CN115083964A - 工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法 - Google Patents

工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，该工艺腔室包括：腔体，沿腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；内衬组件上沿内衬组件的周向设有多个贯穿内衬组件侧壁的第一开孔；沉积阻挡环上沿沉积阻挡环的周向设有多个贯穿沉积阻挡环侧壁的第二开孔；腔体的内侧壁上沿腔体的周向设有与多个第一开孔相对的加热灯组件；当基座带动沉积阻挡环上升至第一工艺位时，第二开孔与第一开孔相互错开；当基座带动沉积阻挡环上升至第二工艺位时，第二开孔与第一开孔至少部分重叠，且第二工艺位高于第一工艺位。本发明能够消除回流工艺中的滑片与碎片风险。

Description

工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺设备领域，更具体地，涉及一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法。
背景技术
集成电路芯片制备的后道工序中，采用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)中的磁控溅射形成金属互连是最为关键的技术，在经由光刻技术形成的沟槽、通孔中通过PVD沉积上金属导线，将晶体管相互连接起来形成所需要的电路。一道完整金属互连工序通常由：阻挡层/籽晶层沉积、铜电镀、化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing，CMP)构成。但随着芯片特征尺寸的缩小，通孔与沟槽的开口都将减小，而深宽比则增大，给阻挡层/籽晶层的沉积都带来很大的困难。
研究表明，回流工艺是一种可以形成可靠的铜互连层的技术。先在低温下沉积一层铜籽晶层，然后对基片进行加热。在高温(通常在300℃以上)的作用下，铜的表面移动性和晶粒团聚力都得到增强，在扩散作用和毛细管力下，表面铜原子发生迁移，所沉积的铜被吸入深孔底部，自下而上实现填充。这便完成了铜回流的一个循环。深孔尺寸越小，毛细管力越强，从而填充效果越好。如此循环往复，直至将深孔填充完整。
现有的铜回流设备中使用的基座为低温静电卡盘(Electrostatic Chuck，ESC)，在执行工艺时，需要在ESC上施加直流电压，通过静电作用将基片吸附住，并进行沉积工艺，同时在ESC与基片之间通气体(背吹气体)将基片的热量传递给ESC，实现冷却基片的作用。
在进行铜回流时，将ESC上施加的直流电压撤掉，等待ESC与基片之间的吸附力消散，此过程称为脱附。然后将ESC下降，并且使顶针上升，将基片升至比沉积工艺位更高的位置。通过ESC下降与基片上升，拉大基片与ESC之间的距离，获得加热灯管对基片的照射空间。当基片升至高位后，加热灯管上施加一个很高的功率，将能量辐照至基片背面，使基片升温。当基片在高温下完成回流工艺后，ESC重新上升，顶针下降，使基片落至ESC表面。然后重新施加ESC电压，将基片吸附住，并通以背吹气体冷却，随后进行第二次沉积工艺。当完成沉积工艺后，进行脱附过程，顶针将基片顶起，将基片传出腔室。
在该工艺流程中，基片存在两次吸附-脱附-顶起的过程。当基片背面的材质不为硅时，如二氧化硅或氮化硅等导电差的绝缘材料时，会导致基片电荷释放不完全，残余的电荷产生吸引力，导致脱附不完全，进而导致基片与ESC之间有残余的吸力，在基片被顶针顶起的时候，会导致基片偏移。在某些情况下残余的吸力过大时，会导致顶针把基片顶碎的情况。
发明内容
本发明的目的是提出一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，解决铜回流工艺流程中因待加工基片多次吸附-脱附与加热造成的基片偏移、变形、碎片等问题。
第一方面，本发明提出一种用于半导体工艺设备的工艺腔室，包括：
