KR102264929B1 - 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 장치 - Google Patents

정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체에 대하여, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체에 대하여, (i) ASTM 표준 체를 이용한 체분에 의해 측정하였을 때 직경이 0.1mm 이상 2.8mm 미만이고 높이가 0.1mm 이상 2.8mm 미만인 정제의 비율이 97중량% 이상이고, (ii) 상기 정제는 압축 밀도가 1.7g/mL 초과이고, (iii) 상기 정제는 경화 밀도에 대한 압축 밀도의 비가 0.6 이상 0.87 이하인 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 장치가 제공된다.

Description

정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 장치{TABLETED EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
최근 전자 기기 시장의 중심이 스마트폰과 태블릿 PC로 대변되는 모바일 기기로 옮겨감에 따라 전자 소자에 대한 기술 개발도 더 작고 가벼우면서 고성능을 갖는 모바일 소자에 집중되고 있다. 이에 따라, 고적층화, 고성능화, 고밀도화, 다기능화, 슬림화 경향에 맞춘 모바일 기기를 구현하기 위해서, 더 얇고 고집적화된 반도체 장치를 개발 중에 있다. 이러한 고적층화, 고밀도화 반도체 소자를 소형 및 박형의 반도체 패키지에 밀봉하는 경우, 반도체 장치의 동작 시 발생하는 열로 인하여 패키지의 오동작 및 크랙 발생의 빈도가 높아질 수 있다. 이를 해소하기 위하여 방열판을 사용하고 있으나, 방열판은 일부 패키지에서만 가능하고, 공정 추가로 인한 생산성 저하와 고비용의 단점이 있다. 따라서, 열전도도를 높일 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 요구된다.
한편, 상기 경향에 따라 압축 성형(compression molding)에 의해 반도체 소자를 밀봉하는 방법이 개발 중에 있다. 압축 성형은 금형 내에서 압축에 의해 성형되므로 반도체 소자가 멀티-스택(multi-stack)으로 적층된 경우에도 보이드(void) 발생을 억제할 수 있어서 최근 주목받고 있는 성형 방법이다. 압축 성형 시 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 금형 내에 필름 또는 시트 형상으로 투입될 수도 있다. 그러나 조성물의 성형성, 이동성 등을 고려하여 파우더 또는 과립으로 투입되고 있는 실정이다. 그러나 상기 파우더 또는 과립은 어느 정도의 크기 분포를 가질 수밖에 없으므로 와이어 스윕 및/또는 패키지 휨이 발생하는 문제가 있다.
종래 반도체 소자 압축 성형용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법으로 원심 제분법, 핫 컷(hot cut) 법이 있었다. 그러나 이들 방법은 높은 열전도 특성을 필요로 하는 반도체 소자 압축 성형용으로는 제조 자체가 어렵다.
본 발명의 목적은 열전도도가 높은 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 압축 성형에 의한 반도체 소자 밀봉 시 압축 성형 설비 중 조성물의 고착 및/또는 비산을 막아 설비 오염을 낮출 수 있는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 압축 성형에 의한 반도체 소자 밀봉 시 와이어 스윕을 현저하게 낮출 수 있는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명에서는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 제공된다:
제1구체예에서, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체에 대하여, (i) ASTM 표준 체를 이용한 체분에 의해 측정하였을 때 직경이 0.1mm 이상 2.8mm 미만이고 높이가 0.1mm 이상 2.8mm 미만인 정제의 비율이 97중량% 이상이고, (ii) 상기 정제는 압축 밀도가 1.7g/mL 초과이고, (iii) 상기 정제는 경화 밀도에 대한 압축 밀도의 비가 0.6 이상 0.87 이하이다.
제2구체예에서는, 제1구체예에서, 상기 정제는 원기둥 형상을 가질 수 있다.
제3구체예에서는, 제1 내지 제2구체예에서, 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 실리카, 알루미나, 질화알루미늄, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유, 붕소질화물(보론니트라이드) 중 1종 이상을 포함하는 무기 충전제를 포함할 수 있다.
제4구체예에서는, 제1 내지 제3구체예에서, 상기 무기 충전제는 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 70중량% 내지 99중량%로 포함될 수 있다.
제5구체예에서는, 제1 내지 제4구체예에서, 상기 실리카는 상기 무기 충전제 중 90중량% 이하로 포함될 수 있다.
제6구체예에서, 제1 내지 제5구체예에서, 상기 질화알루미늄은 상기 무기 충전제 중 50중량% 이하로 포함될 수 있다.
제7구체예에서는, 제1 내지 제6구체예에서, 상기 무기 충전제는 평균 입경(D50)이 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다.
제8구체예에서는, 제1 내지 제7구체예에서, 상기 알루미나는 상기 무기 충전제 중 10중량% 내지 100중량%로 포함될 수 있다.
