TW201533830A - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201533830A
TW201533830A TW104101063A TW104101063A TW201533830A TW 201533830 A TW201533830 A TW 201533830A TW 104101063 A TW104101063 A TW 104101063A TW 104101063 A TW104101063 A TW 104101063A TW 201533830 A TW201533830 A TW 201533830A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cup
chamber
exhaust port
exhaust
port
Prior art date
Application number
TW104101063A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI527144B (zh
Inventor
Hitoshi Nakai
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2014006106A external-priority patent/JP6208021B2/ja
Priority claimed from JP2014246815A external-priority patent/JP6434293B2/ja
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of TW201533830A publication Critical patent/TW201533830A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI527144B publication Critical patent/TWI527144B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

於基板處理裝置(1)，使排列於周方向之複數大腔室排氣埠(281)設置於腔室底部(256)。藉由杯旋轉機構(7)使杯部(4)旋轉，而使杯排氣埠(461)選擇性重疊於複數之大腔室排氣埠(281)之任一者。在杯排氣埠(461)重疊於1個大腔室排氣埠(281)的狀態下，藉由第1排氣機構(95a)，將杯部(4)內之氣體排出至腔室(21)外。在杯排氣埠(461)重疊於另1個大腔室排氣埠(281)的狀態下，藉由第2排氣機構(95b)，將杯部(4)內之氣體排出至腔室(21)外。於基板處理裝置(1)，係藉由杯旋轉機構(7)使腔室(21)內之杯部(4)旋轉，而可容易切換進行來自杯部(4)之排氣的排氣機構。

Description

基板處理裝置
本發明係關於對基板進行處理之基板處理裝置。
習知以來，於半導體基板(以下有時簡稱為「基板」)之製造步驟中，係利用對旋轉之基板供給處理液而進行各種處理的基板處理裝置。此種基板處理裝置中，有時在基板周圍設置用於承接因離心力而由基板飛散之處理液等的杯部。
日本專利特開2010-10554號公報(文獻1)係關於一種對基板依序供給複數種處理液而進行處理的旋轉裝置。該旋轉處理裝置中，在保持基板之旋轉台周圍設有杯體。於旋轉台與杯體之間設有處理液承接體，藉由使處理液承接體升降，而切換處理液承接體之側面下部所連接的流路。該旋轉處理裝置中，係視由處理液承接體所承接之處理液的各種種類而切換流路，將複數種處理液分別回收。又，杯體內之環境氣體係經由設於杯體側面之共通的排氣管所排氣。
日本專利特開2011-204933號公報(文獻2)之基板處理裝置中，係於處理室內部，在旋轉夾具周圍設置杯部。於杯之底部，設有用於將杯內環境氣體與由基板被甩除之純水等處理液一起排出的排氣液溝。排氣及排液係由排氣液溝導入至處理室之外部之氣液分離器，經分離之排氣被導入至排氣切換器。排氣切換器係於 3根個別之排氣管之間切換排氣之流通目的地。
日本專利特開2002-177856號公報(文獻3)之基板處 理裝置中的杯，係於基板邊緣更外側設置圓環狀之第1排液槽，於第1排液槽之周圍設置圓環狀之第2排液槽。於第1排液槽之底部設置排液口與排氣口，排氣口上方係由朝周方向傾斜之裙部所被覆。於第2排液槽之底部亦設有排液口與排氣口，排氣口之上方係由朝周方向傾斜之裙部所被覆。
日本專利特開2013-207265號公報(文獻4)及日本專 利特開2013-207266號公報(文獻5)之基板處理裝置中，在杯之側面設置複數排出口。複數排出口係藉由開關裝置而分別獨立進行開關。於各排出口，係連接著未連接至其他排出口之氣液分離裝置及排氣裝置，由氣液分離裝置所排出之處理液被導入至回收裝置或排液裝置。
然而，文獻1之旋轉處理裝置中，即使改變使用於基 板處理的處理液種類，用於排出杯體內之環境氣體的排氣管並未切換。文獻2之基板處理裝置中，雖可配合處理液種類等而切換排氣管，但由於排氣切換器設於處理室外部，故有基板處理裝置大型化的可能性。又，複數種類之處理液及排氣由於藉由共通配管被導入至處理室外部，故與殘留於配管等之其他處理液混合，而有發生混蝕或處理液之回收率降低之虞。
文獻3中，雖可配合處理液之種類等，切換由第1排 液槽所進行之排液及排氣、與由第2排液槽所進行之排液及排氣，但由於必須將對應至處理液種類之複數排液槽依同心圓狀設置於基板外側，故有基板處理裝置大型化的可能性。文獻4及文獻5之 基板處理裝置中，由於在杯之複數排出口分別設置與其他排出口獨立地驅動的開關裝置，故有關排氣及排液之切換的構造及其控制變得複雜化，且有裝置大型化的可能性。
另外，上述般之基板處理裝置中，在要求來自排氣口 之排氣流量的調節的情況，係與切換排氣之構造分別地、另外將用以調節排氣流量之機構設於排氣管上，而有裝置構造複雜化且裝置大型化的可能性。
本發明係用於對基板進行處理之基板處理裝置，以容易切換排氣機構為目的。又，亦以容易變更排氣流量為目的。
本發明係關於一種基板處理裝置，其具備：依水平狀態保持基板之基板保持部；於上述基板上供給處理液之處理液供給部；設有杯排氣埠，承接來自上述基板之處理液的杯部；於內部收容上述基板保持部及上述杯部之腔室；以朝上下方向之中心軸為中心，使上述杯部進行旋轉的杯旋轉機構；與藉上述杯旋轉機構使上述杯部旋轉，決定上述杯排氣埠於以上述中心軸為中心之周方向之位置的控制部；於上述腔室，設置於上述周方向排列的第1腔室排氣埠及第2腔室排氣埠；上述控制部係藉由控制上述杯旋轉機構，使上述杯排氣埠選擇性地重疊於上述第1腔室排氣埠或上述第2腔室排氣埠；依上述杯排氣埠重疊於上述第1腔室排氣埠之狀態，藉由連接於上述第1腔室排氣埠之第1排氣機構，使上述杯部內之氣體經由上述杯排氣埠及上述第1腔室排氣埠而排出至上述腔室外；依上述杯排氣埠重疊於上述第2腔室排氣埠之狀態，藉由連接於上述第2腔室排氣埠之第2排氣機構，使上述杯部內之氣體經由上述 杯排氣埠及上述第2腔室排氣埠而排出至上述腔室外。藉此，可容易切換排氣機構。
本發明之一較佳實施形態，上述杯排氣埠設於上述杯 部底部，上述第1腔室排氣埠及上述第2腔室排氣埠設於上述腔室底部。
本發明之其他較佳實施形態，上述杯部係以上述中心 軸為中心之環狀，上述杯部具備：圓環狀底部；由上述底部之內周部朝上方擴展之圓筒狀之內側壁部；與由上述底部之外周部朝上方擴展之圓筒狀之外側壁部；於上述內側壁部或上述外側壁部設置上述杯排氣埠，於與上述杯部之上述內側壁部或上述外側壁部相對向的上述腔室之側壁部，設置上述第1腔室排氣埠及上述第2腔室排氣埠。
本發明之其他較佳實施形態，於上述杯部之上述底部 設置杯排液埠；於上述腔室之上述底部，設置於上述周方向排列之第1腔室排液埠及第2腔室排液埠；依上述杯排氣埠重疊於上述第1腔室排氣埠之狀態，上述杯排液埠與上述第1腔室排液埠重疊，使上述杯部內之處理液排出至連接於上述第1腔室排液埠之上述腔室外的第1排液部；依上述杯排氣埠重疊於上述第2腔室排氣埠之狀態，上述杯排液埠與上述第2腔室排液埠重疊，使上述杯部內之處理液排出至連接於上述第2腔室排液埠之上述腔室外的第2排液部。
更佳係於上述腔室之上述底部，設置另一個第1腔室 排液埠，其係與上述第1腔室排液埠及上述第2腔室排液埠一起排列於上述周方向，並連接上述第1排液部；依上述杯排液埠重疊於 上述另一個第1腔室排液埠之狀態，使上述杯部內之處理液排出至上述第1排液部；上述杯排氣埠係位於由上述第1腔室排氣埠及上述第2腔室排氣埠於上述周方向呈離間的位置。
或者更佳係上述腔室排液埠之上述周方向之長度較 上述杯排液埠之上述周方向之長度長；由上述杯排液埠重疊於上述第1腔室排液埠、上述杯排氣埠重疊於上述第1腔室排氣埠之狀態，一邊維持上述杯排液埠與上述第1腔室排液埠的重複，一邊旋轉上述杯部，藉此使上述杯排氣埠移動至由上述第1腔室排氣埠偏離的位置。
本發明之其他較佳實施形態，上述杯部係以上述中心 軸為中心之環狀；上述杯部具備：圓環狀之上述底部；由上述底部之內周部朝上方擴展之圓筒狀之內側壁部；與由上述底部之外周部朝上方擴展之圓筒狀之外側壁部；於上述內側壁部或上述外側壁部之間由上述底部朝上方擴展之圓筒狀之間隔壁；來自上述處理液供給部之處理液係流入至上述杯部之上述外側壁部與上述間隔壁之間的空間；上述杯排液埠係位於較上述間隔壁更靠以上述中心軸為中心之徑方向外側；上述杯排氣埠係位於較上述間隔壁更靠上述徑方向內側。
更佳係進一步具備使上述基板保持部相對於上述杯 部於上下方向相對移動的升降機構；上述杯部係進一步具備於上述間隔壁與上述外側壁部之間由上述底部朝上方擴展的筒狀之另一個間隔壁；上述杯排液埠係位於較上述另一個間隔壁更靠上述徑方向內側；於上述杯部之上述底部，設置有位於較上述另一個間隔壁更靠上述徑方向外側的其他杯排液埠；於上述腔室之上述底部，設 置其他腔室排液埠，其係位於較上述第1腔室排液埠及上述第2腔室排液埠更靠上述徑方向外側，並連接其他排液部；藉由上述升降機構，使上述基板在相對於上述杯部之第1位置與較上述第1位置更上方之第2位置之間，與上述基板保持部一起移動；依上述基板位於上述第1位置之狀態，由上述處理液供給部供給至上述基板上之處理液，流入至上述杯部之上述另一個間隔壁與上述間隔壁之間的空間；依上述基板位於上述第2位置之狀態，由上述處理液供給部供給至上述基板上之處理液，流入至上述杯部之上述外側壁與上述另一個間隔壁之間的空間；上述其他杯排液埠重疊至上述其他腔室排液埠，使處理液排出至上述腔室外之上述其他排液部。
本發明之其他較佳實施形態，上述基板保持部係具備 以上述中心軸為中心之圓板狀之保持部本體；上述保持部本體係設置：於上述杯部之上方與上述杯部在上下方向呈相對向，由上述保持部本體之下面朝下方突出且包圍上述中心軸周圍的環狀之突出部。
本發明之其他之基板處理裝置，係具備：依水平狀態 保持基板之基板保持部；於上述基板上供給處理液之處理液供給部；於底部設有杯排氣埠，承接來自上述基板之處理液的杯部；於內部收容上述基板保持部及上述杯部，且於底部設置腔室排氣埠的腔室；以朝上下方向之中心軸為中心，使上述杯部進行旋轉的杯旋轉機構；與藉上述杯旋轉機構使上述杯部旋轉，決定上述杯排氣埠於以上述中心軸為中心之周方向之位置的控制部；依上述杯排氣埠重疊於上述腔室排氣埠之狀態，藉由連接於上述腔室排氣埠之排氣機構，使上述杯部內之氣體經由上述杯排氣埠及上述腔室排氣埠而 排出至上述腔室外；藉由上述控制部控制上述杯旋轉機構，變更上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠的重複面積，藉此使由上述排氣機構所進行之來自上述腔室的排氣流量變更。藉此，可容易切換排氣流量。
本發明之一較佳實施形態，上述腔室排氣埠係具備： 大腔室排氣埠；及小腔室排氣埠，係與上述大腔室排氣埠一起排列於上述周方向，面積較小於上述大腔室排氣埠；上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之重複面積的變更，係使上述杯排氣埠選擇性地重疊於上述大腔室排氣埠或上述小腔室排氣埠。
本發明之其他較佳實施形態，上述杯排氣埠係具備： 大杯排氣埠；及小杯排氣埠，係與上述大杯排氣埠一起排列於上述周方向，面積較上述大杯排氣埠；上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之重複面積的變更，係使上述大杯排氣埠或上述小杯排氣埠選擇性地重疊於上述腔室排氣埠。
本發明之其他較佳實施形態，上述杯排氣埠與上述腔 室排氣埠之重複面積的變更，係藉由一邊維持上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之重複、一邊使上述杯部旋轉而實現。
本發明之其他較佳實施形態，上述杯旋轉機構係具 備：配置於上述腔室內，安裝於上述杯部之環狀之轉子部；與於上述腔室外配置於上述轉子部周圍，於與上述轉子部之間產生旋轉力的定子部。
本發明之其他較佳實施形態，上述轉子部係藉由於與 上述定子部之間作用的磁力，於上述腔室內依浮游狀態進行旋轉。
本發明之其他較佳實施形態，上述腔室係配置上述基 板保持部及上述杯部、且形成密閉空間的密閉空間形成部。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點，係參照隨附圖式由以下進行之發明詳細說明所闡明。
1、1a~1e‧‧‧基板處理裝置
4、4a~4d‧‧‧杯部
5‧‧‧處理液供給部
6(6b)‧‧‧殼體
7‧‧‧杯旋轉機構
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
21、21a~21d‧‧‧腔室
22‧‧‧頂板
23‧‧‧腔室開關機構
25‧‧‧腔室本體
26‧‧‧腔室蓋部
31‧‧‧基板保持部
32‧‧‧基板旋轉機構
33‧‧‧升降機構
34‧‧‧突出部
41‧‧‧杯外側壁部
42‧‧‧杯底部
43‧‧‧杯內側壁部
44‧‧‧(第1)間隔壁
45‧‧‧(外側)杯空間
45a‧‧‧第1外側杯空間
45b‧‧‧第2外側杯空間
46‧‧‧內側杯空間
47‧‧‧第2間隔壁
48‧‧‧屋簷部
51‧‧‧上部噴嘴
52‧‧‧下部噴嘴
61‧‧‧殼體底部
62‧‧‧殼體側壁部
63‧‧‧殼體蓋部
64‧‧‧搬入口
65‧‧‧蓋部
71‧‧‧定子部
72‧‧‧轉子部
91‧‧‧上面
92‧‧‧下面
95a‧‧‧第1排氣機構
95b‧‧‧第2排氣機構
95c‧‧‧第3排氣機構
95d‧‧‧第4排氣機構
96a‧‧‧第1排液部
96b‧‧‧第2排液部
96c‧‧‧第3排液部
96d‧‧‧第4排液部
221‧‧‧被保持部
222‧‧‧筒部
223‧‧‧凸緣部
224‧‧‧板本體部
225‧‧‧板側壁部
226‧‧‧第2卡合部
251‧‧‧腔室下面部
252‧‧‧腔室外側壁部
254‧‧‧下面中央部
255‧‧‧腔室內側壁部
256‧‧‧腔室底部
257‧‧‧導管內壁部
261‧‧‧板保持部
262‧‧‧筒部
263‧‧‧凸緣部
271‧‧‧(內)腔室排液埠
271a‧‧‧腔室排液埠
272、272a‧‧‧底部突出部
273‧‧‧外側凸部
276a‧‧‧第1腔室排液埠群
276b‧‧‧第2腔室排液埠群
276c‧‧‧第3腔室排液埠群
277‧‧‧外腔室排液埠
279‧‧‧外側凸部
281‧‧‧(大)腔室排氣埠
281a‧‧‧重複區域
281b‧‧‧非重複區域
282‧‧‧底部突出部
283‧‧‧內側凸部
284‧‧‧(小)腔室排氣埠
285‧‧‧底部突出部
285a‧‧‧上端面
286a‧‧‧第1腔室排氣埠群
286b‧‧‧第2腔室排氣埠群
286c‧‧‧第3腔室排氣埠群
287a‧‧‧第1導管
287b‧‧‧第2導管
287c‧‧‧第3導管
311‧‧‧基底部
312‧‧‧夾具
314‧‧‧第1卡合部
321‧‧‧旋轉軸
451‧‧‧(內)杯排液埠
452‧‧‧底部突出部
453‧‧‧外側凸部
457‧‧‧外杯排液埠
461‧‧‧(大)杯排氣埠
461a‧‧‧重複區域
461b‧‧‧非重複區域
462、462a、465‧‧‧底部突出部
462b、465a‧‧‧下端面
463‧‧‧內側凸部
464‧‧‧小杯排氣埠
J1‧‧‧中心軸
S11~S22‧‧‧步驟
圖1為第1實施形態之基板處理裝置的剖面圖。
圖2為基板處理裝置之剖面圖。
圖3為杯部之底面圖。
圖4為腔室下面部之俯視圖。
