可見度問題最小化。

本發明揭露設置於顯示面板可見側的觸控面板，該面板包括：於基板的一可見側表面形成之感測圖型；於一表面與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域上設置，並且配置以連接感測圖型與墊部（pad part）的軌跡；於軌跡上形成的金屬輔助圖型；以及於金屬輔助圖型上形成的遮光層，從而具有改善的觸控靈敏度與優異的穿透率，以及最小化可見度問題是可能的。 [觸控面板] 第3圖與第5圖為說明根據本發明的一具體實施例中的觸控面板之示意縱向剖面圖，該面板係設置於顯示面板的一表面，而第4圖為說明根據一具體實施例中的觸控面板中的金屬輔助圖型與感測圖型排列的平面圖。在下文中，將參考所附圖式更詳細地描述本發明。然而，由於本揭露內容所附圖式僅供作說明本發明之優選的各種具體實施例中的一者，以上述發明輕易地了解本發明的技術精神，不應被解釋為限制於圖式中說明的此類描述。本發明之觸控面板 200 係設置於顯示面板100的可見側。顯示面板100無特別限制，但可包括，舉例來說，在相關領域中常用的液晶面板、OLED面板或諸如此類。此OLED面板可為具有紅、綠與藍光發光二極體的RGB OLED面板或具有白光發光二極體的白OLED面板。若顯示面板100為液晶面板或白OLED面板，可提供具有彩色圖型的濾色器，且紅、綠、藍色的此類彩色圖型係對應紅、綠與藍色子像素而排列，從而表現顏色。當顯示面板100為RGB OLED面板時，將紅、綠、藍光發光二極體（LED）分別地對應紅、綠與藍色子像素而排列，從而表現顏色。顯示面板100可包括第一黑色矩陣層（圖未表示），以定義像素間的邊界。第一黑色矩陣層可定義個別像素與個別子像素間的邊界，並用於改善對比。除此之外，根據本發明的顯示面板100可進一步地包括相關領域中典型採用的任何技術配置。根據本發明的觸控面板 200可包括於基板210的一可見側表面形成的感測圖型 220。此感測圖型 220可提供觸控點的X與Y座標資訊。更特別地，當使用者的手或物體接觸一位置時，接觸位置的電容改變可經由感測圖型 220、軌跡230與墊部（圖未表示）被傳送至驅動電路。然後，電容的改變可由X與Y輸入處理電路（圖未表示）被轉變成電子訊號，以因而辨認接觸位置。墊部（圖未表示）係位於基板210的一可見側表面，並且可包括與軌跡230連結的至少一墊片（圖未表示）以及一軟電路板（圖未表示）。可將感測圖型 220 以相關領域中已知的一般透明電極材料形成而對其無特別限制。舉例來說，此類材料可包括，銦錫氧化物（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦鋅錫（IZTO）以及氧化鎘錫（CTO）、聚(3,4-伸乙二氧噻吩)（PEDOT）、碳奈米管（CNT）、金屬線等，將其單獨或結合其二或更多者使用。優選地使用ITO。然而，感測圖型 220的厚度沒有特別限制，可獨立地有10至150 nm的範圍。若厚度少於10 nm，表面電阻可能高到使靈敏度惡化。當厚度超過150 nm時，表面電阻可能降低而增加電力消耗。基板210可由相關領域中常見的任何材料形成，且舉例來說，可包括玻璃、聚醚碸（PES）、聚丙烯酸酯（PAR）、聚醚醯亞胺（PEI）、伸聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚對苯二甲二乙酯（PET）、聚苯硫醚（PPS）、聚烯丙基、聚醯亞胺、聚碳酸酯（PC）、三乙醯纖維素（TAC）、醋酸丙酸纖維素（CAP）或諸如此類。進一步地，基板210可為顯示面板100的一可見側表面。軌跡230係設置於一表面與顯示面板100的像素間之邊界面對應的區域上，而感測圖型 220係與驅動電路連接。下文將描述的金屬輔助圖型 240係於軌跡230形成。在此方面，金屬具有高反射率，且當將其應用至影像顯示裝置時，反射由顯示裝置的光源入射的內部光線。