JP2016145922A

JP2016145922A - 表示装置

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Publication number: JP2016145922A
Application number: JP2015022936A
Authority: JP
Inventors: 鈴木　守; Mamoru Suzuki; 守鈴木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2015-02-09
Filing date: 2015-02-09
Publication date: 2016-08-12

Abstract

【課題】外光反射によって表示装置の表面が青みがかった状態を容易に、且つ、確実に達成し得る構成、構造の表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１基板１１、第２基板４１、及び、第１基板１１と第２基板４１とによって挟まれた画像表示部３０を備え、第２基板４１から光が出射され、第２基板４１の外面、又は、第２基板４１と画像表示部３０との間に、バンドパスフィルター層５０が配置されている。
【選択図】図１

Description

本開示は、表示装置に関する。

画像を表示する表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、『有機ＥＬ素子』と略称する場合がある）を表示素子として用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、『有機ＥＬ表示装置』と略称する場合がある）の開発が進められており、また、液晶表示装置が普及している。表示装置においては、外光の反射が大きいと表示品質が低下するため、外光反射を抑える必要がある。外光反射は２つの成分に大別される。その内の１成分は、表示装置の最表面を構成する部材と空気との界面で生じるフレネル反射の成分であり、他の成分は、表示装置内に入射した光が表示装置の外に出射される反射成分である。

有機ＥＬ表示装置は、基板上に透明電極と有機発光層と金属電極とが積層された有機ＥＬ素子を有している。そのため、基板を介して有機ＥＬ表示装置内に入射した光は、透明電極及び有機発光層を通過し、金属電極で反射されて、有機ＥＬ表示装置の外に出射される。しかも、カラーフィルタ以外の構成部材の光透過率が高いため、構成部材によって光が十分には吸収されない状態で有機ＥＬ表示装置の外に出射される。従って、反射成分が多くなる。

とりわけ、１画素が、赤色を発光する赤色表示副画素、緑色を発光する緑色表示副画素、青色を発光する青色表示副画素だけでなく、白色を発光する白色表示副画素を備えている場合、白色表示副画素におけるカラーフィルタによる光の吸収は微量であるが故に、外光反射が顕著に大きくなるといった問題がある。

外光反射の内の、フレネル反射の成分は、表示装置の最表面にＡＲ（Anti Reflective）コートを施したり、ＡＲフィルムやＡＧ（Anti Glare）フィルムを貼り合わせることによって、或る程度、解消することができる。また、白色表示副画素における上記の問題点を解決するための手段が、特開２０１３−０９７２８７号公報に開示されている。

特開２０１３−０９７２８７号公報

ところで、外光反射によって表示装置の表面が青みがかった状態となることが、多くの表示装置の使用者に好まれる。しかしながら、ＡＲコートやＡＲフィルム、ＡＧフィルムに基づいて表示装置の表面を所望の青みがかった状態とすることは極めて困難である。また、白色表示副画素におけるカラーフィルタを青色に着色することも、表示装置の諸特性への影響から限度がある。

従って、本開示の目的は、外光反射によって表示装置の表面が青みがかった状態を、容易に、且つ、確実に達成し得る構成、構造の表示装置を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示装置は、
第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板とによって挟まれた画像表示部を備え、第２基板から光が出射する表示装置であって、
第２基板の外面、又は、第２基板と画像表示部との間に、バンドパスフィルター層が配置されている。

上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る表示装置は、
第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板とによって挟まれた画像表示部を備え、第２基板から光が出射する表示装置であって、
画像表示部は、画素が２次元マトリクス状に配列されて成り、
画素と画素との間には、ブラックマトリクス層が形成されており、
ブラックマトリクス層の第２基板側の表面にはバンドパスフィルター層が形成されている。

本開示の第１の態様に係る表示装置にあっては、第２基板の外面又は第２基板と画像表示部との間にバンドパスフィルター層が配置されており、本開示の第２の態様に係る表示装置にあっては、ブラックマトリクス層の第２基板側の表面にバンドパスフィルター層が形成されているので、外光反射によって表示装置の表面が所望の色（反射色）に色付いた状態を、容易に、且つ、確実に達成することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１は、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。図２は、実施例２の表示装置の模式的な一部断面図である。図３は、実施例４の表示装置の模式的な一部断面図である。図４は、実施例１の表示装置あるいは実施例３の表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。図５は、実施例１の表示装置あるいは実施例３の表示装置からタッチパネルを除いた構成、構造の表示装置の模式的な一部断面図である。図６は、図４に示した表示装置からタッチパネルを除いた構成、構造の表示装置の模式的な一部断面図である。図７は、実施例４の表示装置からタッチパネルを除いた構成、構造の表示装置の模式的な一部断面図である。図８は、液晶表示装置の模式的な一部断面図である。図９Ａは、実施例１Ａ、実施例１Ｂ、実施例１Ｃ、比較例１ａ、比較例１ｂ及び比較例１ｃのそれぞれの表示装置における外光反射光の色度座標の値を示す図であり、図９Ｂは、実施例１の表示装置において用いられるバンドパスフィルター層の光反射率を示す図である。図１０は、実施例１Ｄ、実施例１Ｅ、実施例１Ｆ及び実施例１Ｇのそれぞれの表示装置が有するバンドパスフィルター層における光反射率、及び、比較例１ａの表示装置における光反射率を求めた結果を示す図である。図１１は、実施例１Ｈ、実施例１Ｊ、実施例１Ｋ、実施例１Ｌ及び実施例１Ｍのそれぞれの表示装置が有するバンドパスフィルター層における光反射率を求めた結果を示す図である。図１２は、実施例２Ａ、実施例２Ｂ、実施例２Ｃ及び実施例２Ｄのそれぞれの表示装置が有するバンドパスフィルター層における光反射率、及び、比較例１ａの表示装置における光反射率を求めた結果を示す図である。図１３は、実施例２Ｅ、実施例２Ｆ、実施例２Ｇ、実施例２Ｈ及び実施例２Ｊの表示装置が有するバンドパスフィルター層における光反射率を求めた結果を示す図である。図１４Ａは、実施例３において用いられるバンドパスフィルター層の光透過率を模式的に示す図であり、図１４Ｂは、実施例３、比較例１ａ及び比較例１ｂのそれぞれの表示装置における外光反射光の色度座標の値を示す図である。図１５は、実施例４の表示装置におけるバンドパスフィルター層を含むブラックマトリクス層の光反射率を模式的に示す図である。図１６は、赤色を出射する赤色表示副画素におけるカラーフィルタ、緑色を出射する緑色表示副画素におけるカラーフィルタ、青色を出射する青色表示副画素におけるカラーフィルタ、及び、白色を出射する白色表示副画素におけるカラーフィルタの分光透過率を示す図である。図１７Ａは、比較例１ｂの表示装置における青色のカラーフィルタの分光透過率を模式的に示す図であり、図１７Ｂは、比較例１ｃの表示装置におけるＡＲフィルムの光反射率を示す図である。図１８は、バンドパスフィルター層の光反射率と外光スペクトルとを掛け合わせることによってバンドパスフィルター層の反射スペクトルが導出されることを説明するための図である。図１９は、第２基板とブラックマトリクス層との界面で生じる光の反射における光反射率を示す図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１〜実施例２の変形）
５．実施例４（本開示の第２の態様に係る表示装置）
６．その他

