TW201525168A - 製程腔室以及半導體加工裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種製程腔室以及半導體加工裝置。該製程腔室包括反應艙、進氣系統和晶片傳輸裝置，其中，反應艙設置在製程腔室內，用以對晶片進行製程；進氣系統用於向反應艙提供製程氣體；晶片傳輸裝置用於將晶片傳輸至反應艙內，在反應艙內設置有襯環元件，襯環元件的結構被設置為在其與反應艙的內側壁之間形成勻流腔，用以將來自進氣系統的製程氣體通過該勻流腔均勻地輸送至反應艙內。本發明提供的製程腔室以及半導體加工裝置，可以提高製程氣體進入反應艙的速度、控制參與製程程序的製程氣體的流量的準確度，以及製程氣體在反應艙內的分佈均勻性。

Description

製程腔室以及半導體加工裝置
本發明涉及半導體裝置製造領域，具體地，涉及一種製程腔室以及半導體加工裝置。
物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）的基本原理是：在真空條件下，使金屬、金屬合金或化合物蒸發，並沉積在基體表面上，以形成具有特殊功能的薄膜。物理氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、電漿濺鍍鍍膜、電弧電漿鍍膜、離子鍍膜以及分子束磊晶等。其中，電漿濺鍍鍍膜是目前最具代表性和應用最廣泛的物理氣相沉積技術。在利用電漿濺鍍技術對半導體晶片進行沉積（鍍膜）製程時，所採用的製程腔室通常為真空環境，並向製程腔室內提供製程氣體且激發其形成電漿，電漿轟擊靶材，濺鍍出的靶材材料沉積在晶片表面上，從而形成製程所需的薄膜。
對於半導體晶片薄膜的製備來說，整個晶片表面薄膜的均勻性是製程一個極其重要的指標，而與該指標密切相關的是半導體晶片上及其附近的電磁場、熱場及氣流場等的分佈。因此，提高電磁場、熱場及氣流場的分佈均勻性是提高製程均勻性的重要手段之一。
第1圖為現有的一種製程腔室的側面剖視圖。第2圖為第1圖中I區域的正面放大圖。如第1圖和第2圖所示，製程腔室包括腔體106、反應艙118、上電極腔體111、升降機構和頂針機構。其中，反應艙118位於腔體106的頂部，用以對晶片進行製程；升降機構包括基座110、基座提升軸108和基座驅動源（圖中未示出），其中，基座110用於承載晶片112，其通過基座提升軸108與基座驅動源連接，基座驅動源用於驅動基座提升軸108作在豎直方向上作直線運動而實現其在豎直方向上的升降，從而帶動基座110上升至反應艙118的內部或下降至腔體106的內部。此外，在腔體106頂壁的上表面上且與反應艙118相對應的位置處設置有貫穿頂壁厚度的通孔，基座110通過該通孔進入反應艙118的內部。
而且，在反應艙118內還設置有襯環元件，該襯環元件包括下襯環116和上襯環117，上襯環117位於下襯環116的內側，且二者覆蓋反應艙118的整個側壁表面，用以防止該側壁上附著污染顆粒。而且，在反應艙118內還設置有壓環115，用於在基座110上升至反應艙118內的製程位置時，利用自身重力將晶片112固定在基座110上；並且，在下襯環116的下端設置有彎曲部，該彎曲部自下襯環116的下端向內彎曲，並延伸至壓環115的底部，用以在基座110移出反應艙118時，支撐壓環115。
在腔體106的側壁上設置有傳片口102，用以供晶片112移入或移出腔體106；頂針機構設置在腔體106內，其包括至少三個頂針105、頂針提升軸107和頂針驅動源（圖中未示出），至少三個頂針105通過頂針提升軸107與頂針驅動源連接；頂針驅動源用於驅動頂針提升軸107在豎直方向上作直線運動而實現其在豎直方向上的升降，從而帶動至少三個頂針105上升或下降，以配合用於向腔體106內傳輸晶片112的機械手將晶片112傳遞至基座110上，或者自基座110移出腔體106。
