TW201527741A - 區塊對區塊之光罩檢查 - Google Patents
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Abstract
區塊對區塊之光罩檢查包含:使用一光罩檢查子系統獲取一光罩之一部分之一幅帶影像;識別該幅帶影像中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶影像中之該區塊之至少一第二事件;及判定該區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之該第一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一空間偏移之至少一者。
Description
本發明大體上係關於微影光罩之檢查,且更特定言之係關於微影光罩之區塊對區塊之檢查。
長期以來藉由晶粒對晶粒之檢查、晶粒對資料庫之檢查及單元對單元之檢查來執行光罩檢查。在其中光罩僅含有一單晶粒或該光罩含有不同設計之晶粒之設定中,晶粒對晶粒之檢查變得不可能。歸因於IC製造之相關聯資料流基礎設施限制及與光罩設計相關聯之資料庫之較大尺寸,晶粒對資料庫之檢查在積體電路(IC)中為不切實際的。單元對單元之檢查係在比較經長距離分離之光罩或遮罩之部分時受到限制。因此,期望提供消除先前技術之缺陷之一方法及系統。
本發明揭示一種用於區塊對區塊之光罩檢查之方法。在一闡釋性實施例中,該方法包含使用一光罩檢查子系統獲取一光罩之一部分之一幅帶影像。在另一闡釋性實施例中,該方法包含識別該幅帶影像中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶影像中之該區塊之至少一第二事件。在另一闡釋性實施例中,該方法包含判定該區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之該第一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一空間偏移之至少一者。
本發明揭示一種用於設計資料庫輔助之區塊對區塊之光罩檢查
之方法。在一闡釋性實施例中,該方法包含識別在用於一光罩之一設計資料庫內之該光罩之一組重複區塊。在一闡釋性實施例中,該方法包含判定與該光罩之該組重複區塊相關聯之一或多個空間特性。在一闡釋性實施例中,該方法包含儲存與該光罩之該組重複區塊相關聯之該一或多個空間特性。在一闡釋性實施例中,該方法包含使用一光罩檢查子系統獲取光罩之一部分之一影像。在一闡釋性實施例中,該方法包含根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第一成員之經獲取影像之一第一部分。在一闡釋性實施例中,該方法包含根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第二成員之經獲取影像之一第二部分。在一闡釋性實施例中,該方法包含對準經獲取影像之第一部分及該經獲取影像之第二部分。在一闡釋性實施例中,該方法包含藉由對經獲取影像之第一部分及該經獲取影像之第二部分執行一減法常式而產生一影像差異。在一闡釋性實施例中,該方法包含使用該經產生之差異影像識別光罩上之一或多個缺陷。
本發明揭示一種用於區塊對區塊之光罩檢查之系統。在一闡釋性實施例中,該系統包含經組態以使用一光罩檢查系統掃描一光罩之一部分之一幅帶影像之一光罩檢查子系統。在一闡釋性實施例中,該系統包含一控制器,該控制器包含經組態以執行保持於一記憶體上之一組程式指令之一或多個處理器,該等程式指令經組態以:識別在幅帶影像中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶影像中之該區塊之至少一第二事件;及判定該區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之該第一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一空間偏移之至少一者。
100‧‧‧區塊對區塊之光罩檢查系統/系統
102‧‧‧光罩檢查子系統/基於帶電粒子之光罩檢查子系統/基於電子束之光罩檢查子系統
104‧‧‧照明源
106‧‧‧照明光學器件
108‧‧‧集光或成像光學器件
110‧‧‧偵測器
112‧‧‧光罩/光罩影像/實際光罩
114‧‧‧光罩載台
116‧‧‧控制器
118‧‧‧處理器
120‧‧‧記憶體/非暫時性記憶體媒體
121‧‧‧區塊對區塊之檢查模組/模組
123‧‧‧影像資料庫/資料庫
124‧‧‧幅帶影像/影像/幅帶
125‧‧‧區塊資訊資料庫/空間特性資料庫
126‧‧‧使用者介面
134a‧‧‧第一事件
134b‧‧‧第二事件
136a‧‧‧第一事件
136b‧‧‧第二事件
140‧‧‧程序
142‧‧‧步驟
144‧‧‧步驟
146‧‧‧步驟
152a‧‧‧明顯峰值
152b‧‧‧明顯峰值
152c‧‧‧明顯峰值
152d‧‧‧明顯峰值
152e‧‧‧明顯峰值
162‧‧‧標記/特徵/重複區塊
164‧‧‧標記/特徵
166‧‧‧標記/特徵
170‧‧‧二維差異影像
182‧‧‧元件符號
184‧‧‧元件符號
186‧‧‧元件符號
188‧‧‧雙箭頭
200‧‧‧光罩檢查系統/系統
201‧‧‧影像資料庫
202‧‧‧設計輔助之區塊對區塊之檢查模組/模組/設計輔助之區塊對區塊之模組
204‧‧‧影像資料/影像/幅帶影像/經獲取之影像
206‧‧‧設計資料庫/經儲存之設計資料
208‧‧‧合併資料庫
210‧‧‧程序
212‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟
216‧‧‧步驟
218‧‧‧步驟
220‧‧‧步驟
222‧‧‧步驟
224‧‧‧步驟
226‧‧‧步驟
228‧‧‧步驟
230‧‧‧高階程序流程圖/程序
232‧‧‧遮罩部門
234‧‧‧積體電路製造地板/積體電路(IC)製造
236‧‧‧步驟
238‧‧‧步驟
240‧‧‧步驟
242‧‧‧步驟
244‧‧‧步驟
246‧‧‧步驟
B1‧‧‧區塊
B2‧‧‧區塊
熟習此項技術者可藉由參考附圖更佳理解本發明之許多優點,
其中:圖1A繪示根據本發明之一或多個實施例之區塊對區塊之光罩檢查系統之一方塊視圖。
圖1B繪示根據本發明之一實施例之使用一光罩檢查子系統自一光罩獲取之一幅帶影像之一概念視圖。
圖1C繪示描繪根據本發明之一或多個實施例之用於區塊對區塊之光罩檢查系統之一方法之一流程圖。
圖1D繪示根據本發明之一或多個實施例之根據以像素為單位量測之沿著一第一方向之偏移之一函數之自相關。
圖1E繪示根據本發明之一或多個實施例之根據圖1D中所繪示之最左峰值偏移及自未偏移之列向量減去之一幅帶列向量。
圖1F繪示根據本發明之一或多個實施例之對應於圖1E中之重複區塊之一個二維差異影像。
圖1G繪示根據本發明之一或多個實施例之含有多個重複區塊之一像素幅帶。
