TW201448199A - 發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

在一態樣中，提供一種發光顯示裝置及其製造方法。發光顯示裝置包含顯示基板，其包含像素區域和非像素區域；封裝構件，其設置於顯示基板之上方；以及破壞性干涉單元。

Description

發光顯示裝置及其製造方法 【0001】
本發明是有關於一種發光顯示裝置及其製造方法。
 【0002】
傳統顯示裝置正在被可攜式和輕薄式顯示裝置所取代。在顯示裝置中，有機發光顯示裝置或無機發光顯示裝置被視為是下一代顯示裝置，因為其為自發光顯示裝置並具有廣視角、高對比度、以及高反應速度。
【0003】
為了可攜帶和可在室外環境中使用，顯示裝置被製造成重量輕且薄。然而，當使用者在室外環境中觀看顯示裝置上顯示的影像時，顯示裝置會反射環境光諸如太陽光，從而降低影像之對比度和能見度。在有機發光顯示裝置之例子中，環境光被有機發光顯示裝置內的反射金屬層反射。因此，為了減少環境光之反射，圓形偏光器可放置於有機發光顯示裝置之表面上。
【0004】
然而，圓形偏光器包含若干薄膜，其包含線性偏光器、四分之一波長之相位差板、黏合層、保護層等，且其具有厚度約在0.15毫米到0.3毫米。因此，使用圓形偏光器以實現輕薄式顯示裝置有其限制。另外，由於圓形偏光器為透過貼合若干薄膜而形成，包含圓形偏光器之顯示裝置之製造過程係為複雜的。
 【0005】
一些實施例提供之發光顯示裝置具有破壞性干涉單元，其可代替圓形偏光膜，以降低環境光之反射率、減少發光顯示裝置之厚度，並簡化發光顯示裝置之製造過程。
【0006】
一些實施例提供一種發光顯示裝置之製造方法，可以破壞性干涉單元代替圓形偏光膜，以降低環境光之反射率、減少發光顯示裝置之厚度、以及簡化發光顯示裝置之製造過程。
【0007】
然而，本發明之態樣可以各種不同之形式而實施，且不應被理解為僅限所示之實施例。本發明所屬領域之通常知識者可參閱下方實施例之實施方式將本發明之以上及其他態樣變得更加顯著。
【0008】
根據本發明之態樣，提供一種發光顯示裝置包含：一種發光顯示裝置，其包含：顯示基板，其包含像素區域和非像素區域；封裝構件，其設置於顯示基板之上方；以及 破壞性干涉單元，其形成於封裝構件上且包含光透射部分對應至像素區域和光遮斷部分對應至非像素區域。
【0009】
根據本發明之其他態樣，提供一種發光顯示裝置包含：顯示基板，其包含像素區域和非像素區域；封裝構件，其設置於顯示基板之上方；以及破壞性干涉單元，其形成於封裝構件上，其中破壞性干涉單元包含複數個含金屬層和複數個電介質層交替地層疊並且進一步包含遮斷層對應至非像素區域且設置以最靠近或最遠離封裝構件。
【0010】
根據本發明之另一態，樣提供一種發光顯示裝置之製造方法，該方法包含：準備顯示基板包含像素區域和非像素區域；形成破壞性干涉單元包含複數個含金屬層和複數個電介質層交替地層疊於封裝構件上且進一步包含遮斷層對應至非像素區域並設置以最靠近或最遠離封裝構件。
【0011】
根據本發明之實施例至少可達成以下功效。
【0012】
在一些實施例中，發光顯示裝置具有破壞性干涉單元包含交替地層疊於封裝構件上之複數個含金屬層和複數個電介質層及遮斷層。在一些實施例中，破壞性干涉單元可代替圓形偏光膜，減少環境光之反射率、減少發光顯示裝置之厚度、以及簡化發光顯示裝置之製造過程。
【0013】
根據本發明之功效並不限於上方所列舉之內容，但可於實施方式中進一步包含各種功效。
100、200、300．．．發光顯示裝置
110．．．顯示基板
111．．．發光層
120．．．封裝構件
130、230、330．．．破壞性干涉單元
131、231、331．．．第一含金屬層
131a、231a、331a．．．第一透光含金屬層
131b、231b、331b．．．第一遮光含金屬層
132、232、332．．．第一電介質層
132a、232a、332a．．．第一透光電介質層
132b、232b、332b．．．第一遮光電介質層
133、233、333．．．第二含金屬層
133a、233a、333a．．．第二透光含金屬層
133b、233b、333b．．．第二遮光含金屬層
134、234、334．．．第二電介質層
134a、234a、334a．．．第二透光電介質層
134b、234b、334b．．．第二遮光電介質層
135、235、335．．．遮斷層
135a、235a．．．遮斷材料
336．．．第三電介質層
336a．．．第三透光電介質層
336b．．．第三遮光電介質層
d1、d2、d3、d4．．．厚度
PX．．．像素區域
NPX．．．非像素區域
LTP1、LTP2、LTP3．．．光透射部分
LBP1、LBP2、LBP3．．．光遮斷部分
．．．第一反射光
．．．第二反射光
LED1、LED2、LED3．．．發光顯示裝置
S10、S20．．．步驟
【0014】
本發明之以上及其他態樣及特徵將透過參考附圖詳細描述其例示性實施例而變得更加顯著，其中：
【0015】
第1圖顯示根據本發明實施例之發光顯示裝置之剖視圖；
【0016】
第2圖顯示任意材料之吸收率之示意圖；
【0017】
第3圖顯示第1圖中所示之破壞性干涉單元之光透射部分之放大剖視圖；
【0018】
第4圖顯示第1圖中所示之破壞性干涉單元之光遮斷部分之放大剖視圖；
【0019】
第5圖顯示具有圓形偏光器之傳統發光顯示裝置比較於根據第1圖實施例之發光顯示裝置之環境光反射率之關係曲線圖；
【0020】
第6圖顯示傳統發光顯示裝置中之圓形偏光器之透射率比較於根據第1圖實施例之發光顯示裝置中之破壞性干涉單元之透射率之關係曲線圖；
【0021】
第7圖顯示根據本發明實施例之發光顯示裝置之製造方法之流程圖；
【0022】
第8至14圖顯示第7圖之製造方法之剖視圖；
【0023】
第15圖顯示根據本發明另一實施例之發光顯示裝置之剖視圖；
【0024】
第16圖顯示第15圖中所示之破壞性干涉單元之光透射部分之放大剖視圖；
【0025】
第17圖顯示第15圖中所示之破壞性干涉單元之光遮斷部分之放大剖視圖；
【0026】
第18圖顯示具有圓形偏光器之傳統發光顯示裝置之環境光反射率比較於根據第15圖實施例之發光顯示裝置之環境光反射率之關係曲線圖；
【0027】
第19圖顯示傳統發光顯示裝置中之圓形偏光器之透射率比較於根據第15圖實施例之發光顯示裝置中之破壞性干涉單元之透射率之關係曲線圖；
【0028】
第20至22圖顯示根據本發明另一實施例之發光顯示裝置之製造方法之剖視圖；
【0029】
第23圖顯示根據本發明再一實施例之發光顯示裝置之剖視圖；
【0030】
第24圖顯示第23圖中所示之破壞性干涉單元之光透射部分之放大剖視圖；以及
【0031】
第25圖顯示第23圖中所示之破壞性干涉單元之光遮斷部分之放大剖視圖。
 【0032】
本發明之優點和特徵及實現其之方法可透過參閱下方較佳實施例之實施方式和附圖圖式而更易於理解。然而，本發明可以許多不同形式而實施且不應被理解為限於此所闡述之實施例。相反地，提供這些實施例將使本發明趨於徹底及完整且將充分地傳達實施例給本發明所屬領域之通常知識者，並且本發明將僅由後附之申請專利範圍而定義。
【0033】
其也將被理解的是為當一層被稱作在另一層或基板「上」時，其可以直接位於另一層或基板上，或也可存在中介層。在說明書中之相同參考符號表示相同部件。
【0034】