上電極腔體111設置在反應艙118的頂部，且在上電極腔體111與反應艙118之間設置有陶瓷環114，用以使二者電絕緣。而且，在上電極腔體111底壁下表面上設置有靶材113，且在上電極腔體111內設置有磁控管104以及用於驅動磁控管104相對於靶材113表面旋轉的磁控管驅動機構。此外，在腔體106的側壁上且位於傳片口102的下方設置有進氣口103，用以向腔體106內輸送製程氣體。製程氣體的流向如第1圖和第2圖中的箭頭所示，製程氣體自腔體106的一側向另一側擴散，直至充滿整個腔體106，在此過程中，一部分製程氣體經由壓環115與下襯環116的彎曲部之間的空隙流入反應艙118的內部，以在製程過程中被激發形成電漿。
上述製程腔室在實際應用中不可避免地存在以下問題：  其一，由於製程氣體是自腔體106的一側逐漸擴散至反應艙118的內部，這不僅導致製程氣體到達製程空間的速度較慢，而且由於製程氣體在反應艙118內的靠近進氣口一側的區域內的分佈密度勢必大於遠離進氣口一側的區域內的分佈密度，導致製程氣體在反應艙118的內部分佈不均勻，從而給製程均勻性帶來不良影響。 其二，由於進入腔體106內的製程氣體不能全部擴散至反應艙118的內部，並參與製程程序，這使得很難控制參與製程程序的製程氣體的流量，從而給製程結果帶來不良影響。
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種製程腔室以及半導體加工裝置，其可以提高製程氣體進入反應艙的速度、控制參與製程程序的製程氣體的流量的準確度，以及製程氣體在反應艙內的分佈均勻性。
為實現本發明的目的而提供一種製程腔室，其包括反應艙、進氣系統和晶片傳輸裝置，其中，該反應艙設置在該製程腔室內，用以對晶片進行製程；該進氣系統用於向該反應艙提供製程氣體；該晶片傳輸裝置用於將晶片傳輸至該反應艙內；並且，在該反應艙內設置有襯環元件，該襯環元件的結構被設置為在其與該反應艙的內側壁之間形成勻流腔，以通過該勻流腔將來自該進氣系統的製程氣體均勻地輸送至該反應艙內。
其中，該襯環元件包括上環體和下環體，該上環體位於該下環體的內側，且二者之間具有環形間隙，該環形間隙與該反應艙的內部連通；在該上環體的外周壁上設置有上環形水平部，在該下環體的外周壁上設置有下環形水平部，且在二者之間設置有環形豎直部，該上環形水平部、下環形水平部、環形豎直部與該反應艙的內側壁形成該勻流腔；並且，在該環形豎直部上均勻分佈有多個徑向通孔，該徑向通孔分別與該勻流腔和該環形間隙連通。
其中，該反應艙的數量為一個。
其中，該反應艙的數量為至少兩個，且沿該製程腔室的周向均勻分佈，每個反應艙內構成獨立的製程環境；該進氣系統的數量與該反應艙的數量相對應，且一一對應地向該反應艙輸送製程氣體。
其中，在該反應艙的側壁內形成有進氣通道，該進氣通道的進氣端與該進氣系統連接，該進氣通道的出氣端設置在該反應艙的內側壁上，且與該勻流腔連通。
其中，該進氣通道的進氣端位於該反應艙的頂部。
其中，該徑向通孔的直徑的取值範圍在0.5~2mm。
其中，該上環體、上環形水平部和環形豎直部採用一體成型的方式製作；該下環體和該下環形水平部採用一體成型的方式製作；或者該上環體和上環形水平部採用一體成型的方式製作；該下環體、該下環形水平部和環形豎直部採用一體成型的方式製作。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種半導體加工裝置，其包括：製程腔室，用於對晶片進行加工；去氣腔室，用於去除晶片上的水汽；預清洗腔室，用於去除晶片表面上的殘餘物；傳輸腔室，其分別與該製程腔室、該去氣腔室和該預清洗腔室連接，且在其內部設置有機械手，用以將晶片分別傳輸至各個腔室內；並且，該製程腔室可以採用本發明上述任意方案提供的製程腔室。
其中，該製程腔室為多個。