圖5為表示基板處理流程的圖。
圖6為基板處理裝置之剖面圖。
圖7為基板處理裝置之剖面圖。
圖8為基板處理裝置之剖面圖。
圖9為表示基板處理裝置之一部分的放大剖面圖。
圖10為表示杯排氣埠附近之俯視圖。
圖11為基板處理裝置之剖面圖。
圖12為杯部之仰視圖。
圖13為腔室下面部之俯視圖。
圖14為第2實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖15與杯部之仰視圖。
圖16為腔室下面部之俯視圖。
圖17為基板處理裝置之剖面圖。
圖18為腔室下面部之俯視圖。
圖19為第3實施形態之基板處理裝置之杯部的仰視圖。
圖20為腔室下面部之俯視圖。
圖21為基板處理裝置之剖面圖。
圖22為表示基板處理裝置之一部分的放大剖面圖。
圖23為第4實施形態之基板處理裝置的剖面圖。
圖24為第5實施形態之基板處理裝置的剖面圖。
圖25為腔室及杯部之橫剖面圖。
圖26為腔室下面部之俯視圖。
圖27為基板處理裝置之剖面圖。
圖1為表示本發明第1實施形態之基板處理裝置1的剖面圖。基板處理裝置1係對略圓板狀之半導體基板9(以下有時簡稱為「基板9」)供給處理液而依單片處理基板9的單片式裝置。基板處理裝置1中，係利用純水、酸性藥液、鹼性藥液等作為處理液，進行基板9之洗淨處理或其他各種處理。圖1中，於基板處理裝置1之一部分構成的剖面，省略了平行斜線之加註(其他剖面圖中亦相同)。
基板處理裝置1中，具備腔室21、頂板22、腔室開關機構23、基板保持部31、基板旋轉機構32、杯部4、杯旋轉機構7、處理液供給部5、殼體6、與控制部10。又，圖2之後，省略控制部10之圖示。
於殼體6之內部，收容腔室21、頂板22、腔室開關機構23、基板保持部31、基板旋轉機構32、杯部4、與處理液供給部5。殼體6具備殼體底部61、殼體側壁部62、與殼體蓋部63。屬於殼體6之底部的殼體底部61，係由下方支撐腔室21等。殼體 側壁部62係包圍腔室21等之周圍。殼體天蓋部63係覆蓋腔室21等之上方。於殼體側壁部62周圍，設有用於將基板9搬入殼體6內之搬入口64。搬入口64係由可上下方向移動之蓋部65所閉塞。
腔室21係具備腔室本體25、與腔室蓋部26。腔室 21係以朝上下方向之中心軸J1為中心的略圓筒狀。腔室本體25具備腔室下面部251、與腔室外側壁部252。腔室下面部251具備下面中央部254、腔室內側壁部255、腔室底部256。下面中央部254係以中心軸J1為中心的略圓環板狀。腔室內側壁部255係以中心軸J1為中心之略圓筒狀，由下面中央部254之外緣部朝下方擴展。 腔室底部256係以中心軸J1為中心之略圓環板狀，由腔室內側壁部255之下端，朝以中心軸J1為中心之徑方向(以下有時簡稱為「徑方向」)外方擴展。腔室外側壁部252係以中心軸J1為中心之略圓筒狀。腔室外側壁部252係由腔室下面部251之外緣部朝上方突出。腔室外側壁部252及腔室內側壁部255為腔室21之側壁部，腔室底部256為腔室21之底部。
腔室蓋部26係垂直於中心軸J1之略圓環板狀。腔室 蓋部26之外緣部下端係與腔室外側壁部252之上部相接，藉此閉塞腔室本體25之上部開口。藉由使腔室蓋部26閉蓋腔室本體25之上部開口，而於腔室21內形成密閉空間之腔室空間。換言之，腔室21係形成腔室空間之密閉空間形成部。於屬於腔室21內部之腔室空間，收容基板保持部31、頂板22及杯部4。
腔室開關機構23係使腔室21之屬於可動部的腔室蓋 部26，相對於腔室21之其他部位的腔室本體25於上下方向相對移動。腔室開關機構23係使腔室蓋部26升降的蓋部升降機構。在藉 由腔室開關機構23使腔室蓋部26於上下方向移動時，頂板22依垂吊於腔室蓋部之狀態而與腔室蓋部26一起於上下方向移動。藉由腔室開關機構23，腔室蓋部26及頂板22係由圖1所示位置上升至圖2所示位置，而使腔室21開放。以下說明中，將圖1所示之腔室蓋部26及頂板22之位置稱為「處理位置」。又，將圖2所示之腔室蓋部26及頂板22之位置稱為「退避位置」。其後將詳述，圖2中殼體6相對於杯部4之相對性移向(亦即，以中心軸J1為中心之周方向上的相對性移向)，係與圖1相異。
圖1所示之頂板22，係以中心軸J1為中心之略圓環 板狀，於中央具有開口。頂板22具備板本體部224、板側壁部225、被保持部221。板本體部224係以中心軸J1為中心之略圓環板狀。 於板本體部224之中央部設有略圓形之開口，於該開口周圍設置被保持部221。板本體部224係配置於腔室蓋部26下方、且基板保持部31及基板9之上方。板本體部224之上面及下面係於徑方向上隨著遠離中心軸J1而朝下方傾斜的傾斜面。板本體部224之下面係與由基板保持部31所保持之基板9之上面91於上下方向呈相對向。
板側壁部225係由板本體部224之外緣部，朝徑方向 外方依斜下方擴展。換言之，板側壁部225係由板本體部224之外緣部朝板本體部224之下面側突出，於徑方向隨著遠離中心軸J1而朝向下方。板側壁部225係以中心軸J1為中心之略圓筒狀。板側壁部225配置於基板9之徑方向外側，包圍基板9之周圍。板側壁部225之下端係於上下方向位於與基板保持部31之基底部311(後述)略相同的位置。
板本體部224之直徑係較大於基板9之直徑。板側壁部225之下端的直徑係較大於基板保持部31之基底部311之直徑。板側壁部225之下端，係涵括全周由基底部311之外緣朝徑方向外側呈離間。頂板22亦由基板9之外周緣、及基板保持部31之基底部311之外周緣涵括全周擴展至徑方向外側。
如圖2所示，位於退避位置之頂板22，係以垂吊於腔室蓋部26之方式所支撐。腔室蓋部26係於中央部具有略環狀之板保持部261。板保持部261具備：以中心軸J1為中心之略圓筒狀的筒部262；與以中心軸J1為中心之略圓板狀的凸緣部263。凸緣部263係由筒部262下端朝徑方向內方擴展。
被保持部221係由板本體部224之中央部朝上方突出的略環狀之部位。被保持部221具備：以中心軸J1為中心之略圓筒狀的筒部222；與以中心軸J1為中心之略圓板狀之凸緣部223。筒部222係由板本體部224上面朝上方擴展。凸緣部223係由筒部222上端朝徑方向外方擴展。筒部222位於板保持部261之筒部262之徑方向內側。凸緣部223位於板保持部261之凸緣部263上方，與凸緣部263於上下方向呈相對向。被保持部221之凸緣部223之下面，係與板保持部261之凸緣部263之上面相接，藉此使頂板22以由腔室蓋部26垂吊之方式安裝於腔室蓋部26。
如圖1所示，基板保持部31係以水平狀態保持基板9。亦即，基板9係依形成了細微圖案之上面91垂直於中心軸J1並朝上側的狀態而由基板保持部31所保持。基板保持部31具備基底部311、與複數之夾具312。基底部311係以中心軸J1為中心之略圓板狀之保持部本體。基底部311垂直於中心軸J1，於中央具有 開口。基底部311係於杯部4上方與杯部4於上下方向呈相對向。 複數(例如3個)之夾具312係固定於基底部311上面。複數之夾具312係於以中心軸J1為中心之周方向(以下有時簡稱為「周方向」)依約等角度間隔所配置。藉由複數之夾具312，於基底部311上方保持基板9之外緣部。
基板旋轉機構32係配置於腔室下面部251之下面中 央部254之下方。基板旋轉機構32為例如軸旋轉型之電動馬達。 基板旋轉機構32之旋轉軸321，係貫通腔室下面部251之下面中央部254而延伸至腔室21內部。旋轉軸321係以中心軸J1為中心之略圓筒狀。於旋轉軸321之前端部，固定著基板保持部31之基底部311。旋轉軸321與腔室下面部251之下面中央部254之間，設有防止氣體或液體通過之密封件。藉由旋轉軸321進行旋轉，基板保持部31係與基板9一起以中心軸J1為中心進行旋轉。
於基板保持部31之基底部311之上面，係於周方向 設置複數之第1卡合部314。各第1卡合部314係朝上方突出之略柱狀。於頂板22下面，係於周方向設置複數之第2卡合部226。於各第2卡合部226之下部，設有朝上方凹陷之凹部。
於頂板22位於處理位置之狀態，係於第2卡合部226 之下部之凹部中，嵌入第1卡合部314。藉此，頂板22係於周方向與基板保持部31之基底部311卡合。換言之，藉由第1卡合部314及第2卡合部226，限制頂板22相對於基板保持部31的旋轉方向的相對位置。
在頂板22位於處理位置之狀態，頂板22係經由第1 卡合部314及第2卡合部226，由基板保持部31之基底部311所支 撐。頂板22之被保持部221之凸緣部223，係由腔室蓋部26之板保持部261之凸緣部263朝上方離間。亦即，被保持部221與板保持部261不接觸，由板保持部261所進行之頂板22的保持呈解除。 因此，頂板22由腔室蓋部26獨立出來，與基板保持部31及基板9一起藉由基板旋轉機構32進行旋轉。第1卡合部314及第2卡合部226係於頂板22之旋轉時，於周方向固定頂板22相對於基板保持部31之相對位置的位置固定構件。
處理液供給部5係具上部噴嘴51與下部噴嘴52。上 部噴嘴51係固定於腔室蓋部26，配置於頂板22之被保持部221的內側。上部噴嘴51係未與頂板22接觸，在頂板22進行旋轉時亦不旋轉。上部噴嘴51係連接於設在殼體6外部之處理液供給源(省略圖示)。上部噴嘴51之下端，係位於基板9上方，與基板9之上面91之中央部呈相對向。由處理液供給源供給至上部噴嘴51之處理液，係由上部噴嘴51之下端朝基板9之上面91之中央部進行供給。
下部噴嘴52係配置於基板旋轉機構32之旋轉軸321 內側，經由位於基板保持部31之基底部311之中央的開口，由基底部311朝上方突出。下部噴嘴52係未與旋轉軸321接觸，在旋轉軸321進行旋轉時亦不旋轉。於下部噴嘴52與基底部311之間，設有防止氣體或液體通過之密封件。下部噴嘴52係連接於設在殼體6外部之處理液供給源(省略圖示)。下部噴嘴52之上端，係位於基板9下方，與基板9之下面92之中央部呈相對向。由處理液供給源供給至下部噴嘴52之處理液，係由下部噴嘴52之上端朝基板9之下面92之中央部進行供給。
杯部4係以中心軸J1為中心之環狀的構件。杯部4 係配置於基板保持部31下面，承接來自基板9之處理液。杯部4係位於腔室下面部251之腔室內側壁部255的徑方向外側，包圍腔室內側壁部255及基板旋轉機構32之周圍。
杯旋轉機構7為所謂的中空馬達，以中心軸J1為中 心使杯部4旋轉。杯旋轉機構7具備：以中心軸J1為中心之環狀之定子部71；與環狀之轉子部72。轉子部72包含略圓環狀之永久磁石。永久磁石之表面係由PTFE樹脂所塑模。轉子72係於殼體6內安裝於杯部4。具體而言，轉子72係於腔室21中安裝於杯底部42的外緣部附近。
定子部71係於腔室21外配置在轉子部72周圍、亦 即徑方向外側。於圖1所示之例子中，定子部71係於腔室21周圍，固定於殼體底部61上。定子部71係包含於以中心軸J1為中心之周方向配列之複數之線圈。
藉由對定子部71供給電流，於定子部71與轉子部 72之間產生以中心軸J1為中心的旋轉力。藉此，轉子部72以中心軸J1為中心依水平狀態進行旋轉。藉由於定子部71與轉子部72之間作用的磁力，轉子部72係於殼體6之腔室21內不直接亦不間接接觸於腔室21而呈浮游，以中心軸J1為中心而與杯部4一起依浮游狀態進行旋轉。基板處理裝置1中，藉由以控制部10進行控制，以杯旋轉機構7使杯部4旋轉，而決定後述之杯排液埠451及杯排氣埠461於周方向的位置。
杯部4係具備杯外側壁部41、杯底部42、杯內側壁 部43、間隔壁44。屬於杯部4之底部的杯底部42，係以中心軸J1 為中心之略圓環狀。屬於杯部4之外側壁部的杯外側壁部41，係以中心軸J1為中心之略圓筒狀。杯外側壁部41係由杯底42之外周部、略平行於中心軸J1而朝上方擴展。屬於杯部4之內側壁部的杯內側壁部43，係以中心軸J1為中心之略圓筒狀。杯內側壁部43係位於較杯外側壁部41更靠徑方向內側，由杯底部42之內周部、略平行於中心軸J1而朝上方擴展。
間隔壁44係以中心軸J1為中心之略圓筒狀。間隔壁 44係於徑方向位於杯內側壁部43與杯外側壁部41之間，由杯底部42略平行於中心軸J1而朝上方擴展。以下說明中，將杯部4之杯外側壁部41與間隔壁44之間的空間稱為「外側杯空間45」。又，將杯部4之間隔壁44與杯內側壁部43之間的空間稱為「內側杯空間46」。外側杯空間45係由杯外側壁部41與杯底部42與間隔壁44所包圍之略圓筒狀之空間。內側杯空間46係由間隔壁44與杯底部42與杯內側壁部43所包圍之略圓筒狀之空間。
內側杯空間46位於基板保持部31之基底部311下方。杯底部42中，用以構成內側杯空間46之底部的部位，設置杯排氣埠461。換言之，杯排氣埠461係位於較間隔壁44下端更靠徑方向內側。於圖1所示狀態，杯排氣埠461係與在腔室下面部251之腔室底部256所設置之腔室排氣埠281於上下方向重疊。杯排氣埠461之下端，係接近腔室排氣埠281之上端並於上下方向呈相對向。腔室21內之氣體係經由內側杯空間46、杯排氣埠461及腔室排氣埠281而排出至腔室21外且殼體6外。杯排氣埠461之下端的尺寸及形狀，係與腔室排氣埠281之上端的尺寸及形狀略相同。換言之，杯排氣埠461下端之面積係與腔室排氣埠281上端之面積 略相等。又，杯排氣埠461下端之面積亦可例如較小於腔室排氣埠281上端之面積。
於圖1所示例子中，杯底部42中，在較間隔壁44下 端更靠徑方向內側之部位，設有朝下方突出之略圓筒狀的底部突出部462，杯排氣埠461係設於底部突出部462內。又，於腔室下面部251之腔室底部256，設有朝上方突出之略圓筒狀之底部突出部282，腔室排氣埠281係設於底部突出部282內。腔室排氣埠281係貫通殼體底部61而突出至腔室空間外。
外側杯空間45係於較內側杯空間46更靠徑方向外 側，位於基板保持部31之基底部311下方。杯部4之杯外側壁部41係較基板9、基板保持部31及頂板22涵括全周而位於更靠徑方向外側。杯外側壁部41之上端，係於上下方向位於與基板保持部31之基底部311、及頂板22之板側壁部225下端約相同位置。詳細而言，杯外側壁部41之上端係位於較板側壁部225下端更上方。 亦即，杯外側壁部41之上端部與板側壁部225之下端部，係於徑方向重疊。杯部4之上端的直徑大於板側壁部225之下端的直徑。 杯部4之上端係涵括全周由板側壁部225之下端朝徑方向外側呈離間。
由處理液供給部5所供給、並由旋轉之基板9飛散的 處理液，係由位於基板9周圍之板側壁部225所承接，於板側壁部225之內周面上朝下方移動。然後，由板側壁部225落下之處理液，流入至杯部4之外側杯空間45。亦即，來自處理液供給部5之處理液係流入至杯部4之外側杯空間45。
杯底部42中，用以構成外側杯空間45之底部的部 位，設有杯排液埠。換言之，杯排液埠451係位於較間隔壁44下端更靠徑方向外側。於圖1所示狀態，杯排液埠451係與於腔室下面部251之腔室底部256所設置之腔室排液埠271於上下方向重疊。杯排液埠451之下端係接近腔室排液埠271之上端並於上下方向呈相對向。然後，流入至外側杯空間45之液體，係經由杯排液埠451及腔室排液埠271而排出至腔室21外且殼體6外。杯排液埠451之下端的尺寸及形狀，係與腔室排液埠271之上端的尺寸及形狀略相同。換言之，杯排液埠451之下端的面積係與腔室排液埠271之上端的面積略相等。又，杯排液埠451之下端的面積亦可例如小於腔室排液埠271之上端的面積。
於圖1所示例子中，杯底部42中，在較間隔壁44下 端更靠徑方向外側之部位，設有朝下方突出之略圓筒狀的底部突出部452，杯排液埠451係設於底部突出部452內。又，於腔室下面部251之腔室底部256，設有朝上方突出之略圓筒狀之底部突出部272，腔室排液埠271係設於底部突出部272內。腔室排液埠271係貫通殼體底部61而突出至腔室空間外。
圖3為表示杯部4的仰視圖。杯部4中，杯排液埠 451及杯排氣埠461係分別於杯底部42設有各1個。圖3中，為了容易理解圖式，對杯排液埠451及杯排氣埠461加註平行斜線(圖12、圖15及圖19中亦相同)。圖3所示例子中，杯排液埠451係挾持著中心軸J1位於杯排氣埠461的相反側。換言之，杯排液埠451與杯排氣埠461係於周方向間隔約180度排列。杯排液埠451位於較杯排氣埠461更靠徑方向外側。
杯底部42係具備：朝下方突出之複數之外側凸部 453；及朝下方突出之複數之內側凸部463。複數之外側凸部453係與在內部設有杯排液埠451之底部突出部452於周方向排列(亦即，在距中心軸J1之徑方向距離相等的圓周上排列)。複數之內側凸部463係與在內部設有杯排氣埠461之底部突出部462於周方向排列。圖3所示例子中，係於杯部4設有15個外側凸部453、與15個內側凸部463。
