TW201546460A - 電流測定裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係於在電路基板上安裝有電流測定用線圈與IC的電流測定裝置中，能降低從IC突出於外部的接腳自外部磁場受到的影響而提昇S/N。本發明特徵在於，包含：電路基板；電流測定用線圈，形成於該電路基板；IC，安裝於該電路基板，具有突出於外部的多數之接腳；2個導線部，形成於該電路基板，從該電流測定用線圈導出；及連接部，將該2個導線部分別連接至該多數之接腳之中的2根接腳；且該連接部包含受到自該外部磁場影響的導電圖案構造，以抵銷該2根接腳所圍成部分自外部磁場受到的影響。

Description

電流測定裝置

本發明係關於在配電盤等中用作為電流測定感測器的電流測定裝置，尤其關於將在形成有電流測定用線圈的電路基板上安裝有IC的電流測定裝置。

羅式線圈(rogowski coil)係在配電盤等中用作為電流偵測感測器，但LED電燈泡等電子設備持續省能化，而尋求高靈敏度化，以便能偵測更小的電流。此外，因為羅式線圈係無鐵芯，所以具有不會磁飽和、沒有磁損耗所致的發熱與磁滯(hysteresis)誤差等優點，另一方面，則具有輸出電壓低、因為外部磁場之影響使得S/N降低之缺點。

以下參照圖8說明外部磁場所致的影響。圖8中，(a)係顯示將環管形線圈捲繞於磁性體環管形鐵芯周圍的一般性CT(變流器)之構成以作為參考，(b)係顯示無芯的羅式線圈之構成。又，(c)係顯示一般性CT對垂直於紙面的方向之外部磁場所圍成的面積，(d)係顯示羅式線圈對垂直於紙面的方向之外部磁場所圍成的面積。

如圖8(a)所示，一般性CT係將導體螺旋狀地進繞於環管形鐵芯的周圍，在繞環面(toroidal)方向上捲完一圈時，對於垂直其繞環面方向之方向(亦即垂直紙面的方向)的磁場而言，係與1匝(trun)的線圈等價。因此，如圖8(c)所示，對於與繞環面方向垂直的方向之外部磁場而言，環管形線圈於圖紙面的截面成為直接受到外部磁場影響的區域(左斜陰影線)。但是，因為一般性CT具有磁性體鐵芯，所以穿過環管形鐵芯內部之被測磁場所致的輸出S遠大於外部磁場所致的雜訊N，因此外部磁場所致的影響並不太會成為問題。但是，因為羅式線圈係無鐵芯，所以被測磁場所致的輸出S小，容易受到外部磁場所致的影響，S/N降低成為問題。所以，如圖8(b)所示，將導體螺旋狀地向前捲繞，於繞環面方向繞完整圈後，在環管形線圈的中心部往反方向返繞1匝。因此，如圖8(d)所示，對與繞環面方向垂直的方向之外部磁場而言，環管形線圈於進繞方向上圖紙面的截面，受到返繞方向的一圈返繞線圈之截面所抵銷，受到外部磁場影響的區域(右斜陰影線)之面積減少。

就提高羅式線圈之S/N的手法而言，可考慮增加環管形線圈之匝數。但是，在例如專利文獻1所記載的利用電路基板兩面的導電圖案與通孔(引洞)來構成線圈之形式的羅式線圈中，因為可加工的通孔直徑或接點(land)外徑等的侷限而使得線圈之匝數受到限制。所以，在專利文獻1所記載的羅式線圈中，更在形成於電路基板正面的導電圖案下工夫，以消除外部磁場之影響。

圖9係顯示專利文獻1所記載的習知的羅式線圈201。另，在圖9中，為避免導線之交叉，而將進繞線圈與返繞線圈之元件符號標註於分開的位置。

在電路基板202的正面，從構成進繞線圈的通孔211起形成有：導電圖案251，朝向外周部放射狀地延伸，在外周部附近右彎折(dogleg)。導電圖案251的右彎折前端形成有通孔221。在電路基板202的背面，從通孔211的右鄰第二個通孔212起，形成有：導電圖案252，朝向外周部放射狀地延伸，在外周部附近左彎折(從背側觀察而言為右彎折)，且連接至上述通孔221。如此，利用正面的導電圖案251、通孔221、背面的導電圖案252、及通孔212來形成進繞線圈的1匝。此種導電圖案及通孔在環狀的電路基板202上於繞環面方向形成一圈，而形成進繞線圈。

