TW201536124A - 金屬基板、金屬基底電路基板、電子裝置及金屬基底電路基板之製造方法 - Google Patents

金屬基板、金屬基底電路基板、電子裝置及金屬基底電路基板之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201536124A
TW201536124A TW103134365A TW103134365A TW201536124A TW 201536124 A TW201536124 A TW 201536124A TW 103134365 A TW103134365 A TW 103134365A TW 103134365 A TW103134365 A TW 103134365A TW 201536124 A TW201536124 A TW 201536124A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal
substrate
resin layer
insulating resin
base circuit
Prior art date
Application number
TW103134365A
Other languages
English (en)
Inventor
小宮谷壽郎
北原大輔
Original Assignee
住友電木股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友電木股份有限公司 filed Critical 住友電木股份有限公司
Publication of TW201536124A publication Critical patent/TW201536124A/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/44—Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/025—Abrading, e.g. grinding or sand blasting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

本發明之金屬基板(101)係構成金屬基底電路基板(100)者，該金屬基底電路基板(100)具備金屬基板(101)、設置於金屬基板(101)上之絕緣樹脂層(102)、及設置於絕緣樹脂層(102)上之金屬層(103)。而且，金屬基板(101)於與絕緣樹脂層(102)接觸之面具有多個微細之鱗片狀突起。

Description

金屬基板、金屬基底電路基板、電子裝置及金屬基底電路基板之製造方法
本發明係關於一種金屬基板、金屬基底電路基板、電子裝置及金屬基底電路基板之製造方法。
自先前以來，為了散發自安裝零件所發出之熱，而使用於金屬基板上介隔絕緣樹脂層而積層有金屬層的金屬基底電路基板。
於構成金屬基底電路基板之金屬基板表面形成有氧化被膜之情形時，使與絕緣樹脂層之密接性降低。因此，如專利文獻1中記載般，為了去除鋁基板表面之氧化被膜而對該表面進行機械研磨或化學蝕刻。
又，近年來，逐漸搭載LED之類的發光元件等而被用作液晶顯示裝置等之光源(專利文獻2)。
專利文獻1：日本特開平07-197272號公報
專利文獻2：日本特開2007-194155號公報
搭載反相器之基板或高輸出LED照明用基板施加高電壓之情形居多。因此，為了確保充分之絕緣性，而有使用絕緣樹脂層較厚、金屬基板亦較厚者之傾向。然而，就成本方面而言，加工通常為模具衝壓步驟，因該衝壓時之衝擊而有絕緣樹脂層自金屬基板掉落一部分或產生龜裂之情形。又，有如下要求：因LED之光之直線性，故而為了使光多方向地釋出而欲將基板彎曲使用。因此，產生確實地保持金屬基板與絕緣樹脂層之密接力之必要性。
根據專利文獻1中記載般之機械研磨或化學蝕刻，於金屬基板表面形成凹凸，藉由投錨效應(anchor effect)而提高金屬基板與絕緣樹脂層之密接性。然而，於機械研磨中會有無法獲得足夠之密接力之情形，於化學處理中會有經該處理之層之導熱性降低或變硬而彎曲性降低之情形。
另一方面，若不進行該等處理，則金屬基板與絕緣樹脂層之密接性較低，金屬基底電路基板之加工性或導熱特性大幅降低，故而機械研磨或化學蝕刻等表面處理成為必需之步驟。
根據本發明，提供一種金屬基板，其係構成金屬基底電路基板者，該金屬基底電路基板具備金屬基板、設置於該金屬基板上之絕緣樹脂層、及設置於該絕緣樹脂層上之金屬層，且該金屬基板於與該絕緣樹脂層接觸之面具有多個微細之鱗片狀突起。
藉由本發明，藉由於上述金屬基板之表面存在多個微細之鱗片狀突起，可提高所獲得之金屬基底電路基板之金屬基板與絕緣樹脂層之密接性。其結果，可提高所獲得之金屬基底電路基板之衝壓、彎曲加工性及散熱性。藉此，可製成耐久性較高之電子裝置。
又，藉由本發明，可提供一種金屬基底電路基板，其具備：該金屬基板、設置於該金屬基板上之絕緣樹脂層、及設置於該絕緣樹脂層上之金屬層。
進而，藉由本發明，可提供一種電子裝置，其具備：該金屬基底電路基板、及設置於該金屬基底電路基板上之電子零件。
進而，藉由本發明，可提供一種金屬基底電路基板之製造方法，其係用以製造該金屬基底電路基板之製造方法，且包含如下步驟：對金屬基板之至少一面進行噴砂處理；於經該噴砂處理之面上形成該絕緣樹脂層；及於該絕緣樹脂層上形成該金屬層。
藉由本發明，提供可實現耐久性較高之電子裝置之金屬基板、金屬基底電路基板、及該金屬基底電路基板之製造方法以及耐久性較高之電子裝置。
1‧‧‧電子裝置
11‧‧‧電子零件
12‧‧‧支撐基材
15‧‧‧焊料
16‧‧‧密封材
100‧‧‧金屬基底電路基板
101‧‧‧金屬基板
102‧‧‧絕緣樹脂層
103‧‧‧金屬層
121‧‧‧引線框架
121A‧‧‧晶片座部
122‧‧‧絕緣片材
上述目的、及其他目的、特徵及優點係藉由以下說明之較佳之實施形態、及附隨於其之以下圖式而進一步明確。
