TW201442951A - 碳奈米管集合體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

藉由對含有原料碳奈米管之組成物施加2階段的濕式氧化處理，得到酸吸附量為0.6質量%以上12質量%以下之碳奈米管集合體。本發明提供一種在作成透明導電性薄膜時能夠發揮高導電性之碳奈米管集合體及其製造方法。

Description

碳奈米管集合體及其製造方法
本發明係關於一種碳奈米管集合體以及製造其之方法。
碳奈米管係六角網格狀的碳原子排列的石墨薄片具有捲繞成圓筒狀的結構的物質，將捲成一層者稱為單層碳奈米管，將捲成多層者稱為多層碳奈米管。在多層碳奈米管之中，亦特別將捲成2層者稱為2層碳奈米管。
作為周知的碳奈米管之製造方法，已知有使用雷射剝蝕法、化學蒸氣沈積法(CVD(Chemical Vapor Deposition)法)等之合成。其中，CVD法為一種能夠控制碳原料的種類、原料供給速度、合成溫度、觸媒密度等反應條件，且能夠較簡單地大量合成碳奈米管之合成法。近來，正逐漸能夠選擇性地合成具有所想要的直徑、長度及層數之碳奈米管，在化學蒸氣沈積法中，已知能夠將碳奈米管的層數控制在單層、2~5層來製造。
碳奈米管本身具有優良的導電性，期待作為導電性材料來使用。一般而言，作為碳奈米管，已知層數少的單層碳奈米管及2層碳奈米管具有高石墨結構，因此其導電性等的特性特別高。
發揮這樣的特性，碳奈米管係用於透明導電性薄膜等。又，前述透明導電性薄膜係能夠適當使用作為觸控面板、液晶顯示器、有機電致發光、電子紙等之附有透明導電膜的基材。在此等用途中，要求導電性更高的透明導電性薄膜，且要求在作成透明導電性薄膜時能夠發揮高導電性之碳奈米管集合體。
為了得到在作成透明導電性薄膜時能夠發揮高導電性之碳奈米管集合體，已知有使用CVD法所製造之含有碳奈米管之組成物中去除作為雜質所含有之無定形碳或粒狀碳等之碳奈米管以外的碳雜質之方法。作為去除碳奈米管以外的碳雜質之方法，一般常用在氣相中進行加熱的方法。然而，若在氣相中加熱含有碳奈米管之組成物，則不僅去除了碳雜質，同一時間在多層碳奈米管的外層中會產生缺陷。因此，已知有藉由對已氣相氧化之含有碳奈米管之組成物進一步進行液相氧化處理而去除具有缺陷的外層之技術(專利文獻1)等，但所得到的碳奈米管集合體的導電性不充分。又，進行液相氧化處理時，使用越強的酸越容易去除碳雜質，但使用強酸時，由於碳奈米管會受到損傷而造成特性受損，因此在實際上去除碳雜質所使用的酸需要使用具有較溫和的反應性的酸。
又，除了去除碳雜質以外，已提出添加摻雜劑作為提高碳奈米管集合體的導電性的方法。到目前為止，已經對作為摻雜劑的各種化合物進行研究，並已報導一種添加亞硫醯氯作為摻雜劑的例子，但並無法得到 充分的導電性，此外摻雜劑的穩定性亦具有問題(專利文獻2)。
作為上述以外之用以提高導電性之方法，亦已設計一種透過電泳將導電性高的金屬性碳奈米管與半導體性碳奈米管分離的方法、或是一種在合成階段中以金屬性奈米管為主的合成法等，但由於操作非常繁雜，因此其再現性差，而沒有投入實際使用。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特開2009-012988號公報
專利文獻2 日本特開2009-536911號公報
本發明係鑑於如上述情形而成者，其課題在於提供一種在作成透明導電性薄膜時能夠發揮高導電性之碳奈米管集合體及其製造方法。
本發明人等為了解決上述課題而專心研究，結果發現：藉由對含有碳奈米管之組成物施加2階段的濕式氧化處理，而作成酸吸附量為0.6質量%以上12質量%以下之碳奈米管集合體，藉此得到在作成透明導電性薄膜時能夠發揮高導電性之碳奈米管集合體。
亦即，本發明為：
1.一種碳奈米管集合體，其酸吸附量為0.6質量%以上12質量%以下。
2.如1所記載之碳奈米管集合體，其中前述所吸附的酸為選自包含硝酸、硫酸、鹽酸及磷酸之群組中的至少一種。
3.如1或2所記載之碳奈米管集合體，其中前述碳奈米管集合體的使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶(G-band)與D帶(D-band)的高度比(G/D比)為30以上。
4.如1至3中任一項所記載之碳奈米管集合體，其中相對於前述碳奈米管集合體所含有的全部碳奈米管之2層碳奈米管的比例為50%以上。
5.如1至4中任一項所記載之碳奈米管集合體，其中前述碳奈米管集合體所含有的碳奈米管的平均外徑為1nm以上3nm以下。
6.一種分散液，其含有如1至5中任一項所記載之碳奈米管集合體及分散媒。
7.一種透明導電性薄膜，其係含有如1至5中任一項所記載之碳奈米管集合體之導電層形成於基材上而成者。
8.如7所記載之透明導電性薄膜，其中全光線穿透率為90%以上，且表面電阻值為1000Ω/□以下。
9.一種碳奈米管集合體之製造方法，其係包含第一氧化處理步驟以及第二氧化處理步驟，其中該第一氧化處理步驟係藉由對含有原料碳奈米管之組成物進行濕式氧化處理，而得到使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶 與D帶的高度比(G/D比)為30以上之一次處理碳奈米管集合體，該第二氧化處理步驟係在比前述第一氧化處理步驟更強的氧化條件下進行濕式氧化處理。
10.如9所記載之碳奈米管集合體之製造方法，其中前述第二氧化處理步驟後的碳奈米管集合體之使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶與D帶的高度比(G/D比)為30以上。
11.如9或10所記載之碳奈米管集合體之製造方法，其中相對於前述第二氧化處理步驟後的碳奈米管集合體所含有的全部碳奈米管之2層碳奈米管的比例為50%以上。
12.如9至11中任一項所記載之碳奈米管集合體之製造方法，其中前述第二氧化處理步驟後的碳奈米管集合體所含有之碳奈米管的平均外徑為1nm以上3nm以下。
13.如9至12中任一項所記載之碳奈米管集合體之製造方法，其中前述第一氧化處理步驟為在硝酸中的加熱處理步驟。
14.如13所記載之碳奈米管集合體之製造方法，其中前述第二氧化處理步驟為使用比在第一氧化處理步驟中使用的硝酸濃度更高的硝酸的處理步驟。
若使用本發明之碳奈米管集合體，則能夠得到高導電性與穿透性優良的透明導電性薄膜。