因而，顯示裝置的穿透率可能被破壞。然而，根據本發明的軌跡230係設置於與顯示面板100的像素間之邊界面對應的區域上，而與顯示面板100的像素間之邊界面對應的區域可能是一區域，基本上內部光線不由上述的第一黑色矩陣層（圖未表示）或下文將要描述的第二黑色矩陣層260通過該區域而傳送。因此，沒有金屬輔助圖型 240造成的穿透率破壞的問題。根據本發明，單元感測圖型220間的排列、軌跡230以墊部連接單元感測圖型220的排列或方向或諸如此類，並沒有特別限制，但可在考量表面電阻、觸控靈敏度等因之下適當地選擇。舉例來說，感測圖型 220可包括以一間隔排列的多個單元感測圖型 220以及由每個單元感測圖型220延伸至與其最接近的邊框部分之軌跡230，以便以邊框部上的驅動電路連接感測圖型220。當將觸控面板 200應用至影像顯示裝置時，可將觸控面板分成顯示影像的顯示部以及作為不顯示影像的框架部之邊框部。影像僅於顯示部顯示並且接收觸控功能，因此，感測圖型 220係於顯示部形成，而邊框部包括形成於其中的電路或諸如此類。如同第4圖中說明地，當軌跡230由每個單元感測圖型 220延伸至與其最接近的邊框部時，於顯示部形成的軌跡可具有降低的長度，以表現低電阻，從而改善觸控靈敏度。對於第4圖中最上排之行的感測圖型 220，顯示出金屬線分別於左與右側延伸至邊框部。然而，若金屬線自個別的單元感測圖型220較左與右邊框部更加靠近相鄰於上邊框部，金屬線亦可延伸至上邊框部。根據本發明的觸控面板，如同第5圖中所說明地，可進一步地包括第二黑色矩陣層260，該黑色矩陣層係被設置成相鄰於在基板210的一可見側表面與顯示面板100的像素間邊界相對應區域上之軌道230與感測圖型220。顯示面板100的第二黑色矩陣層260與第一黑色矩陣層（圖未表示）可被選擇性地包含。第二黑色矩陣層260可有改良對比的功用，類似於第一黑色矩陣層（圖未表示）。軌跡230可由相關領域中已知的任何透明電極材料形成。舉例來說，材料可包括銦錫氧化物（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦鋅錫（IZTO）、氧化鎘錫（CTO）或諸如此類，將其單獨或結合其二或更多者使用。優選地，使用銦錫氧化物（ITO）。軌跡230的厚度沒有特別限制，但可有10至150 nm的範圍。若厚度少於10 nm，表面電阻可能增加而降低觸控靈敏度。當厚度超過150 nm時，表面電阻可能降低而增加電力消耗。金屬輔助圖型 240係於軌跡230上形成。在典型的觸控面板中，用作感測圖型 220的材料的銦錫氧化物（ITO）具有優異的透明度但較金屬為低的導電性。因此，本發明之觸控面板 200可具有此類金屬輔助圖型 240，從而實現優異的導電性。金屬輔助圖型 240的厚度沒有特別限制，但可舉例來說，有10至1,000 nm的範圍。若厚度少於10 nm，電阻可能太高。當厚度超過1,000 nm時，可能增加製造成本。根據本發明的金屬輔助圖型 240可由金屬材料形成。舉例來說，可使用鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦或其合金。由於金屬具有高反射率，它可反射由光源入射而產生的光線，而降低觸控面板的穿透率。然而，如上所述地，由於軌跡230係設置於與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域上，可避免由於金屬輔助圖型 240而降低穿透率的問題。進一步地，由於金屬輔助圖型 240係於軌跡230上形成，可降低電阻以改良觸控靈敏度。可於金屬輔助圖型 240上提供遮光層250。若金屬輔助圖型 240 設置於軌跡230上，具有高反射率的金屬反射從外部入射而產生的光線，因此可由外部看見金屬輔助圖型 240。然而，本發明之觸控面板包括於金屬輔助圖型 240上形成的遮光層250，從而最小化金屬輔助圖型 240可見度的問題。