TW201522047A - 切割片用基材薄膜及基材薄膜之製造方法 - Google Patents

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Kentaro Miyazaki
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Abstract

本發明提供一種切割片之基材薄膜(2)，其包括：切削片抑制層(A)；積層於上述切削片抑制層(A)之一側主面上的擴張層(B)，擴張層(B)具有多個樹脂系層狀體之積層結構，多個樹脂系層狀體中配置於切削片抑制層(A)最近側之樹脂系層狀體(B1)之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R1(單位：%)與多個樹脂系層狀體中樹脂系層狀體(B1)以外之至少一個樹脂系層狀體(B2)之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R2(單位：%)，滿足在下述式(i)至(iii)中表示的條件，切削片抑制層(A)含有：含環樹脂(a1)，其係具有芳香族系環及脂肪族系環之至少一種之熱塑性樹脂；非環烯烴系樹脂(a2)，其係含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂。 R1≦30% (i) R2≧20% (ii) R1<R2 (iii)該切割片之基材薄膜(2)，即使在擴張量較大之情況及擴張速度較快之情況下，在切割工序中也難以產生切削片，且具有良好的擴張性及復原性。

Description

切割片用基材薄膜及基材薄膜之製造方法
本發明係關於在將半導體晶圓等被切割物切割分離為元件小片時，黏貼該被切割物之切割片以及用於該切割片之基材薄膜及其製造方法。
矽、砷化鎵等半導體晶圓、玻璃基板、氧化鋁基板等基板類以及各種組件類(在本說明書中，將該等統稱為“被切割物”。)，被製造成大直徑之狀態，該等被切割分離為(切割)元件小片(在本說明書中，稱為“晶片”。)。
在該切割工序中之被切割物，以確保在切割工序及其以後工序中之被切割物以及晶片之操作性為目的，切割片被預先黏貼在被切割物與用於切割之切削工具靠近一側之相反一側之表面。此類切割片，通常作為基材薄膜使用聚烯烴系薄膜或聚氯乙烯系薄膜等，在該基材薄膜上設有黏著劑層。
作為切割工序之具體方法，在通常之全切割中，藉由旋轉之圓刀片進行被切割物之切割。此時，為使黏貼有切割片之被切割物被確切地切割，不僅切割被切割物還切割黏著劑層，甚至有時還切割基材薄膜之一部分。
此時，從切割片產生由黏著劑層及構成基材薄膜之材料組成的切削片，所得到的晶片有時由於該切削片而被污 染。作為此類切削片之形態之一種，存在附著於切割線上或者藉由切割而分離之晶片之剖面附近的線狀切削片。
如果在如上所述之線狀切削片大量附著於晶片之狀態下進行晶片之封裝，則附著於晶片之線狀切削片由於封裝之熱量而分解，該熱分解物破壞組件，或者在所得到之裝置中成為導致動作不良之原因。該線狀切削片難以藉由清洗而除去，故由於線狀切削片之產生切割工序之成品率顯著降低。因此，在使用切割片進行切割之情況下，要求防止線狀切削片之產生。
又，在將多個晶片被硬化之樹脂封裝之組件作為被切割物而切割之情況下，與切割半導體晶圓之情況相比，使用厚度更厚的切割刀片，切割之進刀深度也變得更深。為此，切割時被切割除去之基材薄膜量比半導體晶圓之情況增加，線狀切削片之產生量也有增加之傾向。
以抑制此類切削片之產生為目的，在專利文獻1中，揭示作為切割片之基材薄膜使用照射電子射線或γ(伽瑪)射線1~80Mrad之聚烯烴系薄膜之發明。在本發明中，構成基材薄膜之樹脂藉由照射電子射線或伽瑪射線而交聯，抑制切削片之產生。
在專利文獻1中，作為照射電子射線或伽瑪射線之聚烯烴系薄膜，列舉有聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-甲基(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-乙基(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-離子共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等樹脂。
此處，本說明書中之“(甲基)丙烯酸”意味著丙烯酸以及甲基丙烯酸之兩者。其他類似用語也相同。
【專利文獻1】日本專利特開平5-211234號公報
然而，電子射線或γ射線之照射在將如上所述之樹脂成形為薄膜狀之後進行，因此增加一個製造工序，存在製造成本比通常之基材薄膜變高之傾向。
在藉由切割加工將被切割物個片化並使多個晶片處於靠近配置在切割片上之狀態之後，以使該等晶片互相分離為目的，進行對切割片賦予張力而使切割片向主面內方向伸長之擴張工序。在該擴張工序中，藉由使環形構件與在處於切割對象黏貼於中央而環狀框架黏貼於周圍區域之狀態的切割片中之位於黏貼有切割對象之區域與黏貼有環狀框架之區域之間的區域相抵接，使環形構件與環狀框架之垂直方向之相對位置變動，從而向切割片賦予張力。通常，上述垂直方向之相對位置之變動，藉由相對環形構件拉下環狀框架而進行。
近年來，存在切割間距隨著晶片之小型化而變小之情況，在這種情況下，為充分確保擴張工序後之晶片間之間隙，在擴張工序中，為使切割片之主面內的伸長量(擴張量)變大，存在對切割片賦予之張力變高之傾向。對使用於此類用途之切割片，要求即使賦予比先前高之張力也不斷裂。在本說明書中，“切割間距”意味著在藉由切割加工而形成之切割線 中，互相平行且最近側兩條切割線之中心線之間之距離。在切割加工藉由旋轉之切割刀片而進行的情況下，向與切割刀片之旋轉方向正交之方向之切割刀片之進刀寬度成為切割間距。
又，還存在為縮短擴張工序之節拍而使切割片之主面內的伸長速度(擴張速度)變快之傾向。具體地說，迄今為止為10mm/秒左右者，也有時會變快至20mm/秒左右，甚至變快至40mm/秒左右。如果擴張速度如此變快，則賦予切割片之張力之面內均勻性會臨時性地降低，產生局部被賦予較高之張力之部分的可能性變高。其結果，如果切割速度變快，則切割片容易斷裂。因此，要求即使在擴張速度較快之情況下也難以斷裂之切割片。在本說明書中，關於切割片之構成要素之一即基材薄膜，將如上所述一樣即使在擴張量增大之情況以及擴張速度較快之情況下也難以斷裂之基材薄膜還稱為“擴張性良好之基材薄膜”。
又，如果如上所述一樣擴張量增加，則在擴張作業之後之切割片中，有時會產生對其後之工序帶來影響之程度之鬆弛。具體地說，如果起因於擴張作業之鬆弛量(將在切割片中之黏貼於環狀框架之部分的下側面作為基準之切割片之底面之垂直方向的間距)過多，則在搬送時，切割片之鬆弛的底面或者其附近容易與異物踫撞，使用切割片時之操作性降低。因此，在切割片之鬆弛量較多之情況下，有時部分加熱其切割片，使構成切割片之基材薄膜熱收縮，而使切割片之鬆弛量減少。在本說明書中，將切割片之鬆弛量基於上述基材薄膜之熱收縮而減少之現象亦稱為“復原”，將能夠提供具有容易產 生該復原之性質及復原量較大之性質之至少一者之切割片之基材薄膜還稱為“復原性良好之基材薄膜”。
本發明之目的在於提供一種在切割工序中難以產生切削片且擴張性及復原性良好之基材薄膜、包括該基材薄膜之切割片以及該基材薄膜之製造方法。
