TW201502308A - 蒸發沈積設備 - Google Patents

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Joo-In Lee
Jung-Hyung Kim
Yong-Shim Yoo
Shin-Jae You
Yong-Hyeon Shin
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Abstract

一種蒸發沈積設備包含蒸發部、分配部、介電部、感應線圈與交流電源。蒸發部透過連接路徑提供蒸發材料。分配部包含複數個孔洞以及透過這些孔洞注入蒸發材料到真空容器內。介電部被裝設於真空容器的開口的鄰近以及被放置為從真空容器突出且覆蓋蒸發部與分配部。感應線圈覆蓋蒸發部與分配部以及感應加熱蒸發部與分配部。交流電源供應交流電到感應線圈。

Description

蒸發沈積設備
本發明係關於一種蒸發沈積設備。
真空蒸發沈積中，待沈積的靶材料(target material)被放置於高真空腔室內部。沈積靶材料被加熱以蒸發其顆粒，蒸氣被移動以在基板上形成薄膜。
蒸發沈積設備包含陶瓷坩堝(crucible)以及用以加熱此坩堝的加熱單元。一般而言，蒸發沈積設備完成自底部向上的沈積，透過使用蒸發的蒸氣克服重力在頂表面上放置的基板上沈積薄膜。
然而，隨著基板尺寸的增加，自底部向上的沈積設備的基板則變彎。因此，需要從頂部向下的沈積設備或者側流式(lateral-flow)沈積設備。
一般而言，構成有機發光二極體顯示器的有機發光二極體(OLED)包含其上形成有陽極的透明基板。電洞注入層(hole injection layer；HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)、)、發光層(emitting layer；EML)、電子傳輸層(electron transport layer；ETL)以及電子注入層(electron injection layer；EIL)順序地沈積在陽極上。陰極形成於電子傳輸層上。
本發明實施例提供一種從頂部向下的大尺寸的蒸發沈積設備。
本發明實施例的一種蒸發沈積設備包含蒸發部，透過連接路徑提供蒸發材料；分配部，包含複數個孔洞以及透過這些孔洞注入蒸發材料到真空容器內；介電部，裝設於真空容器的開口的鄰近以及被放置為從真空容器突出且覆蓋蒸發部與分配部；感應線圈，覆蓋蒸發部與分配部以及感應加熱蒸發部與分配部；以及交流電源，供應交流電到感應線圈。
本發明的實施例中，蒸發部包含圓柱形的主體部；連接路徑，從主動部的底面延伸到頂面；儲存空間，連接此連接路徑且儲存蒸發材料；管狀的凸起，連接路徑形成於管狀的凸起中；擋板，位於凸起的頂面上；上蓋板，放置於擋板上以密封蒸發材料到儲存空間內；以及固定部，放置於上蓋板上以與主體部組合。
本發明的實施例中，擋板包含圓柱形的擋板支架，被插入凸起的外周表面內；擋板支架板，被放置於擋板支架的頂面上以及包含通孔，此通孔的外直徑小於主體部的內直徑，此通孔的內直徑等於或小於擋板支架的內直徑；以及擋板凸起，形成一路徑以連接擋板支架板的頂面上形成的通孔。
本發明的實施例中，擋板包含擋板柱，被插入連接路徑的頂面內；以及擋板支架板，裝設於擋板柱的頂面上以及具有溝槽，此溝槽從擋板柱的底面沿半徑方向延伸。
本發明的實施例中，分配部的孔洞的直徑隨著半球的緯 度的增加而減小。
本發明的實施例中，孔洞係依照規則的經度間隔被放置。
本發明的實施例中，蒸發部更包含腔室，連接此連接路徑的下部；反射板，放置於連接路徑與腔室接合處的腔室入口的鄰近以及反射蒸發材料；以及腔室出口，放置於腔室入口的相對方向。蒸發材料透過連接路徑與腔室入口被供應到腔室以及透過腔室出口被注入。
本發明的實施例中，蒸發沈積設備更包含反射噴嘴，被放置為連接腔室出口。反射噴嘴係由傳導材料形成以及被感應加熱。
本發明的實施例中，分配部的赤道平面被裝設於蒸發部的底面上，分配部具有中空半球的形狀，以及孔洞形成於半球的表面上。
本發明的實施例中，分配部具有盤狀，圓形的孔洞的直徑隨著盤中央的半徑的增加而增加。
本發明的實施例中，分配部具有盤狀，孔洞沿半徑方向為墊圈切口的形式，孔洞的面積隨著隨著盤中央的半徑的增加而增加。
本發明的實施例中，分配部具有盤狀，孔洞具有兩條直線與一條圓弧的形狀，以及兩條直線的交叉處被放置於遠離盤中央恆定距離的半徑上。
本發明的實施例中，蒸發沈積設備更包含輔助蒸發部，放置於蒸發部上方以及包含輔助連接路徑；以及連接管道，連接輔助 連接路徑到蒸發部的連接路徑。輔助蒸發部透過暴露到底面的輔助連接路徑供應輔助蒸發材料。
本發明的實施例中，輔助蒸發部包含圓柱形的輔助主體部；輔助連接路徑，從輔助主體部的底面向頂面延伸；輔助儲存空間，連接輔助連接路徑以及儲存輔助蒸發材料；管狀的輔助凸起，輔助連接路徑係形成於輔助凸起中；輔助擋板，位於輔助凸起的頂面上；輔助上蓋板，放置於輔助擋板上以及密封輔助蒸發材料到儲存空間內；以及輔助固定部，放置於輔助上蓋板上以與輔助主體部組合。