在電路基板202的正面，從構成返繞線圈的通孔231起形成有：導電圖案261，朝向外周部往放射方向延伸成直線狀；且導電圖案261前端形成有通孔241。在電路基板202的背面，從通孔241起形成有：短導電圖案262，朝向外側左彎折(從背側觀察而言為右彎折)，且連接至通孔242。電路基板202的正面，從通孔242起形成有：短的導電圖案263，朝向內側左彎折，且連接至通孔243。在電路基板202的正面，從通孔242起形成有：短導電圖案263，朝向電路基板202外周部的2個同心圓之中的內側同心圓左彎折；且連接至形成於內側同心圓周上的通孔243。在電路基板202的背面，從通孔243起形成有：導電圖案264，朝向內周部往放射方向延伸成直線狀；且連接至通孔232。如此，正面的導電圖案261、通孔241、背面的導電圖案262、通孔242、正面的導電圖案263、通孔243、背面的導電圖案264及通孔232形成返繞線圈的1匝。將此種導電圖案及通孔在環狀的電路基板202上於繞環面方向形成一圈，形成返繞線圈。

在此羅式線圈201中，將導電圖案形成為於進繞方向與返繞方向不中斷地雙重形成環管形線圈，使得從垂直於電路基板202的方向(被測電流的流動方向)觀察而言，進繞線圈的1匝大小的區域S1之面積與返繞線圈的1匝大小的區域S2之面積幾乎相等。其結果，能利用返繞線圈自外部磁場受到的影響來抵銷進繞線圈自外部磁場受到的影響，使雜訊分量更少而進一步提高S/N。

另一方面，專利文獻2揭示有一種電流測定裝置，其係於形成有羅式線圈的電路基板上，安裝有將羅式線圈中流動的電流A/D轉換成測定值而輸出作為測定資料的IC(Integrated Circuit，積體電路)。在此電流測定裝置中，於電路基板的正面及背面形成非磁性導體的遮蔽部而覆蓋羅式線圈，提昇對於雜訊成因即外部磁場而言的阻斷效果。

上述專利文獻1及專利文獻2所揭示的習知電流測定用線圈及電流測定裝置，均有下工夫減少外部磁場對於羅式線圈本身的影響，但並未下工夫減少從羅式線圈起到上述IC為止的導線或從IC突出於外部的接腳所自外部磁場受到的影響。然而，本案發明人進行測定時，得知連從IC突出於外部的接腳也會受到外部磁場所致的影響，而使得S/N降低。 (先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2007－155427號公報 專利文獻2：日本特開2009－85620號公報

(發明所欲解決的問題)

本發明係為解決上述習知例的問題，提供一種電流測定裝置，能降低從IC突出於外部的接腳自外部磁場受到的影響而提昇S/N。 (解決問題之方式)

本發明之電流測定裝置，其特徵在於，包含：電路基板；電流測定用線圈，形成於該電路基板；積體電路(IC)，安裝於該電路基板，具有突出於外部的多數之接腳；2個導線部，形成於該電路基板，從該電流測定用線圈導出2個導線部，形成於該電路基板，從該電流測定用線圈導出2個導線部，形成於該電路基板，從該電流測定用線圈導出；及連接部，將該2個導線部分別連接至該多數之接腳之中的2根接腳；且該連接部包含：導電圖案構造，接受來自該外部磁場之影響，以抵銷該2根接腳所圍成部分自外部磁場受到的影響。

宜使該連接部具有與該2根接腳所圍成部分的面積約略相同面積的圖案部，該圖案部形成為使得電流與在該2根接腳流動的電流為反向流動。

宜使該連接部更包含：附加圖案，從該電路基板的厚度方向觀察而言，交叉成為X字形。

宜使，該電路基板具有彼此疊層的多數之導電層與多數之絕緣層及使通有被測電流的導體貫穿之開口，該電流測定用線圈形成為圍繞該開口。

宜使該多數之導電層分別具有導電圖案，該電路基板更包含：多數之通孔，將該多數之導電層各自之該導電圖案加以電性地連接；且該2條導線及該連接部各自利用該導電圖案與該多數之通孔來構成，該附加圖案部係由形成於該多數之導電層之中彼此不同導電層的導電圖案三維地交叉而形成。