本發明人等為解決上述問題而進行檢討之結果，得到由於包括以下(1)至(5)之構成，容易得到在切割工序中難以產生切削片，且擴張性及復原性良好之基材薄膜之新的所見。
(1)基材薄膜包括切削片抑制層(A)及擴張層(B)。
(2)擴張層(B)具有多個樹脂系層狀體之積層結構。
(3)該多個樹脂系層狀體之中配置於切削片抑制層(A)之最近側之樹脂系層狀體(B1)，10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R1為30%以下。
(4)構成擴張層(B)之多個樹脂系層狀體之中樹脂系層狀體(B1)以外之至少一個樹脂系層狀體(B2)，10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R2為20%以上。
(5)上述應力鬆弛速率R1比上述應力鬆弛速率R2低。
藉由上述所見而得到之本發明如下。
第一，本發明提供一種切割片之基材薄膜，其特徵在於：上述基材薄膜包括：切削片抑制層(A)；及積層於上述切削片抑制層(A)之一側主面上的擴張層(B)，上述擴張層(B)具有多個樹脂系層狀體之積層結構，上述多個樹脂系層狀體中配置於上 述切削片抑制層(A)之最近側之樹脂系層狀體(B1)之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R1(單位：%)與上述多個樹脂系層狀體中上述樹脂系層狀體(B1)以外之至少一種樹脂系層狀體(B2)之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R2(單位：%)滿足用下述式(i)至(iii)表示之條件，上述切削片抑制層(A)含有：含環樹脂(a1)，其係具有芳香族系環及脂肪族系環之至少一種之熱塑性樹脂；非環烯烴系樹脂(a2)，其係該含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(發明1)。
R1≦30% (i)
R2≧20% (ii)
R1<R2 (iii)
在上述發明(發明1)中，對於由用於形成上述樹脂系層狀體(B1)之樹脂組成物(β1)製造之厚度100μm且寬度15mm，並由具有在JIS K7127：1999(ISO 5273：1995)規定之試驗片類型2之形狀之樹脂薄膜構成之試驗片，依據JIS K7161：1994(ISO 5271：1993)，在藉由切割刀片在與寬度方向平行之方向上設置深度20μm之凹槽之狀態下，將夾頭間距離設為100mm，在23℃環境下以200mm/分之速度進行拉伸試驗時，上述試驗片之斷裂伸度也可以是300%以上(發明2)。
在上述發明(發明1)中，相對於上述擴張層(B)之厚度的上述樹脂系層狀體(B1)之厚度的比率也可以是5%以上50%以下(發明3)。
在上述發明(發明1)中，相對於上述擴張層(B)之厚度的上述樹脂系層狀體(B2)之厚度的比率也可以是50%以 上90%以下(發明4)。
在上述發明(發明1)中，相對於上述基材薄膜之厚度的上述擴張層(B)之厚度的比率也可以是20%以上80%以下(發明5)。
第二，本發明提供一種切割片，其特徵在於包含：上述發明(發明1)之基材薄膜；及黏著劑層，其配置於該薄膜之上述切削片抑制層(A)上(發明6)。
第三，本發明提供一種上述發明(發明1)之基材薄膜之製造方法，其特徵在於：包含共擠成形工序，其藉由共擠成形包含用於形成上述切削片抑制層(A)之樹脂組成物(α)、用於形成上述樹脂系層狀體(B1)之樹脂組成物(β1)以及用於形成上述樹脂系層狀體(B2)之樹脂組成物(β2)之三種以上樹脂組成物來得到上述切削片抑制層(A)與上述擴張層(B)之積層體(發明7)。
根據本發明，提供一種即使在擴張量較大之情況及擴張速度較快之情況下，在切割工序中也難以產生切削片，且擴張性及復原性良好之基材薄膜。又，根據本發明，還提供一種包括上述基材薄膜之切割片。此外，根據本發明之製造方法，能夠有效地製造上述基材薄膜。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材薄膜
(A)‧‧‧切削片抑制層
(B)‧‧‧擴張層
(B1)‧‧‧樹脂系層狀體
(B2)‧‧‧樹脂系層狀體
3‧‧‧黏著劑層
圖1為本發明之一實施形態之切割片的剖面圖。
以下，對於本發明之一實施形態之切割片的構成要素及其製造方法等進行說明。
1.基材薄膜
如圖1所示，本發明之一實施形態之切割片1，作為基本構成包括配置於基材薄膜2上的黏著劑層3。該基材薄膜2包括切削片抑制層(A)與積層於切削片抑制層(A)之一側主面上的擴張層(B)。
基材薄膜2，可以由切削片抑制層(A)與擴張層(B)構成，此外也可以積層有其他層。無論在哪一種情況下，在本發明之一實施形態之切割片1中，在基材薄膜2之兩個主面之中，相比擴張層(B)在更靠近切削片抑制層(A)一側之主面上配置有黏著劑層3。
(1)切削片抑制層(A)
切削片抑制層(A)含有：含環樹脂(a1)，其係具有芳香族系環以及脂肪族系環之至少一種之熱塑性樹脂；非環烯烴系樹脂(a2)，其係該含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂。
含環樹脂(a1)與非環烯烴系樹脂(a2)，根據在每一個構成樹脂之高分子實質上是否具有包括環狀骨架之化學結構(環狀結構)方面的不同，密度、抗張彈性、軟化點、流動化溫度、熔體質量流動速率(MFR)等物理性質不同。
從穩定地得到使之含有含環樹脂(a1)之效果(抑制切削片之產生，以下亦稱為“切削片抑制效果”。)的觀點考慮，使切削片抑制層(A)中的含環樹脂(a1)之含量超過3.0質量%為佳，3.5質量%以上為更佳，5.0質量%以上為特佳。另一方面， 從抑制切削片抑制層(A)之加工性的降低等觀點考慮，使切削片抑制層(A)中的含環樹脂(a1)之含量在60質量%以下為佳，55質量%以下為更佳，45質量%以下為更加佳。因此，使切削片抑制層(A)中的含環樹脂(a1)之含量在5.0質量%以上45質量%以下為特佳。又，從更加穩定地得到切削片抑制效果之觀點考慮，使含環樹脂(a1)之含量之相對於非環烯烴系樹脂(a2)之含量的質量比率在0.8至1.25之範圍以外為佳。
接著，詳細說明含環樹脂(a1)及非環烯烴系樹脂(a2)。
(1-1)含環樹脂(a1)
含環樹脂(a1)為具有芳香族系環及脂肪族系環之至少一種的熱塑性樹脂。
芳香族系環係指包括至少一個環狀骨架之化學結構(在本說明書中，將該化學結構稱為“環狀結構”。)，其環狀骨架之至少一個具有滿足休克耳定則而非定域化為環狀之電子。以下，將該具有非定域化為環狀之電子的環狀骨架稱為芳環。芳環大體分類為如苯環那樣的單環及如萘環那樣的縮合環。形成芳環之骨架原子，可以僅由碳組成，也可以是如吡啶、呋喃、噻吩等那樣骨架原子的一個以上為碳以外之元素即雜環。此外，環戊二烯陰離子等非苯型芳環也包含於本實施形態之芳香族系環中。本實施形態之構成芳香族系環之骨架的原子數不受限制，對於該形成骨架之一個以上原子，可以結合有甲基、羥基等官能基。在這種情況下，如四氫萘那樣與芳環相結合的官能基也可以形成為環狀結構。
