JPH04218667A - イオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティング装置Info
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- JPH04218667A JPH04218667A JP7436991A JP7436991A JPH04218667A JP H04218667 A JPH04218667 A JP H04218667A JP 7436991 A JP7436991 A JP 7436991A JP 7436991 A JP7436991 A JP 7436991A JP H04218667 A JPH04218667 A JP H04218667A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はイオンプレーティング
装置、なかでもいわゆるＨＣＤ（Ｈｏｌｌｏｗ Ｃａｔ
ｈｏｄｅ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ） 法にてイオンプレー
ティングを行なう際、蒸着膜の均一性・密着性にとくに
優れた膜形成を高い付着効率の下で可能にするためのイ
オンプレーティング用蒸発装置に関連している。
装置、なかでもいわゆるＨＣＤ（Ｈｏｌｌｏｗ Ｃａｔ
ｈｏｄｅ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ） 法にてイオンプレー
ティングを行なう際、蒸着膜の均一性・密着性にとくに
優れた膜形成を高い付着効率の下で可能にするためのイ
オンプレーティング用蒸発装置に関連している。
【０００２】
【従来の技術】ＨＣＤ法によるイオンプレーティング法
はイオン化率がきわめて高いため、その他の方法に従う
イオンプレーティングよりも蒸着膜質が良好で、かつ基
板との密着性にもすぐれている上に、ＨＣＤ法では反応
ガス流量、真空度、バイアス電圧、基板温度、基板の前
処理など条件が多少変動したとしても容易にしかもスム
ーズな順応がみられるところにも、大きい利点がある。
はイオン化率がきわめて高いため、その他の方法に従う
イオンプレーティングよりも蒸着膜質が良好で、かつ基
板との密着性にもすぐれている上に、ＨＣＤ法では反応
ガス流量、真空度、バイアス電圧、基板温度、基板の前
処理など条件が多少変動したとしても容易にしかもスム
ーズな順応がみられるところにも、大きい利点がある。
【０００３】すなわち、ＨＣＤ法によるイオンプレーテ
ィングに関しては、金属表面技術３５〔１ 〕Ｐ．１６
〜２４（１９８４）、粉末および粉末冶金３２（１９
８５）Ｐ．５５ 〜６０に解説されている。
ィングに関しては、金属表面技術３５〔１ 〕Ｐ．１６
〜２４（１９８４）、粉末および粉末冶金３２（１９
８５）Ｐ．５５ 〜６０に解説されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在使用されているプ
ラズマ発生用中空陰極すなわちＨＣＤガンは材質がＴａ
よりなり、その一本当り耐久寿命が約 １００〜１５
０ｈｒ しかもたず、これをこえてコーティングに使用
できないため非常に高価（一本当り４０〜１００ 万円
）につき、これがコーティング費用の約３０〜５０％を
占めるので安価で長時間安定して使用できるＨＣＤガン
の開発が望まれている。
ラズマ発生用中空陰極すなわちＨＣＤガンは材質がＴａ
よりなり、その一本当り耐久寿命が約 １００〜１５
０ｈｒ しかもたず、これをこえてコーティングに使用
できないため非常に高価（一本当り４０〜１００ 万円
）につき、これがコーティング費用の約３０〜５０％を
占めるので安価で長時間安定して使用できるＨＣＤガン
の開発が望まれている。
【０００５】現在のＨＣＤ法によるイオンプレーティン
グ法では最初のＨＣＤのビームスタートを容易ならしめ
