TWI724454B - 具有增強穿刺抗性之再拉製玻璃 - Google Patents

具有增強穿刺抗性之再拉製玻璃 Download PDF

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Abstract

一種用於電子裝置之覆蓋元件，該覆蓋元件包括再拉製玻璃元件、第一及第二主表面，以及安置在第一主表面上之聚合物層。再拉製玻璃元件具有減小之厚度及1奈米或更小之平均表面粗糙度。此外，根據跌落測試1，覆蓋元件可以承受大於6釐米之筆落高度或者係具有非再拉製玻璃元件之覆蓋元件之對照筆落高度之2.5倍或更大之筆落高度。

Description

具有增強穿刺抗性之再拉製玻璃
本揭示內容總體上係關於再拉製玻璃製品、元件及層以及用於製造該等製品、元件及層之方法。更特定而言，本揭示內容係關於此等部件之穿刺抗性型式，以及用於製造該等部件之方法。
用於裝置應用之薄型玻璃產品及部件變得越來越受歡迎。例如，玻璃已被用作電子裝置之覆蓋物多年，以保護顯示器及觸摸感測器免受損壞。為了幫助改變裝置設計並減輕電子裝置之重量，工業上更頻繁地使用厚度減小之玻璃。
此等電子裝置中之一些裝置亦可利用可撓性顯示器。光學透明度及熱穩定性常常為用於可撓性顯示器應用之合意性質。另外，可撓性顯示器應具有高的耐疲勞性及耐穿刺性，包括在小彎曲半徑下之耐斷裂性，尤其對具有觸控螢幕功能性及/或可折疊之可撓性顯示器而言如此。
習知可撓性玻璃材料提供用於可撓性基板及/或顯示器應用之許多所需性質。然而，對利用(harness)用於此等應用之玻璃材料的努力迄今為止大部分均未成功。一般而言，玻璃基板可製造成極低厚度(> 25 µm)以達成愈來愈小之彎曲半徑。此等「薄」玻璃基板遭受耐穿刺性有限的缺點。同時，較厚玻璃基板(> 150 µm)可製作成具有較好耐穿刺性，但此等基板缺乏在彎曲時的適合耐疲勞性及機械可靠性。
因此，需要改良之電子裝置組件及用於此等組件之玻璃覆蓋元件，以便可靠地用於可撓性基板及/或顯示器應用及功能，尤其用於可撓性電子裝置應用。
在第一態樣，存在一種覆蓋元件，其包括具有約25 μm至約125 μm之厚度及等於1 nm或更小之平均表面粗糙度(Ra)的再拉製玻璃元件，該再拉製玻璃元件進一步具有第一主表面、第二主表面及聚合物層，該聚合物層具有約25 μm至約125 μm之厚度並且安置在再拉製玻璃元件之第一主表面上，其中覆蓋元件之再拉製玻璃元件可以承受大於6 cm之筆落高度，其中筆落高度根據跌落測試1量測。
在態樣1之一些實例中，再拉製玻璃元件可承受大於8 cm、大於10 cm或大於14 cm之筆落高度。
在態樣1之另一個實例中，再拉製玻璃元件具有約50 μm至約75 μm之厚度。
在態樣1之另一個實例中，再拉製玻璃元件之平均表面粗糙度(Ra)為0.7 nm或更小或0.4 nm或更小。
在態樣1之另一個實例中，聚合物層含有聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
在態樣1之另一個實例中，聚合物層藉由黏合劑來耦合至再拉製玻璃元件，其中黏合劑與再拉製玻璃元件及聚合物層直接接觸。
在態樣1之另一實例中，覆蓋元件進一步與電子裝置組合。
在第二態樣，提供了一種製造覆蓋元件組件之方法，該方法包括藉由再拉製玻璃板(例如熔融拉製玻璃板)形成再拉製玻璃板元件，該再拉製玻璃板元件具有第一主表面、第二主表面、約25 μm至約125 μm之最終厚度及等於1 nm或更小之最終平均表面粗糙度(Ra)，在再拉製玻璃板元件之第一主表面上安置聚合物層，聚合物層具有約25 μm至約125 μm之厚度，並且其中覆蓋元件之再拉製玻璃元件可承受大於6 cm之筆落高度，其中筆落高度根據跌落測試1量測。
在態樣2之實例中，在再拉製以形成再拉製玻璃板元件之前，玻璃板具有約250 μm至約750 μm之厚度。
在態樣2之另一個實施例中，將玻璃板進給至再拉製爐中，在再拉製爐中加熱玻璃板以具有約100,000泊至約10,000,000泊之黏度，並拉製至約25 μm至約125 μm之最終厚度以形成再拉製玻璃板元件。
在態樣2之另一個實例中，再拉製玻璃板元件之平均表面粗糙度(Ra)為約0.1 nm至約0.7 nm。
在態樣2之另一個實例中，再拉製玻璃板元件具有約50 μm至約75 μm之厚度。
在態樣2之另一個實例中，再拉製玻璃板元件可以承受大於10 cm之筆落高度。
在態樣2之另一個實例中，再拉製玻璃板元件可以承受約10 cm至約16 cm之筆落高度。
在態樣2之另一個實例中，聚合物層包括聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
在態樣2之另一個實例中，聚合物層藉由黏合劑來耦合至再拉製玻璃板元件，其中黏合劑與再拉製玻璃板元件及聚合物層直接接觸。
在態樣2之另一個實例中，該方法進一步包括在將聚合物層安置在再拉製玻璃板元件之主表面上之前，將再拉製玻璃板元件切割成單獨的再拉製玻璃板部件。
上述態樣(或彼等態樣之實例)中之任何一個可以單獨提供或與上述態樣之任何一個或多個實例組合提供；例如，第一態樣可以單獨提供或與上述第一態樣之任何一個或多個實例組合提供；第二態樣可以單獨提供或與上述第二態樣之任何一個或多個實例組合提供；等等。
其他特徵及優勢將在以下的詳述中闡述，且在部分程度上，熟習此項技術者將根據該描述而容易明白該等特徵及優勢，或藉由實踐本文(包括後續實施方式、申請專利範圍以及隨附圖式)所述的實施例來認識該等特徵及優勢。