其將被理解的是，於本文中雖然可使用詞彙第一、第二、第三等而描述各種構件、部件、區域、層及/或部分，但是這些構件、部件、區域、層及/或部分不應受限於這些詞彙。這些詞彙僅用以區分一個構件、部件、區域、層及/或部分與另一個構件、部件、區域、層及/或部分。因此，下方所討論之第一構件、部件、區域、層及/或部分可在不背離本發明之教示下稱為第二構件、部件、區域、層及/或部分。
【0035】
後文將參考附圖圖式以描述本發明實施例。
【0036】
第1圖顯示根據本發明實施例之發光顯示裝置100之剖視圖。第2圖顯示任意材料之吸收率之示意圖。
【0037】
請參考第1圖，根據本實施例之發光顯示裝置100包含顯示基板110、封裝構件120、以及破壞性干涉單元130。
【0038】
在一些實施例中，顯示基板110可包含絕緣基板。在一些實施例中，絕緣基板可形成自透明玻璃材料內含透明二氧化矽作為其主要成分。在一些實施例中，絕緣基板可形成自不透明材料或塑膠材料。在一些實施例中，絕緣基板可為可撓式基板。
【0039】
在一些實施例中，顯示基板110可包含顯示影像之像素區域PX和非像素區域NPX。在一些實施例中，顯示基板110可包含發光層111分別形成於像素區域PX並發光使得影像可以被顯示出。例如，若發光顯示裝置100係為有機發光顯示裝置，發光層111可為形成自有機材料之有機發光層。
【0040】
雖然未顯示於圖式中，顯示基板110可進一步包含其他結構形成於絕緣基板上。結構之例子可包含配線、電極、以及絕緣層。在一些實施例中，顯示基板110可包含第一電極(例如，陽極)形成於發光層111下及第二電極(例如，陰極)形成於發光層111上。在一些實施例中，顯示基板110可包含複數個薄膜電晶體(TFTs)形成於絕緣基板上。在一些實施例中，至少一些薄膜電晶體之汲極可電性耦接至第一電極。在一些實施例中，各薄膜電晶體可包含主動區形成自非晶矽、多晶矽、或單晶矽。在一些實施例中，各薄膜電晶體可包含主動區形成自氧化物半導體。
【0041】
在一些實施例中，封裝構件120可設置於顯示基板110之上方且可形成自絕緣材料。在一些實施例中，封裝構件120可耦接至顯示基板110以保護發光層111免受發光顯示裝置100外部之濕氣和氧氣。在一些實施例中，封裝構件120可為其間具有間隙並設置於顯示基板110上的封裝基板，或為接觸於顯示基板110的封裝層，例如，覆蓋顯示基板110之整體結構之封裝層。
【0042】
在一些實施例中，破壞性干涉單元130可形成於封裝構件120上且可設置於封裝構件120之上部。在一些實施例中，破壞性干涉單元130大致包含對應至顯示基板110之像素區域PX的光透射部分LTP1和對應至顯示基板110之非像素區域NPX的光遮斷部分LBP1。
【0043】
在一些實施例中，對應至顯示基板110之像素區域PX的光透射部分LTP1允許從發光層111發射的光傳送通過其中，使得影像可顯示於破壞性干涉單元130之外部。在一些實施例中，光透射部分LTP1可透過使環境光之反射光彼此產生破壞性干涉，以減少從破壞性干涉單元130之外部朝向封裝構件120而入射之環境光之反射率。在一些實施例中，對應至非像素區域NPX之光遮斷部分LBP1透過使環境光之反射光彼此產生破壞性干涉和吸收環境光而防止從發光層111發射的光傳送通過其中且減少從破壞性干涉單元130之外部朝向封裝構件120而入射之環境光之反射率。光透射部分LTP1及光遮斷部分LBP1將在下文中描述其更多細節。
【0044】
在一些實施例中，破壞性干涉單元130可包含複數個含金屬層131、133和複數個電介質層132、134交替地層疊於封裝構件120上，以及遮斷層135。在一些實施例中，破壞性干涉單元130可包含第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、第二電介質層134、以及遮斷層135。在第1圖所示之含金屬層131、133和電介質層132、134之層疊結構中，第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、以及第二電介質層134依序層疊於封裝構件120上。然而，在根據一些實施例之複數個含金屬層和複數個電介質層的層疊結構中，第一電介質層、第一含金屬層、第二電介質層、以及第二含金屬層可依序層疊於封裝構件上。
【0045】
在一些實施例中，第一含金屬層131可形成於封裝構件120上。在一些實施例中，對應至顯示基板110之像素區域PX的第一含金屬層131之部分可接觸於封裝構件120之上表面，且對應至顯示基板110之非像素區域NPX的第一含金屬層131之部分可分離於封裝構件120之上表面。在一些實施例中，第一含金屬層131可形成自具有高吸收率之材料，例如，具有約30％或以上之吸收率之含金屬材料，透過吸收從破壞性干涉單元130外部入射之部分環境光以減少被反射的環境光之總量。請參考第2圖，具有約30％或以上之吸收率的含金屬材料可具有約1.5至7之折射率(n)及約1.5至7之吸光係數(k)。因此，第一含金屬層可形成自鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈷(Co)、氧化銅(CuO)、氮化鈦、硫化鎳(NiS)之任一項。第2圖中顯示的各材料之折射率(n)和吸光係數(k)係在各材料之厚度為10奈米且光波長為550奈米之狀態中測量。
【0046】
在一些實施例中，第一含金屬層131可形成厚度d1並具有約40%或以上之透射率，其相近於傳統圓形偏光膜具有約43%或以上之透射率。在一些實施例中，第一含金屬層131之厚度d1可設定為具有約60％或以下之透射率之厚度，且可設定為滿足以下方程式(1)之厚度：
d1≦0.6λ/2πn1k1 (1)
【0047】
其中d1係為第一含金屬層131之厚度、λ係為環境光之波長、n1係為第一含金屬層131之折射率、以及k1係為第一含金屬層131之吸光係數。
【0048】
例如，若環境光之波長λ為550奈米以及第一含金屬層131形成自鉻，則如第2圖顯示之第一含金屬層131之折射率n1可約為3.2且第一含金屬層131之吸光係數k1可約為3.3。在此，第一含金屬層131之厚度d1可根據方程式(1)而約為4.97奈米或以下。在本發明中，第一含金屬層131之厚度d1係基於環境光之波長為550奈米之假設而設定。然而，第一含金屬層131之厚度d1也可基於另一波長而設定。
【0049】
在一些實施例中，第一電介質層132可形成於第一含金屬層131上。在一些實施例中，第一電介質層132接觸於第一含金屬層131之上表面。在一些實施例中，第一電介質層132可形成自二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氟化鋰(LiF)、氟化鈣(CaF2)、氟化鎂(MaF2)、氮化矽、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鈮(Nb2O5)、碳氮化矽(SiCN)、氧化鉬、氧化鐵、以及氧化鉻之任一項。在一些實施例中，第一電介質層132可將在第一反射光 和第二反射光 之間於第二含金屬層133之上表面所產生之相位差調整約180度，使得從破壞性干涉單元130所反射之環境光可被抵銷，其中，第一反射光 係為從第二含金屬層133之上表面反射之環境光，而第二反射光 係為穿越第二含金屬層133和第一電介質層132並從第一含金屬層131之上表面反射且接著穿越第一電介質層132和第二含金屬層133之環境光。
【0050】