脂肪族系環係指所有環狀骨架均不具有非定域化為芳香族系環所具有之環狀之電子的環狀結構。換言之，脂肪族系環為由芳環以外的環狀骨架構成之環狀結構。形成脂肪族系環之環狀骨架，可以列舉出如環已烷等單環，如降莰烷、金剛烷等橋環，如十氫萘等縮合環，如螺[4.5]癸烷等螺環。如降莰烯等那樣脂肪族系環之形成環狀骨架之鍵之一部分可以是不飽和鍵，如四氫呋喃那樣脂肪族系環之形成環狀骨架之原子的一部分也可以是碳以外之元素。本實施形態之構成脂肪族系環之骨架原子數並不受限制。對於與脂肪族系環之形成環狀骨架的原子相結合的氫之一個以上，也可以取代有甲基、羥基等官能基。又，如環己酮等環狀酮及γ-丁內酯等內酯那樣，也可以由骨架原子構成羰基。
構成含環樹脂(a1)之熱塑性樹脂(以下，有時稱為高分子。)中之芳香族系環及脂肪族系環之位置為任意。可以形成為構成含環樹脂(a1)之高分子中之主鏈之一部分，也可以作為具有環狀結構之官能基(例如苯基、金剛烷基等)結合於該高分子的主鏈或側鏈。作為由芳香族系環形成主鏈之一部分的高分子，可以列舉出聚對酞酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯等聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺-亞醯胺、聚芳基酮等。作為由脂肪族系環形成主鏈之一部分的高分子，可以列舉出將環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、降莰烯作為單體之降冰片烯樹脂，將降莰烯及乙烯作為單體之共聚物，將四環十二烯及乙烯作為單體之共聚物，將二環戊二烯及乙烯作為單體之共聚物等。作為具有環狀結構之官能基，除上述苯基、金剛烷基之外，還可以 列舉出由茀基、聯苯基等集合環構成的基團。
芳香族系環與脂肪族系環可以包含於一個高分子內，這種情況下之形態，可以由兩者形成主鏈之一部分，也可以由一者或兩者作為官能基結合於主鏈或側鏈。作為後者之例，可以列舉出如乙烯合萘共聚物那樣形成主鏈之一部分之部分為脂肪族系環，但作為官能基具有苯環結構者。
含環樹脂(a1)之理想結構為由包含橋環骨架之環的脂肪族系環構成組成樹脂之高分子之主鏈的至少一部分之結構，作為包括此類結構之樹脂，以降莰烯系單體之開環移位聚合體氫化聚合物(具體地說，可以作為日本ZEON公司製造的ZEONEX(註冊商標)系列而採購。)、降莰烯與乙烯之共聚物(具體地說，可以作為寶理塑料株式會社製造的TOPAS(註冊商標)系列而採購。)、基於二環戊二烯與四環戊十二烯之開環聚合之共聚物(具體地說，可以作為日本ZEON公司製造的ZEONOR(註冊商標)系列而採購。)、乙烯與四環十二烯之共聚物(具體地說，可以作為三井化學公司製造的APELLE(註冊商標)系列而採購。)、將二環戊二烯及異丁烯酸酯作為原料之包含極性基之環烯樹脂(具體地說，可以作為JSR公司製造的ARTON(註冊商標)系列而採購。)等為佳。
又，含環樹脂(a1)為由芳香族系環構成組成樹脂之高分子之主鏈的至少一部分之結構也較佳。作為包括此類結構的樹脂，以苯乙烯-丁二烯共聚物(具體地說，作為旭化成化學株式會社製造的ASAFLEX系列、電器化學工業社製造的CLEAREN系列、雪彿龍菲利普斯(Chevron Phillips)公司製造的 K-RESIN系列、BASF公司製造的STYLO LUX系列、ATOFINA公司製造的FINA CLEAR系列而可以採購。)等為佳。
構成含環樹脂(a1)之高分子可以是一種，也可以是混合多種高分子而成者。在本說明書中，所謂高分子的種類不同係指分支之狀態(即，高分子的架構)、分子量、構成高分子之單體之混合平衡以及構成高分子之單體的組成與該等之組合對物理性質等帶來較大影響程度地不同。
含環樹脂(a1)也可以具有交聯結構。形成交聯結構之交聯劑之種類為任意，較典型的有如雙異苯丙基過氧化物等有機過氧化物及具有環氧基之化合物。交聯劑可以在構成含環樹脂(a1)之高分子的同一種類之間交聯，也可以在不同種類的高分子之間交聯。交聯劑之結合部位也任意。可以與在構成含環樹脂(a1)之高分子中之構成主鏈的原子交聯，也可以與側鏈及官能基等構成主鏈以外之原子交聯。交聯之程度也任意，但如果交聯之程度進行過度，則存在包含含環樹脂(a1)之切削片抑制層(A)之加工性(特別是成形性)過度降低，或者切削片抑制層(A)之表面性狀過度劣化，或者切削片抑制層(A)之耐脆性降低之慮，故應該使其停留在不發生此類問題之範圍。
含環樹脂(a1)可以是具有結晶性者，也可以是非晶質。從與非環烯烴系樹脂(a2)混合而成形於薄膜上的觀點考慮，含環樹脂(a1)以非晶質為佳。
(1-2)非環烯烴系樹脂
非環烯烴系樹脂(a2)由上述含環樹脂(a1)以外之、即實質上不具有芳香族系環及脂肪族系環之任一的烯烴系熱塑性樹 脂組成。在本實施形態中，烯烴系熱塑性樹脂，如前所述，意味著即為將烯烴作為單體之均聚物及共聚物以及將烯烴與烯烴以外的分子作為單體之共聚物且基於聚合後之樹脂中的烯烴單位之部分的質量比率為1.0質量%以上的熱塑性樹脂之總稱。
本實施形態之構成非環烯烴系樹脂(a2)之高分子可以是線狀，也可以具有側鏈。又，也可以具有非環型官能基，其種類及取代密度為任意。可以是如烷基那樣反應性較低的官能基，也可以是如羰基那樣反應性較高之官能基。
非環烯烴系樹脂(a2)由至少一種非環聚烯烴(在本說明書中，“非環聚烯烴”意味著將不具有環狀結構之烯烴作為單體之均聚物及共聚物之總稱。)構成為佳。在非環烯烴系樹脂(a2)由非環聚烯烴構成之情況下，非環烯烴系樹脂(a2)與含環樹脂(a1)之物理性質之不同更加明顯，故容易得到切削片抑制效果。在非環聚烯烴中之分支的程度不受特別限定。
作為非環烯烴系樹脂(a2)之具體例，可以列舉出聚乙烯(線性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-烯烴共聚物(將乙烯與乙烯以外之烯烴作為單體之共聚物)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯系共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等。
構成非環烯烴系樹脂(a2)之高分子可以是一種，也可以是混合多種高分子而成者。
作為非環烯烴系樹脂(a2)，以聚乙烯(線性低密度 聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-烯烴共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯系共聚物為佳，以聚乙烯(低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-烯烴共聚物為更佳。
作為構成乙烯-烯烴共聚物之烯烴，可以列舉出例如丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、4-甲-1-戊烯等丙烯，碳數為4個以上18個以下之α烯烴單體等。
在上述非環烯烴系樹脂(a2)為乙烯-烯烴共聚物之情況下，只要聚合後之樹脂中之基於乙烯單位的部分之質量比率為1.0質量%以上即可。如果基於乙烯單位之部分的質量比率在上述範圍，則可穩定地得到切削片抑制效果。
從使非環烯烴系樹脂(a2)與含環樹脂(a1)之間的物理性質之不同變大而穩定地得到切削片抑制效果之觀點考慮，上述聚合後之樹脂中之基於乙烯單位之部分的質量比率較佳為20質量%以上，更佳為50質量%以上，更加佳為70質量%以上。
