KR20120093008A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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KR20120093008A
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김부진
조민수
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 LED 칩을 구동시키기 위한 전류를 공급하는 기판; 몸체로부터 소정 각도로 경사지도록 형성된 측벽을 포함하여 내부에 공간이 마련된 하우징; 상기 하우징 내부에 실장되고, 상기 기판으로부터의 전류를 이용하여 발광하는 복수의 LED 칩; 상기 기판과 접속되는 접속부 및 상기 접속부로부터 소정 각도를 가지도록 형성된 복수의 경사면을 포함하여 상기 하우징 내부의 중앙부에 형성되고, 상기 기판으로부터 제1 극성의 전류가 공급되는 제1 리드 프레임; 상기 하우징 내부의 양 측면에 이격되도록 형성되고, 상기 기판으로부터 제2 극성의 전류가 공급되는 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임;을 포함하고, 상기 제1 리드 프레임의 복수의 경사면 중에서 제1 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제1 LED 칩이 본딩되고, 상기 제1 경사면과 대칭되도록 형성된 제2 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제2 LED 칩이 본딩되는 것을 특징으로 한다.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE DEVICE PACKAGE}
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 P-N 반도체가 접합(P-N junction)된 LED 칩을 포함하며, 전류 인가에 의해 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 반도체 발광 장치이다. 이러한 발광 다이오드는 LED 칩, 리드 프레임, 형광층 및 하우징을 포함하는 패키지 구조로 제작되며, 소형화, 고출력, 고효율, 장수명 및 우수한 단색성 피크 파장의 장점이 있어 적용분야가 확대되고 있다.
발광 다이오드는 전극 배치 및 LED 칩 구조에 따라 수평형(lateral type)과 수직형(vertical type)로 분류되며, 슬림화를 위해 PCB(Printed Circuit Board)에 실장되는 표면실장 소자(SMD: Surface Mount Device)로 제조되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 수평형(lateral type) 발광 다이오드를 나타내는 도면이고, 도 2는 종래 기술에 따른 수직형(vertical type) 발광 다이오드를 나타내는 도면이다. 도 1 및 도 2에서 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하였다. 도 1 및 도 2에서는 LED 칩을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드의 도시를 생략하였다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 수평형(lateral type) 발광 다이오드는 PCB(10, Printed Circuit Board), 복수의 리드 프레임(22, 24), 하우징(30), 칩 다이(40), LED 칩(50), 본딩 와이어(60) 및 형광층(70)을 포함하여 구성된다.
하우징(30)은 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지도록 측벽을 포함하여 컵 형상을 가지도록 형성되고, 내부에 마련된 공간에 LED 칩(50) 및 형광층(70)을 실장한다.
LED 칩(50)은 사파이어 기판 상에 P 반도체층이 형성되고, P 반도체층(P-GaN) 상부에 P 전극이 형성된다. 그리고, 발광 구조의 일부분을 메사(Mesa) 식각하여 노출된 N 반도체층(N-GaN) 상부에 N 전극이 형성된다. P 반도체층(P-GaN)과 N 반도체층(N-GaN) 사이에는 전자와 정공의 결합에 의해 광이 생성되는 발광층(다중 양자 우물, MQW: Multi-Quantum Well)이 형성된다.
복수의 리드 프레임(22, 24)은 LED 칩(50)에 구동 전원을 공급하기 위한 N 전극과 P 전극으로 구성되며, LED 칩(50)은 칩 다이(40)에 본딩되어 리드 프레임(22, 24) 상에 배치된다.
LED 칩(50)의 P 전극은 본딩 와이어(60)를 통해 제1 리드 프레임(22, P 전극)과 연결되고, LED 칩(50)의 N 전극은 본딩 와이어(60)를 통해 제2 리드 프레임(24, N 전극)과 연결된다.
하우징(30)에 의해 마련된 내부 공간에는 LED 칩(50)을 습기 및 외부 요인들로부터 보호하고, 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시키기 위한 형광층(70)이 형성된다.
여기서, 형광층(70)은 투명 물질과 형광 물질이 혼합된 몰드물이 하우징(30) 내부 공간에 디스펜싱 된 후, 경화되어 형성될 수 있다. LED 칩(50)이 청색(blue)광을 발광하고 형광층(70)이 황색의 형광체로 형성된 경우, 발광 다이오드에서는 최종적으로 백색광이 출사된다.
이러한 구성을 가지는 종래 기술에 따른 수평형 발광 다이오드는 열 도전 계수 및 열 발산이 낮은 사파이어 기판을 사용하기 때문에 효과적으로 열을 배출하기가 어렵고, 수명이 짧은 단점이 있다.
또한, N형 전극을 형성하기 위해 활성층(발광층)의 일부 영역을 제거함으로 인해 발광 면적이 감소하게 되고, 도 1에 도시된 바와 같이 광 프로파일(A)이 수평 방향으로 형성되어 광 출력 및 발광 효율이 낮은 단점이 있다.
도 1에 도시된 수평형 발광 다이오드의 단점을 보완하기 위해, 도 2에 도시된 수직형 발광 다이오드가 제안되었다.
도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 수직형(vertical type) 발광 다이오드는 PCB(10), 복수의 리드 프레임(22, 24), 하우징(30), 칩 다이(40), LED 칩(80), 본딩 와이어(60) 및 형광층(70)을 포함하여 구성된다.
수직형 발광 다이오드의 LED 칩(80)은 P 전극과 N 전극이 에피층 상부와 하부에 수직하게 형성되는 구조를 가지며, 광을 한쪽 방향으로 반사시키기 위한 리플렉터(reflector) 및 열을 배출시키기 위한 히트 싱크(heat sink)를 포함하여 구성된다.