[實施發明之形態]
本發明之碳奈米管集合體的特徵在於：其酸吸附量為0.6質量%以上12質量%以下。
本發明中使用的碳奈米管集合體係指多個碳奈米管存在的整體，其存在形態沒有特殊的限定，可各自獨立地存在、或是以束狀、互相纏繞等的形態存在、或是以此等的混合形態存在。又，亦可含有各種層數、直徑者。又，即便是在碳奈米管被包含在摻合分散液或其他成分而成的組成物中、或是與其他成分複合而成的透明導電性薄膜等的複合體中的情況下，只要包含多個碳奈米管，關於此等的多個碳奈米管則解釋為包含碳奈米管集合體。又，碳奈米管集合體能夠含有來自碳奈米管製造製程的雜質(例如：觸媒、無定形碳及粒狀碳等)。
本發明之碳奈米管集合體中的酸吸附量係以相對於碳奈米管集合體全體的質量分率表示碳奈米管集合體中的碳奈米管所吸附的酸成分的量。於此，吸附酸係表示在碳奈米管的內部或是碳奈米管束間等酸成分以分子形態或離子形態相互進行物理作用或是靜電作用的狀態，並未包含在碳奈米管集合體中僅單純與酸成分共存的狀態。列舉一例說明，使碳奈米管集合體含浸於鹽酸溶液中時，碳奈米管集合體所含有的鹽酸量暫時會增加，但並不認為其為本發明中的酸吸附。即便對碳奈米 管集合體充分地進行水洗，也還是會有酸成分殘存在碳奈米管集合體中的情形，則其酸成分認為是碳奈米管上有酸被吸附。
具體而言，碳奈米管集合體中的酸吸附量係如下所述地進行而求得。使目標的碳奈米管集合體懸浮在離子交換水中，在其懸浮液的pH達到中性為止前，重複進行水洗及吸引過濾，去除未被吸附的酸成分。之後，藉由在離子交換水中對水洗後的碳奈米管集合體進行超音波照射，而使已吸附在碳奈米管上的酸成分脫離到水中。從超音波照射後的懸浮液的pH計算出懸浮液中的氫離子濃度，從其氫離子濃度求得碳奈米管集合體中所含有的酸成分的量。
本發明之碳奈米管集合體的酸吸附量為0.6質量%以上12質量%以下。藉由使碳奈米管集合體中的酸吸附量為0.6質量%以上，而能夠充分發揮使用酸成分之對碳奈米管的摻雜效果，且能夠發揮導電性提升之這樣的效果。根據能夠更充分發揮使用酸成分之對碳奈米管的摻雜效果且能夠發揮使導電性更加提升之這樣的效果之理由，酸吸附量的下限較佳為1質量%以上。又，藉由使碳奈米管集合體中的酸吸附量為12質量%以下，而能夠防止導電性的降低。雖然碳奈米管集合體中的酸吸附量超過12質量%時導電性會降低的理由尚不明確，但認為是因為在碳奈米管集合體中的酸吸附量超過12質量%之前一直在酸成分溶液中進行氧化處理的情況下，碳奈米管會受到損傷，引起超過因摻雜效果所得到 的導電性提升之導電性下降。由於藉由抑制因在酸成分溶液中的加熱處理所導致的對碳奈米管的損傷，能夠發揮導電性進一步提升之這樣的效果，因此酸吸附量的上限較佳為6質量%以下，特佳為3質量%以下。
在本發明之碳奈米管集合體中，作為碳奈米管所吸附的酸成分的較佳實例，可列舉硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸等無機酸。又，能夠使用混合2種以上酸成分而成者。從操作簡化的觀點來看，酸成分較佳為選自硝酸、硫酸、鹽酸及磷酸中的1種或2種以上的混合物。再者，特佳為兼具能夠有效地進行碳奈米管合成後的觸媒金屬等的碳雜質去除之這樣的效果的硝酸。
碳奈米管具有將石墨的1片捲繞而形成筒狀的形狀，將捲成一層者稱為單層碳奈米管，將捲成多層者稱為多層碳奈米管，其中特別將捲成2層者稱為2層碳奈米管。碳奈米管的形態係可使用高解析穿透式電子顯微鏡進行檢查。石墨的層越能夠以穿透式電子顯微鏡直接且清楚地看到就越佳，即便石墨層散亂在一起也無妨。
一般而言，碳奈米管的層數越少，石墨化度越高，藉此而有碳奈米管導電性變高的傾向。也就是說，單層及2層碳奈米管傾向於具有比多層碳奈米管還要高的導電性，因此使本發明之效果發揮而更佳。再者，2層碳奈米管的耐久性比單層碳奈米管高。因此，在碳奈米管的製造步驟中，若考慮進行碳奈米管受到損傷的氧化處理等，更佳為大量含有2層碳奈米管。
相對於碳奈米管集合體所含有之全部碳奈米管之2層碳奈米管的比例較佳為50%以上，更佳為60%以上，再更佳為70%以上。在此所說的碳奈米管的比例係可藉由透過穿透式電子顯微鏡觀察碳奈米管集合體，並計算其中所含有之隨機抽出的碳奈米管的層數及根數來確認。
碳奈米管的層數與根數的具體計算方式係如下所述。亦即，加入1mg的碳奈米管集合體至1mL的乙醇中，使用超音波清洗槽15分鐘來進行分散處理，將已分散的試料數滴滴在網格上並乾燥，將像這樣塗布有試料的網格，使用倍率40萬倍的穿透式電子顯微鏡進行測定，觀察碳奈米管集合體。針對隨機抽出的100根碳奈米管來評定層數，若無法在一個視野中測定100根時，則從多個視野中進行測定達到100根為止。此時，1根碳奈米管是指只要能在視野中觀察到碳奈米管的一部分就列入1根計算，不一定要觀察到兩端。又，即便在視野中觀察到2根，也可能會在視野外連接成1根，但此時還是列入2根計算。
碳奈米管的平均外徑較佳為1nm以上3nm以下。碳奈米管集合體所含有的碳奈米管的平均外徑在上述範圍內的碳奈米管集合體往流經碳奈米管內的電子的軸向移動的直線性增加，碳奈米管的導電性會提高。此碳奈米管每一根的平均外徑係透過與上述相同的方法，使用穿透式電子顯微鏡以倍率40萬倍進行觀察，針對從在75nm見方的視野中視野面積的10%以上為碳奈 米管之視野中隨意抽出的100根碳奈米管進行觀察，測定碳奈米管的外徑時的算術平均值。
碳奈米管集合體之使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶與D帶的高度比(G/D比)較佳為30以上，G/D比更佳為40以上200以下，G/D比特佳為50以上150以下。拉曼光譜法使用的雷射波長為532nm。在使用拉曼光譜法所得到的拉曼光譜中，在1,590cm-1附近所看到的拉曼位移稱為源自石墨的G帶，在1,350cm-1附近所看到的拉曼位移稱為源自無定形碳與石墨缺陷的D帶。此G帶及D帶的高度比、G/D比越高的碳奈米管，其石墨化度越高，則表示其為高品質，亦即表示其為高結晶性且具有高導電性。如碳奈米管集合體之固體的拉曼光譜法可能會隨著採樣而發生變化，因此以拉曼分析至少3個位置、其他位置，取其算術平均。