或宜使該圖案部係形成於與該電路基板安裝有該IC之面同一面，並形成為從與該2根接腳之突出方向為相反側的該IC之下方起，與該2根接腳平行地穿過該IC的下方且從該2根接腳突出。

或宜使該附加圖案部係三維地交叉的接合線。 (發明之效果)

依據本發明，藉由設於2條導線與從IC突出於外部的2根接腳之連接部的構造自外部磁場受到的影響來抵銷從IC突出於外部的2根接腳之間所圍成的部分自外部磁場受到的影響，而能防止S/N降低。又，此種接受來自外部磁場之影響的構造，能於製造電路基板之際同時地形成，不會使得電流測定裝置的成本增加。

(實施發明之較佳形態)

以下說明本發明一實施形態之電流測定裝置。如圖1所示，本實施形態之電流測定裝置100形成於電路基板2之下述者所構成，亦即：電流測定用線圈1；及多數之導電圖案及多數之通孔，將安裝在該電路基板2的IC、電流測定用線圈1與電路基板2加以電性地連接。另，在圖1中，為易於理解，僅顯示第1導電層(實線)與第3導電層(虛線)之導電圖案。

本實施形態之電流測定用線圈(羅式線圈)1形成於將4個導電層與3個絕緣層交互疊層而形成的電路基板2，如圖1所示，於電路基板2的中央部形成有：圓形的開口3，用以使通有被測電流的導體貫穿。又，沿著圓形的開口3，於2個同心圓C1及C2的圓周上以既定間隔交錯形成有內周側的通孔61、…、及81、…。又，於電路基板2之外周部，於單一個圓周C3的圓周上以既定間隔形成有外周側的通孔51、…、及71、…。另，各通孔形成為貫穿4個導電層及3個絕緣層。又，從電流測定用線圈1導出有用以提取信號的第1導線部4及第2導線部5，並連接至從安裝於電路基板2上的IC7起突出於外部的2根接腳7a及7b。IC7，例如，將電流測定用線圈1中流動的電流A/D轉換成測定值而輸出作為測定資料。

構成羅式線圈的進繞線圈及返繞線圈，分別形成為環管形線圈。進繞線圈主要係利用下述等者構成：第2導電層的第2導電圖案20；第4導電層的第4導電圖案40；外周側通孔51、…；內周側通孔之中，形成於直徑較小之同心圓周上的通孔61、…。又，返繞線圈主要利用下述等者構成：第1導電層的第1導電圖案10；第3導電層的第3導電圖案30；外周側通孔71、…；內周側通孔之中，形成於直徑較大之同心圓周上的通孔81、…。

用於提取信號的第1導線部4連接至圖2所示的進繞線圈之起點部，即第1導電層的通孔51。通孔51連接至形成在圖5所示的第4導電層40的導電圖案，第4導電層40的導電圖案41連接至通孔61。通孔61連接至形成在圖3所示的第2導電層20的導電圖案，第2導電層20的導電圖案21連接至通孔52。通孔52藉由圖5所示的導電圖案41連接至通孔62。以下將此種迴圈於開口3周圍順時針旋轉一圈，形成進繞線圈。進繞線圈之最後的通孔6x，連接至圖2所示的形成在第1導電層10的直線狀的導電圖案11x，導電圖案11x連接至通孔71。

通孔71藉由圖4所示的形成在第3導電層30的導電圖案31而連接至通孔81。通孔81連接至圖2所示的形成在第1導電層10的導電圖案，並藉由第1導電層10的導電圖案11而連接至通孔72。通孔72藉由圖4所示的導電圖案31而連接至通孔82。以下將此種迴圈於開口3的周圍逆時針旋轉一圈，形成返繞線圈。返繞線圈最後的通孔8x連接至圖3所示的第2導電層20之直線狀的導電圖案21x，返繞線圈的終點部，即導電圖案21x，係連接用來提取信號的第2導線部5。

比較圖2與圖3可知，第1導線部4與第2導線部5分別形成於第1導電層10與第2導電層20，並經由通孔6而電性地連接有第1導電層10的導電圖案與第2導電層20的導電圖案。構成第1導線部4的導電圖案與構成第2導線部5的導電圖案，彼此電流為反向流動，形成從導電層2的疊層方向透視(以下簡稱為俯視)而言部分地相重疊的X字形(參照圖1)之交叉圖案。