るように蒸発物質たとえばＴｉの溶解を起こしやすくす
るため倒立Ｌ形に曲げたＴａのＨＣＤガンが主に使用さ
れている。このためサブストレイト上にたとえばＴｉＮ
のセラミックコーティングを行なう際にＨＣＤガンの
真上でコーティング膜が薄くなるという欠点があるだけ
でなく、またこのような形状のＨＣＤガンは高温のＴｉ
蒸気流の衝突によってやせ細るという欠点もあった。
グ法では最初のＨＣＤのビームスタートを容易ならしめ
るように蒸発物質たとえばＴｉの溶解を起こしやすくす
るため倒立Ｌ形に曲げたＴａのＨＣＤガンが主に使用さ
れている。このためサブストレイト上にたとえばＴｉＮ
のセラミックコーティングを行なう際にＨＣＤガンの
真上でコーティング膜が薄くなるという欠点があるだけ
でなく、またこのような形状のＨＣＤガンは高温のＴｉ
蒸気流の衝突によってやせ細るという欠点もあった。
【０００６】最近発明者らはＨＣＤガンのコストを低減
させるため従来のＴａのＨＣＤガンに代わってグラファ
イトＨＣＤガンを開発した。しかしこのグラファイトＨ
ＣＤガンは従来のＴａのそれに比較して製造コストが１
／２０〜１／１００ になるという利点があるものの、
ＨＣＤガンに要求される放電特性、なかでも長時間安定
して使用し得ることの要請には必ずしも最適とはいえな
いことが判明した。
させるため従来のＴａのＨＣＤガンに代わってグラファ
イトＨＣＤガンを開発した。しかしこのグラファイトＨ
ＣＤガンは従来のＴａのそれに比較して製造コストが１
／２０〜１／１００ になるという利点があるものの、
ＨＣＤガンに要求される放電特性、なかでも長時間安定
して使用し得ることの要請には必ずしも最適とはいえな
いことが判明した。
【０００７】そこで外側層をグラファイト、内側層には
Ｔａ，Ｗ又はＬａＢ６を用いた同心２重層のＨＣＤガン
について検討したことろ、安価であるにも拘わらず放電
特性が良好で、しかも長時間安定して使用でき、ＨＣＤ
ガンとして画期的と云えることが判った。しかしながら
このような２重層ＨＣＤガンは外径が過大になるためＨ
ＣＤガンの真上に相当するサブストレイト部分のコーテ
ィング膜が薄くなるという傾向がかなり助長され、さら
にこのように大外径のＨＣＤガンを使用するとＨＣＤガ
ンの直上ではガンの赤熱によるサブストレイトへの伝熱
の不均一が起こり、その解決が迫られるに至った。
Ｔａ，Ｗ又はＬａＢ６を用いた同心２重層のＨＣＤガン
について検討したことろ、安価であるにも拘わらず放電
特性が良好で、しかも長時間安定して使用でき、ＨＣＤ
ガンとして画期的と云えることが判った。しかしながら
このような２重層ＨＣＤガンは外径が過大になるためＨ
ＣＤガンの真上に相当するサブストレイト部分のコーテ
ィング膜が薄くなるという傾向がかなり助長され、さら
にこのように大外径のＨＣＤガンを使用するとＨＣＤガ
ンの直上ではガンの赤熱によるサブストレイトへの伝熱
の不均一が起こり、その解決が迫られるに至った。
【０００８】また中空陰極のビーム射出方向を蒸発源表
面に対して横向き又は斜め下向きに設定することも可能
であるが、高温のプラズマビームに晒されて中空陰極に
変形が生じ、ビームの均一な発生が困難になる問題があ
る。
面に対して横向き又は斜め下向きに設定することも可能
であるが、高温のプラズマビームに晒されて中空陰極に
変形が生じ、ビームの均一な発生が困難になる問題があ
る。
【０００９】従って上記のような種々の欠点を除去し、
１０００Ａ程度又はそれ以上の大容量ＨＣＤガンを用い
て大量蒸着を行う、イオンプレーティング装置を提供す
ることが、この発明の目的である。
１０００Ａ程度又はそれ以上の大容量ＨＣＤガンを用い
て大量蒸着を行う、イオンプレーティング装置を提供す
ることが、この発明の目的である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的は次の事項を
骨子とする構成によって有利に充足される。すなわちこ
の発明は、真空槽内に、蒸発源を収納した複数のるつぼ
