TW201535833A - 製備電極組合件及二次電池之方法 - Google Patents

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Abstract

所提供者為製備適於製備二次電池的電極組合件之方法，該二次電池具有可增加安裝該二次電池之裝置的設計自由度之結構；以及，製備二次電池之方法。根據本發明之第一例示性具體實例的製備電極組合件之方法可包括下列步驟：形成從第一電極和第二電極之邊緣向其內側凹陷的凹部(S11)；形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該凹部的區域以形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之凹部(S31)；以及，藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之凹部彼此面對以形成電極組合件(S41)。

Description

製備電極組合件及二次電池之方法
本發明係關於製備電極組合件和二次電池之方法，且更具體地說，係關於製備適於製備二次電池的電極組合件之方法，該二次電池具有可增加安裝該二次電池之裝置的設計自由度之結構；以及，製備二次電池之方法。
一般而言，對於二次電池的需求已隨著技術發展而迅速增加且對於行動裝置的需求已增加。這些二次電池之中，具有高能量密度和工作電壓以及極佳儲放和循環壽命特性的鋰(離子/聚合物)二次電池已被廣泛地用作各種電子產品以及各種行動裝置的能源。
參照韓國專利申請案公開號2008-0052869，揭露一般二次電池之結構，更具體地說，揭露一種具有對稱且近似矩形形狀的袋型二次電池之結構。
通常，就安裝二次電池的裝置之空間的使用而言，上述具有矩形形狀的二次電池是有利的。然而， 在特定情況下，具有矩形形狀的二次電池限制裝置之空間的使用。例如，智慧型手機為了便於攜帶而設計成超薄輪廓，且在許多情況下，總厚度為小於1cm。因為二次電池和各種電子元件，以及相機模組必須全部安裝在智慧型手機的有限內部空間中，所以這些組件的配置是很重要的。然而，因為相機模組能夠放大和縮小，且包括多個透鏡，所以減少其厚度是非常困難的。此外，因為高電容二次電池係用於智慧型手機的長期操作，所以減少二次電池的厚度也是很困難的。因此，相機模組和二次電池不以彼此重疊而配置，在智慧型手機的內部空間中必須彼此隔開配置。
如上所述因為二次電池的形狀受限制，所以每個組件的安裝位置不可避免地受限於特定位置，特別是在小型的電子裝置中。結果，裝置的尺寸和設計受到很大限制。
作為能夠解決上述限制的結構，已開發出一種多孔型(perforated-type)二次電池，其中係在其中心形成孔。二次電池根據電極組合件的形狀被廣泛地分類為包捲(jelly-roll)型、堆疊和摺疊型、及堆疊型，且包捲型以及堆疊和摺疊型電極組合件不適用於製備多孔型二次電池。
因此，僅藉由分別堆疊電極和分隔件所形成之堆疊型電極組合件可使用於多孔型二次電池中。然而，對於堆疊型電極組合件，藉由使在構成電極組合件的多個電 極和分隔件中形成的每個孔吻合以對準每層的程序可能需要過長的時間。甚至在藉由使在多個電極和分隔件中形成的每個孔吻合以堆疊電極和分隔件的情況中，在加壓或加熱電極和分隔件來改變孔的形狀和位置之程序期間，該分隔件經常發生變形。結果，多孔型二次電池僅停留在構思的階段，還沒有被商業化。
本發明提供製備適於製備二次電池的電極組合件之方法，該二次電池具有可增加安裝該二次電池之裝置的設計自由度之結構；以及，製備二次電池之方法。
根據本發明的一態樣，係提供一種製備電極組合件之方法，其包括下列步驟：形成從第一電極和第二電極之邊緣向其內側凹陷的凹部(S11)；形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件 和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該凹部的區域以形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之凹部(S31)；以及，藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之凹部彼此面對以形成電極組合件(S41)。
根據本發明的另一態樣，係提供一種製備電極組合件之方法，其包括下列步驟：在第一電極和第二電極的內部形成通孔(S12)；形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該通孔的區域以形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之通孔(S32)；以及，藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之通孔彼此面對以形成電極組合件(S42)。
根據本發明的另一態樣，係提供一種製備鋰二次電池之方法，其包括下列步驟：形成從第一電極和第二電極之邊緣向其內側凹陷的凹部(S11)；形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層 結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該凹部的區域以形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之凹部(S31)；藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之凹部彼此面對以形成電極組合件(S41)；以及，將該電極組合件容置於袋型殼體中並形成在該電極組合件的直立投影面之外的袋型殼體之區域作為熔接部分(S50)。
根據本發明的另一態樣，係提供一種製備鋰二次電池之方法，該方法包括下列步驟：在第一電極和第二電極的內部形成通孔(S12)；形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該通孔的區域以形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之通孔(S32)；藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之通孔彼此面對以形成電極組合件(S42)，以及，將該電極組合件容置於袋型殼體中並 形成在電極組合件的直立投影面之外的袋型殼體之區域作為熔接部分(S50)。