이러한 수직형 발광 다이오드의 LED 칩(80)은 P 전극이 컨택을 통해 제1 리드 프레임(22, P 전극)과 연결되고, N 전극이 본딩 와이어(60)를 통해 제2 리드 프레임(24, N 전극)과 연결된다.
발광 다이오드는 광 효율을 높이기 위해 청색(blue) 광을 생성하는 LED 칩(80)이 사용되는 경우, 청색 LED 칩(80)에서 생성된 청색광은 형광층(70)의 황색의 형광체를 통해 여기되어 백색광이 출사된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 수직형 발광 다이오드는 광 프로파일(B)이 수직 방향으로 형성된다. 따라서, 광을 한 방향으로 증폭시키기에 유리하고, 수평형 방식에 대비하여 광 출력과 발광 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
그러나, 도 2에 도시된 종래 기술에 따른 수직형 발광 다이오드는 LED 칩(80)에서 생성된 광이 수직 방향으로만 출사되어 광 프로파일(B)이 협소한 단점이 있다.
이러한 수직형 발광 다이오드 협소한 광 프로파일로 인해 청색(blue)의 LED 칩(80)에서 생성된 광이 형광층(70)을 경유하여 백색광으로 변환 시, 광 변환 효율(white color conversion efficiency)이 수평형 발광 다이오드에 대비하여 낮은 단점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광 출력 및 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광 변환 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 LED 칩을 구동시키기 위한 전류를 공급하는 기판; 몸체로부터 소정 각도로 경사지도록 형성된 측벽을 포함하여 내부에 공간이 마련된 하우징; 상기 하우징 내부에 실장되고, 상기 기판으로부터의 전류를 이용하여 발광하는 복수의 LED 칩; 상기 기판과 접속되는 접속부 및 상기 접속부로부터 소정 각도를 가지도록 형성된 복수의 경사면을 포함하여 상기 하우징 내부의 중앙부에 형성되고, 상기 기판으로부터 제1 극성의 전류가 공급되는 제1 리드 프레임; 상기 하우징 내부의 양 측면에 이격되도록 형성되고, 상기 기판으로부터 제2 극성의 전류가 공급되는 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임;을 포함하고, 상기 제1 리드 프레임의 복수의 경사면 중에서 제1 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제1 LED 칩이 본딩되고, 상기 제1 경사면과 대칭되도록 형성된 제2 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제2 LED 칩이 본딩되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 LED 칩을 구동시키기 위한 전류를 공급하는 기판; 몸체로부터 소정 각도로 경사지도록 형성된 측벽을 포함하여 내부에 공간이 마련된 하우징; 상기 하우징 내부에 실장되고, 상기 기판으로부터의 전류를 이용하여 발광하는 복수의 LED 칩; 상기 하우징 내부의 중앙부에 형성되고, 상기 기판으로부터 제1 극성의 전류가 공급되는 제1 리드 프레임; 상기 기판과 접속되는 접속부 및 상기 하우징의 바닥면으로부터 소정 각도를 가지도록 형성된 복수의 경사면을 포함하여 상기 하우징 내부의 양 측면에 이격되도록 형성되고, 상기 기판으로부터 제2 극성의 전류가 공급되는 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임;을 포함하고, 상기 제2 리드 프레임의 경사면에서 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제1 LED 칩이 본딩되고, 상기 제3 리드 프레임의 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제2 LED 칩이 본딩되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 LED 칩을 구동시키기 위한 전류를 공급하는 기판; 몸체로부터 소정 각도로 경사지도록 형성된 측벽을 포함하여 내부에 공간이 마련된 하우징; 상기 하우징 내부에 실장되고, 상기 기판으로부터의 전류를 이용하여 발광하는 복수의 LED 칩; 상기 하우징 내부의 중앙부에 형성되고, 상기 기판으로부터 제1 극성의 전류가 공급되는 제1 리드 프레임; 상기 기판과 접속되는 접속부 및 상기 하우징의 바닥면으로부터 소정 각도를 가지도록 형성된 복수의 경사면을 포함하여 상기 하우징 내부의 양 측면에 이격되도록 형성되고, 상기 기판으로부터 제2 극성의 전류가 공급되는 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임;을 포함하고, 상기 제2 리드 프레임의 경사면에서 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제1 LED 칩이 본딩되고, 상기 제3 리드 프레임의 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제2 LED 칩이 본딩되고, 상기 제1 리드 프레임에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수평 타입의 제3 LED 칩이 본딩되는 것을 특징으로 한다.
실시 예들에 따른 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 광 출력 및 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
실시 예들에 따른 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 광 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
위에서 언급된 본 발명의 특징 및 효과들 이외에도 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 효과들이 새롭게 파악 될 수도 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 수평형(lateral type) 발광 다이오드를 나타내는 도면.
도 2는 종래 기술에 따른 수직형(vertical type) 발광 다이오드를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 평면도.
도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 I1-I2 선에 따른 단면도.
도 6은 도 3에 도시된 수직형 LED 칩의 구조를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 등가 회로.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 평면도.
도 9 및 도 10은 도 8에 도시된 I3-I4 선에 따른 단면도.
도 11은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 등가 회로.
도 12는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 평면도.
도 13은 도 11에 도시된 I5-I6 선에 따른 단면도.
도 14는 도 11에 도시된 수평형 LED 칩의 구조를 나타내는 도면.
도 15는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 등가 회로.