圖2A繪示根據本發明之一或多個實施例之一設計輔助之區塊對區塊之光罩檢查系統之一方塊視圖。
圖2B繪示指示根據本發明之一或多個實施例之與一設計輔助之區塊對區塊之檢查程序之一實施方案相關聯之步驟之一高階程序流程圖。
圖2C繪示描繪根據本發明之一或多個實施例之用於設計輔助之區塊對區塊之光罩檢查之一程序之一流程圖。
現將詳細參考所揭示之該標的,該標的係繪示於附圖中。
大體上參考圖1A至圖2B,描述根據本發明之用於區塊對區塊之光罩檢查之系統及方法。本發明之實施例係關於在具有及不具有設計
資料庫輔助之情況下執行區塊對區塊之光罩檢查。本發明之一些實施例用於在缺乏用於光罩圖案之一設計資料庫之情況下進行具有一單晶粒之一光罩之檢查。此外,本發明之一些實施例識別在一晶粒中出現多次之圖案之一區塊且接著彼此比較該等重複區塊之影像以偵測缺陷。本發明之額外實施例用於在一設計資料庫之輔助下執行區塊對區塊之光罩檢查。
積體電路常常含有重複區塊。在此方面,一單積體電路可包含兩個或兩個以上重複區塊。例如,一多核心CPU之核心在給定晶片之一些前端層處可為相同的。在此實例中,各核心可具有暫存器及算術邏輯單元(ALU)之多個相同例項。此外,一GPU可包含一ALU陣列。此外,一場可程式化閘極陣列可包含一相同單元陣列。類似地,一ASIC可展現一IP區塊之重複例項,諸如一FFT引擎。此外,一記憶體晶片可包含藉由相同的支援電路(諸如讀寫放大器、緩衝器及類似者)區塊分離之相同的記憶體核心區塊。
在一給定積體電路之一晶粒內之重複區塊可顯示顯著空間分離(顯著區分區塊對區塊之檢查與單元對單元之檢查之一特徵)。例如,一單晶粒內之兩個或兩個以上重複區塊可分離達數量級為約100μm至10mm之一距離。在一實施例中,可經由平行處理進行本發明之光罩檢查程序,其中各處理器具有對光罩影像之一圖塊之存取。本文中應注意,在單元對單元之檢查之情況中,一給定處理器可僅比較在相同圖塊中之單元,其中一圖塊在尺寸上可為1024 x 2048像素且像素之節距在光罩平面中可為55奈米至125奈米。因而,若單元相距超過約2048 x 125nm=256μm,則單元對單元之檢查並不有效。積體電路可具有相距若干毫米之重複區塊。
此外,除非在其中一光罩包含一單晶粒或包含不同設計之晶粒之設定中,否則提出以晶粒對晶粒為基礎之檢查。
本發明之剩餘者描述適於在具有及不具有設計資料庫輔助之情況下經由光罩檢查識別一光罩之一單晶粒內之區塊之實施例。
出於本發明之目的,OPC(光學鄰近補償)包含移動主特徵之邊緣段、插入子解析度輔助特徵、反向微影技術(ILT)及源遮罩最佳化(SMO)。一OPC前之設計資料庫係高度分層的且含有許多重複單元(即使在一隨機邏輯晶片之情況中)。在一實施例中,一設計資料庫中之「階層」描述包括其他多邊形組之多邊形組。例如,資料庫可指示組A係組a、組b、組c…之結合;且組a係組α、組β…之結合;且組A之例項(複本)係定位於(x1,y1)、(x2,y2)…等處。可在不搜索個別多邊形之一列表或一像素化影像上之重複區塊之情況下,自一設計資料庫之階層發現重複區塊。若在OPC前之資料庫中相同之單元具有不同環境,則其等在OPC之後變更。又,此等單元之一中心部分可在OPC後之資料庫中相同地重複。保持重複單元在OPC後之資料庫中相同可節省運算時間及降低OPC引發之在關鍵維度及疊對量測方面之可變性。因而,一OPC後之資料庫通常具有非零階層。即使OPC後之資料庫並非分層的,若OPC程序係可重現的,則遠離非重複環境之重複單元之一些核心部分亦可收斂至相同解決方案中。
圖1A繪示根據本發明之一或多個實施例之區塊對區塊之光罩檢查系統100之一方塊視圖。在一實施例中,該系統100包含一光罩檢查子系統102。在一實施例中,該光罩檢查子系統102經組態以對緊固於一光罩載台114上之一光罩112執行一檢查程序。在一實施例中,如本文中進一步更詳細展示,光罩檢查子系統102獲取一光罩112之一部分之一幅帶影像124。一幅帶之定義特性係在於整個幅帶影像係保持於一記憶體中且同時可用於處理。在一實施方案中,一幅帶係在光罩載台沿著一方向自檢查區域之一邊緣線性移動至其相對邊緣時之經成像之區域。
在一實施例中,光罩檢查子系統102包含一或多個照明源104。該照明源104可包含在光罩檢查技術中已知之任何照明源。例如,照明源104可包含(但不限於):一窄頻源(例如,一或多個雷射)或一寬頻源(例如,具有或不具有濾光之寬頻燈)。
在一實施例中,光罩檢查子系統102包含一組照明光學器件106。該等照明光學器件106可包含適於自照明源104接收照明之任何一或多個光學元件且照明光罩112。例如,一或多個照明光學器件106可包含(但不限於):一或多個透鏡、鏡、分束器、準直器、濾光器、偏光元件及類似者。例如,照明光學器件106可包含用於將來自照明源104之光聚焦至光罩112之平面上之一透鏡。
在另一實施例中,光罩檢查子系統102包含一組集光或成像光學器件108。該等集光、成像光學器件108可包含適於(經由透射、散射、反射、繞射及類似者)自光罩112收集照明及將光罩112引導及/或成像至偵測器110上之任何一或多個光學元件。例如,一或多個照明光學器件106可包含(但不限於):一或多個透鏡、鏡、分束器、準直器、濾光器、偏光元件及類似者。例如,照明光學器件106可包含一放大倍率透鏡。
偵測器110可包含光罩檢查技術中已知之任何偵測器。例如,偵測器110可包含(但不限於):一或多個CCD裝置、一或多個TDI裝置、一或多個PMT裝置及類似者。
本文中應注意,光罩檢查子系統102可經組態以在光罩檢查技術中已知之任何光譜範圍之照明下操作。例如,光罩檢查子系統102可包含(但不限於):一可見光檢查子系統、一紫外線檢查子系統、一深紫外線檢查子系統、一極紫外線檢查子系統或一真空紫外檢查子系統。在其他實施例中,光罩檢查子系統102可包含一基於帶電粒子之光罩檢查子系統102。例如,光罩檢查子系統102可包含一基於電子束
之光罩檢查子系統102。
光罩檢查及掃描影像幅帶係大體上描述於2014年3月24日申請之Bing Li等人之美國專利申請案第14/223,709號中,該案之全文以引用的方式併入本文中。光罩檢查亦大體上描述於2006年11月7日頒予給Kenan等人之美國專利第7,133,548號中,該案之全文以引用的方式併入本文中。
在另一實施例中,系統100包含一控制器116。在一實施例中,該控制器116包含一或多個處理器118及一或多個記憶體130(例如,非暫時性記憶體)。在一實施例中,控制器116通信地耦合至光罩檢查子系統102之偵測器110。在此方面,在獲取影像124之後,偵測器110可將幅帶影像124傳輸至控制器116。在另一實施例中,一或多個處理器118可執行保持於記憶體120中之一區塊對區塊之檢查模組121。該區塊對區塊之檢查模組121可包含經組態以引起一或多個處理器118執行貫穿本發明所描述之步驟之任一者之一組程式指令。例如,區塊對區塊之檢查模組121可引起一或多個處理器121:使用一光罩檢查子系統獲取一光罩之一部分之一幅帶影像;識別該幅帶影像中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶影像中之該區塊之至少一第二事件;及判定該區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之該第一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一空間偏移之至少一者。