應理解，前述的一般描述及以下詳述僅僅為示範，且意欲提供用於理解申請專利範圍之性質及特徵的概述或框架。隨附圖式係納入來提供對本說明書的進一步理解，且併入本說明書中並構成本說明書之一部分。圖式例示一或多個實施例，且與說明書一起用於解釋各種實施例之原理及操作。如本文所使用的方向性用詞——例如，上、下、右、左、前、後、頂部、底部——僅係參考所繪製之圖式而言，且不意欲暗示絕對定向。
現將詳細參考各種實施例，該等實施例之實例例示於隨附圖式中。在任何可能的情況下，整個圖式中將使用相同元件符號來指代相同或相似部件。本文中可將範圍表述為自「約」一個特定值，及/或至「約」另一特定值。當表述此範圍時，另一實施例包括自該一個特定值及/或至該另一特定值。類似地，當藉由使用先行詞「約」將值表述為近似值時，應理解，特定值形成另一態樣。無論說明書中之範圍之數值或端點是否列出「約」，範圍之數值或端點意欲包括兩個實施例：一個由「約」限定之實施例及一個未由「約」限定之實施例。應進一步理解，範圍中每一者之端點相對於另一端點而言及獨立於另一端點而言均有意義。
如本文所使用的術語「實質」、「實質上」及其變化意欲指：所描述特徵與值或描述相等或大致相等。例如，「實質上平面」表面意欲表示平面的或大致平面的表面。此外，「實質上」意欲表示兩個值相等或大致相等。在一些實施例中，「實質上」可表示在彼此之約10%內的值，諸如在彼此之約5%內或彼此之約2%內的值。
除了其他特徵及益處之外，本揭示案之用於電子裝置及電子裝置組件之覆蓋元件(及其製造方法)提供彎曲時之機械可靠性(例如，在靜態張力及疲勞中)，以及高穿刺及衝擊抗性。當覆蓋元件及電子裝置組件用於顯示器(例如，可折疊顯示器)時，穿刺及衝擊抗性係特別有益的。
例如，覆蓋元件及/或電子裝置組件可以用作以下中之一或多者：在顯示器(例如，可折疊之顯示器)之面向使用者之部分上之覆蓋物，其中特別需要穿刺及衝擊抗性之位置；安置在裝置本身內部之基板，電子元件安置在該基板上；或者在顯示裝置中之其他部位。或者，覆蓋元件及/或電子裝置組件可以用在不具有顯示器之裝置中，但是在該裝置中由於玻璃層之有益性質而使用該玻璃層。當覆蓋元件及/或電子裝置組件用在裝置之外部部分上時，穿刺及衝擊抗性係特別有益的，其中外部暴露於環境或暴露於將與其交互之使用者並且覆蓋元件包含如本揭示案中所述之薄的再拉製玻璃元件。
製備再拉製玻璃元件可以在例如加熱及拉製玻璃預製件材料至所需厚度之過程之後進行以形成再拉製玻璃元件。第1圖圖示了用於形成再拉製玻璃元件之示例性方法(頂部框)，以及用於形成化學減薄或蝕刻玻璃之替代方法(底部框)之流程圖。如圖所示，與化學減薄方法相比，再拉製方法係一種更有效的方法，包括更少處理及操作步驟。第1圖所示之每種方法都以起始玻璃材料(玻璃源)開始，例如熔融拉製玻璃。在再拉製過程中，將玻璃材料加熱，隨後再拉製以將可大於500微米(μm或微米)之玻璃材料之厚度減小到所需厚度，例如，低於200 μm或在25 μm至125 μm之範圍內。再拉製之薄玻璃可以被分割(例如雷射分割)或切割以獲得具有預定形狀及尺寸之玻璃樣品(例如，再拉製玻璃覆蓋元件)。分割之玻璃樣品可以係用於製備覆蓋元件的單獨再拉製玻璃板部件，例如，用於電子裝置之覆蓋元件之再拉製玻璃元件。可以藉由例如機械刻痕及斷裂或雷射切割來分割減薄之玻璃。該過程產生具有光滑表面之玻璃基板(光滑表面)。
在第1圖之化學減薄方法中，玻璃源材料在第一步驟(第一化學減薄)中化學減薄至所需厚度，例如，約200 μm。化學減薄之玻璃視情況地藉由如上所述之習知方法來分割。對化學減薄玻璃或分割玻璃片之邊緣進行終飾(邊緣終飾)以減少邊緣上之缺陷，以提高強度，例如彎曲強度。邊緣終飾可以藉由標準方法達成，例如酸蝕邊緣蝕刻或機械終飾或拋光。在第二減薄步驟(第二化學減薄)中，將邊緣終飾之分割玻璃片進一步化學減薄至低於200 μm之最終所需厚度。藉由控制蝕刻時間及/或蝕刻溶液濃度，可以達成期望之最終厚度。使用酸蝕刻溶液(例如，鹽酸或氫氟酸蝕刻溶液)之示例蝕刻速率為每分鐘約1至2 μm之移除。該過程更可能導致玻璃基板具有可能具有缺陷之表面(具有缺陷之表面)。
在整個本揭示案中使用再拉製玻璃作為用於電子裝置組件之覆蓋元件中之玻璃元件。參考第2圖，描繪了電子裝置組件200或其一部分，其包括電子裝置基板150及安置在基板150上並直接黏附到基板150之多層覆蓋元件100。覆蓋元件100包括玻璃元件或層50。玻璃元件50具有厚度52、第一主表面54及第二主表面56。此外，覆蓋元件100還包括安置在玻璃元件50之第一主表面54上的聚合物層70，該聚合物層具有厚度72。
進一步關於玻璃元件50，在一些實施例中，厚度52可以在約25 μm至約200 μm之範圍內。在其他實施例中，厚度52可以在約25 μm至約150 μm、約50 μm至約125 μm、或約60 μm至約100 μm之範圍內，或約70 μm、75 μm或80 μm，包括其間之任何範圍及子範圍。在覆蓋元件100(或玻璃製品)中，玻璃元件50之厚度52之增加可為覆蓋元件50之大部分提供額外穿刺抗性。
在第2圖所示之電子裝置組件200及覆蓋元件100之實施例中，玻璃元件50包括一個玻璃層。在其他實施例中，玻璃元件50可包括兩個或更多個玻璃層，例如，兩個或更多個彼此直接黏合之玻璃層。