根據本發明，可提供製備適於製備二次電池的電極組合件之方法，該二次電池具有可增加安裝該二次電池之裝置的設計自由度之結構，以及，製備二次電池之方法。
A1、A2‧‧‧凹部
B1、B2‧‧‧通孔
C1、C2、C3‧‧‧切機
D1、D2、D3‧‧‧寬度
L1、L2‧‧‧貼合機
T1、T2‧‧‧固定部件
W1、W2、W3‧‧‧寬度
100、100c、100e、100f、100g‧‧‧電極組合件
110、100a‧‧‧單元結構
110a、110b‧‧‧基本單元
110c‧‧‧第二基本單元
110d‧‧‧第三基本單元
111‧‧‧第一電極
112‧‧‧第一分隔件
113‧‧‧第二電極
114‧‧‧第二分隔件
116‧‧‧第一終端電極
117‧‧‧第二終端分隔件
118‧‧‧陰極
119‧‧‧陽極
121‧‧‧第一電極材料
122‧‧‧第一分隔件材料
123‧‧‧第二電極材料
124‧‧‧第二分隔件材料
130、130a、130b、130c、130d‧‧‧第一輔助單元
140、140a、140b、140c、140d‧‧‧第二輔助單元
200‧‧‧袋型殼體
210、220、230‧‧‧熔接部分
下列說明書所附圖式係例示說明本發明的較佳實例，並用於配合下文中的本發明詳細描述以使能進一步理解本發明的技術概念，因此本發明不應只以該等圖式中的事項解釋。
圖1為電極之平面圖；圖2為根據第一具體實例之其中形成凹部的電極之平面圖；圖3為根據第一具體實例的單元結構之展開透視圖，該單元結構包括其中形成凹部的電極和其中未形成凹部的分隔件；圖4為根據第一具體實例的單元結構之平面圖，該單元結構包括其中形成凹部的電極和其中未形成凹部的分隔件；圖5為根據第一具體實例的單元結構之平面 圖，其中在分隔件中形成凹部；圖6為根據第一具體實例的電極組合件之透視圖，其中係堆疊多個圖5之單元結構；圖7，作為根據第一具體實例之改良具體實例的堆疊多個單元結構之電極組合件之展開圖，其來自電極組合件之凹部側的側視圖；圖8為根據第二具體實例之其中形成通孔的電極之平面圖；圖9為根據第二具體實例的單元結構之平面圖，該單元結構包括其中形成通孔的電極和其中未形成通孔的分隔件；圖10為根據第二具體實例的單元結構之平面圖，其中在分隔件中形成通孔；圖11為根據第二具體實例的電極組合件之透視圖，其中係堆疊多個圖10之單元結構；圖12，作為根據第二具體實例之改良具體實例的堆疊多個單元結構之電極組合件之展開圖，其為通過電極組合件的通孔部分之縱剖視圖；圖13，作為根據第一具體實例的二次電池之平面圖，其顯示對應於凹部的熔接部分未切除之狀態；圖14顯示從圖13之二次電池切除對應於凹部的熔接部分之狀態；圖15，作為根據第二具體實例之二次電池之平面圖，其顯示對應於通孔的熔接部分未切除之狀態； 圖16顯示從圖15之二次電池切除對應於通孔的熔接部分之狀態；圖17為顯示藉由根據本發明的製備電極組合件之方法製備的電極組合件中所包括之單元結構的第一結構之側視圖；圖18為顯示藉由根據本發明的製備電極組合件之方法製備的電極組合件中所包括之單元結構的第二結構之側視圖；圖19為顯示根據本發明的製備單元結構之程序的程序圖；圖20為顯示包括單元結構和第一輔助單元之電極組合件的第一結構之側視圖；圖21為顯示包括單元結構和第一輔助單元之電極組合件的第二結構之側視圖；圖22為顯示包括單元結構和第二輔助單元之電極組合件的第三結構之側視圖；圖23為顯示包括單元結構和第二輔助單元之電極組合件的第四結構之側視圖；圖24為顯示包括單元結構、第一輔助單元和第二輔助單元之電極組合件的第五結構之側視圖；圖25為顯示包括單元結構和第一輔助單元之電極組合件的第六結構之側視圖；圖26為顯示包括單元結構和第二輔助單元之電極組合件的第七結構之側視圖；以及 圖27為顯示根據本發明之電極組合件的固定結構之示意透視圖。
下文中，將參考附圖詳細描述本發明的較佳具體實例。然而，本發明不應解釋為限定於本文所闡述之具體實例。
應理解，在說明書和申請專利範圍中所使用的字或詞不應解釋為限於一般使用之字典中所定義的意義。應進一步理解的是：字或詞應解釋為具有與彼等在相關領域和本發明的技術思想範圍內一致的意義，且基於發明人可適當定義該字或詞的意義以最佳地解釋本發明之原則。
在圖式中，為了便於描述和清楚起見，各元件或構成該元件之特定部分的大小被擴大、省略或示意性地示出。因此，各元件的尺寸並非完全反映實際尺寸。此外，為了不會不必要地模糊本發明之標的，將排除關於已知功能或組態的詳細說明。
根據本發明之第一例示性具體實例的電極組合件之製備方法係包括下列步驟：形成從第一電極111和第二電極113之邊緣向其內側凹陷的凹部A1(S11)；形成單元結構110，該單元結構110具有其中係順序堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、第二分隔件114之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結 構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極111、該第一分隔件112、該第二電極113、和該第二分隔件114係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構110中的該第一分隔件112和該第二分隔件114中之以一邊距而對應於該凹部A1的區域以形成在該第一分隔件112和該第二分隔件114中之凹部A2(S31)；以及，藉由堆疊多個單元結構110以使相鄰單元結構110之凹部A1和A2彼此面對以形成電極組合件100(S41)。
首先，為了進行步驟S11，製備圖1中所示之電極111和113，且如圖2中所示，可從第一電極111或第二電極113之一側的邊緣向其內側形成凹部A1。凹部A1之形成可藉由切割圖1中所示之電極111和113完成，但也可製備具有初始便形成於其中的凹部A1之電極111和113。