本發明的實施例中，蒸發沈積設備更包含輔助感應線圈，覆蓋介電部以及感應加該輔助蒸發部；以及輔助交流電源，供應交流電到輔助感應線圈。
本發明的實施例中，蒸發沈積設備更包含氣體管道，覆蓋與其接觸的輔助蒸發部。
10、20、70‧‧‧蒸發材料
12‧‧‧連接管道
14‧‧‧氣體管道
100、200、300、600、700、800‧‧‧蒸發沈積設備
110‧‧‧介電部
120‧‧‧蒸發部
120a‧‧‧主體部
122‧‧‧固定部
124‧‧‧上蓋板
126‧‧‧擋板
126a‧‧‧擋板凸起
126b‧‧‧通孔
126c‧‧‧空檔
126d‧‧‧擋板支架
126e‧‧‧擋板支架板
127‧‧‧儲存空間
128‧‧‧連接路徑
129‧‧‧凸起
130‧‧‧分配部
132a、132b、132c、132d‧‧‧孔洞
140‧‧‧感應線圈
150‧‧‧交流電源
160‧‧‧真空容器
162‧‧‧開口
172‧‧‧基板基座
174‧‧‧基板
180‧‧‧蒸發支架
220‧‧‧蒸發部
220a‧‧‧主體部
221‧‧‧腔室
221a‧‧‧腔室出口
222‧‧‧固定部
223‧‧‧反射板
224‧‧‧上蓋板
226‧‧‧擋板
227‧‧‧儲存空間
228‧‧‧連接路徑
229‧‧‧凸起
240‧‧‧感應線圈
250‧‧‧交流電源
330‧‧‧分配部
332a、332b、332c、332d‧‧‧孔洞
390‧‧‧反射噴嘴
b1、b2、b3、b4‧‧‧直徑
430‧‧‧分配部
432a、432b、432c‧‧‧孔洞
530‧‧‧分配部
532‧‧‧孔洞
626‧‧‧擋板
626a‧‧‧擋板柱
626b‧‧‧擋板支架板
626c‧‧‧壕溝
720‧‧‧輔助蒸發部
720a‧‧‧輔助主體部
722‧‧‧輔助固定部
724‧‧‧輔助上蓋板
726‧‧‧輔助擋板
727‧‧‧輔助儲存空間
728‧‧‧輔助連接路徑
729‧‧‧輔助凸起
740‧‧‧輔助感應線圈
750‧‧‧輔助交流電源
820‧‧‧輔助蒸發部
820a‧‧‧輔助主體部
822‧‧‧輔助固定部
824‧‧‧輔助上蓋板
826‧‧‧輔助擋板
827‧‧‧輔助儲存空間
828‧‧‧輔助連接路徑
829‧‧‧輔助凸起
第1圖為根據本發明實施例的蒸發沈積設備的剖面示意圖。
第2A圖為第1圖中蒸發沈積設備的擋板(baffle)的透視圖。
第2B圖為沿第2A圖中的線I-I'的剖面示意圖。
第2C圖為沿第2A圖中的線II-II'的剖面示意圖。
第3圖為第1圖中蒸發沈積設備的分配部的透視圖。
第4圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備。
第5圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備。
第6A圖為第5圖中的分配部的俯視圖。
第6B圖為沿第6A圖中的線III-III'的剖面示意圖。
第7圖為本發明另一實施例的分配部的俯視圖。
第8圖為本發明另一實施例的分配部的俯視圖。
第9圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備。
第10圖為第9圖中的擋板的透視圖。
第11圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備。
第12圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備。
第13圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備。
現在將結合圖式部份對本發明的較佳實施方式作詳細說明。然而，本發明以不同形狀被具體化，而並非限制於本說明書所述之這些實施例。提供這些實施例以充分及徹底揭露本發明，以將其精神傳達至本領域之普通技術人員。
第1圖為根據本發明實施例的蒸發沈積設備100的剖面示意圖。
第2A圖為第1圖中蒸發沈積設備100的擋板(baffle)的透視圖，第2B圖為沿第2A圖中的線I-I'的剖面示意圖，以及第2C圖為沿第2A圖中的線II-II'的剖面示意圖。
第3圖為第1圖中蒸發沈積設備100的分配部的透視圖。
請參考第1圖、第2A圖、第2B圖、第2C圖以及第3圖，蒸發沈積設備100包含蒸發部120、分配部130、介電部110、感應線圈140 以及交流電源150。蒸發部120透過連接路徑128提供蒸發材料10。分配部130包含複數個孔洞132a至132d以及透過複數個孔洞132a至132d將蒸發材料10注入到真空容器160內。介電部110被裝設在真空容器160的開口162的鄰近且被放置為從真空容器160突出以及覆蓋蒸發部120與分配部130。感應線圈140覆蓋蒸發部120與分配部130，以及感應加熱蒸發部120與分配部130。交流電源150供應交流電到感應線圈140。
