TW201504163A - 覆蓋構件、顯示裝置及覆蓋構件之製造方法 - Google Patents

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TW201504163A
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TW103120218A
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Koji Ikegami
Masaaki Imura
Toshimasa Kanai
Etsuji Fukui
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Nippon Electric Glass Co
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Abstract

本發明提供一種防污膜不易剝離之覆蓋構件。 本發明之覆蓋構件(1)具備基材(10)及防污膜(20)。基材(10)具有基材本體(11)及氧化矽層(12L1)。氧化矽層(12L1)配置於基材本體(11)上。氧化矽層(12L1)構成基材(10)之最表層。防污膜(20)配置於氧化矽層(12L1)上。防污膜(20)包含含氟聚合物。含氟聚合物於主鏈中含有矽。氧化矽層(12L1)之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。

Description

覆蓋構件、顯示裝置及覆蓋構件之製造方法
本發明係關於一種覆蓋構件、具備其之顯示裝置及覆蓋構件之製造方法。
先前，於顯示裝置設置有保護顯示面之覆蓋構件。對於覆蓋構件，除了要求機械強度較高以外，亦要求不易被污染。因此，例如專利文獻1等中提出有於覆蓋構件之最表面設置防污膜。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2011/066496號
若因防污膜與手指或其他構件接觸而導致防污膜剝離，則防污特性會降低。因此，有意欲抑制防污膜之剝離之迫切要求。
本發明之主要目的在於提供一種防污膜不易剝離之覆蓋構件。
本發明之第1覆蓋構件具備基材及防污膜。基材具有基材本體及氧化矽層。氧化矽層配置於基材本體上。氧化矽層構成基材之最表層。防污膜配置於氧化矽層上。防污膜包含含氟聚合物。含氟聚合物於主鏈中含有矽。氧化矽層之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
關於本發明之第1覆蓋構件，較佳為防污膜之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
本發明之第2覆蓋構件具備基材及防污膜。基材具有基材本體及氧化矽層。氧化矽層配置於基材本體上。氧化矽層構成基材之最表層。防污膜配置於氧化矽層上。防污膜包含含氟聚合物。含氟聚合物於主鏈中含有矽。防污膜之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
本發明之第3覆蓋構件具備基材。基材具有基材本體及氧化矽層。氧化矽層配置於基材本體上。氧化矽層構成基材之最表層。氧化矽層之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
關於本發明之第1、第2或第3覆蓋構件，基材可具有多層膜，該多層膜配置於基材本體上，且包含氧化矽層、及具有高於氧化矽層之折射率之高折射率層。於該情形時，較佳為構成多層膜之各層之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
較佳為多層膜包含：低折射率層，其包含氧化矽層且具有相對較低之折射率；高折射率層；及中折射率層，其配置於高折射率層與低折射率層之間，且具有位於高折射率層之折射率與低折射率層之折射率之間之折射率。
較佳為中折射率層包含與該中折射率層鄰接之低折射率層所含有之陽離子、及與該中折射率層鄰接之高折射率層所含有之陽離子兩者。