其次，如圖3和4中所示，形成單元結構110之步驟S20係藉由按第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、第二分隔件114的順序堆疊具有形成於其中之凹部A1的第一電極111和第二電極113及不具凹部的第一分隔件112和第二分隔件114而進行。可採用包括多個堆疊結構之單元結構110，且單元結構110可進一步包括稍後將描述之輔助單元。
其次，如圖5和6中所示，形成於第一分隔件 112和第二分隔件114中的凹部A2之步驟S31係藉由在第一分隔件112和第二分隔件114的整個區域之中切割面對電極111和113中所形成之凹部A1的區域來進行。將分隔件112和114切成具有稍大於電極111和113的面積，以防止配置在各分隔件112和114兩側之電極111和113短路(不通過分隔件112和114)。基於同樣的原因，也希望：要形成在分隔件112和114中的凹部A2時，係沿圖4中離界定電極111和113中所形成之凹部A1的輪廓一些邊距(margin)的虛線來切割分隔件112和114。
其次，如圖6中所示，形成電極組合件100之步驟S41係藉由堆疊單元結構110以使相鄰單元結構110的凹部A1和A2彼此面對來進行。
在單元結構110中的任一者中所形成之凹部A1和A2可具有與在相鄰之單元結構110中所形成之凹部A1和A2相同的尺寸。然而，為了使二次電池具有最大電容且不妨礙安裝在機械或電子裝置中的組件，在單元結構110中的任一者中所形成之凹部A1和A2可具有與在相鄰之單元結構110中所形成之凹部A1和A2之不同的尺寸。
例如，參照作為第一具體實例之改良具體實例的圖7，可確認的是：配置於電極組合件100的最上側之單元結構110的電極111和113中所形成之凹部A1的寬度W1為最小，配置於電極組合件100的中間之單元結 構110的電極111和113中所形成之凹部A1的寬度W2為第二小，而配置於電極組合件100的最下側之單元結構110的電極111和113中所形成之凹部A1的寬度W3為最大。
電極111和113中所形成之凹部A1的尺寸，可從電極組合件100的頂面向其底面而逐漸增加，或反之，可逐漸減少。此外，在該分隔件112和114中所形成之凹部A2的尺寸，可從電極組合件100的頂面向其底面而逐漸增加，或反之，可逐漸減少。
下文中，將描述根據本發明之第二例示性具體實例的電極組合件之製備方法。
根據本發明之第二例示性具體實例的電極組合件之製備方法係包括下列步驟：在第一電極111和第二電極113的內部形成通孔B1(S12)；形成單元結構110，該單元結構110具有其中係順序堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、第二分隔件114之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極111、該第一分隔件112、該第二電極113、和該第二分隔件114係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構110中的該第一分隔件112和該第二分隔件114中之以一邊距而對應於該通孔B1的區域以形成在該第一分隔件112和該第二分隔件114中之通孔B2 (S32)；以及，藉由堆疊多個單元結構110以使相鄰單元結構110之通孔B1和B2彼此面對以形成電極組合件100(S42)。
首先，為了進行步驟S12，製備圖1中所示之電極111和113，且如圖8中所示，可在第一電極111和第二電極113之內部形成通孔B1。通孔B1的形狀並不限於圓形，通孔B1可以多邊形或不規則形狀而形成。此外，可在電極111和113中形成多個通孔B1。通孔B1的形成可藉由切割圖1中所示之電極111和113而達成，但也可製備具有初始便形成於其中的通孔B1之電極111和113。
其次，如圖9中所示，形成單元結構110之步驟S20係藉由按第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、第二分隔件114的順序堆疊具有形成於其中的通孔B1之第一電極111和第二電極113及不具通孔之第一分隔件112和第二分隔件114而進行。可採用包括多個堆疊結構之單元結構110，且單元結構110可進一步包括稍後將描述之輔助單元。雖然圖3顯示第一具體實例，但當參照圖3和9時可容易確定根據第二具體實例的單元結構110之結構，因為根據第二具體實例的單元結構110中所包括之各層也以與圖3中相同的方式堆疊。
其次，如圖10和11中所示，形成在該第一分隔件112和該第二分隔件114中之通孔B2的步驟S32係藉由在第一分隔件112和第二分隔件114的整個區域之中 切割面對電極111和113區域中所形成之通孔B1的區域來進行。分隔件112和114係切割為具有稍大於電極111和113的面積，以防止配置在各分隔件112和114之二表面的電極111和113短路(不通過分隔件112和114)。出於同樣的理由，亦希望要形成分隔件112和114中的通孔B2時，沿著圖9中離界定電極111和113中所形之通孔B1的輪廓一些邊距之虛線來切割由圖9之虛線界定的分隔件112和114的內部區域。
其次，如圖11中所示，形成電極組合件100之步驟S42係藉由堆疊單元結構110以使相鄰單元結構110之通孔B1和B2彼此面對來進行。
類似於第一具體實例，在第二具體實例中，任一單元結構110所形成之通孔B1和B2可具有與相鄰之單元結構110中所形成之通孔B1和B2相同的尺寸或不同的尺寸。
例如，參照作為第二具體實例之改良具體實例的圖12，可確認的是：配置於電極組合件100的最上側之單元結構110的電極111和113中所形成之通孔B1的寬度D1為最小，配置於電極組合件100的中間之單元結構110的電極111和113中所形成之通孔B1的寬度D2為第二小，而配置於電極組合件100的最下側之單元結構110的電極111和113中所形成之通孔B1的寬度D3為最大。
在電極111和113中所形成之通孔B1的尺 寸，從電極組合件100的頂面向其底面可逐漸增加，或反之，可逐漸減少。此外，在分隔件112和114中所形成之通孔B2的尺寸，從電極組合件100的頂面向其底面可逐漸增加，或反之，可逐漸減少。
