TW201446992A

TW201446992A - 成膜裝置

Info

Publication number: TW201446992A
Application number: TW103113673A
Authority: TW
Inventors: Toshiyuki Sakemi
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries
Priority date: 2013-06-13
Filing date: 2014-04-15
Publication date: 2014-12-16
Also published as: TWI534281B; JP2015000988A; KR20160128260A; CN104233201B; KR101773890B1; JP6013279B2; CN104233201A; KR20140145536A

Abstract

提供一種成膜裝置，其對作為蒸發源之成膜材料可以容易地調整導入電漿束的位置。本發明的成膜裝置，係在真空腔室(10)內藉由電漿束(P)對成膜材料(Ma)進行加熱而使其蒸發，並且使成膜材料的蒸發粒子(Mb)附著於成膜對象物(11)上；其構成為具備：電漿源，在腔室內生成電漿束；主爐缸，其作為作為主陽極，被填充成為蒸發源的成膜材料，並且向成膜材料導入電漿束或者被導入電漿束；環爐缸，其作為輔助陽極，配置於主爐缸的周圍，並且引導電漿束；一對輔助線圈，係包挾著蒸發源配置於兩側；及輔助線圈電源部，以使一對輔助線圈的極性相互不同之方式供給直流電流。

Description

成膜裝置

本發明係有關一種在真空腔室內藉由電漿束對成膜材料進行加熱而使其蒸發，並且使成膜材料的粒子附著於成膜對象物上之成膜裝置。

作為在成膜對象物的表面形成膜之成膜裝置，例如有利用離子鍍著法之成膜裝置。離子鍍著法中，使蒸發之成膜材料的粒子在真空腔室內擴散而使其附著於成膜對象物的表面上。該成膜裝置具備：電漿源，設置於真空容器的側壁，並且用於生成電漿束；轉向線圈，將由電漿源生成之電漿束導入到真空容器內；作為主陽極之主爐缸，保持成膜材料；及作為輔助陽極之環爐缸，包圍該主爐缸(例如，參閱專利文獻1)。並且，專利文獻1中記載的成膜裝置中，具備例如2組電漿源、轉向線圈、主爐缸及環爐缸，藉此使成膜材料從2處的蒸發源蒸發來擴大成膜之範圍。

〔先前技術文獻〕〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開平9-256147號專利公報

上述的成膜裝置中，轉向線圈所生成之磁場、及電漿束內的電流所生成之自感應磁場添加到在主爐缸附近環爐缸所生成之磁場中，因此導致主爐缸附近之磁場對稱性破壞。因此，亦即使在主爐缸內與環爐缸的中心軸對齊地配置成膜材料，電漿束亦不會入射到成膜材料的中心，而是入射到從成膜材料的中心偏移一定程度距離之位置。當電漿束未入射到成膜材料的中心時，成膜材料局部昇華或蒸發。如此，難以連續供給(從主爐缸中擠出)成膜材料，同時難以長時間穩定進行成膜材料的昇華或蒸發。

為了應對在電漿束所入射之位置上產生偏移，可以考慮與該偏移對應地將主爐缸的位置相對於環爐缸的中心軸錯開配置。但是，電漿束所入射之位置的偏移量依據成膜裝置的運行條件而發生變化，因此當運行條件不一定時，難以在適當的位置上配置主爐缸。並且，人工改變主爐缸的安裝位置非常麻煩，並且亦難以安裝於準確的位置上。

因此，本發明的其目的在於提供一種對作為蒸發源之成膜材料可以容易地調整導入電漿束的位置之成膜裝置。

本發明之成膜裝置，係在真空腔室內藉由電漿束對成膜材料進行加熱而使其蒸發，並且使成膜材料的蒸發粒子附著於成膜對象物；其具備：電漿源，在真空腔室內生成電漿束；主爐缸，其作為主陽極，被填充有成為蒸發源之成膜材料，並且向成膜材料導入電漿束或者被導入電漿束；環爐缸，其作為輔助陽極，配置於主爐缸的周圍，並且引導電漿束；一對輔助線圈，係從環爐缸的軸線方向觀看時，為包挾著蒸發源配置於兩側；及輔助線圈電源部，在將配置成膜對象物之面設為正面時，供給直流電流到一對輔助線圈，使得一對輔助線圈的正面側的極性相互不同。

該成膜裝置具備：從環爐缸的軸線方向觀看時包挾著蒸發源配置於兩側之一對輔助線圈。以使正面側的極性相互不同之方式向該一對輔助線圈供給直流電流。藉此，能夠藉由一對輔助線圈在蒸發源的正面側沿與環爐缸的軸線方向交叉之方向產生磁場。