圖1係本發明之一實施形態之金屬基底電路基板之剖面圖。
圖2係本發明之一實施形態之電子裝置之剖面圖。
圖3係表示實施例1之鋁基板表面之1000倍之電子顯微鏡照片之圖。
圖4係表示實施例1之鋁基板表面之200倍之電子顯微鏡照片之圖。
圖5係表示比較例1之鋁基板表面之1000倍之電子顯微鏡照片之圖。
圖6係表示比較例4之鋁基板表面之1000倍之電子顯微鏡照片之圖。
以下，基於圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，於全部圖式中，對同樣之構成要素標註同一元件符號，其詳細說明不重複敍述而適當省略。又，圖為概略圖，未必與實際之尺寸比率一致。又，「~」若無特別說明則表示以上至以下。
首先，對本實施形態之金屬基底電路基板100進行說明。圖1係本發明之一實施形態之金屬基底電路基板100之剖面圖。
金屬基底電路基板100具備金屬基板101、設置於金屬基板101上之絕緣樹脂層102、及設置於絕緣樹脂層102上之金屬層103。
而且，金屬基板101於與絕緣樹脂層102接觸之面具有多個微細之鱗片狀突起。
又，絕緣樹脂層102例如由下述樹脂組成物形成。
金屬基板101只要為散熱性金屬基板則並無特別限定，例如 為鋁基板、銅基板、不鏽鋼基板等，較佳為鋁基板。
此處，所謂鋁基板係指含有鋁之基板，亦包括藉由鋁合金所形成之基板。同樣地，所謂銅基板係指含有銅之基板，亦包括藉由銅合金所形成之基板。
金屬基板101於與絕緣樹脂層102接觸之面具有多個微細之 鱗片狀突起。圖3係表示下述實施例1之鋁基板表面之1000倍之電子顯微鏡照片之圖。圖4係表示下述實施例1之鋁基板表面之200倍之電子顯微鏡照片之圖。
如圖3及圖4所示，鱗片狀突起遍佈金屬基板101之與絕緣樹脂層102接觸之面之整面而形成。推測構成絕緣樹脂層102之樹脂滲入至鱗片狀突起之間隙，藉由投錨效應而提高金屬基板101與絕緣樹脂層102之密接性。
鱗片狀突起之平均長徑較佳為1μm以上、更佳為2μm以 上、尤佳為3μm以上，而且，較佳為80μm以下、更佳為50μm以下、尤佳為10μm以下。
若鱗片狀突起之平均長徑為上述範圍內，則可更進一步提高金屬基板101與絕緣樹脂層102之密接性、及金屬基底電路基板100之耐彎曲性。
再者，該平均長徑可藉由電子顯微鏡照片進行測定。例如，以如下順序測定。首先，藉由掃描式電子顯微鏡拍攝金屬基板101之表面照片。其次，選擇任意之鱗片狀突起，自照片測定其長徑。此時，對10個以上之鱗片狀突起測定長徑，並將該等之平均值設為平均長徑。
金屬基板101之與絕緣樹脂層102接觸之面之算術平均粗糙 度(Ra)較佳為0.1μm以上且5.0μm以下，更佳為0.5μm以上且5.0μm 以下。
若算術平均粗糙度(Ra)為上述範圍內，則可更進一步提高金屬基板101與絕緣樹脂層102之密接性、及金屬基底電路基板100之耐彎曲性。
金屬基板101之與絕緣樹脂層102接觸之面之最大高度粗糙 度(Rz)較佳為1μm以上且20μm以下，更佳為5μm以上且15μm以下。
若最大高度粗糙度(Rz)為上述範圍內，則可更進一步提高金屬基板101與絕緣樹脂層102之密接性、及金屬基底電路基板100之耐彎曲性。
金屬基板101之厚度例如為300μm以上且5000μm以下。 若金屬基板101之厚度為上述下限值以上，則可進一步提高散熱性。又，若金屬基板101之厚度為上述上限值以下，則可提高金屬基底電路基板100之彎曲等加工性。
絕緣樹脂層102係用以將金屬層103接著於金屬基板101之 層。該絕緣樹脂層102之厚度較佳為40μm以上且250μm以下。
藉由將絕緣樹脂層102之厚度設為上述上限值以下，可容易使來自電子零件之熱傳遞至金屬基板101。
又，藉由將絕緣樹脂層102之厚度設為上述下限值以上，可利用絕緣樹脂層102充分緩和因金屬基板101與絕緣樹脂層102之熱膨脹率差所產生之熱應力。進而，提高金屬基底電路基板100之絕緣性。
絕緣樹脂層102係例如使含有熱硬化性樹脂(A)、無機填 充材(B)、苯氧樹脂(C)、硬化劑(D)、及偶合劑(E)之樹脂組成物熱硬化而成者。即，絕緣樹脂層102成為含有經熱硬化之硬化樹脂之C階 段狀態。
此處，對樹脂組成物之組成進行說明。
樹脂組成物例如含有熱硬化性樹脂(A)、無機填充材(B)、苯氧樹脂(C)、硬化劑(D)、及偶合劑(E)。再者，於本實施形態中，所謂樹脂組成物之全部固體成分係於對該樹脂組成物進行加熱硬化時殘留為固體成分者，例如，溶劑等因加熱而揮發之成分除外。另一方面，液狀之環氧樹脂、偶合劑等液狀成分係於加熱硬化時被取入至絕緣樹脂層102，故而含有於全部固體成分中。
作為熱硬化性樹脂(A)，較佳為使用環氧樹脂、不飽和聚酯、丙烯酸樹脂中之任1種以上。其中，較佳為使用環氧樹脂。
作為環氧樹脂，較佳為含有具有芳香環結構及脂環結構(脂環式碳環結構)中之至少任一者之環氧樹脂。
藉由使用此種環氧樹脂(A1)，可提高玻璃轉移溫度並且提高絕緣樹脂層102之導熱性。
而且，作為具有芳香環或脂環結構之環氧樹脂(A1)，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；酚系酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、四苯酚基乙烷型酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；具有聯伸苯骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂等芳基伸烷基型環氧樹脂；萘型環氧樹脂等環氧樹脂等。可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。
又，就可更進一步提高玻璃轉移溫度、且抑制絕緣樹脂層 102之空隙之產生、可更進一步提高導熱性之觀點而言，作為環氧樹脂(A1)，較佳為萘型環氧樹脂。此處，所謂萘型環氧樹脂，係稱為具有萘環骨架且具有2個以上環氧丙基者。萘型環氧樹脂之含量相對於熱硬化性樹脂(A)100質量%，較佳為20質量%以上且80質量%以下，更佳為40質量%以上且60質量%以下。
