TW201522435A - 半導體密封用環氧樹脂組成物、半導體安裝結構體、及其製造方法 - Google Patents

半導體密封用環氧樹脂組成物、半導體安裝結構體、及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201522435A
TW201522435A TW103133973A TW103133973A TW201522435A TW 201522435 A TW201522435 A TW 201522435A TW 103133973 A TW103133973 A TW 103133973A TW 103133973 A TW103133973 A TW 103133973A TW 201522435 A TW201522435 A TW 201522435A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor
epoxy resin
mass
package structure
resin composition
Prior art date
Application number
TW103133973A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI629296B (zh
Inventor
Takeyuki Kitagawa
Yasuhito Fujii
Katsushi Kan
Original Assignee
Nagase Chemtex Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nagase Chemtex Corp filed Critical Nagase Chemtex Corp
Publication of TW201522435A publication Critical patent/TW201522435A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI629296B publication Critical patent/TWI629296B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/686—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/04—Epoxynovolacs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/0557—Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141—Disposition
    • H01L2224/1418—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/14181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H01L2224/16146—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked the bump connector connecting to a via connection in the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06541—Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06568—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices decreasing in size, e.g. pyramidical stack
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本發明提供一種半導體密封用環氧樹脂組成物，其在25℃下且剪切速率為2.5(l/s)時的黏度為1000Pa．s以下，並包含：(A)100質量份的環氧樹脂，其含有10~45質量%的酚醛清漆型環氧樹脂；(B)50~150質量份的酸酐；(C)2~12質量份的硬化促進劑；(D)5~50質量份的矽氧凝膠或矽油；以及(E)平均粒徑2~30μm的熔融矽石；且前述(E)熔融矽石的含量為80~92質量%。

Description

半導體密封用環氧樹脂組成物、半導體安裝結構體、及其製造方法 發明領域
本發明是有關於一種環氧樹脂組成物，特別是有關於一種適合作為晶片堆疊晶圓(CoW)型的半導體密封材之環氧樹脂組成物。
發明背景
近年來，隨著電子機器小型化的進展，對於半導體製品也越來越要求薄型化與小型化。因此，以進行單片化前的半導體晶圓的狀態，安裝多數個半導體裸晶(bare chip)，並進行密封之被稱為晶圓級晶片尺寸封裝(Wafer Level Chip Size Package)的封裝技術備受注目。之後，可將半導體密封材與半導體晶圓的積層體單片化(切割)，以得到晶片級的半導體製品。這樣的半導體製品，由於會將安裝 面積做成與半導體裸晶同樣大小，因此相較於將晶圓切割之後再安裝半導體裸晶並密封的一般方法，具有更加容易進行小型化的特徵。
此外，對於半導體製品，在要求小型化的同時也要求有高性能。因此，對將半導體裸晶縱向地積層的半導體安裝結構體也持續進行研究。作為積層半導體裸晶的方法，可列舉出將半導體裸晶彼此互相堆疊而進行的晶片堆疊晶片(CoC)方式，以及在半導體晶圓基板上安裝良品的半導體裸晶而進行的晶片堆疊晶圓(CoW)方式等。
CoW方式為，利用晶圓級晶片尺寸封裝技術之方式。在CoW方式中，是將多數個半導體裸晶安裝於半導體晶圓基板上，並以半導體密封材密封。之後，再對所得到的半導體安裝結構體進行切割。