藉此，能夠輕鬆調整對蒸發源導入電漿束之位置。並且，藉由調整為使電漿束導入到成膜材料的中心，可以抑制成膜材料局部昇華或蒸發，且能夠使成膜材料均勻昇華或蒸發。其結果，能夠使成膜材料的昇華或蒸發穩定來延長連續運行的時間。

在此，成膜裝置可以為如下構成：具有至少2對輔助線圈，一對輔助線圈彼此在不同之方向上包挾著主爐缸而配置。根據該構成的成膜裝置，由於2對輔助線圈在相互不同之方向上包挾著主爐缸而配置，因此能夠在複數個不同之方向上產生由一對輔助線圈形成之磁場。因此，能夠藉由兩對輔助線圈生成之磁場在複數個不同之方向上調整磁場的方向。其結果，能夠擴大導入電漿束之位置的調整範圍，因此容易將導入電漿束之位置調整為與成膜材料的中心對齊。

並且，一對輔助線圈亦可為配置於環爐缸的正面側之構成。

若如此一對輔助線圈配置於環爐缸的正面側，則能夠在環爐缸的正面側產生由一對輔助線圈形成之磁場來輕鬆調整導入電漿束之位置。

並且，成膜裝置亦可為更具備磁場調整部之構成，前述磁場調整部調整向輔助線圈供給之直流電流來調整藉由輔助線圈生成之磁場。根據該構成的成膜裝置，由於能夠調整向輔助線圈供給之直流電流來調整藉由一對輔助線圈生成之磁場的強度，因此僅藉由調整電流，就能夠輕鬆調整對蒸發源導入電漿束之位置。藉此，能夠將電漿束輕鬆導入到成膜材料的中心，因此可以抑制成膜材料局部蒸發或昇華。

而且，成膜裝置可以為在真空腔室內具備多組主爐缸及環爐缸，並且與主爐缸及環爐缸對應地分別設有電漿源及一對輔助線圈之構成。

例如，當成膜裝置具備複數個主爐缸及環爐缸時，調整各個主爐缸及環爐缸的相對位置非常麻煩。本發明的成膜裝置由於能夠輕鬆調整導入電漿之位置，因此在具備複數個主爐缸及環爐缸時特別有效。

本發明的成膜裝置能夠藉由調整由一對輔助線圈生成之磁場來對作為蒸發源的成膜材料容易地調整導入電漿之位置。

1‧‧‧成膜裝置

6‧‧‧環爐缸

7‧‧‧電漿源

10‧‧‧真空腔室

11‧‧‧成膜對象物

17‧‧‧主爐缸

20‧‧‧永久磁鐵

23‧‧‧輔助線圈組

26、27‧‧‧一對第1輔助線圈

28、29‧‧‧一對第2輔助線圈

〔圖1〕為表示本發明的成膜裝置的一實施型態的構成之剖面圖。

〔圖2〕為表示主爐缸附近的磁場之示意圖。

〔圖3〕(a)為表示環爐缸的環狀磁鐵及輔助線圈之平面圖；(b)為表示環爐缸的環狀磁鐵及輔助線圈之剖面圖。

〔圖4〕為表示輔助線圈所形成之中心軸上的磁場強度之圖。

〔圖5〕為表示主爐缸及環爐缸部之放大剖面圖。

〔圖6〕為表示設有複數個電漿源之真空腔室之剖面圖。

以下，一邊參閱附圖詳細說明利用本發明所成之成膜裝置的一實施型態。另外，在附圖的說明中，對相同的要件賦予相同的元件符號，並省略重複說明。

圖1所示之成膜裝置1為在離子鍍著法中使用之所謂的離子鍍著裝置。另外，為了方便說明，圖1中示出XYZ座標系統。Y軸方向為搬送後述之成膜對象物之方向。X軸方向為成膜對象物和後述之爐缸機構對置之方向。Z軸方向為與X軸方向和Y軸方向正交的方向。