腔体，所述腔体内沿所述腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，所述内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，所述腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；
所述内衬组件上沿所述内衬组件的周向设有多个贯穿所述内衬组件侧壁的第一开孔；所述沉积阻挡环上沿所述沉积阻挡环的周向设有多个贯穿所述沉积阻挡环侧壁的第二开孔；所述腔体的内侧壁上沿所述腔体的周向设有与多个所述第一开孔相对的加热灯组件；
当所述基座带动所述沉积阻挡环上升至第一工艺位时，所述第二开孔与所述第一开孔相互错开；当所述基座带动所述沉积阻挡环上升至第二工艺位时，所述第二开孔与所述第一开孔至少部分重叠，且所述第二工艺位高于所述第一工艺位。
可选地，所述内衬组件包括上内衬和下内衬；所述上内衬设置于所述腔体的内侧顶部，所述下内衬设置于所述上内衬的下方；
所述下内衬包括同轴设置的第一圆筒侧壁和第二圆筒侧壁，所述第二圆筒侧壁位于所述第一圆筒侧壁的下方，所述第二圆筒侧壁的直径小于所述第一圆筒侧壁的直径，多个所述第一开孔设置于所述第二圆筒侧壁上。
可选地，所述腔体的侧壁顶部设有支撑件，所述第一圆筒侧壁的顶部设有横向延伸的第一环形折边，所述第一圆筒侧壁通过所述第一环形折边搭接在所述支撑件上；
所述第二圆筒侧壁的顶部形成有环形台阶；
所述沉积阻挡环的顶部设有横向延伸的第二环形折边，所述沉积阻挡环通过所述第二环形折边搭接在所述环形台阶上。
可选地，所述第二圆筒侧壁的底部设有沿背离所述腔体内壁方向延伸的第三环形折边，所述第三环形折边的末端具有向上延伸的环形凸边；
所述沉积阻挡环的底部设有搭接件，所述搭接件包括横向设置的环形板，所述环形板的下表面设有与所述环形凸边搭接配合的环形凹槽。
可选地，所述加热灯组件包括环形反射件和环形加热灯管，所述环形反射件沿所述腔体的周向设置于所述腔体内壁上，所述环形反射件的内侧壁为朝向所述腔体中心的弧形反射面；
所述环形加热灯管通过多个支撑件设置于所述弧形反射面上。
可选地，所述第一圆筒侧壁与所述第二圆筒侧壁一体成型；
或者，所述第一圆筒侧壁和所述第二圆筒侧壁为分立部件，其中，所述第一圆筒侧壁的底部与所述第二圆筒侧壁的顶部设有相互配合的横向延伸的搭接部。
可选地，所述沉积阻挡环与所述搭接件一体成型；
或者，所述沉积阻挡环和所述搭接件为分立部件，其中，所述沉积阻挡环的底部设有与所述搭接件外缘配合的台阶状搭接部。
可选地，所述第一开孔和所述第二开孔均为长条矩形的通孔，相邻的两个所述第一开孔以及相邻的两个所述第二开孔之间的间隔均为10-30mm。
第二方面，本发明提出一种半导体工艺设备，包括第一方面所述的工艺腔室。
第三方面，本发明提出一种利用第二方面所述的半导体工艺设备进行的工艺方法，所述工艺方法包括：
控制承载有待加工基片的基座上升至第一工艺位；
向所述基座与所述基片之间通入背吹气体，并对所述基片进行第一次沉积工艺；
完成所述第一次沉积工艺后，停止向所述基座与所述基片之间通入背吹气体；
控制所述基座上升至第二工艺位，通过所述加热灯组件对所述基片进行辐照加热，进行回流工艺；
完成所述回流工艺后，控制所述基座下降至所述第一工艺位，再次向所述基座与所述基片之间通入背吹气体，并对所述基片进行第二次沉积工艺；
完成所述第二次沉积工艺后，停止向所述基座与所述基片之间通入背吹气体。
本发明的有益效果在于：
本发明的工艺腔室通过在内衬组件和沉积阻挡环的侧壁上分别设置第一开孔和第二开孔，并在腔体内侧壁上设置与第一开孔相对的加热灯组件，当基座带动沉积阻挡环上升至第一工艺位时，第二开孔与第一开孔相互错开，此时进行沉积工艺可以保证沉积工艺过程中的反应物不会沉积到腔室内壁上，当基座带动沉积阻挡环上升至第二工艺位时，第二开孔与第一开孔至少部分重叠，此时加热灯组件的光可以通过第一开孔和第二开孔照射到基座上的待加工基片，对基片进行加热，以完成铜回流工艺。相较于现有技术本发明在进行沉积的第一工艺位和进行铜回流的第二工艺位切换过程中，不需要进行静电脱附让待加工基片离开基座，因此可以有效避免顶针顶起基片带来的滑片风险，以及基片升降带来的位置漂移的问题，也能防止多次吸附-脱附造成的残留吸力，进而消除滑片与碎片的风险。