本發明具有以下有益效果：          本發明提供的製程腔室，其在反應艙內設置襯環元件，該襯環元件利用其特定結構與反應艙的內側壁之間形成勻流腔，用以將來自進氣系統的製程氣體均勻地輸送至反應艙內，這使得製程氣體能夠通過該勻流腔直接進入反應艙，從而不僅可以提高製程氣體進入反應艙的速度，而且不存在自進氣系統輸出的製程氣體不能全部到達反應艙內的問題，從而可以更準確地控制參與製程程序的製程氣體的流量，進而有利於製程結果。同時，本發明提供的製程腔室無需在反應艙額外設置勻流裝置，從而不僅無需對現有腔室結構進行改造，而且還可以簡化腔室結構，進而可以降低製程腔室的製造成本。此外，借助勻流腔，可以將來自進氣系統的製程氣體均勻地輸送至反應艙內，從而可以提高製程氣體在反應艙內的分佈均勻性，進而可以提高製程均勻性。              本發明提供的半導體加工裝置，其通過採用本發明提供的製程腔室，可以提高製程氣體進入反應艙的速度、控制參與製程程序的製程氣體的流量的準確度，以及製程氣體在反應艙內的分佈均勻性，從而不僅可以提高製程效率、改善製程結果，而且還可以提高製程均勻性。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的製程腔室以及半導體加工裝置進行詳細描述。
第3A圖為本發明實施例一提供的製程腔室的剖視圖。請參閱第3A圖，本發明實施例一提供的製程腔室包括反應艙210、進氣系統和晶片傳輸裝置。其中，反應艙210的數量為一個，其設置在製程腔室內，用於對晶片進行製程。具體地，製程腔室由腔體20圍繞而成，且在該腔體20的頂部設置有環形艙體21，該環形艙體21構成反應艙210。進氣系統（圖中未示出）用於向反應艙210提供製程氣體。
下面對本實施例中反應艙210的進氣方式進行詳細描述。具體地，第3B圖為第3A圖中I區域的放大圖。第3C圖為第3A圖中沿A-A線的剖視圖。請一併參閱第3B圖和第3C圖，在反應艙210內設置有襯環元件，該襯環元件的結構被設置為在其與反應艙210的內側壁之間形成勻流腔，用以將來自進氣系統的製程氣體均勻地輸送至反應艙210內。
在本實施例中，該襯環元件的結構具體為：襯環元件包括上環體25和下環體24，上環體25位於下環體24的內側，且在徑向方向上二者之間具有環形間隙261，環形間隙261與反應艙210的內部連通。而且，在上環體25的外周壁上設置有上環形水平部251，在下環體24的外周壁上設置有下環形水平部241，且在二者之間設置有環形豎直部27，上環形水平部251、下環形水平部241、環形豎直部27與反應艙210的內側壁形成勻流腔26；並且，在環形豎直部27上均勻分佈有多個徑向通孔271，徑向通孔271分別與勻流腔26和環形間隙261連通。
在本實施例中，在反應艙210的側壁內形成有進氣通道22，進氣通道22的進氣端222通過接頭23與進氣系統連接，進氣通道22的出氣端221設置在反應艙210的內側壁上，且與勻流腔26連通。當反應艙210工作時，來自進氣系統的製程氣體通過進氣通道22流入勻流腔26，並向四周擴散直至充滿勻流腔26，然後自各個徑向通孔271均勻地流入環形間隙261內，最終沿該環形間隙261流入反應艙210內。較佳的，進氣通道的進氣端222位於反應艙210的頂部，這不僅可以節省製程腔室的週邊佔用空間，而且便於與進氣系統的連接。
由上可知，本實施例所採用的襯環元件利用其上環形水平部251、下環形水平部241和環形豎直部27與反應艙210的內側壁之間形成勻流腔26，並將來自進氣系統的製程氣體均勻地輸送至反應艙210內。這可以使製程氣體能夠通過該勻流腔26直接進入反應艙，從而不僅可以提高製程氣體進入反應艙210的速度，而且不存在自進氣系統輸出的製程氣體不能全部到達反應艙內的問題，從而可以更準確地控制參與製程程序的製程氣體的流量，進而有利於製程結果。而且，由於本實施例所採用的襯環元件利用自身結構與反應艙210的內側壁之間形成勻流腔26，這使得本實施例提供的製程腔室無需在反應艙額外設置勻流裝置，從而不僅無需對現有腔室結構進行改造，而且還可以簡化腔室結構，進而可以降低製程腔室的製造成本。此外，借助勻流腔26，可以對氣流起到過渡、緩衝的作用，然後利用各個徑向通孔271將製程氣體均勻地輸送至反應艙內，從而可以提高製程氣體在反應艙內的分佈均勻性，進而可以提高製程均勻性。
如第3A圖所示，由下環體24和上環體25組成的環壁應能夠覆蓋整個反應艙210的側壁表面，以起到保護反應艙210的側壁的作用，從而可以防止其上附著污染物。具體地，上環體25的上端應不低於環形艙體21的內周壁的頂端，且上環體25的下端低於下環體24的上端，從而實現覆蓋整個反應艙210的側壁表面。此外，為了使自徑向通孔271流出的製程氣體能夠流入環形間隙261內，上環體25的上端高於通孔271，且下環體24的上端低於徑向通孔271。另外，下環體24和上環體25與反應艙210較佳採用可拆卸的方式連接，以方便清洗。