蒸發部120包含圓柱形主體部120a、連接路徑128、儲存空間127、管狀凸起129、擋板126、上蓋板124以及固定部122。連接路徑128從主體部120a的下部延伸到上部。儲存空間127連接此連接路徑128以及儲存蒸發材料10。連接路徑128形成於管狀凸起129中，擋板126位於凸起129的頂表面上。上蓋板124被放置於擋板126上以密封蒸發材料10到儲存空間127內。固定部122被放置於上蓋板124上以與主體部120a組合。
主體部120a可具有圓柱形。主體部120a的底表面可閉合，主體部120a的頂表面可被打開與閉合。主體部120a的內部可形成儲存空間127。蒸發材料10被儲存在儲存空間127中。主體部120a可由導體形成，且可感應加熱。因此，蒸發材料10可被加熱以被蒸發。
從儲存空間127的頂表面突出的凸起129被放置於儲存空間127的底表面上。凸起129具有圓柱形的管狀。凸起129的內部提供連接路徑128。
連接路徑128的一端被暴露到凸起129的頂表面，連接路徑128的另一端被暴露到主體部120a的底表面。連接路徑128為被蒸發的 蒸發材料的傳輸路徑。
蒸發材料10被儲存於儲存空間127中。蒸發材料10可為有機發光二極體中使用的有機材料。特別地，有機材料可包含Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(Al(C9H6NO)3)。
擋板126包含圓柱形的擋板支架126d、擋板支架板126e以及擋板凸起126a。擋板支架126d被插入凸起129的外周表面內。擋板支架板126e被放置於擋板支架126d的頂表面上且包含通孔126b，通孔126b的外直徑小於主體部120a的內直徑且通孔126b的內直徑等於或小於擋板支架126d的內直徑。擋板凸起126a形成一路徑以連接擋板支架板126e的頂表面上形成的通孔126b。
擋板支架126d可具有圓柱形，擋板支架126d的內直徑實質上可等於凸起129的外直徑。擋板支架126d被插入凸起129的上部。
擋板支架板126e具有盤狀，擋板支架126d連接擋板支架板126e的底表面。支架板126e在其中央處形成有通孔126b。通孔126b的直徑可小於擋板支架126d的外直徑。通孔126b的直徑小於凸起129的外直徑且大於連接路徑128的直徑。
擋板凸起126a沿半徑方向為墊圈切口(washer cut)的形式。蒸發材料10透過擋板支架板126e的外部被提供於擋板支架板126e的上方。蒸發材料10透過擋板凸起126a之間的空檔126c被供應到通孔126b與連接路徑128。
上蓋板124具有盤狀，包含沿恆定角度傾斜的邊緣。傾斜面與主體部120a處形成的傾斜部組合。因此，上蓋板124可密封主體部 120a。
固定部122具有盤狀，以及包含耦合組件例如為在其側表面上形成的螺紋。耦合組件可耦合於主體部120a處形成的螺旋槽。因此，固定部122可對上蓋板124加壓。
分配部130意味著將透過連接路徑128供應的蒸發材料在空間上均勻分配。分配部130可由導電材料形成且可感應加熱。
分配部130包含複數個孔洞132a至132d，以及可透過孔洞132a至132d將蒸發材料注入到真空容器160內。分配部130具有中空的半球形狀。分配部130的赤道平面可被裝設於蒸發部120的底表面上。孔洞形成於半球表面上。分配部130具有帽子的形狀，一帶狀物圍繞在其周圍。
孔洞包含形成於半球極點的第一孔洞132a以及位於固定緯度沿規則間隔的經度形成的第二孔洞132b。孔洞更包含第三孔洞132c，位於比第二孔洞132b的緯度低的緯度處，沿規則間隔的經度形成。孔洞更包含第四孔洞132d孔洞，位於比第三孔洞132c的緯度低的緯度處，沿規則間隔的經度形成。孔洞132a到132d的直徑隨著其緯度的降低而增加。形成有孔洞的最小緯度為45度。
透過分配部130的孔洞注入的蒸氣在基板174上形成薄膜。此外，分配部130的孔洞的鄰近中反射的蒸氣由於半球特性再次被供應到連接路徑128。因此，可依照恆定的形式穩定地供應蒸氣。
介電部110被放置為覆蓋分配部130與蒸發部120。介電部110放置於真空容器160的開口162的上方，介電部110的內部保持真空狀態。為此，圍繞真空容器160的開口162形成O環溝槽。插入O環溝槽內 的O環可在真空容器160與介電部110之間提供真空密封。
介電部110可由介電材料例如石英、氧化鋁(alumina)、藍寶石(sapphire)以及陶瓷形成。介電部110可具有鐘罩(bell-jar)形狀。介電部110可具有圓柱部分，圓柱部分的內直徑大於主體部120a的外直徑。
蒸發支架180被放置於介電部110的內部。蒸發支架180被放置於真空容器160的開口的外側與蒸發部120之間。蒸發支架180可由介電材料製造。