本发明的装置具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施方式中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施方式中进行详细陈述，这些附图和具体实施方式共同用于解释本发明的特定原理。
附图说明
通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，在本发明示例性实施例中，相同的参考标号通常代表相同部件。
图1示出了根据本发明实施例1的一种工艺腔室的纵向剖面结构图。
图2示出了根据本发明实施例1的一种工艺腔室中下内衬的第二圆筒侧壁上的第一开孔以及沉积阻挡环上第二开孔的示意图。
图3示出了根据本发明实施例1的一种工艺腔室中环形加热灯管的俯视图。
图4示出了根据本发明实施例1的一种工艺腔室中基片支撑件在第一工艺位的示意图。
图5示出了根据本发明实施例1的一种工艺腔室中基片支撑件在第二工艺位的示意图。
图6示出了根据本发明实施例1的一种工艺腔室的另一种下内衬的结构示意图。
图7示出了根据本发明实施例1的一种工艺腔室另一种沉积阻挡环的结构示意图。
图8示出了根据本发明实施例3的一种工艺方法的步骤图。
图9示出了根据本发明实施例3的一种铜回流工艺方法的步骤流程图。
具体实施方式
现有的铜回流工艺中，由于基片存在吸附-脱附-顶起-加热-落下-吸附-脱附-顶起的过程。在这个流程中，基片具有两次吸附-脱附-顶起的过程。当基片背面的材质不为硅时，如二氧化硅或氮化硅等绝缘材料时，会存在脱附不完全的问题。脱附不完全会导致基片与ESC之间有残余的吸力，在基片被顶针顶起的时候，会导致基片偏移。在某些情况下残余的吸力过大时，会导致顶针把基片顶碎的情况。
而在另外一种情况下，基片内有比较大的应力，在加热之后，基片会发生弯曲变形(比如高低差超过1mm以上)，同样会导致基片偏移。即使不偏移也会导致基片落下之后，因为与ESC接触面小，造成无法再次吸附的问题。
同样，在整个流程中，有两次吸附的过程，也会大大提高ESC残余吸力造成基片偏移/碎片，基片较大的偏移量会导致在基片传出腔室时出现被机械手撞碎、隔离阀夹碎等问题。
本发明的工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法能够解决铜回流工艺流程中因为基片多次进行吸附-脱附与加热造成的基片偏移、变形、碎片等问题。
下面将参照附图更详细地描述本发明。虽然附图中显示了本发明的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本发明更加透彻和完整，并且能够将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。
实施例1
图1示出了根据本发明实施例1的一种工艺腔室的纵向剖面结构图。
如图1所示，一种工艺腔室，包括：
腔体，腔体内沿腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环214，腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座202；
内衬组件上沿内衬组件的周向设有多个贯穿内衬组件侧壁的第一开孔213；沉积阻挡环214上沿沉积阻挡环214的周向设有多个贯穿沉积阻挡环214侧壁的第二开孔215；腔体的内侧壁上沿腔体的周向设有与多个第一开孔213相对的加热灯组件；
当基座202带动沉积阻挡环214上升至第一工艺位时，第二开孔215与第一开孔213相互错开；当基座202带动沉积阻挡环214上升至第二工艺位时，第二开孔215与第一开孔213至少部分重叠，且第二工艺位高于第一工艺位。
优选地，本实施例中当基座202带动沉积阻挡环214上升至第二工艺位时，第二开孔215与第一开孔213在高度上完全重叠且加热灯光组件位于基座202顶部上方，加热灯光组件的光可以通过第一开孔213和第二开孔215照射到位于基座202上的基片的上表面对基片进行加热。
本实施例中，腔体包括下腔体201和上腔体203；
下腔体201包括底壁和环形侧壁；基座202包括静电卡盘，静电卡盘的下方设有贯穿下腔体201底壁的升降机构。