成膜裝置1為所謂的立式成膜裝置，亦即成膜對象物11以成膜對象物11的板厚方向成為水平方向(圖1中為X軸方向)之方式，以將成膜對象物11直立或從直立之狀態傾斜之狀態配置於真空腔室10內而被搬送。在該情況下，X軸方向為水平方向且為成膜對象物11的板厚方向，Y軸方向為水平方向，Z軸方向成為垂直方向。另一方面，在利用本發明所成之成膜裝置的一實施型態中，亦可以是所謂的臥式的成膜裝置，係成膜對象物以成膜對象物的板厚方向成為大致垂直方向之方式配置於真空腔室內而被搬送。此時，Z軸及Y軸方向為水平方向，X軸方向成為垂直方向且成為板厚方向。另外，在以下實施型態中，以立式的情況為例子，對本發明的成膜裝置的一實施型態進行說明。

成膜裝置1具備爐缸機構2、搬送機構3、環爐缸部4、轉向線圈5、電漿源7、壓力調整裝置8及真空腔室10。

真空腔室10具有用於搬送待形成成膜材料的膜之成膜對象物11之搬送室10a、使成膜材料Ma擴散之成膜室10b、及將從電漿源7照射之電漿束P接收到真空腔室10中之電漿口10c。搬送室10a、成膜室10b及電漿口10c相互連通。搬送室10a沿規定的搬送方向(圖中的箭頭A)(Y軸)設定。並且，真空腔室10由導電性的材料構成且與接地電位連接。

搬送機構3沿搬送方向A搬送以與成膜材料Ma對置之狀態保持成膜對象物11之成膜對象物保持構件16。例如，保持構件16為保持成膜對象物的外周緣之框體。搬送機構3由設置於搬送室10a內之複數個搬送輥15構成。搬送輥15沿著搬送方向A等間隔配置，並支撐成膜對象物保持構件16，同時沿搬送方向A進行搬送。另外，成膜對象物11例如使用玻璃基板或塑膠基板等板狀構件。

電漿源7為壓力梯度型，其主體部份經由設置於成膜室10b的側壁之電漿口10c而連接於成膜室10b。電漿源7在真空腔室10內生成電漿束P。在電漿源7中生成之電漿束P從電漿口10c向成膜室10b內射出。電漿束P的射出方向藉由以包圍電漿口10c之方式設置之轉向線圈5進行控制。轉向線圈5為生成Y軸方向的磁場且將由電漿源7生成之電漿束導入到真空容器內的中央之線圈。

壓力調整裝置8連接於真空腔室10，調整真空腔室10內的壓力。壓力調整裝置8具有例如渦輪分子泵或低溫泵等減壓部、及測定真空腔室10內的壓力之壓力測定部。

爐缸機構2為用於保持成膜材料Ma的機構。爐缸機構2設置於真空腔室10的成膜室10b內，從搬送機構3觀察時沿X軸方向的負方向配置。爐缸機構2具有主爐缸17，該主爐缸為向成膜材料Ma導入從電漿源7射出之電漿束P之主陽極、或被導入從電漿源7射出之電漿束P之主陽極。

主爐缸17具有填充有成膜材料Ma之沿X軸方向的正方向延伸之筒狀的填充部17a、及從填充部17a突出之凸緣部17b。主爐缸17相對於真空腔室10所具有之地電位保持為正電位，因此吸引電漿束P。該電漿束P所入射之主爐缸17的填充部17a上形成有用於填充成膜材料Ma的貫穿孔17c。並且，成膜材料Ma的前端部份在該貫穿孔17c的一端向成膜室10b露出。

環爐缸部4具有具備用於引導電漿束P的電磁鐵之作為輔助陽極之環爐缸6。環爐缸6配置於保持成膜材料Ma之主爐缸17的填充部17a的周圍。在環爐缸6的中心軸CL6上配置有成膜材料Ma。另外，成膜材料Ma亦可以配置於從環爐缸6的中心偏移之位置。環爐缸6具有環狀線圈9、環狀之永久磁鐵20及環狀的容器 12，線圈9及永久磁鐵20被容納於容器12內。

成膜材料Ma可以例示出ITO或ZnO等透明導電材料、SiON等絕緣密封材料。當成膜材料Ma由絕緣性物質構成時，若向主爐缸17照射電漿束P，則主爐缸17藉由來自電漿束P的電流而被加熱，成膜材料Ma的前端部份蒸發或昇華，被電漿束P離子化之成膜材料粒子(蒸發粒子)Mb向成膜室10b內擴散。並且，當成膜材料Ma由導電性物質構成時，若向主爐缸17照射電漿束P，則電漿束P直接入射到成膜材料Ma，成膜材料Ma的前端部份被加熱而蒸發或昇華，被電漿束P離子化之成膜材料粒子Mb向成膜室10b內擴散。向成膜室10b內擴散之成膜材料粒子Mb向成膜室10b的X軸正方向移動，在搬送室10a內附著於成膜對象物11的表面上。另外，成膜材料Ma為成形為規定長度的圓柱形狀的固體物，複數個成膜材料Ma被一次性填充於爐缸機構2內。並且，依據成膜材料Ma的消耗，從爐缸機構2的X軸負方向側依次擠出成膜材料Ma，以使最前端側的成膜材料Ma的前端部份與主爐缸17的上端保持規定的位置關係。

