TW201533809A - 電子零件裝置之製造方法、及電子零件密封用片材 - Google Patents

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TW201533809A
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sealing
sheet
same
sealing sheet
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TW103145244A
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Goji Shiga
Tsuyoshi Ishizaka
Kosuke Morita
Chie Iino
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Nitto Denko Corp
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Abstract

一種電子零件裝置之製造方法，係包含以下步驟：步驟A，準備在支持體上固定有電子零件之積層體；步驟B，準備電子零件密封用片材；步驟C，在電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力為5gf以下的條件下，將電子零件密封用片材配置在電子零件上；步驟D，將電子零件密封用片材升溫到電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力為10gf以上為止，以將電子零件密封用片材暫時固定在電子零件上；及步驟E，將電子零件埋入電子零件密封用片材中，形成在電子零件密封用片材中埋入有電子零件之密封體。

Description

電子零件裝置之製造方法、及電子零件密封用片材 技術領域
本發明係有關於一種電子零件裝置之製造方法、及電子零件密封用片材。
背景技術
以往，作為半導體裝置之製造方法，已知有藉密封樹脂密封固定於基板等之1個或多數半導體晶片後，切割密封體使其成為半導體裝置單元之封裝件的方法。這類密封樹脂例如已知有藉熱硬化性樹脂構成之密封用片材(請參照專利文獻1為例)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2006-19714號公報
發明概要
藉上述方法製造電子零件裝置時，為把密封用片材放到固定在基板等支持體上的電子零件(例如，半導體晶片)上，必須對位配置。但是，密封用片材一般具有 黏著性。因此，在對位時，如果在已產生錯位之狀態下配置(放置)密封用片材在電子零件上，就永遠黏住了，無法剝離。結果，有無法重新對位之問題。此外，因裝置故障等而使密封用片材落下等時，會有密封用片材黏在各種裝置上，成為污染原因之問題。
本發明係鑒於上述課題而作成者，其目的在於提供一種電子零件裝置之製造方法、及可使用於該電子零件裝置之製造方法的電子零件密封用片材；該電子零件裝置之製造方法係在已使電子零件固定於支持體上之電子零件上配置電子零件密封用片材時容易對位，且，即使電子零件密封用片材落下亦可抑制對各種裝置之污染。
本申請案發明人等發現藉由採用下述構成可解決前述課題，從而完成本發明。
即，本發明之電子零件裝置之製造方法之特徵在於包含以下步驟：步驟A，準備在支持體上固定有電子零件之積層體；步驟B，準備電子零件密封用片材；步驟C，在前述電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力為5gf以下的條件下，將前述電子零件密封用片材配置在前述電子零件上；步驟D，在前述電子零件上配置有前述電子零件密封用片材之狀態下，將前述電子零件密封用片材升溫到前述電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力為 10gf以上為止，以將前述電子零件密封用片材暫時固定在前述電子零件上；及步驟E，將前述電子零件埋入前述電子零件密封用片材中，形成在前述電子零件密封用片材中埋入有前述電子零件之密封體。
依據本發明之電子零件裝置之製造方法，在將電子零件密封用片材配置在電子零件上之步驟(步驟C)中，電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力係5gf以下，幾乎沒有黏著性。因此，在將電子零件密封用片材配置在電子零件上之步驟(步驟C)中，假如在已產生錯位之狀態下配置(放置)電子零件密封用片材，亦可輕易重新配置。此外，在將電子零件密封用片材配置在電子零件上之步驟(步驟C)中，由於電子零件密封用片材幾乎沒有黏著性，故即使因裝置故障等以致電子零件密封用片材落下，亦可抑制對各種裝置之污染。
此外，在電子零件上配置有電子零件密封用片材之狀態下，將前述電子零件密封用片材升溫到前述電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力為10gf以上為止，以將前述電子零件密封用片材暫時固定在前述電子零件上(步驟D)。因此，對位完畢後，可使黏著性顯現而進行固定(暫時固定)。
另外，步驟D之後，將前述電子零件埋入前述電子零件密封用片材中，形成在前述電子零件密封用片材中埋入有前述電子零件之密封體(步驟E)。由於未產生電子零件與 電子零件密封用片材之錯位，故由該密封體製造之電子零件裝置之產率良好。
在前述構成中，前述電子零件密封用片材於探針膠黏測試下的探針膠黏力宜在25℃下為5gf以下，且在40℃下為10gf以上。
如果前述電子零件密封用片材於探針膠黏測試下的探針膠黏力在25℃下為5gf以下，且在40℃下為10gf以上，即使未使電子零件密封用片材冷卻至低溫(例如，大約-10至5℃)，在大約25℃以下之常溫(例如，大約15至25℃)條件下，亦可使黏著性幾乎不顯現。此外，使黏著性顯現時，只要升溫至大約40℃以上即可。因此，便可容易進行步驟C及步驟D。
在前述構成中，前述步驟C宜為在25℃以下之條件下，將前述電子零件密封用片材配置在前述電子零件上之步驟，且前述步驟D宜為將前述電子零件密封用片材升溫至40℃以上，以將前述電子零件密封用片材暫時固定在前述電子零件上之步驟。
如果前述步驟C係在25℃以下之條件下將前述電子零件密封用片材配置在前述電子零件上之步驟，則在前述步驟C之階段，前述電子零件密封用片材不會黏在前述電子零件上。因此，便可容易進行對位。
此外，如果前述步驟D係將前述電子零件密封用片材升溫至40℃以上，以將前述電子零件密封用片材暫時固定在前述電子零件上之步驟，則藉由前述步驟D，前述電子 零件密封用片材會顯現黏著性而黏在前述電子零件上。因此，可確實地進行固定(暫時固定)。
此外，本發明之電子零件密封用片材之特徵在於：於探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下，且在40℃下為10gf以上。
依據前述構成，因於探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下，且在40℃下為10gf以上，故即使未冷卻至低溫(例如，大約-10至5℃)，在大約25℃以下之常溫(例如，大約15至25℃)條件下，亦可使黏著性幾乎不顯現。此外，使黏著性顯現時，只要升溫至大約40℃以上即可。因此，電子零件密封用片材具優異處理性。尤其可適於使用在上述電子零件裝置之製造方法中。
依據本發明，可提供一種電子零件裝置之製造方法、及可使用於該電子零件裝置之製造方法的電子零件密封用片材，該電子零件裝置之製造方法係在已使電子零件固定於支持體上之電子零件上配置電子零件密封用片材時容易對位，且，即使電子零件密封用片材落下亦可抑制對各種裝置之污染。
40‧‧‧密封用片材
41‧‧‧剝離襯
50‧‧‧積層體
53‧‧‧半導體晶片
53a‧‧‧電路形成面
53c‧‧‧背面
58‧‧‧密封體
59‧‧‧半導體裝置
60‧‧‧暫時固定材
60a‧‧‧熱膨脹性黏著劑層
60b‧‧‧支持基材
62‧‧‧下側加熱板
64‧‧‧上側加熱板
67‧‧‧凸塊
69‧‧‧再配線
圖式之簡單說明
圖1(a)係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖，圖1(b)係其俯視圖。
圖2(a)係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖，圖2(b)係其俯視圖。