도 16 및 도 17은 본 발명의 또 다른 실시 예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 평면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 평면도이고, 도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 I1-I2 선에 따른 단면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 PCB(100); 복수의 LED 칩(110, 120); 복수의 리드 프레임(140, 152, 154); 하우징(160); 형광층(170); 제너 다이오드(180); 및 본딩 와이어(192, 194, 196);를 포함하여 구성된다.
하우징(160)은 몰드물로 형성되며, 복수의 리드 프레임(140, 152, 154), 제너 다이오드(180) 및 복수의 LED 칩(110, 120)이 배치되는 몸체와 상기 몸체로부터 연장되고 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 측벽(162)을 포함하여 소정 공간의 가지는 컵 형상으로 형성된다.
하우징(160)의 내부에 마련된 공간에는 복수의 LED 칩(110, 120), 제너 다이오드(180), 복수의 리드 프레임(140, 152, 154) 및 형광층(170)이 실장된다.
복수의 리드 프레임(140, 152, 154)는 복수의 LED 칩(110, 120)에 공통으로 정극성(+) 전류를 공급하는 제1 리드 프레임(140, P 전극)과, 복수의 LED 칩(110, 120)에 부극성(-) 전류를 공급하는 제2 리드 프레임(152, N 전극) 및 제3 리드 프레임(154, N 전극)으로 구성된다.
상기 복수의 리드 프레임(140, 152, 154) 중에서 제1 리드 프레임(140)은 하우징(160) 내부 공간의 중앙부에 형성되고, PCB와 접속되는 접속부 및 하단부로부터 상단부로 갈수록 폭이 좁아지는 복수의 경사면을 포함한다. 즉, 제1 리드 프레임(140) 피라미드 구조와 같이 소정 각도의 기울기를 가지는 복수의 측벽을 가지도록 형성되며, 그 단면이 삼각형, 사각형, 오각형 또는 육각 이상의 다각형 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 이때, 복수의 경사면은 상기 접속부로부터 신장되고, 소정 각도를 가지도록 형성된다.
제1 리드 프레임(140)은 일 예로서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 리드 프레임(140)은 상기 접속부로부터 제1 각도(θ1)를 가지도록 형성된 제1 경사면(142) 및 상기 접속부로부터 제2 각도(θ2)를 가지도록 형성된 제2 경사면(144)을 포함한다. 즉, 상기 제1 경사면(142)과 제2 경사면(144)은 서로 대칭되도록 형성된다.
여기서, 상기 제1 리드 프레임(140)의 제1 경사면(142) 및 제2 경사면(144)은 상기 접속부로부터 내각이 30°~ 60°의 각도를 가지도록 형성될 수 있으며, 상기 제1 각도(θ1)와 제2 각도(θ2)는 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 복수의 리드 프레임(140, 152, 154) 중에서 제2 리드 프레임(152, N 전극) 및 제3 리드 프레임(154, N 전극)은 하우징(160) 내부 공간의 일측 및 타측에 서로 이격되도록 형성되고, PCB(100)로부터 복수의 LED 칩(110, 120)을 구동시키기 위한 부극성(-) 전류를 공급받는다.
도 6은 도 3에 도시된 수직형 LED 칩의 구조를 나타내는 도면이다. 복수의 LED 칩(110, 120)은 동일한 구조를 가지므로, 도 6에서는 복수의 LED 칩(110, 120) 중에서 제1 LED 칩(110)의 구조만을 도시하고 있다.
도 6을 참조하면, 제1 LED 칩(110)은 히트 싱크(111), 리플렉터(112), P형 반도체층(113, P-GaN), 발광층(114, MQW), N형 반도체층(115, N-GaN) 및 N 전극(116)이 수직하게 형성된 수직형 LED 칩 구조를 가진다.
복수의 LED 칩(110, 120)은 복수의 리드 프레임(140, 152, 154)으로부터 공급되는 정극성(+) 및 부극성(-)의 전류를 이용하여 광을 발생시킨다.
복수의 LED 칩(110, 120)은 GaN, GaAs, AlGaAs, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor)를 이용하여 형성될 수 있으며, 전류가 인가되면 구성된 물질의 특성에 따른 파장의 광을 발생시킨다.
상기 N 전극(116)은 Ti, Cr, Al, Cu, Au 중 하나의 물질 또는 상기 Ti, Cr, Al, Cu, Au 중 적어도 하나를 포함하는 합금을 이용하여 단일층 또는 복층으로 형성될 수 있다.
제1 LED 칩(110)과 제2 LED(120)은 제1 리드 프레임(140)에 대칭적으로 형성된 제1 경사면(142)과 제2 경사면(144)에 각각 본딩되어 서로 대칭을 이루게 된다.
제1 리드 프레임(140)의 제1 경사면(142)에는 제1 LED 칩(110)이 본딩되어, 제1 LED 칩(110)에 정극성(+)의 전류가 공급된다. 그리고, 제1 리드 프레임(140)의 제2 경사면(144)에는 제2 LED 칩(120)이 본딩되어, 제2 LED 칩(120)에 정극성(+)의 전류가 공급된다.
제1 LED 칩(110)은 제1 본딩 와이어(192)를 통해 제2 리드 프레임(152)에 접속되어, 제1 LED 칩(110)에 부극성(-)의 전류가 공급된다. 그리고, 제2 LED 칩(120)은 제2 본딩 와이어(194)를 통해 제3 리드 프레임(154)에 접속되어, 제2 LED 칩(120)에 부극성(-)의 전류가 공급된다.
이와 같이, 제1 LED 칩(110) 및 제2 LED 칩(120)의 P 전극(미도시)은 제1 리드 프레임(140)과 직접 접속되고, 제1 LED 칩(110) 및 제2 LED 칩(120)의 N 전극은 제1 본딩 와이어(192) 및 제2 본딩 와이어(194)를 제2 리드 프레임(152) 및 제3 리드 프레임(154)에 접속된다.