較佳為基材本體之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
較佳為基材本體之表面為未研磨面。
基材本體可由玻璃構成。基材本體亦可由強化玻璃構成。
較佳為基材本體係由藉由溢流下拉法而成形之玻璃板構成。
較佳為氧化矽層所含有之陽離子中之矽之莫耳比((矽)/(陽離子))為0.9以上。
氧化矽層可包含鋁。
本發明之顯示裝置具備本發明之第1、第2或第3覆蓋構件、及顯示裝置本體。顯示裝置本體具有顯示面。顯示面係由覆蓋構件覆蓋。
本發明之覆蓋構件之製造方法係關於製造本發明之第1、第2或第3覆蓋構件之方法。於本發明之覆蓋構件之製造方法中，於壓力為0.15Pa以下之腔室中，藉由濺鍍法形成氧化矽層。
根據本發明，可提供一種防污膜不易剝離之覆蓋構件。
1‧‧‧覆蓋構件
2‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧基材
11‧‧‧基材本體
12‧‧‧多層膜
12H‧‧‧高折射率層
12M‧‧‧中折射率層
12L‧‧‧低折射率層
12L1‧‧‧氧化矽層
20‧‧‧防污膜
30‧‧‧裝置本體
31‧‧‧顯示面
101‧‧‧樣品
102‧‧‧橡皮
103‧‧‧鉛垂
圖1係第1實施形態之覆蓋構件之概略性剖面圖。
圖2係第1實施形態之多層膜之概略性剖面圖。
圖3係第1實施形態之基材之概略性剖面圖。
圖4係第2實施形態之多層膜之概略性剖面圖。
圖5係第3實施形態之顯示裝置之概略性分解立體圖。
圖6係用以說明實施例1、2中所進行之第1密接強度評價之示意性側視圖。
圖7係表示實施例1、2及比較例1、2中之往返次數與水之接觸角之關係的圖表(第1密接強度評價)。
圖8係表示實施例1、2及比較例1、2中之往返次數與水之接觸角之關係的圖表(第2密接強度評價)。
以下，對實施本發明之較佳形態之一例進行說明。但是，下述 實施形態僅為例示。本發明並不受下述實施形態之任何限定。
又，於實施形態等中所參照之各圖式中，對具有實質上相同之功能之構件以同一元件符號進行參照。又，實施形態等中所參照之圖式係示意性地記載者。圖式中所描繪之物體之尺寸比率等有與實際物體之尺寸比率等不同之情形。即便於圖式彼此之間，亦有物體之尺寸比率等不同之情形。具體之物體之尺寸比率等應參酌以下之說明進行判斷。
(第1實施形態)
圖1係第1實施形態之覆蓋構件之概略性剖面圖。圖1所示之覆蓋構件1例如可用於保護顯示裝置等各種裝置、顯示物、建築物等之表面。
覆蓋構件1具有基材10及防污膜20。
基材10具有基材本體11及多層膜12。基材本體11只要為可支持多層膜12與防污膜20者，則並無特別限定。基材本體11亦可為板。於該情形時，基材本體11之厚度較佳為0.1mm~0.7mm左右。
於對覆蓋構件1要求透光性之情形時，基材本體11較佳為具有透光性。但是，於對覆蓋構件1不要求透光性之情形時，基材本體11並非必須具有透光性。
基材本體11例如可由玻璃、單晶、樹脂等構成。就實現具有較高之機械強度、較高之光透過率且成本較低之基材本體11之觀點而言，基材本體11較佳為由強化玻璃、無鹼玻璃、鈉玻璃等玻璃構成。其中，基材本體11較佳為由強化玻璃構成。作為可較佳地用於基材本體11之強化玻璃之具體例，例如可列舉如下強化玻璃：作為玻璃組成，以質量%計含有50~80%之SiO2、5~25%之Al2O3、0~15%之B2O3、1~20%之Na2O、0~10%之K2O，且於表面具有基於離子交換之壓縮應力層。
圖2係第1實施形態中之多層膜之概略性剖面圖。
多層膜12配置於基材本體11上。多層膜12具有高折射率層12H及低折射率層12L。高折射率層12H具有相對較高之折射率，低折射率層12L具有相對較低之折射率。於多層膜12中，交替地配置有高折射率層12H與低折射率層12L。因此，多層膜12具有抑制表面反射之功能。因此，多層膜12構成反射抑制膜(AR(Anti-reflection)膜)。
高折射率層12H例如可包含氧化鈮、氧化鈦、氧化鑭、氧化釔、氧化鉭、氧化鎢、氮化矽、氮化鋁、氮化鈮、氮化鈦、氮化鑭、氮化釔、氮化鉭、氮化鎢等。低折射率層12L例如可包含氧化矽、氧化鋁等。