作為萘型環氧樹脂，例如可使用以下之式(5)~(8)之任 一者。再者，式(6)中，m、n表示萘環上之取代基之個數，分別獨立地表示1~7之整數。又，式(7)中，Me表示甲基，l、m、n為1以上之整數。其中，l、m、n較佳為10以下。
m、n為1~7之整數
l、m、n為1以上之自然數
再者，作為式(6)之化合物，較佳為使用以下之任1種以上。
又，作為萘型環氧樹脂，亦可使用以下之式(8)所表示之萘醚型環氧樹脂。
(上述式(8)中，n為1以上且20以下之整數，1為1以上且2以下之整數，R1分別獨立地為氫原子、苄基、烷基或下述式(9)所表示之結構，R2分別獨立地為氫原子或甲基)
(上述式(9)中，Ar分別獨立地為伸苯基或伸萘基，R2分別獨立地為氫原子或甲基，m為1或2之整數)
上述式(8)所表示之萘醚型環氧樹脂可舉例下述式(10)所表示者。
(上述式(10)中，n為1以上且20以下之整數，較佳為1以上且10以下之整數，更佳為1以上且3以下之整數。R分別獨立地為氫原子或下述式(11)所表示之結構，較佳為氫原子)
(上述式(11)中，m為1或2之整數)
上述式(10)所表示之萘醚型環氧樹脂例如可舉例下述式(12)~(16)所表示者。
作為不飽和聚酯，例如可列舉：使乙二醇、二丙二醇、1,3- 丁二醇、氫化雙酚A、新戊二醇、異戊二醇、1,6-己二醇等任1種以上之多元醇與順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、反丁烯二酸、衣康酸等任1種以上之不飽和二元酸反應，進而使苯乙烯、第三丁基苯乙烯、二乙烯苯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、乙烯基甲苯、丙烯酸酯等任1種以上之乙烯單體共聚合而成者。
丙烯酸樹脂係分子內具有(甲基)丙烯醯基之化合物，且係藉 由(甲基)丙烯醯基進行反應而形成立體網狀結構而硬化之樹脂。(甲基)丙烯醯基必須於分子內具有1個以上，較佳為含有2個以上。
作為丙烯酸樹脂，並無特別限定，可列舉：以具有碳數30以下、尤其是碳數4~18之直鏈或分支之烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯之1種或2種以上為成分之聚合物等。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、 環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。 又，作為形成上述聚合物之其他單體，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等之類的含羥基單體。
樹脂組成物中所含之熱硬化性樹脂(A)之含量只要根據其 目的而適當調整即可，並無特別限定，相對於樹脂組成物之全部固體成分100質量%，較佳為1質量%以上且23質量%以下，更佳為2質量%以上且15質量%以下。若熱硬化性樹脂(A)之含量為上述下限值以上，則操作性提高，容易形成絕緣樹脂層102。若熱硬化性樹脂(A)之含量為上述上限值以下，則絕緣樹脂層102之強度或難燃性更進一步提高，或者絕緣樹脂層102之導熱性更進一步提高。
作為無機填充材(B)，例如可列舉：滑石、煅燒黏土、未 煅燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽；氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽(silica)、熔融二氧化矽等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽；硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽；氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物；鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等。可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。
其中，為了提高絕緣樹脂層102之導熱性，較佳為含有導熱 性填料。作為導熱性填料，可使用氧化鋁、氮化硼、水鋁土、氮化鋁、氧化鎂中之任1種以上。
其中，作為導熱填料，較佳為氧化鋁。
無機填充材(B)較佳為平均粒徑不同之3種成分(大粒徑、 中粒徑、小粒徑)之混合系，且大粒徑成分為球狀，中粒徑成分及小粒徑成分為多面體狀。
更具體而言，無機填充材(B)較佳為大粒徑成分、中粒徑成分、及小粒徑成分之混合物，該大粒徑成分屬於平均粒徑為5.0μm以上且50μm以下、較佳為5.0μm以上且25μm以下之第1粒徑範圍、且圓形度為0.80以上且1.0以下、較佳為0.85以上且0.95以下，該中粒徑成分屬於平均粒徑為1.0μm以上且未達5.0μm之第2粒徑範圍、且圓形度為0.50以上且0.90以下、較佳為0.70以上且0.80以下，該小粒徑成分屬於平均粒徑為0.1μm以上且未達1.0μm之第3粒徑範圍、且圓形度為0.50以上且0.90以下、較佳為0.70以上且0.80以下。
此處，粒徑可藉由使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置SALD-7000，於水中對氧化鋁進行超音波處理1分鐘而使之分散，進行測定。
藉此，中粒徑成分填充至大粒徑成分之間隙，進而小粒徑成分填充至中粒徑成分之間隙，故而可提高無機填充材(B)之填充性，可進一步擴大無機填充材(B)粒子彼此之接觸面積。其結果，可更進一步提高絕緣樹脂層102之導熱性。進而，可更進一步提高絕緣樹脂層102之焊料耐熱性、耐彎曲性、絕緣性。