此處，非環烯烴系樹脂(a2)也可以具有交聯結構。形成交聯結構之交聯劑之種類為任意，較典型的有如雙異苯丙基過氧化物等有機過氧化物及具有環氧基之化合物。交聯劑可以在構成非環烯烴系樹脂(a2)之高分子的同一種類之間交聯，也可以在不同種類的高分子之間交聯。交聯劑之結合部位也任意。交聯劑，可以與在構成非環烯烴系樹脂(a2)之高分子中之構成主鏈的原子交聯，也可以與側鏈及官能基等構成主鏈以外 之原子交聯。交聯之程度也任意，但如果交聯之程度進行過度，則存在顯示非環烯烴系樹脂(a2)與含環樹脂(a1)之物理性質之差變小，抑制切削片之產生的功能低下之傾向之慮。因此，應該將交聯之程度停留在不發生此類問題之範圍。
如果將本實施形態之非環烯烴系樹脂(a2)中之熱塑性之理想程度以熔體質量流動速率(190℃、2.16kgf)之範圍來顯示，則為0.5g/10分以上10g/10分以下，如果為2.0g/10分以上7g/10分以下，則更佳。從實現在切削片抑制層(A)中之良好的相分離結構的觀點考慮，非環烯烴系樹脂(a2)之熔體質量流動速率，較佳為含環樹脂(a1)之熔體質量流動速率之同等以上。
非環烯烴系樹脂(a2)可以是非晶質，也可以具有結晶性。
(1-3)切削片抑制層(A)中之其他成分
除上述含環樹脂(a1)及非環烯烴系樹脂(a2)之外，切削片抑制層(A)也可以含有其他成分。作為此類其他成分，可以列舉出異戊二烯橡膠及腈橡膠、丙烯酸橡膠、胺酯橡膠、丁二烯橡膠或其共聚物等熱塑性彈性體樹脂。該等其他成分之切削片抑制層(A)中之含量，設定在可以得到切削片抑制層(A)之切削片抑制效果的範圍為佳。
(2)擴張層(B)
擴張層(B)具有多個樹脂系層狀體之積層結構。該構成積層結構之多個樹脂系層狀體，包括配置於切削片抑制層(A)之最近側之樹脂系層狀體(B1)及該樹脂系層狀體(B1)以外之樹脂系層狀體(B2)。
(2-1)樹脂系層狀體(B1)
配置於切削片抑制層(A)之最近側之樹脂系層狀體(B1)，10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R1為30%以下。即，樹脂系層狀體(B1)之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R1滿足下述式(i)。
R1≦30% (i)
樹脂系層狀體(B1)滿足上述式(i)所示之條件，樹脂系層狀體(B2)滿足後述之式(ii)所示之條件，此外樹脂系層狀體(B1)與樹脂系層狀體(B2)具有後述之式(iii)所示之關係，故可以得到擴張性及復原性良好之基材薄膜2。從更加穩定地得到擴張性及復原性良好的基材薄膜2之觀點考慮，樹脂系層狀體(B1)之10%延伸5分鐘後之應力鬆弛速率R1，較佳為25%以下，更佳為20%以下。樹脂系層狀體(B1)之10%延伸5分鐘之後之應力鬆弛速率R1，也可以具有起因於製造工序之異向性。
樹脂系層狀體(B1)之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R1測定，如下進行。根據用於形成樹脂系層狀體(B1)之樹脂組成物(β1)，製作厚度100μm且寬度15mm，並且具有JIS K7127：1999(ISO 5237：1995)規定之試驗片類型2之形狀的樹脂薄膜，將其作為試驗片。依據JIS K7161：1994(ISO 5271：1993)，將夾頭間距離設為100mm，在室溫(23℃)下以200mm/分之速度對該試驗片進行拉伸，在使試驗片延伸10%時使試驗片之伸長停止。此外，將該延伸10%之狀態保持5分鐘，根據伸長10%時之試驗片之抗張應力(測定負載)FA與上述5分鐘保持結束時之試驗片之抗張應力(測定負載)FB，並藉由下述式(I)可以計 算出10%延伸5分鐘之後之應力鬆弛速率R1(單位：%)。
(FA-FB)/FA×100 (I)
另外，在提供上述試驗片之樹脂薄膜為藉由擠出成形製造者之情況下，製作以樹脂薄膜之成形時之擠出方向(MD)為拉伸方向之試驗片以及以與樹脂薄膜之成形時之擠出方向正交之方向(CD)為拉伸方向之試驗片，對該兩者測定上述10%延伸5分鐘之後之應力鬆弛速率，將該等測定結果之平均值作為由該樹脂薄膜組成之試驗片之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率。
對於由用於形成樹脂系層狀體(B1)之樹脂組成物(β1)製造之厚度100μm且寬度15mm，並由具有在JIS K7127：1999(ISO 5273：1995)規定之試驗片類型2之形狀之樹脂薄膜構成之試驗片，在藉由切割刀片在與寬度方向平行之方向上設置深度20μm之凹槽之狀態下，依據JIS K7161：1994(ISO 5271：1993)，將夾頭間距離設為100mm，在23℃環境下以200mm/分之速度進行拉伸試驗時，上述試驗片之斷裂伸度為300%以上。由於該斷裂伸度為300%以上，故容易更穩定地得到擴張性及復原性良好之基材薄膜2。上述斷裂伸度，更佳為400%以上，特別佳為500%以上。樹脂系層狀體(B1)之斷裂伸度，也可以具有起因於製造工序之異向性。
樹脂系層狀體(B1)之厚度不受特別限定。在樹脂系層狀體(B1)過薄之情況下，擴張層(B)整體之物理性質受後述之樹脂系層狀體(B2)支配而可能會失去設置樹脂系層狀體(B1)之意義，在樹脂系層狀體(B1)過厚之情況下，擴張層(B)整體之物理性質受後述之樹脂系層狀體(B1)支配而可能會失去設置樹 脂系層狀體(B2)之意義，考慮以上而適當設置即可。樹脂系層狀體(B1)之厚度，通常較佳為5μm以上150μm以下，更佳為10μm以上100μm以下，特別佳為15μm以上50μm以下。樹脂系層狀體(B1)之厚度之相對於擴張層(B)之厚度的比率也不受特別限定。該比率，通常較佳為5%以上50%以下，更佳為15%以上45%以下，特別佳為25%以上40%以下。
樹脂系層狀體(B1)之組成，只要滿足有關上述之應力鬆弛速率之條件，並不受特別限定。構成樹脂系層狀體(B1)之樹脂，可以由一種構成，也可以由多種構成。
作為構成樹脂系層狀體(B1)之樹脂之具體例，可以列舉出線性聚乙烯(在本說明書中，“線性聚乙烯”意味著乙烯與α烯烴(在α位中具有乙烯性不飽和鍵之碳數為4個以上之烯屬烴)之共聚物。)、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3以上，低於930kg/m3)、超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3以上，低於910kg/m3)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-乙酸乙烯酯-順丁烯二酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-順丁烯二酐共聚物、聚丙烯、丙烯與α烯烴之共聚物、α烯烴聚合物(可以是均聚物，也可以是共聚物。)、苯乙烯系彈性體等。另外，在本說明書中，未作特別限定之密度之值意味著在23℃下之測定值。