〈本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置、全般に関する説明〉
以下の説明において、外光反射によって表示装置の表面に付いた色を『反射色』と呼ぶ。また、表示装置の最表面を構成する部材と空気との界面で生じるフレネル反射の成分に基づく反射光、及び、表示装置内に入射した光が表示装置の外に出射される反射光を、総称して、『外光反射光』と呼ぶ。

本開示の第１の態様に係る表示装置において、画像表示部は、画素が２次元マトリクス状に配列されて成り；各画素は、赤色を出射する赤色表示副画素、緑色を出射する緑色表示副画素、青色を出射する青色表示副画素、及び、白色を出射する白色表示副画素から構成されている形態とすることができる。また、本開示の第２の態様に係る表示装置において、各画素は、赤色を出射する赤色表示副画素、緑色を出射する緑色表示副画素、青色を出射する青色表示副画素、及び、白色を出射する白色表示副画素から構成されており；画素と画素との間、及び、副画素と副画素との間に、ブラックマトリクス層が形成されている形態とすることができる。尚、バンドパスフィルター層が配置されていない表示装置における白色表示副画素から出射された白色光と、バンドパスフィルター層が配置されている本開示の第１の態様に係る表示装置における白色表示副画素から出射された白色光との色差Δｕ’ｖ’は、０．０２以下であることが好ましい。ｕ’ｖ’色空間内での距離は色差Δｕ’ｖ’と呼ばれ、例えば、Δｕ’ｖ’が同じ値であるということは、ヒトの見た目に感じる色の差が、ほぼ同じであることを意味する。

上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置において、バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍ以上の光の平均反射率は５％以下であり、波長４００ｎｍにおける光反射率は１０％以上である形態とすることができる。但し、これらの値に限定するものではない。バンドパスフィルター層をこのような形態とすることによって、青色の反射率を増加させることができる。バンドパスフィルター層における光反射率は、ＪＩＳＫ７１０５：１９８１に基づき測定することができる。

また、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置にあっては、バンドパスフィルター層によって反射される光のスペクトルのＸＹＺ表色系において、（Ｚ／Ｘ）の値は２以上である形態とすることができる。ＸＹＺ表色系における「Ｘ」の値は赤色に関連した量であり、「Ｙ」の値は緑色に関連した量であり、「Ｚ」の値は青色に関連した量である。（Ｚ／Ｘ）の値は、赤色に関連した量を基準とした、青色に関連した量の割合を示しており、外光反射によって表示装置の表面が青みがかった状態であるか否かの良い指標となる。（Ｚ／Ｘ）の値が高いとは、青色の純度が高く、外光反射光が好ましいことを示し、（Ｚ／Ｘ）の値が低いとは、青色の純度が低く、外光反射光が好ましくないことを示す。尚、バンドパスフィルター層によって反射される光は、Ｄ６５光源によって表示装置を照射したときにバンドパスフィルター層によって反射される光である。以下の説明においても同様である。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置にあっては、外光の色度座標を（ｘ₀，ｙ₀）、表示装置の最表面を構成する部材と空気との界面で生じる反射光及び表示装置内に入射した光が表示装置の外に出射される反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、即ち、外光反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、
ｘ₁＜ｘ₀
ｙ₁＜ｙ₀
を満足する形態とすることができる。そして、この場合、色度座標（ｘ₁，ｙ₁）は、限定するものではないが、
ｘ₁≦０．２８
ｙ₁≦０．２７
であることが好ましい。具体的には、Ｄ６５光源によって表示装置を照射したときの外光反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、ｘ₁≦０．２８，ｙ₁≦０．２７を満足することが好ましい。ｘ₁，ｙ₁の上記の上限値は、例えば、表示装置に要求される仕様に基づき決定される値である。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置において、バンドパスフィルター層は、高屈折率層と低屈折率層の積層構造を有する形態とすることができる。高屈折率層及び低屈折率層を適切に設計することによって、要求される仕様を満足するバンドパスフィルター層を得ることができる。高屈折率層を構成する材料としてＴｉＯ₂（屈折率：２．５９）やＴａ₂Ｏ₅（屈折率：２．１０）、Ｎｂ₂Ｏ₅（屈折率：２．３３）、ＺｒＯ₂（屈折率：２．２３）、Ａｌ₂Ｏ₃（屈折率：１．７７）を挙げることができる。また、低屈折率層を構成する材料として、ＭｇＦ₂（屈折率：１．３９）やＳｉＯ_X（屈折率：１．４６）を挙げることができる。低屈折率層を構成する材料の屈折率は、１．６以下であることが好ましい。また、バンドパスフィルター層を、樹脂等の有機系材料から構成することもできる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置において、バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍ以下の光の平均透過率の値は、バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍを超える光の平均透過率の値よりも高い形態とすることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置において、第２基板は、外面にタッチパネルを備えている形態とすることができるし、あるいは又、内部にタッチパネルが組み込まれている形態とすることができる。タッチパネルの構造、構成、それ自体は、周知の構造、構成とすることができるし、検出方式も周知の検出方式とすることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置において、画像表示部は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を備えている形態とすることができるし、あるいは又、画像表示部は液晶表示素子を備えている形態とすることもできる。有機ＥＬ素子や液晶表示素子の構造、構成、それ自体は、周知の構造、構成とすることができる。

バンドパスフィルター層は、第２基板の外面又は第２基板と画像表示部との間に配置されているが、具体的には、
［Ａ］第２基板の外面（画像表示部と対向していない面）に、直接、バンドパスフィルター層が形成されている形態
［Ｂ］バンドパスフィルター層が支持体（例えば、プラスチックフィルムやプラスチックシート）に形成され、第２基板の外面に支持体が取り付けられている形態
［Ｃ］第２基板の画像表示部と対向している面（内面）に、直接、バンドパスフィルター層が形成されている形態
［Ｄ］バンドパスフィルター層が支持体（例えば、プラスチックフィルムやプラスチックシート）に形成され、支持体が第２基板と画像表示部との間に配置されている形態
［Ｅ］第２基板の外面（画像表示部と対向していない面）にタッチパネルが備えられており、タッチパネルの外面（第２基板と対向していない面）に、直接、バンドパスフィルター層が形成されている形態
［Ｆ］第２基板の外面（画像表示部と対向していない面）にタッチパネルが備えられており、タッチパネルの内面（第２基板と対向している面）に、直接、バンドパスフィルター層が形成されている形態
［Ｇ］バンドパスフィルター層が支持体（例えば、プラスチックフィルムやプラスチックシート）に形成され、第２基板の外面（画像表示部と対向していない面）にタッチパネルが備えられており、タッチパネルの外面（第２基板と対向していない面）に支持体が取り付けられている形態
［Ｈ］バンドパスフィルター層が支持体（例えば、プラスチックフィルムやプラスチックシート）に形成され、第２基板の外面（画像表示部と対向していない面）にタッチパネルが備えられており、タッチパネルの内面（第２基板と対向している面）に支持体が取り付けられている形態
［Ｉ］第２基板の外面（画像表示部と対向していない面）にタッチパネルが備えられており、タッチパネルの内部に、直接、バンドパスフィルター層が形成されている形態
［Ｊ］バンドパスフィルター層が支持体（例えば、プラスチックフィルムやプラスチックシート）に形成され、第２基板の外面（画像表示部と対向していない面）にタッチパネルが備えられており、タッチパネルの内部に支持体が取り付けられている形態
を挙げることができる。

バンドパスフィルター層の形成方法として、真空蒸着法やスパッタリング法を含む各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）だけでなく、バンドパスフィルター層を構成する微粒子を塗布する塗布法を挙げることができる。

