TW201543596A - 晶圓形物品的處理方法及設備 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種晶圓形物品的處理方法及裝置，包含：旋轉夾盤，用以支撐晶圓形物品並使該晶圓形物品繞著旋轉軸旋轉；至少一配送器，用以將液體配送到晶圓形物品之至少一表面上。收集器，環繞該旋轉夾盤以收集處理液體，該收集器具有至少兩個收集器階層，以分別收集在不同的收集器階層的液體。每一收集器階層均包含一排氣收集腔室，其係連接至各別的排氣導管。該等排氣導管中至少一個包含閥門機構，當將該排氣導管開放至該收集器之外在環境時，該閥門機構乃往復地限制來自其相關聯之排氣導管的排氣流，反之亦然。

Description

晶圓形物品的處理方法及設備

本發明係關於晶圓形物品（例如半導體晶圓、平面顯示器或是光碟）之處理裝置及處理方法。

半導體晶圓需經歷各種表面處理製程，例如蝕刻、清潔、拋光以及材料沈積。為了能容納此等製程，一單一晶圓可能由與可旋轉之載體相關聯之夾盤以相對於一個以上之處理流體噴嘴的方式所支撐，如美國專利號第4,903,717以及5,513,668中所述。

美國專利號第4,903,717中揭露其旋轉夾盤可能以相對於環繞該夾盤之液體收集器的方式而被升高或降低，該液體收集器具有複數個液體收集階層以及一共用排放口，以收集來自該液體收集器內部之氣體。

美國專利號第7,837,803揭露一改良之液體氣體收集器，其中每階層之排放均可透過每階層所提供之閥門而各別加以控制。然而，依照該晶圓形物品上所執行的特定製程，該專利之閥門會與化學腐蝕性強的煙氣（chemically aggressive fumes）相接觸。在此種情況下，很難使此等閥門維持在良好運作狀態。

這也就是為什麼需要一收集器結構是可更佳地避免來自不同介質（例如酸、鹼、有機）之煙氣在一共用處理室中混合，以防止蒸汽交互污染。此種交互污染可能導致結晶固體沈積於脆弱的處理設備上、以及導致其他的各種安全問題。

因此，在一態樣而言，本發明係關於晶圓形物品之處理裝置，其包含旋轉夾盤，用以支撐晶圓形物品並使該晶圓形物品繞著旋轉軸旋轉；至少一配送器，用以將液體配送到晶圓形物品之至少一表面上。收集器，環繞該旋轉夾盤以收集處理液體，該收集器具有至少兩個收集器階層，以分別收集在不同的收集器階層的液體。該至少兩個收集器階層的每一個均包含一排氣收集腔室，其係連接至各別的排氣導管。該等排氣導管中至少一個包含閥門機構，當將該排氣導管開放至該收集器之外在環境時，該閥門機構乃往復地限制來自其相關聯之排氣導管的排氣流，反之亦然。此處所使用的「流體」一詞，係意味著液體，然而此液體可能包含氣泡（例如以泡沫本質之兩相混合物）、或兩種以上之互溶或不互溶液體的混合物、或是含有懸浮固體之液體、或是前述物品之任意混合物。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，其中該等排氣導管的其中之一包含旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該等排氣導管中的該個導管引導至該等排氣導管中的另一個。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，其中該閥門機構包含止回閥，該止回閥係於一腔室位置以及一大氣位置之間移動，當該止回閥位於腔室位置時，來自其相關聯之排氣導管的排氣可被容許通過，同時該排氣導管係密封於該外部大氣環境，而當止回閥位於大氣位置時，位於收集器外部之環境大氣可被容許通過，同時該排氣導管則密封於該閥門機構之腔室排氣上游。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，其中該收集器包含至少三個收集器階層，且其中至少兩個收集器階層之排氣導管的每一個均具有一相對應的閥門機構。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，其中該等排氣導管其中之一包含：第一旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該等排氣導管中的該個導管引導至該等排氣導管中的第二個； 並包含第二旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該等排氣導管中的該個導管引導至該等排氣導管中的第三個。