在本實施例中，下環體24與下環形水平部241採用一體成型的方式製作，即，二者呈一體式結構；上環體25、上環形水平部251和環形豎直部27採用一體成型的方式製作，即，三者呈一體式結構，如第3D圖所示。由此，在安裝襯環元件時，只需將環形豎直部27固定在下環形水平部241上，即可實現上環體25和下環體24的組裝，從而通過採用一體成型的方式製作上環體25和下環體24的用於形成勻流腔26的特定結構，便於環形元件的加工和組裝。
需要說明的是，在實際應用中，也可以使上環體25和上環形水平部251採用一體成型的方式製作；下環體24、下環形水平部241和環形豎直部27採用一體成型的方式製作。
較佳的，在設計徑向通孔271的直徑時，最好使得製程氣體能夠在充滿勻流腔26之後再自各個徑向通孔271流出，以使製程氣體能夠均勻地從四周流入反應艙210內，為此，可以將徑向通孔271的直徑設計在0.5~2mm的範圍內。
在本實施例中，在反應艙210的內側壁下部形成有凸緣，下環體24通過下環形水平部241搭接在該凸緣上；環形豎直部27的上端與上環形水平部251連接，環形豎直部27的下端由下環形水平部241支撐，且通過螺釘將上環形水平部251、環形豎直部27、下環形水平部241與反應艙210內側壁上的凸緣固定連接，從而將襯環元件固定在反應艙210內。當然，在實際應用中，還可以採用其他任意方式固定襯環元件，本發明對此沒有特別限制。
晶片傳輸裝置用於將晶片傳輸至反應艙210內。在本實施例中，晶片傳輸裝置包括升降基座28和頂針裝置29。其中，升降基座28設置在製程腔室內，且位於反應艙210的下方，升降基座28通過在豎直方向上作直線運動而實現豎直方向上的升降，從而可以上升至如第3A圖中的製程位置E，並封閉該反應艙210；或者，下降至位於反應艙210下方的如第3E圖中的裝卸位置F，可以在該裝卸位置F處進行取/放片操作。
在本實施例中，在反應艙210內還設置有壓環31，壓環31用於在升降基座28上升至製程位置E時，利用自身重力將晶片固定在升降基座28上，此時升降基座28和壓環31共同將反應艙210的底部開口封閉，從而使反應艙210與其下方的空間相互隔離，從而形成相對獨立的製程環境。此外，當升降基座28下降，並移出反應艙210時，壓環31由下環體24支撐，具體地，下環體24的下端具有用於支撐壓環31的彎曲部242，該彎曲部242在升降基座28位於製程位置E時，其頂端低於壓環31底部被支撐的部分；而當升降基座28移出反應艙210時，壓環31自動下落至該彎曲部242的頂端。
在本實施例中，在製程腔室的側壁上設置有傳片口201，用以供晶片移入或移出製程腔室。頂針裝置29用於通過與製程腔室外的機械手相配合，而實現將晶片移入製程腔室，並傳遞至升降基座28上，或者自升降基座28移出製程腔室。具體地，頂針裝置29包括至少三個頂針，通過使至少三個頂針作在豎直方向上作直線運動而實現豎直方向上的升降，以此實現晶片的裝卸。當裝載未加工的晶片時，使升降基座28下降至預設的裝卸位置F之後，使至少三個頂針豎直上升，直至其頂端高於升降基座28的上表面，此時製程腔室外的機械手經由傳片口201將晶片輸送至製程腔室內，且放置於至少三個頂針上；載有晶片的頂針豎直下降，直至其頂端低於升降基座28的上表面，此時晶片被傳遞至升降基座28的上表面上；使升降基座28上升至製程位置E，從而完成晶片的裝載。
需要說明的是，在實際應用中，晶片傳輸裝置也可以省去頂針裝置，而僅通過升降基座與製程腔室外的機械手相配合，而實現晶片在二者之間的傳遞。
還需要說明的是，襯環元件用於形成勻流腔的結構並不侷限於本實施例中所採用的結構，在實際應用中，還可以對襯環元件設計其他特定結構，來實現其與反應艙的內側壁之間形成勻流腔。
