CN107004038A - 使用内建目标将检验对准到设计 - Google Patents
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Abstract
本发明提供用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的方法及系统。一种方法包含:从样本的设计选择一或多个对准目标。所述一或多个对准目标的至少一部分包含内建目标,其包含于所述设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途。所述一或多个对准目标的至少所述部分不包含一或多个个别装置特征。接着,所述对准目标的一或多个图像及由所述检验子系统在所述对准目标的所述位置处产生的输出可用于确定由所述检验子系统以本文所描述的多种方式产生的其它输出的设计数据空间位置。
Description
技术领域
本发明大体上涉及用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的方法及系统。
背景技术
以下描述及实例不因其包含于本章节中而获准成为现有技术。
可使用方法或系统来开发集成电路(IC)设计,例如电子设计自动化(EDA)、计算机辅助设计(CAD)及其它IC设计软件。此类方法及系统可用于从IC设计产生电路图案数据库。电路图案数据库包含表示IC的各种层的多个布局的数据。电路图案数据库中的数据可用于确定多个分划板的布局。分划板的布局大体上包含界定所述分划板上的图案中的特征的多个多边形。每一分划板用于制作IC的各种层的一者。IC的层可包含(例如)半导体衬底中的结图案、栅极电介质图案、栅极电极图案、层间电介质中的接触图案及金属化层上的互连图案。
本文所使用的术语“设计数据”大体上是指IC的物理设计(布局)及通过复杂模拟或简单几何及布尔运算从物理设计导出的数据。
制作例如逻辑装置及存储器装置的半导体装置通常包含:使用大量半导体制造工艺来处理衬底(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说,光刻是涉及将图案从分划板转印到布置于半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以某个布置制造在单个半导体晶片上且接着分离成个别半导体装置。
在半导体制造工艺期间的各种步骤中使用检验过程来检测晶片上的缺陷以促成制造工艺的较高良率且因此促成较高利润。检验已成为制作例如IC的半导体装置的重要部分。然而,随着半导体装置的尺寸减小,检验对成功制造合格半导体装置变得更重要,这是因为较小缺陷可引起装置故障。
然而,随着设计规则收紧,半导体制造工艺可为更接近过程的性能的限制的操作。此外,随着设计规则收紧,较小缺陷可对装置的电参数产生影响,这驱使更敏感检验。因此,随着设计规则收紧,由检验检测到的潜在良率相关缺陷的数量大幅增加,且由检验检测到的妨害缺陷的数量也大幅增加。因此,可在晶片上检测到越来越多缺陷,且校正工艺以消除所有缺陷会较困难且昂贵。
近年来,检验系统及方法的设计日益聚焦于缺陷与设计之间的关系,这是因为对晶片的设计的影响将确定缺陷是否重要及重要程度。举例来说,已发展一些方法来使检验坐标及设计坐标对准。一种此方法取决于检验系统坐标配准到设计的精确度。另一此方法涉及:对检验图像补块及相关联设计片断进行处理后对准。
然而,现存检验系统及方法中的许多者存在许多缺点。举例来说,当方法取决于检验系统坐标配准到设计的精确度时,方法未必提供所需的对准精确度。此外,检验图像补块及相关联设计片断的处理后对准取决于具有检验补块及设计片断的足够信息。通常,实际情况是无法满足此准则,且有关缺陷无法用于剩余分析中,或更糟地,通过分析的剩余部分而传播不良数据,借此降低结果的精确度。
因此,将有利地发展用于确定由检查子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的系统及/或方法,其不具有上文所描述的缺点中的一或多者。
发明内容
各种实施例的以下描述绝不应被解释为限制所附权利要求书的标的物。
一个实施例涉及一种经配置以确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的系统。所述系统包含检验子系统,其包含至少一能源及检测器。所述能源经配置以产生引导到样本的能量。所述检测器经配置以从所述样本检测能量且响应于所述所检测能量而产生输出。所述系统还包含经配置以从所述样本的设计选择一或多个对准目标的一或多个计算机子系统。所述一或多个对准目标的至少一部分包含内建目标,其包含于所述设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途。所述一或多个对准目标的至少所述部分不包含一或多个个别缺陷特征。所述计算机子系统还经配置以使所述一或多个对准目标的一或多个图像对准到所述设计的对应于所述一或多个对准目标的一或多个部分。此外,所述计算机子系统经配置以基于使所述一或多个图像对准的结果而确定所述一或多个图像与所述设计的所述一或多个部分之间的一或多个偏移。所述计算机子系统进一步经配置以使由所述检验子系统在所述样本上的所述一或多个对准目标的一或多个位置处产生的输出对准到所述一或多个对准目标的所述一或多个图像。此外,所述计算机子系统经配置以基于使所述输出对准的结果而确定所述样本上的所述一或多个对准目标的所述一或多个位置处所产生的所述输出与所述一或多个对准目标的所述一或多个图像之间的一或多个额外偏移。所述计算机子系统还经配置以基于所述一或多个偏移、所述一或多个额外偏移及所述样本的其它位置处所产生的输出的样本空间位置而确定由所述检验子系统在所述样本的所述其它位置处产生的所述输出的设计数据空间位置。可如本文所描述那样进一步配置所述系统。
另一实施例涉及一种计算机实施方法,其用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置。所述方法包含用于上文所描述的一或多个计算机子系统的功能的每一者的步骤。由一或多个计算机系统执行所述方法的所述步骤。可如本文将进一步描述那样执行所述方法。此外,所述方法可包含本文所描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外,可由本文所描述的系统中的任何者执行所述方法。
额外实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体,其存储可在计算机系统上执行的程序指令,所述计算机系统用于执行用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的计算机实施方法。所述计算机实施方法包含上文所描述的方法的步骤。可如本文所描述那样进一步配置所述计算机可读媒体。可如本文将进一步描述那样执行所述计算机实施方法的步骤。此外,可针对其执行所述程序指令的所述计算机实施方法可包含本文所描述的任何其它方法的任何其它步骤。
附图说明
将在阅读以下详细描述且参考附图之后明白本发明的其它目的及优点,其中:
图1及2是说明如本文所描述那样配置的系统的实施例的侧视图的示意图;
图3及4是说明对准目标的实施例的平面图的示意图;
图5到7是说明可由本文所描述的一或多个计算机子系统实施例执行以确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的步骤的实施例的流程图;及
图8是说明非暂时性计算机可读媒体的实施例的框图,所述非暂时性计算机可读媒体存储可在用于执行本文所描述的计算机实施方法中的一或多者的计算机系统上执行的程序指令。
尽管本发明易于受各种修改及替代形式影响,但本发明的特定实施例以实例方式展示于图式中且将在本文中加以详细描述。然而,应理解,图式及其详细描述不希望将本发明限制于所揭示的特定形式,而是相反地,其希望涵盖落于由所附权利要求书界定的本发明的精神及范围内的所有修改、等效物及替代物。
具体实施方式