圖3(a)係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖，圖3(b)係其俯視圖。
圖4係顯示在已產生錯位之狀態下經配置有電子零件密封用片材之情形的俯視示意圖。
圖5係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖。
圖6係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖。
圖7係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖。
圖8係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖。
圖9係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖。
圖10係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖。
用以實施發明之形態
以下，一面參照圖式一面說明本發明之實施形態。但是，本發明不是只限定於該等實施形態。
本實施形態之電子零件密封用片材之製造方法至少包含以下步驟： 步驟A，準備在暫時固定材上固定有半導體晶片之積層體；步驟B，準備電子零件密封用片材，且該電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下，且在40℃下為10gf以上；步驟C，在25℃以下之條件下，將前述電子零件密封用片材配置在前述半導體晶片上；步驟D，在前述半導體晶片上配置有前述電子零件密封用片材之狀態下，將前述電子零件密封用片材升溫到40℃以上，以將前述電子零件密封用片材暫時固定在前述半導體晶片上；及步驟E，將前述半導體晶片埋入前述電子零件密封用片材中，形成在前述電子零件密封用片材中埋入有前述半導體晶片之密封體。
即，本實施形態係說明本發明之「在支持體上固定有電子零件之積層體」為「在暫時固定材上暫時固定有半導體晶片之積層體」之情形。本實施形態係稱為所謂Fan-out(扇出)型晶圓總封裝件(WLP)之電子零件裝置之製造方法。
圖1(a)係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖，圖1(b)係其俯視圖。圖2(a)係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖，圖2(b)係其俯視圖。圖3(a)係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖，圖3(b)係其俯視圖。圖4係 顯示在已產生錯位之狀態下經配置有電子零件密封用片材之情形的俯視示意圖。圖5至圖10係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的截面示意圖。此外，在圖3(b)、圖4中，為方便說明，省略記載上側加熱板及下側加壓板。
[積層體準備步驟]
如圖1(a)及圖1(b)所示，本實施形態之半導體裝置之製造方法中，首先，準備在暫時固定材60上暫時固定有半導體晶片53之積層體50(步驟A)。在本實施形態中，暫時固定材60相當於本發明之「支持體」。此外，半導體晶片53相當於本發明之「電子零件」。積層體50係例如按如下方式獲得。
<暫時固定材準備步驟>
準備在支持基材60b上積層有熱膨脹性黏著劑層60a之暫時固定材60(請參照圖1(a))。此外，可使用放射線硬化型黏著劑層來取代熱膨脹性黏著劑層。在本實施形態中，說明具有熱膨脹性黏著劑層之暫時固定材60。
(熱膨脹性黏著劑層)
熱膨脹性黏著劑層60a可藉由包含聚合物成分，及發泡劑之黏著劑組成物形成。聚合物成分(特別是基底聚合物)可適合使用丙烯酸系聚合物(有時稱為「丙烯酸聚合物A」)。丙烯酸聚合物A可舉使用(甲基)丙烯酸酯為主單體者為例。前述(甲基)丙烯酸酯可舉例如：(甲基)丙烯酸烷酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、二級丁酯、三級丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、 2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一酯、十二酯、十三酯、十四酯、十六酯、十八酯、二十酯等之烷基之碳數1至30，特別是碳數4至18直鏈狀或分支鏈狀的烷酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)等。該等(甲基)丙烯酸酯可單獨或併用2種以上。
又，前述丙烯酸聚合物A，以凝集力、耐熱性、交聯性之改質為目的，亦可依需要含有對應於可與前述(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體成分的單元。如此之單體成分可舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、巴豆酸、羧乙基丙烯酸酯等之含羧基單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等之含酸酐基單體；(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯等之含羥基單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺或N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等的(N-取代或無取代)醯胺系單體；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等之乙烯酯系單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之苯乙烯系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等之氰基丙烯酸酯系單體；(甲基)丙烯酸氧化丙烯等的含環氧基之丙烯酸系單體；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等之烯烴或二烯系單體；(甲基)丙烯酸胺乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺乙酯、(甲基)丙烯酸三級丁胺乙酯等之含(取代或無取代)胺基單體；(甲基)丙烯酸甲氧乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧乙酯等之(甲基)丙烯酸烷氧烷系單體；N-乙烯吡咯啶酮、N-甲基乙烯吡咯啶酮、N-乙烯吡啶、 N-乙烯哌啶酮、N-乙烯嘧啶、N-乙烯哌嗪、N-乙烯吡嗪、N-乙烯吡咯、N-乙烯咪唑、N-乙烯噁唑、N-乙烯嗎福林、N-乙烯己內醯胺等之具有含氮原子環的單體；N-乙烯羧酸醯胺類；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、(甲基)丙烯酸醯胺丙磺酸、磺酸丙基(甲基)丙烯酸酯等之含磺酸基單體；(甲基)丙烯酸-2-羥乙丙烯醯磷酸酯等之含磷酸基單體；N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N-月桂基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺等之順丁烯二醯亞胺系單體；N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺、N-丁基伊康醯亞胺、N-辛基伊康醯亞胺、N-2-乙基己基伊康醯亞胺、N-環己基伊康醯亞胺、N-月桂基伊康醯亞胺等之伊康醯亞胺系單體；N-(甲基)丙烯醯氧甲撐琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯-6-氧六甲撐琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯-8-氧八甲撐琥珀醯亞胺等之琥珀醯亞胺系單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇等之二醇系丙烯酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠基酯等之具有含氧原子雜環的單體；氟化(甲基)丙烯酸酯等之含有氟原子之丙烯酸酯單體；聚矽氧系(甲基)丙烯酸酯等之含有矽原子之丙烯酸酯單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺甲酸乙酯丙烯酸酯、二乙烯苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等 之多官能基單體等。
