TW201523115A - 投影機用螢光輪及投影機用發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可抑制螢光體層受到加熱的投影機用螢光輪及使用其之投影機用發光裝置。 本發明之投影機用螢光輪之特徵在於具備：螢光體層12；環狀之陶瓷基板11，其具有設置有螢光體層12之第1主面及位於與第1主面相反側之第2主面，且具有較螢光體層12高之導熱率；及反射層13，其設置於陶瓷基板11之第2主面上。

Description

投影機用螢光輪及投影機用發光裝置
本發明係關於一種投影機用螢光輪及投影機用發光裝置。
近年來，為了使投影機小型化，而提出有使用LED(Light Emitting Diode，發光二極體)及螢光體之發光裝置。例如，專利文獻1中揭示有一種投影機，其使用發光裝置，該發光裝置具備發出紫外光之光源、及將來自光源之紫外光轉換為可見光之螢光體層。於專利文獻1中，記載有藉由於環狀之可旋轉之透明基板上設置環狀之螢光體層而製作的螢光輪。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-341105號公報
且說，於使用高輸出之光源作為光源之情形時，藉由激發光之照射而使螢光體發熱，螢光體層受到加熱。若螢光體層受到加熱，則產生螢光強度降低、或螢光體層自基板剝離之問題。
本發明之目的在於提供一種可抑制螢光體層受到加熱的投影機用螢光輪及使用其之投影機用發光裝置。
本發明之投影機用螢光輪之特徵在於具備：螢光體層；環狀之 陶瓷基板，其具有設置有螢光體層之第1主面及位於與第1主面相反側之第2主面，且具有較螢光體層高之導熱率；及反射層，其設置於陶瓷基板之第2主面上。
較佳為，反射層為金屬反射層或反射玻璃層。
較佳為，螢光體層藉由熔接而安裝於陶瓷基板。
較佳為，螢光體層藉由無機接合層而安裝於陶瓷基板。
較佳為，反射層為金屬反射基板。於此情形時，較佳為，金屬反射基板為鋁基板。
亦可於第2主面之區域設置有導熱層。於該情形時，於導熱層上設置有反射層。
較佳為，導熱層包含導熱性膏。作為導熱性膏，可列舉含有金屬粒子之膏。
本發明之投影機用螢光輪亦可進而具備設置於螢光體層與陶瓷基板之間之散射層。散射層包含包括選自由Al、Nb、Ta、La、Zr、Ce、Ga、Mg、Si及Zn組成之群中之至少一種氧化物或氮化物的無機粒子。
較佳為，螢光體層含有玻璃基質及分散於玻璃基質中之螢光體。
較佳為，散射層含有玻璃基質及分散於玻璃基質中之無機粒子。
較佳為，螢光體層之玻璃基質與散射層之玻璃基質實質上為相同之玻璃。
亦可為螢光體層沿著圓周方向而分割為複數個區域，於複數個區域，包含種類相互不同之螢光體。
本發明之投影機用發光裝置之特徵在於具備：上述本發明之投影機用螢光輪；及光源，其對螢光輪之螢光體層照射激發光。
根據本發明，可抑制投影機用螢光輪中之螢光體層受到加熱。
1‧‧‧激發光
2‧‧‧螢光
10‧‧‧螢光輪
11‧‧‧陶瓷基板
11a‧‧‧第1主面
11b‧‧‧第2主面
12‧‧‧螢光體層
12a‧‧‧第1區域
12b‧‧‧第2區域
12c‧‧‧第3區域
13‧‧‧反射層
14‧‧‧螢光體
15‧‧‧玻璃基質
16‧‧‧導熱層
17‧‧‧散射層
18‧‧‧無機粒子
19‧‧‧玻璃基質
20‧‧‧光源
21‧‧‧馬達
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧限制構件
24‧‧‧限制構件
25‧‧‧貫通孔