本發明之遮光層250可為第三黑色矩陣層或金屬氧化物層。若遮光層250為第三黑色矩陣層，它可經由將形成黑色矩陣的組成物應用至金屬輔助圖型 240，然後將其固化而形成，該組成物係包括著色劑、鹼溶性樹脂黏著劑、多官能單體、光聚合起始劑、表面活性劑、溶劑及/或在相關領域中一般使用的其他添加劑。若遮光層250為金屬氧化物層，它可以相關領域中已知的金屬氧化物形成。舉例來說，它可由選自由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦與鈮所組成之群組的至少一金屬之氧化物形成。在最小化金屬輔助圖型 240的可見度方面，金屬氧化物層具有1.0至3.1的折射率是優選的。在這個情況下，即使當使用非黑色透明金屬氧化物時，金屬輔助圖型 240的可見度無論顏色可被最小化。遮光層250的厚度沒有特別限制，但當遮光層250為金屬氧化物層時，範圍可以是從例如10至100 nm。若金屬氧化物層的厚度少於10 nm或超過100 nm時，可能由於高反射率而從外部看見金屬輔助圖型 240。進一步地，當遮光層250為黑色矩陣層時，其厚度範圍可由10 至 5,000 nm。若黑色矩陣層的厚度少於10 nm，可從外部看見金屬輔助圖型 240。當厚度超過5,000 nm時，其可能造成增加觸控面板的厚度以及製造成本的問題。根據本發明的另一具體實施例，可於感測圖型 220上形成金屬輔助圖型 240。在這個情況下，金屬輔助圖型 240可設置於與顯示面板的像素間邊界相對應的區域上，並且可以如同上述的厚度範圍之材料形成。同樣地，遮光層250亦可於具有如同上述的厚度範圍之材料形成的金屬輔助圖型 240上形成。當將金屬輔助圖型 240額外地於感測圖型 220上形成時，可進一步改善觸控靈敏度，且當其連接到於軌跡230上形成的金屬輔助圖型 240時，可將改善觸控靈敏度的效果最大化。 [觸控面板的製備] 此外，本發明提供製造觸控面板的方法。在下文中，將詳細描述根據本發明的一具體實施例中製造觸控面板的方法。首先，感測圖型 220係於基板210的一可見側表面形成。基板210的原料沒有特別限制，但舉例來說，基板210可由如同上述的相同材料形成。形成感測圖型 220 的方法沒有特別限制，但可包括在相關領域中已知的任何傳統步驟。舉例來說，可使用例如物理噴霧沉積（PVD）、化學噴霧沉積（CVD）或諸如此類的各種薄膜沉積方法來形成感測圖型。舉例來說，可經由PVD的一範例之反應性濺鍍（reactive sputtering）來形成感測圖型。替代地，可使用光刻（photolithography）方法形成感測圖型。可使用相關領域中已知的任何透明電極材料形成感測圖型 220。舉例來說，此材料可包括銦錫氧化物（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦鋅錫（IZTO）以及氧化鎘錫（CTO）或諸如此類，將其單獨或結合其二或更多者使用。優選地，使用銦錫氧化物（ITO）。感測圖型 220的厚度沒有特別限制，但可舉例來說，有10至150 nm的範圍。若感測圖型 220的厚度少於10 nm，表面電阻太高，因而降低觸控靈敏度。當厚度超過150 nm時，穿透率被降低而增加電力消耗。此後，可將軌跡230於一表面形成，以連接感測圖型220與墊部。根據本發明的一具體實施例，感測圖型 220可包括以一間隔排列而形成的多個單元感測圖型 220，而可形成軌跡230，以便由每個單元感測圖型220延伸至與其最接近的邊框部，從而以邊框部上的驅動電路連接感測圖型 220。在這個情況下，於顯示部形成的軌跡長度減少以降低電阻，因而改善觸控靈敏度。可將軌跡230以如同感測圖型220的材料之相同材料形成。在此情況下，可將這些於單一製程中同時形成。接著，於軌跡230上形成金屬輔助圖型 240 。在典型的觸控面板中，用作感測圖型 220的材料的銦錫氧化物（ITO）具有優異的透明度但較金屬為低的導電性。