TW201526258A - 擴散劑組成物以及雜質擴散層之形成方法 - Google Patents

擴散劑組成物以及雜質擴散層之形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201526258A
TW201526258A TW103133007A TW103133007A TW201526258A TW 201526258 A TW201526258 A TW 201526258A TW 103133007 A TW103133007 A TW 103133007A TW 103133007 A TW103133007 A TW 103133007A TW 201526258 A TW201526258 A TW 201526258A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
zirconium
titanium
agent composition
diffusing agent
Prior art date
Application number
TW103133007A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Miyagi
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Publication of TW201526258A publication Critical patent/TW201526258A/zh

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

本發明之課題為提供一種擴散劑組成物與使用該擴散劑組成物之雜質擴散層的形成方法，該擴散劑組成物能夠抑制在乾燥爐將塗布有擴散劑組成物之半導體基板進行乾燥時，其乾燥爐之爐內或排氣口上之堆積物的發生。 作為解決手段，本發明在含有雜質擴散成分(A)與有機溶劑(S)的擴散劑組成物中，摻合作為雜質擴散成分(A)之包含下式(1)所示之構成單位的聚合物。式(1)中，R為氫原子或碳原子數1~5之烷基，Y為單鍵、-O-、酯鍵結、或亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之碳原子數1~10之2價烴基，R1以及R2分別獨立為氫氧基、碳原子數1~5之烷氧基、或亦可具有取代基之芳氧基，R1與R2亦可分別鍵結並形成環。 □

Description

擴散劑組成物以及雜質擴散層之形成方法
本發明為關於一種擴散劑組成物以及雜質擴散層之形成方法。
以往，在太陽能電池的製造中，在半導體基板中，例如形成N型之雜質擴散層時，是從在半導體基板表面上塗布有包含N型之雜質擴散成分的擴散劑之擴散劑中，使N型之雜質擴散成分擴散，並形成N型雜質擴散層。具體來說，首先，在半導體基板表面上形成熱氧化膜，接著以光蝕刻法，將具有特定圖型之光阻層合於熱氧化膜上，將該光阻作為光罩，藉由酸或鹼並以光阻將沒有被光罩之熱氧化膜的部分進行蝕刻，剝離光阻後形成熱氧化膜之光罩。且，塗布包含N型之雜質擴散成分的擴散劑組成物後，在光罩之開口部分會形成擴散劑組成物之膜。藉由將其部分加熱至高溫，使雜質擴散成分擴散，來形成N型雜質擴散層(專利文獻1~3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-071489號公報
[專利文獻2]日本特開2002-075892號公報
[專利文獻3]日本特表2008-543097號公報
然而，在專利文獻1~3所記載之方法中有如以下之問題。在半導體基板上塗布擴散劑組成物後，會在乾燥爐內進行乾燥處理。此時會有下述問題，使用以往之擴散劑組成物時，在乾燥爐的爐內或排氣口會容易囤積包含大量磷化合物的堆積物。如此之堆積物的問題會招致太陽能電池之生產性的低下。是因為若大量產生堆積物時，在停止乾燥爐之後，必需要頻繁地實施去除堆積物之操作。且，若在乾燥爐內囤積堆積物，則會有堆積物落下至矽晶圓之虞。堆積物落下至矽晶圓，會對太陽能電池之光電轉換效率帶來不良影響。
本發明有鑑於上述課題，以提供一種擴散劑組成物與使用該擴散劑組成物之雜質擴散層之形成方法為目的，該擴散劑組成物能夠抑制將塗布有擴散劑組成物之半導體基板於乾燥爐中進行乾燥時，其乾燥爐的爐內或排氣口上之堆積物的產生。
本發明者們發現，藉由於含有雜質擴散成分(A)與有機溶劑(S)之擴散劑組成物中，摻合作為雜質擴散成分(A)之包含下式(1)所示之構成單位的聚合物，能夠解決上述之課題，進而完成本發明。
[式(1)中，R為氫原子或碳原子數1~5之烷基，Y為單鍵、-O-、酯鍵結、或亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之碳原子數1~10之2價烴基，R1以及R2分別獨立為氫氧基、碳原子數1~5之烷氧基、或亦可具有取代基之芳氧基，R1與R2亦可分別鍵結並形成環。]
本發明之第1型態為一種擴散劑組成物，其係在雜質於半導體基板之擴散時所使用之擴散劑組成物，含有雜質擴散成分(A)與有機溶劑(S)
雜質擴散成分(A)含有包含下式(1)所示之構成單位的聚合物。
[式(1)中，R為氫原子或碳原子數1~5之烷基，Y為單鍵、-O-、酯鍵結、或亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之碳原子數1~10之2價烴基，R1以及R2分別獨立為氫氧基、碳原子數1~5之烷氧基、或亦可具有取代基之芳氧基，R1與R2亦可分別鍵結並形成環。]
本發明之第2型態為一種雜質擴散層之形成方法，其包含：於半導體基板上塗布第1型態之擴散劑組成物，來形成圖型之圖型形成步驟、與 將擴散劑組成物之雜質擴散成分(A)擴散於半導體基板之擴散步驟。
藉由本發明，能夠提供一種擴散劑組成物與使用該擴散劑組成物之雜質擴散層之形成方法，該擴散劑組成物能夠抑制將塗布有擴散劑組成物之半導體基板於乾燥爐內進行乾燥時，其乾燥爐的爐內或排氣口之堆積物的產生。
1‧‧‧半導體基板
1a‧‧‧刻紋部分
2‧‧‧擴散劑組成物
3‧‧‧N型雜質擴散層
4‧‧‧保護膜
5‧‧‧表面電極
6‧‧‧反面電極
10‧‧‧太陽能電池
20‧‧‧加熱板
30‧‧‧矽晶圓
40‧‧‧氣體捕集器
50‧‧‧氣體捕集溶劑
[圖1]圖1(a)~(d)為表示關於包含雜質擴散層之形成方法的太陽能電池之製造方法中的各步驟之基板剖面之圖。
[圖2]圖2(a)~(d)，為表示關於包含雜質擴散層之 形成方法的太陽能電池之製造方法中的各步驟之基板剖面之圖。
[圖3]表示分析乾燥時所產生之氣體時，所使用之裝置構成之圖。
≪擴散劑組成物≫
擴散劑組成物適合使用在雜質擴散成分於半導體基板之印刷時。作為半導體基板之用途，太陽能電池較合適。擴散劑組成物含有雜質擴散成分(A)與有機溶劑(S)。以下，依序針對擴散劑組成物中所包含之各成分進行說明。
<雜質擴散成分(A)>
雜質擴散成分(A)含有包含下式(1)所示之構成單位的聚合物。
[式(1)中，R為氫原子或碳原子數1~5之烷基，Y為單鍵、-O-、酯鍵結、或亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之碳原子數1~10之2價烴基，R1以及R2分別獨立為 氫氧基、碳原子數1~5之烷氧基、或亦可具有取代基之芳氧基，R1與R2亦可分別鍵結並形成環。]
擴散劑組成物藉由含有作為雜質擴散成分(A)之上述聚合物，除了有前述之堆積物的降低效果之外，還能夠容易地使用擴散劑組成物，印刷成所期望之形狀的圖型，並能夠將雜質擴散成分均勻地擴散於基板上。
作為R之示例，有舉出氫原子、甲基、乙基、n-丙基、iso-丙基、n-丁基、sec-丁基、iso-丁基、tert-丁基、n-戊基以及iso-戊基等。其中以氫原子以及甲基較佳。
Y為單鍵、-O-、酯鍵結、或亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之碳原子數1~10之2價烴基。Y為亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之碳原子數1~10之2價烴基時，烴基亦可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基，亦可為包含脂肪族部分與芳香族部分之組合者。Y中之烴基亦可進一步具有取代基，作為該取代基，有舉例如碳數1~5之乙烯烷氧羰基、碳數1~5之烷氧羰基、碳數1~5之醯基等。
Y為具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之烴基時，-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結亦可包含在2價基之Y的末端，亦可包含在烴基中所包含之2個碳原子之間。Y為具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之烴基時，Y同時不包含選自-O-、-NH-、-C(=O)-、以及酯鍵結之複數個基。