如本文所使用,术语“设计”及“设计数据”大体上是指IC的物理设计(布局)及通过复杂模拟或简单几何及布尔运算而从物理设计导出的数据。此外,由分划板检验系统获取的分划板的图像及/或其衍生物可用作为设计的“代理”。此分划板图像或其衍生物可在使用设计的本文所描述的任何实施例中充当设计布局的替代物。设计可包含以下各者中所描述的任何其它设计数据或设计数据代理:扎法尔(Zafar)等人于2009年8月4日发布的共同拥有的第7,570,796号美国专利及库尔卡尼(Kulkarni)等人于2010年3月9日发布的共同拥有的第7,676,077号美国专利,所述两个专利以宛如全文陈述引用的方式并入本文中。此外,设计数据可为标准单元库数据、集成布局数据、一或多个层的设计数据、设计数据的衍生物及全部或部分片断设计数据。
然而,一般来说,无法通过使用晶片检验系统来使晶片成像而产生设计信息或数据。举例来说,形成于晶片上的设计图案无法精确地表示晶片的设计,且晶片检验系统无法产生具有足够分辨率的形成于晶片上的设计图案的图像,使得图像可用于确定与晶片的设计有关的信息。因此,一般来说,无法使用物理晶片来产生设计信息或设计数据。此外,本文所描述的“设计”及“设计数据”是指由半导体装置设计者在设计过程中产生且因此完全可在将设计印刷于任何物理晶片上之前用于本文所描述的实施例中的信息及数据。
现转到图式,应注意,图未按比例绘制。特定来说,图中的一些元件的比例经大幅放大以突出元件的特性。还应注意,图未按相同比例绘制。已使用相同参考数字来指示可经类似配置的多于一个图中所展示的元件。除非本文另外说明,否则所描述及所展示的元件中的任何者可包含任何适合商业可用元件。
一个实施例涉及一种经配置以确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的系统。实施例可经配置以用于具有样本检验的内建目标的图案与设计对准(PDA)。PDA精确度对于某些类型的样本检验(例如其中设计信息在检验期间用于执行一或多个功能(例如本文将进一步描述的功能)的样本检验)来说至关重要。
在一个实施例中,样本包含晶片。在另一实施例中,样本包含分划板。晶片及分划板可包含此项技术中已知的任何晶片及分划板。
图1中展示此系统的一个实施例。所述系统包含检验子系统,其包含至少一能源及检测器。所述能源经配置以产生引导到样本的能量。所述检测器经配置以从所述样本检测能量且响应于所述所检测能量而产生输出。
在一个实施例中,引导到样本的能量包含光,且从样本检测的能量包含光。举例来说,在图1所展示的系统的实施例中,检验子系统10包含经配置以将光引导到样本14的照明子系统。所述照明子系统包含至少一个光源。举例来说,如图1中所展示,所述照明子系统包含光源16。在一个实施例中,所述照明子系统经配置以一或多个入射角将光引导到样本,所述一或多个入射角可包含一或多个倾斜角及/或一或多个法向角。举例来说,如图1中所展示,来自光源16的光被导引穿过光学元件18及接着穿过透镜20而到分束器21,分束器21以法向入射角将所述光引导到样本14。所述入射角可包含可根据(例如)样本的特性及待在样本上检测到的缺陷而变化的任何适合入射角。
照明子系统可经配置以在不同时间以不同入射角将光引导到样本。举例来说,检验子系统可经配置以更改照明子系统的一或多个元件的一或多个特性,使得可以不同于图1中所展示的入射角的入射角将光引导到样本。在一个此实例中,检验子系统可经配置以移动光源16、光学元件18及透镜20,使得以不同入射角将光引导到样本。
在一些实例中,检验子系统可经配置以同时以多于一个入射角将光引导到样本。举例来说,照明子系统可包含多于一个照明通道,所述照明通道中的一者可包含光源16、光学元件18及透镜20(如图1中所展示),且所述照明通道的另一者(图中未展示)可包含可经不同或相同配置的类似元件或可包含至少一光源及可能的一或多个其它组件,例如本文将进一步描述的组件。如果在与其它光相同的时间将此光引导到样本,那么以不同入射角引导到样本的所述光的一或多个特性(例如波长、偏振等等)可为不同的,使得起因于以不同入射角照射样本的光可在检测器处彼此区别。
在另一实例中,照明子系统可仅包含一个光源(例如图1中所展示的光源16)且来自所述光源的光可由照明子系统的一或多个光学元件(图中未展示)分离成不同光学路径(例如,基于波长、偏振等等)。接着,可将不同光学路径的每一者中的光引导到样本。多个照明通道可经配置以同时或在不同时间(例如,当不同照明通道用于循序照射样本时)将光引导到样本。在另一实例中,相同照明通道可经配置以在不同时间将具有不同特性的光引导到样本。举例来说,在一些实例中,光学元件18可经配置为光谱滤波器且所述光谱滤波器的性质可以各种不同方式改变(例如,通过置换所述光谱滤波器),使得可在不同时间将不同波长的光引导到样本。照明子系统可具有此项技术中已知的任何其它适合配置,其用于以不同或相同入射角将具有不同或相同特性的光循序或同时引导到样本。
在一个实施例中,光源16可包含宽带等离子体(BBP)光源。以此方式,由光源产生且引导到样本的光可包含宽带光。然而,光源可包含任何其它适合光源,例如激光器。所述激光器可包含此项技术中已知的任何适合激光器且可经配置以产生具有此项技术中已知的一或若干任何适合波长的光。此外,所述激光器可经配置以产生单色光或近单色光。以此方式,所述激光器可为窄带激光器。光源还可包含产生具有多个离散波长或波段的光的多色光源。
可由透镜20将光从光学元件18聚焦到分束器21。尽管透镜20在图1中展示为单折射光学元件,但应理解,透镜20实际上可包含以组合方式将光从光学元件聚焦到样本的数个折射及/或反射光学元件。图1中所展示及本文所描述的照明子系统可包含任何其它适合光学元件(未展示)。此类光学元件的实例包含(但不限于)偏振组件、光谱滤波器、空间滤波器、反射光学元件、变迹器、分束器、光圈及其类似物,其可包含此项技术中已知的任何此类适合光学元件。此外,系统可经配置以基于待用于检验的照明的类型而更改照明子系统的元件中的一或多者。
检验子系统也可包含经配置以引起光扫描样本的扫描子系统。举例来说,检验子系统可包含样本14在检验期间安置于其上的载物台22。所述扫描子系统可包含任何适合机械及/或机器人组合件(其包含载物台22),其可经配置以移动样本,使得光可扫描样本。此外或替代地,检验子系统可经配置使得检验子系统的一或多个光学元件执行光对样本的某一扫描。可以任何适合方式使光扫描样本。
检验子系统进一步包含一或多个检测通道。所述一或多个检测通道中的至少一者包含检测器,其经配置以归因于由检验子系统照射样本而从样本检测到光且响应于所述检测光而产生输出。举例来说,图1中所展示的检验子系统包含两个检测通道:由集光器24、元件26及检测器28形成的检测通道及由集光器30、元件32及检测器34形成的另一检测通道。如图1中所展示,所述两个检测通道经配置以以不同集光角收集及检测光。在一些实例中,一个检测通道经配置以检测镜面反射光,且另一检测通道经配置以从样本检测非镜面反射(例如散射、衍射等等)的光。然而,检测通道中的两者或两者以上可经配置以从样本检测相同类型的光(例如镜面反射光)。尽管图1展示包含两个检测通道的检验子系统的实施例,但检验子系统可包含不同数目个检测通道(例如仅一个检测通道或两个或两个以上检测通道)。尽管集光器的每一者在图1中展示为单折射光学元件,但应理解,集光器中的每一者可包含一或多个折射光学元件及/或一或多个反射光学元件。
一或多个检测通道可包含此项技术中已知的任何适合检测器。举例来说,检测器可包含光倍增管(PMT)、电荷耦合装置(CCD)及时间延迟积分(TDI)相机。检测器还可包含此项技术中已知的任何其它适合检测器。检测器还可包含非成像检测器或成像检测器。以此方式,如果检测器是非成像检测器,那么检测器的每一者可经配置以检测散射光的某些特性(例如强度),但无法经配置以检测依据成像平面内的位置而变化的特性。因而,由包含于检验子系统的检测通道的每一者中的检测器的每一者产生的输出可为信号或数据,但不可为图像信号或图像数据。在此类实例中,计算机子系统(例如系统的计算机子系统36)可经配置以从检测器的非成像输出产生样本的图像。然而,在其它实例中,检测器可经配置为成像检测器,其经配置以产生成像信号或图像数据。因此,系统可经配置以按许多方式产生本文所描述的输出。
应注意,本文提供图1来大体上说明可包含于本文所描述的系统实施例中的检验子系统的配置。显而易见,本文所描述的检验子系统布置可经更改以如设计商用检验系统时通常执行那样优化系统的性能。此外,可使用现存检验系统来实施本文所描述的系统(例如,通过将本文所描述的功能新增到现存检验系统),例如购自科磊公司(KLA-Tencor)的工具的28xx及29xx系列。对于一些此类系统,可提供本文所描述的方法作为系统的任选功能(例如,以及作为系统的其它功能)。替代地,本文所描述的系统可经“从头开始”设计以提供全新系统。
