KR102295266B1 - 내장 타겟을 사용한 설계에 대한 검사의 정렬 - Google Patents

Abstract

설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 하나의 방법은 시료에 대한 하나 이상의 정렬 타겟을 설계로부터 선택하는 것을 포함한다. 하나 이상의 정렬 타겟 중 적어도 일부는, 설계 데이터 공간에 대한 검사 결과의 정렬 이외의 목적을 위해 설계에 포함되는 내장 타겟을 포함한다. 하나 이상의 정렬 타겟 중 적어도 일부는 하나 이상의 개개의 디바이스 피쳐(feature)를 포함하지 않는다. 그 다음, 정렬 타겟(들)에 대한 하나 이상의 이미지 및 정렬 타겟(들)의 위치(들)에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력은, 검사 서브시스템에 의해 생성되는 다른 출력의 설계 데이터 공간 위치를 결정하기 위해 본원에서 설명되는 다양한 방식으로 사용될 수도 있다.

Description

내장 타겟을 사용한 설계에 대한 검사의 정렬

본 발명은 일반적으로 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.

다음의 설명 및 예는, 이 섹션에서의 이들의 포함 덕분에 종래 기술인 것으로 인정되지 않는다.

전자 설계 자동화(electronic design automation; EDA), 컴퓨터 지원 설계(computer aided design; CAD), 및 다른 IC 설계 소프트웨어와 같은 방법 또는 시스템을 사용하여 집적 회로(integrated circuit; IC) 설계가 개발될 수도 있다. 이러한 방법 및 시스템은, IC 설계로부터 회로 패턴 데이터베이스를 생성하기 위해 사용될 수도 있다. 회로 패턴 데이터베이스는 IC의 다양한 층에 대한 복수의 레이아웃을 표현하는 데이터를 포함한다. 회로 패턴 데이터베이스의 데이터는 복수의 레티클에 대한 레이아웃을 결정하기 위해 사용될 수도 있다. 레티클의 레이아웃은 일반적으로, 레티클 상의 패턴에서 피쳐(feature)를 정의하는 복수의 폴리곤(polygon)을 포함한다. 각각의 레티클은 IC의 다양한 레이아웃 중 하나를 제조하기 위해 사용된다. IC의 레이아웃은, 예를 들면, 반도체 기판에서의 접합 패턴, 게이트 유전체 패턴, 게이트 전극 패턴, 레벨간 유전체에서의 콘택 패턴, 및 금속화층(metallization layer) 상의 인터커넥트 패턴을 포함할 수도 있다.

본원에서 설명되는 바와 같은 용어 "설계 데이터"는, 일반적으로, IC의 물리적 설계(레이아웃) 및 복잡한 시뮬레이션 또는 간단한 기하학적 연산 및 불린(Boolean) 연산을 통해 물리적 설계로부터 유도되는 데이터를 가리킨다.

로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것은, 통상적으로, 다양한 피쳐 및 다수의 레벨의 반도체 디바이스를 형성하기 위한 아주 많은 수의 반도체 제조 프로세스를 사용하여 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 프로세싱하는 것을 포함한다. 예를 들면, 리소그래피는, 레티클로부터의 패턴을 반도체 웨이퍼 상에 배열되는 레지스트로 전사하는 것을 수반하는 반도체 제조 프로세스이다. 반도체 제조 프로세스의 추가 예는, 화학적 기계적 연마(chemical-mechanical polishing; CMP), 에칭, 퇴적(deposition), 및 이온 주입을 포함하지만, 그러나 이들로 한정되는 것은 아니다. 다수의 반도체 디바이스는 단일의 반도체 웨이퍼 상에서 배열체(arrangement)로 제조될 수도 있고, 그 후 개개의 반도체 디바이스로 분리될 수도 있다.

웨이퍼 상의 결함을 검출하여 제조 프로세스에서 더 높은 수율을, 따라서 더 높은 이익을 촉진시키기 위해, 반도체 제조 프로세스 동안 다양한 단계에서 검사 프로세스가 사용된다. 검사는 항상 IC와 같은 반도체 디바이스 제조의 중요한 부분이었다. 그러나, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 검사는 조건에 맞는(acceptable) 반도체 디바이스의 성공적인 제조에 더욱 중요하게 되었는데, 그 이유는 더 작은 결함이 디바이스의 고장을 야기할 수 있기 때문이다.

그러나, 디자인 룰(design rule)이 축소함에 따라, 반도체 제조 프로세스는 프로세스의 성능 능력에 대한 한계에 더 가깝게 동작하고 있을 수도 있다. 또한, 디자인 룰이 축소함에 따라, 더 작은 결함이 디바이스의 전기적 파라미터에 영향을 끼칠 수 있는데, 이것은 더욱 민감한 검사를 추진시킨다(drive). 따라서, 디자인 룰이 축소함에 따라, 검사에 의해 검출되는 잠재적 수율 관련 결함의 개체수가 극적으로 증가하고, 검사에 의해 검출되는 방해물 결함(nuisance defect)의 개체수도 또한 극적으로 증가한다. 따라서, 웨이퍼 상에서 점점 더 많은 결함이 검출될 수도 있고, 결함 전체를 제거하도록 프로세스를 교정하는 것은 어려울 수도 있고 비용이 많이 들 수도 있다.

최근, 검사 시스템 및 방법은 결함과 설계 사이의 관계에 초점을 맞추도록 설계되는 것이 증가세에 있는데, 그 이유는, 웨이퍼용 설계에 대한 영향이, 결함이 문제가 되는지의 여부 및 얼마나 많은 결함이 문제가 되는지를 결정할 것이기 때문이다. 예를 들면, 몇몇 방법은 검사 및 설계 좌표를 정렬하도록 개발되었다. 하나의 이러한 방법은, 설계에 대한 검사 시스템 좌표 등록의 정확도에 의존한다. 다른 이러한 방법은, 검사 이미지 패치(image patch) 및 관련된 설계 클립(clip)에 대해 후처리 정렬(post-processing alignment)을 수행하는 것을 수반한다.

그러나, 현존하는 검사 시스템 및 방법 중 많은 것에는 다수의 단점이 존재한다. 예를 들면, 방법이 설계에 대한 검사 시스템 좌표 등록의 정확도에 의존하는 경우, 방법은 필요로 되는 정렬 정확도를 반드시 제공하지는 않는다. 또한, 검사 이미지 패치 및 관련된 설계 클립에 대한 후처리 정렬은, 검사 패치 및 설계 클립에서 충분한 정보를 갖는지에 의존한다. 이 기준이 충족되지 않고, 관련되는 결함이 분석의 나머지에서 사용될 수 없거나 또는 더 나쁘게는 불량 데이터가 분석의 나머지를 통해 전파되어 출력의 정확도를 감소시키게 되는 경우가 종종 있다.

따라서, 상기에서 설명되는 하나 이상의 단점을 갖지 않는 설계 데이터 공간 내의 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 시스템 및/또는 방법을 개발하는 것이 유리할 것이다.

다양한 실시형태의 하기의 설명은, 첨부된 청구범위의 주제를 어떤 식으로든 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다.

하나의 실시형태는 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 시스템은, 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하는 검사 서브시스템을 포함한다. 에너지 소스는 시료로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성된다. 검출기는 시료로부터의 에너지를 검출하도록 그리고 검출된 에너지에 반응하는 출력을 생성하도록 구성된다. 상기 시스템은 또한 시료에 대한 하나 이상의 정렬 타겟을 설계로부터 선택하도록 구성되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템을 포함한다. 하나 이상의 정렬 타겟 중 적어도 일부는, 설계 데이터 공간에 대한 검사 결과의 정렬 이외의 목적을 위해 설계에 포함되는 내장 타겟(built in target)을 포함한다. 하나 이상의 정렬 타겟 중 적어도 일부는 하나 이상의 개개의 결함 피쳐를 포함하지 않는다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지를, 하나 이상의 정렬 타겟에 대응하는 설계의 하나 이상의 부분에 정렬하도록 구성된다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(들)은 하나 이상의 이미지를 정렬하는 결과에 기초하여 하나 이상의 이미지와 설계의 하나 이상의 부분 사이의 하나 이상의 오프셋을 결정하도록 구성된다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 시료 상의 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력을, 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지에 정렬하도록 구성된다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(들)은, 출력을 정렬하는 결과에 기초하여, 시료 상의 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 생성되는 출력과 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지 사이의 하나 이상의 추가적인 오프셋(additional offset)을 결정하도록 구성된다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 시료 상의 다른 위치에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치를, 하나 이상의 오프셋, 하나 이상의 추가적인 오프셋 및 시료 상의 다른 위치에서 생성되는 출력의 시료 공간 위치에 기초하여 결정하도록 구성된다. 시스템은 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

다른 실시형태는 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 방법은 상기에서 설명되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 기능의 각각에 대한 단계를 포함한다. 방법의 단계는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행된다. 방법은 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 또한, 방법은 본원에서 설명되는 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다. 또한, 방법은 본원에서 설명되는 시스템 중 임의의 것에 의해 수행될 수도 있다.

추가적인 실시형태는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위한, 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 관한 것이다. 컴퓨터 구현 방법은 상기에서 설명되는 방법의 단계를 포함한다. 컴퓨터 판독가능 매체는 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다. 컴퓨터 구현 방법의 단계는 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 또한, 프로그램 명령어가 실행 가능한 컴퓨터 구현 방법은 본원에서 설명되는 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다.

본 발명의 다른 목적 및 이점은, 하기의 상세한 설명을 읽으면 그리고 첨부의 도면을 참조하면 명확해질 것인데, 도면에서:
도 1 및 도 2는, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성되는 시스템의 실시형태의 측면도를 예시하는 개략도이다;
도 3 및 도 4는 정렬 타겟의 실시형태의 평면도를 예시하는 개략도이다;
도 5 내지 도 7은 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한, 본원에서 설명되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템 실시형태에 의해 수행될 수도 있는 단계의 실시형태를 예시하는 흐름도이다; 그리고
도 8은, 본원에서 설명되는 컴퓨터 구현 방법 중 하나 이상을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체의 하나의 실시형태를 예시하는 블록도이다.
본 발명이 다양한 수정예 및 대안적 형태를 허용하지만, 본 발명의 특정한 실시형태가 예로서 도면에서 도시되고 본원에서 상세히 설명될 것이다. 그러나, 도면 및 도면에 대한 상세한 설명은 본 발명을 개시되는 특정한 형태로 제한하도록 의도되는 것은 아니며, 오히려, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 취지와 범위 내에 들어 오는 모든 수정예, 등가예 및 대안예를 포괄할 것이다는 것이 이해되어야 한다.

본원에서 설명되는 바와 같은 용어 "설계" 및 "설계 데이터"는, 일반적으로, IC의 물리적 설계(레이아웃) 및 복잡한 시뮬레이션 또는 간단한 기하학적 연산 및 불린 연산을 통해 물리적 설계로부터 유도되는 데이터를 가리킨다. 또한, 레티클 검사 시스템에 의해 획득되는 레티클의 이미지 및/또는 그 파생물(derivative)은 설계에 대한 "프록시(proxy)" 또는 "프록시들"로서 사용될 수도 있다. 이러한 레티클 이미지 또는 그 유도물은 설계를 사용하는 본원에서 설명되는 임의의 실시형태에서 설계 레이아웃에 대한 대체물로서 기능할 수도 있다. 설계는, 공동 소유의 2009년 8월 4일자로 Zafar 등에게 발행된 미국 특허 제7,570,796호, 및 2010년 3월 9일자로 Kulkarni 등에게 발행된 미국 특허 제7,676,077호에서 설명되는 설계 데이터 프록시 또는 임의의 다른 데이터를 포함할 수도 있는데, 이들 두 특허는 참조에 의해, 마치 본원에서 완전히 개시되는 것처럼 통합된다. 또한, 설계 데이터는, 표준 셀 라이브러리 데이터, 통합 레이아웃 데이터, 하나 이상의 층에 대한 설계 데이터, 설계 데이터의 파생물, 및 전체 또는 부분 칩 설계 데이터일 수 있다.