又，藉由使用此種無機填充材(B)，可更進一步提高絕緣樹脂層102與金屬基板101之密接性。
藉由該等相乘效應，可更進一步提高金屬基底電路基板100之絕緣可靠性。
樹脂組成物中所含之無機填充材(B)之含量相對於該樹脂 組成物之全部固體成分100質量%，為75質量%以上且95質量%以下，更佳為80質量%以上且90質量%以下。藉由將無機填充材(B)之含量設為75質量%以上且95質量%以下，氧化鋁粒子彼此之接觸面積變大。其結果，可提高絕緣樹脂層102之導熱性，可提高電子裝置1之散熱性。因此，可使電子零件11之熱充分傳遞至外部。藉此，可製成耐久性較高之電子裝置1。
又，相對於無機填充材(B)之整體100質量%，屬於第1 粒徑範圍之無機填充材(B)之含量較佳為65質量%以上且85質量%以下，屬於第2粒徑範圍之無機填充材(B)之含量較佳為10質量%以上且20質量%以下，屬於第3粒徑範圍之無機填充材(B)之含量較佳為5質量%以上且18質量%以下。
樹脂組成物較佳為進而含有苯氧樹脂(C)。藉由含有苯氧樹脂(C)，可更進一步提高絕緣樹脂層102之耐彎曲性。
又，藉由含有苯氧樹脂(C)可使絕緣樹脂層102之彈性率降低，於該情形時，可使金屬基底電路基板100之應力緩和力提高。例如，於製造電子裝置1之情形時，即便於急遽之加熱/冷卻之環境下亦抑制在電子零件11與金屬基底電路基板100接合之焊接部、或其附近產生龜裂等不良。如此可提高金屬基底電路基板100之熱循環特性。
又，若含有苯氧樹脂(C)，則因黏度上升而降低壓製時之流動性，從而可抑制在所獲得之絕緣樹脂層102中產生空隙等，或者可更容易地調整所獲得之絕緣樹脂層102之厚度，或者可提高絕緣樹脂層102之厚度之均勻性。又，可提高絕緣樹脂層102與金屬基板101之密接性。藉由該等相乘效應，可更進一步提高金屬基底電路基板100之絕緣可靠性。
作為苯氧樹脂(C)，例如可列舉：具有雙酚骨架之苯氧樹脂、具有萘骨架之苯氧樹脂、具有蒽骨架之苯氧樹脂、具有聯苯骨架之苯氧樹脂等。又，亦可使用具有複數種該等骨架之結構之苯氧樹脂。
該等之中，較佳為使用雙酚A型或雙酚F型之苯氧樹脂，更佳為使用具有雙酚A骨架與雙酚F骨架兩者之苯氧樹脂。於具有雙酚A骨架與雙酚F骨架兩者之苯氧樹脂中，雙酚F骨架與雙酚A骨架之比率較佳為雙酚F骨架/雙酚A骨架=5/95~50/50。
苯氧樹脂(C)之重量平均分子量並無特別限定，較佳為4.0×104以上且8.0×104以下。
再者，苯氧樹脂(C)之重量平均分子量係利用凝膠滲透層析法(GPC)所測得之聚苯乙烯換算之值。
苯氧樹脂(C)之含量例如相對於樹脂組成物之全部固體成分100質量%，較佳為1質量%以上且15質量%以下，更佳為2質量%以上且10質量%以下。
作為硬化劑(D)(硬化觸媒)，例如可列舉：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮酸鈷(II)、三乙醯丙酮酸鈷(III)等有機金屬鹽；雙氰胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、間苯二甲胺、二胺基 二苯甲烷、二胺基二乙基二苯甲烷、間苯二胺、二胺基二苯基碸、異佛爾酮二胺、降莰烯二胺、三乙胺、三丁胺、二氮雜雙環[2,2,2]辛烷等胺系硬化劑；2-苯基-咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等咪唑系硬化劑；三苯基膦、三(對甲苯基)膦、四苯基鏻-四苯基硼酸鹽、三苯基膦-三苯基硼烷、1,2-雙-(二苯基膦)乙烷等有機磷化合物；苯酚、雙酚A、壬基苯酚等酚化合物；乙酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸等；或其混合物。作為硬化劑(D)，可單獨使用亦包括該等中之衍生物在內之1種，或者亦可併用亦包括該等之衍生物在內之2種以上。
該等之中，就硬化性優異之方面而言，較佳為胺系硬化劑、咪唑系硬化劑。
硬化觸媒之含量並無特別限定，相對於樹脂組成物之全部固體成分100質量%，例如為0.02質量%以上且1.0質量%以下。
進而，樹脂組成物亦可含有偶合劑(E)。偶合劑(E)可提高熱硬化性樹脂(A)與無機填充材(B)之界面潤濕性。
作為偶合劑(E)，只要為通常所使用者則可任意使用，具體而言，較佳為使用選自環氧矽烷偶合劑、陽離子矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑中之1種以上之偶合劑。
偶合劑(E)之添加量取決於無機填充材(B)之比表面積，故而無特別限定，相對於無機填充材(B)100質量份較佳為0.05質量份以上且3質量份以下，尤佳為0.1質量份以上且2質量份以下。
於樹脂組成物中，可於無損本發明效果之範圍內含有抗氧化 劑、調平劑等。
其次，對絕緣樹脂層102之物性進行說明。
絕緣樹脂層102具有高導熱性。具體而言，藉由雷射閃光法測定之絕緣樹脂層102之厚度方向之導熱率較佳為3.0W/(m．k)以上，更佳為5.0W/(m．k)以上。
藉此，來自電子零件11之熱可經由絕緣樹脂層102容易傳遞至金屬基板101。
如上之金屬基底電路基板100可以如下方式製造。
首先，準備金屬基板101。
其次，使用噴砂裝置，對金屬基板101之表面進行噴砂處理。噴砂處理例如以2~700L/分鐘之空氣量並藉由平均粒徑45~55μm之研磨粒子，以1~3m/分鐘一面使5mm之噴嘴搖動一面進行。
藉由此種研磨粒子與金屬基板101之接觸處理，可於金屬基板101之表面形成上述多個微細之鱗片狀突起。此處，噴砂處理係藉由噴射研磨粒子並吹附至金屬基板101之表面而進行者。
作為噴砂處理中所使用之研磨粒子，可列舉二氧化矽、氧化鋯、氧化鋁、金剛石等。
其後，於金屬基板101上設置由上述樹脂組成物所構成之B階段狀態之樹脂層。此時，可藉由將上述樹脂組成物塗佈於金屬基板101而於金屬基板101上形成樹脂層，又，亦可藉由於載體材料上形成樹脂層而製作附樹脂層之載體材料，並將該附樹脂層之載體材料積層於金屬基板101，從而於金屬基板101上形成樹脂層。