画像表示部が有機ＥＬ素子を備えている場合、各副画素を構成する有機ＥＬ素子は白色光を発光し、第２基板はカラーフィルタを備えている構成とし、各色の表示副画素を、白色光を発光する有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組合せから構成すればよい。但し、このような構成に限定するものではなく、赤色表示副画素を赤色光を発光する有機ＥＬ素子から構成し、緑色表示副画素を緑色光を発光する有機ＥＬ素子から構成し、青色表示副画素を青色光を発光する有機ＥＬ素子から構成し、白色表示副画素を白色光を発光する有機ＥＬ素子から構成してもよい。

画像表示部が液晶表示素子を備えている場合、各副画素を構成する液晶表示素子は白色光を透過及び／又は反射し、第２基板はカラーフィルタを備えている構成とし、各色の表示副画素を、白色光を発光する液晶表示素子とカラーフィルタとの組合せから構成すればよい。

画像表示部が有機ＥＬ素子を備えている場合、表示装置は、
第１電極、有機発光材料から成る発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る有機ＥＬ素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
第２電極の上方に配された第２基板、
から構成されている。このような表示装置を、『有機ＥＬ表示装置』と呼ぶ。複数の有機ＥＬ素子によって画像表示部が構成される。

そして、有機ＥＬ表示装置における第１電極を構成する材料として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％〜１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）や、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を挙げることもできるし、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）や、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。

一方、有機ＥＬ表示装置における第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）］、マグネシウム−カルシウムとの合金（Ｍｇ−Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。第２電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-6ｍ）との積層構造とすることもできる。第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。

第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。場合によっては、第２電極はパターニングしなくともよく、所謂共通電極とすることができる。

第１基板として、あるいは又、第２基板として、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）基板、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）基板、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、シリコン半導体基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、第２基板は、表示素子からの光に対して透明であることが要求される。

有機層は有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。発光層は単色を発光する１層の発光層から構成されていてもよいし、複数色を発光する複数層の発光層から構成されていてもよい。そして、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。但し、後者の場合、発光層が明確に複数の発光層から構成されているとは識別できない場合がある。また、これらの積層構造等を『タンデムユニット』とする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよく、これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。

有機ＥＬ表示装置において、第１電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられている。そして、この層間絶縁層は、第１基板上に形成された表示素子駆動部を覆っている。表示素子駆動部は、１又は複数のトランジスタ（例えば、ＭＯＳＦＥＴやＴＦＴ）から構成されており、トランジスタと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。

有機層の上方には、有機層への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、以下に示す材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。具体的には、保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、より具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ_1-yＯ_y）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α−ＳｉＯＮ）、Ａｌ₂Ｏ₃を挙げることができる。保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。保護膜と第２電極とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）を介して接合されている。樹脂層（封止樹脂層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。

有機ＥＬ表示装置は、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を備えていてもよい。具体的には、第１電極（あるいは、第１電極の下方に設けられた光反射層）と有機層との界面によって構成された第１界面と、第２電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる形態とすることができる。そして、発光層の最大発光位置から第１界面までの距離をＬ₁、光学距離をＯＬ₁、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離をＬ₂、光学距離をＯＬ₂とし、ｍ₁及びｍ₂を整数としたとき、以下の式（１−１）、式（１−２）、式（１−３）及び式（１−４）を満たしている。

０．７｛−Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝≦２×ＯＬ₁／λ≦１．２｛−Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝（１−１）
０．７｛−Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝≦２×ＯＬ₂／λ≦１．２｛−Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝（１−２）
Ｌ₁＜Ｌ₂ （１−３）
ｍ₁＜ｍ₂ （１−４）
ここで、
λ ：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ₁：第１界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、−２π＜Φ₁≦０
Φ₂：第２界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、−２π＜Φ₂≦０
である。

尚、発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ₁とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ₂とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、有機層の平均屈折率をｎ₀としたとき、
ＯＬ₁＝Ｌ₁×ｎ₀
ＯＬ₂＝Ｌ₂×ｎ₀
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎ₀とは、有機層を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層の厚さで除したものである。

第１電極又は光反射層及び第２電極は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ₁，Φ₂は、第１電極又は光反射層及び第２電極を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、"Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974(PERGAMON PRESS) 参照）。尚、有機層、その他の屈折率もエリプソメータを用いて測定することで求めることができる。

第２電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。また、第２電極は半光透過材料から成り、最も光取出し効率を高くし得るｍ₁＝０，ｍ₂＝１である形態とすることができる。有機ＥＬ表示装置にあっては、正孔輸送層（正孔供給層）の厚さと電子輸送層（電子供給層）の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層（正孔供給層）よりも電子輸送層（電子供給層）を厚くしてもよく、これによって、低い駆動電圧で高効率化に必要、且つ、十分な発光層への電子供給が可能となる。即ち、アノード電極に相当する第１電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。

画像表示部が液晶表示素子を備えている場合、表示装置は、周知の構成、構造を有する液晶表示装置とすればよく、第１電極、液晶材料層及び第２電極から成る表示素子の複数によって画像表示部が構成される。画像表示部は、更に、例えば、第１偏光板、カラーフィルタ、第２偏光板から構成されており、第１基板には、液晶材料層において画像を生成させるための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されている。第１電極は、第１基板上に形成された層間絶縁層上に形成されており、配線やコンタクトホールを介してＴＦＴに接続されている。第２電極は、通常、共通電極とされている。そして、第２電極は、第２基板に形成されており、あるいは又、第１基板に形成されている。後者の場合、第１電極と第２電極とは、同一面内に形成されており、あるいは又、第１電極が下方に位置し、第２電極が上方に位置するように形成されており、あるいは又、第１電極が上方に位置し、第２電極が下方に位置するように形成されている。液晶材料層において生成した画像は、例えば、カラーフィルタ、第２偏光板、第２基板を介して使用者（画像観察者）に認識される。液晶材料層を構成する液晶材料、画像表示部の駆動方式は、特に限定されるものではなく、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）、ＶＡ（垂直配向）、ＥＣＢ（電界制御複屈折）、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の各種モード（縦電界モード及び横電界モード）の液晶材料を用いた液晶表示装置を挙げることができる。液晶表示装置として、透過型の液晶表示装置や、反射型の液晶表示装置、半透過／半反射型の液晶表示装置を挙げることができる。

液晶表示装置における第１電極及び第２電極は、液晶材料層に電圧を印加するための電極であり、光透過性を有する透明電極、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明電極材料から構成されている。第２電極は、画素に共通の電極であり、例えば、接地されている。第１基板や第２基板は、前述した有機ＥＬ表示装置における第１基板や第２基板を構成する材料から、適宜、選択すればよい。

本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置において、ブラックマトリクス層は、具体的には、第２基板側に設けられている。ブラックマトリクス層は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド樹脂から成る）、又は、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものを挙げることができる。

副画素に配されたカラーフィルタは、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする赤色、緑色あるいは青色の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。白色表示副画素にあっては透明なフィルタを配設すればよい。

タッチパネルは、本質的に如何なる構成であってもよく、抵抗膜方式、加圧抵抗変化方式、電磁誘導方式、静電容量方式、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）方式といった周知の方式を挙げることができる。タッチパネルは、アウトセル方式（第２基板の外面にタッチパネルが備えられている方式であり、第２基板の外面上に配置されており、あるいは又、第２基板の上方に配置されている）であってもよいし、インセル方式（表示装置の内部にタッチパネルが組み込まれている方式）であってもよい。タッチパネルを構成する電極と、表示素子を駆動する電極（具体的には、第２電極）とを、共通化してもよい。第２基板がその外面にタッチパネルを備えている場合、前述したとおり、タッチパネルの外面（第２基板と対向していない面）にバンドパスフィルター層を配置してもよいし、タッチパネルの内面（第２基板と対向している面）にバンドパスフィルター層を配置してもよい。後者の場合にも、第２基板の外面にバンドパスフィルター層が配置されていると云える。