圖2所示的第1導電層10之各導電圖案11x、11…的外側之放射狀部分11a與圖4所示的第3導電層30之各導電圖案31x、31、…的外側之放射狀部分31a，在俯視中彼此重疊。又，圖3所示的第2導電層20之各導電圖案21x、21、…的外側之放射狀部分21a與圖5所示的第4導電層40之各導電圖案41x、41、…的外側之放射狀部分41a在俯視中彼此重疊。另一方面，第1導電層10及第3導電層30之各導電圖案11x、11、…、31x、31、…的外側放射狀部分11a及31a與第2導電層20及第4導電層40之各導電圖案21x、21、…、41x、41、…、的外側放射狀部分21a及41a在俯視中彼此不重疊，而係彼此鄰接。

又，圖2所示的第1導電層10之各導電圖案11、…的圓周方向部分11b與圖3所示的第2導電層20之各導電圖案21、…的圓周方向部分21b在俯視中彼此重疊。同樣地，圖4所示的第3導電層30之各導電圖案31、…的圓周方向部分31b與圖5所示的第4導電層40之各導電圖案41、…的圓周方向部分41b，在俯視中彼此重疊。再者，圖2所示的第1導電層10之各導電圖案11、…的內側之放射狀部分11c與圖4所示的第3導電層30之各導電圖案31、…的內側之放射狀部分31c在俯視中彼此不重疊。同樣地，圖3所示的第2導電層20之各導電圖案21、…的內側之放射狀部分21c與圖5所示的第4導電層40之各導電圖案41、…的內側之放射狀部分41c，在俯視中彼此重疊。

如此，電路基板2具有4層由導電圖案所形成的導電層，分別形成進繞線圈與返繞線圈的導電圖案，從導電層的疊層方向透視而言係相重疊，因此，相較於圖11所示的習知例而言，能增加羅式線圈1的全部匝數，提高輸出信號的電壓，而能提高S/N。又，因為進繞線圈之導電圖案與返繞線圈之導電圖案彼此形成於不同的導電層，所以不須要用來跨越進繞線圈之導電圖案與返繞線圈之導電圖案的多餘通孔，電路基板2的全部通孔數量並不增加，能防止良率降低。再者，因為對於平行導電層之疊層方向的磁場而言，進繞線圈所圍成的面積與返繞線圈所圍成的面積大致相等，所以能抵銷自外部磁場受到的影響，使雜訊分量更少而進一步提高S/N。

另一方面，對於正交於導電層之疊層方向的外部磁場而言，環管形線圈之繞管面(poroidal)方向的1匝所圍成的面積受到影響。但是，此羅式線圈1係形成於疊層有多數之導電層與多數之絕緣層的電路基板2，並前所述地配置成：相重疊的進繞線圈之導電圖案彼此、相重疊的返繞線圈之導電圖案彼此、及相重疊的進繞線圈之導電圖案與返繞線圈之導電圖案彼此，電流為反向流動。更具體而言，如圖6所示，經由通孔71而連接的導電圖案11的放射狀部分11a與導電圖案31的放射狀部分31a在俯視中彼此重疊，即使受到箭頭A方向的外部磁場之影響，在導電圖案11的放射狀部分11a中流動的電流與在導電圖案31的放射狀部分31a中流動的電流方向也為反向，彼此相抵消。對於經由通孔52而連接的導電圖案21之放射狀部分21a與導電圖案41之放射狀部分41a而言亦相同。

如前所述，進繞線圈與返繞線圈彼此相連繫，且線圈的繞線方向相反。所以，受到箭頭B方向的外部磁場之影響時，因為導電圖案11的圓周方向部分11b與導電圖案21的圓周方向部分21b在俯視中彼此重疊，所以導電圖案11的圓周方向部分11b與導電圖案21的圓周方向部分21b中流動的電流之方向呈反向，彼此相抵銷。導電圖案31的圓周方向部分31b與導電圖案41、…的圓周方向部分41b亦係相同。再者，導電圖案11內側的放射狀部分11c與導電圖案31鄰一個的內側放射狀部分31c，導電圖案21內側的放射狀部分21c與導電圖案41相鄰第一個內側的放射狀部分41c亦係相同。