此時，B階段狀態之樹脂層之厚度例如為45μm以上且300μm以下。
以下，對製作附樹脂層之載體材料並將該附樹脂層之載體材料積層於金屬基板101的方法進行說明。首先，於載體材料上形成樹脂層，獲得附樹脂層之載體材料。
載體材料例如為聚對苯二甲酸乙二酯膜等樹脂膜；銅箔等金屬箔等。載體材料之厚度例如為10~500μm。
其次，以使附樹脂層之載體材料之樹脂層側之面與金屬基板101之噴砂處理面接觸之方式將附樹脂層之載體材料積層於金屬基板101。其後，使用壓製機等使樹脂層加壓、加熱硬化而形成絕緣樹脂層102。
其次，自絕緣樹脂層102去除載體材料，於裸露之絕緣樹脂層102之表面形成金屬層103。又，於載體材料為金屬箔之情形時，亦可直接將載體材料設為金屬層103。
金屬層103例如由銅、鋁、鎳、鐵、錫等構成，亦可含有2種以上。金屬層103之厚度例如為10μm以上且210μm以下。再者，於絕緣樹脂層102與金屬層103之間亦可介存接著層等其他層。
其次，視需要藉由將金屬層103蝕刻成特定之圖案等而形成電路，從而獲得金屬基底電路基板100。再者，於本實施形態中，金屬基底電路基板100亦包括對金屬層103進行電路加工之前之狀態。
於設為多層之情形時，於在金屬基底電路基板100形成電路後，進而積層絕緣片材，並與上述同樣地利用蝕刻形成電路，藉此可獲得多層之金屬基底電路基板100。再者，作為上述絕緣片材，就更進一步提高電子裝置1之導熱性之觀點而言，較佳為藉由與上述絕緣樹脂層102中使用者相同之 樹脂組成物而形成者。
又，亦可於最外層形成阻焊劑，並藉由曝光、顯影使連接用電極部露出，以可構裝電子零件11。
繼而，對本實施形態之電子裝置1進行說明。圖2係本發明 之一實施形態之電子裝置1之剖面圖。
電子裝置1具備金屬基底電路基板100、及設置於金屬基底電路基板100上之電子零件11。絕緣樹脂層102係藉由上述樹脂組成物而形成者。
於本實施形態中，電子裝置1為半導體裝置，例如為功率半導體裝置、LED照明、反相器裝置。
此處，所謂反相器裝置係由直流電而電性生成交流電(具有逆轉換之功能)者。又，所謂功率半導體裝置係具有與通常之半導體元件相比得以高耐壓化、大電流化、高速-高頻化之特徵，通常被稱為功率裝置，可列舉：整流二極體、功率電晶體、功率MOSFET、絕緣閘雙極電晶體(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)、閘流體、閘極截止閘流體(GTO，Gate Turn-Off thyristor)、三端雙向可控矽元件(triac)等。
電子零件11係絕緣閘雙極電晶體、二極體等半導體元件、電阻、電容器等各種發熱元件。金屬基底電路基板100作為散熱體而發揮功能。
電子零件11經由焊料15而接合於支撐基材12。
支撐基材12係搭載電子零件11者。於本實施形態中，支撐基材12具備引線框架121、及絕緣片材122。
引線框架121具備晶片座部121A、與該晶片座部121A連接之內引線(省略圖示)、及與內引線連接之外引線(省略圖示)。引線框架121由晶片 座部121A支撐電子零件11。晶片座部121A經由焊料15而與電子零件11電性連接。引線框架121只要為導電性構件即可，例如為Cu等金屬製。
絕緣片材122係用以使金屬層103與引線框架121絕緣者。 絕緣片材122由樹脂材料所構成。
例如，絕緣片材122含有作為樹脂成分之具有羧基之樹脂、及導熱性填料。
作為具有羧基之樹脂，可列舉：以丙烯酸丁酯及丙烯酸乙酯之任一者或兩者為主要原料成分的含羧基之聚(甲基)丙烯酸酯系高分子化合物(所謂丙烯酸橡膠)。
又，作為導熱性填料，可使用氮化硼、或氧化鋁等。
導熱性填料之含量相對於絕緣片材122整體為50~60體積%，樹脂成分較佳為40~50體積%。
於本實施形態中，絕緣片材122之平面形狀大於引線框架121之晶片座部之平面形狀，當沿電子零件11、支撐基材12、金屬層103、絕緣樹脂層102、金屬基板101之積層方向俯視電子裝置1時，絕緣片材122自晶片座部121A之外周緣伸出。
再者，作為絕緣片材122，就更進一步提高電子裝置1之導熱性之觀點而言，較佳為藉由與上述絕緣樹脂層102中使用者相同之樹脂組成物而形成者。
金屬層103配置於絕緣樹脂層102與絕緣片材122之間，且 與絕緣樹脂層102直接接觸。
該金屬層103將來自電子零件11之熱傳遞至金屬基板101。金屬層103 例如為Cu等金屬製。金屬層103為板狀之構件，且成為與絕緣片材122大致相同之大小。
如上之電子裝置1可以如下方式製造。
首先，準備金屬基底電路基板100。
其次，於金屬層103上配置絕緣片材122、引線框架121。其後，將引線框架121之晶片座部與電子零件11經由焊料15而接合。其後，藉由密封材16將電子零件11密封。
再者，本發明並不限定於上述實施形態，可達成本發明目的 之範圍內之變形、改良等係包含於本發明中者。
例如，於上述實施形態中，支撐基材12具備引線框架121、及絕緣片材122，但並不限於此。例如，亦可使用陶瓷基板來代替支撐基材12及金屬層103。於該情形時，絕緣樹脂層102將陶瓷基板與金屬基板101接著。
[實施例]
以下，藉由實施例及比較例對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等。再者，於實施例及比較例中，份只要未特定則表示質量份。又，各自之厚度係以平均膜厚表示。
(實施例1)
(1)樹脂清漆之製備
