CN106033276B - 触控面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭露涉及触控技术领域，提供了触控面板包含盖板、遮蔽层以及第一感测结构。盖板具有可视区以及非可视区，其中非可视区围绕于可视区的周围。遮蔽层用以界定非可视区。第一感测结构包含多个第一感测电极，且多个第一感测电极位于可视区以及至少部分非可视区。任两相邻的第一感测电极之间在可视区内具有第一间距，任两相邻的第一感测电极之间在可视区与非可视区的交界处具有第二间距，其中第二间距大于第一间距，以避免交界处的相邻的第一感测电极短路。

Description

触控面板及其制造方法

技术领域

本发明揭露涉及一种触控技术，且特别系涉及一种触控面板及其制造方法。

背景技术

在现今各种消费性产品的市场中，智能型手表、智能型手机、平板计算机、笔记型计算机等可携式电子产品已广泛地使用触控面板(touch panel)作为人机介面。此外，由于目前电子产品的设计皆以轻、薄、短、小为方向，产品上容纳传统输入装置(如按键)的空间越来越小。因此，在讲究人性化设计的平板电脑带动下，触控面板已经成为可携式装置中关键的零组件之一。

触控面板大致上可分为可视区与非可视区，其中可视区设计有触控功能来感测使用者的碰触输入，而非可视区则可提供设计周边线路时所需的位置。非可视区通常是不透光的，以防使用者看到触控面板的线路配置。因此，在非可视区通常设计有遮光结构，而可视区则不需要有遮光结构。如此一来，由于遮光结构的关系，可视区与非可视区的交界处通常会有地形上的隆起。在图案化制程的过程中，地形上的隆起容易有光阻堆积，使得尚未被图案化的感测电极无法被有效的蚀刻，造成感测电极与感测电极之间短路，降低触控面板的制造良率。

发明内容

本揭露之一技术态样是在提供一种触控面板。

根據本揭露之一或多個實施方式，觸控面板可包含蓋板、遮蔽層以及第一感測結構。蓋板具有可視區以及非可視區，其中非可視區圍繞於可視區的周圍。遮蔽層用以界定非可視區。第一感測結構包含複數個第一感測電極，且複數個第一感測電極位於可視區以及至少部分非可視區。任兩相鄰的第一感測電極之間在可視區內具有第一間距，任兩相鄰的第一感測電極之間在可視區與非可視區的交界處具有第二間距，其中第二間距大於第一間距。

本揭露的另一技术态样是在提供一种触控面板的制造方法。

触控面板的制造方法包含提供盖板；形成遮蔽层；以及形成图案化的第一感测结构。盖板界定有可视区与非可视区，其中非可视区围绕于可视区的周围。遮蔽层形成于非可视区内。图案化的第一感测结构形成于可视区以及至少部分非可视区，其中第一感测结构包含多个第一感测电极。任两相邻第一感测电极之间在可视区内具有第一间距，且任两相邻第一感测电极之间在可视区与非可视区的交界处具有第二间距，第二间距大于第一间距。

由于在地形有隆起的变化处(如上述之交界处)可能会导致触控面板的制造良率的下降。举例而言，在形成图案化的感测结构(包含第一感测结构和第二感测结构)的过程中，可视区与非可视区的交界处可能会有光阻堆积的问题，导致感测结构无法被有效的蚀刻。因此，藉由将交界处的相邻之感测电极(包含第一感测电极和第二感测电极)之间的距离设计的较其它位置大，可避免感测结构蚀刻不净所造成的感测电极与感测电极之间短路，进而提升触控面板的制造良率。

附图说明

图1为本揭露一实施方式的触控面板的正面俯视图。

图2為图1的區域A的背面俯視圖。

图3為图2的線段3的剖面圖。

图4為图2的區域B的放大图。

图5為图1的另一實施方式的區域A的背面俯視圖。

图6為图1的区域C的背面俯视图。

图7为图6的线段7的放大图。

图8为图6的区域D的放大图。

图9为本揭露另一实施方式的触控面板的剖面图，其剖面位置同图3。

图10至图12为本揭露一或多个实施方式中，图案化第一感测结构的连续示意图。

图13为本揭露一或多个实施方式中，图案化第二感测结构的示意图。

具体实施方式

以下将以图式揭露本揭露之多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本揭露。也就是说，在本揭露部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式绘示之。