본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 7에 도시된 바와 같은 등가 회로로 나타낼 수 있으며, 하나의 제1 리드 프레임(140)으로 복수의 LED 칩(110, 120)에 공통으로 정극성(+) 전류를 공급하고, 서로 이격되도록 형성된 제2 리드 프레임(152) 및 제3 리드 프레임(154)으로 복수의 LED 칩(110, 120) 각각에 부극성(-) 전류를 공급한다.
형광층(170)은 복수의 LED 칩(110, 120)을 외부의 요인으로부터 보호하는 역할 및 복수의 LED 칩(110, 120)에서 생성된 광을 특정 색광으로 출사시키기 위한 것이다.
이러한 형광층(170)은 높은 광 투과성을 가지는 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 형광 몰딩제가 하우징(160)의 내부 공간에 디스펜싱된 후, 경화되어 형성될 수 있다.
복수의 LED 칩(110, 120)이 청색광을 발생시키는 경우 형광층(170)은 황색 형광 몰딩제로 형성될 수 있으며, 복수의 LED 칩(110, 120)에서 생성된 청색광이 황색의 형광 몰딩제에 의해 여기되어 최종적으로 백색광이 출사되게 된다.
제너 다이오드(180)는 하우징(160) 내부 공간의 일측에 배치되며, 복수의 LED 칩(110, 120)과 병렬로 연결된다.
제너 다이오드(180)는 복수의 LED 칩(110, 120)을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 것으로, 제3 본딩 와이어(196)을 통해 제1 리드 프레임(140), 제2 리드 프레임(152) 및 제3 리드 프레임(154)과 접속된다.
상술한 설명에서는 복수의 LED 칩(110, 120)을 전기적 충격으로 보호하기 위한 구성으로 제너 다이오드(180)를 포함하는 것으로 설명하였지만, 제너 다이오드(180)를 대체하여 바리스터(Varistor), 어벨렌시 다이오드, 쇼트키 다이오드가 적용될 수도 있다.
상술한 구성을 포함하는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징(160) 내부 공간의 중앙부에 형성된 제1 리드 프레임(140)의 측벽(142, 144)에 복수의 LED 칩(110, 120)을 대칭적으로 본딩 시킨다. 그리고, 복수의 LED 칩(110, 120)의 N 전극을 본딩 와이어(192, 194)를 통해 서로 이격되도록 형성된 제2 리드 프레임(152) 및 제3 리드 프레임(154) 각각에 접속시키는 구조를 가진다.
이를 통해, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 LED 칩(110, 120)의 광 프로파일(C)을 측면 방향으로 경사지게 형성시켜 수직형 LED 칩의 광 출사 범위를 넓힐 수 있다. 즉, 발광 다이오드 패키지에서 넓은 범위로 광이 출사되도록 할 수 있다.
또한, 복수의 LED 칩(110, 120)에서 생성된 광이 형광체에 여기되는 광 경로가 충분히 확보되도록 하여 수직형 LED 칩이 적용된 발광 다이오드 패키지의 광 변환 효율(white color conversion efficiency)을 향상시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 평면도이고, 도 9 및 도 10은 도 8에 도시된 I3-I4 선에 따른 단면도이다. 도 8 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명함에 있어서, 상술한 제1 실시 예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 PCB(100); 복수의 LED 칩(210, 220); 복수의 리드 프레임(240, 250, 260); 하우징(160); 형광층(170); 제너 다이오드(180); 및 본딩 와이어(192, 194, 196);를 포함하여 구성된다.
복수의 LED 칩(210, 220)은 수직형 LED 칩 구조를 가지며, 도 6에 도시된 구조와 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
하우징(160)은 몰드물로 형성되며, 복수의 리드 프레임(240, 250, 260), 제너 다이오드(180) 및 복수의 LED 칩(210, 220) 중 적어도 하나가 배치되는 몸체와 상기 몸체로부터 연장되고 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 측벽(162)을 포함하여 소정 공간을 가지는 컵 형상으로 형성된다.
하우징(160)의 내부에 마련된 공간에 복수의 LED 칩(210, 220), 제너 다이오드(180), 복수의 리드 프레임(240, 250, 260) 및 형광층(170)이 실장된다.
복수의 리드 프레임(240, 250, 260)은 복수의 LED 칩(110, 120)에 공통으로 부극성(-) 전류를 공급하는 제1 리드 프레임(240, N 전극)과, 복수의 LED 칩(110, 120)에 정극성(+) 전류를 공급하는 제2 리드 프레임(250, P 전극) 및 제3 리드 프레임(260, P 전극)으로 구성된다.
상기 복수의 리드 프레임(240, 250, 260) 중에서 제1 리드 프레임(240)은 PCB(100)와 접속되도록 하우징(160) 내부 공간의 중앙부에 형성되며, PCB(100)로부터 복수의 LED 칩(210, 220)을 구동시키기 위한 부극성(-) 전류를 공급받는다.
상기 복수의 리드 프레임(240, 250, 260) 중에서 제2 리드 프레임(250, P 전극) 및 제3 리드 프레임(260, P 전극)은 하우징(160) 내부 공간의 일측 및 타측에 서로 이격되도록 형성되고, PCB(100)로부터 복수의 LED 칩(210, 220)을 구동시키기 위한 부극성(-) 전류를 공급받는다.
