TW201545337A - 半導體結構 - Google Patents

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Abstract

一種半導體結構，包括一矽基板、一緩衝層、一氮化物磊晶結構層以及複數個不連續性應力釋放層。緩衝層配置於矽基板上。氮化物磊晶結構層配置於緩衝層上。不連續性應力釋放層配置於矽基板與氮化物磊晶結構層之間，其中不連續性應力釋放層的材質為氮化矽。

Description

半導體結構
本發明是有關於一種半導體結構，且特別是有關於一種具有不連續性應力釋放層的半導體結構。
隨著半導體科技的進步，現今的發光二極體已具備了高亮度的輸出，加上發光二極體具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點，因此發光二極體已廣泛地應用在顯示器與照明等領域。一般而言，發光二極體晶片採用寬能隙半導體材料，如氮化鎵(GaN)等材料，來進行製作。然而，除了熱膨脹係數以及化學性質的不同外，氮化鎵材料與異質基板的晶格常數(lattice constant)亦具有無法忽視的差異。所以，於異質基板上成長之氮化鎵層會因為晶格不匹配(lattice mismatch)而產生晶格差排(dislocation)的現象，且晶格差排又會沿著氮化鎵層之厚度方向而延伸造成氮化鎵層的不穩定。再者，亦由於氮化鎵材料與異質基板的晶格不匹配的原因，氮化鎵材料相對於異質基板會產生極大的結構應力，其中隨著成長厚度越厚時，所累積的應力就越大，當超過某一臨界值，材料層就無法承受此應力，而必須以其他形 式來釋放應力。如此一來，晶格差排除了會造成磊晶上的缺陷而使得發光二極體的發光效率降低，並且導致使用壽命縮短之外，亦無法成長很厚的氮化鎵層。
本發明提供一種半導體結構，其具有不連續性應力釋放層，能夠釋放習知晶格不匹配所造成的應力問題且能減少晶格差排在厚度方向上的延伸現象。
本發明的半導體結構，其包括一矽基板、一緩衝層、一氮化物磊晶結構層以及複數個不連續性應力釋放層。緩衝層配置於矽基板上。氮化物磊晶結構層配置於緩衝層上。不連續性應力釋放層配置於矽基板與氮化物磊晶結構層之間，其中不連續性應力釋放層的材質為氮化矽。
在本發明的一實施例中，上述的每一不連續性應力釋放層的厚度小於1微米。
在本發明的一實施例中，上述的不連續性應力釋放層位於緩衝層內。
在本發明的一實施例中，上述的不連續性應力釋放層位於氮化物磊晶結構層內。
在本發明的一實施例中，上述的氮化物磊晶結構層包括一第一氮化物磊晶結構層以及一第二氮化物磊晶結構層，而第一氮化物磊晶結構層配置於第二氮化物磊晶結構層與緩衝層之間。
在本發明的一實施例中，上述的第一氮化物磊晶結構層為一氮化鋁鎵(AlGaN)層、一氮化鋁(AlN)/氮化鎵(GaN)超晶格結構(superlattices,SLs)層或一氮化鋁銦鎵(AlInGaN)層，而第二氮化物磊晶結構層為一氮化鎵(GaN)層。
在本發明的一實施例中，上述的不連續性應力釋放層配置於第一氮化物磊晶結構層內，且相鄰兩不連續性應力釋放層之間相隔一間隔距離。
在本發明的一實施例中，上述的不連續性應力釋放層配置於第二氮化物磊晶結構層內，且相鄰兩不連續性應力釋放層之間相隔一間隔距離。
在本發明的一實施例中，上述的一不連續性應力釋放層部分配置於第一氮化物磊晶結構內，另一不連續性應力釋放層配置於第二氮化物磊晶結構內，且位於第一氮化物磊晶結構內的不連續性應力釋放層與位於第二氮化物磊晶結構內的不連續性應力釋放層相隔一間隔距離。
在本發明的一實施例中，上述的不連續性應力釋放層同時配置於緩衝層、第一氮化物磊晶結構層及第二氮化物磊晶結構層內，且相鄰兩不連續性應力釋放層之間相隔一間隔距離。
在本發明的一實施例中，上述的一不連續性應力釋放層位於氮化物磊晶結構層內，另一不連續性應力釋放層位於緩衝層內，且位於氮化物磊晶結構層內的不連續性應力釋放層與位於緩衝層內的不連續性應力釋放層相隔一間隔距離。
基於上述，由於本發明的半導體結構於矽基板與氮化物磊晶結構層之間設置有材質為氮化矽的不連續性應力釋放層，藉此來降低氮化物磊晶結構層與矽基板的晶格差異所產生的應力，可有效降低晶格差排在厚度方向上的延伸現象及降低缺陷密度，進而提升整體半導體結構的品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100a、100b、100c、100d、100e、100f‧‧‧半導體結構
110‧‧‧矽基板
120‧‧‧緩衝層
130、130’‧‧‧氮化物磊晶結構層
132‧‧‧第一氮化物磊晶結構層
134‧‧‧第二氮化物磊晶結構層
140a1、140a2、140b1、140b2、140c1、140c2、140d1、140d2、140e1、140e2、140f‧‧‧不連續性應力釋放層
D、D’、D’’、D’’’、D1、D2‧‧‧間隔距離
圖1繪示為本發明的一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。
圖4繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。
圖1繪示為本發明的一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，半導體結構100a包括一矽基板110、一緩衝層120、一氮化物磊晶結構層130以及複數個不連續性應力釋放層140a1、140a2(此處僅示意地繪示兩個，但並不以此個數為限)。緩衝層120配置於矽基板110上。氮化物磊晶結構層130配置於緩衝層120上。不連續性應力釋放層140a1、140a2配置於矽基板110與氮化物磊晶結構層130之間，其中不連續性應力釋放層140a1、140a2的材質為氮化矽。