30‧‧‧投影機用發光裝置
C‧‧‧中心軸
圖1係表示本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪之立體圖。
圖2係沿著圖1所示之A-A線之模式性剖面圖。
圖3係將本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪中之螢光體層之附近放大表示的模式性局部剖面圖。
圖4係表示於本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪中，使用金屬反射基板作為反射層之情形時之一例的模式性剖面圖。
圖5係圖4所示之投影機用螢光輪之模式性俯視圖。
圖6係表示於本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪中，使用金屬反射基板作為反射層之情形時之另一例的模式性剖面圖。
圖7係表示本發明之第2實施形態之投影機用螢光輪之模式性剖面圖。
圖8係將本發明之第3實施形態之投影機用螢光輪中之螢光體層之附近放大表示的模式性局部剖面圖。
圖9係表示使用本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪之投影機用發光裝置的模式性側視圖。
圖10係表示本發明之第4實施形態之投影機用螢光輪之立體圖。
以下，對較佳之實施形態進行說明。但是，以下之實施形態僅僅為例示，本發明並不限定於以下之實施形態。又，於各圖式中，存在實質上具有相同功能之構件由相同符號參照之情形。
圖1係表示本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪之立體圖。圖2係沿著圖1所示之A-A線之模式性剖面圖。圖3係將本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪中之螢光體層之附近放大表示的模式性局部 剖面圖。如圖1~圖3所示，螢光輪10具有環狀之形狀。螢光輪10具備：螢光體層12；環狀之陶瓷基板11，其具有設置有螢光體層12之第1主面11a及位於與第1主面11a相反側之第2主面11b；及反射層13，其設置於陶瓷基板11之第2主面11b上。陶瓷基板11具有較螢光體層12高之導熱率。
於本實施形態中，螢光體層12包括玻璃基質15及分散於其中之螢光體14。於本實施形態中，使用無機螢光體之粒子作為螢光體14。
玻璃基質15只要為可用作無機螢光體等螢光體14之分散媒者則並無特別限定。例如，可使用硼矽酸鹽系玻璃、磷酸鹽系玻璃等。玻璃基質15之軟化點較佳為250℃~1000℃，更佳為300℃~850℃。
螢光體14只要為藉由激發光之入射而射出螢光者，則並無特別限定。作為螢光體14之具體例，例如，可列舉選自氧化物螢光體、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氯化物螢光體、醯氯化物螢光體、硫化物螢光體、氧硫化物螢光體、鹵化物螢光體、硫族元素化物螢光體、鋁酸鹽螢光體、鹵磷酸鹽化物螢光體、石榴石系化合物螢光體之1種以上等。於使用藍色光作為激發光之情形時，例如，可使用將綠色光、黃色光或紅色光作為螢光射出之螢光體。
螢光體14之平均粒徑較佳為1μm~50μm，更佳為5μm~25μm。若螢光體14之平均粒徑過小，則存在發光強度降低之情形。另一方面，若螢光體14之平均粒徑過大，則存在發光顏色不均勻之情形。