제9구체예에서는, 제1 내지 제8구체예에서, 상기 알루미나는 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 75중량% 내지 98중량%로 포함될 수 있다.
제10구체예에서는, 제1 내지 제9구체예에서, 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기 무기 충전제로서 알루미나와 실리카의 혼합물을 포함할 수 있다.
제11구체예에서는, 제10구체예에서, 상기 알루미나와 실리카의 혼합물은 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 75중량% 내지 98중량%로 포함될 수 있다.
제12구체예에서는, 제1 내지 제11구체예에서, 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기 무기 충전제로서 실리카와 질화알루미늄의 혼합물을 포함할 수 있다.
제13구체예에서는, 제12구체예에서, 상기 실리카와 질화알루미늄의 혼합물은 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 75중량% 내지 98중량%로 포함될 수 있다.
제14구체예에서는, 제1 내지 제13구체예에서, 상기 경화 밀도는 1.9g/mL 내지 4g/mL가 될 수 있다.
제15구체예에서는, 제1 내지 제14구체예에서, 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 정제 압축 성형에 의해 제조될 수 있다.
본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 정제상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 사용해서 밀봉된다.
본 발명은 열전도도가 높은 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하였다.
본 발명은 압축 성형에 의한 반도체 소자 밀봉 시 압축 성형 설비 중 조성물의 고착 및/또는 비산을 막아 설비 오염을 낮출 수 있는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하였다.
본 발명은 압축 성형에 의한 반도체 소자 밀봉 시 와이어 스윕을 현저하게 낮출 수 있는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하였다.
도 1은 본 발명에서 정제의 형태 및 해당 정제에서 직경과 높이를 설명한다.
도 2는 압축 성형에 의해 반도체 소자를 밀봉하는 방법의 일 예를 설명한다.
도 3은 압축 성형에 의해 밀봉된 반도체 장치의 일 예를 설명한다.
첨부한 도면을 참고하여 실시예에 의하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 "정제"는 제1면, 제2면, 및 상기 제1면과 상기 제2면을 서로 연결하는 측면으로 구성되고, 제1면과 제2면은 서로 대향하는 형상을 의미한다. 일 실시예에서, 제1면과 제2면은 각각 평면이고, 측면은 하나의 곡면일 수 있다. 일 구체예에서, 정제는 원기둥이 될 수 있다. 도 1을 참조하면, 정제는 원기둥이 될 수 있고, 원기둥은 제1면(또는 제2면)에서의 직경(D) 및 측면에서의 높이(H)를 가질 수 있다. 본 발명에서 "정제"는 직경(D)이 높이(H) 대비 동일하거나 작은 경우뿐만 아니라 큰 경우도 포함할 수 있다.
본 명세서에서 정제의 "종횡비는" 직경(D)에 대한 높이(H)의 비(높이(H)/직경(D))가 될 수 있다.
본 명세서에서 "정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물"은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 중량%로 98% 이상, 예를 들면 99중량% 이상이 정제인 조성물을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 "압축 밀도"는 ASTM 표준 체를 이용하여 체분하였을 때 체분 0.1mm 이상 2.8mm 미만에 속하는 정제에 대해 측정되는 값이다. 0.1mm 이상 2.8mm 미만에 속하는 정제 중 일부를 칭량하여 시료를 얻고, 전자 저울을 이용하여 무게(W)를 측정한다. 50ml 눈금 실린더에 물을 반만큼 채우고 실리콘계 계면활성제를 투입한 후 정확한 부피(V1)를 측정한다. 무게를 측정한 정제를 눈금 실린더에 넣은 후 변화된 부피(V2)를 정확히 측정한다. 하기 식 1에 의해 압축 밀도(단위: g/mL)를 계산한다. 이때 정제 사이에 있는 공기를 제거하기 위해 눈금 실린더를 흔든 다음 부피를 측정하고 압축 밀도는 5회 측정 후의 평균값으로 계산할 수 있다:
[식 1]
압축 밀도(g/mL) = W / (V2-V1)
본 명세서에서 "경화 밀도"는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 트랜스퍼 성형기를 이용하여 금형 온도 175±5℃, 주입 압력 7MPa, 경화 시간 120초로 하여 직경 50mm x 두께 3mm의 원반을 성형하고, PMC(Post mold curing) 공정을 175℃에서 4시간 진행한 후, 질량 및 체적을 구하고 체적에 대한 질량의 비(질량/체적, g/mL)로 계산할 수 있다.
본 명세서에서 "열전도도"는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로 형성된 시편에 대하여 ASTM D5470에 따라 25℃에서 측정된 값이다.