感應線圈140被放置以覆蓋蒸發部120與分配部130。感應線圈140被放置於介電部110的外部。感應線圈140被放置以覆蓋介電部110。感應線圈140可感應加熱放置於介電部110內部的蒸發部120與介電部130。感應線圈140為螺線管線圈(solenoid-type coil)。感應線圈140為管狀的形式，冷卻劑在感應線圈140內流動。感應線圈140的每長度的繞組數目可根據位置變化。因此，可提供加熱部分的溫度梯度。例如，分配部130的溫度高於蒸發部120的溫度。
交流電源150供應電流到感應線圈140的兩端。交流電源150的頻率的範圍從幾百赫茲(Hz)到幾百萬赫茲(MHz)。
真空容器160包含基板基座(substrate holder)172與裝設於基板基座172上的基板174。基板174為包含有機發光二極體的玻璃或塑膠基板。
真空容器160可由導電材料形成。真空容器160與感應線圈140可彼此間隔預定距離或更多，以抑制感應加熱導致的損耗。蒸發部120以從頂部到下的方式在基板174上沈積薄膜。
第4圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備200。
請參考第4圖，蒸發沈積設備200包含蒸發部220、分配部130、介電部110、感應線圈140以及交流電源150。蒸發部220透過連接路徑228提供蒸發材料20。分配部130包含複數個孔洞以及透過這些孔洞注入蒸發材料20到真空容器160內。介電部110被裝設於真空容器160的開口162的鄰近且被放置為從真空容器160突出以及覆蓋蒸發部220與分配部130，感應線圈140覆蓋蒸發部220與分配部130且感應加熱蒸發部220與分配部130。交流電源150供應交流電到感應線圈140。
蒸發部220包含圓柱形主體部220a、連接路徑228、儲存空間227、管狀凸起229、擋板226、上蓋板224以及固定部222。連接路徑228從主體部220a的下部延伸到上部。儲存空間227連接此連接路徑228以及儲存蒸發材料20。連接路徑228係形成於管狀凸起229中。擋板226位於凸起229的頂表面上。上蓋板224被放置於擋板226上以密封蒸發材料20到儲存空間227內。固定部222被放置於上蓋板224上以與主體部220a組合。
蒸發部220包含腔室221、反射板223以及腔室出口221a。腔室221連接此連接路徑228的下部。反射板223被放置於腔室入口的鄰近以及將蒸發材料20反射，連接路徑228與腔室221接合於腔室入口處。腔室出口221a被放置於腔室入口的相對方向。蒸發材料20透過連接路徑228與腔室入口被供應到腔室221，以及透過腔室出口221a被注入。
腔室221具有積分球的形狀。腔室221與主體部220a形成為一體。腔室221內部空間為空。透過腔室入口提供的蒸氣被反射兩次或 多次以透過腔室出口221a以點光源的形式被注入。腔室入口連接此連接路徑228。反射板223被放置於腔室入口處。反射板223可避免透過連接路徑228提供的蒸氣被注入到腔室出口221a。反射板223由導體形成，穿透主體部220a的感應電場可感應加熱此反射板223。
分配部130將透過腔室出口221a注入的蒸氣在空間上分配。分配部130可藉由感應線圈140被感應加熱。
第5圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備300。
第6A圖為第5圖中的分配部的俯視圖，第6B圖為沿第6A圖中的線III-III'的剖面示意圖。
請參考第5圖、第6A圖與第6B圖，蒸發沈積設備300包含蒸發部220、分配部330、介電部110、感應線圈140以及交流電源150。蒸發部220透過連接路徑228提供蒸發材料20。分配部330包含複數個孔洞以及透過這些孔洞注入蒸發材料20到真空容器160內。介電部110被裝設於真空容器160的開口162的鄰近且被放置為從真空容器160突出以及覆蓋蒸發部220與分配部330。感應線圈140覆蓋蒸發部220與分配部330且感應地加熱蒸發部220與分配部330。交流電源150供應交流電到感應線圈140。
蒸發部220包含圓柱形主體部220、連接路徑228、儲存空間227、管狀凸起229、擋板226、上蓋板224以及固定部222。連接路徑228從主體部220a的下部延伸到上部。儲存空間227連接此連接路徑228以及儲存蒸發材料20。連接路徑228係形成於管狀凸起229中。擋板226位於凸起229的頂表面上。上蓋板224被放置於擋板226上以密封蒸發材 料20到儲存空間227內。固定部222被放置於上蓋板224上以與主體部220a組合。
蒸發部220包含腔室221、反射板223以及腔室出口221a。腔室221連接此連接路徑228的下部。反射板223被放置於腔室入口的鄰近以及將蒸發材料20反射，連接路徑228與腔室221接合於腔室入口處。腔室出口221a被放置於腔室入口的相對方向。蒸發材料20透過連接路徑228與腔室入口被供應到腔室221，以及透過腔室出口221a被注入。
