JPWO2013035276A1 - 一体型タッチセンサー基板、これを備える表示装置、および一体型タッチセンサー基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
一体型タッチセンサー基板、これを備える表示装置、および一体型タッチセンサー基板の製造方法を提供し、タッチパネルセンサーの前面板の額縁部に表示されるロゴマークを、簡単な構成で厚さを薄くし、金属色で表示することを実現する。タッチパネル付き表示装置に用いられる一体型タッチセンサー基板において、額縁部に設けた金属配線と、ロゴマークを表示する表示膜とを同一の工程により同一の金属で形成するようにした。また、ロゴマークを表示する領域にも金属配線を配置して、額縁部の限られたスペースを有効に使用して配線を設けることができるようにした。
Description
本発明はタッチパネル付き表示装置に用いられる一体型タッチセンサー基板に関し、より詳細には周縁部にロゴマークが表示された一体型タッチセンサー基板に関する。
近年、携帯電話や、携帯情報端末、カーナビゲーションシステムを始め、さまざまな電子機器の操作部にタッチパネルが採用されている。タッチパネルは、液晶パネルや有機EL(Electro-Luminesence)などの表示デバイスの表示画面上に、指などの接触位置を検出可能な位置入力装置を貼り合わせて構成される。タッチパネルの方式としては、抵抗膜式、静電容量式、光学式、超音波式に大別されるが、それぞれメリット/デメリットがあるため用途に応じて使い分けられている。静電容量式には、更に、表面型と投影型とがある。投影型静電容量式タッチパネルは、X方向及びY方向にグリッド上に配列された複数の電極を備え、マルチタッチが可能であり、現在急速に普及しつつある。
投影型静電容量式タッチパネルセンサー基板は、一般的に5層構造、すなわち、金属配線、X方向用及びY方向用の2層の透明電極、2層の透明電極間の層間絶縁層、表面の保護層からなる。また、層間絶縁層を有機膜で形成することによってガラス基板の片面に2層の透明電極層を形成した片面構造と、ガラス基板を層間絶縁層としても使用し、2層の透明電極層をガラスの両面に分けて形成した両面構造の2つに大別される。(例えば、特許文献1参照)
ここで、携帯電話機などのタッチパネル付きディスプレイには、最表面には前面板(カバーガラス)を設けた構造を採用することが一般的である。このカバーガラスには周辺部の配線などを隠すための遮光性の高い材料からなる額縁部が形成される。この額縁部には、機器のデザインに応じて様々な色や模様を施すことができる。額縁部に色や模様を施す場合、スクリーン印刷で額縁部を形成することが一般的である。ただし、額縁部に色々な色や模様を施すとコストアップに繋がるため、額縁部は黒色とするのが主流である。
また、この黒色の額縁部を形成するときに使用するインキやレジストとしては、一般的には、遮光性の高い顔料であるカーボンやチタンを分散させた材料が使用される。カーボンやチタンを分散させた材料は比抵抗値が低く、誘電率も高い。また、カーボンを樹脂で被覆させることで、比抵抗値が1×1011Ω・cmまで高抵抗化した材料も採用されている。
ここで、このようなタッチパネル付きディスプレイでは、画面の周辺の部分に、ハウスマークやファミリーネーム、ペットネームと呼ばれる会社名や商品名、図案などをロゴマークとして表示することが多い。このようなロゴマークは、カバーガラスの裏面に印刷によって形成される。
ロゴマークは、金属色(メタリック)や白色、あるいは所定の色によって表示される。ロゴマークの所定の形に抜いた形のマーク抜き部を所定の位置に備える額縁部を例えば黒色で前面板の裏面に形成し、次に、マーク抜き部の裏面側からスクリーン印刷等で所定の色で重ね塗りすることにより、この表示を形成する。(例えば、特許文献2参照)
図30に、従来の携帯電話などに使われるタッチパネル付きディスプレイのカバーガラスの一例を示す。図30(a)、(b)に示すように、カバーガラス102上には矩形枠状の額縁部103が形成され、額縁部103の内側が表示領域110となっている。額縁部103は遮光性材料により形成され、マーク抜き部113とカメラ用等の窓114を備えている。そして、マーク抜き部113に裏面側から所定の色のインクなどによる表示膜層112を塗り、ロゴマーク表示部111を形成していた。
しかしながら、図30のようにしてロゴマーク表示部111を形成した場合には、額縁部103に表示膜部112を形成するためインク等を重ね塗りする必要があるので、工程数及び製造コストが増加してしまうという不都合があった。
また、図30(a)に示すように、表示膜部112が形成されると額縁部103の表面に対して段差112aが生じる。この段差112aにより、前面板が厚くなってしまうという不都合があった。
本発明の目的は、上記の不都合を解決するために、以下の構成を採用した。
本発明は、前面板とタッチパネルセンサーとの一体型タッチセンサー基板に関する。そして、透明な前面板と、前面板の裏面の周縁部に形成され所定の形状の表示領域を区画する額縁層と、額縁層の所定の位置を所定の形状で抜いて形成されたマーク抜き部と、額縁層の裏面側に形成された金属配線と、マーク抜き部の裏面側に形成された金属膜層と、表示領域に形成され、金属配線と結線されるセンサー層とを備え、金属配線と金属膜層とが同一の金属で形成されていることを特徴とする。
また、金属配線の一部は、金属膜層の一部が、スリットにより分離されることにより、形成されることを特徴とする。
また、スリットの間隔は25μm以下であることを特徴とする。
また、金属膜層の裏面に、スリットを覆う不透明層が形成されることを特徴とする。
また、金属膜層の反射率が30%以上であることを特徴とする。
また、表示装置であって、複数の画素が行列状に配列された画素領域を有し、入力信号に基づいて画素領域に画像を表示する表示パネルと、画素領域を覆うように取り付けられる一体型タッチセンサー基板とを備えることを特徴とする。
また、透明な前面板と、前面板の裏面の周縁部に形成され、所定の形状の表示領域を区画する額縁層と、額縁層の所定の位置を所定の形状で抜いて形成されたマーク抜き部と、額縁層の裏面側に形成された金属配線と、マーク抜き部の裏面側に形成された金属膜層と、表示領域に形成され、金属配線と結線されるセンサー層とを備える前面板とタッチパネルセンサーとの一体型タッチセンサー基板の製造方法であって、前面板の裏面にマーク抜き部を備える額縁層を形成する工程と、金属配線を形成する工程と、金属膜層を形成する工程と、センサー層を形成する工程とを備え、金属配線を形成する工程と金属膜層を形成する工程とを、同一の金属材料を用いて同一工程で行うことを特徴とする。
また、金属膜層を形成する工程において、金属膜層にスリットを設けて分離して形成することにより、当該金属膜層の少なくとも一部を金属配線の一部として形成することを特徴とする。
また、金属膜層を形成する工程において、上記スリットの間隔を25μm以下とすることを特徴とする。
また、金属膜層を形成する工程より後に、金属膜層のスリットを覆う不透明層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする。
また、金属膜層を形成する工程において、金属膜層の材料として、反射率が30%以上である材料を用いることを特徴とする。
本発明によれば、上述の特徴を有することから、以下の効果が得られる。
