TWI550914B - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

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Description

發光二極體封裝結構
本發明涉及一種半導體元件，尤其涉及一種發光二極體封裝結構。
相比於傳統的發光源，發光二極體(Light Emitting Diode，LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優點，其作為一種新型的發光源，已經被越來越多地應用到各領域當中，如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等。
習知的發光二極體封裝結構通常包括電極、與電極電性連接的發光二極體晶片、覆蓋發光二極體晶片於基板上的封裝體以及環設於前述結構之外並起到支撐作用的殼體。然而習知技術中為了滿足半導體元件微型化、薄形化的設計需求，發光二極體封裝結構的殼體通常設計得較薄，從而導致其機械強度比較弱，容易發生斷裂的現象。
有鑒於此，有必要提供一種具有殼體具有較高機械強度的發光二極體封裝結構。
一種發光二極體封裝結構，包括至少兩電極，與所述至少兩電極電性連接的至少一發光二極體晶片，覆蓋所述發光二極體晶片的封裝體，以及將所述封裝體、所述發光二極體晶片圍設在內的殼 體，所述殼體包括基座和自基座向上延伸的反射杯，所述反射杯將發光二極體晶片環繞，所述殼體還包括支撐件，所述支撐件設置於所述反射杯內部，並橫跨於所述至少兩電極上，所述基座包括框體和若干支架，所述反射杯自框體沿高度方向延伸形成，所述至少兩電極形成在所述基座上並通過所述若干支架間隔，所述支撐件自所述反射杯的一側壁延伸至相對的另一側壁，並橫跨其中一個支架。
在本發明實施例中，所述支撐件支撐於殼體內並橫跨於電極上，從而為條形的殼體提供了支撐，防止具有較薄厚度的反射杯在外力作用下容易變形、損壞的缺失。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
10‧‧‧電極
12‧‧‧第一電極
122‧‧‧第一本體部
124‧‧‧第一延伸部
14‧‧‧第二電極
142‧‧‧第二本體部
144‧‧‧第二延伸部
16‧‧‧間隔區
20‧‧‧發光二極體晶片
22‧‧‧導線
30‧‧‧封裝體
40‧‧‧殼體
42‧‧‧基座
420‧‧‧框體
421‧‧‧第一支架
422‧‧‧第二支架
423‧‧‧第三支架
431‧‧‧第一電極本體區
432‧‧‧第二電極本體區
433‧‧‧第一延伸區
434‧‧‧第二延伸區
44‧‧‧反射杯
46‧‧‧支撐件
圖1為本發明較佳實施方式的發光二極體封裝結構的立體示意圖。
圖2為圖1中的發光二極體封裝結構的俯視圖。
圖3為圖1中的發光二極體封裝結構的仰視圖。
圖4為圖1中的發光二極體封裝結構的殼體未形成電極前的俯視圖。
請參閱圖1至圖3，本發明實施例的發光二極體封裝結構100，其包括至少兩電極10，與所述至少兩電極10電性連接的至少一發光二極體晶片20，覆蓋所述發光二極體晶片的封裝體30，以及將所述封裝體30、所述發光二極體晶片20圍設在內的殼體40，所述殼體40包括基座42和自基座42向上延伸的反射杯44，所述反射杯44 將發光二極體晶片20環繞，所述殼體40還包括支撐件46，所述支撐件46設置於所述反射杯44內部，並橫跨於所述至少兩電極10上。
所述至少兩電極10包括第一電極12和第二電極14。所述第一電極12和第二電極14間隔設置。所述第一電極12包括第一本體部122和第一延伸部124。第二電極14包括第二本體部142和第二延伸部144。第一延伸部124和第二延伸部144分別自第一電極12的第一本體部122和第二電極14的第二本體部142相向延伸形成。所述第一延伸部124和第二延伸部144之間形成間隔區16。所述第一電極12和第二電極14形成在所述殼體40的基座42上。
所述殼體40的基座42包括框體420和三個支架，第一支架421、第二支架422和第三支架423。在本實施方式中，所述框體420為矩形，其包括兩長邊和兩寬邊。第一支架421和第二支架422相互間隔並自框體420的一個長邊沿寬度方向延伸至另一個長邊。所述第三支架423連接於第一支架421和第二支架422之間。該三個支架的底面均與框體420共面。如圖4所示，第一支架421的一部分(即，左半邊)的高度與第二支架422與第一支架421相對的另一部分(即，右半邊)的高度相等，並同時小於第三支架423的高度。第一支架421的另一部分(即，右半邊)的高度與第二支架422的另一部分(即，左半邊)的高度與第三支架423的高度相等。從而在第三支架423的頂面所在的平面呈現一個呈“Z”字形的凸起。所述基座42的框體420將該三個支架環繞其中並圍設形成第一電極本體區431、第二電極本體區432、第一延伸區433和第二延伸區434。其中第一電極本體區431由第一支架421與框體420 圍成，第二電極本體區432由第二支架422與框體420圍成，框體420和第三支架423圍成相互間隔的第一延伸區433和第二延伸區434，第一延伸區433和第二延伸區434夾設於第一電極本體區431和第二電極本體區432之間。在這些區域內填充金屬材料直至下與框體420的底面平齊，上與第三支架423的頂部平齊，從而形成上述自第一本體部122延伸有第一延伸部124的第一電極12和自第二本體部142延伸有第二延伸部144的第二電極14，並得到呈“Z”字形的間隔區16。在其他實施方式中，該三個支架的形狀還可以為其他形狀和結構，以形成不同形狀的間隔區16。採用上述基座42的三個支架的結構，能夠在製作電極10的同時直接將電極10分隔形成相互間隔的第一電極12和第二電極14，並可通過基座42各支架的形狀設計形成預定形狀的間隔區16，使間隔區16分隔第一電極12和第二電極14的距離跨度較長，防止兩者由於間隔的跨度較短而造成的容易短路的問題。
所述殼體40的反射杯44可以為所述基座42的框體420繼續向高度方向延伸預定距離形成。該反射杯44的內壁可以為傾斜的表面。所述殼體40還包括支撐件46，所述支撐件46設置於所述反射杯44內部，並橫跨於所述至少兩電極10上。在本實施方式中，所示支撐件46自反射杯44的一側壁沿寬度方向延伸至另一側壁。該支撐件46形成於基座42的第三支架423上，並位於第一支架421和第二支架422之間。在本實施方式中，該支撐件46位於所述殼體40的中軸線上。該支撐件46的高度小於反射杯44的高度。該支撐件46橫跨所述第一電極12和第二電極14。具體的，所述支撐件46依次橫跨第一電極12的第一延伸部124，基座42的第三支架423，以及第二電極14的第二延伸部144。所述支撐件46的延伸方向與第一 電極12的第一延伸部124、第二電極14的第二延伸部144的延伸方向均垂直。所述支撐件46支撐於殼體40內並橫跨於電極10上，從而為條形的殼體40提供了支撐，防止具有較薄厚度的反射杯44在外力作用下容易變形、損壞的缺失。
所述至少一發光二極體晶片20與第一電極12和第二電極14電性連接，在本實施方式中，所述至少一發光二極體晶片20的數量為一個。該發光二極體晶片20承載在其中一個電極10上，並通過導線22電連接至另一個電極10。該導線22越過所述支撐件46連接於另一個電極10上。
所述封裝體30覆蓋所述發光二極體晶片20於殼體40內。所述封裝體30填充於反射杯44內並覆蓋在發光二極體晶片20和兩電極10上，封裝體30的頂面與反射杯44的頂部平齊。封裝體30包括至少一種螢光粉。
在本發明實施例中，所述支撐件46支撐於殼體40內並橫跨於電極10上，從而為條形的殼體40提供了支撐，防止具有較薄厚度的反射杯44在外力作用下容易變形、損壞的缺失。進一步的，上述基座42的三個支架的結構，能夠在製作電極10的同時直接將電極10分隔形成相互間隔的第一電極12和第二電極14，並可通過基座42各支架的形狀設計形成預定形狀的間隔區16，使間隔區16分隔第一電極12和第二電極14的距離跨度較長，防止兩者由於間隔的跨度較短而造成的容易短路的問題。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限製本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之 精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
10‧‧‧電極
12‧‧‧第一電極
122‧‧‧第一本體部
124‧‧‧第一延伸部
14‧‧‧第二電極
142‧‧‧第二本體部
144‧‧‧第二延伸部
16‧‧‧間隔區
20‧‧‧發光二極體晶片
22‧‧‧導線
30‧‧‧封裝體
40‧‧‧殼體
42‧‧‧基座
44‧‧‧反射杯
46‧‧‧支撐件