藉由在基材上形成含有本發明之碳奈米管集合體之導電層，能夠得到透明導電性薄膜。在製造透明導電性薄膜時，使碳奈米管集合體以及視需要而添加的界面活性劑或各種高分子材料等的添加劑一起分散在分散媒中而作成分散液。藉由將所得到的分散液塗布在基材上，形成導電層。藉由在基材上形成含有本發明之碳奈米管集合體之導電層，能夠製造全光線穿透率為90%以上、表面電阻值為1000Ω/□以下之透明導電性薄膜。
如上述之本發明之含有碳奈米管之組成物係能夠藉由對含有為原料之碳奈米管之組成物(以下稱為含有原料碳奈米管之組成物)施加2階段的濕式氧化處理 而得到。亦即，本發明之含有碳奈米管之組成物之製造方法係具有對含有原料碳奈米管之組成物進行濕式氧化處理之第一氧化處理步驟；使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶與D帶的高度比(G/D比)為30以上而得到含有50%以上的2層碳奈米管的一次處理碳奈米管集合體之步驟；以及對前述一次處理碳奈米管集合體進行濕式氧化處理之第二氧化處理步驟，前述第二氧化處理步驟係在比前述第一氧化處理步驟更強的氧化條件下進行氧化處理。提供給本發明之製造法之含有原料碳奈米管之組成物，舉例來說，係如下述地製造。
將氧化鎂上負載鐵的粉末狀觸媒設置在立式反應器中，使得該觸媒存在於反應器的整個水平截面方向。藉由使甲烷以垂直方向流通至該反應器內並使甲烷與上述觸媒在500~1200℃下接觸，而製造單層~5層之含有碳奈米管之組成物。將以此方式製造且視需要地進行觸媒去除之含有碳奈米管之組成物稱為含有原料碳奈米管之組成物，此含有原料碳奈米管之組成物係供應給本發明之第一氧化處理步驟。
在本發明之製造方法中，第一氧化處理步驟是在液相中的濕式氧化，液相中的氧化處理與氣相中的氧化處理相比，其含有原料碳奈米管之組成物的石墨結構的破壞或切斷較少，而且含有原料碳奈米管之組成物整體係易於均勻地處理。將對含有原料碳奈米管之組成物施予第一氧化處理之碳奈米管集合體稱為一次處理碳奈米管集合體。
作為屬濕式氧化處理步驟之第一氧化處理步驟所使用的氧化劑，可列舉硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸等無機酸、或過氧化氫等作成水溶液時顯示酸性的化合物等，可單獨使用此等或將此等的2種以上混合使用。從操作簡化的觀點來看，作為酸成分，較佳為選自硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸及過氧化氫中的1種、或2種以上的混合物，更佳為硝酸、硫酸、過氧化氫或是此等的2種以上的混合物，特佳為硝酸。硝酸能夠氧化去除具有碳雜質或缺陷的碳奈米管，是因為其氧化力沒有高到足以於高結晶性的碳奈米管的表面上導入缺陷。
使用硝酸作為氧化劑時的較佳硝酸濃度為50質量%以上小於80質量%，更佳為55質量%以上小於70質量%，再更佳為60質量%以上65質量%以下。藉由使硝酸濃度為50質量%以上而能夠充分地去除碳雜質，藉由使硝酸濃度小於80質量%而能夠在高結晶性的碳奈米管的表面抑制損傷的產生。就第一氧化處理步驟而言，當使用80質量%以上濃度的硝酸時，碳雜質與高結晶性碳奈米管被氧化去除的速度的差異可能會變小，甚至可能與氧化去除碳雜質同時地將高結晶性碳奈米管本身氧化去除。因此，其由於會導致高結晶性碳奈米管的產量減少或高結晶性碳奈米管的比例的降低、即G/D比的降低，故而不佳。
又，第一氧化處理步驟係以在加熱條件化下進行為佳，第一氧化處理步驟的溫度較佳為60℃以上、沸點以下，特佳為以在100℃至成為氧化劑溶液回流狀 態的溫度為止的範圍內為佳。又，第一氧化處理步驟的時間較佳為1小時以上100小時以下，更佳為12小時以上48小時以下，更佳為18小時以上24小時以下。藉由使處理時間為1小時以上而充分地去除含有原料碳奈米管之組成物所含有之碳雜質，並且能夠使相對於全部碳奈米管之高結晶性的碳奈米管的比例提高。另一方面，藉由使處理時間為100小時以下，而能夠抑制在高結晶性碳奈米管表面產生損傷，並防止導電性降低。
在第一氧化處理步驟中，藉由適當地組合在氧化劑溶液中加熱含有原料碳奈米管之組成物時的氧化劑種類、濃度、加熱的時間、加熱時的溫度、或該等條件，而得到含有50%以上的2層碳奈米管且G/D比為30以上之一次處理碳奈米管集合體。上述的各條件及該等條件的組合只要是作成含有50%以上的2層碳奈米管且G/D比為30以上之碳奈米管集合體，則未受到限定。
藉由透過第一氧化處理步驟氧化去除含有原料碳奈米管之組成物所含有之碳雜質或表面具有缺陷的低品質碳奈米管、尤其是表面具有缺陷的單層碳奈米管，而能夠得到高結晶性且含有50%以上的2層碳奈米管之一次處理碳奈米管集合體。高結晶性係能夠由使用波長532nm的拉曼光譜法之G/D比來辨別，本發明係能夠在G/D比為30以上時，稱為具有高結晶性。
接著，對如上述地進行而得到的一次處理碳奈米管集合體施加第二氧化處理步驟，將對一次處理碳奈米管集合體施予第二氧化處理之碳奈米管集合體稱為二次處理碳奈米管集合體。
第二氧化處理步驟係在比第一氧化處理步驟更強的氧化條件下進行。作為第二氧化處理步驟所使用的氧化劑，可列舉硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸等無機酸、或是選自此等之中的2種以上的混合物。在此，作為使第二氧化處理步驟中的氧化條件比第一氧化處理步驟還要更強的手段，例如可例示以下的方法。使用與第一氧化處理步驟中所使用的氧化劑相同種類的氧化劑作為氧化劑時，能夠藉由提高氧化劑的濃度或是處理溫度來增強氧化處理條件。亦能夠藉由使用氧化力比第一氧化處理步驟所使用的還要強的氧化劑作為氧化劑來增強氧化處理條件。又，能夠藉由適當地組合上述手段來增強氧化處理條件。
第一氧化處理步驟使用硝酸時，第二氧化處理步驟中較適於使用的氧化劑為濃度比第一氧化處理步驟還高的硝酸。作為具體例，較佳為可列舉濃度為70質量%以上100質量%以下且濃度比第一氧化處理步驟中的硝酸濃度還高的硝酸。更佳為可列舉濃度為80質量%以上100質量%以下且濃度比第一氧化處理步驟中的硝酸濃度還高的硝酸。
第二氧化處理步驟由於使用氧化力比第一氧化處理步驟更強的氧化劑，因此其溫度係以比第一氧化處理步驟更低為佳，較佳為20℃以上、100℃以下，特佳為40℃以上80℃以下。另一方面，關於氧化處理時間，並沒有特殊的限制，但從操作性的觀點來看，較佳為1小時以上100小時以下，特佳為12小時以上24小時以下。