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置において、１つの表示素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の表示素子が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。

表示装置の最外面には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材（例えば、カバーガラス）を配してもよい。

本開示の第１の態様〜第２の態様に係る表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。

実施例１は、本開示の第１の態様に係る表示装置に関する。模式的な一部断面図を図１に示すように、実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２〜実施例４の表示装置は、第１基板１１、第２基板４１、及び、第１基板１１と第２基板４１とによって挟まれた画像表示部３０を備え、第２基板４１から光が出射する。そして、実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２の表示装置において、第２基板４１の外面、又は、第２基板４１と画像表示部３０との間に、バンドパスフィルター層５０が配置されている。実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４の表示装置において、第２基板４１は、外面にタッチパネル４２を備えている。そして、実施例１の表示装置において、バンドパスフィルター層５０は、具体的には、第２基板４１の外面に、より具体的には、タッチパネル４２の外面４２Ａ（第２基板４１と対向していない面４２Ａ）に配置されている。バンドパスフィルター層５０は、例えばプラスチックフィルムやプラスチックシートから成る支持体（図示せず）上に形成され、第２基板４１の外面（タッチパネル４２の外面４２Ａ）に支持体が貼り付けられている。

そして、実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２〜実施例４の表示装置において、画像表示部は、画素が２次元マトリクス状に配列されて成り；各画素は、赤色を出射する赤色表示副画素ＳＰ_R、緑色を出射する緑色表示副画素ＳＰ_G、青色を出射する青色表示副画素ＳＰ_B、及び、白色を出射する白色表示副画素ＳＰ_Wから構成されている。また、実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２〜実施例４の表示装置において、画像表示部３０は有機ＥＬ素子を備えている。即ち、実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２〜実施例４の表示装置は有機ＥＬ表示装置である。有機ＥＬ表示装置については後述する。

以下、種々のシミュレーションを行った結果を説明するが、シミュレーションにおける前提条件は以下の表１のとおりである。シミュレーションにおいて用いた外光（『参照外光』と呼ぶ）を、Ｄ６５光源とした。また、赤色を出射する赤色表示副画素ＳＰ_RにおけるカラーフィルタＣＦ_R、緑色を出射する緑色表示副画素ＳＰ_GにおけるカラーフィルタＣＦ_G、青色を出射する青色表示副画素ＳＰ_BにおけるカラーフィルタＣＦ_B、及び、白色を出射する白色表示副画素ＳＰ_WにおけるカラーフィルタＣＦ_Wの分光透過率を図１６に示す。カラーフィルタＣＦ_Wの分光透過率は１００％である。

シミュレーションにおけるバンドパスフィルター層５０の光反射率（絶対反射率）は、ガラス基板（屈折率：１．５１）の一方の面にバンドパスフィルター層５０が形成されており、ガラス基板の他方の面には光吸収層が形成されているとして求めた値である。あるいは又、２枚のガラス基板（屈折率：１．５１）の間にバンドパスフィルター層５０が挟まれており、光が入射しない側のガラス基板のバンドパスフィルター層５０と接していない面には光吸収層が形成されているとして求めた値である。各色の波長帯域として、青色帯域を４００ｎｍ乃至５００ｎｍ、緑色帯域を５００ｎｍ乃至６００ｎｍ、赤色帯域を６００ｎｍ乃至７００ｎｍと定義した。

白色を出射する白色表示副画素ＳＰ_Wにおいて透明なカラーフィルタを配置し、ＡＲフィルムを貼り付けていない構造を有する表示装置を、「比較例１ａ」とした。また、白色を出射する白色表示副画素ＳＰ_Wにおいて青色のカラーフィルタを配置した構造を有する表示装置を、「比較例１ｂ」とした。更には、白色を出射する白色表示副画素ＳＰ_WにおいてＡＲフィルムを配置した構造を有する表示装置を、「比較例１ｃ」とした。以上の点を除き、比較例１ａ、比較例１ｂ及び比較例１ｃの有機ＥＬ表示装置の構成、構造は、実施例１の有機ＥＬ表示装置の構成、構造と同様とした。比較例１ｂにおける青色のカラーフィルタの分光透過率を図１７Ａに模式的に示し、比較例１ｃにおけるＡＲフィルムの光反射率を図１７Ｂに示す。ＡＲフィルムの光反射率は、ガラス基板（屈折率：１．５２）の一方の面にＡＲフィルムを貼り合わせ、ガラス基板の他方の面に光吸収層を形成して測定した値である。

〈表１〉
ガラス基板から成る第２基板１ｍｍ
カラーフィルタ３μｍ
樹脂層３μｍ
保護膜３μｍ
第２電極０．２μｍ
有機層０．３μｍ
アルミニウムから成る第１電極０．０１μｍ

比較例１ａ、比較例１ｂ及び比較例１ｃの表示装置における外光反射光の色度座標の値を図９Ａに示す。尚、図９Ａにおいて、比較例１ａ、比較例１ｂ、比較例１ｃの表示装置における外光反射光の色度座標の値を「１ａ」、「１ｂ」、「１ｃ」で示す。図９Ａから、比較例１ａの表示装置における外光反射光の色度座標の値を、比較例１ｂ、比較例１ｃの表示装置にあっては、目標色度の領域に移動させることはできない。云い換えれば、比較例１ｂ、比較例１ｃの表示装置にあっては、外光反射によって表示装置の表面が所望の色（反射色）に色付いた状態にすることができない。

実施例１Ａ、実施例１Ｂ、実施例１Ｃの表示装置において用いるバンドパスフィルター層５０の光反射率を示す図を図９Ｂに示す。図９Ｂ中、「１Ａ」、「１Ｂ」、「１Ｃ」は、実施例１Ａ、実施例１Ｂ、実施例１Ｃの表示装置におけるデータであり、実施例１Ａ、実施例１Ｂ、実施例１Ｃの表示装置におけるバンドパスフィルター層５０の光反射率特性は、以下の表２のとおりである。

〈表２〉
波長５００ｎｍ以上の光の平均反射率波長４００ｎｍにおける光反射率
実施例１Ａ４％５％
実施例１Ｂ４％１０％
実施例１Ｃ４％２０％

このような特性を有するバンドパスフィルター層５０を備えた実施例１Ａ、実施例１Ｂ、実施例１Ｃの表示装置における外光反射光の色度座標の値を、図９Ａにおいて「１Ａ」、「１Ｂ」、「１Ｃ」で示すが、バンドパスフィルター層５０における波長５００ｎｍ以上の光の平均反射率が５％以下であり、波長４００ｎｍにおける光反射率が１０％以上である場合、即ち、実施例１Ｂ、実施例１Ｃの表示装置にあっては、比較例１ａの表示装置における外光反射光の色度座標の値を目標色度の領域に移動させることができた。即ち、外光の色度座標を（ｘ₀，ｙ₀）、表示装置の最表面を構成する部材と空気との界面で生じる反射光及び表示装置内に入射した光が表示装置の外に出射される反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、即ち、外光反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、ｘ₁＜ｘ₀，ｙ₁＜ｙ₀を満足する。また、色度座標（ｘ₁，ｙ₁）は、ｘ₁≦０．２８，ｙ₁≦０．２７である。具体的には、Ｄ６５光源によって表示装置を照射したときの外光反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、ｘ₁≦０．２８，ｙ₁≦０．２７である。