因此，本發明之觸控面板可具有金屬輔助圖型 240，以實現優異的導電性。形成金屬輔助圖型 240的方法沒有特別限制，但可包括在相關領域中已知的任何傳統方法。舉例來說，可將金屬輔助圖型經由各種薄膜沉積製程來形成，包括物理噴霧沉積（PVD）、化學噴霧沉積（CVD）或諸如此類。舉例來說，金屬輔助圖型可經由PVD的一範例之反應性濺鍍（reactive sputtering）來形成。替代地，可使用光蝕刻（photolithography）方法形成金屬輔助圖型。金屬輔助圖型 240的厚度沒有特別限制，但可舉例來說，有10至1,000 nm的範圍。若厚度少於10 nm，表面電阻太高，因而降低觸控靈敏度。當厚度超過1,000 nm時，可能增加製造成本。在此之後，於金屬輔助圖型 240上形成遮光層250。當將金屬輔助圖型 240 設置於感測圖型 220上，具有高反射率的金屬可反射從外部入射而產生的光線，因而可由外部看見金屬輔助圖型 240。然而，本發明之觸控面板具有於金屬輔助圖型 240上形成的遮光層250，從而最小化金屬輔助圖型 240可見度的問題。遮光層250可為第三黑色矩陣層或金屬氧化物層。若遮光層250為第三黑色矩陣層，它可經由將形成黑色矩陣的組成物應用至金屬輔助圖型 240，然後將其圖型固化而形成，該組成物係包括著色劑、鹼溶性樹脂黏著劑、多官能單體、光聚合起始劑、表面活性劑、溶劑及/或在相關領域中一般使用的其他添加劑。然而，黑色矩陣層的形成不特別限制於此。當遮光層250為金屬氧化物層時，它可經由將金屬氧化物沉積於金屬輔助圖型 240，或者不然由氧化金屬輔助圖型 240的表面而形成。然而，金屬氧化物層的形成不特別限制於此。若遮光層250為金屬氧化物層，可使用相關領域中已知的金屬氧化物，舉例來說，選自由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦與鈮所組成之群組的至少一金屬之氧化物。在最小化金屬輔助圖型 240的可見度方面，金屬氧化物層具有1.0至3.1的折射率是優選的。在這個情況下，即使當使用非黑色透明金屬氧化物時，金屬輔助圖型 240的可見度無論顏色可被最小化。遮光層250的厚度沒有特別限制，但當遮光層250為金屬氧化物層時，範圍可以是從例如15至100 nm。若金屬氧化物層的厚度少於15 nm或超過100 nm時，可能從外部看見金屬輔助圖型 240。進一步地，當遮光層250為黑色矩陣層時，其厚度範圍可以是由20至 5,000 nm。若黑色矩陣層的厚度少於20 nm，可從外部看見金屬輔助圖型 240。當厚度超過5,000 nm時，其可能造成增加觸控面板的厚度以及製造成本的問題。可將根據包括上述步驟的方法所製造的觸控面板 200排列以使得軌跡230被設置於與顯示面板100的像素間之邊界相對應的區域上。然而，當將金屬輔助圖型 240 應用至影像顯示裝置時，它反射由顯示裝置的光源入射產生的內部光線，因而降低顯示裝置的穿透率。然而，根據本發明，將觸控面板 200設置於顯示面板100的一可見側表面，使得軌跡230位於與顯示面板100的像素間之邊界相對應的區域上。與顯示面板100的像素間之邊界相對應的區域為實質上的一區域，該區域中提供如上所述的第一黑色矩陣層（圖未表示）或以下將要描述的第二黑色矩陣層260以防止內部光線通過此區域，因而不造成由於金屬輔助圖型 240而降低穿透率的問題。本發明方法可進一步地包括形成第二黑色矩陣層260的步驟，該黑色矩陣層係相鄰於感測圖型220以及在與顯示面板100的像素間之邊界相對應的區域上的軌跡230。可選擇性地包含第二黑色矩陣層260 與第一黑色矩陣層（圖未表示）。第二黑色矩陣層260可有改善對比的作用(與第一黑色矩陣層（圖未表示）類似）。若遮光層250為第三黑色矩陣層，可將第二黑色矩陣層260 與第三黑色矩陣層於相同製程形成。