下文中，將描述根據第一具體實例的包括根據第一具體實例之電極組合件100的二次電池之製備方法。
在根據第一具體實例的二次電池之製備方法中，進一步進行將透過步驟S11、步驟S20、步驟S31和步驟S41製備之電極組合件100容置於袋型殼體200中並形成電極組合件100的直立投影面(vertical projection plane)之外的袋型殼體200之區域作為熔接部分(fused portion)210和220的步驟S50(參見圖13和14)。
即，根據第一具體實例的二次電池之製備方法包括下列步驟：形成從第一電極111和第二電極113之邊緣向其內側凹陷的凹部A1(S11)；形成單元結構110，該單元結構110具有其中係順序堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、第二分隔件114之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極111、該第一分隔件112、該第二電極113、和該第二分隔件114係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構110中的該第一分隔件112和該第二分隔件114中之以一邊距而對應於該凹部A1的區域以形成 在該第一分隔件112和該第二分隔件114中之凹部A2(S31)；藉由堆疊多個單元結構110以使相鄰單元結構110之凹部A1和A2彼此面對以形成電極組合件100(S41)；以及，將該電極組合件100容置於袋型殼體200中並形成在該電極組合件100的直立投影面之外的袋型殼體200之區域作為熔接部分210和220(S50)。
將省略與步驟S11、步驟S20、步驟S31和步驟41之說明重疊的說明，並描述步驟S50。
在步驟S50中，詞句“電極組合件100的直立投影面”表示袋型殼體200的頂面和底面中與電極組合件100重疊的區域。因此，詞句“在該電極組合件100的直立投影面之外的袋型殼體200之區域”表示圖13中以陰影表示的區域。最後，形成在該電極組合件100的直立投影面之外的區域作為熔接部分210和230係表示圖13中以陰影表示的區域之熔接。
如上所述，形成在電極組合件100中之凹部A1和A2是為了增加機械或電子裝置的設計自由度，且，為了充分地達到該目的，理想的是使該電極組合件100和該袋型殼體200的形狀大致相同。
因此，步驟S50可包括對應於凹部A1和A2之從熔接部分210和220的區域220切割出小於第一分隔件112和第二分隔件114之凹部A2的面積之程序，完成程序時之二次電池係顯示於圖14中。
下文中，將描述根據第二具體實例之包括根 據第二具體實例之電極組合件100的二次電池之製備方法。
在根據第二具體實例的二次電池之製備方法中，進一步進行將透過步驟S12、步驟S20、步驟S32和步驟S42製備之電極組合件100容置於袋型殼體200中並形成在電極組合件100的直立投影面之外的袋型殼體200之區域作為熔接部分210和230之步驟S50(參見圖15和16)。
即，根據第二具體實例的二次電池之製備方法包括下列之步驟：在第一電極111和第二電極113的內部形成通孔B1(S12)；形成單元結構110，該單元結構110具有其中係順序堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、第二分隔件114之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極111、該第一分隔件112、該第二電極113、和該第二分隔件114係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構110中的該第一分隔件112和該第二分隔件114中之以一邊距而對應於該通孔B1的區域以形成在該第一分隔件112和該第二分隔件114中之通孔B2(S32)；藉由堆疊多個單元結構110以使相鄰單元結構110之通孔B1和B2彼此面對以形成電極組合件100(S42)；以及，將該電極組合件100容置於袋型 殼體200中並形成在電極組合件100的直立投影面之外的袋型殼體200之區域作為熔接部分210和230(S50)。
將省略與步驟S12、步驟S20步驟S32、和步驟42之說明重疊的說明，並描述步驟S50。
在第二具體實例之步驟S50中，詞句“電極組合件100的直立投影面”係以第一具體實例之意義相同的意義使用，且因此，形成在該電極組合件100的直立投影面之外的區域作為熔接部分210和230表示圖15中以陰影表示的區域之熔接。
此外，步驟S50可包括對應於通孔B1和B2從熔接部分210和230的區域230切割出小於該第一分隔件112和該第二分隔件114之通孔B2的面積之程序，完成程序時之二次電池係顯示於圖16中。
無論是第一具體實例還是第二具體實例，方法步驟S50中的切割熔接部分210、220、和230的程序可藉由雷射切割、超音波切割和模具切割進行。
至此，已經簡要描述僅包括，其中各層係按第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、第二分隔件114的順序簡單地堆疊之結構的單元結構110之結構。此外，尚未詳細描述藉由固定構成單元結構110之不同層的相對位置來形成單一單元結構110或形成包括該單元結構110的電極組合件100的詳細程序。
因此，實際上用來製備單元結構110或可用於 本發明中的各種電極組合件100之結構的程序將描述於下。
根據本發明的電極組合件之製備方法所製備的電極組合件100係包括單元結構110a和110b(參見圖17和18)之至少一者。
在根據本發明之電極組合件中，基本單元係藉由交替地設置電極和分隔件而形成。在此情況下，係設置相同數目的電極和分隔件。例如，基本單元110a可藉由堆疊二個電極111和113和二個分隔件112和114而形成。在此情況下，陰極和陽極當然可透過分隔件而彼此面對。當基本單元像這樣形成時，電極係配置於基本單元的一側端而分隔件係配置於基本單元的另一側端。
根據本發明之電極組合件具有基本特徵在於該單元結構(即，電極組合件)可僅藉由堆疊該等基本單元而形成。即，本發明具有基本特徵在於該單元結構可藉由以預定順序重複地堆疊一種基本單元或堆疊二或更多種基本單元而形成。為了實現該等特徵，基本單元可具有下列結構。