上腔体203呈圆筒状，上腔体203与下腔体201同轴设置；
上腔体203的顶部设有陶瓷环204，陶瓷环204上用于放置靶材205，靶材205能够封闭下腔体201和上腔体203围成的空腔。
本实施例中，内衬组件包括上内衬210和下内衬212；上内衬210设置于腔体的内侧顶部，下内衬212设置于上内衬210的下方；上内衬210设置于上腔体203的内侧顶部；
下内衬212包括同轴设置的第一圆筒侧壁216和第二圆筒侧壁217，第二圆筒侧壁217位于第一圆筒侧壁216的下方，第二圆筒217侧壁的直径小于第一圆筒侧壁216的直径，多个第一开孔213设置于第二圆筒217侧壁上。
本实施例中，腔体的侧壁顶部设有支撑件，第一圆筒侧壁216的顶部设有横向延伸的第一环形折边，第一圆筒侧壁216通过第一环形折边搭接在支撑件上；
第二圆筒侧壁217的顶部形成有环形台阶；
沉积阻挡环214的顶部设有横向延伸的第二环形折边，沉积阻挡环214通过第二环形折边搭接在环形台阶上。
具体地，支撑件包括设置在上腔体203的侧壁顶部内侧的第一环形台阶和设置在第一环形台阶上的上内衬支撑环211，第一圆筒侧壁216的顶部设有与横向向外延伸的第一环形折边，第一圆筒侧壁216通过第一环形折边搭接在第一环形台阶上；上内衬210设置于上内衬支撑环211上。
上内衬210的内缘底部设置有向下延伸的环形侧壁，环形侧壁的外径小于第一圆筒侧壁216的内径，环形侧壁延伸至第一环形折边的下方，该环形侧壁能够遮挡上内衬210与内衬支撑环211以及内衬支撑环211与下内衬212之间的缝隙；
上内衬210顶部的外缘设有第二环形台阶，第二环形台阶的表面与上腔体203的顶部齐平，陶瓷环204设置于上腔体203的顶部和第二环形台阶上。
其中，第二圆筒侧壁217的顶部形成有环形台阶；沉积阻挡环214的顶部设有向外横向延伸的第二环形折边，沉积阻挡环214通过第二环形折边搭接在第二圆筒侧壁217的顶部的环形台阶上。
第二圆筒侧壁217的底部设有沿背离腔体内壁方向延伸的第三环形折边，第三环形折边的末端具有向上延伸的环形凸边；沉积阻挡环214的底部设有搭接件218，搭接件218包括横向设置的环形板，环形板的下表面设有与环形凸边搭接配合的环形凹槽；优选地，第一圆筒侧壁216与第二圆筒侧壁217一体成型，沉积阻挡环214与搭接件218一体成型。
本实施例中，基座202的顶部边缘还设有与环形板内缘搭接配合的第三环形台阶。
如图1和图3所示，本实施例中，加热灯组件包括环形反射件223和环形加热灯管220，环形反射件223沿腔体的周向设置于腔体内壁上，环形反射件223的内侧壁为朝向腔体中心的弧形反射面；
环形加热灯管220通过多个支撑件221设置于弧形反射面上。
具体地，环形反射件223为环绕腔室中心轴的一个组件，材质为铝或不锈钢，具有面向腔室中心的凹陷的弧度，在其内表面加工时，进行镜面抛光，得到高的反射率，以起到反射环形加热灯管220光线的作用，将其发出的光反射至工艺腔室中心的位置。
环形加热灯管220为环绕腔室中心轴的一圈环形灯管，环形加热灯管220的功率优选为5kW-40kW，环形加热灯管220具有第一供电端401和第二供电端402，供电线222穿透上腔体203的侧壁与第一供电端401和第二供电端402连接，为环形加热灯管220提供电能。
如图2所示，本实施例中，第一开孔213和第二开孔215均为长条矩形的通孔，相邻的两个第一开孔213以及相邻的两个第二开孔215之间的间隔均为10-30mm。
具体地，下内衬212和沉积阻挡环214两个部件采用相同的开孔方式，在一示例中，下内衬212或沉积阻挡环214的侧壁上沿周向一圈可以挖有4个长条矩形开孔。开孔的高度至少为20毫米，优选为40毫米。在环绕腔室的方向上需要尽可能多的挖出一圈空隙，以便于加热灯管的光线可以通过，相邻开孔之间仅保留较窄的宽度间隔作为上下两部分的连接桥梁。为保证部件有足够的强度，位于相邻开孔间隔区域的连接部分至少要有3个，也可以为4个、5个、6个等。连接部分的宽度至少需要有10mm，优选为30mm，以保证足够的强度。第一开孔213和第二开孔215在竖直方向上，可以重叠，也可以互相错开。由于相邻开孔的间隔连接部分足够窄，而灯管为环绕型的，在连接部分两侧的灯管部分仍有光线能照射到基片。灯光照到基片上的面积足够大，基片被加热时，其内部也会有热传导的过程，可使基片整体升到高温。在其他实施例中，如图6所示，第一圆筒侧壁216和第二圆筒侧壁217也可以为分立部件，其中，第一圆筒侧壁216的底部设有沿背离腔体内壁方向横向延伸的第四环形折边；