在第二氧化處理步驟中亦與第一氧化處理步驟同樣地能夠適當地組合在氧化劑溶液中加熱碳奈米管集合體時的氧化劑種類、濃度、加熱的時間、加熱時的溫度、或該等條件。又，上述的各條件及該等條件的組合只要是比前述第一氧化處理步驟更強的氧化條件，則未受到限定。
藉由像這樣對已經歷第一氧化處理步驟之高純度與高結晶性的碳奈米管進行第二氧化處理步驟，酸成分的吸附會比碳奈米管的氧化還要優先發生。藉此能夠得到符合本發明之範圍之碳奈米管集合體、即酸吸附量為0.6質量%以上12質量%以下之碳奈米管集合體。另一方面，若不進行像這樣的2階段的濕式氧化處理，而在如本發明之第二氧化處理步驟之強氧化性條件下直接對含有原料碳奈米管之組成物進行濕式氧化處理，則碳奈米管的氧化會比酸成分的吸附還要優先發生，碳奈米管會變差，因而較不佳。
酸成分被吸附的地方並不清楚，但認為存在於碳奈米管的內部或是碳奈米管束之間。其結果係可以在保持碳奈米管本身的結晶性的狀態下，使碳奈米管吸附更多的酸成分。
像這樣地進行而得到的第二氧化處理步驟後的碳奈米管集合體係以具有前述特性為佳，也就是說以使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶與D帶的高度比(G/D比)為30以上為佳，更佳為40以上200以下，特佳為50以上150以下。又，相對於第二氧化處理步驟後的 碳奈米管集合體所含有的全部碳奈米管之2層碳奈米管的比例較佳為50%以上。又，第二氧化處理步驟後的碳奈米管集合體所含有之碳奈米管的平均外徑較佳為1nm以上3nm以下。
又，依據本發明之方法而在液相中對含有原料碳奈米管之組成物進行第一氧化處理及第二氧化處理後，不使其乾燥而與分散媒及添加劑混合再使其分散會讓碳奈米管的分散性變得非常好，故而較佳。碳奈米管一旦進行乾燥的話，則會形成堅固的束，而有難以分散的傾向。已乾燥的碳奈米管與添加劑及分散媒混合後，即使想要利用例如超音波均質機等來解束，還是需要極大的能量與時間，而且正在分散的時候碳奈米管本身亦容易受到損傷。在不乾燥就分散的情況下，由於碳奈米管不會形成比乾燥時更堅固的束，因此易於分散，分散需要的能量、時間也只要少量即可，因此正在分散的時候碳奈米管本身受到的損傷亦少。因此，在用於形成具有高導電性的材料的分散液製造中，若不使已氧化處理的碳奈米管乾燥就使其分散，則有很大的影響。
本發明之碳奈米管集合體係適合用作分散於分散媒中而成的分散液，分散液係能夠藉由將碳奈米管集合體及視需要而添加的分散劑在分散媒中進行超音波分散處理而得到。作為所使用的分散劑，可使用界面活性劑、各種高分子材料(水溶性高分子材料等)等。分散劑對於提升碳奈米管集合體或微粒的分散能力或分散穩定化能力等相當有用。界面活性劑係分為離子性界面活 性劑與非離子性界面活性劑，在本發明中能夠使用任一種的界面活性劑，但從分散能力高的觀點來看，較佳為離子性界面活性劑。作為界面活性劑，可列舉例如：如下述之界面活性劑。該界面活性劑能夠單獨使用或是混合2種以上使用。
離子性界面活性劑係分成陽離子性界面活性劑、兩性離子性界面活性劑及陰離子性界面活性劑。作為陽離子性界面活性劑，可列舉烷基胺鹽、四級銨鹽等。作為兩性離子性界面活性劑，可列舉烷基甜菜鹼系界面活性劑、氧化胺系界面活性劑等。作為陰離子性界面活性劑，可列舉十二烷基苯磺酸等烷基苯磺酸鹽、十二烷基苯基醚磺酸鹽等芳香族磺酸系界面活性劑；Monosoap系陰離子性界面活性劑；醚硫酸鹽系界面活性劑；磷酸鹽系界面活性劑以及羧酸系界面活性劑等。其中，從分散能力、分散穩定能力及高濃度化優良來看，較佳為含有芳香環的界面活性劑，也就是芳香族系離子性界面活性劑，特佳為烷基苯磺酸鹽、十二烷基苯基醚磺酸鹽等芳香族系離子性界面活性劑。
作為非離子性界面活性劑的例子，可列舉去水山梨醇脂肪酸酯、聚氧乙烯去水山梨醇脂肪酸酯等糖酯系界面活性劑、聚氧乙烯樹脂酸酯、聚氧乙烯脂肪酸二乙酯等脂肪酸酯系界面活性劑；聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯‧聚丙二醇等醚系界面活性劑；聚氧伸烷基辛基苯基醚、聚氧伸烷基壬基苯基醚、聚氧烷基二丁基苯基醚、聚氧烷基苯乙烯基苯基醚、聚 氧烷基苄基苯基醚、聚氧烷基雙苯基醚、聚氧烷基異丙苯基苯基醚等芳香族系非離子性界面活性劑。在上述中，烷基可為選自碳數1-20中的烷基。其中，從分散能力、分散穩定能力及高濃度化優良來看，較佳為屬芳香族系非離子性界面活性劑之聚氧乙烯苯基醚。
作為各種高分子材料，有例如：聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯啶酮、聚苯乙烯磺酸銨鹽、聚苯乙烯磺酸鈉鹽等水溶性聚合物；羧基甲基纖維素及其鹽(鈉鹽、銨鹽等)、甲基纖維素、羥基乙基纖維素、直鏈澱粉、環直鏈澱粉、聚葡萄胺糖等醣類聚合物等。又，亦可使用聚噻吩、聚乙烯二氧噻吩、聚異苯并噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔等導電性聚合物及該等的衍生物。在本發明中，較佳為水溶性高分子，其中，能夠藉由使用羧基甲基纖維素及其鹽(鈉鹽、銨鹽等)、聚苯乙烯磺酸銨鹽、聚苯乙烯磺酸鈉鹽等水溶性聚合物而有效地發揮碳奈米管集合體的導電特性而較佳。再者，使用羧基甲基纖維素鈉鹽等水溶性陰離子性界面活性劑作為水系溶液時，較佳為使分散液的pH為6以上8以下。從因界面活性劑間的靜電排斥增大所造成的分散能力提升與碳奈米管集合體中的酸成分維持的觀點來看，特佳為pH7之中性。pH的調整係能夠藉由添加鹼性溶液來進行，鹼性溶液係使用氨或有機胺的溶液。作為有機胺，較佳為乙醇胺、乙基胺、正丙基胺、異丙基胺、二乙基胺、三乙基胺、乙二胺、六亞甲二胺、肼、吡啶、哌啶、羥基哌啶等之含氮的有機化合物。在此等氨、有機胺之中，最佳為氨。 作為溶解此等有機胺或氨的溶媒，較佳為使用水。pH係以pH計(東亞電波工業公司製、HM-30S)測定。