Y中之烴基亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯 鍵結，為脂肪族烴基與芳香族烴基之組合時，烴基之碳原子數為碳原子數6~10較佳。
Y中之烴基為亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之脂肪族烴基時，以脂肪族烴基之碳原子數為碳原子數1~8較佳，以1~6更佳，以1~3特別佳。
Y中之烴基為亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之芳香族烴基時，芳香族烴基之碳原子數以碳原子數6~10較佳。
作為R1以及R2為碳原子數1~5之烷氧基時的具體例，有舉出氫原子、甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、sec-丁氧基、iso-丁氧基、tert-丁氧基、n-戊氧基以及iso-戊氧基等。此等當中，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基以及n-丁氧基較佳，若考慮其擴散性，則以甲氧基以及乙氧基更佳。
R1以及R2亦可分別鍵結並形成環。R1與R2鍵結所形成之環為由-O-P-O-鍵結與伸烷基所形成之環較佳。R1與R2鍵結所形成之環為5~8員環較佳，為6員環更佳。
R1以及R2為亦可具有取代基之芳氧基時，以芳氧基中所包含之芳基為1~3之6員芳香族烴環所構成之基較佳。芳香族烴基為複數之6員芳香族烴環所構成時，芳香族烴基亦可為如聯苯基般介隔著單鍵與6員芳香族烴環鍵結者，亦可為如萘基般與6員芳香族烴環縮合者。
R1以及R2為亦可具有取代基之芳氧基時，作 為取代基之示例，有舉出碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基、氫氧基、羧基以及碳原子數2~6之脂肪族醯基、碳數1~6之二烷氧磷氧基、碳數1~6之二烷氧磷氧基甲基、碳數1~6之烷氧羥基磷氧基、碳數1~6之烷氧羥基磷氧甲基、二羥基磷氧基、二羥基磷氧甲基等。
作為R1以及R2為亦可具有取代基之芳氧基時的適合之具體例，有舉出苯氧基、α-萘氧基、β-萘氧基、2-甲基苯氧基、3-甲基苯氧基、4-甲基苯氧基、2-甲氧苯氧基、3-甲氧苯氧基、4-甲氧苯氧基、2-苯基苯氧基、3-苯基苯氧基及4-苯基苯氧基等。此等之中，以苯氧基、α-萘氧基及β-萘氧基較佳，考慮擴散性的話則以苯氧基更佳。
以上所說明之作為給予式(1)所表示之構成單位的單體之具體例，有舉出以下者。
包含上述之式(1)所表示之構成單位的聚合物亦可為給予式(1)所表示之構成單位的單體、與和其他單體之共聚物。作為能夠與給予式(1)所表示之構成單位的單體共聚合之其他單體，有舉例如不飽和羧酸類、(甲基)丙烯酸酯類、(甲基)丙烯醯胺類、丙烯基化合物、乙烯醚類、乙烯酯類、苯乙烯類及(甲基)丙烯腈等。且，亦可與含有乙烯基之矽烷化合物等共聚合。
作為不飽和羧酸類，有舉例如(甲基)丙烯酸、丁烯酸等單羧酸；馬來酸、丁烯二酸、檸康酸、中康酸、伊康酸等二羧酸、此等二羧酸之酣等。
作為丙烯酸酯類，有舉例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸乙基己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-t-辛酯等直鏈或分枝狀丙烯酸烷酯；丙烯酸環己酯、丙烯酸二環戊酯、2-甲基丙烯酸環己酯、丙烯酸二環戊酯、環戊二烯丙烯酸乙酯、異莰基丙烯酸酯等脂環式丙烯酸烷酯；2,2-二甲基羥丙基丙烯酸酯、2-羥乙基丙烯酸酯、5-羥戊基丙烯酸酯、三羥甲丙烷單丙烯酸酯、季戊四醇單丙烯酸酯、丙烯酸苄酯、甲氧基丙烯酸苄酯、糠基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、包含亦可具有取代基之芳基的芳基丙烯酸酯(例如苯基丙烯酸酯)等。
作為甲基丙烯酸酯類，有舉例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、異甲基丙烯酸丙酯、n-甲基丙烯酸丁酯、sec-甲基丙烯酸丁酯、t-甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯己酯、甲基丙烯酸辛酯等之直鏈或分枝狀甲基丙烯酸烷酯；甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸二環戊酯、2-甲基甲基丙烯酸環己酯、二環戊基氧甲基丙烯酸乙酯、異莰基丙烯酸甲酯等之脂環式甲基丙烯酸烷酯；甲基丙烯酸苄酯、2-甲基丙烯酸羥乙酯、4-甲基丙烯酸羥丁酯、5-甲基丙烯酸羥戊酯、2,2-二甲基-3-甲基丙烯酸羥丙酯、三羥甲丙烷單丙烯酸甲酯、 季戊四醇單丙烯酸甲酯、糠基丙烯酸甲酯、四氫糠基丙烯酸甲酯、包含亦可具有取代基之芳基的芳基丙烯酸甲酯(例如苯基丙烯酸甲酯、甲苯酚基丙烯酸甲酯、萘基丙烯酸甲酯)等。
作為丙烯醯胺類，有舉例如丙烯醯胺、N-烷基丙烯醯胺(烷基的碳數為1~10較佳，例如甲基、乙基、丙基、丁基、t-丁基、庚基、辛基、環己基、羥乙基、苄基等)、包含亦可具有取代基的芳基之N-芳基丙烯醯胺(作為亦可具有取代基的芳基，有舉例如苯基、甲苯基、萘基、羥苯基等)、N,N-二烷基丙烯醯胺(烷基之碳數為1~10較佳)、包含亦可具有取代基的芳基之N,N-芳基丙烯醯胺(作為芳基，有舉例如苯基)、N-甲基-N-苯基丙烯醯胺、N-羥乙基-N-甲基丙烯醯胺、N-2-乙醯胺基乙基-N-乙醯基丙烯醯胺等。
作為甲基丙烯醯胺類，有舉例如甲基丙烯醯胺、N-烷基甲基丙烯醯胺(烷基之碳數為1~10較佳，有舉例如甲基、乙基、t-丁基、乙基己基、羥乙基、環己基等)、包含亦可具有取代基的芳基之N-芳基甲基丙烯醯胺(作為亦可具有取代基之芳基，有舉例如苯基、甲苯基、萘基、羥苯基等)、N,N-二烷基甲基丙烯醯胺(作為烷基，有舉出乙基、丙基、丁基等)、包含亦可具有取代基的芳基之N,N-二芳基甲基丙烯醯胺(作為亦可具有取代基的芳基，有舉例如苯基)、N-羥乙基-N-甲基甲基丙烯醯胺、N-甲基-N-苯基甲基丙烯醯胺、N-乙基-N-苯基甲基丙烯醯胺 等。
作為丙烯基化合物，有舉例如丙烯基酯類(例如乙酸烯丙酯、己酸烯丙酯、辛酸烯丙酯、月桂酸烯丙酯、棕櫚酸烯丙酯、硬脂酸烯丙酯、安息香酸烯丙酯、乙醯乙酸烯丙酯、乳酸烯丙酯等)、烯丙氧基醇等。
作為乙烯醚類，有舉例如烷基乙烯醚(有舉例如己基乙烯醚、辛基乙烯醚、癸基乙烯醚、乙基己基乙烯醚、甲氧基乙基乙烯醚、乙氧基乙烯醚、1-甲基-2,2-二甲基丙基乙烯醚、2-乙基丁基乙烯醚、羥乙基乙烯醚、二乙二醇乙烯醚、二甲基胺基乙基乙烯醚、二乙胺基乙基乙烯醚、丁基胺基乙基乙烯醚、苄基乙烯醚、四氫糠基乙烯醚等)、包含亦可具有取代基的芳基之乙烯芳基醚(有舉例如乙烯基苯醚、乙烯基甲苯醚、乙烯基萘醚、乙烯基蒽基醚等)。
作為乙烯酯類，有舉例如丁酸乙烯酯、異丁酸乙烯酯、乙烯基乙酸三甲酯、二乙基乙酸乙烯酯、戊酸乙烯酯、己酸乙烯酯、乙烯甲氧乙酸酯、乙烯丁氧基乙醇乙酸酯、乙烯乙酸苯酯、乙烯乙醯乙酸酯、乳酸乙烯酯、乙烯-β-丁酸苯酯、苯甲酸乙烯酯、水楊酸乙烯酯、萘甲酸乙烯酯。
作為苯乙烯類，有舉例如苯乙烯、烷基苯乙烯(有舉例如甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、異丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、環己基苯乙烯、癸基苯乙烯、苄基苯 乙烯、三氟甲基苯乙烯、乙氧基甲基苯乙烯、乙醯氧基甲基苯乙烯等)、烷氧基苯乙烯(有舉例如甲氧苯乙烯、4-甲氧-3-甲基苯乙烯、二甲氧苯乙烯等)。
作為含有乙烯基之矽烷化合物類，有舉例如乙烯基三甲基矽烷、乙烯基三乙基矽烷、二乙烯基二甲基矽烷、乙烯基苯基二甲矽烷、乙烯基三甲氧矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、乙烯基三丁氧矽烷等。
包含上述之式(1)所表示之構成單位的聚合物為給予式(1)所表示之構成單位的單體與其他單體之共聚物時，聚合物中之式(1)所表示之構成單位的含量，相對於構成聚合物之全構成單位的量，為70莫耳%以上較佳，為80莫耳%以上更佳，為90莫耳%以上特別佳。
包含式(1)所表示之構成單位的聚合物之質量平均分子量(Mw：以透膠層析術(GPC)之聚苯乙烯所換算的測定值)為3000~150000較佳，為10000~120000更佳，為30000~100000再更佳。藉由使用在如此之範圍內的聚合物，容易得到具備良好擴散性能、與良好塗布性或印刷性之擴散劑組成物。
雜質擴散成分(A)在不損害本發明之目的的範圍下，除了上述之聚合物之外，亦可包含作為雜質擴散成分而作用的各種材料。作為如此之材料之示例，有舉出磷酸單戊酯、磷酸二戊酯、磷酸單已酯、磷酸二已酯、磷酸單已酯、磷酸二已酯、磷酸單辛酯、磷酸二辛酯、磷酸單乙酯己基、磷酸二乙酯己基、磷酸三癸酯及磷酸異三癸酯 等。