前述丙烯酸聚合物A係藉由使單一單體或2種以上之單體混合物聚合而製得。聚合可藉溶液聚合(例如，自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等)，乳化聚合，塊狀聚合，懸浮聚合、光聚合(例如，紫外線(UV)聚合等)之任何方式進行。
丙烯酸聚合物A之重量平均分子量沒有特別限制，宜為大約35萬至100萬，而以大約45萬至80萬為更佳。
又，為調整黏著力，熱膨脹性黏著劑可適當地使用外部交聯劑。外部交聯之方法之具體方法可舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、吖丙烷化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂交聯劑而使其反應的方法為例。使用外部交聯劑時，其使用量可藉由與欲交聯之基底聚合物之平衡，進一步，依據作為黏著劑之使用用途適當決定。外部交聯劑之使用量一般相對100重量份之前述基底聚合物為20重量份以下(宜為0.1重量份至10重量份)。
熱膨脹性黏著劑層60a，如前所述，含有用以賦予熱膨脹性之發泡劑。因此，在暫時固定材60之熱膨脹性黏著劑層60a上形成有密封體58之狀態下(請參照圖6)，在任意時間至少部份地加熱暫時固定材60，使已加熱之熱膨脹性黏著劑層60a之部份中含有的發泡劑發泡及/或膨脹，藉此熱膨脹性黏著劑層60a至少部份地膨脹，藉由該熱膨脹性黏著劑層60a之至少部份的膨脹，對應於該膨脹部份之黏著面(與密封體58之界面)變形成凹凸狀，且該熱膨脹 性黏著劑層60a與密封體58之接著面積減少，因此，兩者間之接著力減少，可由暫時固定材60剝離密封體58(請參照圖7)。
(發泡劑)
熱膨脹性黏著劑層60a中使用之發泡劑沒有特別限制，可由習知之發泡劑適當選擇。發泡劑可單獨或組合2種以上使用。發泡劑可適合使用熱膨脹性微小球。
(熱膨脹性微小球)
熱膨脹性微小球沒有特別限制，可由習知之熱膨脹性微小球(各種無機系熱膨脹性微小球，及有機系熱膨脹性微小球等)適當選擇。熱膨脹性微小球，由混合操作容易之觀點來看，可適合使用微膠囊化之發泡劑。如此之熱膨脹性微小球可舉將藉由加熱異丁烷、丙烷、戊烷等之容易氣化而膨脹之物質包在具有彈性之殼內的微小球等為例。前述殼大多係藉由熱熔融性物質及藉熱膨脹破壞之物質形成。形成前述殼之物質可舉例如：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯、丁縮醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。
熱膨脹性微小球可藉由慣用之方法，例如，凝聚法、及界面聚合法等製造。又，熱膨脹性微小球可使用，例如，松本油脂製藥公司(股)製之商品名「Matsumoto Microsphere」之系列(例如，商品名「Matsumoto Microsphere F30」、商品名「Matsumoto Microsphere F301D」、商品名「Matsumoto Microsphere F50D」、商品名「Matsumoto Microsphere F501D」、商品名「Matsumoto Microsphere F80SD」、商品名「Matsumoto Microsphere F80VSD」等)，以及EXPANCEL公司製之商品名「051DU」、商品名「053DU」、商品名「551DU」、商品名「551-20DU」、商品名「551-80DU」等之市售品。
此外，使用熱膨脹性微小球作為發泡劑時，該熱膨脹性微小球之粒徑(平均粒徑)可依據熱膨脹性黏著劑層之厚度等適當選擇。熱膨脹性微小球之平均粒徑，例如，可由100μm以下(宜為80μm以下，而以1μm至50μm為更佳，且以1μm至30μm特佳)之範圍選擇。再者，熱膨脹性微小球之粒徑之調整可在熱膨脹性微小球之生成過程中進行，亦可在生成後，藉由分級等之方法進行。熱膨脹性微小球宜粒徑一致。
(其他發泡劑)
在本實施形態中，發泡劑亦可使用熱膨脹性微小球以外之發泡劑。如此之發泡劑可適當地選擇各種無機系發泡劑及有機系發泡劑等各種發泡劑使用。無機系發泡劑之代表例可舉例如：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、氫氧化硼鈉、各種醯胺類等。
又，有機系發泡劑之代表例可舉例如：水；三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等之氯氟化烷系化合物；偶氮雙異丁腈、偶氮二甲醯胺、偶氮二羧酸鋇等之偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼、二苯磺-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧雙(苯磺醯肼)、烯丙雙(苯磺醯肼)等之肼系化合物；對甲苯磺半卡 肼、4,4'-氧雙(苯磺半卡肼)等之半卡肼系化合物；5-啉-1,2,3,4-噻三唑等之三唑系化合物；N,N'-二亞硝戊甲撐四胺、N,N'-二甲基-N,N'-亞硝對苯二醯胺等之N-亞硝系化合物等。
在本實施形態中，藉由加熱處理，更有效率且安定地降低熱膨脹性黏著劑層之接著力，因此具有體積膨脹率到達5倍以上，尤其7倍以上，特別10倍以上不會破裂之適當強度的發泡劑是理想的。
發泡劑(熱膨脹性微小球等)之摻合量可依據熱膨脹性黏著劑層之膨脹倍率及接著力之降低性適當設定，但是相對100重量份之形成熱膨脹性黏著劑層之基底聚合物，一般係例如1重量份至150重量份(宜為10重量份至130重量份，而以25重量份至100重量份為更佳)。
在本實施形態中，發泡劑可適合使用發泡開始溫度(熱膨脹開始溫度)(T0)在80℃至210℃之範圍內者，且宜為具有90℃至200℃(95℃至200℃更佳，且100℃至170℃特佳)之發泡開始溫度者。發泡劑之發泡開始溫度比80℃低時，有發泡劑會因密封體之製造時或使用時之熱而發泡之情形，故處理性或生產性降低。另一方面，發泡劑之發泡開始溫度超過210℃時，支持體或密封用片材40需要過度之耐熱性，在處理性、生產性及成本方面不理想。此外，發泡劑之發泡開始溫度(T0)相當於熱膨脹性黏著劑層之發泡開始溫度(T0)。
另外，使發泡劑發泡之方法(即，使熱膨脹性黏 著劑層熱膨脹之方法)可由習知之加熱發泡方法適當選擇而採用。
在本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層，由加熱處理前之適度接著力及加熱處理後之接著力降低性之平衡方面來看，在不含發泡劑形態下之彈性模數宜在23℃至150℃下為5×104Pa至1×106Pa，而以5×104Pa至8×105Pa為更佳，且5×104Pa至5×105Pa特別適合。熱膨脹性黏著劑層之在不含發泡劑形態之彈性模數(溫度：23℃至150℃)小於5×104Pa時熱膨脹性劣化，有剝離性降低之情形。又，熱膨脹性黏著劑層之在不含發泡劑形態之彈性模數(溫度：23℃至150℃)比1×106Pa大時，有初期接著性劣化之情形。
此外，不含發泡劑形態之熱膨脹性黏著劑層係相當於藉由黏著劑(不含發泡劑)形成之黏著劑層。因此，在熱膨脹性黏著劑層之不含發泡劑之形態的彈性模數可使用黏著劑(不含發泡劑)來測量。又，熱膨脹性黏著劑層可藉由包含可形成23℃至150℃之彈性模數5×104Pa至1×106Pa之黏著劑層的黏著劑，及發泡劑之熱膨脹性黏著劑形成。
熱膨脹性黏著劑層之不含發泡劑之形態的彈性模數係製作不添加發泡劑之形態之熱膨脹性黏著劑層(即，由不含發泡劑之黏著劑形成之黏著劑層)(樣本)，使用Rheometric公司製動態黏彈性測量裝置「ARES」，且使用樣本厚度：大約1.5mm，Φ7.9mm平行板之夾具，藉由剪力模式，在頻率：1Hz、升溫速度：5℃/分、應變：0.1%(23 ℃)、0.3%(150℃)下測量，在23℃及150℃獲得之剪力儲存彈性模數G'的值。
熱膨脹性黏著劑層之彈性模數可藉由調節黏著劑之基底聚合物之種類、交聯劑、添加劑等來控制。