此外，如本文所用，術語「玻璃」意欲包括至少部分由玻璃製成之任何材料，包括玻璃及玻璃陶瓷。「玻璃陶瓷」包括藉由玻璃之受控結晶產生之材料。在實施例中，玻璃陶瓷具有約30%至約90%之結晶度。可以使用之玻璃陶瓷系統之非限制性實例包括Li2 O x Al2 O3 x nSiO2 (亦即，LAS系統)、MgO x Al2 O3 x nSiO2 (亦即，MAS系統)及ZnO x Al2 O3 x nSiO2 (亦即，ZAS系統)。
在一些實施例中，例如在第2圖中，玻璃元件50可由不含鹼金屬之矽鋁酸鹽、硼矽酸鹽、硼鋁矽酸鹽及矽酸鹽玻璃組合物製成。玻璃元件50亦可由含鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、硼鋁矽酸鹽及矽酸鹽玻璃組合物製成。在某些實施例中，鹼土金屬改質劑可添加至用於玻璃元件50之前述組合物之任何組合物中。在一些實施例中，根據以下之玻璃組合物適合於玻璃元件50：64%至69% (以mol%計)之SiO2 ；5%至12%之Al2 O3 ；8%至23%之B2 O3 ；0.5%至2.5%之MgO；1%至9%之CaO；0%至5%之SrO；0%至5%之BaO；0.1%至0.4%之SnO2 ；0%至0.1%之ZrO2 ；以及0%至1%之Na2 O。在一些實施例中，以下組合物適合於玻璃元件50：約67.4% (以mol%計)之SiO2 ；約12.7%之Al2 O3 ；約3.7%之B2 O3 ；約2.4%之MgO；0%之CaO；0%之SrO；約0.1%之SnO2 ；以及約13.7%之Na2 O。在一些實施例中，以mol%計，以下組合物也適合於玻璃元件50：68.9%之SiO2 ；10.3%之Al2 O3 ；15.2%之Na2 O；5.4%之MgO；及0.2%之SnO2 。在一些實施例中，用於玻璃元件50之組合物經選擇具有相對低的彈性模數(相較於其他替代玻璃而言)。玻璃元件50中之彈性模數可以降低元件50在使用期間之拉伸應力，例如，電子顯示裝置之彎曲或撓曲期間之拉伸應力。其他準則可用於選擇用於玻璃元件50之組合物，該等準則包括但不限於製造成低厚度的同時最小化缺陷之併入之簡易性、發展潛在壓縮應力區域來抵銷在彎曲期間產生的拉伸應力之簡易性、光學透明度及耐腐蝕性。使用再拉製玻璃元件50選擇性地達成上述準則。
玻璃元件50可以採用用於電子裝置中之各種物理形式及形狀。自橫截面觀點，元件50及一或多個層可為平坦或平面板部件。在一些實施例中，元件50可取決於最終應用以非直線、片狀形式製成。舉例而言，具有橢圓形顯示器及邊框之行動顯示裝置可包括具有大體橢圓形、片狀形式之玻璃元件50。
如本文所述之玻璃元件或元件50係再拉製玻璃層。與藉由其他製造過程(例如，化學減薄或蝕刻過程，如第1圖所示，該過程包括比再拉製過程更多的處理步驟)製備之相同厚度之相同玻璃材料相比，再拉製玻璃有利地提供了形成具有改良之表面品質及性質之薄玻璃的有效方法。在一些實施例中，再拉製玻璃層具有與藉由其他方法製備之玻璃層相等或改良之彎曲強度，但與相同或實質上相同厚度之非再拉製玻璃(例如，化學減薄之玻璃)相比，意外地顯示出顯著改良之抗衝擊性質。
再拉製玻璃可以藉由在一個再拉製步驟中、在加熱條件下用滾筒(接觸玻璃之非品質區域或邊緣)拉製基礎玻璃材料或預製件(例如，熔融拉製玻璃)以使基礎玻璃材料減薄至所需厚度來形成。示例再拉製方法例如如WO 2017/095791中所揭示。與藉由不同於再拉製過程之減薄過程(例如化學蝕刻過程)形成之玻璃元件相比，再拉製玻璃元件較佳地包含更少表面缺陷，例如劃痕、凹陷或凹坑。例如，與藉由化學蝕刻過程製備之玻璃樣品之表面相比，再拉製玻璃樣品之光滑原始表面顯示在第6A圖、第6B圖及第7圖中。第6A圖圖示了在藉由兩步化學蝕刻過程減薄之後具有劃痕缺陷之分割玻璃板部件之放大表面影像。類似地，第6B圖圖示了在藉由2步化學蝕刻過程減薄之後具有蝕刻凹坑缺陷之分割玻璃板部件之放大表面影像。相反，第7圖圖示了具有原始光滑表面之分割玻璃板部件之放大表面影像，該表面沒有如在化學減薄之玻璃影像中所示的劃痕、凹陷或蝕刻凹坑。藉由再拉製熔融拉製玻璃材料來形成第7圖中所示之再拉製玻璃板，其中沒有使用化學蝕刻過程來達成減薄部分。
在其他實施例中，與藉由不同於再拉製過程之減薄過程(例如化學蝕刻過程)形成之玻璃元件相比，再拉製玻璃元件50可以具有光滑表面，該表面具有減小之表面粗糙度。例如，如表1所示，與藉由化學蝕刻過程製備之玻璃樣品之表面相比，再拉製玻璃樣品之光滑表面。在一些實施例中，再拉製玻璃元件50可具有約0.1奈米(nm)至約2 nm、約0.15 nm至約1 nm、約0.2 nm至約0.9 nm、或約0.25 nm或更小、約0.3 nm或更小、約0.4 nm或更小、約0.5 nm或更小、約0.6 nm或更小、約0.7 nm或更小、或約0.8 nm或更小之平均表面粗糙度(Ra)，包括其間之任何範圍及子範圍。
再次參考第2圖，電子裝置組件200及覆蓋元件100包括具有厚度72之聚合物層70。在所示組態中，聚合物層70係安置於玻璃元件50之第一主表面54上。例如，在一些實施例中，聚合物層70可以直接安置在玻璃元件之第一主表面54上並與其接觸。玻璃元件50與聚合物層70之直接接觸可以包括兩個層之全部相對表面彼此均勻接觸。在其他實施例中，玻璃元件50與聚合物層70之間之接觸可以包括兩個層之不到全部相對表面。
在其他實施例中，如第2圖中之示例性形式所示，聚合物層70可以用黏合劑80黏附到玻璃元件50上。黏合劑80可以均勻地施加至玻璃元件50及聚合物70層之全部表面並與其接觸。在其他實施例中，玻璃元件50與聚合物層70之間之接觸可以包括兩個層之不到全部相對表面。
