TW201518262A - 電洞傳輸材料 - Google Patents

電洞傳輸材料 Download PDF

Info

Publication number
TW201518262A
TW201518262A TW103134470A TW103134470A TW201518262A TW 201518262 A TW201518262 A TW 201518262A TW 103134470 A TW103134470 A TW 103134470A TW 103134470 A TW103134470 A TW 103134470A TW 201518262 A TW201518262 A TW 201518262A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
compound
organic
formula
methoxy
layer
Prior art date
Application number
TW103134470A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Shinohara
Atsushi Sawada
Elvira Montenegro
Heinrich Becker
Original Assignee
Merck Patent Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent Gmbh filed Critical Merck Patent Gmbh
Publication of TW201518262A publication Critical patent/TW201518262A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C217/00—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton
    • C07C217/78—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton
    • C07C217/80—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings
    • C07C217/82—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings of the same non-condensed six-membered aromatic ring
    • C07C217/92—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings of the same non-condensed six-membered aromatic ring the nitrogen atom of at least one of the amino groups being further bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C213/00—Preparation of compounds containing amino and hydroxy, amino and etherified hydroxy or amino and esterified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton
    • C07C213/02—Preparation of compounds containing amino and hydroxy, amino and etherified hydroxy or amino and esterified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton by reactions involving the formation of amino groups from compounds containing hydroxy groups or etherified or esterified hydroxy groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/93—Spiro compounds
    • C07C2603/95—Spiro compounds containing "not free" spiro atoms
    • C07C2603/96—Spiro compounds containing "not free" spiro atoms containing at least one ring with less than six members
    • C07C2603/97—Spiro compounds containing "not free" spiro atoms containing at least one ring with less than six members containing five-membered rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

本發明係關於2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3-甲基苯胺)-9,9'-螺茀，其製備方法，及其作為電子裝置或光電子裝置、尤其固態染料敏化太陽電池之電洞傳輸材料之用途。

Description

電洞傳輸材料
本發明係關於2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3-甲基苯胺)-9,9'-螺茀，一種其製備方法，及其作為電子裝置或光電子裝置、尤其固態染料敏化太陽電池或含有鈣鈦礦的太陽電池之電洞傳輸材料之用途。
使用染料敏化太陽電池或含有鈣鈦礦之太陽電池為經由太陽光照射產生光電流之有前景的技術。液態電解質染料敏化太陽電池達到超過11%之電力轉換效率。然而，就基於液態電解質之太陽電池而言，現存任務之一為避免洩漏問題。因此，研究人員用固體電洞導體或換言之用電洞傳輸材料(HTM)替代液態電解質。迄今為止，選擇電洞傳輸材料2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基苯胺)-9,9'-螺雙茀(螺-OMeTAD)用於固態染料敏化太陽電池(sDSSC)之基準HTM(Nature,1998,395,585)。然而，螺-OMeTAD具有約10-4cm2/Vs之相對低的電荷載流子遷移率。
除螺-OMeTAD之外，JP 2011-258328中描述了其他電洞傳輸材料、尤其化合物39為2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3,5-二甲基苯胺)-9,9'-螺茀。
此外，一個待解決的重要問題為HTM之溶解度，因為HTM必須為可自溶液處理的、應有效地填充半導體之電洞且應形成平滑薄膜。
因此，繼續要求電洞傳輸材料進一步最佳化電子裝置或光電子裝置、尤其最佳化sDSSC之效能。
因此，本發明係關於提供待併入電子裝置或光電子裝置中之具有改進特性的替代性電洞傳輸材料之問題。
出人意料地，已發現式(I)化合物2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3-甲基苯胺)-9,9'-螺茀為具有所要特性特徵之電洞傳輸材料。
因此，本發明係關於式(I)化合物
與先前技術分子螺-OMeTAD及2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3,5-二甲基苯胺)-9,9'-螺茀相比，此電洞傳輸材料具有較好溶解度。出人意料的是，儘管將八個非極性甲基併入結構中以產生式(I)化合物，溶解度比螺-OMeTAD好。
與兩種參考材料相比，本發明之電洞傳輸材料具有較好電洞遷移率。
因此，如實驗部分中所描述之包含式(I)化合物的固態DSSC之電池效能好於參考物質2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3,5-二甲基苯胺)-9,9'-螺茀之sDSSC之效能且與包含螺-OMeTAD的sDSSC之效能相等。
本發明進一步係關於式(I)化合物之製備方法，其包含在布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應(Buchwald-Hartwig amination)中使2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺雙茀與雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)反應。
起始材料2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺雙茀可購自例如TCI或Sigma-Aldrich。
本發明此外係關於起始材料雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)。
雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)可經由5-溴-2-甲氧基-1,3-二甲苯與4-甲氧基-3,5-二甲基苯基苯胺之反應合成。反應條件屬於此項技術中熟知的布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應之條件。
本發明此外係關於一種製備雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)之方法，其包含在布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應中使5-溴-2-甲氧基-1,3-二甲苯與4-甲氧基-3,5-二甲基苯基苯胺反應。
雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)之合成之較佳反應條件為使用第三丁醇鈉作為鹼、使用乙酸鈀(II)作為鈀-催化劑中之鈀(0)的來源及使用1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵(DPPF)作為配位體。布赫瓦爾德-哈特維希反應較佳在例如甲苯、苯、二噁烷、四氫呋喃、二甲基甲醯胺或二甲氧基乙烷之有機溶劑存在下發生。較佳將甲苯用作溶劑。
反應溫度通常在室溫至120℃之間。
此外，式(I)化合物之合成之方法亦為布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應。布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應之反應條件為此項技術中熟知的。式(I)化合物之合成之較佳反應條件為使用第三丁醇鈉、使用乙酸鈀(II)作為鈀-催化劑中之鈀(0)的來源及使用2-二環己基磷酸醯氧基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)作為配位體。
SPhos-鈀-錯合物對涉及芳基氯化物或芳基溴化物之布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應展現高活性。布赫瓦爾德-哈特維希反應較佳在例如甲苯、苯、二噁烷、四氫呋喃、二甲基甲醯胺或二甲氧基乙烷之有機溶劑存在下發生。較佳使用甲苯作為溶劑且反應溫度通常在室溫至120℃之間，較佳在120℃。
較佳地，所有布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應在諸如氮氣(N2)之 非反應性氣體存在下進行。
可藉由熟習此項技術者充分已知的多種純化方法，例如藉由層析或再結晶來純化由以上概述之方法製備的式(I)化合物。
本發明此外係關於一種包含式(I)化合物及至少一種溶劑之製劑。
該製劑可包括或包含該等必要的或視情況選用之組分、基本上由或由該等必要的或視情況選用之組分組成。可用於該等製劑之所有化合物或組分為已知及市售的或可藉由已知方法合成。
除式(I)化合物，本文之製劑還包含適用於所用塗覆方法之有機溶劑。適合之方法為浸漬、滴液、刮漿刀、旋塗、刷塗、噴漆或滾塗機。此等技術為熟習此項技術者熟知的。較佳方法為旋塗或浸漬。尤其較佳方法為旋塗。在大多數情況下，用於旋塗之溶劑具有高沸點。
待根據本發明使用之適合有機溶劑為例如氯苯、四氫呋喃、環氧丁烷、氯仿、環己酮、丙酮、諸如甲醇或乙醇之醇類、二甲基甲醯胺、乙腈、二甲氧基乙烷、六甲基磷醯三胺、1,2-二氯苯或其混合物。較佳溶劑為氯苯。
本發明亦關於一種製備此類型之製劑之方法，其特徵在於將式(I)化合物與至少一種溶劑及視情況另外化合物混合及/或溶解。
製劑中之式(I)化合物之典型的莫耳濃度在0.08M至0.5M、較佳0.1M至0.2M之範圍內。製劑中之尤其較佳濃度為0.17M。
出於本發明之目的，莫耳濃度係指在25℃下之濃度。
此外，根據本發明之製劑可包含一或多種其他電洞傳輸材料。
適合之其他電洞傳輸材料為此項技術中熟知的。用於組合之較佳電洞傳輸材料為螺-OMeTAD、2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3,5-二甲基苯胺)-9,9'-螺茀、參(對大茴香基)胺、N,N,N',N'-肆(4-甲氧基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'二胺、2,7-雙[N,N-雙(4-甲氧基-苯基)胺基]-9,9-螺雙 茀、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS)、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)、NiO及V2O5。
此外，根據本發明之製劑可包含至少一種鋰鹽。
適合鋰鹽為雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺鋰、參(五氟乙基)三氟磷酸鋰、二氰胺鋰、甲基硫酸鋰、三氟甲烷磺酸鋰、四氰基硼酸鋰、二氰胺鋰、三氰甲基鋰、硫代氰酸鋰、氯化鋰、溴化鋰、碘化鋰、六氟磷酸鋰、四氟硼酸鋰、過氯酸鋰、六氟銻酸鋰、六氟砷酸鋰或兩個或兩個以上之組合。較佳鋰鹽為雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺鋰。
較佳地，其包含1mM至30mM、較佳8mM至15mM之鋰鹽。
此外，根據本發明之製劑可包含至少另一種添加劑。
適合添加劑為諸如WO2013/026563之技術方案1至15中所揭示及第15頁至17頁所揭示之第三丁吡啶、咪唑之吡啶化合物或諸如聚(4-乙烯基吡啶)或其與例如乙烯基苯乙烯或甲基丙烯酸烷基酯的共聚物之聚合物添加劑。較佳吡啶化合物為第三丁基吡啶。較佳地，製劑包含0.01M至0.3M、較佳0.08M至0.15M之添加劑。
在一個較佳實施例中，在室溫下式(I)化合物：鋰鹽：作為添加劑之吡啶化合物之莫耳比為10：1：10。
根據本發明之較佳製劑為包含先前所描述或較佳地描述之式(I)化合物、至少一種溶劑、鋰鹽及吡啶化合物之製劑。
鋰鹽之有用性描述於Phys.Chem.,Chem.Phys,2013,15,1572-2579中。
吡啶化合物之有用性描述於Sol.Energy Mater.& Solar Cells,2007,91,424-426中。
此外，如上文所描述之根據本發明之製劑可包含p型摻雜劑，諸如N(PhBr)3SbCl6(其中Ph意謂苯基)、V2O5、如Phys.Chem,Chem. Phys,2012,14,11689-11694中所描述之F4-TCNQ(四氟-四氰基醌二甲烷)、HAT-CN(1,4,5,8,9,11-六氮雜聯伸三苯-六甲腈)或如Chem.Mater.,2013,25,2986-2990或J.Am.Chem.Soc.,2011,133,18042中所描述之Co錯合物鹽。
如上文所描述之式(I)化合物為電洞傳輸材料且因此同樣可用於電子或光電子裝置中。
因此，本發明此外係關於一種式(I)化合物在電子或光電子裝置中之用途。
因此，本發明此外係關於一種包含式(I)化合物之電子或光電子裝置。
本文之電子裝置被用來意謂包含至少一個包含至少一種有機化合物之層的裝置。然而，該裝置亦可包含無機材料或亦完全由無機材料建立之層。
電子或光電子裝置較佳選自由以下組成之群：有機電致發光裝置(organic electroluminescent device；OLED)、有機積體電路(organic integrated circuit；O-IC)、有機場效電晶體(organic field-effect transistor；O-FET)、有機薄膜電晶體(organic thin-film transistor；O-TFT)、有機發光電晶體(organic light-emitting transistor；O-LET)、太陽電池、有機光學偵測器、有機感光器、有機場淬滅裝置(organic field-quench device；O-FQD)、發光電化電池(light-emitting electrochemical cell；LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)、有機電漿子發光裝置(D.M.Koller等人，Nature Photonics 2008,1-4)、電子攝影術裝置及波形轉換器。
式(I)化合物為例如波形轉換器之波形轉換層之一部分。
電子裝置較佳為有機電致發光裝置(OLED)或有機發光電化電池(OLEC)。
光電子裝置較佳為固態染料敏化太陽電池或含鈣鈦礦之太陽電池。光電子裝置尤其較佳為固態染料敏化太陽電池。
此外，裝置之特徵在於將式(I)化合物用作電洞傳輸材料。
本發明此外係關於一種包含式(I)化合物之電荷傳輸層。
根據本發明之電荷傳輸層可包含以上所提及之添加劑或如之前所描述之其他HTM。
根據本發明之電荷傳輸層可包含有機黏合劑、較佳聚合黏合劑。
根據本發明待使用之適合黏合劑為聚氧化乙烯(polyethylene oxide；PEO)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride；PVDF)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚矽氧烷。
根據本發明之電荷傳輸層較佳為包含敏化染料或鈣鈦礦及式(I)化合物之光敏化奈米粒子層。
只要LUMO能態略微高於待敏化之光電極之導帶邊緣，對於敏化染料之選擇本身不存在限制。染料之實例揭示於Nanoenergy,de Souza,Flavio Leandro,Leite,Edson Roberto(編)，Springer,ISBN 978-3-642-31736-1，第58頁至74頁中或黑色染料如US 8,383,553中所描述。
較佳染料為有機染料，諸如J.Power Sources,2012,214,113-118中所描述之CYC-B11，MK-1、MK-2或MK-3(其結構描述於N.Koumura等人，J.Am.Chem.Soc.第128卷，第44期，2006,14256-14257之圖1中)，WO 2012/001033之第4頁描述的D29，WO 2012/001033之第4頁描述的D35，D102(CAS第652145-28-3號)，D-149(CAS第786643-20-7號)，D205(CAS第936336-21-9號)，D358(CAS第1207638-53-6號)，如T.Bessho等人，Angew.Chem.Int.Ed.第49卷，37,6646-6649,2010中所描述之YD-2，Y123(CAS第1312465-92-1號)，諸 如N3(CAS第141460-19-7號)、N719(CAS第207347-46-4號)、Z907(CAS第502693-09-6號)、C101(CAS第1048964-93-7號)、C106(CAS第1152310-69-4號)、K19(CAS第847665-45-6號)、HRS-1(如K.J.Jiang等人，Chem.Comm.2460,2006中所揭示之CAS第906061-30-1號)之二吡啶-釕染料或諸如N749(CAS第359415-47-7號)之三聯吡啶-釕染料。
D205之結構為
D358之結構為
尤其較佳染料為Z907或Z907Na，其均為兩親媒性釕敏化劑、 D29、D35、Y123、C106、D358或HRS-1。染料Z907Na意謂NaRu(2,2'-聯吡啶-4-甲酸-4'-甲酸鹽)(4,4'-二壬基-2,2'-聯吡啶)(NCS)2。
極其特定染料為Z907。
對於鈣鈦礦材料之選擇本身不存在限制。已知鈣鈦礦材料充當光吸收部分但亦描述其在功能上充當電洞傳輸材料或半導體。
因此，根據本發明之包含於裝置中的鈣鈦礦材料可為電荷傳輸層之一部分但亦可為裝置內的另一層或架構之一部分。
適合之鈣鈦礦材料為CsSnI3、CH3NH3PbI2Cl、CH3NH3PbI3、CH3NH3Pb(I1-xBrx)3、CH3NH3SnI2Cl、CH3NH3SnI3或CH3NH3Sn(I1-xBrx)3，其中x各自獨立地如下定義：(0<x1)。更廣義地，適合之鈣鈦礦材料可包含兩種對應於式Xa(3-x)Xb(x)之鹵化物，其中Xa及Xb各自獨立地選自Cl、Br或I，且x大於0且小於3。
適合之鈣鈦礦材料亦揭示於WO 2013/171517之技術方案52至71及技術方案72至79中，其全文以引用之方式併入本文中。材料定義為包含兩個或兩個以上選自鹵素陰離子及硫族陰離子之不同陰離子的混合陰離子鈣鈦礦。較佳鈣鈦礦材料揭示於第18頁第5行至17行。如所描述的，鈣鈦礦通常選自CH3NH3PbBrI2、CH3NH3PbBrCl2、CH3NH3PbIBr2、CH3NH3PbICl2、CH3NH3SnF2Br、CH3NH3SnF2I及(H2N=CH-NH2)PbI3zBr3(1-z)，其中z大於0且小於1。
如之前所描述的根據本發明之電荷傳輸層或如之前或以下所描述的根據本發明之裝置此外可包含諸如Michael M.Lee等人，Science,338,643,2012中所描述的氧化鋁之絕緣體。
根據本發明之電荷傳輸層或如之前或以下所描述之根據本發明之裝置此外可包含半導體氧化物奈米粒子。根據本發明之電荷傳輸層或根據本發明之裝置較佳包含半導體氧化物奈米粒子。
根據本發明之一較佳實施例，半導體係基於選自以下之群之材料：Si、TiO2、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5、CdS、ZnS、PbS、Bi2S3、CdSe、GaP、InP、GaAs、CdTe、CuInS2及/或CuInSe2。較佳地，半導體包含中孔表面，因此增加視情況由敏化染料或鈣鈦礦材料覆蓋且與電洞傳輸材料接觸之表面。較佳地，半導體氧化物奈米粒子為二氧化鈦奈米粒子。較佳地，半導體氧化物為中孔。
較佳地，如之前所描述之根據本發明之電荷傳輸層視情況連同緻密TiO2層存在於玻璃支撐物或塑膠或金屬箔上。較佳地，支撐物為導電的。
本發明此外係關於包含如之前所描述或較佳描述的電荷傳輸層之電子裝置或光電子裝置。較佳地，本發明此外係關於包含如之前所描述或較佳描述的電荷傳輸層之固態染料敏化太陽電池。
另外包含經混合之鹵化物鈣鈦礦之根據本發明之適合的裝置結構描述於WO 2013/171517的技術方案52至71及技術方案72至79中，其全文以引用之方式併入本文中。
另外包含介電質架構連同鈣鈦礦材料之根據本發明之適合的裝置結構描述於WO 2013/171518之技術方案1至90或WO 2013/171520之技術方案1至94中，其全文以引用之方式併入本文中。
另外包含半導體及鈣鈦礦材料之根據本發明之適合的裝置結構描述於WO2014/020499之技術方案1及3至14中，其全文以引用之方式併入本文中。其中所描述的表面增加之架構結構包含塗覆及/或固定於支撐層上之奈米粒子(例如多孔TiO2)。
包含平面異質接面之根據本發明之適合的裝置結構描述於WO2014/045021之技術方案1至39中，其全文以引用之方式併入本文中。該裝置之特徵在於具有安置於n型(電子傳導)層與P型(電洞傳導)層之間的光吸收或發光鈣鈦礦之薄膜。較佳地，薄膜為緊密薄膜。
另外，本發明係關於一種製備如之前所描述或較佳描述的電化學裝置及/或光電子裝置之方法，該方法包含以下步驟：- 提供第一及第二電極；- 提供如之前所描述之根據本發明之電荷傳輸層。
對於第一及第二電極之選擇本身不存在限制。基板可為剛性或可撓性的。
本發明之一較佳實施例為包含塗佈有F摻雜之SnO2之玻璃基板、緻密TiO2層、如先前所描述或較佳描述的本發明之電荷傳輸層及相對電極之固態染料敏化太陽電池。
較佳地，相對電極為金電極、銀電極或鉑電極。尤其較佳地，相對電極為金或銀電極。
本發明此外係關於包含一個如先前所描述或先前較佳描述的根據本發明之裝置之模組。
本發明此外係關於包含複數個如先前所描述或先前較佳描述的根據本發明之裝置之模組。
現將藉助於以下實例說明本發明，而不限制其範疇。即使無另外註解，假定熟習此項技術者將能夠在最廣泛範疇內利用以上描述。較佳實施例及實例因此應僅被視為絕對不以任何方式為限制性之描述性揭示內容。
實例： 實例1：2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3-甲基苯胺)-9,9'-螺雙茀之合成 步驟1：雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)之合成
在具有冷凝器之4頸燒瓶內將4-溴-1-甲氧基-2-甲苯(3.134mg， 15.6mmol)、第三丁醇鈉(3.053g，32mmol)、乙酸鈀(II)(69mg，0.3mmol)、1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵(DPPF)(169mg，0.3mmol)溶解於甲苯(10mL)中。在N2流下攪拌反應混合物5分鐘，接著添加4-甲氧基-3-甲基苯基苯胺(2.064g，15.0mmol)及40mL之甲苯。將混合物加熱至120℃持續21h。在反應之後，過濾反應混合物。在藉由旋轉式蒸發器濃縮且藉由矽膠(己烷/EtOAc 2%->20%)急驟管柱層析法純化之後，得到呈橙色黏性油狀之產物。以熱方法藉由己烷再結晶此油，得到呈白色固體狀之雙(4-甲氧基-3-甲基苯基)胺[2.725g，10.6mmol，產率70.4%]。
C16H19NO2,MW 257.33，精確值MS 257,GC-MS 257[M]+)。
步驟2：2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3-甲基苯胺)-9,9'-螺雙茀之合成
在具有冷凝器之4頸燒瓶內將2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺雙茀(639mg，1.01mmol)、第三丁醇鈉(608g，6.33mmol)、乙酸鈀(II)(29mg，0.13mmol)、2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)(41mg，0.10mmol)溶解於甲苯(10mL)中。在N2流下攪拌反應混合物5分鐘，接著添加根據步驟1製備的雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)(1.253g，4.87mmol)及甲苯(20mL)。將混合物加熱至120℃持續16h。在反應之後，過濾反應混合物。在藉由旋轉式蒸發器濃縮且藉由矽膠(己烷/EtOAc 5%->40%)急驟管柱層析法純化之後，得到呈米色非晶形固體狀之產物[1.082g，0.81mmol，產率80.0%]。
C89H84N4O8,MW 1337.64，精確值MS 1336,LC-ESI-MS 1337.7[M+H]+)。
實例2：參考材料螺-OMeTAD之合成
在具有冷凝器之4頸燒瓶內將2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺雙茀(1.896mg，3.0mmol)、第三丁醇鈉(1.822g，19mmol)、乙酸鈀(II)(1.6mg，0.01mmol)、2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)(6.8mg，0.02mmol)溶解於甲苯(10mL)中。在N2流下攪拌反應混合物5分鐘，接著添加雙(4-甲氧基苯胺)(3.620g，15.7mmol)及甲苯(25mL)。將混合物加熱至120℃持續70h。在反應之後，過濾且濃縮反應混合物。自二氯甲烷及甲醇再結晶產物。
實例3：參考材料2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3,6-二甲基苯胺)-9,9'-螺雙茀之合成 步驟1：雙(4-甲氧基-3,6-二甲基苯胺)之合成
在具有冷凝器之4頸燒瓶內將5-溴-2-甲氧基-1,3-二甲苯(4.179mg，21.9mmol)、第三丁醇鈉(4.468g，46.5mmol)、乙酸鈀(II)(93mg，0.4mmol)、1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵(DPPF)(220mg，0.4mmol)溶解於甲苯(20mL)中。在N2流下攪拌反應混合物5分鐘，接著添加4-甲氧基-3,5-二甲基苯基苯胺(3.032g，20.0mmol)及60mL之甲 苯。將混合物加熱至120℃持續20h。在反應之後，過濾反應混合物。在藉由旋轉式蒸發器濃縮且藉由矽膠(己烷/EtOAc 2%->20%)急驟管柱層析法純化之後，得到呈橙色黏性油狀之產物。以熱方法藉由己烷再結晶此油，得到呈白色固體狀之雙(4-甲氧基-3,5-甲基苯基)胺[2.961g，10.37mmol，產率51.7%]。
C18H23NO2,MW 285.38，精確值MS 285,GC-MS 285.1[M]+ UV最大288nm。
步驟2：2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3,6-二甲基苯胺)-9,9'-螺雙茀之合成
在具有冷凝器之4頸燒瓶內將2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺雙茀(316mg，0.5mmol)、第三丁醇鈉(629g，6.55mmol)、乙酸鈀(II)(12mg，0.05mmol)、2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)(22mg，0.05mmol)溶解於甲苯(5mL)中。在N2流下攪拌反應混合物5分鐘，接著添加雙(4-甲氧基-3,5-二甲基苯胺)(C-1)(316g，1.11mmol)及甲苯(25mL)。將混合物加熱至120℃持續50min。在反應之後，過濾反應混合物。在藉由旋轉式蒸發器濃縮且藉由矽膠(己烷/EtOAc 5%->80%)急驟管柱層析法純化之後，得到呈米色非晶形固體狀之產物[190mg，0.13mmol，產率26.6%]。
C97H100N4O8,MW 1449.85，精確值MS 1448,LC-ESI-MS 1449.1[M+H]+)。
實例A：實例1、2及3之化合物之溶解度 一般描述：
如下在N2手套箱中製備用於旋塗之溶液：首先，將20mg之電洞傳輸材料溶解於95μL之氯苯中。需要完全溶解電洞傳輸材料。在室溫下分別製備雙(三氟磺醯基)醯亞胺鋰(LiTFSI)及第三丁基吡啶(TBP)之母溶液且將其添加至電洞傳輸體溶液中以在室溫下將莫耳比設定為[電洞傳輸體]：[LiTFSI]：[TBP]=10：1：10。因此，溶液之最終體積為100μL。
定性地評估根據實例1、2及3之HTM之溶解度：
1意謂：在不加熱的情況下完全溶解20mg之HTM
2意謂：在加熱至80℃之後溶解HTM
3意謂：在添加鹽及鹼溶液且加熱至80℃之後溶解HTM
4意謂：在添加另一50μL之氯苯且加熱至80℃之後溶解HTM(最終體積為150μl)。
結果展示於表1中：
根據本發明之電洞傳輸材料具有好於參考材料之溶解度。
實例B：
使用如實例A中所描述之溶液，根據LukasSchmid-Mende and Michael Grätzel,Thin Solid Films,500,2006,296-301製造固態染料敏化太陽電池。
在用Helmanex及水清潔圖案化ITO/ATO基板(20×20mm)之後，藉由在75℃下使用60mM的TiCl4水溶液30min持續三次之溶膠-凝膠方法製備TiO2緊密層。經由網板印刷含有30nm大小的銳鈦礦粒子(JGC C&C-30NRD)之TiO2糊狀物，隨後在500℃下燒結30min來製造奈米晶體TiO2層。在75℃下使用60mM的TiCl4水溶液藉由溶膠凝膠方法沈積一次頂部TiO2塗層30min且在500℃下燒結30min。藉由浸漬於兩親媒性聚吡啶基釕錯合物，即具有0.075mM之雙(3,3-二甲基-丁基)-一元膦酸(DINHOP)之順RuLL'(SCN)2(L=4,4'-二甲酸-2,2'-聯吡啶，L'=4,4'-二壬基-2,2'-聯吡啶，Z907)於乙腈：第三丁醇(1：1vol%)中之0.3mM溶液中來敏化所得TiO2基板且將其置放於冷凍機中隔夜。藉由旋塗機獨立地塗佈電洞傳輸材料。在30sec的等待時間及30sec的2500rpm之旋轉條件之情況下將40μL之溶液置放於一個基板上。為了完成裝置製造，在頂部蒸發200nm之銀電極。此程序在一個基板上產生兩個電池。在不密封該等電池的情況下進行效能之量測。
在使用太陽模擬器(L11 Peccell技術)產生之在100mW cm-2照射度下的經模擬AM 1.5G日光下藉由電源電錶(Keithley 2400)量測電流-電壓特徵且使用經校準之矽參考單元(Bukou Keiki，BS-520)校準。用金屬孔口遮蔽太陽電池以限定作用區域，其通常為0.16cm2。
此實驗中量測的電池結構及其電流-電壓特徵概述於表2中。
結果指示，本發明之式(I)化合物具有溶解度好於螺-OMeTAD之類似轉換效率。
實例C：電洞遷移率
量測本發明之化合物2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3-甲基苯胺)-9,9'-螺雙茀之電洞遷移率且將該數值與根據實例2及實例3之參考材料之彼等者相比。
量測電池之結構為ITO(200nm)/PEDOT-PSS(150nm)/HTM(400nm)/Au(60nm)。
PEDOT-PSS意謂聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。
藉助於阻抗光譜法使用四個電池對各HTM進行量測。(參考1.H.Martens等人，Phys.Rev.B,60,R8489(1999)，參考2.S.Ishihara，等人，Proc.of IDW'09，第1085頁(2009))。在阻抗量測中，將直流電(dc)電壓施加於測試電池以便自陽極注入電洞。在105V/cm之dc場強度下測定電洞遷移率。量測結果展示於圖1中及表3中。
本發明之化合物2,2',7,7'-肆-(N,N'-二-4-甲氧基-3-甲基苯胺)-9,9'-螺雙茀之電洞遷移率大於螺-OMeTAD之電洞遷移率且大於參考實例3之電洞遷移率一個以上數量級。就所用的電洞傳輸材料之電洞遷移率而言，圖1之結果可很好地解釋表2之結果。
圖1展示了就電洞遷移率而言之量測結果。

Claims (17)

  1. 一種式(I)化合物
  2. 一種製備如請求項1之化合物之方法，其包含在布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應(Buchwald-Hartwig amination)中使2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺雙茀與雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)反應。
  3. 如請求項2之方法，其中在100℃與140℃之間的溫度下進行該反應。
  4. 一種製劑，其包含如請求項1之式(I)化合物及至少一種溶劑。
  5. 一種如請求項1之式(I)化合物之用途，其係用於電子或光電子裝置中。
  6. 一種電子或光電子裝置，其包含如請求項1之式(I)化合物。
  7. 如請求項6之裝置，其為有機電致發光裝置、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、太陽電池、有機光學偵測器、有機感光器、有機場淬滅裝置、發光電化電池或有機雷射二極體、有機電漿子發光裝置、電子攝影術裝置或波形轉換器。
  8. 如請求項6或7之裝置，其為固態染料敏化太陽電池或含有鈣鈦礦之太陽電池。
  9. 如請求項6至8中任一項之裝置，其中該式(I)化合物係用作電洞傳輸材料。
  10. 一種電荷傳輸層，其包含如請求項1之式(I)化合物。
  11. 如請求項10之層，其為包含敏化染料或鈣鈦礦及該式(I)化合物之光敏化奈米粒子層。
  12. 如請求項10或11之層，其進一步包含絕緣體。
  13. 如請求項10至12中任一項之層，其包含半導體氧化物奈米粒子。
  14. 如請求項8之裝置，其包含如請求項10至13中一或多項之層。
  15. 一種模組，其包含如請求項6至9中任一項或請求項14之裝置。
  16. 一種化合物，其為雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)。
  17. 一種製備雙(4-甲氧基-3-甲基苯胺)之方法，其包含在布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應中使5-溴-2-甲氧基-1,3-二甲苯與4-甲氧基-3,5-二甲基苯基苯胺反應。
TW103134470A 2013-10-02 2014-10-02 電洞傳輸材料 TW201518262A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13004770 2013-10-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201518262A true TW201518262A (zh) 2015-05-16

Family

ID=49303690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103134470A TW201518262A (zh) 2013-10-02 2014-10-02 電洞傳輸材料

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9997714B2 (zh)
EP (1) EP3052470A1 (zh)
JP (1) JP2016539914A (zh)
KR (1) KR20160065926A (zh)
CN (1) CN105593206B (zh)
TW (1) TW201518262A (zh)
WO (1) WO2015049031A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101619780B1 (ko) 2014-04-28 2016-05-11 한국화학연구원 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 태양전지용 정공전달 화합물
JP2017028028A (ja) * 2015-07-17 2017-02-02 積水化学工業株式会社 固体接合型光電変換素子および固体接合型光電変換素子用ｐ型半導体層
JP2017028027A (ja) * 2015-07-17 2017-02-02 積水化学工業株式会社 固体接合型光電変換素子および固体接合型光電変換素子用ｐ型半導体層
EP3133664A1 (en) * 2015-08-18 2017-02-22 Novaled GmbH Triaryl amine thick layer doped with metal amides for use as hole injection layer for an organic light-emitting diode (oled)
EP3133663B1 (en) * 2015-08-18 2022-06-15 Novaled GmbH Metal amides for use as hole injection layer for an organic light-emitting diode (oled)
CN106518691B (zh) * 2016-10-28 2018-06-26 南京工业大学 钙钛矿太阳能电池中一类修饰材料-三苯胺衍生物的合成及其应用
TWI774767B (zh) 2017-05-12 2022-08-21 瑞士商多蒂孔股份有限公司 茚烷衍生物及其在有機電子產品的用途
EP3401305A1 (en) 2017-05-12 2018-11-14 Dottikon Es Holding Ag Indane derivatives and their use in organic electronics
US10573766B2 (en) * 2018-02-01 2020-02-25 Panasonic Corporation Solar cell
EP3650438A1 (en) 2018-11-09 2020-05-13 Dottikon Es Holding Ag Di-, tri- and tetraphenylindane derivatives and their use in organic electronics
CN110123279A (zh) * 2019-05-21 2019-08-16 深圳大学 一种可拉伸的光电传感器及其制备方法
CN111540807B (zh) * 2020-04-03 2021-10-15 华南师范大学 一种具有高开路电压的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113707816B (zh) * 2021-08-24 2023-07-04 江苏盛开高新材料有限公司 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
WO2023078824A1 (en) 2021-11-04 2023-05-11 Dottikon Es Holding Ag Spiro-(indane-fluorene) type compounds and their use in organic electronics
WO2023247416A1 (en) 2022-06-21 2023-12-28 Dottikon Es Holding Ag Tetraarylbenzidine type compounds and their use in organic electronics
CN115215754B (zh) * 2022-07-28 2024-04-12 华北电力大学 一种具有末端延伸的螺二芴类化合物及其制备方法和应用

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1289030A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-05 Sony International (Europe) GmbH Doping of a hole transporting material
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
DE102005058543A1 (de) * 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US8383553B2 (en) 2007-10-26 2013-02-26 Merck Patent Gmbh Dyes
JP2011258328A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Konica Minolta Business Technologies Inc 光電変換素子及び太陽電池
JP2013535086A (ja) 2010-06-29 2013-09-09 ディエナモ アクティエボラーグ 高効率色素増感太陽電池
JP5689351B2 (ja) * 2011-04-20 2015-03-25 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び光電気化学電池
JP6040243B2 (ja) 2011-08-25 2016-12-07 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 色素増感太陽電池のための添加剤
ES2568623T3 (es) 2012-05-18 2016-05-03 Isis Innovation Limited Dispositivo optoeléctrico que comprende material de armazón poroso y perovskitas
GB201208793D0 (en) 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
WO2013171520A1 (en) 2012-05-18 2013-11-21 Isis Innovation Limited Optoelectronic device comprising perovskites
EP2693503A1 (en) 2012-08-03 2014-02-05 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Organo metal halide perovskite heterojunction solar cell and fabrication thereof
EP3413365B1 (en) 2012-09-18 2022-06-29 Oxford University Innovation Limited Optoelectronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016539914A (ja) 2016-12-22
CN105593206B (zh) 2017-10-10
EP3052470A1 (en) 2016-08-10
WO2015049031A1 (en) 2015-04-09
US9997714B2 (en) 2018-06-12
US20160254449A1 (en) 2016-09-01
CN105593206A (zh) 2016-05-18
KR20160065926A (ko) 2016-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201518262A (zh) 電洞傳輸材料
Leijtens et al. Hydrophobic organic hole transporters for improved moisture resistance in metal halide perovskite solar cells
JP5206092B2 (ja) 光電変換素子及び太陽電池
Chu et al. Structural planarity and conjugation effects of novel symmetrical acceptor–donor–acceptor organic sensitizers on dye-sensitized solar cells
CN101867018B (zh) 光电转换元件和太阳能电池
JP2009269987A (ja) 新規化合物、光電変換素子及び太陽電池
EP3518301A1 (en) Crystal defects mitigating agents for high power conversion efficiency and stability of perovskite photovoltaic devices
Chung et al. Phosphonic acid and lithium salt as effective p-dopants to oxidize spiro-OMeTAD for mesoscopic Sb2S3 solar cells
Park et al. Molecular design strategy toward robust organic dyes in thin-film photoanodes
SasiKumar et al. Cost-effective thiophene-assisted novel dopant-free hole transport materials for efficient perovskite solar cell performance
Mavazzan et al. Synthesis of phenothiazine dyes featuring coumarin unit and CdS NWs as photoanodes for efficient dye-sensitized solar cells
CN101877365B (zh) 光电转换元件和太阳能电池
JP5347329B2 (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP2010277998A (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP2012084250A (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP5233318B2 (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP2012084249A (ja) 光電変換素子及び太陽電池
Willinger et al. Photosensitizers in solar energy conversion
JP2008234902A (ja) 光電変換素子及び太陽電池
EP3272814B1 (en) Ruthenium complex dye, dye solution, photoelectric conversion element, and dye-sensitized solar cell
JP2008226582A (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP2010040280A (ja) 光電変換素子及び太陽電池
WO2018051278A2 (en) Hole transporting organic molecules containing enamine groups for optoelectronic and photoelectrochemical devices
JP2010262804A (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP2010257741A (ja) 光電変換素子及び太陽電池