제2 리드 프레임(250, P 전극)은 PCB(100)와 접속되는 접속부와 제1 LED 칩(210)이 배치되는 경사면(252)을 포함한다. 또한, 제3 리드 프레임(260, P 전극)은 PCB(100)와 접속되는 접속부와 제2 LED 칩(220)이 배치되는 경사면(262)을 포함한다.
제2 리드 프레임(250) 및 제3 리드 프레임(260)의 경사면(252, 262)은 하우징(160) 내부 공간에 노출되도록 형성되며, 하우징(160) 내부 공간에 노출된 경사면(252, 262)에 제1 LED 칩(210)과 제2 LED 칩(220)이 본딩 된다.
일 예로서, 제2 리드 프레임(250)의 경사면(252)은 도 10에 도시된 바와 같이, 하우징(160)의 바닥면(164)과 제3 각도(θ3)를 가지도록 형성된다. 또한, 제3 리드 프레임(260)의 경사면(262)은 도 10에 도시된 바와 같이, 하우징(160)의 바닥면(164)과 제4 각도(θ4)를 가지도록 형성된다.
여기서, 상기 제2 리드 프레임(250)의 경사면(252) 및 제3 리드 프레임(260)의 경사면(262)은 하우징(160)의 바닥면으로부터 외각이 120°~ 150°의 각도를 가지도록 형성될 수 있으며, 상기 제3 각도(θ3)와 제4 각도(θ4)는 동일하거나 상이할 수 있다.
이와 같이, 제1 LED 칩(220)과 제2 LED(220)은 제2 리드 프레임(250) 및 제3 리드 프레임(260)의 경사면(252, 262)에 본딩되어, 하우징(160) 내부 공간의 양 측면에 이격되도록 형성됨으로써 서로 대칭을 이루게 된다.
제1 LED 칩(210)은 제2 리드 프레임(250)에 본딩되어 정극성(+)의 전류를 공급받고, 제2 LED 칩(220)은 제3 리드 프레임(260)에 본딩되어 정극성(+)의 전류를 공급받는다.
제1 LED 칩(210)은 제1 본딩 와이어(192)를 통해 제1 리드 프레임(240)에 접속되어, 제1 LED 칩(210)에 부극성(-)의 전류가 공급된다. 그리고, 제2 LED 칩(220)은 제2 본딩 와이어(194)를 통해 제1 리드 프레임(240)에 접속되어, 제2 LED 칩(220)에 부극성(-)의 전류가 공급된다.
이와 같이, 제1 LED 칩(210) 및 제2 LED 칩(220)의 P 전극(미도시)은 제2 리드 프레임(250) 및 제3 리드 프레임(260)과 직접 접속되고, 제1 LED 칩(210) 및 제2 LED 칩(220)의 N 전극은 제1 본딩 와이어(192) 및 제2 본딩 와이어(194)를 제1 리드 프레임(240)에 접속된다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 11 도시된 바와 같은 등가 회로로 나타낼 수 있으며, 하나의 제1 리드 프레임(240)으로 복수의 LED 칩(210, 220)에 공통으로 부극성(-) 전류를 공급하고, 서로 이격되도록 형성된 제2 리드 프레임(250) 및 제3 리드 프레임(260)으로 복수의 LED 칩(110, 120) 각각에 정극성(+) 전류를 공급한다.
제너 다이오드(180)는 하우징(160) 내부 공간의 일측에 배치되며, 복수의 LED 칩(210, 220)과 병렬로 연결되고, 제3 본딩 와이어(196)을 통해 제1 리드 프레임(240), 제2 리드 프레임(250) 및 제3 리드 프레임(260)과 접속된다.
상술한 구성을 포함하는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징(160) 내부 공간의 양 측면에 서로 이격되도록 형성된 제2 리드 프레임(250) 및 제3 리드 프레임(260)에 제1 LED 칩(210) 및 제2 LED 칩(220)을 대칭적으로 본딩 시킨다. 그리고, 복수의 LED 칩(210, 220)의 N 전극을 본딩 와이어(192, 194)를 통해 하우징(160) 내부 공간의 중앙부에 형성된 제1 리드 프레임(240)에 접속시키는 구조를 가진다.
이를 통해, 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 LED 칩(210, 220)의 광 프로파일(D)을 하우징(160)의 양측 방향에서 중앙부 방향으로 경사지게 형성시켜 수직형 LED 칩의 광 출사 범위를 넓힐 수 있다.
또한, 복수의 LED 칩(210, 220)에서 생성된 광이 형광체에 여기되는 광 경로가 충분히 확보되도록 하여 수직형 LED 칩이 적용된 발광 다이오드 패키지의 광 변환 효율을 향상시킬 수 있다. 아울러, 하우징(160)의 측면 방향뿐만 아니라 중앙부 방향으로도 광을 출사시켜 발광 다이오드 패키지의 전면에서 광이 출사되도록 할 수 있다.
도 12는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 평면도이고, 도 13은 도 11에 도시된 I5-I6 선에 따른 단면도이다. 도 12 및 도 13을 참조하여 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명함에 있어서, 상술한 제1 및 제2 실시 예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 PCB(100); 복수의 LED 칩(310, 320, 330); 복수의 리드 프레임(340, 350, 360); 하우징(160); 형광층(170); 제너 다이오드(180); 및 본딩 와이어(192, 194, 196);를 포함하여 구성된다.
복수의 LED 칩(310, 320, 330)은 복수의 리드 프레임(340, 350, 360)으로부터 공급되는 정극성(+) 및 부극성(-)의 전류를 이용하여 광을 발생시킨다.
복수의 LED 칩(310, 320, 330) 중에서 제1 LED 칩(310) 및 제2 LED 칩(320)은 도 6에 도시된 바와 같은 수직형 LED 칩 구조를 가지며, 제3 LED 칩은 도 14에 도시된 바와 같은 수평형 LED 칩 구조를 가진다.