關於構成多層膜12之高折射率層12H與低折射率層12L之層數或各層之厚度，例如可根據所欲抑制反射之波長區域、或所要求之反射率等而適當設定。構成多層膜12之高折射率層12H與低折射率層12L之層數例如較佳為2~18左右，更佳為4~10左右。構成多層膜12之各層之厚度例如可設為5nm~200nm左右。多層膜12整體之厚度例如可設為300nm~400nm左右。
多層膜12之最表面係由低折射率層12L構成。構成多層膜12之最表面之低折射率層12L係由氧化矽層12L1構成。再者，氧化矽層12L1只要含有氧化矽即可。氧化矽層12L1除含氧化矽以外，亦可含有鋁等其他原子。氧化矽層12L1亦可包含摻雜有鋁等除矽以外之原子之氧化矽。即，氧化矽層12L1並非必須僅由氧化矽所構成。於氧化矽層12L1含有除矽以外之陽離子之情形時，較佳為氧化矽層12L1所含有之陽離子中之矽之莫耳比((矽)/(陽離子))為0.9以上。
於氧化矽層12L1上設置有防污膜20。防污膜20係用以抑制覆蓋構件1之表面受到污染之膜。防污膜20包含主鏈中含有矽之含氟聚合物。因此，防污膜20具有撥水性。較佳為防污膜20具有撥水性並且具 有撥油性。防污膜20所包含之含氟聚合物例如可為主鏈中具有矽氧烷鍵(-Si-O-Si-)，且於側鏈上具有含有氟之撥水性官能基之聚合物。含氟聚合物例如可藉由使矽烷醇脫水縮合而合成。
防污膜20之厚度例如較佳為1nm~30nm左右，更佳為4nm~20nm。
其次，對覆蓋構件1之製造方法之一例進行說明。首先，如圖3所示，於基材本體11上形成多層膜12。多層膜12例如可藉由濺鍍法、蒸鍍法等形成。
其次，如圖2所示，於構成多層膜12之最表層之氧化矽層12L1上形成防污膜20。防污膜20例如可藉由將含有矽烷醇、或羥基被取代為烷氧基之矽烷醇之液體塗佈於氧化矽層12L1上並使其脫水縮合而形成。
再者，用以構成基材本體11之玻璃板例如可使用溢流下拉法進行製造。不對所製造之玻璃板之表面進行研磨而製成未研磨面可使基材本體之表面粗糙度以算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下，因此較佳。又，亦可藉由對所製造之玻璃板進行離子交換而進行強化處理，從而製成強化玻璃板。
藉由利用溢流下拉法使玻璃板成形，可製造未研磨且表面品質良好之平板形狀之玻璃。其原因在於：於溢流下拉法之情形時，玻璃板之應成為表面之面未與槽狀耐火物接觸，而於自由表面之狀態下成形。此處，溢流下拉法係使熔融玻璃自耐熱性槽狀構造物之兩側溢出，一面使溢出之熔融玻璃於槽狀構造物之下端合流，一面向下方延伸成形而製造平板形狀之玻璃的方法。槽狀構造物之構造或材質只要為可將玻璃之尺寸或表面精度設為所需之狀態而實現所需之品質者，則並無特別限定。又，為了向下方進行延伸成形而亦可利用任何方法對玻璃施加力。例如可採用使具有充分大之寬度之耐熱性輥在與玻璃 接觸之狀態下旋轉而進行延伸之方法，亦可採用使複數個成對之耐熱性輥僅與玻璃之端面附近接觸而進行延伸之方法。
又，用以構成基材本體11之玻璃板例如亦可藉由溢流下拉法以外之方法而製造。用以構成基材本體11之玻璃板例如可藉由流孔下引法、再曳引法等下拉法製造。
此處，對於覆蓋構件，要求基材與防污膜之密接強度較高。一般認為基材之表面、即氧化矽層之表面之表面粗糙度(Ra)越大，基材與防污膜之密接強度變得越高。其原因在於：基材與防污膜之間之界面之表面積變大，且發揮作用之投錨效應變強。
然而，本發明者等人進行了努力研究，結果發現：使氧化矽層12L1表面之表面粗糙度(Ra)減小會使基材10與防污膜20之密接強度提高。因此，於本實施形態中，將氧化矽層12L1表面之表面粗糙度設為以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。因此，氧化矽層12L1與防污膜20之密接強度較高。因此，防污膜20不易剝離。其結果為，覆蓋構件1之防污特性不易降低。就更有效地抑制防污膜20之剝離之觀點而言，更佳為氧化矽層12L1表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.3nm以下。