首先，基本單元可藉由順序地堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極和第二分隔件而形成。具體而言，基本單元110a和110b可藉由從其頂側至底側順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114而形成，或可藉由從底側至頂側順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件 114而形成。在下文中，具有上述結構之基本單元稱為“第一基本單元”。在此情況下，第一電極111和第二電極113為具有相反極性的電極。例如，當第一電極111為陰極時，第二電極113為陽極。
當基本單元係如上所述藉由順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114而形成時，單元結構100a可僅藉由重複地堆疊一種基本單元110a而形成。在此，基本單元，除了上述的四層結構之外，可具有8層結構或12層結構。即，基本單元可具有其中該四層結構係重複地設置之結構。例如，基本單元也可藉由順序地堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件、第一電極、第一分隔件、第二電極、和第二分隔件而形成。
其次，基本單元可藉由順序地堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件、第一電極和第一分隔件而形成，或可藉由順序地堆疊第二電極、第二分隔件、第一電極、第一分隔件、第二電極和第二分隔件而形成。在下文中，具有前者之結構之基本單元稱為“第二基本單元”，具有後者之結構之基本單元稱為“第三基本單元”。
具體而言，第二基本單元110c可藉由從其頂側至底側順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、第二分隔件114、第一電極111和第一分隔件112而形成。此外，第三基本單元110d可藉由從其頂 側至底側順序地堆疊第二電極113、第二分隔件114、第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114而形成。反之，該第二和第三基本單元也可藉從底側至頂側順序地堆疊而形成。
當堆疊各第二基本單元和第三基本單元時，係形成其中該四層結構係重複地堆疊之結構。因此。當交替地和連續地堆疊各第二基本單元和第三基本單元時，單元結構可如圖6中所示僅藉由堆疊第二和第三基本單元而形成。
因此，在本發明中，一種基本單元可具有其中順序地配置第一電極、第一分隔件、第二電極和第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地配置之結構。此外，在本發明中，當以預定順序逐一設置二或更多種基本單元時，係形成四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構。例如，上述第一基本單元具有四層結構，且當堆疊各上述之第二基本單元和第三基本單元(即，總共堆疊兩基本單元)時，形成其中重複地堆疊該四層結構之十二層結構。
因此，在本發明中，當一種基本單元係重複地堆疊或者二種或更多種基本單元以預定順序堆疊時，單元結構(即，電極組合件)可僅藉由堆疊而形成。
在本發明中，單元結構係藉由堆疊作為基礎單元之基本單元而形成。即，首先製備基本單元並接著藉由重複地堆疊該等基本單元或以預定順序堆疊基本單元而製 備單元結構。因此，在本發明中，單元結構可僅藉由堆疊該等基本單元而形成。因此，在本發明中，該等基本單元可被非常精確地對準。當基本單元精確對準時，電極和分隔件也可在該單元結構中精確對準。此外，因為程序變得非常簡單，所以本發明可顯著改良單元結構(電極組合件)的生產力。
單元結構110中所包括之第一電極111係包括集電器和活性材料層(活性材料)，且集電器的兩側係用活性材料層塗佈。同樣地，單元結構110中所包括之第二電極113也包括集電器和活性材料層(活性材料)，且集電器的兩側係用活性材料層塗佈。
製備單元結構110之方法可以下列連續方法進行(參見圖19)。首先，製備第一電極材料121、第一分隔件材料122、第二電極材料123和第二分隔件材料124。在此，電極材料121和123如下所述係藉由切割至預定尺寸而形成電極111和113。相同方法也適用於分隔件材料122和124。電極材料121和123以及分隔件材料122和124可具有用於製程自動化而纏繞在輥上的形式。此等材料係如上所述製備，且藉由切機C1將第一電極材料121切割成預定尺寸。第二電極材料123也藉由切機C2切割成預定尺寸。接著，將具有預定尺寸之第一電極材料121提供在第一分隔件材料122上且將具有預定尺寸之第二電極材料123提供在第二分隔件材料124上。其後，將此等材料一起供應至層合機L1和L2。
如上所述，電極組合件100係藉由重複地堆疊單元結構110而形成。然而，若構成單元結構110之電極和分隔件係彼此分開，則重複地堆疊單元結構110會非常困難。因此，理想的是單元結構110中所包括之電極和分隔件係彼此結合，而層合機L1和L2係用以使電極和分隔件彼此結合。即，層合機L1和L2施加壓力或者熱和壓力至材料以使電極材料和分隔件材料彼此結合。因此，藉由透過使用層合機L1和L2之層合方法，電極材料和分隔件材料係彼此結合，且結合之結果，使單元結構110可更穩定地保持它們的形狀。
在各層之層合後，以切機C3將第一分隔件材料122和第二分隔件材料124切割成預定尺寸。單元結構110可藉由切割而形成。另外，如果需要的話，可對單元結構110進行各種試驗。例如，可進一步進行諸如厚度試驗、視覺試驗(vision test)、和短路試驗等試驗。
製備單元結構110之方法可藉由上述連續方法進行，但製備單元結構110之方法非必定藉由連續方法進行。即，也有可能是第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114係先切割成適當尺寸，接著藉由堆疊彼等而形成單元結構110。