系统的计算机子系统36可以任何适合方式(例如,经由可包含“有线”及/或“无线”传输媒体的一或多个传输媒体)耦合到检验子系统的检测器,使得计算机子系统可在样本的扫描期间接收由检测器产生的输出。计算机子系统36可经配置以执行使用检测器的输出进行的许多功能(如本文所描述)及本文将进一步描述的任何其它功能。可如本文所描述那样进一步配置此计算机子系统。
此计算机子系统(以及本文所描述的其它计算机子系统)在本文中也可称为计算机系统。本文所描述的计算机子系统或系统的每一者可采取各种形式,其包含个人计算机系统、图像计算机、大型主计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置。一般来说,术语“计算机系统”可经广义界定以涵盖具有一或多个处理器(其执行来自存储器媒体的指令)的任何装置。计算机子系统或系统还可包含此项技术中已知的任何适合处理器,例如并行处理器。此外,计算机子系统或系统可包含具有高速处理及软件的计算机平台作为单机或联网工具。
如果系统包含多于一个计算机子系统,那么所述不同计算机子系统可彼此耦合,使得图像、数据、信息、指令等等可在所述计算机子系统之间发送,如本文将进一步描述。举例来说,计算机子系统36可通过任何适合传输媒体(其可包含此项技术中已知的任何适合有线及/或无线传输媒体)而耦合到计算机子系统102(如图1中由虚线所展示)。此类计算机子系统中的两者或两者以上还可由共享计算机可读存储媒体(图中未展示)而有效地耦合。
尽管检验子系统在上文中描述为光学或基于光的检验子系统,但检验子系统可为基于电子束的检验子系统。举例来说,在一个实施例中,引导到样本的能量包含电子,且从样本检测到的能量包含电子。以此方式,能源可为电子束源。在图2所展示的一种此实施例中,检验子系统包含耦合到计算机子系统124的电子柱122。
还如图2中所展示,电子柱包含经配置以产生由一或多个元件130聚焦到样本128的电子的电子束源126。电子束源可包含(例如)阴极源或发射极尖端,且一或多个元件130可包含(例如)枪透镜、阳极、电子束限制光圈、闸阀、电子束电流选择光圈、物镜及扫描子系统,其全部可包含此项技术中已知的任何此类适合元件。
从样本返回的电子(例如二次电子)可由一或多个元件132聚焦到检测器134。一或多个元件132可包含(例如)扫描子系统,其可为包含于元件130中的相同扫描子系统。
电子柱可包含此项技术中已知的任何其它适合元件。此外,可如以下各者中所描述那样进一步配置电子柱:蒋(Jiang)等人于2014年4月4日发布的第8,664,594号美国专利、小岛(Kojima)等人于2014年4月8日发布的第8,692,204号美国专利、固本(Gubbens)等人于2014年4月15日发布的第8,698,093号美国专利及麦克唐纳(MacDonald)等人于2014年5月6日发布的第8,716,662号美国专利,所述专利以宛如全文陈述引用的方式并入本文中。
尽管电子柱在图2中展示为经配置使得电子以倾斜入射角引导到样本且以另一倾斜角从样本散射,但应理解,电子束可以任何适合角度引导到样本及从样本散射。此外,基于电子束的子系统可经配置以使用多个模式来产生样本的图像(例如,具有不同照射角、集光角等等)。基于电子束的子系统的多个模式在子系统的任何图像产生参数方面可为不同的。
计算机子系统124可耦合到检测器134,如上文所描述。检测器可检测从样本的表面返回的电子,借此形成样本的电子束图像。所述电子束图像可包含任何适合电子束图像。计算机子系统124可经配置以使用检测器的输出及/或电子束图像来执行本文所描述的功能中的任何者。计算机子系统124可经配置以执行本文所描述的任何额外步骤。可如本文所描述那样进一步配置包含图2中所展示的检验子系统的系统。
应注意,本文提供图2来大体上说明可包含于本文所描述的实施例中的基于电子束的检验子系统的配置。如同上文所描述的光学检验子系统,此处所描述的基于电子束的检验子系统布置可经更改以如设计商用检验系统时通常执行那样优化检验子系统的性能。此外,可使用现存检验系统来实施本文所描述的系统(例如,通过将本文所描述的功能新增到现存检验系统),例如购自科磊公司(KLA-Tencor)的工具的eSxxx系列。对于一些此类系统,可提供本文所描述的方法作为系统的任选功能(例如,作为系统的其它功能的补充)。替代地,本文所描述的系统可经“从头开始”设计以提供全新系统。
尽管检验子系统在上文中描述为基于光或基于电子束的检验子系统,但检验子系统可为基于离子束的检验子系统。除可使用此项技术中已知的任何适合离子束源来替换电子束源之外,可如图2中所展示那样配置此检验子系统。此外,检测子系统可为基于离子束的任何其它适合子系统,例如包含于市售聚焦离子束(FIB)系统、氦离子显微镜(HIM)系统及二次离子质谱分析(SIMS)系统中的子系统。
上文所描述的一或多个计算机子系统经配置以从样本的设计选择一或多个对准目标。所述设计可包含本文将进一步描述的设计数据或信息中的任何者。可使用样本的设计数据来执行选择所述一或多个对准目标,且所述设计数据可包含本文所描述的不同类型的设计数据中的任何者。以此方式,在一些实施例中,可在不使用样本的物理版本的情况下执行选择所述一或多个对准目标。举例来说,本文所描述的实施例未必通过扫描设计已印刷或形成于其上的样本且接着基于所述扫描的结果选择所述对准目标而选择所述对准目标。以此方式,本文所描述的所述对准目标可从样本的所述设计获取且将被对准到对应样本图像(如本文将进一步描述)而非从样本图像开始获取目标图像且获取用于对准的对应设计片断或设计的部分。以此方式,一旦已使用所述设计来选择对准目标,那么计算机子系统可获取每一目标的设计。可在使用检验子系统来对样本执行的检验过程的设置期间执行这些步骤。
因此,此类实施例具有相较于用于选择对准目标的其它方法的许多优点。举例来说,可脱机执行使用样本的设计来选择对准目标。因此,脱机设计目标获取可空出工具时间用于重要生产检验运行。相比而言,通过对工具执行图像获取而选择对准目标会增加检验过程设置的设置时间(例如10到15分钟)。
一或多个对准目标的至少一部分包含内建目标,其包含于设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途。因此,目标的至少所述部分中的一或多个对准目标在本文中也称为内建目标。所述内建目标提供使设计对准到样本坐标系的新方式。本文所描述的实施例可归因于目标选择的一致性而有利地提供PDA结果的较高可靠性及精确度。因此,使检验结果对准到设计数据空间可包含:确定检验结果的设计数据空间坐标。依据其来确定设计数据空间位置的检验结果可包含本文所描述的检验结果的任何者(其包含由本文所描述的检验子系统或计算机子系统的检测器产生的原输出(数据或图像)及/或其已以某一方式被处理之后的此原输出)且可包含对应于缺陷的输出及/或不对应于在样本上检测到的缺陷的输出。可在任何适合时间(其包含在已对样本执行缺陷检测之前及在已对样本执行缺陷检测之后)使用所述内建目标来使检验结果对准到设计数据空间。除用于使检验结果对准到设计之外,所述内建目标的用途可包含本文将进一步描述的用途中的一者或此项技术中已知的任何其它用途。
一或多个对准目标的至少一部分不包含一或多个个别装置特征。举例来说,使检验对准到设计近年来已倾向于将装置特征用于对准(归因于装置特征的典型独特几何形状),此使装置特征尤其适合用于检验系统输出及设计的相对精确识别及用于相对精确对准。然而,在一些实例中,适合用于对准到设计用途的装置特征无法用于给定区域中。举例来说,在一些实例中,样本或设计的区域中的装置特征的重复性可意味着:在所述样本上或所述设计中的相对较小区域内,适合对准特征归因于缺少独特性而不可用。尽管相对远离输出的对准目标(其依据所述输出而用于对准到设计)可足以及/或适合用于一些对准用途及/或一些易控制情形,但通常可期望使用尽可能接近检验结果(其用于对准到设计)的对准目标来执行局部对准,借此提高对准过程的精确度。举例来说,近年来,已能够尤其有利地使检验结果以子像素精确度(例如约仅数纳米)对准到设计,使得检验结果相对于设计的位置可以实质上高精确度被确定以用于例如以下各者的用途:确定待用于检测检验系统输出中的缺陷的适当检测敏感性及确定所述检测缺陷的设计数据空间位置。因此,在高度局部尺度上执行对准到设计已变得尤其有利。因而,当适合装置特征不可用于对准用途及/或不可用于所要局部尺度上的对准时,本文所描述的内建目标可有利地用于使检验结果对准到设计。