雜質擴散劑成分(A)中，包含式(1)所表示之構成單位的聚合物之含量，相對於雜質擴散劑成分(A)的全質量，以70質量%以上較佳，以80質量%以上更佳，以90質量%以上特別佳，以100質量%最佳。
擴散劑組成物中之雜質擴散成分(A)的含量，相對於擴散劑組成物的全質量，為10~50質量%較佳，為15~30質量%更佳。
<有機黏結劑樹脂(B)>
擴散劑組成物，以調整擴散劑組成物於基板之塗布性之目的等來看，亦可包含有機黏結劑樹脂，該有機黏結劑樹脂為與包含上述之式(1)所表示之構成單位的聚合物相異之樹脂成分。有機黏結劑樹脂(B)之質量平均分子量為10000以上較佳。藉由使用如此分子量的有機黏結劑樹脂(B)，容易得到印刷性或塗布性優異之擴散劑組成物。以有機黏結劑樹脂之質量平均分子量為10000~100000更佳，為10000~50000特別佳。有機黏結劑樹脂(B)為丙烯酸系樹脂較佳。使用丙烯酸系樹脂作為有機黏結劑樹脂(B)時，容易得到能將雜質擴散成分(A)良好擴散之擴散劑組成物。
丙烯酸系樹脂並無特別限定，但能舉例如含有由(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生之構成單位、與(甲基)丙烯酸羥烷基酯或具有羧基之聚合性化合物所衍生之構成單 位之丙烯酸系樹脂；或由含有具有醚鍵結之聚合性化合物所衍生之構成單位、與由具有羧基之聚合性化合物所衍生之構成單位之丙烯酸系樹脂。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，以具有碳數1~15之烷基者較佳。作為(甲基)丙烯酸烷基酯之適當的示例，有舉出甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、n-丙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丁基(甲基)丙烯酸酯、sec-丁基(甲基)丙烯酸酯、異丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯及2-丙基庚基(甲基)丙烯酸酯等。作為(甲基)丙烯酸羥烷基酯，為具有含有碳數1~5的氫氧基之烷基者較佳。作為(甲基)丙烯酸羥烷基酯的適當示例，有舉出2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯及2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯等。
作為具有醚鍵結之聚合性化合物，可例示2-甲氧乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、3-甲氧丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯及四氫糠基(甲基)丙烯酸酯等之具有醚鍵結及酯鍵結之(甲基)丙烯酸衍生物等。此等之化合物能夠以單獨或組合2種以上來使用。且，本說明書中，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯與丙烯酸甲酯之一者或兩者。
作為具有羧基之聚合性化合物，可例示丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸等之單羧酸；馬來酸、丁烯二酸、伊康酸等之二羧酸；2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、 2-甲基丙烯醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫酞酸等之具有羧基及酯鍵結之化合物等。具有羧基之聚合性化合物中，以丙烯酸及甲基丙烯酸較佳。此等之化合物能夠以單獨或組合2種以上來使用。
擴散劑組成物包含有機黏結劑樹脂(B)時，以擴散劑組成物中之有機黏結劑樹脂(B)的含量為5~40質量%較佳，為10~35質量%更佳。
<SiO2微粒子(C)>
擴散劑組成物中亦可進一步包含SiO2微粒子(C)。SiO2微粒子(C)的平均粒徑為1μm以下較佳。作為SiO2微粒子(C)的具體例，有舉出氣相二氧化矽等。藉由在擴散劑組成物中摻混SiO2微粒子(C)，能夠賦予擴散劑組成物減黏性或假塑性。藉此，能夠將擴散劑組成物之特性變為適用於網印者。
擴散劑組成物包含SiO2微粒子(C)時，以擴散劑組成物中之SiO2微粒子(C)的含量為3~20質量%較佳，為5~15質量%更佳。
<金屬化合物(D)>
擴散劑組成物亦可包含選自下式(D1)所表示之鈦化合物及下式(C2)所表示之鋯化合物所成之群之金屬化合物(D)。
R3 4-pTiX1 p．．．(D1)
(式(1)中，R3為有機基，X1為1價之有機配位子、烷氧基、酮烷氧基或醯氧基，p為2~4之整數。X1中之2個以上為烷氧基時，2個以上之烷氧基中的任意2個烷氧基亦可互相鍵結並與Ti原子形成環。)
R4 4-qZrX2 q．．．(D2)
(式(D2)中，R4為有機基或1價之有機配位子，X2為1價之有機配位子，烷氧基，酮烷氧基或醯氧基，q為2~4之整數。X2中的2個以上為烷氧基時，2個以上之烷氧基中的任意2個烷氧基亦可互相鍵結並與Zr原子形成環。)
該鈦化合物及鋯化合物在加熱形成於半導體基板上之擴散劑組成物的塗布膜時，會進行縮合，並使塗布膜緻密化。因此，藉由使用包含特定構造之金屬化合物(D)的擴散劑組成物，在塗布有擴散劑組成物之處，能夠使雜質擴散成分(A)均勻且良好地擴散，並抑制雜質擴散成分(A)往沒有塗布擴散劑組成物之處擴散。以下，針對鈦化合物與氧化鋯化合物進行說明。
(鈦化合物)
作為鈦化合物，使用下述式(D1)所表示之化合物或其 部分水解縮合物(低聚物)。
R3 4-pTiX1 p．．．(D1)
(式(D1)中，R3為有機基，X1為1價之有機配位子、烷氧基、酮烷氧基或醯氧基，p為2~4之整數。X1中之2個以上為烷氧基時，2個以上之烷氧基中的任意2個烷氧基亦可互相鍵結並與Ti原子形成環。)
作為R3之有機基並無特別限定，且能夠自廣泛範圍的有機基中選出。有機基亦可包含N、O、S、鹵素原子等雜原子。作為有機基之適當的示例，有舉出直鏈或分枝狀的烷基、烯基，炔基或具有親水性基者。作為烷基、烯基、炔基，有舉出與後述之R5相同者。且作為具有親水性基之有機基，例如，可例示以下之一般式(D3)所表示者。
R5-ES-R6-．．．(D3)
於此，R5表示直鏈或分枝狀之烷基、烯基、炔基，ES表示酯鍵結，R6表示伸烷基。以上述烷基、烯基、炔基之碳原子數為1~10較佳，以2~6再更佳。且，以上述伸烷基之碳原子數為1~10較佳，以2~6再更佳。
作為親水性基之示例，有舉出氫氧基、羰基、醚基，尤其是羰基之中，有舉出酯基(酯鍵結)。且， R3之碳原子數為1~20較佳，為1~6再更佳。
在式(D1)所表示之鈦化合物中，存在兩個有機基R3時，各個有機基亦可為相同亦可為相異。
X1為烷氧基、酮烷氧基、醯氧基或1價之有機配位子。酮烷氧基意指自具有酮性羰基與醇性氫氧基之脂肪族醇之酮醇中的氫氧基去除氫原子之基。配位子為1價意指相對於金屬元素，與金屬元素之價數同數的配位子能夠配位。
X1為烷氧基時，以其碳原子數為1~30較佳，以1~20再更佳，以1~10特別佳。烷氧基亦可為直鏈狀亦可為分枝狀。作為烷氧基之適當的具體例，有舉出甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、sec-丁氧基、tert-丁氧基、n-戊氧基、異戊氧基、sec-戊氧基、tert-戊氧基、n-己氧基、n-庚基、2-乙基己基氧基、n-壬氧基、n-癸氧基、n-十一烷氧基、n-十二烷氧基、n-十三烷氧基、n-十四烷氧基、n-十六烷氧基、n-十七烷氧基、n-十八烷氧基(硬脂醯氧基)、異硬脂醯氧基、n-十九烷氧基及n-二十烷氧基。式(D1)所表示之鈦化合物具有2個以上的烷氧基時，各個烷氧基亦可相同亦可相異。
X1為酮烷氧基時，以碳原子數為3~30較佳，以3~20再更佳，以3~10特別佳。酮烷氧基亦可為直鏈狀亦可為分枝狀。作為酮烷氧基，在選自由n-丙氧基、n-丁氧基、sec-丁氧基、n-戊氧基、異戊氧基、sec-戊氧基、 tert-戊氧基、n-己氧基、n-庚基、2-乙基己氧基、n-壬氧基、n-癸氧基、n-十一烷氧基、n-十二烷氧基、n-十三烷氧基、n-十四烷氧基、n-十六烷氧基、n-十七烷氧基、n-十八烷氧基(硬脂醯氧基)、n-十九烷氧基及n-二十烷氧基所構成之群之烷氧基中的烷基鏈上有導入酮性羰基之基較佳。作為酮烷氧基之適當的具體例，有舉出2-乙基-3-側氧-n-己氧基。
X1為醯氧基時，以碳原子數為2~30較佳，以2~20再更佳，以2~10特別佳。醯氧基亦可為脂肪族醯氧基，亦可為芳香族醯氧基，亦可為包含芳香族基與脂肪族基之醯氧基。作為醯氧基，以脂肪族醯氧基較佳。醯氧基為脂肪族醯氧基時，脂肪族醯氧基亦可為飽和脂肪族醯氧基，亦可為不飽和脂肪族醯氧基，為飽和脂肪族醯氧基較佳。醯氧基為脂肪族醯氧基時，脂肪族醯氧基亦可為直鏈狀亦可為分枝狀。