控制器116之一或多個處理器118可包含此項技術中已知之任何一或多個處理元件。該一或多個處理器118可包含經組態以執行軟體演算法及/或指令之任何微處理器類型之裝置。在一實施例中,一或多個處理器118可包含經組態以執行一程式(該程式經組態以操作系統100)之一桌上型電腦、大型電腦系統、工作站、影像電腦、平行處理器或其他電腦系統(例如,經網路連線之電腦),如貫穿本發明所描
述。應認知,可藉由一單一電腦系統或替代性地多個電腦系統進行貫穿本發明所描述之步驟。一般而言,術語「處理器」可廣泛地定義為涵蓋具有一或多個處理元件之任何裝置,該等處理器執行來自一非暫時性記憶體媒體120之程式指令(例如,模組121或模組127)。此外,系統100之不同子系統(例如,顯示器、使用者介面、光罩檢查子系統102)可包含適於進行貫穿本發明所描述之步驟之至少一部分之一處理器或邏輯元件。因此,以上描述不應解釋為對本發明之一限制而僅為一圖解。
記憶體120可包含此項技術中已知之適於儲存可藉由相關聯之一或多個處理器118執行之程式指令之任何儲存媒體。例如,記憶體120可包含(但不限於):一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁性或光學記憶體裝置(例如,磁碟)、一磁帶、一固態磁碟機及類似者。在另一實施例中,本文中應注意,記憶體120經組態以儲存來自光罩檢查子系統之一或多個結果(例如,影像資料庫123)及/或本文中所描述之各種步驟之輸出(例如,區塊資訊資料庫125)。應進一步注意,記憶體120可被容納於容納有一或多個處理器118之一共同控制器中。在另一實施例中,記憶體120可相對於處理器118及控制器116之實體定位而遠距離定位。例如,控制器116之一或多個處理器118可存取一遠端記憶體(例如,伺服器)、該遠端記憶體可透過一網路(例如,網際網路、企業內部網路及類似者)存取以獲取幅帶影像124。
在另一實施例中,系統100包含一使用者介面126。該使用者介面可包含此項技術中已知之任何使用者介面。例如,使用者介面126可包含一使用者輸入裝置及/或用於向一使用者顯示資料及接收使用者輸入指令之一顯示器。例如,使用者輸入裝置可包含(但不限於):一鍵盤、一鍵台、一觸控螢幕、一控制桿、一旋鈕、一滾輪、一追蹤球、一開關、一撥號盤、一滑桿、一捲棒、一滑動軸、一握把、一觸
控墊、一踏墊、一方向盤、一操縱桿、一邊框輸入裝置或類似者。顯示裝置可包含此項技術中已知之任何顯示裝置。在一實施例中,顯示裝置可包含(但不限於)一液晶顯示器(LCD)。在另一實施例中,顯示裝置可包含(但不限於)一基於有機發光二極體(OLED)之顯示器。在另一實施例中,顯示裝置可包含(但不限於)一CRT顯示器。在一般意義上,能夠與一使用者介面裝置(例如,觸控螢幕、邊框安裝介面、鍵盤、滑鼠、觸控板及類似者)整合之任何顯示裝置係適用於本發明中之實施方案。在一觸控螢幕介面裝置之情況中,熟習此項技術者應認知,較大數目個觸控螢幕介面裝置可適用於本發明中之實施方案。例如,顯示裝置可與一觸控螢幕介面(諸如但不限於,一電容性觸控螢幕,一電阻性觸控螢幕、一基於表面聲音之觸控螢幕、一基於紅外線之觸控螢幕或類似者)整合。在一般意義上,能夠與顯示裝置之顯示部分整合之任何觸控螢幕介面係適用於本發明中之實施方案。
圖1B繪示根據本發明之一實施例之使用光罩檢查子系統102自光罩112獲取之一幅帶影像124之一概念視圖。如圖1B中所展示,可自光罩112之一部分獲取一或多個幅帶影像124。在一實施例中,一給定幅帶影像124可包含區塊B1之一第一事件134a及該區塊B1之至少一第二事件134b。此外,該給定幅帶影像124可包含區塊B2之一第一事件136a及該區塊B2之至少一第二事件136b。本文中應認知,僅一單一幅帶124影像係描繪於光罩影像112中。此描繪並不意欲作為本發明之一顯示且僅為清晰及闡釋性目的而提供。
圖1A及圖1B中所繪示之系統100之實施例可如本文中所描述般進一步組態。此外,系統100可經組態以執行本文中所描述之(若干)方法實施例之任一者之(若干)任何其他步驟。以下方法實施例係關於區塊對區塊之光罩檢查。大體上應認知,系統100係適於實施以下實施例之檢查層級及資料處理層級步驟。然而,應注意,下文所描述之方
法並不限於100之架構。
圖1C繪示描繪根據本發明之一或多個實施例之用於區塊對區塊之光罩檢查之一程序140之一流程圖。
在步驟142處,使用一光罩檢查系統獲取一光罩之一部分之一幅帶影像。例如,如圖1A至圖1B中所展示,光罩檢查子系統102可獲取含有一或多個幅帶124之光罩112之一影像。在一實施例中,光罩檢查子系統102可在光罩112之一檢查程序期間掃描該光罩之一幅帶影像124。本文中應注意,一「幅帶」應解釋為跨光罩112之整體掃描之一遍次。例如,可經由一蛇形或光柵化掃描程序獲取多個幅帶。在另一實施例中,將經獲取之幅帶影像124儲存於記憶體130中。例如,幅帶影像124及相關聯幅帶132可儲存於一影像資料庫123中以稍後使用。本文中應進一步注意,幅帶影像124可在掃描維度上與晶粒一樣寬(在圖1B中之水平方向)。在正交維度上,幅帶影像124可具有有限尺寸。例如,非掃描維度可具有在128至2048像素之範圍中但不限於128至2048像素之一大小。本文中應注意,幅帶影像124之大小可取決於可用於特定光罩檢查子系統102之偵測器陣列、緩衝器、資料匯流排及記憶體之大小。
在一實施例中,一使用者可提供相對於待檢查之光罩112上之一參考點之該光罩112之一晶粒之座標。例如,一使用者可經由使用者介面126提供用於檢查之晶粒座標至控制器116。接著,光罩檢查子系統102可接著掃描晶粒及儲存對應幅帶影像124於記憶體120中之影像資料庫123中。
應進一步注意,一或多個處理器118具有對儲存於記憶體120之資料庫123中之整個幅帶影像124之存取。例如,倘若一給定影像之各像素具有一8位元值,72nm之一像素節距,幅帶影像係256個像素高且晶粒在光罩112上為10cm寬,則儲存幅帶影像124可需要339MB之記
憶體。本文中應注意,以上實例係僅為闡釋性目的而提供且意欲作為本發明之一限制。
在步驟144中,識別幅帶影像124中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶影像124中之該區塊之至少一第二事件。例如,如圖1A至圖1B中所展示,控制器116可識別幅帶影像124中之區塊B1之一第一事件134a及該幅帶影像124中之該區塊B1之一第二事件134b。藉由另一實例,控制器116可識別幅帶影像124中之區塊B2之一第一事件136a及該幅帶影像124中之該區塊B2之一第二事件136b。