腔室221具有積分球的形狀。反射噴嘴390被放置為連接腔室出口221a。反射噴嘴390係由傳導材料形成且藉由感應線圈140被感應加熱。反射噴嘴390的入口被放置為連接腔室出口221a，其出口被放置為面對基板174。反射噴嘴390具有預定的傾斜角以與腔室出口221a注入的蒸氣具有預定的立體角(solid angle)。反射噴嘴390的傾斜角處於30度與60度之間。
分配部330將透過反射噴嘴390注入的蒸氣在空間上分配。分配部330可藉由感應線圈140被感應加熱。
分配部330被放置於反射噴嘴390的出口處。分配部330具有盤狀，具有複數個孔洞332a至332d。隨著盤的中央的直徑的增加，孔洞332a至332d的直徑也增加。每一孔洞332a至332d可為圓形。孔洞332a至332d可排列為矩陣。每一孔洞332a至332d可為錐形。
第一孔洞332a被放置於分配部330的中央。第二孔洞332b被放置為第一孔洞332a周圍。第三孔洞332c被放置在放置第二孔洞332b的圓周的外部。第四孔洞332d被放置在放置第三孔洞332c的圓周的外部。 第二孔洞332b的直徑b2大於第一孔洞332a的直徑b1。第三孔洞332c的直徑b3大於第二孔洞332b的直徑b2。第四孔洞332d的直徑b4大於第三孔洞332c的直徑b3。
第7圖為本發明另一實施例的分配部430的俯視圖。
請參考第7圖，分配部430將透過連接路徑、腔室出口或反射噴嘴注入的蒸氣在空間上分配。分配部430透過感應線圈被感應加熱。
分配部430具有盤狀，每一孔洞432a至432c沿半徑方向為墊圈切口的形式，隨著盤中央的半徑的增加，每一孔洞432a至432c的面積也增加。
分配部430具有盤狀，包含複數個孔洞432a至432c。第一孔洞432a在離開中央的方向被放置為規則的間隔。第二孔洞432b被放置為圍繞第一孔洞432a。第三孔洞432c被放置在放置第二孔洞432b的圓周外部。第一至第三孔洞432a至432c沿半徑方向被排列。
第8圖為本發明另一實施例的分配部530的俯視圖。
請參考第8圖，分配部530將透過連接路徑、腔室出口或反射噴嘴注入的蒸氣在空間上分配。分配部530藉由感應線圈被感應加熱。
分配部530具有盤狀，每一孔洞532具有包含兩條直線與一個圓弧的形狀。兩條直線的交叉處被放置於距離盤中央一恆定距離的半徑上。孔洞532以中央為基礎沿旋轉方向被放置為固定間隔。
第9圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備600。
第10圖為第9圖的擋板的透視圖。
請參考第9圖與第10圖，蒸發沈積設備600包含蒸發部 220、分配部130、介電部110、感應線圈140以及交流電源150。蒸發部220透過連接路徑128提供蒸發材料20。分配部130包含複數個孔洞以及透過這些孔洞將蒸發材料20注入到真空容器160內。介電部110被裝設在真空容器160的開口162的鄰近且被放置為從真空容器160突出以及覆蓋蒸發部220與分配部130。感應線圈140覆蓋蒸發部220與分配部130且感應地加熱蒸發部220與分配部130。交流電源150供應交流電到感應線圈140。
蒸發部220包含圓柱形主體部220a、連接路徑228、儲存空間227、管狀凸起229、擋板626、上蓋板224以及固定部222。連接路徑228從主體部220a的下部延伸到上部。儲存空間227連接此連接路徑228以及儲存蒸發材料20。連接路徑228係形成於管狀凸起229中。擋板626位於凸起229的頂表面上。上蓋板224被放置於擋板626上以密封蒸發材料20到儲存空間227內。固定部222被放置於上蓋板224上以與主體部220a組合。
蒸發部220包含腔室221、反射板223以及腔室出口221a。腔室221連接此連接路徑228的下部。反射板223被放置於腔室入口的鄰近以及將蒸發材料20反射，連接路徑228與腔室221接合於腔室入口處。腔室出口221a被放置於腔室入口的相對方向。蒸發材料20透過連接路徑228與腔室入口被供應到腔室221，以及透過腔室出口221a被注入。
擋板626包含擋板柱(baffle pillar)626a與擋板支架板626b。擋板柱626a被插入連接路徑228的頂表面內，擋板支架板626b被裝設於擋板柱626a的頂表面上且包含壕溝626c。壕溝626c沿半徑方向從 擋板柱626a的底表面延伸。被蒸發的蒸發材料可透過壕溝626c被供應到連接路徑228。
分配部130將透過連接路徑、腔室出口或反射噴嘴注入的蒸氣在空間上分配。分配部130藉由感應線圈140被感應加熱。
分配部130包含複數個孔洞，以及透過這些孔洞將蒸發材料注入到真空容器160內。分配部130具有中空的半球形狀。分配部130的赤道平面被裝設於蒸發部220的底表面上。這些孔洞可形成於半球表面上。