使具有雙酚F骨架與雙酚A骨架之苯氧樹脂(三菱化學公司製造，4275，重量平均分子量6.0×104，雙酚F骨架與雙酚A骨架之比率=75：25)3.9質量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製造，830S，環氧當量170)3.0質量份、萘型環氧樹脂(DIC公司製造，HP-6000，環氧當量250：化學式 (10)中，R均為氫原子且n=1之成分與n=2之成分之混合物)3.0質量份、雙氰胺(Deguss公司製造)0.3質量份、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Shin-Etsu Silicones公司製造，KBM-403)1.3質量份、球狀氧化鋁(平均粒徑22μm，圓形度：0.91，Nippon Steel & Sumikin Materials股份有限公司製造，AX-25)67.3質量份、多面體狀氧化鋁(平均粒徑4μm，圓形度：0.75，日本輕金屬公司製造，LS-210)13.2質量份、多面體狀氧化鋁(平均粒徑0.7μm，圓形度：0.71，日本輕金屬公司製造，LS-250)8.0質量份於環己酮中溶解、混合，並使用高速攪拌裝置加以攪拌，獲得以固體成分基準計為86質量%之清漆狀之環氧樹脂組成物。
(2)附樹脂之銅箔之製作
使用厚度35μm之銅箔(長春石油化學股份有限公司製造，GLS-35)作為金屬箔，利用缺角輪塗佈機(comma coater)將清漆狀之樹脂組成物塗佈於銅箔之粗化面，並於100℃加熱乾燥3分鐘、於150℃加熱乾燥3分鐘，獲得樹脂厚190μm之附樹脂之銅箔。
(3)鋁基板之噴砂處理
使用平均粒徑50μm之不定形氧化鋁粉末(不二製作所公司製造，Fuji rundum A)作為研磨粒子，藉由噴砂裝置(不二製作所公司製造，MC3)於500mm*500mm尺寸且厚度1mm之鋁基板(#5052-34H)之單面以670L/分鐘之空氣量一面使5mm之噴嘴搖動一面對整個面進行0.5分鐘之噴砂處理。繼而，以流水對鋁基板之表面進行水洗並乾燥。
於經該噴砂處理之鋁基板之表面未進行偶合劑等之化學處理或物理處理，而於170℃、8MPa、60分鐘之條件下對所製作之附樹脂之銅箔進行熱 壓。藉此，使金屬基底電路基板成型。
此處，對所獲得之鋁基板進行以下評價。
(電子顯微鏡觀察)
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)對經噴砂處理之鋁基板之表面進行拍攝，觀察鋁基板表面之構造。圖3表示實施例1之鋁基板表面之1000倍之電子顯微鏡照片。又，圖4表示實施例1之鋁基板表面之200倍之電子顯微鏡照片。
於經噴砂處理之上述鋁基板觀察到鱗片狀突起。
(表面粗糙度)
鋁基板表面之算術平均粗糙度(Ra)係依據JIS B0601、B0633、B0651進行測定。
鋁基板表面之最大高度粗糙度(Rz)係依據JIS B0601、B0633、B0651進行測定。
所獲得之鋁基板之物性如下。
算術平均粗糙度(Ra)：4.8μm
最大高度粗糙度(Rz)：13.0μm
鱗片狀突起之平均長徑：4.6μm
又，對所獲得之金屬基底電路基板進行以下評價。將評價結果示於表1。再者，表1所示之特性之測定方法如下所述。
(1)焊料耐熱性
利用研磨鋸(grinder saw)將金屬基底電路基板切割為50mm×50mm後，藉由蝕刻製作僅殘留有1/2銅箔之試樣，依據JIS C 6481進行評價。評 價係於在260℃之焊錫槽中浸漬30秒後研究外觀有無異常。
評價基準 ○：無異常
×：有異常(存在膨脹之部位)
(2)吸濕焊料耐熱性
利用研磨鋸將金屬基底電路基板切割為50mm×50mm後，依據JIS C 6481進行半面蝕刻，製作試樣。於在121℃之壓力鍋中處理2小時後，使銅箔面為下而漂浮於260℃之焊錫槽，研究30秒後外觀有無異常。
評價基準 ○：無異常
×：有異常(存在膨脹之部位)
(3)絕緣破壞電壓
利用研磨鋸將金屬基底電路基板切割為100mm×100mm後，藉由整面蝕刻將銅箔去除，製成試樣。使用耐電壓試驗器(MODEL 7473，EXTECH Electronics公司製造)，使電極接觸於絕緣樹脂層與鋁基板，以使電壓以0.5kV/秒之速度上升之方式對兩電極施加交流電壓。將金屬基底電路基板之絕緣樹脂層發生破壞之電壓設為絕緣破壞電壓。
(4)熱循環試驗
使用所獲得之金屬基底電路基板，製造圖2所示之電子裝置1。但是，未設置密封材16。
於金屬基底電路基板100上配置絕緣片材122、Cu製之引線框架121。 作為絕緣片材122係使用古河電工公司製造之F-CO TM sheet HF。其後，將引線框架121之晶片座部與電子零件11經由焊料15(材料Sn-3.0Ag-0.5Cu)接合。
以如上方式準備3個電子裝置，實施熱循環試驗。熱循環試驗係將-40℃ 5分鐘~+125℃ 5分鐘設為1個循環並進行3000次。
熱循環試驗後，利用顯微鏡觀察焊料部分之龜裂率。將3個電子裝置中即有1個存在龜裂率成為100%者之情形設為不良(×)，將3個電子裝置之龜裂率均未達100%者判定為良好(○)。
此處，所謂焊料部分之龜裂率，係指零件接合部之焊料部分之龜裂進行率。龜裂率係將龜裂加重而與基板之連接完全中斷之情形設為100%的比率。
(5)與金屬基板之密接性
用以評價金屬基板與絕緣樹脂層之密接力之彎曲試驗用基板係將自金屬基底電路基板全部蝕刻去除銅箔而成者切為25mm×100mm而製作。將該基板以絕緣樹脂層側成為外側之方式捲繞於直徑40mm之鐵製棒上，以此種方式使其彎曲120°並浸漬於260℃之焊錫槽中30秒。其後，研究鋁基板與絕緣樹脂層有無剝離。
評價基準 ○：無異常
×：有異常(存在剝離之部位)
(6)熱電阻
依據JPCA-TMC-LED02T-2010 10.6項，對金屬基底電路基板測定厚度方向之熱電阻。
(比較例1)
未對鋁基板進行噴砂處理，除此以外與實施例1相同。
此處，圖5表示比較例1之鋁基板表面之1000倍之電子顯微鏡照片。 於未進行噴砂處理之鋁基板未觀察到鱗片狀突起。
(比較例2)
使用以下者作為鋁基板，除此以外與實施例1相同。
將環氧矽烷系偶合劑(A-187 Momentive Performance Materials公司製造)添加至丙酮，製備環氧矽烷系偶合劑之濃度為0.5質量%之環氧矽烷系偶合劑溶液。繼而，使用襯墊，將500mm*500mm尺寸且厚度1mm之鋁基板(#5052-34H)浸漬於環氧矽烷系偶合劑溶液。然後，將附著於鋁基板之液滴充分去除後，於150℃乾燥10分鐘，藉此獲得經環氧矽烷系偶合劑表面處理之鋁基板。