在一些實施例中，第二含金屬層133可形成於第一電介質層132上。在一些實施例中，第二含金屬層133接觸於第一電介質層132之上表面。在一些實施例中，第二含金屬層133也可形成自形成第一含金屬層131的材料，以減少從破壞性干涉單元130之外部而入射之環境光中的反射光之總量。在一些實施例中，第二含金屬層133之厚度d1可設定為具有約60％或以下之吸收率之厚度，其透射率等同於傳統圓形偏光膜具有約43%或以上，且可設定為滿足方程式(1)之厚度。
【0051】
為使第一反射光 和第二反射光 之間的相位差約為180度，第二含金屬層133和第一電介質層132之最佳光學厚度可設定為長度λ/4(定義於方程式(2))而當環境光穿越第二含金屬層133和第一電介質層132時，其導致從破壞性干涉單元130之外部而入射之環境光之相位被改變約90度。因此，第一電介質層132之厚度d2可由方程式(2)計算如下：
(n1d1)+(n2d2)=λ/4 (2)
【0052】
其中d1係為第二含金屬層133之厚度、d2係為第一電介質層132之厚度、λ係為環境光之波長、n1係為第二含金屬層133之折射率、以及n2係為第一電介質層132之折射率。
【0053】
例如，若環境光之波長λ為550奈米、第二含金屬層133形成自鉻，且第一電介質層132形成自二氧化矽，則第二含金屬層133之折射率n1可約為3.2，第二含金屬層133之厚度d1可約為4.97奈米，且第一電介質層132之折射率n2可約為1.47。在此，第一電介質層132之厚度 d2 可根據方程式(2)而約為82.72奈米。在本發明中，第二含金屬層133之厚度d1和第一電介質層132之厚度d2係基於環境光之波長為550奈米之假設而設定。然而，第二含金屬層133之厚度d1和第一電介質層132之厚度d2也可基於另一波長而設定。
【0054】
在一些實施例中，第二電介質層134可形成於第二含金屬層133上。在一些實施例中，第二電介質層134可形成自形成第一電介質層132的材料且可具有約為50至120奈米之厚度d3。由於第一電介質層132很難於所有環境光之波長將反射光之相位差調整為180度，第二電介質層134可根據環境光之波長而校正偏離180度之反射光之相位差。
【0055】
在一些實施例中，遮斷層135分別對應至非像素區域NPX且位於最靠近封裝構件120之位置。在一些實施例中，遮斷層135可形成於封裝構件120和第一含金屬層131之間並對應至顯示基板110之非像素區域NPX。在一些實施例中，遮斷層135可形成自鉻、鉬、鋁、銀、鈦、碳黑、以及氧化銅之任一項。在一些實施例中，遮斷層135可具有不允許從破壞性干涉單元130之外部而入射之環境光到達發光層111之厚度，例如，約為50奈米或以上之厚度d4。
【0056】
在一些實施例中，破壞性干涉單元130可導致第一反射光 和第二反射光 所具有之相位差約180度，使得第一反射光 和第二反射光 可藉由彼此產生之破壞性干涉而消失。具體而言，當從破壞性干涉單元130之外部而入射之環境光穿越第二電介質層134並從第二含金屬層133之上表面反射時，第一反射光 之相位可從環境光之相位改變約180度。在一些實施例中，第二反射光 之相位可從環境光之相位總共改變約360度，特別係當從破壞性干涉單元130之外部而入射之環境光在傳輸通過第二電介質層134後並穿越第二含金屬層133和第一電介質層132時，其可改變約90度；當環境光從第一含金屬層131之上表面而反射時，其可改變約180度；以及當環境光穿越第一電介質層132和第二含金屬層133時，其可改變約90度。因此，可使用破壞性干涉單元130代替圓形偏光器以減少環境光之反射率。
【0057】
在一些實施例中，破壞性干涉單元130可具有總厚度約為282.7奈米，其包含第一含金屬層131之厚度約為4.97奈米、第一電介質層132之厚度約為82.72奈米、第二含金屬層133之厚度約為4.97奈米、第二電介質層134之厚度約為90奈米、以及遮斷層135之厚度約為100奈米。因此，相較於使用圓形偏光器之總厚度約為150微米，使用破壞性干涉單元130可實現較薄之發光顯示裝置。
【0058】
在一些實施例中，破壞性干涉單元130之第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、第二電介質層134、以及遮斷層135可使用塗佈法而形成。因此，相較於使用若干薄膜貼合之圓形偏光器，可簡化發光顯示裝置100之製造過程。
【0059】
以下將詳細說明光透射部分LTP1和光遮斷部分LBP1。
【0060】
第3圖顯示第1圖中所示之破壞性干涉單元130之光透射部分LTP1之放大剖視圖。第4圖顯示第1圖中所示之破壞性干涉單元130之光遮斷部分LBP1之放大剖視圖；
【0061】
請參考第3圖，光透射部分LTP1包含第一透光含金屬層131a形成於封裝構件120上、第一透光電介質層132a形成於第一透光含金屬層131a上、第二透光含金屬層133a形成於第一透光電介質層132a上、以及第二透光電介質層134a形成於第二透光含金屬層133a上。
【0062】
在一些實施例中，第一透光含金屬層131a、第一透光電介質層132a、第二透光含金屬層133a、以及第二透光電介質層134a分別為第1圖之第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、以及第二電介質層134之部分，其對應至顯示基板110之各像素區域PX。在一些實施例中，第一透光含金屬層131a、第一透光電介質層132a、第二透光含金屬層133a、以及第二透光電介質層134a之材料和厚度係分別相同於第1圖之第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、以及第二電介質層134之材料和厚度。
【0063】
請參考第4圖，光遮斷部分LBP1包含第一遮光含金屬層131b形成於封裝構件120上且其間具有間隙、第一遮光電介質層132b形成於第一遮光含金屬層131b上、第二遮光含金屬層133b形成於第一遮光電介質層132b上、第二遮光電介質層134b形成於第二遮光含金屬層133b上、以及遮斷層135介於封裝構件120和第一遮光含金屬層131b之間。
【0064】
在一些實施例中，第一遮光含金屬層131b、第一遮光電介質層132b、第二遮光含金屬層133b、以及第二遮光電介質層134b分別為第1圖之第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、以及第二電介質層134之部分，其對應至顯示基板110之各非像素區域NPX。因此，第一遮光含金屬層131b、第一遮光電介質層132b、第二遮光含金屬層133b、以及第二遮光電介質層134b之材料和厚度係分別相同於第1圖之第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、以及第二電介質層134之材料和厚度。
【0065】
在一些實施例中，設置於封裝構件120之上表面上的遮斷層135可位於對應至顯示基板110之各非像素區域NPX之位置。因此，遮斷層135可突出於封裝構件120之上表面。
【0066】