第11圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備700。
請參考第11圖，蒸發沈積設備700包含蒸發部220、分配部130、介電部110、感應線圈240以及交流電源250。蒸發部220透過連接路徑228提供蒸發材料20。分配部130包含複數個孔洞以及透過這些孔洞將蒸發材料20注入到真空容器160內。介電部110被裝設在真空容器160的開口162的鄰近且被放置為從真空容器160突出以及覆蓋蒸發部220與分配部130。感應線圈240覆蓋蒸發部220與分配部130且感應地加熱蒸發部220與分配部130。交流電源250供應交流電到感應線圈240。
蒸發沈積設備700包含輔助蒸發部720與連接管道12。輔助蒸發部720被放置於蒸發部220上方以及包含暴露到底面的輔助連接路徑728。連接管道12連接輔助連接路徑728到蒸發部220的連接路徑228。輔助蒸發部720透過暴露到底面的輔助連接路徑728供應輔助蒸發材料70。
蒸發部220包含圓柱形的主體部220a、連接路徑228、儲存空間227、管狀凸起229、擋板226、上蓋板224以及固定部222。連接 路徑228從主體部220a的下部延伸到上部。儲存空間227連接此連接路徑228以及儲存蒸發材料20。連接路徑228係形成於管狀凸起229中。擋板226位於凸起229的頂表面上。上蓋板224被放置於擋板226上以密封蒸發材料20到儲存空間227內。固定部222被放置於上蓋板224上以與主體部220a組合。
蒸發部220包含腔室221、反射板223以及腔室出口221a。腔室221連接此連接路徑228的下部。反射板223被放置於腔室入口的鄰近以及將蒸發材料20反射，連接路徑228與腔室221接合於腔室入口處。腔室出口221a被放置於腔室入口的相對方向。蒸發材料20透過連接路徑228與腔室入口被供應到腔室221，以及透過腔室出口221a被注入。
輔助蒸發部720包含圓柱形的輔助主體部720a、輔助連接路徑728、輔助儲存空間727、管狀輔助凸起729、輔助擋板726、輔助上蓋板724以及輔助固定部722。輔助連接路徑728從輔助主體部720a的底面延伸到頂面。輔助儲存空間727連接輔助連接路徑728且儲存輔助蒸發材料70。輔助連接路徑728形成於管狀輔助凸起729中。輔助擋板726位於輔助凸起729的頂面上。輔助上蓋板724放置於輔助擋板726上且密封輔助蒸發材料70到儲存空間727內。輔助固定部722放置於輔助上蓋板724上以與輔助主體部720a組合。
連接管道12連接輔助連接路徑728到蒸發部220的連接路徑228，此連接管道12在腔室入口附近延伸。因此，蒸發材料20與輔助蒸發材料70透過反射板233被供應到腔室221。連接管道12貫穿上蓋板224與固定部222。
分配部130將透過連接路徑、腔室出口或反射噴嘴注入的蒸氣在空間上分配。分配部130藉由感應線圈240被感應加熱。
輔助感應線圈740覆蓋介電部110與輔助蒸發部720，以及感應加熱此輔助蒸發部720。輔助感應線圈740為螺線管的形式。輔助交流電源750可供應交流電到輔助感應線圈740。輔助交流電源750的頻率與交流電源250的頻率彼此不同以避免相互干擾。
第12圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備800。
請參考第12圖，蒸發沈積設備800包含蒸發部220、分配部130、介電部110、感應線圈140以及交流電源150。蒸發部220透過連接路徑128提供蒸發材料20。分配部130包含複數個孔洞以及透過這些孔洞將蒸發材料20注入到真空容器160內。介電部110被裝設在真空容器160的開口162的鄰近且被放置為從真空容器160突出以及覆蓋蒸發部220與分配部130。感應線圈140覆蓋蒸發部220與分配部130且感應地加熱蒸發部220與分配部130。交流電源150供應交流電到感應線圈140。
蒸發部220包含圓柱形主體部220a、連接路徑228、儲存空間227、管狀凸起229、擋板226、上蓋板224以及固定部222。連接路徑228從主體部220a的下部延伸到上部。儲存空間227連接此連接路徑228以及儲存蒸發材料20。連接路徑228係形成於管狀凸起229中。擋板226位於凸起229的頂表面上。上蓋板224被放置於擋板226上以密封蒸發材料20到儲存空間227內。固定部222被放置於上蓋板224上以與主體部220a組合。。
蒸發部220包含腔室221、反射板223以及腔室出口221a。 腔室221連接此連接路徑228的下部。反射板223被放置於腔室入口的鄰近以及將蒸發材料20反射，連接路徑228與腔室221接合於腔室入口處。腔室出口221a被放置於腔室入口的相對方向。蒸發材料20透過連接路徑228與腔室入口被供應到腔室221，以及透過腔室出口221a被注入。