すなわち、前面板とタッチパネルセンサーとの一体型タッチセンサー基板であって、透明な前面板と、前面板の裏面の周縁部に形成され所定の形状の表示領域を区画する額縁層と、額縁層の所定の位置を所定の形状で抜いて形成されたマーク抜き部と、額縁層の裏面側に形成された金属配線と、マーク抜き部の裏面側に形成された金属膜層と、表示領域に形成され、金属配線と結線されるセンサー層とを備え、金属配線と金属膜層とが同一の金属で形成されているので、別のインクでスクリーン印刷する場合と比較して、構成が簡単になり、薄い厚さで形成できる。また、金属色(メタリック)で意匠性に優れたロゴマーク表示をすることができる。
また、金属配線の一部は、金属膜層の一部が、スリットにより分離されることにより、形成されるので、額縁部の限られた領域を有効に利用して金属配線を配置できる。
また、スリットの間隔は25μm以下であるので、スリットが目立たず、ロゴマークの意匠性を損なうことがない。
また、金属膜層の裏面に、スリットを覆う不透明層が形成されるため、スリットにおける光の反射を抑制し、スリットをさらに目立たなくすることができる。
また、金属膜層の反射率が30%以上であるので、光沢性に優れたロゴマークを形成することができる。
また、表示装置であって、複数の画素が行列状に配列された画素領域を有し、入力信号に基づいて画素領域に画像を表示する表示パネルと、画素領域を覆うように取り付けられる一体型タッチセンサー基板とを備えるので、別のインクでスクリーン印刷する場合と比較して、構成が簡単になり、薄い厚さで形成できる。また、金属色(メタリック)で意匠性に優れたロゴマーク表示をすることができる。
また、透明な前面板と、前面板の裏面の周縁部に形成され、所定の形状の表示領域を区画する額縁層と、額縁層の所定の位置を所定の形状で抜いて形成されたマーク抜き部と、額縁層の裏面側に形成された金属配線と、マーク抜き部の裏面側に形成された金属膜層と、表示領域に形成され、金属配線と結線されるセンサー層とを備える前面板とタッチパネルセンサーとの一体型タッチセンサー基板の製造方法であって、前面板の裏面にマーク抜き部を備える額縁層を形成する工程と、金属配線を形成する工程と、金属膜層を形成する工程と、センサー層を形成する工程とを備え、金属配線を形成する工程と金属膜層を形成する工程とを、同一の金属材料を用いて同一工程で行うので、別のインクでスクリーン印刷する工程が不要となり、工程数及び製造コストを減少することができる。また、別のインクでスクリーン印刷する場合と比較して、構成が簡単になり、薄い厚さで形成することができる。
そして、金属膜層を形成する工程において、金属膜層にスリットを設けて分離して形成することにより、金属膜層の少なくとも一部を金属配線の一部として形成することにより、額縁部の限られた領域を有効に利用して金属配線を配置できる。
また、金属膜層を形成する工程において、上記スリットの間隔を25μm以下とすることにより、スリットが目立たず、ロゴマークの意匠性を損なうことがない。
また、金属膜層を形成する工程より後に、金属膜層のスリットを覆う不透明層を形成する工程をさらに含むことにより、スリットにおける光の反射を抑制し、スリットをさらに目立たなくすることができる。
また、金属膜層を形成する工程において、金属膜層の材料として、反射率が30%以上である材料を用いることにより、光沢性に優れたロゴマークを形成することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1乃至図7を参照して、本発明の第1の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板は、カバーガラスとタッチパネルセンサーとが一体に直接形成されている。また、金属配線を額縁部に設ける構成となっている。以後、指などが接触される面を表面、その反対面を裏面と呼ぶこととする。
図1乃至図7を参照して、本発明の第1の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板は、カバーガラスとタッチパネルセンサーとが一体に直接形成されている。また、金属配線を額縁部に設ける構成となっている。以後、指などが接触される面を表面、その反対面を裏面と呼ぶこととする。
図1は、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1を備える表示装置の一例である携帯電話を示す斜視図である。図2は、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1を表面側から見た平面図である。図3は、この一体型タッチセンサー基板1を裏面側から見た平面図である。図4は、図3に示した一体型タッチセンサー基板1の積層構造の詳細を示す平面図であって、図3の絶縁保護膜9の形成前の状態を示す。図5は、図3に示したP−P線矢視方向の断面図、図6は、図3に示したQ−Q線矢視方向の断面図、図7(a)は、図3に示したR−R線矢視方向の断面図であり、図7(b)は、図7(a)のA部を示す拡大断面図である。
まず、図1を用いて、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1を備える表示装置50について説明する。この表示装置50はスマートフォンと呼ばれる携帯電話であり、外筐を構成するケース51を有している。ケース51は扁平で上下(Y方向)に長い矩形形状をしており、一方の主面の中央に一体型タッチセンサー基板1、下部に操作ボタン52が配設されている。
図1に示すように、一体型タッチセンサー基板1は上下(Y方向)に長い矩形形状をしており、周縁部には所定の幅の枠状の額縁部3を備えている。額縁部3で区画される内側の領域が表示領域10である。額縁部3の下部にはロゴマークを表示するロゴマーク表示部11、上部には窓14が設けられている。窓14の下方(ケース51の内側)には、図示しないカメラまたは近接センサ等が設けられる。
図2は、図1に示した表示装置50の一体型タッチセンサー基板1を表面側から見た平面図である。形状は簡略化されて示されている。ここで、このロゴマーク表示部11の各文字の表示は、均一な金属色の面から構成される。
図3〜7を用いて一体型タッチセンサー基板1の構成を説明する。図3〜6では、図示を簡略化するために、X方向及びY方向のそれぞれに2ラインの電極パターンが模式的に示されているが、実際には、X方向及びY方向に更に多くの電極が設けられる。
一体型タッチセンサー基板1は、図示しない液晶パネルや有機ELパネルなどの表示デバイスと組み合わせて用いられる位置入力装置である。一体型タッチセンサー基板1は、X方向に延びる複数の電極及びY方向に延びる複数の電極を有し、指が接触または近接した電極の静電容量変化を検出することによって、指の接触位置の座標を特定する。
具体的には、一体型タッチセンサー基板1は、カバーガラス2と、額縁部3と、複数のジャンパ配線4と、絶縁膜5と、金属配線6と、複数の透明電極7及び8と、絶縁保護膜9とを備える。
カバーガラス2は、一体型タッチセンサー基板1の最表面となる透明な前面板であり、使用者によってタッチされる部材である。本実施形態では、前面板としてカバーガラス2を使用した例を説明するが、ガラスに代えて、耐熱性透明樹脂材料を前面板として使用しても良い。また、ガラス表面に樹脂材料からなる透明板を貼ったりして、複数の層から形成してもよい。
額縁部3は、光を吸収し遮光する遮光性材料を用いてカバーガラス2の裏面上に形成される。額縁部3は、中央の窓部分に所定形状の表示領域10を区画し、一体型タッチセンサー基板1の周縁部に設けられる配線を隠す役割を果たす。