各外側凸部453為略圓柱狀，各外側凸部453之直徑 係與內部設有杯排液埠451之底部突出部452之外徑略相等。各內側凸部463為略圓柱狀，各內側凸部463之直徑係與內部設有杯排氣埠461之底部突出部462之外徑略相等。各外側凸部453、各內側凸部463、底部突出部452及底部突出部462由杯底部42的各別突出量(亦即，上下方向之高度)係彼此略相等。各外側凸部453及各內側凸部463之內部並未形成流路，並未經由各外側凸部453及各內側凸部463而使杯部4內之空間與杯部4下方之空間相連通。
圖4為表示腔室下面部251之俯視圖。圖4中以虛線 一併表示杯部4之杯外側壁部41、間隔壁44及杯內側壁部43。腔室21中，將複數之腔室排液埠271、及複數之腔室排氣埠281、284設於腔室下面部251之腔室底部256。圖4中，為了容易理解圖示，對腔室排液埠271及腔室排氣部281、284加註平行斜線(圖13、圖16及圖20中亦相同)。
複數之腔室排液埠271係分別設於在腔室下面部251 之腔室底部256所設置的複數底部突出部272內。複數之腔室排液埠271係排列於周方向。複數之腔室排液埠271具有相同尺寸及構造，且複數之底部突出部272亦具有相同的尺寸及構造。
複數之腔室排液埠271係具有複數之腔室排液埠 群。圖4所示之例子中，於腔室下面部251之腔室底部256設有9個腔室排液埠271，9個腔室排液埠271係具有第1腔室排液埠群276a、第2腔室排液埠群276b、第3腔室排液埠群276c。以下說明中，將第1腔室排液埠群276a、第2腔室排液埠群276b、第3腔室排液埠群276c整合稱為「腔室排液埠群276a~276c」。圖4中，將腔室排液埠群276a~276c分別以二點虛線圈圍(圖26中亦相同)。
各腔室排液埠群276a~276c係具有3個腔室排液埠 271。於各腔室排液埠群276a~276c中，3個腔室排液埠271於周方向依等角度間隔排列。第1腔室排液埠群276a之3個腔室排液埠271，係連接於基板處理裝置1之第1排液部96a。第2腔室排液埠群276b之3個腔室排液埠271，係連接於基板處理裝置1之第2排液部96b。第3腔室排液埠群276c之3個腔室排液埠271，係連接於基板處理裝置1之第3排液部96c。第1排液部96a、第2排液部96b及第3排液部96c係彼此獨立設置。
腔室下面部251之腔室底部256係具備朝上方突出之 1個外側凸部273。外側凸部273係與分別於內部設有複數之腔室排液埠271的複數底部突出部272於周方向排列。外側凸部273為略圓柱狀，外側凸部273之直徑係與各底部突出部272之外徑為略相等。於外側凸部273之內部並未形成流路。
複數之腔室排氣埠281係分別設於在腔室下面部251 之腔室底部256所設置之複數底部突出部282內。又，複數之腔室排氣埠284係分別設於在腔室下面部251之腔室底部256所設置且朝上方突出之複數底部突出部285內。各腔室排氣埠284係於周方 向與腔室排氣埠281相鄰接。以下說明中，為了容易區別腔室排氣埠281、284，而將腔室排氣埠281、284分別稱為「大腔室排氣埠281」及「小腔室排氣埠284」。又，有時亦將大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284整合簡稱為「腔室排氣埠」。
小腔室排氣埠284之直徑係較小於大腔室排氣埠281 之直徑。換言之，小腔室排氣埠284之上端面積係較小於大腔室排氣埠281之上端面積。於內部設有小腔室排氣埠284之底部突出部285的外徑，係較小於內部設有大腔室排氣埠281之底部突出部282的外徑。複數之小腔室排氣埠284係與複數之大腔室排氣埠281一起排列於周方向。複數之大腔室排氣埠281具有相同尺寸及構造，複數之底部突出部282亦具有相同尺寸及構造。複數之小腔室排氣埠284具有相同尺寸及構造，複數之底部突出部285亦具有相同尺寸及構造。
腔室下面部251之腔室底部256係具備朝上方突出之 複數內側凸部283。複數之內側凸部283係與複數之底部突出部282及複數之底部突出部285於周方向排列。各內側凸部283為略圓柱狀，內側凸部283之直徑係與內部設有大腔室排氣埠281之底部突出部282的外徑略相等。各內側凸部283之內部並未形成流路。
圖4所示之例子中，3個大腔室排氣埠281、3個小 腔室排氣埠284、與4個內側凸部283係設於腔室下面部251之腔室底部256。與上述第1腔室排液埠群276a挾持著中心軸J1而位於相反側的第1腔室排氣埠群286a，係具有1個大腔室排氣埠281、1個小腔室排氣埠284、與1個內側凸部283。
與第2腔室排液埠群276b挾持著中心軸J1而位於相 反側的第2腔室排氣埠群286b，亦與第1腔室排氣埠群286a同樣地具有1個大腔室排氣埠281、1個小腔室排氣埠284、與1個內側凸部283。與第3腔室排液埠群276c挾持著中心軸J1而位於相反側的第3腔室排氣埠群286c，亦與第1腔室排氣埠群286a同樣地具有1個大腔室排氣埠281、1個小腔室排氣埠284、與1個內側凸部283。
以下說明中，有時亦將第1腔室排氣埠群286a、第2 腔室排氣埠群286b及第3腔室排氣埠群286c整合稱為「腔室排氣埠群286a~286c」。圖4中，將腔室排氣埠群286a~286c分別以二點虛線圈圍。各腔室排氣埠群286a~286c中，大腔室排氣埠281、小腔室排氣埠284及內側凸部283係於周方向依等角度間隔排列。4個內側凸部283中，1個內側凸部283係未包含於腔室排氣埠群286a~286c，與外側凸部273挾持著中心軸J1而位於相反側。
第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281及小腔 室排氣埠284係連接於第1排氣機構95a。第2腔室排氣埠群286b之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284係連接於第2排氣機構95b。第3腔室排氣埠群286c之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284係連接於第3排氣機構95c。第1排氣機構95a、第2排氣機構95b、第3排氣機構95c係配置於基板處理裝置1之外部。在基板處理裝置1使用期間，第1排氣機構95a、第2排氣機構95b及第3排氣機構95c所進行的吸引係持續進行。以下說明中，有時亦將第1排氣機構95a、第2排氣機構95b及第3排氣機構95c整合稱為「排氣機構95a~95c」。
基板處理裝置1係藉由控制部10控制杯旋轉機構7， 而使杯排氣埠461選擇性地重疊至複數之大腔室排氣埠281及複數之小腔室排氣埠284中之任一個。又，使杯排液埠451選擇性地重疊至複數之腔室排液埠271中之任一個。
圖5為表示基板處理裝置1中之基板9之處理流程一 例的圖。在基板處理裝置1中對基板9進行處理時，係藉由控制部10控制杯旋轉機構7，使杯部4旋轉，停止於圖2所示方向(步驟S11)。以下說明中，將圖2所示之杯部4之方向(亦即杯部4之狀態)稱為「待機狀態」。
圖2所示之待機狀態下，杯排氣埠461係與腔室底部 256之4個內側凸部283中、未包含於腔室排氣埠群286a~286c(參照圖4)之1個內側凸部283於上下方向重疊。亦即，圖2中，顯示了杯排氣埠461位於由所有之大腔室排氣埠281及所有之小腔室排氣埠284(參照圖4)於周方向偏離的位置的狀態。杯排氣埠461之下端與腔室底部256之內側凸部283之上端面，係接近而於上下方向呈相對向。藉此，杯排氣埠461實質上被閉塞。
又，杯排液埠451係與腔室底部256之外側凸部273於上下方向重疊。杯排液埠451之下端與外側凸部273之上端面，係於上下方向接近並相對向。藉此，杯排液埠451實質上被閉塞。
於圖2所示之待機狀態，第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281係與杯底部42之內側凸部463於上下方向重疊。大腔室排氣埠281之上端與內側凸部463之下端面，係於上下方向接近並相對向。藉此，大腔室排氣埠281實質上被閉塞。
於圖4所示之第1腔室排氣埠群286a之小腔室排氣埠284亦與杯底部42之內側凸部463於上下方向重疊。小腔室排 氣埠284之上端與內側凸部463之下端面，係於上下方向接近並相對向。藉此，小腔室排氣埠284實質上被閉塞。第2腔室排氣埠群286b及第3腔室排氣埠群286c之各別的大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284，亦同樣地分別與內側凸部463於上下方向接近並相對向，藉此實質上被閉塞。
又，各腔室排液埠271係與杯底部42之外側凸部453 於上下方向重疊。各腔室排液埠271之上端與外側凸部453之下端面，係於上下方向接近並相對向。藉此，各腔室排液埠271實質上被閉塞。
在杯部4成為待機狀態時，腔室蓋部26及頂板22係 移動至圖2所示之退避位置，使搬入口64開放。然後，由搬入口64將基板9搬入至殼體6內之腔室21內，由基板保持部31所保持(步驟S12)。
如上述，於基板處理裝置1，在杯部4為待機狀態時， 杯排氣埠461之下端接近腔室底部256，各大腔室排氣埠281之上端及各小腔室排氣埠284之上端接近杯底部42。藉此，即使為第1排氣機構95a、第2排氣機構95b及第3排氣機構95c(參照圖4)所進行的吸引持續的狀態，仍使經由杯排氣埠461的杯部4內之氣體吸引實質上停止。其結果，於基板9之搬入時，可抑制殼體6之外部氣體由開放之搬入口64流入至殼體6內及腔室21內。
尚且，於基板處理裝置1，若杯排氣埠461之下端接 近腔室底部256，則各大腔室排氣埠281之上端及各小腔室排氣埠284之上端並不一定需要接近杯底部42。又，若各大腔室排氣埠281之上端及各小腔室排氣埠284之上端接近杯底部42，則杯排氣埠 461之下端並不一定需要接近腔室底部256。基板處理裝置1中，藉由杯排氣埠461之下端接近腔室底部256、或各大腔室排氣埠281之上端及各小腔室排氣埠284之上端接近杯底部42，而使經由杯排氣埠461的杯部4內之氣體吸引停止。其結果，與上述同樣地，可抑制殼體6之外部氣體由開放之搬入口64流入至殼體6內及腔室21內。
保持基板9時，蓋部65移動至上方，如圖1所示般 搬入口64被閉塞。又，腔室蓋部26及頂板22下降，位於圖1所示之處理位置。藉此，腔室21內形成腔室空間。又，由板保持部261所進行之頂板22的保持解除。於腔室空間中，由上部噴嘴51等供給氮等惰性氣體。
接著，藉由控制部10控制杯旋轉機構7，使杯部4 由待機狀態開始旋轉，停止於圖1所示方向(步驟S13)。以下說明中，將圖1所示之杯部4的方向(亦即，杯部4之狀態)稱為「第1處理狀態」。
於圖1所示之第1處理狀態中，如上述，杯排氣埠 461係與第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281於上下方向重疊。杯排氣埠461之下端與該大腔室排氣埠281之上端，係接近而於上下方向呈對向。藉此，杯排氣埠461與第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281實質上連接。然後，藉由第1排氣機構95a(參照圖4)，杯部4內之氣體係經由杯排氣埠461及大腔室排氣埠281而排出至腔室21外且殼體6外。又，腔室21內之杯部4外的氣體，亦經由內側杯空間46、杯排氣埠461及大腔室排氣埠281而排出至腔室21外且殼體6外。
在杯部4為第1處理狀態時，圖4所示之第1腔室排 氣埠群286a之小腔室排氣埠284、第2腔室排氣埠群286b及第3腔室排氣埠群286c之分別的大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284，係與杯底部42之內側凸部463(參照圖3)於上下方向分別重疊，實質上被閉塞。
如圖1所示，杯排液埠451係與第1腔室排液埠群 276a之中央之腔室排液埠271於上下方向重疊。杯排液埠451之下端與該腔室排液埠271之上端，係接近而於上下方向呈對向。藉此，杯排液埠451與第1腔室排液埠群276a之腔室排液埠271實質上連接。該腔室排液埠271以外之各腔室排液埠271(參照圖4)係與杯底部42之外側凸部453於上下方向重疊，實質上被閉塞。
在杯部4成為第1處理狀態時，基板旋轉機構32被 驅動，使基板9、基板保持部31及頂板22開始旋轉(步驟S14)。基板9、基板保持部31及頂板22的旋轉速度彼此相等、旋轉方向相同。步驟S14可與步驟S13一起並行，亦可於步驟S12與步驟S13之間進行。
接著，由處理液供給部5之上部噴嘴51，對旋轉中 之基板9之上面91開始供給第1處理液(步驟S15)。連續供給至基板9之上面91之中央部的第1處理液，係因離心力而朝徑方向外方移動。第1處理液係於基板9之上面91擴展並被覆上面91之全面。藉此，進行由第1處理液對基板9之上面91的處理。基板9之上面91由於接近位於處理位置之頂板22下面，故由第1處理液所進行之基板9之處理，係於基板9之上面91與頂板22之下面之間的較狹窄空間內進行。藉此，可抑制基板9之上方空間中之處理 液環境氣體的擴散，並可抑制處理中之基板9的溫度降低。
到達基板9之外周緣的第1處理液，係由該外周緣朝 徑方向外方飛散，流入至杯部4之外側杯空間45。流入至外側杯空間45內之第1處理液，係經由杯排液埠451及腔室排液埠271，被排出至腔室21外且殼體6外之第1排液部96a(參照圖4)。被排出至第1排液部96a之第1處理液係被廢棄。或者視需要將被排出至第1排液部96a之第1處理液回收再利用。
在第1處理液所進行之基板9的處理中，腔室21內 之氣體係如上述般，藉由第1排氣機構95a，經由內側杯空間46、杯排氣埠461及大腔室排氣埠281，被排出至腔室21外且殼體6外。
在來自上部噴嘴51之第1處理液開始供給經過既定 時間後，停止第1處理液之供給，結束由第1處理液所進行之基板9的處理。殘留於基板9上之第1處理液，係藉由基板9之旋轉而由基板9上被去除，經由外側杯空間45、杯排液埠451及腔室排液埠271而排出至第1排液部96a。
在第1處理液所進行之處理結束後，藉由控制部10 控制杯旋轉機構7，使杯部4由第1處理狀態進行旋轉，停止於圖6所示方向(步驟S16)。以下說明中，將圖6所示之杯部4之方向(亦即，杯部4之狀態)稱為「第2處理狀態」。
於圖6所示之第2處理狀態中，杯排氣埠461係與第 2腔室排氣埠群286b之大腔室排氣埠281於上下方向重疊。杯排氣埠461之下端與該大腔室排氣埠281之上端，係接近而於上下方向呈對向。藉此，杯排氣埠461與第2腔室排氣埠群286b之大腔室 排氣埠281實質上連接。然後，藉由第2排氣機構95b(參照圖4)，杯部4內之氣體係經由杯排氣埠461及大腔室排氣埠281而排出至腔室21外且殼體6外。又，杯部4外的氣體，亦經由內側杯空間46、杯排氣埠461及大腔室排氣埠281而排出至腔室21外且殼體6外。
在杯部4為第2處理狀態時，圖4所示之第2腔室排 氣埠群286b之小腔室排氣埠284、第1腔室排氣埠群286a及第3腔室排氣埠群286c之分別的大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284，係與杯底部42之內側凸部463(參照圖3)於上下方向分別重疊，實質上被閉塞。
杯排液埠451係與第2腔室排液埠群276b之中央之 腔室排液埠271於上下方向重疊。杯排液埠451之下端與該腔室排液埠271之上端，係接近而於上下方向呈對向。藉此，杯排液埠451與第2腔室排液埠群276b之腔室排液埠271實質上連接。該腔室排液埠271以外之各腔室排液埠271(參照圖4)係與杯底部42之外側凸部453於上下方向重疊，實質上被閉塞。
在杯部4成為第2處理狀態時，由處理液供給部5 之上部噴嘴51，對旋轉中之基板9之上面91開始供給第2處理液(步驟S17)。連續供給至基板9之上面91之中央部的第2處理液，係因離心力擴展至基板9之上面91並被覆上面91之全面。藉此，進行由第2處理液對基板9之上面91的處理。
到達基板9之外周緣的第2處理液，係由該外周緣朝 徑方向外方飛散，流入至杯部4之外側杯空間45。流入至外側杯空間45內之第2處理液，係經由杯排液埠451及腔室排液埠271，被 排出至腔室21外且殼體6外之第2排液部96b(參照圖4)。被排出至第2排液部96b之第2處理液係被廢棄。或者視需要將被排出至第2排液部96b之第2處理液回收再利用。