と、るつぼに対応するプラズマ発生用の中空陰極、サブ
ストレイトおよび反応ガス導入口とを配置する、ＨＣＤ
法イオンプレーティング装置において、るつぼの外側に
、るつぼからサブストレートの直近までの蒸気移動径路
を囲む集束コイルを設置し、中空陰極は、Ｔａ， Ｗ，
Ｔａ及びＷの複合物そしてＬａＢ６ よりなる群のう
ちから選んだ少なくとも１種よりなる内側層、この内側
層の外周を覆うグラファイトの外側層及びこの外側層の
外周を囲む集束コイルと、さらに軸周りの回転機構及び
軸方向の送出し機構とをそなえ、るつぼ内蒸発源表面に
対し横向き又は斜め下向きのプラズマビーム射出方向を
定めて設置してなるイオンプレーティング用蒸発装置で
ある。
骨子とする構成によって有利に充足される。すなわちこ
の発明は、真空槽内に、蒸発源を収納した複数のるつぼ
と、るつぼに対応するプラズマ発生用の中空陰極、サブ
ストレイトおよび反応ガス導入口とを配置する、ＨＣＤ
法イオンプレーティング装置において、るつぼの外側に
、るつぼからサブストレートの直近までの蒸気移動径路
を囲む集束コイルを設置し、中空陰極は、Ｔａ， Ｗ，
Ｔａ及びＷの複合物そしてＬａＢ６ よりなる群のう
ちから選んだ少なくとも１種よりなる内側層、この内側
層の外周を覆うグラファイトの外側層及びこの外側層の
外周を囲む集束コイルと、さらに軸周りの回転機構及び
軸方向の送出し機構とをそなえ、るつぼ内蒸発源表面に
対し横向き又は斜め下向きのプラズマビーム射出方向を
定めて設置してなるイオンプレーティング用蒸発装置で
ある。
【００１１】また中空陰極の外側層の外周を取囲む集束
コイルをセラミックスで被覆するとともに、外側層と離
隔して外側層に一体に固定することは、外側層及び集束
コイル間の放電を防止する上で有利である。
コイルをセラミックスで被覆するとともに、外側層と離
隔して外側層に一体に固定することは、外側層及び集束
コイル間の放電を防止する上で有利である。
【００１２】さらにるつぼ近傍の外側に、プラズマビー
ムを左右・前後に揺動する装置を付設することが、成膜
を均一化するのに有利である。
ムを左右・前後に揺動する装置を付設することが、成膜
を均一化するのに有利である。
【００１３】
【作用】さて、図１にこの発明のイオンプレーティング
用蒸発装置を用いる、バッチ式のＨＣＤ法イオンプレー
ティング装置を模式的に示し、１はサブストレイト、２
は反応ガス導入口、３はるつぼ、４は蒸発源（例えばＴ
ｉ）、５は高真空引き用の排気口、６は真空槽、７はＨ
ＣＤガン、８はるつぼ３からサブストレイト１までの蒸
気移動径路を囲む集束コイル、９はプラズマビーム、１
０はＨＣＤガン７の外周に配設した集束コイル、１１は
反応ガスの導入管、１２はその冷却管、そして１３は導
入管１１に電圧を印加して反応ガスのイオン化を促進す
る電圧印加装置である。１５は揺動装置でプラズマビー
ムを矢印９′のように左右に揺動し、サブストレイト１
に均一に成膜できる。また図３にはこのプラズマビーム
を左右１，１′・前後２，２′に揺動（揺動速度は０．
５ 〜１００ Ｈｚが適切である）するときの模式図を
示す。すなわち図３に、図１の１５のビーム揺動装置の
詳細模式図を示す。プラズマビームを左右に揺動する際
には図３の模式図の１，１′のコイル、上方にプラズマ
ビームを揺動する場合には２，２′のコイルを用いて行
なう。
用蒸発装置を用いる、バッチ式のＨＣＤ法イオンプレー
ティング装置を模式的に示し、１はサブストレイト、２
は反応ガス導入口、３はるつぼ、４は蒸発源（例えばＴ
ｉ）、５は高真空引き用の排気口、６は真空槽、７はＨ
ＣＤガン、８はるつぼ３からサブストレイト１までの蒸
気移動径路を囲む集束コイル、９はプラズマビーム、１
０はＨＣＤガン７の外周に配設した集束コイル、１１は
反応ガスの導入管、１２はその冷却管、そして１３は導
入管１１に電圧を印加して反応ガスのイオン化を促進す
る電圧印加装置である。１５は揺動装置でプラズマビー