作為具體一例，樹脂系層狀體(B1)將線性聚乙烯作為主樹脂。在本說明書中，“主樹脂”，在構成樹脂系層狀體之樹脂為一種之情況下，意味著該樹脂，在該樹脂為多種之情況 下，意味著在該等樹脂中含量(單位：質量%)最高者。線性聚乙烯之具體結構不受特別限定。作為提供線性聚乙烯之單體的α烯烴，可以列舉出1-丁烯、1-己烯、1-辛烯等。線性聚乙烯可以由一種聚合物構成，也可以是物理性質有些不同之多種聚合物之混合物。
在樹脂系層狀體(B1)將線性聚乙烯作為主樹脂之情況下，從更加穩定地得到擴張性及復原性良好的基材薄膜2之觀點考慮，樹脂系層狀體(B1)含有線性聚乙烯50質量%以上為佳，含有60質量%以上為更佳，含有70質量%以上為特別佳。樹脂系層狀體(B1)可以是由線性聚乙烯組成者。
線性聚乙烯之密度不受特別限定。從更加穩定地得到擴張性及復原性良好的基材薄膜2之觀點考慮，線性聚乙烯之密度，較佳為860kg/m3以上而低於940kg/m3，更佳為870kg/m3以上而低於935kg/m3，更加佳為890kg/m3以上而低於930kg/m3，特別佳為910kg/m3以上而低於930kg/m3。
(2-2)樹脂系層狀體(B2)
樹脂系層狀體(B2)，與樹脂系層狀體(B1)之情況同樣地定義之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R2為20%以上。即，應力鬆弛速率R2滿足以下式(ii)。
R2≧20% (ii)
樹脂系層狀體(B1)之10%延伸5分鐘後之應力鬆弛速率R1與樹脂系層狀體(B2)之10%延伸5分鐘後之應力鬆弛速率R2，具有下述式(iii)所示之關係。
R1<R2 (iii)
擴張層(B)包括滿足上述式(ii)及(iii)之條件的樹脂系層狀體(B2)，因此可以得到擴張性及復原性良好之基材薄膜2。從更加穩定地得到擴張性及復原性良好的基材薄膜2之觀點考慮，上述樹脂系層狀體(B2)之應力鬆弛速率R2在23%以上為更佳，26%以上為更加佳，30%以上為特別佳。
樹脂系層狀體(B2)之厚度不受特別限定。在樹脂系層狀體(B2)過薄之情況下，擴張層(B)整體之物理性質可能會受樹脂系層狀體(B1)之支配而失去設置樹脂系層狀體(B2)之意義，在樹脂系層狀體(B2)過厚之情況下，由於樹脂系層狀體(B1)之厚度相對變得過薄，可能會失去設置樹脂系層狀體(B1)之意義，考慮以上而適當設置即可。樹脂系層狀體(B2)之厚度，通常較佳為15μm以上200μm以下，更佳為25μm以上150μm以下，特別佳為35μm以上100μm以下。樹脂系層狀體(B2)之厚度之相對於擴張層(B)之厚度的比率也不受特別限定。該比率，通常較佳為50%以上95%以下，更佳為50%以上90%以下，更加佳為55%以上85%以下，更佳為55%以上80%以下，特別佳為60以上75%以下，最佳為60%以上70%以下。
樹脂系層狀體(B2)之組成，只要滿足有關上述之應力鬆弛速率之條件，則不受特別限定。構成樹脂系層狀體(B2)之樹脂，可以由一種構成，也可以由多種構成。
作為構成樹脂系層狀體(B2)之樹脂，可以列舉出低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3以上，低於930kg/m3)、超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3以上，低於910kg/m3)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、 乙烯-乙酸乙烯酯-順丁烯二酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-順丁烯二酐共聚物、聚丙烯、丙烯與α烯烴之共聚物、苯乙烯系彈性體等。
作為用於形成乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物之(甲基)丙烯酸酯的具體例，可以列舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸羥乙酯等。
在具體之一例中，樹脂系層狀體(B2)將乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或者乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物(在本說明書中，將該等共聚物統稱為“乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物”。)作為主樹脂。由於擴張層(B)包括此類樹脂系層狀體(B2)，因此可以得到擴張性及復原性良好之基材薄膜2。
相對於乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物所具有之整個構成單位之來源於乙烯之構成單位之莫耳分率，較佳為89%以上，更佳為90%以上，特別佳為91%以上。將樹脂系層狀體(B2)作為主樹脂之乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物，可以由一種聚合物構成，也可以由多種聚合物構成。
所謂樹脂系層狀體(B2)也可以含有的樹脂之一種即“苯乙烯系彈性體”，在本說明書中係指包含苯乙烯或來源於其衍生物(苯乙烯系化合物)之結構單位之共聚物，且在包含常溫之溫度區具有橡膠態之彈性，並具有熱塑性之材料。作為苯乙烯系彈性體，可以列舉出苯乙烯-共軛二烯共聚物以及苯乙烯-烯烴共聚物等。作為苯乙烯-共軛二烯共聚物之具體例，可以列舉出苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚 物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等非加氫苯乙烯-共軛二烯共聚物，苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物之水添加物)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS，苯乙烯-丁二烯共聚物之氫添加物)等氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物等。又，工業上，可以列舉出Tufpren(旭化成株式會社製造)、Kraton(Kraton Polymers日本公司製造)、住友TPE-SB(住友化學株式會社製造)、Epofriend(大賽璐(Daicel)化學工業公司製造)、Rabaron(三菱化學株式會社製造)、SEPTON(可樂麗公司製造)、Tuftec(旭化成株式會社製造)等商品名。苯乙烯系彈性體，可以由一種樹脂構成，也可以是多種樹脂之混合物。
(2-3)擴張層(B)之其他構成等
擴張層(B)，可以由上述樹脂系層狀體(B1)及樹脂系層狀體(B2)構成，只要作為擴張層(B)發揮規定之功能，也可以包括該等層狀體以外之層狀體。
(3)基材薄膜2之其他構成