在第2處理液所進行之基板9的處理中，腔室21內 之氣體係如上述般，藉由第2排氣機構95b，經由內側杯空間46、杯排氣埠461及大腔室排氣埠281，被排出至腔室21外且殼體6外。
在來自上部噴嘴51之第2處理液開始供給經過既定 時間後，停止第2處理液之供給，結束由第2處理液所進行之基板9的處理。殘留於基板9上之第2處理液，係藉由基板9之旋轉而由基板9上被去除，經由外側杯空間45、杯排液埠451及腔室排液埠271而排出至第2排液部96b。
在第2處理液所進行之處理結束後，則藉由控制部 10控制杯旋轉機構7，使杯部4由第2處理狀態進行旋轉，停止於圖7所示方向(步驟S18)。以下說明中，將圖7所示之杯部4之方向(亦即，杯部4之狀態)稱為「第3處理狀態」。
於圖7所示之第3處理狀態中，如上述，杯排氣埠 461係與第3腔室排氣埠群286c之大腔室排氣埠281於上下方向重疊。杯排氣埠461之下端與該大腔室排氣埠281之上端，係接近而於上下方向呈對向。藉此，杯排氣埠461與第3腔室排氣埠群286c之大腔室排氣埠281實質上連接。然後，藉由第3排氣機構95c(參照圖4)，杯部4內之氣體係經由杯排氣埠461及大腔室排氣埠281而排出至腔室21外且殼體6外。又，腔室21內之杯部4外的氣體，亦經由內側杯空間46、杯排氣埠461及大腔室排氣埠281而排出至 腔室21外且殼體6外。
在杯部4為第3處理狀態時，圖4所示之第3腔室排 氣埠群286c之小腔室排氣埠284、第1腔室排氣埠群286a及第2腔室排氣埠群286b之分別的大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284，係與杯底部42之內側凸部463(參照圖3)於上下方向分別重疊，實質上被閉塞。
杯排液埠451係與第3腔室排液埠群276c之中央之 腔室排液埠271於上下方向重疊。杯排液埠451之下端與該腔室排液埠271之上端，係接近而於上下方向呈對向。藉此，杯排液埠451與第3腔室排液埠群276c之腔室排液埠271實質上連接。該腔室排液埠271以外之各腔室排液埠271(參照圖4)係與杯底部42之外側凸部453於上下方向重疊，實質上被閉塞。
在杯部4成為第3處理狀態時，由處理液供給部5 之上部噴嘴51，對旋轉中之基板9之上面91開始供給第3處理液(步驟S19)。連續供給至基板9之上面91之中央部的第3處理液，係因離心力擴展至基板9之上面91並被覆上面91之全面。藉此，進行由第3處理液對基板9之上面91的處理。
到達基板9之外周緣的第3處理液，係由該外周緣朝 徑方向外方飛散，流入至杯部4之外側杯空間45。流入至外側杯空間45內之第3處理液，係經由杯排液埠451及腔室排液埠271，被排出至腔室21外且殼體6外之第3排液部96c(參照圖4)。被排出至第3排液部96c之第3處理液係被廢棄。或者視需要將被排出至第3排液部96c之第3處理液回收再利用。
在第3處理液所進行之基板9的處理中，腔室21內 之氣體係如上述般，藉由第3排氣機構95c，經由內側杯空間46、杯排氣埠461及大腔室排氣埠281，被排出至腔室21外且殼體6外。
在來自上部噴嘴51之第3處理液開始供給經過既定 時間後，則停止第3處理液之供給，結束由第3處理液所進行之基板9的處理。殘留於基板9上之第3處理液，係藉由基板9之旋轉而由基板9上被去除，經由外側杯空間45、杯排液埠451及腔室排液埠271而排出至第3排液部96c。
在由基板9上去除第3處理液時，則使基板9、基板 保持部31及頂板22之旋轉停止(步驟S20)。接著，藉由控制部10控制杯旋轉機構7，使杯部4旋轉，成為圖2所示之待機狀態(步驟S21)。步驟S21亦可與步驟S20並行。在杯部4成為待機狀態時，則腔室蓋部26及頂板22上升，位於圖2所示之退避位置。其後，蓋部65朝下方移動而開放搬入口64，由基板處理裝置1搬出基板9(步驟S22)。
如上述，於基板處理裝置1，在杯部4為待機狀態時， 杯排氣埠461之下端接近腔室底部256，各大腔室排氣埠281之上端及各小腔室排氣埠284之上端接近杯底部42。藉此，即使為第1排氣機構95a、第2排氣機構95b及第3排氣機構95c(參照圖4)所進行的吸引持續的狀態，仍使經由杯排氣埠461的杯部4內之氣體吸引實質上停止。其結果，於基板9之搬出時，可抑制殼體6之外部氣體由開放之搬入口64流入至殼體6內及腔室21內。
如以上所說明，基板處理裝置1中，係使周方向排列之複數之大腔室排氣埠281設於腔室底部256。然後，藉由控制部 10控制杯旋轉機構7，使杯排氣埠461選擇性地重疊於複數之大腔室排氣埠281之任一個。在杯排氣埠461重疊於第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281的狀態，藉由第1排氣機構95a，使杯部4內之氣體經由杯排氣埠461及該大腔室排氣埠281被排出至腔室21外且殼體6外。
又，在杯排氣埠461重疊於第2腔室排氣埠群286b 之大腔室排氣埠281的狀態，藉由第2排氣機構95b，使杯部4內之氣體經由杯排氣埠461及該大腔室排氣埠281被排出至腔室21外且殼體6外。進而，在杯排氣埠461重疊於第3腔室排氣埠群286c之大腔室排氣埠281的狀態，藉由第3排氣機構95c，使杯部4內之氣體經由杯排氣埠461及該大腔室排氣埠281被排出至腔室21外且殼體6外。
如此，基板處理裝置1中，藉由杯旋轉機構7，於腔 室21及殼體6未開放之下使腔室21內且殼體6內之杯部4旋轉，藉此可於第1排氣機構95a、第2排氣機構95b及第3排氣機構95c之間容易切換進行由杯部4之排氣的排氣機構。又，由於可藉由簡單構造之機構切換來自杯部4之排氣的送出目的地(以下稱為「排氣目的地」)，故可使基板處理裝置1之構造簡單化。藉此，相較於在殼體外部設置切換來自杯部之排氣目的地的切換器的情形，可使基板處理裝置1小型化。再來，藉由於腔室21內切換來自杯部4之排氣目的地，則相較於藉由共通配管等將排氣引導至殼體外之切換器的情況，可抑制排氣中之氣體狀或霧狀之處理液的混蝕。
如上述，基板處理裝置1中，係使周方向排列之複數 之腔室排液埠271設於腔室底部256。在杯排氣埠461重疊於第1 腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281的狀態，杯排液埠451係與第1腔室排液埠群276a之中央之腔室排液埠271重疊。然後，流入至杯部4內之第1處理液，係經由杯排液埠451與該腔室排液埠271而被排出至腔室21外且殼體6外的第1排液部96a。
又，在杯排氣埠461重疊於第2腔室排氣埠群286b 之大腔室排氣埠281的狀態，杯排液埠451係與第2腔室排液埠群276b之中央之腔室排液埠271重疊。然後，流入至杯部4內之第2處理液，係經由杯排液埠451與該腔室排液埠271而被排出至腔室21外且殼體6外的第2排液部96b。在杯排氣埠461重疊於第3腔室排氣埠群286c之大腔室排氣埠281的狀態，杯排液埠451係與第3腔室排液埠群276c之中央之腔室排液埠271重疊。然後，流入至杯部4內之第3處理液，係經由杯排液埠451與該腔室排液埠271而被排出至腔室21外且殼體6外的第3排液部96c。
如此，基板處理裝置1中，藉由杯旋轉機構7使杯部 4旋轉，藉此可利用1個機構同時進行來自杯部4之排氣目的地的切換、與來自杯部4之處理液的送出目的地(以下稱為「排出目的地」)的切換。其結果，可使基板處理裝置1之構造簡單化，同時可使基板處理裝置1小型化。
杯部4中，在杯內側壁部43與杯外側壁部41之間設 有間隔壁44，來自處理液供給部5之處理液係流入至杯外側壁部41與間隔壁44間的外側杯空間45。又，杯排液埠451係位於較間隔壁44下端更靠徑方向外側，杯排氣埠461係位於較間隔壁44下端更靠徑方向內側。藉此，可依簡單構成防止或抑制處理液流入至杯排氣埠461的情形。
於基板處理裝置1，轉子部72係配置於殼體6內， 定子部71係配置於殼體6外。因此，在殼體6之搬入口64呈閉鎖之狀態下，可使杯部4旋轉而變更杯排液埠451及杯排氣埠461的位置。又，亦可使殼體6之內部空間小型化。再者，藉由使定子部71配置於轉子部72周圍，可於殼體6之中央部下方空間，容易配置基板旋轉機構32或下部噴嘴52等其他構成。
如上述，由於轉子部72配置於腔室21內，故可在維 持腔室21密閉之腔室空間的狀態下，使杯部4旋轉而變更杯排液埠451及杯排氣埠461的位置。又，由於定子部71配置於腔室21外，故亦可使腔室空間小型化。
於基板處理裝置1，轉子部72係於殼體6內之腔室 空間中以浮游狀態進行旋轉。因此，不需要於腔室空間中設置支撐轉子部72之構造，而實現基板處理裝置1之小型化及裝置構造的簡單化。又，由於未有處理液附著於該支撐構造的情形，故可防止因所附著之處理液之乾燥所造成的顆粒等發生。再者，由於亦未有因轉子部72與支撐構造間之摩擦而發生顆粒等的情形，故可提升腔室空間及殼體6內之清潔性。
於基板處理裝置1，在例如於腔室空間填充氮氣的情 況等，有時會要求減小由第1排氣機構95a所進行之來自腔室21的排氣流量、減低氮之消耗量。此時，杯旋轉機構7係由控制部10所控制，如圖8所示般，杯排氣埠461係與第1腔室排氣埠群286a之小腔室排氣埠284於上下方向重疊。杯排氣埠461係接近小腔室排氣埠284並於上下方向呈相對向。藉此，杯排氣埠461實質上連接小腔室排氣埠284。杯部4內之氣體係經由杯排氣埠461及該小 腔室排氣埠284，藉由第1排氣機構95a排出至腔室21外且殼體6外。
如上述，小腔室排氣埠284之上端面積係小於大腔室 排氣埠281之上端面積。因此，杯部4之方向可藉由由杯排氣埠461與大腔室排氣埠281重疊的狀態、利用杯旋轉機構7而變更為杯排氣埠461與小腔室排氣埠284重疊的狀態，而變更杯排氣埠461與腔室排氣埠的重複面積。如此，由第1排氣機構95a所進行之來自腔室21的排氣流量變小。
又，杯排液埠451係與第1腔室排液埠群276a之3 個腔室排液埠271中、圖4中之上側之腔室排液埠271重疊。流入至杯部4之外側杯空間45的第1處理液，係經由杯排液埠451及該腔室排液埠271，而排出至腔室21外且殼體6外的第1排液部96a。
如此，基板處理裝置1中，杯旋轉機構7由控制部 10所控制，變更杯排氣埠461與腔室排氣埠的重複面積，藉此可配合對基板9之處理內容等而容易變更來自腔室21的排氣流量。又，基板處理裝置1中，杯排氣埠461與腔室排氣埠之重複面積的變更，係將杯排氣埠461選擇性地重疊於第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281(參照圖1)或小腔室排氣埠284。藉此，可於不變更第1排氣機構95a所造成之吸引力，而是依簡單構造變更來自腔室21的排氣流量。
圖9為將第1腔室排氣埠群286a之小腔室排氣埠284、及與該小腔室排氣埠284重疊之杯排氣埠461放大表示的圖。如圖9所示，於內部設有小腔室排氣埠284之底部突出部285的上 端面285a，係與上述之上下方向呈略垂直。杯排氣埠461之下端中之中央部的略圓形區域，係與小腔室排氣埠284之上端重複的重複區域461a。杯排氣埠461之下端中，重複區域461a之周圍的圓環狀區域(亦即，重複區域461a除外的區域)係與小腔室排氣埠284上端不重複的非重複區域461b。
杯排氣埠461之非重複區域461b，係與腔室底部256 之底部突出部285之上端面285a接近而上下方向呈相對向。藉此，杯排氣埠461之非重複區域461b實質上被閉塞。因此，在藉由第1排氣機構95a經由杯排氣埠461及小腔室排氣埠284進行排氣時，可防止或抑制杯部4下方之氣體係經由杯排氣埠461之非重複區域461b而被吸引至小腔室排氣埠284內的情形。其結果，可使杯部4內之氣體效率佳地排出。於基板處理裝置1中，可利用底部突出部285之上端面285a的簡單構造，容易閉塞杯排氣埠461之非重複區域461b。
尚且，小腔室排氣埠284若設於腔室底部256，則並 不一定需要設於底部突出部285內。即使在省略底部突出部285的情況，杯排氣埠461之非重複區域461b係於小腔室排氣埠284之周圍接近腔室底部256而實質上被閉塞。即使為此情況，亦可如同上述般，將杯部4內之氣體效率佳地排出。
又，於基板處理裝置1，有時要求由第1排氣機構95a 所進行之來自腔室21之排氣流量的微調整。此時，杯排氣埠461係由重疊於第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284之一者之腔室排氣埠的狀態，於維持杯排氣埠461與該一者之腔室排氣埠之重複，並藉由杯旋轉機構7使杯部4僅旋轉微 小角度(例如5度)。
圖10為表示杯排氣埠461附近之俯視圖。圖10中， 表示在上述一者之腔室排氣埠為大腔室排氣埠281時，於維持杯排氣埠461與該一者之腔室排氣埠之重複，並使杯部4僅旋轉了微小角度的狀態。圖10中，對杯排氣埠461與大腔室排氣埠281之重複區域加註平行斜線。藉由杯部4之微小角度的旋轉，杯排氣埠461與上述一者之腔室排氣埠(圖10所示之例子中，為大腔室排氣埠281)的重複面積被變更。其結果，可藉由簡單構造對由第1排氣機構95a所進行之來自腔室21的排氣流量進行微調整。
於圖10所示狀態，杯排氣埠461之下端中與大腔室 排氣埠281之重複區域除外的非重複區域，係與於內部設有上述一者之腔室排氣埠的底部突出部282的上端面(亦即，腔室底部256之一部分)接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。該底部突出部之上端面係略垂直於上下方向。又，該一者之腔室排氣埠之上端中與杯排氣埠461之重複區域除外的非重複區域，係與於內部設有杯排氣埠461之底部突出部462的下端面(亦即，杯底部42之一部分)接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。底部突出部462之下端面亦略垂直於上下方向。
基板處理裝置1中，並不一定需要進行藉由使杯排氣 埠461選擇性地重疊於大腔室排氣埠281或小腔室排氣埠284而變更排氣流量。例如，若藉由杯排氣埠461與大腔室排氣埠281之重複區域的面積變更，可實現所需之排氣流量的變更，則上述杯排氣埠461與腔室排氣埠之重複面積的變更，亦可藉由於維持杯排氣埠461與大腔室排氣埠281之重複，並藉由使杯部4旋轉而進行。如 此，可藉由簡單構造對由第1排氣機構95a所進行之來自腔室21的排氣流量進行微調量。
此時亦與圖10所示狀態同樣地，杯排氣埠461之下端中與大腔室排氣埠281之重複區域除外的非重複區域，係與腔室底部256接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。又，該大腔室排氣埠281之上端中與杯排氣埠461之重複區域除外的非重複區域，係與杯底部42接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。如此，可藉由第1排氣機構95a將杯部4內之氣體效率佳地排出。
更詳言之，杯排氣埠461之上述非重複區域，係由於與於內部形成有大腔室排氣埠281的底部突出部282的上端面接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。大腔室排氣埠281之上述非重複區域，係由於與於內部形成有杯排氣埠461之底部突出部462的下端面接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。底部突出部282之上端面、及底部突出部462之下端面係略垂直於上下方向。如此，基板處理裝置1中，可藉由簡單構造實質地閉塞杯排氣埠461之非重複區域、及大腔室排氣埠281之非重複區域。
如上述，說明了由第1處理液進行處理時之第1排氣機構95a的排氣流量變更、及排氣流量的微調整，而關於在由第2處理液進行處理時之第2排氣機構95b的排氣流量變更、及排氣流量的微調整亦相同。又，關於在由第3處理液進行處理時之第3排氣機構95c的排氣流量變更、及排氣流量的微調整亦相同。