輔助蒸發部820被放置於蒸發部220上方以及包含輔助連接路徑728。連接管道12連接輔助蒸發部820的輔助連接路徑728到蒸發部220的連接路徑228。
輔助蒸發部820透過輔助連接路徑828供應輔助蒸發材料80。連接管道12被放置為連接輔助蒸發部820的連接路徑828到蒸發部220的連接路徑228。
輔助蒸發部820包含圓柱形的輔助主體部820a、輔助連接路徑828、輔助儲存空間827、管狀輔助凸起829、輔助擋板826、輔助上蓋板824以及輔助固定部822。輔助連接路徑828從輔助主體部820a的底面延伸到頂面。輔助儲存空間827連接輔助連接路徑828且儲存輔助蒸發材料80。輔助連接路徑828形成於管狀輔助凸起829中。輔助擋板826位於輔助凸起829的頂面上。輔助上蓋板824放置於輔助擋板826上且密封輔助蒸發材料80到儲存空間827內。輔助固定部822放置於輔助上蓋板824上以與輔助主體部820a組合。
輔助蒸發部820包含氣體管道14，覆蓋其接觸的外部圓周表面。流體通過氣體管道14的內部以獨立調整輔助蒸發部820的溫度。氣體管道14延伸到介電部110的外部。
分配部130將透過連接路徑、腔室出口或反射噴嘴注入的 蒸氣在空間上分配。分配部130可藉由感應線圈140被感應加熱。
第13圖為本發明另一實施例的蒸發沈積設備100a。
請參考第13圖，蒸發沈積設備100a包含蒸發部120、分配部130、介電部110、感應線圈140以及交流電源150。蒸發部120透過連接路徑128提供蒸發材料10。分配部130包含複數個孔洞132a至132d以及透過這些孔洞132a至132d將蒸發材料10注入到真空容器160內。介電部110被裝設在真空容器160的開口162的鄰近且被放置為從真空容器160突出以及覆蓋蒸發部120與分配部130。感應線圈140覆蓋蒸發部120與分配部130且感應地加熱蒸發部120與分配部130。交流電源150供應交流電到感應線圈140
感應線圈140被放置於介電部110內部以覆蓋蒸發部120與分配部130。感應線圈140與蒸發部120及分配部130間隔，或者包含介電外蓋以避免與其電接觸。
如前所述，本發明實施例的蒸發沈積設備可提供自頂部向下的大面積蒸發沈積設備。
雖然本發明的實施例揭露如上所述，然並非用以限定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，舉凡依本發明申請範圍所述的形狀、構造、特徵及數量當可做些許的變更，因此本發明的專利保護範圍須視本說明書所附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧蒸發材料
100‧‧‧蒸發沈積設備
110‧‧‧介電部
120‧‧‧蒸發部
120a‧‧‧主體部
122‧‧‧固定部
124‧‧‧上蓋板
126‧‧‧擋板
127‧‧‧儲存空間
128‧‧‧連接路徑
129‧‧‧凸起
130‧‧‧分配部
140‧‧‧感應線圈
150‧‧‧交流電源
160‧‧‧真空容器
162‧‧‧開口
172‧‧‧基板基座
174‧‧‧基板
180‧‧‧蒸發支架

Claims (16)

  1. 一種蒸發沈積設備，包含：一蒸發部，透過一連接路徑提供一蒸發材料；一分配部，包含複數個孔洞以及透過該些孔洞注入該蒸發材料到一真空容器內；一介電部，裝設於該真空容器的一開口的鄰近以及被放置為從該真空容器突出且覆蓋該蒸發部與該分配部；一感應線圈，覆蓋該蒸發部與該分配部以及感應加熱該蒸發部與該分配部；以及一交流電源，供應交流電到該感應線圈。
  2. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，其中該蒸發部包含：圓柱形的一主體部；該連接路徑，從該主動部的底面延伸到頂面；一儲存空間，連接該連接路徑且儲存該蒸發材料；管狀的一凸起，該連接路徑形成於管狀的該凸起中；一擋板，位於該凸起的頂面上；一上蓋板，放置於該擋板上以密封該蒸發材料到該儲存空間內；以及一固定部，放置於該上蓋板上以與該主體部組合。
  3. 如請求項2所述之蒸發沈積設備，其中該擋板包含：圓柱形的一擋板支架，被插入該凸起的一外周表面內；一擋板支架板，被放置於該擋板支架的頂面上以及包 含一通孔，該通孔的外直徑小於該主體部的內直徑，該通孔的內直徑等於或小於該擋板支架的內直徑；以及一擋板凸起，形成一路徑以連接該擋板支架板的頂面上形成的該通孔。
  4. 如請求項2所述之蒸發沈積設備，其中該擋板包含：一擋板柱，被插入該連接路徑的頂面內；以及一擋板支架板，裝設於該擋板柱的頂面上以及具有一溝槽，該溝槽從該擋板柱的底面沿半徑方向延伸。
  5. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，其中該分配部的該等孔洞的直徑隨著半球的緯度的增加而減小。