額縁部3は、カバーガラス2の周縁部に表示領域10を区画するよう枠状に形成されている。なお、額縁部3の平面形状は、本実施形態のような矩形環状に限定されず、ハート型、たまご型、丸型など、任意である。また、額縁部3の外周縁形状(外形)と内周縁形状(表示領域10の形状)とは相似であっても良いし、非相似でも良い。
額縁部3は、可視光を吸収する顔料系レジストの光硬化物からなる。ここで、顔料系レジストとは、溶媒に溶解させた樹脂中に顔料を分散させたものをいい、顔料系レジストの光硬化物とは、当該顔料系レジストをフォトリソグラフィー法の露光処理を行うことによって硬化させたものをいう。
本実施形態では、顔料系レジストは、カーボンブラック及び酸化チタン以外の少なくとも2種類以上の顔料の混合物を含む疑似ブラックレジストである。例として、カラーフィルタの着色透明層を形成する際に用いられる顔料で、C.I.ピグメントレッド1 、C.I.ピグメントレッド2 、C.I.ピグメントレッド3 、C.I.ピグメントレッド4 、C.I.ピグメントレッド5 、C.I.ピグメントレッド6 、C.I.ピグメントレッド7 、C.I.ピグメントレッド8 、C.I.ピグメントレッド9 、C.I.ピグメントレッド1 0 、C.I.ピグメントレッド11 、C.I.ピグメントレッド1 2 、C.I.ピグメントレッド1 4 などに代表される赤色(RED)系顔料と、C.I.ピグメントブルー1 5 、C.I.ピグメントブルー1 5 : 3 、C.I.ピグメントブルー1 5 : 4 、C.I.ピグメントブルー1 5 : 6 、C.I.ピグメントブルー60などに代表される青色(BLUE)系顔料とを少なくとも混合することにより、擬似的に黒色としたものが挙げられる。
また、本実施形態では、赤色系顔料と青色系顔料とに加え、さらに黄色(YELLOW)系顔料を加えてもよい。黄色系顔料は可視光の低波長領域、すなわち波長500nm以下の光を吸収することが知られている(例えば、塩治孜著(昭和40年、1965年)「印刷インキ教室」(日本印刷新聞社)P170〜173)。赤色系顔料と青色系顔料とに黄色系顔料を加えることにより、黄色系顔料が低波長可視光を吸収し、より黒色に近くすることができる。
ここで、顔料系レジストの光硬化物の誘電率は、好ましくは10以下、より好ましくは5.0以下とする必要がある。静電容量結合方式のタッチパネルの応答性を確保するためである。また、誘電率を4.0以下とすると、顔料系レジストの静電容量の形成を抑えることができる。
また、本実施形態の額縁部3上には、金属配線6および透明電極7、8が形成されるため、電気的な絶縁性を確保する必要がある。すなわち、比抵抗値が1×108Ω・cmでも不十分であり、顔料系レジストの光硬化物の比抵抗値は、1×109Ω・cm以上が好ましく、さらに1×1014Ω・cm以上が好ましい。顔料系レジストの光硬化物の比抵抗値が、1×109Ω・cm未満の場合、顔料系レジストの光硬化物である額縁上に形成された金属配線および透明電極配線が短絡(ショート)することとなり、一体型タッチセンサー基板が正常に動作しなくなるためである。
ジャンパ配線4は、導電性を有する材料を用いて形成され、表示領域10内のカバーガラス2上に、表示領域10の一辺と平行なX方向及びこれと直交するY方向に間欠的かつ行列状に配列されている。ジャンパ配線4は、X方向に整列する透明電極7を接続するためのものである。
複数の絶縁膜5は、ジャンパ配線4の各々に対応して設けられる。絶縁膜5の各々は、対応するジャンパ配線4と交差してX方向に延びるように形成され、Y方向におけるジャンパ配線4の中央部と部分的に重なっている。絶縁膜5は、ジャンパ配線4と透明電極8との間の層間絶縁膜として機能する。ジャンパ配線4と透明電極7とのY方向の接続を可能とするため、絶縁膜5はジャンパ配線4の両端部とは重なっていない。
金属配線6は、額縁部3上に直接形成され、表示領域10の周縁部に位置する透明電極7及び8に電気的に接続されている。本実施形態では、金属配線6は、Mo/Al/Mo(モリブデン/アルミニウム/モリブデン)の積層体からなるが、これ以外にAu(金)やAg(銀)、Ag合金などによって形成されても良い。
金属配線6の構成材料は、これらに限らず、金属を含み低抵抗なものであれば好適に用いることができる。形成された金属配線6のシート抵抗値は、5.0Ω/□以下が好ましく、1.0Ω/□以下がより好ましく、0.5Ω/□以下がさらに好ましい。シート抵抗値は、例えば、4端子法によって測定することができる。
また、金属配線6と同一の構成材料が後述する表示膜層として利用される。構成材料が十分な金属光沢を呈するためには、材料の反射率は、30%以上が好ましく、50%以上がより好ましく、70%以上がさらに好ましい。Mo/Al/MoやMoを用いることで、30%以上の反射率を実現することができる。Ag−Pd−Cu(銀パラジウム銅)合金やAg、Alを用いることで、70%以上の高反射率を実現することができる。反射率は、例えば、顕微分光測定機を用いて測定することができる。
透明電極7は、X座標を検出するためのものである。透明電極7は、電気伝導性と透明性とを有する材料を用いて、表示領域10内のカバーガラス2上に形成されている。透明電極7は、X方向及びY方向に間欠的かつ行列状に配列され、Y方向に隣接するジャンパ配線4に電気的に接続されている。透明電極7は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)によって形成される。
透明電極8は、Y座標を検出するためのものである。本実施形態では、透明電極8は、透明電極7と同一材料を用いて、透明電極7と同一工程で形成される。透明電極8は、X方向に整列する透明電極7の各列間をY方向に延び、図5及び6に示すように、絶縁膜5上でジャンパ配線4と立体交差している。
絶縁保護膜9は、ジャンパ配線4と、金属配線6と、透明電極7及び8と、額縁部3とを覆うように、金属配線6の引き出し配線に当たる部分を除きカバーガラス2のほぼ全面に形成されている。絶縁保護膜9は、カバーガラス2上に形成された各構成要素を保護する保護膜として機能する。
なお、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1においては、ジャンパ配線4と、絶縁膜5と、透明電極7及び8と、絶縁保護膜9とがセンサー層に相当する。
本実施形態で用いる顔料系レジストの光硬化物は、従来のカラーフィルタ用のブラックレジスト材料の光硬化物と比べて、誘電率が低く、かつ、比抵抗値が高いため、額縁部3の絶縁が不要となり、額縁部3上に直接センサー層や金属配線6を形成することができる。また、額縁部3を覆う絶縁膜が不要であることによって工程数が減少するので、コストダウン及び歩留まりの向上を実現できる。
また、本実施形態では額縁部3の材料をフォトリソグラフィー法の露光処理を行った。
スクリーン印刷で額縁部3を形成した場合には額縁部3の表面の凹凸が粗くなるが、フォトリソグラフィー法によって額縁部3を形成すると、額縁部3の表面が平滑になる。そこで、金属配線6を額縁部3上に直接、安定して形成することができる。
スクリーン印刷で額縁部3を形成した場合には額縁部3の表面の凹凸が粗くなるが、フォトリソグラフィー法によって額縁部3を形成すると、額縁部3の表面が平滑になる。そこで、金属配線6を額縁部3上に直接、安定して形成することができる。
ここで、図4および図7(a)(b)を用いて、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1におけるロゴマーク表示部11の形成について説明する。