在此情況下，改善對比的第二黑色矩陣層260與避免金屬輔助圖型 240被看見的第三黑色矩陣層不分別形成，而可同時於單一製程中形成，從而顯著地提升製程效率。具體方法沒有特別限制，然而可包括將形成黑色矩陣層的組成物應用至金屬輔助圖型以及與顯示面板的像素間之邊界相對應的區域頂部的施作。除了上述製程之外，可經由相關領域中已知的額外製程製造觸控面板。在下文中，將詳細描述根據本發明的另一具體實施例中製造觸控面板的方法。首先，感測圖型 220 係於顯示面板100的一可見側表面形成。可經由使用如同上述的相同方法，以及如同上述的相同厚度與材料形成感測圖型 220。顯示面板100可包括在其一可見側表面的替代基板210。此基板210可由如同上述基板之相同材料形成。在此之後，連接感測圖型 220與墊部的軌跡230可於與顯示面板100的像素間邊界相對應的區域上形成。可經由使用如同上述的相同方法，以及如同上述的相同厚度與材料形成軌跡230。如上所述地，軌跡230可由如同用於感測圖型 220的相同材料形成。在此情況下，感測圖型 220與軌跡230可於單一製程中同時形成。在此之後，於軌跡230上形成金屬輔助圖型 240。同樣地，可將金屬輔助圖型 240經由使用如同上述的相同方法，以及如同上述的相同厚度與材料形成。接著，可於金屬輔助圖型 240上形成遮光層250。遮光層250可包含第三黑色矩陣層或金屬氧化物層，且可以如同上述的相同厚度與材料形成。本發明方法可進一步地包括形成第二黑色矩陣層260的製程，該黑色矩陣層係相鄰於在一表面與顯示面板100的像素間的邊界相對應的區域上之感測圖型 220以及軌跡230。可選擇性地包含第二黑色矩陣層260 與第一黑色矩陣層（圖未表示）。與第一黑色矩陣層（圖未表示）類似，第二黑色矩陣層260亦可有改善對比的功能。若遮光層250為第三黑色矩陣層，則可將第二黑色矩陣層260與第三黑色矩陣層於相同製程形成。在此情況下，改善對比的第二黑色矩陣層260與避免金屬輔助圖型 240被看見的第三黑色矩陣層不分別形成，而可同時於單一製程中形成，從而顯著地提升處理效率。除了上述製程之外，亦可使用相關領域中已知的額外步驟以製造觸控面板。製備例 1-1 至 1-3 於玻璃基板（折射率：1.51）上形成厚度35 nm的銦錫氧化物（ITO）（折射率：1.89）之圖型，然後將具有厚度300 nm的鉬（折射率：3.78）金屬圖型於ITO圖型上形成。此後，於氧化鈮（Nb₂ O₅ ，折射率：2.28）的金屬圖型上形成遮光層，從而製造第6圖中所示的層板。製備例 2-1 至 2-8 於玻璃基板（折射率：1.51）上形成厚度35 nm的銦錫氧化物（ITO）（折射率：1.89）之圖型，且然後將具有厚度300 nm的金屬圖型於鉬的ITO圖型上形成（折射率：3.78）。接著，在混合下列化合物之後，即：110重量部的碳黑；作為鹼溶性樹脂黏著劑之29重量部的芐基(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸共聚物（酸值110 KOH mg/g，莫耳比率70/30，Mw = 30,000）；70 重量部之以烯丙基縮水甘油醚（酸值80 KOH mg/g，Mw = 22,000）添加的芐基(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸共聚物的加成聚合物；50重量部的季戊四醇六丙烯酸酯作為官能性單體；20重量部的2-芐基-2-(二甲基胺基)-1-(4-嗎啉基苯基)丁-1-酮、10重量部的2,2’-雙(鄰-氯苯基)-4,4,5,5’-四苯基-1,2’-雙咪唑、5重量部的4,4-雙(二乙基胺基)二苯甲酮，以及作為光聚合起始劑之5重量部的巰基-苯并噻唑；其他添加物包括9重量部的聚酯分散劑、作為黏著強化劑之0.53重量部的3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷，以及1重量部的矽或氟表面活性劑作為整平劑以賦予油墨排斥性（ink repellency）；以及溶劑，即，混合440重量部的丙二醇單甲醚醋酸酯與290重量部的丙酸乙氧基乙酯。