使本發明之碳奈米管集合體分散時的分散媒可為水系溶媒，亦可為非水系溶媒。作為非水系溶媒，可使用烴類(甲苯、二甲苯等)、含氯烴類(二氯甲烷、氯仿、氯苯等)、醚類(二烷、四氫呋喃、甲基賽路蘇等)、醚醇類(乙氧基乙醇、甲氧基乙氧基乙醇等)、酯類(乙酸甲酯、乙酸乙酯等)、酮類(環己酮、甲基乙基酮等)、醇類(乙醇、異丙醇、酚等)、低級羧酸(乙酸等)、胺類(三乙基胺、三甲醇胺等)、含氮的極性溶媒(N,N-二甲基甲醯胺、硝甲烷、N-甲基吡咯啶酮等)、硫化合物類(二甲亞碸等)等。在此等之中，作為分散媒，較佳為水、醇類、甲苯、丙酮、醚以及含有組合由此等中選出的多種溶媒而成的溶媒之分散媒。水系溶媒為必要的情況以及使用後述的黏結劑的情況下，當該黏結劑為無機聚合物系黏結劑時，可使用水、醇類、胺類等的極性溶媒。又，當使用在常溫下為液狀者作為黏結劑時，亦可使用其本身作為分散媒。
在含有本發明之碳奈米管集合體之分散液中，關於所添加的分散劑量，相對於碳奈米管集合體之分散劑的質量比率較佳為10以下，更佳為0.8~6以下，再更佳為0.8~3以下，特佳為0.8~2.5。相對於碳奈米管集合體之分散劑的質量比率在上述的較佳範圍時，在使用像那樣的分散液而得到的透明導電性薄膜等之中，能夠發揮導電性等優良的特性。又，用以使碳奈米管集合 體高度地分散之更佳的分散劑量會隨著分散劑的重量平均分子量而不同，分散劑為低分子量的話，則以較為多量為佳，分散劑為高分子量的話，則以稍微少量為佳。舉例來說，使用羧基甲基纖維素鈉鹽作為分散劑時，在重量平均分子量超過30萬的分散劑中，較佳的質量比率為0.8~2，更佳為1~1.5，特佳為1~1.3。另一方面，在重量平均分子量為30萬以下的分散劑中，質量比率較佳為2~6，更佳為2~3，特佳為2.2~2.8。
將本發明之碳奈米管集合體提供給超音波分散處理時，分散液中的碳奈米管集合體的濃度較佳為0.01質量%至1質量%，更佳為0.01質量%至0.8質量%。還有，上述碳奈米管集合體的濃度能夠從已使用的各成分的使用量求得，但想要使用碳奈米管分散液來測定碳奈米管集合體的濃度時，亦可由分散液的吸光度求得。
超音波分散處理中的超音波的照射輸出亦取決於處理量與分散時間，但較佳為20~1,000W。為了盡可能不破壞碳奈米管集合體的石墨結構而使其高度地分散，較佳為調整超音波的照射輸出、分散時間等。舉例來說，分散處理量若為20mL以下的話，超音波的照射輸出較佳為20~50W，分散處理量若為100~500mL的話，較佳為100W~400W。藉由在超音波的輸出大時縮短分散時間，輸出小時增加分散時間等的調整，而能夠盡可能不破壞碳奈米管集合體的石墨結構而使其高度地分散，且能夠抑制碳奈米管集合體的特性降低。具體的超音波處理條件係由下式(1)所求得之超音波照射量較佳為 10kW‧min/g以下，更佳為0.1kW‧min/g~4kW‧min/g，再更佳為0.2kW‧min/g~3kW‧min/g。
超音波照射量(kW‧min/g)=照射輸出(kW)×分散時間(min)/乾燥碳奈米管集合體質量(g)…(1)
使碳奈米管集合體分散時的溫度特佳為在高輸出的情況下不使液溫在分散中上升地一邊冷卻一邊以連續流動式進行分散等，而使得液溫不上升為佳。超音波照射中的液溫較佳為0℃~50℃，更佳為0℃~30℃，再更佳為0℃~20℃。藉由在此範圍內，碳奈米管與分散劑能夠穩定地相互作用且高度分散。頻率較佳為20~100kHz。
調製這樣的碳奈米管集合體的分散液後，能夠藉由塗布在基材上得到透明導電性薄膜。塗布碳奈米管集合體的分散液之方法沒有特殊的限定，可利用周知的塗布方法，例如：噴塗、浸漬塗布、旋轉塗布、刮刀塗布、吻合塗布、凹板塗布、網版印刷、噴墨印刷、移印、其他種類的印刷、或滾軸塗布等。又，塗布係可進行數次，亦可組合2種不同的塗布方法。最佳的塗布方法為滾軸塗布。
又，塗布時的碳奈米管集合體分散液中的碳奈米管集合體的濃度係根據塗布方法而適當選擇，但較佳為0.001質量%至10質量%。
分散液的塗布厚度(濕膜厚)亦取決於塗布液的濃度，但較佳為0.1μm至50μm，更佳為1μm至20μm。
將碳奈米管集合體的水系分散液塗布在基材上時，可在分散液中添加潤濕劑。塗布在非親水性的基材上時，尤其是能夠藉由將界面活性劑或醇類等潤濕劑添加至分散液中，而在基材與分散液不排斥的情況下進行塗布。潤濕劑較佳為醇類，在醇類之中較佳為甲醇或乙醇。甲醇、乙醇等低級醇類具有高揮發性，因此能夠在塗布後的基材乾燥時輕易地去除。視情況亦可使用醇類與水的混合液。
像這樣進行而將碳奈米管集合體的分散液塗布在基材上後，能夠藉由使用風乾、加熱、減壓等方法去除不需要的分散媒，而得到含有碳奈米管集合體之導電層。藉此，碳奈米管集合體會形成3維網格結構，且固定於基材。之後，使用適當的溶媒去除溶液中的成分之分散劑。藉由此操作，電荷變得易於分散，導電層的導電性會提升。
作為用以去除上述分散劑的溶媒，只要能夠溶解分散劑，則沒有特殊的限制，可為水性溶媒，亦可為非水性溶媒。具體而言，作為水性溶媒，可列舉水、醇類、乙腈等，若是非水性溶媒的話，則可列舉氯仿、甲苯等。
如上所述地將含有碳奈米管集合體之分散液塗布於基材上形成導電層後，亦以使用能夠形成有機透明被膜或無機透明被膜之黏結劑材料對此導電層進行保護塗層(overcoating)為佳。藉由保護塗層，對於進一步的電荷分散或移動來說是有效的。
又，即便在包含碳奈米管集合體之分散液中含有能夠形成有機或無機透明被膜之黏結劑材料，塗布在基材上後，視需要地加熱而進行塗膜的乾燥甚至是烘烤(硬化)，亦能夠得到透明導電性薄膜。此時的加熱條件係根據黏結劑種類而作適當的設定，黏結劑為光硬化性或放射線硬化性時，沒有進行加熱硬化，而是藉由在塗布後立即對塗膜照射光或放射線而使塗膜硬化。作為放射線，可使用電子束、紫外線、X射線、γ射線等游離輻射，照射線量係根據黏結劑種類而決定。
作為上述黏結劑材料，只要是用於導電性塗料者則沒有特殊的限制，可使用各種的有機及無機黏結劑。作為有機黏結劑，可使用透明的有機聚合物或其前驅物(以下亦稱為「有機聚合物系黏結劑」)。作為無機黏結劑，可使用無機聚合物或其前驅物(以下亦稱為「無機聚合物系黏結劑」)。有機聚合物系黏結劑可為熱塑性、熱硬化性或是放射線硬化性中的任一種。