熱膨脹性黏著劑層之厚度沒有特別限制，可藉由接著力之降低性等適當地選擇，例如大約5μm至300μm(宜為20μm至150μm)。但是，使用熱膨脹性微小球作為發泡劑時，熱膨脹性黏著劑層之厚度宜比所包含之熱膨脹性微小球之最大粒徑厚。熱膨脹性黏著劑層之厚度過薄時，表面平滑性會因熱膨脹性微小球之凹凸而受損，且加熱前(未發泡狀態)之接著性降低。又，因加熱處理造成之熱膨脹性黏著劑層之變形度小，且接著力難以平滑地降低。另一方面，熱膨脹性黏著劑層之厚度過厚時，因加熱處理造成膨脹或發泡後，熱膨脹性黏著劑層會容易產生凝集破壞，有在密封體58上產生糊殘留之情形。
又，熱膨脹性黏著劑層可為單層或多層。
在本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層亦可包含各種添加劑(例如，著色劑、增黏劑、增量劑、填充劑、黏著賦予劑、可塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
(支持基材)
支持基材60b係成為暫時固定材60之強度母體的薄板狀構件。支持基材60b之材料考慮處理性及耐熱性等適當選擇即可，可使用例如SUS等之金屬材料，聚醯亞胺、聚醯 胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚碸等之塑膠材料，玻璃，及矽晶圓等。其中，由耐熱性、強度及再利用可能性等之觀點來看，SUS板是理想的。
支持基材60b之厚度可考慮目的之強度或處理性而適當選擇，且宜為100至5000μm，而以300至2000μm為更佳。
(暫時固定材之形成方法)
暫時固定材60係藉由在支持基材60b上形成熱膨脹性黏著劑層60a而製得。熱膨脹性黏著劑層可利用，例如，混合黏著劑、發泡劑(熱膨脹性微小球等)、及依需要之溶劑及其他添加劑等，形成片狀層之慣用方法形成。具體而言，例如，藉由以下方法可形成熱膨脹性黏著劑層，即，將包含黏著劑、發泡劑(熱膨脹性微小球等)、及依需要之溶劑及其他添加劑等之混合物，塗布在支持基材60b上的方法，及在適當分隔件(剝離紙等)上塗布前述混合物而形成熱膨脹性黏著劑層，且將其轉印(轉移)在支持基材60b上的方法等。
(熱膨脹性黏著劑層之熱膨脹方法)
在本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層可藉由加熱而熱膨脹。加熱處理之方法可利用加熱板、熱風乾燥機、近紅外線燈、空氣乾燥機等適當加熱裝置進行。加熱處理時之加熱溫度在熱膨脹性黏著劑層中之發泡劑(熱膨脹性微小球等)之發泡開始溫度(熱膨脹開始溫度)以上即可，但是加熱處理之條件可藉由依發泡劑(熱膨脹性微小球等)之種類 等不同之接著面積減少性，包含支持基材、半導體晶片之密封體之耐熱性，加熱方法(熱容量、加熱裝置等)等適當設定。一般之加熱處理條件係在溫度100℃至250℃下且1秒鐘至90秒鐘(加熱板等)或5分鐘至15分鐘(熱風乾燥機等)。此外，加熱處理可依據使用目的而以適當之階段進行。再者，加熱處理時之熱源亦有可使用紅外線燈或加熱水之情形。
(中間層)
在本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層60a與支持基材60b之間，亦可設有以提高密接力或加熱後之剝離性為目的之中間層(未圖示)。特佳的是設有橡膠狀有機彈性中間層作為中間層。如此，藉由設置橡膠狀有機彈性中間層，在將半導體晶片53接著於暫時固定材60上時(請參照圖1(a))，使熱膨脹性黏著劑層60a之表面良好地追隨半導體晶片53之表面形狀，可增大接著面積，並且在由暫時固定材60加熱剝離密封體58時，高度地(精確地)控制熱膨脹性黏著劑層60a之加熱膨脹，可使熱膨脹性黏著劑層60a向厚度方向優先地且均一地膨脹。
又，橡膠狀有機彈性中間層可夾在支持基材60b之單面或兩面之間。
橡膠狀有機彈性中間層，例如，宜藉由依據ASTM D-2240之D型肖氏D型硬度50以下，特別是40以下之天然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂形成。此外，即使是如聚氯乙烯等本質地具有硬質系聚合物，亦可 藉由與可塑劑及柔軟劑等摻合劑等之組合而顯現橡膠彈性。如此之組成物亦可作為前述橡膠狀有機彈性中間層之構成材料使用。
橡膠狀有機彈性中間層可藉以下形成方法形成，即，例如，將包含前述天然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂等之橡膠狀有機彈性層形成材的塗布液塗布在基材上之方式(塗布法)；將由前述橡膠狀有機彈性層形成材構成之薄膜、或在1層以上之熱膨脹性黏著劑層上預先形成由前述橡膠狀有機彈性層形成材構成之層之積層薄膜，與基材接著的方式(乾積層法)；將包含基材之構成材料之樹脂組成物及包含前述橡膠狀有機彈性層形成材之樹脂組成物共擠出的方式(共擠出法)等。
此外，橡膠狀有機彈性中間層可藉由以具有天然橡膠及合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂為主成分的黏著性物質形成，且，亦可藉由以該成分為主體之發泡薄膜等形成。發泡可藉由慣用方法，例如，機械之攪拌方法、利用反應生成氣體之方法、使用發泡劑之方法、去除可溶性物質之方法、噴灑之方法、形成合成發泡體之方法、燒結法等進行。
橡膠狀有機彈性中間層之厚度例如大約為5μm至300μm，且宜為大約20μm至150μm。此外，在中間層例如為橡膠狀有機彈性中間層之情形下，當橡膠狀有機彈性中間層之厚度過薄時，無法形成加熱發泡後之3維構造變化，有剝離性惡化之情形。
橡膠狀有機彈性中間層可由單層，亦可由2以上層構成。
又，中間層在不損害暫時固定材之作用效果的範圍內，亦可包含各種添加劑(例如，著色劑、增黏劑、增量劑、填充劑、黏著賦予劑、可塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
在積層體準備步驟中，在上述暫時固定材60上配置多數半導體晶片53使其電路形成面53a對向於暫時固定材60(請參照圖1(a))。半導體晶片53之暫時固定可使用倒裝晶片接合機或接粒機等之習知裝置。
半導體晶片53之布置或配置數可依據暫時固定材60之形狀、尺寸及目的之封裝件生產數等適當設定，例如，可排列成多數行，且多數列之矩陣狀來配置。積層體50(暫時固定材60)之俯視大小及形狀雖然沒有特別限制，但是，例如，可為各邊長分別為300mm以上之矩形，及各邊長分別為500mm以上之矩形等。以上，顯示積層體準備步驟之一例。
[準備電子零件密封用片材之步驟]
此外，在本實施形態之電子零件密封用片材之製造方法中，如圖2(a)及圖2(b)所示，準備電子零件密封用片材40(以下，亦稱為「密封用片材40」)(步驟B)。密封用片材40可在積層在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等之剝離襯41上的狀態下準備。
(密封用片材)
密封用片材40於探針膠黏測試下的探針膠黏力在25℃下為5gf以下，且宜為3gf以下，而以1gf以下為更佳。密封用片材40於探針膠黏測試下的探針膠黏力在40℃下為10gf以上，且宜為15gf以上，而以20gf以上為更佳。探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下，且在40℃下為10gf以上，故即使冷卻至低溫(例如，大約-10至5℃)，在大約25℃以下之常溫(例如，大約15至25℃)條件下，亦可使黏著性幾乎不顯現。此外，使黏著性顯現時，只要升溫至大約40℃以上即可。因此，便可容易進行步驟C及步驟D。
本發明之探針膠黏測試係依據實施例記載之方法。
於探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下、且在40℃下為10gf以上的密封用片材40，例如可藉由使添加之無機填充劑、顯現黏著性之有機成分量的摻合比最適化而獲得。
密封用片材40於40℃至150℃下的最低熔融黏度宜在50至20000Pa．s之範圍內，而以在100至15000Pa．s之範圍內為較佳，且在200至10000Pa．s之範圍內為更佳。如果密封用片材40於40℃至150℃下的最低熔融黏度為50Pa．s以上，可抑制密封體58形成時構成密封用片材40之樹脂之密封用片材面方向的露出。此外，如果前述最低熔融黏度為20000Pa．s以下，可適於埋入半導體晶片53。
密封用片材40之構成材料宜包含環氧樹脂，及，作為硬化劑之酚樹脂。因此，可獲得良好之熱硬化性。