本實施形態之基材薄膜2之厚度，通常為40μm以上300μm以下，較佳為60μm以上200μm以下。切削片抑制層(A)之厚度，通常為20μm以上120μm以下，較佳為40μm以上100μm以下。如果切削片抑制層(A)為上述之厚度，則容易更加穩定地得到切削片抑制效果。擴張層(B)之厚度，通常為20μm以上280μm以下，較佳為40μm以上200μm以下。在擴張層(B)過薄之情況下， 即使構成擴張層(B)之樹脂系層狀體(B1)及樹脂系層狀體(B2)具有上述之機械特性，有時也難以得到擴張性及復原性良好之基材薄膜2。相對於基材薄膜2之厚度的擴張層(B)之厚度的比率，較佳為20%以上80%以下。在該比率過低之情況下，最終擴張層(B)變得過薄，如上所述，有可能難以得到擴張性及復原性良好之基材薄膜2。另一方面，在上述比率過高之情況下，最終切削片抑制層(A)變得過薄，有可能難以穩定地得到切削片抑制效果。
本實施形態之基材薄膜2之抗張彈性，較佳為80MPa以上300MPa以下。如果抗張彈性低於80MPa，則有時在向切割片1黏貼晶圓之後固定於環狀框架時，由於基材薄膜2柔軟而發生鬆弛，成為出現搬送錯誤之原因。另一方面，如果基材薄膜2之抗張彈性超過300MPa，則在擴張工序時施加之負載變大，故可能會發生切割片1自身從環狀框架被剝離掉等問題。
(4)基材薄膜2之製造方法
基材薄膜2之製造方法不受特別限定。可以列舉出T字模法、圓板牙造模法等熔融擠出法，壓延法，乾法、濕法等溶液法等，可以為其中任一方法。考慮切削片抑制層(A)所包含之含環樹脂(a1)及非環烯烴系樹脂(a2)與擴張層(B)之樹脂系層狀體(B1)也可以含有的線性聚乙烯以及苯乙烯系聚合物與樹脂系層狀體(B2)也可以含有的乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物均為熱塑性樹脂，從生產率較高地製造基材薄膜2之觀點考慮，採用熔融擠出法或壓延法為佳。在該等之中，在藉由熔融擠出法製造之情況下，分別捏合構成切削片抑制層(A)及擴張層(B)之 成分，從所得到的捏合物直接或一旦製造顆粒之後，使用公知之擠出機制模即可。
2.切割片中之其他構成要素
作為在切割片1中之基材薄膜2以外的構成要素，可以列舉出在基材薄膜2之兩個主面之中，相比擴張層(B)在更靠近切削片抑制層(A)之主面上配置的黏著劑層3以及於保護該黏著劑層3之與基材薄膜2相對一側相反一側之面，即用黏貼於被切割物之面的剝離片。
(1)黏著劑層3
作為構成黏著劑層3之黏著劑，並不受特別限定，可以使用作為切割片通常使用者，例如可以使用橡膠系、丙烯酸系、矽氧系、聚乙烯醚系等黏著劑，又，也可以是能量線硬化型(包含紫外線硬化型)及加熱發泡型與加熱硬化型之黏著劑。又，在本實施形態中之切割片1作為切割晶粒結著片使用之情況下，可以使用同時兼備晶圓固定功能和晶粒黏著功能之黏著劑、熱塑黏著劑、B階段黏著劑等。
黏著劑層3之厚度，通常為3μm至100μm，較佳為5μm至80μm左右。
(2)剝離片
用於保護黏著劑層3之剝離片為任意。
作為剝離片，可以使用例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對酞酸乙二酯薄膜、聚乙烯萘二甲酸薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯乙酸乙烯 酯薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等。又，也可以使用該等之交聯薄膜。此外，也可以是該等多個薄膜積層之積層薄膜。
對於上述剝離片之剝離面(特別是與黏著劑層3接觸之面)，較佳為實施剝離處理。作為使用於剝離處理之剝離劑，可以列舉出例如醇酸系、矽氧系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯系、蠟系剝離劑。
另外，對於剝離片之厚度並不特別限制，通常為20μm~150μm左右。
3.切割片1之製造方法
由上述基材薄膜2與黏著劑層3以及根據需要而使用之剝離片等積層體構成之切割片1之製造方法，不受特別限定。
若對切割片1之製造方法舉出幾個例，則如下。
(i)在剝離片上形成黏著劑層3，在其黏著劑層3上壓接基材薄膜2並積層。此時，黏著劑層3之形成方法為任意。
若列舉黏著劑層3之形成方法之一例，則如下。製備含有用於形成黏著劑層3之黏著劑組成物以及根據需求進而含有溶劑之塗覆劑。藉由輥式塗佈機、刀式塗佈機、輥刀式塗佈機、氣動刮刀塗佈機、壓鑄模塗佈機、塗佈棒、凹板塗佈機、簾塗佈機等塗佈機，塗敷於基材薄膜2之兩個主面中相對擴張層(B)更靠近切削片抑制層(A)側之主面。藉由使基材薄膜2上之由塗覆劑組成之層乾燥而形成黏著劑層3。
作為除上述方法以外之例，也可以將形成為其他片狀之黏著劑層3黏貼至基材薄膜2。
(ii)形成基材薄膜2，在其上形成黏著劑層3，根據需要進而積層剝離片。此時之黏著劑層3之形成方法，如上所述為任意。
作為除上述(i)、(ii)之方法以外之例，也可以將形成為其他片狀之黏著劑層3黏貼至基材薄膜2。
4.晶片之製造方法
對使用本實施形態之切割片製造晶片之方法進行說明。
首先，將本實施形態之切割片1之黏著劑層3之面黏貼至被切割物之一側主面上。在黏著劑層3之面藉由剝離片而被保護之情況下，只要剝離其剝離片而使黏著劑層3之面展示出即可。在使用黏貼裝置對該被切割物進行切割片1之黏貼之情況下，通常也對環狀框架進行切割片1之黏貼。如此，可以得到黏貼於切割片1中的被切割物位於環狀框架之開口部內的積層結構體。
其次，將上述積層結構體載置於切割台上，從與被切割物之與黏著劑層3相對一側之相反一側之面進行切割加工，將被切割物個片化(切割工序)。經過該切割工序，被切割物被個片化而成之多個晶片以互相靠近之狀態配置於切割片1上。在該狀態下拾取一個晶片時，該晶片可能會與其鄰接的晶片接觸，如果發生此類晶片接觸，則發生不恰當地進行拾取或者晶片碎裂等品質上之問題的可能性增高。因此，在切割工序之後，進行向切割片1賦予張力之擴張工序。如果向切割 片1賦予張力，則切割片1向主面內方向伸長而晶片間距離增大，其後之晶片之拾取變得容易。
如上所述，近年來，有擴張工序中之切割片之伸長量(擴張量)增大之傾向。具體而言，擴張量通常被規定為切割片之拉下量，該拉下量近年來有時為10mm左右至20~40mm左右。即使在這樣的情況下，只要使用本實施形態之包括基材薄膜2之切割片1，則難以發生基材薄膜2之斷裂。因此，在使用本實施形態之包括基材薄膜2之切割片1之情況下，即使在擴張量較大之情況下，在擴張工序中也難以發生故障。
又，近年來，有擴張工序中之切割片之伸長速度(擴張速度)也增大之傾向。具體而言，曾經為10mm/秒左右之擴張速度，近年來，有時為20~40mm/秒左右。即使在這樣的情況下，只要使用本實施形態之包括基材薄膜2之切割片1，則難以發生基材薄膜2之斷裂。因此，在使用本實施形態之包括基材薄膜2之切割片1之情況下，即使在擴張速度較快之情況下，在擴張工序中也難以發生故障。
此外，本實施形態之基材薄膜2之較理想的一例，其復原性也良好。包括復原性也良好之基材薄膜2之切割片1，擴張工序之後的鬆弛量(以切割片1中之黏貼於環狀框架之部分之下側面為基準之、切割片1之底面之垂直方向之間距)較少，或者藉由在50℃~70℃左右之溫度下加熱30秒~數分鐘，鬆弛量也容易降低。在該鬆弛量過大之情況下，搬送時，切割片之鬆弛的底面或者其附近容易與異物踫撞，使用切割片時之操作性降低。
以上說明之實施形態，其係為使對本發明之理解容易而記述者，而並非為限定本發明而記述者。因此，在上述實施形態中所揭示之各要素，其宗旨為還包含屬於本發明之技術範圍之所有設計變更與等價物。
【實施例】