詳細來說，如圖1所示，本實施例的不連續性應力釋放層140a1、140a2是位於緩衝層120內。較佳地，每一不連續性應力釋放層140a、140a2的厚度例如是小於1微米，可釋放氮化物磊晶結構層130的應力，且又不致於影響氮化物磊晶結構層130整體成長。此外，本實施例的緩衝層120具體化為一氮化鋁層，而氮化物磊晶結構層130具體化為一氮化鋁鎵層、一氮化鋁/氮化鎵超晶格結構層、一氮化鋁銦鎵層、一氮化鎵層或者是由上述的四種材料層至少其中兩種共同堆疊而成的磊晶結構層，於此並不加以限制。
由於本實施例的半導體結構100a於矽基板110與氮化物磊晶結構層130之間設置有材質為氮化矽的不連續性應力釋放層140a1、140a2，具體來說，本實施例的不連續性應力釋放層140a1、 140a2是位於緩衝層120內。因此，可輔助減緩氮化物磊晶結構層130與矽基板110之間因熱膨脹係數及晶格的差異所造成應力，也可阻擋在不連續性應力釋放層140a1、140a2成長前已形成之差排，使差排無法繼續向上成長並可降低缺陷密度，進而提升整體半導體結構100a的品質。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖2，本實施例的半導體結構100b與圖1中的半導體結構100a相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的半導體結構100b的不連續性應力釋放層140b1、140b2配置於氮化物磊晶結構層130內，且不連續性應力釋放層140b1與不連續性應力釋放層140b2之間相隔一間隔距離D，藉由分散地配置不連續性應力釋放層140b1、140b2，使得應力釋放能力更顯著。較佳地，不連續性應力釋放層140b1、140b2的材質為氮化矽，且不連續性應力釋放層140b1、140b2的厚度小於1微米。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖3，本實施例的半導體結構100c與圖1中的半導體結構100a相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的不連續性應力釋放層140c1位於氮化物磊晶結構層130 內，不連續性應力釋放層140c2位於緩衝層120內，且位於氮化物磊晶結構層130內的不連續性應力釋放層140c1與位於緩衝層120內的不連續性應力釋放層140c2相隔一間隔距離D’。
圖4繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。請同時參考圖2與圖4，本實施例的半導體結構100d與圖2中的半導體結構100b相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的氮化物磊晶結構層130’具體化包括一第一氮化物磊晶結構層132以及一第二氮化物磊晶結構層134，其中第一第一氮化物磊晶結構層132配置於第二氮化物磊晶結構層134與緩衝層120之間。此處，第一氮化物磊晶結構層132例如為一氮化鋁鎵層、一氮化鋁/氮化鎵超晶格結構層或一氮化鋁銦鎵層，而第二氮化物磊晶結構層134例如為一氮化鎵層，但不以此為限。此外，本實施例的半導體結構100d的不連續性應力釋放層140d1、140d2具體化為配置於第二氮化物磊晶結構層134內且相隔一間隔距離D’’。當然，於其他未繪示的實施例中，不連續性性應力釋放層140d1、140d2亦可配置於第一氮化物磊晶結構層132內且相隔一間隔距離D’’，此仍屬於本發明所欲保護之範圍。較佳地，不連續性應力釋放層140d1、140d2的材質為氮化矽，且不連續性應力釋放層140d1、140d2的厚度小於1微米。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。請同時參考圖4與圖5，本實施例的半導體結構100e與圖4中的半導體結構100d相似，惟二者主要差異之處在於：本 實施例的半導體結構100e的不連續性應力釋放層140e1配置於第一氮化物磊晶結構層132內，而不連續性應力釋放層140e2配置於第二氮化物磊晶結構134內，且位於第一氮化物磊晶結構層132內的不連續性應力釋放層140e1與位於第二氮化物磊晶結構層134內的不連續性應力釋放層140e2相隔一間隔距離D’’’。較佳地，不連續性應力釋放層140e1、140e2的材質為氮化矽，且不連續性應力釋放層140e1、140e2的厚度小於1微米。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種半導體結構的剖面示意圖。請同時參考圖5與圖6，本實施例的半導體結構100f與圖5中的半導體結構100e相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的半導體結構100f更包括一不連續性應力釋放層140f，其中不連續性應力釋放層140f配置於緩衝層120內。也就是說，本實施例中的不連續性應力釋放層140e1、140e2、140f分別同時配置於第一氮化物磊晶結構層132、第二氮化物磊晶結構層134及緩衝層120內，而不連續性應力釋放層140e1與不連續性應力釋放層140e2之間相隔一間隔距離D1，且不連續性應力釋放層140e1與不連續性應力釋放層140f之間相隔一間隔距離D2。較佳地，不連續性應力釋放層140f的材質為氮化矽，且不連續性應力釋放層140f的厚度小於1微米。
綜上所述，由於本發明的半導體結構於矽基板與氮化物磊晶結構層之間設置有材質為氮化矽的不連續性應力釋放層，其中不連續性應力釋放層可位於緩衝層、氮化物磊晶結構層或緩衝 層及氮化物磊晶結構層內。因此，本發明可藉著不連續性應力釋放層來降低氮化物磊晶結構層與矽基板的晶格差異所產生的應力，也可阻擋在不連續性應力釋放層成長前已形成之差排，可有效降低晶格差排在厚度方向上的延伸現象及降低缺陷密度，進而提升整體半導體結構的品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a‧‧‧半導體結構
110‧‧‧矽基板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧氮化物磊晶結構層
140a1、140a2‧‧‧不連續性應力釋放層

