CN101410779A - 触摸面板、显示装置和触摸面板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供触摸面板、显示装置和触摸面板的制造方法。触摸面板(20a)包括绝缘性基板、设置在绝缘性基板(10a)上的透明触摸电极(13a)、和与触摸电极(13a)的周边连接的边框部(F)，并利用通过边框部(F)的电信号检测触摸电极(13a)的触摸位置，边框部(F)设置在绝缘性基板(10a)和触摸电极(13a)之间。

Description

触摸面板、显示装置和触摸面板的制造方法

技术领域

本发明涉及触摸面板、显示装置和触摸面板的制造方法，特别涉及利用光刻法制造的触摸面板。

背景技术

触摸面板是通过利用手指或笔等触摸(按压)、以对话形式向计算机等信息处理装置输入信息的装置。

另外，触摸面板根据其动作原理，被分成电阻膜方式、静电电容耦合方式、红外线方式、超声波方式和电磁感应耦合方式等。上述电阻膜方式和静电电容耦合方式的触摸面板，成本低、且能够搭载在显示装置等中，因此，近年来被广泛使用。

上述静电电容耦合方式的触摸面板包括设置在基板整个面上的透明触摸电极、设置在触摸电极的周边的导电性的边框部、分别与边框部连接的多个位置检测用电极、和将各位置检测用电极和用于检测触摸位置的位置检测电路之间连接的配线部，安装在例如液晶显示面板的显示画面的前面上使用。

上述静电电容耦合方式的触摸面板中，当显示器画面的前面、即构成触摸面板的基板的表面被触摸时，触摸电极在被触摸的点通过人体的静电电容被接地，各位置检测用电极与接地点之间的电阻值产生变化，位置检测电路根据各位置检测用电极与接地点之间的电阻值的变化，检测被触摸的位置。

例如，在专利文献1中记载有面板端部的颜色不均匀被消除的静电电容耦合方式的触摸屏面板(触摸面板)的制造方法。

专利文献1：特表2004-537107号公报

发明内容

然而，在静电电容耦合方式的触摸面板中，为了提高位置识别精度，优选上述触摸电极为高电阻、并且上述边框部、各位置检测用电极和各配线部为低电阻，因此，大多在分别不同的工序中由IZO(IndiumZinc Oxide：氧化铟锌)膜等透明导电膜形成上述触摸电极，由铝等低电阻的金属导电膜形成上述边框部、各位置检测用电极和各配线部。

因此，作为使用光刻法的触摸面板的制造方法，可考虑如专利文献1中公开的触摸面板的结构那样，在玻璃基板等绝缘性基板上形成上述触摸电极后，形成上述边框部、各位置检测用电极和各配线部，但在形成构成上述边框部、各位置检测用电极和各配线部的导电膜后，由于对该导电膜进行图案化时的干蚀刻，已经形成的触摸电极的表面会部分地被蚀刻，由此，在基板面内，触摸电极的膜厚有可能产生偏差。如果那样的话，则触摸电极的电阻值在基板面内会产生偏差，触摸面板的位置识别精度降低。

另外，由于近年来的液晶显示面板的大型化，构成液晶显示面板的玻璃基板也越来越大型化，基板面内的触摸电极的膜厚有产生偏差的趋势，因此，在这点上也担心触摸面板的位置识别精度的降低。

本发明鉴于上述问题而做出，其目的在于提供一种位置识别精度高的触摸面板。

为了达到上述目的，本发明在绝缘性基板和透明电极之间设置导电部。

具体地说，本发明的触摸面板，包括绝缘性基板、设置在上述绝缘性基板上的透明触摸电极、和与上述触摸电极的周边连接的导电部，并利用通过上述导电部的电信号检测上述触摸电极的触摸位置，其特征在于：上述导电部设置在上述绝缘性基板和触摸电极之间。

根据上述结构，在绝缘性基板和触摸电极之间设置有导电部，因此，在绝缘性基板上形成导电部后，形成触摸电极。因此，在形成导电部时，触摸电极还没有形成，因此，在形成导电部时，触摸电极不会被蚀刻。由此，基板面内的触摸电极的膜厚的偏差变小，基板面内的触摸电极的电阻值的偏差变小，因此，能够抑制触摸面板的位置识别精度的降低。因此能够提供位置识别精度高的触摸面板。

上述导电部可以为沿着上述触摸电极的周边设置的边框部，通过该边框部与上述触摸电极连接的配线部可以与上述边框部连接。

根据上述结构，基于触摸电极的触摸位置的电信号被输入与触摸电极的周边连接的边框部和与该边框部连接的配线部，由此检测出触摸电极的触摸位置。

上述边框部和配线部可以由同一材料形成。

根据上述结构，边框部和配线部由同一材料形成，因此，能够不增加制造工序而形成边框部和配线部。

上述边框部可以为矩形框状，上述配线部可以设置有4个，分别与上述边框部的4个角连接。

根据上述结构，具体地构成静电电容耦合方式的触摸面板。

上述边框部和配线部可以由含有银和钯的合金膜、或含有银、钯和铜的合金膜形成。

根据上述结构，在边框部和配线部由含有银和钯的合金膜形成的情况下，由于该合金膜为高导电性材料，所以能够将边框部和配线部形成得薄，触摸电极能够容易地覆盖边框部。另外，在边框部和配线部由含有银、钯和铜的合金膜形成的情况下，利用该合金膜能够提高耐迁移性和耐蚀性等可靠性。