而且，成膜裝置1在成膜室10b內具備多組爐缸機構2、環爐缸部4及電漿源7的組合，且具有複數個蒸發源。複數個爐缸機構2在Z軸方向上以等間隔配置，與爐缸機構2對應地分別配置有環爐缸部4、電漿源7及轉向線圈5。成膜裝置1能夠使成膜材料Ma從Z軸方向的多處蒸發而使成膜材料粒子Mb擴散。

接著，參閱圖2對主爐缸17附近的磁場分布進行說明。圖2中示出從電漿源7射出之電漿束藉由環爐缸6而導入到主爐缸17之狀態的磁場分布。圖中的箭頭表示磁力線的方向。主爐缸17附近的磁場受到由環爐缸6形成之磁場、由轉向線圈5形成的磁場、及由電漿束P的自感應形成之磁場的影響，如圖2所示，相對於環爐缸6的中心軸CL6呈非對稱分布。因此，電漿束P的入射位置成為從環爐缸6的中心軸CL6偏移之位置，並且成為從配置於中心軸CL6上之成膜材料Ma(的中心)偏移之位置。

在此，成膜裝置1具備從環爐缸6的中心軸CL6方向觀察時配置於主爐缸17的填充部17a的周圍之輔助線圈組23、向輔助線圈組23供給直流電流之輔助線圈電源部24、及調整向輔助線圈組23供給之直流電流之電流調整部(磁場調整部)25。

如圖3所示，輔助線圈組23具有一對第1輔助線圈26、27及一對第2輔助線圈28、29。另外，圖3(a)中，省略圖示環爐缸部4的外殼12。輔助線圈組23容納於外殼12內。

當將配置有搬送機構3(成膜對象物)之面設為正面時，輔助線圈組23配置於永久磁鐵20的正面(線圈9的反對側的面)上。一對第1輔助線圈26、27從X軸方向觀看時包挾著蒸發源配置於Y軸方向的兩側。圖3中，在左側配置有第1輔助線圈26，在右側配置有第1 輔助線圈27。第1輔助線圈26、27為沿著環狀永久磁鐵20的周方向捲繞成大致扇形的平面線圈。第1輔助線圈26、27的軸線方向沿著X軸方向而配置。

一對第2輔助線圈28、29從X軸方向觀看時包挾著蒸發源配置於Z軸方向的兩側。圖3(a)中，在上側配置有第2輔助線圈28，在下側配置有第2輔助線圈29。第2輔助線圈28、29為沿著環狀永久磁鐵20的周方向捲繞成大致扇形的平面線圈。第2輔助線圈28、29的軸線方向沿著X軸方向而配置。

輔助線圈電源部24分別向一對第1輔助線圈26、27及一對第2輔助線圈28、29供給直流電流。輔助線圈電源部24以使一對第1輔助線圈26、27的正面側的極性相互不同之方式供給直流電流。例如，以第1輔助線圈26的正面側的極性成為S極、第1輔助線圈27的正面側的極性成為N極之方式供給直流電流。此時，藉由一對第1輔助線圈26、27從第1輔助線圈27向第1輔助線圈26形成沿Y軸方向之磁場。第1輔助線圈26、27的電流值依據藉由一對第1輔助線圈26、27形成之磁場的大小適當地進行設定。

並且，輔助線圈電源部24以使一對第2輔助線圈28、29的正面側的極性相互不同之方式供給直流電流。例如，以第2輔助線圈28的正面側的極性成為S極、第2輔助線圈29的正面側的極性成為N極之方式供給直流電流。此時，藉由一對第2輔助線圈28、29從第 2輔助線圈29向第2輔助線圈28形成沿Z軸方向之磁場。第2輔助線圈28、29的電流值依據藉由一對第2輔助線圈28、29形成之磁場的大小適當地進行設定。