在一个实施例中,一或多个对准目标的至少一部分包含计量单元的隅角。在另一实施例中,一或多个对准目标的至少一部分包含计量单元的中心。举例来说,裸片内时常存在充当用于测量叠加、薄膜等等的目标的内建图案。本文所描述的实施例经配置以使用内建目标,例如用于样本检验的裸片内的内建目标。特定来说,计量单元结构的中心或隅角可用于实质上精确对准。
在一个此实例中,如图3中所展示,计量单元300可包含经设计以适合用于执行各种测量的许多不同图案化特征。特定来说,如计量单元的部分304的放大图302中所展示,计量单元可包含例如垂直线(或空间)306及水平线(或空间)308的计量结构。垂直特征及水平特征可用于执行一或多个不同测量。相同特征(或与其它不同特征组合的相同特征)可包含于图3中所展示的计量单元的整个阴影部分中。如图3中进一步所展示,计量单元300的隅角310可用作为一个对准目标312,且计量单元300的中心314可用作为另一对准目标316(但也可仅使用计量目标的隅角或中心来对准)。搜索计量单元来使检验对准到设计使使用本文所描述的实施例更容易,这是因为计量单元是众所周知的地标位置。
在另一实施例中,一或多个对准目标的至少一部分包含静态随机存取存储器(SRAM)结构的隅角。搜索SRAM隅角来使检验对准到设计使使用本文所描述的实施例更容易,这是因为SRAM隅角是众所周知的地标位置。举例来说,如图4中所展示,SRAM结构400可包含四个隅角402、404、406及408,且所述结构的所述隅角的每一者可用作为内建目标(即,内建目标410、412、414及416)。在SRAM结构内仅可形成各自具有相同特性的重复装置特征(图4中未展示)。因而,在SRAM结构内可不存在适合用于使检验对准到设计的任何装置特征。然而,本文所描述的实施例可经配置以将SRAM隅角用作为用于对准到设计的对准目标。因此,可在大致等效于SRAM结构时期的局部尺度上执行本文所描述的对准到设计。以此方式,SRAM结构的隅角可用于实质上精确对准。
在额外实施例中,一或多个对准目标的至少一部分包含结构的隅角。举例来说,以类似于上文针对SRAM隅角所描述的方式的方式,其它相对易于找到结构(其可由多个较小结构形成)的中心或隅角可由本文所描述的实施例而用于实质上精确对准。
在另一实施例中,一或多个对准目标的至少一部分包含经设计以由光刻曝光工具使用的对准目标。举例来说,裸片内时常存在充当扫描仪或其它光刻曝光工具的对准目标的内建图案。本文所描述的实施例经配置以将裸片内的此类内建目标用于样本检验。此外,本文所描述的实施例可经配置以将经配置以由此项技术中已知的扫描仪或其它光刻曝光工具使用的任何内建目标用于本文所描述的对准。
在一些实施例中,未基于检验子系统(其用于产生样本上的一或多个对准目标的一或多个位置处的输出)的一或多个模式而选择一或多个对准目标的至少一部分。举例来说,与本文所描述的实施例相比,可通过找到具有图案(其具有易于对准的水平特征及垂直特征)的对准目标而执行当前所使用的PDA方法。此外,所述目标可具光学模式相依性。以此方式,可依据不同光学模式而选择不同对准目标,使得对于每一光学模式,选择可通过具有足够分辨率的光学模式而成像的目标,使得所述目标可对准到参考(例如设计或从所述设计模拟的图像)。因而,有时可归因于由光学模式抑制样本上的图案或设计中缺少图案而无法找到足够目标。然而,本文所描述的对准目标的至少一部分可基本上不受光学模式影响,这是因为可在检验子系统的输出中以足够分辨率分辨所述/所述对准目标(不管用于产生输出的光学模式如何)以借此允许输出对准到本文所描述的参考中的一者(例如设计或模拟图像)。以此方式,本文所描述的对准目标可与光学模式无关(或不具光学模式相依性)。因而,本文所描述的对准目标是有利的,这是因为:即使检验过程在所使用的光学模式中改变,但对准目标仍可用于对准到设计。此外,本文所描述的对准目标是有利的,这是因为:即使检验子系统的输出产生性能改变(例如,归因于检验子系统的一或多个光学或电子束参数的漂移),但对准目标仍应能够用于对准到设计。
在另一实施例中,无对准目标包含个别装置特征中的任何者。举例来说,本文所描述的对准目标可仅包含内建目标。以此方式,本文所描述的对准目标可不包含包含于设计中的个别装置特征,例如具有相对易于对准的水平特征及垂直特征的装置特征及/或在设计内的某一空间内具有某一独特几何形状的装置特征。因而,本文所描述的内建目标可用于取代当前用于晶片检验的技术中的任何其它类型的对准目标。
使用内建目标(例如本文所描述的内建目标)可为有利的,这是因为逻辑区域中的目标的工艺变化不易控制。尽管本文所描述的内建目标的部分有时相对较难找到,但通常需要此类内建目标具有足够精确度(例如,在SRAM中)以使其成为本文所描述的PDA的良好目标候选者。此外,本文所描述的内建目标实施例可用于使裸片的一些部分中的对准精确度高于先前所使用的对准目标。举例来说,在当前所使用的对准方法中,已无法精确地确定(例如)SRAM中的N型金属氧化物半导体(NMOS)或P型金属氧化物半导体(PMOS)的准确位置。仅当将SRAM隅角用作为内建目标(如本文所描述)时,偏移计算才可足够精确地使NMOS与PMOS局部分离。此外,如本文所描述那样选择的内建目标可根据在检验过程中被检验的样本的层而变化。举例来说,当使用不同选择准则时,计算机子系统可选择不同对准目标。此外,一些内建目标(如SRAM隅角)可经选择以使某些使用情况可行。以此方式,由本文所描述的实施例选择的内建目标可归因于(例如)其对比度或形状而未必为具有比先前所使用的目标更佳的质量的目标,但其可定位成基本上接近于较高精确度对准尤其有利地用于其的裸片内的区域。
在额外实施例中,一或多个对准目标的至少一额外部分包含个别装置特征的一部分。举例来说,尽管本文所描述的对准目标的至少一部分(即,内建目标)不包含个别装置特征,但此类对准目标可用作为可用于设计中的其它类型的对准目标的补充或替代物。以此方式,由本文所描述的实施例使用的对准目标的一部分可包含本文所描述的内建型对准目标,而由本文所描述的实施例使用的对准目标的另一部分可包含另一类型的对准目标,例如经选择以包含相对易于对准的水平装置特征及垂直装置特征的对准目标、具光学模式相依性的对准目标、及其类似物。
在其中由本文所描述的实施例使用的对准目标包含非内建目标的一些实例中,计算机子系统可经配置以引起检验子系统扫描样本上的整个裸片(或与将在检验过程期间使用检验子系统来检验的裸片一样多的裸片),借此产生样本的输出且在所述输出中找到适合用于使检验输出对准到设计的目标。在此类实施例中,计算机子系统也可经配置以获取每一非内建目标的设计的一部分。举例来说,一旦已选择印刷于样本上的设计的一部分作为非内建目标,那么计算机子系统可对样本的设计进行设计的对应部分的搜索且接着获取所述非内建目标的设计的所述部分。可在待对样本执行的检验过程的设置期间执行这些步骤。计算机子系统可经配置以选择尽可能均匀地分布于整个裸片上的非内建目标。此外,计算机子系统可经配置以选择如库尔卡尼(Kulkarni)等人于2010年3月9日发布的第7,676,077号美国专利(所述专利以宛如全文陈述引用的方式并入本文中)中所描述的非内建目标。可如此专利中所描述那样进一步配置本文所描述的实施例。
以此方式,本文所描述的实施例可经配置以使用不同类型的对准目标(例如内建目标及可能的非内建目标)来执行PDA。举例来说,无法总是知道何种对准目标应用于晶片中的所有区域。有时,检验子系统输出的某些扫描带中可能不存在足够的某一类型的目标来使对准可行。此外,特定类型的对准目标的密度会因过低而无法提供所要PDA精确度。因此,在一些实例中,可有利地在相同对准方法中使用不同类型的对准目标。