螢光體層12中之螢光體14之含量較佳為5~80體積%之範圍內，更佳為10~75體積%之範圍內，進而較佳為20~70體積%之範圍內。
就螢光體層12之厚度而言，於激發光確實地被螢光體14吸收之厚度範圍內，較佳為較薄者。此係因為，若螢光體層12過厚，則存在螢光體層12中之光之散射或吸收變得過大，而導致螢光之射出效率變 低之情況。具體而言，螢光體層12之厚度較佳為1mm以下，更佳為0.5mm以下，進而較佳為0.3mm以下。螢光體層12之厚度之下限值通常為0.03mm左右。
螢光體層12設置於陶瓷基板11之第1主面11a上。如上所述，陶瓷基板11具有較螢光體層12高之導熱率。作為陶瓷基板11，可使用高導熱性陶瓷。作為高導熱性陶瓷，可列舉氧化鋁系陶瓷、氮化鋁系陶瓷、碳化矽系陶瓷、氮化硼系陶瓷、氧化鎂系陶瓷、氧化鈦系陶瓷、氧化鈮系陶瓷、氧化鋅系陶瓷、氧化釔系陶瓷等。
陶瓷基板11之厚度較佳為50μm~1000μm，更佳為100μm~800μm，進而較佳為200μm~500μm。若陶瓷基板11之厚度過大，則螢光容易向陶瓷基板11內部之寬度方向傳遞而洩漏至外部。另一方面，若陶瓷基板11之厚度過小，則有機械強度降低，而於作為輪進行旋轉之情形時產生破損之虞。
較佳為，螢光體層12藉由熔接而安裝於陶瓷基板11。作為熔接之方法，可列舉藉由將螢光體層12積層於陶瓷基板11之第1主面11a上並進行加熱壓接，而使陶瓷基板11與螢光體層12中之玻璃基質15熔接之方法。又，亦可將螢光體層12藉由無機接合層而安裝於陶瓷基板11。具體而言，可列舉於陶瓷基板11之第1主面11a上塗佈藉由溶膠凝膠法而形成的透明無機材料，並於其上積層螢光體層12並進行加熱之方法。作為藉由溶膠凝膠法形成之透明無機材料，可列舉聚矽氮烷等。聚矽氮烷與空氣中之水分反應，產生氨並縮合，由此形成SiO2之被膜。如此，作為透明無機材料，可使用以比較低溫(室溫~200℃)形成無機質之玻璃膜的塗佈劑。除此以外，亦可使用包含醇可溶型有機矽化合物或其他金屬化合物(有機或無機)、且於存在觸媒的條件下以比較低溫形成與玻璃相同之SiO2網狀結構的塗佈劑。作為該塗佈劑，於使用金屬烷氧化物作為有機金屬化合物、使用醇作為觸媒之情形 時，促進水解及脫水反應，結果形成SiO2網狀結構。
將螢光體層12藉由熔接或無機接合層而安裝於陶瓷基板11，由此可進一步提高自螢光體層12向陶瓷基板11之導熱性。
於陶瓷基板11之第2主面11b上設置有反射層13。藉由設置反射層13，可使透過陶瓷基板11而來之激發光及螢光向陶瓷基板11側反射。
作為反射層13，可列舉金屬反射層或反射玻璃層。
作為金屬反射層，可列舉銀或鋁之薄膜。作為金屬薄膜之形成方法，可列舉鍍敷法、或者作為物理氣相沈積法之真空蒸鍍法、離子鍍敷法、濺鍍法等。又，可藉由於陶瓷基板11之第2主面11b上塗佈銀黏土膏並進行加熱而形成銀之薄膜。
作為金屬反射層，亦可使用由金屬或合金而形成之金屬反射基板。此種金屬反射基板亦可實施表面處理。作為金屬反射基板，較佳為反射率高者，可較佳地使用鋁基板。作為鋁基板，例如，可列舉於表面形成有包括金屬氧化物等之增強反射膜的鋁基板。作為此種鋁基板，可列舉Alanod公司製造之Miro(註冊商標)及Miro-Silver(註冊商標)等。
再者，作為反射層13設置金屬反射層，由此可使自螢光體層12向陶瓷基板11傳遞之熱進而傳遞至反射層13，從而可更高效率地向外部釋放熱。