在CoW方式中，是對半導體晶圓基板整體進行半導體密封材的密封。因此，半導體密封材硬化後，會形成切割前的半導體安裝結構體的彎曲較嚴重的問題。由於半導體密封材含有熱硬化性的樹脂，因此在半導體密封材的成形步驟上，會實施促進硬化反應的加熱處理。在之後的冷卻步驟中，由於半導體裸晶、半導體密封材以及半導體晶圓基板會隨著各自的熱膨脹率而進行收縮，因此會在尺寸變化上形成不均一的情形。其結果為，會導致半導體安裝結構體產生彎曲。
由於半導體裸晶或半導體晶圓基板是以矽、藍寶石之類的材料所製成，因此其尺寸變化較小。另一方面， 半導體密封材在超過玻璃轉移溫度時，就會使得熱膨脹率變得極大，並使尺寸變化變大。因此，有在半導體密封材中摻混60~95%或80~95%之被稱作填料(filler)的無機物，以將半導體密封材的熱膨脹率壓低之作法(參照專利文獻1以及2)。此外，還有在半導體密封材中摻混矽橡膠等橡膠成分，以使硬化後的半導體密封材的內部應力降低，並將半導體安裝結構體的彎曲變小之作法(參照專利文獻3)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2012-209453號公報
專利文獻2：日本專利特開2013-10940號公報
專利文獻3：日本專利特開2011-195742號公報
發明概要
一般會使用環氧樹脂作為半導體密封材，尤其從操作性的觀點來看時，會選用脂環型的環氧樹脂。由於脂環型環氧樹脂的黏性較低，所以可以摻混大量的填料。雖然藉由摻混大量的填料，能稍微減少半導體安裝結構體的彎曲，但還是顯得不足。一旦在半導體安裝結構體上產生彎曲，則要在切割步驟之時將半導體安裝結構體固定到切割膠帶上就會變困難，且無法進行切割。又，當切割後的單片化半導體安裝結構體本身有彎曲時，在將單片化半導體安裝結構體搭載至電子機器上時會發生接觸不良的情形。 又，近年來，在低成本化的背景下，會要求對更大面積的晶圓基板進行密封。因此，會要求進一步降低半導體安裝結構體的彎曲。
此外，已知透過CoW方式製造半導體安裝結構體時，也容易在切割時產生問題。也就是說，由硬度差異大的材料所構成的積層體，具體來說，為了要同時切割軟質的半導體密封材與硬質的半導體晶圓基板所形成的積層體，會有已硬化的半導體密封材(以下，有時會簡稱為硬化物或者是包覆成形材)從半導體晶圓基板上剝離，或硬化物產生缺損的情形。
本發明的目的在於，將以包覆成形材密封的半導體安裝結構體產生的彎曲抑制下來。並進一步以降低切割時的包覆成形材的剝離以及缺損作為目的。又，還以提供可抑制半導體安裝結構體的彎曲、可減少剝離與缺損，且進一步地，也具有優良的操作性的半導體密封用環氧樹脂組成物作為目的。
也就是說，本發明的其中一種情況為有關於半導體密封用環氧樹脂組成物，其在25℃下之剪切速率為2.5(l/s)時的黏度為1000Pa．s以下，並含有(A)100質量份的環氧樹脂，含有10~45質量%的酚醛清漆型環氧樹脂的、(B)50~150質量份的酸酐、(C)2~12質量份的硬化促進劑、(D)5~50質量份的矽氧凝膠或是矽油，以及(E)平均粒徑2~30μm的熔融矽石，且前述的(E)熔融矽石的含量為80~92 質量%。
本發明另一種情況為有關於半導體安裝結構體，包含：(a)具有多數個元件搭載區域的半導體晶圓基板；(b)分別搭載在前述多數個元件搭載區域上的多數個半導體裸晶；以及(c)覆蓋前述多數個半導體裸晶之表面且充填在前述半導體裸晶彼此之間的包覆成形材；前述包覆成形材為前述半導體密封用環氧樹脂組成物之硬化物。
本發明又一種情況為有關於半導體安裝結構體的製造方法，包含下述步驟：將前述半導體密封用環氧樹脂組成物包覆成形於具有已分別搭載多數個半導體裸晶之多數個元件搭載區域的半導體晶圓基板，以使其覆蓋前述多數個半導體裸晶之表面並充填在前述半導體裸晶彼此之間。
透過本發明的環氧樹脂組成物，可以做到減少已以半導體密封材密封的半導體安裝結構體的彎曲、切割時已硬化的半導體密封材的剝離，以及已硬化的半導體密封材的缺損。又，此環氧樹脂組成物，在操作性上也是優異的。
雖然將本發明之新穎的特徵記載在所附的申請專利範圍中，但是透過在構成及內容的兩個方面，將本申請案的其他目的以及特徵合併，並對照圖式所做的以下的詳細說明，應該可以更進一步清楚地理解本發明。
1‧‧‧半導體安裝結構體
2‧‧‧半導體晶圓基板
2a‧‧‧第一表面
21‧‧‧第一端子
23‧‧‧導體
24‧‧‧元件搭載區域
3‧‧‧半導體裸晶
31‧‧‧元件電極
4‧‧‧包覆成形材
5‧‧‧底部填充材
11‧‧‧單片化半導體安裝結構體
圖1(a)~(d)為用於說明半導體安裝結構體的製造方法之一例的圖。
圖2為模式地表示半導體安裝結構體之一例的俯視圖。
圖3為以實施例2所得到的半導體安裝構造體的剖面中硬化物部分的顯微鏡照片(1000倍)。
圖4為以比較例2所得到的半導體安裝結構體的剖面中硬化物部分的顯微鏡照片(1000倍)。
圖5為以實施例2所得到的半導體安裝構造體的剖面中硬化物與半導體晶圓基板的界面附近的顯微鏡照片(1000倍)。
圖6為以比較例2所得到的半導體安裝構造體的剖面中硬化物與半導體晶圓基板的界面附近的顯微鏡照片(1000倍)。
用以實施發明之形態
本發明的半導體密封用環氧樹脂組成物包含：(A)100質量份的環氧樹脂，其含有10~45質量%的酚醛清漆型環氧樹脂；(B)50~150質量份的酸酐；(C)2~12質量份的硬化促進劑；(D)5~50質量份的矽氧凝膠或矽油；以及(E)平均粒徑2~30μm的熔融矽石。該環氧樹脂組成物中的熔融矽石(E)的含量為80~92質量%。該環氧樹脂組成物在25℃下且剪切速率為2.5(l/s)時的黏度為1000Pa．s以下。
在環氧樹脂(A)中，酚醛清漆型環氧樹脂是從環 氧氯丙烷與酚醛清漆型樹脂所製得之樹脂。關於酚醛清漆型環氧樹脂，可以列舉出例如，苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙環戊二烯酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂等。當將含有，內含指定量的酚醛清漆型環氧樹脂的環氧樹脂(A)、指定量的酸酐(B)、硬化促進劑(C)、矽氧凝膠或是矽油(D)，以及熔融矽石(E)的樹脂組成物作為半導體密封材而使用時，就可以減少所密封的半導體安裝結構體的彎曲，和切割時之已硬化的半導體密封材的剝離、已硬化的半導體密封材的缺損。其中，從可將降低上述問題之效果變大的觀點來看，尤以如下述式(1)所示的雙環戊二烯酚醛清漆型環氧樹脂如以及下述式(2)所示的聯苯酚醛清漆型環氧樹脂為宜。