在一些實施例中，聚合物層70之厚度72可設定為約1微米(μm)至約200 μm。在其他實施例中，聚合物層70之厚度72可以設定為約5 μm至約190 μm，或約10 μm至約180 μm，或約10 μm至約175 μm，或約15 μm至約170 μm，或約20 μm至約160 μm，或約25 μm至約150 μm，或約30 μm至約140 μm，或約35 μm至約130 μm，或約35 μm至約125 μm，或約40 μm至約120 μm，或約45 μm至約110 μm，或約50 μm至約100 μm，或約55 μm至約90 μm，或約60 μm至約80 μm，或約60 μm至約75 μm，以及前述值之間之所有範圍及子範圍。
根據一些實施例，聚合物層70可以具有低摩擦係數，以允許滑動接觸而不會損壞。在此等組態中，聚合物層70係安置於玻璃元件50之第一主表面54上。當用於本揭示案之覆蓋元件及電子裝置中時，聚合物層70可用於減少摩擦及/或減少磨損造成之表面損壞。聚合物層70亦可在元件及/或層已經受超過其設計限制的會引起斷裂的應力時，提供在保持玻璃元件50之碎塊及碎屑方面的安全措施。在一些態樣中，聚合物層70之厚度72可設定在1 μm或更小。在其他態樣，對於某些組合物，聚合物層70之厚度72可以設定為500 nm或更小，或者低至10 nm或更小。此外，在電子裝置組件200及覆蓋元件100之一些態樣中，聚合物層70可以用在主表面56上，以提供在保持由於超過玻璃元件50之設計條件之應力所導致的碎屑方面的安全益處。主表面56上之聚合物層70還可以為覆蓋元件100提供增強之穿刺抗性。不希望受理論束縛，聚合物層70可具有能量吸收及/或消散及/或分佈特性，該等特性允許覆蓋元件100承受另外在沒有聚合物層70之情況下將不能承受之載荷。載荷可以係靜態或動態的，並且可以施加在覆蓋元件100之具有聚合物層70之側面上。
根據一些實施例，如在第2圖中所示之電子裝置組件200及覆蓋元件100中所部署，聚合物層70可以提供在保持當元件及/或層經受超過其設計限制的會引起斷裂的應力時玻璃元件50之碎塊及碎屑方面的安全措施，如在裝置組件200及覆蓋元件100內配置。此外，在電子裝置組件200及覆蓋元件100之一些實施例中，可以在玻璃元件50之第二主表面56上採用額外聚合物層70(未圖示)，以藉由保持由於超過其設計條件之應力所導致的玻璃元件50之碎屑(亦即，位於第二主表面56上或其附近)方面提供額外安全益處。
覆蓋元件100中聚合物層70之存在可以確保在不同情況下可能直接衝擊玻璃元件50之物體及其他工具衝擊聚合物層70。此可以降低在玻璃元件50中產生與衝擊相關之缺陷之可能性，否則該等缺陷可能降低該玻璃元件在靜態及/或循環彎曲中之強度。更進一步地，聚合物層70之存在還可以將來自衝擊之應力場在下伏玻璃元件50及任何電子裝置基板150(若存在)之更大區域上擴散。在一些實施例中，聚合物層70之存在可以降低電子裝置基板150內包含之電子部件、顯示特徵、像素及其類似物之損壞之可能性。
根據一些實施例，與具有或不具有聚合物層例如聚合物層70之對比電子裝置組件200及/或覆蓋元件100相比，第2圖中描繪之電子裝置組件200及/或覆蓋元件100(亦即，包括聚合物層70)可以承受更大之筆落高度，其中對比覆蓋元件100包括相同材料及厚度之非再拉製玻璃層，例如，藉由化學蝕刻來減薄之玻璃層。更具體地，此等筆落高度可以根據跌落測試1來量測。如本文所述並且提及，進行跌落測試1，使得使用施加到再拉製玻璃元件(例如，玻璃元件50)的與用黏合劑黏附至其上之聚合物層70(當此層係堆疊之一部分時)相反之暴露玻璃表面或側面之載荷(亦即，來自從一定高度跌落之筆)來對覆蓋元件或電子裝置組件之樣品進行測試，其中覆蓋元件或裝置組件之相反側由鋁板支撐。在擱置於鋁板上之聚合物層一側不使用膠帶。跌落測試1之再拉製玻璃元件之暴露玻璃表面不包括覆蓋玻璃表面之額外層，例如保護層或聚合物層。
根據跌落測試1使用一根管將筆引導至樣品，並將管放置成與樣品之頂部暴露玻璃表面接觸，使得管之縱向軸線實質上垂直於樣品之頂部表面(暴露玻璃元件表面)。該管具有2.54釐米(cm)之外徑、1.4 cm之內徑及90 cm之長度。對於每個測試，使用丙烯腈丁二烯(「ABS」)墊片將筆保持在所需高度(除了在90 cm處進行之測試，因為沒有墊片用於該高度)。在每次跌落之後，將管相對於樣品重新定位以將筆引導至樣品上之不同衝擊位置。跌落測試1中使用之筆係BIC®Easy Glide Pen，Fine，具有0.7毫米(mm)直徑之碳化鎢圓珠尖端，及包括蓋罩時5.73克(g)之重量(無蓋罩時為4.68克)。根據跌落測試1，在蓋罩附接到頂端(亦即，與尖端相對之端部)時將筆跌落，使得圓珠可以與測試樣品相互作用。在根據跌落測試1之跌落序列中，在1 cm之初始高度處進行第一次筆跌落，隨後以1 cm之增量連續跌落直至90 cm之最大筆落高度。此外，在每次跌落之後，記錄電子裝置組件或覆蓋元件之任何可觀察到之碎裂、斷裂或其他損壞證據以及特定筆落高度。更具體地，關於本揭示案之裝置組件及覆蓋元件，基於觀察到的玻璃元件(其中損壞係破裂)、聚合物層(其中損壞係凹陷)及/或含有OLED之基板(其中損壞係一或多個區域未能按預期發光)之損壞來記錄筆落高度。在跌落測試1下，可以根據相同跌落序列測試多個樣品以產生具有改良之統計資料之群體。此外，根據跌落測試1，每5次跌落後，並且對於測試之每個新樣品，將筆更換為新筆。此外，所有筆跌落都在樣品中心處或附近之樣品上之隨機位置進行，樣品邊緣附近或邊緣處不進行筆跌落。