图1为依照本揭露一实施方式之触控面板10的正面俯视图。如图1所示，触控面板10包含盖板100。盖板100可具有可视区VA以及非可视区NA。在图1的实施方式中，非可视区NA系设置于可视区VA的四边，并且非可视区NA围绕于可视区VA的周围。更具体而言，触控面板10可包含有遮蔽层130，遮蔽层130形成于盖板100上。盖板100可采用透明的材料所制成，例如玻璃、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)，或其它高分子材料等等。遮蔽层130可采用不透明的材料所制成，例如黑色光阻，藉以界定出盖板100上的非可视区NA。也就是说，遮蔽层130系位于非可视区NA中，且光线无法通过遮蔽层130，因此触控面板10之相关线路可设置在非可视区NA，以避免被使用者看见，而影响显示器的外观。遮蔽层130的边界亦可用以界定非可视区NA与可视区VA。

图2为图1之区域A的背面俯视图。如图所示，触控面板10包含第一感测结构110以及至少一导电线路170。导电线路170位于非可视区NA内。第一感测结构110包含多个第一感测电极111，且多个第一感测电极111位于可视区VA以及至少部分非可视区NA。更具体而言，第一感测电极111可为透明的导电材料所制成，而可视区VA内可布满多个第一感测电极111，用以感测使用者的触碰输入。举例来说，在部分实施方式中，多个第一感测电极111可用以接收来自导电线路170的驱动信号，或用以将所感测到的讯号传送至导电线路170。在某些实施方式中，多个第一感测电极111可接收来自导电线路170的驱动信号后，再将所感测到的信号传送至导电线路170。同一轴向排列的多个第一感测电极111之其中之一者的一端，系横跨可视区VA与非可视区NA而电性连接至导电线路170。如图2的实施方式中，在同一轴向排列的多个第一感测电极111中，其中之一个第一感测电极111之一端延伸入非可视区NA，并与导电线路170电性连接。如此一来，多个第一感测电极111所感应的感测讯号可藉由导电线路170传送至处理单元(未绘示)，以计算出使用者的触控位置。

图3为图2之线段3的剖面图，其中图3的剖面位置系横跨可视区VA与非可视区NA。如图3所示，盖板100具有一下表面101，遮蔽层130覆盖于下表面101，以形成盖板100之非可视区NA。第一感测电极111覆盖盖板100对应可视区VA之下表面101，且同时第一感测电极111延伸至非可视区NA而覆盖部分之遮蔽层130。换句话说，第一感测电极111系横跨了可视区VA与非可视区NA，以确保触控面板10在可视区VA的边缘也可以感测使用者的触碰输入。因此，在图3之实施方式中，因为遮蔽层130位于非可视区NA，且遮蔽层130具有高度H1，所以当第一感测电极111横跨了可视区VA与非可视区NA时，会产生地形上的隆起。也就是说，第一感测电极111在可视区VA内的表面与在非可视区NA内的表面之间会具有高度差ΔH1。此高度差ΔH1容易导致触控面板10的制造良率之下降。举例而言，在触控面板10的制造过程中，需进行图案化制程以形成多个第一感测电极111。而在图案化制程的过程中，高度差ΔH1的位置容易有光阻堆积，使得尚未被图案化的第一感测电极111无法被有效的蚀刻，导致图案化制程失败，降低触控面板10的制造良率。