在式(1)中，R表示氫或者碳原子數1~6的烷基，n表示0~15的整數。作為R的烷基的位置以及數量都不受限。又，分子中的多數個R，可以相同，也可以不同。例如，使全部的R都為氫原子亦可。
【化學式2】
在式(2)中，R表示氫原子或是炭原子數1~4的低級烷基、苯基或是鹵素原子，n表示平均值，且為1.01~5。作為R的烷基、苯基或是鹵素原子的位置以及數量都不受限。分子中的多數個R，可以相同，也可以不同。例如，使全部的R都為氫原子亦可。
再者，具有式(2)所表示的聯苯酚醛構造的環氧樹脂，是採用Nippon Kayaku公司(股)市售的商品NC-3000。
在環氧樹脂(A)中含有10~45質量%的酚醛清漆型環氧樹脂。當環氧樹脂(A)中的酚醛清漆型環氧樹脂的含量少於10質量%時，以半導體密封材密封的半導體安裝結構體的彎曲就會變大，此外，還會在切割時產生硬化物的剝離或缺損。又，當酚醛清漆型環氧樹脂的含量超過45質量%時，環氧樹脂組成物的黏度會增加，因而降低操作性。較理想的是，將酚醛清漆型環氧樹脂的含量設成，在環氧樹脂(A)佔25~35質量%。
含有酚醛清漆型環氧樹脂的環氧樹脂組成物的硬化物，較不易因為切割而從半導體晶圓基板上剝離。經推測，這是因為酚醛清漆型環氧樹脂可使硬化物的韌性(toughness)提升之故。又，含有酚醛清漆型環氧樹脂的環氧 樹脂組成物的硬化物在切割時不易產生缺損。經推測，這是因為酚醛清漆型環氧樹脂具有芳香環，所以可賦予硬化物剛性(stiffness)之故。
關於酚醛清漆型環氧樹脂以外的環氧樹脂，並未特別限定。可以使用例如，雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、聚醚型環氧樹脂、有機矽改性環氧樹脂等。可以將這些單獨使用，也可以組合2種以上而使用。在這些當中，以萘型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂為佳，並以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、萘型環氧樹脂為較佳，而以操作性的觀點來看，又以雙酚A型環氧樹脂更為理想。也可以將這些組合2種以上而使用。
酸酐(B)為環氧樹脂的硬化劑，且並未特別限定。可列舉出例如，酞酐、六氫酞酐、烷基六氫酞酐、烷基四氫酞酐、三烷基四氫酞酐、琥珀酸酐、六甲酸酐、苯偏三酸酐、均苯四甲酸二酐、甲基降冰片烯-2,3-二羧酸等。可以將這些單獨使用，也可以組合2種以上而使用。其中又以甲基四氫酞酐或甲基六氫酞酐為佳。
相對於100質量份的環氧樹脂(A)，可摻混50~150質量份的酸酐(B)。當相對於100質量份的環氧樹脂(A)，酸酐(B)的摻混量少於50質量份時，會使硬化性降低，當超過 150質量份時，則會使硬化物的強度變小。酸酐(B)的摻混量以設在80~120質量份為宜。
關於硬化促進劑(C)，並未特別限定。並可列舉出例如，胺類硬化促進劑、咪唑類硬化促進劑、磷類硬化促進劑、鏻鹽類硬化促進劑、雙環式脒(amidine)類與其衍生物、有機金屬錯合物、多胺的尿素化合物等。硬化促進劑，以具有潛伏性為宜。關於潛伏性硬化促進劑，可列舉出例如，胺類硬化促進劑、咪唑類硬化促進劑、磷類硬化促進劑等。又，硬化促進劑(C)，宜作為與環氧樹脂等樹脂的化學產物(加成物)來使用。
相對於100質量份的環氧樹脂(A)，可摻混2~12質量份的硬化促進劑(C)。當相對於100質量份的環氧樹脂(A)，硬化促進劑(C)的摻混量少於2質量份時，將無法顯現出有摻混的效果，當超過12質量份時，則成形性會降低。硬化促進劑(C)的摻混量宜為5~9質量份。再者，當將硬化促進劑(C)作為加成物使用時，硬化促進劑的摻混量指的是除去硬化促進劑以外的成分(環氧樹脂等)之後的硬化促進劑的實際量。
矽氧凝膠或是矽油(D)，除了用於調整環氧樹脂組成物的黏度之作用外，還能讓硬化物的內部應力降低，並將使用硬化物密封的半導體安裝結構體的彎曲減少。矽氧凝膠具有聚矽氧烷的結構，並可透過縮合反應方法或加成反應方法被製造。矽油也同樣具有聚矽氧烷的結構，並具有大約2000個以下的矽氧烷鍵的直鏈結構。其等的製造 方法都是公知的，並可以藉由例如，日本專利特開昭54-48720號公報、特開昭48-17847號公報等記載的製作方法製得。具體來說，例如，可在作為觸媒的白金類化合物存在的情況下，在含有乙烯基的有機聚矽氧烷中，藉由讓含SiH基矽氧烷以0.3~0.8個SiH基對1個乙烯基的比例進行反應就可以製得。其中又以使用矽氧凝膠為佳。
相對於100質量份的環氧樹脂(A)，可以摻混5~50質量份的矽氧凝膠或是矽油(D)。相對於100質量份的環氧樹脂(A)，當矽氧凝膠或是矽油(D)的摻混量少於5質量份時，將無法減少被密封的半導體安裝結構體的彎曲，當超過50質量份時，則操作性會降低。矽氧凝膠或是矽油(D)的摻混量宜為10~40質量份。
又，也可以摻混用以使矽氧凝膠或是矽油(D)均勻地分散在環氧樹脂中的分散劑。關於分散劑，可以列舉出例如，分子中具有下述式(3)所表示之結構的有機聚矽氧烷衍生物。
-〔-B-A-B-(C-D)n-C-〕p- (3)
在式(3)中，A表示在兩末端具有含有活性氫之基且具有20~50個矽氧烷鍵的有機聚矽氧烷化合物殘基。B表示具有2個能與活性氫反應之官能基且雙官能性有機化合物殘基。具體來說，可表示含有聯苯或是萘骨架的環氧化合物殘基、二異氰酸酯化合物殘基、或二羧酸化合物殘基中的任一種。C表示具有2個含有活性氫之基且雙官能性有機化合物殘基。具體來說，可表示與環氧化合物反應的雙 酚化合物殘基、與二異氰酸酯化合物反應的乙二醇化合物殘基或者是二羧酸化合物反應的二胺基化合物殘基中的任一種。D表示具有2個能與活性氫反應的官能基且雙官能性有機化合物殘基。n表示1~20的整數，p表示1~20的整數。像這樣的有機聚矽氧烷衍生物可含有，有機聚矽氧烷鏈與含芳香環之鏈或長鏈的脂肪族鏈之兩者。因此，作為使矽氧凝膠或矽油分散在環氧樹脂中的分散劑是適當的。