如上所述，第一透光含金屬層131a、第一透光電介質層132a、第二透光含金屬層133a、以及第二透光電介質層134a和第一遮光含金屬層131b、第一遮光電介質層132b、第二遮光含金屬層133b、以及第二遮光電介質層134b分別為第1圖之第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、以及第二電介質層134之部分。在一些實施例中，第一透光含金屬層131a、第一透光電介質層132a、第二透光含金屬層133a、以及第二透光電介質層134a與第一遮光含金屬層131b、第一遮光電介質層132b、第二遮光含金屬層133b、以及第二遮光電介質層134b可具有相同厚度並形成自相同材料。然而，由於存在遮斷層135，光遮斷部分LBP1之總厚度大於光透射部分LTP1之總厚度。
【0067】
以下將進行具有圓形偏光層之傳統發光顯示裝置之環境光反射率及根據第1圖實施例之具有破壞性干涉單元130之發光顯示裝置100之環境光反射率之實驗結果分析。
【0068】
第5圖顯示具有圓形偏光器之傳統發光顯示裝置比較於根據第1圖實施例之具有破壞性干涉單元130之發光顯示裝置100之環境光反射率之關係曲線圖。在第5圖中，有機發光顯示裝置被用作為發光顯示裝置。
【0069】
請參照第5圖，根據第1圖實施例之具有破壞性干涉單元130之發光顯示裝置LED2(在第1圖中為100)之環境光反射率幾乎橫跨所有波長而低於具有圓形偏光層之傳統發光顯示裝置LED1之環境光反射率。另外，具有圓形偏光層之傳統發光顯示裝置LED1之光反射比測量為4.6%，而根據第1圖實施例之具有破壞性干涉單元之發光顯示裝置LED2之光反射比測量為2.7%。上述結果表明，以根據第1圖實施例之發光顯示裝置100中設置於封裝構件120上之破壞性干涉單元130代替圓形偏光器可顯著地提升對比度。
【0070】
在傳統發光顯示裝置中之圓形偏光層之透射率和根據第1圖實施例之發光顯示裝置100中之破壞性干涉單元130之透射率將在此進行實驗結果之分析。
【0071】
第6圖顯示傳統發光顯示裝置中之圓形偏光器之透射率比較於根據第1圖實施例之發光顯示裝置中之破壞性干涉單元之透射率之關係曲線圖。在第6圖中，有機發光顯示裝置被用作為發光顯示裝置。
【0072】
請參考第6圖，根據第1圖實施例之發光顯示裝置LED2(在第1圖中為100)中之破壞性干涉單元130之透射率幾乎橫跨所有波長而高於傳統發光顯示裝置LED1之圓形偏光層之透射率。上述結果表明，根據第1圖實施例之發光顯示裝置100中設置於封裝構件120上之破壞性干涉單元130可提升從發光層111發出光線之發光效率。
【0073】
如上所述，根據第1圖實施例之發光顯示裝置100具有包含複數個含金屬層131、133和複數個電介質層132、134交替地層疊於封裝構件120上和遮斷層135之破壞性干涉單元130。在一些實施例中，可以破壞性干涉單元130代替圓形偏光膜，減少環境光之反射率、減少發光顯示裝置100之厚度、以及簡化發光顯示裝置100之製造過程。
【0074】
以下將說明根據本發明實施例之發光顯示裝置之製造方法。
【0075】
第7圖顯示根據本發明實施例之發光顯示裝置之製造方法之流程圖。第8至14圖顯示第7圖之製造方法之剖視圖。
【0076】
請參考第7圖，根據一些實施例之發光顯示裝置之製造方法可包含準備顯示基板(操作S10)和形成破壞性干涉單元(操作S20)。
【0077】
請參考第8圖，在顯示基板之準備中(操作S10)，準備了包含像素區域PX和非像素區域NPX之顯示基板110。在一些實施例中，顯示基板110可包含形成於像素區域PX上之發光層111。由於顯示基板110已於上方詳細描述，以下將省略其贅述。
【0078】
請參考第9至14圖，在破壞性干涉單元之準備過程期間 (操作S20)，形成包含複數個含金屬層131、133和複數個電介質層132、134交替地堆疊於封裝構件120上且進一步包含對應至非像素區域NPX並位於最靠近封裝構件120之位置之遮斷層135之破壞性干涉單元130。具體而言，第一含金屬層131、第一電介質層132、第二含金屬層133、第二電介質層134、以及遮斷層135係形成於封裝構件120上。
【0079】
請參考第9圖，遮斷材料135a被施加於封裝構件120上。
【0080】
請參考第10圖，使用光刻法將遮斷材料135a圖樣化，從而形成遮斷層135於封裝構件120上對應至顯示基板110之非像素區域NPX之區域。由於遮斷層135之材料和厚度已於上方描述，以下將省略其贅述。
【0081】
請參考第11圖，第一含金屬材料被施加於封裝構件120之整體上表面上以覆蓋遮斷層135，從而形成第一含金屬層131。在一些實施例中，第一含金屬材料之施加可透過沉積法、塗佈法、印刷法等以實現。由於第一含金屬層131之材料和厚度已於上方描述，以下將省略其贅述。
【0082】
請參考第12圖，第一電介質材料被施加於第一含金屬層131之整體上表面上，從而形成第一電介質層132。在一些實施例中，第一電介質材料之施加可透過沉積法、塗佈法、印刷法等以實現。由於第一電介質層132之材料和厚度已於上方描述，以下將省略其贅述。
【0083】
請參考第13圖，第二含金屬材料被施加於第一電介質層132之整體上表面上，從而形成第二含金屬層133。在一些實施例中，第二含金屬材料之施加可透過沉積法、塗佈法、印刷法等以實現。由於第二含金屬層133之材料和厚度已於上方描述，以下將省略其贅述。
【0084】
請參考第14圖，第二電介質材料被施加於第二含金屬層133之整體上表面上，從而形成第二電介質層134。在一些實施例中，第二電介質材料之施加可透過沉積法、塗佈法、印刷法等以實現。由於第二電介質層134之材料和厚度已於上方描述，以下將省略其贅述。
【0085】
雖然在圖式中並未顯示出，顯示基板110和封裝構件120之耦接可進行於破壞性干涉單元之形成(操作S20)之後。在一些實施例中，若形成封裝構件120以作為封裝膜，顯示基板110和封裝構件120之耦接可被省略。
【0086】
以下將說明根據本發明另一實施例之發光顯示裝置。
【0087】
第15圖顯示根據本發明另一實施例之發光顯示裝置200之剖視圖。
【0088】
在一些實施例中，除了具有破壞性干涉單元230外，發光顯示裝置200具有與第1圖之發光顯示裝置100相同之結構。因此，將主要著重於破壞性干涉單元230以說明根據本實施例之發光顯示裝置200。
【0089】
請參考第15圖，根據本實施例之發光顯示裝置200包含顯示基板110、封裝構件120、以及破壞性干涉單元230。
【0090】
在一些實施例中，破壞性干涉單元230可形成於封裝構件120上，且可設置於封裝構件120之下部。如同第1圖之破壞性干涉單元130，破壞性干涉單元230大致包含光透射部分LTP2對應至顯示基板110之像素區域PX、以及光遮斷部分LBP2對應至顯示基板110之非像素區域NPX。
【0091】
在一些實施例中，光透射部分LTP2和光遮斷部分LBP2與第1圖之光透射部分LTP1和光遮斷部分LBP1發揮相同的功能。光透射部分LTP2和光遮斷部分LBP2將於後文詳細描述。
【0092】
在一些實施例中，破壞性干涉單元230可包含複數個含金屬層231、233和複數個電介質層232、234交替地層疊於封裝構件120上，以及遮斷層235。舉例而言，破壞性干涉單元230可包含第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、第二電介質層234、以及遮斷層235。
【0093】