以下，根據實施例等更具體地說明本發明，但是本發明之範圍並不僅限於該等實施例等。
〔實施例1〕
(基材薄膜之製作)
將作為含環樹脂(a1)之環烯烴共聚物(寶理塑料株式會社製造，產品名稱：TOPAS(註冊商標)8007)30質量份與作為非環烯烴系樹脂(a2)之低密度聚乙烯(住友化學株式會社製造，產品名稱：Sumikathene(註冊商標)L705)70質量份，在210℃下用雙軸捏合機(東洋精機製作所株式會社製造，LABO PLASTOMILL)進行熔融捏合，得到用於形成切削片抑制層(A)之樹脂組成物(α)。
將線性聚乙烯(普瑞曼聚合物(Prime Polymer)公司製造，產品名稱：EVOLUE(註冊商標)SP2040)100質量份，在210℃下用雙軸捏合機(東洋精機製作所株式會社製造，LABO PLASTOMILL)進行熔融捏合，得到用於形成樹脂系層狀體(B1)之樹脂組成物(β1)。
將乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物之一種即乙烯-甲基丙烯酸共聚物(DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS公司製造，產品名稱：NUCREL(註冊商標)N0903HC)100質量份， 在210℃下用雙軸捏合機(東洋精機製作所株式會社製造，LABO PLASTOMILL)進行熔融捏合，得到用於形成樹脂系層狀體(B2)之樹脂組成物(β2)。
使用所得到之樹脂組成物(α)、樹脂組成物(β1)以及樹脂組成物(β2)，藉由小型T字模擠出機(東洋精機製作所株式會社製造，LABO PLASTOMILL)進行共擠成形。其結果，得到由厚度20μm之樹脂系層狀體(B1)與在樹脂系層狀體(B1)之一側主面上積層之厚度40μm之切削片抑制層(A)以及積層為與樹脂系層狀體(B1)之另一側主面接觸之厚度40μm之樹脂系層狀體(B2)構成，換言之，包括40μm之切削片抑制層(A)與在切削片抑制層(A)之一側主面上積層之60μm之擴張層(B)，且擴張層(B)由厚度20μm之樹脂系層狀體(B1)與厚度40μm之樹脂系層狀體(B2)構成之厚度100μm的基材薄膜。
(黏著劑之製備)
混合對n-丁基丙烯酸酯95質量份以及丙烯酸5質量份進行共聚合而成之共聚物(Mw：500000)100質量份、聚氨酯丙烯酸酯低聚物(Mw：8000)120質量份、異氰酸酯系硬化劑(Nippon Polyurethane公司，CORONATEL)5質量份、光聚合引發劑(Ciba Specialty Chemicals K.K.公司製造，IRGACURE 184)4質量份，得到能量線硬化性黏著劑組成物。
將所得到的能量線硬化性黏著劑組成物塗敷於矽氧處理之剝離薄膜(琳得科株式會社製造，SP-PET3811(S))上使乾燥後之膜厚達到10μm，在100℃下乾燥一分鐘，形成由黏著劑層與剝離薄膜組成之積層體。接著，將該積層體貼合於 上述基材薄膜之切削片抑制層(A)側之主面，將積層體中之黏著劑層轉錄在基材薄膜上，將其作為切割片。
〔實施例2〕
在實施例1中，除將為形成樹脂組成物(β1)而使用之樹脂種類變更為其他線性聚乙烯(宇部丸善聚乙烯株式會社製造，產品名稱：UMERIT(註冊商標)2040F)之外，與實施例1同樣地製造切割片。
〔實施例3〕
在實施例1中，除將為形成樹脂組成物(β2)而使用之樹脂種類變更為其他乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物即乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(住友化學株式會社製造，產品名稱：ACRYFT(註冊商標)WD301)之外，與實施例1同樣地製造切割片。
〔實施例4〕
在實施例1中，除將為形成樹脂組成物(β1)而使用之樹脂種類變更為苯乙烯系聚合物(旭化成株式會社製造，產品名稱：Tuftec(註冊商標)H1052)之外，與實施例1同樣地製造切割片。
〔實施例5〕
在實施例2中，除分別將樹脂系層狀體(B1)以及樹脂系層狀體(B2)之厚度變更為30μm之外，與實施例2同樣地製造切割片。
〔實施例6〕
在實施例1中，除將為形成樹脂組成物(β1)而使用之樹脂種類變更為其他線性聚乙烯(宇部丸善聚乙烯株式會社製造，產 品名稱：UMERIT(註冊商標)3540F)，將樹脂系層狀體(B1)之厚度變更為10μm，將樹脂系層狀體(B2)之厚度變更為50μm之外，與實施例1同樣地製造切割片。
〔比較例1〕
在實施例1中，除將為形成樹脂組成物(β1)而使用之樹脂種類變更為與實施例1中之樹脂組成物(β2)同種之材料之外，與實施例1同樣地製造切割片。
〔比較例2〕
在實施例1中，除將為形成樹脂組成物(β2)而使用之樹脂種類變更為與實施例1中之樹脂組成物(β1)同種之材料之外，與實施例1同樣地製造切割片。
〔比較例3〕
在實施例1中，除將為形成樹脂組成物(β2)而使用之樹脂種類與為形成樹脂組成物(β1)而使用之樹脂種類進行交換之外，與實施例1同樣地製造切割片。
〔比較例4〕
在實施例1中，除將為形成樹脂組成物(β1)而使用之樹脂種類變更為其他線性聚乙烯(普瑞曼聚合物公司製造，產品名稱：EVOLUE(註冊商標)SP4030)之外，與實施例1同樣地製造切割片。
在表1中綜合顯示以上實施例及比較例之條件。
在表中，將實施例1與3以及比較例2與3之線性聚乙烯顯示為“線性聚乙烯1”，將實施例2及5之線性聚乙烯顯示為“線性聚乙烯2”，將實施例6之線性聚乙烯顯示為“線性聚乙烯3”，將比 較例4之線性聚乙烯顯示為“線性聚乙烯4”，將實施例1、2及4~6以及比較例1、3及4之乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物顯示為“乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物1”，將實施例3之乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物顯示為“乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物2”。
【表1】
〔試驗例1〕(應力鬆弛速率之測定)
使用在實施例及比較例中製備的用於形成樹脂系層狀體(B1)之樹脂組成物(β1)及用於形成樹脂系層狀體(B2)之樹脂組成物(β2)，以與上述基材薄膜相同之方法，分別製造100μm厚之單層樹脂薄膜(B1')及樹脂薄膜(B2')。