分隔件112和114或分隔件材料122和124之表面可用具有黏著性之塗料塗佈。在此情況下，塗料可為無機材料粒子和黏合劑聚合物(binder polymer)的混合物。在此，無機材料粒子可改良熱穩定性。即，無機材料 粒子可防止分隔件在高溫下的收縮。黏合劑聚合物可固定無機材料粒子，且結果，可在固定於黏合劑聚合物間的無機材料粒子之間形成預定孔結構。由於該等孔結構，離子可順利地從陰極移動到陽極，即使分隔件用無機材料粒子塗佈。此外，黏合劑聚合物可將無機材料粒子穩定地保持在分隔件上，因此，也可改良機械穩定性。而且，黏合劑聚合物可將分隔件更穩定地黏合至電極。作為參考，分隔件可由以聚烯烴為主之分隔件材料形成。
如圖17和18所示，第一分隔件112在其兩側具有電極111和113，但第二分隔件114僅於其一側具有電極113。因此，第一分隔件112的兩側可以塗料塗佈，而第二分隔件114僅一側可以塗料塗佈。即，第一分隔件112之分別面對第一電極111和第二電極113的兩側可以塗料塗佈，而第二分隔件114僅面對第二電極113之一側可以塗料塗佈。
在單元結構110的內部進行利用塗料之黏合可為足夠的。因此，如上所述，第二分隔件114係僅一側可經塗佈。然而，因為單元結構110也可藉由諸如熱壓之方法彼此結合，所以如果需要的話，第二分隔件114也可於兩側塗佈。即，第二分隔件114的面對第二電極113之一側和其相對側也可以塗料塗佈。在此情況下，配置在上側之單元結構110和就配置在其下之單元結構110可透過在第二分隔件114之外表面上的塗料結合在一起。
作為參考，在分隔件係以具有黏著性之塗料塗 佈的情況中，不希望的是以預定物件直接將壓力施加至分隔件。分隔件通常延伸超過電極至外側。因此，可嘗試將第一分隔件112的端部和第二分隔件114的端部結合在一起。例如，可嘗試藉由超音波熔接將第一分隔件112的端部和第二分隔件114的端部熔接在一起，而關於超音波熔接，必須以焊頭(horn)將壓力直接施加至物件。然而，當以焊頭將壓力直接施加至分隔件的端部時，由於塗料具有黏著性，焊頭會黏著至分隔件。結果，可能會發生裝置的故障。因此，在分隔件以具有黏著性之塗料塗佈的情況下，不希望使用以預定物件將壓力直接施加至分隔件的方法。
電極組合件100可進一步包括第一輔助單元130和第二輔助單元140中之至少一者。首先，描述第一輔助單元130。單元結構110係藉由從其頂側至底側或從底側至頂側順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114而形成。因此，當電極組合件100係藉由重複地堆疊單元結構110而形成時，第一電極111(116，在下文中，稱為“第一終端電極”)係配置於電極組合件100之最上側(參見圖17)或最下側(參見圖18)(第一終端電極可為陰極或陽極)。將第一輔助單元130進一步堆疊在第一終端電極116上。
具體而言，如圖20中所示，當第一電極111為陰極且第二電極113為陽極時，第一輔助單元130a可藉由從第一終端電極116(即，從第一終端電極116往外 側(根據圖20為頂側))順序地堆疊分隔件114、陽極113、分隔件112和陰極111而形成。此外，如圖21中所示，當第一電極111為陽極且第二電極113為陰極時，第一輔助單元130b可藉由從第一終端電極116(即，從第一終端電極116往外側)順序地堆疊分隔件114和陰極113而形成。在電極組合件100中，如圖20或21中所示，由於第一輔助單元130，陰極可配置於第一終端電極116之最外側。
一般而言，電極包括集電器和活性材料層(活性材料)，且集電器的兩側係用活性材料層塗佈。因此，根據圖20，藉由分隔件的媒介，陰極的活性材料層中配置在集電器之下的活性材料層可與陽極的活性材料層中配置在集電器之上的活性材料層反應。當單元結構110以相同的方式形成且然後順序地堆疊單元結構110而形成電極組合件100時，配置在電極組合件100的最上側或最下側之第一終端電極116(類似於第一電極111)不可避免地在集電器的兩側含有活性材料層。然而，當第一終端電極具有其中集電器的兩側係以活性材料層塗佈之結構時，在第一終端電極之活性材料層中配置在外側之活性材料層可不與其它活性材料層反應。因此，發生浪費活性材料層之問題。
第一輔助單元130是為了解決上述問題。即，第一輔助單元130係與單元結構110分開地形成。因此，第一輔助單元130可包括其中僅於集電器之一側以活性材 料層塗佈的陰極。即，第一輔助單元130可包括其中僅於集電器的兩側中之面對單元結構110之一側(根據圖20為朝下之一側)以活性材料層塗佈的陰極。結果，當電極組合件100係藉由將第一輔助單元130進一步堆疊在第一終端電極116上而形成時，僅於一側經塗佈的陰極可配置在第一終端電極116之最外側。因此，可解決浪費活性材料層之問題。因為陰極(例如)係配置以釋放鎳離子，對電池電容有利的是將陰極配置在最外側。
其次，描述第二輔助單元140。第二輔助單元140基本上具有與第一輔助單元130相同的作用。將更詳細地描述第二輔助單元140。單元結構110係藉由從其頂側至底側或從底側至頂側順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、和第二分隔件114而形成。因此，當電極組合件100係藉由重複地堆疊單元結構110而形成時，第二分隔件114(117，在下文中，稱為“第二終端分隔件”)係配置於電極組合件100之最上側(參見圖18)或最下側(參見圖17)。第二輔助單元140係進一步堆疊在第二終端分隔件117上。
具體而言，如圖22中所示，當第一電極111為陰極而第二電極113為陽極時，第二輔助單元140a可形成作為陰極111。此外，如圖23中所示，當第一電極111為陽極而第二電極113為陰極時，第二輔助單元140b可藉由從第二終端分隔件117(即，從第二終端分隔件117往外側(根據圖23為底側))順序地堆疊陽極111、 分隔件112和陰極113而形成。類似於第一輔助單元130，第二輔助單元140也可包括其中僅在集電器的兩側中之面對單元結構110之一側(根據圖23為朝上之一側)上以活性材料層塗佈的陰極。結果，當電極組合件100係藉由將第二輔助單元140進一步堆疊在第二終端分隔件117上而形成時，僅於一側經塗佈的陰極可配置於第二終端分隔件117之最外側。