上述绝缘性基板可以为玻璃基板，在上述绝缘性基板与上述边框部和配线部之间可以设置有用于提高两者间的紧贴性的层间膜。

根据上述结构，通常玻璃基板与含有银和钯的合金膜之间的紧贴性差，因此，通过在玻璃基板与含有银和钯的合金膜之间放入层间膜，绝缘性基板与边框部和配线部之间的紧贴性提高。

上述层间膜仅设置在与上述边框部和配线部重叠的部分。

根据上述结构，在与边框部和配线部重叠的部分以外、即面板面内(显示装置的显示区域)不设置层间膜，因此，触摸面板的透过率提高。

上述触摸电极可以被延伸设置成覆盖上述边框部和配线部。

根据上述结构，由于含有银和钯的合金膜为电阻容易随时间变化的材料，所以，通过用触摸电极覆盖边框部和配线部，能抑制边框部和配线部的电阻的随时间的变化。另外，通过用触摸电极覆盖边框部和配线部，能够保护边框部和配线部不受例如为了形成触摸电极而对透明导电膜进行图案化时的蚀刻液中的盐酸腐蚀。

上述触摸电极可以延伸设置在上述配线部的末端，可以由上述配线部的末端的触摸电极的延伸设置部分构成该配线部的端子部。

根据上述结构，在端子部不形成构成配线部的含有银和钯的合金膜，因此能够抑制配线部的电阻的随时间的变化。

上述触摸电极可以由氧化铟与氧化锡的化合物形成。

根据上述结构，由于边框部和配线部由含有银和钯的合金膜形成，所以能够抑制在边框部和配线部由铝膜形成的情况下产生的氧化铟与氧化锡的化合物、即ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)膜与铝膜的电蚀反应。

另外，本发明的触摸面板在显示面板相对配置的显示装置中特别有效。

另外，本发明的触摸面板的制造方法，用于制造包括绝缘性基板、设置在上述绝缘性基板上的透明触摸电极、和与上述触摸电极的周边连接的导电部，并利用通过上述导电部的电信号检测上述触摸电极的触摸位置的触摸面板，其特征在于，包括：在上述绝缘性基板上形成金属导电膜后，对该金属导电膜进行图案化，形成上述导电部的导电部形成工序；和在形成覆盖上述形成的导电部的透明导电膜后，对该透明导电膜进行图案化，形成上述触摸电极的触摸电极形成工序。

根据上述方法，在导电部形成工序中，在绝缘性基板上形成导电部后，在触摸电极形成工序中形成触摸电极。因此，在导电部形成工序中，触摸电极还没有形成，因此，触摸电极不会在导电部形成工序中被蚀刻。由此，基板面内的触摸电极的膜厚的偏差变小，基板面内的触摸电极的电阻值的偏差变小，因此，能够抑制触摸面板的位置识别精度的降低。因此，能够提供位置识别精度高的触摸面板。

上述导电部可以为沿着上述触摸电极的周边设置的边框部，通过该边框部与上述触摸电极连接的配线部可以与上述边框部连接，可以在上述导电部形成工序中，形成上述边框部和配线部。

根据上述方法，在导电部形成工序中同时形成边框部和配线部，因此，能够不增加制造工序而形成边框部和配线部。

在上述导电部形成工序中，可以通过干蚀刻对上述金属导电膜进行图案化。

根据上述方法，触摸电极的表面不会由于干蚀刻而部分地被蚀刻，因此，能够有效地达到本发明的作用效果。

上述绝缘性基板可以为玻璃基板，上述导电部可以由含有银和钯的合金膜、或含有银、钯和铜的合金膜形成，该制造方法可以包括在上述导电部形成工序之前，在上述绝缘性基板上形成用于提高对上述导电部的紧贴性的层间膜的层间膜成膜工序。

根据上述方法，通常玻璃基板与含有银和钯的合金膜或含有银、钯和铜的合金膜之间的紧贴性差，因此，通过在层间膜成膜工序中在玻璃基板与含有和钯的合金膜或含有银、钯和铜的合金膜之间形成层间膜，绝缘性基板与导电部之间的紧贴性提高。

在上述层间膜成膜工序中，可以利用金属掩模在与上述导电部重叠的部分形成上述层间膜。

根据上述方法，在与导电部(例如边框部和配线部)重叠的部分以外、即面板面内(显示装置的显示区域)不形成层间膜，因此，触摸面板的透过率提高。

上述导电部可以为沿着上述触摸电极的周边设置的边框部，通过该边框部与上述触摸电极连接的配线部可以与上述边框部连接，在上述触摸电极形成工序中，可以将上述透明导电膜延伸设置在上述配线部的末端并进行图案化，形成该配线部的端子部。

