TWI483432B - 發光二極體 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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Description
本發明涉及一種半導體照明元件,特別涉及一種發光二極體。
發光二極體作為一種新興的光源,目前已廣泛應用於多種照明場合之中,並大有取代傳統光源的趨勢。
習知的發光二極體通常包括兩電極、與該兩電極電連接的一LED晶片及封裝該電極及LED晶片的一封裝體。該兩電極設於該封裝體的底部且僅其底面外露。這種發光二極體安裝時,一般只能使電極外露的底面貼設在電路板上,安裝方式單一,安裝適應性較差。
有鑒於此,有必要提供一種可多方向安裝,安裝適應性強的發光二極體。
一種發光二極體,包括基板、結合於基板上的第一電極及第二電極、電連接第一電極及第二電極的發光晶片及設置於第一電極及第二電極上並圍設發光晶片於其內的封裝體,所述發光二極體進一步包括設置於第一電極上的第一擋牆及設置於第二電極上的第二擋牆,所述第一擋牆及第二擋牆均由導電材料組成,第一擋牆及第二擋牆收容於封裝體內且第一擋牆及第二擋牆外露於封裝體的外側面。
相對於技術中的發光二極體,本發明中的發光二極體可以實現多方位的側向安裝,還可以適應電路板上不同的安裝電路,具有較強的安裝適應性。
1‧‧‧發光二極體
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一電極
13‧‧‧第二電極
15‧‧‧第一擋牆
17‧‧‧第二擋牆
20‧‧‧發光晶片
21、22‧‧‧金屬引線
30‧‧‧封裝體
31‧‧‧通孔
40‧‧‧電路板
101‧‧‧本體部
103‧‧‧凸伸部
111‧‧‧第一主體部
113‧‧‧第一支撐部
115‧‧‧第一組合部
131‧‧‧第二主體部
133‧‧‧第二支撐部
135‧‧‧第二組合部
圖1為本發明一實施例中的發光二極體的立體圖。
圖2為圖1所示的發光二極體的剖視圖。
圖3為圖1所示的發光二極體的俯視圖。
圖4為圖1所示的發光二極體的安裝示意圖。
請參閱圖1,本發明的發光二極體1包括一基板10、分別設置於基板10相對兩側的一第一電極11及一第二電極13、分別設置於第一、第二電極11、13表面的二第一擋牆15及二第二擋牆17,一電連接該第一電極11、第二電極13的發光晶片20及圍設該發光晶片20並覆蓋該第一擋牆15及第二擋牆17的一封裝體30。
請一併參閱圖1及圖2,該基板10為一縱長的絕緣板體,其沿發光二極體1縱向的截面呈“凸”字型,該基板10包括一縱長的本體部101及自本體部101中部一體向上延伸的、縱長的一凸伸部103。該凸伸部103沿發光二極體1縱向的延伸的寬度較本體部101沿發光二極體1縱向延伸的寬度小,且該凸伸部103的相對的兩端面分別與該本體部101相對的兩端面共面,如此,使基板10沿發光二極體1橫向延伸的兩側邊分別形成一L形的臺階部。二臺階部分別與第一電極11及第二電極13配合。
該第一電極11及第二電極13分別為一縱長的金屬板體,其沿發光
二極體1縱向的截面均呈“T”型。該第一電極11包括一第一主體部111及自該第一主體部111頂端向上延伸的一第一支撐部113。該第一主體部111及第一支撐部113均為長方形板體,且該第一支撐部113的沿發光二極體1縱向延伸的長度大於第一主體部111沿發光二極體1縱向延伸的長度。該第一主體部111位於第一支撐部113下表面中部使第一支撐部113及第一主體部111的相對兩端分別形成一L行的第一組合部115。該第一組合部115用於與基板10相應的一臺階部卡合。該第一支撐部113相對的兩側面分別與該第一主體部111相對的兩側面共面。
該第二電極13與該第一電極11的的結構類似,且該第二電極13沿發光二極體1縱向延伸的長度小於第一電極11沿發光二極體縱向延伸的長度,該第二電極13沿發光二極體1橫向延伸的寬度等於第一電極11沿發發光二極體1橫向延伸的寬度。
該第二電極13包括一第二主體部131及自該第二主體部131頂端向上延伸的一第二支撐部133,該第二主體部131及第二支撐部133均為長方形板體,且該第二支撐部133沿發光二極體1縱向延伸的長度大於第二主體部131沿發光二極體1縱向延伸的長度,該第二主體部131位於第二支撐部133下表面中部使第二支撐部133及第二主體部131的相對兩端分別形成一L行的第二組合部135。該第二組合部135用於與基板10相應的一臺階部卡合。第二支撐部133相對的兩側面分別與該第二主體部131相對的側面共面。
該第一電極11、第二電極13與該基板10組合時,將該基板10夾設於第一電極11及第二電極13之間,並使第一組合部115與第二組合部135分別與基板10相對兩側的臺階部卡合,如此便將第一電
極11、第二電極13及基板10組合在一起。此時,第一電極11、第二電極13的相對兩側面分別與基板10的相對兩端面平行共面,第一電極11的第一支撐部113、第二電極13的第二支撐部133的頂面與基板10的凸伸部的頂面平行共面。