図7(b)に示すように、ロゴマークが表示されるロゴマーク表示部11に位置する額縁部3には、ロゴマークの形に抜いたマーク抜き部13が形成されている。すなわち、マーク抜き部13は額縁部3に抜き文字状に形成された凹部であって、額縁部3をロゴマークの形にくり抜いた内壁と、ロゴマークの形をしたカバーガラス2の裏面からなる底部とを備える。
図7(b)に示すように、ロゴマークが表示されるロゴマーク表示部11に位置する額縁部3には、ロゴマークの形に抜いたマーク抜き部13が形成されている。すなわち、マーク抜き部13は額縁部3に抜き文字状に形成された凹部であって、額縁部3をロゴマークの形にくり抜いた内壁と、ロゴマークの形をしたカバーガラス2の裏面からなる底部とを備える。
上述した通り、本実施形態では金属配線6を額縁部3上に直接形成している。この金属配線6と同一の金属を用いて、金属配線6を形成する同一の工程で、図4に示すように、マーク抜き部13とその近傍の領域に金属膜からなる表示膜層12を形成する。図7(b)に示すように、マーク抜き部13の内面には表示膜層12が形成される。表側から見たときに額縁部103のロゴマーク表示部11のロゴマークの各文字は、金属配線6と同一の金属色の均一な面により表示される。
金属配線6および表示膜層12の膜厚は、50nm以上1μm以下が好ましく、100nm以上500nm以下がより好ましい。50nm以上とすることで、十分な導電性及び光沢を実現することができ、1μm以下とすることで、十分な導電性及び光沢と、膜厚の薄さとを両立することができる。
このように、ロゴマーク表示部11の内面を、金属配線6を形成する金属膜と同一の膜で覆うことで、別のインクでスクリーン印刷する工程が不要となり、工程数及び製造コストを減少することができる。また、別のインクでスクリーン印刷する場合と比較して、構成が簡単になり、金属膜と同等の薄い厚さで形成することが可能となる。また、金属色(メタリック)で意匠性に優れたロゴマークを表示することができる。
なお、図4に示すように、表示膜層12と連続して金属配線6が形成されていて、図示しない表示装置の電気回路に結線されている。このようにして、表示膜層12をアース(接地)するようにしてもよい。金属膜からなる表示膜層12に静電気が貯まることによるタッチパネルや表示装置の電気回路等に不具合が生ずることを防止したり、表示装置の不要輻射対策をしたりするためである。
(第2の実施形態)
図8乃至図10を参照して、本発明の第2の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。第2の実施形態において、第1の実施形態と同じ部分は同一符号を付し、説明を省略し、異なった部分だけを説明する。
図8乃至図10を参照して、本発明の第2の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。第2の実施形態において、第1の実施形態と同じ部分は同一符号を付し、説明を省略し、異なった部分だけを説明する。
図8(a)は、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1を表面側から見た平面図であり、図8(b)は、図8(a)のB部を示す拡大断面図である。図9は、裏面側から見たときの一体型タッチセンサー基板1の積層構造の詳細を示す平面図であって、絶縁保護膜9の形成前の状態を示す(第1の実施形態の図4に相当する図面である)。図10(a)は、図9に示したS−S線矢視方向の一体型タッチセンサー基板1の断面図であり、図10(b)は、図10(a)のC部を示す拡大断面図である。
本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1は、表示膜層12の金属膜を、金属配線6と同一の金属を用いて、同一工程で形成している点は第1の実施形態と同一であるが、金属配線6の一部が、表示膜層12の少なくとも一部として利用される点が異なる。すなわち、本実施形態では、ロゴマーク表示部11の各文字を表示する領域に金属配線6が配置されている。
図8(a)に示すように、本実施形態を表面側から見たとき、第1の実施形態とほぼ同様の構成となっているが、図8(b)のB部拡大図に示すように、ロゴマーク表示部11のロゴマークの各文字は、均一の面ではなくて、縦方向のスリット15が形成された表示面により構成される。
図9および図10に示すように、ロゴマーク表示部11の裏面側の、マーク抜き部13とその近傍の領域は、表示膜層12と金属配線6とで覆われている。この領域の中央には幅広の表示膜層12、その両脇に金属配線6、更にその両脇に幅の狭い表示膜層12が形成され、それぞれの間にはスリット15が設けられ互いにショート(短絡)しないように構成されている。言い換えれば、マーク抜き部13近傍の金属膜層が、スリット15により分離され、金属膜層の少なくとも一部が金属配線6として利用可能となる。また、スリット15を表示膜層12に等間隔に形成してもよい。こうすることで、スリット15の間隔が広く、視認されやすい場合、表示膜層12と金属配線6との間に設けられたスリット15とこの等間隔のスリット15とにより、等間隔に並んだ縦ストライプによる意匠を実現できる。
文字の大きさにもよるが、スリット15を25μm以下に形成することにより、人間の視覚では認識しにくくなる。例えば、スリット15を15μm以下、隣接するスリット15の間のライン状の金属膜の幅を30μm以上とすれば、細かなストライプのほぼ均質な面となる。
このようにロゴマーク表示部11の表示面を同一の工程で同一の金属を用いて覆うので、工程数及び製造コストを減少し、簡単な構成で厚さが薄く、金属色(メタリック)で意匠性に優れたロゴマーク表示をすることが可能となる。また、ロゴマーク表示部11の領域にもこの金属配線6を配置して、額縁部の限られたスペースを有効に使用して配線を設けることができる。
(第3の実施形態)
図11乃至図13を参照して、本発明の第3の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。第3の実施形態において、前述した実施形態と同じ部分は同一符号を付し、説明を省略し、異なった部分だけを説明する。
図11乃至図13を参照して、本発明の第3の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。第3の実施形態において、前述した実施形態と同じ部分は同一符号を付し、説明を省略し、異なった部分だけを説明する。
図11(a)は、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1を表面側から見た平面図であり、図11(b)は、図11(a)のD部を示す拡大断面図である。図12は、裏面側から見たときの一体型タッチセンサー基板1の積層構造の詳細を示す平面図であって、絶縁保護膜9の形成前の状態を示す(第1の実施形態の図4に相当する図面である)。図13(a)は、図12に示したT−T線矢視方向の一体型タッチセンサー基板1の断面図であり、図13(b)は、図13(a)のE部を示す拡大断面図である。
本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1は、表示膜層12の金属膜を、金属配線6と同一の金属を用いて、同一工程で形成している点と、ロゴマーク表示部11の各文字を表示する領域の一部に、金属配線6が配置されている点は第2の実施形態と同一である。しかし、図11(b)に示すように、ロゴマーク表示部11のロゴマークの各文字は、略等間隔に横方向のスリット15が入った横ストライプ状の表示面により構成されている点が異なる。