ところで、バンドパスフィルター層の反射スペクトルは、バンドパスフィルター層の光反射率と外光スペクトルを掛け合わせることによって導出され（図１８参照）、反射スペクトルのＸＹＺ三刺激値が求まる。表示装置における反射色は青色方向（寒色）が望ましく、逆に、赤色方向（暖色）は好ましくない。そこで、Ｚの値とＸの値の比（＝Ｚ／Ｘ）を評価指標Ｅvaと定義する。評価指標Ｅvaの値が高いと青色の純度が高く、反射色が好ましいことを意味し、評価指標Ｅvaが低いと青色の純度が低く、反射色が好ましくないことを意味する。

また、バンドパスフィルター層の膜構成に関しては、バンドパスフィルター層を構成する材料の屈折率によってバンドパスフィルター層の最適膜厚が変化する。バンドパスフィルター層の膜厚は光学距離で考えることで一般化し易いため、以下、光学膜厚で検証する。バンドパスフィルター層を構成する材料の屈折率をｎ_bp、物理的膜厚をｔ_bp-Pとしたとき、光学膜厚ｔ_bp-Oは以下の式で表される。
ｔ_bp-O＝ｎ_bp×ｔ_bp-P

次に、以下の表３に示す構成（実施例１Ｄ、実施例１Ｅ、実施例１Ｆ、実施例１Ｇ）の表示装置が有するバンドパスフィルター層５０における光反射率、及び、比較例１ａの表示装置における光反射率を求めた結果を図１０に示し、評価指標Ｅvaの値を表３に示す。図１０中、「１Ｄ」、「１Ｅ」、「１Ｆ」、「１Ｇ」、「１ａ」は、実施例１Ｄ、実施例１Ｅ、実施例１Ｆ、実施例１Ｇ、比較例１ａの値である。これらのバンドパスフィルター層５０におけるカットオフ波長を５００ｎｍとした。以下のバンドパスフィルター層においても同様である。波長５００ｎｍ以上における光反射率の値は、比較例１ａの表示装置における光反射率の値よりも低い。表３の「（）」内の数値は光学膜厚であり、第１層目が空気との界面側である。以下の表においても同様である。比較例１ａにおける評価指標Ｅvaの値は１．１であった。

〈表３〉

図９Ａ及び表３の評価指標Ｅvaの値から、バンドパスフィルター層５０によって反射される光のスペクトルのＸＹＺ表色系において、評価指標Ｅva（＝Ｚ／Ｘ）の値は２以上であることが好ましいことが判る。また、図１０から、バンドパスフィルター層５０を構成する高屈折率層及び低屈折率層の合計層数が多い程、青色帯域の反射率が高いことが判る。更には、２層以上にすることによって、波長４００ｎｍでの光反射率が１０％以上となり、従来技術では得られない反射色が実現でき、更には、バンドパスフィルター層を備えていない比較例１ａの表示装置よりも高い評価指標Ｅvaの値を得ることができる。以上の結果から、バンドパスフィルター層５０を構成する高屈折率層及び低屈折率層の合計層数は２層以上であることが望ましい。また、３層以上にすることで、評価指標Ｅvaの値は概ね飽和するので、評価指標Ｅvaの観点からは、バンドパスフィルター層５０を構成する高屈折率層及び低屈折率層の合計層数は３層以上であることがより望ましい。更には、表３から、バンドパスフィルター層５０を構成する層の光学膜厚は３３０ｎｍ以下であることが好ましい。

次に、バンドパスフィルター層５０を構成する高屈折率層及び低屈折率層のそれぞれの層数を１層とする場合の検討を行った。低屈折率層をＭｇＦ₂（屈折率：１．３８６）から構成し、高屈折率層の屈折率を以下の表４のとおりとし、また、低屈折率層及び高屈折率層の厚さを以下の表４のとおりとした。表４中、Δｎは、高屈折率層の屈折率から低屈折率層の屈折率（１．３８６）を減じた値である。実施例１Ｈ、実施例１Ｊ、実施例１Ｋ、実施例１Ｌ、実施例１Ｍの表示装置が有するバンドパスフィルター層５０における光反射率を求めた結果を図１１に示し、評価指標Ｅvaの値を表４に示す。図１１中、「１Ｈ」、「１Ｊ」、「１Ｋ」、「１Ｌ」、「１Ｍ」は、実施例１Ｈ、実施例１Ｊ、実施例１Ｋ、実施例１Ｌ、実施例１Ｍの値である。

〈表４〉
実施例１Ｈ１Ｊ１Ｋ１Ｌ１Ｍ
Δｎ０．２０．４０．６０．８１．０
低屈折率層１５０１５２．５１５０１４７．５１４２．５
高屈折率層３００３０５３００２９５２８５
Ｅva １．２１．７２．２２．８２．８

図１１から、Δｎの値を０．６（実施例１Ｋ）以上にすることによって、波長４００ｎｍでの光反射率が１０％以上となり、従来技術では得られない反射色が実現でき、Δｎの値は０．６以上であることが好ましいことが判った。また、Δｎの値を０．４（実施例１Ｊ）以上にすることによって、バンドパスフィルター層を備えていない比較例１ａの表示装置よりも高い評価指標Ｅvaの値を得ることができ、評価指標Ｅvaの観点からは、Δｎの値は０．４以上であることが好ましいことが判った。

以下、有機ＥＬ表示装置の詳細を説明する。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４の表示装置である有機ＥＬ表示装置においては、表示素子である有機ＥＬ素子が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する方向に延びる第２の方向に２次元マトリクス状に配列されている。そして、有機ＥＬ表示装置は、
第１電極３１、有機発光材料から成る発光層を備えた有機層３３から構成された発光部、及び、第２電極３２が積層されて成る表示素子（有機ＥＬ表示素子）が、複数、形成された、シリコン半導体基板から成る第１基板１１、並びに、
第２電極３２の上方に配された、ガラス基板から成る第２基板４１、
から構成されている。発光部からの光は、第２基板４１を経由して外部に出射される。即ち、この有機ＥＬ表示装置は、所謂上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。

前述したとおり、１つの画素は、赤色表示副画素ＳＰ_R、緑色表示副画素ＳＰ_G、青色表示副画素ＳＰ_B及び白色表示副画素ＳＰ_Wの４つの副画素から構成されている。第２基板４１は、カラーフィルタＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B，ＣＦ_Wを備えている。有機ＥＬ素子は白色光を発光し、各色発光副画素は、白色光を発光する有機ＥＬ素子とカラーフィルタＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B，ＣＦ_Wとの組合せから構成されている。即ち、発光層は、全体として白色を発光する。また、カラーフィルタとカラーフィルタとの間に、遮光膜（ブラックマトリクス層ＢＭ）を備えている。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの表示素子は１つの副画素を構成し、表示素子（具体的には有機ＥＬ素子）は画素数の４倍である。

第１電極３１はアノード電極として機能し、第２電極３２はカソード電極として機能する。第１電極３１は、光反射材料、具体的には、Ａｌ−Ｎｄ合金から成り、第２電極３２は、ＩＴＯ等の透明導電材料から成る。第１電極３１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、第２電極３２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングされていない。有機層３３もパターニングされていない。