通常，由於防污膜20較薄，故而氧化矽層12L1之表面之表面粗糙度與防污膜20之表面之表面粗糙度相關。因此，認為於防污膜20之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下之情形時，氧化矽層12L1之表面之表面粗糙度亦成為以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。因此，於防污膜20之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下之情形時，防污膜20之剝離得到抑制。就更有效地抑制防污膜20之剝離之觀點而言，更佳為防污膜20 之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.3nm以下。
再者，作為使氧化矽層12L1之表面之表面粗糙度(Ra)減小會使基材10與防污膜20之密接強度提高之原因雖並不明確，但可考慮以下之原因。
如上所述，於形成防污膜20時會產生脫水縮合反應。由於氧化矽層12L1之表面亦存在與矽鍵結之羥基，故而不僅於矽烷醇間產生脫水縮合反應，亦於存在於氧化矽層12L1之表面之羥基與矽烷醇或矽烷醇之聚合物之羥基之間產生脫水縮合反應。因此，認為氧化矽層12L1與防污膜20之密接強度依存於藉由存在於氧化矽層12L1之表面之羥基與矽烷醇或矽烷醇之聚合物之羥基之間所產生之脫水縮合反應而形成的Si-O-Si鍵之每單位面積之數量。此處，於氧化矽層12L1表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下而非常小之情形時，可與矽烷醇或矽烷醇之聚合物之羥基反應的於氧化矽層12L1之表面之羥基之每單位面積之數量較多。因此，認為於氧化矽層12L1表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下而非常小之情形時，氧化矽層12L1與防污膜20之密接強度提高。
氧化矽層12L1之表面之表面粗糙度與基材本體11之表面之表面粗糙度、及構成多層膜12之各層之表面之表面粗糙度相關。因此，基材本體11之表面之表面粗糙度與構成多層膜12之各層之表面之表面粗糙度分別較佳為以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下，更佳為0.3nm以下。就使基材本體11之表面之表面粗糙度減小之觀點而言，較佳為基材本體11之表面為未研磨面，較佳為基材本體11係由藉由溢流下拉法而成形之玻璃板構成。
如上所述，就提高多層膜12中所鄰接之層間之密接強度之觀點 而言，一般以使構成多層膜12之各層之表面之表面粗糙度變大之方式形成各層。例如於藉由濺鍍法進行成膜之情形時，提高腔室之壓力會使層之表面粗糙度變大。因此，於藉由濺鍍法進行成膜之情形時，腔室之壓力通常被較高地設定為0.3Pa~0.6Pa左右。
另一方面，於本實施形態中，由於意欲減小氧化矽層12L1之表面之表面粗糙度，故而於壓力為0.15Pa以下、更佳為0.1Pa以下之腔室中，藉由濺鍍法形成構成多層膜12之各層。若腔室之壓力過低，則變得難以穩定地形成層，因此通常不會將濺鍍時之腔室之壓力降低至0.03Pa以下。藉由濺鍍而形成構成多層膜12之各層時之腔室壓力較佳為0.05Pa以上。
為了提高化學耐久性，氧化矽層12L1較佳為包含鋁。氧化矽層12L1所含有之陽離子中之鋁之莫耳比((鋁)/(陽離子))較佳為0.02~0.1左右，更佳為0.04~0.06左右。
再者，於本實施形態中，對為了對覆蓋構件1賦予反射抑制功能而於基材本體11上設置多層膜12之例進行了說明。但是，本發明並不限定於該構成。例如亦可於基材本體11上僅形成氧化矽層。
以下，對本發明之較佳實施形態之其他例進行說明。於以下之說明中，對具有與上述第1實施形態實質上共通功能之構件以共同之符號進行參照，並省略說明。
(第2實施形態)
圖4係第2實施形態之多層膜之概略性剖面圖。
本實施形態之覆蓋構件於多層膜12具有中折射率層12M之方面與第1實施形態之覆蓋構件1不同。