作為醯氧基之適當的具體例，有舉出乙醯氧基、丙醯氧基、n-丁醯氧基、異丁醯氧基、n-戊醯氧基、n-己醯氧基、n-庚醯氧基、n-辛醯氧基、n-壬醯氧基、n-癸醯氧基、n-十一醯氧基、n-十三醯氧基、n-十四醯氧基、n-十五醯氧基、n-十六醯氧基、n-十七醯氧基、n-十八醯氧基(硬脂醯氧基)、16-甲基-n-十七醯氧基(異硬脂醯氧基)、n-壬癸醯氧基及n-二十醯基。式(D1)所表示之鈦化合物具有2個以上的醯氧基時，各個醯氧基亦可相同亦可相異。
X1為1價之有機配位子時，作為1價之有機配位子，有舉出烷醇胺類、羧酸類、羥基羧酸(鹽)類、β-二酮、β-酮酯、二醇類及氨基酸類等。
作為烷醇胺類之具體例，有舉出乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺及單羥乙基單胺基乙胺。作為羧酸類之具體例，有舉出乙酸、丙酸、酪酸。作為羥基羧酸(鹽)類之具體例，有舉出乙醇酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、酒石酸、及水楊酸以及此等之鹽。作為β-二酮之具體例，有舉出乙醯丙酮、2,4-己烷二酮、及2,4-庚烷二酮。作為β-酮酯之具體例，有舉出乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯乙酸-n-丙酯、乙醯乙酸異丙基及乙醯乙酸-n-丁酯。作為二醇類之具體例，有舉出乙二醇、二乙二醇、3-甲基-1,3-丁二醇、三乙二醇、二丙烯甘醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,5-戊二醇、2-甲-2,4-戊二醇、及辛二醇等。
作為式(D1)所表示之鈦化合物，有舉例如有機烷氧基鈦化合物、四烷氧基鈦化合物、烷氧基酮烷氧基鈦化合物、四醯氧基鈦化合物、烷氧醯氧基鈦化合物、乙醯丙酮-鈦螫合物化合物(鈦化四(乙醯丙酮酸鹽))、乙醯丙酮-烷氧基鈦螫合物化合物、乙醯乙酸乙酯-鈦螫合物化合物(鈦化四(乙醯乙酸乙酯))及乙醯乙酸乙酯-烷氧基鈦螫合物化合物。
作為有機烷氧基鈦化合物之較佳的具體例，有舉出丙烯基三甲氧基鈦、丙烯基三乙氧基鈦、二丙烯基二甲氧基鈦及二丙烯基二乙氧基鈦。
作為四烷氧基鈦化合物之較佳的具體例，有舉出四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四-n-丙氧基鈦、四異丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、四異丁氧基鈦、四-t-丁氧基鈦、二異丙氧基二-n-丁氧基鈦、二異丙氧基-二-t-戊氧基、二異丙氧基二異硬脂醯氧基鈦、二-t-丁氧基二異丙氧基鈦、四(2-乙基-n-己氧基)鈦、四異辛氧基鈦及四硬脂醯氧基鈦等。
作為烷氧基酮烷氧基鈦化合物之較佳的具體例，有舉出單甲氧三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二甲氧二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三甲氧單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、單乙氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二乙氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三乙氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、單-n-丙氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二-n-丙氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三-n-丙氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、單異丙氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二異丙氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三異丙氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、單-n-丁氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二-n-丁氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三-n-丁氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、單異丁氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二異丁氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三異丁氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、單-t-丁氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二-t-丁氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三-t-丁氧基單(2-乙基-3-側氧- n-己氧基)鈦、單(2-乙基-n-己氧基)三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二(2-乙基-n-己氧基)二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三(2-乙基-n-己氧基)單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、單異辛氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二異辛氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、三異辛氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、單硬脂醯氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦、二硬脂醯氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦及三硬脂醯氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鈦等。
作為四醯氧基鈦化合物之較佳的具體例，有舉出四n-己醯氧基鈦、四n-辛醯氧基鈦、四-2-乙基己醯氧基鈦、四n-十二醯氧基鈦、四硬脂醯氧基鈦及四異硬脂醯氧基鈦。
作為烷氧醯氧基鈦化合物之較佳的具體例，有舉出單甲氧三(n-己醯氧基)鈦、二甲氧二(n-己醯氧基)鈦、三甲氧單(n-己醯氧基)鈦、單乙氧基三(n-己醯氧基)鈦、二乙氧基二(n-己醯氧基)鈦、三乙氧基單(n-己醯氧基)鈦、單異丙氧基三(n-己醯氧基)鈦、二異丙氧基二(n-己醯氧基)鈦、三異丙氧基單(n-己醯氧基)鈦、單-n-丁氧基三(n-己醯氧基)鈦、二-n-丁氧基二(n-己醯氧基)鈦及三-n-丁氧基單(n-己醯氧基)鈦等之烷氧基(n-己醯氧基)鈦化合物；單甲氧三(n-辛醯氧基)鈦、二甲氧二(n-辛醯氧基)鈦、三甲氧單(n-辛醯氧基)鈦、單乙氧基三(n-辛醯氧基)鈦、二乙氧基二(n-辛醯氧基)鈦、三乙氧基單(n-辛醯氧基)鈦、單異丙氧基三(n-辛醯氧基)鈦、二異丙氧基二(n-辛醯 氧基)鈦、三異丙氧基單(n-辛醯氧基)鈦、單-n-丁氧基三(n-辛醯氧基)鈦、二-n-丁氧基二(n-辛醯氧基)鈦及三-n-丁氧基單(n-辛醯氧基)鈦等之烷氧基(n-辛醯氧基)鈦化合物；單甲氧三(2-乙基己醯氧基)鈦、二甲氧二(2-乙基己醯氧基)鈦、三甲氧單(2-乙基己醯氧基)鈦、單乙氧基三(2-乙基己醯氧基)鈦、二乙氧基二(2-乙基己醯氧基)鈦、三乙氧基單(2-乙基己醯氧基)鈦、單異丙氧基三(2-乙基己醯氧基)鈦、二異丙氧基二(2-乙基己醯氧基)鈦、三異丙氧基單(2-乙基己醯氧基)鈦、單-n-丁氧基三(2-乙基己醯氧基)鈦、二-n-丁氧基二(2-乙基己醯氧基)鈦及三-n-丁氧基單(2-乙基己醯氧基)鈦等之烷氧基(2-乙基己醯氧基)鈦化合物；單甲氧三(n-十二醯氧基)鈦、二甲氧二(n-十二醯氧基)鈦、三甲氧單(n-十二醯氧基)鈦、單乙氧基三(n-十二醯氧基)鈦、二乙氧基二(n-十二醯氧基)鈦、三乙氧基單(n-十二醯氧基)鈦、單異丙氧基三(n-十二醯氧基)鈦、二異丙氧基二(n-十二醯氧基)鈦、三異丙氧基單(n-十二醯氧基)鈦、單-n-丁氧基三(n-十二醯氧基)鈦、二-n-丁氧基二(n-十二醯氧基)鈦及三-n-丁氧基單(n-十二醯氧基)鈦等之烷氧基(n-十二醯氧基)鈦化合物；單甲氧三(硬脂醯氧基)鈦、二甲氧二(硬脂醯氧基)鈦、三甲氧單(硬脂醯氧基)鈦、單乙氧基三(硬脂醯氧基)鈦、二乙氧基二(硬脂醯氧基)鈦、三乙氧基單(硬脂醯氧基)鈦、單異丙氧基三(硬脂醯氧基)鈦、二異丙氧基二(硬脂醯氧基)鈦、三異丙氧基單(硬脂醯氧基)鈦、單-n-丁氧基三(硬脂醯氧基)鈦、二-n-丁氧 基二(硬脂醯氧基)鈦及三-n-丁氧基單(硬脂醯氧基)鈦等之烷氧基(硬脂醯氧基)鈦化合物；單甲氧三(異硬脂醯氧基)鈦、二甲氧二(異硬脂醯氧基)鈦、三甲氧單(異硬脂醯氧基)鈦、單乙氧基三(異硬脂醯氧基)鈦、二乙氧基二(異硬脂醯氧基)鈦、三乙氧基單(異硬脂醯氧基)鈦、單異丙氧基三(異硬脂醯氧基)鈦、二異丙氧基二(異硬脂醯氧基)鈦、三異丙氧基單(異硬脂醯氧基)鈦、單-n-丁氧基三(異硬脂醯氧基)鈦、二-n-丁氧基二(異硬脂醯氧基)鈦及三-n-丁氧基單(異硬脂醯氧基)鈦等之烷氧基(異硬脂醯氧基)鈦化合物。