根据上述方法，因为在端子部不形成构成配线部的含有银和钯的合金膜，所以能够抑制配线部的电阻的随时间的变化。

发明效果

根据本发明，在绝缘性基板和透明电极之间设置有导电部，因此，能够提供位置识别精度高的触摸面板。

附图说明

图1为实施方式1的液晶显示装置50a的结构图。

图2为构成液晶显示装置50a的触摸面板20a的平面图。

图3为沿着图2中的III-III线的触摸面板20a的面板面内的截面图。

图4为沿着图2中的IV-IV线的触摸面板20a的端子部的截面图。

图5为用于对使用一维电阻体的静电电容耦合方式的触摸传感器的动作原理进行说明的示意图。

图6为用于对触摸面板20a的动作原理进行说明的示意图。

图7为表示触摸面板20a的制造工序的流程图。

图8为形成铝膜11后的与图3对应的基板的截面图。

图9为对铝膜11进行图案化后的与图3对应的基板的截面图。

图10为形成氮化钛膜12后的与图3对应的基板的截面图。

图11为对氮化钛膜12进行图案化后的与图3对应的基板的截面图。

图12为形成IZO膜13后的与图3对应的基板的截面图。

图13为对IZO膜13进行图案化后的与图3对应的基板的截面图。

图14为形成氮化硅膜14后的与图3对应的基板的截面图。

图15为形成氮化钛膜12后的与图4对应的基板的截面图。

图16为对氮化钛膜12进行图案化后的与图4对应的基板的截面图。

图17为形成IZO膜13后的与图4对应的基板的截面图。

图18为对IZO膜13进行图案化后的与图4对应的基板的截面图。

图19为形成氮化硅膜14后的与图4对应的基板的截面图。

图20为表示实施例的基板S1的IZO层的表面电阻的平面示意图。

图21为实施方式2的液晶显示装置50b的结构图。

图22为实施方式3的液晶显示装置50c的结构图。

图23为实施方式4的触摸面板20b的立体图。

图24为沿着图23中的XXIV-XXIV线的构成触摸面板20b的第二基板10ab的截面图。

图25为沿着图23中的XXV-XXV线的构成触摸面板20b的第一基板10aa的截面图。

图26为实施方式5的触摸面板20c的平面图。

图27为沿着图26中的XXVII-XXVII线的触摸面板20c的面板面内的截面图。

图28为沿着图26中的XXVIII-XXVIII线的触摸面板20c的端子部的截面图。

图29为形成氧化钛膜18后的与图27对应的基板的截面图。

图30为形成AP膜19后的与图27对应的基板的截面图。

图31为对AP膜19进行图案化后的与图27对应的基板的截面图。

图32为形成ITO膜13后的与图27对应的基板的截面图。

图33为对ITO膜13进行图案化后的与图27对应的基板的截面图。

图34为形成氮化硅膜14后的与图27对应的基板的截面图。

图35为形成氧化钛膜18后的与图28对应的基板的截面图。

图36为形成AP膜19后的与图28对应的基板的截面图。

图37为对AP膜19进行图案化后的与图28对应的基板的截面图。

图38为形成ITO膜13后的与图28对应的基板的截面图。

图39为对ITO膜13进行图案化后的与图28对应的基板的截面图。

图40为形成氮化硅膜14后的与图28对应的基板的截面图。

图41为实施方式6的触摸面板20d的面板面内的截面图。

图42为实施方式7的触摸面板20e的端子部的截面图。

图43为比较例的触摸面板120a的面板面内的截面图。

图44为表示触摸面板120a的制造工序的流程图。

图45为表示比较例的基板S2的IZO层的表面电阻的平面示意图。

符号说明

F             边框部(导电部)

W             配线部

10a           绝缘性基板

11            铝膜(金属导电膜)

11aa、11ab    导电部

12            氮化钛膜(金属导电膜)

13            IZO膜、ITO膜(透明导电膜)

13a           触摸电极

18            氧化钛膜(层间膜)

19            AP膜(合金膜)

20a、20b      触摸面板

25a、25b、25c  液晶显示面板

50a、50b、50c  液晶显示装置

具体实施方式

以下，根据附图详细地说明本发明的实施方式。此外，在以下的各实施方式中，例示液晶显示装置作为显示装置，但本发明并不限定于以下的各实施方式。

《发明的实施方式1》

图1～图20表示本发明的触摸面板、液晶显示装置和触摸面板的制造方法的实施方式1。

图1为液晶显示装置50a的概略结构图。

液晶显示装置50a，如图1所示，包括：在上面和下面分别贴有偏光板1和2的液晶显示面板25a；设置在液晶显示面板25a的上方的触摸面板20a；和设置在液晶显示面板25a的下方，用于向液晶显示面板25a的显示区域供给光的背光源30。

液晶显示面板25a，如图1所示，包括：相互相对配置的有源矩阵基板21和彩色滤光片基板22a；和设置在该两基板21和22a之间的液晶层23。

有源矩阵基板21包括：玻璃基板等绝缘性基板10b；设置在绝缘性基板10b上的薄膜晶体管(TFT)阵列层16；和设置在TFT阵列层16上的取向膜(不图示)。在此，TFT阵列层16包括：在绝缘性基板10b上以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线(不图示)；以与各栅极线正交、且相互平行地延伸的方式设置的多个源极线(不图示)；设置在栅极线和源极线的各交叉部分的TFT(不图示)；和与各TFT连接的像素电极(不图示)。

彩色滤光片基板22a包括：玻璃基板等绝缘性基板10c；设置在绝缘性基板10c上的彩色滤光片层17；设置在彩色滤光片层17上的外涂层(overcoat layer)(不图示)；设置在外涂层上的共用电极(不图示)；和设置在共用电极上的取向膜(不图示)。在此，彩色滤光片层17包括：与有源矩阵基板21上的各像素电极对应，分别被着色为红色、绿色、或蓝色的多个着色层(不图示)；和设置在各着色层之间的黑矩阵(不图示)。

液晶层23包含具有电光学特性的向列型液晶。

偏光板1和2具有对于入射光，只使特定方向的偏振光成分透过的功能。

触摸面板20a，如图1和图2所示，包括绝缘性基板10a和设置在绝缘性基板10a上的触摸面板层15。在此，图2为触摸面板20a的平面图。图3为沿着图2中的III-III线的触摸面板20a的面板面内的截面图，图4为沿着图2中的IV-IV线的触摸面板20a的端子部的截面图。