此處，藉由電子顯微鏡觀察比較例2之鋁基板表面，結果於上述鋁基板未觀察到鱗片狀突起。
(比較例3)
使用平均粒徑925μm之不定形氧化鋁粉末作為噴砂處理之研磨粒子，除此以外與實施例1相同。
所獲得之鋁基板之物性如下所述。
算術平均粗糙度(Ra)：5.2μm
最大高度粗糙度(Rz)：13.5μm
此處，藉由電子顯微鏡觀察比較例3之鋁基板表面，結果於上述鋁基板未觀察到鱗片狀突起。
(比較例4)
使用以下者作為鋁基板，除此以外與實施例1相同。
利用研磨刷(#1500)對500mm*500mm尺寸且厚度1mm之鋁基板 (#5052-34H)之表面進行研磨後，利用丙酮洗淨並使之乾燥而獲得鋁基板。
所獲得之鋁基板之物性如下所述。
算術平均粗糙度(Ra)：5.0μm
最大高度粗糙度(Rz)：12.0μm
此處，圖6表示比較例4之鋁基板表面之1000倍之電子顯微鏡照片。於上述鋁基板未觀察到鱗片狀突起。
實施例1中所獲得之金屬基底電路基板成為絕緣樹脂層與 鋁基板之密接性較高，且焊料耐熱性、及吸濕焊料耐熱性優異之結果。又，亦具有充分之絕緣破壞電壓值。又，關於電子裝置中之熱循環性亦可獲得良好之結果。
因此，可知藉由使用本發明之金屬基板及金屬基底電路基板，可獲得耐久性較高之電子裝置。
本申請案係基於2013年10月17日提出申請之日本專利申請特願2013-216120號而主張優先權，並將其揭示之全部內容引用入本申請案中。
100‧‧‧金屬基底電路基板
101‧‧‧金屬基板
102‧‧‧絕緣樹脂層
103‧‧‧金屬層

Claims (12)

  1. 一種金屬基板，其係構成金屬基底電路基板者，該金屬基底電路基板具備金屬基板、設置於該金屬基板上之絕緣樹脂層、及設置於該絕緣樹脂層上之金屬層，且該金屬基板於與該絕緣樹脂層接觸之面具有多個微細之鱗片狀突起。
  2. 如申請專利範圍第1項之金屬基板，其中，該鱗片狀突起遍佈該金屬基板之與該絕緣樹脂層接觸之面之整面而形成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之金屬基板，其中，該金屬基板之與該絕緣樹脂層接觸之面經噴砂處理。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之金屬基板，其中，該金屬基板之與該絕緣樹脂層接觸之面之算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm以上且5.0μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之金屬基板，其中，該金屬基板之與該絕緣樹脂層接觸之面之最大高度粗糙度(Rz)為1μm以上且20μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之金屬基板，其為鋁基板。
  7. 一種金屬基底電路基板，其具備：申請專利範圍第1至6項中任一項之金屬基板、設置於該金屬基板上之絕緣樹脂層、及 設置於該絕緣樹脂層上之金屬層。
  8. 如申請專利範圍第7項之金屬基底電路基板，其中，該絕緣樹脂層含有環氧樹脂及氧化鋁。
  9. 如申請專利範圍第8項之金屬基底電路基板，其中，該環氧樹脂為萘型環氧樹脂。
  10. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之金屬基底電路基板，其中，該絕緣樹脂層進而含有苯氧樹脂。
  11. 一種電子裝置，其具備：申請專利範圍第7至10項中任一項之金屬基底電路基板、及設置於該金屬基底電路基板上之電子零件。
  12. 一種金屬基底電路基板之製造方法，其係用以製造申請專利範圍第7項之金屬基底電路基板之製造方法，且包含如下步驟：對金屬基板之至少一面進行噴砂處理；於經該噴砂處理之面上形成該絕緣樹脂層；及於該絕緣樹脂層上形成該金屬層。
TW103134365A 2013-10-17 2014-10-02 金屬基板、金屬基底電路基板、電子裝置及金屬基底電路基板之製造方法 TW201536124A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013216120 2013-10-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201536124A true TW201536124A (zh) 2015-09-16

Family

ID=52828004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103134365A TW201536124A (zh) 2013-10-17 2014-10-02 金屬基板、金屬基底電路基板、電子裝置及金屬基底電路基板之製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2015056555A1 (zh)
TW (1) TW201536124A (zh)
WO (1) WO2015056555A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI696251B (zh) * 2018-12-05 2020-06-11 艾姆勒車電股份有限公司 改良型ｉｇｂｔ模組散熱結構

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6707813B2 (ja) * 2015-07-03 2020-06-10 住友ベークライト株式会社 回路付き部材の製造方法、回路付き部材および電子部品実装部材
JP2017028128A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