作為乙醯丙酮-烷氧基鈦螫合物化合物之較佳的具體例，有舉出單甲氧基鈦參(乙醯丙酮酸鹽)、二甲氧基鈦雙(乙醯丙酮酸鹽)、三甲氧基鈦單(乙醯丙酮酸鹽)、單乙氧基鈦參(乙醯丙酮酸鹽)、二乙氧基鈦雙(乙醯丙酮酸鹽)、三乙氧基鈦單(乙醯丙酮酸鹽)、單異丙氧基鈦參(乙醯丙酮酸鹽)、二異丙氧基鈦雙(乙醯丙酮酸鹽)、三異丙氧基鈦單(乙醯丙酮酸鹽)、單-n-丁氧基鈦參(乙醯丙酮酸鹽)、二-n-丁氧基鈦雙(乙醯丙酮酸鹽)、三-n-丁氧基鈦單(乙醯丙酮酸鹽)及1,3-丙烷二氧基鈦雙(乙醯丙酮酸鹽)等。
作為乙醯乙酸乙酯-烷氧基鈦螫合物化合物之較佳的具體例，有舉出單甲氧基鈦參(乙醯乙酸乙酯)、二甲氧基鈦雙(乙醯乙酸乙酯)、三甲氧基鈦單(乙醯乙酸乙酯)、單乙氧基鈦參(乙醯乙酸乙酯)、二乙氧基鈦雙(乙醯 乙酸乙酯)、三乙氧基鈦單(乙醯乙酸乙酯)、單異丙氧基鈦參(乙醯乙酸乙酯)、二異丙氧基鈦雙(乙醯乙酸乙酯)、三異丙氧基鈦單(乙醯乙酸乙酯)、單-n-丁氧基鈦參(乙醯乙酸乙酯)、二-n-丁氧基鈦雙(乙醯乙酸乙酯)、三-n-丁氧基鈦單(乙醯乙酸乙酯)及1,3-丙烷二氧基鈦雙(乙醯乙酸乙酯)等。
(鋯化合物)
作為鋯化合物，有使用下述式(D2)所表示之化合物或其部分水解縮合物(低聚物)。
R4 4-qZrX2 q．．．(D2)
(式(D2)中，R4為有機基或1價之有機配位子，X2為1價之有機配位子、烷氧基、酮烷氧基或醯氧基，q為2~4之整數。X2中的2個以上為烷氧基時，2個以上之烷氧基中的任意2個烷氧基亦可互相鍵結並與Zr原子形成環。)
作為R4之有機基以及作為X2之有機配位子、烷氧基、酮烷氧基及醯氧基與針對式(D1)所表示之鈦化合物所作之說明的作為R3之有機基以及作為X1之有機配位子、烷氧基、酮烷氧基及醯氧基相同。
作為式(D2)所表示之鋯化合物，有舉例如有機烷氧基鋯化合物、四烷氧基鋯化合物、烷氧基酮烷氧基鋯化合物、四醯氧基鋯化合物、烷氧醯氧基鋯化合物、乙 醯丙酮-鋯螯合化合物(鋯四(乙醯丙酮酸鹽))、乙醯丙酮-烷氧基鋯螯合化合物、乙醯乙酸乙酯-鋯螯合化合物(鋯四(乙醯乙酸乙酯))及乙醯乙酸乙酯-烷氧基鋯螯合化合物。
作為有機烷氧基鋯化合物之較佳的具體例，有舉出丙烯基三甲氧基鋯、丙烯基三乙氧基鋯、二丙烯基二甲氧基鋯及二丙烯基二乙氧基鋯。
作為四烷氧基鋯化合物之較佳的具體例，有舉出四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四-n-丙氧基鋯、四異丙氧基鋯、四-n-丁氧基鋯、四異丁氧基鋯、四-t-丁氧基鋯、二異丙氧基二-n-丁氧基鋯、二異丙氧基-二-t-戊氧基鋯、二異丙氧基二異硬脂醯氧基鋯、二-t-丁氧基二異丙氧基鋯、四異辛氧基鋯及四硬脂醯氧基鋯等。
作為烷氧基酮烷氧基鋯化合物之較佳的具體例，有舉出單甲氧三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二甲氧二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三甲氧單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單乙氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二乙氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三乙氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單-n-丙氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二-n-丙氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三-n-丙氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單異丙氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二異丙氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三異丙氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單-n-丁氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二-n-丁氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三-n-丁氧基 單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單異丁氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二異丁氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三異丁氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單-t-丁氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二-t-丁氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三-t-丁氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單(2-乙基-n-己氧基)三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二(2-乙基-n-己氧基)二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三(2-乙基-n-己氧基)單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單異辛氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二異辛氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、三異辛氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、單硬脂醯氧基三(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯、二硬脂醯氧基二(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯及三硬脂醯氧基單(2-乙基-3-側氧-n-己氧基)鋯等。
作為四醯氧基鋯化合物之較佳的具體例，有舉出四n-己醯氧基鋯、四n-辛醯氧基鋯、四-2-乙基己醯氧基鋯、四n-十二醯氧基鋯、四硬脂醯氧基鋯及四異硬脂醯氧基鋯。