触摸面板层15，如图2和图3所示，包括：呈矩形状设置的触摸电极13a；沿着触摸电极13a的周边呈矩形框状设置的作为导电部的边框部F；分别与边框部F的4个角连接的4个配线部W；以覆盖触摸电极13a、边框部F和各配线部W的方式设置的保护层14a。在此，边框部F配置在绝缘性基板10a与触摸电极13a的周边部之间，由此，与触摸电极13a的周边连接。

触摸面板20a中，如图2和图4所示，在端子部，各配线部W从保护层14a露出。向触摸电极13a输入位置检测用电信号和从触摸电极13a输出位置检测用电信号的位置检测电路(不图示)与端子部的各配线部W连接。当触摸面板20a的触摸电极13a的表面隔着保护层14a被触摸时，触摸电极13a在被触摸的点通过人体的静电电容被接地，边框部F的4个角与接地点之间的电阻值发生变化，位置检测电路根据边框部F的4个角与接地点之间的电阻值的变化检测出被触摸的位置。

在此，参照图5，说明本实施方式中采用的静电电容耦合方式的位置检测方法的基本原理。

在图5中，为了使说明简单，作为触摸电极，表示了由电极A和B夹住的一维电阻体。在实际的显示装置中，具有二维的扩展的触摸电极13a发挥与该一维电阻体同样的功能。

电极A和B分别连接有电流-电压变换用的电阻r。电极A和B与位置检测电路连接。

在电极A与地面之间、以及电极B与地面之间，施加有同相同电位的电压(交流e)。此时，电极A和B总是处于相同电位，因此，在电极A与电极B之间没有电流流动。

假设当用手指触摸位置X时，从被手指触摸的位置X到电极A的电阻为R₁、从位置X到电极B的电阻为R₂、R＝R₁+R₂。此时，在设人的阻抗为Z，设在电极A中流动的电流为i₁、在电极B中流动的电流为i₂的情况下，以下的公式成立。

e＝ri₁+R₁i₁+(i₁+i₂)Z    (公式1)

e＝ri₂+R₂i₂+(i₁+i₂)Z    (公式2)

从上述的(公式1)和(公式2)可得到以下的(公式3)和(公式4)。

i₁(r+R₁)＝i₂(r+R₂)(公式3)

i₂＝i₁(r+R₁)/(r+R₂)(公式4)

将(公式4)代入(公式1)中，可得到以下的(公式5)。

e＝ri₁+R₁i₁+(i₁+i₁(r+R₁)/(r+R₂))Z

＝i₁(R(Z+r)+R₁R₂+2Zr+r²)/(r+R₂)(公式5)

从上述(公式5)，可得到以下的(公式6)。

i₁＝e(r+R₂)/(R(Z+r)+R₁R₂+2Zr+r²)(公式6)

同样，可得到以下的(公式7)。

i₂＝e(r+R₁)/(R(Z+r)+R₁R₂+2Zr+r²)(公式7)

在此，当用整体的电阻R表示R₁、R₂的比率时，可得到以下的(公式8)。

R₁/R＝(2r/R+1)i₂/(i₁+i₂)-r/R  (公式8)

在此，r和R为已知，因此，如果通过测定求出在电极A中流动的电流i₁和在电极B中流动的电流i₂，则能够根据(公式8)决定R₁/R。R₁/R不依赖于包括用手指接触的人的阻抗Z。因此，只要阻抗Z不为零或无限大，(公式8)就成立，能够忽略由人和材料引起的变化和状态。

接着，参照图6说明将上述一维的情况的关系式应用于二维的情况的情况。在此，在触摸电极13a的边框部F(不图示)的4个角，如图6所示，形成有位置检测用电极A、B、C和D。这些位置检测用电极A、B、C和D通过各配线部W与位置检测电路连接。

向这些位置检测用电极A、B、C和D施加同相同电位的交流电压，设通过手指等的接触而在各配线部W(位置检测用电极A、B、C和D)中流动的电流分别为i₁、i₂、i₃和i₄。在该情况下，通过与上述的计算同样的计算，可得到以下的公式。

X＝k₁+k₂·(i₂+i₃)/(i₁+i₂+i₃+i₄)(公式9)

Y＝k₁+k₂·(i₂+i₃)/(i₁+i₂+i₃+i₄)(公式10)

在此，X为触摸电极13a上的被触摸的位置的X坐标，Y为触摸电极13a上的被触摸的位置的Y坐标。另外，k₁为偏移，k₂为倍率。另外，k₁和k₂为不依赖于人的阻抗的常数。

如果根据上述(公式9)和(公式10)，则能够由在各位置检测用电极A、B、C和D中流动的i₁、i₂、i₃和i₄的测定值来决定接触位置。

在上述的例子中，在触摸电极13a的4个角配置电极，通过测定在各电极中流动的电流，检测出具有二维的扩展的面上的接触位置，但触摸电极13a的电极数并不限于4个。二维的位置检测所需要的电极的最低数为3，通过使电极数增加至5以上，能够提高位置检测的精度。

接着，利用图7的流程图和图8～图19的截面图对上述结构的触摸面板20a的制造方法进行说明。在此，图8～图14为与制造工序中的图3对应的基板的截面图，图15～图19为与制造工序中的图4对应的基板的截面图。另外，本实施方式的制造方法包括导电部形成工序、触摸电极形成工序和保护层形成工序。