根據一些實施例，第2圖中描繪之電子裝置組件200及/或覆蓋元件100之再拉製玻璃元件(亦即，包括聚合物層70)可以承受比具有或者沒有聚合物層例如聚合物層70之對比電子裝置組件200及/或覆蓋元件100之對照筆落高度大約5倍、約4.5倍、約4倍、約3.5倍、約3倍或約2.5倍之筆落高度，其中對比組件200及/或覆蓋元件100不包括再拉製玻璃層，而是具有相似或相同厚度及組成之非再拉製玻璃層，其中所有筆落高度根據本文概述之跌落測試1量測。
此外，在一些實施例中，如第4圖之圖表所示，電子裝置組件200及/或覆蓋元件100之再拉製玻璃元件可以承受大於約5 cm之筆落高度，例如大於約6 cm、大於約7 cm、大於約8 cm、大於約9 cm、大於約10 cm、大於約11 cm、大於約12 cm、大於約13 cm、大於約14 cm、大於約15 cm、大於約16 cm、大於約17 cm或大於約18 cm，以及此等水準之間之所有筆落高度，如根據本文所述之跌落測試1量測。例如，50 μm厚之再拉製玻璃元件可以承受大於6 cm之筆落高度，例如7 cm或更大，或10 cm或更大。例如，75 μm厚之再拉製玻璃元件可以承受大於10 cm之筆落高度，例如13 cm或更大、14 cm或更大、或16 cm或更大。
根據一些實施例，聚合物層70可以使用各種能量抗性聚合物材料中之任何一種。在一些實施例中，聚合物層70被選擇成具有高光學透射率(例如，在可見波長上大於約88%)之聚合物組合物，尤其當包括層70之電子裝置組件200或覆蓋元件100係用於顯示裝置或相關應用中時。根據一些實施例，聚合物層70包含聚醯亞胺(「PI」)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(「PET」)、聚碳酸酯(「PC」)或聚甲基丙烯酸甲酯(「PMMA」)。在一些實施例中，層70也可以藉由黏合劑80(例如，OCA)耦合至玻璃元件50，如第2圖所示。
根據一些實施例，聚合物層70可使用已知具有低表面能量之各種氟碳化合物材料，包括：熱塑性塑膠，例如，聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；「PTFE」)、氟化乙烯丙烯(fluorinated ethylene propylene；「FEP」)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride；「PVDF」)；以及非晶形氟碳化合物(例如，DuPont® Teflon® AF及Asahi® Cytop®塗層)，其典型地依賴於用於黏附之機械聯鎖機制。聚合物層70亦可由含矽烷製劑製成，該含矽烷製劑例如Dow Corning® 2634塗層或其他氟矽烷或全氟矽烷(例如，烷基矽烷)，其可沉積為單層或多層。在一些態樣，層70可包括矽樹脂、蠟、聚乙烯(氧化)、PET、聚碳酸酯(PC)、其上具有硬敷層(PC)之PC、聚醯亞胺(PI)、具有HC之PI或膠帶(例如，3M®代碼471膠帶)，該等物質單獨使用或與熱端塗層結合使用，例如氧化錫，或氣相沉積塗層，例如聚對二甲苯及類金剛石塗層(diamond-like coating; 「DLC」)。聚合物層70亦可包括氧化鋅、二硫化鉬、二硫化鎢、六方晶系氮化硼或鋁鎂硼化物，其可單獨使用或作為添加劑用於前述塗層組合物及製劑中。
更進一步地，聚合物層70可以直接塗覆至玻璃元件50上(例如當層70之材料作為液體塗覆時)，可以放置在玻璃元件50之頂上(例如當層70之材料例如係薄片或膜之形式時)，或者可以使用黏合劑(例如，黏合劑80)將其黏合到玻璃元件50上。當存在時，黏合劑80例如作為單層可以係光學透明的、壓敏的或其組合。黏合劑層80可以與玻璃元件50及聚合物層70直接且均勻地接觸。
替代以上者或除以上者之外，聚合物層70可包括各種其他屬性，諸如抗微生物性、抗碎片性、抗污染性及抗指紋性。此外，聚合物層70可以由多於一層製成，或者可以由一層內之不同材料製成，以為電子裝置組件200及/或覆蓋元件100提供各種功能。
根據一些實施例，如第3圖所示，第2圖中描繪之電子裝置組件200及覆蓋元件100可以包括安置在聚合物層70上方之耐刮擦塗層90。在一些實施例中，塗層90可以配置有設定為1 μm或更小之厚度92。在其他實施例中，對於塗層90之某些組合物，塗層90之厚度92可以設定為500奈米(nm)或更小，或低至10 nm或更小，並且所有範圍及子範圍在前述值之間。在其他實施例中，塗層90具有在從約1 μm到約100 μm之範圍內之厚度92，包括此等界限之間之所有厚度水準。更一般地，耐刮擦塗層90可用於為使用它的可折疊電子裝置組件200及覆蓋元件100提供額外耐刮擦性(例如，如根據ASTM測試方法D3363、用750 g或更大之載荷測試，鉛筆硬度增加所證明)。此外，耐刮擦塗層90還可以增強可折疊電子裝置組件200及覆蓋元件100之抗衝擊性。增加之耐刮擦性(以及在一些實施例中之額外抗衝擊性)對於裝置組件200及覆蓋元件100可以係有利的，以確保由聚合物層70提供之穿刺及衝擊抗性之顯著增加不會被減小之耐刮擦性抵銷(例如，與另外缺少聚合物層70之裝置組件及/或覆蓋元件相比)。