作為烷氧醯氧基鋯化合物之較佳的具體例，有舉出單甲氧三(n-己醯氧基)鋯、二甲氧二(n-己醯氧基)鋯、三甲氧單(n-己醯氧基)鋯、單乙氧基三(n-己醯氧基)鋯、二乙氧基二(n-己醯氧基)鋯、三乙氧基單(n-己醯氧基)鋯、單異丙氧基三(n-己醯氧基)鋯、二異丙氧基二(n-己醯氧基)鋯、三異丙氧基單(n-己醯氧基)鋯、單-n-丁氧基三(n-己醯氧基)鋯、二-n-丁氧基二(n-己醯氧基)鋯及三-n-丁 氧基單(n-己醯氧基)鋯等之烷氧基(n-己醯氧基)鋯化合物；單甲氧三(n-辛醯氧基)鋯、二甲氧二(n-辛醯氧基)鋯、三甲氧單(n-辛醯氧基)鋯、單乙氧基三(n-辛醯氧基)鋯、二乙氧基二(n-辛醯氧基)鋯、三乙氧基單(n-辛醯氧基)鋯、單異丙氧基三(n-辛醯氧基)鋯、二異丙氧基二(n-辛醯氧基)鋯、三異丙氧基單(n-辛醯氧基)鋯、單-n-丁氧基三(n-辛醯氧基)鋯、二-n-丁氧基二(n-辛醯氧基)鋯及三-n-丁氧基單(n-辛醯氧基)鋯等之烷氧基(n-辛醯氧基)鋯化合物；單甲氧三(2-乙基己醯氧基)鋯、二甲氧二(2-乙基己醯氧基)鋯、三甲氧單(2-乙基己醯氧基)鋯、單乙氧基三(2-乙基己醯氧基)鋯、二乙氧基二(2-乙基己醯氧基)鋯、三乙氧基單(2-乙基己醯氧基)鋯、單異丙氧基三(2-乙基己醯氧基)鋯、二異丙氧基二(2-乙基己醯氧基)鋯、三異丙氧基單(2-乙基己醯氧基)鋯、單-n-丁氧基三(2-乙基己醯氧基)鋯、二-n-丁氧基二(2-乙基己醯氧基)鋯及三-n-丁氧基單(2-乙基己醯氧基)鋯等之烷氧基(2-乙基己醯氧基)鋯化合物；單甲氧三(n-十二醯氧基)鋯、二甲氧二(n-十二醯氧基)鋯、三甲氧單(n-十二醯氧基)鋯、單乙氧基三(n-十二醯氧基)鋯、二乙氧基二(n-十二醯氧基)鋯、三乙氧基單(n-十二醯氧基)鋯、單異丙氧基三(n-十二醯氧基)鋯、二異丙氧基二(n-十二醯氧基)鋯、三異丙氧基單(n-十二醯氧基)鋯、單-n-丁氧基三(n-十二醯氧基)鋯、二-n-丁氧基二(n-十二醯氧基)鋯及三-n-丁氧基單(n-十二醯氧基)鋯等之烷氧基(n-十二醯氧基)鋯化合物；單甲氧三(硬脂醯氧基) 鋯、二甲氧二(硬脂醯氧基)鋯、三甲氧單(硬脂醯氧基)鋯、單乙氧基三(硬脂醯氧基)鋯、二乙氧基二(硬脂醯氧基)鋯、三乙氧基單(硬脂醯氧基)鋯、單異丙氧基三(硬脂醯氧基)鋯、二異丙氧基二(硬脂醯氧基)鋯、三異丙氧基單(硬脂醯氧基)鋯、單-n-丁氧基三(硬脂醯氧基)鋯、二-n-丁氧基二(硬脂醯氧基)鋯及三-n-丁氧基單(硬脂醯氧基)鋯等之烷氧基(硬脂醯氧基)鋯化合物；單甲氧三(異硬脂醯氧基)鋯、二甲氧二(異硬脂醯氧基)鋯、三甲氧單(異硬脂醯氧基)鋯、單乙氧基三(異硬脂醯氧基)鋯、二乙氧基二(異硬脂醯氧基)鋯、三乙氧基單(異硬脂醯氧基)鋯、單異丙氧基三(異硬脂醯氧基)鋯、二異丙氧基二(異硬脂醯氧基)鋯、三異丙氧基單(異硬脂醯氧基)鋯、單-n-丁氧基三(異硬脂醯氧基)鋯、二-n-丁氧基二(異硬脂醯氧基)鋯及三-n-丁氧基單(異硬脂醯氧基)鋯等之烷氧基(異硬脂醯氧基)鋯化合物。
作為乙醯丙酮-烷氧基鋯螯合化合物之較佳的具體例，有舉出單甲氧基鋯參(乙醯丙酮酸鹽)、二甲氧基鋯雙(乙醯丙酮酸鹽)、三甲氧基鋯單(乙醯丙酮酸鹽)、單乙氧基鋯參(乙醯丙酮酸鹽)、二乙氧基鋯雙(乙醯丙酮酸鹽)、三乙氧基鋯單(乙醯丙酮酸鹽)、單異丙氧基鋯參(乙醯丙酮酸鹽)、二異丙氧基鋯雙(乙醯丙酮酸鹽)、三異丙氧基鋯單(乙醯丙酮酸鹽)、單-n-丁氧基鋯參(乙醯丙酮酸鹽)、二-n-丁氧基鋯雙(乙醯丙酮酸鹽)、三-n-丁氧基鋯單(乙醯丙酮酸鹽)及1,3-丙烷二氧基鋯雙(乙醯丙酮酸鹽) 等。
作為乙醯乙酸乙酯-烷氧基鋯螯合化合物之較佳的具體例，有舉出單甲氧基鋯參(乙醯乙酸乙酯)、二甲氧基鋯雙(乙醯乙酸乙酯)、三甲氧基鋯單(乙醯乙酸乙酯)、單乙氧基鋯參(乙醯乙酸乙酯)、二乙氧基鋯雙(乙醯乙酸乙酯)、三乙氧基鋯單(乙醯乙酸乙酯)、單異丙氧基鋯參(乙醯乙酸乙酯)、二異丙氧基鋯雙(乙醯乙酸乙酯)、三異丙氧基鋯單(乙醯乙酸乙酯)、單-n-丁氧基鋯參(乙醯乙酸乙酯)、二-n-丁氧基鋯雙(乙醯乙酸乙酯)、三-n-丁氧基鋯單(乙醯乙酸乙酯)及1,3-丙烷二氧基鋯雙(乙醯乙酸乙酯)等。
以上針對金屬化合物(D)進行說明，但金屬化合物(D)中亦可包含2種以上的化合物。金屬化合物(D)包含2種以上的化合物時，金屬化合物(D)中亦可包含上述式(D1)所表示之鈦化合物與上述式(D2)所表示之鋯的組合。
擴散劑組成物中之金屬化合物(D)的含量為0.01~20質量%較佳，為1~10質量%再更佳。
<矽氧烷聚合物(E)>
擴散劑組成物，以調整擴散劑組成物於基板之塗布性之目的等來看，為與包含上述式(1)所表示之構成單位的聚合物相異之樹脂成分，且亦可包含矽氧烷聚合物。矽氧烷聚合物(E)之質量平均分子量為500~30000較佳，為 1000~10000再更佳。作為矽氧烷聚合物(E)，有舉出2~4官能之將含有烷氧基之矽烷化合物或含有鹵素原子之矽烷化合物在水及觸媒的存在下進行水解或縮合者，有舉例如由具有作為有機基之烷基或芳基或(甲基)丙烯醯基等聚合性基之3官能矽烷化合物所合成之聚半矽氧烷等。
<有機溶劑(S)>
擴散劑組成物中包含有機溶劑(S)。作為有機溶劑，為極性有機溶劑較佳。作為極性有機溶劑，只要是化學領域的同業者一般所認識之作為極性有機溶劑者即可，並無特別限定。且，有機溶劑(S)為在一大氣壓下之沸點為100℃以上的高沸點極性有機溶劑較佳。藉由使用沸點在100℃以上的高沸點極性有機溶劑，容易得到具有優異之印刷性或塗布性之擴散劑組成物。
作為有機溶劑(S)之具體例，有舉出乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二丙基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丙基醚、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單苯醚、二乙二醇二乙基醚、二丙烯甘醇單甲基醚及三丙二醇單甲基醚等之單或二烷基醚系二醇類；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸 酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-甲氧基乙酸丁酯、3-甲氧基乙酸丁酯、4-甲氧基乙酸丁酯、2-甲基-3-甲氧基乙酸丁酯、2-乙氧基乙酸丁酯、4-乙氧基乙酸丁酯及4-丙氧基乙酸丁酯等之醚系酯類；二乙基酮、甲基異丁基酮、乙基異丁基酮及環己酮等之酮類；丙酸丙酯、丙酸異丙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、乙基-3-丙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯及異丙基-3-甲氧基丙酸酯等之丙酸酯類；乙酸丁酯、乙酸異戊酯、乙醯乙酸甲酯、乳酸甲酯及乳酸乙酯等之酯類；苄基甲基醚、苄基乙基醚、苯、甲苯、二甲苯、苄醇及2-苯氧乙醇等之芳香族類；丁醇、異丁醇、2-甲氧乙醇、2-乙氧乙醇、3-甲基-3-甲氧丁醇、己醇及環已醇等之醇類；γ-丁內酯等之環狀酯類；乙二醇、丙二醇、二乙二醇及二丙烯甘醇等之二醇類等之極性有機溶劑。此等亦可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。
擴散劑組成物中之有機溶劑(S)的含量為20~80質量%較佳，為30~70質量%再更佳。
<其他成分>
擴散劑組成物中，亦可進一步包含作為前述成分以外之其他成分的界面活性劑或添加劑。擴散劑組成物中藉由摻合界面活性劑，能夠提升擴散劑組成物之塗布性、平坦化性及展開性，並能夠減少塗布後所形成之擴散劑組成物層的塗布不均之發生。作為界面活性劑成分，雖能夠使用 以往公知者，但以矽氧系之界面活性劑較佳。界面活性劑成分的含量，相對於擴散劑組成物的全質量，為100~10000質量ppm較佳，為300~5000質量ppm再更佳，為500~3000質量ppm特別佳。由於容易得到擴散處理後的剝離性優異之擴散劑組成物，故界面活性劑的含量以2000質量ppm以下再更佳。界面活性劑成分亦可單獨使用，亦可組合來使用。
為了調整擴散劑組成物之黏度等特性，可因應必要而添加添加劑。作為添加劑，有舉出聚丙二醇等。
以外部擴散防止等之觀點來看，擴散劑組成物中亦可包含作為前述成分以外之其他成分的烷氧基矽烷。作為烷氧基矽烷，有舉例如具有碳數1~5之烷氧基之四烷氧基矽烷，以四甲氧矽烷、四乙氧矽烷較佳。作為烷氧基矽烷，相對於擴散劑組成物之全質量包含0.5~20質量%較佳。
藉由以上所說明之擴散劑組成物，於半導體基板塗布擴散劑組成物後，在乾燥爐中進行乾燥處理時，能夠抑制在爐內中產生包含大量磷化合物之堆積物的情況。且，爐內之堆積物量被降低之結果，堆積物中所包含之磷原子落下於半導體基板之情況也被降低。藉由使用如此所製造之半導體基板，能夠製造出光電轉換特性安定之太陽能電池。
≪雜質擴散層之形成方法及太陽能電池之製造方法≫
以下，參照圖1(a)~圖1(d)及圖2(a)~圖2(d)，針對包含：於半導體基板上塗佈前述之擴散劑組成物，或將擴散劑組成物印刷於半導體基板上，而形成圖型之步驟、與將擴散劑組成物中之雜質擴散成分(A)擴散於半導體基板上之步驟的雜質擴散層之形成方法、與具備藉此所形成之雜質擴散層的半導體基板之太陽能電池之製造方法進行說明。
圖1(a)~圖1(d)及圖2(a)~圖2(d)為表示包含雜質擴散層之形成方法的太陽能電池之製造方法之各步驟中的半導體基板剖面之圖。
首先，如圖1(a)所示，準備P型的矽基板等之半導體基板1。然後，如圖1(b)所示，使用習知的濕式蝕刻法，在半導體基板1之一側的主表面上，形成具有細微之凹凸構造的刻紋部分1a。藉此刻紋部分1a，會防止半導體基板1表面之光的反射。接下來，如圖1(c)所示，在半導體基板1之刻紋部分1a側的主表面上，塗布含有雜質擴散成分(A)之上述擴散劑組成物2。
擴散劑組成物2是以滾軸塗布印刷法或網印法等而塗布於半導體基板1的表面上(且，形成非塗布膜的圖型時，以網印法較佳)。如此形成雜質擴散劑層後，使用烘箱等習知的方法，乾燥塗布後的擴散劑組成物2。