作為有機聚矽氧烷衍生物，也可以使式(3)中的殘基B和殘基D形成相同的化合物殘基。在這種情況下，可以具有下述式(4)中所表示之結構。
-〔-B-A-B-(C-B)n-C-〕p- (4)
式(4)中，B為下述式(5)所表示之雙官能性芳香族環氧化合物殘基。
(式中，Ar1表示由聯苯或是萘衍生而成的2價芳香族基，m表示1或2的整數。)
式(4)中，C表示以-O-Ar2-O-(式中，Ar2表示2,2-二苯基丙烷基(2,2-bisphenyl propyl基))所表示的二價酚化合物殘基。
有機聚矽氧烷衍生物的製作方法為公知方法，並可以採用例如，日本專利第3855074號公報記載之方法。又，作為理想的分散劑的聚矽氧烷衍生物的具體例也已揭示在 上述公報之實施例1(分散劑B)，以及實施例5(分散劑C)中。作為其製造方法，可以列舉出例如，使苯酚末端矽油與萘骨架型二縮水甘油醚反應，並在所得到的反應物中使雙苯酚A二縮水甘油醚以及二苯酚A聚合的方法。藉此，就可以製得具有聚醚結構，且末端具有環氧基的分散劑。
作為分散劑的摻混量，只要是可使矽氧凝膠或矽油(D)分散在樹脂中所需要的量即可，且在例如，將有機聚矽氧烷衍生物作為分散劑使用時，相對於100質量份的矽氧凝膠或矽油(D)，宜使用5~80質量份，並以10~50質量份為較佳。
熔融矽石(E)的平均粒徑為2~30μm。當平均粒徑小於2μm時，黏度會上升而導致操作性降低，當平均粒徑超出30μm時，成形性會降低。宜將熔融矽石(E)的平均粒徑設在5~25μm。又，從可以提升操作性的觀點來看，較理想的是，使熔融矽石(E)中含有5~40重量%之平均粒徑為0.2~5μm的熔融矽石。再者，(E)熔融矽石宜為真球度高的球形。又，事先使矽烷偶合劑在表面反應亦可。
平均粒徑為體積粒度分布的累積體積為50%時的粒徑(D50)。平均粒徑D50可為例如，使用雷射繞射式的粒度分布測定裝置，並透過雷射繞射散射法所測定出的數值。
環氧樹脂組成物含有80~92質量%的熔融矽石(E)。當熔融矽石(E)的含量少於80質量%時，就無法減少被密封的半導體安裝結構體的彎曲，當超過92質量%，則操 作性會降低。較理想的是，使熔融矽石(E)的含量為83~90質量%。
環氧樹脂組成物在25℃下且剪切速率為2.5(l/s)時的黏度為1000Pa．s以下。此黏度若是依測定方法而會有不同數值的情況下，則採取使用BROOKFIELD公司製的HBT型黏度計所測定之值。當環氧樹脂組成物在25℃且剪切速率為2.5(l/s)時的黏度超過1000Pa．s時，則會變得容易發生壓縮成形時的金線偏移(wire sweep)或充填不良，又，在成形時要將樹脂順暢地供應到模具中會變困難。較佳的是，將在25℃之剪切速率為2.5(l/s)時的黏度設在800Pa．s以下。
環氧樹脂組成物宜在以指定比例摻混各成分，並攪拌例如，60~120分鐘，之後，在減壓下進行脫泡後使用。又，可以在50~200℃，特別是在100~175℃下，用2~10分鐘左右使其硬化。
環氧樹脂組成物由於具有含有芳香環的酚醛清漆型環氧樹脂，因此可將硬化物的玻璃轉移溫度變高。例如，硬化物在動態黏彈性測定(DMA)下，具有120~220℃的玻璃轉移溫度。因此，使環氧樹脂組成物硬化後的熱收縮率會變小，而可以減少以硬化物密封的半導體安裝結構體的彎曲。又，由於硬化物具有堅硬的骨架，因此可以將切割時的硬化物之缺損降低。
環氧樹脂組成物的硬化物，在例如，動態黏彈性測定(DMA)中，在25℃下的儲存彈性模數(storage elastic modulus)為10~23GPa。當儲存彈性模數在這個範圍時，可以使硬化物的內部應力變得較小。因此，可以減少以硬化物所密封的半導體安裝結構體的彎曲。
環氧樹脂組成物也可含有其他的添加劑。作為添加劑，可列舉出，矽烷偶合劑或碳黑等。關於矽烷偶合劑，可以使用3-縮水甘油醚丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油醚丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己烷基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等。可將這些單獨使用，也可以組合2種以上而使用。相對於100質量份的環氧樹脂，矽烷偶合劑的摻混量宜為0.1~10質量份，並以1~5質量份為較佳。相對於100質量份的環氧樹脂，碳黑的摻混量宜為0.1~10質量份，並以0.5~3質量份為較佳。
其他，在本發明之環氧樹脂組成物中，還可以因應目的，而適量使用消泡劑、均染劑、顏料等。
本發明之環氧樹脂組成物，由於尺寸變化小，並具有適度的彈性以及黏性，因此適合作為要求成形性、耐熱性、耐彎曲性等性能的半導體密封材。其中尤以在以包覆成形法對為大面積的半導體封裝之晶圓級晶片尺寸封裝進行密封時，作為所使用的半導體密封材特別適合。
作為包覆成形法，可以列舉出例如，轉移成形(transfer molding)或者是壓縮成形等。其中尤以壓縮成形為較佳。包覆成形宜在50~200℃下，較佳為在100~175℃下，進行1~15分鐘。並可因應需要，進行100~200℃、30分~24 小時的後硬化(post cure)。
又，本發明是有關於具備為環氧樹脂組成物之硬化物的包覆成形材的半導體安裝結構體。以下，一邊參照圖1(c)、(d)以及圖2，一邊就半導體安裝結構體作說明。半導體安裝結構體1具備，具有多數個元件搭載區域24的半導體晶圓基板2、搭載於多數個元件搭載區域24上的多數個半導體裸晶3、覆蓋在多數個半導體裸晶3的表面，並且充填在半導體裸晶3彼此之間的包覆成形材4。這裡的包覆成形材4為本發明的環氧樹脂組成物的硬化物。
半導體晶圓基板2為，切割成藉由通常的方法形成有電路之，一個個半導體晶片前的晶圓基板。也可以將半導體晶圓基板2形成為厚度50~1000μm，直徑8英吋(inch)以上。即使是對具有像這樣大面積的半導體晶圓基板進行密封而形成的半導體安裝結構體，也可以藉由使用包覆成形材4，而將其彎曲顯著降低。作為半導體裸晶3，可以列舉出被稱為IC或LSI的積體電路等。