基板處理裝置1中，例如在以第1處理液進行基板9之處理時，有使基板9之旋轉速度降低(或停止基板9之旋轉)而使第1處理液積液於基板9之上面91的情形等、要求由第1排氣機 構95a所進行之由腔室21之排氣停止的情形。此時，由控制器10控制杯旋轉機構7，如圖11所示般，杯排液埠451係與於第1腔室排液埠群276a之3個腔室排液埠271中、圖4中下側之腔室排液埠271重疊。於此狀態下，杯部4之外側杯空間45內之第1處理液，係經由杯排液埠451及該腔室排液埠271而排出至腔室21且殼體6外之第1排液部96a。
又，杯排氣埠461係位於由第1腔室排氣埠群286a 之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284於周方向呈離間的位置，重疊於第1腔室排氣埠群286a之內側凸部283。杯排氣埠461之下端係接近內側凸部283之上端面並於上下方向呈相對向，實質上被閉塞。藉此，使由第1排氣機構95a進行之腔室21內的排氣實質上停止。
如此，基板處理裝置1中，藉由控制部10控制杯旋 轉機構7，使杯排氣埠461選擇性地重疊於第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281(亦可為小腔室排氣埠284)或內側凸部283。藉此，在經由杯排液埠451將第1處理液排出至第1排液部96a時，可容易選擇由第1排氣機構95a進行之腔室21內之排氣狀態與排氣停止狀態。
如上述，說明了由第1處理液進行處理時第1排氣機 構95a之排氣的停止，而關於由第2處理液進行處理時第2排氣機構95b之排氣的停止亦相同。又，關於由第3處理液進行處理時第3排氣機構95c之排氣的停止亦相同。
基板處理裝置1中，亦可變更杯底部42及腔室下面 部251之形狀。圖12為表示較佳之杯部4a的仰視圖。圖13為表 示較佳之腔室21a之腔室下面部251的俯視圖。圖13中，與圖4同樣地以虛線一併表示杯部4a之杯外側壁部41、間隔壁44及杯內側壁部43。
圖12所示之杯部4a中，與圖3所示之杯部4之底部 突出部462形狀相異的底部突出部462a，係設於杯底部42並朝下方突出。杯部4a之其他構造係與圖3所示之杯部4幾乎相同，以下說明中加註相同符號。如圖12所示，底部突出部462a係於周方向較長、以中心軸J1為中心之略圓弧狀。底部突出部462a係涵括圖3所示之底部突出部462、及與底部突出部462之周方向兩側相鄰接之2個內側凸部463所配置的周方向的約全體區域。底部突出部462a之下端面462b係略垂直於上下方向。杯排氣埠461係於底部突出部462a之周方向之略中央形成於底部突出部462a內。杯排氣埠461具有與圖3所示之杯排氣埠461相同的尺寸及形狀。
圖13所示之腔室21a中，與圖4所示之腔室21之底 部突出部272及腔室排液埠271形狀相異的底部突出部272a及腔室排液埠271a，係設於腔室下面部251之腔室底部256。腔室21a之其他構造係與圖3所示之腔室21幾乎相同，以下說明中加註相同符號。圖13所示例子中，3個底部突出部272a、及3個腔室排液埠271a係設於腔室下面部251之腔室底部256。3個腔室排液埠271a係分別配置於圖3所示之腔室排液埠群276a~276c之位置。於3個腔室排液埠271a，分別連接第1排液部96a、第2排液部96b及第3排液部96c。
圖13所示，各底部突出部272a及各腔室排液埠271a 係於周方向較長、以中心軸J1為中心之略圓弧狀。各底部突出部 272a係涵括圖3所示之1個腔室排液埠群之3個底部突出部272所配置的周方向的約全體區域。各腔室排液埠271a係分別配置於1個腔室排液埠群之3個腔室排液埠271所配置的周方向的約全體區域。腔室排液埠271a之周方向之長度係較圖12所示之杯排液埠451之周方向之長度更長。
在杯排氣埠461於上下方向重疊於第1腔室排氣埠群 286a之大腔室排氣埠281的狀態，杯排液埠451係於上下方向重疊於第1排液部96a所連接的腔室排液埠271a的周方向之中央部。 以下，將此狀態稱為「大流量排氣狀態」。
於大流量排氣狀態，杯部4a內之氣體係經由杯排氣 埠461及上述大腔室排氣埠281，藉由第1排氣機構95a排出至腔室21a外且殼體6外。又，杯部4a之外側杯空間45內之第1處理液，係經由杯排液埠451及腔室排液埠271a而排出至第1排液部96a。又，第1腔室排氣埠群286a之小腔室排氣埠284之上端，由於接近擴展至杯排氣埠461周圍之底部突出部462a之下端面462b並於上下方向相對向，故實質上被閉塞。
杯部4a係在維持杯排液埠451與上述腔室排液埠 271a之重複，並藉由由大流量排氣狀態進行旋轉，而使杯排氣埠461移動至由大腔室排氣埠281於周方向偏離的位置。例如，在維持杯排液埠451與上述腔室排液埠271a之重複，並使杯排氣埠461成為與第1腔室排氣埠群286a之小腔室排氣埠284於上下方向重疊的狀態。以下，將該狀態稱為「小流量排氣狀態」。
於小流量排氣狀態，杯部4a內之氣體係經由杯排氣 埠461及上述小腔室排氣埠284，藉由第1排氣機構95a排出至腔 室21a外。小流量排氣狀態之來自腔室21a的排氣流量，係較小於大流量排氣狀態之來自腔室21a的排氣流量。於小流量排氣狀態，係與大流量排氣狀態同樣地，杯部4a之外側杯空間45內之第1處理液，係經由杯排液埠451及腔室排液埠271a而排出至第1排液部96a。又，第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281之上端，係與擴展至杯排氣埠461周圍之底部突出部462a之下端面462b接近並於上下方向相對向，故實質上被閉塞。
杯部4a係在維持杯排液埠451與上述腔室排液埠 271a之重複，並藉由由大流量排氣狀態或小流量排氣狀態進行旋轉，而使杯排氣埠461移動至由大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284於周方向偏離的位置。例如，在維持杯排液埠451與上述腔室排液埠271a之重複，並使杯排氣埠461成為與第1腔室排氣埠群286a之內側凸部283於上下方向重疊的狀態。以下，將該狀態稱為「排氣停止狀態」。
於排氣停止狀態，杯排氣埠461之下端係與第1腔室 排氣埠群286a之內側凸部283之上端面接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。又，第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281之上端，係與擴展至杯排氣埠461周圍之底部突出部462a之下端面462b接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。第1腔室排氣埠群286a之小腔室排氣埠284之上端，係與在周方向相鄰接於底部突出部462a之內側凸部463之下端面接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。藉此，由第1排氣機構95a進行之經由杯排氣埠461之杯部4a內的氣體吸引(亦即，由第1排氣機構95a進行之來自腔室21a的排氣)實質上停止。於排氣停止狀態，係與大 流量排氣狀態及小流量排氣狀態同樣地，杯部4a之外側杯空間45內之第1處理液，係經由杯排液埠451及腔室排液埠271a而排出至第1排液部96a。
在設置圖12及圖13所示之杯部4a及腔室21a的情 況，可於持續第1處理液朝第1排液部96a之排出之下，容易切換第1排氣機構95a進行之排氣狀態與排氣停止狀態。又，於第1排氣機構95a進行之排氣狀態中，藉由選擇性地切換大流量排氣狀態及小流量排氣狀態，亦可容易變更排氣流量。再者，如上述般，可藉由簡單構造實現排氣停止狀態。
如上述般，說明了在設置杯部4a及腔室21a的情況， 於由第1處理液所進行之處理時第1排氣機構95a之大流量排氣狀態、小流量排氣狀態及排氣停止狀態，而關於在由第2處理液所進行之處理時第2排氣機構95b之大流量排氣狀態、小流量排氣狀態及排氣停止狀態亦相同。又，關於在由第3處理液所進行之處理時第3排氣機構95c之大流量排氣狀態、小流量排氣狀態及排氣停止狀態亦相同。
圖14為表示第2實施形態之基板處理裝置1a的剖面 圖。基板處理裝置1a係具備與圖1所示杯部4及腔室21形狀相異的杯部4b及腔室21b。基板處理裝置1a進一步具備升降機構33。 除了此等點之外，基板處理裝置1a係具有與圖1所示之基板處理裝置1大致相同的構造。以下說明中，基板處理裝置1之各構成相對應的基板處理裝置1a的構成加註相同符號。
如圖14所示，杯部4b更具備在徑方向位於間隔壁 44與杯外側壁部41之間的1個間隔壁47。以下說明中，為了容易 區別間隔壁44、47，而將間隔壁44、47分別稱為「第1間隔壁44」及「第2間隔壁47」。第2間隔壁47係以中心軸J1為中心之略圓筒狀。第2間隔壁47係由杯底部42朝上方擴展。第2間隔壁47係由杯底部42隨著朝向上方而擴展至徑方向外側，在較上下方向之既定位置更上側，係略平行於中心軸J1而朝上方擴展。杯排液埠451係位於較第2間隔壁47之下端更靠徑方向內側，且較第1間隔壁44之下端更靠徑方向外側。以下說明中，將杯部4b之第1間隔壁44與第2間隔壁47之間的空間稱為「第1外側杯空間45a」。 又，將杯部4b之第2間隔壁47與杯外側壁部41之間的空間稱為「第2外側杯空間45b」。
圖15為表示杯部4b之仰視圖。如圖14及圖15所示， 於杯部4b之杯底部42，在由杯排液埠451呈離間之位置設有其他之杯排液埠457。杯排液埠457係位於較第2間隔壁47之下端更靠徑方向外側，且較杯外側壁部41之下端更靠徑方向內側。亦即，杯排液埠457係位於較杯排液埠451更靠徑方向外側。以下說明中，為了容易區別杯排液埠451、457，而將杯排液埠451、457分別稱為「內杯排液埠451」及「外杯排液埠457」。
外杯排液埠457之下端的尺寸及形狀，係例如與內杯 排液埠451之下端的尺寸及形狀約相同。換言之，外杯排液埠457之下端的面積係與內杯排液埠451之下端的面積約相等。圖14及圖15中，外杯排液埠457與內杯排液埠451係排列於徑方向，但亦可使外杯排液埠457與內杯排液埠451配置於在周方向彼此相異的位置。
圖16為表示腔室21b之腔室下面部251之仰視圖。 圖16中，以虛線一併表示杯部4b之杯外側壁部41、第1間隔壁44及杯內側壁部43。如圖14及圖16所示，於腔室21b之腔室下面部251之腔室底部256，設有位於較複數之腔室排液埠271更靠徑方向外側的其他腔室排液埠277。以下說明中，為了容易區別腔室排液埠271、277，而將腔室排液埠271、277分別稱為「內腔室排液埠271」及「外腔室排液埠277」。
外腔室排液埠277係位於與複數之內腔室排液埠271 於周方向相異的位置。外腔室排液埠277之下端的尺寸及形狀，係例如與內腔室排液埠271之下端的尺寸及形狀約相同。換言之，外腔室排液埠277之下端的面積係與內腔室排液埠271之下端的面積約相等。外腔室排液埠277係連接至由第1排液部96a、第2排液部96b及第3排液部96c獨立之其他排液部(以下稱為「第4排液部96d」)。
於腔室下面部251之腔室底部256，除了圖4所示之 3個大腔室排氣埠281之外，設有另1個大腔室排氣埠281。該另1個大腔室排氣埠281，係連接至由第1排氣機構95a、第2排氣機構95b及第3排氣機構95c獨立之其他排氣機構(以下稱為「第4排氣機構95d」)。該大腔室排氣埠281係與外腔室排液埠277挾持著中心軸J1而位於相反側，與其他之大腔室排氣埠281及複數之小腔室排氣埠284排列於周方向。
於圖14所示例子中，外杯排液埠457係與外腔室排 液埠277於上下方向重疊。外杯排液埠457之下端係與外腔室排液埠277之上端接近而於上下方向重疊。藉此，外杯排液埠457與外腔室排液埠277實質上相連接。外杯排液埠457係經由外腔室排液 埠277而連接於第4排液部96d。又，內杯排液埠451係與腔室底部256之外側凸部273於上下方向重疊，故實質上被閉塞。
於圖14所示例子中，杯排氣埠461係與連接於第4 排氣機構95d之上述大腔室排氣埠281於上下方向重疊。杯排氣埠461之下端係與該大腔室排氣埠281之上端接近並於上下方向呈對向。藉此，杯排氣埠461與該大腔室排氣埠281實質上相連接。杯排氣埠461係經由大腔室排氣埠281而連接至第4排氣機構95d。
升降機構33係使基板保持部31相對於杯部4b於上 下方向相對移動。於圖14所示例子中，升降機構33係鄰接於基板旋轉機構32而配置。藉由升降機構33，使基板旋轉機構32於上下方向移動，而使基板9與基板保持部31一起於上下方向移動。基板9可在圖14所示位置、與圖17所示位置之間於上下方向移動。 以下說明中，將圖17所示之基板9相對於杯部4b的相對位置稱為「第1位置」，將圖14所示之基板9相對於杯部4b之相對位置稱為「第2位置」。第2位置係較第1位置更上方。
圖17中，杯部4b之方向係與圖14所示方向相異， 與圖1所示方向相同。具體而言，杯排氣埠461係與連接於第1排氣機構95a之大腔室排氣埠281於上下方向重疊。內杯排液埠451係與連接於第1排液部96a之內腔室排液埠271於上下方向重疊。 另一方面，外杯排液埠457係與在腔室下面部251之腔室底部256所設置之外側凸部279於上下方向重疊，而實質上被閉塞。又，連接於第4排氣機構95d之大腔室排氣埠281(參照圖16)係與杯部4b之內側凸部463於上下方向重疊，而實質上被閉塞。
如圖17所示，在基板9位於第1位置之狀態，頂板 22之板側壁部225之下端部係位於較杯部4b之第2間隔壁47更靠徑方向內側，與第2間隔壁47於徑方向重疊。因此，由處理液供給部5供給至基板9上之第1處理液，係流入第1外側杯空間45a。 第1外側杯空間45a內之第1處理液，係經由內杯排液埠451及內腔室排液埠271而排出至第1排液部96a。於基板處理裝置1a，由第2處理液進行之基板9之處理時，亦同樣地基板9位於第1位置，第2處理液流入至第1外側杯空間45a而排出至第2排液部96b。 由第3處理液進行之基板9之處理時，亦同樣地基板9位於第1位置，第3處理液流入至第1外側杯空間45a而排出至第3排液部96c。
於基板處理裝置1a中，在由處理液供給部5對基板 9供給第4處理液時，如圖14所示，基板9位於第2位置。在基板9位於第2位置的狀態，頂板22之板側壁部225之下端部，係位於較杯部4b之第2間隔壁47之上端更上方。板側壁部225之下端部係位於較杯部4b之杯外側壁部41更靠徑方向內側，與杯外側壁部41之上端部於徑方向重疊。因此，由處理液供給部5供給至基板9上之第4處理液係流入至第2外側杯空間45b。
如上述，由於外杯排液埠457與外腔室排液埠277重 疊，故第2外側杯空間45b內之第4處理液係經由外杯排液埠457及外腔室排液埠277，排出至腔室21b外且殼體6外之第4排液部96d(參照圖16)。被排出至第4排液部96d的第4處理液係回收再利用。
於基板處理裝置1a，杯部4b之處理液所流入的空 間，係分割為第1外側杯空間45a與第2外側杯空間45b，藉由使基板9升降，可選擇使用第1外側杯空間45a或第2外側杯空間 45b。藉此，可抑制杯部4b內之複數種類的處理液混合。其結果，可將利用與其他處理液相異之外側杯空間45b所排出之處理液(上述例子中為第4處理液)效率佳地回收再利用。又，可減低因處理液之混觸所造成的發熱等。又，第4處理液可為與第1~第3處理液相異之處理液，亦可為與任一者相同種類的處理液。
圖18為表示腔室21b之其他較佳例子的腔室下面部 251的俯視圖。圖18所示例子中，第4排液部96d所連接之外腔室排液埠277，係位於與第2排液部96b所連接之1個內腔室排液埠271於周方向相同的位置。來自位於上述第2位置之基板9的第4處理液，係經由外杯排液埠457及外腔室排液埠277而排出至第4排液部96d。又，腔室21內之排氣係經由挾持著中心軸J1而位於外腔室排液埠277相反側的大腔室排氣埠281、藉由第2排氣機構95b所進行。圖18所示構成係適合於藉由第2排液部96b與第4排液部96d分別回收2種酸性處理液、但不需要對排氣加以分別的情況。藉由圖18之構成，可省略第4排氣機構而使排氣機構簡單化。
圖19為表示第3實施形態之基板處理裝置1b之杯部 4c的仰視圖。圖20為表示基板處理裝置1b之腔室21c之腔室下面部251的俯視圖。圖20中，以虛線一併表示杯部4c之杯外側壁部41、間隔壁44及杯內側壁部43。基板處理裝置1b係除了具備與圖1所示杯部4及腔室21形狀相異的杯部4c及腔室21c的點之外，具有與圖1所示之基板處理裝置1大致相同的構造。以下說明中，對基板處理裝置1之各構成相對應的基板處理裝置1b的構成加註相同符號。