第二圆筒侧壁217的顶部设有沿朝向腔体内壁方向横向延伸的第五环形折边，在一种实施方式中，第二圆筒侧壁217可以通过第五环形折边搭接于第四环形折边上，此时第五环形折边形成第二圆筒侧壁顶部的环形台阶，沉积阻挡环214通过其顶部的第二环形折边搭接在第五环形折边上。在另一种实施方式中，第二圆筒侧壁217也可以通过第五环形折边搭接于环形反射组件223的顶部，第一圆筒侧壁的第四环形折边叠置于第五环形折边上方，此时第四环形折边或第四环形折边和第五环形折边共同形成第二圆筒侧壁顶部的环形台阶，沉积阻挡环214通过其顶部的第二环形折边搭接在第四环形折边上。
如图7所示，沉积阻挡环214和搭接件218也可以为分立部件，其中，沉积阻挡环214的底部设有与搭接件218外缘配合的台阶状搭接部。
需说明的是本实施例的工艺腔室还包括与现有铜回流工艺腔室中相同的射频系统以及背吹气体管路等系统部件。
本实施例的工艺腔室的工作原理为：
如图4所示，基座202上升至第一工艺位(沉积工艺位)，此时沉积阻止环被基座202支撑住。此时下内衬212上的第一开孔213与沉积阻止环上的第二开孔215在高度上是互相错开的，进行沉积工艺时可以保证靶材205上沉积下来的薄膜不会沉积到腔室壁上。而在进行回流工艺时，如图5所示，基座202继续上升至第二工艺位(回流工艺位)，此时下内衬212上的第一开孔213与沉积阻止环上的第二开孔215在高度上基本对齐。使得环形加热灯管220发射的灯光在环形反射组件223的作用下，可以穿透第一开孔213和第二开孔215照射到基座202上的基片上，从而对基片进行辐照加热，实现回流工艺。
实施例2
本实施例提供一种半导体工艺设备，该设备包括实施例1的工艺腔室。
该半导体设备由于采用实施例1的工艺腔室，能够有效避免回流工艺流程中因基片多次进行吸附-脱附与加热造成的基片偏移、变形、碎片等问题。
实施例3
如图8所示，一种利用实施例2的半导体工艺设备进行的工艺方法，该方法包括：
S1：控制承载有待加工基片的基座202上升至第一工艺位；
S2：向基座202与基片之间通入背吹气体，对基片进行第一沉积工艺；
S3：完成第一次沉积工艺后，停止向基座202与基片之间通入背吹气体；
S4：控制基座202上升至第二工艺位，通过加热灯组件对基片进行辐照加热，进行回流工艺；
S5：完成回流工艺后，控制基座202下降至第一工艺位，再次向基座202与基片之间通入背吹气体，并对基片进行第二次沉积工艺；
S6：完成第二次沉积工艺后，停止向基座202与基片之间通入背吹气体。
以铜回流工艺为例，如图9所示，本实施例的方法具体包括：
S101：将基片传片至腔室；
S102：控制基座202先升至第一工艺位；
S103：控制基座202上的静电卡盘静电吸附基片，并向静电卡盘与基片之间通入背吹气体；
S104：开始第一次的铜薄膜沉积工艺。此时由于基片与静电卡盘之间有背吹气体传热，沉积过程中基片可以保持在低温。S105：第一次沉积工艺结束后，关掉背吹气体，此时仍控制静电卡盘保留静电吸附的电压，使得基片仍被紧密的吸附在静电卡盘表面。由于关掉背吹气体，此时基片与静电卡盘之间几乎不发生热传导，静电卡盘对基片几乎没有冷却作用。
S106：控制基座202上升至第二工艺位；
S107：通过加热灯组件对基片进行辐照加热，进行铜回流工艺；
当基座202带动沉积阻挡环214上升至第二工艺位时，沉积阻挡环214上的第二开孔215与下内衬217上的第一开孔213在高度上至少部分重叠，环形加热灯200的光可以通过第一开孔213和第二开孔215照射到基片上，对基片进行加热。优选地，环形加热灯的光此时能够从照射到基片的上表面进行加热，完成铜回流工艺。
S108：完成铜回流工艺后，再次向基座202与基片之间通入背吹气体对基片进行冷却。
S109：控制基座202下降至第一工艺位(其中步骤S108和步骤S109的顺序可以互换)。
S110：进行第二次铜薄膜沉积工艺；
S111：完成第二次沉积工艺后，停止向基座202与基片之间通入背吹气体.