電流調整部25調整向第1輔助線圈26、27及第2輔助線圈28、29供給之直流電流。電流調整部25藉由改變例如電阻值來調整向第1輔助線圈26、27及第2輔助線圈28、29供給之電流值。電流調整部25能夠藉由調整向第1輔助線圈26、27及第2輔助線圈28、29供給之電流值，來調整藉由第1輔助線圈26、27生成之磁場的強度及藉由第2輔助線圈28、29生成之磁場的強度。

並且，電流調整部25可以使向一對第1輔助線圈26、27供給之直流電流的方向倒轉來使第1輔助線圈26、27的極性反轉並改變藉由第1輔助線圈26、27生成之磁場的方向。電流調整部25亦可以使向一對第2輔助線圈28、29供給之直流電流的方向倒轉來使第2輔助線圈28、29的極性反轉並改變藉由第2輔助線圈28、29生成之磁場的方向。

圖4中示出藉由一對第1輔助線圈26、27在環爐缸6的中心軸CL6上形成之磁場的強度H₁。圖4所示之縱軸表示中心軸方向上之距第1輔助線圈26、27的距離，橫軸表示沿Y軸方向之磁場的強度。在圖4的狀態下，由一對第1輔助線圈26、27形成之磁場朝左。

如圖2所示，環爐缸6的線圈9及永久磁鐵 20所生成之磁場在從環爐缸6向正面側行進規定距離之位置上減弱。在該磁場減弱之位置上，藉由一對第1輔助線圈26、27生成磁場，以便呈現磁場強度H₁的峰值H_1P。藉此，能夠有效地抵消轉向線圈5所生成之磁場或電漿束所生成之自感應磁場的影響來使電漿束P入射到成膜材料Ma的中心(環爐缸6的中心軸CL6)。例如，由一對第1輔助線圈26、27形成之磁場強度H₁的峰值H_1P為在中心軸CL6方向上從第1輔助線圈26、27向正面側隔開6cm之位置。

接著，對本實施型態之成膜裝置1的作用進行說明。

首先，在使用成膜裝置1之前，確認電漿束P的照射位置。成膜材料Ma填充於主爐缸17的填充部17a。成膜裝置1從電漿源7照射電漿束P。此時，確認導入等離子射束P之位置。當電漿束P針對成膜材料Ma被導入到準確位置(中心)時，成膜材料Ma的中心的減少量最多，以中心軸為中心對稱地等量減少。另外，圖5中用虛線示出成膜材料Ma的減少部份。當電漿束P未被導入到成膜材料Ma的中心時，成膜材料Ma的減少量相對於中心軸不對稱，一側減少增多。另外，在確認電漿束P的照射位置(入射之位置)時，如上述，可以確認成膜材料Ma的減少方式，亦可以使用電漿的測定器測定電漿束P的照射位置本身。

成膜裝置1中，藉由一對第1輔助線圈26、 27及一對第2輔助線圈28、29產生磁場，來校正電漿束P的導入位置。依據電漿束P的偏移量，調整向一對第1輔助線圈26、27及一對第2輔助線圈28、29供給之電流值來調整磁場的強度，從而校正電漿束P相對於成膜材料Ma之導入位置。例如，電漿束P的在Y軸方向上之偏移藉由一對第1輔助線圈26、27生成之磁場進行校正。電漿束P的在Z軸方向上之偏移則藉由一對第2輔助線圈28、29生成之磁場進行校正。在如此校正導入電漿束P的位置之後，執行成膜處理。

根據這樣的成膜裝置1，以使正面側的極性相互不同之方式向一對第1輔助線圈26、27供給直流電流，因此能夠藉由一對第1輔助線圈26、27在蒸發源的正面側沿Y軸方向產生磁場。並且，成膜裝置1中，以使正面側的極性相互不同之方式向一對第2輔助線圈28、29供給直流電流，因此能夠藉由一對第2輔助線圈28、29在蒸發源的正面側沿Z軸方向產生磁場。

並且，由於成膜裝置1具備調整向第1輔助線圈26、27供給之直流電流之電流調整部25，因此能夠調整向一對第1輔助線圈26、27供給之直流電流來調整由一對第1輔助線圈26、27形成之磁場的強度。同樣地，電流調整部25由於能夠調整向一對第2輔助線圈28、29供給之電流，因此能夠調整由一對第2輔助線圈28、29形成之磁場的強度。

成膜裝置1可以藉由電流調整部25自動調整一對第1輔助線圈26、27和/或一對第2輔助線圈28、29的電流，亦可以由工作人員對電流調整部25進行操作來微調一對第1輔助線圈26、27和/或一對第2輔助線圈28、29的電流。