第１電極３１は、ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯＮから成る層間絶縁層２６上に設けられている。そして、この層間絶縁層２６は、第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＭＯＳＦＥＴから構成されており、ＭＯＳＦＥＴと第１電極３１とは、層間絶縁層２６に設けられたコンタクトプラグ２７を介して電気的に接続されている。有機層３３の実際に発光する部分は、絶縁層２８によって囲まれている。尚、図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＭＯＳＦＥＴを図示した。

有機発光材料から成る発光層を備えた有機層３３は、全画素に共通の連続した層として設けられている。有機層３３は、第１電極側から順に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層（混色により白色光を生じる発光層であり、具体的には、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層から成る）、並びに、電子輸送層が積層された積層構造を有しており、白色光を発生させる。尚、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層は、明確に峻別できない場合がある。ホール注入層は、ホール輸送層にホール（正孔）を注入するものであり、例えば、ヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。ホール輸送層は、ホール注入層から注入されたホールを発光層３３へ輸送するものであり、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）や、α−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）から成る。赤色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して赤色の光を発生させるものであり、例えば、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合したものから成る。緑色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して緑色の光を発生させるものであり、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５質量％混合したものから成る。青色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して青色の光を発生させるものであり、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合したものから成る。電子輸送層は、電子を発光層３３へ輸送するものであり、例えば、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）から成る。但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。また、例えば、発光層は、青色発光層と黄色発光層から構成されていてもよいし、青色発光層と橙色発光層から構成されていてもよい。

ＭＯＳＦＥＴは、第１基板１１上に形成されたゲート絶縁層２２、ゲート絶縁層２２上に形成されたゲート電極２１、第１基板１１に形成されたソース／ドレイン領域２４、ソース／ドレイン領域２４の間に形成されたチャネル形成領域２３、並びに、チャネル形成領域２３及びソース／ドレイン領域２４を取り囲む素子分離領域２５から構成されている。

第２電極３２は、ＳｉＮから成る保護膜３４によって覆われており、保護膜３４と第２基板４１とは、アクリル系接着剤から成る封止樹脂層３５により全面に亙って貼り合わされている。第２基板４１の外面にはタッチパネル４２が貼り合わされており、タッチパネル４２の外面にはバンドパスフィルター層５０が貼り合わされている。

以上のとおり、実施例１の表示装置あるいは後述する実施例２〜実施例３の表示装置にあっては、第２基板の外面にバンドパスフィルター層が配置されているので、外光反射によって表示装置の表面が青みがかった状態を、容易に、且つ、確実に達成することができる。しかも、実施例１あるいは後述する実施例１〜実施例４の表示装置にあっては、白色を発光する白色表示副画素におけるカラーフィルタを青色に着色するといった従来の技術と比較して、バンドパスフィルター層は反射色に対する感度が高い。即ち、例えば、白色表示副画素における開口率（副画素の面積を１００％としたときの、ブラックマトリクス層の開口と第１電極との重複部分の割合で定義される）を３２％とすると、白色表示副画素におけるカラーフィルタを青色に着色した場合には、外光の約８％にしか影響を与えない。一方、実施例１の表示装置にあっては、ブラックマトリクス層は全ての外光に影響を与えることができるため、反射色に対する感度が高い。即ち、外光反射光への影響が大である。また、ＡＲフィルムと比較して、バンドパスフィルター層にあっては青色帯域の反射率を高くするため、効果的に反射色を調整することができる。

実施例２は、実施例１の変形である。実施例１の表示装置においては、バンドパスフィルター層５０を、第２基板４１の外面に、具体的には、タッチパネル４２の外面４２Ａ（第２基板４１と対向していない面４２Ａ）に配置した。一方、模式的な一部断面図を図２に示すように、実施例２の表示装置において、バンドパスフィルター層５０は、タッチパネル４２の内面４２Ｂ（第２基板４１と対向して面４２Ｂ）に配置されている。即ち、タッチパネル４２の内面４２Ｂに支持体が貼り付けられている。尚、タッチパネル４２の外面４２Ａにバンドパスフィルター層５０を配置していないので、バンドパスフィルター層５０によってタッチパネル４２の外面４２Ａでの表面反射を低減することができない。それ故、実施例１の表示装置と比べて赤色帯域、緑色帯域の反射率は高くなる。

以下の表５に示す構成（実施例２Ａ、実施例２Ｂ、実施例２Ｃ、実施例２Ｄ）の表示装置が有するバンドパスフィルター層５０における光反射率、及び、比較例１ａの表示装置における光反射率を求めた結果を図１２に示し、評価指標Ｅvaの値を表５に示す。図１２中、「２Ａ」、「２Ｂ」、「２Ｃ」、「２Ｄ」、「１ａ」は、実施例２Ａ、実施例２Ｂ、実施例２Ｃ、実施例２Ｄ、比較例１ａの値である。実施例２Ａ、実施例２Ｂ、実施例２Ｃ、実施例２Ｄにおいて、波長５００ｎｍ以上における光反射率の値は、比較例１ａの表示装置における光反射率の値と同程度である。また、図１２において、実施例２Ａの表示装置における光反射率の値と、比較例１ａの表示装置における光反射率の値とは、殆ど重なっている。

〈表５〉

表５の評価指標Ｅvaの値から、バンドパスフィルター層５０によって反射される光のスペクトルのＸＹＺ表色系において、評価指標Ｅva（＝Ｚ／Ｘ）の値は２以上であることが好ましいことが判る。また、図１２から、バンドパスフィルター層５０を構成する高屈折率層及び低屈折率層の合計層数が多い程、青色帯域の反射率が高いことが判る。更には、２層以上にすることによって、波長４００ｎｍでの光反射率が１０％以上となり、従来技術では得られない反射色が実現でき、更には、バンドパスフィルター層を備えていない比較例１ａの表示装置よりも高い評価指標Ｅvaの値を得ることができる。以上の結果から、バンドパスフィルター層５０を構成する高屈折率層及び低屈折率層の合計層数は２層以上であることが望ましい。また、３層以上にすることで、評価指標Ｅvaの値は概ね飽和するので、評価指標Ｅvaの観点からは、バンドパスフィルター層５０を構成する高屈折率層及び低屈折率層の合計層数は３層以上であることがより望ましい。

次に、バンドパスフィルター層５０を構成する高屈折率層及び低屈折率層のそれぞれの層数を２層とする場合の検討を行った。低屈折率層（第１層目及び第３層目）をＭｇＦ₂（屈折率：１．３８６）から構成し、高屈折率層（第２層目及び第４層目）を同じ材料から構成し、屈折率を以下の表６のとおりとし、また、低屈折率層（第１層目及び第３層目）及び高屈折率層（第２層目及び第４層目）の厚さを以下の表６のとおりとした。尚、表６中、Δｎは、高屈折率層の屈折率から低屈折率層の屈折率を減じた値である。実施例２Ｅ、実施例２Ｆ、実施例２Ｇ、実施例２Ｈ、実施例２Ｊの表示装置が有するバンドパスフィルター層５０における光反射率を求めた結果を図１３に示し、評価指標Ｅvaの値を表６に示す。図１３中、「２Ｅ」、「２Ｆ」、「２Ｇ」、「２Ｈ」、「２Ｊ」は、実施例２Ｅ、実施例２Ｆ、実施例２Ｇ、実施例２Ｈ、実施例２Ｊの値である。

〈表６〉
実施例２Ｅ２Ｆ２Ｇ２Ｈ２Ｊ
Δｎ０．２０．４０．６０．８１．０
第１層３１２．５３１２．５３１２．５３１２．５３１０
第２層３１２．５３１２．５３１２．５３１２．５３１０
第３層３１２．５３１２．５３１２．５３１２．５３１０
第４層３１２．５３１２．５３１２．５３１２．５３１０
Ｅva ４．２５．０４．９４．８４．６