图4为图2之区域B的放大图。如图所示，在可视区VA与非可视区内NA之间具有一交界处120。此交界处120大致为图3中从无高度差ΔH1爬升至具有高度差ΔH1的区域，也就是所谓第一感测电极111之表面地形隆起的区域。若从蚀刻线(第一感测电极111之间)来看，交界处120大致为遮蔽层130的边界L1之位置。在某些实施方式中，交界处120的范围，以遮蔽层130的边界L1为中心线，往相对两侧(往盖板100中央与盖板100边界，即图4中的X与-X方向)各延伸一预定距离(例如0.4、0.5或0.6厘米)之范围。在图4中，系绘示已完成图案化制程的多个第一感测电极111，其中在可视区VA内，任两相邻的第一感测电极111之间具有第一间距D1，并且在可视区VA与非可视区NA内的交界处120，任两相邻的第一感测电极111之间具有第二间距D2。在图4之实施方式中，第二间距D2系大于第一间距D1。如此一来，藉由将第二间距D2设计的较第一间距D1大，可在图案化多个第一感测电极111的过程中，避免蚀刻不完全的情形发生。

更详细而言，在交界处120的位置，第二间距D2邻接第一感测电极111的边界处相较于第二间距D2的中央位置处，第二间距D2邻接第一感测电极111的边界处之光阻堆积的情况会更为严重。因此，在图案化多个第一感测电极111的过程中，若将第二间距D2设计的较第一间距D1大，可避免第二间距D2邻接第一感测电极111的边界处蚀刻不完全，而导致两个相邻的第一感测电极111短路的情形发生。

图5为图1之另一实施方式之区域A的背面俯视图，图5与图2相似，差别在于在非可视区NA中，遮蔽层130设置在盖板100上，且在遮蔽层130上布置导电线路170，而在遮蔽层130中未布上导电线路170的区域设置绝缘层171，其中绝缘层171可为各种不导电材质，例如聚亚酰胺polyimide,PI)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiCN)、碳化硅(SiC)，使得当感测电极(例如第一感测电极111)被设置时，绝缘层171介于遮蔽层130与第一感测电极111之间，且绝缘层171亦介于部分导电线路170与第一感测电极111之间，可避免感测电极直接接触非对应的导电线路170。在此实施方式中，交界处120的范围大致包含遮蔽层130的边界至绝缘层170的边界。在某些实施方式中，交界处120可以定义为从遮蔽层130的边界L1之法线方向(如图5中往盖板100中心的X方向)延伸预定距离(例如0.4、0.5或0.6厘米)，或者从绝缘层171的边界L2(在第一感测电极111范围内的边界)之法线方向(如图5中往盖板100边界的-X方向)延伸预定距离(例如0.4、0.5或0.6厘米)之范围内。

接着，请回到图1。在图1之实施方式中，遮蔽层130可包含有至少一镂空图案135。如图所示，镂空图案135可例如为返回键的图案或者是首页键的图案。在本实施方式中，镂空图案135的位置处也具有感测电极。如此一来，应用本实施方式之触控面板10的电子装置可完全去除掉传统的实体按键结构。

更详细而言，请参考图6，其系绘示图1之区域C的背面俯视图。如图所示，触控面板10可更包含第二感测结构140。第二感测结构140包含多个第二感测电极141。在图6的实施方式中，第二感测电极141可为透明的导电材料所制成，且第二感测电极141系位于非可视区NA内。第二感测电极141至少部分覆盖镂空图案135。如此一来，当使用者碰触图1中的镂空图案135时，第二感测电极141可以感测使用者的触碰输入。

更具体而言，以图6为例，多个第二感测电极141可区分为电极141a、电极141b以及电极141c，其中电极141a可接收来自导电线路170的驱动讯号，电极141b可将触控面板10被触碰所产生的讯号传递至导电线路170；或者电极141b可接收来自导电线路170的驱动讯号，电极141a可将触控面板10被触碰所产生的讯号传递至导电线路170。在某些实施方式中，电极141a和141b可各自接收来自导电线路170的驱动讯号后将触控面板10被触碰所产生的讯号传递至导电线路170。电极141c为冗余电极(void electrode)，用以对电极141a和141b进行光学匹配，使得电极141a、电极141b的线条不容易被肉眼所察觉。此外，电极141c位于电极141a与电极141b之间，还可避免电极141a和141b相互干扰，影响触控灵敏度。电极141a可藉由桥接线路180a沿着轴向A相互电性连接，电极141b可藉由桥接线路180b沿着轴向B相互电性连接，其中桥接线路180a以及桥接线路180b之间相互绝缘。应了解的是，图6之第二感测电极141之图案只是举例。在其它实施方式中，第二感测电极141可以是此技术领域中，具有通常知识者所熟知的任何图案或结构。