在一些實施例中，第一含金屬層231可形成於封裝構件120上。在一些實施例中，第一含金屬層231可接觸於封裝構件120之下表面。在一些實施例中，第一含金屬層231相似於第1圖之第二含金屬層133且可形成自形成第1圖之第二含金屬層133之材料。相似於第1圖之第二含金屬層133，第一含金屬層231可具有滿足方程式(1)之厚度d1。
【0094】
在一些實施例中，第一電介質層232可形成於第一含金屬層231上。在一些實施例中，第一電介質層232可接觸於第一含金屬層231之下表面。在一些實施例中，第一電介質層232相似於第1圖之第一電介質層132且可形成自形成第1圖之第一電介質層132之材料。相似於第1圖之第一電介質層132，第一電介質層232可具有滿足方程式(2)之厚度d2。在一些實施例中，第一電介質層232可將在第一反射光 和第二反射光 之間於第一含金屬層231之上表面所產生之相位差調整約180度，使得從破壞性干涉單元230所反射之環境光可被抵銷，其中，第一反射光 係為從第一含金屬層231之上表面反射之環境光，而第二反射光 係為穿越第一含金屬層231和第一電介質層232並從第二含金屬層233之上表面反射且接著穿越第一電介質層232和第一含金屬層231之環境光。
【0095】
在一些實施例中，第二含金屬層233形成於第一電介質層232上。在一些實施例中，第二含金屬層233可接觸於第一電介質層232之下表面上。在一些實施例中，第二含金屬層233相似於第1圖之第一含金屬層131，且可形成自形成第1圖之第一含金屬層131之材料。相似於第1圖之第一含金屬層131，第二含金屬層233可具有滿足方程式(1)之厚度d1。
【0096】
在一些實施例中，第二電介質層234可形成於第二含金屬層233上。在一些實施例中，第二電介質層234可接觸於第二含金屬層233之下表面。在一些實施例中，第二電介質層234相似於第1圖之第二電介質層134，可形成自形成第1圖之第二電介質層134之材料，且其可具有d3約為50奈米至120奈米之厚度。
【0097】
在一些實施例中，遮斷層235分別對應至非像素區域NPX且位於最遠離封裝構件120之位置。亦即，遮斷層235設置於第二電介質層234上，具體而言，其接觸於第二電介質層234之下表面並位於對應至顯示基板110之非像素區域NPX之位置。在一些實施例中，遮斷層235相似於第1圖之遮斷層135且可形成自形成第1圖之遮斷層135之材料。相似於第1圖之遮斷層135，遮斷層235可具有約為50奈米或以上之厚度。
【0098】
如上所述，破壞性干涉單元230可導致第一反射光 和第二反射光 所具有之相位差約為180度，使得第一反射光 和第二反射光 可藉由彼此產生之破壞性干涉而消失。具體而言，當從破壞性干涉單元230之外部而入射之環境光從第一含金屬層231之上表面而反射時，第一反射光 之相位可從環境光之相位改變約180度。在一些實施例中，第二反射光 之相位可從環境光之相位總共改變約360度，特別係當從破壞性干涉單元230之外部而入射之環境光發射穿越第一含金屬層231之後再穿越第一電介質層232時，其可改變約90度；當環境光從第二含金屬層233之上表面反射時，其可改變約180度；以及當環境光穿越第一電介質層232和第一含金屬層231時，其可改變約90度。因此，可使用破壞性干涉單元230代替圓形偏光器以減少環境光之反射率。
【0099】
在一些實施例中，破壞性干涉單元230可具有總厚度約為282.7奈米，其包含第一含金屬層231之厚度約為4.97奈米、第一電介質層232之厚度約為82.72奈米、第二含金屬層233之厚度約為4.97奈米、第二電介質層234之厚度d4約為90奈米、以及遮斷層235之厚度約為100奈米。因此，相較於使用圓形偏光器之總厚度約為150微米時，使用破壞性干涉單元230可實現較薄之發光顯示裝置。
【0100】
在一些實施例中，破壞性干涉單元230之第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、第二電介質層234、以及遮斷層235可使用塗佈法而形成。因此，相較於使用若干薄膜貼合之圓形偏光器時，發光顯示裝置200之製造過程可較簡單。
【0101】
以下將詳細說明光透射部分LTP2和光遮斷部分LBP2。
【0102】
第16圖顯示第15圖中所示之破壞性干涉單元230之光透射部分LTP2之放大剖視圖。第17圖顯示第15圖中所示之破壞性干涉單元230之光遮斷部分LBP2之放大剖視圖。
【0103】
請參考第16圖，光透射部分LTP2包含第一透光含金屬層231a形成於封裝構件120上、第一透光電介質層232a形成於第一透光含金屬層231a上、第二透光含金屬層233a形成於第一透光電介質層232a上、以及第二透光電介質層234a形成於第二透光含金屬層233a上。
【0104】
在一些實施例中，第一透光含金屬層231a、第一透光電介質層232a、第二透光含金屬層233a、以及第二透光電介質層234a分別為第15圖之第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、以及第二電介質層234之部分，其對應至顯示基板110之各像素區域PX。因此，第一透光含金屬層231a、第一透光電介質層232a、第二透光含金屬層233a、以及第二透光電介質層234a之材料和厚度係分別相同於第15圖之第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、以及第二電介質層234之材料和厚度。
【0105】
請參考第17圖，光遮斷部分LBP2包含第一遮光含金屬層231b形成於封裝構件120上、第一遮光電介質層232b形成於第一遮光含金屬層231b上、第二遮光含金屬層233b形成於第一遮光電介質層232b上、第二遮光電介質層234b形成於第二遮光含金屬層233b上、以及遮斷層235形成於第二遮光電介質層234b上。
【0106】
在一些實施例中，第一遮光含金屬層231b、第一遮光電介質層232b、第二遮光含金屬層233b、以及第二遮光電介質層234b分別為第15圖之第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、以及第二電介質層234之部分，其對應至顯示基板110之各非像素區域NPX。因此，第一遮光含金屬層231b、第一遮光電介質層232b、第二遮光含金屬層233b、以及第二遮光電介質層234b之材料和厚度係分別相同於第15圖之第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、以及第二電介質層234之材料和厚度。
【0107】
在一些實施例中，設置於封裝構件120之下表面的遮斷層235可位於對應至顯示基板110之各非像素區域NPX之位置。因此，遮斷層235可突出於封裝構件120之下表面。
【0108】
如上所述，第一透光含金屬層231a、第一透光電介質層232a、第二透光含金屬層233a、以及第二透光電介質層234a和第一遮光含金屬層231b、第一遮光電介質層232b、第二遮光含金屬層233b、以及第二遮光電介質層234b分別為第15圖之第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、以及第二電介質層234之部分。因此，第一透光含金屬層231a、第一透光電介質層232a、第二透光含金屬層233a、以及第二透光電介質層234a與第一遮光含金屬層231b、第一遮光電介質層232b、第二遮光含金屬層233b、以及第二遮光電介質層234b可分別具有相同厚度並形成自相同材料。然而，由於包含遮斷層235，光遮斷部分LBP2之總厚度大於光透射部分LTP2。