如圖19所示，於杯部4c，除了杯排液埠451及杯排 氣埠461之外，於杯底部42設有與杯排氣埠461一起排列於周方向的杯排氣埠464。杯排氣埠464係設於在杯底部42所設置之朝下方突出之複數的底部突出部465內。杯排氣埠464係與杯排氣埠461於周方向鄰接。以下說明中，為了容易區別杯排氣埠461、464，而將杯排氣埠461、464分別稱為「大杯排氣埠461」及「小杯排氣埠464」。又，大杯排氣埠461及小杯排氣埠464亦統稱為「杯排氣埠」。
小杯排氣埠464之直徑，係小於大杯排氣埠461之直 徑。換言之，小杯排氣埠464之下端的面積係小於大杯排氣埠461之下端的面積。於內部設有小杯排氣埠464之底部突出部465的外徑，係小於在內部設有大杯排氣埠461之底部突出部462的外徑。 底部突出部465之下端面略垂直於上下方向。
如圖20所示，於腔室21c之腔室下面部251的腔室 底部256，省略了圖4所示之腔室21之腔室下面部251之腔室底部256所設置的小腔室排氣埠284，取代小腔室排氣埠284而設置內側凸部283。從而，第1排氣機構95a、第2排氣機構95b及第3排氣機構95c係分別連接於1個大腔室排氣埠281(以下有時簡稱為「腔室排氣埠281」)。
於基板處理裝置1b，通常在以第1處理液進行基板9 處理時，係使杯部4c旋轉為圖1所示方向，流入至外側杯空間45之第1處理液，係經由圖19所示之杯排液埠451、及圖20所示之第1腔室排液埠群276a之中央的腔室排液埠271，被排出至腔室21c外且殼體6外之第1排液部96a。又，杯部4c內之氣體係經由大杯排氣埠461、及與第1腔室排液埠群276a挾持著中心軸J1而 位於相反側之腔室排氣埠281，藉由第1排氣機構95a排出至腔室21c外且殼體6外。
另一方面，在要求減小由第1排氣機構95a所進行之 來自腔室21c的排氣流量的情況，杯旋轉機構7係由控制部10所控制，如圖21所示般，小杯排氣埠464係與第1腔室排氣埠群286a之腔室排氣埠281於上下方向重疊。小杯排氣埠464係接近腔室排氣埠281並於上下方向呈相對向。藉此，小杯排氣埠464實質上連接腔室排氣埠281。杯部4c內之氣體係經由小杯排氣埠464及腔室排氣埠281，藉由第1排氣機構95a排出至腔室21c外且殼體6外。
如上述，小杯排氣埠464之下端面積係小於大杯排氣 埠461之下端面積。因此，杯部4c之方向可藉由由大杯排氣埠461與腔室排氣埠281重疊的狀態、利用杯旋轉機構7而變更為小杯排氣埠464與腔室排氣埠281重疊的狀態，而變更杯排氣埠與腔室排氣埠281的重複面積。如此，由第1排氣機構95a所進行之來自腔室21c的排氣流量變小。
又，圖19所示之杯排液埠451係與圖20所示之第1 腔室排液埠群276a之3個腔室排液埠271中、圖20中之下側之腔室排液埠271重疊。流入至杯部4c之外側杯空間45的第1處理液，係經由杯排液埠451及該腔室排液埠271，而排出至腔室21c外且殼體6外的第1排液部96a。
如此，基板處理裝置1b中，與圖1所示之基板處理 裝置1同樣地，杯旋轉機構7由控制部10所控制，變更杯排氣埠與腔室排氣埠281的重複面積，藉此可配合對基板9之處理內容等而容易變更來自腔室21c的排氣流量。又，基板處理裝置1b中， 杯排氣埠與腔室排氣埠281之重複面積的變更，係將大杯排氣埠461或小杯排氣埠464選擇性地重疊於第1腔室排氣埠群286a之腔室排氣埠281。藉此，可於不變更第1排氣機構95a所造成之吸引力，而是依簡單構造變更來自腔室21c的排氣流量。
圖22為將小杯排氣埠464、及與小杯排氣埠464於 上下方向重疊之第1腔室排氣埠群286a之腔室排氣埠281放大表示的圖。如圖22所示，於內部設有小杯排氣埠464之底部突出部465的下端面465a，係如上述與上下方向呈略垂直。腔室排氣埠281之上端中之中央部的略圓形區域，係與小杯排氣埠464之下端重複的重複區域281a。腔室排氣埠281之上端中，重複區域281a之周圍的圓環狀區域(亦即，重複區域281a除外的區域)係與小杯排氣埠464下端不重複的非重複區域281b。
腔室排氣埠281之非重複區域281b，係與杯底部42 之底部突出部465之下端面465a接近而上下方向呈相對向。藉此，腔室排氣埠281之非重複區域281b實質上被閉塞。因此，在藉由第1排氣機構95a經由小杯排氣埠464及腔室排氣埠281進行排氣時，可防止或抑制杯部4c下方之氣體經由腔室排氣埠281之非重複區域281b而被吸引至腔室排氣埠281內的情形。其結果，可使杯部4c內之氣體效率佳地排出。於基板處理裝置1b中，可利用底部突出部465之下端面465a的簡單構造，容易閉塞腔室排氣埠281之非重複區域281b。
尚且，小杯排氣埠464若設於杯底部42，則並不一 定需要設於底部突出部465內。即使在省略底部突出部465的情況，腔室排氣埠281之非重複區域281b係於小杯排氣埠464之周 圍接近杯底部42而實質上被閉塞。即使為此情況，亦可如同上述般，將杯部4c內之氣體效率佳地排出。
於基板處理裝置1b，與上述基板處理裝置1同樣地， 有時要求由第1排氣機構95a所進行之來自腔室21c之排氣流量的微調整。此時，圖19所示之大杯排氣埠461及小杯排氣埠464其中一者之杯排氣埠，係由重疊於圖20所示之連接於第1排氣機構95a之腔室排氣埠281的狀態，於維持該杯排氣埠之一與腔室排氣埠281之重複，並藉由杯旋轉機構7使杯部4c僅旋轉微小角度(例如5度)。
藉由杯部4c之微小角度的旋轉，上述杯排氣埠之一 與腔室排氣埠281的重複面積被變更。其結果，可藉由簡單構造對由第1排氣機構95a所進行之來自腔室21c的排氣流量進行微調整。
此時，與圖10同樣地，腔室排氣埠281之上端中與 該杯排氣埠之一之重複區域除外的非重複區域，係與於內部設有該杯排氣埠之一的底部突出部的下端面(亦即，杯底部42之一部分的略垂直於上下方向的面)接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。又，該杯排氣埠之一之下端中與腔室排氣埠281之重複區域除外的非重複區域，係與於內部設有腔室排氣埠281之底部突出部282的上端面(亦即，腔室底部256之一部分的略垂直於上下方向的面)接近並於上下方向相對向，而實質上被閉塞。
如上述，說明了在設置杯部4c及腔室21c的情況， 由第1處理液進行處理時之第1排氣機構95a的流量變更，而關於在由第2處理液進行處理時之第2排氣機構95b的流量變更亦相同。又，關於在由第3處理液進行處理時之第3排氣機構95c的流 量變更亦相同。
圖23為表示第4實施形態之基板處理裝置1c的剖面 圖。基板處理裝置1c係除了具備突出部34的點之外，具有與圖1所示之基板處理裝置1大致相同的構造。以下說明中，對基板處理裝置1之各構成相對應的基板處理裝置1c的構成加註相同符號。
突出部34係由基板保持部31之基底部311之下面朝下方(亦即朝杯部4)突出。突出部34為包圍中心軸J1周圍之環狀。詳言之，突出部34係以中心軸J1為中心之略圓筒狀的部位。突出部34係例如與基底部311一體形成。圖23所示例子中，突出部34係設於較杯部4之間隔壁44更靠徑方向外側、且較杯外側壁部41更靠徑方向內側。突出部34亦可設置於在與杯部4之間隔壁44於徑方向相同的位置、由間隔壁44朝上方離間。
基板處理裝置1c中，與上述基板處理裝置1同樣地，在基板9之處理時，有使基板9之旋轉速度降低(或停止基板9之旋轉)而使處理液積液於基板9之上面91的情形。此時，有由基板9上流至基底部311上面上之處理液回流至基底部311下面(亦即，通過基底部311表面而朝下面移動)的可能性。
於基板處理裝置1c，如上述般，由於設置由基底部311下面朝下方突出的環狀的突出部34，故回流至基底部311下面的處理液，係經過突出部34之外周面而落下至杯部4之外側杯空間45。如此，於基板處理裝置1c，可防止回流至基底部311下面之處理液移動至較突出部34更靠徑方向內側。又，突出部34由於設置於較杯部4之間隔部44更靠徑方向外側、或與間隔壁44於徑方向之相同位置，故可防止處理液落下至內側杯空間46而由杯排 氣埠461流入至排氣機構的情形。突出部34亦可設於上述之基板處理裝置1、1a、1b。
圖24為表示第5實施形態之基板處理裝置1d的剖面 圖。基板處理裝置1d中，設置與圖1所示之杯部4及腔室21形狀相異的杯部4d及腔室21d。又，於基板處理裝置1d，將杯排氣埠461設於杯內側壁部43，將腔室排氣埠281、284設於在杯內側壁部43之徑方向內側與杯內側壁部43於徑方向呈相對向的腔室內側壁部255(腔室排氣埠284係圖示於圖25)。基板處理裝置1d係與圖23所示之基板處理裝置1c同樣地，具備突出部34。基板處理裝置1d之其他構造係與圖1所示之基板處理裝置1略相同。以下說明中，對與基板處理裝置1之各構成對應之基板處理裝置1d之構成加註相同符號。
圖25係表示將腔室21d及杯部4d於杯排氣埠461及 腔室排氣埠281、284之位置予以切剖之剖面的橫剖面圖。圖26為腔室下面部251之俯視圖。圖26中，以虛線一併表示杯外側壁部41、杯內側壁部43、腔室內側壁部255及導管內壁部257。
如圖24至圖26所示，於杯部4d，省略了圖1所示 之間隔壁44，杯部4d之內側之空間僅成為杯空間45。又，略圓筒狀之杯內側壁部43，係位於較圖1所示之位置更靠徑方向外側。於腔室下面部251，略圓筒狀之腔室內側壁部255係位於較圖1所示位置更靠徑方向外側。又，在腔室內側壁部255與基板旋轉機構32之間，設置略圓筒狀之導管內壁部257。導管內壁部257係由下面中央部254之下面朝下方擴展。腔室底部256亦由腔室內側壁部255朝徑方向內側擴展，導管內壁部257之下端部係連接於腔室底部 256。
於腔室內側壁部255與導管內壁部257之間的空間 (亦即，由腔室內側壁部255、下面中央部254、導管內壁部257及腔室底部256所包圍的空間)，係分割為彼此獨立之複數空間。於圖25所示例子中，在腔室內側壁部255與導管內壁部257之間的空間，包含第1導管287a、第2導管287b、第3導管287c。如圖24所示，於第1導管287a，係設有貫通腔室底部256及殼體底部61的貫通孔，經由該貫通孔，第1導管287a係連接於圖25所示之第1排氣機構95a。第2導管287b係經由設於底部之同樣之其他貫通孔而連接於第2排氣機構95b，第3導管287c亦經由設於底部之同樣之其他貫通孔而連接於第3排氣機構95c。
杯排氣埠461為例如貫通杯內側壁部43之貫通孔。 該貫通孔的剖面為例如圓形。該貫通孔之剖面形狀可適當變更。杯排氣埠461係例如在杯內側壁部43之上端附近僅設置1個。杯排氣埠461係與較位於杯內側壁部43更靠徑方向外側之突出部34之內周面於徑方向呈相對向。換言之，突出部34之下端係較杯排氣埠461之下端更靠下方、或位於與杯排氣埠461之下端於上下方向相同的位置。
腔室排氣埠281、284為例如貫通腔室內側壁部255 之貫通孔。該貫通孔的剖面為例如圓形。該貫通孔之剖面形狀可適當變更。腔室排氣埠281、284係例如在腔室內側壁部255之上端附近配列於周方向。腔室排氣埠281、284係配置於與杯排氣埠461在上下方向之略相同位置。於圖25所示例子中，3個大腔室排氣埠281及3個小腔室排氣埠284係於周方向交替配置。大腔室排氣埠 281之剖面形狀及剖面積係與杯排氣埠461之剖面形狀及剖面積略相同。小腔室排氣埠284之剖面積係小於杯排氣埠461及大腔室排氣埠281的剖面積。
以下說明中，將連接於第1導管287a之1個大腔室 排氣埠281及1個小腔室排氣埠284統稱為「第1腔室排氣埠群286a」。又，將連接於第2導管287b之1個大腔室排氣埠281及1個小腔室排氣埠284統稱為「第2腔室排氣埠群286b」。又，將連接於第3導管287c之1個大腔室排氣埠281及1個小腔室排氣埠284統稱為「第3腔室排氣埠群286c」。第1腔室排氣埠群286a、第2腔室排氣埠群286b及第3腔室排氣埠群286c亦統稱為「腔室排氣埠群286a~286c」。圖25及圖26中，係分別由二點虛線圈圍各腔室排氣埠群286a~286c。
第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281及小腔 室排氣埠284，係經由第1導管287a連接於第1排氣機構95a。第2腔室排氣埠群286b之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284，係經由第2導管287b連接於第2排氣機構95b。第3腔室排氣埠群286c之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284，係經由第3導管287c連接於第3排氣機構95c。排氣機構95a~95c係配置於基板處理裝置1d外部。在使用基板處理裝置1d的期間，由排氣機構95a~95c所進行之吸引係持續進行。
如圖26所示，於腔室底部256係與圖4同樣地，設 置複數(例如9個)之腔室排液埠271，複數之腔室排液埠271係具有第1腔室排液埠群276a、第2腔室排液埠群276b及第3腔室排液埠群276c。第1腔室排液埠群276a、第2腔室排液埠群276b及 第3腔室排液埠群276c係分別挾持著中心軸J1，而位於第1腔室排氣埠群286a、第2腔室排氣埠群286b及第3腔室排氣埠群286c的相反側。
各腔室排液埠群276a~276c中，3個腔室排液埠271 係於周方向依等角度間隔排列。第1腔室排液埠群276a之3個腔室排液埠271係連接於第1排液部96a。第2腔室排液埠群276b之3個腔室排液埠271係連接於第2排液部96b。第3腔室排液埠群276c之3個腔室排液埠271係連接於第3排液部96c。第1排液部96a、第2排液部96b及第3排液部96c係彼此獨立設置。
基板處理裝置1d中，藉由控制部10(參照圖1)控制 杯旋轉機構7，而使杯排氣埠461選擇性地重疊於複數之大腔室排氣埠281及複數之小腔室排氣埠284中的任一個。又，杯排液埠451係選擇性地重疊於複數之腔室排液埠271中的任一個。
杯排氣埠461係於與第1腔室排氣埠群286a之大腔 室排氣埠281於徑方向重疊的狀態，杯排液埠451與第1腔室排液埠群276a之中央之腔室排液埠271於上下方向重疊。杯部4d內之氣體，係經由杯排氣埠461、上述大腔室排氣埠281及第1導管287a，藉第1排氣機構95a所排出。又，杯部4d內之液體係經由杯排液埠451及上述腔室排液埠271，藉第1排液部96a所排出。
杯排氣埠461係於與第1腔室排氣埠群286a之小腔 室排氣埠284於徑方向重疊的狀態，杯排液埠451與第1腔室排液埠群276a之圖26中之上側之腔室排液埠271於上下方向重疊。杯部4d內之氣體係經由杯排氣埠461、上述小腔室排氣埠284及第1導管287a，藉第1排氣機構95a被排出。如上述，小腔室排氣埠 284之剖面積由於小於大腔室排氣埠281之剖面積，故藉由利用小腔室排氣埠284而排氣流量變小。杯部4d內之液體係藉由第1排液部96a所排出。換言之，藉由旋轉杯部4d，可於不變更排氣目的而是僅變更排氣流量。
杯排液埠451係於與第1腔室排液埠群276a之圖26 中之下側之腔室排液埠271於上下方向重疊的狀態，杯排氣埠461位於由第1腔室排氣埠群286a之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284朝周方向離間的位置。於此狀態下，杯排氣埠461係未重疊於任一之腔室排氣埠281、284，接近腔室內側壁部255之外周面並於徑方向呈相對向，藉由腔室內側壁部255而實質上被閉塞。藉此，使經由杯排氣埠461之杯部4d內之氣體吸引實質上停止。其結果，於杯部4d內之氣體排出實質上停止的狀態，使杯部4d內之液體藉第1排液部96a被排出。
杯排氣埠461係於與第2腔室排氣埠群286b之大腔 室排氣埠281於徑方向重疊的狀態，杯排液埠451與第2腔室排液埠群276b之中央之腔室排液埠271於上下方向重疊。杯部4d內之氣體係依較大流量藉第2排氣機構95b被排出，杯部4d內之液體係藉由第2排液部96b被排出。
杯排氣埠461係於與第2腔室排氣埠群286b之小腔 室排氣埠284於徑方向重疊的狀態，杯排液埠451與第2腔室排液埠群276b之圖26中之右側之腔室排液埠271於上下方向重疊。杯部4d內之氣體係依較小流量藉第2排氣機構95b被排出，杯部4d內之液體係藉由第2排液部96b被排出。亦即，藉由使杯部4d旋轉，可於不變更排氣目的地而是僅變更排氣流量。