於本實施形態中，關於多層膜12，於高折射率層12H與低折射率層12L之間設置有中折射率層12M。中折射率層12M之折射率低於與該中折射率層12M鄰接之高折射率層12H之折射率，且高於與該中折 射率層12M鄰接之低折射率層12L之折射率。中折射率層12M包含與該中折射率層12M鄰接之高折射率層12H所含有之陽離子、及與該中折射率層12M鄰接之低折射率層12L所含有之陽離子兩者。藉由設置此種中折射率層12M，可使高折射率層12H與低折射率層12L之密接強度提高。
具體而言，例如於低折射率層12L包含氧化矽，高折射率層12H包含氧化鈮之情形時，較佳為設置包含矽與鈮之複合氧化物之中折射率層12M。
(第3實施形態)
圖5係第3實施形態之顯示裝置之概略性分解立體圖。如圖5所示，顯示裝置2包含裝置本體30及覆蓋構件1。裝置本體30於一主面具有顯示面31。於裝置本體30之設置有顯示面31之一主面上配置有覆蓋構件1。藉由該覆蓋構件1覆蓋顯示面31。
如上所述，關於覆蓋構件1，防污膜20不易剝離。因此，覆蓋構件1之防污特性不易降低。因此，顯示裝置2之視認性不易降低。
再者，顯示裝置2例如可為行動電話、智慧型手機、平板型個人電腦等移動終端，亦可為加以固定而使用之顯示裝置。
以下，基於具體之實施例對本發明進行更詳細之說明，但本發明並不受以下實施例之任何限定，可於不變更其主旨之範圍內進行適當變更而實施。
(實施例)
將腔室內之壓力設為0.056Pa，於藉由對利用溢流法製造之鹼鋁矽酸鹽玻璃進行離子交換而製作之強化玻璃板(日本電氣硝子公司製造之T2X-1)的包含未研磨面之表面上，藉由濺鍍法而形成表1所示之層構成之多層膜。
[表1]
其次，藉由於多層膜上塗佈氟系塗佈劑(Daikin公司製造之OPTOOL(註冊商標))並進行乾燥，而形成包含主鏈中含有矽之含氟聚合物之防污膜，製作覆蓋構件之樣品。多層膜之表面之表面粗糙度(Ra)為0.2nm。強化玻璃板之表面之表面粗糙度(Ra)為0.2nm。
(實施例2)
將腔室內之壓力設為0.056Pa，於利用溢流法製造之無鹼玻璃板(日本電氣硝子公司製造之OA-10G)之包含未研磨面之表面上，藉由濺鍍法而形成表2所示之層構成之多層膜。
其次，藉由於多層膜上塗佈氟系塗佈劑(Daikin公司製造之 OPTOOL(註冊商標))並進行乾燥，而形成包含主鏈中含有矽之含氟聚合物之防污膜，製作覆蓋構件之樣品。多層膜之表面之表面粗糙度(Ra)為0.22nm。無鹼玻璃板之表面之表面粗糙度(Ra)為0.2nm。
(比較例1)
將形成多層膜時之腔室內之壓力設為0.3Pa，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作覆蓋構件之樣品。多層膜之表面之表面粗糙度(Ra)為0.8nm。
(比較例2)
不形成多層膜，而於強化玻璃板上直接形成防污膜，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作覆蓋構件之樣品。
(第1密接強度評價)
如圖6所示，於實施例及比較例1、2中分別製作之樣品101之防污膜上配置橡皮(Minoan公司製造之RubberEraser)102。再者，橡皮102為直徑6mm且高度6mm之圓柱狀。於橡皮102上配置有1000g之鉛垂103之狀態下，以40mm之行程、40往返/分鐘之速度使橡皮102於前後方向上移動。
每使橡皮102往返500次，便自滴管將0.1ml之水滴滴至各樣品101之防污膜上，測定防污膜與水滴之接觸角。再者，接觸角係根據基於young公式之ATAN1/2θ法而測定。將結果示於圖7。於圖7中，以圓形表示實施例1之結果。以三角形表示實施例2之結果。以菱形表示比較例1之結果。以方形表示比較例2之結果。
由圖7所示之結果可知，藉由減小構成多層膜之最表面之氧化矽膜之表面之表面粗糙度(Ra)，防污膜之撥水能力變得不易降低。由該結果可知，藉由減小構成多層膜之最表面之氧化矽膜之表面之表面粗糙度(Ra)，可提高防污層之密接強度。
(第2密接強度評價)