作為適當的有機黏結劑的例子，有聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)、聚醯胺(耐綸6、耐綸11、耐綸66、耐綸6,10等)、聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等)、聚矽氧樹脂、乙烯系樹脂(聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯衍生物、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇等)、聚酮、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚碸、聚縮醛、氟樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、纖維素系聚合物、蛋白質類(明膠、酪蛋白等)、幾丁質、多肽、多醣類、 多核苷酸等有機聚合物、以及此等聚合物的前驅物(單體或寡聚物)。此等係能夠藉由僅使溶劑蒸發、或是藉由熱硬化、或是以光照射或放射線照射使其硬化，而形成透明被膜或矩陣。
較佳作為有機聚合物系黏結劑者為因放射線或光而能夠自由基聚合硬化之具有不飽和鍵之化合物，其為具有乙烯基甚至是亞乙烯基之單體、寡聚物、或是聚合物。作為此種的單體，有苯乙烯衍生物(苯乙烯、甲基苯乙烯等)、丙烯酸或是甲基丙烯酸或該等的衍生物(丙烯酸烷酯或是丙烯酸甲酯、丙烯酸烯丙酯或是丙烯酸甲酯等)、乙酸乙烯酯、丙烯腈、伊康酸等。寡聚物或是聚合物較佳為主鏈上具有雙鍵的化合物或在直鏈的兩端具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基之化合物。此種的自由基聚合硬化性黏結劑能夠形成高硬度、耐擦性優良、透明度高的被膜或是矩陣。
作為無機聚合物系黏結劑的實例，有二氧化矽、氧化錫、氧化鋁、氧化鋯等金屬氧化物的溶膠、或是作為無機聚合物的前驅物之水解或熱分解性的有機金屬化合物(有機磷化合物、有機硼化合物、有機矽烷化合物、有機鈦化合物、有機鋯化合物、有機鉛化合物、有機鹼土類金屬化合物等)。水解性或熱分解性的有機金屬化合物的具體例有金屬烷氧化物或其部分水解物、乙酸鹽等低級羧酸金屬鹽、乙醯丙酮等金屬錯合物。
若燒製這些無機聚合物系黏結劑，則能夠形成由氧化物或複合氧化物構成之玻璃質的無機聚合物系 透明被膜或是矩陣。無機聚合物系矩陣通常為玻璃質，具有高硬度且耐擦性優良，透明性亦高。
黏結劑的使用量只要是足以進行保護塗層的量、或是在分散液中摻合時足以得到適於塗布的黏性的量即可。若太少，則塗布無法順利地進行，太多則會抑制導電性。
分散液亦可視需要地摻合偶合劑、交聯劑、穩定劑、抗沉降劑、著色劑、電荷調整劑、潤滑劑等添加劑，又，分散液亦可進一步含有除了本發明之碳奈米管集合體之外的導電性有機材料、導電性無機材料、或是此等材料的組合。
作為導電性有機材料，可使用碳黑、富勒烯、多種碳奈米管、以及含有該等的粒子、或磺酸等有機酸、四氰基喹二甲烷(tetracyanoquinodimethane)(TCNQ)、三硝基茀酮(TNF)、氯醌等在分子內具有受體結構之有機化合物等。
作為導電性無機材料，可列舉鋁、銻、鈹、鎘、鉻、鈷、銅、摻雜金屬氧化物、鐵、金、鉛、錳、鎂、水銀、金屬氧化物、鎳、鉑、銀、鋼、鈦、鋅、以及含有該等的粒子。較佳可列舉氧化銦錫、氧化銻錫、及該等的混合物。
含有此等導電性材料、或是進行保護塗層而得之薄膜對於電荷分散或移動是非常有利的。又，亦可使含有碳奈米管集合體以外的導電性材料之層與含有碳奈米管集合體之層積層。
作為透明導電性薄膜的基材的材料，並沒有特殊的限定，可列舉樹脂、玻璃等。作為樹脂，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺、聚丙烯、聚乙烯、聚乳酸、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、脂環式丙烯酸樹脂、環烯烴樹脂、三乙醯纖維素等。作為玻璃，可使用一般的鈉玻璃。又，亦可組合此等多種基材來使用。舉例來說，可為組合樹脂與玻璃而成之基材、積層2種以上的樹脂而成之基材等複合基材，亦可為如於樹脂薄膜上設置有硬塗層者。又，亦可為對此等薄膜進行電暈處理等親水性化處理之薄膜，再者，亦可為在此等薄膜上設置有底塗層之薄膜。作為底塗層之素材，較佳為親水性高的素材。具體而言，係以使用無機氧化物為佳，更佳為二氧化鈦、氧化鋁或二氧化矽。此等物質在表面具有為親水基的羥基，而能夠獲得高親水性，故較佳。再者，底塗層可為此等無機氧化物與樹脂複合體，可列舉例如：二氧化矽微粒與聚矽酸鹽的複合物。
以上述方式得到的導電層亦能夠直接與基材黏著而使用，或亦可從基材剝離作為自支撐膜(self-supporting film)使用。為了製作自支撐膜，舉例來說，只要在導電層上進一步塗布有機聚合物系黏結劑後剝離基材即可。又，亦能夠藉由熱分解製作時的基材使其燒掉或是熔融，而將導電層轉印到另一基材來使用。在這種情況下，係以製作時的基材的熱分解溫度比轉印基材的熱分解溫度低為佳。
以上述方式得到的導電層的厚度可以採用各種範圍，例如：導電層係能設為0.5nm~1,000μm之間的厚度。較佳為0.005~1,000μm，更佳為0.05~500μm，再更佳為1.0~200μm，特佳為1.0~50μm。
以上述方式得到的透明導電性薄膜的全光線穿透率較佳為85%以上，此外更佳為90%以上。又，透明導電性薄膜的表面電阻更佳為小於2000Ω/□，再更佳為小於1000Ω/□，表面電阻較佳為1Ω/□以上。藉由在此範圍內，而能夠適當地作為觸控面板、液晶顯示器、有機電致發光、電子紙等之附有透明導電膜的基材來使用。亦即，表面電阻若為1Ω/□以上，則能夠使作為上述基材的穿透率提高且降低用電量。表面電阻若為1000Ω/□以下，則能夠減少觸控面板的上述座標讀取的誤差影響。
[實施例]
以下藉由實施例更具體地說明本發明。
(碳奈米管集合體評定) [碳奈米管集合體的酸吸附量定量]
首先，使碳奈米管集合體懸浮在離子交換水中。重複進行水洗及吸引過濾直到懸浮液變成中性為止，量取過濾成為中性的懸浮液而得到的潮濕狀態的碳奈米管集合體(以乾燥重量換算為15mg)至20mL的容器中，加入離子交換水，成為10g，使用超音波均質機(家田貿易(股)製、VCX-130)以輸出20W，在冰冷下超音波照射1.5分鐘。測定超音波照射後的碳奈米管集合體的懸浮液的 pH，藉由下式而從其pH求得碳奈米管集合體中的酸吸附量。碳奈米管集合體中的酸吸附量(質量%)係藉由將碳奈米管集合體的懸浮液中的酸成分的量(g)除以碳奈米管集合體的量(g)及酸成分之1分子中所含有之氫的數量並將其乘以100而計算出。
算式：碳奈米管集合體中的酸吸附量(質量%)=10-X×0.01×M×100/0.015×Y