计算机子系统还经配置以使一或多个对准目标的一或多个图像对准到对应于一或多个对准目标的设计的一或多个部分。可以许多不同方式执行使所述一或多个图像对准到设计的所述一或多个部分。举例来说,所述一或多个图像可通过图案匹配或此项技术中已知的任何其它适合对准方法及/或算法而对准到设计的所述一或多个部分。对准到设计的所述一或多个部分的所述一或多个图像可包含本文所描述的不同类型的图像。此外,设计的所述一或多个部分可包含不同类型的信息,例如设计数据本身或本文所描述的其它类型的设计信息。可在待使用检验子系统来对样本执行的检验过程的设置期间执行此步骤。
在一个实施例中,计算机子系统经配置以产生一或多个模拟图像(其说明设计的一或多个部分将如何出现于由检验子系统产生的图像中),且使一或多个图像对准包含:使所述一或多个图像对准到所述一或多个模拟图像。可在待使用检验子系统来对样本执行的检验过程的设置期间执行这些步骤。
在一些此类实施例中,计算机子系统可经配置以从实例性目标学习图像再现参数。举例来说,如图5中所展示,如本文将进一步描述,可使用已选择的目标500来获取所述目标的设计,如步骤502中所展示。接着,可使用所述目标及针对所述目标所获取的设计来学习实例性目标的图像再现参数,如步骤504中所展示。可以任何适合方式(例如,如同设置及/或校准模拟模型或方法)执行学习所述图像再现参数。所述实例性目标可包含大多数位于逻辑区域中的取样点。此外,所述实例性目标可包含从涵盖各种图案(例如密集几何形状、稀疏几何形状等等)的裸片的某一部分选择代表性样本。可对内建及/或非内建目标执行此步骤。
接着,计算机子系统可从设计再现每一目标处的图像。也可对内建及/或非内建目标执行此步骤。可通过从设计再现模拟光学图像(其似乎基本上类似于将由检验子系统针对其上已印刷或形成设计的样本而产生的光学图像)而最小化光学图像与设计之间的对准的难度以借此实现合理对准精确度。为产生最精确模拟图像,模拟可涉及:通过从片断设计及材料的三维信息求解麦克斯韦(Maxwell)方程而模拟电磁(EM)场,接着模拟用于形成样本的图像的检验子系统的光学参数。否则,过于简化再现会产生对准到真实光学图像的不满意结果。
此外,计算机子系统可接着使每一目标处的再现图像及光学图像对准。举例来说,如图5的步骤506中所展示,计算机子系统可经配置以从设计再现目标处的图像。也可对内建目标及非内建目标执行此步骤。如图5的步骤508中将进一步展示,计算机子系统可经配置以使目标处的再现图像及光学图像对准。可如本文所描述那样以其它方式执行使再现图像及光学图像对准。如本文将进一步描述,可脱机执行目标选择。归因于目标选择的脱机性,可使用更好的再现算法及/或方法(例如,使执行更复杂且更耗时)来模拟将由检验子系统针对目标而产生的图像,这可提供更接近地匹配目标将如何印刷于样本上且由检验子系统成像的模拟图像,借此减少归因于不精确设计再现的匹配结果可变性。
计算机子系统也可经配置以基于使一或多个图像对准的结果而确定一或多个图像与设计的一或多个部分之间的一或多个偏移。以此方式,本文所描述的计算机子系统可经配置以确定设计与图像偏移。举例来说,如图5的步骤510中所展示,计算机子系统可经配置以确定设计与图像偏移。计算机子系统也可经配置以将用于对准目标及经确定偏移的信息保存到计算机可读存储媒体,例如数据库或本文针对运行时间检验所描述的其它存储媒体中的一者。举例来说,如图5的步骤512中所展示,计算机子系统可经配置以保存用于运行时间检验的目标及偏移。可在待使用检验子系统来对样本执行的检验过程的设置期间执行这些步骤。此外,可对内建目标或可能的非内建目标执行这些步骤。举例来说,每一检验帧可具有可包含非内建目标及内建目标的组合的若干目标。可以本文所描述的不同方式使不同目标对准到设计。然而,在每一帧内,所有可用目标与设计的偏移可用于确定特定位置处的与设计的偏移。举例来说,可从每一目标处的偏移内插任何特定位置处的与设计的偏移。然而,检验子系统输出的任何给定帧中的所有或非所有对准目标可根据任何给定使用情况所要的精确度及速度而用于如本文所描述的对准用途。
可基于设计的一或多个部分(其分别匹配一或多个图像及其对应设计数据空间坐标及检验空间(例如检验子系统或样本)坐标)而以任何适合方式确定设计与图像偏移。设计与图像偏移可具有任何适合格式(例如函数或公式)。此外,设计与图像偏移的信息可存储于本文所描述的任何适合存储媒体中。此外,可仅沿一个方向(例如x方向或y方向)或沿两个方向(例如x方向及y方向)确定设计与图像偏移。此外,可使用设计数据空间及具有任何适合格式(例如极坐标及笛卡尔坐标)的检验空间坐标来确定设计与图像偏移。
在一个实施例中,对由检验子系统针对样本而产生的输出的每一检验帧执行确定一或多个偏移。举例来说,计算机子系统可经配置以从目标确定每一检验帧的设计与图像偏移。检验“帧”可大体上界定为由检验子系统(其可由系统共同处理为单元)产生的输出的相对较小部分。因此,输出的“帧”可根据检验子系统布置以及包含于系统中以处置及/或处理由检验子系统产生的输出的任何组件的配置而变化。
计算机子系统进一步经配置以使由检验子系统在样本上的一或多个对准目标的一或多个位置处产生的输出对准到一或多个对准目标的一或多个图像。举例来说,计算机子系统可经配置以使在设置期间获取的图像对准到在运行时间获取的图像。在一种此实例中,如图5的步骤514中所展示,计算机子系统可经配置以使设置图像对准到运行时间图像。可对对准目标(即,内建目标及可能的非内建目标)的每一者执行此对准。此外,可在使用检验子系统来对样本执行的检验过程的运行时间期间执行此对准。可如本文所描述那样进一步执行此对准。由检验子系统产生且用于此步骤的输出可包含本文所描述的输出中的任何者。
计算机子系统也配置以基于使输出对准的结果而确定在样本上的一或多个对准目标的一或多个位置处产生的输出与一或多个对准目标的一或多个图像之间的一或多个额外偏移。举例来说,如图5的步骤516中所展示,计算机子系统可经配置以确定设置图像与运行时间图像之间的偏移。以此方式,计算机子系统可经配置以确定在设置期间获取的图像与在运行时间获取的图像之间的偏移。以此方式,额外偏移可为从检测子系统输出产生的两个不同图像之间的关系。因而,额外偏移可经配置以将一组检测子系统或样本空间坐标转化成另一组检验子系统或样本空间坐标。可在使用检验子系统来对样本执行的检验过程的运行时间期间执行确定额外偏移。可对内建目标及可能的非内建目标执行此步骤。可如本文将进一步描述那样执行确定额外偏移。此外,可如本文所描述那样进一步配置额外偏移。
在一个实施例中,对由检验子系统针对样本而产生的输出的每一检验帧执行确定一或多个额外偏移。举例来说,计算机子系统可经配置以针对每一检验帧而确定在设置期间获取的图像与在运行时间期间获取的图像之间的偏移。
计算机子系统进一步经配置以基于一或多个偏移、一或多个额外偏移及在样本的其它位置处产生的输出的样本空间位置而确定由检验子系统在样本上的所述其它位置处产生的所述输出的设计数据空间位置。可在使用检验子系统来对样本执行的检验过程的运行时间期间执行确定输出的设计数据空间位置。可对内建目标及可能的非内建目标执行此步骤。以此方式,可依据除对应于对准目标的检验子系统输出之外的检验子系统输出而确定设计数据空间位置。在一个此实例中,可将在非对准目标位置处产生的输出的样本空间位置输入到额外偏移以借此确定输出相对于设置图像(由检验子系统获取的对准目标的图像)的坐标。以此方式,可使用额外偏移来将检验子系统或样本空间坐标转化成其它检验子系统或样本空间坐标。接着,可将所述经转化的检验子系统或样本空间坐标输入到一或多个偏移以将新检验子系统或样本空间坐标转化成设计数据空间坐标。
当然,可略微不同地强化或执行此步骤。举例来说,可将一或多个偏移及一或多个额外偏移转化成的单个组的偏移,所述单个组的偏移可用于将除对准目标之外的位置处的检验子系统或样本空间坐标直接转化成设计数据空间坐标。在一个此实例中,在一些实施例中,确定设计数据空间位置包含:基于一或多个偏移及一或多个额外偏移而确定由检验子系统在其它位置处产生的输出与设计之间的一或多个进一步偏移;且基于所述一或多个进一步偏移及在样本上的其它位置处产生的输出的样本空间位置而确定设计数据空间位置。举例来说,计算机子系统可经配置以确定设计与运行时间图像之间的偏移,如图5的步骤518中所展示。可在使用检验子系统来对样本执行的检验过程的设置或运行时间期间执行确定一或多个进一步偏移。可对内建目标及可能的非内建目标执行此步骤。可如本文所描述那样以其它方式配置一或多个进一步偏移。