在一些實施例中，耐刮擦塗層90可包含含矽烷製劑，該含矽烷製劑例如Dow Corning® 2634塗層或其他氟矽烷或全氟矽烷(例如，烷基矽烷)，其可沉積為單層或多層。如本文所用，此等含矽烷之調配物也可稱為硬塗層(hard coating; 「HC」)，同時認識到如本揭示案領域中所理解之其它調配物也可構成硬塗層。在一些實施例中，耐刮擦塗層90可包括矽樹脂、蠟、聚乙烯(氧化)、PET、聚碳酸酯(PC)、具有HC組分之PC、PI及具有HC組分之PI，或者膠帶(例如、3M®代碼471膠帶)，該等物質單獨使用或與熱端塗層結合使用，例如氧化錫，或氣相沉積塗層，例如聚對二甲苯及類金剛石塗層(「DLC」)。
此外，耐刮擦塗層90還可以包括具有其他功能性質之表面層，包括例如具有低表面能量之額外氟碳化合物材料，包括：熱塑性塑膠，例如，聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；「PTFE」)、氟化乙烯丙烯(fluorinated ethylene propylene；「FEP」)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride；「PVDF」)；以及非晶形氟碳化合物(例如，DuPont® Teflon® AF及Asahi® Cytop®塗層)，其典型地依賴於用於黏附之機械聯鎖機制。在一些額外實施例中，耐刮擦塗層90亦可包括氧化鋅、二硫化鉬、二硫化鎢、六方晶系氮化硼或鋁鎂硼化物，其可單獨使用或作為添加劑用於前述塗層組合物及製劑中。
在第3圖所示之電子裝置組件200及覆蓋元件100之某些實施例中，耐刮擦塗層90具有5H或更高之鉛筆硬度(如根據ASTM測試方法D3363、用750 g或更大之載荷測試)。根據一些實施例，耐刮擦塗層90可以表現出6H、7H、8H、9H或更高之鉛筆硬度，以及此等硬度水準之間之所有值，如根據ASTM測試方法D3363量測。
根據第2圖及第3圖中所示之電子裝置組件200及覆蓋元件100之某些實施例，可以在聚合物層70與玻璃元件50之間及/或電子裝置基板150與玻璃元件50之間採用一個或多個黏合劑80。較佳地，黏合劑80均勻地施加到全部表面並與層50、70及/或150之兩個表面直接接觸。在其他實施例中，黏合劑80施加在層50及/或70之不到全部表面上。在一些實施例中，此類黏合劑之厚度通常可在約1 μm至100 μm之範圍內。在其他實施例中，每個黏合劑80之厚度可以在約10 μm至約90 μm、約20 μm至約60 μm之範圍內，或者在一些情況下，1 μm至100 μm之任何厚度，以及前述值之間之所有範圍及子範圍。在較佳實施例中，尤其對於被配置用於顯示器類型應用之電子裝置組件200及覆蓋元件100而言，黏合劑80實質上係透射性的，例如光學透明黏合劑(optically clear adhesive; 「OCA」)。
為了促進進一步理解，提供以下實例。此等實例係以說明而非限制之方式顯示的。
實例
如第4圖中所示之結果所證明的，對於本揭示案，覆蓋元件之改良之穿刺抗性與玻璃元件厚度可以相關聯。藉由量測具有包括75及50 μm之厚度之各種再拉製及化學蝕刻玻璃樣品之穿刺抗性來產生第4圖中之結果。
藉由首先使用具有12.5%HF、6.5%HNO3 及81%去離子水(deionized water; DI)之蝕刻溶液來蝕刻200 μm厚之熔融拉製玻璃以將玻璃減薄至約100至120 μm厚度水準來製備一半測試玻璃樣品。將蝕刻溶液在27℃下噴塗到玻璃表面(頂部及底部)上以移除玻璃厚度。將玻璃分割成玻璃樣品，並對樣品之邊緣進行機械終飾以減少邊緣缺陷。使用具有12.5%HF、6.5%HNO3 及81%去離子水(DI)之蝕刻溶液將經終飾之玻璃樣品進一步化學減薄至50及75 μm之厚度。
藉由再拉製200 μm厚之熔融拉製玻璃以使玻璃減薄至50或75 μm厚度來製備另一半玻璃樣品。進行如整體併入本文之WO 2017/095791中揭示之再拉製過程，以將熔融拉製玻璃預製件減薄以製備拉製減薄之玻璃樣品。特別地，將熔融拉製玻璃預製件加熱至105 至107 泊範圍內之玻璃黏度值，隨後藉由調整再拉製過程之質量平衡來控制，將預製件再拉製到特定目標厚度。在50 mm至1000 mm/分鐘之拉製速度下，熔融拉製之預製件以每分鐘3 mm至100 mm之速率進給，以達到目標厚度。將再拉製玻璃以一定速率冷卻，以匹配在凝固區域內之預製件玻璃之膨脹曲線，以達到109 至1015 泊範圍內之黏度。將減薄之玻璃分割為玻璃樣品進行測試。
對每個玻璃樣品進行穿刺抗性測試，該玻璃樣品藉由50 μm厚之OCA黏合劑層來層壓到100 μm厚之PET層上。一旦層壓每個玻璃樣品(例如，50 μm厚之玻璃、75 μm厚之玻璃)，就使用在本文中論述之筆落測試。來自此測試之結果繪製於第4圖中。
如第4圖之結果所示，玻璃樣品之穿刺抗性從75 μm再拉製玻璃之約14 cm或13至16 cm之範圍內之平均筆落高度減小至75 μm化學減薄玻璃之約6.5 cm，或者6到7 cm之範圍內之平均值。與75-μm化學減薄玻璃相比，75-μm再拉製玻璃表現出改良了115%或更大之穿刺抗性。同樣地，玻璃樣品之穿刺抗性從50 μm再拉製玻璃之約7 cm或6至10 cm之範圍內之平均筆落高度減小至50 μm化學減薄玻璃之約3 cm，或者2到4 cm之範圍內之平均值。與50-μm化學減薄玻璃相比，50-μm再拉製玻璃表現出改良了130%或更大之穿刺抗性。在一個或多個實施例中，具有在25 μm至125 μm範圍內之厚度之再拉製玻璃元件具有如根據跌落測試1量測之增加之穿刺抗性，該增加之穿刺抗性大於相同或類似厚度之化學減薄玻璃元件之穿刺抗性。穿刺抗性之增加可以在25%至200%、50%至150%範圍內，或大於75%、大於90%、大於100%、大於110%、大於115%、大於120%或大於125%，以及上述值之間之所有範圍及子範圍。