根據本發明之裝置的較佳實施例中， 提供一控制器以啟動該閥門機構，且其中該閥門機構的啟動係回應於該旋轉夾盤相對於該收集器從一收集器階層至另一收集器階層的移動。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，該等收集器階層係沿著該旋轉夾盤之旋轉軸而垂直疊加。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，該收集器包含三個收集器階層，且其中該等收集器階層的最上面一個的排氣導管包含：第一旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該排氣導管轉向至該三個收集器階層之最下面一個的排氣導管；並包含第二旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該排氣導管轉向至該三個收集器階層之中間一個的排氣導管，且一閥門機構置於該最上面收集器階層之該排氣導管中而位於該第一及第二旁通閥之下游。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，該收集器包含三個收集器階層，且每一相對應排氣導管均包含一各別閥門機構。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，該閥門機構可經操作，俾使在與其相關聯之排氣導管中之該閥門機構的啟動在該至少兩個收集器階層之任意其他個中引發的壓力變化低於20 Pa。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，該等排氣導管中之至少一個更包含置於該閥門機構上游之旁通閥，該旁通閥可經操作而將排除的氣體自該排氣導管引導至該等排氣導管中的另一個。

根據本發明之裝置的較佳實施例中，該閥門機構以及該旁通閥均由一控制器所操作，俾使該旁通閥與該閥門機構的啟動同步，該旁通閥的啟動係用以將排除氣體自該至少一導管引導至該另一導管，而該閥門機構的啟動係用以將該至少一導管密封於腔室排氣通道，同時在該旁通閥的下游處將該至少一排氣導管開放至一外在環境。

在另一態樣中，本發明係關於一種晶圓形物品的處理方法，其步驟包含：於旋轉夾盤上支撐晶圓形物品並使該晶圓形物品繞著旋轉軸旋轉； 將第一液體配送到該晶圓形物品之至少一表面上。在環繞該旋轉夾盤之收集器的至少兩個處理階層處分別收集處理液體。該至少兩個收集器階層中的每一個均包含一排氣收集腔室，該腔室係連接至各別的排氣導管。操作與該等排氣導管中至少一個連接之閥門機構，俾使當將該排氣導管開放至該收集器之外在環境時，該閥門機構乃往復地限制來自其相關聯之排氣導管的排氣流，反之亦然。

根據本發明之方法的較佳實施例中，其步驟包含操作安裝於該等排氣導管其中之一的旁通閥，以便將排除的氣體自該排氣導管引導至另一個排氣導管。

根據本發明之方法的較佳實施例中，進行該閥門機構的操作，以便使一止回閥於一腔室位置以及一大氣位置之間移動，當止回閥位於腔室位置時，來自其相關聯之排氣導管的排氣可被容許通過，同時該排氣導管係密封於該外部大氣環境，而當止回閥位於大氣位置時，位於收集器外部之環境大氣可被容許通過，同時該排氣導管則密封於該閥門機構之上游的腔室排氣。

根據本發明之方法的較佳實施例中，該閥門機構可經操作，俾使與其相關聯之排氣導管中之該閥門機構的啟動在該至少兩個收集器階層之任意其他個中引發的壓力變化低於20 Pa。

根據本發明之方法的較佳實施例中，具有各自不同組成之處理氣體的每一個係分別藉由各別排氣導管排放。

根據本發明之方法的較佳實施例中，配送第二流體至該晶圓形物品上，其中第二流體之化學組成係與第一流體不同，並透過排氣導管來收集第二流體所產生之氣體，該排氣導管係與收集產生自第一流體之氣體所通過之排氣導管不同。