그러나, 일반적으로, 설계 정보 또는 데이터는 웨이퍼를 웨이퍼 검사 시스템을 이용하여 이미지화하는(imaging) 것에 의해 생성될 수 없다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 형성되는 설계 패턴은 웨이퍼에 대한 설계를 정확하게 표현하지 않을 수도 있고, 웨이퍼 검사 시스템은 웨이퍼 상에 형성되는 설계 패턴의 이미지를, 그 이미지가 웨이퍼에 대한 설계에 관한 정보를 결정하는 데 사용될 수 있도록, 충분한 해상도를 가지고 생성할 수 없을 수도 있다. 따라서, 일반적으로, 설계 정보 또는 설계 데이터는 물리적 웨이퍼를 사용하여 생성될 수 없다. 또한, 본원에서 설명되는 "설계" 및 "설계 데이터"는, 설계 프로세스에서 반도체 디바이스 설계자에 의해 생성되며 따라서, 임의의 물리적 웨이퍼에 대한 설계의 인쇄에 앞서 본원에서 설명되는 실시형태에서의 사용에 이용 가능한 정보 및 데이터를 가리킨다.

이제, 도면을 참조하면, 도면은 일정한 비율로 묘사되지 않는다는 것을 유의한다. 특히, 도면의 엘리먼트 중 몇몇의 크기는 그 엘리먼트의 특성을 강조하기 위해 크게 과장된다. 도면은 동일한 비율로 묘사되지 않는다는 것을 또한 유의한다. 유사하게 구성될 수도 있는 하나보다 많은 도면에서 도시되는 엘리먼트는, 동일한 참조 부호를 사용하여 나타내어진다. 본원에서 그렇지 않다고 언급되지 않는 한, 설명되고 도시되는 엘리먼트 중 임의의 것은 임의의 적절한 상업적으로 이용 가능한 엘리먼트를 포함할 수도 있다.

하나의 실시형태는 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 실시형태는 시료 검사를 위한 내장 타겟을 갖는 설계에 대한 패턴 정렬(pattern to design alignment; PDA)을 위해 구성될 수도 있다. PDA 정확도는, 본원에서 더 설명되는 것과 같은 하나 이상의 기능을 수행하기 위해 검사 동안 설계 정보가 사용되는 것과 같은 소정 타입의 시료 검사에 중요하다.

하나의 실시형태에서, 시료는 웨이퍼를 포함한다. 다른 실시형태에서, 시료는 레티클을 포함한다. 웨이퍼 및 레티클은 기술 분야에서 공지되어 있는 웨이퍼 및 레티클을 포함할 수도 있다.

이러한 시스템의 하나의 실시형태는 도 1에서 도시된다. 시스템은, 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하는 검사 서브시스템을 포함한다. 에너지 소스는 시료로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성된다. 검출기는 시료로부터의 에너지를 검출하도록 그리고 검출된 에너지에 반응하는 출력을 생성하도록 구성된다.

하나의 실시형태에서, 시료로 지향되는 에너지는 광을 포함하고, 시료로부터 검출되는 에너지는 광을 포함한다. 예를 들면, 도 1에서 도시되는 시스템의 실시형태에서, 검사 서브시스템(10)은 시료(14)에 광을 지향시키도록 구성되는 조명 서브시스템을 포함한다. 조명 서브시스템은 적어도 하나의 광원을 포함한다. 예를 들면, 도 1에서 도시되는 바와 같이, 조명 서브시스템은 광원(16)을 포함한다. 하나의 실시형태에서, 조명 서브시스템은 하나 이상의 입사각에서 시료에 광을 지향시키도록 구성되는데, 하나 이상의 입사각은 하나 이상의 경사각(oblique angle) 및/또는 하나 이상의 수직각(normal angle)을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 도 1에서 도시되는 바와 같이, 광원(16)으로부터의 광은 광학 엘리먼트(18)와 그 다음 렌즈(20)를 통해 빔 스플리터(21)로 지향되는데, 빔 스플리터(21)는 수직의 입사각에서 광을 시료(14)로 지향시킨다. 입사각은 임의의 적절한 입사각을 포함할 수도 있는데, 임의의 적절한 입사각은, 예를 들면, 시료 및 시료 상에서 검출될 결함의 특성에 의존하여 변할 수도 있다.

조명 서브시스템은 상이한 시간에 상이한 입사각에서 시료로 광을 지향시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 검사 서브시스템은, 도 1에서 도시되는 것과는 상이한 입사각에서 광이 시료로 지향될 수 있도록, 조명 서브시스템의 하나 이상의 엘리먼트의 하나 이상의 특성을 수정하도록 구성될 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 검사 서브시스템은, 광이 상이한 입사각에서 시료로 지향되도록, 광원(16), 광학 엘리먼트(18), 및 렌즈(20)를 이동시키게끔 구성될 수도 있다.

몇몇 경우에, 검사 서브시스템은 동시에 하나보다 많은 입사각에서 시료에 광을 지향시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 조명 서브시스템은 하나보다 많은 조명 채널을 포함할 수도 있고, 조명 채널 중 하나는 도 1에서 도시되는 바와 같이 광원(16), 광학 엘리먼트(18), 및 렌즈(20)를 포함할 수도 있고, 조명 채널 중 다른 것(도시되지 않음)은, 상이하게 또는 동일하게 구성될 수도 있는 유사한 엘리먼트를 포함할 수도 있거나, 또는 적어도 광원 및 어쩌면 본원에서 더 설명되는 것과 같은 하나 이상의 다른 컴포넌트를 포함할 수도 있다. 이러한 광이 다른 광과 동일한 시간에 시료로 지향되면, 상이한 입사각에서 시료로 지향되는 광의 하나 이상의 특성(예를 들면, 파장, 편광, 등등)은, 상이한 입사각에서 시료의 조명으로부터 유래하는 광이 검출기(들)에서 서로 구별될 수 있도록, 상이할 수도 있다.

다른 경우에, 조명 서브시스템은 단지 하나의 광원(예를 들면, 도 1에서 도시되는 소스(16))을 포함할 수도 있고, 광원으로부터의 광은 조명 서브시스템의 하나 이상의 광학 엘리먼트(도시되지 않음)에 의해(예를 들면, 파장, 편광, 등등에 기초하여) 상이한 광학 경로로 분리될 수도 있다. 그 다음, 상이한 광학 경로의 각각에서의 광은 시료로 지향될 수도 있다. 동시에 또는 상이한 시간에(예를 들면, 시료를 순차적으로 조명하기 위해 상이한 조명 채널이 사용되는 경우) 광을 시료에 지향시키도록, 다수의 조명 채널이 구성될 수도 있다. 다른 경우에, 동일한 조명 채널은, 상이한 시간에 상이한 특성을 사용하여 시료에 광을 지향시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 몇몇 경우에, 광학 엘리먼트(18)는 스펙트럼 필터로서 구성될 수도 있고, 스펙트럼 필터의 속성(property)은, 광의 상이한 파장이 상이한 시간에 시료로 지향될 수 있도록, 여러가지 상이한 방식으로(예를 들면, 스펙트럼 필터를 교환하는 것에 의해) 변경될 수 있다. 조명 서브시스템은, 상이한 또는 동일한 특성을 갖는 광을 상이한 또는 동일한 입사각에서 순차적으로 또는 동시적으로 시료로 지향시키기 위한 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 구성을 구비할 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 광원(16)은 광대역 플라즈마(broadband plasma; BBP) 광원을 포함할 수도 있다. 이 방식에서, 광원에 의해 생성되며 시료로 지향되는 광은 광대역 광을 포함할 수도 있다. 그러나, 광원은 레이저와 같은 임의의 다른 적절한 광원을 포함할 수도 있다. 레이저는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 레이저를 포함할 수도 있고 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 파장 또는 파장들에서 광을 생성하도록 구성될 수도 있다. 또한, 레이저는 단색성인(monochromatic) 또는 거의 단색성인 광을 생성하도록 구성될 수도 있다. 이 방식에서, 레이저는 협대역(narrowband) 레이저일 수도 있다. 광원은 또한, 다수의 별개의 파장 또는 파장 대역(waveband)에서 광을 생성하는 다색성 광원(polychromatic light source)을 포함할 수도 있다.

광학 엘리먼트(18)로부터의 광은 렌즈(20)에 의해 빔 스플리터(21)로 집광될 수도 있다. 비록 렌즈(20)가 도 1에서 단일의 굴절성 광학 엘리먼트로서 도시되지만, 렌즈(20)는, 실제로는, 조합하여 광학 엘리먼트로부터의 광을 시료로 집광시키는 다수의 굴절성 및/또는 반사성 광학 엘리먼트를 포함할 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 도 1에서 도시되며 본원에서 설명되는 조명 서브시스템은 임의의 다른 적절한 광학 엘리먼트(도시되지 않음)를 포함할 수도 있다. 이러한 광학 엘리먼트의 예는, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 이러한 적절한 광학 엘리먼트를 포함할 수도 있는, 편광 컴포넌트(들), 스펙트럼 필터(들), 공간 필터(들), 반사성 광학 엘리먼트(들), 아포다이저(apodizer)(들), 빔 스플리터(들), 어퍼쳐(들), 및 등등을 포함하지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 또한, 시스템은, 검사를 위해 사용될 조명의 타입에 기초하여 조명 서브시스템의 엘리먼트 중 하나 이상을 수정하도록 구성될 수도 있다.

검사 서브시스템은 또한, 광으로 하여금 시료에 걸쳐 스캔되게 하도록 구성되는 스캐닝 서브시스템을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 검사 서브시스템은, 검사 동안 시료(14)가 배치되는 스테이지(22)를 포함할 수도 있다. 스캐닝 서브시스템은, 광이 시료에 걸쳐 스캐닝될 수 있도록, 시료를 이동시키도록 구성될 수 있는 임의의 적절한 기계적 및/또는 로봇식 어셈블리(스테이지(22)를 포함함)를 포함할 수도 있다. 추가적으로, 또는 대안적으로, 검사 서브시스템은, 검사 서브시스템의 하나 이상의 광학 엘리먼트가 시료에 걸쳐 광의 약간의 스캐닝을 수행하도록 구성될 수도 있다. 광은 임의의 적절한 방식으로 시료에 대해 스캐닝될 수도 있다.

검사 서브시스템은 하나 이상의 검출 채널을 더 포함한다. 하나 이상의 검출 채널 중 적어도 하나는, 검사 서브시스템에 의한 시료의 조명에 기인하는 광을 시료로부터 검출하도록 그리고 검출된 광에 응답하는 출력을 생성하도록 구성되는 검출기를 포함한다. 예를 들면, 도 1에서 도시되는 검사 서브시스템은, 두 개의 검출 채널을 포함하는데, 하나는 콜렉터(24), 엘리먼트(26), 및 검출기(28)에 의해 형성되고 다른 하나는 콜렉터(30), 엘리먼트(32), 및 검출기(34)에 의해 형성된다. 도 1에서 도시되는 바와 같이, 두 개의 검출 채널은 상이한 수집각에서 광을 수집하고 검출하도록 구성된다. 몇몇 경우에, 하나의 검출 채널은 거울 반사된(specularly reflected) 광을 검출하도록 구성되고, 다른 검출 채널은 시료로부터 거울 반사(예를 들면, 산란, 회절, 등등)되지 않는 광을 검출하도록 구성된다. 그러나, 검출 채널 중 둘 이상은, 시료로부터 동일한 타입의 광(예를 들면, 거울 반사된 광)을 검출하도록 구성될 수도 있다. 두 개의 검출 채널을 포함하는 검사 서브시스템의 한 실시형태를 도 1이 도시하지만, 검사 서브시스템은 상이한 수의 검출 채널(예를 들면, 단지 하나의 검출 채널 또는 두 개 이상의 검출 채널)을 포함할 수도 있다. 비록 콜렉터의 각각이 도 1에서 단일의 굴절성 광학 엘리먼트로서 도시되지만, 콜렉터의 각각은 하나 이상의 굴절성 광학 엘리먼트(들) 및/또는 하나 이상의 반사성 광학 엘리먼트(들)를 포함할 수도 있다는 것이 이해되어야 한다.