作為參考，圖20和21及圖22和23舉例說明其中第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114係從頂側至底側順序地堆疊之情形。反之，其中第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114係從底側至頂側順序地堆疊之情形也可以與如上所述相同的方式進行說明。如果需要的話，第一輔助單元130和第二輔助單元140可進一步包括在最外側之分隔件。例如，在配置於最外側的陰極必須與殼體電絕緣的情況下，第一輔助單元130和第二輔助單元140可進一步包括在陰極的外側之分隔件。出於同樣的理由，如圖22中所示，分隔件可進一步包括於陰極中，該陰極係於與其上堆疊有第二輔助單元140之側相反之側(即，圖22的電極組合件100之最上側)暴露。
理想的是形成如圖24至26中所示之電極組合件100。首先，可形成如圖24中所示之電極組合件100e。單元結構110b可藉由從底側至頂側順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113、和第二分 隔件114而形成。在此情況下，第一電極111可為陰極而第二電極113可為陽極。第一輔助單元130c可藉由從第一終端電極116(即，根據圖24從頂側至底側)順序地堆疊分隔件114、陽極113、分隔件112和陰極111而形成。在此情況下，活性材料層可僅在第一輔助單元130c的陰極111之面對單元結構110b之一側上形成。
此外，第二輔助單元140c可藉由從第二終端分隔件117(即，根據圖24從底側至頂側)順序地堆疊陰極111(第一陰極)、分隔件112、陽極113、分隔件114和陰極118(第二陰極)而形成。在此情況下，活性材料層可僅在配置於第二輔助單元140c的陰極之最外側的陰極118(第二陰極)之面對單元結構110b之一側上形成。作為參考，當輔助單元包括分隔件時，對於單元結構之對準是有利的。
其次，電極組合件100f可形成如圖25中所示。單元結構110b可藉由從底側至頂側順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114而形成。在此情況下，第一電極111可為陰極而第二電極113可為陽極。第一輔助單元130d可藉由從第一終端電極116順序地堆疊分隔件114、陽極113和分隔件112而形成。在此情況下，可不包括第二輔助單元。作為參考，陽極，由於電位差，可與袋型殼體200之鋁層反應。因此，理想的是陽極透過分隔件與袋型殼體200絕緣。
最後，如圖26中所示可形成電極組合件100g。單元結構110c可藉由從頂側至底側順序地堆疊第一電極111、第一分隔件112、第二電極113和第二分隔件114而形成。在此情況下，第一電極111可為陽極而第二電極113可為陰極。第二輔助單元140d可藉由從第二終端分隔件117順序地堆疊陽極111、分隔件112、陰極113、分隔件114和陽極119而形成。在此情況下，可不包括第一輔助單元。
在下文中，將參照圖27描述根據本發明之電極組合件100的固定結構。
根據本發明之電極組合件100可進一步包括固定單元結構110或具有堆疊該單元結構110之結構的電極組合件100的一側或前面之固定部件T1。
即，為了確保堆疊結構的穩定，電極組合件100之側邊可藉由使用單獨構件而固定，該固定部件可如圖27(a)中所示藉由膠黏堆疊之電極組合件100之前面的方法而實現，或可如圖27(b)中所示以僅固定電極組合件100之側邊的固定部件T2而實現。此外，關於圖27(a)和27(b)，聚合物膠帶可用作固定部件。
雖然本發明已結合例示性具體實例而出示和描述，但熟習該項技術者將清楚可在不脫離由所附申請專利範圍所定義的本發明之精神和範圍下進行修改和變化。
110‧‧‧單元結構
111‧‧‧第一電極
112‧‧‧第一分隔件
A1、A2‧‧‧凹部

Claims (27)

  1. 一種製備電極組合件之方法，該方法包括：形成從第一電極和第二電極之邊緣向其內側凹陷的凹部(S11)；形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該凹部的區域以而形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之凹部(S31)；以及藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之凹部彼此面對以形成電極組合件(S41)。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，在該等單元結構之任一者中所形成之凹部係具有與在相鄰之單元結構中所形成之凹部不同的尺寸。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，該等凹部的尺寸係從該電極組合件的頂面至其底面逐漸增加或減小。
  4. 一種製備電極組合件之方法，該方法包括：在第一電極和第二電極的內部形成通孔(S12)； 形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該通孔的區域以形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之通孔(S32)；以及藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之通孔彼此面對以形成電極組合件(S42)。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中，該等單元結構之任一者中所形成之通孔係具有與在相鄰之單元結構中所形成之通孔不同的尺寸。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中，該等通孔之尺寸係從該電極組合件的頂面至其底面逐漸增加或減小。
  7. 如申請專利範圍第1或4項之方法，其中，該單元結構係藉由將該電極和該分隔件彼此黏合而形成。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，電極和分隔件之黏合係藉由施加壓力或施加熱和壓力至電極和分隔件來進行。