根據本發明之方法的較佳實施例中，排除的氣體乃由至少兩個不同的收集器藉由一共同排氣單元而同時收集。

在下面所描述的實施例中，排氣流係經控制，俾使當相應於特定製程階層的特定排放被開啟或關閉時僅會產生最小的影響。若關閉一製程階層之排放，在該特定排放中便會產生壓力降低。為了避免此情況（壓力降），在關閉對製程階層的排放的同時、便開啟對大氣的開放。因此相同數量的空氣被排出而不會產生任何突然的壓力降。此種技術也因此防止了因壓力突然增加而出現的腔室內交互感染。

圖1顯示裝置1，其包含用以支撐並旋轉晶圓W之旋轉夾盤2。旋轉夾盤2係連接至齒輪馬達單元5而繞著其軸B旋轉。配送裝置3係用以配送流體至晶圓W的上表面上。晶圓W可能例如是300mm、400mm矽晶圓進行各種前段（FEOL）、中段（MOL）、後段（BEOL）製程，包含相關的清潔及乾燥製程。

杯狀流體收集器4係環繞旋轉夾盤2。該流體收集器較佳係安裝於框架上（未顯示）。例如液壓千斤頂或氣缸的舉升裝置H的提供係為了將旋轉夾盤位置相對於流體收集器而改變，在此例中係藉由升高流體收集器4。旋轉夾盤2便可定位於該三個收集器階層L1、L2及L3中的每一個。

每一收集器階層L1、L2及L3均包含環形導管41、42、43來收集被旋轉而掉落的處理流體。每一收集器階層均可使用一額外的擋板（未顯示），而讓旋落的流體以銳角角度撞擊擋板，然後再導至該環形導管。每一環形導管41、42、43均連接至一各別管路（未顯示），透過該管路而排出所收集的流體。排出之流體可再加以利用而配送至基板、或收集起來成為廢棄流體。

圖1中之虛線指出基板即將放置的相對位置，以將流體旋落至不同的收集器階層。

在每一收集器階層L1、L2、L3上方設置有對內部開放之環狀排放導管21、22、23。每一導管21、22、23均引導至各別的環狀集氣腔室11、12、13。

每一集氣腔室11、12、13係由各別排放管31、32、33連接至排放單元60，排放單元60包含風扇或類似物，以將排除氣體自收集器抽出，並如箭頭E所描繪而排放掉那些氣體。圖1僅顯示一個排放單元60。在本實施例中之每一排放管31、32、33均配置有一各別閥門51、52、53，該等閥門可經控制，俾使讓來自其相關聯的收集器階層之排氣通過，或者關閉來自其相關聯的收集器階層之排氣而同時將閥門51、52、53開放至收集器4之外部大氣。

又，在此實施例中，旁通閥54的位置係與排放管31及33相連通，因此該收集器之階層L3的排放，如果需要的話，可透過旁通管56而自排放管33導引至排放管31，反之亦然。類似地，在本實施例中，旁通閥55的位置係與排放管32及33相連通，因此該收集器之階層L3的排放，如果需要的話，可透過旁通管57而自排放管33導引至排放管32，反之亦然。

在圖1中，夾盤2係定位於階層L1處，於其中進行對晶圓W的給定製程，例如利用氫氧化銨及過氧化氫之水性混合液的SC-1清潔製程。因旁通閥54位於階層L1而閥門51位於腔室位置，於該製程期間產生的氣體(為鹼性性質)係透過排放管31而自腔室11抽出。

另一方面，閥門52位於大氣位置，故自排放管32所抽之氣體並非來自腔室12而是來自外界空氣，如圖1中之箭頭A所示。旁通閥55位於階層L2，故外界空氣會通過排氣管32而進入排放單元60。至於階層L3的排放，因閥門53位於腔室位置且旁通閥54及55兩者均關閉，故並無管31、32、33之間的排放調動，階層L3的排放係通過排放管33而排放至排放單元60。