對於各個由樹脂組成物(β1)製作之樹脂薄膜(B1')及由樹脂組成物(β2)製作之樹脂薄膜(B2')，切割為寬度15mm、長度150mm，且具有JIS K7127：1999(ISO 5273：1995)所規定之試驗片類型2之形狀的試驗片。對於所得到之試驗片，依據JIS K7161：1994(ISO 5271：1993)，測定在23℃下10%延伸5分鐘之後之應力鬆弛速率(單位：%)。具體地說，使用張力試驗機(島津製作所製造之自動立體測圖儀AG-IS 500N)將夾頭間距離設定為100mm之後，以200mm/分之速度對上述試驗片進行拉伸試驗，使其延伸10%並停止(夾頭間距離：110mm)而進行。此時之應力鬆弛速率，根據延伸10%時之測定負載(抗張應力)FA與延伸停止5分鐘後之測定負載(抗張應力)FB，並藉由(FA-FB)/FA×100(%)計算出。另外，10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率之測定為，製作以樹脂薄膜成形時之擠出方向(MD)為拉伸方向之試驗片以及以與樹脂薄膜之成形時之擠出方向正交之方向(CD)為拉伸方向之試驗片，對該兩者測定上述10%延伸5分鐘之後之應力鬆弛速率，將該等測定結果之平均值作為由該樹脂薄膜組成之試驗片之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率。將如上求得之應力鬆弛速率R1及應力鬆弛速率R2顯示在表2。
〔試驗例2〕(斷裂伸度之測定)
藉由與試驗例1同樣之製造方法，製造長度方向140mm、寬度方向15mm以及厚度100μm，且具有JIS K7127：1999(ISO 5273：1995)所規定之試驗片類型2之形狀的由樹脂薄膜(B1')組成之試驗片。在所得到之試演片之長度方向中央部分，在與寬度方向平行之方向，使用切割刀片切割出深度20μm之凹槽。然後，在夾頭間距離為100mm，以200mm/分之速度與試驗例1之情況同樣地進行拉伸試驗，還進行斷裂伸度(單位：%)之測定。具體地說，以200mm/分之速度進行拉伸試驗，藉由將各試驗片斷裂時之夾頭間距離除以試驗前之夾頭間距離即100mm來求出斷裂伸度。另外，對於斷裂伸度，在樹脂薄膜(B1')成形時之擠出方向(MD)以及與其正交之方向(CD)兩者進行，將各個結果顯示於表2。
〔試驗例3〕(撕裂性評價)
藉由與試驗例1同樣之製造方法，製造出長度方向140mm、寬度方向15mm以及厚度100μm，且具有JIS K7127：1999(ISO 5273：1995)所規定之試驗片類型2之形狀的由樹脂薄膜(B1')或樹脂薄膜(B2')組成之試驗片。在所得到之試驗片之長度方向中央部分，在與寬度方向平行之方向，使用切割刀片切割出深度20μm之凹槽。然後，在夾頭間距離為100mm，以200mm/分之速度與試驗例1之情況同樣地進行拉伸試驗，計算出斷裂伸度。基於所得到之斷裂伸度，並按照以下評價標準評價撕裂性。
A：斷裂伸度為300%以上
B：斷裂伸度低於300%
在A之情況下判定為撕裂性良好，在B之情況下判定為撕裂性不良。將結果顯示於表2。
〔試驗例4〕(擴張性評價)
在向實施例及比較例中製造之切割片之黏著劑層黏貼6英寸之矽晶圓之後，將該切割片安裝於平面型框架，藉由厚度20μm之金剛石刀片對切割片上之晶圓進行全切割之切割加工，得到10mm×10mm角之晶片。
然後，使用擴張夾具(NEC Machinery公司製造Die Bonder，產品名稱：CSP-100VX)，將處於在其一側主面上黏貼有晶片之狀態下的切割片以300mm/分之速度拉下10mm(條件1)或者以300mm/分之速度拉下30mm(條件2)，從而實施擴張工序。對於擴張工序後之切割片，觀察是否發生斷裂。觀察時，按照以下評價標準進行評價。
A：在兩個條件中均未確認斷裂
B：在一個條件中確認斷裂
C：在兩個條件中均確認斷裂
對A及B判定為良好，將C判定為不良。將結果顯示於表2。
〔試驗例5〕(復原性評價)
對於在試驗例4中之條件1下進行擴張工序後之切割片，藉由乾燥器供給溫度50℃~70℃之熱風一分鐘。測定其後之切割片之鬆弛量(將切割片中之環狀框架上黏貼之部分作為基準之切割片之底面之垂直方向之間距)。對於所測定之鬆弛量，按照以下標準進行評價。
A：鬆弛量為6mm以下
B：鬆弛量為6mm以上，10mm以下
C：鬆弛量為10mm以上
對A及B判定為良好，將C判定為不良。將結果顯示於表2。
由表2可知，在實施例中製造之切割片，其切削片抑制效果得到認可，並且擴張工序後難以發生斷裂。
【產業上之可利用性】
本發明之切割片用基材薄膜，可較佳地使用於在切割半導體晶圓及各種組件類等時使用之切割片之構成構件上。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材薄膜
(A)‧‧‧切削片抑制層
(B)‧‧‧擴張層
(B1)‧‧‧樹脂系層狀體
(B2)‧‧‧樹脂系層狀體
3‧‧‧黏著劑層

Claims (7)

  1. 一種基材薄膜，係切割片之基材薄膜，其特徵在於：包括：切削片抑制層(A)及積層於上述切削片抑制層(A)之一側主面上的擴張層(B)，上述擴張層(B)具有多個樹脂系層狀體之積層結構，上述多個樹脂系層狀體中配置於上述切削片抑制層(A)最近側之樹脂系層狀體(B1)之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R1(單位：%)與上述多個樹脂系層狀體中上述樹脂系層狀體(B1)以外之至少一種即樹脂系層狀體(B2)之10%延伸5分鐘之後的應力鬆弛速率R2(單位：%)，滿足在下述式(i)至(iii)中表示之條件，上述切削片抑制層(A)含有：含環樹脂(a1)，其係具有芳香族系環以及脂肪族系環之至少一種之熱塑性樹脂；非環烯烴系樹脂(a2)，其係該含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂：R1≦30% (i) R2≧20% (ii) R1<R2 (iii)。
  2. 如申請專利範圍第1項之基材薄膜，其中，對於從用於形成上述樹脂系層狀體(B1)之樹脂組成物(β1)製造之厚度100μm且寬度15mm，並具有JIS K7127：1999(ISO 5273：1995)所規定之試驗片類型2之形狀的由樹脂薄膜組成之試驗片，依據JIS K7161：1994(ISO 5271：1993)，在與寬度方向平行之方向 上藉由切割刀片設置深度20μm之凹槽之狀態下，將夾頭間距離設為100mm，在23℃環境下以200mm/分之速度進行拉伸試驗時，上述試驗片之斷裂伸度為300%以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之基材薄膜，其中，相對於上述擴張層(B)之厚度的上述樹脂系層狀體(B1)之厚度的比率為5%以上50%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之基材薄膜，其中，相對於上述擴張層(B)之厚度的上述樹脂系層狀體(B2)之厚度的比率為50%以上90%以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之基材薄膜，其中，相對於上述基材薄膜之厚度的上述擴張層(B)之厚度的比率為20%以上80%以下。
  6. 一種切割片，其特徵在於包含：申請專利範圍第1項之基材薄膜；及黏著劑層，其配置於該薄膜之上述切削片抑制層(A)上。
  7. 一種基材薄膜之製造方法，製造申請專利範圍第1項之基材薄膜，其特徵在於：包含共擠成形工序，其共擠成形包含用於形成上述切削片抑制層(A)之樹脂組成物(α)、用於形成上述樹脂系層狀體(B1)之樹脂組成物(β1)以及用於形成上述樹脂系層狀體(B2)之樹脂組成物(β2)之三種以上樹脂組成物，從而得到上述切削片抑制層(A)與上述擴張層(B)之積層體。
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