在一个此实施例中,对由检验子系统针对样本而产生的输出的每一检验帧执行确定一或多个进一步偏移。举例来说,计算机子系统可经配置以针对每一检验帧而确定设计与运行时间图像之间的偏移。
在另一实施例中,一或多个对准目标的至少一部分包含具有相同特性的两个或两个以上对准目标。举例来说,内建目标的两者或两者以上(或全部)可为相同的。因此,对准目标的两者或两者以上可具有相同形状、尺寸、比例、定向及可用于描述对准目标的任何其它特性。
在一个此实施例中,使一或多个图像对准包含:通过使用检验子系统来使样本上的对准目标成像而产生两个或两个以上对准目标中的一者的图像;使所述对准目标的所述图像与所述对准目标的设计的一部分对准;且使所述对准目标的所述图像与由检验子系统针对所述两个或两个以上对准目标中的其它者而产生的图像对准,借此使所述两个或两个以上对准目标中的所述其它者的所述图像对准到设计的所述部分。举例来说,计算机子系统可经配置以在相同内建目标中的一者处获取图像及设计。接着,所述图像可用作为模板图像。在一个此实例中,如图6的步骤600中所展示,计算机子系统可经配置以获取目标中的一者的图像及设计且将所述图像用作为模板图像。举例来说,可基于内建目标的设计空间坐标及样本上的设计的布局而确定内建目标的坐标。以此方式,可将内建目标的设计空间坐标转换成样本空间或检验子系统坐标,且可使用检验子系统来获取图像。
计算机子系统也可经配置以使模板图像对准到设计,如图5的步骤602中所展示。在此实施例中,可手动地脱机实现内建目标的设计与每一目标的光学图像之间的对准。举例来说,计算机子系统可经配置以对用户显示由检验子系统针对对准目标中的一者的位置而获取的图像及对准目标的设计的部分。计算机子系统也可对用户提供用于使光学或电子束图像对准到设计的部分的某一方法。此外,计算机子系统可经配置以从用户接收手动对准结果。接着,可如本文将进一步描述那样使用手动对准的结果。与设计脱机对准的光学或电子束图像(即,模板图像)可实时用作为设计的代理以与相同于对其执行手动脱机对准的目标的其它目标的光学或电子束图像对准。此方法避免从设计再现模拟光学图像的难点且实现实质上高对准精确度。
此外,计算机子系统可经配置以通过使模板图像及由检验子系统获取的图像对准而使设计对准到每一内建目标处的图像。举例来说,如图6的步骤604中所展示,计算机子系统可经配置以通过使模板图像(设计代理)及图像对准而使设计对准到目标处的图像。一旦已通过使模板图像对准到由检验子系统获取的图像而使设计对准到由检验子系统在每一内建目标处获取的图像,那么计算机子系统可经配置以确定设计与图像偏移,如本文将进一步描述。可在待对样本执行的检验过程的设置期间执行这些步骤。
在一些实施例中,一或多个对准目标的至少一部分包含具有相同特性的两个或两个以上对准目标,只是所述对准目标位于裸片位置内。举例来说,在一些实例中,所有内建目标可为相同的(通过具有所有相同特性,如本文将进一步描述)且可分布于整个裸片上。
在一个此实施例中,使一或多个图像对准包含:通过使用检验子系统来使样本上的对准目标成像而产生两个或两个以上对准目标中的一者的图像;且使所述对准目标的所述图像与所述对准目标的设计的一部分对准。举例来说,计算机子系统可经配置以在内建目标处获取图像及设计的一部分且所述所获取的图像可用作为模板图像。在一个此实例中,如图7的步骤700中所展示,计算机子系统可经配置以获取目标中的一者的图像及设计且将所述图像用作为模板图像,且可如本文将进一步描述那样执行这些步骤。接着,计算机子系统可使模板图像及设计对准,如图7的步骤702中所展示,这可如本文将进一步描述那样执行。此外,计算机子系统可经配置以保存模板图像及设计及模板与设计偏移(其可如本文将进一步描述那样确定)来在运行时间期间使用。可如本文将进一步描述那样执行这些步骤。举例来说,如图7的步骤704中所展示,计算机子系统可经配置以保存用于运行时间的模板图像、设计及偏移。可在样本的检验过程的设置期间执行这些步骤。
在一些此类实施例中,使输出对准包含:使由检验子系统在样本上的一或多个对准目标的一或多个位置处产生的输出对准到一个对准目标的图像。举例来说,计算机子系统可经配置以在每一内建目标处使设置模板图像对准到运行时间图像,这可如本文将进一步描述那样执行。在一个此实例中,如图7的步骤706中所展示,计算机子系统可经配置以在目标处使设置模板图像对准到运行时间图像。使设置模板图像对准到运行时间图像的结果可用于确定设计与运行时间之间的偏移,如本文将进一步描述。举例来说,如图7的步骤708中所展示,计算机子系统可经配置以确定设计与运行时间之间的偏移。可在样本的检验过程的运行时间期间执行这些步骤。此外,如果内建目标足以用于对准且无其它对准目标位置将用于PDA,那么图7中所展示的步骤的实施例可不包含本文所描述的其它实施例中所展示的其它步骤。如果仅使用内建目标,那么对准方法可更简单,如此图中所展示。
在一些实施例中,计算机子系统经配置以基于在其它位置处产生的输出而检测样本上的缺陷且基于在其它位置处产生的输出的设计数据空间位置而确定用于检测所述缺陷的一或多个参数。可使用任何适合缺陷检测方法及/或算法来以此项技术中已知的任何适合方式(例如,将阈值应用于输出且确定具有高于所述阈值的值的任何输出对应于缺陷或潜在缺陷)执行检测样本上的缺陷。经确定的一或多个缺陷检测参数可包含用于缺陷检测的任何可调参数,且尤其包含与缺陷检测的敏感性相关的参数(例如阈值)。在一个实例中,可如本文所描述那样确定输出的设计数据空间位置。设计数据空间位置可用于确定输出的设计数据空间位置处的样本的设计的一或多个特性。举例来说,设计数据空间位置可用于确定形成于其中产生输出的样本上的位置处的特征的类型。接着,与特征的所述类型有关的信息可用于基于位置对位置关系而确定一或多个缺陷检测参数。以此方式,由于可如本文所描述那样以实质上高精确度确定输出的设计数据空间位置,所以可基于位置对位置关系而以实质上高精确度调整用于检测缺陷的参数,借此提供可基于样本上的不同位置处的设计的特性的变化而更改的缺陷检测敏感性。以此方式,可根据样本上的不同位置是否位于设计中的潜在DOI位置处而调整缺陷检测的敏感性。
在另一实施例中,计算机子系统经配置以基于在其它位置处产生的输出而检测样本上的缺陷且基于在其它位置处产生的输出的设计数据空间位置而确定所述缺陷的设计数据空间位置。可如本文将进一步描述那样执行检测样本上的缺陷。确定缺陷的设计数据空间位置可包含:确定对应于缺陷的输出的设计数据空间位置;且将所述设计数据空间位置分配给缺陷。因此,由于本文所描述的实施例可以实质上高精确度确定输出的设计数据空间位置,所以缺陷位置精确度将实质上较高。以此方式,可在设计数据空间中确定检测的缺陷位置,这使确定与设计的部分(其中定位缺陷)有关的信息能够更容易且更精确。因此,本文所描述的实施例可用于以实质上高精确度针对设计数据空间缺陷位置而确定与设计有关的信息。因而,本文所描述的实施例可用于提供比其它当前所使用的系统及方法更与样本的设计相关的检验结果。
另一实施例涉及一种计算机实施方法,其用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置。所述方法包含用于上文所描述的计算机子系统的功能中的每一者的步骤。如本文所描述那样配置所述检验子系统。
可如本文将进一步描述那样执行所述方法的所述步骤中的每一者。所述方法还可包含可由本文所描述的检验子系统及/或计算机子系统或系统执行中的任何其它步骤。由一或多个计算机系统执行所述方法的所述步骤,可根据本文所描述的实施例中的任何者而配置所述一或多个计算机系统。此外,可由本文所描述的系统实施例中的任何者执行上文所描述的方法。
额外实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体,其存储可在计算机系统上执行的程序指令,所述计算机系统用于执行用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的计算机实施方法。图8中展示一个此实施例。特定来说,如图8中所展示,非暂时性计算机可读媒体800包含可在计算机系统804上执行的程序指令802。所述计算机实施方法可包含本文所描述的任何方法的任何步骤。
实施方法(例如本文所描述的方法)的程序指令802可存储于计算机可读媒体800上。计算机可读媒体可为存储媒体,例如磁盘或光盘、磁带或此项技术中已知的任何其它适合非暂时性计算机可读媒体。