图7为图6之线段7的剖面图。请一并参考图6与图7，由于在非可视区NA内，镂空图案135之位置处没有遮蔽层130。因此，在非可视区NA内，位在镂空图案135内的第二感测电极141之表面与位在镂空图案135外的第二感测电极141之表面间会具有高度差ΔH2。类似于图3之高度差ΔH1容易导致第一感测电极111无法被有效的蚀刻，此高度差ΔH2亦容易导致第二感测电极141无法被有效的蚀刻，进而降低触控面板10的制造良率。

图8为图6之区域D的放大图，在图8中，系绘示已完成图案化制程的多个第二感测电极141。如图所示，镂空图案135具有一边缘处190。此镂空图案135之边缘处190大致为图7中从无高度差ΔH2爬升至有高度差ΔH2的区域，也就是所谓第二感测电极141之表面地形隆起的区域。更具体而言，此边缘处190的范围大致为以遮蔽层130的边界L1为中心线，再往相对两侧延伸(往盖板100中央与盖板100边界，即图8中的X与-X方向)预定距离(例如0.4、0.5或0.6厘米)之范围。在图8之实施方式中，在镂空图案135外，任两相邻的第二感测电极141具有第三间距D3。而在镂空图案135之边缘处190，任两相邻的第二感测电极141具有第四间距D4，其中第四间距D4系大于第三间距D3。如此一来，藉由将第四间距D4设计的较第三间距D3大，可在图案化多个第二感测电极141的过程中，避免蚀刻不完全的情形发生。

更详细而言，在边缘处190之位置，第四间距D4邻接第二感测电极141的边界处相较于第四间距D4的中央位置处，第四间距D4邻接第二感测电极141的边界处之光阻堆积的情况会更为严重。因此，在图案化多个第二感测电极141的过程中，若将第四间距D4设计的较第三间距D3大，可避免第四间距D4邻接第二感测电极141的边界处蚀刻不完全，而导致两个相邻的第二感测电极141短路的情形发生。

请继续参考图8，在镂空图案135内，任两相邻之第二感测电极141具有第五间距D5。在本揭露之多个实施方式中，镂空图案135内部的第二感测电极141因为较不具有地形上的隆起，且当第五间距D5小于第四间距D4时，可减少蚀刻线被可视的机率，当第五间距D5大于第三间距D3时，可以减少电极与电极之间短路的机率，所以镂空图案135内部第五间距D5可视产品的实际需求，设计成大于、等于第三间距D3，或设计成等于或小于第四间距D4，而不会影响第二感测电极141的图案化结果。

在某些实施方式中，第二感测结构140上(第二感测结构140与背光模块之间)可设置油墨层(ink layer)，该油墨层(ink layer)具有色彩与透光度，使得镂空图案135可散发对应的色彩。

图9为本揭露另一实施方式之触控面板20的剖面图，其剖面位置同图3。如图所示，本实施方式与图3之实施方式不同的地方在于，图3之实施方式之第一感测电极111以及遮蔽层130皆设置于盖板100上，而本实施方式之第一感测电极111以及遮蔽层130则与盖板100分开设置。更具体而言，图3之实施方式之触控面板10可例如为单片式玻璃触控面板(One Glass Solution,OGS)，而图9之实施方式之触控面板10可例如为双层玻璃之触控面板20。

更详细而言，在图9之实施方式中，触控面板20可更包含基板150。基板150可为透明或不透明的材料所制成，例如玻璃、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)，或其它高分子材料等等。基板150可具有承载面151，其中承载面151面对盖板100之下表面101。遮蔽层130设置于部分之承载面151上，以形成盖板100之非可视区NA。第一感测结构110之第一感测电极111覆盖部分之遮蔽层130以及对应可视区VA之承载面151。由于第一感测结构110横跨可视区VA与非可视区NA，因此第一感测结构110在可视区VA与非可视区NA的交界处会有地形上的隆起。有鉴于此，类似于图3所示，藉由将第二间距D2设计的较第一间距D1大，即可避免图案化多个第一感测电极111的过程中，蚀刻不完全的情形发生。