此外，已經遠高於化學減薄玻璃之穿刺抗性隨著再拉製玻璃之厚度從50 μm增加到75 μm而顯著增加。例如，當再拉製玻璃之厚度從50 μm增加到75 μm，增加了50%時，平均筆落高度從6.5 cm增加到14 cm，增加約115%。再拉製玻璃提供具有改良之穿刺抗性之玻璃元件，該改良之穿刺抗性可以藉由改變其厚度來進一步調節。
如本文所證明的，所測試之玻璃樣品之穿刺抗性不僅高度依賴於與化學減薄之玻璃樣品相比如何製備玻璃樣品，而且高度依賴於再拉製玻璃樣品之玻璃厚度。另外，第4圖表明，與藉由其他方法(例如化學減薄)來減薄之玻璃相比，藉由使用再拉製玻璃可以增加玻璃元件50之穿刺抗性。此外，第4圖證明可以藉由使用不同厚度之再拉製玻璃來控制穿刺抗性，同時在增加厚度時，藉由其他方法減薄之玻璃可能不會導致穿刺抗性之顯著變化。如本揭示案中所述之再拉製玻璃之使用對於薄玻璃提供了增強之穿刺抗性，並且與化學減薄之玻璃相比使得玻璃源經歷較少處理及操作步驟，從而可以減少製造時間及成本。此外，再拉製玻璃元件之改良穿刺抗性可有利地允許使用更薄的玻璃以達成顯著大於藉由非再拉製方法製備之較厚玻璃元件之穿刺抗性。此可以減少電子裝置中使用之材料量，從而可以導致更低的製造成本及更輕的裝置。
關於非再拉製方法，例如化學蝕刻方法，此類方法可能在玻璃結構之表面內留下缺陷。此等缺陷會在來自應用環境及使用中之應力施加到覆蓋元件期間傳播並導致玻璃破裂。如第6A圖及第5B圖所示，玻璃之化學減薄會導致缺陷。第6A圖係可以由用於製備玻璃元件之化學減薄過程產生之劃痕之影像。第6B圖描繪了可以由用於製備玻璃樣品之化學減薄過程產生之蝕刻凹坑。相反，第7圖圖示了藉由根據本揭示案之再拉製方法製備之玻璃樣品之原始光滑表面。在再拉製玻璃樣品之表面上缺少缺陷可以減少或消除在電子裝置製造及使用期間對覆蓋元件施加應力期間玻璃破裂之風險。
與藉由諸如化學減薄之另一種方法製備之玻璃元件相反，使用再拉製玻璃元件之另一個益處在第5圖中圖示，該圖式圖示了各種兩點彎曲強度分佈。此等圖中之兩點彎曲值係藉由如下測試樣品來量測。樣品以250 MPa/sec之恆定速率受到應力。關於兩點彎曲方案，參見S. T. Gulati, J. Westbrook, S. Carley, H. Vepakomma, 及T. Ono, 「45.2: Two point bending of thin glass substrates,」 in SID Conf., 2011, 第652-654頁。將環境控制在50%相對濕度及25℃下。資料集顯示斷裂時之應力。在用於產生第5圖之資料之實驗中測試之75 μm厚玻璃層中之一半藉由再拉製過程形成，並且一半玻璃層藉由化學減薄過程形成。如第5圖中之空心圓圈符號所示之「B」組玻璃層由再拉製玻璃樣品組成。如第5圖中之閉合圓圈符號所示之「A」組玻璃層由化學減薄玻璃樣品組成。
線301圖示了從200 μm厚減薄到75 μm厚之再拉製玻璃樣品強度之威布爾分佈。此樣品集展示在20%斷裂概率下約700 MPa之強度。線309圖示了從200 μm厚進行深蝕刻到75 μm厚之化學減薄玻璃樣品之強度之威布爾分佈。此等樣品展示在20%斷裂概率下約750 MPa之略微增加之強度。再拉製及化學減薄玻璃樣品之彎曲強度在廣泛範圍之斷裂概率內相似
如第5圖所示，與化學減薄之玻璃相比，用於玻璃元件50之再拉製玻璃之使用可以提供相同並且在某些情況下更好的彎曲強度。第5圖圖示再拉製玻璃在高於約40%之斷裂概率下提供增加之強度。因此，選擇及使用用於玻璃元件50之再拉製玻璃可以對於材料提供改良之穿刺抗性，該材料經歷較少的處理及操作步驟，同時還提供類似並且在一些情況下更好的彎曲強度。
量測再拉製及化學減薄玻璃樣品之表面粗糙度(Ra)，以證明再拉製玻璃之改良之光滑度。表1列出了藉由原子力顯微鏡量測之玻璃樣品兩側之平均表面粗糙度。
表1
Figure 108124412-A0304-0001
可以看出，與相同厚度之化學減薄之玻璃樣品相比，再拉製玻璃樣品具有降低之平均表面粗糙度(Ra)。例如，75 μm再拉製玻璃表現出0.25 nm或更小之平均表面粗糙度(在表面A上)，此表示與相同厚度之化學減薄玻璃(及相同表面A)相比，表面粗糙度降低92%以上。對於50 μm厚之玻璃樣品，再拉製玻璃表現出0.40 nm或更小之平均表面粗糙度(在表面A上)，此表示與相同厚度之化學減薄玻璃(及相同表面A)相比，表面粗糙度降低41%以上。
在另一個實例中，對於玻璃樣品之相反側(表面B)，75 μm及50 μm再拉製玻璃樣品具有0.75或更小及0.40或更小之平均表面粗糙度，此表示表面粗糙度分別降低86%及32%以上。
在一個或多個實施例中，具有在25 μm至125 μm範圍內之厚度之再拉製玻璃元件具有藉由原子力顯微鏡量測之降低之表面粗糙度，該降低之表面粗糙度小於相同或相似厚度之化學減薄之玻璃元件之表面粗糙度。表面粗糙度之降低可以在25%至95%，或30%至90%之範圍內，或大於35%，或大於40%，或大於45%，或大於50%，或大於55%，或大於60%，以及上述值之間之所有範圍及子範圍。