【0109】
以下將進行具有圓形偏光層之傳統發光顯示裝置之環境光反射率及根據第15圖實施例之具有破壞性干涉單元230之發光顯示裝置200之環境光反射率之實驗結果分析。
【0110】
第18圖顯示具有圓形偏光器之傳統發光顯示裝置比較於根據第15圖實施例之具有破壞性干涉單元之發光顯示裝置200之環境光反射率之關係曲線圖。在第18圖中，有機發光顯示裝置被用作為發光顯示裝置。
【0111】
請參照第18圖，根據第15圖實施例之發光顯示裝置LED3(在第15圖中為200)之環境光反射率幾乎橫跨所有波長而低於具有圓形偏光層之傳統發光顯示裝置LED1之環境光反射率。另外，具有圓形偏光層之傳統發光顯示裝置LED1之光反射比測量為4.6%，而根據第15圖實施例之具有破壞性干涉單元之發光顯示裝置LED3之光反射比測量為4.5%。上述結果表明，以根據第15圖實施例之發光顯示裝置200中設置於封裝構件120上之破壞性干涉單元230代替圓形偏光器可顯著地提升對比度。
【0112】
在傳統發光顯示裝置中之圓形偏光層之透射率和根據第15圖實施例之發光顯示裝置200中之破壞性干涉單元230之透射率將會在此進行實驗結果之分析。
【0113】
第19圖顯示傳統發光顯示裝置中之圓形偏光器比較於根據第15圖實施例之發光顯示裝置200中之破壞性干涉單元230之透射率之關係曲線圖。在第19圖中，有機發光顯示裝置被用作為發光顯示裝置。
【0114】
請參考第19圖，根據第15圖實施例之發光顯示裝置LED3(在第15圖中為200)中之破壞性干涉單元230(請參閱第15圖)之透射率幾乎橫跨所有波長而高於傳統發光顯示裝置LED1之圓形偏光層之透射率。上述結果表明，根據第15圖實施例之發光顯示裝置200中設置於封裝構件120上之破壞性干涉單元230可提升從發光層111發光之發射效率。
【0115】
如上所述，根據第15圖實施例之具有破壞性干涉單元230之發光顯示裝置200包含複數個含金屬層231、233和複數個電介質層232、234交替地層疊於封裝構件120上，以及遮斷層235。在一些實施例中，可以破壞性干涉單元230代替圓形偏光膜，減少環境光之反射率、減少發光顯示裝置200之厚度、以及簡化發光顯示裝置200之製造過程。
【0116】
以下將說明根據本發明另一實施例之發光顯示裝置之製造方法。
【0117】
第20至22圖顯示根據本發明另一實施例之發光顯示裝置之製造方法之剖視圖。
【0118】
除了破壞性干涉單元之形成外，根據本實施例之發光顯示裝置之製造方法係相同於第7圖之先前實施例之發光顯示裝置之製造方法。因此，將主要著重於破壞性干涉單元之形成以說明根據本實施例之發光顯示裝置之製造方法。
【0119】
請參考第20至22圖，在破壞性干涉單元之準備過程期間，破壞性干涉單元230包含複數個含金屬層231、233和複數個電介質層232、234交替地堆疊於封裝構件120上且進一步包含對應至非像素區域NPX並位於最遠離封裝構件120之位置之遮斷層235。在一些實施例中，第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、第二電介質層234、以及遮斷層235可形成於封裝構件120上。
【0120】
請參考第20圖，透過施加第一含金屬材料至封裝構件120之整體上表面上以形成第一含金屬層231，透過施加第一電介質材料至第一含金屬層231之整體上表面上以形成第一電介質層232，透過施加第二含金屬材料至第一電介質層232之整體上表面上以形成第二含金屬層233，以及透過施加第二電介質材料至第二含金屬層233之整體上表面上以形成第二電介質層234。由於第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、第二電介質層234之材料和厚度已於上方描述，以下將省略其贅述。
【0121】
請參考第21圖，遮斷材料235a被施加於第二電介質層234之整體上表面上。
【0122】
請參考第22圖，使用光刻法將遮斷材料235a圖樣化，從而形成遮斷層235於封裝構件120上對應至顯示基板110之非像素區域NPX之區域。由於遮斷層235之材料和厚度已於上方描述，以下將省略其贅述。
【0123】
雖然在圖式中並未顯示出，顯示基板110和封裝構件120之耦接在一些實施例中可進行於破壞性干涉單元形成之後。在一些實施例中，第22圖之封裝構件120可上下翻轉且接著耦接至基板110。
【0124】
以下將說明根據本發明再一實施例之發光顯示裝置。
【0125】
第23圖顯示根據本發明再一實施例之發光顯示裝置300之剖視圖。
【0126】
除了破壞性干涉單元330外，發光顯示裝置300具有與第15圖之發光顯示裝置200相同之結構。因此，將主要著重於破壞性干涉單元330以說明根據本實施例之發光顯示裝置300。
【0127】
請參考第23圖，根據本實施例之發光顯示裝置300包含顯示基板110、封裝構件120、以及破壞性干涉單元330。
【0128】
在一些實施例中，破壞性干涉單元330可形成於封裝構件120之上，且可設置於封裝構件120之下部。如同第15圖之破壞性干涉單元230，破壞性干涉單元330大致包含對應至顯示基板110之像素區域PX之光透射部分LTP3、以及對應至顯示基板110之非像素區域NPX之光遮斷部分LBP3。
【0129】
在一些實施例中，光透射部分LTP3和光遮斷部分LBP3以及第15圖之光透射部分LTP2和光遮斷部分LBP2發揮相同的功能。光透射部分LTP3和光遮斷部分LBP3將於後文詳細描述。
【0130】
在一些實施例中，破壞性干涉單元330可包含複數個含金屬層331、333和複數個電介質層332、334交替地層疊於封裝構件120上，以及遮斷層335。舉例而言，破壞性干涉單元330可包含第一含金屬層331、第一電介質層332、第二含金屬層333、第二電介質層334、遮斷層335，以及第三電介質層336。
【0131】
在一些實施例中，第一含金屬層331、第一電介質層332、第二含金屬層333、第二電介質層334、以及遮斷層335可相同於第15圖之第一含金屬層231、第一電介質層232、第二含金屬層233、第二電介質層234、以及遮斷層235。
【0132】
在一些實施例中，第三電介質層336可介於封裝構件120和第一含金屬層331之間。在一些實施例中，第三電介質層336相似於第二電介質層334，可形成自形成第二電介質層334之材料，且可具有約在50至120奈米之厚度。在一些實施例中，增加至破壞性干涉單元330之第三電介質層336可根據環境光之波長並連同第二電介質層334而校正偏離180度之反射光之相位差。
【0133】
如上所述，破壞性干涉單元330可導致第一反射光 和第二反射光 所具有之相位差約為180度，使得第一反射光 和第二反射光 可藉由彼此產生之破壞性干涉而消失。具體而言，當從破壞性干涉單元330之外部而入射之環境光從第一含金屬層331之上表面而反射時，第一反射光 之相位可從環境光之相位改變約180度。在一些實施例中，第二反射光 之相位可從環境光之相位總共改變約360度，特別係當從破壞性干涉單元330之外部而入射之環境光發射穿越第一含金屬層331之後再穿越第一電介質層332時，其可改變約90度；當環境光從第二含金屬層333之上表面而反射時，其可改變約180度；以及當環境光穿越第一電介質層332和第一含金屬層331時，其可改變約90度。因此，可使用破壞性干涉單元330代替圓形偏光器以減少環境光之反射率。