<导电部形成工序>

首先，作为图7的St1的Al沉积，如图8所示，在玻璃基板等绝缘性基板10a上，利用溅射法形成例如铝膜11(厚度2000

左右)，作为金属导电膜。

接着，作为图7的St2的Al光刻，在铝膜11上涂敷由感光性树脂构成的抗蚀剂形成抗蚀剂膜后，对该抗蚀剂膜进行曝光和显影，形成第一抗蚀剂图案(不图示)。

然后，作为图7的St3的Al蚀刻，以上述第一抗蚀剂图案作为掩模，对铝膜进行湿蚀刻，由此，如图9所示，形成铝层11a。

进而，作为图7的St4的TiN沉积，如图10和图15所示，以覆盖铝层11a的方式，利用溅射法形成例如氮化钛膜12(厚度2000

左右)，作为金属导电膜。

接着，作为图7的St5的TiN光刻，在氮化钛膜12上涂敷由感光性树脂构成的抗蚀剂形成抗蚀剂膜后，对该抗蚀剂膜进行曝光和显影，形成第二抗蚀剂图案(不图示)。

然后，作为图7的St6的TiN蚀刻，以上述第二抗蚀剂图案作为掩模，对氮化钛膜12进行干蚀刻，由此，如图11和图16所示，形成氮化钛层12a，形成配线部W和边框部F。此后，有时更希望为了除去氮化钛膜的蚀刻残渣而进行湿洗净处理。

<触摸电极形成工序>

首先，作为图7的St7的IZO沉积，如图12和图17所示，以覆盖配线部W和边框部F的方式，利用溅射法形成例如IZO(Indium ZincOxide：氧化铟锌)膜13(厚度100左右)，作为透明导电膜。

接着，作为图7的St8的IZO光刻，在IZO膜13上涂敷由感光性树脂构成的抗蚀剂形成抗蚀剂膜后，对该抗蚀剂膜进行曝光和显影，形成第三抗蚀剂图案(不图示)。

然后，作为图7的St9的IZO蚀刻，以上述第三抗蚀剂图案作为掩模，对IZO膜13进行湿蚀刻，由此，如图13和图18所示，形成触摸电极13a和IZO层13b。

<保护层形成工序>

首先，作为图7的St10的PAS沉积，如图14和图19所示，以覆盖触摸电极13a和配线部W的方式，例如利用CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法形成氮化硅膜14(厚度1500

左右)，作为保护膜(Passivation Film：钝化膜)。

接着，作为图7的St11的PAS光刻，在氮化硅膜14上涂敷由感光性树脂构成的抗蚀剂形成抗蚀剂膜后，对该抗蚀剂膜进行曝光和显影，形成第四抗蚀剂图案(不图示)。

然后，作为图7的St12的PAS蚀刻，以上述第四抗蚀剂图案作为掩模，对氮化硅膜14进行干蚀刻或湿蚀刻，由此，如图3和图4所示，形成保护层14a。

此外，上述那样形成的铝层11a、氮化钛层12a和触摸电极13a的表面电阻例如分别为0.2Ω、7Ω～40Ω和1kΩ。在此，所谓表面电阻(Ω)是每单位面积的电阻，也被称为薄层电阻(sheet resistance)，用Ω/□、Ω/sq.(欧姆每平方)的单位表示。

如以上那样，能够制造触摸面板20a。

接着，对具体地进行的实验进行说明。

详细地说，作为本发明的实施例，制造与上述实施方式同样结构的触摸面板20a，测定此时的触摸电极13a的表面电阻。

另外，作为本发明的比较例，利用图44的流程图所示的方法，制造如图43所示的触摸面板120a，测定此时的触摸电极113a的表面电阻。在此，在图44的流程图的St101～St103、St104～St106、St107～St109和St110～St112的各工序中，分别进行在上述实施方式中说明的图7的流程图的St7～St9、St1～St3、St4～St6和St10～St12的各工序。另外，在图43所示的触摸面板120a中，各构成部件(110a～115)以在上述实施方式的触摸面板20a中对应的各构成部件(10a～15)的符号加上100表示。例如，图43所示的触摸面板120a的触摸电极113a，与图3所示的触摸面板20a的触摸电极13a对应，由与触摸电极13a相同的材料构成，具有与触摸电极13a相同的功能。

以下，说明实施例和比较例的测定结果。

图20为表示实施例的基板S1的IZO层(触摸电极13a)的表面电阻的平面示意图，图45为表示比较例的基板S2的IZO层(触摸电极113a)的表面电阻的平面示意图。在此，在图20和图45中，C1～C8表示形成各单元的区域，左侧的纵轴和上侧的横轴上的数值分别表示距离基板的1个角(图中的左上角)的位置。C1～C8中的各数值为基板内的各测定点的IZO层的表面电阻的值。例如，在实施例的基板S1中，纵165mm/横45mm的测定点(C3内的左上部)的表面电阻为9.8×10²Ω。此外，在图20和图45中，形成8个单元(C1～C8)，同时制造8个显示装置。

在实施例的基板S1中，如图20所示，IZO层的表面电阻为8.3×10²Ω～1.1×10³Ω，基板面内的表面电阻值的偏差小。

另一方面，在比较例的基板S2中，如图45所示，IZO层的表面电阻为2.8×10³Ω以上，基板面内的表面电阻值的偏差大。在此，图45中的“-”符号表示利用所使用的测定装置(NAPSONCORPORATION制造的HA6100/RG-1200E)不能测定的测定点，据推测，在该测定点，表面电阻为1G(千兆)Ω以上。此外，在比较例中，在形成触摸电极113a后通过干蚀刻形成边框部F和配线部W，因此可认为，触摸电极113的表面由于该干蚀刻而部分地被蚀刻，如上所述，IZO层的表面电阻值的偏差变大。