図12および図13に示すように、ロゴマーク表示部11の裏面側の、マーク抜き部13内面とその近傍の領域には、横長に細長い形状をした表示膜層12と金属配線6とから構成される。表示膜層12と金属配線6との間には、互いにショート(短絡)しないようにスリット15が設けられている。これらのスリット15により、図12に示すように略等間隔に並んだ横ストライプが構成される。
なお、図12において、横長に細長い形状をした表示膜層12と金属配線6とを一つ置きに配置したが、表示膜層12を一つにまとめてもよい。
このようにロゴマーク表示部11の表示面を同一の工程で同一の金属を用いて覆うので、工程数及び製造コストを減少し、簡単な構成で厚さが薄く、金属色(メタリック)で意匠性に優れたロゴマーク表示をすることが可能となる。また、ロゴマーク表示部11の領域にもこの金属配線6を配置して、額縁部の限られたスペースを有効に使用して配線を設けることができる。
(第4の実施形態)
図14を参照して、本発明の第4の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。第4の実施形態において、前述した実施形態と同じ部分は同一符号を付し、説明を省略し、異なった部分だけを説明する。
図14を参照して、本発明の第4の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。第4の実施形態において、前述した実施形態と同じ部分は同一符号を付し、説明を省略し、異なった部分だけを説明する。
本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1は、第3の実施形態で説明した構成の一部を変更したものであり、表面側から見た平面図は、図11(a)(b)と同一である。また、裏面側から見たときの一体型タッチセンサー基板1の積層構造の詳細を示す平面図は、図12と同一である。図14(a)は、図12に示したT−T線矢視方向の一体型タッチセンサー基板1の断面図であり、図14(b)は、図14(a)のF部を示す拡大断面図である。
前述した実施形態では金属配線6を額縁部3上に直接形成しているが、額縁部3を構成する材料の比抵抗値が所定値より低く、または、スクリーン印刷で額縁部3を形成して表面の凹凸が粗い場合などの場合では、額縁部3の上に金属配線6を直接形成することは難しい。本実施形態においては、このような金属配線6を額縁部3上に直接形成できない場合においても、本発明の技術的思想が実施可能であることを以下に説明するものである。
図14(a)に示すように、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1においては、額縁部3の上にカバーガラス2の裏面全体を覆う絶縁層16を形成する。このように構成することにより、例えば、額縁部3にカーボンブラックが多く含まれ比抵抗値が低く、金属配線6を額縁部3の上に直接形成できない場合でも、金属配線6は絶縁層16の上に形成することができる。
本実施形態を表面側から見たとき、第3の実施形態と同様、ロゴマーク表示部11のロゴマークの各文字は、横ストライプ状の表示面で形成される。ここで、図14(b)に示すように、この横ストライプ状の表示面は、第3の実施形態のようにマーク抜き部13の内面に形成されたものではなく、絶縁層16上に形成されていて、絶縁層16を介して表示面が視認される。
このようにロゴマーク表示部11の表示面を同一の工程で同一の金属を用いて覆うので、工程数及び製造コストを減少し、簡単な構成で厚さが薄く、金属色(メタリック)で意匠性に優れたロゴマーク表示をすることが可能となる。また、ロゴマーク表示部11の領域にもこの金属配線6を配置して、額縁部の限られたスペースを有効に使用して配線を設けることができる。
(第5の実施形態)
図15を参照して、本発明の第5の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。第5の実施形態において、前述した実施形態と同じ部分は同一符号を付し、説明を省略し、異なった部分だけを説明する。
図15を参照して、本発明の第5の実施形態に係る一体型タッチセンサー基板について説明する。第5の実施形態において、前述した実施形態と同じ部分は同一符号を付し、説明を省略し、異なった部分だけを説明する。
本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1は、第2の実施形態で説明した構成の一部を変更したものであり、表面側から見た平面図は、図8(a)(b)と同一である。裏面側から見たときの一体型タッチセンサー基板1の積層構造の詳細を示す平面図を、図15に示す。図16(a)、(b)は、それぞれ図15に示したU−U線およびV−V線の矢視方向の一体型タッチセンサー基板1の断面図である。
本実施形態では、額縁層3がカーボンブラックレジストで形成されている。そのため、絶縁層16が額縁部3を覆って形成されることにより、額縁部3を絶縁している。しかし、絶縁層16がカバーガラス2の額縁部3が形成された領域より内側には形成されていない点で第4の実施形態と異なる。また、絶縁層16は、絶縁膜5と同一の材料を用いて、絶縁膜5の形成と同一工程で形成される。これにより、絶縁層16の材料の減量と省工程とを図ることができる。
図16(a)(b)に示すように、本実施形態に係る一体型タッチセンサー基板1においては、金属配線6および表示膜層12の形成後、金属配線6および表示膜層12の少なくともスリット15が形成された領域の裏面側に不透明層17を形成する。不透明層17がスリット15に入射した光を吸収または散乱するため、スリット15による光の反射をより目立たなくし、ロゴマークの意匠性を向上させることができる。不透明層17は、顔料等を用いてスリット15をより目立たなくするために好適な色を、黒色あるいはその他の色から適宜選択して形成すればよい。不透明層17は、フォトリソグラフィー法等の従来知られた印刷方法で形成することができ、インクジェット方式、ディスペンサ方式等によっても形成することができる。
図16では、不透明層17を表示膜層12上に直接形成する例を示したが、不透明層17は、絶縁保護膜9の上に形成してもよい。
また、不透明層17は、スリット15を覆っていればよく、図16のように、ロゴマーク領域全体に設けてもよく、スリット領域及びその近傍のみ設けてもよく、スリット領域のみに設けてもよい。
なお、第2、第4の実施形態において、スリット15を覆うように金属配線6および表示膜層12に不透明層17を形成してもよい。また、第1、第2、第4の実施形態において、額縁層3をカーボンブラックレジストで形成し、額縁部3を覆うように絶縁層16を形成して絶縁してもよい。
本発明を更に詳しく説明するために以下に実施例を上げるが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
(実施例1)
この実施例では、前述の第2の実施形態で説明したものと同様の構成の一体型タッチセンサー基板1の製造方法について、詳説する。
この実施例では、前述の第2の実施形態で説明したものと同様の構成の一体型タッチセンサー基板1の製造方法について、詳説する。