從將連接可靠性提升的觀點來看，宜使半導體安裝結構體1具備充填在半導體晶圓基板2與半導體裸晶3之間的底部填充材5。關於底部填充材5，並無特別限定，並可列舉出例如，包含環氧樹脂和硬化劑、硬化促進劑、無機材填充劑等的組成物。
作為使用在底部填充材5中的環氧樹脂，並無特別限定，可以從作為被使用到本發明的環氧樹脂組成物而列舉出來的環氧樹脂中任意選擇使用。作為硬化劑以及硬 化促進劑，可以從作為被使用到本發明的環氧樹脂組成物而列舉出來的化合物中任意選擇使用。作為無機材填充劑，除了熔融矽石外，還可以使用晶性矽石(crystalline silica)、氧化鋁、氧化鎂、氮化矽等。
如圖1(d)所示，半導體安裝結構體1會按每個元件搭載區域24被單片化，並作為單片化半導體安裝結構體11來使用。關於包覆成形材4，由於是使用本發明之半導體密封材的硬化物，因此即使對半導體安裝結構體1進行切割，也難以在所得到的單片化半導體安裝結構體11的包覆成形材4上產生剝離與缺損。
在將半導體安裝結構體1按照每個元件搭載區域24進行單片化前，也可以做成將半導體晶圓基板2的第二表面(第一表面2a的相反面，圖未示)削薄，以使導體23的一部分露出，並形成貫通導體(圖未示)。此外，也可以做成在貫通導體的端部形成焊球等端子(圖未示)。
此外，本發明是有關於所謂的以晶片堆疊於晶圓上的方式形成的半導體安裝結構體的製造方法。也就是說，本發明的半導體安裝結構體的製造方法具備，在具有分別搭載有多數個半導體裸晶的多數個元件搭載區域的半導體晶圓基板上，將半導體密封用環氧樹脂組成物以形成覆蓋在前述多數個半導體裸晶的表面，並且充填於前述半導體裸晶彼此之間的方式，進行包覆成形之成形步驟。
以下，一邊參照圖1以及圖2，一邊就半導體安裝結構體1的製造方法以及單片化半導體安裝結構體11的製 造方法進行說明。圖1(a)~(c)為用於說明半導體安裝結構體1的製造方法之一例的圖，圖1(a)~(d)為用於說明單片化半導體安裝結構體11的製造方法之一例的圖，圖2為半導體安裝結構體1之一例，並為從半導體晶圓基板2的頂面(第一表面2a)所見的模式圖。
圖1(a)顯示搭載有多數個半導體裸晶3的半導體晶圓基板2。具體來說，是在半導體晶圓基板2中的第一表面2a的多數個元件搭載區域24上，以和第一端子21連接的方式，搭載多數個半導體裸晶3。第一端子21是，配置在將其至少一部分埋入半導體晶圓基板2中的導體23上的端子。第一端子21會與配置在半導體裸晶3上的元件電極31形成電連接。對第一端子21以及元件電極31的材料與形狀，並未特別限定。雖然關於導體23也無特別限定，但是可由導電膏和金屬粒子等導體形成。
導體23以及第一端子21，可以用例如，以下的方式形成。將半導體晶圓基板2蝕刻，並在多數個元件搭載區域24的各個上形成多數個孔。為了不讓半導體晶圓基板2與所形成的導體23發生干涉，而在孔的內表面形成絕緣膜，並將導體23充填到該孔內。可將此導體23形成，例如，最後會貫通半導體晶圓基板2的貫通導體。接著，將半導體晶圓基板2的第一表面2a削薄，使導體23露出。最後，可藉由電鍍等，在已露出的導體23上形成接觸點(pad)等的第一端子21。
如圖1(b)所示，最好在半導體晶圓基板2與半導 體裸晶3之間充填底部填充材5。這是為了保護使半導體晶圓2基板與半導體裸晶3導通的第一端子21免受外部應力作用，以將連接可靠性提升。
如圖1(c)所示，在像這樣進行而準備的搭載有多數個半導體裸晶的半導體晶圓基板上，可將本發明的環氧樹脂組成物以形成，使環氧樹脂組成物覆蓋在多數個半導體裸晶3的表面，並且充填在半導體裸晶3彼此之間方式，進行包覆成形。最好是採用壓縮成形進行。具體來說，可將作為包覆成形材4之材料的環氧樹脂組成物放入壓縮成形機的下部模具中，再將搭載有半導體裸晶3的半導體晶圓基板2吸引至上部模具。接著，在一邊使下部模具上升一邊朝上部模具加壓的同時，將環氧樹脂組成物加熱以進行成形。藉由將環氧樹脂組成物加熱而進行硬化，就可以形成包覆成形材4。
此外，如圖1(d)所示，也可以將所製造出來的半導體安裝結構體1按照每個元件搭載區域24作切割以進行單片化。作為包覆成形材4，由於是使用本發明的環氧樹脂組成物的硬化物，因此就算對半導體安裝結構體1進行切割，所得到的單片化半導體安裝結構體11的包覆成形材4也不易從半導體晶圓基板上剝離，且不易產生缺損。
再者，也可以做成在進行單片化之前，將半導體晶圓基板2的第二表面削薄，以使導體23的一部分露出，而形成貫通導體(圖未示)。此外，也可以做成在貫通導體的端部上形成焊球等端子(圖未示)。
接著，根據實施例，對本發明作更具體的說明。但是，以下的實施例並非用以限制本發明。
《實施例1~5、比較例1~6》
將表1所示之各個成分以各自的摻混量來做摻混，並在常溫(25℃)下仔細地攪拌，而製得均勻的環氧樹脂組成物。在搭載有多數個5mm見方的半導體晶片之直徑12英吋、厚度300μm的矽晶圓上，將所得到的各個環氧樹脂組成物壓縮成形，而製得半導體安裝結構體。使用具有直徑12英吋、高度0.4mm的模穴的下部模具，以110℃、10分鐘進行壓縮成形，接著以170℃、120分鐘施行後硬化。
<評估>
針對實施例1~5以及比較例1~6的環氧樹脂組成物、其硬化物，或者，被環氧樹脂組成物所密封的半導體安裝結構體、將其單片化而形成的單片化半導體安裝結構體，如以下所述地進行評估。將評估結果表示於表1。
[黏度．操作性]
在25℃之剪切速率為2.5(l/s)的條件下，使用BROOKFIELD公司製的HBT型黏度計(主軸型號(spindle type)：#29)測定環氧樹脂組成物的黏度。又，當黏度為1000Pa．s以下時，視為操作性良好並做出○的評估，並於超過1000Pa．s時做出×。
[硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)]
在110℃、10分鐘的條件下將環氧樹脂組成物壓縮成形，並接著施行170℃、120分鐘的後硬化以製得硬化物。以DMA 法測定所得到的硬化物的玻璃轉移溫度。以升溫速度2℃/分、頻率1Hz的測定條件，求出tanδ的峰值溫度。將玻璃轉移溫度為120℃~200℃的情況做成○，並將在其以外的情況做成×。