일 예로서, 제3 LED 칩(330)은 사파이어 기판(331), N형 반도체층(332), N 전극(333), 발광층(334, MQW), P형 반도체층(335), 투명전극(336, ITO) 및 N 전극(337)을 포함하여 구성될 수 있다. 수평형 LED 칩의 구조는 주지된 사항이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
하우징(160)은 몰드물로 형성되며, 복수의 리드 프레임(340, 350, 360), 제너 다이오드(180) 및 복수의 LED 칩(310, 320, 330) 중 적어도 하나가 배치되는 몸체와 상기 몸체로부터 연장되고 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 측벽을 포함하여 소정 공간을 가지는 컵 형상으로 형성된다.
하우징(160)의 내부에 마련된 공간에 복수의 LED 칩(310, 320, 330), 제너 다이오드(180), 복수의 리드 프레임(340, 350, 360) 및 형광층(170)이 실장된다.
복수의 리드 프레임(340, 350, 360)은 복수의 LED 칩(310, 320, 330)에 공통으로 부극성(-) 전류를 공급하는 제1 리드 프레임(340, N 전극)과, 복수의 LED 칩(310, 320, 330)에 정극성(+) 전류를 공급하는 제2 리드 프레임(350, P 전극) 및 제3 리드 프레임(360, P 전극)으로 구성된다.
상기 복수의 리드 프레임(340, 350, 360) 중에서 제1 리드 프레임(340)은 PCB(100)와 접속되도록 하우징(160) 내부 공간의 중앙부에 형성되어, PCB(100)로부터 복수의 LED 칩(310, 320, 330)을 구동시키기 위한 부극성(-) 전류를 공급받는다.
제1 리드 프레임(340) 상에는 칩 다이(332)가 본딩되고, 칩 다이(332) 상에 제3 LED 칩(330)이 본딩 된다. 즉, 복수의 LED 칩(310, 320, 330) 중에서 수평 타입의 제3 LED 칩(330)은 제1 리드 프레임(340) 상에 본딩되어, 하우징(160) 내부 공간의 중앙부에서 발광하게 된다.
상기 복수의 리드 프레임(340, 350, 360) 중에서 제2 리드 프레임(350, P 전극) 및 제3 리드 프레임(360, P 전극)은 하우징(160) 내부 공간의 일측 및 타측에 서로 이격되도록 형성되고, PCB(100)로부터 복수의 LED 칩(310, 320, 330)을 구동시키기 위한 부극성(-) 전류를 공급받는다.
제2 리드 프레임(350, P 전극)은 PCB(100)와 접속되는 접속부와 제1 LED 칩(310)이 배치되는 경사면을 포함한다. 또한, 제3 리드 프레임(360, P 전극)은 PCB(100)와 접속되는 접속부와 제2 LED 칩(320)이 배치되는 경사면을 포함한다.
제2 리드 프레임(350) 및 제3 리드 프레임(360)의 경사면은 하우징(160) 내부 공간에 노출되도록 형성되며, 하우징(160) 내부 공간에 노출된 경사면(252, 262)에 제1 LED 칩(310)과 제2 LED 칩(320)이 본딩 된다.
일 예로서, 제2 리드 프레임(350)의 경사면은 상술한 본 발명의 제2 실시 예와 동일하게 하우징(160)의 바닥면으로부터 제3 각도(θ3)를 가지도록 형성될 수 있고, 제3 리드 프레임(360)의 경사면은 하우징(160)의 바닥면으로부터 제4 각도(θ4)를 가지도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제2 리드 프레임(350)의 경사면 및 제3 리드 프레임(360)의 경사면은 하우징(160)의 바닥면으로부터 30°~ 60°의 각도를 가지도록 형성될 수 있다.
이와 같이, 제1 LED 칩(320)과 제2 LED(320)은 제2 리드 프레임(350) 및 제3 리드 프레임(360)의 경사면에 본딩되어, 하우징(160) 내부 공간의 양 측면에 이격되도록 형성됨으로써 서로 대칭을 이루게 된다.
제1 LED 칩(310)은 제2 리드 프레임(350)에 본딩되어 정극성(+)의 전류를 공급받고, 제2 LED 칩(320)은 제3 리드 프레임(360)에 본딩되어 정극성(+)의 전류를 공급받는다.
제1 LED 칩(310) 및 제2 LED 칩(320)의 P 전극(미도시)은 제2 리드 프레임(350) 및 제3 리드 프레임(360)과 직접 접속되고, 제1 LED 칩(310) 및 제2 LED 칩(320)의 N 전극은 제1 본딩 와이어(192) 및 제2 본딩 와이어(194)를 제1 리드 프레임(240)에 접속된다.
제1 LED 칩(310)은 제1 본딩 와이어(192)를 통해 제1 리드 프레임(340)에 접속되어, 제1 LED 칩(310)에 부극성(-)의 전류가 공급된다.
제2 LED 칩(320)은 제2 본딩 와이어(194)를 통해 제1 리드 프레임(340)에 접속되어, 제2 LED 칩(220)에 부극성(-)의 전류가 공급된다.
그리고, 제3 LED 칩(330)은 제4 본딩 와이어(198)를 통해 제1 리드 프레임(340) 및 제2 리드 프레임(350)에 접속되어 부극성(-) 및 정극성(+) 전류가 공급된다.
