TW201515272A - 發光二極體封裝結構 - Google Patents
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Abstract
一種發光二極體封裝結構，其包括一基座以及至少一發光二極體晶片。所述基座沿第一方向之長度大於沿垂直第一方向之第二方向之長度。所述基座上形成一收容腔，該收容腔貫通基座之頂部以及基座沿第一方向上之兩端。收容腔在基座之頂部具有一正向開口，在基座之沿第一方向上之兩端分別具有側向開口。所述發光二極體晶片設置於所述收容腔中，發光二極體晶片發出之光線藉由基座之正向開口以及側向開口射出。
Description
本發明涉及一種發光二極體封裝結構。
相比於傳統之發光源，發光二極體（Light Emitting Diode，LED）具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優點，其作為一種新型之發光源，已經被越來越廣泛地應用。
傳統之發光二極體封裝結構產生之光場形狀大多為圓形，但是在某些照明場合下，常常需要長條形之光場，例如道路照明，若路燈之光場為圓形，則一部分光線會照出道路範圍之外，不但造成資源浪費還可能形成錯誤交通引導，如此，則要求路燈所形成之照明區域大致呈長條形為佳，在沿道路之方向上具有較大之照明長度，而在垂直於道路之方向上具有較小之照明長度。所以說如何提供一種具有長條形光場之發光二極體封裝結構，成為業內人士需要解決之技術問題。
有鑑於此，有必要提供一種具有長條形光場形狀之發光二極體封裝結構。
一種發光二極體封裝結構，其包括一基座以及至少一發光二極體晶片。所述基座沿第一方向之長度大於沿垂直第一方向之第二方向之長度。所述基座上形成一收容腔，該收容腔貫通基座之頂部以及基座沿第一方向上之兩端。收容腔在基座之頂部具有一正向開口，在基座之沿第一方向上之兩端分別具有側向開口。所述發光二極體晶片設置於所述收容腔中，發光二極體晶片發出之光線藉由基座之正向開口以及側向開口射出。
上述之發光二極體封裝結構中，基座上形成收容腔，該收容腔在基座之頂部具有一正向開口，在基座之沿第一方向上之兩端分別具有側向開口，發光二極體晶片設置於基座之收容腔中，其發出之光線由基座之正向開口以及基座之沿第一方向之兩側之側向開口射出，由此，可以使得發光二極體晶片產生之光場在第一方向上被拉長延伸，如此，可以形成一長條形之光場形狀。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
10‧‧‧基座
20‧‧‧發光二極體晶片
30‧‧‧封裝層
11‧‧‧絕緣座
12‧‧‧第一電極構造
13‧‧‧第二電極構造
14‧‧‧收容腔
111‧‧‧底壁
112‧‧‧側壁
121‧‧‧第一內部電極
122‧‧‧第一延伸電極
123‧‧‧第一外部電極
131‧‧‧第二內部電極
132‧‧‧第二延伸電極
133‧‧‧第二外部電極
141‧‧‧正向開口
142‧‧‧側向開口
圖1為本發明實施方式中之發光二極體封裝結構之立體圖。
圖2為圖1中之發光二極體封裝結構之俯視圖。
圖3為圖1中之發光二極體封裝結構之仰視圖。
圖4為圖1中之發光二極體封裝結構之側視圖。
圖5為圖1中之發光二極體封裝結構之基座之立體圖。
圖6為圖1中之發光二極體封裝結構所產生之光場形狀示意圖。
請參閱圖1至圖4，本發明實施方式提供之一種發光二極體封裝結構100包括一基座10、設置於該基座10內之至少一發光二極體晶片20以及設置於基座10內並覆蓋發光二極體晶片20之封裝層30。
請接著參閱圖5，所述基座10包括一絕緣座11以及設置於該絕緣座11上之第一電極構造12和第二電極構造13。所述絕緣座11呈一長方體結構，其長邊沿第一方向X延伸，短邊沿第二方向Y延伸。絕緣座11包括長方形之底壁111以及由該底壁111之兩個長邊垂直向上延伸之兩側壁112。兩側壁112平行相對，其與底壁111共同圍成一收容腔14。該收容腔14貫通絕緣座11之頂部以及絕緣座11沿第一方向X之兩端，其具有一位於絕緣座11頂部之正向開口141以及分別位於絕緣座11之沿第一方向X兩端之側向開口142。