본 명세서에서 수치 범위 기재 시 "X 내지 Y"는 X 이상 Y 이하를 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 하기의 (i), (ii) 및 (iii)을 모두 만족한다. (i), (ii) 및 (iii)을 모두 만족함으로써, 반도체 소자의 압축 성형 시 미분의 비산으로 인한 진동 피더 등의 설비 오염 가능성을 낮출 수 있고, 와이어 스윕(wire sweep)을 현저하게 낮출 수 있으며, 열전도도를 현저하게 높일 수 있다. 일 구체예에서, 본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 열전도도가 2W/mK 이상, 예를 들면 2W/mK 내지 10W/mK, 예를 들면 2W/mK 내지 7.5W/mK가 될 수 있다. 상기 범위에서, 반도체 소자 밀봉 시 방열 효과가 높아서 동작 시 발생하는 열로 인한 패키지 오 동작 및 크랙 발생의 빈도가 낮아질 수 있다.
특히, 본 발명의 발명자는 동일한 종류의 무기 충전제를 동일 함량으로 함유하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이라고 하더라도 하기의 (i), (ii) 및 (iii) 중 1종 이상을 만족하지 못하는 경우에는 열전도도 개선, 와이어 스윕 감소 및 미분의 비산으로 인한 설비 오염 가능성 저하 효과를 모두 얻을 수 없음을 확인하였다.
(i) ASTM 표준 체를 이용한 체분에 의해 측정하였을 때, 직경이 0.1mm 이상 2.8mm 미만이고 높이가 0.1mm 이상 2.8mm 미만인 정제의 비율이 97중량% 이상.
(ii) 상기 정제는 압축 밀도가 1.7g/mL 초과.
(iii) 상기 정제는 경화 밀도에 대한 압축 밀도의 비가 0.6 이상 0.87 이하.
본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 ASTM 표준 체를 이용한 체분에 의해 측정하였을 때 직경이 0.1mm 이상 2.8mm 미만이고 높이가 0.1mm 이상 2.8mm 미만인 정제의 비율이 전체 정제 상의 에폭시 수지 조성물 중 97중량% 이상이다. 직경 또는 높이가 0.1mm 미만인 정제가 3 중량%를 초과할 경우에는 미분의 함량이 높아져 압축 성형 설비에 미분이 고착되어 오염이 발생되는 문제가 있을 수 있고, 직경 또는 높이가 2.8mm 이상인 정제가 3 중량%를 초과할 경우에는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 이송 중에 쉽게 부서져 압축 성형 설비에 오염을 일으킬 수도 있으며, 정제 상의 조성물의 형태가 불균일하게 되어 압축 성형 설비에서 정제 계량 시에 오류가 발생하거나 그로 인해 반도체 패키지의 두께 차를 야기하여 휨 편차로 인한 불량을 야기할 수 있다. 일 구체예에서, 직경이 0.1mm 이상 2.8mm 미만이고 높이가 0.1mm 이상 2.8mm 미만인 정제의 비율이 전체 정제 상의 에폭시 수지 조성물 중 97중량% 내지 99중량%가 될 수 있다.
ASTM 표준 체를 이용한 체분에 의할 때, 0.1mm는 ASTM 메시 No. 140에 해당하고, 2.8mm는 ASTM 메시 No. 7에 해당한다.
본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 압축 밀도가 1.7g/mL 초과이다. 압축 밀도가 1.7g/mL 이하이면, 열전도도가 낮아지고 이로 인하여 반도체 소자 밀봉 시 방열 효과가 낮아져서 동작 시 발생하는 열로 인한 패키지 오동작 및 크랙 발생의 빈도가 높아질 수 있다. 압축 밀도 측정 방법은 앞에서 설명한 바와 같다. 바람직하게는, 압축 밀도는 1.7g/mL 초과 3.2g/mL 이하, 더 바람직하게는 1.71g/mL 내지 3.2g/mL, 가장 바람직하게는 1.71g/mL 내지 3g/mL가 될 수 있다.
본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 압축 밀도와 경화 밀도 간의 밀도비(경화 밀도에 대한 압축 밀도의 비)가 0.6 이상 0.87 이하이다. 상기 밀도비가 0.6 미만이면 압축 성형 시 용융성과 상용성이 좋지 않을 수 있다. 상기 밀도비가 0.87 초과이면 열전도도 개선 효과가 미약하거나 와이어 스윕이 커질 수 있다.
일 구체예에서, 경화 밀도는 1.9g/mL 내지 4g/mL, 바람직하게는 1.95g/mL 내지 3.5g/mL, 더 바람직하게는 1.95g/mL 내지 3.2g/mL가 될 수 있다. 상기 범위에서, 압축 성형 시 용융성과 상용성이 좋고, 와이어 스윕과 보이드 발생이 적어질 수 있다. 경화 밀도 측정 방법은 앞에서 설명한 바와 같다.
본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 정제의 종횡비가 0.1 내지 5, 바람직하게는 0.25 내지 4가 될 수 있다. 상기 범위에서, 반도체 패키지의 두께 편차를 줄여 휨 편차를 줄이는 효과가 더 있을 수 있다.
본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 정제가 원기둥 형상이 될 수 있다.