於實施例1、2及比較例1、2中分別製作之樣品之防污膜上配置10mm□之Bonstar鋼絲絨(#0000)。於鋼絲絨(#0000)上配置有1000g之鉛垂之狀態下，以40mm之行程、60往返/分鐘之速度使鋼絲絨(#0000)於前後方向上移動。
每使鋼絲絨(#0000)往返500次，便自滴管將0.3μl之水滴滴至各樣品之防污膜上，測定防污膜與水滴之接觸角。再者，接觸角係根據基於young公式之ATAN1/2θ法而測定。將結果示於圖8。於圖8中，以圓形表示實施例1之結果。以三角形表示實施例2之結果。以菱形表示比較例1之結果。以方形表示比較例2之結果。
由圖8所示之結果可知，藉由減小構成多層膜之最表面之氧化矽膜之表面之表面粗糙度(Ra)，防污膜之撥水能力變得不易降低。由該結果可知，藉由減小構成多層膜之最表面之氧化矽膜之表面之表面粗糙度(Ra)，可提高防污層之密接強度。
1‧‧‧覆蓋構件
10‧‧‧基材
11‧‧‧基材本體
12‧‧‧多層膜
20‧‧‧防污膜

Claims (17)

  1. 一種覆蓋構件，其具備：基材，其包含基材本體、及配置於上述基材本體上且構成最表層之氧化矽層；及防污膜，其配置於上述氧化矽層上且包含主鏈中含有矽之含氟聚合物；且上述氧化矽層之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
  2. 如請求項1之覆蓋構件，其中上述防污膜之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
  3. 一種覆蓋構件，其具備：基材，其包含基材本體、及配置於上述基材本體上且構成最表層之氧化矽層；及防污膜，其配置於上述氧化矽層上且包含主鏈中含有矽之含氟聚合物；且上述防污膜之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
  4. 一種覆蓋構件，其具備基材，該基材包含基材本體、及配置於上述基材本體上且構成最表層之氧化矽層，且上述氧化矽層之表面之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之覆蓋構件，其中上述基材具有多層膜，該多層膜配置於上述基材本體上，且包含上述氧化矽層、及具有高於上述氧化矽層之折射率之高折射率層。
  6. 如請求項5之覆蓋構件，其中構成上述多層膜之各層之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm 以下。
  7. 如請求項6之覆蓋構件，其中上述多層膜包含：低折射率層，其包含上述氧化矽層且具有相對較低之折射率；上述高折射率層；及中折射率層，其配置於上述高折射率層與上述低折射率層之間，且具有位於上述高折射率層之折射率與上述低折射率層之折射率之間之折射率。
  8. 如請求項7之覆蓋構件，其中上述中折射率層包含與該中折射率層鄰接之上述低折射率層所含有之陽離子、及與該中折射率層鄰接之上述高折射率層所含有之陽離子兩者。
  9. 如請求項1至8中任一項之覆蓋構件，其中上述基材本體之表面粗糙度以JIS B0601-2001中所規定之算術平均粗糙度(Ra)計為0.5nm以下。
  10. 如請求項1至9中任一項之覆蓋構件，其中上述基材本體之表面為未研磨面。
  11. 如請求項1至10中任一項之覆蓋構件，其中上述基材本體係由玻璃構成。
  12. 如請求項11之覆蓋構件，其中上述基材本體係由強化玻璃構成。
  13. 如請求項11或12之覆蓋構件，其中上述基材本體係由藉由溢流下拉法而成形之玻璃板構成。
  14. 如請求項1至13中任一項之覆蓋構件，其中上述氧化矽層所含有之陽離子中之矽之莫耳比((矽)/(陽離子))為0.9以上。
  15. 如請求項1至14中任一項之覆蓋構件，其中上述氧化矽層包含鋁。
  16. 一種顯示裝置，其具備：如請求項1至15中任一項之覆蓋構件； 及具有由上述覆蓋構件覆蓋之顯示面之顯示裝置本體。
  17. 一種覆蓋構件之製造方法，其係如請求項1至15中任一項之覆蓋構件之製造方法，且於壓力為0.15Pa以下之腔室中，藉由濺鍍法形成上述氧化矽層。
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