可以各种方式的任何者(其尤其包含基于程序的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术)实施程序指令。举例来说,可根据期望使用ActiveX控件、C++对象、JavaBeans、微软基础类别(“MFC”)、SSE(串流SIMD扩展)或其它技术或方法来实施程序指令。
可根据本文所描述的实施例中的任何者而配置计算机系统804。
本文所描述的所有方法可包含:将方法实施例的一或多个步骤的结果存储于计算机可读存储媒体中。所述结果可包含本文所描述的结果中的任何者且可以此项技术中已知的任何方式存储。所述存储媒体可包含本文所描述的任何存储媒体或此项技术中已知的任何其它适合存储媒体。在已存储所述结果之后,所述结果可存取于所述存储媒体中且可由本文所描述的方法或系统实施例的任何者使用,经格式化以对用户显示,由另一软件模块、方法或系统使用,等等。
所属领域的技术人员将鉴于实施方式而明白本发明的各种方面的另外修改及替代实施例。举例来说,提供用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的方法及系统。因此,实施方式应被解释为仅具说明性且用于对所属领域的技术人员教示实施本发明的一般方式。应了解,本文所展示及所描述的本发明的形式应被视为目前优选实施例。元件及材料可取代本文所说明及所描述的元件及材料,可使部件及过程反转,且可单独利用本发明的某些特征,所属领域的技术人员将在受益于本发明的实施方式之后明白上述所有内容。可在不背离所附权利要求书中所描述的本发明的精神及范围的情况下对本文所描述的元件作出改变。
Claims (27)
1.一种经配置以确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的系统,所述系统包括:
检验子系统,其包括至少一能源及检测器,其中所述能源经配置以产生引导到样本的能量,且其中所述检测器经配置以从所述样本检测能量且响应于所述所检测能量而产生输出;及
一或多个计算机子系统,其经配置以:
从所述样本的设计选择一或多个对准目标,其中所述一或多个对准目标的至少一部分包括内建目标,所述内建目标包含于所述设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途,且其中所述一或多个对准目标的至少所述部分不包括一或多个个别装置特征;
使所述一或多个对准目标的一或多个图像对准到所述设计的对应于所述一或多个对准目标的一或多个部分;
基于使所述一或多个图像对准的结果而确定所述一或多个图像与所述设计的所述一或多个部分之间的一或多个偏移;
使由所述检验子系统在所述样本上的所述一或多个对准目标的一或多个位置处产生的输出对准到所述一或多个对准目标的所述一或多个图像;
基于使所述输出对准的结果而确定在所述样本上的所述一或多个对准目标的所述一或多个位置处产生的所述输出与所述一或多个对准目标的所述一或多个图像之间的一或多个额外偏移;且
基于所述一或多个偏移、所述一或多个额外偏移及在所述样本的其它位置处产生的输出的样本空间位置而确定由所述检验子系统在所述样本的所述其它位置处产生的所述输出的设计数据空间位置。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少所述部分进一步包括计量单元的隅角。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少所述部分进一步包括计量单元的中心。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少所述部分进一步包括静态随机存取存储器结构的隅角。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少所述部分进一步包括结构的隅角。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少所述部分进一步包括经设计以由光刻曝光工具使用的对准目标。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少所述部分并非是基于用于在所述样本上的所述一或多个对准目标的所述一或多个位置处产生所述输出的所述检验子系统的一或多个模式而选择。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述对准目标中的任何者不包括所述个别装置特征中的任何者。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少一额外部分包括所述个别装置特征的部分。
10.根据权利要求1所述的系统,其中在不使用所述样本的物理版本的情况下执行所述选择。
11.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以产生一或多个模拟图像,所述一或多个模拟图像说明所述设计的所述一或多个部分将如何出现于由所述检验子系统产生的图像中,且其中使所述一或多个图像对准包括使所述一或多个图像对准到所述一或多个模拟图像。
12.根据权利要求1所述的系统,其中对由所述检验子系统针对所述样本而产生的所述输出的每一检验帧执行确定所述一或多个偏移。
13.根据权利要求1所述的系统,其中对由所述检验子系统针对所述样本而产生的所述输出的每一检验帧执行确定所述一或多个额外偏移。
14.根据权利要求1所述的系统,其中确定所述设计数据空间位置包括:
基于所述一或多个偏移及所述一或多个额外偏移而确定由所述检验子系统在所述其它位置处产生的所述输出与所述设计之间的一或多个进一步偏移;及
基于所述一或多个进一步偏移及在所述样本上的所述其它位置处产生的所述输出的所述样本空间位置而确定所述设计数据空间位置。
15.根据权利要求14所述的系统,其中对由所述检验子系统针对所述样本而产生的所述输出的每一检验帧执行确定所述一或多个进一步偏移。
16.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少所述部分进一步包括具有相同特性的两个或两个以上对准目标。
17.根据权利要求16所述的系统,其中使所述一或多个图像对准包括:
通过使用所述检验子系统来使所述样本上的所述两个或两个以上对准目标中的一者成像而产生所述对准目标的图像;
使所述对准目标的所述图像与所述对准目标的所述设计的部分对准;及
使所述对准目标的所述图像与由所述检验子系统针对所述两个或两个以上对准目标的其它者而产生的图像对准,从而使所述两个或两个以上对准目标的所述其它者的所述图像对准到所述设计的所述部分。
18.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个对准目标的至少所述部分进一步包括具有相同特性的两个或两个以上对准目标,只是所述对准目标位于裸片位置内。
19.根据权利要求18所述的系统,其中使所述一或多个图像对准包括:
通过使用所述检验子系统来使所述样本上的所述两个或两个以上对准目标中的一者成像而产生所述对准目标的图像;且
使所述对准目标的所述图像与所述对准目标的所述设计的部分对准。
20.根据权利要求19所述的系统,其中使所述输出对准包括:使由所述检验子系统在所述样本上的所述一或多个对准目标的所述一或多个位置处产生的所述输出对准到所述对准目标的所述图像。
21.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于在所述其它位置处产生的所述输出而检测所述样本上的缺陷且基于在所述其它位置处产生的所述输出的所述设计数据空间位置而确定用于所述检测的一或多个参数。
22.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于在所述其它位置处产生的所述输出而检测所述样本上的缺陷且基于在所述其它位置处产生的所述输出的所述设计数据空间位置而确定所述缺陷的设计数据空间位置。
23.根据权利要求1所述的系统,其中所述样本包括晶片。
24.根据权利要求1所述的系统,其中引导到所述样本的所述能量包括光,且其中从所述样本检测的所述能量包括光。
25.根据权利要求1所述的系统,其中引导到所述样本的所述能量包括电子,且其中从所述样本检测的所述能量包括电子。