类似地，在图9之触控面板20的架构中，第二感测电极141也是形成于基板150之承载面151上(未绘示)。同理，若第二感测电极141具有地形上的隆起，可能会导致蚀刻不完全时，可参照图8之结构，在地形之隆起处(即图8之边缘处190)，将相邻之第二感测电极141之间的距离设计的较平坦处(即图8之镂空图案135外)大，即可避免地形之隆起影响触控面板20的制造良率。

为使更于理解，下述实施方式将更进一步提供一种触控面板的制造方法，其包含有以下步骤：

S1：提供盖板；

S2：形成遮蔽层；以及

S3：形成图案化之第一感测结构。

请参考图1，在步骤S1中，盖板100可界定有可视区VA以及非可视区NA，其中非可视区NA围绕于可视区VA的周围。接着，在步骤S2中，遮蔽层130可形成于非可视区NA内。如图3所示，若触控面板10为OGS的架构，遮蔽层130可形成于盖板100之下表面101，且第一感测结构110可形成于部分之遮蔽层130以及盖板100对应可视区VA之下表面101。又如图9所示，若触控面板20为双层玻璃之架构，则触控面板20的制造方法可更包含提供基板150。此外，形成遮蔽层130之步骤可更包含将遮蔽层130形成于基板150之承载面151上，且第一感测结构110可形成于部分之遮蔽层130以及基板150对应可视区VA之承载面151。

在部分实施方式中，盖板100可例如为透明的玻璃材料等，但本揭露不以此为限。遮蔽层130可由不透明的材料所制成，如黑色光阻等，且遮蔽层130可藉由印刷或涂布等方式形成于非可视区NA中，但本揭露不以此为限。

请参考图2，在步骤S3中，图案化之第一感测结构110可形成于可视区VA以及至少部分非可视区NA中。更详细而言，请一并参考图10至图12，其系绘示图案化第一感测结构110之的连续示意图，其中图10至图12所绘示的位置相当于前述图3与图4之位置的制造过程。如图所示，图案化第一感测结构110之步骤可更包含：

S3.1：形成第一感测电极层111a于可视区VA以及至少部分非可视区NA；

S3.2：涂布光阻层160于第一感测电极层111a上；

S3.3：形成光阻层160之多个第一感测电极图案160a于第一感测电极层111a上；以及

S3.4：利用多个第一感测电极图案160a蚀刻第一感测电极层111a。

如图10所示，在步骤S3.1中，第一感测电极层111a覆盖盖板100对应可视区VA的表面(即图3中的下表面101)，且同时至少部分覆盖遮蔽层130。第一感测电极层111a可为透明导电材料所制成，如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)等。

接着，如图11所示，在步骤S3.2中，光阻层160在可视区VA或非可视区NA之平坦处可具有高度H2。光阻层160在可视区VA与非可视区NA的交界处120具有高度H3。因为光阻层160会在地形有隆起变化的交界处120堆积，所以交界处120的高度H3大于平坦处的高度H2。因此，可能会导致后续显影的过程中，交界处120的光阻层160显影不净，导致底下的第一感测电极层111a也蚀刻不净。

接着，如图12所示，在步骤S3.3中，可藉由例如曝光与显影之过程图案化光阻层160，以形成多个第一感测电极图案160a。如图所示，在交界处120之第一感测电极图案160a之间具有第一蚀刻补偿间距E1。更具体而言，第一蚀刻补偿间距E1的大小为图4中的第二间距D2的大小加上第一补偿值。如图12的区域E所示，由于交界处120之两个相邻的第一感测电极图案160a之间可能会有残余的光阻层160没有完全被显影掉(尤其是在第一蚀刻补偿间距E1邻接第一感测电极图案160a的边界处)，因此交界处120之第一感测电极层111a的蚀刻效果较差。故，在图12的实施方式中，藉由加大在交界处120的两个相邻的第一感测电极图案160a之间的距离，以避免后续蚀刻第一感测电极层111a时，蚀刻不净而导致两个相邻的两个第一感测电极111短路。