M：酸成分的分子量
X：碳奈米管懸浮液的pH
Y：酸成分1分子所含有的氫的數量
[碳奈米管集合體的G/D比的測定]
將粉末試料設置於共振拉曼光譜儀(HORIBA Jobin Yvon公司製INF-300)中，使用532nm的雷射波長進行測定。當測定G/D比時，針對樣品的3個不同的地方進行分析，求得其算術平均數。
[碳奈米管的外徑分布及層數分布的觀察]
在1mL的乙醇中加入1mg的碳奈米管集合體，使用超音波清洗槽進行15分鐘的分散處理。將已分散的試料滴在金屬網格上並乾燥，將這樣塗布有試料的金屬網格設置於穿透式電子顯微鏡(日本電子(股)製JEM-2100)，進行測定。碳奈米管的外徑分布及層數分布的觀察係以倍率40萬倍進行。
(在基材上塗布碳奈米管分散液而成之透明導電性薄膜的評定) [透明導電性薄膜的製作]
首先，藉由以下的操作，在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(Toray(股)製(「Lumirror」(註冊商標)U46)上，將聚矽酸鹽作為黏結劑，製作直徑30nm的二氧化矽微粒露出的親水二氧化矽底塗層。
使用含有以固體成分濃度計為1質量%的30nm的親水二氧化矽微粒與聚矽酸鹽之Megaakua(註冊商標)Hydrophilic DM Coat((股)菱和製、DM-30-26G-N1)作為底塗製作用塗液。
使用製線條料(wire bar)#4，將前述底塗製作用塗液塗布在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(Toray(股)製(「Lumirror」(註冊商標)U46)上，塗布後，在140℃的乾燥機內乾燥1分鐘。
以如後述的方式進行，調製碳奈米管濃度為0.04質量%之碳奈米管集合體分散液，使用棒塗布機將此塗布液塗布在施加有底塗層的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(Toray(股)公司製(「Lumirror」(註冊商標)U46)、透光率91.3%、15cm×10cm)上風乾後，在120℃乾燥機內乾燥1分鐘，將含有碳奈米管之組成物固定化。
接著，使用含有以固體成分濃度計為1質量%的聚矽酸鹽之COLCOAT(註冊商標)(COLCOAT(股)製、N-103X)作為保護塗層製作用塗液，使用製線條料#8將此塗液塗布在碳奈米管層上後，在175℃乾燥機內乾燥1分鐘。
[全光線穿透率測定]
透明導電性薄膜的全光線穿透率係將透明導電性薄膜裝入Haze Meter(日本電色工業(股)製、NDH4000)進行測定。
[表面電阻測定]
透明導電性薄膜的表面電阻值係使用依據JIS K 7149(1994年12月制定)的4端子4探針法，並使用Loresta(註冊商標)EP MCP-T360((股)DIA Instruments公司製)來進行。高電阻測定時係使用Hiresta(註冊商標)UP MCP-HT450((股)DIA Instruments製、10V、10秒)來測定。
(實施例1) (觸媒調製)
將24.6g的檸檬酸鐵(III)銨(和光純藥工業公司製)溶解在6.2kg的離子交換水中，在此溶液中加入1000g的氧化鎂(岩谷公司製MJ-30)，於攪拌機中進行激烈的攪拌處理60分鐘後，在10L的高壓釜容器中導入懸浮液。此時，使用0.5kg的離子交換水作為洗滌液。在密閉容器的狀態下加熱至160℃，保持6小時。之後，將高壓釜容器放置至冷卻，從容器中取出漿液狀的白色混濁物質，藉由吸引過濾濾去多餘的水分，在120℃的乾燥機中加熱乾燥濾取物。一面在篩子上使用研缽將所得到的固體成分顆粒細化，一面回收10~20篩目範圍的粒徑的觸媒物。將左邊列出之顆粒狀的觸媒物導入至電 爐中，在大氣下，於600℃加熱3小時。所得到的觸媒物的容積密度為0.32g/mL。又，使用能量色散X射線分析裝置(EDX)分析以前述吸引過濾濾去的濾液後，並未檢測出鐵，由此能夠確認添加的檸檬酸鐵(III)銨被總量的氧化鎂所載持。再者，由觸媒物的EDX分析結過可知觸媒物所含有之含鐵量為0.39wt%。
(含有原料碳奈米管之組成物製造)
使用上述觸媒，合成含有原料碳奈米管之組成物。取出132g的上述固體觸媒，藉由導入至設置於垂直方向上的反應器的中央部的石英燒結板上形成觸媒層。在反應器內的溫度達到860℃為止前，一面加熱觸媒物層，一面由反應器底部朝向反應器上方，以16.5L/min的速率供給氮氣，以通過觸媒物層的方式使其流通。之後，一面供給氮氣，一面以0.78L/min進一步導入甲烷氣體60分鐘，以通過觸媒物層的方式使其流通並反應。停止導入甲烷氣體，一面以16.5L/min通入氮氣，一面將石英反應管冷卻至室溫為止，得到附有觸媒的碳奈米管集合體。藉由在4.8N的鹽酸水溶液2000mL中攪拌129g的此附有觸媒的碳奈米管集合體1小時，溶解為觸媒金屬的鐵與作為其載體的MgO。過濾所得到的黑色懸浮液後，再次在4.8N的鹽酸水溶液400mL中投入濾取物，進行脫MgO處理後，進行濾去處理。重複此操作3次，得到已去除觸媒之含有原料碳奈米管之組成物。
(第一氧化處理步驟)
將上述含有原料碳奈米管之組成物添加到300倍的重量的濃硝酸(和光純藥工業公司製1級Assay 60質量%)中，之後，一邊在140℃的油浴中攪拌24小時，一邊進行加熱回流。加熱回流後，將包含含有碳奈米管之組成物的硝酸溶液以離子交換水稀釋成2倍並吸引過濾。以離子交換水進行水洗直到濾取物的懸浮液變成中性為止，藉以得到一次處理碳奈米管集合體。一次處理碳奈米管集合體係以含水的潮濕狀態保存。
(第二氧化處理步驟)
將上述第一氧化處理步驟所得到的一次處理碳奈米管集合體添加到300倍的重量的發煙硝酸(和光純藥工業公司製1級Assay 97質量%)中，之後，一邊在60℃下攪拌6小時，一邊加熱。加熱後，將含有碳奈米管集合體的硝酸溶液以離子交換水稀釋成2倍並吸引過濾。以離子交換水進行水洗直到過濾取得的產物的懸浮液變成中性為止，藉以得到二次處理碳奈米管集合體。二次處理碳奈米管集合體係以含水的潮濕狀態保存。此碳奈米管集合體的酸吸附量為0.9質量%，拉曼G/D比為54。又，以高解析穿透式電子顯微鏡觀察此二次處理碳奈米管集合體後，碳奈米管的平均外徑為1.7nm。又，2層碳奈米管的比例為全體的82%。