26.一种非暂时性计算机可读媒体,其存储可在计算机系统上执行的程序指令,所述计算机系统用于执行用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的计算机实施方法,其中所述计算机实施方法包括:
从样本的设计选择一或多个对准目标,其中所述一或多个对准目标的至少一部分包括内建目标,所述内建目标包含于所述设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途,且其中所述一或多个对准目标的至少所述部分不包括一或多个个别装置特征;
使所述一或多个对准目标的一或多个图像对准到所述设计的对应于所述一或多个对准目标的一或多个部分;
基于使所述一或多个图像对准的结果而确定所述一或多个图像与所述设计的所述一或多个部分之间的一或多个偏移;
使由检验子系统在所述样本上的所述一或多个对准目标的一或多个位置处产生的输出对准到所述一或多个对准目标的所述一或多个图像,其中所述检验子系统包括至少一能源及检测器,其中所述能源经配置以产生引导到样本的能源,且其中所述检测器经配置以从所述样本检测能量且响应于所述所检测能量而产生输出;
基于使所述输出对准的结果而确定在所述样本上的所述一或多个对准目标的所述一或多个位置处产生的所述输出与所述一或多个对准目标的所述一或多个图像之间的一或多个额外偏移;且
基于所述一或多个偏移、所述一或多个额外偏移及在所述样本上的其它位置处产生的输出的样本空间位置而确定由所述检验子系统在所述样本的所述其它位置处产生的所述输出的设计数据空间位置。
27.一种计算机实施方法,其用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置,所述计算机实施方法包括:
从样本的设计选择一或多个对准目标,其中所述一或多个对准目标的至少一部分包括内建目标,所述内建目标包含于所述设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途,且其中所述一或多个对准目标的至少所述部分不包括一或多个个别装置特征;
使所述一或多个对准目标的一或多个图像对准到所述设计的对应于所述一或多个对准目标的一或多个部分;
基于使所述一或多个图像对准的结果而确定所述一或多个图像与所述设计的所述一或多个部分之间的一或多个偏移;
使由检验子系统在所述样本上的所述一或多个对准目标的一或多个位置处产生的输出对准到所述一或多个对准目标的所述一或多个图像,其中所述检验子系统包括至少一能源及检测器,其中所述能源经配置以产生引导到样本的能源,且其中所述检测器经配置以从所述样本检测能量且响应于所述所检测能量而产生输出;
基于使所述输出对准的结果而确定在所述样本上的所述一或多个对准目标的所述一或多个位置处产生的所述输出与所述一或多个对准目标的所述一或多个图像之间的一或多个额外偏移;及
基于所述一或多个偏移、所述一或多个额外偏移及在所述样本上的其它位置处产生的输出的样本空间位置而确定由所述检验子系统在所述样本上的所述其它位置处产生的所述输出的设计数据空间位置,其中所述方法的步骤由一或多个计算机系统执行。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462098732P | 2014-12-31 | 2014-12-31 | |
US62/098,732 | 2014-12-31 | ||
US14/983,452 | 2015-12-29 | ||
US14/983,452 US9830421B2 (en) | 2014-12-31 | 2015-12-29 | Alignment of inspection to design using built in targets |
PCT/US2015/068057 WO2016109662A1 (en) | 2014-12-31 | 2015-12-30 | Alignment of inspection to design using built in targets |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107004038A true CN107004038A (zh) | 2017-08-01 |
CN107004038B CN107004038B (zh) | 2018-10-26 |
Family
ID=56164479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580065599.XA Active CN107004038B (zh) | 2014-12-31 | 2015-12-30 | 使用内建目标将检验对准到设计 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9830421B2 (zh) |
JP (1) | JP6807844B2 (zh) |
KR (1) | KR102295266B1 (zh) |
CN (1) | CN107004038B (zh) |
IL (1) | IL252206B (zh) |
SG (1) | SG11201704452VA (zh) |
TW (1) | TWI668582B (zh) |
WO (1) | WO2016109662A1 (zh) |
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- 2015-12-29 US US14/983,452 patent/US9830421B2/en active Active
- 2015-12-30 CN CN201580065599.XA patent/CN107004038B/zh active Active
- 2015-12-30 SG SG11201704452VA patent/SG11201704452VA/en unknown
- 2015-12-30 KR KR1020177021054A patent/KR102295266B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-30 JP JP2017534961A patent/JP6807844B2/ja active Active
- 2015-12-30 WO PCT/US2015/068057 patent/WO2016109662A1/en active Application Filing
- 2015-12-31 TW TW104144795A patent/TWI668582B/zh active
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- 2017-05-10 IL IL252206A patent/IL252206B/en active IP Right Grant
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JP2018502457A (ja) | 2018-01-25 |
SG11201704452VA (en) | 2017-07-28 |
WO2016109662A1 (en) | 2016-07-07 |
IL252206A0 (en) | 2017-07-31 |
IL252206B (en) | 2019-09-26 |
TW201636883A (zh) | 2016-10-16 |
JP6807844B2 (ja) | 2021-01-06 |
US20160188784A1 (en) | 2016-06-30 |
US9830421B2 (en) | 2017-11-28 |
KR102295266B1 (ko) | 2021-08-27 |
TWI668582B (zh) | 2019-08-11 |
KR20170101294A (ko) | 2017-09-05 |
CN107004038B (zh) | 2018-10-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |