TW201517345A - 電極層壓體及有機發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一電極層壓體以及包括該電極層壓體之一有機發光裝置，該電極層壓體包括：一基板、一電極，配置於該基板上、以及一輔助電極，電性連接至該電極，且該輔助電極具有一第一層及一第二層之層疊結構，該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，該第二層相對於該第一層具有較高之蝕刻率，其中，該輔助電極係配置於該電極與該基板之間，或該輔助電極係配置以使該輔助電極之該第一層與該電極之至少部分側表面相鄰接。
Description
本發明主張2013年7月19日於韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請號10-2013-0085699之優先權，其完整內容已併入本發明中。
本發明關於一電極層壓體及包括其之有機發光裝置。
近年來，在電子裝置中，譬如顯示器、有機發光裝置及觸控面板，需在主動圖像單元(active picture unit)中形成透明電極。為滿足上述需求，而以如ITO及ZnO之材料形成透明導電膜作為電極，然而，該些材料在電阻方面有嚴重的問題。特別是，在使用有機發光裝置之照明裝置的情況下，當形成大面積照明裝置時，如上所述之大電阻可能成為商業化的巨大障礙。因此，亟需開發出即使形成大面積裝置亦具有較低電阻的透明電極。同時，由於有機發光裝置中所產生的光線高達30%束縛在裝置中，因而導致發光效率降低問題。
在反覆地進行多次研究以改善透明電極之導電性及/或光汲取效率之後，本發明之發明人發明出一種具有如本發明說明書所述之組成之電極層壓體，以及包括該電極層壓體之有機發光裝置。
本發明一實施例提供一種有機發光裝置，其包括一基板、一
第一電極，配置於該基板上、一第二電極，配置以與該第一電極相對、一有機材料層，配置介於該第一電極與該第二電極之間、以及該第一電極之一輔助電極，其中該第一電極之該輔助電極具有一第一層與一第二層之層疊結構，其中該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，該第二層相對於該第一層具有較高之蝕刻率；以及，該第一電極之該輔助電極係配置於該第一電極與該基板之間，或該輔助電極係配置以使該第一電極之該輔助電極之該第一層與該第一電極之至少部分側表面相鄰接。
本發明另一實施例提供一種有機發光裝置，其中該第一電極之該輔助電極係配置與該基板相鄰接。
本發明另一實施例提供一種有機發光裝置，其中該第一電極係以一圖形形狀配置於該基板上，且該第一電極之該輔助電極係以圖形形狀配置且與該第一電極圖形側表面之至少一部份相鄰接。
本發明另一實施例提供一種有機發光裝置更包括一外部光汲取層，該外部光汲取層係配置與於設有該第一電極之該基板表面相對之表面上。
本發明另一實施例提供一種電極層壓體，其包括一基板、一電極，配置於該基板上、以及一輔助電極，電性連接至該電極，且該輔助電極具有一第一層及一第二層之層疊結構，該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，該第二層相對於該第一層具有較高之蝕刻率，其中，該輔助電極係配置於該電極以及該基板之間，或該輔助電極係配置以使該輔助電極之該第一層與該電極之至少部分側表面相鄰接。
本發明之另一實施例提供一種電極層壓體，其中該輔助電極
係配置以與該基板相鄰接。
本發明之另一實施例提供一種電極層壓體，其中該電極係以一圖形形狀配置於該基板上，且該電極之該輔助電極係以圖形形狀配置且與該電極之圖形側表面之至少一部份相鄰接。
本發明之另一實施例提供一種電極層壓體更包括一外部光汲取層其配置與於設有該電極之該基板表面相反之表面上。
根據本發明實施例所描述，透過在一電極之下表面或側表面利用一輔助電極，且其中該輔助電極與基板相對之該表面在550nm之波長下具有80%或以上之反射率，即使當製造具有大面積之電極或裝置也可使電阻降低，除此之外，透過裝置與空氣層或每層之間之全反射，有機發光裝置之有機材料層中所產生之光線由該裝置中取出之效率可獲得提升，光線不會被束縛於裝置中。
圖1至3例示根據本發明實施例之電極層壓體組成之實例。
圖4例示現有的輔助電極之實例。
圖5例示根據本發明比較例1製得之電極層壓體之結構。
圖6及7顯示輔助電極材料之反射率及基板之反射率。
圖8及9例示根據本發明實施例之輔助電極之第一層與第二層之線寬。
圖10係實施例中製得之輔助電極之SEM圖。
圖11係圖10之SEM圖之剖面模擬圖。
下文中，將詳細地描述本發明之實施例。
根據本發明一示例性實施例之有機發光裝置，其包括一基板、一第一電極，配置於該基板上、一第二電極，配置以與該第一電極相對、一有機材料層，配置介於該第一電極與該第二電極之間、以及該第一電極之一輔助電極，其中該第一電極之該輔助電極具有一第一層與一第二層之層疊結構，其中該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，該第二層相對於該第一層具有較高之蝕刻率；以及，該第一電極之該輔助電極係配置於該第一電極與該基板之間，或該輔助電極係配置以使該第一電極之該輔助電極之該第一層與該第一電極之至少部分側表面相鄰接。
根據本發明一示例性實施例，在波長550nm波長下具有80%以上之反射率之該第一層相較於該第二層係與該基板較接近。
根據本發明一示例性實施例，該第一電極之該輔助電極係配置以與該基板相鄰接。圖1至3例示該第一電極之該輔助電極與該基板相鄰接之實例。
根據圖1，該第一電極之該輔助電極係配置以與該第一電極之至少部分側表面相鄰接。具體來說，該第一電極係以一圖形形狀配置於該基板上，且該第一電極之該輔助電極係以圖形形狀配置且與該第一電極之圖形側表面之至少一部份相鄰接。在此，「圖形」係為與整個表面層區隔之表示方式，代表底層的一部分經覆蓋且底層的一部分露出的一種形式，而不是底層的整個表面都被覆蓋。在此，底層之覆蓋部分之形狀並沒有特別限定，且必要可隨著其目的而形成該形狀。
根據圖2及3，該第一電極之該輔助電極係提供於該第一電極與該基板之間。
當該第一電極之該輔助電極具有如圖1至3所示之結構時，藉由在該第一電極之該輔助電極與該基板之介面反射光線可有效地完成光汲取，從發光層放出的光線不會被束縛在基板中。另一方面，如圖4及圖5所示，當對應為輔助電極之第二層之一層配置於與基板相鄰接之該側時，因進入基板之光線可能被對應為第二層之該層吸收而不釋放出來，使得光取出效率下降。
如上所述，該第一電極之該輔助電極可配置以與該基板相鄰接，然而，必要時額外的層也可配置於該輔助電極與該基板之間。
只要該第一電極之該輔助電極具有較第一電極更佳的導電性，該第一電極之該輔助電極並無特別限制。作為具有較佳導電性之組成，可使用具有高導電性之材料，或可使用製造加厚輔助電極的方法。舉例來說，該第一電極係一透明電極，且該輔助電極之該第一及/或該第二層可以金屬材料形成。該透明電極可具有60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、更佳為90%以上，且最佳為95%以上之可見光透過率。作為該透明電極之材料，可使用透明導電氧化物如ITO及IZO。
根據本發明一示例性實施例，該第一電極之該導電電極具有一第一層及一第二層之層疊結構，其中該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，該第二層相對於該第一層具有較高之蝕刻率。
該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，因此，藉由第一層與不同層(譬如基板)之間之介面反射光線可改善光汲取率。於本發明中，可使得待測反射率之該目標層設置於一基板上以計算反射率，且該反射率係由由待測反射率之目標層之該側測量，接著再扣除基板本身的反
射率。
反射率可利用由柯尼卡美能達公司(Konica Minolta,Inc.)製造之CM3700A進行測量，然而，並不限於此儀器。反射率受到層之厚度及形成該層之材料影響。該第一層之材料、厚度等可加以選擇以使第一層具有如上所述之反射率。
根據一示例性實施例，該第一電極之該輔助電極之該第一層在550nm之波長下具有85%以上之反射率。
根據一示例性實施例，該第一電極之該輔助電極之該第一層在500nm至650nm之波長下具有80%以上之反射率。
根據一示例性實施例，該第一電極之該輔助電極之該第一層在500nm至650nm之波長下具有85%以上之反射率。
根據一示例性實施例，該第一電極之該輔助電極之該第一層在450nm至600nm之波長下具有80%以上之反射率。
根據一示例性實施例，該第一電極之該輔助電極之該第一層在450nm至650nm之波長下具有85%以上之反射率。
關於第一層之材料，較佳使用導電性較第一電極高之材料。
第一層之材料包括Al、Ag、Al合金、Ag合金等。在此，合金代表包括一種或以上種類之其他金屬。譬如，一Ag合金除了Ag之外，可另包括Cu、Pd等。Ag合金之非限制實例包括AgCu、AgPd、AgCuPd等。必要時可調整包括於合金之中的兩種或以上之材料之比例。
材料之厚度為100nm之能夠用以作為第一層材料之反射率如圖6所示。圖6中，CORA 0500及CORA 0505係由COMET公司製造之合金
之商品名稱。
該第一層之厚度及線寬可隨著目標反射率、導電性等而調整。譬如，該第一層之厚度可擇自500Å(angstroms)至10,000Å(angstroms)之範圍內。
該第二層係相對於該第一層具有較高之蝕刻率之層。在此，「具有較高蝕刻率」意指當以相同之蝕刻溶液組成物蝕刻該第一層與該第二層之層疊結構時，該第二層係以高於第一層之速度被蝕刻。藉由利用具有上述特性之第二層，可獲得該第一層之適當磨銳角(proper taper angle)。因為上述適當的磨銳角，第一電極配置於其上方，譬如，可穩定地形成透明導電氧化物層(譬如ITO層)。該適當磨銳角受到蝕刻溶液種類或蝕刻條件及上述之第一層與第二層之材料影響，且為了獲得如上所述之該適當磨銳角，本領域技術人員可根據習知技術選擇各層之材料、蝕刻溶液之種類或蝕刻條件。譬如，關於蝕刻條件，當50℃下50秒為初蝕刻時間(just etching time)，則透過以200%至600%週期之初蝕刻時間(譬如，以300%至500%週期)可達到過度蝕刻(over-etching)。
根據本發明一示例性實施例，該第二層之蝕刻率為50℃下500Å/s以上，且該第一層之蝕刻率為100Å/s以下。
根據本發明一示例性實施例，該第二層之蝕刻率為50℃下800Å/s以上，且該第一層之蝕刻率為800Å/s以下。
根據本發明一示例性實施例，該第一層之側表面具有一規則磨銳角(regular taper angle)。本發明之磨銳角(θ)意指一角度，其中如圖3所示地形成該第一層之側表面與下表面，且該規則磨銳角意指該角度是一銳角。
根據本發明一示例性實施例，該輔助電極之該第一層之磨銳角係大於0°並且小於90°。根據一示例性實施例，該輔助電極之該第一層之磨銳角較佳大於0°並且小於60°。考量配備於其上方之層之穩定性，該第一層之磨銳角越小越好。
當該第一電極具有如上所述之規則磨銳角時，由配置於該輔助電極之頂部之有機材料層產生之光線不僅由該輔助電極之第一層與該基板之間反射，同時也由該第一層之側表面反射，且因此，可進一步提升光汲取效率，除此之外，該第一電極可穩定地形成在該輔助電極之層疊結構上。於圖3中，由配置在輔助電極頂部之有機材料層所發射光線之方向係如箭頭所表示。
根據一示例性實施例，於該輔助電極中，該第一層之一上表面線寬(a’)相對於該第一層之一下表面線寬(a)之比率係小於1。圖8顯示該輔助電極之該第一層之線寬。在此，當該第一層之下表面及側表面之邊界線形成一個曲面時，或該第二層之上表面及側表面之邊界形成一曲面時，該第一層之下表面線寬係根據與該基板相鄰接之表面之延伸面及該第一層之側表面之延伸面相遇之一側進行量測，且該第一層之上表面係根據該第一層之上表面之延伸表面與該第一層之側表面之延伸面相遇之一側進行量測。
根據一示例性實施例，該輔助電極之該第一層之該線寬由上表面至下表面逐漸增加。
根據一示例性實施例，於該輔助電極中，該第二層之一下表面線寬(b)係同於或小於該第一層之一上表面線寬(a’)。其組成結構如圖9所
示。
根據一示例性實施例，於該輔助電極中，該第二層之該下表面線寬(b)與該第一層之一上表面線寬(a’)之差值範圍係0.01微米至1微米，譬如，0.05微米至0.5微米，且更具體為0.2微米。
根據一示例性實施例，對於任何一種或以上種類之蝕刻溶液，該蝕刻溶液之種類並無特別限制，只要如前文所述的，該第二層之蝕刻率高於第一層之蝕刻率即可。
根據本發明一示例性實施例，該輔助電極之該第一層與該第二層可利用經含酸蝕刻溶液蝕刻之材料。作為一具體實例，該蝕刻溶液可包括一種或以上之磷酸、硝酸及醋酸。
根據一示例性實施例，當該第二層暴露在濕氣或空氣中時，該第二層之氧化程度低於該第一層。此時，即使第一層暴露在濕氣或空氣之中，可至少避免在該第一層與該第二層之間介面之該第一層之氧化。
根據一示例性實施例，該第二層之硬度高於第一層。此時，即使該第一層具有低硬度，也可以保護該輔助電極不受外部的物理性損壞。此外，當該第一層與基板之熱膨脹係數不同時，可能發生小山丘突出(hillock)，其係一種在熱處理後第一層延伸的現象，然而，當第二層具有高於第一層之硬度時，可避免上述之小山丘突出缺陷。
該第二層之材料包括Mo及類似物。
該第二層之線寬及厚度可隨著該輔助電極之目標導電性或該磨銳角調整。該第二層之厚度可為10至5,000Å，譬如，12.5至3,500Å，且更具體為62.5至1,250Å。
根據一示例性實施例，於該輔助電極中，該第二層之厚度相對於該第一層之厚度之比率係介於1/40至1/3之間，且可譬如為1/8。當該厚度在上述範圍內時，必要時可提供第一層之規則磨銳角及譬如避免氧化及卓越硬度之特性，同時也可根據該第一層之反射率及導電性提供該輔助電極適當特性。
根據本發明一示例性實施例，該第一層係一Al層，且該第二層係一Mo層。圖7顯示厚度為4,000Å之Al層及厚度為500Å之Mo層之反射率。在此，該厚度為4,000Å之Al層在550nm波長下之反射率係86.77%，且該厚度為500Å之Mo層在550nm波長下之反射率係44.57%。
於本發明中，關於該第二電極之材料，可使用習知技術中之材料。譬如，可使用金屬、透明導電氧化物、導電聚合物等。該第二電極材料可與該第一電極材料相同或不同。
於本發明中，關於該有機材料層之材料，可使用習知技術中之材料。譬如，該有機材料層可以單一發光層、或複數層而形成，該複數層係除了發光層之外，進一步包括注入或傳輸電荷之層，譬如電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層。亦可設置另外的功能層，譬如電洞阻擋層、電子阻擋層及緩衝層。必要時亦可使用一無機層，譬如金屬鹵化物、有機金屬層或經無機材料摻雜之有機材料層。
根據本發明一示例性實施例，更包括一外部光汲取層配置於與設有第一電極之該基板表面相對之表面上。本發明之發明人發現，相較於未使用輔助電極或使用具有不同結構之輔助電極時，當利用根據上述之實施例之該輔助電極結構時，因為所使用的外部光汲取層較大使得光汲取
效果增加。此可經由下文之實例進一步證明。
該外部光汲取層之結構並沒有特別限制，只要其具有能夠誘導光散射並提高裝置的光取出效率的結構即可。於一實施例中，該外部光汲取層可利用具有散射顆粒分散於黏著劑中之結構之一膜，或利用具有不平坦結構之一膜而形成。
此外，該外部光汲取層可利用譬如旋塗、棒塗及狹縫塗佈的方法，直接地形成在基板上；或可藉由製備成一膜狀並接著貼附在基板上而形成。該外部光汲取層可包括平坦層。
本發明之一示例性實施例更包括一內部光汲取層，其配置介於該第一電極或該輔助電極與該基板之間。該內部光汲取層之結構並無特別限制，只要其具有能夠誘導光散射並提高裝置的光取出效率的結構即可。於一實施例中，該內部光汲取層可利用具有散射顆粒分散於黏著劑中之結構之一膜，或利用具有不平坦結構之一膜而形成。
此外，該內部光汲取層可利用譬如旋塗、棒塗及狹縫塗佈的方法，直接地形成在基板上；或可藉由製備成一膜狀並接著貼附在基板上而形成。該內部光汲取層可包括平坦層。
根據本發明一示例性實施例，該有機發光裝置可更包括一絕緣層。作為一實例，可設置該絕緣層以圍繞至少一部份該第一電極之輔助電極、或是圍繞該第一電極之輔助電極上除了與第一電極相鄰接之該表面之外的整個表面。於另一實例中，該第一電極之該輔助電極係設置於該基板與該第一電極之間，且該絕緣層額外地設置在該輔助電極上，其係為該第一電極之該上表面之一區域。該絕緣層可避免該第一電極或該第一電極
之該輔助電極電性連接至第二電極或其他組成物。該絕緣層之材料並無特別限制，然而，可使用PSPI。
根據本發明一示例性實施例，該有機發光裝置係一可撓式有機發光裝置。在此情況下，該基板包括可撓式材料。譬如，可使用一可撓式薄膜型玻璃基板、一塑膠基板、或一膜狀基板。
該塑膠基板之材料並無特別限制，然而，薄膜譬如PET、PEN、PEEK及PI一般以單層或複數層形式使用。
當該基板形成為一薄膜時，可另外在其上貼附一塑膠基板。譬如，薄膜型玻璃及塑膠基板之層疊體可做為基板。將塑膠基板貼附於薄膜型玻璃上可改善機械特性。
本發明一示例性實施例提供一顯示裝置，其包括如上所述之有機發光裝置。該有機發光裝置之功能可做為顯示裝置中的一相素或背光源。除了前文所描述之外，該顯示裝置可使用習知技術之構成。
本發明一示例性實施例提供一發光裝置，其包括如前文所描述之有機發光裝置。該有機發光裝置之功能可做為發光裝置中的一發光單元。除了前文所描述之外，該發光裝置可使用習知技術之構成。
本發明另一示例性實施例係一電極層壓體，包括一基板、一電極配置於該基板上、以及一輔助電極電性連接至該電極，且該輔助電極具有一第一層及一第二層之層疊結構，該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，該第二層相對於該第一層具有較高之蝕刻率，其中，該輔助電極係配置於該電極以及該基板之間，或該輔助電極係配置以使該輔助電極之該第一層與該電極之至少部分側表面相鄰接。
根據一實施例，該電極係以一圖型形狀配置於該基板上，以及該輔助電極以圖型形狀配置以與該電極圖形側表面之至少一部份相鄰接。
於上述與有機發光裝置相關之實施例中之該第一電極與該第一電極之該輔助電極可分別應用至於本發明所描述之電極壓層體之該電極與該輔助電極。關於除了第一電極與與該第一電極之該輔助電極之外的額外組成，該些組成譬如可包括一基板、一外部光汲取層、一內部光汲取層、一絕緣層及類似者，前文所描述與有機發光裝置相關之實施例亦可應用於電極層壓體中。
於下文中，所描述的實施例將搭配詳細地實例加以描述。然而，下文之實例係用於說明之目的，本發明之範圍並不限於此。
一輔助電極圖形形成於玻璃基板上以形成Al(厚度為4,000Å)及Mo(厚度為500Å)之層疊結構，並在該基板及該輔助電極圖形上形成ITO層作為第一電極。在此，該輔助電極之Al層之磨銳角為30°至60°。
實施例中所製備的Al和Mo層疊結構的SEM圖如圖10所示。根據圖10，由該Mo層之下表面之一端單元到該Al層之上表面之一端單元之間距離係為0.1微米。圖11係圖10之SEM圖之剖面模擬圖。
接著，在該第一電極上形成一發光層及第二電極，並製得一有機發光裝置。
除了於與該設有輔助電極之該基板表面相對之表面上另外
形成一OCF(外部光汲取層)之外，利用和實施例1相同的手段進行實施例2。
以Mo/Al/Mo層疊結構將輔助電極圖形形成在玻璃基板上，且在該基板與該輔助電極圖形上形成第一電極。在此，該Mo層係形成為500Å之厚度，且該Al層係形成為4,000Å之厚度，並將ITO層用以作為該第一電極。
除了於與該設有輔助電極之該基板表面相對之表面上另外形成一OCF(外部光汲取層)之外，利用和比較例1相同的手段進行比較例2。
對實施例及比較例中所製造之裝置之特性進行測量，如下表所示。
表1中，lm代表亮度，換言之，光的亮度；LE代表發光效率，即相對於功率消耗之光的亮度；QE為光子的數量並代表顆粒發光之數量；CCT為色溫，且當數值低時代表紅色系，而當數值高時代表藍色系。Duv是顏色變化，且當數字減少時，可獲得更優良的效果。
根據表1，相較於比較例2之顏色補償效率，實施例1之顏色補償效率增加11%以上，且光子數量亦增加了9%以上。
於上述實施例及比較例中，在包括OCF(外部光汲取層)之後的效果相較於包括OCF之前的改善比例如下表2所示。
如表2所示，與比較例相比，可見在包括OCF(外部光汲取層)的實施例中，裝置的表現可進一步獲得改善。
Claims (33)
- 一種有機發光裝置，包括：一基板；一第一電極，配置於該基板上；一第二電極，配置以與該第一電極相對；一有機材料層，配置介於該第一電極以及該第二電極之間；以及該第一電極之一輔助電極，其中該第一電極之該輔助電極具有一第一層及一第二層之層疊結構，其中該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，該第二層相較於該第一層具有較高之蝕刻率；以及該第一電極之該輔助電極係配置於該第一電極以及該基板之間，或使該第一電極之該輔助電極之該第一層與該第一電極之至少部分側表面相鄰接。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，在波長550nm波長下具有80%以上之反射率之該第一層相較於該第二層係與該基板較接近。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，在波長550nm波長下具有80%以上之反射率之該第一層係與該基板相鄰接。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該第一電極係以一圖形形狀配置於該基板上，以及該第一電極之該輔助電極之該第一層以圖形形狀配置且與該第一電極之圖形側表面之至少一部份相鄰接。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該第一層之一上表 面線寬(a’)相對於該第一層之一下表面線寬(a)之比率係小於1。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該第二層之一下表面線寬(b)係同於或小於該第一層之一上表面線寬(a’)。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該第一層係為一鋁(Al)層，以及該第二層係為一鉬(Mo)層。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該第一電極之該輔助電極之一磨銳角(taper angle)係大於0°以及小於或等於60°。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，於該輔助電極中，該第二層之厚度相對於該第一層之厚度之比率係介於1/40至1/3之間。
- 如申請專利範圍第1項至第9項任一項所述之有機發光裝置，更包括一外部光汲取層(external light extraction layer)其配置於與該設有第一電極之該基板表面相對之表面上。
- 如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置，其中，該外部光汲取層包括一平坦層。
- 如申請專利範圍第1項至第9項任一項所述之有機發光裝置，更包括一內部光汲取層，其配置介於該第一電極或該輔助電極與該基板之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中，該內部光汲取層包括一平坦層。
- 如申請專利範圍第1項至第9項任一項所述之有機發光裝置，其係為一可撓性有機發光裝置。
- 一顯示裝置，包括如申請專利範圍第1項至第9項任一項所述之有機發光裝置。
- 一顯示裝置，包括如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置。
- 一顯示裝置，包括如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置。
- 一發光裝置，包括如申請專利範圍第1項至第9項任一項所述之有機發光裝置。
- 一發光裝置，包括如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置。
- 一發光裝置，包括如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置。
- 一電極層壓體，包括：一基板；一電極，配置於該基板上；以及一輔助電極，電性連接至該電極，且該輔助電極具有一第一層及一第二層之層疊結構，該第一層在550nm波長下具有80%以上之反射率，該第二層相較於該第一層具有較高之蝕刻率，其中，該輔助電極係配置於該電極以及該基板之間，或該輔助電極係配置以使該輔助電極之該第一層與該電極之至少部分側表面相鄰接。
- 如申請專利範圍第21項所述之電極層壓體，其中，在波長550nm波長下具有80%以上之反射率之該第一層相較於該第二層係與該基板較接近。
- 如申請專利範圍第21項所述之電極層壓體，其中，在波長550nm波長下具有80%以上之反射率之該第一層係與該基板相鄰接。
- 如申請專利範圍第21項所述之電極層壓體，其中，該第一電極係以一圖形形狀配置於該基板上，以及該第一電極之該輔助電極之該第一層以圖形形狀配置以與該第一電極之圖形側表面之至少一部份相鄰接。
- 如申請專利範圍第21項所述之電極層壓體，其中，該第一層之一上表面 線寬(a’)相對於該第一層之一下表面線寬(a)之比率係小於1。
- 如申請專利範圍第21項所述之電極層壓體，其中，該第二層之一下表面線寬(b)係同於或小於該第一層之一上表面線寬(a’)。
- 如申請專利範圍第21項所述之電極層壓體，其中，該第一層係為一鋁(Al)層，以及該第二層係為一鉬(Mo)層。
- 如申請專利範圍第21項所述之電極層壓體，其中，該第一電極之該輔助電極之一磨銳角(taper angle)係大於0°以及小於或等於60°。
- 如申請專利範圍第21項所述之電極層壓體，其中，於該輔助電極中，該第二層之厚度相對於該第一層之厚度之比率係介於1/40至1/3之間。
- 如申請專利範圍第21項至第29項任一項所述之電極層壓體，更包括一外部光汲取層(external light extraction layer)其配置於設置有該電極之該基板表面對面之表面上。
- 如申請專利範圍第30項所述之電極層壓體，其中，該外部光汲取層包括一平坦層。
- 如申請專利範圍第21項至第29項任一項所述之電極層壓體，更包括一內部光汲取層，其配置介於該第一電極或該輔助電極與該基板之間。
- 如申請專利範圍第32項所述之電極層壓體，其中，該內部光汲取層包括一平坦層。
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