ムを矢印９′のように左右に揺動し、サブストレイト１
に均一に成膜できる。また図３にはこのプラズマビーム
を左右１，１′・前後２，２′に揺動（揺動速度は０．
５ 〜１００ Ｈｚが適切である）するときの模式図を
示す。すなわち図３に、図１の１５のビーム揺動装置の
詳細模式図を示す。プラズマビームを左右に揺動する際
には図３の模式図の１，１′のコイル、上方にプラズマ
ビームを揺動する場合には２，２′のコイルを用いて行
なう。
【００１４】ＨＣＤガン７はグラファイトの外側層７−
１とこの例でＴａの内側層７−２とを一体に組合せてな
り、外側層７−１及び内側層７−２の間は一定の空隙に
て離隔する。さらにこれらの層間での放電も防ぐため、
図示を省略したが、内側層７−２とるつぼ内の蒸発源４
とが通電できるようにしてある。これによってこのＨＣ
Ｄガンの異常放電が少なくなり、かつガンの長寿命化が
達成される。なお内側層７−２はＴａのほか、Ｗ、Ｌａ
Ｂ６ 又は、Ｔａ及びＷの複合物（高温部はＷ、低温部
はＴａとしたもの）を用いることが可能である。
１とこの例でＴａの内側層７−２とを一体に組合せてな
り、外側層７−１及び内側層７−２の間は一定の空隙に
て離隔する。さらにこれらの層間での放電も防ぐため、
図示を省略したが、内側層７−２とるつぼ内の蒸発源４
とが通電できるようにしてある。これによってこのＨＣ
Ｄガンの異常放電が少なくなり、かつガンの長寿命化が
達成される。なお内側層７−２はＴａのほか、Ｗ、Ｌａ
Ｂ６ 又は、Ｔａ及びＷの複合物（高温部はＷ、低温部
はＴａとしたもの）を用いることが可能である。
【００１５】またＨＣＤガン７は送り機構７−３により
常にるつぼ３との距離を一定に保つことができ、長時間
安定したプラズマビームの供給が確保できる。ここに送
り機構７−３は、るつぼの中心位置にビームを集束させ
ることができるように、カソードの消耗を考慮して微小
調整ができるようにしてある。すなわちモニターでビー
ムの位置を検知し、それを送り機構７−３にフィードバ
ックする。
常にるつぼ３との距離を一定に保つことができ、長時間
安定したプラズマビームの供給が確保できる。ここに送
り機構７−３は、るつぼの中心位置にビームを集束させ
ることができるように、カソードの消耗を考慮して微小
調整ができるようにしてある。すなわちモニターでビー
ムの位置を検知し、それを送り機構７−３にフィードバ
ックする。
【００１６】さらにＨＣＤガン７は、中空陰極の軸を中
心とした回転（同図矢印参照）をＨＣＤガン７に与える
回転機構７−４によって、高温のプラズマビーム照射中
に発生する中空陰極の曲がりなどの変形を防止し、長時
間の安定したビーム発生を行う。特に横向きのＨＣＤガ
ンは、カソードの重量で下方に曲がるようになるため、
モニターで位置の検出を行なって、７−４の回転機構に
フィードバックできるようにする。
心とした回転（同図矢印参照）をＨＣＤガン７に与える
回転機構７−４によって、高温のプラズマビーム照射中
に発生する中空陰極の曲がりなどの変形を防止し、長時
間の安定したビーム発生を行う。特に横向きのＨＣＤガ
ンは、カソードの重量で下方に曲がるようになるため、
モニターで位置の検出を行なって、７−４の回転機構に
フィードバックできるようにする。
【００１７】なお図中７−５はＨＣＤガンの電源、７−
６はＡｒ ガスの供給口を示す。さらに１０は外側層７
−１のまわりの集束コイルである。この集束コイル１０
は発生プラズマを細いプラズマビーム９に集束させ、こ
のプラズマビーム９をるつぼ３側の集束コイル８によっ
て下方に９０°に曲げてビームを蒸発源４に導く、いわ
ゆるピアス形式になる。このように蒸発源４に対して直
角方向からビームを照射することで蒸発物を真上に立ち
上げ、次いで集束コイル８の内側で蒸発物を真上に導い
てサブストレイト１での均一な蒸着を達成する。
６はＡｒ ガスの供給口を示す。さらに１０は外側層７
−１のまわりの集束コイルである。この集束コイル１０