도 12를 참조한 설명에서는 제3 LED 칩(330)이 제4 본딩 와이어(198)를 통해 제2 리드 프레임(350)에 접속되어 정극성(+) 전류가 공급되는 것으로 설명하였으나, 이는 본 발명의 일 예를 나타낸 것이다. 본 발명의 다른 실시 예에서 제3 LED 칩(330)은 제4 본딩 와이어(198)를 제3 리드 프레임(360)에 접속되어 정극성 전류(+)를 공급받을 수도 있다.
본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 15 도시된 바와 같은 등가 회로로 나타낼 수 있으며, 하나의 제1 리드 프레임(340)으로 복수의 LED 칩(310, 320, 330)에 공통으로 부극성(-) 전류를 공급하고, 서로 이격되도록 형성된 제2 리드 프레임(250) 및 제3 리드 프레임(360)으로 복수의 LED 칩(310, 320, 330) 각각에 정극성(+) 전류를 공급한다.
제너 다이오드(180)는 하우징(160) 내부 공간의 일측에 배치되며, 복수의 LED 칩(310, 320, 330)과 병렬로 연결되고, 제3 본딩 와이어(196)을 통해 제1 리드 프레임(340) 내지 제3 리드 프레임(360)과 접속된다.
상술한 구성을 포함하는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징(160) 내부 공간의 양 측면에 서로 이격되도록 형성된 제2 리드 프레임(350) 및 제3 리드 프레임(360)에 제1 LED 칩(310) 및 제2 LED 칩(320)을 대칭적으로 본딩 시킨다. 또한, 하우징(160) 내부 공간의 중앙부에 형성된 제1 리드 프레임(340)에 제3 LED 칩(330)을 본딩 시킨다.
그리고, 복수의 LED 칩(310, 320, 330)의 N 전극을 본딩 와이어(192, 194, 198)를 통해 하우징(160) 내부 공간의 중앙부에 형성된 제1 리드 프레임(340)에 접속시키는 구조를 가진다.
이를 통해, 도 13에 도시된 바와 같이, 복수의 LED 칩(310, 320, 330) 중에서 제1 LED 칩(310) 및 제2 LED 칩(320)의 광 프로파일(D)을 하우징(160)의 양측 방향에서 중앙부 방향으로 경사지게 형성시켜 수직형 LED 칩의 광 출사 범위를 넓힐 수 있다.
또한, 제3 LED 칩(330)의 광 프로파일(E)을 하우징(160)의 중앙부에서 양측 방향으로 형성시켜 발광 다이오드 패키지의 광 출사 범위를 넓힐 수 있다.
그리고, 복수의 LED 칩(310, 320, 330)에서 생성된 광이 형광체에 여기되는 광 경로가 충분히 확보되도록 하여 수직형 LED 칩이 적용된 발광 다이오드 패키지의 광 변환 효율을 향상시킬 수 있다. 이를 통해, 하우징(160)의 측면 방향 및 중앙부 방향으로 광을 출사시켜 발광 다이오드 패키지의 전면에서 광이 출사되도록 할 수 있다.
도 3 내지 도 15를 참조한 설명에서는 본 발명의 제1 내지 제3 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지가 2개 또는 3개의 LED 칩을 포함하는 것으로 설명하였으나, 이는 본 발명의 여러 실시 예 중에서 일부를 설명한 것이다.
본 발명의 또 다른 실시 예에서, 발광 다이오드 패키지는 도 16에 도시된 바와 같이, 수직 타입의 제3 LED 칩(130) 및 제4 LED 칩(190)을 더 포함하여, 동일 타입을 가지는 4개 이상의 LED 칩으로 구성될 수도 있다.
한편, 도 17에 도시된 바와 같이 수평 타입의 제4 LED 칩(390)더 포함하여, 다른 타입의 LED 칩들이 혼합된 형태(4개 이상의 LED 칩을 구비)로 구성될 수도 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: PCB 110, 120: LED 칩
140:, 152, 154: 리드 프레임 142, 144: 경사면
160: 하우징 162: 경사면
170: 형광층 180: 제너 다이오드
192, 194, 196, 198: 본딩 와이어

Claims (16)

  1. LED 칩을 구동시키기 위한 전류를 공급하는 기판;
    몸체로부터 소정 각도로 경사지도록 형성된 측벽을 포함하여 내부에 공간이 마련된 하우징;
    상기 하우징 내부에 실장되고, 상기 기판으로부터의 전류를 이용하여 발광하는 복수의 LED 칩;
    상기 기판과 접속되는 접속부 및 상기 접속부로부터 소정 각도를 가지도록 형성된 복수의 경사면을 포함하여 상기 하우징 내부의 중앙부에 형성되고, 상기 기판으로부터 제1 극성의 전류가 공급되는 제1 리드 프레임;
    상기 하우징 내부의 양 측면에 이격되도록 형성되고, 상기 기판으로부터 제2 극성의 전류가 공급되는 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임;을 포함하고,
    상기 제1 리드 프레임의 복수의 경사면 중에서 제1 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제1 LED 칩이 본딩되고,
    상기 제1 경사면과 대칭되도록 형성된 제2 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제2 LED 칩이 본딩되는 것을 특징으로 발광 다이오드 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩에서 생성된 광은 상기 하우징 내부의 중앙부로부터 일 측면 방향으로 광 프로파일이 형성되고,
    상기 제2 LED 칩에서 생성된 광은 상기 하우징 내부의 중앙부로부터 타 측면 방향으로 광 프로파일이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩 및 제2 LED 칩의 제1 전극이 상기 제1 리드 프레임과 접속되어, 상기 제1 LED 칩 및 제2 LED 칩에 상기 제1 극성의 전류가 공급되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩의 제2 전극이 본딩 와이어를 통해 상기 제2 리드 프레임과 접속되어 상기 제1 LED 칩에 상기 제2 극성의 전류가 공급되고,
    상기 제2 LED 칩의 제2 전극이 본딩 와이어를 통해 상기 제3 리드 프레임과 접속되어 상기 제2 LED 칩에 상기 제2 극성의 전류가 공급되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임은 정극성(+) 전류를 상기 복수의 LED 칩에 공급하고,