図１３から、Δｎの値を０．２（実施例２Ｅ）以上にすることによって、波長４００ｎｍでの光反射率が１０％以上となり、従来技術では得られない反射色が実現でき、Δｎの値は０．２以上であることが好ましいことが判った。また、Δｎの値を０．４以上にすることで、評価指標Ｅvaの値は概ね飽和するので、評価指標Ｅvaの値の観点からは、Δｎの値を０．４以上にすることが好ましい。更には、表６から、バンドパスフィルター層５０を構成する層の光学膜厚は３１３ｎｍ以下であることが好ましい。

実施例３は、実施例１〜実施例２の変形である。実施例１〜実施例２の表示装置においては、バンドパスフィルター層における青色帯域の反射率を上げることによって、反射色を青色方向にシフトさせた。一方、実施例３の表示装置においては、バンドパスフィルター層の緑色帯域と赤色帯域の光透過率を下げることによって、反射色を青色方向にシフトさせる。即ち、実施例３の表示装置において、バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍ以下の光の平均透過率の値は、バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍを超える光の平均透過率の値よりも高い。実施例３において用いるバンドパスフィルター層は、具体的には、薄く青色に着色したフィルムから構成されている。青色への着色のためには、青色表示副画素ＳＰ_BにおけるカラーフィルタＣＦ_Bの作製に用いられる顔料や染料を用いればよい。バンドパスフィルター層は、第２基板４１の外面の全面に配置されている。尚、波長５００ｎｍ以上における光透過率の値は、比較例１ａの表示装置における光透過率の値よりも低い。また、バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍ以下の光の平均透過率の値は、比較例１ａの表示装置における光透過率の値と同程度である。前述したとおり、白色表示副画素におけるカラーフィルタを青色に着色する場合には、外光の約８％にしか影響を与えないのに対して、実施例３にあっては、バンドパスフィルター層を第２基板４１の外面の全面に配置することで、多くの外光に影響を与えることができる。実施例３において用いるバンドパスフィルター層の光透過率を図１４Ａに示す。

実施例３、比較例１ａ及び比較例１ｂの表示装置における外光反射光の色度座標の値を図１４Ｂに示す。尚、図１４Ｂにおいて、比較例１ａ、比較例１ｂ、実施例３の表示装置における外光反射光の色度座標の値を「１ａ」、「１ｂ」、「３Ａ」で示す。比較例１ａの表示装置における外光反射光の色度座標の値を、実施例３の表示装置にあっては、目標色度の領域に移動させることができた。即ち、外光の色度座標を（ｘ₀，ｙ₀）、表示装置の最表面を構成する部材と空気との界面で生じる反射光及び表示装置内に入射した光が表示装置の外に出射される反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、即ち、外光反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、ｘ₁＜ｘ₀，ｙ₁＜ｙ₀を満足する。また、色度座標（ｘ₁，ｙ₁）は、Ｄ６５光源によって表示装置を照射したとき、ｘ₁≦０．２８，ｙ₁≦０．２７である。

実施例４は、本開示の第２の態様に係る表示装置に関する。実施例４の表示装置は、模式的な一部断面図を図３に示すように、
第１基板１１、第２基板４１、及び、第１基板１１と第２基板４１とによって挟まれた画像表示部３０を備え、第２基板４１から光が出射する表示装置であり、
画像表示部３０は、画素が２次元マトリクス状に配列されて成り、
画素と画素との間には、ブラックマトリクス層ＢＭが形成されており、
ブラックマトリクス層ＢＭの第２基板側の表面にはバンドパスフィルター層５０Ａが形成されている。そして、画素と画素との間、及び、副画素と副画素との間に、ブラックマトリクス層ＢＭが形成されている。

通常、ブラックマトリクス層は、光を吸収する材料に基づき形成されるが、第２基板４１とブラックマトリクス層との界面で反射が起こる。この界面での光反射率は、一般的な樹脂から成るブラックマトリクス層では、図１９に示すように、２％〜３％である。実施例４においては、バンドパスフィルター層５０Ａを含むブラックマトリクス層ＢＭの光反射率を模式的に図１５に示すように、青色帯域の反射率が高いバンドパスフィルター層５０Ａがブラックマトリクス層ＢＭの第２基板側の表面に形成されている。その結果、実施例２の表示装置と同様に、外光反射によって表示装置の表面が青みがかった状態を、容易に、且つ、確実に達成することができる。尚、このようなバンドパスフィルター層５０Ａとブラックマトリクス層ＢＭの積層構造は、窒化クロム、酸化クロム及びクロムを積層することによって実現することができる。

以上のとおり、実施例４の表示装置にあっては、ブラックマトリクス層の第２基板側の表面にバンドパスフィルター層が形成されているので、外光反射によって表示装置の表面が青みがかった状態を、容易に、且つ、確実に達成することができる。

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した表示装置、有機ＥＬ表示装置、表示素子、有機ＥＬ素子の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができる。実施例においては、専ら、第２基板４１の外面にバンドパスフィルター層５０が配置されている表示装置を説明したが、図４に模式的な一部断面図を示すように、第２基板４１と画像表示部３０との間に実施例１あるいは実施例３において説明したバンドパスフィルター層５０が配置されている表示装置とすることもできる。また、実施例においては、第２基板４１の外面にタッチパネル４２が備えられている構造に基づき本開示の表示装置を説明したが、本開示の表示装置にあっては、表示装置の内部にタッチパネルが組み込まれている構成、構造とすることができる。尚、このような構成、構造、それ自体は周知の構成、構造とすることができる。更には、タッチパネルを備えることは必須ではない。実施例１の表示装置あるいは実施例３の表示装置において、タッチパネルを除いた構成、構造の表示装置の模式的な一部断面図を図５に示し、図４に示した表示装置において、タッチパネルを除いた構成、構造の表示装置の模式的な一部断面図を図６に示し、実施例４の表示装置において、タッチパネルを除いた構成、構造の表示装置の模式的な一部断面図を図７に示す。タッチパネルの内部にバンドパスフィルター層を配置してもよい。