Claims (9)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括至少兩電極，與所述至少兩電極電性連接的至少一發光二極體晶片，覆蓋所述發光二極體晶片的封裝體，以及將所述封裝體、所述發光二極體晶片圍設在內的殼體，所述殼體包括基座和自基座向上延伸的反射杯，所述反射杯將發光二極體晶片環繞，其改良在於：所述殼體還包括支撐件，所述支撐件設置於所述反射杯內部，並橫跨於所述至少兩電極上，所述基座包括框體和若干支架，所述反射杯自框體沿高度方向延伸形成，所述至少兩電極形成在所述基座上並通過所述若干支架間隔，所述支撐件自所述反射杯的一側壁延伸至相對的另一側壁，並橫跨其中一個支架。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述若干支架包括第一支架、第二支架和第三支架，所述第一支架和第二支架均自所述框體的一側邊延伸至另一側邊，所述第三支架形成於第一支架和第二支架之間，所述支撐件橫跨所述第三支架。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述第一支架和第二支架平行，並沿所述框體的寬度方向延伸，所述支撐件與第一支架和第二支架平行並位於所述框體的中軸線上。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述框體和所述第一支架、第二支架和第三支架共同圍成第一電極本體區、第二電極本體區、第一延伸區和第二延伸區，其中第一電極本體區由第一支架與框體圍成，第二電極本體區由第二支架與框體圍成，框體和第三支架圍成相互間隔的第一延伸區和第二延伸區，第一延伸區和第二延伸區夾設於第一電極本體區和第二電極本體區之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述第一支架的一部分、所述第二支架的一部分和所述第三支架的高度相等，共同構成“Z”字形凸起。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述至少兩電極至少包括第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極之間由“Z”字形間隔區間隔。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述第一電極包括第一本體部和第一延伸部，第二電極包括第二本體部和第二延伸部，第一延伸部和第二延伸部分別自第一電極的第一本體部和第二電極的第二本體部相向延伸形成，所述間隔區形成於所述第一延伸部和第二延伸部之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述支撐件橫跨於所述第一延伸部、間隔區和第二延伸部上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述支撐件的高度小於所述反射杯的高度。
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