이상, 본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 이하에서 상술되는 정제 압축 성형 방법에 의해서 제조될 수 있다. 정제 압축 성형 방법은 정제 압축 성형 장치를 이용할 수 있다. 예를 들면, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 연속 니더를 이용해서 90℃ 내지 110℃에서 용융 혼련 후 냉각 및 분쇄하여 분말 형태의 조성물을 제조한다. 제조한 분말 형태의 예비 조성물을 정제 타정 설비 피더에 투입하고, 상부 펀치의 하강에 의해 다이에 들어있는 분말 형태의 조성물을 압축한 후 상부 펀치의 승강에 의해 정제 상의 조성물을 제조한다. 상부 펀치의 하강 및 하부 펀치의 승강에 의해 조성물에 가해지는 압축 하중, 다이의 직경과 높이 등을 조절하여, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조할 수 있다.
일 구체예에서, 압축 하중은 다이의 직경, 다이의 높이, 다이에 투입된 조성물의 투입 높이와 직경 등에 따라 달라질 수 있으며, 압축 하중은 0.1톤 내지 1톤이 될 수 있다. 일 구체예에서, 다이의 직경은 0.1mm 이상 2.8mm 미만, 다이의 높이는 0.1mm 이상 2.8mm 미만이 될 수 있다.
한편, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 성형하는 방법으로 종래 원심 제분법이 알려져 있다. 원심 제분법에 의할 경우 조성물이 회전자의 원심력에 의해 균일한 펀칭 철망을 통과한다고 하더라도 용융 혼련된 상태로 성형되므로 압축 성형 시 용융이 제대로 되지 않아서 와이어 스윕 불량이 발생할 수 있고 과립의 크기 편차로 인하여 패키지 휨 문제를 발생시킬 수 있다.
또한, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 성형하는 다른 방법으로 종래 핫 컷(hot cut)법이 알려져 있다. 핫 컷법에 의할 경우, 용융 혼련된 상태의 에폭시 수지 조성물을 커팅하여 제조하므로 압축 성형 시 용융이 제대로 되지 않아서 와이어 스윕 불량이 발생할 수 있다.
이하, 본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 구성 성분을 설명한다.
본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉매, 무기 충전제를 포함할 수 있다.
에폭시 수지는 1분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머 등의 혼합물이 될 수 있다. 예를 들면, 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸 카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 시클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 할로겐화 에폭시 수지, 비페닐형 노볼락 에폭시 수지 등이 될 수 있고, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 포함될 수도 있다.
경화제는 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 경화제는 페놀아랄킬형 페놀 수지, 페놀노볼락형 페놀 수지, 비페닐형 노볼락 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 크레졸 노볼락형 페놀 수지, 나프톨형 페놀 수지, 테르펜형 페놀 수지, 다관능형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀 수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물, 무수 말레인산 및 무수 프탈산을 포함하는 산무수물, 메타-페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐설폰 등의 방향족 아민 등을 들 수 있다.
경화 촉매는 에폭시 수지의 에폭시기와 경화제의 경화 반응을 촉진시킬 수 있는 것이면 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 경화 촉매로 3급 아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸류, 및 붕소화합물 등이 사용 가능하다. 3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실산염 등이 있다. 유기 금속화합물에는 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트 등이 있다. 유기인화합물에는 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논 부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-아미노이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등이 있다. 붕소화합물에는 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene: DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및 페놀노볼락 수지염 등을 사용할 수 있다. 경화 촉매로 에폭시 수지 또는 경화제와 선 반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다.
무기 충전제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에서 통상적으로 사용되는 무기 충전제를 사용할 수 있다.
일 구체예에서, 무기 충전제는 실리카, 알루미나, 질화알루미늄(aluminum nitride), 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유, 붕소질화물(보론니트라이드) 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는 무기 충전제로 알루미나를 포함함으로써 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 열전도도를 높일 수 있다. 무기 충전제는 단독 또는 2종 이상 포함될 수 있다. 무기 충전제가 2종 이상 포함되는 경우, 무기 충전제는 평균 입경(D50)이 동일하거나 다를 수 있다. 바람직하게는, 무기 충전제가 2종 이상 포함되는 경우 평균 입경(D50)은 다를 수 있다.
일 구체예에서, 무기 충전제로 알루미나만 사용될 수 있다. 구체적으로, 알루미나는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 70중량% 내지 99중량%, 바람직하게는 75중량% 내지 98중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 열전도도가 향상되면서 본 발명의 효과도 얻을 수 있다.
다른 구체예에서, 무기 충전제로서 알루미나와 실리카의 혼합물이 사용될 수 있다. 구체적으로, 알루미나와 실리카의 혼합물은 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 70중량% 내지 99중량%, 바람직하게는 75중량% 내지 98중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 열전도도가 향상되면서 본 발명의 효과도 얻을 수 있다.