如此，成膜裝置1中，僅藉由調整由第1輔助線圈26、27及第2輔助線圈28、29形成之電流，就能夠輕鬆使導入電漿束P之位置與成膜材料Ma的中心對齊。藉此，向成膜材料Ma的中心導入電漿束P，因此能夠防止成膜材料在從中心軸偏移之位置局部蒸發或昇華，且能夠使成膜材料穩定蒸發或昇華。其結果，成膜裝置1中，能夠連續供給成膜材料，同時進行成膜材料的蒸發或昇華，從而能夠穩定地連續運行，且能夠延長連續執行時間。

並且，成膜裝置1中，無需如習知之由工作人員改變主爐缸的安裝位置，就能夠藉由一對第1輔助線圈26、27和/或一對第2輔助線圈28、29生成之磁場來調整電漿束P所入射之位置。並且，亦即使運行條件有所改變，亦能夠在成膜裝置1中輕鬆調整電漿束P所入射之位置。

本發明不限於前述之實施型態，在不脫離本發明宗旨之範圍內能夠實施如下述之各種變形。

例如，上述實施型態中，具備多組主爐缸17及環爐缸6，並且與主爐缸17及環爐缸6對應地分別設有電漿源7、轉向線圈5、輔助線圈組23及電流調整部 25，但亦可以為僅具備一組主爐缸17及環爐缸6之成膜裝置。並且，如圖6所示，還可以為在Y軸方向(搬送方向)及Z軸方向上具備複數個蒸發源之成膜裝置。另外，圖6中，省略圖示輔助線圈組23。在具備複數個蒸發源之成膜裝置中，若與各個蒸發源對應地具備輔助線圈組23，則能夠輕鬆調整各蒸發源上之電漿束P的導入位置，所以特別有效。

並且，上述的實施型態中，輔助線圈組23具備一對第1輔助線圈26、27及一對第2輔助線圈28、29，但亦可以為僅具備一對第1或第2輔助線圈之構成。並且，輔助線圈組23還可以為具備3對以上在相互不同的方向上對置配置之輔助線圈之輔助線圈組。並且，輔助線圈的對置方向不限於Y軸方向或Z軸方向，亦可以在其他方向上對置配置。

並且，一對輔助線圈的形狀不限於扇形，亦可以為圓形或矩形等其他形狀。

並且，上述實施型態中，輔助線圈組23配置於永久磁鐵20的正面側，但輔助線圈組23亦可以配置於永久磁鐵20與線圈9之間，還可以配置於其他位置。

並且，輔助線圈組23可以不容納於環爐缸部4的外殼12內，亦可以容納於與外殼12分體設置之外殼內。

4‧‧‧環爐缸部

6‧‧‧環爐缸

9‧‧‧線圈

12‧‧‧容器

20‧‧‧永久磁鐵

26‧‧‧第1輔助線圈

27‧‧‧第1輔助線圈

28‧‧‧第2輔助線圈

29‧‧‧第2輔助線圈

CL6‧‧‧中心軸

Claims

一種成膜裝置，係在真空腔室內藉由電漿束對成膜材料進行加熱而使其蒸發，並且使前述成膜材料的蒸發粒子附著於成膜對象物；其特徵為具備：電漿源，在前述真空腔室內生成前述電漿束；主爐缸，其作為主陽極，被填充有成為蒸發源之前述成膜材料，並且向前述成膜材料導入前述電漿束或者被導入前述電漿束；環爐缸，其作為輔助陽極，配置於前述主爐缸的周圍，並且引導前述電漿束；一對輔助線圈，係從前述環爐缸的軸線方向觀看時，為包挾著前述蒸發源配置於兩側；及輔助線圈電源部，在將配置前述成膜對象物之面設為正面時，供給直流電流到前述一對輔助線圈，使得前述一對輔助線圈的正面側的極性相互不同。
如請求項1之成膜裝置，其中，前述成膜裝置具有至少2對前述輔助線圈；前述一對輔助線圈彼此在不同之方向上包挾著前述主爐缸而配置。
如請求項1或2之成膜裝置，其中，前述一對輔助線圈配置於前述環爐缸的正面側。
如請求項1或2之成膜裝置，其中，更具備磁場調整部，其調整供給到前述輔助線圈之直流電流，來調整藉由前述輔助線圈生成之磁場。
如請求項1或2之成膜裝置，其中，在前述真空腔室內具備多組前述主爐缸及前述環爐缸；對應到前述主爐缸及前述環爐缸並分別設有前述電漿源及前述一對輔助線圈。