如此，因為形成為對於正交於電路基板2之疊層方向的外部磁場而言，利用在形成於鄰接導電層的導電圖案流動的電流抵銷在形成於1個導電層的導電圖案流動的電流，能使雜訊分量更少並進一步提高S/N。尤其，因為被測電流以外的電流等所產生的外部磁場，若較靠近該電流則影響較大，所以宜利用在形成於更近的導電層的導電圖案流動的電流使彼此抵銷。

從圖1至圖3及圖6可知，第1導線部4及第2導線部5，還有第1導線部4及第2導線部5與IC7的2個接腳7a及7b之連接部8，均分別利用下述者構成：第1導電層的第1導電圖案10及第2導電層的第2導電圖案20；及多數之通孔6，在厚度方向上貫穿電路基板2，將第1導電圖案10與第2導電圖案20加以電性地連接。構成第1導線部4的導電圖案與構成導線部5的導電圖案，形成為部分地相重疊且在俯視中呈X字形的交叉圖案，使得彼此電流為反向流動。因此，就來自外部磁場的影響而言，亦因為在第1導線部4流動的電流與在第2導線部5流動的電流彼此相抵銷，所以能防止第1導線部4與第2導線部5所致S/N降低。

又，連接部8與第1導線部4及第2導線部5之導電圖案不同，具有意圖性接受來自外部磁場之影響的構造，具有在俯視中彼此平行的部分8a及8b。又，彼此平行的部分8a及8b與IC7的2根接腳7a及7b所連接的接點8c及8d之間，形成有在俯視中呈X字形的交叉圖案8e。在此，設定彼此平行的部分8a及8b之長度還有間隔，使得從IC7突出於外部的2根接腳7a及7b(及交叉圖案8e)之間所圍成部分之面積，與連接部8之中彼此平行的部分8a及8b(及交叉圖案8e)之間所圍成部分之面積幾乎相等。

將從IC7突出於外部的2根接腳7a及7b(及交叉圖案8e)視為1個線圈時，可將連接部8之中彼此平行的部分8a及8b(及交叉圖案8e)亦同樣地視為1個線圈，藉由插設有如上所述的交叉圖案8e，當有外部磁場的影響來到時，彼此電流之流動方向成相反，而能抵銷外部磁場所產生的電流。又，如上所述，因為從IC7突出於外部的2根接腳7a及7b(及交叉圖案8e)之間所圍成部分之面積，與連接部8之中彼此平行的部分8a及8b(及交叉圖案8e)之間所圍成部分之面積幾乎相等，所以產生的電流值亦約略相同，得以使外部磁場所產生的電流值幾乎為零。

圖7係顯示本實施形態之電流測定裝置的其他構成例。在圖7所示的構成例中，將連接部8形成於IC7本體的下方，亦即未形成有接腳的部分。並且，就接受來自外部磁場的影響之構造而言，係形成於電路基板2安裝有IC7之面(亦即正面)的導電圖案，且係從與突出於IC7外部的2根接腳7a及7b的突出方向為相反側起與2根接腳7a及7b平行地穿過IC7下方而到達在IC7外部並於2根接腳下方的，導電圖案8f及8g。此導電圖案8f及8g係作為連接部8的平行部分兼接點來發揮功能。眾所周知，從IC7突出於外部的接腳係三維地形成，具有相對於電路基板2之安裝面而言為懸空的部分。因此，依據如圖7所示的構成，在導電圖案8f流動的電流之方向，從IC7突出於外部的接腳7a之懸空部分所流動的電流之方向，係相反。又，從IC7突出於外部的2根接腳7a及7b之間所圍成部分的面積，與連接部8之中彼此平行的部分即導電圖案8f及8g之間所圍成部分的面積幾乎相等，所以產生的電流值亦幾乎為相同，能使得外部磁場所產生的電流值幾乎為零。

另，本發明不限於上述實施形態之說明，可進行各種變形。首先，就電流測定用線圈而言，不限定於環管形線圈，亦可係採用鐵芯的一般性CT。又，電路基板之構成亦無須係具有多數之導電層的另一基板，可係導電層為一層的電路基板。此時，就從電流測定用線圈導出的2個導線部及從IC突出於外部的2根接腳之連接部接受來自外部磁場影響的構造而言，只要使接合線三維地交叉，在俯視中呈X字形交叉即可。