杯排液埠451係於與第2腔室排液埠群276b之圖26 中之左側之腔室排液埠271於上下方向重疊的狀態，杯排氣埠461未重疊於腔室排氣埠281、284之任一者，接近腔室內側壁部255之外周圍而實質上被閉塞。藉此，使經由杯排氣埠461之杯部4d內的氣體吸引實質上停止。其結果，依杯部4d內之氣體排出實質上停止的狀態，使杯部4d內之液體藉由第2排液部96b被排出。
杯排氣埠461係於與第3腔室排氣埠群286c之大腔 室排氣埠281於徑方向重疊之狀態，杯排液埠451與第3腔室排液埠群276c之中央之腔室排液埠271於上下方向重疊。杯部4d內之氣體係依較大流量藉由第3排氣機構95c被排出，杯部4d入之液體係藉由第3排液部96c被排出。
杯排氣埠461係於與第3腔室排氣埠群286c之小腔 室排氣埠284於徑方向重疊的狀態，杯排液埠451與第3腔室排液埠群276c之圖26中之右側之腔室排液埠271於上下方向重疊。杯部4d內之氣體係依較小流量藉第3排氣機構95c被排出，杯部4d內之液體係藉由第3排液部96c被排出。亦即，藉由使杯部4d旋轉，可於不變更排氣目的而是僅變更排氣流量。
杯排液埠451係於與第3腔室排液埠群276c之圖26 中之左側之腔室排液埠271於上下方向重疊的狀態，杯排氣埠461未重疊於腔室排氣埠281、284之任一者，接近腔室內側壁部255之外周圍而實質上被閉塞。藉此，使經由杯排氣埠461之杯部4d內的氣體吸引實質上停止。其結果，依杯部4d內之氣體排出實質上停止的狀態，使杯部4d內之液體藉由第3排液部96c被排出。
基板處理裝置1d中，係與圖1所示之基板處理裝置 1同樣地，藉由杯旋轉機構7，於不開放腔室21d及殼體6而是使腔室21d內且殼體6內之杯部4d旋轉，藉此可於第1排氣機構95a、第2排氣機構95b及第3排氣機構95c之間容易切換進行來自杯部4d之排氣的排氣機構。又，由於可依簡單構造之機構切換來自杯部4d之排氣目的地，故可使基板處理裝置1d之構造簡單化、小型化。 進而，藉由於腔室21d內切換來自杯部4d之排氣目的地，可抑制排氣中之氣體狀或霧狀之處理液的混蝕。
如上述，基板處理裝置1d中，杯排氣埠461設於杯 內側壁部43，第1腔室排氣埠群286a、第2腔室排氣埠群286b及第3腔室排氣埠群286c之腔室排氣埠281、284，係設於與杯內側壁部43相對向之腔室內側壁部255。如此，杯排氣埠461及腔室排氣埠281、284設於較杯底部42更上方，藉此可抑制處理液經由杯排氣埠461及腔室排氣埠281、284而進入排氣機構95a~95c的情形。又，杯排氣埠461及腔室排氣埠281、284係配置於基板保持部31下方，藉此可進一步抑制處理液進入排氣機構95a~95c的情形。
基板處理裝置1d中，與圖23所示之基板處理裝置 1c同樣地，設置由基底部311之下面朝下方突出之環狀的突出部34。因此，回流至基底部311下面的處理液，係經過突出部34之外周面而落下至杯部4d之外側杯空間45。如此，於基板處理裝置1d，可防止回流至基底部311下面之處理液移動至較突出部34更靠徑方向內側。其結果，可進一步防止處理液經由杯排氣埠461及腔室排氣埠281、284而進入排氣機構95a~95c的情形。又，突出部34之下端係位於較杯排氣埠461之下端更靠下方、或與杯排氣 埠461之下端於上下方向相同的位置。藉此，可更進一步抑制處理液經由杯排氣埠461及腔室排氣埠281、284而進入至排氣機構95a~95c的情形。
基板處理裝置1d中，亦可取代第1腔室排液埠群276a 之3個腔室排液埠271，而設置於周方向較長之略圓弧狀的1個腔室排液埠271a(參照圖13a)。於第2腔室排液埠群276b及第3腔室排液埠群276c中亦相同。又，基板處理裝置1d之構造亦可應用於上述之基板處理裝置1a。
基板處理裝置1d中，係如圖19及圖20所示之基板 處理裝置1b般，在杯部4d之杯內側壁部43設置大小2個之杯排氣埠461，於各腔室排氣埠群286a~286c僅設置1個腔室排氣埠281，藉由使上述2個之杯排氣埠461之一者選擇性地重疊於腔室排氣埠281，則亦可變更排氣流量。
上述基板處理裝置1、1a~1d中亦可進行各種變更。
於圖1所示基板處理裝置1中，於腔室底部256，若設置圖4所示之腔室排氣埠群286a~286c中之至少2個腔室排氣埠群即可。圖24所示之基板處理裝置1d亦同樣地，於腔室內側壁部255中，若設置圖25所示之腔室排氣埠群286a~286c中之至少2個腔室排氣埠群即可。又，基板處理裝置1、1d之各腔室排氣埠群中，亦可僅設置大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284其中一者之腔室排氣埠。亦即，於腔室21、21d，若設置分別連接於彼此獨立之至少2個排氣機構的至少2個腔室排氣埠即可。以下，將該2個腔室排氣埠稱為「第1腔室排氣埠」及「第2腔室排氣埠」。
在於腔室21、21d設置第1腔室排氣埠及第2腔室排 氣埠的情況，藉由使杯部4、4d旋轉而將杯排氣埠461選擇性重疊於第1腔室排氣埠或第2腔室排氣埠，則如上述般，可容易切換排氣機構造。
於腔室底部256，圖4及圖26分別所示之9個腔室 排液埠271，並不一定需要設置。其中，較佳係於腔室底部256，至少設置與第1腔室排氣埠及第2腔室排氣埠分別對應的第1腔室排液埠及第2腔室排液埠。第1腔室排液埠及第2腔室排液埠係分別連接於彼此獨立的2個排液部。
然後，於杯排氣埠461重疊於第1腔室排氣埠的狀 態，杯排液埠451係重疊於第1腔室排液埠；於杯排氣埠461重疊於第2腔室排氣埠的狀態，杯排液埠451係重疊於第2腔室排液埠。 藉此，如上述般，可藉由1個機構同時進行排氣目的地之切換、與排液目的地之切換。
上述之第1腔室排氣埠及第2腔室排氣埠，亦可為例 如連接於第1排氣機構95a之大腔室排氣埠281、及連接於第2排氣機構95b之大腔室排氣埠281。此時，第1腔室排液埠及第2腔室排液埠係連接於第1排液部96a之1個腔室排液埠271、及連接於第2排液部96b之1個腔室排液埠271。
又，第1腔室排氣埠及第2腔室排氣埠，亦可為例如 連接於第3排氣機構95c之小腔室排氣埠284、及連接於第1排氣機構95a之小腔室排氣埠284。此時，第1腔室排液埠及第2腔室排液埠係連接於第3排液部96c之1個腔室排液埠271、及連接於第1排液部96a之1個腔室排液埠271。
杯排氣埠461若設於杯部，則並不一定需要設於杯內 側壁部43或杯底部42。例如，杯排氣埠461亦可設於杯內側壁部43與杯底部42之境界附近。
杯排氣埠461亦可如圖27所示之基板處理裝置1e 般，設於杯外側壁部41。此時，上述之第1腔室排氣埠及第2腔室排氣埠(例如大腔室排氣埠281)，係於與杯外側壁部41相對向之腔室外側壁部252中，設置在與杯排氣埠461於上下方向約相同的位置。在杯排氣埠461設於杯外側壁部41的情況，較佳係設置由杯外側壁部41之上端部朝徑方向內方擴展、進而擴展至下方並與杯排氣埠461於徑方向呈相對向的屋簷部48。屋簷部48更佳係被覆杯排氣埠461之周方向的兩側。藉由設置屋簷部48，可抑制由基板9所飛散之處理液進入至杯排氣埠461。
於圖1所示之基板處理裝置1、及圖14所示之基板 處理裝置1a，若在腔室底部256中，設置圖4及圖16所示之複數組之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284中之至少1組之大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284即可。此時，較佳係於腔室底部256設置與大腔室排氣埠281及小腔室排氣埠284對應的2個腔室排液埠271。於圖20所示之基板處理裝置1b之腔室底部256，若設置至少1個腔室排氣埠281即可。此時，較佳係將對應至該1個腔室排氣埠281之1個腔室排液埠群設於腔室底部256。
設於腔室底部256之(內)腔室排液埠271、外腔室排 液埠277、(大)腔室排氣埠281、小腔室排氣埠284、外側凸部273、279及內側凸部283的數量及周方向的配置，亦可適當變更。設於杯底部42之(內)杯排液埠451、外杯排液埠457、(大)杯排氣埠461、小杯排氣埠464、外側凸部453及內側凸部463的數量及周方向的 配置，亦可適當變更。
於基板處理裝置1、1a~1e，設於腔室21、21a~21d 之(內)腔室排液埠271、外腔室排液埠277、(大)腔室排氣埠281、小腔室排氣埠284、外側凸部273、279及內側凸部283的數量及周方向的配置，亦可適當變更。設於杯部4、4a~4d之(內)杯排液埠451、外杯排液埠457、(大)杯排氣埠461、小杯排氣埠464、外側凸部453及內側凸部463的數量及周方向的配置，亦可適當變更。
由基板9流入至杯部的處理液，係藉由共通配管而排 出至腔室外及殼體外，於殼體外亦可藉由閥等切換排出目的地。於此情況下，處理液用之閥或配管由於較小型，故抑制基板處理裝置1、1a~1e的大型化。
杯部4、4a~4d之杯外側壁部41、杯內側壁部43、(第 1)間隔壁44及第2間隔壁47，若為略筒狀，則亦可為略圓筒狀以外之各種形狀。
腔室開關機構23並不一定需要使腔室蓋部26於上下 方向移動，例如亦可依腔室蓋部26經固定的狀態，使腔室本體25於上下方向移動。腔室21、21a~21d並不一定限定為略圓筒狀，亦可為各種形狀。上述之基板處理裝置1、1a~1e中，腔室21、21a~21d並不一定需要形成密閉空間。例如，亦可省略腔室蓋部26及頂板22，使腔室21、21a~21d為上部開放之開放腔室。
升降機構33並不一定需要使基板9及基板保持部31 於上下方向移動，例如亦可依基板保持部31於上下方向為固定的狀態，使杯部4b於上下方向移動。
杯旋轉機構7之定子部71及轉子部72的形狀及構 造，亦可進行各種變更。轉子部72並不一定需要以浮游狀態進行旋轉，若於腔室21、21a~21d內設置機械性支撐轉子部72之導件等構造，沿著該導件使轉子部72進行旋轉亦可。杯旋轉機構7並不一定需要為中空馬達，亦可將軸旋轉型之馬達利用為杯旋轉機構。
上述基板處理裝置中，除了半導體基板以外，亦可利用於使用在液晶顯示裝置、電漿顯示器、FED(field emission display)等之顯示裝置的玻璃基板的處理。或者，上述之基板處理裝置亦可利用於光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等之處理。
上述實施形態及各種變形例之構成，在不彼此矛盾之下亦可適當組合。
以上詳細描述說明了本發明，但上述說明為例示而非限定者。因此，在不脫離本發明範圍之下，可進行多數之變形或態樣。
1‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧杯部
5‧‧‧處理液供給部
6‧‧‧殼體
7‧‧‧杯旋轉機構
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
21‧‧‧腔室
22‧‧‧頂板
23‧‧‧腔室開關機構
25‧‧‧腔室本體
26‧‧‧腔室蓋部
31‧‧‧基板保持部
32‧‧‧基板旋轉機構
41‧‧‧杯外側壁部
42‧‧‧杯底部
43‧‧‧杯內側壁部
44‧‧‧第1間隔壁
45‧‧‧外側杯空間
46‧‧‧內側杯空間
51‧‧‧上部噴嘴
52‧‧‧下部噴嘴
61‧‧‧殼體底部
62‧‧‧殼體側壁部
63‧‧‧殼體蓋部
64‧‧‧搬入口
65‧‧‧蓋部
71‧‧‧定子部
72‧‧‧轉子部
91‧‧‧上面
92‧‧‧下面
221‧‧‧被保持部
224‧‧‧板本體部
225‧‧‧板側壁部
226‧‧‧第2卡合部
251‧‧‧腔室下面部
252‧‧‧腔室外側壁部
254‧‧‧下面中央部
255‧‧‧腔室內側壁部
256‧‧‧腔室底部
261‧‧‧板保持部
271‧‧‧(內)腔室排氣埠
272‧‧‧底部突出部
276a‧‧‧第1腔室排液埠群
281‧‧‧(大)腔室排氣埠
282‧‧‧底部突出部
286a‧‧‧第1腔室排氣埠群
311‧‧‧基底部
312‧‧‧夾具
314‧‧‧第1卡合部
321‧‧‧旋轉軸
451‧‧‧(內)杯排液埠
452‧‧‧底部突出部
461‧‧‧杯排氣埠
462‧‧‧底部突出部
J1‧‧‧中心軸

Claims (33)

  1. 一種基板處理裝置，係對基板進行處理者，其具備：依水平狀態保持基板之基板保持部；於上述基板上供給處理液之處理液供給部；設有杯排氣埠，承接來自上述基板之處理液的杯部；於內部收容上述基板保持部及上述杯部之腔室；以朝上下方向之中心軸為中心，使上述杯部進行旋轉的杯旋轉機構；與藉上述杯旋轉機構使上述杯部旋轉，決定上述杯排氣埠於以上述中心軸為中心之周方向之位置的控制部；於上述腔室，設置於上述周方向排列的第1腔室排氣埠及第2腔室排氣埠；上述控制部係藉由控制上述杯旋轉機構，使上述杯排氣埠選擇性地重疊於上述第1腔室排氣埠或上述第2腔室排氣埠；在上述杯排氣埠重疊於上述第1腔室排氣埠之狀態，藉由連接於上述第1腔室排氣埠之第1排氣機構，使上述杯部內之氣體經由上述杯排氣埠及上述第1腔室排氣埠而排出至上述腔室外；在上述杯排氣埠重疊於上述第2腔室排氣埠之狀態，藉由連接於上述第2腔室排氣埠之第2排氣機構，使上述杯部內之氣體經由上述杯排氣埠及上述第2腔室排氣埠而排出至上述腔室外。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述杯排氣埠設於上述杯部底部；上述第1腔室排氣埠及上述第2腔室排氣埠設於上述腔室底部。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，在上述杯排氣 埠位於由上述第1腔室排氣埠及上述第2腔室排氣埠朝上述周方向離間的位置的狀態下，使上述杯排氣埠之下端接近上述腔室之上述底部，或使上述第1腔室排氣埠之上端及上述第2腔室排氣埠之上端接近上述杯部之上述底部，藉此使經由上述杯排氣埠之上述杯部內之氣體吸引停止。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，於上述杯部之上述底部設置杯排液埠；於上述腔室之上述底部，設置於上述周方向排列之第1腔室排液埠及第2腔室排液埠；在上述杯排氣埠重疊於上述第1腔室排氣埠之狀態，上述杯排液埠與上述第1腔室排液埠重疊，使上述杯部內之處理液排出至連接於上述第1腔室排液埠之上述腔室外的第1排液部；在上述杯排氣埠重疊於上述第2腔室排氣埠之狀態，上述杯排液埠與上述第2腔室排液埠重疊，使上述杯部內之處理液排出至連接於上述第2腔室排液埠之上述腔室外的第2排液部；上述第1腔室排液埠之上述周方向之長度較上述杯排液埠之上述周方向之長度長；由上述杯排液埠重疊於上述第1腔室排液埠、上述杯排氣埠重疊於上述第1腔室排氣埠之狀態，一邊維持上述杯排液埠與上述第1腔室排液埠的重複，一邊旋轉上述杯部，藉此使上述杯排氣埠移動至由上述第1腔室排氣埠偏離的位置；上述杯排氣埠係設於在上述杯部之上述底部所設置並朝下方突出之底部突出部內；上述底部突出部之下端面係垂直於上述上下方向； 在上述杯排氣埠位於由上述第1腔室排氣埠偏離之上述位置的狀態下，使上述第1腔室排氣埠之上端接近上述底部突出部之上述下端面，藉此使經由上述杯排氣埠之上述杯部內的氣體吸引停止。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述杯部係以上述中心軸為中心之環狀；上述杯部具備：圓環狀底部；由上述底部之內周部朝上方擴展之圓筒狀之內側壁部；與由上述底部之外周部朝上方擴展之圓筒狀之外側壁部；於上述內側壁部或上述外側壁部設置上述杯排氣埠；於與上述杯部之上述內側壁部或上述外側壁部相對向的上述腔室之側壁部，設置上述第1腔室排氣埠及上述第2腔室排氣埠。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，在上述杯排氣埠位於由上述第1腔室排氣埠及上述第2腔室排氣埠朝上述周方向離間之位置的狀態下，使上述杯排氣埠接近上述上述腔室之上述側壁部，藉此使經由上述杯排氣埠之上述杯部內的氣體吸引停止。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於上述杯部之上述底部設置杯排液埠；於上述腔室之上述底部，設置排列於上述周方向之第1腔室排液埠及第2腔室排液埠；在上述杯排氣埠重疊於上述第1腔室排氣埠的狀態，上述杯排液埠與上述第1腔室排液埠重疊，使上述杯部內之處理液排出至連接於上述第1腔室排液埠之上述腔室外的第1排液部；在上述杯排氣埠重疊於上述第2腔室排氣埠之狀態，上述杯排液 埠與上述第2腔室排液埠重疊，使上述杯部內之處理液排出至連接於上述第2腔室排液埠之上述腔室外的第2排液部。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，於上述腔室之上述底部，設置另一個第1腔室排液埠，其係與上述第1腔室排液埠及上述第2腔室排液埠一起排列於上述周方向，並連接上述第1排液部；在上述杯排液埠重疊於上述另一個第1腔室排液埠之狀態，使上述杯部內之處理液排出至上述第1排液部；上述杯排氣埠係位於由上述第1腔室排氣埠及上述第2腔室排氣埠於上述周方向呈離間的位置。