【0134】
在一些實施例中，破壞性干涉單元330可具有總厚度約為372.7奈米，其包含第一含金屬層331之厚度約為4.97奈米、第一電介質層332之厚度約為82.72奈米、第二含金屬層333之厚度約為4.97奈米、第二電介質層334之厚度約為90奈米、遮斷層335之厚度約為100奈米、以及第三電介質層336之厚度約為90奈米。因此，相較於使用圓形偏光器之總厚度約為150微米時，使用破壞性干涉單元330可實現較薄之發光顯示裝置。
【0135】
在一些實施例中，破壞性干涉單元330之第一含金屬層331、第一電介質層332、第二含金屬層333、第二電介質層334、遮斷層335、以及第三電介質層336可使用塗佈法而形成。因此，相較於使用若干薄膜貼合之圓形偏光器時，發光顯示裝置300之製造過程可較簡單。
【0136】
以下將詳細說明光透射部分LTP3和光遮斷部分LBP3。
【0137】
第24圖顯示第23圖中所示之破壞性干涉單元330之光透射部分LTP3之放大剖視圖。第25圖顯示第23圖中所示之破壞性干涉單元330之光遮斷部分LBP3之放大剖視圖。
【0138】
請參考第24圖，光透射部分LTP3包含第一透光含金屬層331a形成於封裝構件120上、第一透光電介質層332a形成於第一透光含金屬層331a上、第二透光含金屬層333a形成於第一透光電介質層332a上、第二透光電介質層334a形成於第二透光含金屬層333a上、以及第三透光電介質層336a介於封裝構件120和第一透光含金屬層331a之間。
【0139】
在一些實施例中，第一透光含金屬層331a、第一透光電介質層332a、第二透光含金屬層333a、以及第二透光電介質層334a、以及第三透光電介質層336a分別為第23圖之第一含金屬層331、第一電介質層332、第二含金屬層333、第二電介質層334、以及第三電介質層336之部分，其對應至顯示基板110之各像素區域PX。在一些實施例中，第一透光含金屬層331a、第一透光電介質層332a、第二透光含金屬層333a、第二透光電介質層334a、以及第三透光電介質層336a之材料和厚度係分別相同於第23圖之第一含金屬層331、第一電介質層332、第二含金屬層333、第二電介質層334、以及第三電介質層336之材料和厚度。
【0140】
請參考第25圖，光遮斷部分LBP3包含第一遮光含金屬層331b形成於封裝構件120上、第一遮光電介質層332b形成於第一遮光含金屬層331b上、第二遮光含金屬層333b形成於第一遮光電介質層332b上、第二遮光電介質層334b形成於第二遮光含金屬層333b上、遮斷層335形成於第二遮光電介質層334b上、以及第三遮光電介質層336b介於封裝構件120和第一遮光含金屬層331b之間。
【0141】
在一些實施例中，第一遮光含金屬層331b、第一遮光電介質層332b、第二遮光含金屬層333b、第二遮光電介質層334b、以及第三遮光電介質層336b分別為第23圖之第一含金屬層331、第一電介質層332、第二含金屬層333、第二電介質層334、以及第三電介質層336之部分，其對應至顯示基板110之各非像素區域NPX。在一些實施例中，第一遮光含金屬層331b、第一遮光電介質層332b、第二遮光含金屬層333b、第二遮光電介質層334b、以及第三遮光電介質層336b之材料和厚度係分別相同於第23圖之第一含金屬層331、第一電介質層332、第二含金屬層333、第二電介質層334、以及第三電介質層336之材料和厚度。
【0142】
在一些實施例中，設置於封裝構件120之下表面的遮斷層335可位於對應至顯示基板110之各非像素區域NPX之位置。因此，遮斷層335可突出於封裝構件120之下表面。
【0143】
如上所述，第一透光含金屬層331a、第一透光電介質層332a、第二透光含金屬層333a、第二透光電介質層334a、以及第三透光電介質層336a和第一遮光含金屬層331b、第一遮光電介質層332b、第二遮光含金屬層333b、第二遮光電介質層334b、以及第三遮光電介質層336b分別為第23圖之第一含金屬層331、第一電介質層332、第二含金屬層333、第二電介質層334、以及第三電介質層336之部分。因此，第一透光含金屬層331a、第一透光電介質層332a、第二透光含金屬層333a、第二透光電介質層334a、以及第三透光電介質層336a與第一遮光含金屬層331b、第一遮光電介質層332b、第二遮光含金屬層333b、第二遮光電介質層334b、以及第三遮光電介質層336b可分別具有相同厚度並形成自相同材料。在一些實施例中，由於存在遮斷層335，光遮斷部分LBP3之總厚度大於光透射部分LTP3。
【0144】
如上所述，根據本實施例之具有破壞性干涉單元330之發光顯示裝置300包含複數個含金屬層331、333和複數個電介質層332、334、336交替地層疊於封裝構件120上，以及遮斷層335。破壞性干涉單元330可代替圓形偏光膜，減少環境光之反射率、減少發光顯示裝置300之厚度、以及簡化發光顯示裝置300之製造過程。
【0145】
在一些實施例中，形成破壞性干涉單元之操作中，除了在形成第一含金屬層331之前可額外進行第三電介質層336之形成過程外，發光顯示裝置300之製造方法可相同於發光顯示裝置200之製造方法。因此，根據本實施例之發光顯示裝置300之製造方法之詳細描述將被省略。
【0146】
本發明之實施例提供以下優點之至少其中之一。
【0147】
根據本發明實施例之一種發光顯示裝置可具有破壞性干涉單元包含複數個含金屬層和複數個電介質層交替地層疊於封裝構件上，以及遮斷層。破壞性干涉單元可代替圓形偏光膜，減少環境光之反射率、減少發光顯示裝置之厚度、以及簡化發光顯示裝置之製造過程。
【0148】
當實施例已參考較佳實施例而敘述時，對本發明所屬領域之通常知識者而言，基本在不背離本發明之原則下，將係顯著地可對較佳實施例做出各種變化和修改。因此，本發明之較佳實施例僅使用於一般及描述性之意義且不以限制為其目的。
100．．．發光顯示裝置
110．．．顯示基板
111．．．發光層
120．．．封裝構件
130．．．破壞性干涉單元
131．．．第一含金屬層
132．．．第一電介質層
133．．．第二含金屬層
134．．．第二電介質層
135．．．遮斷層
d1、d2、d3、d4．．．厚度
PX．．．像素區域
NPX．．．非像素區域
LT1．．．光透射部分
LBP1．．．光遮斷部分
．．．第一反射光
．．．第二反射光

Claims (10)

  1. 【第1項】
    一種發光顯示裝置，其包含：
    一顯示基板，其包含一像素區域和一非像素區域；
    一封裝構件，其設置於該顯示基板之上方；以及
    一破壞性干涉單元，其形成於該封裝構件上且包含一光透射部分對應至該像素區域和一光遮斷部分對應至該非像素區域。
  2. 【第2項】
    如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中各該光透射部分和該光遮斷部分包含複數個含金屬層和複數個電介質層交替地層疊，且該光遮斷部分進一步包含一遮斷層，其中該光遮斷部分之總厚度係大於該光透射部分之總厚度。
  3. 【第3項】