    상기 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임은 부극성(-) 전류를 상기 복수의 LED 칩에 공급하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 LED 칩을 전기적 충적으로부터 보호하는 보호 소자; 및
    상기 복수의 LED 칩에서 생성된 광을 백색광으로 출사시키기 위한 형광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. LED 칩을 구동시키기 위한 전류를 공급하는 기판;
    몸체로부터 소정 각도로 경사지도록 형성된 측벽을 포함하여 내부에 공간이 마련된 하우징;
    상기 하우징 내부에 실장되고, 상기 기판으로부터의 전류를 이용하여 발광하는 복수의 LED 칩;
    상기 하우징 내부의 중앙부에 형성되고, 상기 기판으로부터 제1 극성의 전류가 공급되는 제1 리드 프레임;
    상기 기판과 접속되는 접속부 및 상기 하우징의 바닥면으로부터 소정 각도를 가지도록 형성된 복수의 경사면을 포함하여 상기 하우징 내부의 양 측면에 이격되도록 형성되고, 상기 기판으로부터 제2 극성의 전류가 공급되는 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임;을 포함하고,
    상기 제2 리드 프레임의 경사면에서 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제1 LED 칩이 본딩되고,
    상기 제3 리드 프레임의 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제2 LED 칩이 본딩되는 것을 특징으로 발광 다이오드 패키지.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩에서 생성된 광은 상기 하우징 내부의 일 측면으로부터 중앙부 방향으로 광 프로파일이 형성되고,
    상기 제2 LED 칩에서 생성된 광은 상기 하우징 내부의 타 측면으로부터 중앙부 방향으로 광 프로파일이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩 및 제2 LED 칩의 제1 전극이 본딩 와이어를 통해 상기 제1 리드 프레임과 접속되어, 상기 제1 LED 칩 및 제2 LED 칩에 상기 제1 극성의 전류가 공급되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩의 제2 전극은 상기 제2 리드 프레임과 접속되어 상기 제1 LED 칩에 상기 제2 극성의 전류가 공급되고,
    상기 제2 LED 칩의 제2 전극은 상기 제3 리드 프레임과 접속되어 상기 제2 LED 칩에 상기 제2 극성의 전류가 공급되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임은 부극성(-) 전류를 상기 복수의 LED 칩에 공급하고,
    상기 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임은 정극성(+) 전류를 상기 복수의 LED 칩에 공급하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  12. LED 칩을 구동시키기 위한 전류를 공급하는 기판;
    몸체로부터 소정 각도로 경사지도록 형성된 측벽을 포함하여 내부에 공간이 마련된 하우징;
    상기 하우징 내부에 실장되고, 상기 기판으로부터의 전류를 이용하여 발광하는 복수의 LED 칩;
    상기 하우징 내부의 중앙부에 형성되고, 상기 기판으로부터 제1 극성의 전류가 공급되는 제1 리드 프레임;
    상기 기판과 접속되는 접속부 및 상기 하우징의 바닥면으로부터 소정 각도를 가지도록 형성된 복수의 경사면을 포함하여 상기 하우징 내부의 양 측면에 이격되도록 형성되고, 상기 기판으로부터 제2 극성의 전류가 공급되는 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임;을 포함하고,
    상기 제2 리드 프레임의 경사면에서 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제1 LED 칩이 본딩되고,
    상기 제3 리드 프레임의 경사면에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수직 타입의 제2 LED 칩이 본딩되고,
    상기 제1 리드 프레임에는 상기 복수의 LED 칩 중에서 수평 타입의 제3 LED 칩이 본딩되는 것을 특징으로 발광 다이오드 패키지.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩에서 생성된 광은 상기 하우징 내부의 일 측면으로부터 중앙부 방향으로 광 프로파일이 형성되고,
    상기 제2 LED 칩에서 생성된 광은 상기 하우징 내부의 타 측면으로부터 중앙부 방향으로 광 프로파일이 형성되고,
    상기 제3 LED 칩에서 생성된 광은 상기 하우징 내부의 중앙부로부터 양 측면 방향으로 광 프로파일이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩 내지 제3 LED 칩의 제1 전극은 본딩 와이어를 통해 상기 제1 리드 프레임과 접속되어, 상기 제1 LED 내지 및 제3 LED 칩에 상기 제1 극성의 전류가 공급되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 LED 칩의 제2 전극이 상기 제2 리드 프레임과 접속되어 상기 제1 LED 칩에 상기 제2 극성의 전류가 공급되고,
    상기 제2 LED 칩의 제2 전극이 상기 제3 리드 프레임과 접속되어 상기 제2 LED 칩에 상기 제2 극성의 전류가 공급되고,
    상기 제3 LED 칩의 제2 전극이 본딩 와이어를 통해 제1 리드 프레임과 접속되어 상기 제3 LED 칩에 상기 제2 극성의 전류가 공급되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임은 부극성(-) 전류를 상기 복수의 LED 칩에 공급하고,
    상기 제2 리드 프레임 및 제3 리드 프레임은 정극성(+) 전류를 상기 복수의 LED 칩에 공급하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
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KR20230067824A (ko) * 2021-11-10 2023-05-17 (주)선일일렉콤 듀얼 led 칩 패키지를 구비한 조명장치

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