反射玻璃層例如包括玻璃基質及分散於其中之無機粒子。作為無機粒子，具有與玻璃基質不同之折射率，一般而言，較佳為具有較玻璃基質高之折射率者。具體而言，較佳為，無機粒子為選自由Al、Nb、Ti、Ta、La、Zr、Ce、Ga、Mg、Si、B及Zn組成之群中之至少一種氧化物或氮化物。作為無機粒子之較佳之具體例，可列舉氧化鋁、氧化鈮、氧化鈦、氧化鉭、氧化鑭、氧化鋯、氧化鈰、氧化鎵、氧化鎂、氧化矽、氧化鋅、氮化鋁、氮化矽、氮化硼等。作為無機粒 子，特佳為使用氧化鋁。作為玻璃基質，例如，可使用關於螢光體層12之玻璃基質15之上述說明中所列舉者。
無機粒子之平均粒徑較佳為0.1μm~30μm之範圍內，更佳為0.5μm~10μm之範圍內。若無機粒子之平均粒徑過小，則存在難以獲得充分之反射率之情形。另一方面，若無機粒子之平均粒徑過大，則存在每單位體積中可存在之粒子數變少而難以獲得充分之反射率之情形。
反射玻璃層中之無機粒子之含量較佳為5~90體積%之範圍內，更佳為20~85體積%之範圍內，進而較佳為30~80體積%之範圍內。若無機粒子之含量過多，則將無機粒子彼此黏結之玻璃之量變少，故而存在使用過程中發塵、或反射玻璃層之強度降低之情形。另一方面，若無機粒子之含量過少，則難以獲得充分之反射率。
較佳為，於反射玻璃層之內部形成有空隙。藉由形成空隙，可進一步提高反射玻璃層之反射率。空隙之空氣之折射率較小為1.0，故而可使與反射玻璃層中之玻璃基質(例如，折射率1.4~1.8左右)或無機粒子(例如，折射率1.4~2.2左右)之折射率差變大，從而可獲得更大之反射率。空隙率較佳為20~80%，更佳為30~70%。若空隙率過小，則難以獲得反射率提高的效果。另一方面，若空隙率過大，則與陶瓷基板11之接合強度容易降低。
反射層13之厚度較佳為0.01μm~2000μm之範圍內，更佳為0.1μm~1500μm之範圍內，進而較佳為1μm~1000μm之範圍內。再者，於反射層13為反射玻璃層之情形時，厚度較佳為10μm~2000μm之範圍內，更佳為50μm~1500μm之範圍內，進而較佳為100μm~1000μm之範圍內。若反射層13之厚度過小，則螢光可透過，難以獲得充分之反射率。若反射層13之厚度過大，則有螢光輪10之重量變大，而有因旋轉時之振動產生破損之虞。又，於反射層13為反射玻璃 層之情形時，存在如下之情形：光於反射玻璃層內部傳播，且容易自反射玻璃層之端面漏出，發光強度降低。
反射層13例如可藉由於陶瓷基板11之第2主面11b上形成反射層13，而安裝於陶瓷基板11。又，亦可將另外製作之反射層13(例如，金屬反射基板等)利用接合材而安裝於陶瓷基板11。接合材較佳為透明。但是，接合材並不限定於透明者，也可使用並不透明之接合材。此處，「透明」係指使入射至螢光體層12之激發光及自螢光體層12射出之螢光透過。作為此種透明之接合材之具體例，可列舉矽酮樹脂及聚醯亞胺樹脂。
作為矽酮樹脂，可使用通常之具有矽氧烷鍵之矽酮樹脂，尤其，可較佳地使用耐熱性高之倍半矽氧烷。倍半矽氧烷係主鏈骨架包含Si-O-Si鍵之矽氧烷系之化合物，且係具有藉由對3官能性矽烷進行水解而獲得之(RSiO1.5)n之構造的網狀結構型聚合物或多面體團簇。
作為聚醯亞胺樹脂，可使用所謂透明聚醯亞胺樹脂，作為透明聚醯亞胺樹脂，可使用由較多之樹脂廠家市售者。
又，於使用金屬反射基板作為反射層13之情形時，亦可於使螢光輪10旋轉之馬達之旋轉軸分別安裝設置有螢光體層12之陶瓷基板11與金屬反射基板，而使陶瓷基板11與金屬反射基板物理性地接觸。
於使用金屬反射基板作為反射層13之情形時，如圖4所示，亦可使陶瓷基板11與金屬反射基板藉由螺釘等限制構件23而接合，由此物理性地接觸。此時，亦可於在陶瓷基板11及金屬反射基板形成貫通孔25之後，將螺釘插入至該貫通孔25。