在一實施例中,程序140可找到沿著一給定幅帶方向(例如,圖1B中之水平方向)重複之區塊。本文中應注意,若一區塊在兩個尺寸上重複,則其必須在通過晶粒之各列中重複。在一實施例中,程序400可檢驗在一第一方向上之重複區塊。接著,倘若在第一方向上存在重複區塊,則該程序可檢驗光罩影像以看看區塊是否在第二方向(正交於該第一方向)上重複。
在一實施例中,識別區塊之一第一及第二事件之步驟包含增加或平均化幅帶影像124之各行之一子步驟。在此方面,幅帶影像124可降低至如下表示之一列向量:[r 1 ,r 2 ,...,r N ] (1)
在一實施例中,可自列向量減去該列向量之平均值使得所得列向量具有一零平均值。該所得列向量係藉由以下給定:
數字 I(i,j)表示像素(i,j)處之影像強度且 M 及 N 分別為幅帶影像124中之列及行之數目。在另一實施例中,可選擇幅帶影像124之一列
而非平均化列。
在另一實施例中,識別區塊之一第一及第二事件之步驟144包含產生幅帶影像之一自相關陣列之一子步驟。在一實施例中,以上列向量之自相關係藉由其自身來分析。
在一實施例中,整個以上列向量之自相關係藉由其自身來分析。此關係係藉由以下表示:
指數 n 表示在列向量之兩個複本之間之偏移且整數 N 係在掃描方向上之像素之數目。本文中應認知,此方法相對較快。然而,惟若區塊區域係幅帶區域之一不可忽略分率時,此相關方法指示重複區塊。
在另一實施例中,使用整個列向量來分析該列向量之一部分之自相關。此關係係藉由以下表示:
列向量(或「窗」)之部分係 w 個像素寬及開始於像素 m 。此外,自相關取決於偏移 n 及窗參數 w 及 m 。窗寬度 w 係固定及預定的。本文中應注意,可對於經增加 w 之 m 之多個值重複此操作。對於 m 之各值重複以下步驟。由重複區塊之存在而引起之自相關峰值在第一自相關方法(3)中可能並不顯示一良好的信雜比。本文中應認知,可使用具有小於幅帶寬度之一窗寬度之第二相關方法(4)來改良信雜比。應進一步注意,該第二方法(4)與方法(3)相比限制較少但一般計算強度更高。
在另一實施例中,識別區塊之一第一及第二事件之步驟144包含識別在自相關陣列中之一或多個局部峰值之一部位之一子步驟。例如,如圖1A中所展示,控制器116可識別來自先前子步驟之自相關陣
列中之一或多個局部峰值之一部位。在此方面,控制器116可找到自相關陣列中之表示為 c n 之局部峰值。例如,一局部峰值可出現於指數 n * 處,其中: c n* >(1+δ)c n*+k for all k (5)
其中k在藉由以下表示之某區間中:
其中該區間具有一預選定長度。在一實施例中,參數 δ 之值為0.1。應進一步注意,一峰值 n * 之部位可指示兩個相同區塊之間之像素中之距離。
圖1D繪示根據以像素為單位量測之沿著一第一方向(x方向)之偏移之一函數之自相關(在任意單元中)。在此實例中,列向量係一128像素高度之幅帶影像之行平均數。本文中應注意,明顯峰值(152a至152e)可出現於等於兩個重複區塊之間之偏移之偏移值處。本文中應進一步注意,自相關函數歸因於週期或準週期圖案之較小週期而快速振盪。
再參考圖1C,在另一實施例中,識別區塊之一第一及第二事件之步驟144包含藉由根據一或多個局部峰值之經識別部位平移或偏移幅帶影像來產生一經偏移之幅帶影像之一子步驟。此外,步驟114包含藉由對來自幅帶影像之經偏移之幅帶影像執行一減法常式而產生一差異影像之一子步驟。
在一實施例中,如圖1A中所展示,控制器116可藉由根據上文識別之一或多個局部峰值之經識別部位平移或偏移幅帶影像來產生一經偏移之幅帶影像。在另一實施例中,控制器116可藉由對來自幅帶影像之經偏移之幅帶影像執行一減法常式(例如,減法、加權減法及類似者)而產生一差異影像。
在一實施例中,控制器116可偏移(上文所描述之)列向量達 n * 及估計列向量與其經偏移版本之間之差異。此操作係藉由以下表示: d(j)=r(j)-r(n * +j) (7)
在另一實施例中,控制器116可分析藉由以下給定之區間:
本文中應注意,可選擇容限 ε 使得重複圖案之影像差異小於 ε 。該容限允許可容許量之焦點振動、板雜訊、儀器雜訊、對準誤差、光罩傾斜及類似者。
圖1E繪示根據圖1D中所繪示之最左峰值偏移及自未偏移之列向量減去之幅帶列向量。如圖1E中所展示,重複區塊處之影像強度幾乎取消。在此方面,控制器116(或一使用者)可識別沿著一給定軸(例如,x軸)之可能重複區塊之界限。在圖1E中,標記162、164及166識別候選重複區塊。
在另一實施例中,在產生一差異影像之前,經偏移之幅帶影像係與在一子像素解析度下之幅帶影像對準。在此方面,彼此相減之影像可在相減之前與子像素解析度對準。在一實施例中,可應用以下常式以進行此對準:
其中 I 0,0 係由一2D或1D影像形成之一行向量。本文中應認知,以上常式可找到最佳擬合一第二區塊(該第二區塊與一第一區塊相距
n * 個像素)之該第一區塊之未偏移、左偏移及右偏移之影像之一線性組合。本文中應進一步注意, Q 及右手側之 I 0,n* 之全部行具有相同數目之有效像素。應進一步注意是否所需之額外偏移(例如,大於三行)可包含於矩陣中。本文中應認知,未偏移、左偏移一個像素及右偏移一個像素之三個影像基底係常常足夠用於良好的子像素對準。在另一實施例中,一對準方法可採用一或多個sinc內插濾光器或應用傅氏轉換域中之一線性進展之相移。
圖1F繪示根據本發明之一或多個實施例之對應於圖1E中之重複區塊162之一個二維差異影像170。
再參考圖1C,在另一實施例中,識別區塊之一第一及第二事件之步驟144包含識別具有低於一選定容限位準之一參數值之差異影像中之一或多個區域之一子步驟。在一實施例中,控制器116可估計在先前子步驟中產生之二維影像差異。在此方面,控制器116可估計影像差異:
例如,影像差異可藉由以下表示:
其中控制器116可搜索其中差異較小之列之一區間[i 0 ,i 1 ]:
倘若滿足此條件,則盒(box)[i 0 ,i 1 ]×[j 0 ,j 1 ]含有一重複區塊。應進一步注意,此區塊之一複本係定位於[i 0 ,i 1 ]×[j 0 + n * ,j 1 + n * ]處。
圖1G係對於含有重複區塊之一像素幅帶之|D(i,j)|之一灰階圖。深陰影指示高值且淺陰影指示較小值。例如,像素幅帶可具有(但不限於):380228 x 2048像素之一大小。如圖1G中所展示,白色區域表示重複區塊。圖1G之元件符號182、184及186分別對應於圖1E中之特徵162、164及166。藉由非限制性實例,雙箭頭188可表示沿著x軸之50,000個像素或3.6mm。
再參考圖1C,在步驟146中,判定區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之第一事件與該區塊之至少一第二事件之間之一空間偏移之至少一者。例如,控制器116可提取該區塊之該部位、一或多個幾何特性(例如,形狀)及該區塊之第一事件與該區塊之至少一第二事件之間之一空間偏移(即,偏移)。例如,基於以上分析,一旦識別重複區塊,即可找到一或多個空間特性(包含但不限於:區塊之部位、一或多個幾何特性(例如,形狀)及該區塊之第一事件與該區塊之至少一第二事件之間之一空間偏移(即,偏移))。在另一實施例中,控制器116將區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之第一事件與該區塊之至少一第二事件之間之一空間偏移之至少一者儲存於記憶體120中之一空間特性資料庫125中。本文中應注意,藉由控制器116找到及儲存之與一或多個區塊相關聯之空間特性並不限於上文所提供之該等特性(其等僅為闡釋性目的而提供)。
在另一實施例中,控制器116可記錄重複區塊之界限盒。應注意,該等重複區塊可能並不一定具有一矩形或一簡單連接之域。
在一實施例中,藉由儲存一邏輯值陣列而將一或多個幾何特性儲存於記憶體120中,其中該邏輯值係指示一重複區塊中之一或多個像素。在一實施例中吾人保存邏輯值陣列。
在一實施例中,儲存以下邏輯值陣列:
圖2A繪示根據本發明之一或多個實施例之用於執行設計輔助之區塊對區塊之光罩檢查之一光罩檢查系統200。本文中應注意,除非另有說明,否則本文中先前所描述之各種系統及方法實施例應解釋為擴展至系統200。
系統200之實施例用於藉由分析與光罩112相關聯之設計資料庫來識別在一晶粒中出現多次之區塊圖案。額外實施例可用於將設計分析之輸出儲存至記憶體中(例如,儲存於GDSII檔案中)。
在一實施例中,控制器116之一或多個處理器118可執行保持於記憶體120中之一設計輔助之區塊對區塊之檢查模組202,以使用自光罩112獲取之影像資料204進行該光罩112之一設計輔助之(例如,設計資料庫輔助之)區塊對區塊之檢查。在另一實施例中,一設計資料庫206可儲存於記憶體120中且藉由控制器116在進行本文中進一步所描述之程序時利用。本文中應注意,可以此項技術中已知之任何格式(包含但不限於:一GDSII格式)儲存設計資料。在另一實施例中,設計輔助之區塊對區塊之檢查模組202可分析設計資料庫206以識別在光罩112之晶粒中重複出現之區塊圖案。在分析之後,模組202可將經獲取之重複區塊空間資訊(例如,部位、尺寸及節距)儲存於記憶體中。例如,該資訊可儲存於一GDSII中,藉此一GDSII檔案中之各層儲存表示一經匹配區塊之矩形。
在一實施例中,在獲取影像204之後,偵測器110可將幅帶影像204傳輸至控制器116。在一實施例中,控制器116可將經獲取之影像204儲存於一影像資料庫201中。在另一實施例中,藉由模組202獲取之基於設計之重複區塊資料可與光罩112相關聯且儲存於一合併資料
庫208(例如,指示設計資料與該光罩112之間之關聯之檔案)中。在另一實施例中,如本文中進一步所描述,影像資料204可接著與合併資料庫208比較以偵測在影像204之重複區塊中之一或多個缺陷。
設計輔助之區塊對區塊之檢查模組202可包含經組態以引起一或多個處理器118執行貫穿本發明所描述之步驟之任一者之一組程式指令。在一實施例中,設計輔助之區塊對區塊之檢查模組202可引起一或多個處理器120以:識別在用於一光罩112之一設計資料庫206內之該光罩之一組重複區塊;(例如,基於設計資料)判定與該光罩112之該組重複區塊相關聯之一或多個空間特性;儲存與該光罩112之該組重複區塊相關聯之該一或多個空間特性(例如,儲存於記憶體120中);使用一光罩檢查子系統102獲取光罩112之一部分之一影像204;根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第一成員之經獲取影像之一第一部分;根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第二成員之經獲取影像之一第二部分;對準經獲取影像之該第一部分及該經獲取影像之該第二部分;藉由對該經獲取影像之該第一部分及該經獲取影像之該第二部分執行一減法常式而產生一影像差異;及使用該經產生之差異影像識別光罩上之一或多個缺陷。
本文中應認知,除非另有說明,否則本文中先前所描述之各種系統及方法實施例應解釋為擴展至設計輔助之區塊對區塊之模組202。
本文中應注意,一半導體晶片設計資料可包含稱為一「平面佈置圖」之內容,其含有用於重複結構之放置資訊。本文中應進一步注意,可自通常以GDSII檔案格式儲存之一晶片之實體設計提取此資訊。結構行為或程序設計互動可依據一或多個結構之背景內容(周圍環境)而變化。藉由使用該平面佈置圖,所提出之分析可識別結構之
重複區塊。
如本發明使用之術語「設計資料」大體上係指一積體電路之實體設計及透過複雜模擬或簡單幾何學及布林(Boolean)運算自該實體設計導出之資料。此外,藉由一光罩檢查系統獲取之一光罩之一影像及/或其之變型可用作設計資料之一(或若干)代理者。此一光罩影像或其之一變型可用作本文中所描述之使用設計資料之任何實施例中之設計布局之一替代者。設計資料及設計資料代理者係描述於2010年3月9日由Kulkarni發佈之美國專利第7,676,007號;2011年5月25日由Kulkarni申請之美國專利申請案第13/115,957序列號;2011年10月18日由Kulkarni發佈之美國專利第8,041,103號;及2009年8月4日由Zafar等人發佈之美國專利第7,570,796號中,全部該等案以應用的方式併入本文中。此外,在引導檢查程序中使用設計資料係大體上描述於2012年2月17日申請之Park之美國專利申請案第13/339,805號中,該案之全文以引用的方式併入本文中。
圖2B繪示描繪根據本發明之一或多個實施例之用於設計輔助之區塊對區塊之檢查程序之一程序200之一流程圖。
在步驟212中,識別在用於光罩112之一設計資料庫內之該光罩112之一組重複區塊。例如,系統200之控制器116可識別與討論中之一光罩112相關聯之經儲存之設計資料206中之該光罩112之一組重複區塊。在一實施例中,控制器116可處理OPC後之設計資料庫及搜索重複區塊(RB)。在一實施例中,此可經執行為其中表示圖案之多邊形經重新組織及/或裂解之資料庫製備之部分。例如,系統200之控制器116可識別在用於光罩之資料庫內之該光罩之一組重複區塊。例如,額外程序可包含(但不限於):多邊形裂解、多邊形偏置及資料庫格式轉換。在另一實施例中,此亦可作為不同於正規資料製備操作之一分離步驟。在另一實施例中,可藉由分析設計資料庫206中之階層樹來
進行搜索重複區塊。
在步驟214中,判定與光罩之重複區塊組相關聯之一或多個空間特性。例如,系統200之控制器116可識別與光罩112之重複區塊組相關聯之存在於設計資料庫206中之一或多個空間特性。例如,藉由控制器116識別之空間特性可包含(但不限於):一或多個區塊之部位(例如,x-y座標)、一或多個區塊之尺寸及與兩個或兩個以上重複區塊相關聯之節距。
在步驟216中,儲存與光罩之重複區塊組相關聯之一或多個空間特性。例如,系統200之控制器116可將與光罩112之重複區塊組相關聯之一或多個空間特性儲存於記憶體105中。例如,重複區塊之空間特性可以一GDSII格式儲存於記憶體105中,其中一GDSII檔案中之各層儲存表示一經匹配區塊之矩形。
在步驟218中,獲取光罩之一部分之一影像。例如,如圖2A中所展示,一光罩檢查子系統102可自光罩112獲取一影像204。在另一實施例中,光罩檢查子系統102之偵測器110可將經獲取之影像204傳輸至控制器116。此外,該影像204可儲存於記憶體120中之一影像資料庫201中。
在步驟220中,根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第一成員之經獲取影像之一第一部分。例如,系統200之控制器116可根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性(例如,儲存於記憶體105中)識別對應於該組重複區塊之一第一成員之經獲取影像204之一第一部分。在此方面,控制器116可根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性使經獲取影像204之一第一部分與(經由上文之設計資料分析找到之)重複區塊組之一第一成員匹配。
在步驟222中,根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性識
別對應於該組重複區塊之一第二成員之經獲取影像之一第二部分。例如,系統200之控制器116可根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性(例如,儲存於記憶體105中)識別對應於該組重複區塊之一第二成員之經獲取影像204之一第二部分。在此方面,控制器116可根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性使經獲取影像204之一第二部分與(經由上文之設計資料分析找到之)重複區塊組之一第二成員匹配。
在步驟224中,對準經獲取影像之第一部分及該經獲取影像之第二部分。例如,系統200之控制器116可使經獲取影像204之經識別之第一部分(來自步驟220)與該經獲取影像204之經識別之第二部分(來自步驟222)對準。本文中應認知,可藉由此項技術中已知及/或本文中所描述之任何特徵辨識及數位影像程序來進行第一部分及第二部分之對準。
在步驟226中,藉由對經獲取影像之第一部分及該經獲取影像之第二部分執行一減法常式來產生一影像差異。例如,在步驟224中之對準之後,系統200之控制器116可產生經獲取影像204之第一部分與該經獲取影像之第二部分之間之一影像差異。例如,控制器116可藉由對經獲取影像204之第一部分及該經獲取影像204之第二部分執行一減法常式(例如,減法、加權減法及類似者)來計算一差異影像。例如,控制器116可藉由自第二部分之像素之強度值減去第一部分之像素之強度值來計算一差異影像(或反之亦然)。
在步驟228中,使用經產生之差異影像識別光罩上之一或多個缺陷。例如,在步驟226之差異計算之後,系統200之控制器116可識別光罩112中之一或多個缺陷。例如,系統200之控制器116可藉由識別具有超過一選定臨限值之一強度值(例如,絕對強度)之差異影像之一區域來識別光罩112中之一或多個缺陷。應注意,在無缺陷之區域中
差異影像可產生一標稱空值結果,在存在一缺陷之情況下引起一強度信號偏離零。
在一進一步步驟中,控制器116可使與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性與光罩相關聯。在另一步驟中,控制器116在使與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性與光罩相關聯之後可在其中用於該光罩之設計資料庫不可用之一環境中檢查該光罩。在另一步驟中,控制器116可使用光罩檢查子系統102獲取光罩112之一部分之一影像。在另一步驟中,控制器116可根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第一成員之經獲取影像之一第一部分。在另一步驟中,控制器116可根據與重複區塊組相關聯之經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第二成員之經獲取影像之一第二部分。在另一步驟中,控制器116可對準經獲取影像之第一部分及該經獲取影像之第二部分。在另一步驟中,控制器116可藉由對經獲取影像之第一部分及該經獲取影像之第二部分執行一減法常式而產生一影像差異。在另一步驟中,控制器116可使用經產生之差異影像識別光罩上之一或多個缺陷。
圖2C繪示指示根據本發明之一或多個實施例之與一設計輔助之區塊對區塊之檢查之一實施方案相關聯之步驟之一高階程序流程圖230。本文中應注意,除非另有說明,否則本文中先前所描述之先前方法及系統實施例應解釋為擴展至程序230。本文中應注意,在一非限制性實例中,步驟236至240可發生於一遮罩部門232中,而步驟242至246發生於積體電路製造層面234上。
在步驟236中,處理一OPC後之設計資料庫及搜索重複區塊,如本文中先前所描述。在步驟238中,儲存與重複區塊相關聯之資訊,如本文中先前所描述。本文中應注意,保存重複區塊資訊使得其可與光罩一起經傳送以用於隨後檢查。一旦一光罩通過了遮罩部門之檢
查、CD及配準度量衡,其即開始其在晶圓(IC)製造中之生產性的、大批量的製造生活。一光罩係用於列印許多相同積體電路之一層。一光罩可使用達數月或數年。在此時間期間,需要偶爾檢查該光罩。光罩可被光化反應及靜電放電損壞。出於此目的,晶圓製造具有光罩檢查裝置。保持及擷取在晶圓製造處之使用中之全部光罩之OPC後之資料庫係一負擔。一光罩資料庫之大小可為數百個十億位元組。期望在不使用光罩之資料庫之情況下在晶圓製造處檢查光罩。在238處保存之重複區塊資訊係顯著小於光罩資料庫且此實現在晶圓製造處之區塊對區塊之檢查。
在步驟240中,重複區塊空間資訊(例如,尺寸、節距及部位)係與光罩112相關聯或傳送至該光罩112。在此方面,重複區塊資訊係連同實際光罩112或遮罩一起自遮罩部門232傳遞至IC製造234。此外,IC製造234保持重複區塊資料及其與一粒子光罩或遮罩之關聯。
藉由非限制性實例,經儲存之重複區塊資訊可合併至與光罩相關聯之一檢查報告中(或與該檢查報告相關聯)。本文中應認知,在其中一使用者可能想要將來自一遮罩部門之全部光罩資訊彙集至一單一檔案中之情況中可期望此選用步驟。重複區塊資訊相對於一光罩資料而言在尺寸上係緊緻的。例如,一單一區塊可僅需要32個位元組(具有兩個頂點)且假定一光罩中存在一百萬個重複區塊,則重複區塊資訊可為數量級32MB。此係與一光罩資料庫相比較,該光罩資料庫可為每光罩數量級100GB至1TB。因而,將重複區塊資訊傳遞至IC製造234及使其用於其中設計資料庫並不可用之該IC製造234中之區塊對區塊之光罩檢查將為有利的。
在步驟242中,擷取相關聯之重複區塊資訊。例如,IC製造234中之一使用者(或控制器)可擷取(來自遮罩部門232之步驟240之)與光罩相關聯之重複區塊資訊。
在步驟244中,將經配對之重複區塊圖塊分配至控制器116。例如,IC製造234中之一使用者(或控制器116)可對一經獲取光罩影像(例如,204)之各幅帶執行一圖塊切割。例如,控制器116可匯入對於幅帶內之各經匹配區塊之重複區塊(例如,矩形)及圖塊。此外,對於各經配對之重複區塊(RB),可將對應圖塊影像分配至控制器116(例如,一或多個處理器118)。
在步驟246中,對經配對之重複區塊圖塊執行缺陷偵測。例如,控制器116可對經配對之重複區塊執行此項技術中已知之任何檢查演算法(包含但不限於:影像配準、工具雜訊降低/補償及缺陷偵測)。
本文中應認知,程序210及230之實施例提供超出不具有一資料庫之一IC製造中之一單一圖塊(例如,通常在寬度上為1024個像素)之精確參考發現。亦消除具有企圖使實際缺陷與合理圖案差異分離之基於規則之演算法之需要。
本文中所描述之全部方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一儲存媒體中。該等結果可包含本文中所描述之結果之任一者且可依此項技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中所描述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他合適儲存媒體。在已儲存結果之後,該等結果可存取於儲存媒體中且藉由本文中所描述之方法或系統實施例之任一者使用;經格式化以對一使用者顯示;藉由另一軟體模組、方法或系統等使用。此外,該等結果可「永久地」、「半永久地」、暫時地儲存或儲存一段時間。例如,儲存媒體可為隨機存取記憶體(RAM)且結果可不一定無限期地保存於儲存媒體中。
進一步預期,上文所描述之方法之實施例之各者可包含本文中所描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此外,上文所描述之方法之實施例之各者可藉由本文中所描述之系統之任一者來執
行。
熟習此項技術者將認知,在此項技術內通常以本文中所闡述之方式描述裝置及/或程序且其後使用設計方法,以將此等所描述之裝置及/或程序整合至資料處理系統中。即,本文中所描述之裝置及/或程序之至少一部分可經由一合理量之實驗整合至一資料處理系統中。熟習此項技術者將認知,一典型資料處理系統通常包含下列一或多者:一系統單元殼體;一視訊顯示裝置;一記憶體(諸如揮發性記憶體及非揮發性記憶體);處理器(諸如微處理器及數位信號處理器);運算實體(諸如作業系統、驅動程式、圖形使用者介面及應用程式);一或多個互動裝置(諸如一觸控墊或螢幕);及/或包含回饋迴路及控制馬達(例如,用於感測位置及/或速度之回饋;用於移動及/或調整組件及/或數量之控制馬達)之控制系統。一典型資料處理系統可利用任何合適商業上可用之組件(諸如通常在資料計算/通信及/或網路計算/通信系統中找到之該等組件)實施。
本文中所描述之標的有時繪示含在不同之其他組件內或與不同之其他組件連接之不同組件。應理解,此等經描繪架構僅為例示性的,且實際上可實施達成相同功能性之許多其他架構。在一概念意義上,達成相同功能性之組件之任何配置係有效地「相關聯」使得達成所要功能性。因此,本文中經組合以達成一特定功能性之任兩個組件可視為彼此「相關聯」使得不考慮架構或中間組件而達成所要功能性。同樣地,如此相關聯之任兩個組件亦可視為彼此「可操作連接」或「可操作耦合」以達成所要功能性,且能夠如此相關聯之任兩個組件亦可視為彼此「可操作地可耦合」以達成所要功能性。可操作地可耦合之特定實例包含(但不限於):實體可相配及/或實體互動之組件、及/或無線可互動及/或無線互動之組件、及/或邏輯互動及/或邏輯可互動之組件。
雖然已展示及描述本文中所描述之本發明標的之特定態樣,但熟習此項技術者將明白,基於本文中之教示,可在不脫離本文中所描述之標的及其更寬廣態樣之情況下做出改變及修改,且因此隨附申請專利範圍旨在將如落於本文中所描述之標的之真實精神及範疇內之全部此等改變及修改包含於其等範疇內。
此外,應理解,本發明係藉由隨附申請專利範圍所定義。此項技術者將理解,一般而言,本文中且尤其在隨附申請專利範圍中(例如,隨附申請專利範圍之主體)所使用之術語大體上意指「開放式」術語(例如,術語「包含」應解釋為「包含但不限於」,術語「具有」應解釋為「至少具有」,術語「包括」應解釋為「包括但不限於」等)。此項技術者將進一步理解,若預定一導入之請求項敘述之一特定數目,則此一意向將明確地敘述於申請專利範圍中,且在缺乏此敘述之情況下不存在任何此意向。例如,作為對理解之一幫助,以下隨附申請專利範圍可含有導入性片語「至少一個」及「一或多個」之使用以導入請求項敘述。然而,即使在相同請求項包含導入性片語「一或多個」或「至少一個」及不定冠詞(諸如「一」或「一個」(例如,「一」及/或「一個」應通常解釋為意謂「至少一個」或「一或多個」))時,使用此等片語不應解釋為意指藉由不定冠詞「一」或「一個」之一請求項敘述之導入將含有此導入之請求項敘述之任何特定請求項限於僅含有一此敘述之請求項;對於使用用於導入請求項敘述之定冠詞亦如此。此外,即使明確敘述一導入之請求項敘述之一特定數目,熟習此項技術者亦將認知,此敘述應通常解釋為意謂至少經敘述之數目(例如,不具有其他修飾語之「兩個敘述」之裸敘述通常意謂至少兩個敘述或兩個或兩個以上敘述)。此外,在其中使用類似於「A、B及C等之至少一者」之一慣例之該等例項中,一般而言在熟習此項技術者將理解該慣例(例如,「具有A、B及C之至少一者之一系
統」將包含(但不限於)僅具有A、僅具有B、僅具有C、具有A及B一起、具有A及C一起、具有B及C一起及/或具有A、B及C一起等之系統)之意義上預定此一建構。在其中使用類似於「A、B或C等之至少一者」之一慣例之該等例項中,一般而言在熟習此項技術者將理解該慣例(例如,「具有A、B或C之至少一者之一系統」將包含(但不限於)僅具有A、僅具有B、僅具有C、具有A及B一起、具有A及C一起、具有B及C一起及/或具有A、B及C一起等之系統)之意義上預定此一建構。此項技術者將進一步理解,事實上呈現兩個或兩個以上替代術語之轉折性字及/或片語(不管在描述、申請專利範圍還是圖式中)應理解為預期包含術語之一者、術語之任一者或兩個術語之可能性。例如,片語「A或B」將理解為包含「A」或「B」或「A及B」之可能性。
據信,將藉由前面描述理解本發明及許多其附屬優點,且將明白,可在不脫離所揭示之標的或不犧牲全部其材料優點之情況下作出組件之形式、構造及配置上之各種改變。所描述之形式僅為例示性的且以下申請專利範圍之目的涵蓋及包含此等改變。
100‧‧‧區塊對區塊之光罩檢查系統/系統
102‧‧‧光罩檢查子系統/基於帶電粒子之光罩檢查子系統/基於電子束之光罩檢查子系統
104‧‧‧照明源
106‧‧‧照明光學器件
108‧‧‧集光或成像光學器件
110‧‧‧偵測器
112‧‧‧光罩/光罩影像/實際光罩
114‧‧‧光罩載台
116‧‧‧控制器
118‧‧‧處理器
120‧‧‧記憶體/非暫時性記憶體媒體
121‧‧‧區塊對區塊之檢查模組/模組
123‧‧‧影像資料庫/資料庫
124‧‧‧幅帶影像/影像/幅帶
125‧‧‧區塊資訊資料庫/空間特性資料庫
126‧‧‧使用者介面
Claims (21)
- 一種用於區塊對區塊之光罩檢查之方法,其包括:使用一光罩檢查子系統獲取一光罩之一部分之一幅帶影像;識別該幅帶影像中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶影像中之該區塊之至少一第二事件;及判定該區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之該第一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一空間偏移之至少一者。
- 如請求項1之方法,其進一步包括:藉由根據該等經判定之該區塊之部位、一或多個幾何特性及一空間偏移之至少一者產生該區塊之該第一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一差異影像來識別該光罩上之一或多個缺陷。
- 如請求項1之方法,其中該使用一光罩檢查系統獲取該光罩之一部分之一幅帶影像包括:使用該光罩檢查子系統掃描一光罩之一幅帶以形成一幅帶影像;及儲存該幅帶影像。
- 如請求項1之方法,其進一步包括:儲存該區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之該第一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一空間偏移之該至少一者。
- 如請求項1之方法,其中藉由儲存一邏輯值陣列來儲存該一或多個幾何特性,其中該邏輯值係指示一重複區塊中之一或多個像 素。
- 如請求項1之方法,其中該識別該幅帶之該影像中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶之該影像中之該區塊之至少一第二事件包括:產生該幅帶影像之一自相關陣列;識別該自相關陣列中之一或多個局部峰值之一部位;藉由根據該一或多個局部峰值之該經識別部位平移該幅帶影像來產生一經偏移之幅帶影像;藉由對來自該幅帶影像之該經偏移之幅帶影像執行一減法常式而產生一差異影像;及識別具有低於一選定容限位準之一參數值之該差異影像中之一或多個區域。
- 如請求項6之方法,其中進一步包括:在產生一差異影像之前,使該經偏移之幅帶影像與在一子像素解析度下之該幅帶影像對準。
- 如請求項1之方法,其中該光罩檢查系統包括:一光學光罩檢查系統及一電子束光罩檢查系統之至少一者。
- 一種用於區塊對區塊之光罩檢查之系統,其包括:一光罩檢查子系統,其經組態以使用一光罩檢查系統掃描一光罩之一部分之一幅帶影像;及一控制器,其包含經組態以執行保持於一記憶體上之一組程式指令之一或多個處理器,該等程式指令經組態以:識別在該幅帶影像中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶影像中之該區塊之至少一第二事件;及判定該區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之該第 一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一空間偏移之至少一者。
- 如請求項9之系統,其中該控制器進一步經組態以:儲存該幅帶影像。
- 如請求項9之系統,其中該控制器進一步經組態以:儲存該區塊之一部位、一或多個幾何特性及該區塊之該第一事件與該區塊之該至少一第二事件之間之一空間偏移之該至少一者。
- 如請求項11之系統,其中藉由儲存一邏輯值陣列來儲存該一或多個幾何特性,其中該邏輯值係指示一重複區塊中之一或多個像素。
- 如請求項9之系統,其中該識別該幅帶之該影像中之一區塊之一第一事件及實質上類似於該區塊之該第一事件之該幅帶之該影像中之該區塊之至少一第二事件包括:產生該幅帶影像之一自相關陣列;識別該自相關陣列中之一或多個局部峰值之一部位;藉由根據該一或多個局部峰值之該經識別部位平移該幅帶影像來產生一經偏移之幅帶影像;藉由對來自該幅帶影像之該經偏移之幅帶影像執行一減法常式而產生一差異影像;及識別具有低於一選定容限位準之一參數值之該差異影像中之一或多個區域。
- 如請求項13之系統,其中該控制器進一步經組態以:在產生一差異影像之前,使該經偏移之幅帶影像與在一子像素解析度下之該幅帶影像對準。
- 如請求項9之系統,其中該光罩檢查系統包括: 一光學光罩檢查子系統及一電子束光罩檢查子系統之至少一者。
- 一種用於設計資料庫輔助之區塊對區塊之光罩檢查之方法,其包括:識別在用於一光罩之一設計資料庫內之該光罩之一組重複區塊;判定與該光罩之該組重複區塊相關聯之一或多個空間特性;儲存與該光罩之該組重複區塊相關聯之該一或多個空間特性;使用一光罩檢查子系統獲取該光罩之一部分之一影像;根據與該組重複區塊相關聯之該等經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第一成員之該經獲取影像之一第一部分;根據與該組重複區塊相關聯之該等經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第二成員之該經獲取影像之一第二部分;對準該經獲取影像之該第一部分及該經獲取影像之該第二部分;藉由對該經獲取影像之該第一部分及該經獲取影像之該第二部分執行一減法常式而產生一影像差異;及使用該經產生之差異影像識別該光罩上之一或多個缺陷。
- 如請求項16之方法,其中該藉由對該經獲取影像之該第一部分及該經獲取影像之該第二部分執行一減法常式來產生一影像差異包括:判定該經獲取影像之該第一部分及該經獲取影像之該第二部分之強度值之一差異。
- 如請求項16之方法,其中識別在用於該光罩之該資料庫內之該光罩之一組重複區塊包括:對用於該光罩之該設計資料庫執行一或多個額外程序。
- 如請求項18之方法,其中該一或多個額外程序包括:多邊形裂解、多邊形偏置及資料庫格式轉換之至少一者。
- 如請求項16之方法,其中該識別在用於該光罩之該資料庫內之該光罩之一組重複區塊係藉由檢測在用於該光罩之該資料庫中之一階層來執行。
- 如請求項16之方法,其進一步包括:使與該組重複區塊相關聯之該等經儲存之空間特性與該光罩相關聯;在使與該組重複區塊相關聯之該等經儲存之空間特性與該光罩相關聯之後,在其中用於該光罩之該設計資料庫不可用之一環境中檢查該光罩;使用該光罩檢查子系統獲取該光罩之一部分之一影像;根據與該組重複區塊相關聯之該等經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第一成員之該經獲取影像之一第一部分;根據與該組重複區塊相關聯之該等經儲存之空間特性識別對應於該組重複區塊之一第二成員之該經獲取影像之一第二部分;對準該經獲取影像之該第一部分及該經獲取影像之該第二部分;藉由對該經獲取影像之該第一部分及該經獲取影像之該第二部分執行一減法常式而產生一影像差異;及使用該經產生之差異影像識別該光罩上之一或多個缺陷。
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