接著，將混合物攪拌5小時，以製備彩色墨水。以此彩色墨水，黑色矩陣層被形成並用於製造第6圖所示的層板。製備例 3-1 至 3-3 除了遮光層係由Al₂ O₃ 至Al₂ O₅ （折射率：1.66）形成外，根據如同製備例1中所描述的相同程序製備第6圖中所示的層板。製備例 4-1 至 4-3 除了遮光層係由Cu₂ O至Cu₄ O（折射率：3.10）形成外，根據如同製備例1中所描述的相同程序製備第6圖中所示的層板。製備例 5-1 至 5-6 除了將遮光層省略之外，根據如同製備例1中所描述的相同程序製備第7圖中所示的層板。實驗例 (1) ITO 圖型之電阻測量 在製備參考例1至15中的層板之後，測量ITO圖型的電阻。將每個層板處理如下：將有列於表格1的厚度與面積5 cm x 30 mm的ITO圖型沉積於玻璃基板上，然後將有列於表格1的厚度之鉬圖型於形成的ITO圖型上沉積。接著，由電表測量電阻，且將相對電阻列於以下表格1。參考上述表格1，可見到隨著感測圖型與金屬圖型的厚度更大，電阻降低。(2) 反射率的測定 對每個製備例1至5中的層板，以ST-4000（由KMAC製造的厚度測量系統）測量在400 nm至700 nm波長範圍的第6圖與第7圖中所說明之位置A的反射率。參考表格2，可發現製備例1至4中的每個層板在位置A具有降低的反射率，其中金屬圖型係由金屬氧化物層或黑色矩陣層形成。然而，製備例5中的層板在位置A表現出非常高的反射率。

1、210‧‧‧基板
10‧‧‧第一感測圖型
20‧‧‧第二感測圖型
30‧‧‧絕緣膜
40‧‧‧接觸孔
50‧‧‧連接電極
100‧‧‧顯示面板
200‧‧‧觸控面板
220‧‧‧感測圖型
230‧‧‧軌跡
240‧‧‧金屬輔助圖型
250‧‧‧遮光層
260‧‧‧第二黑色矩陣層
A-A’‧‧‧線
ITO‧‧‧銦錫氧化物

由結合所附圖式的下列詳細描述中，將更清楚了解本發明的上述及其他目標、特徵與其他優勢，其中：第1圖為傳統透明感測電極的示意平面圖；第2圖為傳統透明感測電極的示意縱剖面圖；第3圖為根據本發明的一具體實施例中，置於顯示面板的一表面上的觸控面板之示意縱剖面圖；第4圖為示意說明根據本發明的一具體實施例之觸控面板中的金屬輔助圖型與感測圖型排列的平面圖；第5圖為根據本發明的一具體實施例之置於顯示面板的一表面上的觸控面板之示意縱剖面圖；第6圖為根據製備例1至4之層板（laminate）的示意縱剖面圖；以及第7圖為根據製備例5之層板（laminate）的示意縱剖面圖。

100‧‧‧顯示面板

200‧‧‧觸控面板

210‧‧‧基板

220‧‧‧感測圖型

230‧‧‧軌跡

240‧‧‧金屬輔助圖型

250‧‧‧遮光層

Claims

一種觸控面板，該面板係設置於一顯示面板的一可見側，該面板包括：於一基板的一可見側表面上形成之一感測圖型；一軌跡，該軌跡係於該一表面與該顯示面板的像素間之一邊界相對應的一區域上設置，並且配置以連接該感測圖型與一墊部；於該軌跡上形成的一金屬輔助圖型；以及於該金屬輔助圖型上形成的一遮光層。
如申請專利範圍第1項中所述之觸控面板，其中該顯示面板包括定義其該像素間的該邊界之一第一黑色矩陣層。
如申請專利範圍第1項中所述之觸控面板，其中該感測圖型包括以一間隔排列的多個單元感測圖型，以及由每個單元感測圖型延伸至與之最接近的一邊框部分（bezel part）的該軌跡，以便連接該感測圖型與該邊框部分上的一墊部。
如申請專利範圍第1項中所述之觸控面板，該面板係進一步地包含相鄰於該感測圖型以及在與該一表面的該像素間之該邊界相對應的該區域上之該軌跡排列的一第二黑色矩陣層。