接著，如圖1(d)所示，將塗布有擴散劑組成物2之半導體基板1裝載於電氣爐內並燒成。燒成之後，在電氣爐內使擴散劑組成物2中之雜質擴散成分(A)自半 導體基板1的表面擴散(熱擴散)至半導體基板1內。擴散步驟中的擴散溫度為例如在800~1000℃之範圍內。且，以如雷射照射之慣用方法替代電氣爐，來加熱半導體基板1。如此，雜質擴散成分(A)會擴散於半導體基板1內，並形成N型雜質擴散層3。
接著，如圖2(a)所示，以周知之蝕刻法，將不要的氧化膜去除。然後，如圖2(b)所示，使用周知之化學氣相沈積(CVD法)，例如電漿CVD法，在半導體基板1之刻紋部分1a側的主表面上形成由矽氮化膜(SiN膜)所成之保護膜4。此保護膜4也具有作為反射防止膜之機能。
接著，如圖2(c)所示，藉由例如網印銀(Ag)漿糊，在半導體基板1之保護膜4側的主表面上將表面電極5圖型化。表面電極5是為了提高太陽能電池的效率而被圖型形成。且，藉由例如網印鋁(Al)漿糊，在半導體基板1之其他面的主表面上形成反面電極6。
接著，如圖2(d)所示，將形成有反面電極6之半導體基板1裝載於電氣爐內並燒成後，將形成反面電極6之鋁擴散於半導體基板1內。藉此，能夠降低反面電極6側的電阻。藉由以上之步驟，能夠製造太陽能電池10。
本發明並非限定於以上所說明之實施形態，且能夠基於同業者的知識來增加各種設計變更等變形，加入如此之變形的實施形態也包含在本發明之範圍中。藉由上述實施形態與以下之變形例的組合所產生之新的實施形 態具有被組合之實施形態及變形例各自之效果。
上述實施形態相關之擴散劑組成物亦能夠採用旋入式方法、噴霧塗布法、噴墨印刷法、滾軸塗布印刷法、網印法、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法等之印刷法。其中，以滾軸塗布印刷法、網印法、凸版印刷法、凹版印刷法較佳。
[實施例]
以下，以實施例來更具體說明本發明，但本發明並不限定於以下之實施例。
〔實施例1〕
將雜質擴散劑(A)之乙烯二甲氧基膦氧化物的聚合物(質量平均分子量：98,000，且分散度(質量平均分子量/數平均分子量)：3.7)20g、與有機溶劑(S)之苄醇80g於錐形瓶內一邊加熱一邊使之均勻溶解後，進行網孔過濾，得到實施例1之擴散劑組成物。
〔實施例2〕
將雜質擴散劑(A)之乙烯二甲氧基膦氧化物的聚合物(質量平均分子量：98,000，且分散度(質量平均分子量/數平均分子量)：3.7)20g、與有機溶劑(S)之苄醇75g於錐形瓶內一邊加熱一邊使之均勻溶解。接下來，使矽微粒子(平均1次粒徑7nm)5g均勻地分散於所得之溶液中。進行 網孔過濾，得到實施例2之擴散劑組成物。
〔比較例1〕
將雜質擴散劑(A)之磷酸二乙酯與磷酸單乙酯的其莫耳混合物45g、與有機黏結劑樹脂之異甲基丙烯酸丁酯(IBMA)與(2-羥乙基)丙烯酸甲酯(HEMA)的共聚物(質量平均分子量：30,000，共聚合比率(莫耳比)，IBMA：HEMA=60：40)31g、與矽微粒子(平均1次粒徑7nm)11g、與有機溶劑(S)之苄醇13g均勻地混合於瑪瑙乳缽中後，進行網孔過濾，得到比較例1之擴散劑組成物。
〔比較例2〕
將雜質擴散劑(A)之磷酸二乙酯與磷酸單乙酯的其莫耳混合物60g、與有機黏結劑樹脂之異甲基丙烯酸丁酯(IBMA)與(2-羥乙基)丙烯酸甲酯(HEMA)的共聚物(共聚合比率(莫耳%)，IBMA：HEMA=60：40)30g、與矽微粒子(平均1次粒徑7nm)5g、與有機溶劑(S)之苄醇13g均勻地混合於瑪瑙乳缽中後，進行網孔過濾，得到比較例2之擴散劑組成物。
<發生氣體分析>
將各實施例、各比較例之擴散劑組成物塗布於半導體基板後，將乾燥時所產生的氣體中所包含之磷原子的量以以下之順序來分析。
(1)將由各實施例、各比較例之擴散劑組成物所成之漿糊0.1g以桿塗布薄薄地鋪開於矽晶圓30上。
(2)如圖3所示之概略圖所示，將矽晶圓30裝載於加熱板20上，將矽晶圓30於150℃下加熱3分鐘，將所發生之氣體捕集於儲藏在氣體捕集器40中的氣體捕集溶劑(丙二醇單甲基醚)50中。
(3)針對各擴散劑組成物，重複上述(1)、(2)10次，將氣體捕集溶劑50中所捕集之氣體成分中所包含的磷原子濃度以ICP-AES(ICP發光)法來測定。
發生氣體之測定結果：捕集氣體之溶劑中的磷原子濃度，在實施例1及實施例2之擴散劑組成物中是未滿0.1質量ppm，且在比較例1之擴散劑組成物中是150質量ppm，且在比較例2之擴散劑組成物中是170質量ppm。
由以上之試驗結果得知，使用本發明之擴散劑組成物時，能夠顯著地抑制烘烤時，包含磷原子之物質的揮發。
<擴散性評估>
使用實施例1、實施例2及比較例1之擴散劑組成物，根據以下之方法，評估擴散劑組成物之擴散性。
在156mm平方的N型基板之表面全面上，網印各實施例及比較例之擴散劑組成物。印刷後，以150℃、3分鐘之條件烘烤基板。接著，將基板於氧環境中，以600℃ 燒成30分鐘後，在氮氧的混合氣體環境中，於950℃下熱擴散30分鐘。之後，使用濃度5質量%之HF水溶液，在室溫下進行10分鐘的含磷玻璃層(PSG)之去除處理。
如此來進行雜質擴散成分的擴散後，測定基板表面的949點電阻值(薄片電阻值)。由基板表面的949點電阻值之測定結果所求出的母標準偏差(STDEV)與電阻值的平均值，根據下式，求出在基板表面之電阻值的變異度。電阻值之變異度的值越小，表示雜質擴散成分越均勻地擴散於基板表面上。
電阻值變異度=母標準偏差(STDEV)/電阻值平均值×100
進行上述評估之結果，使用實施例1之擴散劑組成物時的電阻值變異度為12.2，使用實施例2之擴散劑組成物時的電阻值變異度為10.1，使用比較例1之擴散劑組成物時的電阻值變異度為22.3。也就是說，使用本發明相關之實施例之擴散劑組成物時，能夠將雜質擴散成分均勻地擴散於基板表面上。
<印刷性評估>
使用實施例1、實施例2及比較例1之擴散劑組成物，根據以下之方法，評估擴散劑組成物之印刷性。
在156mm平方的N型基板之表面上，使用特多龍(Tetoron)#420(乳劑厚：11μm)之網孔、與各實施例及比較 例之擴散劑組成物，網印線寬200μm之線圖型。印刷條件為：刮漿板壓力0.18MPa，間距1.0mm，印刷速度300mm/s。印刷後，以150℃、3分鐘之條件烘烤經印刷之線圖型，測定實際上在基板上所形成之線的寬度。所形成之線的線寬，在使用實施例1及實施例2之擴散劑組成物時為230μm，使用比較例1之擴散劑組成物時為340μm。
本發明之擴散劑組成物中，作為雜質擴散成分(A)，並非包含如磷酸酯類之低分子量的化合物，所包含的是包含磷原子之特定構造之樹脂。因此，使用本發明之擴散劑組成物時，會觀察到能夠顯著地抑制包含磷原子之物質的揮發，且能夠將雜質擴散成分非常均勻地擴散於基板表面上，並抑制印刷後的滲色，能夠印刷出所期望之尺寸的圖型。
〔實施例3〕
將雜質擴散劑(A)之乙烯二甲氧基膦氧化物的聚合物(質量平均分子量：98,000，分散度(質量平均分子量/數平均分子量)：3.7)20g、與矽微粒子(平均1次粒徑7nm)5g、與有機溶劑(S)之2-苯氧乙醇75g均勻地混合於瑪瑙乳缽中後，進行網孔過濾，得到實施例3之擴散劑組成物。
〔實施例4〕
除了將矽微粒子的含量變更為4.5g、進一步添加金屬 化合物(二異丙氧基鈦雙(乙醯丙酮酸鹽))2.66g、與將2-苯氧乙醇的量變更為72.84g之外，其他與實施例3相同，得到實施例4之擴散劑組成物。
〔實施例5〕
除了將矽微粒子的含量變更為4g、進一步添加金屬化合物(二異丙氧基鈦雙(乙醯丙酮酸鹽))5.31g、與將2-苯氧乙醇的量變更為70.69g之外，其他與實施例3相同，得到實施例5之擴散劑組成物。
使用實施例3~5之擴散劑組成物，根據上述方法，實施擴散性之評估，關於使用各實施例之擴散劑組成物之情形，測定其基板的電阻值。將電阻值之測定所得之薄片抵抗的最大值、薄片抵抗的最小值、薄片抵抗的平均值、薄片抵抗的母標準偏差及電阻值變異度記載於表1。
由實施例3與實施例4及5之間的比較可得知，藉由在擴散劑組成物中摻合能夠因加熱而縮合的金屬化合物(鈦化合物)，能夠使雜質擴散成分更均勻地擴散於 基板表面上。
1‧‧‧半導體基板
1a‧‧‧刻紋部分
2‧‧‧擴散劑組成物
3‧‧‧N型雜質擴散層

Claims (3)

  1. 一種擴散劑組成物，其係在雜質於半導體基板之擴散時所使用之擴散劑組成物，並含有雜質擴散成分(A)與有機溶劑(S)，且前述雜質擴散成分(A)含有包含下式(1)所示之構成單位的聚合物， [式(1)中，R為氫原子或碳原子數1~5之烷基，Y為單鍵、-O-、酯鍵結、或亦可具有-O-、-NH-、-C(=O)-或酯鍵結之碳原子數1~10之2價烴基，R1以及R2分別獨立為氫氧基、碳原子數1~5之烷氧基、或亦可具有取代基之芳氧基，R1與R2亦可分別鍵結並形成環]。
  2. 一種雜質擴散層之形成方法，其特徵為含有：於半導體基板上，塗布如請求項1之擴散劑組成物，形成圖型之圖型形成步驟、與使前述擴散劑組成物之雜質擴散成分(A)擴散於前述半導體基板之擴散步驟。
  3. 如請求項2之雜質擴散層之形成方法，其中，前述半導體基板使用於太陽能電池中。