前述環氧樹脂沒有特別限制。例如，可使用三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、變性雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、變性雙酚F型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、苯氧樹脂等之各種環氧樹脂。該等環氧樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
由確保環氧樹脂硬化後之韌性及環氧樹脂之反應性之觀點來看，宜為環氧當量150至250，軟化點或熔點50至130℃之常溫下為固形者，其中，由信賴性之觀點來看，以三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂為更佳。
前述酚樹脂係在與環氧樹脂間產生硬化反應者即可，沒有特別限制。例如，可使用酚系酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、可溶酚醛樹脂等。該等酚樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
前述酚樹脂由與環氧樹脂之反應性的觀點來看，宜使用羥基當量為70至250且軟化點為50至110℃者，其中由硬化反應性高之觀點來看，可適合使用酚系酚醛清漆樹脂。又，由可靠性之觀點來看，亦可適合使用如酚芳烷基樹脂或聯苯芳烷基樹脂之類低吸濕性者。
環氧樹脂及酚樹脂之摻合比例，由硬化反應性之觀點來看，相對環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中之羥基之合計宜摻合成0.7至1.5當量，而以0.9至1.2當量為更佳。
密封用片材40中之環氧樹脂及酚樹脂之合計含量宜為2.5重量%以上，而以3.0重量%以上為更佳。若為2.5重量%以上，可良好地獲得對半導體晶片53之接著力。密封用片材40中之環氧樹脂及酚樹脂之合計含量宜為20重量%以下，而以10重量%以下為更佳。若為20重量%以下，可減少吸濕性。
密封用片材40亦可包含熱可塑性樹脂。因此，可獲得未硬化時之處理性、及硬化物之低應力性等。
前述熱可塑性樹脂可舉例如：天然橡膠，丁基橡膠，異戊二烯橡膠，氯丁二烯橡膠，乙烯乙酸乙烯酯共聚物，乙烯丙烯酸共聚物，乙烯丙烯酸酯共聚物，聚丁二烯橡膠，熱可塑性聚醯亞胺樹脂，6-尼龍或6,6-尼龍等之聚醯胺樹脂，苯氧樹脂，丙烯酸樹脂，PET或PBT等之飽和聚酯樹脂，聚醯胺醯亞胺樹脂，氟樹脂，苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。該等熱可塑性樹脂可單獨，亦可併用2種以上使用。其中，由低應力性、低吸水性之觀點來看，以苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物為佳。
密封用片材40中之熱可塑性樹脂含量宜為1.5重量%以上，而以2.0重量%以上為更佳。若為1.5重量%以上，可獲得柔軟性、可撓性。密封用片材40中之熱可塑性樹脂含量宜為6重量%以下，而以4重量%以下為更佳。若為4重量%以下，與半導體晶片53之接著性良好。
密封用片材40宜包含無機填充劑。
前述無機填充劑沒有特別限制，可使用以往習 知之各種填充劑，例如，可舉例如：石英玻璃、滑石、二氧化矽(熔融二氧化矽或結晶性二氧化矽等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氮化硼之粉末。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，由於可良好地減少線膨脹係數，所以宜為二氧化矽、氧化鋁，而以二氧化矽為更佳。
二氧化矽宜為二氧化矽粉末，而以熔融二氧化矽粉末更佳。熔融二氧化矽粉末可舉球狀熔融二氧化矽粉末、破碎熔融二氧化矽粉末為例，但是由流動性之觀點來看，宜為球狀熔融二氧化矽粉末。其中，平均粒徑宜為10至30μm之範圍者，而以15至25μm之範圍者為更佳。
此外，平均粒徑，例如，可使用由母集團任意地抽出之試料，且藉由使用雷射繞射散射式粒度分布測量裝置測量而導出。
密封用片材40中之前述無機填充劑含量宜相對密封用片材40全體為75至95重量%，而以78至95重量%為更佳。若前述無機填充劑含量相對密封用片材40全體為75重量%以上，由於抑制熱膨脹率為低，故可抑制因熱衝擊造成之機械破壞。結果，另一方面，如果前述無機填充劑含量相對密封用片材40全體為95重量%以下，則柔軟性、流動性、接著性更好。
密封用片材40宜包含硬化促進劑。
硬化促進劑只要是可進行環氧樹脂與酚樹脂之硬化者即可，沒有特別限制，可舉例如：三苯膦、四苯鏻四硼酸苯酯等之有機磷系化合物；2-苯基-4,5-二羥甲基咪 唑，2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等之咪唑系化合物。其中，由於即使捏合時之溫度上升硬化反應亦不會急遽地進行，且可良好地製作密封用片材40，故以2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑為佳。
硬化促進劑之含量宜相對環氧樹脂及酚樹脂之合計100重量份為0.1至5重量份。
密封用片材40宜包含阻燃劑成分。因此，可減少因零件短路或發熱等起火時之燃燒擴大。阻燃劑成分可使用，例如，氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、複合金屬氫氧化物等之各種金屬氫氧化物；膦氮烯系阻燃劑等。
由即使少量亦可發揮阻燃效果之觀點來看，膦氮烯系阻燃劑包含之磷元素含有率宜為12重量%以上。
密封用片材40中之阻燃劑成分含量，在全有機成分(除無機填充劑以外)中，宜為10重量%以上，而以15重量%以上為更佳。若為10重量%以上，可良好地獲得阻燃性。密封用片材40中之熱可塑性樹脂含量宜為30重量%以下，而以25重量%以下為更佳。若為30重量%以下，有硬化物之物性降低(具體而言，玻璃轉移溫度及高溫樹脂強度等之物性降低)少的傾向。
密封用片材40宜包含矽烷耦合劑。矽烷耦合劑沒有特別限制，可舉3-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷等為例。
密封用片材40中之矽烷耦合劑含量宜為0.1至3重量%。若為0.1重量%以上，可獲得足夠之硬化物強度且 可降低吸水率。若為3重量%以下，可降低排氣量。
密封用片材40宜著色。因此，可發揮優異之標記性及外觀性，且可作成具有附加價值之外觀的半導體裝置。著色之密封用片材40由於具有優異標記性，所以可施加標記，且賦予文字資訊及圖形資訊等之各種資訊。特別地，藉由控制著色之色，可以優異之觀看性觀看藉標記賦予之資訊(文字資訊、圖形資訊等)。另外，密封用片材40亦可以顏色區分製品別。使密封用片材40有色時(不是無色、透明時)，藉由著色而呈現之顏色雖然沒有特別限制，但是，例如，宜為黑色、藍色、紅色等之深色，且以黑色特別適合。
在本實施形態中，深色意味在L*a*b*表色系中規定之L*為60以下(0至60)[宜為50以下(0至50)，且以40以下(0至40)為更佳]之深色。
此外，基本上，黑色意味在L*a*b*表色系中規定之L*為35以下(0至35)[宜為30以下(0至30)，且以25以下(0至25)為更佳]之黑色系色。再者，就黑色而言，在L*a*b*表色系中規定之a*及b*可分別依據L*之值適當選擇。a*及b*，例如，宜兩者均為-10至10，而以-5至5為更佳，且特別適合的是-3至3之範圍(特別是0或大約0)。
此外，在本實施形態中，在L*a*b*表色系中規定之L*、a*、b*係使用色彩色差計(商品名「CR-200」Minolta公司製；色彩色差計)。再者，L*a*b*表色系意味，國際照明委員會(CIE)在1976年推薦之色空間，且被稱為 CIE1976(L*a*b*)表色系之色空間。又，L*a*b*表色系之日本工業規格係規定在JIS Z 8729中。
著色密封用片材40時，可依據目的之顏色，使用色材(著色劑)。雖然本發明之密封用片材可為一層構造，亦可由多數層構成，但是宜至少在與半導體晶圓對向之面的相反面側，添加著色劑。具體而言，密封用片材為1層構造時，可在密封用片材全體均一地含有著色劑，亦可在與半導體晶圓對向之面的相反面側，以著色劑不均之態樣含有著色劑。另外，由多數層構成時，亦可在與半導體晶圓對向之面的相反面側添加著色劑，並且在此以外之層不添加著色劑。在本實施形態中，說明本發明之密封用片材為1層構造之情形。這是因為若在密封用片材中與半導體晶圓對向之面的相反面側添加著色劑，可使雷射標記後之部份的觀看性提高。如此之色材可合適地使用黑系色材、藍系色材、紅系色材等之各種深色系色材，特別合適的是黑系色材。色材亦可為顏料、染料等任一者。色材可單獨或組合2種以上使用。再者，染料可使用酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等之任一形態的染料。此外，顏料之形態亦沒有特別限制，可由習知之顏料適當選擇來使用。
特別是使用染料作為色材時，在密封用片材40中，由於染料經溶解而成為均一或大致均一分散之狀態，故可輕易製造著色濃度均一或大致均一分散之密封用片材40，且可使標記性或外觀性提高。
黑系色材雖然沒有特別限制，但是，例如，可由無機之黑系顏料、黑系染料適當選擇。此外，黑系色材可為混合靛系色材(藍綠系色材)、洋紅系色材(紅紫系色材)及黃系色材(黃色系色材)之色材混合物。黑系色材可單獨或組合2種以上使用。當然，亦可與黑以外之色的色材併用。
具體而言，黑系色材可舉例如：碳黑(爐黑、槽製碳黑、乙炔黑、熱碳黑、燈黑等)，石墨(碳精)，氧化銅，二氧化錳，偶氮系顏料(甲亞胺偶氮黑等)，苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、肥粒鐵(非磁性肥粒鐵、磁性肥粒鐵等)，磁鐵石，氧化鉻，氧化鐵，二硫化鉬，鉻錯合物，複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色色素等。
在本發明中，黑系色材亦可使用C.I.溶劑黑3、同7、同22、同27、同29、同34、同43、同70、C.I.直接黑17、同19、同22、同32、同38、同51、同71、C.I.酸性黑1、同2、同24、同26、同31、同48、同52、同107、同109、同110、同119、同154C.I.分散黑1、同3、同10、同24等之黑系染料；C.I.顏料黑1、同7等之黑系顏料等。
如此之黑系材料可為，例如，市售之商品名「Oil Black BY」、商品名「Oil Black BS」、商品名「Oil Black HBB」、商品名「Oil Black 803」、商品名「Oil Black 860」、商品名「Oil Black 5970」、商品名「Oil Black 5906」、商品名「Oil Black 5905」(Orient Chemical Industries公司製)等。
黑系材料以外之色材可舉靛系色材、洋紅系色材及黃系色材等為例。靛系色材可舉例如：C.I.溶劑藍25、同 36、同60、同70、同93、同95；C.I.酸性藍6、同45等之靛系染料；C.I.顏料藍1、同2、同3、同15、同15：1、同15：2、同15：3、同15：4、同15：5、同15：6、同16、同17、同17：1、同18、同22、同25、同56、同60、同63、同65、同66；C.I.甕藍4；同60、C.I.顏料綠7等之靛系顏料等。
此外，洋紅系色材中，洋紅系染料可舉例如：C.I.溶劑紅1、同3、同8、同23、同24、同25、同27、同30、同49、同52、同58、同63、同81、同82、同83、同84、同100、同109、同111、同121、同122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑生物紅8、同13、同14、同21、同27；C.I.分散生物紅1；C.I.鹼性紅1、同2、同9、同12、同13、同14、同15、同17、同18、同22、同23、同24、同27、同29、同32、同34、同35、同36、同37、同38、同39、同40；C.I.鹼性生物紅1、同3、同7、同10、同14、同15、同21、同25、同26、同27、28等。
洋紅系色材中，洋紅系顏料可舉例如：C.I.顏料紅1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同8、同9、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同18、同19、同21、同22、同23、同30、同31、同32、同37、同38、同39、同40、同41、同42、同48：1、同48：2、同48：3、同48：4、同49、同49：1、同50、同51、同52、同52：2、同53：1、同54、同55、同56、同57：1、同58、同60、同60：1、同63、同63：1、同63：2、同64、同64：1、同67、同68、同81、同83、同87、同88、同89、同90、同92、同 101、同104、同105、同106、同108、同112、同114、同122、同123、同139、同144、同146、同147、同149、同150、同151、同163、同166、同168、同170、同171、同172、同175、同176、同177、同178、同179、同184、同185、同187、同190、同193、同202、同206、同207、同209、同219、同222、同224、同238、同245；C.I.顏料生物紅3、同9、同19、同23、同31、同32、同33、同36、同38、同43、同50；C.I.甕紅1、同2、同10、同13、同15、同23、同29、同35等。
此外，黃系色材可舉例如：C.I.溶劑黃19、同44、同77、同79、同81、同82、同93、同98、同103、同104、同112、同162等之黃系染料；C.I.顏料橙31、同43；C.I.顏料黃1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同23、同24、同34、同35、同37、同42、同53、同55、同65、同73、同74、同75、同81、同83、同93、同94、同95、同97、同98、同100、同101、同104、同108、同109、同110、同113、同114、同116、同117、同120、同128、同129、同133、同138、同139、同147、同150、同151、同153、同154、同155、同156、同167、同172、同173、同180、同185、同195；C.I.甕黃1、同3、同20等之黃系顏料等。
靛系色材、洋紅系色材、黃系色材等之各種色材可，分別地，單獨或組合2種以上使用。此外，使用2種以上之靛系色材、洋紅系色材、黃系色材等之各種色材時，該等色材之混合比例(或摻合比例)沒有特別限制，可依據各 色材之種類及目的色等適當選擇。
密封用片材40之可見光(波長：380nm至800nm)之透光率(可見光透射率)雖然沒有特別限制，但是，例如，宜在20%至0%之範圍內，而以10%至0%為更佳，且以5%至0%為特佳。藉由使密封用片材40之可見光透射率為20%以下，可使印字可視性良好。此外，可防止因透光而對半導體元件產生之不良影響。
密封用片材40之可見光透光率(%)係製作厚度(平均厚度)：10μm之密封用片材40，使用商品名「UV-2550(島津製作所製)」，以預定強度將波長：380nm至800nm之可見光照射在該密封用片材40(厚度：10μm)上。測量藉該照射透過密封用片材40之可見光之光強度，接著可藉由下式算出。
可見光透光率(%)=((密封用片材40透過後之可見光之光強度)/(可見光初期之光強度))×100
此外，透光率(%)之前述算出方法亦可適用於算出厚度非10μm之密封用片材40之透光率(%)。具體而言，藉由朗伯比爾之法則，可如下地算出在10μm之吸光度A10。
A10=α×L10×C (1)
(式中，L10表示光徑長，α表示吸光係數，C表示試料濃度)
此外，厚度X(μm)之吸光度Ax可藉由下述式(2)表示。
AX=α×LX×C (2)
另外，厚度20(μm)之吸光度A20可藉由下述式(3)表示。
A10=-log10T10 (3)
(式中，T10表示厚度10μm之透光率)
由前述式(1)至(3)，吸光度Ax可表示為AX=A10×(LX/L10)=-[log10(T10)]×(LX/L10)。
藉此，厚度X(μm)之透光率Tx(%)可藉由下述算出。
TX=10-AX
其中，AX=-[log10(T10)]×(LX/L10)
在本實施形態中，雖然求取密封用片材之透光率(%)時之密封用片材厚度(平均厚度)係10μm，但是該密封用片材之厚度終究是求取密封用片材透光率(%)時之厚度，不是意味本發明之密封用片材係10μm。
密封用片材40之透光率(%)可藉由樹脂成分或其含量、著色劑(顏料及染料等)之種類或其含量、填充材之種類或其含量等來控制。
此外，密封用片材40中，除了上述各成分以外，可依據需要，適當摻合其他添加劑。
密封用片材40之厚度雖然沒有特別限制，但是由作為密封用片材使用之觀點、及可適於在埋入步驟(步驟E)中埋入半導體晶片53之觀點來看，例如可為50μm至2000μm，且宜為70μm至1200μm，而以100μm至700μm為更佳。
密封用片材40之俯視形狀及大小雖然沒有特別限制，但是宜為積層體50(請參照圖1(a))上包含配置半導體 晶片53之區域的形狀及大小。此外，宜大約與積層體50相同。如果是包含配置半導體晶片53之區域的形狀及大小，或大約與積層體50相同，則可抑制半導體晶片53之埋入不良。更具體而言，例如，可為各邊長分別為300mm以上之矩形，及各邊長分別為500mm以上之矩形等。
密封用片材40之製造方法雖然沒有特別限制，但是調製用以形成密封用片材40之樹脂組成物之捏合物，接著塗布獲得之捏合物的方法，或將獲得之捏合物塑性加工成片狀的方法是理想的。因此，可在不使用溶劑之情形下製作密封用片材40，故可抑制半導體晶片53因揮發之溶劑而受到影響。
具體而言，藉由以混合輥、加壓式捏合機、擠出機等習知捏合機熔融捏合後述各成分來調製捏合物，接著將獲得之捏合物塗布或塑性加工作成片狀。就捏合條件而言，溫度宜在上述各成分之軟化點以上，例如30至150℃，若考慮到環氧樹脂之熱硬化性，則宜為40至140℃，且60至120℃更佳。時間例如為1至30分鐘，而以5至15分鐘為佳。
捏合宜在減壓條件下(減壓環境下)進行。藉此可脫氣並且可防止氣體侵入捏合物。減壓條件下之壓力宜為0.1kg/cm2以下，而以0.05kg/cm2以下更佳。減壓下之壓力下限雖然沒有特別限制，但是，例如，可為1×10-4kg/cm2以上。
塗布捏合物而形成密封用片材40時，熔融捏合 後之捏合物宜不冷卻而直接在高溫狀態下塗布。塗布之方法沒有特別限制，可舉桿塗布法、刮刀塗布法、狹縫塗布法等為例。塗布時之溫度宜為上述各成分之軟化點以上，若考慮到環氧樹脂之熱硬化性及成形性，可為例如40至150℃，而以50至140℃為佳，且以70至120℃為更佳。
塑性加工捏合物而形成密封用片材40時，熔融捏合後之捏合物宜不冷卻而直接在高溫狀態下塗布。塑性加工之方法沒有特別限制，可舉平板壓製法、T模擠出法、螺紋模擠出法、輥軋法、輥捏合法、壓印擠出法、共擠出法、壓延成形法等。塑性加工時之溫度宜為上述各成分之軟化點以上，若考慮到環氧樹脂之熱硬化性及成形性，可為例如40至150℃，且宜為50至140℃，而以70至120℃為更佳。
此外，密封用片材40亦可使用以形成密封用片材40之樹脂等溶解、分散於適當溶劑而調製清漆，接著塗布該清漆而得。
[配置密封用片材及積層體之步驟]
準備密封用片材之步驟後，如圖3(a)及圖3(b)所示，在下側加熱板62上使暫時固定有半導體晶片53之面在上地配置積層體50，同時在積層體50之暫時固定有半導體晶片53之面上配置密封用片材40(步驟C)。在該步驟中，可首先在下側加熱板62上配置積層體50，然後，在積層體50上配置密封用片材40，亦可在積層體50上先積層密封用片材40，然後，在下側加熱板62上配置積層有積層體50及密封 用片材40之積層物。
在本實施形態中，步驟C係在25℃以下之條件下進行。如上所述，密封用片材40於探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下。因此，藉由在25℃以下之條件下進行步驟C，可使密封用片材40之黏著性幾乎不顯現。因此，在步驟C中，如圖4所示，即使在已產生錯位之狀態下配置(放置)密封用片材40，亦可輕易重新配置，而如圖3(b)所示配置在正確位置上。此外，在步驟C中，由於密封用片材40幾乎沒有黏著性，故即使因裝置故障等以致密封用片材40落下，亦可抑制對各種裝置之污染。由溫度越低密封用片材40之黏著性會越低之觀點來看，進行前述步驟C時之溫度條件宜為20℃以下，而以15℃以下為更佳。
此外，在本實施形態中，進行前述步驟C時之溫度下限值雖然沒有特別限制，但是，例如，可為-10℃以上。特別地，過度冷卻由於有步驟會複雜之虞，故可為，例如，0℃以上。
[在半導體晶片上暫時固定電子零件密封用片材之步驟]
接著，在半導體晶片53上配置有密封用片材40之狀態(請參照圖3(a))下，將密封用片材40升溫至40℃以上，以將密封用片材40暫時固定在半導體晶片53上(步驟D)。如上所述，密封用片材40於探針膠黏測試下之探針膠黏力在40℃下為10gf以上。因此，藉由使步驟D之密封用片材40之升溫為40℃以上，在步驟C中對位結束後，使密封用片材 40之黏著性顯現，而可將密封用片材40固定(暫時固定)在半導體晶片53上。由溫度越高密封用片材40之黏著性會越高之觀點來看，在步驟D中之升溫溫度宜為50℃以上，而以60℃以上為更佳。
在本實施形態中，在步驟D中之升溫溫度的上限雖然沒有特別限制，但是，例如，可為100℃以下。但是，由密封用片材40等之耐熱性之觀點來看，例如，可為90℃以下。
使密封用片材40升溫之方法雖然沒有特別限制，但未可舉例如：使下側加熱板62及上側加熱板64之兩者或其中一者升溫之方法，在烘箱內升溫之方法，及利用來自乾燥機之熱風升溫之方法等。在本實施形態中，由簡化步驟之觀點來看，以使下側加熱板62及上側加熱板64之兩者或其中一者升溫之方法為佳。
[形成密封體之步驟]
接著，如圖5所示，藉由下側加熱板62及上側加熱板64進行熱壓，將半導體晶片53埋入密封用片材40中，形成在密封用片材40中埋入有半導體晶片53之密封體58(步驟E)。密封用片材40具有作為用以保護半導體晶片53及其伴隨之要素不受外部環境影響之密封樹脂的功能。因此，可獲得在密封用片材40中埋入有暫時固定在暫時固定材60上之半導體晶片53的密封體58。由於未產生半導體晶片53與密封用片材40之錯位，故由密封體58製造之電子零件裝置的產率良好。
將半導體晶片53埋入密封用片材40時之熱壓條 件，宜為可將半導體晶片53合適地埋入密封用片材40之程度，且溫度例如為40至150℃，而以60至120℃為佳，壓力例如為0.1至10MPa，而以0.5至8MPa為佳，時間例如為0.3至10分鐘，而以0.5至5分鐘為佳。藉此，可獲得在密封用片材40中埋入有半導體晶片53之電子零件裝置。此外，若考慮到提高密封用片材40對半導體晶片53及暫時固定材60之密接性及追隨性，則宜在減壓條件下進行壓製。
作為前述減壓條件，壓力例如為0.1至5kPa，而以0.1至100Pa為佳，且減壓保持時間(由減壓開始到壓製開始為止之時間)例如為5至600秒，而以10至300秒為佳。
[剝離襯剝離步驟]
接著，剝離剝離襯41(請參照圖6)。
[熱硬化步驟]
接著，使密封用片材40熱硬化。具體而言，例如，加熱在密封用片材40中埋入有暫時固定在暫時固定材60上之半導體晶片53的密封體58全體。
作為熱硬化處理之條件，加熱溫度宜為100℃以上，而以120℃以上為更佳。另一方面，加熱溫度之上限宜為200℃以下，而以180℃以下為更佳。加熱時間宜為10分以上，而以30分以上為更佳。另一方面，加熱時間之上限宜為180分以下，而以120分以下為更佳。此外，可依需要進行加壓，且宜為0.1MPa以下，而以0.5MPa以下為更佳。另一方面，上限宜為10MPa以下，而以5MPa以下為更佳。
[熱膨脹性黏著劑層剝離步驟]
接著，如圖7所示，藉由加熱暫時固定材60而使熱膨脹性黏著劑層60a熱膨脹，在熱膨脹性黏著劑層60a與密封體58之間進行剝離。或者，亦可適合採用以下順序：在支持基材60b與熱膨脹性黏著劑層60a之界面進行剝離，然後，在熱膨脹性黏著劑層60a與密封體58之界面進行熱膨脹之剝離。不論是哪一種情形，都可加熱熱膨脹性黏著劑層60a而使其熱膨脹且使其黏著力降低，藉此便可容易進行在熱膨脹性黏著劑層60a與密封體58之界面的剝離。熱膨脹之條件可適合採用上述「熱膨脹性黏著劑層之熱膨脹方法」欄之條件。特別地，熱膨脹性黏著劑層宜構造成在前述熱硬化步驟之加熱中不剝離，而在該熱膨脹性黏著劑層剝離步驟之加熱中剝離。
[研磨密封用片材之步驟]
接著，可依需要，如圖8所示，研磨密封體58之密封用片材40使半導體晶片53之背面53c露出。研磨密封用片材40之方法沒有特別限制，可舉使用高速旋轉之磨石的研磨法為例。
(再配線形成步驟)
在本實施形態中，宜進一步包含在密封體58之半導體晶片53之電路形成面53a上形成再配線69的再配線形成步驟。在再配線形成步驟中，剝離上述暫時固定材60後，在密封體58上形成與上述露出之半導體晶片53連接之再配線69(請參照圖9)。
再配線之形成方法例如可利用真空成膜等之習 知方法在露出之半導體晶片53上形成金屬片層，接著藉由半添加法等習知方法形成再配線69。
然後，亦可在再配線69及密封體58上形成聚醯亞胺及PBO等之絕緣層。
(凸塊形成步驟)
接著，亦可進行在已形成之再配線69上形成凸塊67之凸塊加工(請參照圖9)。凸塊加工可藉由焊料球及焊料鍍敷等習知方法進行。
(切割步驟)
最後，進行由半導體晶片53、密封用片材40及再配線69等之要素構成之積層體的切割(請參照圖10)。藉此，可獲得將配線拉出至晶片區域外側的半導體裝置59。
在上述實施形態中所說明之情形，係準備於探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下、且在40℃下為10gf以上之密封用片材40(步驟B)，並在25℃以下之條件下，將密封用片材53配置在半導體晶片53上(步驟C)，接著在密封用片材40已配置在半導體晶片53上之狀態下，使密封用片材40升溫至40℃以上，以將密封用片材40暫時固定在半導體晶片53上(步驟D)。
但是，本發明之電子零件裝置之製造方法亦可不使用於探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下、且在40℃下為10gf以上之密封用片材40。
例如，亦可使用在室溫下(例如，大約10至35℃)為10gf以上之電子零件密封用片材、亦即在室溫下具有某程度之 黏著性的電子零件密封用片材作為電子零件密封用片材。在此情形下，可在電子零件密封用片材幾乎未顯現黏著性之溫度條件下，即，在電子零件密封用片材於探針膠黏測試下的探針膠黏力為5gf以下之條件下(例如，大約-10至5℃)，進行步驟C，且使電子零件密封用片材升溫(例如，加熱之升溫、或自然升溫)至室溫來進行步驟D。具體而言，例如，只要預先冷藏或冷凍電子零件密封用片材，且在該狀態下進行步驟C，而在步驟C結束後，將電子零件密封用片材升溫至室溫即可。即使是如此之方法，亦可輕易進行電子零件密封用片材之對位，並且對位後，可進行固定(暫時固定)。
此外，在室溫下(例如，大約10至35℃)為10gf以上之電子零件密封用片材係例如藉由使用與上述說明之密封用片材40同樣之構成材料，並且適當調整各構成材料之摻合量而獲得。再者，亦可採用以往習知之電子零件密封用片材。
本發明可進行前述步驟A、前述步驟B、前述步驟C、前述步驟D、及前述步驟E即可，除此以外之步驟係任意的，可進行或不進行。
在上述實施形態中，說明本發明之「支持體」係暫時固定材60之情形。但是，本發明之「積層體」不限於該例，亦可為在具有某程度之強度之支持體上固定有半導體晶片者。本發明之「積層體」之其他例子可舉「在半導體晶圓之電路形成面上倒裝晶片接合有半導體晶片之積 層體」為例。
此外，在上述實施形態中，說明本發明之「電子零件」為半導體晶片53之情形。但是，本發明之「電子零件」不限於該例。本發明之電子零件可舉例如：具有感測器，MEMS(Micro Electro Mechanical Systems；微機電系統)，SAW(Surface Acoustic Wave；表面聲波)濾波器等之中空構造的電子元件(中空型電子元件)；半導體晶片，IC(積體電路)，電晶體等之半導體元件；電容器；電阻等。又，所謂中空構造係電子元件與搭載有電子元件之基板之間為中空的構造。
實施例
以下，雖然關於本發明，使用實施例詳細地說明，但是除非超出本發明之要旨，本發明不限定於以下之實施例。此外，各例中，除非特別記載，份均係重量基準。
說明在實施例使用之成分。
環氧樹脂：新日鐵化學(股)製之YSLV-80XY(雙酚F型環氧樹脂，環氧當量200g/eq.軟化點80℃)
酚樹脂A：明和化學公司製之MEH-7851-SS(具有聯苯芳烷骨架之酚樹脂，羥基當量203g/eq.軟化點67℃)
酚樹脂B：昭和高分子公司製之ND564(酚系酚醛清漆樹脂，羥基當量107g/eq.軟化點60℃)
熱可塑性樹脂：Mitsubishi Rayon公司製之J-5800(MBS樹脂，一次粒徑0.5μm)
無機填充劑：電氣化學工業公司製之FB-9454FC(熔融 球狀二氧化矽，平均粒徑20μm)
碳黑：三菱化學公司製之#20
硬化促進劑：四國化學工業製之2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑)
[實施例及比較例]
<實施例1至3及比較例1>
依據表1記載之摻合比摻合各成分，接著藉由輥捏合機在60至120℃、10分鐘、減壓條件下(0.01kg/cm2)熔融捏合，而調製成捏合物。接著，將製得之捏合物配置成藉2片50μm之覆蓋薄膜(三菱樹脂公司製：商品名「MRF」)夾住，然後藉由平板壓製法將捏合物形成片狀，製成厚度200μm之密封用片材。
<實施例4>
依據表1記載之摻合比，在有機溶劑MEK(丁酮)中添加環氧樹脂、酚樹脂、熱可塑性樹脂及無機填充劑，使固體成分濃度為95%，且進行攪拌。攪拌係使用自轉公轉混合機(Thinky(股)公司製)，以800rpm旋轉，進行5分鐘。然後，依據表1記載之摻合比，進一步摻合碳黑及硬化促進劑，接著添加MEK使固體成分濃度為90%，進一步以800rpm旋轉攪拌3分鐘，以獲得塗布液。
然後，將塗布液塗布在已聚矽氧脫模處理之厚度為50μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上，且在120℃下乾燥3分鐘，藉此製成厚度100μm之樹脂片材。進一步利用輥積層機，在90℃下黏合製成之樹脂片材而形成預定厚度，藉 此製成厚度500μm之密封用片材。
[探針膠黏力之測量]
在黏彈性測量裝置(TA Instruments公司製之RSA-3)上安裝2片8mmΦ(直徑8mm，SUS)之板。在2片板中之下側板上藉雙面膠帶固定密封用片材後，在25℃環境中使上側板(探針)下降，藉此以100g之負載將上側板壓抵密封用片材1秒鐘。然後，藉由使上側板上升，測量由密封用片材剝下上側板所需之負載。
此外，在40℃環境中進行同樣之測量。
結果顯示於表1中。
[重工性評價]
在室溫(25℃)下將密封用片材(尺寸65mm見方，厚度200μm)載置在氧化鋁基板(尺寸70mm見方，厚度0.25mm)上，1分鐘後，藉夾鉗夾住而舉起密封用片材之端部。當只舉起密封用片材時為○，基板與樹脂片材黏住而舉起時為×。結果顯示於表1中。
[錯位評價]
將密封用片材(尺寸65mm見方，厚度200μm)載置在氧化鋁基板(尺寸70mm見方，厚度0.25mm)上後，在40℃之加熱板上靜置5分鐘，接著將氧化鋁基板及密封用片材放入真空包裝容器(氧化鋁、蒸餾甑用三通袋，白色型，HA-1013H，尺寸100mm×130mm)，且在90℃、1托耳之條件下真空包裝。將氧化鋁基板及密封用片材與真空包裝容器一起，在150℃下加熱1小時，使密封用片材硬化。將真 空包裝容器放冷到室溫後，由真空包裝容器取出由氧化鋁基板及密封用片材構成之積層物，接著確認密封用片材之硬化物是否偏離當初之位置。對30個積層物確認錯位，且計算已產生錯位之積層物個數。
以((已產生錯位之積層物個數/積層物30個)×100)表示之比率在10%以下時判定為○，超過10%時判定為×。結果顯示於表1中。
40‧‧‧密封用片材
41‧‧‧剝離襯
50‧‧‧積層體
53‧‧‧半導體晶片
60‧‧‧暫時固定材
60a‧‧‧熱膨脹性黏著劑層
60b‧‧‧支持基材
62‧‧‧下側加熱板
64‧‧‧上側加熱板

Claims (4)

  1. 一種電子零件裝置之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：步驟A，準備在支持體上固定有電子零件之積層體；步驟B，準備電子零件密封用片材；步驟C，在前述電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力為5gf以下的條件下，將前述電子零件密封用片材配置在前述電子零件上；步驟D，在前述電子零件上配置有前述電子零件密封用片材之狀態下，將前述電子零件密封用片材升溫到前述電子零件密封用片材於探針膠黏測試下之探針膠黏力為10gf以上為止，以將前述電子零件密封用片材暫時固定在前述電子零件上；及步驟E，將前述電子零件埋入前述電子零件密封用片材中，形成在前述電子零件密封用片材中埋入有前述電子零件之密封體。
  2. 如請求項1之電子零件裝置，其中前述電子零件密封用片材於探針膠黏測試下的探針膠黏力在25℃下為5gf以下，且在40℃下為10gf以上。
  3. 如請求項2之電子零件裝置，其中前述步驟C係在25℃以下之條件下，將前述電子零件密封用片材配置在前述電子零件上之步驟； 前述步驟D係將前述電子零件密封用片材升溫至40℃以上，以將前述電子零件密封用片材暫時固定在前述電子零件上之步驟。
  4. 一種電子零件密封用片材，其特徵在於：於探針膠黏測試下之探針膠黏力在25℃下為5gf以下，且在40℃下為10gf以上。
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