(透明導電性薄膜的特性評定)
量取上述所得到之潮濕狀態的二次處理碳奈米管集合體(以乾燥重量換算為15mg)及10質量%羧基甲 基纖維素鈉(重量平均分子量：3.5萬)水溶液0.38g至20mL的容器中，加入離子交換水使全體量成為10g，使用28%氨水溶液(KISHIDA CHEMICAL(股)公司製)將pH調整成7。使用超音波均質機(家田貿易(股)製、VCX-130)，以輸出20W、1.5分鐘(2kW‧min/g)在冰冷下分散處理此溶液。
在所得到的分散液中添加水，將碳奈米管集合體的濃度調整成終濃度為0.04質量%，作成薄膜塗布液。以如前述的方式進行，於施加有底塗層之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(Toray(股)公司製(「Lumirror」(註冊商標)U46)、透光率91.3%、15cm×10cm)上使用棒塗布機塗布此塗布液並風乾後，在140℃乾燥機內乾燥1分鐘，將含有碳奈米管之組成物固定化。之後，以如前述的方式在碳奈米管層上施予保護塗層而得到之導電性薄膜的表面電阻值為200Ω/□、全光線穿透率為90%。
(比較例1)
除了不進行第二氧化處理步驟以外，係與實施例1同樣地合成及氧化處理碳奈米管集合體後，所得到的碳奈米管集合體的酸吸附量為0.5質量%，拉曼G/D比為38。又，以高解析穿透式電子顯微鏡觀察碳奈米管集合體後，碳奈米管的平均外徑為1.7nm。又，2層碳奈米管的比例為全體的90%。
之後，與實施例1同樣地進行導電性薄膜的特性評定後，表面電阻值為260Ω/□，全光線穿透率為90%。
(實施例2)
在第二氧化處理步驟中，除了將氧化處理時間設為24小時以外，係與實施例1同樣地合成及氧化處理碳奈米管集合體後，所得到的碳奈米管集合體的酸吸附量為1.1質量%，拉曼G/D比為87。又，以高解析穿透式電子顯微鏡觀察碳奈米管集合體後，碳奈米管的平均外徑為1.7nm。又，2層碳奈米管的比例為全體的71%。
之後，與實施例1同樣地進行導電性薄膜的特性評定後，表面電阻值為185Ω/□，全光線穿透率為90%。
(比較例2)
除了在與第一氧化處理步驟相同的條件下進行第二氧化處理步驟以外，係與實施例1同樣地合成及氧化處理碳奈米管集合體。亦即，在第二氧化處理步驟中，使用60%硝酸，一邊在140℃的油浴中攪拌24小時，一邊進行加熱回流。其結果係所得到的碳奈米管集合體的酸吸附量為0.5質量%，拉曼G/D比為63。又，以高解析穿透式電子顯微鏡觀察此碳奈米管集合體後，碳奈米管的平均外徑為1.7nm。又，2層碳奈米管的比例為全體的90%。
與實施例1同樣地進行導電性薄膜的特性評定後，表面電阻值為240Ω/□，全光線穿透率為90%。
上述實施例1、2及比較例1、2的第一氧化處理步驟的條件、第二氧化處理步驟的條件以及所得到的碳奈米管集合體、透明導電性薄膜的評定結果係記載於表1。
根據實施例1、2及比較例1、2的對比，得知藉由設置在比第一氧化處理步驟更強的氧化條件下進行氧化處理的第二氧化處理步驟，酸吸附量會增加。又，根據實施例1、2及比較例1、2的對比，亦得知使用實施例1、2的碳奈米管集合體所得到的透明導電性薄膜係維持高全光線穿透率且同時具有高導電性。
[產業上之可利用性]
藉由使用本發明之碳奈米管集合體，而能夠得到高導電性且穿透性優良的透明導電性薄膜。所得到的透明導電性薄膜主要能夠用於要求表面平滑性的觸控面板、液晶顯示器、有機電致發光、電子紙等與顯示器相關的透明電極。

Claims (14)

  1. 一種碳奈米管集合體，其酸吸附量為0.6質量%以上12質量%以下。
  2. 如請求項1之碳奈米管集合體，其中該所吸附的酸為選自包含硝酸、硫酸、鹽酸及磷酸之群組中的至少一種。
  3. 如請求項1或2之碳奈米管集合體，其中該碳奈米管集合體的使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶(G-band)與D帶(D-band)的高度比(G/D比)為30以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之碳奈米管集合體，其中相對於該碳奈米管集合體所含有的全部碳奈米管之2層碳奈米管的比例為50%以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之碳奈米管集合體，其中該碳奈米管集合體所含有的碳奈米管的平均外徑為1nm以上3nm以下。
  6. 一種分散液，其含有如請求項1至5中任一項之碳奈米管集合體及分散媒。
  7. 一種透明導電性薄膜，其係含有如請求項1至5中任一項之碳奈米管集合體之導電層形成於基材上而成者。
  8. 如請求項7之透明導電性薄膜，其中全光線穿透率為90%以上，且表面電阻值為1000Ω/□以下。
  9. 一種碳奈米管集合體之製造方法，其係包含第一氧化處理步驟以及第二氧化處理步驟，其中該第一氧化處理步驟係藉由對含有原料碳奈米管之組成物進行濕式 氧化處理，而得到使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶與D帶的高度比(G/D比)為30以上之一次處理碳奈米管集合體，該第二氧化處理步驟係在比該第一氧化處理步驟更強的氧化條件下進行濕式氧化處理。
  10. 如請求項9之碳奈米管集合體之製造方法，其中該第二氧化處理步驟後的碳奈米管集合體之使用波長532nm的拉曼光譜法之G帶與D帶的高度比(G/D比)為30以上。
  11. 如請求項9或10之碳奈米管集合體之製造方法，其中相對於該第二氧化處理步驟後的碳奈米管集合體所含有的全部碳奈米管之2層碳奈米管的比例為50%以上。
  12. 如請求項9至11中任一項之碳奈米管集合體之製造方法，其中該第二氧化處理步驟後的碳奈米管集合體所含有之碳奈米管的平均外徑為1nm以上3nm以下。
  13. 如請求項9至12中任一項之碳奈米管集合體之製造方法，其中該第一氧化處理步驟為在硝酸中的加熱處理步驟。
  14. 如請求項13之碳奈米管集合體之製造方法，其中該第二氧化處理步驟為使用比在第一氧化處理步驟中使用的硝酸濃度更高的硝酸的處理步驟。
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