本發明中,由於該縱長的第一電極11、第二電極13的第一組合部115及第二組合部135分別與該基板10的臺階部卡合,增大了該第一電極11、第二電極13與該基板10的接觸面積,使二者的接觸更加牢固,且由於該第一電極11及第二電極13的夾設作用,使得該基板10與該第一電極11、第二電極13之間的接觸面的氣密性更加良好,進而使其具有防水防潮的功效。
該每一第一擋牆15為一縱長狀,其由導電材料組成,本實施例中,該每一第一擋牆15為金屬條,二第一擋牆15間隔設置、分別貼設於第一電極11的第一支撐部113的頂面的相對兩側且每一第一擋牆15的外側面與第一支撐部113的側面共面,其相對的兩端面分別與第一支撐部113的兩端面共面。
每一第二擋牆17也為一縱長狀,其也由導電材料組成,本實施例中,該每一第二擋牆17為金屬條,二第二擋牆17間隔設置、分別貼設於第二電極13的第二支撐部133的頂面的相對兩側且每一第二擋牆17的外側面與第二支撐部133的側面共面,其相對的兩端面分別與第二支撐部133的兩端面共面。每一第二擋牆17自第二電極13向上延伸的高度與每一第一擋牆15自第一電極11向上延伸的高度相等。
請參閱圖3,將該發光晶片20固定於該第一電極11的第一支撐部113的頂面中部,且位於相對的二第一擋牆15之間。該發光晶片
20的兩個電極分別藉由二金屬引線21、22與該第一電極11及第二電極13電性連接。在其他的實施例中,該發光晶片20還可以藉由倒裝式或共晶的方式設置於第一電極、第二電極或基板的頂面上,進而與該第一電極11及該第二電極13電連接。
該封裝體30大致為一長方體,其覆蓋於該基板10的凸伸部的頂面、第一電極11的第一支撐部113的頂面、第二電極13的第二支撐部133的頂面,並包裹該第一擋牆15、第二擋牆17於其內,從而增大了該封裝體30的封裝面積,進而使得該封裝體30與基板10、第一電極11、第二電極13以及第一擋牆15及第二擋牆17的結合更加牢固。該第一擋牆15、第二擋牆17的外側面分別與該封裝體30的相對兩側面共面並外露於該封裝體30,第一擋牆15遠離第二擋牆17的一端與封裝體30相應的一端共面並外露於該封裝體30,第二擋牆17遠離第一擋牆15的一端與封裝體30相應的另一端共面並外露於封裝體30。
該封裝體30的材質為環氧樹脂,矽樹脂或聚鄰苯二甲醯胺(Polyphthalamide,PPA)中的任何一種具有反射作用的材料。
該封裝體30的中部進一步開設有一上下貫穿的喇叭狀通孔31,該通孔31的頂端及底端的橫截面均為一圓面,該通孔31的內逕自頂端向低端逐漸減小,且發光晶片20位於其底部。該通孔31的頂端的橫截面為該發光晶片20的出光面。該通孔31的內部填充有螢光粉,且該螢光粉包覆該發光晶片20,該螢光粉包含石榴石基螢光粉、矽酸鹽基螢光粉、原矽酸鹽基螢光粉、硫化物基螢光粉、硫代鎵酸鹽基螢光粉、氮氧化物基螢光粉和氮化物基螢光粉中的一種或多種,也可根據不同類型的發光晶片需求而呈現不同的螢光
粉密度分佈。該通孔31及其周圍的封裝體30共同形成一杯狀結構,該杯狀結構用於將發光晶片20發出的側向光線集中於該通孔31的頂端的圓面出射,從而提高了該發光二極體1的正向出光強度。
請參閱圖4,該發光二極體1藉由其側面與電路板40進行貼裝時,由於該第一擋牆15以及第二擋牆17外露於該封裝體30的外側面,從而增加了該發光二極體1與電路板40的接觸面積,進而使得該發光二極體1與該電路板40接觸牢固,同時也增大了其散熱面積。此外,當該發光二極體1側向貼裝於電路板40上後,使得該第一電極11及第二電極13的未與電路板40貼裝的部分直接外露於空氣中,從而使得該發光二極體1及電路板40產生的熱量能夠快速地導入到空氣中,增強了其散熱的效果。
由於該第一電極11、第二電極13的相對兩側面外露於該封裝體30的側面,且第一電極11、第二電極13的底端分別延伸有第一電極11及第二電極13的第一主體部111及第二主體部131,因此可以進行多方位安裝,還可以適應不同的電路板安裝,具有較強的安裝適應性。可以理解的,在其他實施例中,第一電極11及第二電極13上可僅設置有一第一擋牆15及一第二擋牆17,具體的,第一擋牆15及第二擋牆17的數量可以根據實際需要選定。另外,第一擋牆15、第二擋牆17也可分別與第一電極11、第二電極13一體成型。
1‧‧‧發光二極體
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一電極
13‧‧‧第二電極
15‧‧‧第一擋牆
17‧‧‧第二擋牆
20‧‧‧發光晶片
30‧‧‧封裝體
31‧‧‧通孔
101‧‧‧本體部
103‧‧‧凸伸部
111‧‧‧第一主體部
113‧‧‧第一支撐部
115‧‧‧第一組合部
131‧‧‧第二主體部
133‧‧‧第二支撐部
135‧‧‧第二組合部
Claims (10)