如圖2所示，在本實施例中，閥門52係作為止回閥而在實線位置以及虛線位置之間移動，當位於實線位置時，外界空氣可通過洞58（大氣位置）而允許進入排放管32，而在虛線位置時，洞58係被關閉而來自收集器4之階層L2的排氣E2便可自由進入排放管32（腔室位置）。值得注意的是，如此描述之閥門52亦可位於任意所需的中間位置，俾使經控制之外界及腔室氣體的混合物饋入排放管。

雖然圖2中係說明閥門52，吾人應理解閥門51及53亦為類似結構且以相同原理運作。

在下列表中，係以閥門51-55之相對應位置列出一系列的製程操作，並以圖3-圖14來說明。

在圖3中，夾盤2乃相對於收集器4而位於最上面的位置，也就是晶圓W可能裝載至夾盤2上或自其卸載的裝載/卸載位置。在此位置，閥門51-55的狀態係與圖1相同。圖9為一對應視圖，更佳說明了排放管31、32、33以及閥門51-54的可能結構。從圖9中，吾人應理解排放管31、32、33的展開配置以及旁通閥54、55的位置，以致於不需要如圖1所指出之額外的旁通管56、57。

在圖4中，夾盤2乃相對於收集器4而被下降，使晶圓W位於處理階層L1。閥門51-55的狀態與圖3並無改變，因此維持與圖1及圖9所顯示的相同。

在圖5中，夾盤2相對於收集器4而升高，使得晶圓W位於處理階層L2。此實施例中之階層2製程涉及以氫氟酸（DHF）的稀釋液來蝕刻晶圓。至於閥門51-55的狀態，吾人應理解從圖4之階層1製程移動至圖5之階層2製程，閥門51係從其腔室位置移動到大氣位置，而閥門52則是從大氣位置移動到腔室位置。圖10為一對應視圖，顯示更完整的閥門及排放管而沒有額外的旁通管。

具體而言，在操控設備整體操作的微處理器控制下之機電作動器會引起閥門51、52同時以實質相同速度改變其各自的位置。因此，收集器4內的任何壓力波動會被大幅抑制。階層2製程所產生之氣體（傾向於酸性性質）係由管32所排出。

在圖6中，夾盤2再度相對於收集器4而升高，使得晶圓W位於處理階層L3處。此實施例中之階層3製程涉及降低氣態分子污染物（AMC），其中吾人希望將排放引導至排放管31，排放管31係指定用來處理具鹼性性質之排放氣體。

至於閥門51-55的狀態，吾人應理解從圖5之階層2製程移動至圖6之階層3製程，閥門51係從其大氣位置移動到腔室位置，而閥門53則是從腔室位置移動到大氣位置。此外，旁通閥54切換至其階層1的位置，俾使自收集器4之腔室13所抽出之排放氣體自排放管33轉向至排放管31。圖11為一對應視圖，更完整地顯示閥門及排放管，且無額外旁通管。

在從圖5及圖10之階層2製程移動至圖6及圖11之階層3製程，閥門51、53、55再度被同時並同步啟動，以將收集器4內之壓力波動降至最低。且，在圖6及圖11中，雖然閥門51顯示在其腔室位置，其亦可幫助平衡收集器4內的壓力而使閥門51定位於一中間位置，讓一預定比例之外界空氣以及來自腔室11之排氣進入閥門51下游之管31，如圖13所示。

在圖7中，夾盤2維持在相對於收集器4的相同位置，使得晶圓W維持在處理階層L3。然而，圖7中係執行一不同製程，在本實施例中係涉及使用溶解於去離子水中之二氧化碳(DI/CO₂ )。對於此種製程，吾人希望將排放引導至排放管32，排放管32係指定用來處理具酸性性質之排放氣體。

至於閥門51-55的狀態，吾人應理解從圖6之階層3製程移動至圖7之階層3製程，旁通閥54、55的位置被反向，俾使現在自收集器4之腔室13所抽出之排放氣體自排放管33轉向至排放管32。圖12為一對應視圖，更完整地顯示閥門及排放管，且無額外旁通管。