    如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中該破壞性干涉單元係設置於該封裝構件之上部或下部，並且該光透射部分包含：一第一透光含金屬層形成於該封裝構件上；一第一透光電介質層形成於該第一透光含金屬層上；一第二透光含金屬層形成於該第一透光電介質層上；以及一第二透光電介質層形成於該第二透光含金屬層上，
    其中該光遮斷部分包含：一第一遮光含金屬層形成於該封裝構件上；一第一遮光電介質層形成於該第一遮光含金屬層上；一第二遮光含金屬層形成於該第一遮光電介質層上；一第二遮光電介質層形成於該第二遮光含金屬層上；以及一遮斷層，其當該破壞性干涉單元設置於該封裝構件之上部時介於該封裝構件和該第一遮光含金屬層之間，且當該破壞性干涉單元設置於該封裝構件之下部時形成於該第二遮光電介質層上，並且
    其中該遮斷層係形成自鉻、鉬、鋁、銀、鈦、碳黑(carbon black)、或氧化銅(CuO)之任一項，且具有50奈米或以上的厚度。
  4. 【第4項】
    如申請專利範圍第3項所述之發光顯示裝置，其中該第一透光含金屬層、該第一透光電介質層、該第二透光含金屬層、以及該第二透光電介質層分別與該第一遮光含金屬層、該第一遮光電介質層、該第二遮光含金屬層、以及該第二遮光電介質層具有相同厚度且形成自相同材料，
    其中各該第一透光含金屬層和該第二透光含金屬層係形成自具有折射率為1.5至7且吸光係數為1.5至7之一含金屬材料，並且各該第一透光電介質層和該第二透光電介質層係形成自二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氟化鋰(LiF)、氟化鈣(CaF2)、氟化鎂(MaF2)、氮化矽、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鈮(Nb2O5)、碳氮化矽(SiCN)、氧化鉬、氧化鐵、或氧化鉻之任一項，其中各該第一透光含金屬層和該第二透光含金屬層之厚度係設定為滿足方程式(1)之厚度：
    d1≦0.6λ/2πn1k1 (1)
    其中d1係為各該第一透光含金屬層之厚度和該第二透光含金屬層之厚度、λ係為環境光之波長、n1係為各該第一透光含金屬層和該第二透光含金屬層之折射率、以及k1係為各該第一透光含金屬層和該第二透光含金屬層之吸光係數，
    其中各該第一透光含金屬層和該第二透光含金屬層係形成自鉻、鉬、鎢、鈦、鎳、鈷、氧化銅、氮化鈦、或硫化鎳(NiS)之任一項，以及
    其中該第一透光電介質層具有滿足方程式(2)之厚度：
    (n1d1)+(n2d2)=λ/4 (2)
    其中，當該破壞性干涉單元設置於該封裝構件之上部時，n1係為該第二透光含金屬層之折射率、n2係為該第一透光電介質層之折射率、d1係為該第二透光含金屬層之厚度、d2係為該第一透光電介質層之厚度、以及λ係為環境光之波長，並且，當該破壞性干涉單元設置於該封裝構件之下部時，n1係為該第一透光含金屬層之折射率、n2係為該第一透光電介質層之折射率、d1係為該第一透光含金屬層之厚度、d2係為該第一透光電介質層之厚度、以及λ係為環境光之波長。
  5. 【第5項】
    如申請專利範圍第3項所述之發光顯示裝置，其中當該破壞性干涉單元設置於該封裝構件之下部時，一第三透光電介質層形成於該封裝構件和該第一透光含金屬層之間，且一第三遮光電介質層形成於該封裝構件和該第一遮光含金屬層之間，其中該第三透光電介質層和該第三遮光電介質層具有相同厚度且形成自相同材料。
  6. 【第6項】
    一種發光顯示裝置，其包含：
    一顯示基板，其包含一像素區域和一非像素區域；
    一封裝構件，其設置於該顯示基板之上方；以及
    一破壞性干涉單元，其形成於該封裝構件上，
    其中該破壞性干涉單元包含複數個含金屬層和複數個電介質層交替地層疊並進一步包含一遮斷層對應至該非像素區域且設置以最靠近或最遠離該封裝構件。
  7. 【第7項】
    如申請專利範圍第6項所述之發光顯示裝置，其中該破壞性干涉單元包含：一第一含金屬層，設置於該封裝構件上；一第一電介質層，設置於該第一含金屬層上；一第二含金屬層，設置於該第一電介質層上；一第二電介質層，設置於該第二含金屬層上；以及該遮斷層，對應至該非像素區域而形成於該封裝構件和該第一含金屬層之間或形成於該第二電介質層上，
    其中各該第一含金屬層和該第二含金屬層係形成自具有折射率為1.5至7且吸光係數為1.5至7之一含金屬材料，且各該第一電介質層和該第二電介質層係形成自二氧化矽、二氧化鈦、氟化鋰、氟化鈣、氟化鎂、氮化矽、氧化鉭、氧化鈮、碳氮化矽、氧化鉬、氧化鐵、及氧化鉻之任一項，且其中各該第一含金屬層和該第二含金屬層之厚度係設置為滿足方程式(1)之厚度：
    d1≦0.6λ/2πn1k1 (1)
    其中d1係為各該第一含金屬層和該第二含金屬層之厚度、λ係為環境光之波長、n1係為各該第一含金屬層和該第二含金屬層之折射率、以及k1係為各該第一含金屬層和該第二含金屬層之吸光係數，
    其中各該第一含金屬層和該第二含金屬層係形成自鉻、鉬、鎢、鈦、鎳、鈷、氧化銅、氮化鈦、或硫化鎳之任一項，
    其中該第一電介質層具有滿足方程式(2)之厚度：
    (n1d1)+(n2d2) = λ/4 (2)
    其中，當該破壞性干涉單元設置於該封裝構件之上部時，n1係為該第二含金屬層之折射率、n2係為該第一電介質層之折射率、d1係為該第二含金屬層之厚度、d2係為該第一電介質層之厚度、以及λ係為環境光之波長，並且，當該破壞性干涉單元設置於該封裝構件之下部時，n1係為該第一含金屬層之折射率、n2係為該第一電介質層之折射率、d1係為該第一含金屬層之厚度、d2係為該第一電介質層之厚度、以及λ係為環境光之波長，並且
    其中該遮斷層係形成自鉻、鉬、鋁、銀、鈦、碳黑、或氧化銅之任一項，且具有50奈米或更厚的厚度。
  8. 【第8項】
    如申請專利範圍第6項所述之發光顯示裝置，其中當該破壞性干涉單元設置於該封裝構件之下部時，一第三電介質層形成於該封裝構件和該第一含金屬層之間。
  9. 【第9項】
    一種發光顯示裝置之製造方法，該方法包含：
    準備一顯示基板包含一像素區域和一非像素區域；
    成一破壞性干涉單元包含複數個含金屬層和複數個電介質層交替地層疊於一封裝構件上且進一步包含一遮斷層對應至該非像素區域並設置以最靠近或最遠離該封裝構件。
  10. 【第10項】
    如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該破壞性干涉單元之形成包含：形成一第一含金屬層於該封裝構件上；形成一第一電介質層於該第一含金屬層上；形成一第二含金屬層於該第一電介質層上；形成一第二電介質層於該第二含金屬層上；以及對應至該非像素區域而形成該遮斷層於該封裝構件和該第一含金屬層之間或形成於該第二電介質層上，並且
    其中該破壞性干涉單元之形成包含，當該遮斷層形成於該封裝構件和該第一含金屬層之間時，透過施加一遮斷材料至該封裝構件之整體上表面並圖樣化該遮斷材料而形成該遮斷層、以及透過施加一第一含金屬材料至該封裝構件之整體上表面以覆蓋該遮斷層而形成該第一含金屬層，並且，當該遮斷層形成於該第二電介質層上時，透過施加該遮斷材料至該封裝構件之整體下表面並圖樣化該遮斷材料而形成該遮斷層。
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