- 一種發光二極體,包括基板、結合於基板上的第一電極及第二電極、電連接第一電極及第二電極的發光晶片及設置於第一電極及第二電極上並圍設發光晶片於其內的封裝體,其改良在於:所述發光二極體進一步包括設置於第一電極上的第一擋牆及設置於第二電極上的第二擋牆,所述第一擋牆及第二擋牆均由導電材料組成,第一擋牆及第二擋牆收容於封裝體內且第一擋牆及第二擋牆外露於封裝體的外側面,所述第一電極遠離所述基板的一端形成L形的第一組合部,所述第一組合部外露於所述封裝體,所述第二電極遠離所述基板的一端形成L形的第二組合部,所述第二組合部外露於所述封裝體。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體,其中:所述第一擋牆的外側面與第一電極的一側面共面,第二擋牆的外側面與第二電極的一側面共面。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體,其中:所述第一電極的相對兩側各設有一所述第一擋牆,二第一擋牆相互間隔,且其外側面均外露於封裝體。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體,其中:所述第二電極的相對兩側各設有一所述第二擋牆,二第二擋牆相互間隔,且其外側面均外露於封裝體。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體,其中:所述第一擋牆遠離第二擋牆的一端與封裝體相應的一端共面並外露於該封裝體,所述第二擋牆遠離第一擋牆的一端與封裝體相應的另一端共面並外露於封裝體。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體,其中:所述基板沿發光二極體 橫向延伸的兩側面分別形成一L形的臺階部,所述臺階部分別與第一電極及第二電極配合。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體,其中:所述基板的相對兩端面分別與第一電極、第二電極的相對兩側面平行共面,且所述基板的頂面與第一電極、第二電極的頂面平行共面。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體,其中:所述封裝體覆蓋於基板的頂面、第一電極及第二電極的頂面,並包裹該第一擋牆、第二擋牆於其內。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體,其中:所述第一電極包括第一主體部及自第一主體部向上延伸的第一支撐部,所述第二電極包括第二主體部及自第二主體部向上延伸的第二支撐部,所述第一主體部及第一支撐部均為長方形板體,且所述第一支撐部沿發光二極體縱向延伸的長度大於第一主體部沿發光二極體縱向延伸的長度,所述第二主體部及第二支撐部均為長方形板體,且所述第二支撐部沿發光二極體縱向延伸的長度大於第二主體部沿發光二極體縱向延伸的長度。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體,其中:所述第一擋牆、第二擋牆分別與第一電極、第二電極一體成型。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210147518.9A CN103427006B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 发光二极管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201347236A TW201347236A (zh) | 2013-11-16 |
TWI483432B true TWI483432B (zh) | 2015-05-01 |
Family
ID=49547970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101117753A TWI483432B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-18 | 發光二極體 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8896009B2 (zh) |
CN (1) | CN103427006B (zh) |
TW (1) | TWI483432B (zh) |
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2012
- 2012-05-14 CN CN201210147518.9A patent/CN103427006B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-18 TW TW101117753A patent/TWI483432B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-05-02 US US13/875,296 patent/US8896009B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8896009B2 (en) | 2014-11-25 |
CN103427006B (zh) | 2016-02-10 |
US20130299866A1 (en) | 2013-11-14 |
CN103427006A (zh) | 2013-12-04 |
TW201347236A (zh) | 2013-11-16 |
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