S112：控制基座202停止静电吸附基片完成脱附(de-chuck)。
S113：最后将基片传出腔室，完成铜回流工艺。
本实施例的工艺方法，采用实施例2的铜回流工艺设备，由于环形加热灯管220的光线能够透过第一开孔213和第二开孔215照射到基片表面(例如从基座202以及基片的上方向下照射)，因此工艺过程中不需要让基片离开基座202，也不需要脱附的步骤，因此可以避免脱附导致的残留吸力，以及顶针顶起基片带来的滑片风险在回流工艺过程中，无需使基片离开基座，可以有效防止基片升降带来的位置漂移的问题，也能防止多次吸附-脱附造成的残留吸力，进而消除滑片与碎片的风险。
以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。

Claims (10)

1.一种用于半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括：
腔体，所述腔体内沿所述腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，所述内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，所述腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；
所述内衬组件上沿所述内衬组件的周向设有多个贯穿所述内衬组件侧壁的第一开孔；所述沉积阻挡环上沿所述沉积阻挡环的周向设有多个贯穿所述沉积阻挡环侧壁的第二开孔；所述腔体的内侧壁上沿所述腔体的周向设有与多个所述第一开孔相对的加热灯组件；
当所述基座带动所述沉积阻挡环上升至第一工艺位时，所述第二开孔与所述第一开孔相互错开；当所述基座带动所述沉积阻挡环上升至第二工艺位时，所述第二开孔与所述第一开孔至少部分重叠，且所述第二工艺位高于所述第一工艺位。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述内衬组件包括上内衬和下内衬；所述上内衬设置于所述腔体的内侧顶部，所述下内衬设置于所述上内衬的下方；
所述下内衬包括同轴设置的第一圆筒侧壁和第二圆筒侧壁，所述第二圆筒侧壁位于所述第一圆筒侧壁的下方，所述第二圆筒侧壁的直径小于所述第一圆筒侧壁的直径，多个所述第一开孔设置于所述第二圆筒侧壁上。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔体的侧壁顶部设有支撑件，所述第一圆筒侧壁的顶部设有横向延伸的第一环形折边，所述第一圆筒侧壁通过所述第一环形折边搭接在所述支撑件上；
所述第二圆筒侧壁的顶部形成有环形台阶；
所述沉积阻挡环的顶部设有横向延伸的第二环形折边，所述沉积阻挡环通过所述第二环形折边搭接在所述环形台阶上。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二圆筒侧壁的底部设有沿背离所述腔体内壁方向延伸的第三环形折边，所述第三环形折边的末端具有向上延伸的环形凸边；
所述沉积阻挡环的底部设有搭接件，所述搭接件包括横向设置的环形板，所述环形板的下表面设有与所述环形凸边搭接配合的环形凹槽。
5.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述加热灯组件包括环形反射件和环形加热灯管，所述环形反射件沿所述腔体的周向设置于所述腔体内壁上，所述环形反射件的内侧壁为朝向所述腔体中心的弧形反射面；
所述环形加热灯管通过多个支撑件设置于所述弧形反射面上。
6.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一圆筒侧壁与所述第二圆筒侧壁一体成型；
或者，所述第一圆筒侧壁和所述第二圆筒侧壁为分立部件，其中，所述第一圆筒侧壁的底部与所述第二圆筒侧壁的顶部设有相互配合的横向延伸的搭接部。
7.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述沉积阻挡环与所述搭接件一体成型；
或者，所述沉积阻挡环和所述搭接件为分立部件，其中，所述沉积阻挡环的底部设有与所述搭接件外缘配合的台阶状搭接部。
8.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一开孔和所述第二开孔均为长条矩形的通孔，相邻的两个所述第一开孔以及相邻的两个所述第二开孔之间的间隔均为10-30mm。
9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一所述的工艺腔室。
10.一种利用权利要求9所述的半导体工艺设备进行的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：
控制承载有待加工基片的基座上升至第一工艺位；
向所述基座与所述基片之间通入背吹气体，并对所述基片进行第一次沉积工艺；
完成所述第一次沉积工艺后，停止向所述基座与所述基片之间通入背吹气体；
控制所述基座上升至第二工艺位，通过所述加热灯组件对所述基片进行辐照加热，进行回流工艺；
完成所述回流工艺后，控制所述基座下降至所述第一工艺位，再次向所述基座与所述基片之间通入背吹气体，并对所述基片进行第二次沉积工艺；
完成所述第二次沉积工艺后，停止向所述基座与所述基片之间通入背吹气体。
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