[硬化物的儲存彈性模數]
對與上述同樣方式進行而得到的硬化物，使用DMA，以升溫速度2℃/分、頻率1Hz的測定條件進行測定，以求出在25℃的儲存彈性模數。將儲存彈性模數比10GPa小的情況做成×，在10~23GPa的情況做成○，並將超過23GPa的情況做成×。
[半導體安裝結構體的彎曲]
以使半導體晶圓基板朝上的方式，將半導體安裝結構體設置在雷射位移計上。並測量中心部與圓周上的4個點的距離差，將其差的平均值做成彎曲量。將彎曲量小於1mm的情況做成◎、在1~3mm的情況做成○、超過3mm的情況做成×。
[切割後的剖面狀態]
對半導體安裝結構體進行切割，得到10mm×10mm的已單片化的半導體安裝結構體。對所得到的單片化半導體安裝結構體的剖面進行電子顯微鏡攝影(1000倍)，並量測凹部的大小。將在剖面上，未觀察到10μm以上的凹部的情況做成○，有看到10μm以上的凹部情況做成×。再者，此凹部是切割時因剖切面的樹脂發生缺損而造成之凹坑。
[切割後的剝離]
對半導體安裝結構體進行切割，得到10mm×10mm的已單片化的半導體安裝結構體。對所得到的單片化半導體安裝結構體的剖面進行電子顯微鏡攝影(1000倍)，並以目視判定有無包覆成形材從半導體晶圓基板上剝離之情形。將沒有確認到剝離的情況做成○，並將有剝離的情況做成×。
以下所示為表1中的用語的含意。
環氧樹脂(1)：RE-310(日本化藥(股)製，雙酚A型環氧樹脂，環氧當量為184g/eq)
環氧樹脂(2)：CELLOXIDE2021P(大賽璐化學工業(股)(Daicel Corporation)製，脂環式環氧樹脂，環氧當量為135g/eq)
環氧樹脂(3)：EP4088S((股)ADEKA(ADEKA Corporation)製，雙環戊二烯型環氧樹脂，環氧當量為170g/eq)
環氧樹脂(4)：HP7200((股)DIC(DIC Corporation)製，雙環戊二烯酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量為259g/eq)
環氧樹脂(5)：NC-3000(日本化藥(股)製，聯苯酚酸清漆型環氧樹脂，環氧當量為278/eq)
酸酐：甲基四氫酞酐(日立化成(股)(Hitachi Chemical Co.,Ltd.)製，酸酐當量為164g/eq)
熔融矽石：平均粒徑為20μm
矽油：含有環氧基之矽油(環氧當量為1200，在25℃下的黏度為700Pa．s)
矽氧凝膠：2液型矽氧凝膠(TSE3062，GE東芝有機矽公司(GE TOSHIBA SILICONE Co.,Ltd.)製)
矽烷偶合劑：3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷
碳黑：#2600(三菱化學(股)(Mitsubishi Chemical Corporation)製)
硬化促進劑：Ajicure PN-23(胺加成物(amine adduct)類 潛伏性硬化促進劑，味之素(股)製)
實施例1~5的環氧樹脂組成物具有良好的操作性，且所得到的半導體安裝結構體的彎曲較小。又，均未發現到切割後的樹脂缺損或剝離情形。圖3以及圖5所示為，實施例2所得到的半導體安裝結構體的剖面的電子顯微鏡照片。
比較例1的環氧樹脂組成物雖然有良好的操作性，但是所得到的半導體環氧樹脂的彎曲卻較大。經考慮應是，因為將酚醛清漆型環氧樹脂改換成使用脂環式的環氧樹脂，因而導致硬化物的熱膨脹率變高，且尺寸變化變大之故。又，已知還有切割後的樹脂的缺損較大，硬化物的強度不足之情形。此外，也可以確認到硬化物的剝離。
比較例2的環氧樹脂組成物雖然具有良好的操作性，但是硬化物的玻璃轉移溫度較低，所得到的半導體安裝結構體的彎曲較大。又，由於硬化物的強度不足，如圖4所示，切割後的硬化物的缺損較大，並在表面形成嚴重的凹凸，而使硬化物的稜角受到削除。此外，如圖6所示，在硬化物與半導體晶圓基板的界面附近產生了龜裂，並可確認到有剝離情形。
比較例3的環氧樹脂組成物，由於矽氧凝膠的摻混量過剩，而導致操作性變差。
比較例4的環氧樹脂組成物，由於酚醛清漆型環氧樹脂的含量過多，因而導致操作性變差。
比較例5的環氧樹組成物，雖然具有良好的操作 性，但是由於熔融矽石的摻混量少，導致硬化物的彈性模數變低，且所得到的半導體安裝結構體的彎曲較嚴重。又，已知還有切割後的硬化物的缺損較大，硬化物的強度不足之情形。
比較例6的環氧樹脂組成物，由於只有使用酚醛清漆型環氧樹脂作為環氧樹脂，因而使操作性變差。而且，切割後的硬化物的缺損較大，還可以在半導體晶圓與硬化物的界面處確認到剝離的情形。經考慮，這是因為只有使用酚醛清漆型環氧樹脂，導致韌性變低而發生的。
產業上的可利用性
本發明之環氧樹脂組成物，在以例如，壓縮成形法，對使用大面積半導體晶圓的晶圓等級晶片尺寸封裝進行密封時作為所使用的包覆成形材尤其有用。
雖然已經就本發明現在的較佳實施態樣作了說明，但是不應限定地解釋這樣的揭示內容。經由閱讀上述揭示內容，對本發明所屬技術領域中的業者來說，各種的變形以及改變，應該都是可明顯得知的。因此，只要未脫離本發明真正的精神以及範圍，應該將所附的申請專利範圍解釋成包含所有的變形以及改變。
1‧‧‧半導體安裝結構體
11‧‧‧單片化半導體安裝結構體
2‧‧‧半導體晶圓基板
2a‧‧‧第一表面
21‧‧‧第一端子
23‧‧‧導體
24‧‧‧元件搭載區域
3‧‧‧半導體裸晶
31‧‧‧元件電極
4‧‧‧包覆成形材
5‧‧‧底部填充材

Claims (11)

  1. 一種半導體密封用環氧樹脂組成物，其在25℃下且剪切速率為2.5(l/s)時的黏度為1000Pa．s以下，並包含：(A)100質量份的環氧樹脂，其含有10~45質量%的酚醛清漆型環氧樹脂；(B)50~150質量份的酸酐；(C)2~12質量份的硬化促進劑；(D)5~50質量份的矽氧凝膠或矽油；以及(E)平均粒徑2~30μm的熔融矽石；且前述(E)熔融矽石的含量為80~92質量%。
  2. 如請求項1之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中前述酚醛清漆型環氧樹脂是選自於由：雙環戊二烯酚醛清漆型環氧樹脂及聯苯酚醛清漆型環氧樹脂所構成群組中的至少1種。