Claims (11)

  1. 一種半導體結構，包括：一矽基板；一緩衝層，配置於該矽基板上一氮化物磊晶結構層，配置於該緩衝層上；以及複數個不連續性應力釋放層，配置於該矽基板與該氮化物磊晶結構層之間，其中該些不連續性應力釋放層的材質為氮化矽。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體結構，其中各該不連續性應力釋放層的厚度小於1微米。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體結構，其中該些不連續性應力釋放層位於該緩衝層內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體結構，其中該些不連續性應力釋放層位於該氮化物磊晶結構層內。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的半導體結構，其中該氮化物磊晶結構層包括一第一氮化物磊晶結構層以及一第二氮化物磊晶結構層，而該第一第一氮化物磊晶結構層配置於該第二氮化物磊晶結構層與該緩衝層之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的半導體結構，其中該第一氮化物磊晶結構層為一氮化鋁鎵層、一氮化鋁/氮化鎵超晶格結構層或一氮化鋁銦鎵層，而該第二氮化物磊晶結構層為一氮化鎵層。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的半導體結構，其中該些不連續性應力釋放層配置於該第一氮化物磊晶結構層內，且相鄰兩該 些不連續性應力釋放層之間相隔一間隔距離。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的半導體結構，其中該些不連續性應力釋放層配置於該第二氮化物磊晶結構層內，且相鄰兩該些不連續性應力釋放層之間相隔一間隔距離。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的半導體結構，其中一該不連續性應力釋放層配置於該第一氮化物磊晶結構內，另一該不連續性應力釋放層配置於該第二氮化物磊晶結構內，且位於該第一氮化物磊晶結構內的該不連續性應力釋放層與位於該第二氮化物磊晶結構內的該不連續性應力釋放層相隔一間隔距離。
  10. 如申請專利範圍第5項所述的半導體結構，其中該些不連續性應力釋放層同時配置於該緩衝層、該第一氮化物磊晶結構層及該第二氮化物磊晶結構層內，且相鄰兩該些不連續性應力釋放層之間相隔一間隔距離。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的半導體結構，其中一該不連續性應力釋放層位於該氮化物磊晶結構層內，另一該不連續性應力釋放層位於該緩衝層內，且位於該氮化物磊晶結構層內的該不連續性應力釋放層與位於該緩衝層內的該不連續性應力釋放層相隔一間隔距離。
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