在部分实施方式中，在交界处120之位置，遮蔽层130之边缘可具有一倾斜度。第一补偿值之大小正比于遮蔽层130之边缘的倾斜度。更详细而言，遮蔽层130之边缘指的是遮蔽层130邻近可视区VA的斜坡，而遮蔽层130之边缘的倾斜度指的是斜坡的斜率。也就是说，如果斜率越大，则遮蔽层130之边缘的光阻层160堆积的情况就会越显著，因此第一补偿值之大小就会越大。在具体应用时，第一蚀刻补偿间距E1可约为34微米，其中第二间距D2之大小可约为30微米，第一补偿值可约为4微米，但本揭露不以此为限。

接着，请一并参考图3与图12，在步骤S3.4中，图案化的多个第一感测电极111可藉由光阻层160上对应的第一感测电极图案160a而形成。从图12与图4可知，由于光阻层160在交界处120堆积的缘故，在交界处120之两相邻的第一感测电极111之间的第二间距D2会小于第一蚀刻补偿间距E1。

在某些实施方式中，如图5所示，在非可视区NV中形成一绝缘层于第一感测结构110与遮蔽层130之间，其中交界处120的范围更包括从遮蔽层130的边界L1至绝缘层的边界L2。

请参考图1，形成遮蔽层130之步骤可更包含形成镂空图案135。如图1所示，镂空图案135可例如为返回键的图案或者是首页键的图案。在部分实施方式中，镂空图案135可藉由微影制程形成，但本揭露不以此为限。

接着，请参考图6。如图所示，在部分实施方式中，触控面板10的制造方法可更包含：

S4：形成图案化之第二感测结构140。

更详细而言，请参考图13，其系绘示图案化第二感测结构140的示意图。如图所示，图案化第二感测结构140之步骤可更包含：

S4.1：形成第二感测电极层140a于非可视区NA；

S4.2：涂布光阻层160’于第二感测电极层140a；

S4.3：形成光阻层160’之多个第二感测电极图案160a’于第二感测电极层140a上；以及

S4.4：利用多个第二感测电极图案160a’蚀刻第二感测电极层140a。

如图13所示，在步骤S4.1中，第二感测电极层140a至少部分覆盖镂空图案135。在部分实施方式中，第二感测电极层140a可为透明的导电材料所制成，如ITO、IZO等，并且第二感测电极层140a与图12中的第一感测电极层111a可为同一道制程所形成。

在步骤S4.2中，图13的光阻层160’与图11的光阻层160可为同一道制程所形成。如图13所示，光阻层160’在镂空图案135内或镂空图案135外的平坦处具有高度H4。光阻层160’在镂空图案135的边缘处190可具有高度H5。因为光阻层160’会在地形有隆起变化的边缘处190堆积的，所以边缘处190的高度H5大于平坦处的高度H4。因此，可能会导致后续显影的过程中，边缘处190的光阻层160’显影不净，导致底下的第二感测电极层140a蚀刻不净。

鉴此，在步骤S4.3中，第二感测电极图案160a’之间可具有第二蚀刻补偿间距E2。更具体而言，第二蚀刻补偿间距E2的大小为图8中的第四间距D4的大小加上第二补偿值。如图13的区域F所示，由于边缘处190之两个相邻的第二感测电极图案160a’之间可能会有残余的光阻层160’没有完全被显影掉(尤其是在第二蚀刻补偿间距E2邻接第二感测电极图案160a’的边界处)，因此第二感测电极图案160a’之蚀刻效果较差。故，在图13的实施方式中，藉由加大两个相邻的第二感测电极图案160a’之间的距离，以避免后续蚀刻第二感测电极层140a时，蚀刻不净而导致两个相邻的两个第二感测电极141短路。

在部分实施方式中，在边缘处190之位置，遮蔽层130之边缘可具有一倾斜度。第二补偿值之大小正比于遮蔽层130之边缘之倾斜度。在具体应用时，第二蚀刻补偿间距E2可约为34微米，其中第四间距D4之大小可约为30微米，第二补偿值可约为4微米，但本揭露不以此为限。