또 다른 구체예에서, 무기 충전제로서 알루미나와 질화알루미늄의 혼합물이 사용될 수 있다. 구체적으로, 알루미나와 질화알루미늄의 혼합물은 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 70중량% 내지 99중량%, 바람직하게는 75중량% 내지 98중량%로 포함될 수 있다.
또 다른 구체예에서, 무기 충전제로서 실리카와 질화알루미늄의 혼합물이 사용될 수 있다. 구체적으로, 실리카와 질화알루미늄의 혼합물은 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 70중량% 내지 99중량%, 바람직하게는 75중량% 내지 98중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 열전도도가 향상되면서 본 발명의 효과도 얻을 수 있다.
일 구체예에서, 무기 충전제 중 알루미나 함량은 무기 충전제 중 10중량% 이상, 바람직하게는 10중량% 내지 100중량%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 열전도도가 향상되면서 본 발명의 효과도 얻을 수 있다.
일 구체예에서, 무기 충전제 중 실리카 함량은 무기 충전제 중 90중량% 이하, 바람직하게는 10중량% 내지 90중량%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 열전도도가 향상되면서 본 발명의 효과도 얻을 수 있다.
일 구체예에서, 무기 충전제 중 질화알루미늄의 함량은 무기 충전제 중 50중량% 이하, 바람직하게는 30중량% 이하, 더 바람직하게는 5중량% 내지 30중량%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 열전도도가 향상되면서 본 발명의 효과도 얻을 수 있다.
무기 충전제는 평균 입경(D50)이 3㎛ 내지 15㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 15㎛, 더 바람직하게는 5㎛ 내지 12㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 유동성이 양호해질 수 있다. 상기 '평균 입경'은 D50으로서, 당업자에게 알려진 통상의 입경 D50을 의미하고, 무기 충전제를 중량 기준으로 분포시켰을 때 50 중량%에 해당되는 무기 충전제의 입경을 의미한다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상술한 성분 이외에도 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 구체예에서, 첨가제는 커플링제, 이형제, 응력 완화제, 가교 증진제, 레벨링제, 착색제 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 커플링제는 에폭시 실란, 아미노 실란, 머캡토 실란, 알킬 실란 및 알콕시 실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 이형제는 파라핀계 왁스, 에스테르계 왁스, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 천연 지방산 및 천연 지방산 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 응력 완화제는 변성 실리콘 오일, 실리콘 엘라스토머, 실리콘 파우더 및 실리콘 레진으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 착색제는 카본 블랙 등이 사용될 수 있다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지 0.5 중량% 내지 20 중량%, 구체적으로는 3 중량% 내지 15 중량%, 경화제 0.1 중량% 내지 13 중량%, 구체적으로는 0.1 중량% 내지 10 중량%, 무기 충전제 70 중량% 내지 99중량%, 예를 들면 75 중량% 내지 98 중량%, 경화 촉매 0.01 중량% 내지 2 중량%, 구체적으로 0.02 중량% 내지 1.5 중량%, 각종 첨가제 0.1 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 반도체 소자는 본 발명의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 사용해서 압축 성형에 의해 밀봉될 수 있다. 반도체 소자는 집적회로, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드, 고체 촬상 소자 등을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하여, 압축 성형에 의한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 밀봉 방법을 설명한다. 도 2를 참조하면, (a)는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 1을 진동 피더 2에 의해 조성물 공급 용기 3에 투입한다. 진동 피더 2는 일정 또는 변화하는 공급 속도로 진동함으로써 소정량의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 조성물 공급 용기 3 에 일정한 속도로 투입시킬 수 있다. (b)는 조성물 공급 용기 3에는 셔터 4 등의 수단이 장착되어 있어서 셔터 4 등을 움직임으로써 조성물 공급 용기 3 내의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 1을 순간적으로 하부 성형 캐버티 5에 투입시킬 수 있다. 하부 성형 캐버티 5 위에 반도체 소자 6 등이 장착된 상부 기판 7을 서로 압축한다. 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 1이 용융되고 반도체 소자 6등이 장착된 상부 기판 7이 하강하면서 반도체 소자 등이 용융물에 서서히 디핑(dipping)되면서 압축 성형이 완료된다.
도 3은 압축 성형에 의해 밀봉된 반도체 장치의 일 예를 설명한다. 도 3을 참조하면, 반도체 소자 101은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로 형성된 밀봉재 102에 의해 봉지되어 있다. 반도체 소자 101 은 다이 패드 103 상에, 다이 본딩 물질 104에 의해 고정되어 있다. 반도체 소자 101의 전극 패드와 리드 프레임 105는 와이어 106에 의해 연결되어 있다. 본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로 형성된 밀봉재로 밀봉되어 있어서 반도체 패키지 두께(T)의 편차가 작고 이로 인해 휨 편차가 낮다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되지는 않는다.