作為一種較優的實施例，本發明實施例二提供的製程腔室還可以包括多個反應艙、相互獨立的多套進氣系統和晶片傳輸裝置。多個反應艙設置在製程腔室的內部，且沿製程腔室的周向均勻分佈，並且每個反應艙構成獨立的製程環境，並利用多套進氣系統（圖中未示出）一一對應地向多個反應艙內輸送製程氣體。由於每個反應艙構成獨立的製程環境，並利用進氣系統一一對應地向反應艙輸送製程氣體，以及利用晶片傳輸裝置將晶片傳輸至反應艙內，這使得利用單個製程腔室中的至少兩個反應艙即可實現同時進行兩道以上的工序，從而無需增加製程腔室的數量，即，可以在不改變製程腔室的數量的前提下，僅通過增加反應艙的數量來增加同時進行加工的工序數量，也就無需重新設計傳輸腔室的結構，進而可以降低裝置的製造成本。此外，由於至少兩個反應艙沿該製程腔室的周向均勻分佈，這與現有技術相比，可以使製程腔室的整體結構更緊湊、且占地空間更小。
而且，在每個反應艙內設置有襯環元件，且對於每個反應艙，該襯環元件的結構和功能與上述實施例一中單個反應艙中襯環元件的結構和功能方式完全相同，即，同樣利用其上環形水平部、下環形水平部和環形豎直部與反應艙的內側壁之間形成勻流腔，並將來自進氣系統的製程氣體均勻地輸送至反應艙內。因此，對於每個反應艙來說，與該反應艙相對應的進氣系統能夠將製程氣體通過該勻流腔直接輸送至反應艙內，從而不僅可以提高製程氣體進入反應艙的速度，而且不存在自進氣系統輸出的製程氣體不能全部到達反應艙內的問題，從而可以更準確地控制參與製程程序的製程氣體的流量，進而有利於製程結果。此外，借助勻流腔，可以對氣流起到過渡、緩衝的作用，從而可以提高製程氣體在反應艙內的分佈均勻性，進而可以提高製程均勻性。由於襯環元件的結構和功能在上述實施例一中已有了詳細描述，在此不再贅述。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種半導體加工裝置，第4圖為本發明實施例提供的半導體加工裝置的結構示意圖。請參閱第4圖，半導體加工裝置包括：兩個製程腔室（711，712），用於對晶片進行加工，並且每個製程腔室採用了上述實施例一或實施例二中所採用的製程腔室。去氣腔室64，用於去除晶片上的水汽；預清洗腔室65，用於去除晶片表面上的殘餘物；傳輸腔室63，其分別與兩個製程腔室（711，712）、去氣腔室64和預清洗腔室65連接，且在其內部設置有機械手631，用以將晶片分別傳輸至各個腔室內；兩個裝載台62，用於分別承載未加工的晶片和已完成加工的晶片。
需要說明的是，在本實施例中，製程腔室的數量為兩個，但是本發明並不侷限於此，在實際應用中，製程腔室的數量根據具體需要還可以為一個或者三個以上。
在實際應用中，半導體加工裝置可以包括物理氣相沉積裝置。
本發明實施例提供的半導體加工裝置，其通過採用本發明上述各個實施例提供的製程腔室，可以提高製程氣體進入反應艙的速度、控制參與製程程序的製程氣體的流量的準確度，以及製程氣體在反應艙內的分佈均勻性，從而不僅可以提高製程效率、改善製程結果，而且還可以提高製程均勻性。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
20、106‧‧‧腔體
21‧‧‧環形艙體
22‧‧‧進氣通道
23‧‧‧接頭
24‧‧‧下環體
25‧‧‧上環體
26‧‧‧勻流腔
27‧‧‧環形豎直部
28、110‧‧‧基座升降
29、105‧‧‧頂針
31、115‧‧‧壓環
62‧‧‧裝載台
63‧‧‧傳輸腔室
64‧‧‧去氣腔室
65‧‧‧預清洗腔室
102、201‧‧‧傳片口
103‧‧‧進氣口
104‧‧‧磁控管
107‧‧‧頂針提升軸
108‧‧‧基座提升軸
111‧‧‧上電極腔體
112‧‧‧晶片
113‧‧‧靶材
114‧‧‧陶瓷環
116‧‧‧下襯環
117‧‧‧上襯環
118、210‧‧‧反應艙
221‧‧‧出氣端
222‧‧‧進氣端
241‧‧‧下環形水平部
242‧‧‧彎曲部
251‧‧‧上環形水平部
261‧‧‧環形間隙
271‧‧‧徑向通孔
631‧‧‧機械手
711、712‧‧‧製程腔室
E‧‧‧製程位置
F‧‧‧裝卸位置
I‧‧‧區域