  3. 如請求項1或2之半導體密封用環氧樹脂組成物，在硬化物狀態下，以DMA法所測定出的玻璃轉移溫度為120~220℃，而且在25℃下的儲存彈性模數為10~23GPa。
  4. 一種半導體安裝結構體，包含：(a)具有多數個元件搭載區域的半導體晶圓基板；(b)分別搭載在前述多數個元件搭載區域上的多數個半導體裸晶；以及(c)覆蓋前述多數個半導體裸晶之表面且充填在前 述半導體裸晶彼此之間的包覆成形材；前述包覆成形材為請求項1~3中任1項之半導體密封用環氧樹脂組成物之硬化物。
  5. 如請求項4之半導體安裝結構體，其更包含充填於前述半導體晶圓基板與前述半導體裸晶之間的底部填充材。
  6. 如請求項4或5之半導體安裝結構體，其中前述半導體晶圓基板的厚度為50~1000μm，直徑為8英吋以上。
  7. 一種單片化半導體安裝結構體，是將請求項4~6中任1項之半導體安裝結構體按照前述元件搭載區域進行單片化而製得。
  8. 一種半導體安裝結構體的製造方法，包含下述步驟：將請求項1~3中任1項之半導體密封用環氧樹脂組成物包覆成形於具有已分別搭載多數個半導體裸晶之多數個元件搭載區域的半導體晶圓基板，以使其覆蓋前述多數個半導體裸晶之表面並充填在前述半導體裸晶彼此之間。
  9. 如請求項8之半導體安裝結構體的製造方法，其中前述包覆成形為壓縮成形。
  10. 如請求項8或9之半導體安裝結構體的製造方法，其更包含充填於前述半導體晶圓基板與前述半導體裸晶之間的底部填充材。
  11. 一種單片化半導體安裝結構體的製造方法，包含以下步驟：將已藉由請求項8~10中任1項之製造方法所製得的 半導體安裝結構體，按照前述元件搭載區域進行切割以單片化。
TW103133973A 2013-09-30 2014-09-30 半導體密封用環氧樹脂組成物、半導體安裝結構體、及其製造方法 TWI629296B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-205074 2013-09-30
JP2013205074A JP6315170B2 (ja) 2013-09-30 2013-09-30 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、半導体実装構造体、およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201522435A true TW201522435A (zh) 2015-06-16
TWI629296B TWI629296B (zh) 2018-07-11

Family

ID=52742590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103133973A TWI629296B (zh) 2013-09-30 2014-09-30 半導體密封用環氧樹脂組成物、半導體安裝結構體、及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP3042932A4 (zh)
JP (1) JP6315170B2 (zh)
KR (1) KR20160065897A (zh)
CN (1) CN105593296B (zh)
SG (1) SG11201602467TA (zh)
TW (1) TWI629296B (zh)
WO (1) WO2015045422A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI790246B (zh) * 2017-06-29 2023-01-21 日商昭和電工材料股份有限公司 密封用樹脂組成物、再配置晶圓、半導體封裝及半導體封裝的製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6657566B2 (ja) * 2015-02-24 2020-03-04 三菱ケミカル株式会社 低粘度樹脂組成物
EP3173434B1 (en) * 2014-07-24 2019-11-20 Mitsubishi Chemical Corporation Thermosetting resin composition and molded body thereof
WO2018181813A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 日立化成株式会社 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
CN109698137B (zh) * 2017-10-20 2020-09-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片封装方法及芯片封装结构
KR102264929B1 (ko) 2018-12-20 2021-06-14 삼성에스디아이 주식회사 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4122246A (en) 1977-09-21 1978-10-24 Dow Corning Corporation Method of preventing discoloration of platinum containing silicone gels
EP0761722B1 (en) 1995-03-14 2002-06-12 Nagase-Ciba Ltd. Organopolysiloxane derivative
CN1178230A (zh) * 1996-07-30 1998-04-08 日本化药株式会社 半导体封装用环氧树脂液体组合物
JPH1095835A (ja) * 1996-07-30 1998-04-14 Nippon Kayaku Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂液状組成物