圖5係自陶瓷基板11側觀察螢光輪10之模式性俯視圖。於圖5中，限制構件23係於螢光輪10之螢光體層12之內側在圓周方向上以等間隔而設置有4處，但限制構件23之數量亦可根據需要而變更。但是，為了將陶瓷基板11與金屬反射基板牢固地固定，較佳為於螢光輪10中設 置複數處限制構件23。又，若限制構件23過多，則螢光輪10之質量變得過大，從而於使用時容易破損。因此，限制構件23之數量較佳為2~8，更佳為3~6。
限制構件並不限定於螺釘。例如，如圖6所示，亦可藉由夾子狀之限制構件24而以夾持螢光輪10之方式將金屬反射基板固定於陶瓷基板11。
圖7係表示本發明之第2實施形態之投影機用螢光輪的模式性剖面圖。於本實施形態中，於陶瓷基板11之第2主面11b設置有導熱層16。因此，於導熱層16上設置有反射層13，於陶瓷基板11與反射層13之間介置有導熱層16。藉由將導熱層16介置於陶瓷基板11與反射層13之間，可使自螢光體層12向陶瓷基板11傳遞之熱進而高效率地傳遞至反射層13。
於本實施形態中，於第2主面11b之整個表面設置有導熱層16，但於導熱層16著色等之情形時，亦可於陶瓷基板11之第1主面11a中，僅於與未設置螢光體層12之區域對應的第2主面11b之區域，設置有導熱層16。
導熱層16例如可包含導熱性膏。作為導熱性膏，可列舉含有導熱性粒子之膏。導熱性粒子既可為銀或鋁等金屬粒子，亦可為導熱性陶瓷粒子。
導熱層16之厚度較佳為1μm~100μm之範圍內，更佳為3μm~80μm之範圍內，進而較佳為5μm~50μm之範圍內。若導熱層16之厚度過薄，則陶瓷基板11與反射層13之接著力容易降低。若導熱層16之厚度過厚，則自陶瓷基板11向反射層13之導熱性容易降低。
圖8係將本發明之第3實施形態之投影機用螢光輪中之螢光體層之附近放大表示的模式性局部剖面圖。如圖8所示，於本實施形態中，於螢光體層12與陶瓷基板11之間設置有散射層17。於本實施形態 中，散射層17包括玻璃基質19及分散於其中之無機粒子18。散射層17係使所入射之激發光及螢光散射之層。因此，作為無機粒子18，較佳為使用具有與玻璃基質19不同之折射率者。於本發明中，無機粒子18包括選自由Al、Nb、Ta、La、Zr、Ce、Ga、Mg、Si、B及Zn組成之群中之至少一種氧化物或氮化物。作為無機粒子18之較佳之具體例，可列舉氧化鋁、氧化鈮、氧化鉭、氧化鑭、氧化鋯、氧化鈰、氧化鎵、氧化鎂、氧化矽、氧化鋅、氮化鋁、氮化矽、氮化硼等。作為無機粒子18，尤佳為使用氧化鋁。
作為玻璃基質19，例如，可使用關於螢光體層12之玻璃基質15之上述說明中所列舉者。玻璃基質19較佳為與螢光體層12之玻璃基質15實質上相同者。藉由使螢光體層12之玻璃基質15與散射層17之玻璃基質19由實質上相同之玻璃形成，而容易使螢光自螢光體層12向散射層17高效率地入射。又，不易因螢光體層12與散射層17之熱膨脹係數差而引起剝離。
無機粒子18之平均粒徑較佳為0.3μm~50μm之範圍內，更佳為0.5μm~30μm之範圍內。若無機粒子18之平均粒徑過小，則難以藉由瑞利散射之波長依存性而獲得充分之散射效果。另一方面，若無機粒子18之平均粒徑過大，則每單位體積中可存在之粒子數變少而難以獲得充分之散射效果。
散射層17中之無機粒子18之含量較佳為5~80體積%之範圍內，更佳為10~70體積%之範圍內，進而較佳為20~60體積%之範圍內。若無機粒子18之含量過多，則與螢光體層12之接合強度容易降低。另一方面，若無機粒子18之含量過少，則難以獲得充分之散射效果。