根据上述结果可确认，根据本发明，能够抑制基板面内的IZO层的电阻值的偏差。

如以上所述，根据本实施方式的触摸面板20a及其制造方法，在导电部形成工序中，在绝缘性基板10a上形成边框部F和配线部W后，在触摸电极形成工序中形成触摸电极13a。因此，因为在导电部形成工序中，还未形成触摸电极13a，所以在导电部形成工序中，触摸电极13a不会被蚀刻。由此，基板面内的触摸电极13a的膜厚的偏差变小，基板面内的触摸电极13a的电阻值的偏差变小，因此，能够抑制触摸面板20a的位置识别精度的降低。因此，能够提供位置识别精度高的静电电容耦合方式的触摸面板。

另外，在本实施方式中，在导电部形成工序中同时形成边框部F和配线部W，因此，能够不增加制造工序而形成边框部F和配线部W。

另外，在本实施方式中，利用IZO膜形成触摸电极13a，但也可以使用溅射法利用高电阻的ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)膜或ATO(氧化锑锡)膜等形成、或者使用柔性版印刷或喷墨印刷等印刷法利用ITO纳米油墨或高分子导电膜等形成。在此，所谓纳米油墨，是使直径几nm的微粒子分散在溶剂中而形成的油墨。

另外，在本实施方式中，利用铝膜等形成边框部F和配线部W，但也可以使用柔性版印刷或喷墨印刷等印刷法，利用分散有Au或Ag的纳米油墨等形成。

另外，在本实施方式中，利用氮化钛膜等无机绝缘膜形成保护层14a，但也可以使用旋涂法利用有机SOG(Spin on Glass：旋涂玻璃)膜或感光性有机树脂膜等形成、或者使用干膜叠层利用有机绝缘膜等形成。另外，也可以利用柔性版印刷或喷墨印刷等进行上述有机SOG(Spin on Glass：旋涂玻璃)膜或感光性有机树脂膜的成膜(图案化)，直接形成保护层14a。

《发明的实施方式2》

图21为实施方式2的液晶显示装置50b的结构图。此外，在以下的各实施方式中，对于与图1～图20相同的部分，用相同的符号表示，并省略其详细说明。

在液晶显示装置50b中，如图21所示，触摸面板20a被装入液晶显示面板25b中。具体地说，在液晶显示装置50b中，在彩色滤光片基板22b中，在与彩色滤光片层17相反一侧的基板表面上形成触摸面板层15，由此，构成触摸面板20a的绝缘性基板10a兼作构成彩色滤光片基板20b的绝缘性基板10c，与上述实施方式1的液晶显示装置50a相比，绝缘性基板减少1块。由此，玻璃基板等绝缘性基板少也没问题，因此，能够实现液晶显示装置的轻量化等。另外，偏光板1成为液晶显示装置50b的最外表面并在结构上保护触摸面板20a，因此能够抑制由损伤等造成的触摸面板20a的位置识别精度的降低。

《发明的实施方式3》

图22为实施方式3的液晶显示装置50c的结构图。

在液晶显示装置50c中，如图22所示，触摸面板20a被装入液晶显示面板25c中。具体地说，在液晶显示装置50c中，在彩色滤光片基板22c中，在绝缘性基板10a(10c)与彩色滤光片层17之间形成有触摸面板层15。由此，玻璃基板等绝缘性基板少也没问题，因此能够实现液晶显示装置的轻量化等。另外，偏光板1成为液晶显示装置50b的最外表面并在结构上保护触摸面板20a，因此能够抑制由损伤等造成的触摸面板20a的位置识别精度的降低。

《发明的实施方式4》

在上述各实施方式中，例示了静电电容耦合方式的触摸面板20a，但本发明如以下所示也能够应用于电阻膜方式的触摸面板。

图23为实施方式4的触摸面板20b的立体图。

触摸面板20b，如图23所示，包括：相互相对配置的作为绝缘性基板的第一基板10aa和第二基板10ab；和设置在两基板间的绝缘性的点隔片(dot spacer)(不图示)。

如图23和图25所示，第一基板10aa在其上表面(第二基板10ab侧)上包括呈矩形状设置的触摸电极13aa、和分别设置在触摸电极13aa的相对的对边上的一对导电部11aa。

如图23和图24所示，第二基板10ab在其下表面(第一基板10aa侧)上包括呈矩形状设置的触摸电极13ab、和分别设置在触摸电极13ab的相对的对边上的一对导电部11ab。

在触摸面板20b中，如图23所示，构成X坐标电路的一对导电部11aa与构成Y坐标电路的一对导电部11ab正交地配置，各导电部11aa和11ab分别设置在触摸电极13aa和13ab的基板侧。

另外，向触摸电极13aa和13ab输入位置检测用信号和从触摸电极13aa和13ab输出位置检测用信号的位置检测电路(不图示)，通过配线部(不图示)与各导电部11aa和11ab连接。当触摸面板20b的第二基板10ab的上表面被触摸时，第一基板10aa上的触摸电极13aa与第二基板10ab上的触摸电极13ab接触，各导电部11aa和11ab与被触摸的点之间的电阻值发生变化，位置检测电路根据该电阻值的变化检测出被触摸的位置。