TW103133007A 2013-09-30 2014-09-24 擴散劑組成物以及雜質擴散層之形成方法 TW201526258A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013204643 2013-09-30
JP2014108402A JP6284431B2 (ja) 2013-09-30 2014-05-26 拡散剤組成物及び不純物拡散層の形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201526258A true TW201526258A (zh) 2015-07-01

Family

ID=53195547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103133007A TW201526258A (zh) 2013-09-30 2014-09-24 擴散劑組成物以及雜質擴散層之形成方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6284431B2 (zh)
TW (1) TW201526258A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110718469A (zh) * 2018-07-11 2020-01-21 罗门哈斯电子材料有限责任公司 半导体的图案化离散纳米级掺杂、所述半导体的制造方法和包含所述半导体的制品

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123431A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Sanken Electric Co Ltd 液状不純物源材料及びこれを使用した半導体装置の製造方法
KR101340136B1 (ko) * 2006-01-09 2013-12-11 바스프 에스이 공중합체, 이의 제조 방법 및 표면 처리를 위한 이의 용도
JP5555469B2 (ja) * 2009-10-05 2014-07-23 東京応化工業株式会社 拡散剤組成物、および不純物拡散層の形成方法
JP5666254B2 (ja) * 2010-11-11 2015-02-12 東京応化工業株式会社 拡散剤組成物および不純物拡散層の形成方法
JP5935255B2 (ja) * 2011-07-22 2016-06-15 日立化成株式会社 インクジェット用不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池の製造方法
JP2013026524A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Hitachi Chem Co Ltd ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
JP2013103944A (ja) * 2011-11-10 2013-05-30 Toyota Motor Corp ホスホン酸ポリマーとその製造方法および燃料電池用電解質膜
US9076719B2 (en) * 2013-08-21 2015-07-07 The Regents Of The University Of California Doping of a substrate via a dopant containing polymer film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110718469A (zh) * 2018-07-11 2020-01-21 罗门哈斯电子材料有限责任公司 半导体的图案化离散纳米级掺杂、所述半导体的制造方法和包含所述半导体的制品

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015092535A (ja) 2015-05-14
JP6284431B2 (ja) 2018-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI485751B (zh) A method for forming a diffusion agent composition and an impurity diffusion layer
TWI543986B (zh) A diffusing agent composition and a method for forming an impurity diffusion layer
WO2014014110A9 (ja) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池
JP2011082247A (ja) 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池
TW201526258A (zh) 擴散劑組成物以及雜質擴散層之形成方法
TWI583740B (zh) A film forming composition, a diffusing agent composition, a method for producing a film forming composition, and a method for producing a diffuser composition
JP6269484B2 (ja) 電界効果型パッシベーション層形成用組成物、電界効果型パッシベーション層付半導体基板、電界効果型パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池
WO2016002901A1 (ja) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池
JP6330661B2 (ja) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
CN104517820A (zh) 扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法
TWI663738B (zh) Method for forming surface coating film and solar cell with surface coating film
JP6424422B2 (ja) パッシベーション層付半導体基板の製造方法、パッシベーション層付半導体基板、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子
JP6176249B2 (ja) パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法
TWI576398B (zh) A method for forming a diffusion agent composition and an impurity diffusion layer
JP2015225901A (ja) 拡散剤組成物及び不純物拡散層の形成方法
CN103387777A (zh) 扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法
WO2018003141A1 (ja) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
TW201808976A (zh) 鈍化層形成用組成物、帶鈍化層的半導體基板、帶鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法以及太陽電池
WO2017105938A1 (en) Photo-imageable thin films with high dielectric constants
JP2018006426A (ja) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
JP2016201443A (ja) パッシベーション層付半導体基板とその製造方法、それを用いた太陽電池素子とその製造方法、及び太陽電池
JP2016051848A (ja) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池
EP3391145A1 (en) Photo-imageable thin films with high dielectric constants
JP2018006429A (ja) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法並びに太陽電池
JP2018006428A (ja) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法並びに太陽電池