하나 이상의 검출 채널은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 검출기를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 검출기는, 광 증배관(photo-multiplier tube; PMT), 전하 결합 소자(charge coupled device; CCD) 및 시간 지연 통합(time delay integration; TDI) 카메라를 포함할 수도 있다. 검출기는 또한 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 검출기를 포함할 수도 있다. 검출기는 또한, 비이미징(non-imaging) 검출기 또는 이미징(imaging) 검출기를 포함할 수도 있다. 이 방식에서, 검출기가 비이미징 검출기이면, 검출기의 각각은, 세기와 같은 산란된 광의 소정의 특성을 검출하도록 구성될 수도 있지만, 그러나 이미징 면 내에서의 위치의 함수와 같은 특성을 검출하도록 구성되지 않을 수도 있다. 그러한 만큼, 검사 서브시스템의 검출 채널의 각각에 포함되는 검출기의 각각에 의해 생성되는 출력은 신호 또는 데이터일 수도 있지만, 그러나 이미지 신호 또는 이미지 데이터는 아닐 수도 있다. 이러한 경우에, 시스템의 컴퓨터 서브시스템(36)과 같은 컴퓨터 서브시스템은, 검출기의 비이미징 출력으로부터 시료의 이미지를 생성하도록 구성될 수도 있다. 그러나, 다른 경우에, 검출기는, 이미징 신호 또는 이미지 데이터를 생성하도록 구성되는 이미징 검출기로서 구성될 수도 있다. 따라서, 시스템은 다수의 방식으로 본원에서 설명되는 출력을 생성하도록 구성될 수도 있다.

도 1은, 본원에서 설명되는 시스템 실시형태에 포함될 수도 있는 검사 서브시스템의 구성을 일반적으로 예시하도록 본원에서 제공된다는 것을 유의한다. 명백하게는, 본원에서 설명되는 검사 서브시스템 구성은 검사 시스템의 성능을 최적화하도록 수정될 수도 있는데, 이러한 것은 상업적 검사 시스템을 설계할 때 일반적으로 수행되는 것이다. 또한, 본원에서 설명되는 시스템은, KLA-Tencor로부터 상업적으로 입수가능한 28XX 및 29XX 시리즈의 툴과 같은 현존하는 검사 시스템을 사용하여 (예를 들면, 본원에서 설명되는 기능성을 현존하는 검사 시스템에 추가하는 것에 의해) 구현될 수도 있다. 몇몇 이러한 시스템에서, 본원에서 설명되는 방법은 시스템의 옵션적인 기능성으로서 (예를 들면, 시스템의 다른 기능성에 추가하여) 제공될 수도 있다. 대안적으로, 본원에서 설명되는 시스템은, 완전히 새로운 시스템을 제공하기 위해 "맨 처음부터(from scratch)" 설계될 수도 있다.

시스템의 컴퓨터 서브시스템(36)은, 컴퓨터 서브시스템이 시료의 스캐닝 동안 검출기에 의해 생성되는 출력을 수신할 수 있도록, (예를 들면, "유선" 및/또는 "무선" 송신 매체를 포함할 수도 있는 하나 이상의 송신 매체를 통해) 임의의 적절한 방식으로 검사 서브시스템의 검출기에 커플링될 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(36)은 본원에서 설명되는 바와 같은 검출기의 출력 및 본원에서 더 설명되는 임의의 다른 기능을 사용하여 다수의 기능을 수행하도록 구성될 수도 있다. 이 컴퓨터 서브시스템은 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

이 컴퓨터 서브시스템(뿐만 아니라 본원에서 설명되는 다른 컴퓨터 서브시스템)은 또한, 본원에서 컴퓨터 시스템(들)으로 칭해질 수도 있다. 본원에서 설명되는 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)의 각각은, 퍼스널 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 어플라이언스, 인터넷 어플라이언스, 또는 다른 디바이스를 비롯한 다양한 형태를 취할 수도 있다. 일반적으로, 용어 "컴퓨터 시스템"은, 메모리 매체로부터의 명령어를 실행하는 하나 이상의 프로세서를 구비하는 임의의 디바이스를 포괄하도록 광의적으로 정의될 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 또한, 병렬 프로세서와 같은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 프로세서를 포함할 수도 있다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은, 고속 프로세싱 및 소프트웨어를, 독립형의 또는 네트워크화된 툴로서 갖는 컴퓨터 플랫폼을 포함할 수도 있다.

시스템이 하나보다 많은 컴퓨터 서브시스템을 포함하면, 상이한 컴퓨터 서브시스템은, 이미지, 데이터, 정보, 명령어, 등등이, 본원에서 더 설명되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템 사이에서 전송될 수 있도록, 서로 커플링될 수도 있다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(36)은, (도 1에서 점선에 의해 도시되는 바와 같이) 임의의 적절한 송신 매체에 의해 컴퓨터 서브시스템(들)(102)에 커플링될 수도 있는데, 임의의 적절한 송신 매체는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 유선 및/또는 무선 송신 매체를 포함할 수도 있다. 이러한 컴퓨터 서브시스템 중 두 개 이상은 또한, 공유된 컴퓨터 판독가능 저장 매체(도시되지 않음)에 의해 효과적으로 커플링될 수도 있다.

검사 서브시스템이 광학 또는 광 기반의 검사 서브시스템인 것으로 상기에서 설명되었지만, 검사 서브시스템은 전자 빔 기반의 검사 서브시스템일 수도 있다. 예를 들면, 하나의 실시형태에서, 시료로 지향되는 에너지는 전자를 포함하고, 시료로부터 검출되는 에너지는 전자를 포함한다. 이러한 방식에서, 에너지 소스는 전자 빔 소스 일 수도 있다. 도 2에서 도시되는 하나의 이러한 실시형태에서, 검사 서브시스템은 컴퓨터 서브시스템(124)에 커플링되는 전자 칼럼(122)을 포함한다.

또한 도 2에서 도시되는 바와 같이, 전자 칼럼은, 하나 이상의 엘리먼트(130)에 의해 시료(128)로 집속되는 전자를 생성하도록 구성되는 전자 빔 소스(126)를 포함한다. 전자 빔 소스는, 예를 들면, 캐소드 소스 또는 에미터 팁을 포함할 수도 있고, 하나 이상의 엘리먼트(130)는, 예를 들면, 건 렌즈(gun lens), 애노드, 빔 제한용 어퍼쳐(beam limiting aperture), 게이트 밸브, 빔 전류 선택 어퍼쳐, 대물 렌즈, 및 스캐닝 서브시스템을 포함할 수도 있는데, 이들 모두는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 그런 적절한 엘리먼트를 포함할 수도 있다.

시료로부터 되돌아오는 전자(예를 들면, 이차 전자)는 하나 이상의 엘리먼트(132)에 의해 검출기(134)로 집속될 수도 있다. 하나 이상의 엘리먼트(132)는, 예를 들면, 스캐닝 서브시스템을 포함할 수도 있는데, 스캐닝 서브시스템은 엘리먼트(들)(130)에 포함되는 동일한 스캐닝 서브시스템일 수도 있다.

전자 칼럼은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 엘리먼트를 포함할 수도 있다. 게다가, 전자 칼럼은 또한, 2014년 4월 4일자로 발행된 Jiang 등등의 미국 특허 제8,664,594호, 2014년 4월 8일자로 발행된 Kojima 등등의 미국 특허 제8,692,204호, 2014년 4월 15일자로 발행된 Gubbens 등등의 미국 특허 제8,698,093호, 및 2014년 5월 6일자로 발행된 MacDonald 등등의 미국 특허 제8,716,662호에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있는데, 이들 특허는 참조에 의해 마치 본원에서 완전히 개시되는 것처럼 통합된다.

전자가 비스듬한 입사각에서 시료로 지향되도록 그리고 다른 비스듬한 각도에서 시료로부터 산란되도록 구성되는 것으로 전자 칼럼이 도 2에서 도시되지만, 전자 빔은 임의의 적절한 각도에서 시료로 지향될 수도 있고 시료로부터 산란될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 게다가, 전자 빔 기반의 서브시스템은, (예를 들면, 상이한 조명 각도, 수집 각도, 등등을 사용하여) 시료의 이미지를 생성하기 위해 다수의 모드를 사용하도록 구성될 수도 있다. 전자 빔 기반의 서브시스템의 다수의 모드는 서브시스템의 임의의 이미지 생성 파라미터에서 상이할 수도 있다.

컴퓨터 서브시스템(124)은 상기에서 설명되는 바와 같이 검출기(134)에 커플링될 수도 있다. 검출기는 시료의 표면으로부터 되돌아오는 전자를 검출하고 그에 의해 시료의 전자 빔 이미지를 형성할 수도 있다. 전자 빔 이미지는 임의의 적절한 전자 빔 이미지를 포함할 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(124)은 검출기의 출력 및/또는 전자 빔 이미지를 사용하여 본원에서 설명되는 기능 중 임의의 것을 수행하도록 구성될 수도 있다.

컴퓨터 서브시스템(124)은 본원에서 설명되는 임의의 추가적인 단계(들)를 수행하도록 구성될 수도 있다. 도 2에서 도시되는 검사 서브시스템을 포함하는 시스템은 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

도 2는, 본원에서 설명되는 실시형태에 포함될 수도 있는 전자 빔 기반의 검사 서브시스템의 구성을 일반적으로 예시하기 위해 본원에서 제공된다는 것을 유의한다. 상기에서 설명되는 광학적 검사 서브시스템에서와 같이, 본원에서 설명되는 전자 빔 기반의 검사 서브시스템 구성은 검사 서브시스템의 성능을 최적화하도록 수정될 수도 있는데, 이러한 것은 상업적 검사 시스템을 설계할 때 일반적으로 수행되는 것이다. 게다가, 본원에서 설명되는 시스템은, KLA-Tencor로부터 상업적으로 입수가능한 eSxxx 시리즈의 툴과 같은 현존하는 검사 시스템을 사용하여 (예를 들면, 본원에서 설명되는 기능성을 현존하는 검사 시스템에 추가하는 것에 의해) 구현될 수도 있다. 몇몇 이러한 시스템에서, 본원에서 설명되는 방법은 시스템의 옵션적인 기능성으로서 (예를 들면, 시스템의 다른 기능성에 추가하여) 제공될 수도 있다. 대안적으로, 본원에서 설명되는 시스템은, 완전히 새로운 시스템을 제공하기 위해 "맨 처음부터(from scratch)" 설계될 수도 있다.

검사 서브시스템은 광 기반의 또는 전자 빔 기반의 검사 서브시스템인 것으로 상기에서 설명되지만, 검사 서브시스템은 이온 빔 기반의 검사 서브시스템일 수도 있다. 이러한 검사 서브시스템은 전자 빔 소스가 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적합한 이온 빔 소스로 대체될 수도 있다는 점을 제외하면 도 2에 도시되는 바와 같이 구성될 수도 있다. 게다가, 검사 서브시스템은 상업적으로 이용 가능한 집속 이온빔(focused ion beam; FIB) 시스템, 헬륨 이온 현미경(helium ion microscopy; HIM) 시스템 및 2 차 이온 질량 분광기(secondary ion mass spectroscopy; SIMS) 시스템에 포함되는 것과 같은 임의의 다른 적합한 이온빔 기반의 서브시스템 일 수도 있다.

상기에서 설명되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 시료에 대한 하나 이상의 정렬 타겟을 설계로부터 선택하도록 구성된다. 설계는 본원에서 더 설명되는 설계 데이터 또는 정보 중 임의의 것을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 정렬 타겟을 선택하는 것은 시료에 대한 설계 데이터를 사용하여 수행될 수도 있고, 설계 데이터는 본원에서 설명되는 상이한 타입의 설계 데이터 중 임의의 것을 포함할 수도 있다. 이 방식에서, 몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟을 선택하는 것은 시료의 물리적 버전을 사용하지 않고 수행된다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태는, 상부에 설계가 인쇄 또는 형성된 시료를 스캐닝하고 그 다음 스캐닝의 결과에 기초하여 정렬 타겟(들)을 선택하는 것에 의해, 정렬 타겟(들)을 반드시 선택하지는 않는다. 이 방식에서, 본원에서 설명되는 정렬 타겟(들)은 시료에 대한 설계로부터 획득될 수도 있고, 타겟 이미지를 획득하기 위해 시료 이미지로부터 시작하고 정렬을 위해 대응하는 설계 클립 또는 설계의 일부를 포착하는(grabbing) 대신, 본원에서 설명되는 바와 같이 대응하는 시료 이미지에 정렬될 것이다. 이 방식에서, 일단 정렬 타겟이 설계를 사용하여 선택되면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 각각의 타겟에 대한 설계를 획득할 수도 있다. 이들 단계는 검사 서브시스템을 사용하여 시료 대해 수행될 검사 프로세스의 셋업 동안 수행될 수도 있다.

따라서, 이러한 실시형태는 정렬 타겟을 선택하기 위한 다른 방법에 비해 다수의 이점을 갖는다. 예를 들면, 시료에 대한 설계를 사용하여 정렬 타겟을 선택하는 것은 오프라인으로 수행될 수 있다. 따라서 오프라인에서의 설계 타겟 포착은 중요한 생산 검사 실행(production inspection run)을 위한 툴 시간을 확보할 수 있다. 대조적으로, 툴 상에서 이미지 포착을 수행하는 것에 의해 정렬 타겟을 선택하는 것은, 검사 프로세스 셋업에 셋업 시간(예를 들면, 10 내지 15분)을 추가할 수 있다.

하나 이상의 정렬 타겟 중 적어도 일부는, 설계 데이터 공간에 대한 검사 결과의 정렬 이외의 목적을 위해 설계에 포함되는 내장 타겟(built in target)을 포함한다. 따라서, 타겟의 적어도 일부에 있는 하나 이상의 정렬 타겟은, 본원에서 내장 타겟(들)으로 지칭된다. 내장 타겟(들)은 시료 좌표 시스템에 대한 설계의 새로운 방식의 정렬을 제공한다. 본원에서 설명되는 실시형태는, 유리하게도, 타겟 선택의 일관성으로 인해 PDA 결과의 더 높은 신뢰성 및 정확성을 제공할 수 있다. 따라서, 검사 결과를 설계 데이터 공간에 정렬하는 것은, 검사 결과에 대한 설계 데이터 공간 좌표를 결정하는 것을 포함할 수도 있다. 설계 데이터 공간 위치가 결정되는 검사 결과는, 본원에서 설명되는 검사 서브시스템 또는 컴퓨터 서브시스템의 검출기에 의해 생성되는 미가공 출력(raw output)(데이터 또는 이미지) 및/또는 미가공 출력이 어떤 방식으로 프로세싱된 이후의 이러한 미가공 출력을 포함하는 본원에서 설명되는 검사 결과 중 임의의 것을 포함할 수도 있고 결함에 대응하는 출력 및/또는 시료 상에서 검출되는 결함에 대응하지 않는 출력을 포함할 수도 있다. 검사 결과는 시료에 대해 결함 검출이 수행되기 이전 및 이후를 포함하는 임의의 적절한 시간에 내장 타겟(들)을 사용하여 설계 데이터 공간에 정렬될 수도 있다. 내장 타겟(들)의 목적은, 본원에서 더 설명되는 목적 또는 설계에 대한 검사 결과의 정렬 이외에 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 목적 중 하나를 포함할 수도 있다.

하나 이상의 정렬 타겟 중 적어도 일부는 하나 이상의 개개의 디바이스 피쳐를 포함하지 않는다. 예를 들면, 설계에 대한 검사의 정렬은, 디바이스 피쳐의 통상적으로 고유한 기하 형상(geometry)으로 인해, 정렬을 위해 디바이스 피쳐의 사용에 중점을 두고 있는데, 디바이스 피쳐의 통상적으로 고유한 기하 형상은 디바이스 피쳐를 검사 시스템 출력 및 설계에서의 상대적으로 정확한 식별 및 상대적으로 정확한 정렬에 특히 적합하게 만든다. 그러나, 몇몇 경우에서는, 설계에 대한 정렬 목적에 적합한 디바이스 피쳐가 주어진 영역에서 이용 불가능할 수도 있다. 예를 들면, 몇몇 경우에, 시료 또는 설계의 영역에서의 디바이스 피쳐의 반복적인 성질은, 시료 상의 또는 설계에서의 상대적으로 작은 영역 내에서, 고유성의 부족으로 인해 적합한 정렬 피쳐가 이용 불가능하다는 것을 의미할 수도 있다. 설계에 정렬하기 위해 사용되고 있는 출력으로부터 상대적으로 멀리 있는 정렬 타겟이 일부 정렬 목적 및/또는 어떤 잘 제어된 상황에 대해 충분하고 및/또는 적합할 수도 있지만, 종종, 설계에 정렬하고 그에 의해 정렬 프로세스의 정확도를 증가시키기 위해 사용되고 있는 검사 결과에 가능한 한 근접한 정렬 타겟(들)과의 로컬 정렬을 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 최근에, 검사 시스템 출력에서 결함을 검출하기 위해 사용될 적절한 검출 감도를 결정하는 것 및 검출된 결함의 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 것과 같은 목적을 위해, 설계에 대한 검사 결과의 위치가 실질적으로 높은 정확도로 결정될 수 있도록, 설계에 대해 검사 결과를 서브 픽셀 정확도로(예를 들면, 단지 수 나노미터 크기로) 정렬할 수 있는 것이 특히 유리하게 되었다. 따라서, 고도로 국소적인 규모로 설계에 대한 정렬을 수행하는 것이 특히 유리하게 되었다. 그러한 만큼, 본원에서 설명되는 내장 타겟은, 적합한 디바이스 피쳐가 정렬 목적에 이용 가능하지 않을 때 및/또는 소망되는 국소적인 규모의 정렬에 이용 가능하지 않을 때, 설계에 대한 검사 결과의 정렬을 위해 유리하게 사용될 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는 계측 셀의 코너를 포함한다. 다른 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는 계측 셀의 중심을 포함한다. 예를 들면, 종종, 오버레이, 필름, 등등의 측정을 위한 타겟으로서 다이 내에 내장 패턴이 존재한다. 본원에서 설명되는 실시형태는 시료 검사를 위해 다이 내에서 이들과 같은 내장 타겟을 사용하도록 구성된다. 특히, 계측 셀 구조체의 중심 또는 코너는 실질적으로 정확한 정렬을 위해 사용될 수 있다.

하나의 이러한 예에서, 도 3에서 도시되는 바와 같이, 계측 셀(300)은 다양한 측정을 수행하기에 적합하도록 설계되는 다수의 상이한 패턴화된 피쳐를 포함할 수도 있다. 특히, 계측 셀의 한 부분(304)의 확대도(302)에서 도시되는 바와 같이, 계측 셀은 수직선(또는 공간)(306) 및 수평선(또는 공간)(308)과 같은 계측 구조체를 포함할 수도 있다. 수직 및 수평 피쳐는 하나 이상의 상이한 측정을 수행하는 데 사용될 수도 있다. 도 3에서 도시되는 계측 셀의 전체 음영 부분에는, 동일한 피쳐(또는 다른 피쳐와 조합한 동일한 피쳐)가 포함될 수도 있다. 도 3에 더 도시되는 바와 같이, (비록 정렬을 위해 계측 타겟의 코너만을 사용하는 것 또는 중심만을 사용하는 것도 가능하지만) 계측 셀(300)의 코너(310)는 하나의 정렬 타겟(312)으로서 사용될 수도 있고, 계측 셀(300)의 중심(314)은 다른 정렬 타겟(318)으로서 사용될 수도 있다. 계측 셀이 널리 공지된 랜드 마크 위치이기 때문에, 설계에 대한 검사의 정렬의 목적을 위한 계측 셀을 검색하는 것은 본원에서 설명되는 실시형태의 사용의 용이성에 추가된다.

또 다른 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는 정적 랜덤 액세스 메모리(static random access memory; SRAM) 구조체의 코너를 포함한다. 설계에 대한 검사의 정렬의 목적을 위해 SRAM 코너를 검색하는 것은, 이들이 널리 공지된 랜드마크 위치이기 때문에, 본원에서 설명되는 실시형태의 사용의 용이성에 추가된다. 예를 들면, 도 4에서 도시되는 바와 같이, SRAM 구조체(400)는 4 개의 코너(402, 404, 406 및 408)를 포함할 수도 있고, 구조체의 코너의 각각은 내장 타겟(즉, 내장 타겟(410, 412, 414, 및 416)으로서 사용될 수도 있다. SRAM 구조체 내에서, 동일한 특성을 각각 구비하는 반복 소자 피쳐(도 4에 도시되지 않음)만이 형성될 수도 있다. 그러한 만큼, SRAM 구조체 내에서, 설계에 대한 검사의 정렬에 적합한 임의의 디바이스 피쳐(들)는 존재하지 않을 수도 있다. 그러나, 본원에서 설명되는 실시형태는, 설계에 대한 정렬의 목적을 위해 SRAM 코너를 정렬 타겟(들)으로서 사용하도록 구성될 수 있다. 결과적으로, 본원에서 설명되는 설계에 대한 정렬은 대략적으로 SRAM 구조체 주기와 동일한 국소적 규모로 수행될 수 있다. 이러한 방식에서, SRAM 구조체의 코너는 실질적으로 정확한 정렬을 위해 사용될 수 있다.

추가적인 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는 구조체의 코너를 포함한다. 예를 들면, SRAM 코너에 대해 상기에서 설명되는 것과 유사한 방식으로, 상대적으로 찾기 쉬운 구조체(이들은 다수의 더 작은 구조체로 형성될 수도 있음)의 중심 또는 코너는 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 실질적으로 정확한 정렬을 위해 사용될 수도 있다.

다른 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는 리소그래피 노광 툴에 의한 사용을 위해 설계되는 정렬 타겟을 포함한다. 예를 들면, 종종, 스캐너 또는 다른 리소그래피 노광 툴에 대한 정렬 타겟으로서 기능하는 내장 패턴이 다이 내에 존재한다. 본원에서 설명되는 실시형태는 시료 검사를 위해 다이 내의 이러한 내장 타겟을 사용하도록 구성된다. 게다가, 본원에서 설명되는 실시형태는, 기술 분야에서 공지되어 있는 스캐너 또는 다른 리소그래피 노광 툴에 의한 사용을 위해 구성되는 임의의 내장 타겟을 본원에서 설명되는 정렬을 위해 사용하도록 구성될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는, 시료 상의 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 출력을 생성하기 위해 사용되는 검사 서브시스템의 하나 이상의 모드에 기초하여 선택되지 않는다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태와는 대조적으로, 현재 사용되는 PDA 방법은, 정렬하기 쉬운 수평 및 수직 피쳐를 갖는 패턴을 갖는 정렬 타겟을 발견하는 것에 의해 수행될 수도 있다. 게다가, 타겟은 광학 모드에 의존할 수도 있다. 이 방식에서, 각각의 광학 모드에 대해, 기준(예를 들면, 설계 또는 설계로부터 시뮬레이팅되는 이미지)에 정렬될 수 있도록 충분한 해상도를 갖는 광학 모드에 의해 이미지화될 수 있는 타겟이 선택되도록, 상이한 정렬 모드가 상이한 광학 모드에 대해 선택될 수도 있다. 그러한 만큼, 때로는, 광학 모드에 의한 시료 상에서의 패턴의 억제 또는 설계에서의 패턴의 부족으로 인해, 충분하지 않은 타겟이 발견될 수 있다. 그러나, 본원에서 설명되는 정렬 타겟(들)의 적어도 일부는, 출력을 생성하고 그에 의해 본원에서 설명되는 기준(예를 들면, 설계 또는 시뮬레이팅된 이미지) 중 하나에 대한 출력의 정렬을 허용하기 위해 사용되는 광학 모드에 무관하게, 충분한 해상도를 가지고 검사 서브시스템의 출력에서 분해될 수도 있다는 점에서, 광학 모드에 실질적으로 영향을 받지 않을 수도 있다. 이 방식에서, 본원에서 설명되는 정렬 타겟(들)은 광학 모드에 독립적일 수도 있다(또는 광학 모드에 의존하지 않을 수도 있다). 그러한 만큼, 본원에서 설명되는 정렬 타겟(들)은, 사용되는 광학 모드(들)에서 검사 프로세스가 변경 되더라도, 정렬 타겟(들)은 여전히 설계에 대한 정렬을 위해 사용될 수 있다는 점에서 유리하다. 게다가, 본원에서 설명되는 정렬 타겟(들)은, (예를 들면, 검사 서브시스템의 하나 이상의 광학 또는 전자 빔 파라미터에서의 드리프트로 인해) 검사 서브시스템의 출력 생성 성능이 변경 되더라도, 설계에 대한 정렬을 위해 사용될 수 있어야 한다는 점에서, 유리하다.

추가 실시형태에서, 정렬 타겟 중 어느 것도 개개의 디바이스 피쳐 중 임의의 것을 포함하지 않는다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 정렬 타겟(들)은 내장 타겟만을 포함할 수도 있다. 이 방식에서, 본원에서 설명되는 정렬 타겟(들)은, 상대적으로 정렬하기 쉬운 수평 및 수직 피쳐를 갖는 디바이스 피쳐 및/또는 설계 내의 일부 공간 내에 어떤 고유한 기하 형상을 갖는 디바이스 피쳐와 같은 설계에 포함되는 개개의 디바이스 피쳐를 포함하지 않을 수도 있다. 그러한 만큼, 본원에서 설명되는 내장 타겟은 웨이퍼 검사 분야에서 현재 사용되는 다른 타입의 정렬 타겟 대신에 사용될 수도 있다.

본원에서 설명되는 것과 같은 내장 타겟을 사용하는 것은, 프로세스 변동이 로직 영역의 타겟에 대해 잘 제어될 수 없다는 점에서 유리할 수도 있다. 본원에서 설명되는 내장 타겟의 일부는 때로는 찾기가 비교적 어려울 수도 있지만, 이러한 내장 타겟은, 그들을 본원에서 설명되는 PDA에 대한 양호한 타겟 후보로 만드는 충분한 정확도를 가지기 위해 (예를 들면, SRAM에서) 일반적으로 필요로 된다. 게다가, 본원에서 설명되는 내장 타겟 실시형태는, 이전에 사용된 정렬 타겟과 비교하여, 다이의 일부에서 보다 높은 정렬 정확도를 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 현재 사용되는 정렬 방법에서는, 예를 들면, SRAM에서 N 타입 금속 산화물 반도체(N-type metal-oxide-semiconductor; NMOS) 또는 P 타입(PMOS)의 정확한 위치를 정확하게 결정하는 것은 가능하지 않다. 본원에서 설명되는 바와 같이 SRAM 코너를 내장 타겟으로 사용하는 경우에만, 오프셋 계산이 NMOS를 PMOS로부터 로컬하게 분리하기에 충분히 정확할 수 있다. 또한, 본원에서 설명되는 대로 선택되는 내장 타겟은, 검사 프로세스에서 검사되고 있는 시료의 층에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 상이한 선택 기준을 사용하는 경우 상이한 정렬 타겟(들)을 선택할 수도 있다. 게다가, SRAM 코너와 같은 몇몇 내장 타겟은, 소정의 사용 사례를 가능하게 만들기 위해 선택될 수도 있다. 이 방식에서, 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 선택되는 내장 타겟은, 콘트라스트 또는 형상으로 인해, 예를 들면, 이전에 사용된 것보다 반드시 더 좋은 품질의 타겟은 아닐 수도 있지만, 그러나 그들은, 더 높은 정확도 정렬이 특히 유리한 다이 내의 영역에 실질적으로 더 가깝게 위치될 수도 있다.

추가적인 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 추가적인 부분은 개개의 디바이스 피쳐의 일부를 포함한다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 정렬 타겟(들)(즉, 내장 타겟(들))의 적어도 일부가 개개의 디바이스 피쳐를 포함하지 않더라도, 그러한 정렬 타겟은, 설계에서 이용 가능한 다른 타입의 정렬 타겟에 대한 보완 또는 대안으로서 사용될 수 있다. 이 방식에서, 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 사용되는 정렬 타겟(들)의 하나의 부분은 본원에서 설명되는 내장 타입의 정렬 타겟을 포함할 수도 있고, 한편 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 사용되는 정렬 타겟(들)의 다른 부분은, 다른 타입의 정렬 타겟, 예컨대 상대적으로 정렬하기 쉬운 수평 및 수직 디바이스 피쳐, 광학 모드에 의존하는 정렬 타겟, 및 등등을 포함하도록 선택되는 정렬 타겟을 포함할 수도 있다.

본원에서 설명되는 실시형태에 의해 사용되는 정렬 타겟이 비내장(non-built in) 타겟을 포함하는 몇몇 경우에, 컴퓨터 서브시스템(들)은 검사 서브시스템으로 하여금 시료 상의 전체 다이(또는 다량의 다이 검사 서브시스템을 사용하는 검사 공정 중에 검사 됨)를 스캔하게 하고, 그에 의해 시료에 대한 출력을 생성하고 출력에서 설계에 대한 검사 출력의 정렬에 적합한 타겟을 찾도록 구성될 수도 있다. 이러한 실시형태에서, 컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 각각의 비내장 타겟에 대한 설계의 일부를 획득하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 시료 상에 인쇄되는 설계의 일부가 비내장 타겟으로 선택되면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 설계의 대응하는 부분에 대한 시료의 설계를 검색할 수도 있고 그 다음 비내장 타겟에 대한 설계의 그 부분을 획득할 수도 있다. 이들 단계는 시료에 대해 수행될 검사 프로세스의 셋업 동안 수행될 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은, 가능한 한 다이에 걸쳐 균등하게 분배되는 비내장 타겟을 선택하도록 구성될 수도 있다. 게다가, 컴퓨터 서브시스템(들)은 Kulkarni 등의 2010년 3월 9일에 발행된 미국 특허 제7,676,077호에서 설명되는 바와 같이 비내장 타겟을 선택하도록 구성될 수도 있는데, 이 특허는 마치 본원에서 완전히 개시되는 것처럼 참조에 의해 통합된다. 본원에서 설명되는 실시형태는 또한, 본 특허에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

이 방식에서, 본원에서 설명되는 실시형태는 상이한 타입의 정렬 타겟(예를 들면, 내장 타겟(들) 및 어쩌면 비내장 타겟(들))을 사용하여 PDA를 수행하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 다이의 모든 영역에 대해 어떤 정렬 타겟(들)이 사용되어야 하는지를 항상 알 수 있는 것은 아닐 수도 있다.

때로는, 정렬을 가능하게 만들기 위해 검사 서브시스템 출력의 소정 범위에 소정 타입의 타겟이 충분하지 않을 수 있다. 또한, 특정한 타입의 정렬 타겟의 밀도는 소망하는 PDA 정확도를 제공하기에는 너무 낮을 수 있다. 따라서, 몇몇 경우에, 동일한 정렬 방법에서 상이한 타입의 정렬 타겟을 사용하는 것이 유리할 수도 있다.

컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지를, 하나 이상의 정렬 타겟에 대응하는 설계의 하나 이상의 부분에 정렬하도록 구성된다. 하나 이상의 이미지를 설계의 하나 이상의 부분에 정렬하는 것은 다수의 상이한 방식으로 수행될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 이미지는 패턴 매칭 또는 임의의 다른 적절한 정렬 방법 및/또는 기술 분야에서 공지되어 있는 알고리즘에 의해 설계의 하나 이상의 부분에 정렬될 수도 있다. 설계의 하나 이상의 부분에 정렬되는 하나 이상의 이미지는 본원에서 설명되는 상이한 타입의 이미지를 포함할 수도 있다. 게다가, 설계의 하나 이상의 부분은 본원에서 설명되는 설계 데이터 자체 또는 다른 타입의 설계 정보와 같은 상이한 타입의 정보를 포함할 수도 있다. 이 단계는 검사 서브시스템을 사용하여 시료에 대해 수행될 검사 프로세스의 셋업 동안 수행될 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 컴퓨터 서브시스템(들)은 검사 서브시스템에 의해 생성되는 이미지에서 설계의 하나 이상의 부분이 어떻게 나타날 것인지를 나타내는 하나 이상의 시뮬레이팅된 이미지를 생성하도록 구성되고, 하나 이상의 이미지를 정렬하는 것은 하나 이상의 이미지를 하나 이상의 시뮬레이팅된 이미지에 정렬하는 것을 포함한다. 이들 단계는 검사 서브시스템을 사용하여 시료 대해 수행될 검사 프로세스의 셋업 동안 수행될 수도 있다.

몇몇 이러한 실시형태에서, 컴퓨터 서브시스템(들)은 예시적인 타겟으로부터의 이미지 렌더링 파라미터를 학습하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 도 5에서 도시되는 바와 같이, 본원에서 더 설명되는 바와 같이 선택된 타겟(들)(500)은 단계 502에서 도시되는 바와 같이 타겟(들)에 대한 설계를 획득하기 위해 사용될 수도 있다. 타겟(들) 및 타겟(들)에 대해 획득되는 설계는, 단계 504에서 도시되는 바와 같이, 예를 들면 타겟(들)에 대한 이미지 렌더링 파라미터를 학습하는 데 사용될 수도 있다. 이미지 렌더링 파라미터를 학습하는 것은 (예를 들면, 시뮬레이션 모델 또는 방법을 셋업함에 있어서 및/또는 캘리브레이션함에 있어서와 같이) 임의의 적절한 방식으로 수행될 수도 있다. 예시적인 타겟은 논리 영역에 주로 위치되는 샘플 사이트(site)를 포함할 수도 있다. 게다가, 예시적인 타겟은, 다양한 패턴, 예를 들면, 조밀한 기하 형상, 희박한 기하 형상, 등등을 커버하는 다이의 일부로부터의 대표적인 샘플의 선택을 포함할 수도 있다. 이 단계는 내장 및/또는 비내장 타겟에 대해 수행될 수도 있다.

그 다음, 컴퓨터 서브시스템(들)은 각각의 타겟에서 설계로부터 이미지를 렌더링할 수도 있다. 이 단계는 내장 및/또는 비내장 타겟에 대해서도 또한 수행될 수도 있다. 광학 이미지(들)와 설계 사이의 정렬의 어려움은, 상부에 설계가 인쇄되거나 형성된 시료에 대한 검사 서브시스템에 의해 생성될 광학 이미지(들)와 실질적으로 유사하게 보이는 설계로부터 시뮬레이팅된 광학 이미지를 렌더링하는 것에 의해 최소화되고 그에 의해 합리적인 정렬 정확도를 달성할 수도 있다. 가장 정확한 시뮬레이팅된 이미지를 생성하기 위해, 시뮬레이션은, 칩 설계 및 재료에 대한 3 차원 정보로부터 맥스웰의 방정식을 푸는 것에 의한 전자기(electromagnetic; EM) 장(field)의 시뮬레이션과, 시료의 이미지를 형성하기 위해 사용되는 검사 서브시스템의 광학 파라미터의 후속하는 시뮬레이션을 수반할 수 있다. 그렇지 않다면, 실제 광학 이미지에 대한 정렬을 통해, 단순화된 렌더링에 비해 덜 만족스러운 결과를 생성할 수 있다.

또한, 그 다음, 컴퓨터 서브시스템(들)은 렌더링된 이미지 및 광학 이미지를 각각의 타겟에서 정렬할 수도 있다. 예를 들면, 도 5의 단계 506에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 타겟(들)에서 설계로부터 이미지(들)를 렌더링하도록 구성될 수도 있다. 이 단계는 내장 및 비내장 타겟에 대해서도 또한 수행될 수도 있다. 도 5의 단계 508에 더 도시된 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 타겟(들)에서 렌더링된 이미지(들) 및 광학 이미지(들)를 정렬하도록 구성될 수도 있다. 렌더링된 이미지 및 광학 이미지를 정렬하는 것은, 본원에서 설명되는 바와 같이 달리 수행될 수도 있다. 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이, 타겟 선택은 오프라인으로 수행될 수도 있다. 타겟 선택의 오프라인 성질로 인해, 타겟에 대해 검사 서브시스템에서 생성될 이미지를 시뮬레이팅하기 위해 보다 나은 렌더링 알고리즘 및/또는 방법(예를 들면, 수행하기에 보다 복잡하고 시간이 많이 소요됨)이 사용될 수 있는데, 보다 나은 렌더링 알고리즘 및/또는 방법은, 타겟이 시료 상에 인쇄될 그리고 검사 서브시스템에 의해 이미지화될 방식에 더욱 가깝게 매치하는 시뮬레이팅된 이미지를 제공할 수 있고 그에 의해 부정확한 설계 렌더링에 기인하는 매치 결과 변동성을 감소시킨다.

컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 하나 이상의 이미지를 정렬하는 결과에 기초하여, 하나 이상의 이미지와 설계의 하나 이상의 부분 사이의 하나 이상의 오프셋을 결정하도록 구성된다. 이 방식에서, 본원에서 설명되는 컴퓨터 서브시스템(들)은 설계 대 이미지 오프셋을 결정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 도 5의 단계 510에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 이미지 오프셋(들)에 대한 설계를 결정하도록 구성될 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 런타임 검사를 위해 데이터베이스 또는 본원에서 설명되는 다른 저장 매체 중 하나와 같은 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 정렬 타겟(들) 및 결정된 오프셋(들)에 대한 정보를 저장하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 도 5의 단계 512에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 런타임 검사를 위해 타겟(들) 및 오프셋(들)을 저장하도록 구성될 수도 있다. 이들 단계는 검사 서브시스템을 사용하여 시료 대해 수행될 검사 프로세스의 셋업 동안 수행될 수도 있다. 또한, 이들 단계는 내장 타겟 및 어쩌면 비내장 타겟에 대해 수행될 수도 있다. 예를 들면, 각각의 검사 프레임은 여러 개의 타겟을 구비할 수 있는데, 여러 개의 타겟은 비내장 타겟 및 내장 타겟의 조합을 포함할 수 있다. 상이한 타겟은 본원에서 설명되는 상이한 방식으로 설계되도록 정렬될 수도 있다. 그러나, 각각의 프레임 내에서, 설계에 대한 모든 이용 가능한 타겟의 오프셋은, 특정한 위치에서의 설계에 대한 오프셋을 결정하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들면, 임의의 특정한 위치에서의 설계에 대한 오프셋은, 각각의 타겟에서의 오프셋으로부터 보간될 수 있다. 그러나, 임의의 주어진 검사 서브시스템 출력에서의 전체 또는 전체 보다 더 적은 정렬 타겟은, 임의의 주어진 사용 사례에 대해 소망되는 정확도 및 속도에 따라 본원에서 설명되는 바와 같이 정렬의 목적을 위해 사용될 수 있다.

설계 대 이미지 오프셋은, 하나 이상의 이미지와 그들의 대응하는 설계 데이터 공간 좌표 및 검사 공간(예를 들면, 검사 서브시스템 또는 시료) 좌표와 각각 매치하는 설계의 하나 이상의 부분에 기초하여 임의의 적절한 방식으로 결정될 수도 있다. 설계 대 이미지 오프셋은 임의의 적절한 포맷(예를 들면, 함수 또는 수식)을 가질 수도 있다. 또한, 설계 대 이미지 오프셋에 대한 정보는, 본원에서 설명되는 임의의 적합한 저장 매체에 저장될 수도 있다. 또한, 설계 대 이미지 오프셋은 단 하나의 방향(예를 들면, x 또는 y 방향)에서 또는 두 방향(예컨대, x 및 y 방향)에서 결정될 수도 있다. 또한, 설계 대 이미지 오프셋은 임의의 적합한 포맷(예를 들면, 극좌표 및 직교 좌표)을 갖는 설계 데이터 공간 및 검사 공간 좌표를 사용하여 결정될 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 하나 이상의 오프셋을 결정하는 것은, 시료에 대한 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 각각의 검사 프레임에 대해 수행된다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 타겟(들)으로부터 각각의 검사 프레임에 대한 설계 대 이미지 오프셋을 결정하도록 구성될 수도 있다. 검사 "프레임"은, 일반적으로, 시스템에 의해 하나의 단위로 일괄적으로 프로세싱될 수 있는 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 상대적으로 작은 부분으로 정의될 수도 있다. 따라서, 출력의 "프레임"은 검사 서브시스템 구성뿐만 아니라, 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력을 핸들링하고 및/또는 프로세싱하기 위해 시스템에 포함되는 임의의 컴포넌트의 구성에 따라 달라질 수 있다.

컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 시료 상의 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력을, 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지에 정렬하도록 구성된다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 셋업 동안 획득되는 이미지를, 런타임에서 획득되는 이미지에 정렬하도록 구성될 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 도 5의 단계 514에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 셋업 이미지(들)를 런타임 이미지(들)에 정렬하도록 구성될 수도 있다. 이러한 정렬은 정렬 타겟(즉, 내장 타겟(들) 및 어쩌면 비내장 타겟(들)) 각각에 대해 수행될 수도 있다. 또한, 이러한 정렬은 검사 서브시스템을 사용하여 시료에 대해 수행되는 검사 프로세스의 런타임 동안 수행될 수도 있다. 이러한 정렬은 본원에서 설명되는 바와 같이 추가로 수행될 수도 있다. 검사 서브시스템에 의해 생성되며 이 단계에 대해 사용되는 출력은 본원에서 설명되는 출력 중 임의의 것을 포함할 수도 있다.

컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 시료 상의 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 생성되는 출력과, 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지 사이의 하나 이상의 추가적인 오프셋을, 출력을 정렬하는 결과에 기초하여 결정하도록 구성된다. 예를 들면, 도 5의 단계 516에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 셋업과 런타임 이미지(들) 사이의 오프셋(들)을 결정하도록 구성될 수도 있다. 이 방식에서, 컴퓨터 서브시스템(들)은 셋업 동안 획득되는 이미지와 셋업 동안 획득되는 이미지 사이의 오프셋(들)을 결정하도록 구성될 수도 있다. 이 방식에서, 추가적인 오프셋(들)은 검사 서브시스템 출력으로부터 생성되는 2 개의 상이한 이미지 사이의 관계일 수도 있다. 그러한 만큼, 추가적인 오프셋(들)은 검사 서브시스템 또는 시료 공간 좌표의 하나의 세트를, 검사 서브시스템 또는 시료 공간 좌표의 다른 세트로 변환하도록 구성될 수도 있다.

추가적인 오프셋(들)을 결정하는 것은, 검사 서브시스템을 사용하여 시료에 대해 수행되는 검사 프로세스의 런타임 동안 수행될 수도 있다. 이 단계는 내장 타겟(들) 및 어쩌면 비내장 타겟(들)에 대해 수행될 수도 있다. 추가적인 오프셋(들)을 결정하는 것은 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 게다가, 추가적인 오프셋(들)은 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 하나 이상의 추가적인 오프셋을 결정하는 것은, 시료에 대한 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 각각의 검사 프레임에 대해 수행된다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 셋업 동안 획득되는 이미지와 각각의 검사 프레임에 대한 런타임 동안 획득되는 이미지 사이의 오프셋(들)을 결정하도록 구성될 수도 있다.

컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 시료 상의 다른 위치에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치를, 하나 이상의 오프셋, 하나 이상의 추가적인 오프셋 및 시료 상의 다른 위치에서 생성되는 출력의 시료 공간 위치에 기초하여 결정하도록 구성된다. 출력의 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 것은 검사 서브시스템을 사용하여 시료에 대해 수행되는 검사 프로세스의 런타임 동안 수행될 수도 있다. 이 단계는 내장 타겟(들) 및 어쩌면 비내장 타겟(들)에 대해 수행될 수도 있다. 이 방식에서, 설계 데이터 공간 위치는 정렬 타겟(들)에 대응하는 것 이외의 검사 서브시스템 출력에 대해 결정될 수 있다. 하나의 이러한 예에서, 비정렬(non-alignment) 타겟 위치에서 생성되는 출력의 시료 공간 위치는, 추가적인 오프셋(들)에 입력될 수도 있고, 그에 의해, 셋업된 이미지(검사 서브시스템에 의해 획득되는 정렬 타겟의 이미지)에 대한 출력의 좌표를 결정한다. 이 방식에서, 검사 서브시스템 또는 시료 공간 좌표는 추가적인 오프셋(들)을 갖는 다른 검사 서브시스템 또는 시료 공간 좌표로 변환될 수도 있다. 그 다음, 그들 변환된 검사 서브시스템 또는 시료 공간 좌표는, 새로운 검사 서브시스템 또는 시료 공간 좌표를 설계 데이터 공간 좌표로 변환하기 위해, 하나 이상의 오프셋에 입력될 수도 있다.

물론, 이러한 단계(들)는 통합되거나 또는 다소 상이하게 수행될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 오프셋 및 하나 이상의 추가적인 오프셋은, 정렬 타겟 이외의 위치에서의 검사 서브시스템 또는 시료 공간 좌표를 직접적으로 설계 데이터 공간 좌표로 변환하는 데 사용될 수 있는 오프셋(들)의 단일의 세트로 변환될 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 몇몇 실시형태에서, 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 것은, 다른 위치에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력과 설계 사이의 하나 이상의 또 다른 오프셋(further offset)을, 하나 이상의 오프셋 및 하나 이상의 추가적인 오프셋에 기초하여 결정하는 것 및 하나 이상의 또 다른 오프셋 및 시료 상의 다른 위치에서 생성되는 출력의 시료 공간 위치에 기초하여 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 것을 포함한다. 예를 들면, 도 5의 단계 518에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 설계와 런타임 이미지 사이의 오프셋을 결정하도록 구성될 수도 있다. 하나 이상의 또 다른 오프셋을 결정하는 것은, 검사 서브시스템을 사용하여 시료에 대해 수행되는 검사 프로세스의 셋업 또는 런타임 동안 수행될 수도 있다. 이 단계는 내장 타겟(들) 및 어쩌면 비내장 타겟(들)에 대해 수행될 수도 있다. 하나 이상의 또 다른 오프셋은 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

하나의 이러한 실시형태에서, 하나 이상의 또 다른 오프셋을 결정하는 것은, 시료에 대한 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 각각의 검사 프레임에 대해 수행된다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 각각의 검사 프레임에 대한 설계와 런타임 이미지 사이의 오프셋(들)을 결정하도록 구성될 수도 있다.

다른 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는 동일한 특성을 갖는 둘 이상의 정렬 타겟을 포함한다. 예를 들면, 내장 타겟 중 둘 이상(또는 전체)은 동일할 수도 있다. 따라서, 정렬 타겟 중 둘 이상은 동일한 형상, 크기, 비율, 방향 및 정렬 타겟을 설명하는 데 사용될 수 있는 임의의 다른 특성을 가질 수도 있다.

하나의 이러한 실시형태에서, 하나 이상의 이미지를 정렬하는 것은, 둘 이상의 정렬 타겟 중 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를, 검사 서브시스템을 사용하여 시료 상의 하나의 정렬 타겟을 이미지화하는 것에 의해 생성하는 것, 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를 하나의 정렬 타겟에 대한 설계의 일부와 정렬하는 것, 및 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를, 둘 이상의 정렬 타겟 중 다른 것에 대한 검사 서브시스템에 의해 생성되는 이미지와 정렬시켜 둘 이상의 정렬 타겟 중 다른 것에 대한 이미지를 설계의 그 일부에 정렬하는 것을 포함한다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 동일한 내장 타겟 중 하나에서 이미지 및 설계를 획득하도록 구성될 수도 있다. 그 다음, 그 이미지는 템플릿 이미지로서 사용될 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 도 6의 단계 600에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은, 타겟(들) 중 하나에 대한 이미지 및 설계를 획득하도록 그리고 그 이미지를 템플릿 이미지로서 사용하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 내장 타겟(들)의 좌표는 내장 타겟(들)의 설계 공간 좌표 및 시료 상의 설계의 레이아웃에 기초하여 결정될 수도 있다. 이 방식에서, 내장 타겟(들)의 설계 공간 좌표는 시료 공간 또는 검사 서브시스템 좌표로 변환될 수 있고, 검사 서브시스템을 사용하여 이미지가 획득될 수 있다.

컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 도 6의 단계 602에서 도시되는 바와 같이, 템플릿 이미지를 설계에 정렬하도록 구성될 수도 있다. 내장 타겟(들)에 대한 설계와 각각의 타겟(들)에 대한 광학 이미지 사이의 정렬은, 이 실시형태에서, 오프라인에서 수동으로 달성될 수 있다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템은, 정렬 타겟 중 하나의 위치에 대한 검사 서브시스템에 의해 획득되는 이미지 및 정렬 타겟에 대한 설계의 일부를 유저에게 디스플레이하도록 구성될 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 또한, 광학 또는 전자 빔 이미지를 설계의 일부에 정렬하기 위한 어떤 방법을 유저에게 제공할 수도 있다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(들)은 유저로부터 수동의 정렬 결과를 수신하도록 구성될 수도 있다. 그 다음, 수동 정렬의 결과는 본원에서 더 설명되는 바와 같이 사용될 수도 있다. 오프라인에서 설계와 정렬되는 광학 또는 전자 빔 이미지(즉, 템플릿 이미지)는 실시간으로 설계에 대한 프록시로서 사용되어, 수동의 오프라인 정렬이 수행되었던 것과 동일한 다른 타겟(들)에 대한 광학 또는 전자 빔 이미지(들)와 정렬할 수 있다. 이러한 접근법(approach)은 설계로부터 시뮬레이팅된 광학 이미지를 렌더링하는 어려움을 방지하고 실질적으로 높은 정렬 정확도를 가능하게 한다.

게다가, 컴퓨터 서브시스템(들)은 템플릿 이미지 및 검사 서브시스템에 의해 획득되는 이미지를 정렬하는 것에 의해 각각의 내장 타겟에서 설계를 이미지에 정렬하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 도 6의 단계 604에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 템플릿 이미지(설계 프록시) 및 이미지를 정렬하는 것에 의해 타겟(들)에서 설계를 이미지에 정렬하도록 구성될 수도 있다. 검사 서브시스템에 의해 획득되는 이미지에 템플릿 이미지를 정렬하는 것에 의해 각각의 내장 타겟에서 검사 서브시스템에 의해 획득되는 이미지에 설계가 정렬되면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 본원에서 더 설명되는 바와 같이 이미지에 대한 설계 오프셋(들)을 결정하도록 구성될 수도 있다. 이들 단계는 시료에 대해 수행될 검사 프로세스의 셋업 동안 수행될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 정렬 타겟 중 적어도 일부는 다이 위치 내부를 제외하고는 동일한 특성을 갖는 둘 이상의 정렬 타겟을 포함한다. 예를 들면, 몇몇 경우에, 모든 내장 타겟은 (동일한 특성을 모두 갖는 것에 의해 본원에서 더 설명되는 바와 같이) 동일할 수도 있고 다이 전체에 걸쳐 분포될 수도 있다.

하나의 이러한 실시형태에서, 하나 이상의 이미지를 정렬하는 것은, 둘 이상의 정렬 타겟 중 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를, 검사 서브시스템을 사용하여 시료 상의 하나의 정렬 타겟을 이미지화하고 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를 하나의 정렬 타겟에 대한 설계의 일부와 정렬하는 것에 의해, 생성하는 것을 포함한다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 하나의 내장 타겟에서 이미지 및 설계의 일부를 획득하도록 구성될 수도 있고, 획득된 이미지는 템플릿 이미지로서 사용될 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 도 7의 단계 700에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 타겟(들) 중 하나에 대한 이미지 및 설계를 획득하도록 그리고 이미지를 템플릿 이미지로서 사용하도록 구성될 수도 있고, 이들 단계는 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 그 다음, 컴퓨터 서브시스템(들)은 도 7의 단계 702에서 도시되는 바와 같이, 템플릿 이미지와 설계를 정렬할 수도 있는데, 이것은 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 게다가, 컴퓨터 서브시스템(들)은, 런타임 동안의 사용을 위해, 템플릿 이미지와 설계 및 본원에서 더 설명되는 바와 같이 결정될 수도 있는 설계에 대한 템플릿 오프셋을 저장하도록 구성될 수도 있다. 이들 단계는 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 예를 들면, 도 7의 단계 704에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 런타임을 위해 템플릿 이미지, 설계, 및 오프셋을 저장하도록 구성될 수도 있다. 이들 단계는 시료에 대한 검사 프로세스의 셋업 동안 수행될 수도 있다.

몇몇 이러한 실시형태에서, 출력을 정렬하는 것은, 시료 상의 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력을 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지에 정렬하는 것을 포함한다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은, 각각의 내장 타겟에서, 셋업된 템플릿 이미지를 런타임 이미지에 정렬하도록 구성될 수도 있는데, 이것은 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 도 7의 단계 706에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은, 타겟(들)에서, 셋업된 템플릿 이미지(들)를 런타임 이미지(들)에 정렬하도록 구성될 수도 있다. 셋업된 템플릿 이미지를 런타임 이미지에 정렬하는 결과는, 본원에서 더 설명되는 바와 같이 설계와 런타임 사이의 오프셋(들)을 결정하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들면, 도 7의 단계 708에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 설계와 런타임 사이의 오프셋(들)을 결정하도록 구성될 수도 있다. 이들 단계는 시료에 대한 검사 프로세스의 런타임 동안 수행될 수도 있다. 게다가, 도 7에서 도시되는 단계의 실시형태는, 정렬을 위한 내장 타겟이 충분하고 다른 정렬 타겟 위치가 PDA를 위해 사용되지 않을 것이면, 본원에서 설명되는 다른 실시형태에서 도시되는 다른 단계(들)를 포함하지 않을 수도 있다. 내장 타겟만이 사용되는 경우, 이 도면에서 도시되는 바와 같이 정렬 접근법은 훨씬 더 간단해질 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 컴퓨터 서브시스템(들)은 다른 위치에서 생성되는 출력에 기초하여 시료 상의 결함을 검출하도록 그리고 다른 위치에서 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치에 기초하여 결함을 검출하기 위해 사용되는 하나 이상의 파라미터를 결정하도록 구성된다. 시료상의 결함을 검출하는 것은, 임의의 적절한 결함 검출 방법 및/또는 알고리즘을 사용하여 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 방식으로 수행될 수도 있다(예를 들면, 출력에 임계치를 적용하고 임계치를 초과하는 값을 갖는 임의의 출력이 결함 또는 잠재적인 결함에 대응한다는 것을 결정함). 결정되는 하나 이상의 결함 검출 파라미터는 결함 검출을 위해 사용되는 임의의 조정 가능한 파라미터, 및, 특히, 결함 검출의 민감도(예를 들면, 임계값)에 관련이 있는 파라미터를 포함할 수도 있다. 하나의 예에서, 출력의 설계 데이터 공간 위치는 본원에서 설명되는 바와 같이 결정될 수도 있다. 설계 데이터 공간 위치는 출력의 설계 데이터 공간 위치에서 시료에 대한 설계의 하나 이상의 특성을 결정하는 데 사용될 수도 있다. 예를 들면, 설계 데이터 공간 위치는, 출력이 생성되었던 시료 상의 위치에서 형성되는 피쳐의 타입을 결정하는 데 사용될 수도 있다. 그 다음, 이들 타입의 피쳐에 관한 정보는 위치 대 위치 기반으로 하나 이상의 결함 검출 파라미터를 결정하는 데 사용될 수도 있다. 이 방식에서, 출력의 설계 데이터 공간 위치가 실질적으로 높은 정확도로 본원에서 설명되는 바와 같이 결정될 수 있기 때문에, 결함을 검출하기 위해 사용되는 파라미터(들)는 실질적으로 높은 정확도로 위치 대 위치 기반으로 조정될 수 있고, 그에 의해, 시료의 상이한 위치에서의 설계의 특성에서의 변화에 기초하여 수정될 수 있는 결함 검출 감도를 제공한다. 이 방식에서, 결함 검출의 민감도는 시료 상의 상이한 위치가 설계 상의 잠재적 DOI 위치에 위치되는지의 여부에 따라 조정될 수 있다.

다른 실시형태에서, 컴퓨터 서브시스템(들)은 다른 위치에서 생성되는 출력에 기초하여 시료 상의 결함을 검출하도록 그리고 다른 위치에서 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치에 기초하여 결함의 설계 데이터 공간 위치를 결정하도록 구성된다. 시료 상의 결함을 검출하는 것은 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 결함의 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 것은, 결함에 대응하는 출력의 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 것 및 이들 설계 데이터 공간 위치를 결함에 할당하는 것을 포함할 수도 있다.

따라서, 본원에서 설명되는 실시형태가 실질적으로 높은 정확도로 출력의 설계 데이터 공간 위치를 결정할 수 있기 때문에, 결함 위치 정확도는 실질적으로 높을 것이다. 이 방식에서, 검출된 결함의 위치는 설계 데이터 공간에서 결정될 수 있는데, 이것은, 결함이 위치되는 설계의 부분에 관한 정보를 훨씬 더 쉽고 정확하게 결정할 수 있게 한다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시형태는 실질적으로 높은 정확도로 설계 데이터 공간 결함 위치에 대한 설계에 관한 정보를 결정하는 데 사용될 수 있다. 그러한 만큼, 본원에서 설명되는 실시형태는, 다른 현재 사용되는 시스템 및 방법보다, 시료에 대한 설계와 관련이 있는 검사 결과를 제공하는 데 사용될 수 있다.

다른 실시형태는 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 방법은 상기에서 설명되는 컴퓨터 서브시스템(들)의 기능들 각각에 대한 단계를 포함한다. 검사 서브시스템은 본원에서 설명되는 바와 같이 구성된다.

방법의 단계의 각각은 본원에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 방법은 또한, 본원에서 설명되는 검사 서브시스템 및/또는 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다. 방법의 단계는, 본원에서 설명되는 실시형태 중 임의의 것에 따라 구성될 수도 있는 하나 이상의 컴퓨터 시스템에 의해 수행된다. 게다가, 상기에서 설명되는 방법은 본원에서 설명되는 시스템 실시형태 중 임의의 것에 의해 수행될 수도 있다.

추가적인 실시형태는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위한, 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 관한 것이다. 하나의 이러한 실시형태는 도 8에서 도시된다. 특히, 도 8에서 도시되는 바와 같이, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체(800)는 컴퓨터 시스템(804) 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어(802)를 포함한다. 컴퓨터 구현 방법은, 본원에서 설명되는 임의의 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수도 있다.

본원에서 설명되는 것과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령어(802)는 컴퓨터 판독가능 매체(800) 상에 저장될 수도 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는, 자기 또는 광학 디스크, 자기 테이프, 또는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체와 같은 저장 매체일 수도 있다.

프로그램 명령어는, 다른 것들 중에서도, 프로시져 기반의 기술, 컴포넌트 기반의 기술, 및/또는 객체 지향 기술을 비롯한 다양한 방식 중 임의의 것에서 구현될 수도 있다. 예를 들면, 프로그램 명령어는, 필요에 따라, 액티브X(ActiveX) 컨트롤, C++ 오브젝트, 자바빈(JavaBeans), 마이크로소프트 파운데이션 클래스(Microsoft Foundation Classes; "MFC"), SSE(Streaming SIMD Extension; 스트리밍 SIMD 확장) 또는 다른 기술 또는 방법론을 사용하여 구현될 수도 있다.

컴퓨터 시스템(804)은, 본원에서 설명되는 실시형태 중 임의의 것에 따라 구성될 수도 있다.

본원에서 설명되는 모든 방법은, 방법 실시형태의 하나 이상의 단계의 결과를 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 저장하는 것을 포함할 수도 있다. 결과는 본원에서 설명되는 결과 중 임의의 것을 포함할 수도 있고 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 방식으로 저장될 수도 있다. 저장 매체는 본원에서 설명되는 임의의 저장 매체 또는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 저장 매체를 포함할 수도 있다. 결과가 저장된 이후, 결과는 저장 매체에서 액세스될 수 있고, 본원에서 설명되는 방법 또는 시스템 실시형태 중 임의의 것에 의해 사용될 수 있고, 유저에 대한 디스플레이를 위해 정형화될 수 있고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법, 또는 시스템에 의해 사용될 수 있고, 등등일 수 있다.

본 설명의 검토에서, 기술 분야의 숙련된 자에게는, 본 발명의 다양한 양태의 다른 수정예 및 대안적 실시형태가 명백할 것이다. 예를 들면, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다.

따라서, 본 설명은, 단지 예증적인 것으로만 해석되어야 하며, 본 발명을 실행하는 일반적인 방식을 기술 분야의 숙련된 자에게 교시하는 목적을 위한 것이다. 본원에서 도시되고 설명되는 본 발명의 형태는 현 시점에서의 바람직한 실시형태로서 간주되어야 한다는 것이 이해되어야 한다.

엘리먼트 및 재료는 본원에서 예시되고 설명되는 것들에 대해 대체될 수도 있고, 부품 및 프로세스는 반대로 될 수도 있고, 본 발명의 소정의 피쳐는 독립적으로 활용될 수도 있는데, 이들 모두는, 본 발명의 본 설명의 이익을 가진 이후, 기술 분야의 숙련된 자에게 명백해질 것이다. 하기의 청구범위에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 취지와 범위를 벗어나지 않으면서, 본원에서 설명되는 엘리먼트에서 변경이 이루어질 수도 있다.

Claims (27)

1. 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템으로서,
   적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하는 검사 서브시스템 - 상기 에너지 소스는, 시료로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되고, 상기 검출기는, 상기 시료로부터의 에너지를 검출하도록 그리고 상기 검출된 에너지에 응답하는 출력을 생성하도록 구성됨 - ; 및
   하나 이상의 컴퓨터 서브시스템
   을 포함하며, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은,
   설계로부터 상기 시료에 대한 하나 이상의 정렬 타겟을 선택하도록 - 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는, 설계 데이터 공간에 검사 결과를 정렬하는 것 이외의 목적을 위해 상기 설계에 포함되는 내장 타겟(built in target)을 포함하고, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는 하나 이상의 개개의 디바이스 피쳐(feature)를 포함하지 않고, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는, 복수의 더 작은 구조체로 형성된 구조체의 코너(corner)를 더 포함함 - ;
   상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대응하는 상기 설계의 하나 이상의 부분에, 상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지를 정렬하도록;
   상기 하나 이상의 이미지를 정렬하는 것의 결과에 기초하여 상기 하나 이상의 이미지와 상기 설계의 상기 하나 이상의 부분 사이의 하나 이상의 오프셋을 결정하도록;
   상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 상기 하나 이상의 이미지에, 상기 시료 상의 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력을 정렬하도록;
   상기 출력을 정렬하는 것의 결과에 기초하여, 상기 시료 상의 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 위치에서 생성되는 출력과 상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 상기 하나 이상의 이미지 사이의 하나 이상의 추가적인 오프셋을 결정하도록; 그리고
   상기 하나 이상의 오프셋, 상기 하나 이상의 추가적인 오프셋, 및 상기 시료 상의 다른 위치에서 생성되는 출력의 시료 공간 위치에 기초하여, 상기 시료 상의 상기 다른 위치에서 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치를 결정하도록
   구성되는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
2. 제1항에 있어서, 상기 구조체의 코너는 계측 셀의 코너를 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
3. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는 계측 셀의 중심을 더 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
4. 제1항에 있어서, 상기 구조체의 코너는 정적 랜덤 액세스 메모리 구조체의 코너를 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
5. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는, 리소그래피 노광 툴에 의한 사용을 위해 설계되는 정렬 타겟을 더 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
6. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는, 상기 시료 상의 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 위치에서 출력을 생성하기 위해 사용되는 상기 검사 서브시스템의 하나 이상의 모드에 기초하여 선택되지 않는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
7. 제1항에 있어서, 상기 정렬 타겟 중 어느 것도 상기 개개의 디바이스 피쳐 중 임의의 것을 포함하지 않는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
8. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 추가적인 부분이 상기 개개의 디바이스 피쳐의 일부를 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
9. 제1항에 있어서, 상기 선택하는 것은, 상기 시료의 물리적 버전을 사용하지 않고 수행되는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
10. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 이미지에서 상기 설계의 상기 하나 이상의 부분이 어떻게 나타날 것인지를 나타내는 하나 이상의 시뮬레이팅된 이미지를 생성하도록 구성되고, 상기 하나 이상의 이미지를 정렬하는 것은, 상기 하나 이상의 시뮬레이팅된 이미지에 상기 하나 이상의 이미지를 정렬하는 것을 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
11. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 오프셋을 결정하는 것은, 상기 시료에 대해 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 각 검사 프레임에 대하여 수행되는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
12. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 추가적인 오프셋을 결정하는 것은, 상기 시료에 대해 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 각 검사 프레임에 대하여 수행되는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
13. 제1항에 있어서, 상기 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 것은,
    상기 하나 이상의 오프셋 및 상기 하나 이상의 추가적인 오프셋에 기초하여, 상기 다른 위치에서 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력과 상기 설계 사이의 하나 이상의 또 다른 오프셋을 결정하고;
    상기 하나 이상의 또 다른 오프셋 및 상기 시료 상의 상기 다른 위치에서 생성되는 출력의 시료 공간 위치에 기초하여 상기 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 것
    을 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
14. 제13항에 있어서, 상기 하나 이상의 또 다른 오프셋을 결정하는 것은, 상기 시료에 대해 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 각 검사 프레임에 대하여 수행되는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
15. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는, 동일한 특성을 갖는 둘 이상의 정렬 타겟을 더 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
16. 제15항에 있어서, 상기 하나 이상의 이미지를 정렬하는 것은,
    상기 검사 서브시스템을 사용하여 상기 시료 상의 상기 둘 이상의 정렬 타겟 중 하나의 정렬 타겟을 이미지화함으로써 상기 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를 생성하고;
    상기 하나의 정렬 타겟에 대한 상기 설계의 일부와 상기 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를 정렬하고;
    상기 둘 이상의 정렬 타겟 중 다른 정렬 타겟에 대해 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 이미지와 상기 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를 정렬함으로써 상기 설계의 상기 일부에 상기 둘 이상의 정렬 타겟 중 상기 다른 정렬 타겟에 대한 이미지를 정렬하는 것
    을 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
17. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는, 다이 위치 내에서를 제외하고는 동일한 특성을 갖는 둘 이상의 정렬 타겟을 더 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
18. 제17항에 있어서, 상기 하나 이상의 이미지를 정렬하는 것은,
    상기 검사 서브시스템을 사용하여 상기 시료 상의 상기 둘 이상의 정렬 타겟 중 하나의 정렬 타겟을 이미지화함으로써 상기 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를 생성하고;
    상기 하나의 정렬 타겟에 대한 상기 설계의 일부와 상기 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지를 정렬하는 것
    을 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
19. 제18항에 있어서, 상기 출력을 정렬하는 것은, 상기 하나의 정렬 타겟에 대한 이미지에, 상기 시료 상의 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 위치에서 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력을 정렬하는 것을 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
20. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 다른 위치에서 생성되는 출력에 기초하여 상기 시료 상의 결함을 검출하도록 그리고 상기 다른 위치에서 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치에 기초하여 상기 검출을 위해 사용되는 하나 이상의 파라미터를 결정하도록 구성되는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
21. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 다른 위치에서 생성되는 출력에 기초하여 상기 시료 상의 결함을 검출하도록 그리고 상기 다른 위치에서 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치에 기초하여 상기 결함의 설계 데이터 공간 위치를 결정하도록 구성되는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
22. 제1항에 있어서, 상기 시료는 웨이퍼를 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
23. 제1항에 있어서, 상기 시료로 지향되는 에너지는 광을 포함하고, 상기 시료로부터 검출되는 에너지는 광을 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
24. 제1항에 있어서, 상기 시료로 지향되는 에너지는 전자를 포함하고, 상기 시료로부터 검출되는 에너지는 전자를 포함하는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하도록 구성되는 시스템.
25. 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장한 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체로서,
    상기 컴퓨터 구현 방법은,
    설계로부터 시료에 대한 하나 이상의 정렬 타겟을 선택하는 단계 - 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는, 설계 데이터 공간에 검사 결과를 정렬하는 것 이외의 목적을 위해 상기 설계에 포함되는 내장 타겟을 포함하고, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는 하나 이상의 개개의 디바이스 피쳐를 포함하지 않고, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는, 복수의 더 작은 구조체로 형성된 구조체의 코너를 더 포함함 - ;
    상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대응하는 상기 설계의 하나 이상의 부분에, 상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지를 정렬하는 단계;
    상기 하나 이상의 이미지를 정렬하는 단계의 결과에 기초하여 상기 하나 이상의 이미지와 상기 설계의 상기 하나 이상의 부분 사이의 하나 이상의 오프셋을 결정하는 단계;
    상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 상기 하나 이상의 이미지에, 상기 시료 상의 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력을 정렬하는 단계 - 상기 검사 서브시스템은 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하고, 상기 에너지 소스는, 시료로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되고, 상기 검출기는, 상기 시료로부터의 에너지를 검출하도록 그리고 상기 검출된 에너지에 응답하는 출력을 생성하도록 구성됨 - ;
    상기 출력을 정렬하는 단계의 결과에 기초하여, 상기 시료 상의 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 위치에서 생성되는 출력과 상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 상기 하나 이상의 이미지 사이의 하나 이상의 추가적인 오프셋을 결정하는 단계; 및
    상기 하나 이상의 오프셋, 상기 하나 이상의 추가적인 오프셋, 및 상기 시료 상의 다른 위치에서 생성되는 출력의 시료 공간 위치에 기초하여, 상기 시료 상의 상기 다른 위치에서 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 단계
    를 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
26. 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법으로서,
    설계로부터 시료에 대한 하나 이상의 정렬 타겟을 선택하는 단계 - 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 일부는, 설계 데이터 공간에 검사 결과를 정렬하는 것 이외의 목적을 위해 상기 설계에 포함되는 내장 타겟을 포함하고, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는 하나 이상의 개개의 디바이스 피쳐를 포함하지 않고, 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 적어도 상기 일부는, 복수의 더 작은 구조체로 형성된 구조체의 코너를 더 포함함 - ;
    상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대응하는 상기 설계의 하나 이상의 부분에, 상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 하나 이상의 이미지를 정렬하는 단계;
    상기 하나 이상의 이미지를 정렬하는 단계의 결과에 기초하여 상기 하나 이상의 이미지와 상기 설계의 상기 하나 이상의 부분 사이의 하나 이상의 오프셋을 결정하는 단계;
    상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 상기 하나 이상의 이미지에, 상기 시료 상의 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 하나 이상의 위치에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력을 정렬하는 단계 - 상기 검사 서브시스템은 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하고, 상기 에너지 소스는, 시료로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되고, 상기 검출기는, 상기 시료로부터의 에너지를 검출하도록 그리고 상기 검출된 에너지에 응답하는 출력을 생성하도록 구성됨 - ;
    상기 출력을 정렬하는 단계의 결과에 기초하여, 상기 시료 상의 상기 하나 이상의 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 위치에서 생성되는 출력과 상기 하나 이상의 정렬 타겟에 대한 상기 하나 이상의 이미지 사이의 하나 이상의 추가적인 오프셋을 결정하는 단계; 및
    상기 하나 이상의 오프셋, 상기 하나 이상의 추가적인 오프셋, 및 상기 시료 상의 다른 위치에서 생성되는 출력의 시료 공간 위치에 기초하여, 상기 시료 상의 상기 다른 위치에서 상기 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 설계 데이터 공간 위치를 결정하는 단계
    를 포함하며, 상기 방법의 단계들은 하나 이상의 컴퓨터 시스템에 의해 수행되는, 설계 데이터 공간에서 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 위치를 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법.
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