如申請專利範圍第1項中所述之觸控面板，其中該感測圖型與該軌跡係每個獨立地由選自由銦錫氧化物（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦鋅錫（IZTO）以及氧化鎘錫（CTO）所組成之一群組的至少一材料形成。
如申請專利範圍第1項中所述之觸控面板，其中該感測圖型與該軌跡每個係獨立地具有10至150 nm的厚度。
如申請專利範圍第1項中所述之觸控面板，其中該金屬輔助圖型係由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦或其合金材料形成。
如申請專利範圍第1項中所述之觸控面板，其中該遮光層為一第三黑色矩陣層或金屬氧化物層。
如申請專利範圍第8項中所述之觸控面板，其中該金屬氧化物為選自由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦與鈮所組成之一群組的至少一金屬的氧化物。
如申請專利範圍第8項中所述之觸控面板，其中該金屬氧化物具有1.0至3.1的一折射率。
如申請專利範圍第8項中所述之觸控面板，其中該金屬氧化物層具有15至100 nm的一厚度。
如申請專利範圍第8項中所述之觸控面板，其中該第三黑色矩陣層具有20至5,000 nm的一厚度。
一種製造一觸控面板的方法，該方法包括：於一基板的一可見側表面上形成一感測圖型；於該一表面形成一軌跡以連接該感測圖型與一墊部；於該軌跡上形成一金屬輔助圖型；並且於該金屬輔助圖型上形成一遮光層，其中該軌跡被設置，以被置於與一顯示面板的像素間之一邊界相對應的一區域上。
一種製造一觸控面板的方法，該方法包括：於一顯示面板的一可見側表面上形成一感測圖型；於該一表面上與該顯示面板的像素間之一邊界相對應的一區域上形成一軌跡，其中該軌跡被配置以連接該感測圖型與一墊部；於該軌跡上形成一金屬輔助圖型；並且於該金屬輔助圖型上形成一遮光層。
如申請專利範圍第13項或第14項中所述之方法，其中形成該感測圖型以包括以一間隔排列的多個單元感測圖型，以及形成該軌跡以自每個單元感測圖型延伸至與之最接近的一邊框部分，以便連接該感測圖型與該邊框部分上的一墊部。
如申請專利範圍第13項或第14項中所述之方法，其中該感測圖型與該軌跡係各別地由選自由銦錫氧化物（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦鋅錫（IZTO）以及氧化鎘錫（CTO）所組成之一群組的至少一材料形成。
如申請專利範圍第13項或第14項中所述之方法，其中該感測圖型與該軌跡每個係獨立地具有10至150 nm的厚度。
如申請專利範圍第13項或第14項中所述之方法，其中該感測圖型與該軌跡係同時地於一單一製程中形成。
如申請專利範圍第13項或第14項中所述之方法，其中該金屬輔助圖型係由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦或一其合金材料形成。
如申請專利範圍第13項或第14項中所述之方法，該方法係進一步包含：形成一第二黑色矩陣層，將其相鄰於該感測圖型以及該一表面上與該顯示面板的該像素間之該邊界相對應的該區域上之該軌跡而排列。
如申請專利範圍第20項中所述之方法，其中該遮光層為一第三黑色矩陣層，其經由將形成一黑色矩陣層的一組成物應用於該金屬輔助圖型以及於該一表面上與該顯示面板的該像素間之該邊界相對應的該區域的該頂部而被形成，並且其中該第二黑色矩陣層與該第三黑色矩陣層係於相同製程中形成。
如申請專利範圍第13項或第14項中所述之方法，其中該遮光層係經由在該金屬輔助圖型上沉積選自由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦與鈮所組成之一群組的至少一金屬之氧化物而形成。
如申請專利範圍第22項中所述之方法，其中該金屬氧化物具有1至3.1的一折射率。
如申請專利範圍第13項或第14項中所述之方法，其中該遮光層係經由氧化該金屬輔助圖型的該可見側表面而形成。