  6. 如請求項5所述之蒸發沈積設備，其中該等孔洞係依照規則的經度間隔被放置。
  7. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，其中該蒸發部更包含：一腔室，連接該連接路徑的下部；一反射板，放置於該連接路徑與該腔室接合處的一腔室入口的鄰近以及反射該蒸發材料；以及一腔室出口，放置於該腔室入口的相對方向，其中該蒸發材料透過該連接路徑與該腔室入口被供應到該腔室以及透過該腔室出口被注入。
  8. 如請求項7所述之蒸發沈積設備，更包含：一反射噴嘴，被放置為連接該腔室出口，其中該反射噴嘴係由傳導材料形成以及被感應加熱。
  9. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，其中該分配部的赤道平面被裝設於該蒸發部的底面上，該分配部具有中空半球的形狀，以及其中該等孔洞形成於半球的表面上。
  10. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，其中該分配部具有盤狀，圓形的該等孔洞的直徑隨著盤中央的半徑的增加而增加。
  11. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，其中該分配部具有盤狀，該等孔洞沿半徑方向為墊圈切口的形式，該等孔洞的面積隨著隨著盤中央的半徑的增加而增加。
  12. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，其中該分配部具有盤狀；其中該孔洞具有兩條直線與一條圓弧的形狀；以及其中兩條直線的交叉被放置於遠離盤中央一恆定距離的半徑上。
  13. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，更包含：一輔助蒸發部，放置於該蒸發部上方以及包含一輔助連接路徑；以及一連接管道，連接該輔助連接路徑到該蒸發部的該連接路徑，其中該輔助蒸發部透過暴露到底面的該輔助連接路徑供應一輔助蒸發材料。
  14. 如請求項1所述之蒸發沈積設備，其中該輔助蒸發部包 含：圓柱形的一輔助主體部；該輔助連接路徑，從該輔助主體部的底面向頂面延伸；一輔助儲存空間，連接該輔助連接路徑以及儲存一輔助蒸發材料；管狀的一輔助凸起，該輔助連接路徑係形成於其中；一輔助擋板，位於該輔助凸起的頂面上；一輔助上蓋板，放置於該輔助擋板上以及密封該輔助蒸發材料到該儲存空間內；以及一輔助固定部，放置於該輔助上蓋板上以與該輔助主體部組合。
  15. 如請求項13所述之蒸發沈積設備，更包含：一輔助感應線圈，覆蓋該介電部以及感應加熱該輔助蒸發部；以及一輔助交流電源，供應交流電到該輔助感應線圈。
  16. 如請求項13所述之蒸發沈積設備，更包含：一氣體管道，覆蓋與其接觸的該輔助蒸發部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101649689B1 (ko) * 2015-04-14 2016-08-19 한국표준과학연구원 유도 가열 선형 증발 증착 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0610118A (ja) * 1992-06-29 1994-01-18 Nec Kansai Ltd 蒸着方法及び蒸発装置
JP2004323915A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Tokki Corp 蒸着装置における有機材料用蒸発源及びその蒸着装置
KR100666572B1 (ko) * 2005-01-24 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증발장치
KR101104802B1 (ko) * 2009-05-06 2012-01-12 (주)알파플러스 하향식 노즐형 진공 증발원 장치 및 이를 이용한 하향식 노즐형 진공 증착 장치
JP5578345B2 (ja) 2009-11-02 2014-08-27 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置における蒸発源及び蒸着装置
KR101160437B1 (ko) * 2011-06-07 2012-06-26 김명희 하향식 금속박막 증착용 고온 증발원

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022217634A1 (zh) * 2021-04-12 2022-10-20 武汉华星光电技术有限公司 蒸镀装置

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