在從圖6及圖13之階層3製程移動至圖7及圖12之階層3製程，閥門54、55再度被同時並同步啟動，以將收集器4內之壓力波動降至最低。且，在圖7及圖12中，雖然閥門52顯示在其腔室位置，其亦可幫助平衡收集器4內的壓力而使閥門52定位於一中間位置，讓一預定比例之外界空氣以及來自腔室12之排氣進入閥門52下游之管32，如圖14所示。

在圖8中，夾盤2維持在相對於收集器4的相同位置，使得晶圓W維持在處理階層L3。然而，圖8中係執行一另不同製程，在本實施例中係涉及使用異丙醇(IPA)以沖洗及乾燥晶圓W。對於此種製程，吾人希望將排放引導至排放管33，排放管33係指定用來處理具有機性質之排放氣體。

至於閥門51-55的狀態，吾人應理解從圖7之階層3製程移動至圖8之階層3製程，閥門51-55乃回復到圖3、圖4及圖9顯示的狀態。

如此描述之排放系統可容許在腔室階層之間切換，同時讓壓力波動維持在盡量低的狀態（+/-20 Pa）。且，由於可能在腔室內啟動兩個階層進行排放，即使使用高溫濃縮化學品（例如：60°C 1:5 NH₄ OH）的情況下，吾人仍可能將交互感染維持低於25ppm。

在前述說明中係顯示一單一排放單元60以簡化說明。然而實務上，較佳係對每一欲排放之化學品提供個別的排放。此等不同種類的化學品可例如有機物（例如像IPA的有機溶劑）、氧化物質（例如臭氧、過氧化氫）、酸性物質（例如HF或HCl）、以及鹼性物質（例如NH₃ ）。

然而，根據本發明之裝置及方法容許選擇性地開啟/關閉特定處理階層而不引起排放體積流量的顯著變動。因此可容許高達8個或更多的複數腔室同時排放而不會因不欲之壓力降引起任何負相互作用。

因此，參照圖15，複數個夾盤2-1～2-8中的每一個均具有相應之收集器4-1～4-8，可定位於同一個處理模組6中以進行半導體晶圓之單一晶圓濕式處理。如前述般地，每一收集器均包含具有止回閥以及旁通閥的排放系統，以及其相關聯之排放管31-1、32-1、33-1～31-8、32-8、33-8。

透過排放管31-1～31-8排放之氣體可全部由同一排放單元60-1來處理，而透過排放管32-1～32-8排放之氣體則可全部由同一排放單元60-2來處理，透過排放管33-1～33-8排放之氣體則可全部由同一排放單元60-3來處理。此種有效率的設計可利用上述詳細說明之閥門新穎配置及操作而成為可能。

雖然本發明係以前面之數個較佳實施例來加以說明，然而熟習本技藝者應瞭解，只要不悖離此處所揭露之本發明的真實範圍及精神以及所附之申請專利範圍，所做的各種變異均為可能。

1‧‧‧裝置
2‧‧‧旋轉夾盤
2-1～2-8‧‧‧旋轉夾盤
3‧‧‧配送裝置
4‧‧‧收集器
4-1～4-8‧‧‧收集器
5‧‧‧齒輪馬達單元
11、12、13‧‧‧環狀集氣腔室
21、22、23‧‧‧環狀排放導管
31、32、33‧‧‧排放管
31-1～31-8、32-1～32-8、33-1～33-8‧‧‧排放管
41、42、43‧‧‧環形導管
51、52、53‧‧‧閥門
54、55‧‧‧旁通閥
56、57‧‧‧旁通管
58‧‧‧洞
60‧‧‧排放單元
60-1～60-3‧‧‧排放單元
L1、L2、L3‧‧‧收集器階層
A‧‧‧箭頭
B‧‧‧軸
E‧‧‧箭頭
E2‧‧‧排氣
H‧‧‧舉升裝置
W‧‧‧晶圓