所述第一電極構造12與第二電極構造13相互間隔設置於絕緣座11上。其中，第一電極構造12包括第一內部電極121、第一延伸電極122以及第一外部電極123。同樣，第二電極構造13包括第二內部電極131、第二延伸電極132以及第二外部電極133。所述第一內部電極121與第二內部電極131相互間隔設置於收容腔14中之絕緣座11之底壁111上，用於與發光二極體晶片20電連接。所述第一延伸電極122以及第二延伸電極132分別設置在絕緣座11之底壁111之下表面上，並分別藉由該底壁111與第一內部電極121以及第二內部電極131連接。所述第一外部電極123以及第二外部電極133分別由第一延伸電極122以及第二延伸電極132延伸至絕緣座11之側壁112上，以用於與外部電源電連接。
所述發光二極體晶片20設置於基座10之收容腔14內並藉由導線分別電性連接第一內部電極121與第二內部電極131。
所述封裝層30填充於基座10之整個收容腔14內，並覆蓋所述發光二極體晶片20。所述封裝層30之頂面由收容腔14之正向開口141露出，並與兩側壁112之頂面齊平；所述封裝層30之側面分別由收容腔14之側向開口142露出，並分別與兩側壁112之沿第一方向X之端面齊平。所述封裝層30為一透明結構，其材質可為矽、環氧樹脂等。所述封裝層30中還可摻入螢光粉。所述螢光粉材質可選自石榴石(garnet)、矽酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物中之一或幾種組合之化合物。
請參閱圖6，在本發明之發光二極體封裝結構100中，所述基座10上形成收容腔14，該收容腔14在基座10之頂部具有一正向開口141，在基座10之沿第一方向X之兩端分別具有側向開口142，發光二極體晶片20設置於基座10之收容腔14中，其發出之光線由基座10之正向開口141以及基座10之沿第一方向X兩側之側向開口142射出，由此，可以使得發光二極體晶片20產生之光場在第一方向X上被拉長延伸，如此，可以形成一長條形之光場形狀。
無
100‧‧‧發光二極體封裝結構
10‧‧‧基座
30‧‧‧封裝層
11‧‧‧絕緣座
12‧‧‧第一電極構造
13‧‧‧第二電極構造
111‧‧‧底壁
112‧‧‧側壁
122‧‧‧第一延伸電極
123‧‧‧第一外部電極
132‧‧‧第二延伸電極
133‧‧‧第二外部電極
Claims (7)
- 一種發光二極體封裝結構，其包括一基座以及至少一發光二極體晶片，其改進在於：所述基座沿第一方向之長度大於沿垂直第一方向之第二方向之長度，所述基座上形成一收容腔，該收容腔貫通基座之頂部以及基座沿第一方向上之兩端，收容腔在基座之頂部具有一正向開口，在基座之沿第一方向上之兩端分別具有側向開口，所述發光二極體晶片設置於所述收容腔中，發光二極體晶片發出之光線藉由基座之正向開口以及側向開口射出。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述基座包括一絕緣座以及設置於該絕緣座上之第一電極構造和第二電極構造。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述絕緣座呈一長方體結構，該長方體結構之長邊沿第一方向延伸，短邊沿第二方向延伸。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述絕緣座包括長方形之底壁以及由該底壁之兩個長邊垂直向上延伸之兩側壁，所述兩側壁平行相對，並與底壁共同圍成所述收容腔。
- 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述第一電極構造包括第一內部電極、第一延伸電極以及第一外部電極，所述第二電極構造包括第二內部電極、第二延伸電極以及第二外部電極，所述第一內部電極與第二內部電極相互間隔設置於所述收容腔中之絕緣座之底壁上，所述第一延伸電極以及第二延伸電極分別設置在絕緣座之底壁之下表面上，並分別藉由該底壁與第一內部電極以及第二內部電極電連接，所述第一外部電極以及第二外部電極分別由第一延伸電極以及第二延伸電極延伸至絕緣座之側壁上。
- 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述發光二極體晶片設置於所述基座之收容腔內並分別電性連接第一內部電極與第二內部電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述發光二極體封裝結構還包括一封裝層，該封裝層填充於所述基座之整個收容腔內，並覆蓋所述發光二極體晶片。
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