接着，在步骤S4.4中，可藉由光阻层160’所对应的第二感测电极图案160a’形成图案化的多个第二感测电极141。从图13与图8可知，由于光阻层160’在边缘处190堆积的缘故，在边缘处190之两相邻的第二感测电极141之间的第四间具D4会小于第二蚀刻补偿间距E2。

综上所述，在地形有隆起的变化处(如交界处以及边缘处)，可能会有光阻堆积的情形发生。因此，在本揭露之一或多个实施方式中，在地形有隆起的变化的地方，相邻的两个感测电极(如第一感测电极以及第二感测电极)之间的距离需至少大于地形平坦的地方，减少因蚀刻不净而造成感测电极(如第一感测电极以及第二感测电极)之间短路的机率，藉此增加触控面板的制造良率。

虽然本揭露已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本揭露，任何熟习此技艺者，在不脱离本揭露之精神和范围内，当可作各种之更动与润饰，因此本揭露之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。

Claims (18)

1.一种触控面板，其特征在于，包含：

一盖板，具有一可视区以及一非可视区，其中该非可视区围绕于该可视区的周围；

一遮蔽层，用以界定该非可视区；以及

一第一感测结构，包含多个第一感测电极，且该些第一感测电极位于该可视区以及至少部分该非可视区，任两相邻该些第一感测电极之间在该可视区内具有一第一间距，任两相邻该些第一感测电极之间在该可视区与该非可视区之一交界处具有一第二间距，其中该第二间距大于该第一间距；

其中该遮蔽层包含一镂空图案，该触控面板更包含一第二感测结构，该第二感测结构包含多个第二感测电极，该些第二感测电极位于该非可视区内且至少部分覆盖该镂空图案，任两相邻该些第二感测电极在该镂空图案外具有一第三间距，任两相邻该些第二感测电极在该镂空图案之边缘处具有一第四间距，该第四间距大于该第三间距；

其中该多个第一感测电极是通过：形成一第一感测电极层于该可视区以及至少部分该非可视区，其中该第一感测电极层至少部分覆盖该遮蔽层；涂布一光阻层于该第一感测电极层；形成该光阻层的多个第一感测电极图案于该第一感测电极层上，其中该交界处的该些第一感测电极图案之间具有一第一蚀刻补偿间距，该第一蚀刻补偿间距的大小为该第二间距的大小加上一第一补偿值；以及利用该些第一感测电极图案蚀刻该第一感测电极层的步骤所形成的图案化的该多个第一感测电极。

2.如权利要求1所述之触控面板，其特征在于，该些第一感测电极在该可视区内之表面与在该非可视区内之表面之间具有一高度差。

3.如权利要求1所述之触控面板，其特征在于，该些第二感测电极在该镂空图案内之表面与在该镂空图案外之表面之间具有一高度差。

4.如权利要求1所述之触控面板，其特征在于，该盖板具有一下表面，该遮蔽层覆盖部分之该下表面，形成该盖板之该非可视区，该些第一感测电极覆盖部分之该遮蔽层以及对应该可视区之该下表面。

5.如权利要求1所述之触控面板，其特征在于，更包含一基板，具有一承载面，该承载面面对该盖板之一下表面，其中该遮蔽层设置于部分之该承载面上，形成该盖板之该非可视区，该第一感测结构覆盖部分的该遮蔽层以及对应该可视区的该承载面。

6.如权利要求1所述之触控面板，其特征在于，更包含至少一导电线路，位于该非可视区内，该些第一感测电极其中之一者之一端电性连接该导电线路。

7.如权利要求1所述之触控面板，其特征在于，该交界处的范围更包含以该遮蔽层的边界为中心线，往相对两侧各延伸一预定距离的范围。

8.如权利要求1所述之触控面板，其特征在于，更包含一绝缘层，在该非可视区中，且该绝缘层形成在该第一感测结构与该遮蔽层之间，其中该交界处的范围更包含从该遮蔽层的边界至该绝缘层的边界。