실시예 1
에폭시 수지로 페놀아랄킬형 에폭시 수지인 NC-3000(Nippon Kayaku社) 7.01 중량% 및 비페닐형 에폭시 수지 YX-4000(Japan Epoxy Resin社) 5.73중량%; 경화제로 페놀 노볼락 수지 DL-92(메이와社) 4.32중량% 및 페놀아랄킬형 페놀 수지인 MEH-7851S(메이와社) 1.08중량%; 경화 촉매로 트리페닐 포스핀(Hokko Chemical社) 0.89중량%; 무기 충전제로 알루미나 10중량%와 실리카 70중량%의 혼합물 80중량%; 커플링제로 에폭시 실란 KBM-303(Shin Etsu社) 0.3중량% 및 아미노 실란 KBM-573(Shin Etsu社) 0.2중량%; 착색제로 카본 블랙 MA-600B(미츠비시 화학社) 0.37중량%; 이형제로 카르나우바 왁스 0.1중량%를 헨셀 믹서(KEUM SUNG MACHINERY CO.LTD(KSM-22))를 사용해서 혼합하여 마스터 배치 조성물을 제조하였다. 이때, '중량%'는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 각 성분의 함량을 나타낸다.
상기 제조한 조성물을 연속 니더를 이용해서 90℃ 내지 110℃에서 용융 혼련 후 냉각 및 분쇄하여 분말 형태의 조성물을 제조하였다. 제조한 분말 형태의 예비 조성물을 정제 압축 성형기를 사용해서 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조한 분말 형태의 조성물을 정제 타정 설비 피더에 투입하고, 상부 펀치의 하강에 의해 다이에 들어있는 분말 형태의 조성물을 압축한 후 상부 펀치의 승강에 의해 정제 상의 조성물을 제조하였다. 상부 펀치의 하강 및 하부 펀치의 승강에 의해 조성물에 가해지는 압축 하중은 0.6톤이었으며, 다이의 직경과 높이를 조절하여, 하기 표 4의 물성을 갖는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 2 내지 실시예 9
실시예 1에서 반도체 소자 밀봉용 에폭시 조성물 중 각 성분의 함량을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
상기 제조한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대해 압축 하중, 다이의 직경, 및/또는 다이의 높이를 조절하여 정제 압축 성형함으로써, 하기 표 4의 물성을 갖는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 1 내지 비교예 12
실시예 1에서 반도체 소자 밀봉용 에폭시 조성물 중 각 성분의 함량을 하기 표 2, 표 3과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
상기 제조한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대해 압축 하중, 다이의 직경, 및/또는 다이의 높이를 조절하여 정제 압축 성형함으로써, 하기 표 5, 표 6의 물성을 갖는 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 비교예 8은 정제 압축 성형 시 정제를 제조할 수 없었다.
비교예 13
실시예 1에서 반도체 소자 밀봉용 에폭시 조성물 중 각 성분의 함량을 하기 표 3과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
원통형 외주부의 소재로서 구멍 지름 2.5mm의 작은 구멍을 구비한 철제의 펀칭 철망을 사용하였다. 직경 20cm의 회전자의 외주 상에 원통형으로 가공한 높이 25mm, 두께 1.5mm의 펀칭 철망을 설치하여 원통형 외주부를 형성하였다. 회전자를 3000RPM으로 회전시켜, 원통형 외주부를 여자 코일로 115℃로 가열하였다. 회전자의 회전수와 원통형 외주부의 온도가 정상 상태로 된 후, 탈기 장치에 의해 탈기하면서 2축 압출기에 의해 상기 마스터 배치를 용융 혼련하여 얻어진 용융물을 회전자의 위쪽에서 2중 관식 원통체를 통해 2kg/hr의 비율로 회전자의 내부로 공급하고, 회전자를 회전시켜 얻을 수 있는 원심력에 의해서 원통형 외주부의 복수의 작은 구멍을 통과시킴으로써, 원심 제분법에 의해 하기 표 6의 물성을 갖는 수지 조성물을 얻었다. 2축 압출기의 혼련 온도는 90℃ 내지 110℃로 제조하였다.
비교예 14 내지 비교예 16
실시예 1에서 반도체 소자 밀봉용 에폭시 조성물 중 각 성분의 함량을 하기 표 3과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
상기 제조한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 비교예 13의 원심 제분과 동일한 방법을 실시하였다. 비교예 14 내지 비교예 16의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로 원심 제분 시 제조가 불가능하였다.
[표 1]
Figure 112018128700393-pat00001
[표 2]
Figure 112018128700393-pat00002
[표 3]
Figure 112018128700393-pat00003
*상기 표 1 내지 상기 표 3에서,
에폭시 수지1은 페놀아랄킬형 에폭시 수지
에폭시 수지2는 비페닐형 에폭시 수지
경화제 1은 페놀 노볼락형 수지
경화제 2는 페놀아랄킬형 페놀 수지
경화 촉매는 트리페닐 포스핀
알루미나는 평균 입경(D50) 9㎛
실리카는 평균 입경(D50) 8㎛
질화알루미늄은 평균 입경(D50) 3㎛
커플링제1은 에폭시 실란
커플링제2는 아미노 실란.