は発生プラズマを細いプラズマビーム９に集束させ、こ
のプラズマビーム９をるつぼ３側の集束コイル８によっ
て下方に９０°に曲げてビームを蒸発源４に導く、いわ
ゆるピアス形式になる。このように蒸発源４に対して直
角方向からビームを照射することで蒸発物を真上に立ち
上げ、次いで集束コイル８の内側で蒸発物を真上に導い
てサブストレイト１での均一な蒸着を達成する。
【００１８】また図２に示すように、ＨＣＤガン７にお
ける外側層７−１のまわりの集束コイル８をセラミック
ス１４で一体に覆って絶縁コイルとなし、これをカソー
ドである内側層７−２と一体化することにより、外側層
７−１と集束コイル８との放電を防止することができる
。 なおこの場合はセラミックス１４によって蒸気流からの
アタックが内側層７−２に及ばないため、外側層７−１
を省略することも可能である。
ける外側層７−１のまわりの集束コイル８をセラミック
ス１４で一体に覆って絶縁コイルとなし、これをカソー
ドである内側層７−２と一体化することにより、外側層
７−１と集束コイル８との放電を防止することができる
。 なおこの場合はセラミックス１４によって蒸気流からの
アタックが内側層７−２に及ばないため、外側層７−１
を省略することも可能である。
【００１９】さらにＨＣＤガン７は、Ｔａ， Ｗ又はＬ
ａＢ６ のいずれを用いてもよいが、例えばプラズマが
主に発生する領域、すなわち頭部の高温域をＷ製に、一
方プラズマ発生の少ない領域、すなわち基部の低温域を
Ｔａ製とすることもできる。
ａＢ６ のいずれを用いてもよいが、例えばプラズマが
主に発生する領域、すなわち頭部の高温域をＷ製に、一
方プラズマ発生の少ない領域、すなわち基部の低温域を
Ｔａ製とすることもできる。
【００２０】なおこの発明の装置の適用例としてバッチ
式のイオンプレーティング装置を示したが、大型の連続
式イオンプレーティング装置においても有効で、この場
合サブストレイト、すなわちイオンプレーティングされ
る鋼板は、イオンプレーティング領域に至る入側で順次
真空度をあげた差圧室列を通過し、また出側では順次真
空度を下げた差圧室列を通過してゆくエア・トウ・エア
（Ａｉｒ−ｔｏ−Ａｉｒ） 方式にて、つまり差圧室相
互間における圧力差を維持しつつ長尺材の連続的な通過
を誘導する差圧シール方式によって容易に実現され得る
。
式のイオンプレーティング装置を示したが、大型の連続
式イオンプレーティング装置においても有効で、この場
合サブストレイト、すなわちイオンプレーティングされ
る鋼板は、イオンプレーティング領域に至る入側で順次
真空度をあげた差圧室列を通過し、また出側では順次真
空度を下げた差圧室列を通過してゆくエア・トウ・エア
（Ａｉｒ−ｔｏ−Ａｉｒ） 方式にて、つまり差圧室相
互間における圧力差を維持しつつ長尺材の連続的な通過
を誘導する差圧シール方式によって容易に実現され得る
。
【００２１】またプラズマビームの発生条件は、加速電
圧：５０〜１００Ｖ， 電流：５００ 〜５０００Ａ，
バイアス電圧：２０〜１５０Ｖで、サブストレイト温度
：２００ 〜８００ ℃、さらに集束コイル８及び１０
は１〜２０Ｖ， １００〜１５００Ａ で励起する。
圧：５０〜１００Ｖ， 電流：５００ 〜５０００Ａ，
バイアス電圧：２０〜１５０Ｖで、サブストレイト温度
：２００ 〜８００ ℃、さらに集束コイル８及び１０
は１〜２０Ｖ， １００〜１５００Ａ で励起する。
【００２２】
【実施例】Ｃ：０．０６８ｗｔ％（以下単に％と示す）
，Ｓｉ：３．４５％， Ｍｎ：０．０７８％， Ｍｏ：
０．０１３％， Ｓｅ：０．０２０％， Ｓｂ：０．０
２５％を含有し残部は事実上Ｆｅの組成になる珪素鋼ス
ラブを熱延して ２．０ｍｍ厚とした後、９５０ ℃の
中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を施して０．２０ｍ
ｍ厚の最終冷延板とした。
，Ｓｉ：３．４５％， Ｍｎ：０．０７８％， Ｍｏ：