JP2017028129A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
JP2017028130A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 住友ベークライト株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
CN110121235A (zh) * 2018-02-05 2019-08-13 深圳市五株科技股份有限公司 铝基电路板及其加工方法
JP7339731B2 (ja) * 2018-09-28 2023-09-06 積水化学工業株式会社 樹脂材料及び多層プリント配線板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01166956A (ja) * 1987-12-24 1989-06-30 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 金属ベース金属箔張積層板の製造法
JP2009049062A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路用基板の製造方法及び金属ベース回路用基板
KR20120068831A (ko) * 2009-07-17 2012-06-27 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 칩 접합체, ｌｅｄ 패키지, 및 ｌｅｄ 패키지의 제조 방법
CN103283313A (zh) * 2010-12-28 2013-09-04 住友电木株式会社 金属基电路基板、金属基电路基板的制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI696251B (zh) * 2018-12-05 2020-06-11 艾姆勒車電股份有限公司 改良型ｉｇｂｔ模組散熱結構
US10861768B2 (en) 2018-12-05 2020-12-08 Amulaire Thermal Technology, Inc. IGBT module with improved heat dissipation structure

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015056555A1 (ja) 2017-03-09
WO2015056555A1 (ja) 2015-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201536124A (zh) 金屬基板、金屬基底電路基板、電子裝置及金屬基底電路基板之製造方法
JP6402763B2 (ja) 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
JP6477483B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、樹脂層付きキャリア材料、金属ベース回路基板および電子装置
KR101625422B1 (ko) 경화성 방열 조성물
WO2015163054A1 (ja) 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置
KR20130076773A (ko) 수지 조성물, 수지 조성물 시트 및 수지 조성물 시트의 제조 방법, 금속박이 부착된 수지 조성물 시트, ｂ 스테이지 시트, 반경화의 금속박이 부착된 수지 조성물 시트, 메탈 베이스 배선판 재료, 메탈 베이스 배선판, ｌｅｄ 광원 부재, 그리고 파워 반도체 장치
TWI527504B (zh) 金屬系電路基板及金屬系電路基板之製造方法
TW201444962A (zh) 裝置、接著劑用組成物、接著片
JP7352173B2 (ja) 組成物、硬化物、多層シート、放熱部品、並びに電子部品
JP2017028128A (ja) パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール
KR101433653B1 (ko) 에폭시 수지 조성물, 상기 에폭시 수지 조성물을 포함하는 접착시트와 회로기판 및 회로기판 제조방법
TW201236518A (en) Multilayer resin sheet and resin sheet laminate
JP6572643B2 (ja) 熱伝導性シート、熱伝導性シートの硬化物および半導体装置
JP6707813B2 (ja) 回路付き部材の製造方法、回路付き部材および電子部品実装部材
EP4166593A1 (en) Heat-conductive sheet and semiconductor module including said heat-conductive sheet
WO2022176448A1 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、パワーモジュール用基板およびパワーモジュール
WO2015163056A1 (ja) 金属ベース基板、金属ベース回路基板および電子装置
WO2015163055A1 (ja) 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置
JP2015207669A (ja) 金属ベース基板、金属ベース回路基板および電子装置
JP2015198104A (ja) 金属ベース回路基板および電子装置
JP2013165136A (ja) 金属ベース回路基板の製造方法
JP2013115180A (ja) 金属ベース回路基板の製造方法