TW430685B (en) * 1996-07-30 2001-04-21 Nippon Kayaku Kk Epoxy resin liquid composition for semiconductor encapsulation
EP2280044A4 (en) * 2008-05-21 2015-08-19 Nagase Chemtex Corp EPOXY RESIN COMPOSITION FOR THE PACKAGING OF AN ELECTRONIC COMPONENT
JP2011195742A (ja) 2010-03-23 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法
JP2012069879A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Taiyo Holdings Co Ltd 熱硬化性樹脂充填材
JP2012209453A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法
TW201302907A (zh) * 2011-06-01 2013-01-16 Sumitomo Bakelite Co 液狀樹脂組成物及利用此液狀樹脂組成物之半導體裝置
JP2013253135A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、半導体装置、多層回路基板および電子部品

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI790246B (zh) * 2017-06-29 2023-01-21 日商昭和電工材料股份有限公司 密封用樹脂組成物、再配置晶圓、半導體封裝及半導體封裝的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201602467TA (en) 2016-05-30
CN105593296B (zh) 2018-01-16
JP2015067788A (ja) 2015-04-13
EP3042932A1 (en) 2016-07-13
KR20160065897A (ko) 2016-06-09
EP3042932A4 (en) 2017-04-26
JP6315170B2 (ja) 2018-04-25
CN105593296A (zh) 2016-05-18
WO2015045422A1 (ja) 2015-04-02
TWI629296B (zh) 2018-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI629296B (zh) 半導體密封用環氧樹脂組成物、半導體安裝結構體、及其製造方法
KR101904509B1 (ko) 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 수지 밀봉 반도체 장치
JP4892164B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
US20170110415A1 (en) Method for manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus
JP6233441B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2015193851A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
US9153513B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor apparatus prepared using the same
JP2009057575A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
CN105308731A (zh) 半导体装置
CN116751438A (zh) 环氧树脂组合物和电子部件装置
JP5708666B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
TW201806043A (zh) 大面積的搭載有半導體元件的基材的封裝方法
JP2016040393A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2015180760A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2015110803A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP5924443B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP5929977B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
WO2023079751A1 (ja) 半導体チップ積層体、電子部品装置及び半導体チップ積層体の製造方法
TWI839335B (zh) 應用於電子零件裝置密封之環氧樹脂組成物及電子零件裝置
JP6482016B2 (ja) 封止材組成物、それを用いた半導体装置
JP5804479B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置
JP2023069886A (ja) エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
TW201840801A (zh) 密封用環氧樹脂組成物及電子零件裝置
JP2015154011A (ja) 半導体装置の製造方法