在閱讀對本發明之較佳實施例的下列詳細說明以及參照所附的圖式之後，本發明之其他目標、特徵以及優點將變得更加明顯。其中：

圖1顯示一示意側視圖，說明根據本發明之第一實施例的裝置；

圖2顯示一圖，說明圖1顯示之止回閥52其中之一的較佳結構形式；

圖3顯示第一晶圓製程之閥門狀態組合；

圖4顯示第二晶圓製程之閥門狀態組合；

圖5顯示第三晶圓製程之閥門狀態組合；

圖6顯示第四晶圓製程之閥門狀態組合；

圖7顯示第五晶圓製程之閥門狀態組合；

圖8顯示第六晶圓製程之閥門狀態組合；

圖9詳細顯示圖3、4、8之閥門狀態；

圖10詳細顯示圖5之閥門狀態；

圖11詳細顯示圖6之閥門狀態；

圖12詳細顯示圖7之閥門狀態；

圖13顯示圖6及圖11之閥門狀態的變異；

圖14顯示圖7及圖12之閥門狀態的變異；

圖15為一製程模組的示意平面圖，該模組包含根據本發明之複數個裝置，其具有複數個排放單元，該每一排放單元均為該複數裝置之給定排放階層所共用。

1‧‧‧裝置

2‧‧‧旋轉夾盤

3‧‧‧配送裝置

4‧‧‧收集器

5‧‧‧齒輪馬達單元

11、12、13‧‧‧環狀集氣腔室

21、22、23‧‧‧環狀排放導管

31、32、33‧‧‧排放管

41、42、43‧‧‧環形導管

51、52、53‧‧‧閥門

54、55‧‧‧旁通閥

56、57‧‧‧旁通管

60‧‧‧排放單元

L1、L2、L3‧‧‧收集器階層

A‧‧‧箭頭

B‧‧‧軸

E‧‧‧箭頭

H‧‧‧舉升裝置

W‧‧‧晶圓

Claims (20)