  9. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，上述第1腔室排液埠之上述周方向之長度較上述杯排液埠之上述周方向之長度長；由上述杯排液埠重疊於上述第1腔室排液埠、上述杯排氣埠重疊於上述第1腔室排氣埠之狀態，一邊維持上述杯排液埠與上述第1腔室排液埠的重複，一邊旋轉上述杯部，藉此使上述杯排氣埠移動至由上述第1腔室排氣埠偏離的位置。
  10. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，上述杯部係以上述中心軸為中心之環狀；上述杯部具備：圓環狀之上述底部；由上述底部之內周部朝上方擴展之圓筒狀之內側壁部；由上述底部之外周部朝上方擴展之圓筒狀之外側壁部；與於上述內側壁部與上述外側壁部之間由上述底部朝上方擴展之 圓筒狀之間隔壁；來自上述處理液供給部之處理液係流入至上述杯部之上述外側壁部與上述間隔壁之間的空間；上述杯排液埠係位於較上述間隔壁更靠以上述中心軸為中心之徑方向外側；上述杯排氣埠係位於較上述間隔壁更靠上述徑方向內側。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，進一步具備使上述基板保持部相對於上述杯部於上述上下方向相對移動的升降機構；上述杯部係進一步具備於上述間隔壁與上述外側壁部之間由上述底部朝上方擴展的筒狀之另一個間隔壁；上述杯排液埠係位於較上述另一個間隔壁更靠上述徑方向內側；於上述杯部之上述底部，設置有位於較上述另一個間隔壁更靠上述徑方向外側的其他杯排液埠；於上述腔室之上述底部，設置其他腔室排液埠，其係位於較上述第1腔室排液埠及上述第2腔室排液埠更靠上述徑方向外側，並連接其他排液部；藉由上述升降機構，使上述基板在相對於上述杯部之第1位置與較上述第1位置更上方之第2位置之間，與上述基板保持部一起移動；在上述基板位於上述第1位置之狀態，由上述處理液供給部供給至上述基板上之處理液，流入至上述杯部之上述另一個間隔壁與上述間隔壁之間的空間；在上述基板位於上述第2位置之狀態，由上述處理液供給部供給 至上述基板上之處理液，流入至上述杯部之上述外側壁部與上述另一個間隔壁之間的空間；上述其他杯排液埠重疊於上述其他腔室排液埠，使處理液排出至上述腔室外之上述其他排液部。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述基板保持部係具備以上述中心軸為中心之圓板狀之保持部本體；上述保持部本體係於上述杯部之上方與上述杯部在上述上下方向呈相對向；設置有由上述保持部本體之下面朝下方突出，在較上述間隔壁更靠徑方向外側、或與上述間隔壁於徑方向相同之位置包圍上述中心軸周圍的環狀之突出部。
  13. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述基板保持部係具備以上述中心軸為中心之圓板狀的保持部本體；上述保持部本體係於上述杯部之上方與上述杯部在上述上下方向呈相對向；設置有由上述保持部本體之下面朝下方突出且包圍上述中心軸周圍的環狀之突出部。
  14. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之基板處理裝置，其中，上述杯旋轉機構係具備：配置於上述腔室內，安裝於上述杯部之環狀之轉子部；與於上述腔室外配置於上述轉子部周圍，並與上述轉子部之間產生旋轉力的定子部。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，上述轉子部係藉由與上述定子部之間作用的磁力，於上述腔室內依浮游狀態進行旋轉。
  16. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之基板處理裝置，其中，上述腔室係配置上述基板保持部及上述杯部，且形成密閉空間的密閉空間形成部。
  17. 一種基板處理裝置，係對基板進行處理者，其具備：依水平狀態保持基板之基板保持部；於上述基板上供給處理液之處理液供給部；於底部設有杯排氣埠，承接來自上述基板之處理液的杯部；於內部收容上述基板保持部及上述杯部，且於底部設置腔室排氣埠的腔室；以朝上下方向之中心軸為中心，使上述杯部進行旋轉的杯旋轉機構；與藉上述杯旋轉機構使上述杯部旋轉，決定上述杯排氣埠於以上述中心軸為中心之周方向之位置的控制部；在上述杯排氣埠重疊於上述腔室排氣埠之狀態，藉由連接於上述腔室排氣埠之排氣機構，使上述杯部內之氣體經由上述杯排氣埠及上述腔室排氣埠而排出至上述腔室外；藉由上述控制部控制上述杯旋轉機構，變更上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠的重複面積，藉此使由上述排氣機構所進行之來自上述腔室的排氣流量變更。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，上述腔室排氣埠係具備：大腔室排氣埠；及小腔室排氣埠，係與上述大腔室排氣埠一起排列於上述周方向，面積小於上述大腔室排氣埠； 上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之重複面積的變更，係使上述杯排氣埠選擇性地重疊於上述大腔室排氣埠或上述小腔室排氣埠。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板處理裝置，其中，上述杯排氣埠之下端中與上述小腔室排氣埠之重複區域除外的非重複區域，係藉由接近上述腔室之上述底部而被閉塞。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，上述小腔室排氣埠係設置於在上述腔室之上述底部所設置並朝上方突出的底部突出部內；上述底部突出部之上端面係垂直於上述上下方向；上述杯排氣埠之上述非重複區域，係藉由接近上述底部突出部之上述上端面而被閉塞。
  21. 如申請專利範圍第18項之基板處理裝置，其中，由上述杯排氣埠重疊於上述大腔室排氣埠及上述小腔室排氣埠其中一者之腔室排氣埠的狀態，維持上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之一之重複，並使上述杯部僅旋轉微小角度，藉此變更上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之一的重複面積，而對由上述排氣機構所進行之來自上述腔室的排氣流量進行微調整。
  22. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，上述杯排氣埠係具備：大杯排氣埠；及小杯排氣埠，係與上述大杯排氣埠一起排列於上述周方向，面積小於上述大杯排氣埠；上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之重複面積的變更，係使上述大杯排氣埠或上述小杯排氣埠選擇性地重疊於上述腔室排氣埠。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中，上述腔室排氣埠之上述端中與上述小杯排氣埠之重複區域除外的非重複區域，係藉由接近上述杯部之上述底部而被閉塞。
  24. 如申請專利範圍第23項之基板處理裝置，其中，上述小杯排氣埠係設置於在上述杯部之上述底部所設置並朝下方突出的底部突出部內；上述底部突出部之下端面係垂直於上述上下方向；上述腔室排氣埠之上述非重複區域，係藉由接近上述底部突出部之上述下端面而被閉塞。
  25. 如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中，由上述大杯排氣埠及上述小杯排氣埠其中一者之杯排氣埠重疊於上述腔室排氣埠的狀態，維持上述杯排氣埠之一與上述腔室排氣埠之重複，並使上述杯部僅旋轉微小角度，藉此變更上述杯排氣埠之一與上述腔室排氣埠的重複面積，而對由上述排氣機構所進行之來自上述腔室的排氣流量進行微調整。
  26. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之重複面積的變更，係藉由一邊維持上述杯排氣埠與上述腔室排氣埠之重複、一邊使上述杯部旋轉而實現。
  27. 如申請專利範圍第26項之基板處理裝置，其中，上述腔室排氣埠之上述端中與上述杯排氣埠之重複區域除外的非重複區域，係藉由接近上述杯部之上述底部而被閉塞；上述杯排氣埠下端中與上述腔室排氣埠重複區域除外之非重複區域，係藉由接近上述腔室之上述底部而被閉塞。
  28. 如申請專利範圍第27項之基板處理裝置，其中，上述杯排氣埠係設置於在上述杯部之上述底部所設置並朝下方突出的底部突 出部內；上述底部突出部之下端面係垂直於上述上下方向；上述腔室排氣埠之上述非重複區域，係藉由接近上述底部突出部之上述下端面而被閉塞。
  29. 如申請專利範圍第27項之基板處理裝置，其中，上述腔室排氣埠係設置於在上述腔室之上述底部所設置並朝上方突出的其他底部突出部內；上述其他底部突出部之上端面係垂直於上述上下方向；上述杯排氣埠之上述非重複區域，係藉由接近上述其他底部突出部之上述上端面而被閉塞。
  30. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，在上述杯排氣埠位於由上述腔室排氣埠朝上述周方向呈離間之位置的狀態下，使上述杯排氣埠之下端接近上述腔室之上述底部，或使上述腔室排氣埠之上端接近上述杯部之上述底部，藉此使經由上述杯排氣埠之上述杯部內的氣體吸引停止。
  31. 如申請專利範圍第17至30項中任一項之基板處理裝置，其中，上述杯旋轉機構係具備：配置於上述腔室內，安裝於上述杯部之環狀之轉子部；與於上述腔室外配置於上述轉子部周圍，並與上述轉子部之間產生旋轉力的定子部。
  32. 如申請專利範圍第31項之基板處理裝置，其中，上述轉子部係藉由與上述定子部之間作用的磁力，於上述腔室內依浮游狀態進行旋轉。
  33. 如申請專利範圍第17至30項中任一項之基板處理裝置，其中，上述腔室係配置上述基板保持部及上述杯部，且形成密閉空間 的密閉空間形成部。
TW104101063A 2014-01-16 2015-01-13 基板處理裝置 TWI527144B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014006105 2014-01-16
JP2014006106A JP6208021B2 (ja) 2014-01-16 2014-01-16 基板処理装置
JP2014246815A JP6434293B2 (ja) 2014-01-16 2014-12-05 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201533830A true TW201533830A (zh) 2015-09-01
TWI527144B TWI527144B (zh) 2016-03-21

Family

ID=53542740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104101063A TWI527144B (zh) 2014-01-16 2015-01-13 基板處理裝置

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TWI527144B (zh)
WO (1) WO2015107838A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204303A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 株式会社斯库林集团 基板处理装置
TWI793849B (zh) * 2020-12-10 2023-02-21 南韓商細美事有限公司 基板處理設備及設置於其中之裝填構件

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6508125B2 (ja) * 2016-05-18 2019-05-08 株式会社デンソー ヘッドアップディスプレイ装置及び画像投射ユニット
JP2023046818A (ja) * 2021-09-24 2023-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007180379A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2010226043A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204303A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN107204303B (zh) * 2016-03-18 2020-08-18 株式会社斯库林集团 基板处理装置
TWI793849B (zh) * 2020-12-10 2023-02-21 南韓商細美事有限公司 基板處理設備及設置於其中之裝填構件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015107838A1 (ja) 2015-07-23
TWI527144B (zh) 2016-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6461617B2 (ja) 基板処理装置
TWI527144B (zh) 基板處理裝置
TWI552806B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5996381B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6287750B2 (ja) 基板液処理装置
JP6118595B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2014194965A (ja) 基板処理装置
TWI590320B (zh) 用以處理晶圓狀物體之裝置及方法
WO2015098655A1 (ja) 基板処理装置
KR20130056185A (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
KR101822774B1 (ko) 기판 처리 장치
TW201341059A (zh) 用以處理晶圓狀物件之表面的設備
JP2010226043A (ja) 基板処理装置
JP2019521519A (ja) 基板支持装置
KR20160096540A (ko) 회전하는 가스 샤워헤드를 가진 스핀 척
JP2010192686A (ja) 基板処理装置
JP6797622B2 (ja) 基板処理装置
TW201639019A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6434293B2 (ja) 基板処理装置
JP6208021B2 (ja) 基板処理装置
CN107799440B (zh) 用于处理基板的装置和方法
JP6542594B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI654033B (zh) 晶圓狀物件之表面的處理設備及使用於其中的液體收集器
JP2001077082A (ja) 処理液回収用チャンバー構造
JP6216279B2 (ja) 基板処理装置