실시예와 비교예에서 성형한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대해 하기 물성을 평가하고, 그 결과를 하기 표 4, 표 5, 표 6에 나타내었다.
(1) 제조된 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 정제 크기: ASTM 표준 MESH를 이용하여 체분 진동기에 0.1mm[ASTM No 140], 2.8mm[ASTM No 7]의 체눈 격자를 이용하여 10분에 걸쳐 해머 타수 분당 100타수로 진동시켜 시료를 체분에 통과시키고 0.1mm 이상 2.8mm 미만 체분에 걸러지는 정제의 무게와 0.1mm 미만, 2.8mm 이상의 체분에 걸러지는 정제의 무게를 측정하여 0.1mm 이상 2.8mm 미만에 해당하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 정제의 함량(%)을 측정하였다.
(2) 압축 밀도: ASTM 표준 체를 이용하여 체분하였을 때 체분 0.1mm 이상 2.8mm 미만에서 걸러지는 것들에 대해 측정한다. 구체적으로, 상기 체분 0.1mm 이상 2.8mm 미만에서 걸러지는 것들 중 일부를 칭량하여 시료를 얻고, 전자 저울을 이용하여 무게(W)를 측정한다. 50ml 눈금 실린더에 물을 반만큼 채우고 실리콘계 계면활성제(제품명: BYK-378, 제조사: BYK社) 0.1g을 투입한 후 정확한 부피(V1)을 측정한다. 무게를 측정한 정제를 눈금실린더에 넣은 후 변화된 부피(V2)를 정확히 측정한다. 이때 정제의 밀도를 하기 식 1에 의해 압축 밀도(단위: g/mL)를 계산하였다. 이때 정제 사이에 있는 공기를 제거하기 위하여 실린더를 흔든 다음 부피를 측정하였고 압축 밀도는 5회 측정 후의 평균값으로 계산할 수 있다.
[식 1]
압축 밀도(g/mL) = W / (V2-V1)
(3) 경화 밀도: 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 트랜스퍼 성형기를 이용하여 금형 온도 175±5℃, 주입 압력 7MPa, 경화 시간 120초로 하여 직경 50mm x 두께 3mm의 원반을 성형하고, PMC(Post mold curing) 공정을 오븐에서 175℃에서 4시간 진행한 후 질량 및 체적을 구하고 체적에 대한 질량의 비(질량/체적, g/mL)로 계산하였다.
(4) 열전도도: 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 금형 온도 175℃, 주입압력 9MPa, 경화 시간 120초의 조건의 트랜스퍼 성형기로 주입하여 열전도도 시편을 제조한 후, ASTM D5470에 따라 KYOTO ELECTRONICS. QTM-500 측정 장치를 사용해서 25℃에서 평가하였다.
(5) 압축 성형 시 미분 비산 설비 오염 정도: 압축 성형 장치로 컴프레션 몰드 설비(PMC-1040, TOWA社)를 사용하였다. 진동 피더 내에 실시예와 비교예에서 제조한 에폭시 수지 조성물 25g을 넣고, 공급 속도 1.0g/sec로 일정하게 투입하는 작동을 20회 반복하고, 투입 완료 후 진동 피더를 분리하여 진동 피더 벽면에 부착된 에폭시 수지 조성물의 무게를 측정하였다. 부착된 에폭시 수지 조성물의 무게가 총 150mg 미만이고 육안으로 진동 피더 내관의 부착 상태가 안 보이는 경우 ×, 부착된 에폭시 수지 조성물의 무게가 총 150mg 미만이고 육안으로 진동 피더 내관의 부착 상태가 관찰되는 경우 △, 부착된 에폭시 수지 조성물의 무게가 총 150mg 이상이고 육안으로 피더 내관이 검게 변해 에폭시 수지 조성물의 부착이 현저하게 발생하는 경우 ○로 판정하였다.
(6) 와이어 스윕: 프린트 배선 기판(기판 사이즈는 가로x세로가 240mm Х 77.5mm, 유닛 사이즈는 가로 Х 세로가 14mm Х 18mm) 위에, 다이(가로 x 세로 x 두께가 10mm Х 10mm Х 0.5mm)인 칩을 실장하였다. 직경 0.8mm의 골드 와이어를 사용해서 접속시켰다. 컴프레션 몰드 설비(PMC-1040, TOWA社)를 이용하였다. 몰드 설비에, 실시예, 비교예의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 동일 함량으로 투입하고, 몰딩 두께 0.7mm를 가지는 조건으로 금형 온도 175℃, 경화 시간 100초, 성형 압력 10ton 조건으로 반도체 장치를 성형하였다. X선 투과 장비(Toshiba, Tosmicron-S4090)로 분석하여 패키지의 와이어 10개(와이어 길이 3mm인 것들)에 대해 와이어 스윕을 평가하였다.