０．０１３％， Ｓｅ：０．０２０％， Ｓｂ：０．０
２５％を含有し残部は事実上Ｆｅの組成になる珪素鋼ス
ラブを熱延して ２．０ｍｍ厚とした後、９５０ ℃の
中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を施して０．２０ｍ
ｍ厚の最終冷延板とした。
【００２３】その後８３０ ℃の湿水素中で脱炭・１次
再結晶焼鈍をほどこした後、鋼板表面上にＭｇＯ を主
成分とする焼鈍分離剤をスラリー塗布した後８５０ ℃
から１０℃／ｈで昇温する２次結晶焼鈍後、１２００℃
で乾Ｈ２ 中で５時間純化処理を行った。
再結晶焼鈍をほどこした後、鋼板表面上にＭｇＯ を主
成分とする焼鈍分離剤をスラリー塗布した後８５０ ℃
から１０℃／ｈで昇温する２次結晶焼鈍後、１２００℃
で乾Ｈ２ 中で５時間純化処理を行った。
【００２４】ついで鋼板表面上の酸化物を除去した後、
電解研磨により中心線平均粗さで０．０５μｍ の鏡面
状態とした。
電解研磨により中心線平均粗さで０．０５μｍ の鏡面
状態とした。
【００２５】その後図１に示すこの発明のイオンプレー
ティング装置を用いて、 ＴｉＮ膜を１μｍ 厚で形成
するイオンプレーティング処理を長時間（２０時間）に
わたり行った。
ティング装置を用いて、 ＴｉＮ膜を１μｍ 厚で形成
するイオンプレーティング処理を長時間（２０時間）に
わたり行った。
【００２６】なおＨＣＤガンは頭部の高温域をＷ製、基
部の低温域をＴａ製とした複合タイプを用い、イオンプ
レーティング処理中は４時間毎に３０°の回転及び１ｍ
ｍの蒸発源側への送出しをそれぞれ行った。
部の低温域をＴａ製とした複合タイプを用い、イオンプ
レーティング処理中は４時間毎に３０°の回転及び１ｍ
ｍの蒸発源側への送出しをそれぞれ行った。
【００２７】このときのブラズマ発生条件は加速電圧７
５Ｖ、電流１５００Ａとして、ＨＣＤガン回りの集束コ
イル８及びるつぼ回りの集束コイル１０励起条件はそれ
ぞれ表１に示すとおりとした。さらに図１に１５で示し
た揺動装置を用いて、プラズマビームを３０Ｈｚで左右
に揺動した。なおこのときのバイアス電圧は５０Ｖ、基
板温度は ４００℃である。かくして得られた製品の磁
気特性および密着性を表１に併せて示す。
５Ｖ、電流１５００Ａとして、ＨＣＤガン回りの集束コ
イル８及びるつぼ回りの集束コイル１０励起条件はそれ
ぞれ表１に示すとおりとした。さらに図１に１５で示し
た揺動装置を用いて、プラズマビームを３０Ｈｚで左右
に揺動した。なおこのときのバイアス電圧は５０Ｖ、基
板温度は ４００℃である。かくして得られた製品の磁
気特性および密着性を表１に併せて示す。
【００２８】表 １
＊ 直径５ｍｍφで１８０ ゜曲げを行なったときの
はく離の有無。＊＊ 中心部と端部の膜厚差を膜厚計
で測定した。表１から明らかなようにこの発明に従う装
置を用いて得られた製品は、被膜の均一性、密着性共に
著しく優れ、これは処理の後半においても同様であった
。
はく離の有無。＊＊ 中心部と端部の膜厚差を膜厚計
で測定した。表１から明らかなようにこの発明に従う装
置を用いて得られた製品は、被膜の均一性、密着性共に
著しく優れ、これは処理の後半においても同様であった
。
【００２９】
【発明の効果】この発明によればＨＣＤ法イオンプレー
ティングによる、高能率下に、均一性の良好で密着性に
すぐれた蒸着膜の大量形成が長時間にわたり可能になる
。
ティングによる、高能率下に、均一性の良好で密着性に
すぐれた蒸着膜の大量形成が長時間にわたり可能になる
。
【図１】この発明のイオンプレーティング装置の模式図
である。
である。
【図２】中空陰極の断面図である。
【図３】ビーム揺動装置の模式図である。
１ サブストレイト
２ 反応ガス導入口
３ るつぼ
４ 蒸発源
５ 排気口
６ 真空槽
７ ＨＣＤガン
７−１ 外側層
７−２ 内側層
７−３ 送り機構
７−４ 回転機構
７−５ Ａｒ ガスの供給口