根据本实施方式的触摸面板20b，在第一基板10aa和触摸电极13aa之间、以及第二基板10ab和触摸电极13ab之间分别设置有导电部11aa和11ab，因此，在第一基板10aa上形成导电部11aa后，形成触摸电极13aa，并且，在第二基板10ab上形成导电部11ab后，形成触摸电极13ab。因此，因为在形成导电部11aa时，还未形成触摸电极13aa，所以，触摸电极13aa不会在形成导电部11aa时被蚀刻，并且，因为在形成导电部11ab时，还未形成触摸电极13ab，所以，触摸电极13ab不会在形成导电部11ab时被蚀刻。由此，基板面内的触摸电极13aa和13ab的膜厚的偏差变小，基板面内的触摸电极13aa和13ab的电阻值的偏差变小，因此，能够抑制触摸面板的位置识别精度的降低。因此，能够提供位置识别精度高的电阻膜方式的触摸面板。

《发明的实施方式5》

图26为实施方式5的触摸面板20c的平面图。图27为沿着图26中的XXVII-XXVII线的触摸面板20c的面板面内的截面图，图28为沿着图26中的XXVIII-XXVIII线的触摸面板20c的端子部的截面图。

触摸面板20c，如图26～图28所示，包括绝缘性基板10a和设置在绝缘性基板10a上的触摸面板层15。

触摸面板层15，如图26和图27所示，包括：作为用于提高绝缘性基板10a以及后述的边框部F(19a)和配线部W(19a)之间的紧贴性的层间膜而设置在绝缘性基板10a上的氧化钛膜18；在氧化钛膜18上呈矩形状设置的触摸电极13a；在氧化钛膜18和触摸电极13a的层间，沿着触摸电极13a的周边呈矩形框状设置的作为导电部的边框部F(19a)；在氧化钛膜18和触摸电极13a的层间，分别与边框部F的4个角连接的4个配线部W(19a)；和以覆盖触摸电极13a、边框部F(19a)和各配线部W(19a)的方式设置的保护层14a。

触摸面板20c中，如图26和图28所示，在端子部，各配线部W(19a)从保护层14a露出。各配线部W(19a)被触摸电极13a的延伸设置部覆盖。

接着，利用图29～图40的截面图对上述结构的触摸面板20c的制造方法进行说明。在此，图29～图34为与制造工序中的图27对应的基板的截面图，图35～图40为与制造工序中的图28对应的基板的截面图。另外，本实施方式的制造方法包括层间膜成膜工序、导电部形成工序、触摸电极形成工序和保护层形成工序。

<层间膜成膜工序>

如图29和图35所示，在玻璃基板等绝缘性基板10a上，利用溅射法形成例如氧化钛膜18(厚度100

左右)作为层间膜。

<导电部形成工序>

首先，如图30和图36所示，在氧化钛膜18上，利用溅射法形成例如作为银和钯的合金膜的AP膜19(厚度1250

～2000

左右)作为金属导电膜。此外，AP膜19除了上述那样的银和钯的合金膜以外，也可以是含有银、钯和铜的合金膜等。

接着，在AP膜19上涂敷由感光性树脂构成的抗蚀剂形成抗蚀剂膜后，对该抗蚀剂膜进行曝光和显影，形成第一抗蚀剂图案(不图示)。

然后，以上述第一抗蚀剂图案作为掩模，利用例如含有硝酸、醋酸和磷酸的弱酸性的蚀刻液对AP膜19进行湿蚀刻，由此，如图31和图37所示，形成边框部F(19a)和配线部W(19a)。

<触摸电极形成工序>

首先，如图32和图38所示，以覆盖边框部F(19a)和配线部W(19a)的方式，利用溅射法形成例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)膜13(厚度100

～150

左右)作为透明导电膜。在此，透明导电膜也可以如上述各实施方式那样为IZO膜等。

接着，在ITO膜13上涂敷由感光性树脂构成的抗蚀剂形成抗蚀剂膜后，对该抗蚀剂膜进行曝光和显影，形成第二抗蚀剂图案(不图示)。

然后，以上述第二抗蚀剂图案作为掩模，利用例如含有盐酸的弱酸性的蚀刻液对ITO膜13进行湿蚀刻，由此，如图33和图39所示，形成触摸电极13a及其延伸设置部。

<保护层形成工序>

首先，如图34和图40所示，以覆盖触摸电极13a的方式贴合例如感光性的树脂膜14(厚度20000

左右)作为保护膜。

进而，对树脂膜14进行曝光和显影，形成保护层14a。

如上述那样形成的AP膜19和ITO膜13的表面电阻例如分别为0.25Ω和150Ω～1000Ω。

如以上那样，能够制造触摸面板20c。

根据本实施方式的触摸面板20c，边框部F(19a)和配线部W(19a)由含有银和钯的高导电性的合金膜形成，因此，能够将边框部F(19a)和配线部W(19a)形成得薄，触摸电极13a能够容易地覆盖边框部F(19a)和配线部W(19a)。另外，在边框部F(19a)和配线部W(19a)由含有银、钯和铜的合金膜形成的情况下，利用该合金膜能够提高耐迁移性和耐蚀性等可靠性。

另外，在触摸面板20c中，触摸电极13a被延伸设置成覆盖由含有电阻容易随时间变化的银和钯的合金膜形成的边框部F(19a)和配线部W(19a)，因此，能够抑制边框部F(19a)和配线部W(19a)的电阻的随时间的变化。另外，在触摸电极形成工序中，以覆盖边框部F(19a)和配线部W(19a)的方式形成触摸电极13a，由此，能够保护边框部F(19a)和配线部W(19a)不受对ITO膜13进行图案化时的蚀刻液中的盐酸腐蚀。