散射層17之厚度較佳為10μm~500μm之範圍內，更佳為50μm~400μm之範圍內，進而較佳為80μm~300μm之範圍內。若散射層17之厚度過厚，則光於散射層17之內部傳播，且容易自散射層17之端 面漏出。結果，發光強度容易降低。另一方面，若散射層17之厚度過薄，則難以獲得充分之散射效果。
於本實施形態中，於陶瓷基板11與螢光體層12之間設置有散射層17。藉由設置有散射層17，可使自螢光體層12射出之螢光或透過螢光體層12之激發光經散射層17散射。因此，可提高發光效率，藉此可提高發光強度。
又，較佳為，於散射層17之內部形成有空隙。藉由形成空隙，可進一步提高散射層17之散射效果。空隙之空氣之折射率較小為1.0，因此可使與玻璃基質19之折射率差變大，從而可獲得更大之散射效果。空隙率較佳為20~60%，更佳為30~50%。
螢光體層12與散射層17例如利用以下之方法而製作。
藉由刮刀法等將包含成為螢光體層12之玻璃基質之玻璃粒子、螢光體、黏合劑樹脂或溶劑等有機成分之漿料塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂膜上，並進行加熱乾燥，由此製作螢光體層12用之生片。
同樣地，藉由刮刀法等將包含成為散射層17之玻璃基質之玻璃粒子、無機粒子、黏合劑樹脂或溶劑等有機成分之漿料塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂膜上，並進行加熱乾燥，由此製作散射層17用之生片。
將所獲得之螢光體層12用之生片與散射層17用之生片重合，並對經重合之該等之生片進行焙燒，由此可形成螢光體層12與散射層17之積層體。
可以上述方式將所獲得之積層體藉由熔接或無機接合層而安裝於陶瓷基板11。
螢光體層12及散射層17之積層體並不限定於上述之製作方法，例如，也可於螢光體層12用之生片上塗佈散射層17形成用漿料、或者於散射層17用之生片上塗佈螢光體層12形成用漿料而製作。
圖9係表示使用本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪之投影機用發光裝置的模式性側視圖。本實施形態之投影機用發光裝置30具備螢光輪10、光源20、及用以使螢光輪10旋轉之馬達21。環狀之螢光輪10係以將旋轉軸22之中心軸C作為旋轉中心而於圓周方向旋轉之方式安裝於馬達21之旋轉軸22。於本實施形態中，於馬達21之旋轉軸22分別安裝包括金屬反射基板之反射層13及設置有螢光體層12之陶瓷基板11，並使陶瓷基板11與反射層13物理性地接觸。
自光源20射出之激發光1入射至螢光輪10之螢光體層12。入射至螢光體層12之激發光1激發螢光體14，自螢光體14射出螢光2。射出至陶瓷基板11側之螢光2經陶瓷基板11之表面反射，並且其一部分透過陶瓷基板11。透過陶瓷基板11之螢光2經反射層13之表面反射，通過陶瓷基板11，射出至螢光體層12側。
作為光源20之具體例，可列舉LED光源或雷射光源等。於使用發出藍色光作為激發光之光源作為光源20之情形時，例如，作為螢光體層12之螢光體，可使用由藍色光激發而發出黃色光、綠色光或紅色光之螢光體。自螢光體層12射出之光可根據需要，藉由濾光片而僅取出所期望之波長之光。亦可將環狀之濾光片安裝於旋轉軸22，使其與螢光輪10同步旋轉，而過濾射出光。