  9. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，該單元結 構係藉由層合電極和分隔件而形成。
  10. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，該分隔件之表面係以具有黏著性之塗料塗佈。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中，該塗料為無機材料粒子和黏合劑聚合物的混合物。
  12. 如申請專利範圍第10項之方法，其中，該第一分隔件之分別面對第一電極和第二電極的兩側係以塗料塗佈，且第二分隔件只有在面對第二電極之一側係以塗料塗佈。
  13. 如申請專利範圍第10項之方法，其中，該第一分隔件之分別面對第一電極和第二電極的兩側係以塗料塗佈，且該第二分隔件之面對第二電極的一側和其相對側係以塗料塗佈，其中，包括在電極組合件中之多個單元結構係藉由該第二分隔件之塗料彼此黏合。
  14. 如申請專利範圍第1或4項之方法，其中，該電極組合件進一步包含第一輔助單元，其係堆疊在為配置於最上側或最下側之第一電極的第一終端電極上，以及當該第一電極為陰極且第二電極為陽極時，該第一輔助單元係藉由從該第一終端電極順序地堆疊分隔件、陽極、分隔件、和陰極而形成，以及當該第一電極為陽極且第二電極為陰極時，該第一輔助單元係藉由從該第一終端電極順序地堆疊分隔件和陰極而形成。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該第一 輔助單元之陰極係包含：集電器；以及陰極活性材料，其係僅塗佈在集電器的兩側中之面對單元結構之一側上。
  16. 如申請專利範圍第1或4項之方法，其中，該電極組合件進一步包含第一輔助單元，其係堆疊在為配置於最上側或最下側之第一電極的第一終端電極上，以及當該第一電極為陰極且第二電極為陽極時，該第一輔助單元係藉由從該第一終端電極順序地堆疊分隔件、陽極、和分隔件而形成。
  17. 如申請專利範圍第1或4項之方法，其中，該電極組合件進一步包括第二輔助單元，其係堆疊在為配置於最上側或最下側之第二分隔件的第二終端分隔件上，以及當該第一電極為陰極且第二電極為陽極時，第二輔助單元係形成以作為陰極，以及當該第一電極為陽極且第二電極為陰極時，該第二輔助單元係藉由從該第二終端分隔件順序地堆疊陽極、分隔件、和陰極而形成。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中，該第二輔助單元之陰極係包含：集電器；以及陰極活性材料，其係僅塗佈在集電器的兩側中之面對單元結構之一側上。
  19. 如申請專利範圍第1或4項之方法，其中，該電極組合件進一步包括第二輔助單元，其係堆疊在為配置於 最上側或最下側之第二分隔件的第二終端分隔件上，以及當該第一電極為陰極且第二電極為陽極時，該第二輔助單元係藉由從該第二終端分隔件順序地堆疊第一陰極、分隔件、陽極、分隔件、和第二陰極而形成，其中該第二輔助單元之第二陰極係包含集電器和陰極活性材料，且集電器的兩側中僅面對單元結構之一側係以陰極活性材料塗佈。
  20. 如申請專利範圍第1或4項之方法，其中，該電極組合件進一步包含第二輔助單元，其係堆疊在為配置於最上側或最下側之第二分隔件的第二終端分隔件上，以及當該第一電極為陽極且第二電極為陰極時，該第二輔助單元係藉由從該第二終端分隔件順序地堆疊陽極、分隔件、陰極、分隔件、和陽極而形成。
  21. 如申請專利範圍第1或4項之方法，其進一步包括固定該電極組合件之一側或前面的固定部件。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中，該固定部件係藉由使用聚合物膠帶來膠黏該電極組合件之一側或前面而實現。
  23. 一種製備鋰二次電池之方法，該方法包括下列步驟：形成從第一電極和第二電極之邊緣向其內側凹陷的凹部(S11)；形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構， 或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該凹部的區域以形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之凹部(S31)；藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之凹部彼此面對以形成電極組合件(S41)；以及將該電極組合件容置於袋型殼體中並形成在該電極組合件的直立投影面之外的袋型殼體之區域作為熔接部分(S50)。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中步驟S50包含對應於凹部從熔接部分的區域切割出小於該第一分隔件和該第二分隔件之凹部的面積之程序。
  25. 一種製備鋰二次電池之方法，該方法包括下列步驟：在第一電極和第二電極的內部形成通孔(S12)；形成單元結構，該單元結構具有其中係順序堆疊第一電極、第一分隔件、第二電極、第二分隔件之四層結構，或其中該四層結構係重複地堆疊之結構，或具有該四層結構或其中該四層結構係重複地設置之結構，其係藉由以預定順序逐一堆疊二或更多種其中該第一電極、該第一分隔 件、該第二電極、和該第二分隔件係交替地配置且整體結合之基本單元(S20)；藉由切割包括在該單元結構中的該第一分隔件和該第二分隔件中之以一邊距而對應於該通孔的區域以形成在該第一分隔件和該第二分隔件中之通孔(S32)；藉由堆疊多個單元結構以使相鄰單元結構之通孔彼此面對以形成電極組合件(S42)；以及將該電極組合件容置於袋型殼體中並形成在電極組合件的直立投影面之外的袋型殼體之區域作為熔接部分(S50)。
  26. 如申請專利範圍第25項之方法，其中步驟S50包括對應於通孔從熔接部分的區域切割出小於該第一分隔件和該第二分隔件之通孔的面積之程序。
  27. 如申請專利範圍第24或26項之方法，其中，切割該熔接部分之程序係藉由雷射切割、超音波切割、和模具切割進行。
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