図17〜22は、本実施例に係る一体型タッチセンサー基板1の製造工程を示す図である。図17〜22において、(a)は断面図であり、(b)は平面図である。また、図17〜22の(b)に示す二点鎖線は、(a)の断面図の切断位置を表す。
<1.額縁部3の形成>
まず、カバーガラス2の裏面の上に、後述する顔料系レジストを、スピンコートにより塗布した。
次に、減圧乾燥機にて溶剤分を除去したのち、プロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)にて露光した。ここで、露光用フォトマスクとしてはソーダガラスにCr(クロム)でパターンを施したものを用いた。
次に、アルカリ性現像液にて現像し、熱処理を行い、図17に示す所定のロゴマークの形をしたマーク抜き部13を備えた額縁部3を形成した。
まず、カバーガラス2の裏面の上に、後述する顔料系レジストを、スピンコートにより塗布した。
次に、減圧乾燥機にて溶剤分を除去したのち、プロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)にて露光した。ここで、露光用フォトマスクとしてはソーダガラスにCr(クロム)でパターンを施したものを用いた。
次に、アルカリ性現像液にて現像し、熱処理を行い、図17に示す所定のロゴマークの形をしたマーク抜き部13を備えた額縁部3を形成した。
<2.ジャンパ配線4の形成>
まず、図17に示す形成物の上に、DCマグネトロンスパッタ方式にて、加熱しながらスパッタする加熱スパッタによってITO膜を形成した。
次に、一般的なノボラック系ポジレジストをスピンコートし、プレベーク後、露光したのち、アルカリ性現像液にてポジ現像を行った。ここで、露光はプロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)を使用し、露光用フォトマスクとしてはソーダガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
そして、シュウ酸((COOH)2)を主成分としたエッチング液を用いてエッチングし、ポジレジストを全面露光したのち、アルカリ性剥離液にてポジレジストを剥離して、図18に示すように、ITO膜によるジャンパ配線4を形成した。
まず、図17に示す形成物の上に、DCマグネトロンスパッタ方式にて、加熱しながらスパッタする加熱スパッタによってITO膜を形成した。
次に、一般的なノボラック系ポジレジストをスピンコートし、プレベーク後、露光したのち、アルカリ性現像液にてポジ現像を行った。ここで、露光はプロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)を使用し、露光用フォトマスクとしてはソーダガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
そして、シュウ酸((COOH)2)を主成分としたエッチング液を用いてエッチングし、ポジレジストを全面露光したのち、アルカリ性剥離液にてポジレジストを剥離して、図18に示すように、ITO膜によるジャンパ配線4を形成した。
<3.絶縁膜5の形成>
まず、図18に示す形成物の上に、アクリル系絶縁材料をスピンコートにより塗布した。
次に、プレベークして溶剤分を除去し、プロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)にて露光した。ここで、露光用フォトマスクとしてはクオーツガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
次に、アルカリ性現像液にて現像し、熱処理を行った。
このようにして、図19に示すように、ジャンパ配線4上の絶縁膜5を形成した。
まず、図18に示す形成物の上に、アクリル系絶縁材料をスピンコートにより塗布した。
次に、プレベークして溶剤分を除去し、プロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)にて露光した。ここで、露光用フォトマスクとしてはクオーツガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
次に、アルカリ性現像液にて現像し、熱処理を行った。
このようにして、図19に示すように、ジャンパ配線4上の絶縁膜5を形成した。
<4.金属配線6および表示膜層12の形成>
まず、図19に示す形成物の上に、DCマグネトロンスパッタ方式にて、真空中でMoの層、Alの層、Moの層を順次形成し、3層積層構造のMo/Al/Mo積層体を形成した。
次に、一般的なノボラック系ポジレジストをスピンコートし、プレベークして、その後、露光したのち、アルカリ性現像液にてポジ現像を行った。ここで、露光はプロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)を使用し、露光用フォトマスクとしてはソーダガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
そして、燐酸・硝酸・酢酸の3成分系のエッチャント(エッチング液)にてエッチングし、ポジレジストを全面露光したのち、アルカリ性剥離液にてポジレジストを剥離した。
このようにして、図20に示すように、額縁部3上に金属配線6および表示膜層12を形成した。
ここで、表示膜層12とその両脇の金属配線6によるMo/Al/Mo積層体の膜により、マーク抜き部13の内面は覆われる。本実施例では、表示膜層12および金属配線6を構成するMo/Al/Mo積層体の厚さを、それぞれ、50nm、200nm、50nmとし、表示膜層12および金属配線6のシート抵抗値を0.2Ω/□、反射率を40%とした。またスリット15の幅を15μmとした。
まず、図19に示す形成物の上に、DCマグネトロンスパッタ方式にて、真空中でMoの層、Alの層、Moの層を順次形成し、3層積層構造のMo/Al/Mo積層体を形成した。
次に、一般的なノボラック系ポジレジストをスピンコートし、プレベークして、その後、露光したのち、アルカリ性現像液にてポジ現像を行った。ここで、露光はプロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)を使用し、露光用フォトマスクとしてはソーダガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
そして、燐酸・硝酸・酢酸の3成分系のエッチャント(エッチング液)にてエッチングし、ポジレジストを全面露光したのち、アルカリ性剥離液にてポジレジストを剥離した。
このようにして、図20に示すように、額縁部3上に金属配線6および表示膜層12を形成した。
ここで、表示膜層12とその両脇の金属配線6によるMo/Al/Mo積層体の膜により、マーク抜き部13の内面は覆われる。本実施例では、表示膜層12および金属配線6を構成するMo/Al/Mo積層体の厚さを、それぞれ、50nm、200nm、50nmとし、表示膜層12および金属配線6のシート抵抗値を0.2Ω/□、反射率を40%とした。またスリット15の幅を15μmとした。
<5.透明電極7および8の形成>
まず、図20に示す形成物の上に、DCマグネトロンスパッタ方式にて、加熱しながらスパッタする加熱スパッタによってITO膜を形成した。
次に、一般的なノボラック系ポジレジストをスピンコートし、プレベーク後、露光したのち、アルカリ性現像液にてポジ現像を行った。ここで、露光はプロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)を使用し、露光用フォトマスクとしてはソーダガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