於本實施形態中，螢光輪10係於圓周方向旋轉。如上所述，自螢光體傳遞至陶瓷基板11及反射層13(金屬反射基板)之熱自陶瓷基板11及反射層13向外部釋放。藉由螢光輪10於圓周方向旋轉，而進一步促進熱自陶瓷基板11及反射層13向外部釋放。
此處，以使用第1實施形態之投影機用螢光輪之投影機用發光裝置為例進行了說明，但第2實施形態及第3實施形態之投影機用螢光輪亦同樣地可使用於投影機用發光裝置。
上述實施形態之螢光輪10中，遍及螢光體層12之整個表面，含 有相同種類之螢光體。然而，本發明並不限定於此種態樣。如以下說明之實施形態般，亦可將螢光體層12沿著圓周方向分割為複數個區域，且使各區域含有種類相互不同之螢光體。
圖10係表示本發明之第4實施形態之投影機用螢光輪之立體圖。圖10所示之螢光輪10具有兩組第1區域12a、第2區域12b、及第3區域12c。如圖10所示，該等區域係於圓周方向經分割而設置。可使該等區域例如與發出紅色、綠色、或藍色之光作為螢光之區域對應，並將螢光輪10用作彩色輪。於該情形時，亦能藉由設置陶瓷基板11，而抑制螢光體層12受到加熱。再者，亦可使第1區域12a、第2區域12b、及第3區域12c之任一者成為未設置螢光體層12之區域。
10‧‧‧螢光輪
11‧‧‧陶瓷基板
12‧‧‧螢光體層
13‧‧‧反射層
C‧‧‧中心軸

Claims (15)

  1. 一種投影機用螢光輪，其具備：螢光體層；環狀之陶瓷基板，其具有設置有上述螢光體層之第1主面及位於與上述第1主面相反側之第2主面，且具有較上述螢光體層高之導熱率；及反射層，其設置於上述陶瓷基板之上述第2主面上。
  2. 如請求項1之投影機用螢光輪，其中上述反射層為金屬反射層或反射玻璃層。
  3. 如請求項1或2之投影機用螢光輪，其中上述螢光體層藉由熔接而安裝於上述陶瓷基板。
  4. 如請求項1或2之投影機用螢光輪，其中上述螢光體層藉由無機接合層而安裝於上述陶瓷基板。
  5. 如請求項1至4中任一項之投影機用螢光輪，其中上述反射層為金屬反射基板。
  6. 如請求項5之投影機用螢光輪，其中上述金屬反射基板為鋁基板。
  7. 如請求項1至6中任一項之投影機用螢光輪，其中於上述第2主面設置有導熱層，於上述導熱層上設置有上述反射層。
  8. 如請求項7之投影機用螢光輪，其中上述導熱層包含導熱性膏。
  9. 如請求項8之投影機用螢光輪，其中上述導熱性膏為含有金屬粒子之膏。
  10. 如請求項1至9中任一項之投影機用螢光輪，其進而具備設置於上述螢光體層與上述陶瓷基板之間之散射層，上述散射層包含包括選自由Al、Nb、Ta、La、Zr、Ce、Ga、Mg、Si及Zn組成之 群中之至少一種氧化物或氮化物的無機粒子。
  11. 如請求項1至10中任一項之投影機用螢光輪，其中上述螢光體層含有玻璃基質及分散於上述玻璃基質中之螢光體。
  12. 如請求項1至11中任一項之投影機用螢光輪，其中上述散射層含有玻璃基質及分散於上述玻璃基質中之上述無機粒子。
  13. 如請求項12之投影機用螢光輪，其中上述螢光體層之玻璃基質與上述散射層之玻璃基質實質上為相同之玻璃。
  14. 如請求項1至13中任一項之投影機用螢光輪，其中上述螢光體層沿著圓周方向而分割為複數個區域，於上述複數個區域包含種類相互不同之螢光體。
  15. 一種投影機用發光裝置，其具備：如請求項1至14中任一項之投影機用螢光輪；及光源，其對上述螢光輪之上述螢光體層照射激發光。
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