1. 一種用以處理晶圓形物品的裝置，包含： 一旋轉夾盤，用以支撐一晶圓形物品並使該晶圓形物品繞著一旋轉軸旋轉； 至少一配送器，用以將一液體配送到一晶圓形物品之至少一表面上； 一收集器，環繞該旋轉夾盤以收集處理液體，具有至少兩個收集器階層，以分別收集在不同的收集器階層的液體， 其中該至少兩個收集器階層中的每一個均包含一排氣收集腔室，其係連接至一各別的排氣導管，且 其中該等排氣導管中至少一個包含一閥門機構，當將該排氣導管開放至該收集器之外在環境時，該閥門機構乃往復地限制來自其相關聯之排氣導管的排氣流，反之亦然。
2. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該等排氣導管的其中之一包含一旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該等排氣導管中的該個導管引導至該等排氣導管中的另一個。
3. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該閥門機構包含一止回閥，該止回閥係於一腔室位置以及一大氣位置之間移動，當位於該腔室位置時，來自其相關聯之排氣導管的排氣可被容許通過，而該排氣導管係密封於該外部大氣環境，而當位於該大氣位置時，位於該收集器外部之環境大氣可被容許通過，而該排氣導管則密封於該閥門機構上游之腔室排氣。
4. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該收集器包含至少三個該收集器階層，且其中至少兩個該收集器階層之排氣導管的每一個均具有一相對應的該閥門機構。
5. 如申請專利範圍第4項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該等排氣導管其中之一包含：一第一旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該等排氣導管中的該個導管引導至該等排氣導管中的第二個；並包含一第二旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該等排氣導管中的該導管引導至該等排氣導管中的第三個。
6. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中更包含一控制器以啟動該閥門機構，且其中該閥門機構的啟動係回應於該旋轉夾盤相對於該收集器從一收集器階層移動至另一收集器階層的移動。
7. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該等收集器階層係沿著該旋轉夾盤之一旋轉軸而垂直疊加。
8. 如申請專利範圍第7項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該收集器包含三個收集器階層，且其中該等收集器階層的最上面一個的排氣導管包含：一第一旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該排氣導管轉向至該三個收集器階層之最下面一個的排氣導管，並包含一第二旁通閥，其可經操作而將排除的氣體自該排氣導管轉向至該三個收集器階層之中間一個的排氣導管，且一該閥門機構置於該最上面收集器階層之該排氣導管中而位於該第一及第二旁通閥之下游。
9. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該收集器包含三個收集器階層，且其中每一相對應排氣導管均包含一各別閥門機構。
10. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該閥門機構可經操作，俾使與其相關聯之排氣導管中之該閥門機構的啟動在該至少兩個收集器階層之任意其他個中引發的壓力變化低於20 Pa。
11. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該收集器包含三個收集器階層，且其中每一相對應排氣導管均包含一各別閥門機構。
12. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該等排氣導管中之該至少一個更包含置於該閥門機構上游之一旁通閥，該旁通閥可經操作而將排除的氣體自該等排氣導管中之該至少一個引導至該等排氣導管中的另一個。
13. 如申請專利範圍第12項之用以處理晶圓形物品的裝置，其中該閥門機構以及該旁通閥均由一控制器所操作，俾使該旁通閥與該閥門機構的啟動同時，該旁通閥的啟動係用以將排除氣體自該至少一導管引導至該另一導管，而該閥門機構的啟動係用以在該旁通閥下游的位置處將該至少一排氣導管開放至一外在環境的同時，將該至少一排氣導管密封於腔室排氣通道。
14. 一種晶圓形物品的處理方法，其步驟包含： 於一旋轉夾盤上支撐一晶圓形物品並使該晶圓形物品繞著一旋轉軸旋轉； 將一第一液體配送到該晶圓形物品之至少一表面上； 分別收集環繞該旋轉夾盤之一收集器之至少兩個處理階層的處理液體，其中該至少兩個收集器階層中的每一個均包含一排氣收集腔室，該腔室係通往一各別的排氣導管；以及 操作與該等排氣導管中至少一個連接之一閥門機構，俾使當將該排氣導管開放至該收集器之外在環境時，該閥門機構乃往復地限制來自其相關聯之排氣導管的排氣流，反之亦然。
15. 如申請專利範圍第14項之晶圓形物品的處理方法，其步驟更包含操作安裝於該等排氣導管的其中之一的一旁通閥，俾使將排除的氣體自該排氣導管引導至另一個排氣導管。
16. 如申請專利範圍第14項之晶圓形物品的處理方法，其中該閥門機構的操作係使一止回閥於一腔室位置以及一大氣位置之間移動，當位於該腔室位置時，來自其相關聯之排氣導管的排氣可被容許通過，而該排氣導管係密封於該外部大氣環境，而當位於該大氣位置時，位於該收集器外部之環境大氣可被容許通過，而該排氣導管則密封於該閥門機構上游的腔室排氣。
17. 如申請專利範圍第14項之晶圓形物品的處理方法，其中該閥門機構可經操作，俾使與其相關聯之排氣導管中之該閥門機構的啟動在該至少兩個收集器階層之任意其他個中引發的壓力變化低於20 Pa。
18. 如申請專利範圍第14項之晶圓形物品的處理方法，其中具有各自不同組成之處理氣體每一個係分別藉由一各別排氣導管排放。
19. 如申請專利範圍第14項之晶圓形物品的處理方法，其步驟更包含配送一第二流體至該晶圓上，其中該第二流體之化學組成係與該第一流體不同，並透過一排氣導管來收集該第二流體所產生之氣體，該排氣導管係與收集產生自該第一流體之氣體所通過之排氣導管不同。
20. 如申請專利範圍第20 項之晶圓形物品的處理方法，其中排除的氣體乃由至少兩個不同的收集器藉由一共同排氣單元而同時收集。