另外，在触摸面板20c中，边框部F(19a)和配线部W(19a)由含有银和钯的合金膜形成，因此，能够抑制在边框部F和配线部W由铝膜形成的情况下产生的氧化铟与氧化锡的化合物、即ITO膜与铝膜的电蚀反应。

《发明的实施方式6》

图41为实施方式6的触摸面板20d的面板面内的截面图。

在触摸面板20d中，如图41所示，仅在与边框部F(19a)和配线部W(19a)重叠的部分设置有氧化钛膜18a。由此，在与边框部F(19a)和配线部W(19a)重叠的部分以外、即面板面内(液晶显示装置的显示区域)，不设置氧化钛膜18a，因此，能够使触摸面板20d和包括该触摸面板20d的液晶显示装置的透过率提高。此外，氧化钛膜18a能够通过在利用溅射法进行成膜时使用金属掩模等来形成。

《发明的实施方式7》

图42为实施方式7的触摸面板20e的端子部的截面图。

在触摸面板20e中，面板面内的结构与上述实施方式5的触摸面板20c实质上相同，但是，如图42所示，在端子部，在上述实施方式5(参照图28)中存在的配线部W(19a)被省略，只有在面板面内与配线部W(19a)叠层的触摸电极13a的延伸设置部。由此，构成配线部W(19a)的含有银和钯的合金膜不在端子部露出，能够抑制配线部W(19a)的电阻的随时间的变化。

产业上的可利用性

如以上所述，本发明能够提供位置识别精度高的触摸面板，因此，对于包括触摸面板的液晶显示装置等显示装置是有用的。

Claims (17)

1.一种触摸面板，其包括绝缘性基板、设置在所述绝缘性基板上的透明触摸电极、和与所述触摸电极的周边连接的导电部，并利用通过所述导电部的电信号检测所述触摸电极的触摸位置，其特征在于：

所述导电部设置在所述绝缘性基板和触摸电极之间。

2.如权利要求1所述的触摸面板，其特征在于：

所述导电部为沿着所述触摸电极的周边设置的边框部，

通过该边框部与所述触摸电极连接的配线部与所述边框部连接。

3.如权利要求2所述的触摸面板，其特征在于：

所述边框部和配线部由同一材料形成。

4.如权利要求2所述的触摸面板，其特征在于：

所述边框部为矩形框状，

所述配线部设置有4个，分别与所述边框部的4个角连接。

5.如权利要求2所述的触摸面板，其特征在于：

所述边框部和配线部由含有银和钯的合金膜、或含有银、钯和铜的合金膜形成。

6.如权利要求5所述的触摸面板，其特征在于：

所述绝缘性基板为玻璃基板，

在所述绝缘性基板与所述边框部和配线部之间设置有用于提高两者间的紧贴性的层间膜。

7.如权利要求5所述的触摸面板，其特征在于：

所述层间膜仅设置在与所述边框部和配线部重叠的部分。

8.如权利要求5所述的触摸面板，其特征在于：

所述触摸电极被延伸设置成覆盖所述边框部和配线部。

9.如权利要求8所述的触摸面板，其特征在于：

所述触摸电极延伸设置在所述配线部的末端，

由所述配线部的末端的触摸电极的延伸设置部分构成该配线部的端子部。

10.如权利要求5所述的触摸面板，其特征在于：

所述触摸电极由氧化铟与氧化锡的化合物形成。

11.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1所述的触摸面板；和

与所述触摸面板装置相对配置的显示面板。

12.一种触摸面板的制造方法，其用于制造包括绝缘性基板、设置在所述绝缘性基板上的透明触摸电极、和与所述触摸电极的周边连接的导电部，并利用通过所述导电部的电信号检测所述触摸电极的触摸位置的触摸面板，其特征在于，包括：

在所述绝缘性基板上形成金属导电膜后，对该金属导电膜进行图案化，由此形成所述导电部的导电部形成工序；和

在形成覆盖所述形成的导电部的透明导电膜后，对该透明导电膜进行图案化，形成所述触摸电极的触摸电极形成工序。

13.如权利要求12所述的触摸面板的制造方法，其特征在于：

所述导电部为沿着所述触摸电极的周边设置的边框部，

通过该边框部与所述触摸电极连接的配线部与所述边框部连接，

在所述导电部形成工序中，形成所述边框部和配线部。

14.如权利要求12所述的触摸面板的制造方法，其特征在于：

在所述导电部形成工序中，通过干蚀刻对所述金属导电膜进行图案化。

15.如权利要求12所述的触摸面板的制造方法，其特征在于：

所述绝缘性基板为玻璃基板，

所述导电部由含有银和钯的合金膜、或含有银、钯和铜的合金膜形成，

该制造方法包括在所述导电部形成工序之前，在所述绝缘性基板上形成用于提高对所述导电部的紧贴性的层间膜的层间膜成膜工序。

16.如权利要求15所述的触摸面板的制造方法，其特征在于：

在所述层间膜成膜工序中，利用金属掩模在与所述导电部重叠的部分形成所述层间膜。

17.如权利要求15所述的触摸面板的制造方法，其特征在于：

所述导电部为沿着所述触摸电极的周边设置的边框部，

通过该边框部与所述触摸电极连接的配线部与所述边框部连接，

在所述触摸电极形成工序中，将所述透明导电膜延伸设置在所述配线部的末端并进行图案化，形成该配线部的端子部。

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