図８に模式的な一部断面図を示すように、画像表示部は液晶表示素子を備えている構成とすることもできる。即ち、表示装置を液晶表示装置から構成することもできる。液晶表示装置は、複数の画素が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する方向に延びる第２の方向に２次元マトリクス状に、且つ、第１基板１１１と第２基板１４１との間に配置されている。第２基板１４１と対向する第１基板１１１の対向面には第１電極（画素電極）１３１が形成されており、第１基板１１１と対向する第２基板１４１の対向面には第２電極（対向電極）１３２が形成されている。第１電極１３１及び第１基板１１１の対向面は第１配向膜１３４によって覆われており、第２電極１３２及び第２基板１４１の対向面は第２配向膜１３５によって覆われている。第２電極１３２と第２基板１４１との間にはカラーフィルタが形成されているが、図示は省略した。第１配向膜１３４及び第２配向膜１３５の間には、液晶分子を含む液晶材料層１３３が設けられている。各画素は、更に、第１基板１１１上に、第１電極１３１への電圧の印加を制御する制御回路（具体的には、薄膜トランジスタ。但し、図示せず）を有しているが、図８では、第１基板１１１上に形成されたＴＦＴ層１３０Ａとして示す。ＴＦＴ層１３０Ａの上には層間絶縁層１３０Ｂが形成されており、層間絶縁層１３０Ｂ上に第１電極１３１が形成されている。薄膜トランジスタと第１電極１３１とは、層間絶縁層１３０Ｂに設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して接続されている。実施例１において説明したバンドパスフィルター層５０が、第２基板１４１の外面に配置されている。尚、第２基板１４１の外面にはタッチパネルが備えられており、実施例１と同様に、バンドパスフィルター層がタッチパネルの外面に配置されていてもよいし、実施例２と同様に、タッチパネルの内面に配置されていてもよい。また、カラーフィルタと第２基板１４１との間にバンドパスフィルター層５０を配置してもよい。更には、実施例３、実施例４において説明した構成のバンドパスフィルター層を適用することもできる。以上のとおり、有機ＥＬ表示装置において説明した種々のバンドパスフィルター層の配置形態を液晶表示装置に適用することができる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《表示装置：第１の態様》
第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板とによって挟まれた画像表示部を備え、第２基板から光が出射する表示装置であって、
第２基板の外面、又は、第２基板と画像表示部との間に、バンドパスフィルター層が配置されている表示装置。
［Ａ０２］画像表示部は、画素が２次元マトリクス状に配列されて成り、
各画素は、赤色を出射する赤色表示副画素、緑色を出射する緑色表示副画素、青色を出射する青色表示副画素、及び、白色を出射する白色表示副画素から構成されている［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０３］バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍ以上の光の平均反射率は５％以下であり、波長４００ｎｍにおける光反射率は１０％以上である［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の表示装置。
［Ａ０４］バンドパスフィルター層によって反射される光のスペクトルのＸＹＺ表色系において、（Ｚ／Ｘ）の値は２以上である［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０５］外光の色度座標を（ｘ₀，ｙ₀）、表示装置の最表面を構成する部材と空気との界面で生じる反射光及び表示装置内に入射した光が表示装置の外に出射される反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、
ｘ₁＜ｘ₀
ｙ₁＜ｙ₀
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０６］色度座標（ｘ₁，ｙ₁）は、
ｘ₁≦０．２８
ｙ₁≦０．２７
である［Ａ０５］に記載の表示装置。
［Ａ０７］バンドパスフィルター層は、高屈折率層と低屈折率層の積層構造を有する［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０８］バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍ以下の光の平均透過率の値は、バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍを超える光の平均透過率の値よりも高い［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の表示装置。
［Ｂ０１］《表示装置：第２の態様》
第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板とによって挟まれた画像表示部を備え、第２基板から光が出射する表示装置であって、
画像表示部は、画素が２次元マトリクス状に配列されて成り、
画素と画素との間には、ブラックマトリクス層が形成されており、
ブラックマトリクス層の第２基板側の表面にはバンドパスフィルター層が形成されている表示装置。
［Ｂ０２］各画素は、赤色を出射する赤色表示副画素、緑色を出射する緑色表示副画素、青色を出射する青色表示副画素、及び、白色を出射する白色表示副画素から構成されており、
画素と画素との間、及び、副画素と副画素との間に、ブラックマトリクス層が形成されている［Ｂ０１］に記載の表示装置。
［Ｃ０１］第２基板は、外面にタッチパネルを備えている［Ａ０１］乃至［Ｂ０２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ０２］内部にタッチパネルが組み込まれている［Ａ０１］乃至［Ｂ０２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ０３］画像表示部は、有機エレクトロルミネッセンス素子を備えている［Ａ０１］乃至［Ｃ０２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ０４］画像表示部は、液晶表示素子を備えている［Ａ０１］乃至［Ｃ０２］のいずれか１項に記載の表示装置。

１１・・・第１基板、２１・・・ゲート電極、２２・・・ゲート絶縁層、２３・・・チャネル形成領域、２４・・・ソース／ドレイン領域、２５・・・素子分離領域、２６・・・層間絶縁層、２７・・・コンタクトプラグ、２８・・・絶縁層、３０・・・画像表示部、３１・・・第１電極、３２・・・第２電極、３３・・・有機層、３４・・・保護膜、３５・・・封止樹脂層、４１・・・第２基板、４２・・・タッチパネル、４２Ａ・・・タッチパネルの外面、４２Ｂ・・・タッチパネルの内面、５０，５０Ａ・・・バンドパスフィルター層、１１１・・・第１基板、１３０Ａ・・・ＴＦＴ層、１３０Ｂ・・・層間絶縁層、１３１・・・第１電極（画素電極）、１３２・・・第２電極（対向電極）、１３３・・・液晶材料層、１３４・・・第１配向膜、１３５・・・第２配向膜、１４１・・・第２基板、ＳＰ_R・・・赤色表示副画素、ＳＰ_G・・・緑色表示副画素、ＳＰ_B・・・青色表示副画素、ＳＰ_W・・・白色表示副画素、ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B，ＣＦ_W・・・カラーフィルタ

Claims

第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板とによって挟まれた画像表示部を備え、第２基板から光が出射する表示装置であって、
第２基板の外面、又は、第２基板と画像表示部との間に、バンドパスフィルター層が配置されている表示装置。
画像表示部は、画素が２次元マトリクス状に配列されて成り、
各画素は、赤色を出射する赤色表示副画素、緑色を出射する緑色表示副画素、青色を出射する青色表示副画素、及び、白色を出射する白色表示副画素から構成されている請求項１に記載の表示装置。
バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍ以上の光の平均反射率は５％以下であり、波長４００ｎｍにおける光反射率は１０％以上である請求項１に記載の表示装置。
バンドパスフィルター層によって反射される光のスペクトルのＸＹＺ表色系において、（Ｚ／Ｘ）の値は２以上である請求項１に記載の表示装置。
外光の色度座標を（ｘ₀，ｙ₀）、表示装置の最表面を構成する部材と空気との界面で生じる反射光及び表示装置内に入射した光が表示装置の外に出射される反射光の色度座標を（ｘ₁，ｙ₁）としたとき、
ｘ₁＜ｘ₀
ｙ₁＜ｙ₀
を満足する請求項１に記載の表示装置。
色度座標（ｘ₁，ｙ₁）は、
ｘ₁≦０．２８
ｙ₁≦０．２７
である請求項５に記載の表示装置。
バンドパスフィルター層は、高屈折率層と低屈折率層の積層構造を有する請求項１に記載の表示装置。
バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍ以下の光の平均透過率の値は、バンドパスフィルター層における波長５００ｎｍを超える光の平均透過率の値よりも高い請求項１に記載の表示装置。
第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板とによって挟まれた画像表示部を備え、第２基板から光が出射する表示装置であって、
画像表示部は、画素が２次元マトリクス状に配列されて成り、
画素と画素との間には、ブラックマトリクス層が形成されており、
ブラックマトリクス層の第２基板側の表面にはバンドパスフィルター層が形成されている表示装置。
各画素は、赤色を出射する赤色表示副画素、緑色を出射する緑色表示副画素、青色を出射する青色表示副画素、及び、白色を出射する白色表示副画素から構成されており、
画素と画素との間、及び、副画素と副画素との間に、ブラックマトリクス層が形成されている請求項９に記載の表示装置。
第２基板は、外面にタッチパネルを備えている請求項１又は請求項９に記載の表示装置。
内部にタッチパネルが組み込まれている請求項１又は請求項９に記載の表示装置。
画像表示部は、有機エレクトロルミネッセンス素子を備えている請求項１又は請求項９に記載の表示装置。
画像表示部は、液晶表示素子を備えている請求項１又は請求項９に記載の表示装置。