[표 4]
Figure 112018128700393-pat00004
[표 5]
Figure 112018128700393-pat00005
[표 6]
Figure 112018128700393-pat00006
상기 표 4에서와 같이, 본 발명의 정제 상의 에폭시 수지 조성물은 압축 성형에 의한 반도체 소자 밀봉 시 압축 성형 설비 중 조성물의 고착 및/또는 비산을 막아 설비 오염을 낮출 수 있었다. 또한, 압축 성형에 의한 반도체 소자 밀봉 시 와이어 스윕을 현저하게 낮출 수 있었다. 또한, 열전도도가 2W/mK 이상이 됨으로써, 반도체 소자 밀봉 시 방열 효과가 높아서 동작 시 발생하는 열로 인한 패키지 오동작 및 크랙 발생의 빈도를 낮출 수 있다.
반면에, 상기 표 5, 표 6에서와 같이, 정제 압축 성형 방법에 의하더라도 비교예 1 내지 비교예 12를 참조하면 본원 (i), (ii), (iii) 중 어느 하나라도 만족하지 않을 경우 와이어 스윕 저하 효과가 낮거나 열전도도가 낮거나 분진에 의한 설비 오염이 높아졌다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (16)

  1. 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 전체에 대하여,
    (i) ASTM 표준 체를 이용한 체분에 의해 측정하였을 때 직경이 0.1mm 이상 2.8mm 미만이고 높이가 0.1mm 이상 2.8mm 미만인 정제의 비율이 97중량% 이상이고,
    (ii) 상기 정제는 압축 밀도가 1.7g/mL 초과이고,
    (iii) 상기 정제는 경화 밀도에 대한 압축 밀도의 비가 0.6 이상 0.87 이하이고,
    상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지 0.5중량% 내지 20중량%, 경화제 0.1중량% 내지 13중량%, 무기 충전제 70중량% 내지 99중량% 및 경화 촉매 0.01중량% 내지 2중량%를 포함하는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정제는 원기둥 형상을 갖는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 무기 충전제는 실리카, 알루미나, 질화알루미늄, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유, 붕소질화물(보론니트라이드) 중 1종 이상을 포함하는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  4. 삭제
  5. 제3항에 있어서, 상기 실리카는 상기 무기 충전제 중 90중량% 이하로 포함되는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  6. 제3항에 있어서, 상기 질화알루미늄은 상기 무기 충전제 중 50중량% 이하로 포함되는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  7. 제3항에 있어서, 상기 무기 충전제는 평균 입경(D50)이 3㎛ 내지 15㎛인 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  8. 제3항에 있어서, 상기 알루미나는 상기 무기 충전제 중 10중량% 내지 100중량%로 포함되는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  9. 제3항에 있어서, 상기 알루미나는 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 75중량% 내지 98중량%로 포함되는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  10. 제3항에 있어서, 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기 무기 충전제로서 알루미나와 실리카의 혼합물을 포함하는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 상기 알루미나와 실리카의 혼합물은 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 75중량% 내지 98중량%로 포함되는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  12. 제3항에 있어서, 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기 무기 충전제로서 실리카와 질화알루미늄의 혼합물을 포함하는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 상기 실리카와 질화알루미늄의 혼합물은 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 75중량% 내지 98중량%로 포함되는 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 상기 경화 밀도는 1.9g/mL 내지 4g/mL인 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 상기 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 정제 압축 성형에 의해 제조된 것인, 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  16. 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제15항 중 어느 한 항의 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 사용해서 밀봉된 반도체 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101397221B1 (ko) * 2013-05-30 2014-05-20 삼성전기주식회사 열전도도 및 전기적 특성이 우수한 인쇄회로기판용 절연 수지 조성물, 절연필름, 프리프레그 및 인쇄회로기판

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3573565B2 (ja) 1996-04-02 2004-10-06 京セラケミカル株式会社 エポキシ樹脂組成物タブレット
WO2010067538A1 (ja) * 2008-12-10 2010-06-17 住友ベークライト株式会社 顆粒状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびにそれを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2010103745A1 (ja) 2009-03-11 2010-09-16 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP6315170B2 (ja) 2013-09-30 2018-04-25 ナガセケムテックス株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、半導体実装構造体、およびその製造方法
KR102097798B1 (ko) * 2017-01-06 2020-04-06 삼성에스디아이 주식회사 과립상 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101397221B1 (ko) * 2013-05-30 2014-05-20 삼성전기주식회사 열전도도 및 전기적 특성이 우수한 인쇄회로기판용 절연 수지 조성물, 절연필름, 프리프레그 및 인쇄회로기판

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