第1圖為現有的一種製程腔室的側面剖視圖； 第2圖為第1圖中I區域的正面放大圖； 第3A圖為本發明實施例一提供的製程腔室的剖視圖； 第3B圖為第3A圖中I區域的放大圖； 第3C圖為第3A圖中沿A-A線的剖視圖； 第3D圖為第3A圖中製程腔室的上襯環的立體圖； 第3E圖為本發明實施例一提供的製程腔室在裝卸晶片時的剖視圖；以及 第4圖為本發明實施例提供的半導體加工裝置的結構示意圖。
20‧‧‧腔體
21‧‧‧環形艙體
22‧‧‧進氣通道
23‧‧‧接頭
24‧‧‧下環體
25‧‧‧上環體
26‧‧‧勻流腔
28‧‧‧基座升降
29‧‧‧頂針
31‧‧‧壓環
201‧‧‧傳片口
210‧‧‧反應艙
242‧‧‧彎曲部
E‧‧‧製程位置
I‧‧‧區域

Claims (10)

  1. 一種製程腔室，包括反應艙、進氣系統和晶片傳輸裝置，其中，該反應艙設置在該製程腔室內，用以對晶片進行製程；該進氣系統用於向該反應艙提供製程氣體；該晶片傳輸裝置用於將晶片傳輸至該反應艙內，其特徵在於，在該反應艙內設置有襯環元件，該襯環元件的結構被設置為在其與該反應艙的內側壁之間形成勻流腔，以通過該勻流腔將來自該進氣系統的製程氣體均勻地輸送至該反應艙內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的製程腔室，其特徵在於，該襯環元件包括上環體和下環體，該上環體位於該下環體的內側，且二者之間具有環形間隙，該環形間隙與該反應艙的內部連通； 在該上環體的外周壁上設置有上環形水平部，在該下環體的外周壁上設置有下環形水平部，且在二者之間設置有環形豎直部，該上環形水平部、下環形水平部、環形豎直部與該反應艙的內側壁形成該勻流腔；並且，在該環形豎直部上均勻分佈有多個徑向通孔，該徑向通孔分別與該勻流腔和該環形間隙連通。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的製程腔室，其特徵在於，該反應艙的數量為一個。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的製程腔室，其特徵在於，該反應艙的數量為至少兩個，且沿該製程腔室的周向均勻分佈，每個反應艙內構成獨立的製程環境； 該進氣系統的數量與該反應艙的數量相對應，且一一對應地向該反應艙輸送製程氣體。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的製程腔室，其特徵在於，在該反應艙的側壁內形成有進氣通道，該進氣通道的進氣端與該進氣系統連接，該進氣通道的出氣端設置在該反應艙的內側壁上，且與該勻流腔連通。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的製程腔室，其特徵在於，該進氣通道的進氣端位於該反應艙的頂部。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的製程腔室，其特徵在於，該徑向通孔的直徑的取值範圍在0.5~2mm。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的製程腔室，其特徵在於，該上環體、上環形水平部和環形豎直部採用一體成型的方式製作；該下環體和該下環形水平部採用一體成型的方式製作；或者 該上環體和上環形水平部採用一體成型的方式製作；該下環體、該下環形水平部和環形豎直部採用一體成型的方式製作。
  9. 一種半導體加工裝置，包括：製程腔室，用於對晶片進行加工；去氣腔室，用於去除晶片上的水汽；預清洗腔室，用於去除晶片表面上的殘餘物；傳輸腔室，其分別與該製程腔室、該去氣腔室和該預清洗腔室連接，且在其內部設置有機械手，用以將晶片分別傳輸至各個腔室內；其特徵在於，該製程腔室採用申請專利範圍第1項至第8項任意一項所述的製程腔室。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的半導體加工裝置，其特徵在於，該製程腔室為多個。
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