７−６ ＨＣＤガンの電源
８，１０ 集束コイル
９ ブラズマビーム
１１ 反応ガス導入管
１２ 冷却管
１３ 電圧印加装置
１４ セラミックス
１５ ビーム揺動装置
Claims (3)
- 【請求項１】 真空槽内に、蒸発源を収納した複数の
るつぼと、るつぼに対応するプラズマ発生用の中空陰極
、サブストレイトおよび反応ガス導入口とを配置する、
ＨＣＤ法イオンプレーティング装置において、るつぼの
外側に、るつぼからサブストレートの直近までの蒸気移
動径路を囲む集束コイルを設置し、中空陰極は、Ｔａ，
Ｗ， Ｔａ及びＷの複合物そしてＬａＢ６ よりなる
群のうちから選んだ少なくとも１種よりなる内側層、こ
の内側層の外周を覆うグラファイトの外側層及びこの外
側層の外周を囲む集束コイルと、さらに軸周りの回転機
構及び軸方向の送出し機構とをそなえ、るつぼ内蒸発源
表面に対し横向き又は斜め下向きのプラズマビーム射出
方向を定めて設置してなるイオンプレーティング装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の装置において、中空
陰極の外側層の外周を取囲む集束コイルをセラミックス
で被覆するとともに、外側層と離隔して外側層に一体に
固定したイオンプレーティング用装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の装置において、るつ
ぼ近傍の外側にプラズマビームを左右・前後に揺動する
装置を付設してなるイオンプレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7436991A JPH04218667A (ja) | 1990-04-05 | 1991-03-15 | イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-89046 | 1990-04-05 | ||
| JP8904690 | 1990-04-05 | ||
| JP7436991A JPH04218667A (ja) | 1990-04-05 | 1991-03-15 | イオンプレーティング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218667A true JPH04218667A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=26415508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7436991A Pending JPH04218667A (ja) | 1990-04-05 | 1991-03-15 | イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04218667A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015000988A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
| JP2016079456A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP7436991A patent/JPH04218667A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015000988A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
| JP2016079456A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
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