在實質上不脫離本揭示內容之精神及各種原理的情況下，可對本揭示內容之上述實施例做出許多變化及修改。所有此類修改及變化在此意欲被包括在本揭示案之範疇內並且受其後申請專利範圍保護。
例如，儘管在一些實施例中，覆蓋元件被描述為用作顯示器之典型「覆蓋玻璃」，但是覆蓋元件可以用在裝置殼體之任何部分上，並且在一些實施例中不需要係透明的(如當覆蓋元件不在檢視者將透過該部分來檢視對象的位置處使用時)。
50‧‧‧玻璃元件或層 52‧‧‧厚度 54‧‧‧第一主表面 56‧‧‧第二主表面 70‧‧‧聚合物層 72‧‧‧厚度 90‧‧‧耐刮擦塗層 92‧‧‧厚度 80‧‧‧黏合劑 100‧‧‧覆蓋元件 150‧‧‧電子裝置基板 200‧‧‧電子裝置組件 301‧‧‧線 309‧‧‧線
第1圖係根據本揭示案之一個態樣之形成再拉製玻璃及化學減薄玻璃之方法之流程圖。
第2圖係根據本揭示案之一個態樣之包括再拉製玻璃層之堆疊組件之橫截面圖。
第3圖係根據本揭示案之一個態樣之包括再拉製玻璃層之堆疊組件之橫截面圖。
第4圖係根據本揭示案之一個態樣之各種不同玻璃樣品之筆落斷裂高度之繪圖。
第5圖係根據本揭示案之一個態樣之在立方角接觸之後各種不同玻璃樣品之兩點彎曲下之斷裂概率與強度之威布爾圖。
第6A圖係根據本揭示案之態樣之樣品玻璃之表面影像。
第6B圖係根據本揭示案之態樣之樣品玻璃之表面影像。
第7圖係根據本揭示案之態樣之樣品玻璃之表面影像。
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Claims (14)

  1. 一種覆蓋元件，包括：一再拉製玻璃元件，該再拉製玻璃元件包括約25μm至約125μm之一厚度及等於0.4nm或更小之一平均表面粗糙度(Ra)，該再拉製玻璃元件進一步包括一第一主表面及一第二主表面，其中該平均表面粗糙度(Ra)係使用原子力顯微鏡於該第二主表面量測；及一聚合物層，該聚合物層包括約25μm至約125μm之一厚度並安置在該再拉製玻璃元件之該第一主表面上，其中該覆蓋元件之該再拉製玻璃元件可以承受大於6cm之一筆落高度，其中該等筆落高度根據跌落測試1來量測，其中跌落測試1包含：以一鋁板支撐該聚合物層，同時將包括蓋罩重5.7克之一圓珠尖端的筆從一預定高度跌落，使得具有0.7毫米直徑之該圓珠尖端與該再拉製玻璃元件的該第二主表面相互作用。
  2. 如請求項1所述之覆蓋元件，其中根據跌落測試1量測，該再拉製玻璃元件包括承受大於8cm之一筆落高度之能力。
  3. 如請求項1所述之覆蓋元件，其中該再拉製玻璃元件包括約50μm至約75μm之一厚度。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之覆蓋元件，其中該再拉製玻璃元件之該平均表面粗糙度(Ra)為0.3nm或更小。
  5. 如請求項1至3中任一項所述之覆蓋元件，其中該聚合物層包含聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
  6. 如請求項1至3中任一項所述之覆蓋元件，其中該聚合物層藉由一黏合劑耦合至該再拉製玻璃元件，其中該黏合劑與該再拉製玻璃元件及該聚合物層直接接觸。
  7. 如請求項1至3中任一項所述之覆蓋元件，其中該覆蓋元件進一步與一電子裝置組合。
  8. 一種製造一覆蓋元件組件之方法，包括以下步骤：藉由對一玻璃板進行再拉製來形成一再拉製玻璃元件，該再拉製玻璃元件包括一第一主表面、一第二主表面、約25μm至約125μm之一最終厚度及等於1nm或更小之一最終平均表面粗糙度(Ra)，其中使用原子力顯微鏡於該第二主表面量測該最終平均表面粗糙度(Ra)；以及將一聚合物層安置在該再拉製玻璃元件之該第一主表面上，該聚合物層包括約25μm至約125μm之 一厚度，其中沒有使用化學蝕刻過程來完成該再拉製玻璃元件，該覆蓋元件組件之該再拉製玻璃元件可以承受大於6cm之一筆落高度，其中該等筆落高度根據跌落測試1來量測，其中跌落測試1包含：以一鋁板支撐該聚合物層，同時將包括蓋罩重5.7克之一圓珠尖端的筆從一預定高度跌落，使得具有0.7毫米直徑之該圓珠尖端與該再拉製玻璃元件的該第二主表面相互作用。
  9. 如請求項8所述之方法，其中對該玻璃板進行再拉製來形成該再拉製玻璃元件之步驟包括以下步骤：將該玻璃板進給至一再拉製爐中；以及在該再拉製爐中加熱該玻璃板以使該玻璃板具有約100,000泊至約10,000,000泊之一黏度。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該再拉製玻璃元件之平均表面粗糙度(Ra)為約0.1nm至約0.7nm。
  11. 如請求項8至10中任一項所述之方法，其中根據跌落測試1量測，該再拉製玻璃元件包括承受大於10cm之一筆落高度之能力。
  12. 如請求項8至10中任一項所述之方法， 其中該聚合物層包含聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
  13. 如請求項12所述之方法，其中將該聚合物層安置在該第一主表面上之步驟包括以下步骤：藉由一黏合劑來耦合該再拉製玻璃元件，其中該黏合劑與該再拉製玻璃元件及該聚合物層直接接觸。
  14. 如請求項8至10中任一項所述之方法，進一步包括以下步骤：在將該聚合物層安置在該再拉製玻璃元件之該主表面上之前，將該再拉製玻璃元件切割成單獨的再拉製玻璃板部件。
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