1、201‧‧‧羅式線圈
2、202‧‧‧電路基板
3‧‧‧開口
4‧‧‧第1導線部
5‧‧‧第2導線部
6‧‧‧通孔
7‧‧‧IC
7a、7b‧‧‧從IC突出於外部的接腳
8‧‧‧連接部
8a、8b‧‧‧(連接部之)平行的部分
8c、8d‧‧‧(連接部之)接點
8e‧‧‧(連接部之)交叉圖案
8f、8g‧‧‧(作為連接部的平行部分兼接點來發揮功能之)導電圖案
10‧‧‧第1導電層
20‧‧‧第2導電層
30‧‧‧第3導電層
40‧‧‧第4導電層
51、52、61、62、6x、71、72、82、211、221、231、232、241、242、243‧‧‧通孔
11、11x、21、21x、31、31x、41、41x、251、252、261、264‧‧‧導電圖案
11a、21a、31a、41a‧‧‧(導電圖案之)放射狀部分
11b、21b、31b、41b‧‧‧(導電圖案之)圓周方向部分
11c、21c、31c、41c‧‧‧(導電圖案之)放射狀部分
100‧‧‧電流測定裝置
262、263‧‧‧短導電圖案
C1、C2、C3‧‧‧同心圓
S1、S2‧‧‧面積

圖1係顯示本發明一實施形態之電流測定裝置亦即形成有電流測定用線圈並安裝有IC的電路基板之俯視圖。 圖2係顯示形成於上述實施形態中的電路基板之第1導電層的第1導電圖案之俯視圖。 圖3係顯示形成於上述實施形態中的電路基板之第2導電層的第2導電圖案之俯視圖。 圖4係顯示形成於上述實施形態中的電路基板之第3導電層的第3導電圖案之俯視圖。 圖5係顯示形成於上述實施形態中的電路基板之第4導電層的第4導電圖案之俯視圖。 圖6係圖1的局部放大圖。 圖7係顯示本發明一實施形態之電流測定裝置的其他構成例。 圖8係一般性CT與羅式線圈的外部磁場所致影響之比較說明圖。 圖9係顯示習知的羅式線圈之俯視圖。

4‧‧‧第1導線部

5‧‧‧第2導線部

7‧‧‧IC

7a、7b‧‧‧從IC突出於外部的接腳

8‧‧‧連接部

8a、8b‧‧‧(連接部之)平行的部分

8c、8d‧‧‧(連接部之)接點

8e‧‧‧(連接部之)交叉圖案

Claims (7)

1. 一種電流測定裝置，其特徵在於，包含： 電路基板； 電流測定用線圈，形成於該電路基板； 積體電路(IC)，安裝於該電路基板，具有突出於外部的多數之接腳； 2個導線部，形成於該電路基板，從該電流測定用線圈導出；及 連接部，將該2個導線部分別連接至該多數之接腳之中的2根接腳； 且該連接部包含：導電圖案構造，接受來自該外部磁場之影響，以抵銷該2根接腳所圍成部分自外部磁場所受到的影響。
2. 如申請專利範圍第1項之電流測定裝置，其中， 該連接部具有與該2根接腳所圍成部分的面積約略相同面積的圖案部， 該圖案部係形成為使與流過該2根接腳的電流反向的電流流過之。
3. 如申請專利範圍第1或2項之電流測定裝置，其中， 該連接部更包含：附加圖案，從該電路基板的厚度方向觀察，該附加圖案係交叉成為X字形。
4. 如申請專利範圍第3項之電流測定裝置，其中，該電路基板具有彼此疊層的多數之導電層與多數之絕緣層，及由通有被測電流的導體貫穿之開口， 該電流測定用線圈形成為圍繞該開口。
5. 如申請專利範圍第4項之電流測定裝置，其中， 該多數之導電層分別具有導電圖案， 該電路基板更包含：多數之通孔，將該多數之導電層各自之該導電圖案加以電性地連接； 且該2條導線及該連接部分別由該導電圖案與該多數之通孔來構成， 該附加圖案部係由形成於該多數之導電層之中彼此不同導電層的導電圖案三維地交叉而形成。
6. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之電流測定裝置，其中，該圖案部係形成於與該電路基板安裝有該積體電路之面同一面，並形成為從與該2根接腳之突出方向為相反側的該積體電路之下方起，與該2根接腳平行地穿過該積體電路的下方且從該2根接腳突出。
7. 如申請專利範圍第3項之電流測定裝置，其中，該附加圖案部係三維地交叉的接合線。