そして、シュウ酸を主成分とするエッチング液を用いてエッチングし、ポジレジストを全面露光したのち、アルカリ性剥離液にてポジレジストを剥離した。
このようにして、図21に示すように、ITO膜により透明電極7、8を形成した。
まず、図20に示す形成物の上に、DCマグネトロンスパッタ方式にて、加熱しながらスパッタする加熱スパッタによってITO膜を形成した。
次に、一般的なノボラック系ポジレジストをスピンコートし、プレベーク後、露光したのち、アルカリ性現像液にてポジ現像を行った。ここで、露光はプロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)を使用し、露光用フォトマスクとしてはソーダガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
そして、シュウ酸を主成分とするエッチング液を用いてエッチングし、ポジレジストを全面露光したのち、アルカリ性剥離液にてポジレジストを剥離した。
このようにして、図21に示すように、ITO膜により透明電極7、8を形成した。
<6.絶縁保護膜9の形成>
まず、図21に示す形成物の上に、アクリル系オーバーコート材料をスピンコートにより塗布した。
次に、プレベークして溶剤分を除去し、プロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)を使用し露光した。ここで、露光用フォトマスクとしてはクオーツガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
次に、アルカリ性現像液にて現像し、熱処理を行った。
このようにして、図22に示すように、絶縁保護膜9を形成して、一体型タッチセンサー基板1を製造し完成させた。
まず、図21に示す形成物の上に、アクリル系オーバーコート材料をスピンコートにより塗布した。
次に、プレベークして溶剤分を除去し、プロキシミティー露光方式(超高圧水銀ランプ)を使用し露光した。ここで、露光用フォトマスクとしてはクオーツガラスにCrでパターンを施したものを用いた。
次に、アルカリ性現像液にて現像し、熱処理を行った。
このようにして、図22に示すように、絶縁保護膜9を形成して、一体型タッチセンサー基板1を製造し完成させた。
<7.顔料系レジストについて>
以上の実施例で使用した顔料系レジストは、溶媒に溶解させた樹脂中に2種の顔料を分散させ、擬似的に黒色を実現した疑似ブラックレジストである。2種の顔料としては、ピグメントレッド(PR254)とピグメントブルー(PB15:3)とを1:1の比率で混合したものを用いた。また、固形物中の顔料比率は40パーセントである。この材料を用いて3μmの厚さに額縁部3を形成した。このように形成した額縁部3の比抵抗値は1×1014Ω・cm以上となり、誘電率は4.0以下となった。
以上の実施例で使用した顔料系レジストは、溶媒に溶解させた樹脂中に2種の顔料を分散させ、擬似的に黒色を実現した疑似ブラックレジストである。2種の顔料としては、ピグメントレッド(PR254)とピグメントブルー(PB15:3)とを1:1の比率で混合したものを用いた。また、固形物中の顔料比率は40パーセントである。この材料を用いて3μmの厚さに額縁部3を形成した。このように形成した額縁部3の比抵抗値は1×1014Ω・cm以上となり、誘電率は4.0以下となった。
また、本実施例1の一体型タッチセンサー基板のロゴマーク表示部11において、スリット15は視認されず、金属配線6および表示膜層12は、十分な金属光沢を呈するものであった。
(実施例2)
この実施例は、実施例1において、表示膜層12および金属配線6を、Ag−Pd−Cu合金で厚さ200nmとし、スリット15の幅を25μmとし、シート抵抗値を、0.1Ω/□、反射率を95%としたものである。これにより、実施例1に比べ、金属配線6および表示膜層12の導電性および金属光沢性を、より向上した。また、本実施例2の一体型タッチセンサー基板1のロゴマーク表示部11においても、スリット15は視認されなかった。
この実施例は、実施例1において、表示膜層12および金属配線6を、Ag−Pd−Cu合金で厚さ200nmとし、スリット15の幅を25μmとし、シート抵抗値を、0.1Ω/□、反射率を95%としたものである。これにより、実施例1に比べ、金属配線6および表示膜層12の導電性および金属光沢性を、より向上した。また、本実施例2の一体型タッチセンサー基板1のロゴマーク表示部11においても、スリット15は視認されなかった。
(実施例3)
この実施例では、前述の第1の実施形態において、額縁層3をカーボンブラックレジストで形成し、額縁部3を覆うように絶縁層16を形成した一体型タッチセンサー基板1の製造方法について、詳説する。
この実施例では、前述の第1の実施形態において、額縁層3をカーボンブラックレジストで形成し、額縁部3を覆うように絶縁層16を形成した一体型タッチセンサー基板1の製造方法について、詳説する。
図23〜26は、本実施例に係る一体型タッチセンサー基板1の製造工程を示す図である。図23〜26において、(a)は断面図であり、(b)は平面図である。また、図23〜26の(b)に示す二点鎖線は、(a)の断面図の切断位置を表す。また、実施例1で参照した図面を、本実施例においても適宜参照する。
<1.額縁部3の形成>
まず、カバーガラス2の裏面の上に、カーボンブラックレジストを用いて、図17と同様の位置に厚さ1.2μmの額縁部3を形成した。
まず、カバーガラス2の裏面の上に、カーボンブラックレジストを用いて、図17と同様の位置に厚さ1.2μmの額縁部3を形成した。
<2.ジャンパ配線4の形成>
実施例1と同様の方法で、図18に示すのと同様にジャンパ配線4を形成した。
実施例1と同様の方法で、図18に示すのと同様にジャンパ配線4を形成した。
<3.絶縁膜5および絶縁層16の形成>
図18に示す形成物の上に、実施例1と同様にジャンパ配線4上の絶縁膜5を形成すると同時に、絶縁膜5を形成するのと同一の材料、方法で、絶縁層16を形成し、図23に示す形成物を得た。
図18に示す形成物の上に、実施例1と同様にジャンパ配線4上の絶縁膜5を形成すると同時に、絶縁膜5を形成するのと同一の材料、方法で、絶縁層16を形成し、図23に示す形成物を得た。
<4.金属配線6および表示膜層12の形成>
図23に示す形成物の上に、実施例1と同様の方法で、図24に示すように、額縁部3上に金属配線6および表示膜層12を形成した。
図23に示す形成物の上に、実施例1と同様の方法で、図24に示すように、額縁部3上に金属配線6および表示膜層12を形成した。
<5.透明電極7および8の形成>
図24に示す形成物の上に、実施例1と同様の方法で、図25に示すように、ITO膜により透明電極7、8を形成した。
図24に示す形成物の上に、実施例1と同様の方法で、図25に示すように、ITO膜により透明電極7、8を形成した。
<6.絶縁保護膜9の形成>
図25に示す形成物の上に、実施例1と同様に、図26に示すように、絶縁保護膜9を形成して、一体型タッチセンサー基板1を製造し完成させた。
図25に示す形成物の上に、実施例1と同様に、図26に示すように、絶縁保護膜9を形成して、一体型タッチセンサー基板1を製造し完成させた。
本実施例3の一体型タッチセンサー基板1のロゴマーク表示部11においても、実施例1と同様に、表示膜層12は、十分な金属光沢を呈するものであった。