9.如权利要求8所述之触控面板，其特征在于，该交界处的范围从该遮蔽层的边界的法线方向延伸一预定距离，或从该绝缘层的边界的法线方向延伸该预定距离。

10.一种触控面板的制造方法，其特征在于，包含：

提供一盖板，该盖板界定有一可视区以及一非可视区，其中该非可视区围绕于该可视区的周围；

形成一遮蔽层，以界定出该盖板的该非可视区；以及

形成图案化的一第一感测结构于该可视区以及至少部分该非可视区，其中该第一感测结构包含多个第一感测电极，任两相邻该些第一感测电极之间在该可视区内具有一第一间距，任两相邻该些第一感测电极之间在该可视区与该非可视区之一交界处具有一第二间距，且该第二间距大于该第一间距；

其中形成图案化之该第一感测结构的步骤更包含：形成一第一感测电极层于该可视区以及至少部分该非可视区，其中该第一感测电极层至少部分覆盖该遮蔽层；涂布一光阻层于该第一感测电极层；形成该光阻层的多个第一感测电极图案于该第一感测电极层上，其中该交界处的该些第一感测电极图案之间具有一第一蚀刻补偿间距，该第一蚀刻补偿间距的大小为该第二间距的大小加上一第一补偿值；以及利用该些第一感测电极图案蚀刻该第一感测电极层，以形成图案化的该多个第一感测电极；

其中形成该遮蔽层之步骤更包含：形成一镂空图案；其中该触控面板的制造方法更包含：形成图案化的一第二感测结构，该第二感测结构包含多个第二感测电极，该些第二感测电极位于该非可视区内且至少部分覆盖该镂空图案，任两相邻该些第二感测电极在该镂空图案外具有一第三间距，任两相邻该些第二感测电极在镂空图案之边缘处具有一第四间距，该第四间距大于该第三间距。

11.如权利要求10所述之触控面板的制造方法，其特征在于，该第一补偿值约为4微米。

12.如权利要求10所述之触控面板的制造方法，其特征在于，在该交界处，该遮蔽层之边缘具有一倾斜度，该第一补偿值的大小与该倾斜度成正比。

13.如权利要求10所述之触控面板的制造方法，其特征在于，形成图案化之该第二感测结构之步骤更包含：

形成一第二感测电极层于该非可视区，且该第二感测电极层至少部分覆盖该镂空图案；

涂布一光阻层于该第二感测电极层；

形成该光阻层的多个第二感测电极图案于该第二感测电极层上，其中横跨该镂空图案的边缘处的该些第二感测电极图案之间具有一第二蚀刻补偿间距，该第二蚀刻补偿间距的大小为该第四间距之大小加上一第二补偿值；以及

利用该些第二感测电极图案蚀刻该第二感测电极层，以形成图案化的多个第二感测电极。

14.如权利要求13所述之触控面板的制造方法，其特征在于，该第二补偿值约为4微米。

15.如权利要求13所述之触控面板的制造方法，其特征在于，在该镂空图案之边缘处，该遮蔽层之边缘具有一倾斜度，该第二补偿值的大小与该倾斜度成正比。

16.如权利要求10所述之触控面板的制造方法，其特征在于，形成该遮蔽层的步骤更包含：

形成该遮蔽层于部分该盖板的一下表面；

其中形成图案化的该第一感测结构的步骤更包含：

形成该第一感测结构于部分的该遮蔽层以及该盖板对应该可视区的该下表面。

17.如权利要求10所述之触控面板的制造方法，其特征在于，更包含：

提供一基板，其中该基板具有一承载面，该承载面面对该盖板的一下表面；

其中形成该遮蔽层的步骤更包含：

形成该遮蔽层于部分的该承载面上；

其中形成图案化的该第一感测结构的步骤更包含：

形成该第一感测结构于部分的该遮蔽层以及该基板对应该可视区的该承载面。

18.如权利要求10所述之触控面板的制造方法，其特征在于，更包含：

在该非可视区中形成一绝缘层于该第一感测结构与该遮蔽层之间，其中该交界处的范围更包括从该遮蔽层的边界至该绝缘层的边界。