(実施例4)
この実施例では、前述の第5の実施形態で説明したものと同様の構成の一体型タッチセンサー基板1の製造方法について、詳説する。
この実施例では、前述の第5の実施形態で説明したものと同様の構成の一体型タッチセンサー基板1の製造方法について、詳説する。
図27〜29は、本実施例に係る一体型タッチセンサー基板1の製造工程を示す図である。図27〜29において、(a)は断面図であり、(b)は平面図である。また、図27〜29の(b)に示す二点鎖線は、(a)の断面図の切断位置を表す。
額縁部3の形成、ジャンパ配線4の形成、絶縁膜5および絶縁層16の形成、透明電極7および8の形成は、実施例3の1.〜3.および5.と同様であるので説明を省略する。金属配線6および表示膜層12の形成は、実施例2と同様であるので説明を省略する。ただし、スリット15の幅を30μmとした点で実施例2と異なる。
〈不透明層の形成〉
図27に透明電極7および8の形成まで行った形成物を示す。この形成物において、額縁部3と同様の材料でスリット15を覆うようにインクジェット方式で不透明層17を形成し、図28に示す形成物を得た。
図27に透明電極7および8の形成まで行った形成物を示す。この形成物において、額縁部3と同様の材料でスリット15を覆うようにインクジェット方式で不透明層17を形成し、図28に示す形成物を得た。
図28に示す形成物の上に、実施例1と同様の方法で絶縁保護膜9を形成し、図29に示す一体型タッチセンサー基板1を製造し完成させた。
本実施例では、スリット15の幅が、実施例3より大きいが、不透明層17によって、スリット15がカバーガラス2の反対側から覆われているため、スリット15を目立たなくすることができる。なお、不透明層17の形成は、金属配線6および表示膜層12の形成後、透明電極7および8の形成の前に行ってもよい。また、不透明層17は、絶縁保護膜9の形成後、絶縁保護膜9上に形成してもよい。
以上、本発明の実施形態、実施例を説明したが、本発明の一体型タッチセンサー基板は、その細部が上述した実施形態、実施例に限定されず、種々の変形が可能である。上述の実施形態では、表示装置として携帯電話を用いて説明したが、これらに限定されるわけではない。例えば、携帯情報端末、カーナビゲーションシステム、コンピュータ・ディスプレイ、またはタブレットテレビ、据え置きテレビ等の液晶テレビ、電子黒板など、周縁部にロゴマークが表示された表示装置にも応用することができる。すなわち一体型タッチセンサー基板のサイズは特に限定されない。またロゴマークおよびロゴマークを構成する金属配線、表示膜の大きさも、額縁部に収まる範囲であれば特に限定されない。またロゴマークの文字数についても限定されない。また、額縁部は、黒色に限らず、例えば表示装置のデザインに合わせ、白、赤、青、黄等の好適な色の材料を適宜選択して形成することができる。
また、上述した実施形態では、一体型タッチセンサー基板として投影型静電容量式タッチパネルを用いて説明したが、静電容量式に限定されるわけではなく、額縁部を有する種々の方式のタッチパネルに応用することができる。
本発明は、携帯電話機や、携帯情報端末などの電子機器用の位置入力装置として利用することができる。
1 一体型タッチセンサー基板
2、102 カバーガラス
3、103 額縁部
4 ジャンパ配線
5 絶縁膜
6 金属配線
7、8 透明電極
9 絶縁保護膜
10、110 表示領域
11、111 ロゴマーク表示部
12、112 表示膜層
13、113 マーク抜き部
14、114 窓
15 スリット
16 絶縁層
17 不透明層
50 表示装置
51 ケース
52 操作ボタン
2、102 カバーガラス
3、103 額縁部
4 ジャンパ配線
5 絶縁膜
6 金属配線
7、8 透明電極
9 絶縁保護膜
10、110 表示領域
11、111 ロゴマーク表示部
12、112 表示膜層
13、113 マーク抜き部
14、114 窓
15 スリット
16 絶縁層
17 不透明層
50 表示装置
51 ケース
52 操作ボタン
Claims (11)
- 前面板とタッチパネルセンサーとの一体型タッチセンサー基板であって、
透明な前面板と、
前記前面板の裏面の周縁部に形成され、所定の形状の表示領域を区画する額縁層と、
前記額縁層の所定の位置を、所定の形状で抜いて形成されたマーク抜き部と、
前記額縁層の裏面側に形成された金属配線と、
前記マーク抜き部の裏面側に形成された金属膜層と、
前記表示領域に形成され、前記金属配線と結線されるセンサー層とを備え、
前記金属配線と前記金属膜層とが同一の金属で形成されていることを特徴とする、一体型タッチセンサー基板。 - 前記金属配線の一部は、前記金属膜層の一部が、スリットにより分離されることにより、形成されることを特徴とする、請求項1に記載の一体型タッチセンサー基板。
- 前記スリットの間隔は25μm以下であることを特徴とする、請求項2に記載の一体型タッチセンサー基板。
- 前記金属膜層の裏面に、前記スリットを覆う不透明層が形成されることを特徴とする、請求項2または3に記載の、一体型タッチセンサー基板。
- 前記金属膜層の反射率が30%以上であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の、一体型タッチセンサー基板。
- 表示装置であって、
複数の画素が行列状に配列された画素領域を有し、入力信号に基づいて前記画素領域に画像を表示する表示パネルと、
前記画素領域を覆うように取り付けられる、請求項1〜5のいずれかに記載の一体型タッチセンサー基板とを備えることを特徴とする、表示装置。 - 透明な前面板と、
前記前面板の裏面の周縁部に形成され、所定の形状の表示領域を区画する額縁層と、
前記額縁層の所定の位置を、所定の形状で抜いて形成されたマーク抜き部と、
前記額縁層の裏面側に形成された金属配線と、
前記マーク抜き部の裏面側に形成された金属膜層と、
前記表示領域に形成され、前記金属配線と結線されるセンサー層とを備える前面板とタッチパネルセンサーとの一体型タッチセンサー基板の製造方法であって、
前記前面板の裏面に前記マーク抜き部を備える前記額縁層を形成する工程と、
前記金属配線を形成する工程と、
前記金属膜層を形成する工程と、
前記センサー層を形成する工程とを備え、
前記金属配線を形成する工程と前記金属膜層を形成する工程とを、同一の金属材料を用いて同一工程で行うことを特徴とする、一体型タッチセンサー基板の製造方法。 - 前記金属膜層を形成する工程において、前記金属膜層にスリットを設けて分離して形成することにより、当該金属膜層の少なくとも一部を前記金属配線の一部として形成することを特徴とする、請求項7に記載の一体型タッチセンサー基板の製造方法。
- 前記金属膜層を形成する工程において、前記スリットの間隔を25μm以下とすることを特徴とする、請求項8に記載の一体型タッチセンサー基板の製造方法。
- 前記金属膜層を形成する工程より後に、前記金属膜層の前記スリットを覆う不透明層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項8または9に記載の一体型タッチセンサー基板の製造方法。
- 前記金属膜層を形成する工程において、前記金属膜層の材料として、反射率が30%以上である材料を用いることを特徴とする、請求項7〜10のいずれかに記載の一体型タッチセンサー基板の製造方法。
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